JP2000234872A - Heat treatment system - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、処理室内に収容
された半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶
表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下、
単に「基板」という。）に対して熱処理を行う熱処理装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a substrate for an optical disk, etc.
It is simply called “substrate”. The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing a heat treatment on the above.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から基板を水平に支持し、上面から
加熱する上面加熱型の熱処理装置では、チャンバ内上方
に加熱源を備え、その下方に設けられた基板載置部に基
板を載置した状態で基板を加熱する。そして、そのよう
な装置では、基板載置部の側方の一部分には開閉自在な
シャッタを備えた基板搬出入口が設けられている。そし
て、外部の基板搬送機構の基板搬送ハンド上に基板を保
持した状態で、その基板搬送ハンドが基板搬出入口に進
入し、その基板搬出入口とほぼ同じ高さに設けられた基
板載置部に基板を載置し、その状態で基板に対して熱処
理を行うのである。2. Description of the Related Art Conventionally, an upper surface heating type heat treatment apparatus that horizontally supports a substrate and heats the substrate from the upper surface is provided with a heating source above the chamber and the substrate is placed on a substrate placing portion provided below the heating source. The substrate is heated in this state. In such an apparatus, a substrate loading / unloading port having an openable / closable shutter is provided at a part of the side of the substrate mounting portion. Then, with the substrate held on the substrate transfer hand of the external substrate transfer mechanism, the substrate transfer hand enters the substrate loading / unloading port, and enters the substrate mounting portion provided at substantially the same height as the substrate loading / unloading port. The substrate is placed, and heat treatment is performed on the substrate in that state.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板のチャ
ンバに対する搬出入の際には基板搬出入口を通じて外部
雰囲気が流入する。そのため、チャンバ内の基板搬出入
口付近の雰囲気の温度は不均一となり、それとほぼ同じ
高さに位置する熱処理中の基板の温度分布にも不均一が
生じ、熱処理の品質劣化につながっていた。By the way, when a substrate is carried in and out of the chamber, an external atmosphere flows through the substrate carrying-in / out port. Therefore, the temperature of the atmosphere in the vicinity of the substrate loading / unloading port in the chamber becomes non-uniform, and the temperature distribution of the substrate during the heat treatment located at substantially the same height also becomes non-uniform, leading to deterioration in the quality of the heat treatment.
【０００４】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、基板の温度均一性を向上させ、
高品質な熱処理を行うことができる熱処理装置を提供す
ることを目的とする。The present invention is intended to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and to improve the temperature uniformity of a substrate,
An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of performing high-quality heat treatment.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、処理室内に収容された基板に対
して熱処理を行う熱処理装置であって、処理室の側部に
設けられた基板搬出入口と、処理室内で基板を載置する
基板載置部と、処理室内の下側に配置され、基板載置部
に載置された基板の下方側から基板を加熱する加熱手段
と、加熱手段によって基板を加熱する際に、処理室内で
基板を載置した基板載置部を基板搬出入口の高さより上
方に移動させる駆動手段と、を備えている。According to one aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for performing a heat treatment on a substrate housed in a processing chamber, the apparatus being provided on a side of the processing chamber. A substrate loading / unloading port, a substrate mounting portion for mounting a substrate in the processing chamber, and a heating means disposed below the processing chamber and heating the substrate from below the substrate mounted on the substrate mounting portion. And a driving unit for moving the substrate mounting part on which the substrate is mounted in the processing chamber above the height of the substrate loading / unloading port when heating the substrate by the heating unit.
【０００６】また、請求項２の発明は、請求項１に記載
の熱処理装置であって、加熱手段が基板載置部に近接し
て設けられており、駆動手段が基板載置部とともに加熱
手段をも移動させるものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the first aspect, wherein the heating means is provided in proximity to the substrate mounting part, and the driving means is provided together with the substrate mounting part with the heating means. Is also moved.
【０００７】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２に記載の熱処理装置であって、駆動手段により
上方に移動された基板と処理室の天井面との間の空間に
ガスを供給する上方側ガス供給手段と、駆動手段により
上方に移動された基板載置部に載置された基板の周辺の
ガスを排出する上方側ガス排出手段と、をさらに備えて
いる。According to a third aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the first or second aspect, wherein the gas is supplied to a space between the substrate moved upward by the driving means and a ceiling surface of the processing chamber. And an upper gas discharging means for discharging gas around the substrate placed on the substrate placing part moved upward by the driving means.
【０００８】また、請求項４の発明は、請求項３に記載
の熱処理装置であって、上方側ガス供給手段が基板載置
部に載置された基板の上方において当該基板と平行な面
内に均一に分布した複数の穴からガスを供給するもので
ある。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the third aspect, wherein the upper gas supply means is provided above the substrate mounted on the substrate mounting portion in a plane parallel to the substrate. The gas is supplied from a plurality of holes uniformly distributed in the holes.
【０００９】また、請求項５の発明は、請求項３または
請求項４に記載の熱処理装置であって、上方側ガス排出
手段が処理室内の駆動手段により上方に移動された基板
載置部に載置された基板のほぼ側方において、当該基板
の外周においてほぼ等方的に設けられた穴を通じてガス
を排出するものである。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the third or fourth aspect, wherein the upper side gas discharging means is provided on the substrate mounting portion moved upward by the driving means in the processing chamber. The gas is exhausted substantially on the side of the mounted substrate through holes provided substantially isotropically on the outer periphery of the substrate.
【００１０】また、請求項６の発明は、請求項２ないし
請求項５のいずれかに記載の熱処理装置であって、上方
側ガス供給手段より下方において処理室内にガスを供給
する下方側ガス供給手段と、上方側ガス排出手段より下
方において処理室内のガスを排出する下方側ガス排出手
段と、をさらに備えている。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to any one of the second to fifth aspects, wherein a lower side gas supply for supplying a gas into the processing chamber below the upper side gas supply means. Means, and a lower gas discharging means for discharging gas in the processing chamber below the upper gas discharging means.
【００１１】また、請求項７の発明は、請求項６に記載
の熱処理装置であって、下方側ガス排出手段が基板搬出
入口を通じて処理室外にガスを排出するものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the sixth aspect, wherein the lower gas discharge means discharges the gas out of the processing chamber through the substrate loading / unloading port.
【００１２】また、請求項８の発明は、請求項３ないし
請求項７のいずれかに記載の熱処理装置であって、基板
の処理室への搬入後に基板が上方側ガス供給手段に近接
するように基板を載置した基板載置部を上昇させた後、
上方側ガス供給手段により処理室内へガスを導入し、さ
らにその後に基板載置部を若干下降させるように駆動手
段を制御する制御手段をさらに備えている。The invention according to claim 8 is the heat treatment apparatus according to any one of claims 3 to 7, wherein the substrate approaches the upper gas supply means after the substrate is carried into the processing chamber. After raising the substrate mounting part on which the substrate is mounted,
The apparatus further includes control means for controlling the driving means such that the gas is introduced into the processing chamber by the upper gas supply means, and thereafter the substrate mounting portion is slightly lowered.
【００１３】さらに、請求項９の発明は、請求項１ない
し請求項８のいずれかに記載の熱処理装置であって、処
理室内の上側または処理室の天井の上面に配置され、処
理室内の基板の温度を測定する温度測定手段を、さらに
備えている。Further, the invention of claim 9 is the heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the heat treatment apparatus is disposed on an upper side of the processing chamber or on an upper surface of a ceiling of the processing chamber, and And temperature measuring means for measuring the temperature of the light emitting element.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】＜１．装置構成＞図１はこの発明の実施の
形態である熱処理装置１の部分縦断面図である。また、
図２は図１の左側部分の、図３は図１の右側部分の拡大
図である。なお、図１〜図３において一部平行斜線を省
略した。以下、図１〜図３を参照してこの装置の構成を
説明していく。<1. Apparatus Configuration> FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view of a heat treatment apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. Also,
2 is an enlarged view of the left part of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of the right part of FIG. Note that parallel oblique lines are partially omitted in FIGS. Hereinafter, the configuration of this device will be described with reference to FIGS.
【００１６】熱処理装置１は主にチャンバ１０、温度測
定部２０、透過カバー３０、基板保持回転部４０、発光
部５０、透過キャップ６０、昇降駆動部８０および制御
部９０を備えている。The heat treatment apparatus 1 mainly includes a chamber 10, a temperature measuring section 20, a transmission cover 30, a substrate holding and rotating section 40, a light emitting section 50, a transmission cap 60, an elevation drive section 80, and a control section 90.
【００１７】チャンバ１０は上部をハウジング１１、下
部を底板１２とする円筒形状の炉体であり、この炉体の
内部壁面は石英で覆われている。そのうち、ハウジング
１１は内部に冷媒を通して冷却する冷却管１３を有す
る。また、ハウジング１１には、その天井面として、後
述する均熱リング４１に保持された基板Ｗと平行（水
平）に下面が反射率の高い鏡面であり、５カ所に円筒状
の穴１４ａが設けられた反射板１４が設けられている。
そして、ハウジング１１、底板１２および反射板１４に
より、チャンバ１０内には基板Ｗに熱処理を施すための
空間である処理空間ＰＳが形成されている。The chamber 10 is a cylindrical furnace body having an upper part as a housing 11 and a lower part as a bottom plate 12, and the inner wall surface of the furnace body is covered with quartz. Among them, the housing 11 has a cooling pipe 13 therein for cooling through a refrigerant. In addition, the housing 11 has a mirror surface with a high reflectivity as a ceiling surface in parallel (horizontal) with a substrate W held by a heat equalizing ring 41 described later, and cylindrical holes 14a are provided at five places. Provided reflector 14 is provided.
