JP2000228366A - Reaction gas processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
基板等の製造プロセスに用いるＣＶＤ装置、エッチング
装置等のプラズマ処理装置などの反応ガス使用処理装
置、特に、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ドライエッ
チング装置、光ＣＶＤ装置等に好適に用いられる反応ガ
ス使用処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus using a reaction gas such as a plasma processing apparatus such as a CVD apparatus and an etching apparatus used for a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal substrate, etc. The present invention relates to a processing apparatus using a reactive gas, which is suitably used for an apparatus, a photo-CVD apparatus and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶基板等の製造プロセスに用い
るＣＶＤ装置においては、基板の大型化、処理の高速化
等の要求に応えるため、大口径で均一かつ高密度のプラ
ズマが得られるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が提案さ
れている。上記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置において
は、処理室としてのチャンバー内に成膜に必要なＳｉＨ
4ガス等の反応ガスが導入される一方、マイクロ波が放
射されてプラズマが発生し、プラズマ中で反応ガスの解
離により生じたラジカルが基板表面で化学反応を起こす
ことによって膜が形成される。通常、チャンバー内下部
に設けられたサセプタ上に被処理基板が支持され、基板
の上方の空間がプラズマ発生空間となる。また、このプ
ラズマ発生空間に反応ガスを供給すべくチャンバー上部
の１箇所または数箇所から反応ガスが供給される。2. Description of the Related Art In recent years, in a CVD apparatus used in a manufacturing process for a liquid crystal substrate or the like, a microwave having a large diameter and a uniform and high-density plasma can be obtained in order to meet a demand for a larger substrate and a higher processing speed. A plasma CVD apparatus has been proposed. In the microwave plasma CVD apparatus, SiH necessary for film formation is formed in a chamber as a processing chamber.
While a reaction gas such as four gases is introduced, microwaves are emitted to generate plasma, and radicals generated by dissociation of the reaction gas in the plasma cause a chemical reaction on the substrate surface to form a film. Usually, a substrate to be processed is supported on a susceptor provided at a lower portion in the chamber, and a space above the substrate is a plasma generation space. In addition, a reaction gas is supplied from one or several places in the upper part of the chamber to supply the reaction gas to the plasma generation space.
【０００３】ところが、チャンバー内の１箇所または数
箇所から反応ガスを供給する場合、プラズマ発生空間全
体にわたって反応ガスが均一に拡散するようにガスの供
給を行うのは極めて難しい。特に、被処理基板の大型化
に伴ってチャンバーが大型化すると尚更である。したが
って、反応ガスをチャンバーの周辺部からいくら均一に
供給したところで、チャンバーの周辺部と中心部とでは
ガスの不均一が生じ、ガス（圧力）の不均一が生じると
プラズマ放電も不安定になってしまう。その結果、被処
理基板上の膜厚の面内バラツキが大きくなる等の問題が
生じていた。However, when the reaction gas is supplied from one or several places in the chamber, it is extremely difficult to supply the gas so that the reaction gas is uniformly diffused throughout the plasma generating space. In particular, it is even more significant that the chamber becomes larger with the increase in the size of the substrate to be processed. Therefore, no matter how much the reaction gas is supplied from the peripheral part of the chamber, the gas becomes uneven at the peripheral part and the central part of the chamber, and when the gas (pressure) becomes uneven, the plasma discharge becomes unstable. Would. As a result, there has been a problem that the in-plane variation of the film thickness on the substrate to be processed becomes large.
【０００４】そこで、チャンバー内に反応ガスを拡散さ
せる反応ガス拡散部材として、反応ガスを導入するガス
導入路と、該ガス導入路に連通し、上記反応ガスを噴出
する多数の孔を設けた板体、いわゆるシャワープレート
をチャンバー上部の反応ガス導入口の下方に設置し、シ
ャワープレートの多数の孔からガスを分散させて供給す
る構造を持つ装置が提案された。この装置において、上
記シャワープレートの側面に、ガス導入路の入口が開口
した開口部が形成されており、この開口部には装置外部
からチャンバー内に反応ガスを導入するためのガス導入
路としての金属製ガス配管が接続されている。ここでの
シャワープレートの開口部と金属製ガス配管との接続手
段としては、シャワープレートの構成材料として通常セ
ラミックスが用いられ、溶接を用いることができないた
め、ネジ機構を設けており、例えば、シャワープレート
の開口部に形成されたネジ穴に、ガス配管の先端周囲に
形成された雄ネジ部が螺入され、さらにシャワープレー
トとガス配管の間がＯリング等でシールされた構成とな
っている。Therefore, as a reaction gas diffusion member for diffusing the reaction gas into the chamber, a plate having a gas introduction passage for introducing the reaction gas, and a large number of holes communicating with the gas introduction passage for ejecting the reaction gas is provided. There has been proposed an apparatus having a structure in which a body, a so-called shower plate, is installed below a reaction gas inlet at an upper portion of a chamber, and gas is dispersed and supplied from a number of holes of the shower plate. In this apparatus, an opening is formed on the side surface of the shower plate, at which an inlet of the gas introduction path is opened. The opening serves as a gas introduction path for introducing a reaction gas into the chamber from outside the apparatus. Metal gas piping is connected. As a means for connecting the opening of the shower plate and the metal gas pipe, ceramic is usually used as a constituent material of the shower plate, and welding cannot be used, so a screw mechanism is provided. A male screw formed around the tip of the gas pipe is screwed into a screw hole formed in the opening of the plate, and the space between the shower plate and the gas pipe is sealed with an O-ring or the like. .
【０００５】上記のような構成のマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ装置の場合、チャンバー内のプラズマ発生空間に対
して反応ガスを供給しつつマイクロ波を供給する必要が
あるため、チャンバー下部側のサセプタで被処理基板を
支持する一方、チャンバー上部側のシャワープレートか
らガスを供給するとともに、シャワープレートのさらに
上方に設置したラジアルラインスロットアンテナからシ
ャワープレートを通してマイクロ波を供給する構成が一
般的である。[0005] The microwave plasma C having the above configuration
In the case of a VD apparatus, it is necessary to supply a microwave while supplying a reaction gas to a plasma generation space in a chamber. Therefore, a substrate to be processed is supported by a susceptor on a lower side of the chamber, and a shower plate on an upper side of the chamber. In general, a gas is supplied from the antenna and a microwave is supplied from a radial line slot antenna provided further above the shower plate through the shower plate.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置においては、セラミックス
製シャワープレートにネジ加工を施すのが困難であり、
また、ネジ加工によりシャワープレートの価格が高くな
り、装置もコスト高となってしまう。また、マイクロ波
プラズマＣＶＤ装置の使用時には、上記チャンバー内は
高温になるため、セラミックス製シャワープレートと金
属製ガス配管の熱膨張率の違いにより、上記ネジ穴に形
成されたネジ山に欠損が生じることがあった。また、メ
ンテナンス時にチャンバー内を清掃する際、シャワープ
レートからガス配管を外すが、このときシャワープレー
トのネジ山に欠損が生じることがあった。シャワープレ
ートに上記のような欠損が生じると、接続部のガスのシ
ール性が低下し、漏れると好ましくないＳｉＨ4ガス等
のガスが漏れる恐れがあり、また、シャワープレートの
欠損による発塵が成膜等に悪影響を及ぼし、歩留まりが
悪くなってしまうという問題があった。However, in a conventional microwave plasma CVD apparatus, it is difficult to screw a shower plate made of ceramics.
