JP3786247B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して熱処理を行う熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体ウエハ等の基板(以下「ウエハ」とする)に対して熱処理を行うものとしてランプアニール等の熱処理装置が用いられている。
【0003】
図5は、従来の熱処理装置の一種であるランプアニールの縦断面図である。この熱処理装置は100は、主に炉体110、発光部120、石英ガラス130、ウエハ保持回転部140、反射板147、温度・反射率計測部150、制御部160を備えている。
【0004】
炉体110は、上部をリフレクタ111、下部をハウジング112とする円筒形状の炉体であり、炉体110の片側側部には搬出入口110aが設けられており、加熱処理の際には、図示しない外部搬送装置により炉体110内に対するウエハWの搬出入が行われる。
【0005】
発光部120は、リフレクタ111の内側に設けられた多数のランプ121を備えている。そして、制御部160からの制御信号を受けたランプドライバ122がその信号に応じた電力をランプ121に供給するとランプ121が点灯し、その放射光によりウエハWを加熱する。
【0006】
石英ガラス130は、ウエハWの上方で、かつ発光部120の下方に設けられ、ランプ121からの放射光を透過する。
【0007】
ウエハ保持回転部140は、ウエハWの周縁部分を全周に渡って保持するとともに、その周縁部からの熱の放出を補償する均熱リング141が、その直径より大きな内径を有する円筒の支持脚142により支持されている。そして、支持脚142の下端には、その外周に沿ってベアリング143が設けられている。また、ベアリング143の外周に設けられたギアには回転モータ144の回転軸のギア144aが噛み合っており、その駆動により均熱リング141が鉛直方向を軸として回転可能となっている。そして、制御部160の駆動信号に応じてモータドライバ145がモータ144に電力を供給することにより、均熱リング141とともにウエハWを所定の速度で回転させる。
【0008】
反射板147は、ウエハWの裏面からの放射光を反射し、それによりウエハWの裏面との間で多重反射を生じさせる。多重反射された放射光は、温度・反射率計測部150にて温度や反射率が計測される。この温度計測部150は、実質的に温度を計測する検出器157と、円板状の板状部材を有する回転セクタ153と、回転セクタ153を回転させるモータ154と、モータドライバ155とを備えている。モータドライバ155から供給される電力によるモータ154の回転により、回転セクタ153は、板状部材の板面に平行な平面内で回転自在となっている。検出器157は、演算部158に電気的に接続されており、回転セクタ153が有する板状部材のスリットおよび切り欠き部のそれぞれを通過して光を検出する。検出された光は、それぞれ放射強度を信号として演算部158へ送信する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の熱処理装置では、反射板147の反射面は、ステンレス材等の金属をラッピングやバフなどの処理により鏡面化し反射率を高める手法がとられている。しかしながら、ステンレス材を用いるとステンレス自体の反射率として0.6程度までしか高めることができない。また、反射板147に、より高反射率のアルミ材などを用いることも考えられるが、アルミ材の場合、アルミ材自体が非常に酸化しやすいため反射面がくもりやすいという問題と、金属自体が柔らかいため傷つきやすいという問題がある。
【0010】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、反射板の反射面を高反射率状態に保つことができ、かつ温度計測における多重反射効果を増幅させることができる熱処理装置を提供することを目的とする。また、温度計測に対する誤差要因となる外乱を効果的に防止することも目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に熱処理を行うための熱源と、前記保持手段に保持された基板表面に対向する反射面を有し、かつ穴が形成され、前記基板表面との間で多重反射を生じさせる反射板と、前記穴内に設けられ、かつ基板の温度を計測する温度計測手段と、を備え、前記穴の周囲における前記反射板の反射面に金属薄膜を形成し、前記穴の表面に金属薄膜を形成したことを特徴とする。また、請求項2に記載の発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に熱処理を行うための熱源と、前記保持手段に保持された基板表面に対向する反射面を有し、かつ穴が形成され、前記基板表面との間で多重反射を生じさせる反射板と、前記穴内に設けられ、かつ基板の温度を計測する温度計測手段と、前記反射板の反射面とは反対側に設けられた水冷部と、を備え、前記水冷部は、前記穴の周囲に配置されているとともに、冷却水の供給口と冷却水の排出口とを有し、前記穴の周囲における前記反射板の反射面に金属薄膜を形成したことを特徴とする。なお、請求項1及び2における「保持手段による基板の保持」には、支持部材で基板の裏面を支持することによる基板の保持、保持部材による基板の周縁部を保持することによる基板の保持などが含まれている。