Further, a processing space PS, which is a space for performing a heat treatment on the substrate W, is formed in the chamber 10 by the housing 11, the bottom plate 12, and the reflection plate 14.
【００１８】また、ハウジング１１と底板１２は分離さ
れており、両者は底板１２の外周面外側を覆う伸縮可能
な金属ベローズ１５により連結されている。また、チャ
ンバ１０の側面には図示しない外部の基板搬送機構との
間で基板Ｗを受け渡して搬出入するための基板搬出入口
１０ａの他、反射板１４を貫通して上側ガス供給路１０
ｂが、ハウジング１１の外周には上側ガス排出路１０ｃ
が、ハウジング１１の側部には下側ガス供給路１０ｄが
それぞれ設けられている。そのうち、上側ガス供給路１
０ｂには、化学反応により窒化膜や酸化膜等の成膜のた
めの一酸化窒素ガス（Ｎ2Ｏ）や酸素ガス（Ｏ2）等の処
理ガスを供給する装置外に設けられた処理ガス供給源１
６および装置内に充満した処理ガスを置換して排出する
ための化学的反応性の低い窒素ガス（Ｎ2）等の置換ガ
スを供給する外部の置換ガス供給源１７に接続されてい
る。また、上側ガス排出路１０ｃはチャンバ１０内に供
給された処理ガスおよび置換ガス（以下、両者を総称す
る場合には単に「ガス」という。）を外部に排出する。
さらに、下側ガス供給路１０ｄは置換ガス供給源１７の
みに接続されている。The housing 11 and the bottom plate 12 are separated from each other, and are connected to each other by an extendable metal bellows 15 which covers the outer peripheral surface of the bottom plate 12. Further, in addition to a substrate loading / unloading port 10a for transferring a substrate W to and from an external substrate transport mechanism (not shown) on the side surface of the chamber 10, an upper gas supply path 10 penetrating through the reflection plate 14.
b is an upper gas discharge passage 10 c on the outer periphery of the housing 11.
However, a lower gas supply passage 10d is provided on each side of the housing 11. Among them, upper gas supply channel 1
0b is a processing gas provided outside the apparatus for supplying a processing gas such as a nitrogen monoxide gas (N 2 O) or an oxygen gas (O 2 ) for forming a nitride film or an oxide film by a chemical reaction. Source 1
6 and an external replacement gas supply source 17 for supplying a replacement gas such as a nitrogen gas (N 2 ) having a low chemical reactivity for replacing and discharging the processing gas filled in the apparatus. The upper gas discharge path 10c discharges the processing gas and the replacement gas supplied into the chamber 10 (hereinafter, simply referred to as "gas" when both are collectively referred to) to the outside.
Further, the lower gas supply passage 10d is connected to only the replacement gas supply source 17.
【００１９】また、基板搬出入口１０ａの外側にはシャ
ッタ１８が設けられており、図示しない昇降機構の駆動
により基板搬出入口１０ａを開閉することができるとと
もに、後述するように基板搬出入口１０ａ内にはチャン
バ１０内のガスを排出する下側ガス排出路１０ｆが設け
られている。A shutter 18 is provided outside the substrate loading / unloading opening 10a. The shutter 18 can be opened and closed by driving a lifting mechanism (not shown). Is provided with a lower gas discharge passage 10f for discharging gas in the chamber 10.
【００２０】図４は熱処理装置１の部分的に透視した平
面図である。図示のように、温度測定部２０は反射板１
４の５つの穴１４ａのそれぞれに対応して反射板１４の
上面に５個取り付けられている。そして、加熱された基
板Ｗからの放射光が基板Ｗと反射板１４との間において
反射を繰り返す多重反射が生じるが、温度測定部２０は
後述する機構により穴１４ａを通じて下方からの多重反
射を起こした放射光の強度を基に基板Ｗの温度を測定
し、その温度信号を後述の制御部９０に送信する。FIG. 4 is a partially transparent plan view of the heat treatment apparatus 1. As shown in the figure, the temperature measuring unit 20 is provided with the reflecting plate 1.
Four five holes are attached to the upper surface of the reflector 14 corresponding to the four five holes 14a. Then, multiple reflection occurs in which the radiated light from the heated substrate W is repeatedly reflected between the substrate W and the reflection plate 14. However, the temperature measurement unit 20 causes multiple reflection from below through the hole 14a by a mechanism described later. The temperature of the substrate W is measured based on the intensity of the emitted light, and the temperature signal is transmitted to a control unit 90 described later.
【００２１】透過カバー３０は反射板１４の下面および
ハウジング１１の内周面を覆うように設けられた、光透
過性が高く、上端が平面で閉鎖された円筒状をなした化
学的反応性の低い石英製の部材である。これにより、反
射板１４表面が処理ガス等と反応して「くもる」などし
て、その反射率が低下することを抑えている。なお、透
過カバー３０の詳細は後述する。The transmission cover 30 is provided so as to cover the lower surface of the reflection plate 14 and the inner peripheral surface of the housing 11. It is a low quartz member. Thereby, the reflection plate 14 is prevented from reacting with the processing gas or the like and becoming "cloudy", thereby reducing the reflectance. The details of the transmission cover 30 will be described later.
【００２２】基板保持回転部４０は、基板Ｗの周縁部分
を全周に亘って保持するとともにその周縁部からの熱の
放出を補償する炭化珪素（ＳｉＣ）製の均熱リング４１
が、その直径とほぼ等しい外径を有する円筒の支持脚４
２により支持されている。そして、支持脚４２の外周面
下端に回転子４３ａが設けられ、それに対応する円形の
固定子４３ｂが後述する固定部材５２上に取り付けられ
たリニアモータ４３が設けられている。そのリニアモー
タ４３が回転すると支持脚４２がその円筒の中心を軸と
して回転し、それに伴い、均熱リング４１もその水平面
内での中心を軸として基板Ｗの被処理面（上面）と平行
な面内（水平面内）で回転可能となっている。The substrate holding and rotating portion 40 holds a peripheral portion of the substrate W over the entire periphery and compensates for the release of heat from the peripheral portion. The heat equalizing ring 41 is made of silicon carbide (SiC).
Is a cylindrical support leg 4 having an outer diameter approximately equal to its diameter.
2 supported. A rotor 43a is provided at the lower end of the outer peripheral surface of the support leg 42, and a linear motor 43 in which a circular stator 43b corresponding to the rotor 43a is mounted on a fixing member 52 described later is provided. When the linear motor 43 rotates, the support leg 42 rotates about the center of the cylinder, and accordingly, the heat equalizing ring 41 is also parallel to the processing surface (upper surface) of the substrate W about the center in the horizontal plane. It is rotatable in the plane (horizontal plane).
【００２３】発光部５０は多数の発光式加熱手段として
のハロゲンランプであるランプ５１（図１〜図４および
図８において参照符号一部省略）と、それらを備えた固
定部材５２とからなっている。図４に示すようにランプ
５１は基板Ｗと平行な面（水平面）内においてほぼ均一
に分布して設けられている。そのため、ランプ５１が点
灯するとその光は基板Ｗを均一に加熱する。また、固定
部材５２は底板１２に固定されているとともに、ランプ
５１が配置された上面であるリフレクタ５２ａは光の反
射率が高い鏡面とされており、均熱リング４１の下面お
よび、それに保持された基板Ｗの下面との間で前述と同
様の多重反射を生じさせる。The light emitting section 50 is composed of a plurality of lamps 51, which are halogen lamps as light emitting heating means (reference numerals are partially omitted in FIGS. 1 to 4 and 8), and a fixing member 52 provided with them. I have. As shown in FIG. 4, the lamps 51 are provided substantially uniformly distributed in a plane (horizontal plane) parallel to the substrate W. Therefore, when the lamp 51 is turned on, the light uniformly heats the substrate W. In addition, the fixing member 52 is fixed to the bottom plate 12, and the reflector 52a, which is the upper surface on which the lamp 51 is disposed, has a mirror surface with a high light reflectivity. The same multiple reflection as described above is caused between the substrate and the lower surface of the substrate W.
【００２４】透過キャップ６０は光透過性が高く、上端
が平面で閉鎖された円筒状をなした化学的反応性の低い
石英製の部材であって、その上面には、同心円上にない
３本の石英製の支持ピン６１（図１には２本のみ図示）
が設けられており、それら支持ピン６１の上端に基板Ｗ
を水平に載置することができるものとなっている。ま
た、透過キャップ６０下部には透過キャップ６０全体を
昇降させる昇降駆動手段としてのエアシリンダ６２が設
けられている。エアシリンダ６２の伸縮により、基板Ｗ
を受け取る際には透過キャップ６０を上昇させて支持ピ
ン６１上に基板Ｗを載置し、その後に透過キャップ６０
を下降させることによって基板保持回転部４０の均熱リ
ング４１上に基板Ｗを載置する。逆に基板Ｗを基板搬送
機構に渡す際には逆の手順で行う。The transmissive cap 60 is a cylindrical member having a high light transmittance and a low chemical reactivity having a cylindrical shape whose upper end is closed with a flat surface, and has three concentric circles on its upper surface. Quartz support pins 61 (only two are shown in FIG. 1)
Are provided at the upper ends of the support pins 61.
Can be placed horizontally. Further, an air cylinder 62 is provided below the transmission cap 60 as an elevating / lowering drive unit for raising and lowering the entire transmission cap 60. The expansion and contraction of the air cylinder 62 causes the substrate W
When receiving the transmission cap 60, the transmission cap 60 is raised, and the substrate W is placed on the support pins 61.
