JP2000228333A - Manufacture of aluminum foil for electrolytic capacitor electrode - Google Patents

Manufacture of aluminum foil for electrolytic capacitor electrode

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JP2000228333A
JP2000228333A JP11144715A JP14471599A JP2000228333A JP 2000228333 A JP2000228333 A JP 2000228333A JP 11144715 A JP11144715 A JP 11144715A JP 14471599 A JP14471599 A JP 14471599A JP 2000228333 A JP2000228333 A JP 2000228333A
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JP
Japan
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etching
aluminum foil
aluminum
electrolytic
final annealing
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Application number
JP11144715A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Okita
広一 置田
Akira Hashimoto
明 橋本
Kazuhisa Somiya
和久 宗宮
Kimitoku Sugimoto
公徳 杉本
Tadao Fujihira
忠雄 藤平
Tomoaki Yamanoi
智明 山ノ井
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Showa Aluminum Can Corp
Original Assignee
Showa Aluminum Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase capacitance by subjecting an aluminum foil to a final annealing step after subjecting the aluminum foil obtained by hot rolling and cold rolling to an electrolytic etching step at least once to thereby form a nucleus for forming an etched pit. SOLUTION: When an electrolytic etching step, i.e., an AC etching step in an aqueous solution containing a chloride is performed at least once before a final annealing step after an aluminum slab has been soaked, hot-rolled and cold-rolled into an aluminum foil, a porous etched layer wherein a great number of fine cubic etched cells are arranged in lines is formed. Part of this etched layer is destroyed and aluminum is thus dissolved out. By taking advantage of the fine asperities containing film defects of cells formed by the dissolved aluminum, an etched pit can be formed uniformly at a high density by DC electrolytic etching performed after the final annealing step. Recesses formed by preventing the uniform growth of an oxide film in the final annealing step are utilized as a nucleus for forming the etched pit. The aluminum foil wherein the nucleus for forming the etched pit is uniform at a high density can improve face enlargement ratio and increase capacitance.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for producing an aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor.

【0002】なお、この明細書において、「アルミニウ
ム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意
味で用いられる。
[0002] In this specification, the term "aluminum" is used to include both aluminum and its alloys.

【0003】[0003]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、電子機
器に組み込まれる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
についても静電容量の向上が要望されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of electronic equipment, there has been a demand for an improvement in the capacitance of aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode incorporated in electronic equipment.

【0004】通常、電極箔に使用されるアルミニウム材
は、拡面率を高めて静電容量を向上させるためにエッチ
ング処理がなされる。そして、エッチング処理により形
成されるエッチングピットの深さが深いほど拡面率が高
くなるため、エッチング適性を改善すべくエッチング処
理の前工程としてアルミニウム材に様々な処理が施され
ている。例えば、(100)結晶方位の調整、アルミニ
ウム材への、Pb、Bi等の微量不純物の添加による組
成の調整、最終焼鈍前の脱脂洗浄、最終焼鈍前の水和処
理と最終焼鈍での結晶性酸化膜の形成処理、最終焼鈍前
の酸化処理等である(特公昭58−34925号,特開
平3−122260号他)。
Normally, an aluminum material used for an electrode foil is subjected to an etching process in order to increase the surface area and improve the capacitance. Since the surface area ratio increases as the depth of the etching pit formed by the etching process increases, various processes are performed on the aluminum material as a pre-process of the etching process in order to improve the etching suitability. For example, adjustment of (100) crystal orientation, adjustment of composition by adding trace impurities such as Pb and Bi to aluminum material, degreasing cleaning before final annealing, hydration treatment before final annealing, and crystallinity in final annealing These include an oxide film forming treatment and an oxidation treatment before final annealing (Japanese Patent Publication No. 58-34925, JP-A-3-122260, etc.).