【0012】
また、本発明は、前記金属薄膜の基板側に、酸化膜をさらに形成したことを特徴とする。なお、ここでいう酸化膜としては、SiO2膜が考えられる。また、本発明は、前記反射板の反射面が、鏡面処理されていることを特徴とする。さらに、本発明は、前記金属薄膜が、アルミニウムであることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0014】
図1は、この発明の実施の形態である熱処理装置の一種であるランプアニールの縦断面図である。
【0015】
熱処理装置1は、主にチャンバ10、発光部20、透過カバー30、保持回転部40、反射部50、透過キャップ60、温度計測部70、昇降駆動部80および制御部90を備えている。
【0016】
チャンバ10は、上部にリフレクタ11、下部にハウジング12を有する円筒形状の炉体であり、この炉体の内部壁面は石英で覆われているとともに、その内部には基板の一種であるウエハWに熱処理を行うための空間であって処理室となる処理空間PSを有している。また、リフレクタ11の内部には、冷媒を通して冷却する多数の冷却管13(参照符号一部省略)が設けられている。なお、リフレクタ11とハウジング12とは上下に分離されており、両者は、ハウジング12の外周面外側を覆う伸縮可能な金属ベローズ14により連結されている。
【0017】
また、チャンバ10の側面には図示しない外部の基板搬送機構との間でウエハWを受け渡してチャンバ10内に搬出入するための搬出入口10aの他、上側ガス供給路10b、上側ガス排出路10c、下側ガス供給路10dが設けられている。そのうち、上側ガス供給路10bには、化学反応により窒化膜や酸化膜等の成膜のために一酸化窒素ガス(N2O)や酸素ガス(O2)等の処理ガスを供給するためにチャンバ10外に設けられた処理ガス供給源15と、チャンバ10内に充満した処理ガスを置換して排出するための化学的反応性の低い窒素ガス(N2)等の置換ガスを供給する外部の置換ガス供給源16と、に接続されている。また、上側ガス排出路10cは、チャンバ10内に供給された処理ガスおよび置換ガス(以下、両者を総称する場合には単に「ガス」という)を外部に排出する。さらに、下側ガス供給路10dは、置換ガス供給源16のみに接続されている。
【0018】
また、搬出入口10aの外側にはシャッタ17が設けられており、図示しない昇降機構の駆動によりシャッタ17は搬出入口10aに対して上下方向に開閉することができる。
【0019】
発光部20は、リフレクタ11の下方内側に設けられ、熱源としてハロゲンランプであるランプ21を多数備えている。ランプ21は、ウエハWの表面と対向し、かつウエハWと平行な面内において略均一に分布して設けられている。そのため、ランプ21が点灯すると、その光はウエハWへ照射され、ウエハWは均一に加熱される。
【0020】
透過カバー30は、発光部20の下方に設けられた化学的反応性の低い石英製カバーであって、ランプ21による放射光を透過する。この透過カバー30の上面内部には、上側ガス供給路10bに連通されているガス溜め30aが形成されている。
【0021】
また、透過カバー30の下面には、ガス溜め30aに通じる複数の細孔である上側ガス導入口30bが設けられている。そして、ガス供給の際にはガスが上側ガス導入口30bを通じてシャワー状に処理空間PSに供給される。このように、この熱処理装置1では、上側ガス導入口30bがウエハWの被処理面に平行な面内において均一に設けられいるので、ウエハWの被処理面内におけるガス流が均一になり、ガス流によるウエハWの温度低下の不均一も抑えられる。
【0022】
保持回転部40は、ウエハW端部を周縁部分を全周にわたって保持するとともに、その周縁部からの熱の放出を補償するSiC製の均熱リング41が、その直径より大きな内径を有する円筒の支持脚42により支持されている。そして、支持脚42の外周面下端に回転子43aが設けられ、それに対応する固定子43bが固定部材52に取り付けられている。その回転子43aが回転すると支持脚42がその円筒の中心を軸として回転し、それに伴い、均熱リング41もその水平面内での中心を軸としてウエハWの被処理面(上面)と平行な水平面内で回転可能となっている。
【0023】
反射部50は、均熱リング41に保持されたウエハWと平行に、上面が反射率の高い鏡面である反射板51を固定部材52を介してハウジング12に固定したものであり、反射板51によりウエハWからの放射光を反射する。そして、ウエハWの下面も反射光をさらに反射することにより、ウエハWと反射板51との間で放射光の反射が繰り返される多重反射の現象が生じる。また、反射板51には複数の穴51aが設けられている。
【0024】
透過キャップ60は、光透過性が高く、上端が平面で閉鎖された円筒状をなした化学的反応性の低い石英製の部材であって、反射部50の上部を覆っている。これにより、反射板51の反射面が処理ガスと反応して「くもる」等して反射率が低下することを抑えている。また、透過キャップ60の上面には、同心円上の3本の石英製の支持ピン61が設けられており、保持手段としてそれら支持ピン61の上端にウエハWを水平に載置できるものとなっている。