Is lowered to place the substrate W on the heat equalizing ring 41 of the substrate holding / rotating unit 40. Conversely, when transferring the substrate W to the substrate transport mechanism, the procedure is performed in the reverse order.
【００２５】また、透過カバー３０、透過キャップ６０
およびチャンバ１０の内部壁面が石英製であり、均熱リ
ング４１がＳｉＣ製であることにより、チャンバ１０の
内部において金属部材が処理ガスに直接さらされること
が少ないので、基板Ｗに金属汚染を及ぼすことが少な
い。The transmission cover 30 and the transmission cap 60
In addition, since the inner wall surface of the chamber 10 is made of quartz and the heat equalizing ring 41 is made of SiC, the metal member is hardly directly exposed to the processing gas inside the chamber 10, so that the metal contamination on the substrate W is caused. Less.
【００２６】昇降駆動部８０はボールねじ８１とモータ
８２とを備えた昇降駆動手段であり、モータ８２の回転
により、底板１２およびそれに取り付けられた発光部５
０、透過キャップ６０、基板保持回転部４０を一体とし
て昇降（ハウジング１１に対して相対的に近接、離隔）
させることができる。そして、それにより均熱リング４
１上に載置された基板Ｗを昇降させることができる。The elevation drive unit 80 is an elevation drive unit having a ball screw 81 and a motor 82. The rotation of the motor 82 causes the bottom plate 12 and the light emitting unit 5 attached thereto.
0, the transmission cap 60 and the substrate holding / rotating unit 40 are integrally moved up and down (relatively close to and away from the housing 11).
Can be done. Then, the heat equalizing ring 4
1 can be moved up and down.
【００２７】制御部９０は内部に図示しないＣＰＵおよ
びメモリ等を備えるとともに、各部との電気的接続は図
示しないが、シャッタ１８、ランプ５１、リニアモータ
４３、モータ８２および後述の温度測定部２０内のモー
タ２４のそれぞれに電力を供給する図示しないドライバ
に接続され、それらドライバによる供給電力の制御を通
じて上記各部の動作を制御するとともに、エアシリンダ
６２への図示しないエア供給源、処理ガス供給源１６、
置換ガス供給源１７に設けられた図示しない電磁弁の開
閉により、エアやガスの供給量を制御する。The control unit 90 includes a CPU, a memory, and the like (not shown), and electrical connections with the respective units are not shown. The shutter 18, the lamp 51, the linear motor 43, the motor 82, and the The motor 24 is connected to a driver (not shown) that supplies power to each of the motors 24, and controls the operation of each of the above-described units through control of the power supplied by the drivers. ,
The supply amount of air or gas is controlled by opening and closing a solenoid valve (not shown) provided in the replacement gas supply source 17.
【００２８】つぎに、主要部について詳細に説明する。Next, the main part will be described in detail.
【００２９】図２および図３に示すように、上側ガス供
給路１０ｂは透過カバー３０の上面内部に設けられたガ
ス溜め３０ａに通じている。また、図１〜図３および図
１のＡ−Ａ断面から上方を見た状態を示す図である図５
に示すように透過カバー３０の下面にはガス溜め３０ａ
に通じる複数の細孔である上側ガス導入口３０ｂが設け
られている。そして、ガス供給の際にはガスが上側ガス
導入口３０ｂを通じてシャワー状に処理空間ＰＳに供給
される。このように、この装置では上側ガス導入口３０
ｂが基板Ｗの被処理面に平行な面内において均一に設け
られているので、基板Ｗの被処理面内におけるガス流が
均一であり、ガス流による基板Ｗの温度低下の不均一も
抑えられる。As shown in FIGS. 2 and 3, the upper gas supply passage 10b communicates with a gas reservoir 30a provided inside the upper surface of the transmission cover 30. FIG. 5 is a diagram showing a state when viewed from the AA cross section of FIGS. 1 to 3 and FIG.
As shown in FIG.
There is provided an upper gas inlet 30b which is a plurality of pores communicating with the upper side. Then, at the time of gas supply, the gas is supplied to the processing space PS in a shower shape through the upper gas inlet 30b. Thus, in this apparatus, the upper gas inlet 30
Since b is provided uniformly in a plane parallel to the processing surface of the substrate W, the gas flow in the processing surface of the substrate W is uniform, and the non-uniformity of the temperature decrease of the substrate W due to the gas flow is suppressed. Can be
【００３０】上側ガス排出路１０ｃはハウジング１１内
部のガス溜め１０ｅに通じている。また、図５に示すよ
うに、ガス溜め１０ｅは円筒形のハウジング１１内部の
全周に亘って設けられている。図６は図１および図２の
矢印Ａ１方向から見た透過カバー３０の内周面の一部を
示す図である。図５および図６から分かるように、ガス
溜め１０ｅは透過カバー３０の内周面の全周に亘ってス
リット状に設けられた上側ガス排出口３０ｃに通じてい
る。そして、上側ガス排出口３０ｃから排出された処理
空間ＰＳ内のガスはガス溜め１０ｅを通じて上側ガス排
出路１０ｃから装置外の図示しない施設内のダクトに排
出される。このように上側ガス排出口３０ｃが透過カバ
ー３０の全周（従って、基板Ｗの周縁部に対向して全
周）に亘って設けられていることにより等方的（基板の
中心について点対称）にガスを排出することができ、ガ
ス流が一層均一になり、それにより基板Ｗの温度低下の
不均一も一層抑えられる。The upper gas discharge passage 10c communicates with a gas reservoir 10e inside the housing 11. As shown in FIG. 5, the gas reservoir 10e is provided over the entire circumference of the inside of the cylindrical housing 11. FIG. 6 is a diagram showing a part of the inner peripheral surface of the transmission cover 30 viewed from the direction of arrow A1 in FIGS. 1 and 2. As can be seen from FIGS. 5 and 6, the gas reservoir 10 e communicates with an upper gas outlet 30 c provided in a slit shape over the entire inner peripheral surface of the transmission cover 30. Then, the gas in the processing space PS discharged from the upper gas discharge port 30c is discharged from the upper gas discharge passage 10c to a duct (not shown) outside the apparatus through the gas reservoir 10e. Since the upper gas discharge port 30c is provided over the entire periphery of the transmission cover 30 (accordingly, the entire periphery facing the peripheral portion of the substrate W), the upper gas outlet 30c is isotropic (point symmetry with respect to the center of the substrate). The gas can be more efficiently discharged, and the gas flow becomes more uniform, whereby the non-uniformity of the temperature decrease of the substrate W can be further suppressed.
【００３１】図７は図１のＢ−Ｂ断面から下方を見た状
態を示す図である。下側ガス導入口３０ｄはハウジング
１１内のガス溜め１０ｇを介して下側ガス供給路１０ｄ
に接続されている。置換ガス供給源１７から供給された
置換ガスは下側ガス供給路１０ｄ、ガス溜め１０ｇ、下
側ガス導入口３０ｄを通じて処理空間ＰＳに導入され
る。FIG. 7 is a diagram showing a state viewed from below from the BB section of FIG. The lower gas inlet 30d is connected to a lower gas supply passage 10d via a gas reservoir 10g in the housing 11.
It is connected to the. The replacement gas supplied from the replacement gas supply source 17 is introduced into the processing space PS through the lower gas supply path 10d, the gas reservoir 10g, and the lower gas inlet 30d.
【００３２】また、図１および図３に示すように下側ガ
ス導入口３０ｄと下側におけるガス排出の経路としても
機能する基板搬出入口１０ａとは、ほぼ同じ高さ（後述
する搬出入高さ）で、かつ、基板Ｗを挟んで対向するよ
うに設けられている。そして、基板搬出入口１０ａの下
方には下側ガス排出路１０ｆが設けられており処理空間
ＰＳ内の雰囲気は基板搬出入口１０ａを経て下側ガス排
出路１０ｆから排出される。そして下側ガス導入口３０
ｄから置換ガスを供給しつつ、基板搬出入口１０ａから
内部雰囲気を排出する際には、ガスの供給量と排気量は
バランスが取られる。これによりガスの置換の際や、基
板Ｗの搬出入の際には下側ガス導入口３０ｄから基板搬
出入口１０ａにかけてのガス流ＧＳを形成し、ガス置換
を迅速に行えるとともに、基板搬出入口１０ａの下側ガ
ス排出路１０ｆからガスを排出することにより、基板Ｗ
の搬出入の際には外気の巻き込みを少なくすることがで
きる。As shown in FIGS. 1 and 3, the lower gas inlet 30d and the substrate carry-in / out port 10a which also functions as a gas discharge path on the lower side have substantially the same height (a carry-in / out height described later). ) And opposed to each other with the substrate W interposed therebetween. A lower gas discharge path 10f is provided below the substrate carry-in / out port 10a, and the atmosphere in the processing space PS is discharged from the lower gas discharge path 10f through the substrate carry-in / out port 10a. And the lower gas inlet 30
When the internal atmosphere is exhausted from the substrate loading / unloading port 10a while the replacement gas is supplied from d, the supply amount and the exhaust amount of the gas are balanced. In this way, a gas flow GS from the lower gas inlet 30d to the substrate loading / unloading port 10a is formed when replacing the gas or when loading / unloading the substrate W, so that the gas replacement can be performed quickly and the substrate loading / unloading port 10a By discharging gas from the lower gas discharge path 10f, the substrate W
When carrying in and out, the entrainment of outside air can be reduced.
【００３３】また、制御部９０は昇降駆動部８０の駆動
制御を通じて、基板Ｗを主に以下に示す３つの高さに位
置させるように基板保持回転部４０の高さを制御する。The control unit 90 controls the height of the substrate holding / rotating unit 40 through driving control of the lifting / lowering driving unit 80 so that the substrate W is mainly positioned at the following three heights.
