JP2000227358A - 真空容器内取付部品および検出装置 - Google Patents

真空容器内取付部品および検出装置

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JP2000227358A
JP2000227358A JP11026744A JP2674499A JP2000227358A JP 2000227358 A JP2000227358 A JP 2000227358A JP 11026744 A JP11026744 A JP 11026744A JP 2674499 A JP2674499 A JP 2674499A JP 2000227358 A JP2000227358 A JP 2000227358A
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Japan
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detector
gas
vacuum vessel
vacuum
container
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JP11026744A
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English (en)
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Osamu Mitomi
修 三富
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Nikon Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、真空容器内に設けられた部品から
発生するガスによる影響を排除することを目的とする。 【解決手段】 本発明では、低圧力で雰囲気の圧力を維
持する真空容器内に設けられた部品である真空容器内取
付部品12において、真空容器内取付部品12を全て覆
うようにカバー5a、5bが施されていることを特徴と
したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低圧力下で雰囲気
を維持する真空容器に配置された部品に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体製品の微細化の必要性に伴
い、露光装置やレーザー加工装置などの使用光源の短波
長化が進んでいる。従って、これら装置に使用される光
学素子には短波長対応の光学材料が用いられている。こ
のような短波長対応の光学材料の光学特性を測定する場
合、使用する光の減衰、あるいは大気ゆらぎの影響を防
ぐため、光路を10-3〜10-6Torr程度の真空中に
設ける必要がある。
【0003】図3は、短波長光学材料の光学性能の一つ
である反射率を測定する装置の概略構成図である。この
装置は、光源38と、反射率を測定する測定サンプル3
9と、測定サンプル39を固定するサンプルホルダー3
0と、前記測定サンプル39およびサンプルホルダ30
を収納し、真空状態にされた真空容器31と、測定サン
プル39の反射光を受光する受光部32と、受光部32
で得られたデータを処理し、反射率を求めるデータ処理
部33で構成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、受光部
32は、そのまま真空容器31の内に入れると受光部を
構成する部品からガス発生が起こり、これが測定サンプ
ル39に付着すると測定値に誤差を生じるだけでなく、
測定サンプル39にダメージを与えることになる。ま
た、光源38から測定サンプル39の間に光学系が配置
されていた場合、これらに内蔵部品から発生したガスが
付着する恐れがあり、ガスが付着することによって測定
サンプル39へ入射する光の強度が低下するという弊害
がもたらされる。
【0005】そこで本発明は、真空容器内に設けられた
部品から発生するガスによる影響を排除することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的のために本発明
では、低圧力で雰囲気の圧力を維持する真空容器内に設
けられた部品である真空容器内取付部品において、真空
容器内取付部品を全て覆うようにカバーが施されている
ことを特徴としたものである。この様に低圧下の状態だ
と、真空容器内に配置された部品からガスが発生し、そ
のガスにより影響を受ける場合があるが、本発明のよう
に取付部品に対して、その部品の全てを覆うようにカバ
ーを設けることで、この様なガスの発生が発生してもそ