In addition, the screw processing increases the price of the shower plate and increases the cost of the apparatus. In addition, when the microwave plasma CVD apparatus is used, the inside of the chamber becomes high temperature, so that a difference occurs in the coefficient of thermal expansion between the ceramic shower plate and the metal gas pipe, so that a screw thread formed in the screw hole is damaged. There was something. Further, when cleaning the inside of the chamber during maintenance, the gas pipe is detached from the shower plate, and at this time, the thread of the shower plate may be damaged. If the above-described defect occurs in the shower plate, the sealing property of the gas at the connection portion is reduced, and if leaked, an undesirable gas such as SiH 4 gas may leak. In addition, dust generation due to the defect of the shower plate may occur. There is a problem that the film is adversely affected and the yield is deteriorated.
【０００７】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、処理室の内部空間に反応ガスを拡
散させるための反応ガス拡散部材にネジ加工を施すこと
なく、該反応ガス拡散部材と、装置外部から処理室内に
反応ガスを導入するガス導入路とを容易に接続でき、し
かも反応ガス拡散部材の欠損に起因する発塵を防止でき
るうえ、接続部のガスのシール性を向上できる反応ガス
使用処理装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a reaction gas diffusion member for diffusing a reaction gas into an internal space of a processing chamber without threading the reaction gas. The diffusion member can be easily connected to a gas introduction path for introducing a reaction gas into the processing chamber from the outside of the apparatus. Further, dust generation due to a defect in the reaction gas diffusion member can be prevented. An object of the present invention is to provide a processing apparatus using a reaction gas which can be improved.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の反応ガス使用処理装置は、装置外部から
処理室内に反応ガスを導入するためのガス導入路の出口
を上記処理室の内部空間に反応ガスを拡散させるための
反応ガス拡散部材のガス導入路の入り口に臨ませた状態
で上記反応ガス拡散部材を上記壁部に圧接シールさせる
圧接手段を設け、さらに上記処理室へのガス導入路と上
記反応ガス拡散部材のガス導入路との間の圧接シール部
の周囲にガス漏れ防止用シール部材を設けたことを特徴
とするものである。In order to achieve the above object, a reaction apparatus using a reactive gas according to the present invention comprises an outlet of a gas introduction passage for introducing a reaction gas from outside the apparatus into the processing chamber. Pressure contact means for pressure-sealing the reaction gas diffusion member to the wall in a state of facing the inlet of the gas introduction path of the reaction gas diffusion member for diffusing the reaction gas into the internal space is provided, and further to the processing chamber. A gas leakage preventing seal member is provided around the pressure seal portion between the gas introduction path and the gas introduction path of the reactive gas diffusion member.
【０００９】本発明の反応ガス使用処理装置によれば、
上記ガス導入路の出口を上記反応ガス拡散部材のガス導
入路の入り口に臨ませた状態で、上記圧接手段により上
記反応ガス拡散部材を上記壁部に圧接シールさせること
により、上記ガス導入路の出口と反応ガス拡散部材のガ
ス導入路の入り口を容易に接続することができるので、
反応ガス拡散部材にネジ加工を施す必要がなく、装置の
コストダウンが可能である。さらに、上記処理室へのガ
ス導入路と上記反応ガス拡散部材のガス導入路との間の
圧接シール部の周囲にガス漏れ防止用シール部材が設け
られたことにより、上記処理室へのガス導入路の出口
と、反応ガス拡散部材のガス導入路の入り口との接続部
の周囲の処理室壁部と反応ガス拡散部材の端面との隙間
がシールされ、気密となるので、上記接続部からガスが
漏れるのを防止できる。また、上記反応ガス拡散部材
は、ネジ加工が施されていないため、熱膨張やメンテナ
ンス時にネジ山が欠損することがなく、該欠損に起因す
る発塵を防止できるので、成膜等に悪影響を及ぼすこと
がなく、歩留まりを向上でき、また、上記欠損に起因す
る接続部からのガスの漏れを防止でき、安全性が向上す
る。According to the processing apparatus using a reactive gas of the present invention,
In a state where the outlet of the gas introduction path faces the entrance of the gas introduction path of the reaction gas diffusion member, the reaction gas diffusion member is pressed against the wall by the pressure contact means to seal the gas introduction path. Since the outlet and the inlet of the gas introduction path of the reaction gas diffusion member can be easily connected,
There is no need to thread the reactive gas diffusion member, and the cost of the apparatus can be reduced. Further, a gas leakage prevention seal member is provided around a pressure seal portion between the gas introduction path to the processing chamber and the gas introduction path of the reaction gas diffusion member, so that gas is introduced into the processing chamber. The gap between the processing chamber wall around the connection between the outlet of the passage and the inlet of the gas introduction passage of the reaction gas diffusion member and the end face of the reaction gas diffusion member is sealed and becomes airtight. Can be prevented from leaking. Further, since the reaction gas diffusion member is not subjected to screw processing, the screw thread does not break during thermal expansion or maintenance, and dust generation due to the loss can be prevented. Without this, the yield can be improved, and gas leakage from the connection portion due to the defect can be prevented, so that safety can be improved.
【００１０】上記圧接手段としては、真空排気源と接続
された排気路の出口を上記処理室壁部の反応ガス拡散部
材との当接面に形成してなるもの、あるいは真空排気源
と接続された排気路の出口を反応ガス拡散部材に臨ませ
てなるものであってもよい。As the pressure contact means, an outlet of an exhaust path connected to a vacuum exhaust source is formed on a contact surface of the processing chamber wall with the reactive gas diffusion member, or the pressure contact means is connected to a vacuum exhaust source. The outlet of the exhaust path may face the reaction gas diffusion member.