【００３４】図８は昇降駆動部８０が上昇した状態を示
す熱処理装置１の縦断面図である。図示のように昇降駆
動部８０が上昇した状態（基板Ｗが上側ガス排出口３０
ｃに対して１〜６ｍｍ程度）で処理空間ＰＳ上部に処理
ガスが供給される。このときの基板Ｗの高さを、ガス供
給高さＧＨと呼ぶ。このように、この装置では上側ガス
導入口３０ｂから基板Ｗの被処理面に向けて処理ガスを
供給する際に基板Ｗを上側ガス導入口３０ｂに近接させ
ることにより基板Ｗ上方の処理ガスを充満させるべき基
板Ｗと透過カバー３０との間（したがって、基板Ｗとチ
ャンバ１０の天井面である反射板１４との間）の空間を
狭めるので、処理空間ＰＳ内の雰囲気を処理ガスに迅速
に置換できる。FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the heat treatment apparatus 1 showing a state in which the elevation drive section 80 is raised. As shown in the figure, the state in which the lifting drive unit 80 is raised (the substrate W is in the upper gas outlet 30).
The processing gas is supplied to the upper portion of the processing space PS at about 1 to 6 mm with respect to c. The height of the substrate W at this time is called a gas supply height GH. As described above, in this apparatus, when the processing gas is supplied from the upper gas inlet 30b toward the surface to be processed of the substrate W, the processing gas above the substrate W is filled by bringing the substrate W close to the upper gas inlet 30b. Since the space between the substrate W to be made and the transmission cover 30 (therefore, between the substrate W and the reflection plate 14 as the ceiling surface of the chamber 10) is narrowed, the atmosphere in the processing space PS is quickly replaced with the processing gas. it can.
【００３５】また、図１〜図３に実線で示すように、昇
降駆動部８０が下降した際の基板Ｗの高さは、基板Ｗの
搬出入の高さ、すなわち、基板搬出入口１０ａとほぼ同
じ高さであって、このときの基板Ｗの高さを搬出入高さ
ＴＨと呼ぶ。As shown by the solid line in FIGS. 1 to 3, the height of the substrate W when the lifting / lowering drive unit 80 is lowered is substantially equal to the height of the loading / unloading of the substrate W, that is, the substrate loading / unloading port 10a. The same height, and the height of the substrate W at this time is referred to as a carry-in / out height TH.
【００３６】さらに、図１〜図３に二点鎖線で示すよう
に、昇降駆動部８０が上記ガス供給高さＧＨより若干下
降した（基板Ｗと上側ガス排出口３０ｃとの高さの差が
１０〜１５ｍｍ程度）際の基板Ｗの高さは、基板Ｗに熱
処理が施される高さであって、このときの基板Ｗの高さ
を処理高さＰＨと呼ぶ。この処理高さＰＨは、基板搬出
入口１０ａよりも高い位置（搬出入高さＴＨより高い位
置）にある。なお、この処理高さＰＨは基板搬出入口１
０ａよりも高い位置で任意の高さに変更できるものとな
っており、それにより、ガス流に対応した最適な熱処理
が可能となる。Further, as shown by a two-dot chain line in FIGS. 1 to 3, the elevation drive unit 80 is slightly lowered from the gas supply height GH (the height difference between the substrate W and the upper gas discharge port 30c is smaller). The height of the substrate W at the time of about 10 to 15 mm) is a height at which heat treatment is performed on the substrate W, and the height of the substrate W at this time is referred to as a processing height PH. The processing height PH is at a position higher than the substrate loading / unloading entrance 10a (a position higher than the loading / unloading height TH). The processing height PH is set to the substrate loading / unloading port 1
The height can be changed to an arbitrary height at a position higher than 0a, thereby enabling an optimal heat treatment corresponding to the gas flow.
【００３７】つぎに、温度測定部２０の内部構造につい
て、温度測定部２０の部分断面図である図９および図９
の回転セクタ２３、空洞部ＣＰおよび導光ロッド２６の
平面的位置関係を示す図である図１０を用いて説明す
る。前述のように温度測定部２０は反射板１４の５カ所
に設けられた穴１４ａ周辺において反射板１４上面に取
り付けられている。処理高さＰＨに位置する基板Ｗは発
光部５０からの光により熱せられ、その温度に応じた放
射光を放つ。そして、その放射光は反射板１４と均熱リ
ング４１および基板Ｗとの間で繰り返し反射する多重反
射を行う。そこで、温度測定部２０はこの多重反射後の
放射光を穴１４ａから取り入れて、その放射強度を計測
し、それを基に基板Ｗの温度を求めるものである。Next, the internal structure of the temperature measuring section 20 will be described with reference to FIGS.
FIG. 10 is a diagram showing a planar positional relationship among the rotating sector 23, the cavity CP, and the light guide rod 26. As shown in FIG. As described above, the temperature measurement unit 20 is attached to the upper surface of the reflector 14 around the holes 14a provided at five locations of the reflector 14. The substrate W located at the processing height PH is heated by the light from the light emitting unit 50 and emits radiated light according to the temperature. Then, the radiated light performs multiple reflections that are repeatedly reflected between the reflection plate 14, the heat equalizing ring 41, and the substrate W. Therefore, the temperature measurement unit 20 takes in the radiated light after the multiple reflection from the hole 14a, measures the radiant intensity thereof, and obtains the temperature of the substrate W based on the radiant intensity.
【００３８】温度測定部２０は、ケーシング２１を備え
ており、ケーシング２１の下部には内面が鏡面となった
円筒状の穴２１ａが設けられ、その内面が円筒状の空洞
部ＣＰを形成している。そして、空洞部ＣＰの上部には
光を透過する石英ガラス板２２が設けられ、さらにその
上方の水平に設けられた内面２１ｂに近接して回転セク
タ２３が設けられている。The temperature measuring section 20 has a casing 21, and a cylindrical hole 21a having a mirror-finished inner surface is provided at a lower portion of the casing 21, and the inner surface forms a cylindrical hollow portion CP. I have. In addition, a quartz glass plate 22 that transmits light is provided above the hollow portion CP, and a rotating sector 23 is provided near an inner surface 21b provided horizontally above the plate.
【００３９】図１０に示すように、回転セクタ２３は、
円盤を直交する２本の直径で４等分したうちの隣り合わ
ない２つの扇形が表裏両面が鏡面（反射率がほぼ
「１」）である反射部ＲＰとなっており、また、他の扇
形部分は除去された切り欠き部ＮＰとなっている。ま
た、反射部ＲＰには弧状のスリットＳＬが設けられてい
る。そして、回転セクタ２３の中心ＣＥがモータ２４の
回転軸２４ａに取り付けられており（図９参照）、モー
タ２４の回転により回転セクタ２３は、その板面に平行
な平面（水平面）内で回転自在となっている。なお、モ
ータ２４はモータドライバ２５を介して制御部９０に接
続されており、制御部９０により、その回転の開始およ
び停止が制御される。As shown in FIG. 10, the rotating sector 23
Two non-adjacent sectors, which are obtained by dividing the disk into two equal diameters at two equal diameters, have a reflection part RP with mirror surfaces (reflectance is almost "1") on both front and back surfaces. The portion is a removed notch NP. Further, an arc-shaped slit SL is provided in the reflection portion RP. The center CE of the rotating sector 23 is attached to the rotating shaft 24a of the motor 24 (see FIG. 9), and the rotation of the motor 24 allows the rotating sector 23 to rotate freely in a plane (horizontal plane) parallel to the plate surface. It has become. The motor 24 is connected to the control unit 90 via the motor driver 25, and the control unit 90 controls the start and stop of the rotation.
【００４０】また、回転セクタ２３が回転するとスリッ
トＳＬは空洞部ＣＰ上方を通過するように設けられてお
り、さらに、空洞部ＣＰと同軸に、回転セクタ２３上方
にその下端が位置するように導光ロッド２６が取り付け
られている。そして、導光ロッド２６他端には入射した
光の強度信号を出力する検出器２７が光ファイバーによ
り接続されている。また、検出器２７には演算部２８
が、さらに、演算部２８には制御部９０がそれぞれ電気
的に接続されている。そして、導光ロッド２６，検出器
２７，演算部２８が放射温度計を形成している。The slit SL is provided so as to pass above the hollow portion CP when the rotating sector 23 rotates, and is guided coaxially with the hollow portion CP so that its lower end is located above the rotating sector 23. An optical rod 26 is attached. A detector 27 that outputs an intensity signal of the incident light is connected to the other end of the light guide rod 26 by an optical fiber. The detector 27 includes an arithmetic unit 28
However, a control unit 90 is further electrically connected to the calculation unit 28. The light guide rod 26, the detector 27, and the calculation unit 28 form a radiation thermometer.
【００４１】以上の構成により、制御部９０はモータド
ライバ２５を通じてモータを駆動し、それによる回転セ
クタ２３の回転に伴い、反射部ＲＰおよび切り欠き部Ｎ
Ｐのいずれが空洞部ＣＰ上方に位置するかで、反射板１
４の穴１４ａ周辺における多重反射に対する実効的な反
射率である実効反射率が異なるものとなり、それによ
り、検出器により２種類の異なる放射強度信号が得られ
る。そして、演算部は得られた２種類の放射強度信号に
基づいて基板Ｗの温度を求めて温度信号を制御部９０に
送り、制御部９０はそれを基に、ランプドライバ５３を
通じてランプ５１に供給する電力をフィードバック制御
するのである。なお、この温度測定原理の詳細は本出願
人による特願平１０−５６８４０号の特許出願に開示さ
れている。With the above configuration, the control unit 90 drives the motor through the motor driver 25, and the rotation of the rotating sector 23 causes the reflection unit RP and the notch N
The reflection plate 1 depends on which of P is located above the cavity CP.