【0005】しかしながら、単にエッチングピットの深
さを深くするだけでは電極箔の拡面率の向上が十分では
なく、さらに拡面率を向上させるためには局部エッチン
グ、未エッチング、表面溶解を少なくして、エッチング
ピットをエッチング面で均一に、かつ高密度に発生させ
る必要がある。ところが、前述されたような種々の方法
では、均一なエッチングピットを発生させるという点で
十分ではない。このため、本出願人は、特開平6−14
5922号において、電極箔に使用するアルミニウム基
材の表面に円柱状あるいは角柱状突起を特定間隔で形成
するように制御することにより、拡面率を増大させるこ
とを提案した。
However, simply increasing the depth of the etching pits does not sufficiently improve the area coverage of the electrode foil. To further improve the area coverage, local etching, unetching, and surface dissolution are reduced. Therefore, it is necessary to generate etching pits uniformly and densely on the etching surface. However, the various methods described above are not sufficient in that uniform etching pits are generated. For this reason, the present applicant has disclosed in
No. 5922 proposes to increase the surface area by controlling cylindrical or prismatic projections to be formed at specific intervals on the surface of an aluminum substrate used for an electrode foil.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平6−1
45922号に記載されているアルミニウム箔はエッチ
ングによる拡面率の向上を図りうるものであり、その粗
面化の方法も種々開示されているものの、種々の方法の
中でも効果的に粗面化する方法あるいはその条件につい
ては十分に検討されていなかった。
However, Japanese Patent Application Laid-Open No.
The aluminum foil described in No. 45922 can improve the surface area ratio by etching, and various methods of surface roughening are disclosed, but the surface is effectively roughened among various methods. The method or its conditions have not been sufficiently studied.

【0007】そこで、より効果的な粗面化の方法、条件
および粗面化の形態について鋭意検討した結果、それら
が明らかとなった。
Therefore, as a result of intensive studies on more effective methods, conditions and forms of surface roughening, they became clear.

【0008】この発明は、このような技術背景に鑑み、
エッチング特性の向上という観点から箔を最も効果的に
エッチングピットの発生核を形成させて静電容量を増大
しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of such technical background,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor capable of increasing a capacitance by forming a nucleus of an etching pit most effectively in a foil from the viewpoint of improving etching characteristics.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の
製造方法は、アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧
延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、
少なくとも1回の電解エッチングを施し、その後に最終
焼鈍することを基本要旨とする。
In order to achieve the above object, a method for producing an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to the present invention comprises the steps of: soaking an aluminum slab; performing hot rolling and cold rolling; After that,
The basic gist is that at least one electrolytic etching is performed and then final annealing is performed.

【0010】また、前記電解エッチングは、交流電解エ
ッチングであり、交流波形:正弦波、方形波または三角
波、周波数:20〜1000Hz、電流密度:0.35
〜4A/cm2 、エッチング電気量:0.2〜10C/
cm2 の条件で行うこと、または直流電解エッチングで
あり、塩酸または塩化物を2〜20wt%含み、あるいは
さらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちから少な
くとも1種を合計で40wt%以下を添加した液中で、電
流密度:0.05〜0.4A/cm2 、エッチング電気
量:0.1〜5C/cm2 の条件で行うことが好まし
い。
The electrolytic etching is AC electrolytic etching, AC waveform: sine wave, square wave or triangular wave, frequency: 20 to 1000 Hz, current density: 0.35
44 A / cm 2 , etching electricity: 0.2 to 10 C /
cm 2 or DC electrolytic etching, containing 2 to 20 wt% of hydrochloric acid or chloride, or at least one of sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid and boric acid in a total amount of 40 wt% or less. In the added liquid, it is preferable to perform the process under the conditions of a current density of 0.05 to 0.4 A / cm 2 and an electric charge of etching of 0.1 to 5 C / cm 2 .

【0011】この発明においては、最終焼鈍の前に電解
エッチングを行うことによって、箔の表面に微細な凹み
を均一かつ高密度に付与し、その後の最終焼鈍工程にお
いて酸化皮膜の均一な成長を妨げ、形成された凹みをエ
ッチングピットの発生核として利用する。エッチングピ
ットの発生核が均一かつ高密度に形成されたアルミニウ
ム箔では、該アルミニウム箔に対するエッチングによる
拡面率の向上を確実なものとして静電容量の増大を図る
ことができる。
According to the present invention, electrolytic etching is performed before the final annealing, so that fine dents are uniformly and densely formed on the surface of the foil, and the uniform growth of the oxide film is prevented in the subsequent final annealing step. The formed dents are used as nuclei for generating etching pits. In an aluminum foil in which nuclei of etching pits are formed uniformly and at a high density, the capacitance can be increased by ensuring the improvement of the surface area by etching the aluminum foil.