【００１１】また、本発明の反応ガス使用処理装置にお
いては、上記処理室へのガス導入路と上記反応ガス拡散
部材のガス導入路との圧接シール部からのガス漏れを予
備的に防止するためのカバー部材を上記処理室壁部と該
壁部に圧接された上記反応ガス拡散部材との境界を覆っ
て設け、さらに該カバー部材と上記反応ガス拡散部材と
の間及び該カバー部材と上記処理室壁部との間にガス漏
れ防止用のシール部材を設けられていることが好まし
い。かかる構成の反応ガス使用処理装置によれば、上記
圧接シール部から万一ガスが漏れても、処理室の外部に
ガスが漏れるのを防止できる。Further, in the processing apparatus using a reactive gas according to the present invention, a gas leak from a pressure contact seal portion between a gas introduction path to the processing chamber and a gas introduction path of the reaction gas diffusion member is preliminarily prevented. Is provided so as to cover the boundary between the processing chamber wall portion and the reaction gas diffusion member pressed against the wall portion, and further between the cover member and the reaction gas diffusion member, and between the cover member and the processing member. It is preferable that a sealing member for preventing gas leakage is provided between the chamber and the chamber wall. According to the processing apparatus using a reactive gas having such a configuration, even if the gas leaks from the pressure seal portion, the gas can be prevented from leaking to the outside of the processing chamber.
【００１２】また、本発明の反応ガス使用処理装置にお
いては、上記カバー部材に上記処理室壁部へのガス導入
路と上記反応ガス拡散部材のガス導入路との圧接シール
部からの漏れガスを強制排気するための排気路を設け、
該排気路に漏れガスを強制排気する排気手段を接続して
設けられていることが好ましい。かかる構成の反応ガス
使用処理装置によれば、上記圧接シール部から万一ガス
が漏れても、該漏れガスを上記処理室壁部と該壁部に圧
接された上記反応ガス拡散部材との境界と、上記排気路
を経て強制排気できるので、処理室の外部にガスが漏れ
るのを防止できる。Further, in the processing apparatus using a reactive gas of the present invention, the cover member is provided with a gas leaking from a pressure contact seal portion between a gas introduction path to the processing chamber wall and a gas introduction path of the reaction gas diffusion member. Provide an exhaust path for forced exhaust,
It is preferable that an exhaust means for forcibly exhausting leak gas is connected to the exhaust path. According to the processing apparatus using a reactive gas having such a configuration, even if the gas leaks from the pressure contact seal portion, the leaked gas is transferred to the boundary between the processing chamber wall and the reactive gas diffusion member pressed against the wall. Then, since the gas can be forcibly exhausted through the exhaust path, the gas can be prevented from leaking to the outside of the processing chamber.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明をプラズマＣＶＤ装置に適用した第１の実施の形態を
図１ないし図３を参照して説明する。図１は、本実施の
形態のプラズマＣＶＤ装置（反応ガス使用処理装置）１
の全体構成を示す図である。このプラズマＣＶＤ装置１
は、マイクロ波を放射するラジアルラインスロットアン
テナを備えたマイクロ波プラズマ励起方式の装置であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A first embodiment in which the present invention is applied to a plasma CVD apparatus will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows a plasma CVD apparatus (reaction gas use processing apparatus) 1 of the present embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing an overall configuration of the embodiment. This plasma CVD apparatus 1
Is an apparatus of a microwave plasma excitation type provided with a radial line slot antenna for radiating microwaves.
【００１４】図１に示すように、有底で円筒状の金属製
チャンバー（処理室）２の上部に上から順にラジアルラ
インスロットアンテナ３とシャワープレート（反応ガス
拡散部材）１７が設置されており、これと対向するよう
にチャンバー２の下部には被処理基板４を支持するため
のサセプタ５が設置されている。したがって、被処理基
板４の上方がプラズマ発生空間６となり、ラジアルライ
ンスロットアンテナ３からこの空間６に向けてマイクロ
波が放射されるようになっている。ラジアルラインスロ
ットアンテナ３は、導体の表面にマイクロ波の遅波材と
なる誘電体を介して多数のスロット穴を有するスロット
板が設けられてなるものである。このラジアルラインス
ロットアンテナ３には、同軸導波管変換器１２、導波管
（図示略）を介してマイクロ波生成システム（図示略）
が接続されており、該マイクロ波生成システムで生成さ
れたマイクロ波が導波管、同軸導波管変換器１２を経て
上記導体の裏面側から給電される構成となっている。As shown in FIG. 1, a radial line slot antenna 3 and a shower plate (reactive gas diffusion member) 17 are provided in order from the top on a bottomed cylindrical metal chamber (processing chamber) 2. A susceptor 5 for supporting the substrate 4 to be processed is provided below the chamber 2 so as to face the substrate. Therefore, the plasma generation space 6 is located above the substrate 4 to be processed, and microwaves are radiated from the radial line slot antenna 3 toward the space 6. The radial line slot antenna 3 is provided with a slot plate having a large number of slot holes provided on a surface of a conductor via a dielectric material serving as a microwave slow-wave material. A microwave generation system (not shown) is provided to the radial line slot antenna 3 via a coaxial waveguide converter 12 and a waveguide (not shown).
Are connected, and the microwave generated by the microwave generation system is fed from the back side of the conductor through the waveguide and the coaxial waveguide converter 12.
【００１５】図１に示すように、ラジアルラインスロッ
トアンテナ３の表面にはマイクロ波を透過する誘電体
（図示略）を介してシャワープレート１７が固定されて
いる。図２および図３に示すように、シャワープレート
１７は、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ等のセラミックスなどからな
る円状の板体であり、その内部には径方向に延びるガス
導入路１８が形成され、さらに該ガス導入路１８に連通
し、空間６側の面１７ａに開口する多数の孔１９が形成
されている。ガス導入路１８の入り口１８ａは、チャン
バー２側の端面に開口している。このような構成のシャ
ワープレート１７は、チャンバー２の壁部２ａの上部の
内壁面に形成された段部２ｂに嵌められており、チャン
バー２の壁部２ａにシャワープレート１７の端面が当接
している。シャワープレート１７のチャンバー２と当接
する端面ならびにチャンバー２の壁部２ａのシャワープ
レート１７の当接面の表面粗さは、後述する真空排気源
により排気路３１，３１から排気したときに、シャワー
プレート１７の端面が壁部２ａに強く吸着される点で小
さい方が良く、例えば、Ｒａ＝０．６μｍ程度とされ
る。また、シャワープレート１７と段部２ｂとの間に
は、Ｏリング１３が設けられており、シャワープレート
１７の面１７ａの周縁近傍と段部２ａとの隙間がシール
されて気密となっている。As shown in FIG. 1, a shower plate 17 is fixed to the surface of the radial line slot antenna 3 via a dielectric (not shown) that transmits microwaves. As shown in FIGS. 2 and 3, the shower plate 17 is a circular plate made of ceramics such as Al 2 O 3 or AlN, and has a gas introduction passage 18 extending in a radial direction inside thereof. Further, a number of holes 19 communicating with the gas introduction passage 18 and opening to the surface 17a on the space 6 side are formed. The inlet 18a of the gas introduction path 18 is open at the end face on the chamber 2 side. The shower plate 17 having such a configuration is fitted to a step 2 b formed on the inner wall surface above the wall 2 a of the chamber 2, and the end face of the shower plate 17 abuts on the wall 2 a of the chamber 2. I have. The surface roughness of the end surface of the shower plate 17 that contacts the chamber 2 and the surface roughness of the contact surface of the shower plate 17 on the wall portion 2a of the chamber 2 when the shower plate 17 is evacuated from the exhaust passages 31 by a vacuum exhaust source described later. 17 is preferably small in that the end face 17 is strongly adsorbed to the wall portion 2a. For example, Ra is about 0.6 μm. An O-ring 13 is provided between the shower plate 17 and the step portion 2b, and a gap between the vicinity of the periphery of the surface 17a of the shower plate 17 and the step portion 2a is sealed to be airtight.