The effective reflectivity, which is the effective reflectivity for multiple reflections around the hole 14a of No. 4, is different, whereby two different radiation intensity signals are obtained by the detector. Then, the arithmetic unit obtains the temperature of the substrate W based on the obtained two types of radiation intensity signals and sends a temperature signal to the control unit 90, which then supplies the temperature signal to the lamp 51 through the lamp driver 53. That is, feedback control of the power to be performed is performed. The details of the principle of the temperature measurement are disclosed in Japanese Patent Application No. 10-56840 filed by the present applicant.
【００４２】また、前述のように、この実施の形態の熱
処理装置１では均熱リング４１の下面およびそれに保持
された基板Ｗの下面とリフレクタ５２ａとの間にも多重
反射が生じるが、これにより、この実施の形態の熱処理
装置１はさらに加熱効率がよい者となっている。Further, as described above, in the heat treatment apparatus 1 of this embodiment, multiple reflection occurs also between the lower surface of the heat equalizing ring 41 and the lower surface of the substrate W held thereon and the reflector 52a. However, the heat treatment apparatus 1 of this embodiment has better heating efficiency.
【００４３】図１１は１回反射と多重反射との放射強度
の比率を理論的に求めた結果を示す図である。すなわ
ち、基板Ｗから放出された放射光がリフレクタ５２ａ等
の反射面により１回のみ反射した際の光の放射強度と、
さらにその光が基板Ｗに至って反射され、以下、基板Ｗ
と反射面との間で反射を無限回繰り返した後の放射強度
とを一般的に知られている理論式により求め、多重反射
の放射強度の１回反射の放射強度に対する比率を、リフ
レクタ５２ａの反射率ρrが0.5〜1.0であるそれぞれの
場合に対して、基板Ｗの反射率ρwを0.1〜0.6の範囲で
変化させて求めた結果を示している。図示のように基板
Ｗの反射率ρwが上記範囲におけるいずれの値において
も、１回反射の強度に対する多重反射の強度の比率は
「１」より大きく、したがって、熱処理の際にも基板Ｗ
および均熱リング４１とリフレクタ５２ａとの近接状態
を維持して多重反射が生じ易いようにしたこの実施の形
態の熱処理装置１は、基板Ｗの加熱効率が高いことが分
かる。FIG. 11 is a diagram showing the result of theoretically determining the ratio of the radiation intensity between single reflection and multiple reflection. That is, the radiation intensity of light when the radiation light emitted from the substrate W is reflected only once by the reflection surface such as the reflector 52a,
Further, the light reaches the substrate W and is reflected.
And the radiation intensity after infinite number of reflections between the reflection surface and the reflection surface are obtained by a generally known theoretical formula, and the ratio of the radiation intensity of the multiple reflections to the radiation intensity of the single reflection is determined by the reflector 52a. The graph shows the results obtained by changing the reflectance ρw of the substrate W in the range of 0.1 to 0.6 for each case where the reflectance ρr is 0.5 to 1.0. As shown in the figure, the ratio of the intensity of the multiple reflection to the intensity of the single reflection is larger than "1" regardless of the value of the reflectivity ρw of the substrate W in the above range.
In addition, it can be seen that the heat treatment apparatus 1 of this embodiment, in which the multiple reflection is easily generated by maintaining the close state between the heat equalizing ring 41 and the reflector 52a, has a high heating efficiency of the substrate W.
【００４４】以上のような構成により、熱処理装置１は
以下に示す処理を行う。With the above configuration, the heat treatment apparatus 1 performs the following processing.
【００４５】＜２．処理手順＞図１２および図１３は熱
処理装置１による熱処理の手順を示すフローチャートで
ある。以下、図１２および図１３を用いて熱処理の手順
について説明する。なお、予めシャッタ１８は閉じられ
ている。<2. Processing Procedure> FIGS. 12 and 13 are flowcharts showing the procedure of heat treatment by the heat treatment apparatus 1. Hereinafter, the procedure of the heat treatment will be described with reference to FIGS. Note that the shutter 18 is closed in advance.
【００４６】まず、上側ガス導入口３０ｂ、下側ガス導
入口３０ｄからの置換ガスの導入および基板搬出入口１
０ａを通じて下側ガス排出路１０ｆからの置換ガスの排
出をそれぞれ開始する（ステップＳ１）。これにより、
ガス流ＧＳ（図７参照）が形成される。First, the replacement gas is introduced from the upper gas inlet 30b and the lower gas inlet 30d and the substrate loading / unloading port 1
The discharge of the replacement gas from the lower gas discharge passage 10f is started through the line 0a (step S1). This allows
A gas flow GS (see FIG. 7) is formed.
【００４７】つぎに、シャッタ１８を開き（ステップＳ
２）、次いで、外部の基板搬送機構により基板Ｗを基板
搬出入口１０ａを通じてチャンバ１０内に搬入し、それ
に伴いエアシリンダ６２が伸びて透過キャップ６０が上
昇し、それにより上昇した支持ピン６１上に基板Ｗを載
置する（ステップＳ３）。Next, the shutter 18 is opened (step S).
2) Then, the substrate W is carried into the chamber 10 through the substrate carrying-in / out opening 10a by the external substrate carrying mechanism, whereby the air cylinder 62 extends and the transmission cap 60 rises, so that the support pin 61 rises. The substrate W is placed (Step S3).
【００４８】つぎに、シャッタ１８を閉じ（ステップＳ
４）、次いで、エアシリンダ６２の駆動により透過キャ
ップ６０を下降させることによって支持ピン６１を下降
させ、基板Ｗを支持ピン６１から均熱リング４１上に載
置して受け渡す（ステップＳ５）。Next, the shutter 18 is closed (step S).
4) Next, the support pin 61 is lowered by lowering the transmission cap 60 by driving the air cylinder 62, and the substrate W is placed on the heat equalizing ring 41 from the support pin 61 and transferred (step S5).
【００４９】つぎに、上側ガス排出口３０ｃから処理空
間ＰＳ内のガスの排出を開始する（ステップＳ６）。Next, the discharge of the gas in the processing space PS from the upper gas discharge port 30c is started (step S6).
【００５０】つぎに、昇降駆動部８０の駆動により基板
保持回転部４０を上昇させて基板Ｗを載置した均熱リン
グ４１を上昇させ、基板Ｗを上側ガス導入口３０ｂに近
接させていき、前述のガス供給高さＧＨ（図８参照）に
位置させる（ステップＳ７）。このガス供給高さＧＨに
基板Ｗが位置する状態では処理空間ＰＳは前述のように
狭められている。そのため、この空間に処理ガスを供給
すると迅速に処理ガスを充満させることができ、ガスの
置換効率がよく、処理時間を短縮できる。Next, the substrate holding and rotating unit 40 is raised by driving the lifting / lowering drive unit 80 to raise the heat equalizing ring 41 on which the substrate W is mounted, and the substrate W is moved closer to the upper gas inlet 30b. It is located at the above-mentioned gas supply height GH (see FIG. 8) (step S7). When the substrate W is located at the gas supply height GH, the processing space PS is narrowed as described above. Therefore, when the processing gas is supplied to this space, the processing gas can be quickly filled with the processing gas, the gas replacement efficiency is good, and the processing time can be shortened.
【００５１】つぎに、下側ガス導入口３０ｄからの置換
ガスの導入および下側ガス排出路１０ｆからのガスの排
出をそれぞれ停止する（ステップＳ８）。Next, the introduction of the replacement gas from the lower gas inlet 30d and the discharge of the gas from the lower gas discharge passage 10f are stopped (step S8).
【００５２】つぎに、昇降駆動部８０の駆動により基板
保持回転部４０を若干下降させることにより基板Ｗを載
置した均熱リング４１を若干下降させ、処理高さＰＨに
基板Ｗを位置させ（ステップＳ９）、さらに、ランプ５
１を点灯させ、基板Ｗの熱処理（より正確にはアニール
処理）を行う（ステップＳ１０）。なお、この熱処理の
間も基板Ｗ上への処理ガスの供給は行われるとともに、
温度測定部２０により基板Ｗの温度計測を行い、得られ
た温度信号に応じて、制御部９０は基板Ｗの温度を所定
温度に保つようなランプ５１への供給電力の制御を行
う。すなわち、ランプ５１の点灯の強度をフィードバッ
ク制御する。Next, by slightly lowering the substrate holding / rotating unit 40 by driving the lifting / lowering driving unit 80, the heat equalizing ring 41 on which the substrate W is placed is lowered slightly, and the substrate W is positioned at the processing height PH ( Step S9) and the lamp 5
1 is turned on, and a heat treatment (more precisely, an annealing treatment) of the substrate W is performed (step S10). During the heat treatment, the processing gas is supplied onto the substrate W.
The temperature of the substrate W is measured by the temperature measuring unit 20, and the control unit 90 controls the power supplied to the lamp 51 so as to maintain the temperature of the substrate W at a predetermined temperature according to the obtained temperature signal. That is, the lighting intensity of the lamp 51 is feedback-controlled.
【００５３】こうして、所定時間の基板Ｗの熱処理が終
了すると、つぎに、下側ガス導入口３０ｄからの置換ガ
スの導入および下側ガス排出路１０ｆからの処理空間Ｐ
Ｓ内のガスの排出をそれぞれ開始する（ステップＳ１
１）。After the heat treatment of the substrate W for a predetermined time is completed, the replacement gas is introduced from the lower gas inlet 30d and the processing space P from the lower gas discharge passage 10f.