【0025】
また、透過キャップ60の下部には透過キャップ60全体を昇降させるエアシリンダ62が設けられている。このエアシリンダ62の伸縮により、ウエハWを受け取る際には、透過キャップ60を上昇させて支持ピン61上にウエハWを載置し、その後に透過キャップ60を下降させることによって保持回転部40の均熱リング41上にウエハWを載置する。逆に、ウエハWを基板搬送機構に受け渡す際には逆の手順を行う。
【0026】
なお、透過カバー30、透過キャップ60およびチャンバ10の内部壁部が石英製であり、均熱リング41がSiC製であることにより、チャンバ10の内部において金属部材が処理ガスに直接さらされることは少ないので、ウエハWに金属汚染を及ぼすことはない。
【0027】
温度計測部70は、反射板51に複数設けられた円筒状の穴51aのそれぞれの下方に取り付けられ、穴51aを通じて内部に多重反射後の光を取り入れることができるものとなっている。そして、温度計測部70内部に設けられた図示しない放射温度計により、それら光に基づいてウエハWの温度を計測し、その温度信号を後述する制御部90へ送信する。なお、温度計測部70の具体的な構造については後述する。
【0028】
昇降駆動部80は、ボールねじ81とモータ82とを備えており、モータ82の回転によりハウジング12およびそれに取り付けられた反射部50、保持回転部40、温度計測部70を一体として昇降(リフレクタ11に対して相対的に、近接・隔離)させることができる。そして、それにより均熱リング41上に載置されたウエハWを上下方向に昇降させることができる。
【0029】
制御部90は、内部に図示しないCPUおよびメモリ等を備えるとともに、各部との電気的接続は図示しないが、シャッタ17、ランプ21、リニアモータ43、モータ82のそれぞれに電力を供給する図示しないドライバに接続され、それらドライバによる供給電力の制御を通じて上記各部の動作を制御するとともに、エアシリンダ62への図示しないエア供給源、処理ガス供給源15、置換ガス供給源16に設けられた図示しない電磁弁の開閉により、エアやガスの供給量を制御する。
【0030】
図2は、この発明の実施の形態である熱処理装置の温度計測部の構成を示す図である。
【0031】
図2に示すように、ウエハWの下面に対する対向面を有するステンレス等の反射板71には、円筒形状の穴72が形成されており、この穴72内およびその下方には温度計測部70のケーシング73が設けられており、ケーシング73の上部には穴72の内面が円筒状の空洞部CPとなっている。この空洞部CPの下方には円盤状の回転セクタ74が設けられている。さらに、ケーシング73の内部には、冷却管730が設けられており、ケーシング73内部の温度を抑える構造になっている。なお、冷却管730の具体的な構造については、後述する。
【0032】
回転セクタ74は、円盤を直交する2本の直径で4等分したうちの隣り合わない2つの扇形が表裏両面が鏡面である反射部となっており、また、他の扇形部分は黒化処理された吸収部となっている。また、反射部および吸収部には、弧のスリットが設けられている。そして、回転セクタ74の中心CEがモータ75の回転軸750に取り付けられている。したがって、モータドライバ76から供給される電力によるモータ75の回転により回転セクタ74は、回転セクタ74の板面に平行な平面内で回転自在となっている。
【0033】
また、回転セクタ74の下側のケーシング73の内面731は黒化処理が施されており、回転セクタ74の吸収部または反射部のスリットを通過した光のうち多くは、黒化処理が施された内面731により吸収され、反射されることはない。また、内面731には、穴732が形成されており、穴732の内部にはレンズ733と検出器734とが設けられている。穴732の内部に入ってきた光はレンズ733を介して検出器734で検出される。検出器734は、回転セクタ74の反射部および吸収部のスリットのそれぞれを通過した光を検出して、それぞれの放射強度(放射エネルギー)を求める。そして、それぞれの放射強度に基づいて、ウエハWの温度を求め、その温度信号を制御部90へ送信する。
【0034】
図3は、反射板および反射板の反射面を示す断面図である。反射板71そのものは、ステンレス製であり、ウエハWの下面に対向する反射面にはバフ研磨が施され、さらに鏡面処理がなされている。鏡面処理がなされた反射板71の反射面にはアルミニウムが蒸着されている。さらに、アルミニウムの表面には、SiO2が保護膜として蒸着されている。
【0035】
図4は、冷却部の構造を示す模式図である。図4に示すように、円筒状の穴72の周囲に配置されているとともに、ケーシング73内には円筒状の冷却管730が形成されている。この冷却管730の下面には、冷却水を冷却管730内に供給するための供給口730aと、冷却水を冷却管730内から排出するための排出口730bとがそれぞれ形成されている。供給口730aと排出口730bとは、それぞれ穴72に対して対称的な位置に形成されている。供給口730aは、供給管730cと連通接続されており、図示しない冷却水供給源から矢印Aに示すように冷却水が流れ、供給口730aから冷却管730へ供給される。冷却管730内へ供給された冷却水は矢印Bに示すように穴72の周囲を流れる。冷却管730内を流れた冷却水は、矢印Cに示すように、排出口730bから冷却管730dを介して排出される。