のガス成分が測定サンプル等に付着することを防ぐこと
ができる。なお、このカバーの材質としては、アルミニ
ウムやステンレス又はテフロンなどがガスの発生量が少
ないので好ましい。
【0007】また、本発明では、低圧力で雰囲気の圧力
を維持する真空容器内に設けられ、光を電気信号に変換
するための受光素子と、変換された電気信号を増幅する
ための増幅器と、受光素子及び前記増幅器を密閉するよ
うに設けられたカバーとで構成された検出部と、検出部
から得られた信号を真空容器の外に送電する電気ケーブ
ルと、電気ケーブルをカバーする遮断用チューブと、遮
断用チューブをカバーに接続するための継手とを有する
ことを特徴とした。
【0008】この様に、受光素子から得られる信号が非
常に小さい信号強度である場合、受光素子の近くに増幅
器を設置する必要がある。そして、受光素子の位置を変
えることが頻繁な場合には、その受光素子と増幅器を共
に移動させる必要がある。受光素子と増幅器とを一緒に
移動させながら、真空容器内でガスの発生を防ぐために
本発明では、受光素子と増幅器とを同一のカバーに備え
た。そして、本発明では更に電気ケーブルからもガスの
発生が考えられるので、電気ケーブルからのガスが真空
容器内に広がるのを防ぐために、先のカバーに継手を設
け、電気ケーブルを覆うように継手に遮蔽ケーブルを設
けた。この様にして、真空容器内にガスが広まるのを防
ぐことができた。
【0009】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明について、実施の
形態を例示して、更に詳しく説明するものとする。とこ
ろで、図1は、本発明の実施の形態である真空容器内に
取り付けられた部品の断面図を示している。この部品
は、真空容器内で計測される測定サンプルの反射率を測
定するための検出器12である。
【0010】ところで、この検出器12は、受光素子1
と、基板2と、増幅器21と、電気ケーブル3と、コネ
クタ16から構成されている。受光素子1と増幅器21
は、基板2に設けられている。そして、基板2はこの検
出器を覆う容器5aに固定されている。また、増幅器2
1によって増幅された電気信号は、コネクタ16により
取り出されるようになっている。コネクタ16には、電
気ケーブル3が設けられており、この電気ケーブル3に
より真空容器の外側にある不図示のデータ処理部に、増
幅器21で増幅された電気信号が出力される。
【0011】ところで、本発明の実施の形態による検出
器12は、ガスが真空容器内に広まらないようにするた
めに、受光素子1、基板2、増幅器21、電気ケーブル
3、コネクタ16等をカバーで覆うようにした。そのた
めに、本発明の実施の形態による検出器では、容器5a
及び5bにより検出器12全周を覆い、検出器12から
発生するガスを抑えた。なお、容器5a及び5bの間に
は、シール剤15により密閉できる構造を有している。
また、容器5aには、受光素子1が配置される場所に対
向して入射窓4を設けた。この入射窓4と容器5aとの
間にもシール剤15を設けて、検出器12から発生する
ガスが容器5a及び5bの外に漏れないようにした。
【0012】本発明の実施の形態である検出器12を覆
う容器5a及び5bは、真空中でのガス発生が少ないス
テンレス又はアルミニウムで作るのが望ましい。また、
本検出器12に設けられた電気ケーブル3からもガスが
発生する可能性がある。そのため、電気ケーブル3を容
器5aおよび5bから引き出しつつも、真空容器内の雰
囲気にさらされないようにするために、容器5bにはシ
ール材15を介して継手7aが取り付けられている。継
手7aは真空中でのガス発生が少ないステンレス系の材
質を使用することが望ましい。継手7aには遮断用チュ
ーブ6が取り付けられており、この遮断チューブ6の内
部に電気ケーブル3を通している。そして、この遮断チ
ューブ6は真空容器11の壁まで設けられている。この
様にして、電気ケーブル3からのガスの発生を抑えてい
る。なお、本発明の実施の形態である検出器12では、
電気ケーブル3の先端にコネクタ16が取り付けられ、
コネクタ16は増幅器21に接続されている。
【0013】ところで、遮断用チューブ6は、真空中で
のガス発生が少なくフレキシブルなテフロン系の材質を
使用することが望ましい。遮断用チューブ6の他方は継
手7bに接続されており、継手7bはシール材15を介
して、真空容器11に取り付けられた真空導入端子17
に接続されている。このため、真空中においても遮断用
チューブ6内、および検出器内を大気圧の状態に保つこ
とができる。従って、検出器12内に収納された受光素
子1、増幅器21、電気ケーブル3などは大気中で使用
する材質のものでよい。