The discharge of the gas in S is started (step S1).
1).
【００５４】つぎに、昇降駆動部８０の駆動により基板
保持回転部４０を下降させることによって基板Ｗを載置
した均熱リング４１を下降させて、基板Ｗを搬出入高さ
ＴＨに位置させる。これにより基板Ｗをランプ５１から
遠ざけて速やかに冷却させることができる。その後、エ
アシリンダ６２の駆動により支持ピン６１を上昇させて
基板Ｗを均熱リング４１から支持ピン６１に載置して受
け渡す（ステップＳ１２）。Next, by lowering the substrate holding and rotating unit 40 by driving the elevation drive unit 80, the heat equalizing ring 41 on which the substrate W is mounted is lowered, and the substrate W is positioned at the carry-in / out height TH. Thus, the substrate W can be quickly cooled away from the lamp 51. Thereafter, the support pins 61 are raised by driving the air cylinder 62, and the substrate W is placed on the support pins 61 from the soaking ring 41 and transferred (step S12).
【００５５】つぎに、シャッタ１８を開き（ステップＳ
１３）、外部の基板搬送機構により支持ピン６１上に載
置された基板Ｗを基板搬出入口１０ａから搬出する（ス
テップＳ１４）。Next, the shutter 18 is opened (step S).
13) The substrate W placed on the support pins 61 by the external substrate transport mechanism is unloaded from the substrate loading / unloading port 10a (Step S14).
【００５６】つぎに、シャッタ１８を閉じ（ステップＳ
１５）、処理する基板Ｗが最後である場合は、上側ガス
導入口３０ｂ、下側ガス導入口３０ｄからの置換ガスの
導入および上側ガス排出口３０ｃ、下側ガス排出路１０
ｆからのガスの排出をそれぞれ停止する（ステップＳ１
６）。Next, the shutter 18 is closed (step S).
15) If the substrate W to be processed is the last, the replacement gas is introduced from the upper gas inlet 30b, the lower gas inlet 30d and the upper gas outlet 30c, and the lower gas outlet 10
f, the discharge of gas from each of the fuel cells f is stopped (step S1).
6).
【００５７】以上で１枚の基板Ｗの熱処理装置への搬
入、熱処理および搬出という一連の処理が終了した。さ
らに、複数枚の基板Ｗの熱処理を行う場合には、各基板
Ｗに対してステップＳ１〜Ｓ１５の処理を繰り返し行っ
ていく。Thus, a series of processes of loading, heat-treating and unloading one substrate W into the heat treatment apparatus is completed. Further, when heat treatment is performed on a plurality of substrates W, the processing of steps S1 to S15 is repeatedly performed on each substrate W.
【００５８】以上説明したように、この実施の形態によ
れば、均熱リング４１に載置された基板Ｗをランプ５１
によって加熱しつつ熱処理する際に、基板Ｗを載置した
均熱リング４１をチャンバ１０の側面の一部に設けられ
た基板搬出入口１０ａの高さより上方の処理高さＰＨに
移動させるため、基板Ｗの搬出入によって雰囲気の温度
が不均一になった基板搬出入口１０ａの高さより上側の
温度分布が比較的均一な雰囲気中において基板Ｗの熱処
理が行えるため、基板Ｗの温度均一性が向上し、良好な
熱処理を行うことができる。As described above, according to this embodiment, the substrate W placed on the heat equalizing ring 41 is
In order to move the heat equalizing ring 41 on which the substrate W is mounted to the processing height PH above the height of the substrate loading / unloading port 10a provided on a part of the side surface of the chamber 10 when performing the heat treatment while heating by the The temperature of the substrate W can be heat-treated in an atmosphere having a relatively uniform temperature distribution above the height of the substrate entrance 10a where the temperature of the atmosphere has become non-uniform due to the loading / unloading of W, so that the temperature uniformity of the substrate W is improved. And good heat treatment can be performed.
【００５９】また、チャンバ１０の天井面が反射板１４
であるため、基板Ｗを上昇させて反射板１４と近接させ
ることにより、基板Ｗと反射板１４との間で基板Ｗから
の放射光が多重反射を起こすため、熱の拡散を防ぐこと
ができ、基板Ｗの加熱効率がよい。The ceiling surface of the chamber 10 is
Therefore, by raising the substrate W and bringing the substrate W close to the reflector 14, the radiated light from the substrate W causes multiple reflection between the substrate W and the reflector 14, thereby preventing heat diffusion. The heating efficiency of the substrate W is good.
【００６０】また、ランプ５１が均熱リング４１に近接
して設けられ、昇降駆動部８０が基板保持回転部４０と
ともに発光部５０をも昇降させるため、基板Ｗを加熱す
る際にもランプ５１が基板Ｗに近接しているので、ラン
プ５１からの熱放射のロスが少ないので加熱効率がよ
い。Further, since the lamp 51 is provided close to the heat equalizing ring 41 and the raising / lowering drive unit 80 raises / lowers the light emitting unit 50 together with the substrate holding / rotating unit 40, the lamp 51 is also used when heating the substrate W. Since it is close to the substrate W, the loss of heat radiation from the lamp 51 is small, so that the heating efficiency is good.
【００６１】また、基板Ｗがガス供給高さＧＨにまで上
昇することによって狭められた処理空間ＰＳに処理ガス
を供給するため、基板Ｗが下方に位置する（搬出入高さ
ＴＨ）際に、広がった処理空間ＰＳに処理ガスを供給す
る場合に比べて迅速に処理空間ＰＳ内に処理ガスを充満
させることができ、熱処理の開始を早めて処理時間を短
縮することができる。Further, since the processing gas is supplied to the processing space PS narrowed by raising the substrate W to the gas supply height GH, when the substrate W is positioned below (the carry-in / out height TH), The processing gas can be quickly filled in the processing space PS as compared with the case where the processing gas is supplied to the expanded processing space PS, and the start of the heat treatment can be accelerated to shorten the processing time.
【００６２】また、均熱リング４１に載置された基板Ｗ
の上方において基板Ｗの被処理面と平行な面内（水平面
内）に均一に分布した複数の上側ガス導入口３０ｂから
処理ガスを供給するものであるため、基板Ｗと平行な面
内（水平面内）で均一に処理ガスを供給することがで
き、基板Ｗより低温のガスの供給による基板Ｗの温度低
下をその面内で均一にすることにより、均一な熱処理を
行うことができる。The substrate W mounted on the heat equalizing ring 41
Above, the processing gas is supplied from the plurality of upper gas inlets 30b uniformly distributed in a plane parallel to the processing surface of the substrate W (horizontal plane). In this case, the processing gas can be supplied uniformly, and the temperature reduction of the substrate W caused by the supply of the gas at a lower temperature than the substrate W can be made uniform in the plane, so that a uniform heat treatment can be performed.
【００６３】また、均熱リング４１に載置された基板Ｗ
のほぼ側方において、当該基板Ｗの外周においてほぼ等
方的に設けられたスリット状の上側ガス排出口３０ｃを
通じてガスを排出するものであるため、ガス排出による
基板Ｗの温度低下をその面内で均一にして、より均一な
熱処理を行うことができる。なお、この発明における
「基板のほぼ側方」とは基板Ｗの主面の延長線上の位置
と、その上下の近傍位置との双方を包含する用語であ
る。The substrate W mounted on the heat equalizing ring 41
The gas is discharged through the slit-shaped upper gas discharge port 30c provided substantially isotropically on the outer periphery of the substrate W on the substantially side of the substrate W. And a more uniform heat treatment can be performed. In addition, the term “substantially lateral to the substrate” in the present invention is a term that includes both a position on an extension of the main surface of the substrate W and positions near the upper and lower sides thereof.
【００６４】また、上側ガス導入口３０ｂより下方にお
いてチャンバ１０内にガスを供給する下側ガス導入口３
０ｄと、上側ガス排出口３０ｃより下方においてチャン
バ１０内のガスを排出する下側ガス排出路１０ｆとをさ
らに備えるため、上側ガス導入口３０ｂのみによりガス
を供給し、上側ガス排出口３０ｃのみによりガスを排出
する場合に比べて、チャンバ１０内のガスを迅速に置換
することができ、処理時間を短縮することができる。The lower gas inlet 3 for supplying gas into the chamber 10 below the upper gas inlet 30b.
0d and a lower gas discharge passage 10f for discharging gas in the chamber 10 below the upper gas outlet 30c, so that gas is supplied only through the upper gas inlet 30b and only through the upper gas outlet 30c. The gas in the chamber 10 can be quickly replaced and the processing time can be shortened as compared with the case where the gas is exhausted.
【００６５】また、下側ガス排出路１０ｆが基板搬出入
口１０ａ内に設けられ、基板搬出入口１０ａを通じてチ
ャンバ１０外にガスを排出するものであるため、基板Ｗ
の搬出入の際の外気の巻き込みを抑えることができ、チ
ャンバ１０内の雰囲気の汚染を防止することができ、そ
れにより基板Ｗの汚染も防止することができる。Further, since the lower gas discharge passage 10f is provided in the substrate loading / unloading port 10a and discharges gas out of the chamber 10 through the substrate loading / unloading port 10a, the substrate W
It is possible to suppress the entrainment of the outside air at the time of loading and unloading of the substrate 10, and to prevent the atmosphere in the chamber 10 from being contaminated, thereby also preventing the substrate W from being contaminated.