【0036】
この発明の実施の形態である熱処理装置によれば、次のような効果がある。すなわち、ウエハWの表面に対向する反射面を有し、かつ円筒状の穴72が形成された反射板71の処理面に金属薄膜であるアルミニウムが形成されているので、簡易な構成で反射板71の反射面を高反射率状態を保つことができ、温度計測における多重反射効果を増幅させることができる。
【0037】
また、アルミニウムの表面に酸化膜(SiO2)が保護膜として蒸着されているので、金属薄膜であるアルミニウムの表面が傷つくことがないという効果がある。
【0038】
また、反射板71の反射面が、鏡面処理がなされているので、反射板71への熱吸収を抑制することができ、ウエハWの加熱に対する熱効率を向上させることができる。
【0039】
また、反射板71の反射面とは反対側に水冷管73を設けているので、反射板71の温度上昇を抑制させ、温度計測に対する誤差要因となる外乱を防止できる。
【0040】
また、穴72の表面にも、反射板71の反射面と同様、金属薄膜であるアルミニウムが形成されているので、反射板71の反射面及び穴72の表面を高反射率状態に保つことができ、温度計測における多重反射効果をさらに増幅させることができる。
【0041】
さらに、冷却管730が円筒状の穴72の周囲に配置されているとともに、この冷却管730の下面には、冷却水を冷却管730内に供給するための供給口730aと、冷却水を冷却管730内から排出するための排出口730bとが形成されているので、反射板71および穴72の温度上昇を抑制させ、温度計測に対する誤差要因となる外乱をさらに効果的に防止できる。
【0042】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、保持手段に保持された基板表面に対向する反射面を有し、かつ穴が形成された反射板と、穴内に設けられ、かつ基板の温度を計測する温度計測手段と、を備え、穴の周囲における反射板の反射面に金属薄膜を形成しているので、反射板の反射面を高反射率状態に保つことができ、温度計測における多重反射効果を増幅させることができる。そして、請求項1に記載の発明では、穴の表面に金属薄膜を形成することにより穴の表面を高反射率状態に保つことができ、多重反射効果をさらに増幅させることができ、請求項2に記載の発明では、水冷部が穴の周囲に配置されているとともに、冷却水の供給口と冷却水の排出口とを有することにより、温度計測に対する誤差要因となる外乱を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態である熱処理装置の一種であるランプアニールの縦断面図である。
【図2】温度計測部の構成を示す図である。
【図3】反射板および反射板の反射面を示す断面図である。
【図4】冷却部の構造を示す模式図である。
【図5】従来の熱処理装置の一種であるランプアニールの縦断面図である。
【符号の説明】
10 チャンバ
11 リフレクタ
12 ハウジング
21 ランプ
50 反射部
21 ランプ
61 支持ピン
70 温度計測部
71 反射板
72 穴
730 水冷管
730a 供給口
730b 排出口
W ウエハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for liquid crystal display, and an optical disk substrate.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a heat treatment apparatus such as lamp annealing has been used as a heat treatment for a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”).
[0003]
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of lamp annealing, which is a kind of conventional heat treatment apparatus. The
[0004]
The
[0005]
The
[0006]
The
[0007]
The wafer holding / rotating
[0008]
The
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional heat treatment apparatus, the reflection surface of the
[0010]