【0012】このような効果を得るための微細な凹み
は、平均円相当直径で0.3〜3μm、深さ0.3〜5
μm、密度10,000〜200,000個/mm2 の範
囲が望ましい。なお、平均円相当直径で0.3μm、深
さ0.3μm以下の凹みはピット発生核の起点にならな
いため好ましくない、また、平均円相当直径で3μm、
深さ5μmを越える凹みは焼鈍後の直流エッチングにお
けるピットが不均一となるので好ましくない。
The fine dents for obtaining such an effect have an average circle equivalent diameter of 0.3 to 3 μm and a depth of 0.3 to 5 μm.
μm and a density of 10,000 to 200,000 particles / mm 2 are desirable. It should be noted that a depression having an average circle equivalent diameter of 0.3 μm and a depth of 0.3 μm or less is not preferable because it does not become a starting point of a pit generation nucleus.
A pit having a depth of more than 5 μm is not preferable because pits in DC etching after annealing become non-uniform.

【0013】上述の範囲の大きさと密度の凹みは、最終
焼鈍前に少なくとも1回の電解エッチングを次の2つの
条件のいずれかで行うことにより形成される。
[0013] The size and density depressions in the above range are formed by performing at least one electrolytic etching under one of the following two conditions before final annealing.

【0014】第1の方法は交流電解エッチングである。
交流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。
即ち、塩化物を含む水溶液において交流エッチングを行
うと、多数の微細な立方体状のエッチセルの連なりから
なるポーラスなエッチ層が生じる。このエッチセルの内
面は、カソード半サイクルの領域で生じる水酸化物およ
びアノード半サイクルの領域で生成するアノード皮膜に
覆われている。これらの生成物や皮膜はアルミニウムの
溶解に対して保護膜として作用するが、その一部が破壊
してアルミニウムが溶出し、次の欠陥を有するセルが生
成する。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して、
最終焼鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピット
を均一、高密度に形成させることができる。このような
作用を有するエッチ層を生成させることから、微細な凹
みを形成する手段として交流電解エッチングを採用す
る。
The first method is AC electrolytic etching.
The reason for employing the AC electrolytic etching is as follows.
That is, when AC etching is performed in an aqueous solution containing chloride, a porous etch layer composed of a series of many fine cubic etch cells is generated. The inner surface of the etch cell is covered with hydroxide generated in the area of the cathode half cycle and anode coating generated in the area of the anode half cycle. These products and films act as protective films against the dissolution of aluminum, but some of them are destroyed and the aluminum is eluted to produce cells having the following defects. Utilizing the fine irregularities with this film defect,
Etching pits can be formed uniformly and at high density in DC electrolytic etching after final annealing. Since an etch layer having such an action is generated, AC electrolytic etching is employed as a means for forming a fine recess.