【００６６】また、基板Ｗのチャンバ１０への搬入後に
基板Ｗが上側ガス導入口３０ｂに近接するように基板Ｗ
を保持した基板保持回転部４０を上昇させた後、チャン
バ１０内へ処理ガスを導入し、さらにその後に基板保持
回転部４０を若干下降させるように昇降駆動部８０のモ
ータ８２を制御するため、最初の基板Ｗの上昇により、
基板Ｗと透過カバー３０の天井面との間の空間に処理ガ
スの導入（置換ガスの排出）が迅速に行え、その後、熱
処理に適切な位置に若干下げて、熱処理を行うため、十
分な処理ガスの供給が行え、それにより高品質な熱処理
を行うことができる。After the substrate W is carried into the chamber 10, the substrate W is moved so that the substrate W approaches the upper gas inlet 30b.
After raising the substrate holding and rotating unit 40 holding the substrate, the processing gas is introduced into the chamber 10, and then the motor 82 of the lifting and lowering driving unit 80 is controlled so as to slightly lower the substrate holding and rotating unit 40. With the rise of the first substrate W,
Introducing the processing gas (discharging the replacement gas) quickly into the space between the substrate W and the ceiling surface of the transmission cover 30 and then lowering it to a suitable position for the heat treatment to perform the heat treatment. Gas can be supplied, and high-quality heat treatment can be performed.
【００６７】さらに、チャンバの天井である反射板１４
上面に配置され、チャンバ１０内の基板Ｗの温度を測定
する温度測定部２０をさらに備えるため、基板の被処理
面を上に向けて熱処理を行う場合に、その被処理面の温
度を測定することができるため、より正確な温度管理が
行え、より高品質の熱処理を行うことができる。Further, the reflection plate 14 serving as the ceiling of the chamber
Since the apparatus further includes a temperature measurement unit 20 that is disposed on the upper surface and measures the temperature of the substrate W in the chamber 10, when performing the heat treatment with the processing surface of the substrate facing upward, the temperature of the processing surface is measured. Therefore, more accurate temperature control can be performed, and higher quality heat treatment can be performed.
【００６８】＜３．変形例＞上記実施の形態において熱
処理装置およびそれによる熱処理の一例を示したが、こ
の発明はこれに限られるものではない。<3. Modifications> Although an example of the heat treatment apparatus and the heat treatment by the heat treatment apparatus has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this.
【００６９】例えば、上記実施の形態では、基板Ｗを加
熱しつつ処理ガスを供給する熱処理を施すものとした
が、特に処理ガスを供給しないで単に基板Ｗを加熱する
のみの熱処理装置もこの発明の技術的範囲に含まれる。For example, in the above-described embodiment, the heat treatment for supplying the processing gas while heating the substrate W is performed. However, a heat treatment apparatus which merely heats the substrate W without supplying the processing gas is also provided by the present invention. Included in the technical scope.
【００７０】また、上記実施の形態では、基板Ｗをガス
供給高さＧＨ、搬出入高さＴＨ、処理高さＰＨの３つの
高さに位置させるように昇降駆動部８０を制御するもの
としたが、例えば、基板保持回転部４０を最も低く位置
させたメンテナンス用の高さを設けるなど、それより多
くの異なる高さに位置させるよう制御してもよい。ま
た、逆に、処理高さＰＨと搬出入高さＴＨの２つの高さ
のみに制御する場合には、昇降駆動部８０をボールねじ
８１とモータ８２との代わりにエアシリンダを用いるこ
ともでき、その他の昇降手段は任意である。In the above embodiment, the elevation drive unit 80 is controlled so that the substrate W is positioned at three levels of the gas supply height GH, the carry-in / out height TH, and the processing height PH. However, for example, control may be performed so that the substrate holding / rotating unit 40 is located at a different height, such as providing a maintenance height at the lowest position. Conversely, when controlling only the processing height PH and the loading / unloading height TH, an air cylinder can be used instead of the ball screw 81 and the motor 82 for the lifting drive unit 80. And other lifting means are optional.
【００７１】[0071]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項９の発明によれば、基板載置部に載置された基板の
下方側から加熱手段によって基板を加熱する際に、駆動
手段により処理室内で基板を載置した基板載置部を基板
搬出入口の高さより上方に移動させるため、基板の搬出
入によって雰囲気の温度が不均一になった基板搬出入口
の高さより上方の温度分布が比較的均一な雰囲気中にお
いて基板Ｗの熱処理が行えるため、基板Ｗの基板の温度
均一性を向上させ、高品質な熱処理を行うことができ
る。As described above, according to the first to ninth aspects of the present invention, when the substrate is heated by the heating means from below the substrate placed on the substrate placing part, the driving means The temperature distribution above the height of the substrate entrance where the temperature of the atmosphere became non-uniform due to the substrate loading / unloading because the substrate mounting part on which the substrate was placed in the processing chamber was moved above the height of the substrate entrance / exit Since the heat treatment of the substrate W can be performed in a relatively uniform atmosphere, the temperature uniformity of the substrate W can be improved, and a high-quality heat treatment can be performed.
【００７２】また、特に請求項２の発明によれば、加熱
手段が基板載置部に近接して設けられ、駆動手段が基板
載置部とともに加熱手段をも移動させるため、基板を加
熱する際にも加熱手段が基板に近接しているので、加熱
手段からの熱放射のロスが少なく、基板の加熱効率がさ
らによい。According to the second aspect of the present invention, the heating means is provided close to the substrate mounting part, and the driving means moves the heating means together with the substrate mounting part. Also, since the heating means is close to the substrate, the loss of heat radiation from the heating means is small, and the heating efficiency of the substrate is further improved.
【００７３】また、特に請求項３の発明によれば、駆動
手段により上方に移動された基板と処理室の天井面との
間の空間にガスを供給するため、下方に位置する基板と
天井面との間にガスを供給する場合に比べて迅速にその
空間内にガスを充満させることができ、熱処理の開始を
早めて処理時間を短縮することができる。According to the third aspect of the present invention, the gas is supplied to the space between the substrate moved upward by the driving means and the ceiling surface of the processing chamber. The space can be filled with the gas more quickly than in the case where the gas is supplied in between, and the heat treatment can be started earlier to shorten the processing time.
【００７４】また、特に請求項４の発明によれば、上方
側ガス供給手段が基板載置部に載置された基板の上方に
おいて基板と平行な面内に均一に分布した複数の穴から
ガスを供給するものであるため、均一にガスを供給する
ことができ、ガス供給による基板の温度低下を均一にし
て均一な熱処理を行うことができる。According to the fourth aspect of the present invention, the upper gas supply means is provided with a plurality of holes uniformly distributed in a plane parallel to the substrate above the substrate mounted on the substrate mounting portion. Therefore, the gas can be supplied uniformly, and the temperature reduction of the substrate due to the gas supply can be made uniform to perform a uniform heat treatment.
【００７５】また、特に請求項５の発明によれば、上方
側ガス排出手段が処理室内の駆動手段により上方に移動
された基板のほぼ側方において、当該基板の外周におい
てほぼ等方的に設けられた穴を通じてガスを排出するも
のであるため、ガス排出による基板の温度低下を均一に
して、より均一な熱処理を行うことができる。According to the fifth aspect of the present invention, the upper gas discharging means is provided substantially isotropically on the outer periphery of the substrate substantially on the side of the substrate moved upward by the driving means in the processing chamber. Since the gas is discharged through the holes thus formed, the temperature of the substrate is uniformly reduced by the gas discharge, so that a more uniform heat treatment can be performed.
【００７６】また、特に請求項６の発明によれば、上方
側ガス供給手段より下方において処理室内にガスを供給
する下方側ガス供給手段と、上方側ガス排出手段より下
方において処理室内のガスを排出する下方側ガス排出手
段とをさらに備えるため、上方側ガス導入口のみにより
ガスを供給し、上方側ガス排出口のみによりガスを排出
する場合に比べて、処理室内のガスを迅速に置換するこ
とができ、処理時間を短縮することができる。According to the present invention, the lower gas supply means for supplying gas into the processing chamber below the upper gas supply means and the gas in the processing chamber below the upper gas discharge means are supplied. In order to further provide a lower gas discharging means for discharging, the gas in the processing chamber is quickly replaced as compared with a case where the gas is supplied only through the upper gas inlet and the gas is discharged only through the upper gas outlet. And the processing time can be shortened.
【００７７】また、特に請求項７の発明によれば、下方
側ガス排出手段が基板搬出入口を通じて処理室外にガス
を排出するものであるため、基板の搬出入の際の外気の
巻き込みを抑えることができ、処理室内の雰囲気の汚染
を防止することができ、基板の汚染も防止することがで
きる。According to the seventh aspect of the present invention, since the lower gas discharging means discharges the gas to the outside of the processing chamber through the substrate loading / unloading port, it is possible to suppress the entrainment of outside air when loading / unloading the substrate. Thus, contamination of the atmosphere in the processing chamber can be prevented, and contamination of the substrate can also be prevented.
【００７８】また、特に請求項８の発明によれば、基板
の処理室への搬入後に基板が上方側ガス供給手段に近接
するように基板を載置した基板載置部を上昇させた後、
上方側ガス供給手段により処理室内へガスを導入し、さ
らにその後に基板載置部を若干下降させるように駆動手
段を制御するため、最初の基板の上昇により基板と加熱
手段との間の空間にガスの導入が迅速に行え、その後、
熱処理に適切な位置に若干下げて、熱処理を行うため、
十分なガスの供給が行え、それにより高品質な熱処理を
行うことができる。According to the eighth aspect of the present invention, after the substrate is loaded into the processing chamber, the substrate mounting portion on which the substrate is mounted is raised so that the substrate approaches the upper gas supply means.
The gas is introduced into the processing chamber by the upper gas supply means, and then the driving means is controlled so as to slightly lower the substrate mounting part. Gas can be introduced quickly and then
In order to perform heat treatment by slightly lowering it to a suitable position for heat treatment,
Sufficient gas can be supplied, and high-quality heat treatment can be performed.