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a heat treatment apparatus capable of maintaining the reflection surface of a reflector in a high reflectance state and amplifying the multiple reflection effect in temperature measurement. For the purpose. Another object of the present invention is to effectively prevent disturbances that cause errors in temperature measurement.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to
[0012]
In the present invention, an oxide film is further formed on the substrate side of the metal thin film. In addition, as an oxide film here, a SiO2 film can be considered. Further, the invention is characterized in that the reflection surface of the reflection plate is mirror-finished . Et al of the present invention, the metal thin film, and wherein the aluminum.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0014]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of lamp annealing which is a kind of heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
[0015]
The
[0016]
The
[0017]
In addition to the loading / unloading
[0018]
Further, a
[0019]
The light emitting unit 20 is provided below the reflector 11 and includes a large number of
[0020]
The
[0021]
In addition, an
[0022]
The holding
[0023]
The reflecting
[0024]
The transmission cap 60 is a member made of quartz having a low light reactivity and a cylindrical shape with a top end closed by a flat surface, and covers the upper part of the
[0025]
In addition, an
[0026]
In addition, since the inner walls of the
[0027]
The
[0028]
The elevating
[0029]
The
[0030]
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the temperature measurement unit of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.
[0031]
As shown in FIG. 2, a
[0032]
In the rotating
[0033]
Further, the inner surface 731 of the
[0034]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the reflecting plate and the reflecting surface of the reflecting plate. The reflecting
[0035]
FIG. 4 is a schematic diagram showing the structure of the cooling unit. As shown in FIG. 4, the
[0036]
The heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention has the following effects. That is, since the aluminum which is a metal thin film is formed in the processing surface of the reflecting
[0037]
In addition, since an oxide film (SiO 2) is deposited as a protective film on the surface of aluminum, there is an effect that the surface of aluminum, which is a metal thin film, is not damaged.