【００１６】また、チャンバー２上部のシャワープレー
ト１７の側方には反応ガスをチャンバー２の空間６に反
応ガスを導入するガス導入路２１が壁部２ａを貫通して
形成されている。このガス導入路２１の出口２１ｂは、
シャワープレート１７の入り口１８ａに臨んでおり、さ
らに、シャワープレート１７は後述する圧接手段により
チャンバー２の壁部２ａに圧接シールされて、ガス導入
路２１の出口２１ｂとシャワープレート１７のガス導入
路１８の入口１８ａが接続されている。チャンバー２の
ガス導入路２１とシャワープレート１７のガス導入路１
８との間の圧接シール部２５の周囲にＯリング（ガス漏
れ防止用シール部材）２６が設けられている。ガス導入
路２１の入り口２１ａには反応ガス供給源（図示略）と
接続された反応ガス供給管２２がアルミニウム等からな
るブロック２８を介して接続されている。このブロック
２８は、ネジ部材２８ａによりチャンバー２の壁部２ａ
に固定されている。また、ブロック２８とチャンバー２
のガス導入路２１との間の接続部の周囲にＯリング２９
が設けられている。反応ガス供給管２２には、反応ガス
の流量を調整するバルブ３０が設けられている。A gas introduction passage 21 for introducing a reaction gas into the space 6 of the chamber 2 is formed on a side of the shower plate 17 above the chamber 2 through the wall 2a. The outlet 21b of the gas introduction path 21 is
The shower plate 17 faces the entrance 18 a of the shower plate 17, and the shower plate 17 is press-sealed to the wall 2 a of the chamber 2 by press-contact means described later, so that the outlet 21 b of the gas introduction path 21 and the gas introduction path 18 Are connected. Gas introduction path 21 of chamber 2 and gas introduction path 1 of shower plate 17
An O-ring (a gas leakage prevention seal member) 26 is provided around the press-contact seal portion 25 between the pressure-contact seal member 8 and the seal member 8. A reaction gas supply pipe 22 connected to a reaction gas supply source (not shown) is connected to an inlet 21a of the gas introduction path 21 via a block 28 made of aluminum or the like. The block 28 is fixed to the wall 2a of the chamber 2 by a screw member 28a.
It is fixed to. Also, the block 28 and the chamber 2
O-ring 29 around the connection between the
Is provided. The reaction gas supply pipe 22 is provided with a valve 30 for adjusting the flow rate of the reaction gas.
【００１７】図２および図３に示すようにチャンバー２
に形成されたガス導入路２１の両側には真空排気源（図
示略）と接続された排気路３１，３１が壁部２ａを貫通
して形成されており、各排気路３１の出口３１ｂは、チ
ャンバー２の壁部２ａのシャワープレート１７の端面と
の当接部に開口している。このような排気路３１，３１
と上記真空排気源によりシャワープレート１７をチャン
バー２の壁部２ａに圧接シールさせる圧接手段が概略構
成されている。各排気路３１の出口３１ｂの周囲の壁部
２ａと、シャワープレート１７の端面との間にＯリング
３６が設けられている。各排気路３１の入り口３１ａに
は排気管３２がアルミニウム等からなるリング状のブロ
ック３８を介して接続されている。このブロック３８
は、ネジ部材３８ａによりチャンバー２の壁部２ａに固
定されている。また、ブロック３８とチャンバー２の排
気路３１との間の接続部の周囲にＯリング３９が設けら
れている。二つの排気管３２，３２は、下流（排気時に
ガスが流れる方向）側で合流して上記真空排気源に接続
されており、また、各排気管３２には、排気量を調整す
るバルブ４０が設けられている。また、チャンバー２の
下部には排気口４５が設けられ、また、この排気口４５
には上記真空排気源（図示略）が接続されており、該真
空排気源により二つの排気路３１，３１と、排気口４５
とから同時に排気できるようになっている。As shown in FIG. 2 and FIG.
Exhaust paths 31, 31 connected to a vacuum exhaust source (not shown) are formed on both sides of the gas introduction path 21 formed through the wall 2a, and an outlet 31b of each exhaust path 31 is The wall 2 a of the chamber 2 is opened at a contact portion with the end face of the shower plate 17. Such exhaust paths 31, 31
And a pressurizing means for pressurizing and sealing the shower plate 17 to the wall 2a of the chamber 2 by the vacuum exhaust source. An O-ring 36 is provided between the wall 2 a around the outlet 31 b of each exhaust passage 31 and the end face of the shower plate 17. An exhaust pipe 32 is connected to an inlet 31a of each exhaust path 31 via a ring-shaped block 38 made of aluminum or the like. This block 38
Is fixed to the wall 2a of the chamber 2 by a screw member 38a. An O-ring 39 is provided around a connection between the block 38 and the exhaust path 31 of the chamber 2. The two exhaust pipes 32, 32 join on the downstream side (the direction in which gas flows during exhaust) and are connected to the vacuum exhaust source. Each exhaust pipe 32 has a valve 40 for adjusting the exhaust amount. Is provided. An exhaust port 45 is provided at a lower portion of the chamber 2.
Is connected to the above-described vacuum exhaust source (not shown), and the two exhaust paths 31, 31 and the exhaust port 45 are connected by the vacuum exhaust source.
And can be exhausted at the same time.
【００１８】上記構成のプラズマＣＶＤ装置１において
は、上記真空排気源により二つの排気路３１，３１と、
排気口４５とから同時に排気すると、各排気路３１にシ
ャワープレート１７の端面が引き付けられ、該端面が壁
部２ａに吸着し、チャンバー２のガス導入路２１の出口
２１ｂをシャワープレート１７のガス導入路１８の入り
口１８ａに臨ませた状態でシャワープレート１７を壁部
２ａに圧接シールすることができ、チャンバー２のガス
導入路２１の出口２１ｂがシャワープレート１７のガス
導入路１８の入り口１８ａに容易に接続され、また、こ
れと共にチャンバー２内を例えば１０-6Ｔｏｒｒ以下に
減圧される。また、チャンバー２のガス導入路２１の出
口２１ｂとシャワープレート１７のガス導入路１８の入
り口１８ａを離間するときには、各バルブ４０を開にし
て真空を破ることにより容易に離間できる。In the plasma CVD apparatus 1 having the above configuration, two evacuation paths 31, 31 are provided by the evacuation source.