【００７９】さらに、特に請求項９の発明によれば、処
理室内の上側に配置され、基板の温度を測定する温度測
定手段をさらに備えるため、基板の被処理面を上に向け
て熱処理を行う場合に、その被処理面の温度を測定する
ことができるため、より正確な温度管理が行え、より高
品質な熱処理を行うことができる。According to the ninth aspect of the present invention, since the apparatus further comprises a temperature measuring means disposed above the processing chamber and measuring the temperature of the substrate, heat treatment is performed with the surface to be processed of the substrate facing upward. In this case, since the temperature of the surface to be processed can be measured, more accurate temperature control can be performed, and higher quality heat treatment can be performed.
【図１】この発明の実施の形態である熱処理装置の部分
縦断面図である。FIG. 1 is a partial vertical sectional view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の左側部分の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a left portion of FIG.
【図３】図１の右側部分の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a right portion of FIG.
【図４】熱処理装置を部分的に透視した平面図である。FIG. 4 is a plan view partially seeing through a heat treatment apparatus.
【図５】図１のＡ−Ａ断面から上方を見た状態を示す図
である。FIG. 5 is a diagram showing a state when viewed from the AA cross section in FIG. 1;
【図６】図１の矢印Ａ１方向から見た透過カバーの内周
面の一部を示す図である。FIG. 6 is a view showing a part of the inner peripheral surface of the transmission cover viewed from the direction of arrow A1 in FIG. 1;
【図７】図１のＢ−Ｂ断面から下方を見た状態を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing a state seen from below from the BB section of FIG. 1;
【図８】昇降駆動部が下降した状態を示す熱処理装置の
縦断面図である。FIG. 8 is a vertical cross-sectional view of the heat treatment apparatus showing a state where the lifting drive unit is lowered.
【図９】温度測定部の部分断面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view of a temperature measuring unit.
【図１０】回転セクタ、空洞部および導光ロッドの平面
的位置関係を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a planar positional relationship among a rotating sector, a cavity, and a light guide rod.
【図１１】多重反射と１回反射との放射強度の比率を示
す図である。FIG. 11 is a diagram showing a ratio of radiation intensity between multiple reflection and single reflection.
【図１２】熱処理装置による熱処理の手順を示すフロー
チャートである。FIG. 12 is a flowchart showing a procedure of heat treatment by a heat treatment apparatus.
【図１３】熱処理装置による熱処理の手順を示すフロー
チャートである。FIG. 13 is a flowchart showing a procedure of heat treatment by a heat treatment apparatus.
１ 熱処理装置 １０ａ 基板搬出入口 １０ｆ 下側ガス排出路（下方側ガス排出手段） １４ 反射板 １６ 処理ガス供給源 １７ 置換ガス供給源 ２０ 温度計測部 ５１ ランプ（加熱手段） ５２ａ リフレクタ ３０ｂ 上側ガス導入口（上方側ガス供給手段） ３０ｃ 上側ガス排出口（上方側ガス排出手段） ３０ｄ 下側ガス導入口（下方側ガス供給手段） ４１ 均熱リング（基板載置部） ８０ 昇降駆動部（駆動手段） ９０ 制御部 ＧＨ ガス供給高さ ＰＨ 処理高さ ＴＨ 搬出入高さ ＰＳ 処理空間 Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat treatment apparatus 10a Substrate carrying-in / out 10f Lower gas discharge path (lower gas discharge means) 14 Reflector 16 Processing gas supply source 17 Replacement gas supply source 20 Temperature measuring unit 51 Lamp (heating means) 52a Reflector 30b Upper gas inlet (Upper gas supply means) 30c upper gas outlet (upper gas discharge means) 30d lower gas inlet (lower gas supply means) 41 heat equalizing ring (substrate placement section) 80 elevating drive section (drive section) 90 Control unit GH Gas supply height PH Processing height TH Loading / unloading height PS Processing space W Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/68 21/68 Ｎ Ｆターム(参考） 4K061 AA01 BA00 BA11 CA08 CA13 DA00 DA09 EA10 FA07 FA14 GA02 GA06 4K063 AA05 BA12 DA01 DA05 DA06 DA13 DA15 DA26 DA32 FA81 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA07 FA12 GA01 GA47 GA48 HA02 HA06 HA10 HA33 HA37 HA38 HA58 HA59 JA46 JA51 LA08 LA12 LA15 MA30 NA04 NA09 NA16 PA11 5F045 AB32 AB33 AC11 AC15 BB08 DP03 DQ10 EB02 EF05 EF14 EK13 EM02 EN04 GB05 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/205 H01L 21/205 21/68 21/68 NF term (Reference) 4K061 AA01 BA00 BA11 CA08 CA13 DA00 DA09 EA10 FA07 FA14 GA02 GA06 4K063 AA05 BA12 DA01 DA05 DA06 DA13 DA15 DA26 DA32 FA81 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA07 FA12 GA01 GA47 GA48 HA02 HA06 HA10 HA33 HA37 HA38 HA58 HA59 JA46 JA51 LA08 LA12 LA15 MA30 NA04 AC09 AB16 AB11F BB08 DP03 DQ10 EB02 EF05 EF14 EK13 EM02 EN04 GB05
Claims (9)
理を行う熱処理装置であって、 前記処理室の側部に設けられた基板搬出入口と、 前記処理室内で基板を載置する基板載置部と、 前記処理室内の下側に配置され、前記基板載置部に載置
された基板の下方側から基板を加熱する加熱手段と、 前記加熱手段によって基板を加熱する際に、前記処理室
内で基板を載置した前記基板載置部を前記基板搬出入口
の高さより上方に移動させる駆動手段と、を備えたこと
を特徴とする熱処理装置。1. A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate housed in a processing chamber, comprising: a substrate loading / unloading port provided on a side portion of the processing chamber; A heating unit disposed below the processing chamber and heating the substrate from below the substrate mounted on the substrate mounting unit; and heating the substrate by the heating unit. And a driving means for moving the substrate mounting portion on which the substrate is mounted in the room above the height of the substrate loading / unloading port.
り、 前記駆動手段が前記基板載置部とともに前記加熱手段を
も移動させるものであることを特徴とする熱処理装置。2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heating unit is provided in proximity to the substrate mounting unit, and the driving unit includes the heating unit together with the substrate mounting unit. A heat treatment apparatus characterized by being moved.
装置であって、 前記駆動手段により上方に移動された基板と前記処理室
の天井面との間の空間にガスを供給する上方側ガス供給
手段と、 前記駆動手段により上方に移動された前記基板載置部に
載置された基板の周辺のガスを排出する上方側ガス排出
手段と、をさらに備えたことを特徴とする熱処理装置。3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the gas is supplied to a space between the substrate moved upward by the driving means and a ceiling surface of the processing chamber. A heat supply apparatus further comprising: a gas supply unit; and an upper gas discharge unit configured to discharge gas around the substrate placed on the substrate placement unit moved upward by the driving unit. .
基板の上方において当該基板と平行な面内に均一に分布
した複数の穴からガスを供給するものであることを特徴
とする熱処理装置。4. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the upper side gas supply means is uniformly distributed in a plane parallel to the substrate above the substrate placed on the substrate placing portion. A heat treatment apparatus for supplying gas from a plurality of holes.
装置であって、 前記上方側ガス排出手段が前記処理室内の前記駆動手段
により上方に移動された前記基板載置部に載置された基
板のほぼ側方において、当該基板の外周においてほぼ等
方的に設けられた穴を通じてガスを排出するものである
ことを特徴とする熱処理装置。5. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the upper gas discharge unit is mounted on the substrate mounting unit moved upward by the driving unit in the processing chamber. A heat treatment apparatus for discharging gas through holes provided substantially isotropically on the outer periphery of the substrate substantially on the side of the substrate.
載の熱処理装置であって、 前記上方側ガス供給手段より下方において前記処理室内
にガスを供給する下方側ガス供給手段と、 前記上方側ガス排出手段より下方において前記処理室内
のガスを排出する下方側ガス排出手段と、をさらに備え
たことを特徴とする熱処理装置。6. The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein a lower gas supply unit that supplies a gas into the processing chamber below the upper gas supply unit; And a lower gas discharging means for discharging gas in the processing chamber below the side gas discharging means.
記処理室外にガスを排出するものであることを特徴とす
る熱処理装置。7. The heat treatment apparatus according to claim 6, wherein said lower gas discharge means discharges gas out of said processing chamber through said substrate loading / unloading port.
載の熱処理装置であって、 基板の前記処理室への搬入後に基板が前記上方側ガス供
給手段に近接するように基板を載置した前記基板載置部
を上昇させた後、前記上方側ガス供給手段により前記処
理室内へガスを導入し、さらにその後に前記基板載置部
を若干下降させるように前記駆動手段を制御する制御手
段をさらに備えたことを特徴とする熱処理装置。8. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the substrate is placed so that the substrate approaches the upper gas supply unit after the substrate is carried into the processing chamber. Control means for controlling the driving means so as to introduce the gas into the processing chamber by the upper side gas supply means after raising the substrate mounting part, and to further lower the substrate mounting part thereafter. A heat treatment apparatus further comprising:
載の熱処理装置であって、 前記処理室内の上側または前記処理室の天井の上面に配
置され、前記処理室内の基板の温度を測定する温度測定
手段を、さらに備えたことを特徴とする熱処理装置。9. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment apparatus is disposed above the processing chamber or above a ceiling of the processing chamber, and measures a temperature of a substrate in the processing chamber. A heat treatment apparatus, further comprising a temperature measuring means for measuring the temperature.
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