【0015】また、交流波形を正弦波、方形波または三
角波とするのは、前述の欠陥を有する凹凸を生成させる
ためのアノードとカソードの交番電流を用いるためであ
る。また、周波数は、20Hz未満では形成される凹み
が少ないために静電容量の増大を見込めず、1000H
zを超えると凹みが粗大となって不均一に形成されてし
まい、やはり静電容量の増大を見込めない。従って、周
波数は20〜1000Hzとする必要があり、好ましい
下限値は30Hz、好ましい上限値は800Hzであ
る。電流密度は、0.35A/cm2 未満ではエッチン
グピットを均一に生じさせるには形成される凹みが少な
く、4A/cm2 を超えると、凹みが粗大となり不均一
に形成されるため、凹みを均一に生じさせる効果に乏し
い。従って、電流密度は、0.35〜4A/cm2 とす
る必要があり、好ましい下限値は0.4A/cm2 であ
る。エッチング電気量は、0.2C/cm2 未満ではや
はり凹みを均一に生じさせる効果に乏しく、10C/c
2 を超えると凹みが粗大で不均一に形成されて、最終
焼鈍後のエッチング処理においてエッチング面に垂直方
向へのピットの成長を妨げ、全面溶解や不均一溶解につ
ながる。従って、エッチング電気量は、0.2〜10C
/cm2 とする必要があり、好ましい下限値は0.3C
/cm2 、好ましい上限値は3C/cm2 である。
The reason why the AC waveform is a sine wave, a square wave, or a triangular wave is to use an alternating current of the anode and the cathode for generating the above-described irregularities having the defect. If the frequency is less than 20 Hz, an increase in capacitance cannot be expected due to the small number of dents formed.
If z exceeds z, the dent becomes coarse and is formed non-uniformly, so that an increase in capacitance cannot be expected. Therefore, the frequency needs to be 20-1000 Hz, with a preferred lower limit of 30 Hz and a preferred upper limit of 800 Hz. Current density is less dents are formed to cause the etch pits uniformly is less than 0.35A / cm 2, exceeds 4A / cm 2, since the recess is formed nonuniformly becomes coarse, a recess Poor uniform effect. Therefore, the current density needs to be 0.35 to 4 A / cm 2, and a preferable lower limit is 0.4 A / cm 2 . If the amount of etching electricity is less than 0.2 C / cm 2 , the effect of uniformly forming a dent is still poor, and the amount of etching electricity is 10 C / c 2.
If it exceeds m 2 , dents are formed to be coarse and non-uniform, and in the etching treatment after the final annealing, the growth of pits in the direction perpendicular to the etched surface is hindered, which leads to dissolution over the entire surface and uneven dissolution. Accordingly, the amount of etching electricity is 0.2 to 10 C
/ Cm 2, and a preferred lower limit is 0.3 C
/ Cm 2 , and a preferred upper limit is 3 C / cm 2 .

【0016】なお、交流電解エッチング浴の液組成は限
定されないが、塩酸、あるいは塩酸に硫酸、しゅう酸、
りん酸、ほう酸を加えた混合酸を推奨でき、浴温として
20〜80℃を推奨できる。
The composition of the AC electrolytic etching bath is not limited, but may be hydrochloric acid, or sulfuric acid, oxalic acid, or hydrochloric acid.
A mixed acid to which phosphoric acid and boric acid are added can be recommended, and a bath temperature of 20 to 80 ° C. can be recommended.

【0017】第2の方法は直流電解エッチングである。
直流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。
即ち、直流エッチングにおいても、アルミニウム箔表面
にアノード皮膜が生成する。このアノード皮膜は、アル
ミニウムの溶解に対して保護膜として作用するが、その
一部が破壊してアルミニウムが溶出してピットとなる。
従って、ピット発生部では皮膜欠陥が生じることとな
る。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して最終焼
鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピットを均
一、高密度に形成させることができる。
The second method is DC electrolytic etching.
DC electrolytic etching is employed for the following reasons.
That is, even in DC etching, an anode film is formed on the aluminum foil surface. This anode film acts as a protective film against the dissolution of aluminum, but a part of the anode film is broken and aluminum is eluted to form pits.
Therefore, a film defect occurs at the pit generating portion. Utilizing the fine irregularities having this film defect, etching pits can be formed uniformly and at a high density in DC electrolytic etching after final annealing.