When the air is exhausted from the exhaust port 45 at the same time, the end face of the shower plate 17 is attracted to each exhaust path 31, and the end face is adsorbed on the wall 2 a, and the outlet 21 b of the gas introduction path 21 of the chamber 2 is introduced into the shower plate 17. The shower plate 17 can be pressed and sealed to the wall portion 2 a in a state where the shower plate 17 faces the entrance 18 a of the passage 18, and the outlet 21 b of the gas introduction passage 21 of the chamber 2 easily enters the entrance 18 a of the gas introduction passage 18 of the shower plate 17. And the pressure inside the chamber 2 is reduced to, for example, 10 −6 Torr or less. When the outlet 21b of the gas introduction path 21 of the chamber 2 is separated from the entrance 18a of the gas introduction path 18 of the shower plate 17, the separation can be easily performed by opening each valve 40 and breaking the vacuum.
【００１９】上述のようにチャンバー２のガス導入路２
１とシャワープレート１７のガス導入路１８は接続され
ているので、反応ガス供給源（図示略）から成膜に必要
なＳｉＨ4、ＰＨ3等の反応ガスを反応ガス供給管２２に
例えば流量１０００ｓｃｃｍで供給すると、上記反応ガ
スはガス導入路２１、シャワープレート１７のガス導入
路１８を経て、多数の孔１９に至り、各孔１９から上記
反応ガスがチャンバー２内に噴出される構成となってい
る。そして、ラジアルラインスロットアンテナ３から放
射されたマイクロ波によりプラズマ発生空間６において
プラズマが発生し、反応ガスが解離して生じたラジカル
が被処理基板４の表面で化学反応を起こすことによって
Ｓｉ膜等の所望の膜が形成される。As described above, the gas introduction path 2 of the chamber 2
1 and the gas introduction path 18 of the shower plate 17 are connected, so that a reaction gas such as SiH 4 or PH 3 required for film formation is supplied from the reaction gas supply source (not shown) to the reaction gas supply pipe 22 at a flow rate of, eg, 1000 sccm. The reaction gas flows through the gas introduction path 21 and the gas introduction path 18 of the shower plate 17 to reach a large number of holes 19, and the reaction gas is ejected from each hole 19 into the chamber 2. I have. Then, plasma is generated in the plasma generation space 6 by the microwaves radiated from the radial line slot antenna 3, and radicals generated by dissociation of the reaction gas cause a chemical reaction on the surface of the substrate 4 to be processed, thereby forming a Si film or the like. Is formed.
【００２０】本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１にお
いては、チャンバー２の壁部を貫通するガス導入路２１
の出口２１ｂをシャワープレート１７のガス導入路１８
の入り口１８ａに臨ませた状態でシャワープレート１７
を壁部２ａに圧接シールさせる圧接手段を設け、該圧接
手段をチャンバー２の壁部２ａのシャワープレート１７
との当接面に出口３１ｂが形成された排気路３１と、該
排気路３１に接続された真空排気源から構成したことに
より、排気路３１に接続された真空排気源により壁部２
ａとシャワープレート１７の端面との間の隙間を減圧す
ると、ガス導入路２１の出口２１ｂとシャワープレート
１７のガス導入路１８の入り口１８ａを容易に接続する
ことができるので、シャワープレート１７にネジ加工を
施す必要がなく、装置のコストダウンが可能である。さ
らに、チャンバー２へのガス導入路２１とシャワープレ
ート１７のガス導入路１８との間の圧接シール部２５の
周囲にＯリング２６が設けられたことにより、チャンバ
ー２へのガス導入路２１の出口２１ｂと、シャワープレ
ート１７のガス導入路１８の入り口１８ｂとの接続部の
周囲の壁部２ａとシャワープレート１７の端面との隙間
がシールされ、気密となるので、上記接続部からガスが
漏れるのを防止できる。また、シャワープレート１７
は、ネジ加工が施されていないため、熱膨張やメンテナ
ンス時にネジ山が欠損することがなく、該欠損に起因す
る発塵を防止できるので、成膜等に悪影響を及ぼすこと
がなく、歩留まりを向上でき、また、上記欠損に起因す
る接続部からのガスの漏れを防止でき、安全性が向上す
る。In the plasma CVD apparatus 1 of the present embodiment, the gas introduction passage 21 penetrating the wall of the chamber 2
Outlet 21 b is connected to the gas introduction passage 18 of the shower plate 17.
Of the shower plate 17 facing the entrance 18a
Is provided on the wall portion 2a by press-fitting, and the press-contact means is provided on the shower plate 17 of the wall portion 2a of the chamber 2.
And an exhaust passage 31 having an outlet 31b formed on a contact surface with the exhaust passage 31 and a vacuum exhaust source connected to the exhaust passage 31.
When the gap between the a and the end face of the shower plate 17 is reduced, the outlet 21b of the gas introduction path 21 and the entrance 18a of the gas introduction path 18 of the shower plate 17 can be easily connected. There is no need for processing, and the cost of the apparatus can be reduced. Further, since the O-ring 26 is provided around the pressure seal portion 25 between the gas introduction path 21 to the chamber 2 and the gas introduction path 18 of the shower plate 17, the outlet of the gas introduction path 21 to the chamber 2 is provided. The gap between the wall 2a around the connection between the shower plate 21b and the entrance 18b of the gas introduction passage 18 of the shower plate 17 and the end face of the shower plate 17 is sealed and airtight, so that gas leaks from the connection. Can be prevented. Also, the shower plate 17
Is not subjected to screw processing, so that screw threads are not broken during thermal expansion or maintenance, and dust generation due to the cracks can be prevented. In addition, gas leakage from the connection portion due to the defect can be prevented, and safety can be improved.
【００２１】［第２の実施の形態］以下、本発明の第２
の実施の形態を図４を参照して説明する。本実施の形態
は光ＣＶＤ装置（反応ガス使用処理装置）５１の例であ
り、本実施の形態が第１の実施の形態と異なる点はシャ
ワープレート１７が石英等の透明材料から構成されてお
り、かつシャワープレート１７の上にアンテナ３に代え
て紫外光を出射する光源５３が設けられた点である。光
ＣＶＤ装置５１は、チャンバー２内に供給された反応ガ
ス中の気体分子を光源５３から出射された光のエネルギ
ーにより分解し、被処理基板４に低温で薄膜を形成する
装置である。本実施形態の光ＣＶＤ装置５１によれば、
上記の構成としたことにより、シャワープレート１７に
ネジ加工を施すことなく、シャワープレート１７と、チ
ャンバー２を貫通するガス導入路２１とを容易に接続で
き、しかもシャワープレート１７の欠損に起因する発塵
を防止できるうえ、接続部のガスのシール性を向上でき
る。[Second Embodiment] Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described.