[0038]
Further, since the reflection surface of the
[0039]
Further, since the water-cooled
[0040]
Also, since the surface of the
[0041]
Further, a
[0042]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, the reflector having a reflecting surface facing the substrate surface held by the holding means and having a hole formed therein, the temperature of the substrate provided in the hole, and And a metal thin film is formed on the reflecting surface of the reflecting plate around the hole, so that the reflecting surface of the reflecting plate can be kept in a high reflectivity state, and multiplexing in temperature measurement is performed. The reflection effect can be amplified. In the invention described in
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of lamp annealing which is a kind of heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a temperature measurement unit.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a reflecting plate and a reflecting surface of the reflecting plate.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a structure of a cooling unit.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of lamp annealing, which is a kind of conventional heat treatment apparatus.
[Explanation of symbols]
10 Chamber 11
Claims (6)
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に熱処理を行うための熱源と、
前記保持手段に保持された基板表面に対向する反射面を有し、かつ穴が形成され、前記基板表面との間で多重反射を生じさせる反射板と、
前記穴内に設けられ、かつ基板の温度を計測する温度計測手段と、を備え、
前記穴の周囲における前記反射板の反射面に金属薄膜を形成し、前記穴の表面に金属薄膜を形成したことを特徴とする熱処理装置。A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate,
Holding means for holding the substrate;
A heat source for performing a heat treatment on the substrate held by the holding means;
A reflecting plate having a reflecting surface facing the substrate surface held by the holding means, and having a hole, and generating multiple reflections with the substrate surface ;
Temperature measuring means provided in the hole and measuring the temperature of the substrate, and
A heat treatment apparatus , wherein a metal thin film is formed on a reflection surface of the reflector around the hole, and a metal thin film is formed on the surface of the hole .
基板を保持する保持手段と、 Holding means for holding the substrate;
前記保持手段に保持された基板に熱処理を行うための熱源と、 A heat source for performing a heat treatment on the substrate held by the holding means;
前記保持手段に保持された基板表面に対向する反射面を有し、かつ穴が形成され、前記基板表面との間で多重反射を生じさせる反射板と、 A reflecting plate having a reflecting surface facing the substrate surface held by the holding means, and having a hole, and generating multiple reflections with the substrate surface;
前記穴内に設けられ、かつ基板の温度を計測する温度計測手段と、 Temperature measuring means provided in the hole and measuring the temperature of the substrate;
前記反射板の反射面とは反対側に設けられた水冷部と、を備え、 A water cooling part provided on the opposite side of the reflecting surface of the reflecting plate,
前記水冷部は、前記穴の周囲に配置されているとともに、冷却水の供給口と冷却水の排出口とを有し、 The water cooling unit is disposed around the hole, and has a cooling water supply port and a cooling water discharge port,
前記穴の周囲における前記反射板の反射面に金属薄膜を形成したことを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment apparatus, wherein a metal thin film is formed on a reflection surface of the reflection plate around the hole.
前記穴を有するケーシングをさらに備え、 Further comprising a casing having said holes;
前記ケーシングの内部に前記冷却部である冷却管が設けられたことを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment apparatus, wherein a cooling pipe as the cooling unit is provided inside the casing.
前記金属薄膜の基板側に、酸化膜をさらに形成したことを特徴とする熱処理装置。A heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
A heat treatment apparatus, further comprising an oxide film formed on the substrate side of the metal thin film.
前記反射板の反射面は、鏡面処理されていることを特徴とする熱処理装置。A heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
The reflection surface of the said reflecting plate is mirror-finished, The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記金属薄膜は、アルミニウムであることを特徴とする熱処理装置。A heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5 ,
The heat treatment apparatus, wherein the metal thin film is aluminum.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23067699A JP3786247B2 (en) | 1999-08-17 | 1999-08-17 | Heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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