【0018】直流エッチングの電解浴は、塩酸または塩
化物を2〜20wt%含み、あるいはさらに硫酸、しゅう
酸、りん酸、ほう酸のうちから少なくとも1種を合計で
40wt%以下を添加した液を用いる。前記濃度に規定す
るのは、2wt%未満では微細な凹みが発生せず、20wt
%を超えると表面が全面溶解して微細で高密度な凹みの
形成を阻害するためである。塩酸または塩化物濃度の好
ましい下限値は3wt%であり、好ましい上限値は15wt
%である。また、これらの液に硫酸、しゅう酸、りん
酸、ほう酸のうちから少なくとも1種を添加することに
より微細な凹みの発生を促進させるが、合計で40wt%
を超えると表面の全面溶解する。これらの酸の合計添加
量の好ましい下限値は3wt%であり、好ましい上限値は
30wt%である。また、電流密度は、微細な凹みの発生
数を確保しかつ表面の全面溶解を回避するために0.0
5〜0.4A/cm2 とし、好ましい下限値は0.1A
/cm2 であり、好ましい上限値は0.3A/cm2
ある。またエッチング電気量は、0.1C/cm2 未満
では微細な凹みの発生数が少なく、5C/cm2 を超え
ると凹みの長さが大きくなるため、0.1〜5C/cm
2 の範囲とする。エッチング電気量の好ましい下限値は
1C/cm2 であり、好ましい上限値は5C/cm2
ある。なお、液温は、50℃未満では微細な凹みの発生
数が少なく、95℃を超えると全面溶解するため、50
〜95℃が好ましい。液温の特に好ましい下限値は60
℃であり、特に好ましい上限値は85℃である。
The electrolytic bath for DC etching contains a solution containing 2 to 20% by weight of hydrochloric acid or chloride, or a solution containing at least one of sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid and boric acid in a total amount of 40% by weight or less. . When the concentration is defined as less than 2 wt%, no fine dents are generated and 20 wt%
%, The entire surface is dissolved to inhibit formation of fine and high-density dents. The preferred lower limit of the concentration of hydrochloric acid or chloride is 3 wt%, and the preferred upper limit is 15 wt%.
%. The addition of at least one of sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid, and boric acid to these liquids promotes the generation of fine dents.
If it exceeds, the entire surface is dissolved. The preferred lower limit of the total amount of these acids is 3 wt%, and the preferred upper limit is 30 wt%. Further, the current density is set at 0.0 to secure the number of occurrences of fine dents and to prevent the entire surface from melting.
5 to 0.4 A / cm 2 , preferably 0.1 A
/ Cm 2 , and a preferred upper limit is 0.3 A / cm 2 . When the amount of etching electricity is less than 0.1 C / cm 2 , the number of fine dents is small, and when it exceeds 5 C / cm 2 , the length of the dent becomes large.
The range is 2 . A preferred lower limit of the amount of etching electricity is 1 C / cm 2 , and a preferred upper limit is 5 C / cm 2 . When the liquid temperature is lower than 50 ° C., the number of fine dents is small, and when the liquid temperature is higher than 95 ° C., the entire surface is dissolved.
~ 95 ° C is preferred. A particularly preferred lower limit of the liquid temperature is 60
° C, and a particularly preferred upper limit is 85 ° C.

【0019】このような交流または直流電解エッチング
の回数は、1回行えば良いが、エッチングピットの発生
核の形成状態をより良好にするために2回以上行っても
良い。また、必要に応じて電解エッチングの前に、箔表
面の酸化膜や残存する圧延油を除去するための前処理を
行っても良い。
The number of times of such AC or DC electrolytic etching may be one, but may be two or more times in order to further improve the formation state of the nuclei of the etching pits. Further, if necessary, before electrolytic etching, a pretreatment for removing an oxide film on the foil surface and remaining rolling oil may be performed.

【0020】また、均熱処理、熱間圧延、冷間圧延、最
終焼鈍の処理条件も限定されず、常法に従えば良い。ま
た、箔の化学組成も限定されず、通常箔材料として用い
られる高純度アルミニウムが好ましく、特に純度99.
99wt%以上のものが好ましい。
The conditions for soaking, hot rolling, cold rolling, and final annealing are not limited, and any conventional method may be used. Further, the chemical composition of the foil is not limited, and high-purity aluminum usually used as a foil material is preferable.
Those having a content of 99 wt% or more are preferred.

【0021】[0021]

【実施例】次に、本発明の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔の製造方法の具体的実施例について詳述する。
Next, specific examples of the method for producing an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode of the present invention will be described in detail.

【0022】まず、純度99.99wt%のアルミニウム
スラブに対し、常法により、面削、熱間圧延、冷間圧延
を順次施して厚さ100μmの箔を作製した。この箔に
ついて、実験例Aでは最終焼鈍前に交流電解エッチング
を、実験例Bでは最終焼鈍前に直流電解エッチングをそ
れぞれ施して電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を作
製し、静電容量を比較した。
First, an aluminum slab having a purity of 99.99 wt% was sequentially subjected to facing, hot rolling and cold rolling by a conventional method to produce a foil having a thickness of 100 μm. In this experimental example A, AC electrolytic etching was performed before final annealing in Experimental example A, and in direct current electrolytic etching before final annealing in Experimental example B, an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode was produced, and the capacitance was compared.