The embodiment will be described with reference to FIG. The present embodiment is an example of a photo-CVD apparatus (reaction gas use processing apparatus) 51. The present embodiment is different from the first embodiment in that the shower plate 17 is made of a transparent material such as quartz. In addition, a light source 53 that emits ultraviolet light is provided on the shower plate 17 instead of the antenna 3. The optical CVD apparatus 51 is an apparatus that decomposes gas molecules in the reaction gas supplied into the chamber 2 by the energy of light emitted from the light source 53 and forms a thin film on the substrate 4 to be processed at a low temperature. According to the photo-CVD apparatus 51 of the present embodiment,
With the above configuration, the shower plate 17 can be easily connected to the gas introduction passage 21 penetrating the chamber 2 without screwing the shower plate 17. Dust can be prevented, and the gas sealing property of the connection portion can be improved.
【００２２】［第３の実施の形態］以下、本発明の第３
の実施の形態を図５乃至図７を参照して説明する。本実
施の形態は第１の実施の形態と同様、マイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置の例であり、本実施の形態のマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置６１が第１の実施の形態と特に異なる
点は、カバー部材６２がチャンバー２の壁部２ａとこれ
に圧接されたシャワープレート１７との境界６３を覆う
ように設けられ、カバー部材６２に排気路７１が設けら
れ、該排気路７１に漏れガスを強制排気する排気手段と
接続された排気管７２が接続され、カバー部材６２とシ
ャワープレート１７及びカバー部材６２とチャンバー２
の壁部２ａとの間にＯリング（ガス漏れ防止用のシール
部材）６４が設けられている点である。[Third Embodiment] Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described.
Will be described with reference to FIGS. 5 to 7. FIG. This embodiment is an example of a microwave plasma CVD apparatus like the first embodiment, and the microwave plasma CVD apparatus 61 of this embodiment is particularly different from the first embodiment in that a cover member 62 is provided so as to cover the boundary 63 between the wall portion 2a of the chamber 2 and the shower plate 17 pressed against the wall portion 2a. An exhaust passage 71 is provided in the cover member 62, and the leak gas is forcibly exhausted into the exhaust passage 71. The exhaust pipe 72 connected to the exhaust means is connected, and the cover member 62 and the shower plate 17 and the cover member 62 and the chamber 2
An O-ring (seal member for preventing gas leak) 64 is provided between the O-ring 64 and the wall 2a.
【００２３】カバー部材６２は、チャンバー２の壁部２
ａを貫通するガス導入路２１とシャワープレート１７の
ガス導入路１８との圧接シール部２５からのガス漏れを
予備的に防止するためのリング状のものである。このカ
バー部材６２は、ボルト７３によりチャンバー２の上面
に固定されている。排気路７１は、チャンバー２の壁部
２ａへのガス導入路２１とシャワープレート１７のガス
導入路１８との圧接シール部２５からの漏れガスを強制
排気するためのものであり、カバー部材６２を貫通して
設けられ、かつ境界６３に連通している。排気路７１の
入り口７１ａには排気管７２がアルミニウム等からなる
リング状のブロック７４を介して接続されている。この
ブロック７４は、ネジ部材７４ａによりカバー部材６２
に固定されている。また、ブロック７４と排気路７１の
入口７１ａとの間の接続部の周囲にＯリング７９が設け
られている。排気管７２に接続される排気手段として
は、排気管３２，３２ならびに排気口４５が接続された
真空排気源が用いられ、この真空排気源に排気管７２が
接続されている。排気管７２には、排気量を調整するバ
ルブ８０が設けられている。The cover member 62 is provided on the wall 2 of the chamber 2.
This is a ring-shaped member for preliminarily preventing gas leakage from the pressure contact seal portion 25 between the gas introduction passage 21 penetrating through a and the gas introduction passage 18 of the shower plate 17. The cover member 62 is fixed to the upper surface of the chamber 2 by bolts 73. The exhaust path 71 is for forcibly exhausting gas leaking from the pressure sealing portion 25 between the gas introduction path 21 to the wall 2 a of the chamber 2 and the gas introduction path 18 of the shower plate 17. It is provided through and communicates with the boundary 63. An exhaust pipe 72 is connected to an inlet 71a of the exhaust path 71 via a ring-shaped block 74 made of aluminum or the like. The block 74 is fixed to the cover member 62 by a screw member 74a.
It is fixed to. An O-ring 79 is provided around a connection between the block 74 and the inlet 71a of the exhaust passage 71. As the exhaust means connected to the exhaust pipe 72, a vacuum exhaust source to which the exhaust pipes 32, 32 and the exhaust port 45 are connected is used, and the exhaust pipe 72 is connected to this vacuum exhaust source. The exhaust pipe 72 is provided with a valve 80 for adjusting the amount of exhaust.
【００２４】上記構成のプラズマＣＶＤ装置６１におい
ては、上記真空排気源により二つの排気路３１，３１
と、排気口４５と、排気路７１から同時に排気すると、
各排気路３１にシャワープレート１７の端面が引き付け
られ、該端面が壁部２ａに吸着し、チャンバー２のガス
導入路２１の出口２１ｂをシャワープレート１７のガス
導入路１８の入り口１８ａに臨ませた状態でシャワープ
レート１７を壁部２ａに圧接シールされ、また、これと
ともに圧接シール部２５から万一ガスが漏れていても該
ガスは壁部２ａとこれに圧接されたシャワープレート１
７の境界６３、排気路７１を経て強制排気され、さら
に、これと共にチャンバー２内を例えば１０ -6Ｔｏｒｒ
以下に減圧される。かかる構成のプラズマＣＶＤ装置に
よれば、上記の構成としたことにより、第１の実施形態
のプラズマＣＶＤ装置と同様の作用効果を奏するうえ、
圧接シール部２５から万一ガスが漏れても処理室の外部
にガスが漏れるのを防止できる。In the plasma CVD apparatus 61 having the above configuration,
The two evacuation paths 31, 31 are provided by the vacuum evacuation source.
And exhausting from the exhaust port 45 and the exhaust path 71 at the same time,
The end face of the shower plate 17 is attracted to each exhaust path 31
The end face is adsorbed on the wall 2a, and the gas in the chamber 2 is
The outlet 21 b of the introduction path 21 is connected to the gas of the shower plate 17.
Shower shower in the state of facing entrance 18a of introduction path 18
The rate 17 is pressure-sealed to the wall portion 2a.
In both cases, even if gas leaks from
The gas is supplied to the wall 2a and the shower plate 1 pressed against the wall 2a.
7, the exhaust gas is forcibly exhausted through the exhaust passage 71,
In addition, the inside of the chamber 2 is also -6Torr
The pressure is reduced below. In a plasma CVD apparatus having such a configuration,
According to the above configuration, the first embodiment
In addition to having the same function and effect as the plasma CVD device of
Even if gas leaks from the pressure seal section 25,
Gas can be prevented from leaking to the air.
【００２５】［第４の実施の形態］以下、本発明の第４
の実施の形態を図７乃至図９を参照して説明する。本実
施の形態も第１の実施の形態と同様、マイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置の例である。本実施の形態が第１の実施の
形態と特に異なる点は、ガス導入路１８の入り口１８ａ
がシャワープレート１７の上面１７ｂに開口しており、
上面１７ｂに入り口１８ａを覆うブロック８６が設けら
れ、このブロック８６にガス導入路２１、排気路３１，
３１がそれぞれ貫通して設けられ、各排気路３１の出口
３１ｂはブロック８６のシャワープレート１７との当接
面に開口しており、ガス導入路２１の出口２１ｂをシャ
ワープレート１７のガス導入路１８の入り口１８ａに臨
ませた状態でシャワープレート１７は上記圧接手段によ
りブロック８６に圧接シールされている点である。した
がって、プラズマＣＶＤ装置の全体構成についての説明
は省略する。[Fourth Embodiment] Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described.
The embodiment will be described with reference to FIGS. This embodiment is also an example of a microwave plasma CVD apparatus as in the first embodiment. This embodiment is particularly different from the first embodiment in that the inlet 18a of the gas introduction path 18
Is open on the upper surface 17b of the shower plate 17,
A block 86 that covers the entrance 18a is provided on the upper surface 17b, and the block 86 includes a gas introduction path 21, an exhaust path 31,
The outlet 31b of each exhaust passage 31 is open to the contact surface of the block 86 with the shower plate 17, and the outlet 21b of the gas introduction passage 21 is connected to the gas introduction passage 18 of the shower plate 17. The shower plate 17 is pressed and sealed to the block 86 by the pressing means in a state where the shower plate 17 faces the entrance 18a. Therefore, description of the overall configuration of the plasma CVD apparatus is omitted.
【００２６】図８に示すようにブロック８６に形成され
たガス導入路２１とシャワープレート１７のガス導入路
１８との間の圧接シール部９５の周囲にＯリング２６が
設けられている。ガス導入路２１の入り口２１ａには上
記反応ガス供給源（図示略）と接続された反応ガス供給
管２２が接続されている。図９に示すようにブロック８
６に形成された各排気路３１の出口３１ｂの周囲と、シ
ャワープレート１７の上面１７ｂとの間にＯリング３６
が設けられている。各排気路３１の入り口３１ａには上
記真空排気源と接続された排気管３２が接続されてい
る。As shown in FIG. 8, an O-ring 26 is provided around a pressure seal portion 95 between the gas introduction passage 21 formed in the block 86 and the gas introduction passage 18 of the shower plate 17. A reaction gas supply pipe 22 connected to the reaction gas supply source (not shown) is connected to an inlet 21a of the gas introduction path 21. Block 8 as shown in FIG.
An O-ring 36 is provided between the periphery of the outlet 31 b of each exhaust passage 31 formed on the upper surface 6 and the upper surface 17 b of the shower plate 17.
Is provided. An exhaust pipe 32 connected to the vacuum exhaust source is connected to an inlet 31a of each exhaust path 31.
【００２７】上記構成のプラズマＣＶＤ装置において
は、上記真空排気源により二つの排気路３１，３１と、
排気口４５とから同時に排気すると、各排気路３１にシ
ャワープレート１７の上面１７ｂが引き付けられ、該上
面１７ｂがブロック８６に吸着し、チャンバー２のガス
導入路２１の出口２１ｂをシャワープレート１７のガス
導入路１８の入り口１８ａに臨ませた状態でシャワープ
レート１７をブロック８６に圧接シールすることがで
き、ブロック８６に形成したガス導入路２１の出口２１
ｂをシャワープレート１７のガス導入路１８の入り口１
８ａに容易に接続でき、また、これと共にチャンバー２
内を例えば１０-6Ｔｏｒｒ以下に減圧される。また、ブ
ロック８６のガス導入路２１の出口２１ｂとシャワープ
レート１７のガス導入路１８の入り口１８ａを離間する
ときには、上記排気管３２に設けられたバルブ４０を開
にして真空を破ることにより容易に離間できる。In the plasma CVD apparatus having the above configuration, two evacuation paths 31 and 31 are provided by the evacuation source.
When air is simultaneously exhausted from the exhaust port 45, the upper surface 17 b of the shower plate 17 is attracted to each exhaust path 31, and the upper surface 17 b is attracted to the block 86, and the outlet 21 b of the gas introduction path 21 of the chamber 2 is connected to the gas of the shower plate 17. The shower plate 17 can be pressed and sealed to the block 86 while facing the entrance 18 a of the introduction path 18, and the outlet 21 of the gas introduction path 21 formed in the block 86 can be sealed.
b is the entrance 1 of the gas introduction passage 18 of the shower plate 17
8a and can be easily connected to chamber 2
The internal pressure is reduced to, for example, 10 −6 Torr or less. Further, when the outlet 21b of the gas introduction passage 21 of the block 86 is separated from the entrance 18a of the gas introduction passage 18 of the shower plate 17, the valve 40 provided on the exhaust pipe 32 is opened to break the vacuum. Can be separated.
【００２８】かかる構成のプラズマＣＶＤ装置によれ
ば、上記の構成としたことにより、第１の実施形態のプ
ラズマＣＶＤ装置とほぼ同様の作用効果を奏するうえ、
装置の構成部材が少なくて済み、第１の実施形態の装置
よりもコストダウンが可能である。なお、本発明の技術
範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発
明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加える
ことが可能である。例えば上記実施の形態では本発明を
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置や光ＣＶＤ装置に適用し
た場合について説明したが、その他、高周波プラズマ励
起方式のＣＶＤ装置、エッチング装置等の各種プラズマ
処理装置に適用することが可能である。また、上記実施
形態ではシャワープレート１７がセラミックス製である
場合について説明したが、本発明が適用される装置によ
っては金属製のものであってもよい。また、上記実施形
態では、一つの真空排気源が、チャンバー内を排気する
真空排気源と、チャンバーの壁部とシャワープレート１
７の端面との隙間を排気して圧接シール部を形成するた
めの真空排気源を兼ねる場合について説明したが、チャ
ンバー内を排気する真空排気源と圧接シール部を形成す
るための真空排気源は、別個のものであってもよい。According to the plasma CVD apparatus having such a configuration, the above-described configuration provides substantially the same operation and effect as the plasma CVD apparatus of the first embodiment.