【0023】(実験例A)50℃、10%塩酸+0.5
%硫酸の電解浴中で、表1に示す条件にて交流電解エッ
チングを行った。なお比較例3についてはこの交流電解
エッチングを行わなかった。そして、これらの箔に対
し、不活性ガス中で500℃×5時間の最終焼鈍を施
し、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
(Experimental example A) 50 ° C., 10% hydrochloric acid + 0.5
AC electrolytic etching was carried out in an electrolytic bath containing 2% sulfuric acid under the conditions shown in Table 1. This AC electrolytic etching was not performed for Comparative Example 3. Then, these foils were subjected to final annealing at 500 ° C. for 5 hours in an inert gas to obtain aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode.

【0024】これらのアルミニウム箔について、浴温7
5℃、5%塩酸+10%硫酸の混合酸浴中で、電流密度
0.2A/cm2 、100秒間の条件で直流電解エッチ
ングを行い、さらに同液で10分間ケミカルエッチング
を行った。次いで、ほう酸浴中で350Vで化成処理を
行い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例1を1
00%として相対的に評価した。これらの結果を表1に
示す。
For these aluminum foils, a bath temperature of 7
In a mixed acid bath of 5 ° C., 5% hydrochloric acid + 10% sulfuric acid, DC electrolytic etching was performed under the conditions of a current density of 0.2 A / cm 2 and 100 seconds, and chemical etching was further performed with the same solution for 10 minutes. Next, a chemical conversion treatment was performed at 350 V in a boric acid bath, and the capacitance was measured. The capacitance was 1 in Comparative Example 1.
It was relatively evaluated as 00%. Table 1 shows the results.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】(実験例B)表2に示す組成および温度の
電解浴中で、表3に示す条件にて直流電解エッチングを
行った。なお比較例35についてはこの直流電解エッチ
ングを行わなかった。そして、これらの箔に対し、不活
性ガス中で500℃×5時間の最終焼鈍を施し、電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
(Experimental Example B) DC electrolytic etching was performed in an electrolytic bath having the composition and temperature shown in Table 2 under the conditions shown in Table 3. In Comparative Example 35, this DC electrolytic etching was not performed. Then, these foils were subjected to final annealing at 500 ° C. for 5 hours in an inert gas to obtain aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode.

【0027】[0027]

【表2】 [Table 2]

【0028】これらのアルミニウム箔について、浴温7
5℃、5%塩酸+10%硫酸の混合酸浴中で、電流密度
0.2A/cm2 、100秒間の条件で直流電解エッチ
ングを行い、さらに同液で10分間ケミカルエッチング
を行った。次いで、ほう酸浴350Vで化成処理を行
い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例35を1
00%として相対的に評価した。これらの結果を表3に
示す。
For these aluminum foils, a bath temperature of 7
In a mixed acid bath of 5 ° C., 5% hydrochloric acid + 10% sulfuric acid, DC electrolytic etching was performed under the conditions of a current density of 0.2 A / cm 2 and 100 seconds, and chemical etching was further performed with the same solution for 10 minutes. Next, a chemical conversion treatment was performed in a boric acid bath at 350 V, and the capacitance was measured. The capacitance was 1 in Comparative Example 35.
It was relatively evaluated as 00%. Table 3 shows the results.

【0029】[0029]

【表3】 [Table 3]

【0030】表1および表3の結果から、最終焼鈍前に
所定条件で電解エッチングを行うことにより、静電容量
を増大しうることを確認できた。
From the results in Tables 1 and 3, it was confirmed that the capacitance could be increased by performing the electrolytic etching under the predetermined conditions before the final annealing.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法は、アルミニ
ウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行
ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に
少なくとも1回の電解エッチングを施し、その後に最終
焼鈍するから、箔表面にエッチングピットの発生核が均
一かつ高密度に形成された状態となり、最終焼鈍後のエ
ッチングによって確実に拡面率が向上し、静電容量の増
大を図ることができる。
As described above, the method for producing an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to the present invention comprises the steps of: soaking an aluminum slab; performing hot rolling and cold rolling to obtain an aluminum foil; Since the foil is subjected to at least one electrolytic etching and then subjected to final annealing, a state in which nuclei of etching pits are uniformly and densely formed on the foil surface is obtained. Thus, the capacitance can be increased.