The number of components of the device is reduced, and the cost can be reduced as compared with the device of the first embodiment. Note that the technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to a microwave plasma CVD apparatus or an optical CVD apparatus has been described. However, the present invention can be applied to various plasma processing apparatuses such as a high-frequency plasma excitation type CVD apparatus and an etching apparatus. It is possible. In the above embodiment, the case where the shower plate 17 is made of ceramics has been described. However, the shower plate 17 may be made of metal depending on the device to which the present invention is applied. Further, in the above embodiment, one vacuum exhaust source is a vacuum exhaust source for exhausting the inside of the chamber, and a wall portion of the chamber and the shower plate 1.
A case has been described in which the gap between the end face of the chamber 7 and the vacuum exhaust source for forming the press-contact seal portion is also used as the vacuum exhaust source for forming the press-contact seal portion. , May be separate.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように本発明の反応ガス使
用処理装置によれば、処理室の内部空間に反応ガスを拡
散させるための反応ガス拡散部材にネジ加工を施すこと
なく、該反応ガス拡散部材と、装置外部から処理室内に
反応ガスを導入するガス導入路とを容易に接続でき、し
かも反応ガス拡散部材の欠損に起因する発塵を防止でき
るうえ、接続部のガスのシール性を向上できる。As described above, according to the processing apparatus using a reactive gas of the present invention, the reactive gas diffusing member for diffusing the reactive gas into the internal space of the processing chamber is not subjected to threading, and the reactive gas diffusing member is not processed. The diffusion member can be easily connected to a gas introduction path for introducing a reaction gas into the processing chamber from the outside of the apparatus. Further, dust generation due to a defect in the reaction gas diffusion member can be prevented. Can be improved.
【図１】 本発明の第１の実施形態であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成を示す断面図である。FIG. 1 shows a plasma CV according to a first embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the schematic structure of D apparatus.
【図２】 図１のプラズマＣＶＤ装置の要部を示す横断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a main part of the plasma CVD apparatus of FIG.
【図３】 反応ガス供給管および排気管側から見たとき
の図１のプラズマＣＶＤ装置を要部を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a main part of the plasma CVD apparatus of FIG. 1 as viewed from a reaction gas supply pipe and an exhaust pipe.
【図４】 本発明の第２の実施形態である光ＣＶＤ装
置の概略構成を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a photo-CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の第３の実施形態であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成を示す断面図である。FIG. 5 shows a plasma CV according to a third embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the schematic structure of D apparatus.
【図６】 本発明の第４の実施形態であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の要部を示す断面図である。FIG. 6 shows a plasma CV according to a fourth embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the principal part of D apparatus.
【図７】 第４の実施形態のプラズマＣＶＤ装置を示す
平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a plasma CVD apparatus according to a fourth embodiment.
【図８】 図７のプラズマＣＶＤ装置のVIII−VIII線断
面図である。8 is a sectional view of the plasma CVD apparatus of FIG. 7, taken along line VIII-VIII.
【図９】 図７のプラズマＣＶＤ装置のIX−IX線断面図
である。FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX of the plasma CVD apparatus of FIG. 7;
１，６１・・・プラズマＣＶＤ装置（反応ガス使用処理装
置）、２・・・チャンバー（処理室）、２ａ・・・壁部、６・・
・空間、１７・・・シャワープレート（反応ガス拡散部
材）、１８・・・ガス導入路、１８ａ・・・入り口、２１・・・
ガス導入路、２１ｂ・・・出口、２５，９５・・・圧接シール
部、２６・・・Ｏリング（ガス漏れ防止用シール部材）、
３１・・・排気路、３１ｂ・・・出口、５１・・・光ＣＶＤ装置
（反応ガス使用装置）、６２・・・カバー部材、６３・・・境
界、６４・・・Ｏリング（ガス漏れ防止用シール部材）、
７１・・・排気路、８６・・・ブロック。1, 61 ... plasma CVD apparatus (reaction gas use processing apparatus), 2 ... chamber (processing chamber), 2a ... wall part, 6 ...
· Space, 17 ··· Shower plate (reactive gas diffusion member), 18 ··· Gas introduction path, 18a ··· entrance, 21 ···
Gas introduction path, 21b ... outlet, 25, 95 ... pressure seal section, 26 ... O-ring (gas leak prevention seal member),
31 ... Exhaust path, 31b ... Outlet, 51 ... Photo CVD device (reaction gas using device), 62 ... Cover member, 63 ... Boundary, 64 ... O-ring (gas leakage prevention) Seal member),
71: exhaust path, 86: block.
Claims (3)
するためのガス導入路の出口を前記処理室の内部空間に
反応ガスを拡散させるための反応ガス拡散部材のガス導
入路の入り口に臨ませた状態で前記反応ガス拡散部材を
前記壁部に圧接シールさせる圧接手段を設け、さらに前
記処理室へのガス導入路と前記反応ガス拡散部材のガス
導入路との間の圧接シール部の周囲にガス漏れ防止用シ
ール部材を設けたことを特徴とする反応ガス使用処理装
置。1. An outlet of a gas introduction passage for introducing a reaction gas from outside the apparatus into a processing chamber faces an entrance of a gas introduction passage of a reaction gas diffusion member for diffusing the reaction gas into an internal space of the processing chamber. A press-contact means for press-sealing the reaction gas diffusion member to the wall portion in an extended state is provided, and a pressure contact seal portion between a gas introduction path to the processing chamber and a gas introduction path of the reaction gas diffusion member is provided. And a gas leakage prevention seal member provided on the device.
ス拡散部材のガス導入路との圧接シール部からのガス漏
れを予備的に防止するためのカバー部材を前記処理室壁
部と該壁部に圧接された前記反応ガス拡散部材との境界
を覆って設け、さらに該カバー部材と前記反応ガス拡散
部材との間及び該カバー部材と前記処理室壁部との間に
ガス漏れ防止用のシール部材を設けたことを特徴とする
請求項１記載の反応ガス使用処理装置。2. A cover member for preliminarily preventing gas leakage from a pressure-sealing portion between a gas introduction path to the processing chamber and a gas introduction path of the reaction gas diffusion member, the processing chamber wall part and the cover member. A gas leakage prevention member is provided so as to cover a boundary between the reaction gas diffusion member and a wall portion, and between the cover member and the reaction gas diffusion member and between the cover member and the processing chamber wall portion. The reactive gas use processing apparatus according to claim 1, wherein a seal member is provided.
ス導入路と前記反応ガス拡散部材のガス導入路との圧接
シール部からの漏れガスを強制排気するための排気路を
設け、該排気路に漏れガスを強制排気する排気手段を接
続して設けたことを特徴とする請求項２記載の反応ガス
使用処理装置。3. An exhaust passage for forcibly exhausting a leak gas from a pressure seal portion between a gas introduction passage to the processing chamber wall and a gas introduction passage of the reactive gas diffusion member is provided in the cover member. 3. The reactive gas use processing apparatus according to claim 2, wherein an exhaust means for forcibly exhausting the leak gas is connected to the exhaust path.
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