【0032】特に、前記電解エッチングは、交流電解エ
ッチングであり、交流波形:正弦波、方形波または三角
波、周波数:20〜1000Hz、電流密度:0.35
〜4A/cm2 、エッチング電気量:0.2〜10C/
cm2 の条件で行う場合、または直流電解エッチングで
あり、塩酸または塩化物を2〜20wt%含み、あるいは
さらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちから少な
くとも1種を合計で40wt%以下を添加した液中で、電
流密度:0.05〜0.4A/cm2 、エッチング電気
量:0.1〜5C/cm2 の条件で行う場合は、エッチ
ングピットの発生核の形成が特に均一かつ高密度になさ
れ、静電容量の増大が確実なものとなる。
In particular, the electrolytic etching is AC electrolytic etching, AC waveform: sine wave, square wave or triangular wave, frequency: 20 to 1000 Hz, current density: 0.35
44 A / cm 2 , etching electricity: 0.2 to 10 C /
cm 2 , or DC electrolytic etching, containing 2 to 20 wt% of hydrochloric acid or chloride, or at least one of sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid and boric acid in a total amount of 40 wt% or less. When the current density: 0.05 to 0.4 A / cm 2 and the amount of etching electricity: 0.1 to 5 C / cm 2 in the added liquid, the formation of the nuclei of the etching pits is particularly uniform. The density is increased, and the increase in capacitance is assured.

フロントページの続き (72)発明者 宗宮 和久 堺市海山町6丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 杉本 公徳 堺市海山町6丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 藤平 忠雄 堺市海山町6丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 山ノ井 智明 堺市海山町6丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内Continued on the front page (72) Inventor Kazuhisa Soumiya 6,224 Kaiyamacho, Sakai City Showa Aluminum Co., Ltd. (72) Inventor Kiminori Sugimoto 6,224 Kaiyamacho Sakai City, Showa Aluminum Corporation (72) Invention Person Tadao Fujihira, 224 Kaiyamacho, Sakai-shi, Showa Aluminum Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間
圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたの
ち、このアルミニウム箔に少なくとも1回の電解エッチ
ングを施し、その後に最終焼鈍することを特徴とする電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法。
An aluminum slab is soaked in heat, hot-rolled and cold-rolled to form an aluminum foil, and the aluminum foil is subjected to at least one electrolytic etching, followed by final annealing. Of producing aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes.
【請求項2】 前記電解エッチングは、交流電解エッチ
ングであり、交流波形:正弦波、方形波または三角波、
周波数:20〜1000Hz、電流密度:0.35〜4
A/cm2 、エッチング電気量:0.2〜10C/cm
2 の条件で行う請求項1に記載の電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the electrolytic etching is AC electrolytic etching, and the AC waveform is a sine wave, a square wave, or a triangular wave.
Frequency: 20-1000 Hz, current density: 0.35-4
A / cm 2 , etching electricity: 0.2-10 C / cm
2. The method for producing an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to claim 1, wherein the method is carried out under the conditions of 2 .
【請求項3】 前記電解エッチングは、直流電解エッチ
ングであり、塩酸または塩化物を2〜20wt%含み、あ
るいはさらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちか
ら少なくとも1種を合計で40wt%以下を添加した液中
で、電流密度:0.05〜0.4A/cm2 、エッチン
グ電気量:0.1〜5C/cm2 の条件で行う請求項1
に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方
法。
3. The electrolytic etching is a direct current electrolytic etching, containing 2 to 20% by weight of hydrochloric acid or chloride, or at least one of sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid and boric acid in a total of 40% by weight or less. 2. The method according to claim 1, wherein the step (a) is performed in a solution to which is added a current density of 0.05 to 0.4 A / cm 2 and an electric charge of etching of 0.1 to 5 C / cm 2.
3. The method for producing an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to item 1.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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