【0014】この様な構造を持つ検出器12を本発明で
は、図2に示すように配置して測定サンプル9の反射率
測定を行った。なお、図2は、減圧状態で測定サンプル
9の反射率を求める反射率測定器を示したもので、真空
容器11を水平方向に切って上方から眺めたときの断面
図である。この装置は、光源8と、測定サンプル9と、
先に述べた検出器12と、測定サンプル9および検出器
12の回転機構14と、真空容器11とデータ処理部1
3とで構成されている。
【0015】光源8は所望の波長の光を放射することの
できるもので、真空容器11に設けられている。また、
真空容器11の内部には測定サンプル9および検出器1
2のそれぞれを設置し、それぞれ独立に回転移動可能な
回転機構14が備えられている。なお、回転機構14の
うち内側の回転機構14aには測定サンプル9を配置
し、外側の回転機構14bには先に述べた検出器12が
設けられている。そして、回転機構14a、14bはそ
れぞれ独立に回転可能である。
【0016】そして、この検出器12には、遮断用チュ
ーブ6に被覆された電気ケーブル3が設けられており、
それが真空導入端子17に取り付けられている。このよ
うにして、電気ケーブル3を真空容器11の外側に取り
出している。この様にすることで、データ処理部13と
検出器12が電気ケーブル3によって電気的に接続され
ている。
【0017】なお、本検出器12では測定サンプル9か
らの反射光を受光素子で受光し、検出器12に設けられ
た増幅器で増幅されてから、データ処理部13に電気信
号が入力されるようになっている。この様にすること
で、受光素子から得られる信号が微弱な場合でも、電気
ケーブル3の伝搬中にノイズに埋もれる事無く、データ
処理部13に検出器12で検出された光強度に関する信
号を入力することができる。
【0018】また、検出器12は密閉された容器5a及
び5bに納められているため、低圧力下でも検出器12
を構成する電気部品からガスが発生して、真空容器11
内に充満することを防ぐことができる。したがって、発
生するガスにより測定サンプル9の表面を汚染すること
なく、真空中でより高精度な反射率測定を行うことがで
きた。また、ガスの発生を防ぎつつ、真空容器11内の
あらゆる位置に検出器12を移動させることも可能とな
る。
【0019】特に、反射率測定は、任意の角度において
測定サンプル9の反射ビームを検出器12で検出するた
め、測定サンプル9の材料(材質)あるいは成膜の種類
によって測定サンプル9の角度、および検出器12の位
置を変えなければならない。従って、測定サンプル9お
よび検出器12は真空容器31の中に入れ、真空容器内
で移動可能に設置できることが望ましい。
【0020】本発明の実施の形態では、回転機構14b
に検出器12が配置されており、また、検出器12から
発生するガスが真空容器11内に広がることを防ぐよう
にしたことで、任意の反射角度での反射率測定が行いや
すくなっている。なお、本発明では真空容器11内に設
けられた電気部品について、カバーを覆ったが、本発明
はこれだけに限られず、電気部品以外のものについても
適用可能である。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、低圧力下
でガスが発生する恐れのあるものをカバーにより、真空
容器内にガスが充満することを防ぐことができる。ま
た、更に本発明では、受光素子、増幅器といった検出器
の内蔵部品が真空の雰囲気より隔離されているので、測
定サンプルを汚染することなく、測定の信頼性を高める
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】:本発明の実施の形態に係る検出器の構成図で
ある。
【図2】:図1に示す検出器を用いた真空下で反射率を
測定する反射率測定装置の概略構成図である。
【図3】:従来の技術である低圧力下で反射率を測定す
る反射率測定装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1 受光素子 2 基板 21 増幅器 3 電気ケーブル 4 入射窓 5a、5b 容器 6 遮断用チューブ 7a、7b 継手 8、38 光源 9、39 測定サンプル 30 サンプルホルダー 11 真空容器 12、32 検出器 13、33 データ処理部 14、14a、14b 回転機構 15 シール材 16 コネクタ 17 真空導入端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 低圧力で雰囲気の圧力を維持する真空容
    器内に設けられた部品である真空容器内取付部品におい
    て、 前記真空容器内取付部品を全て覆うようにカバーが施さ
    れていることを特徴とする真空容器内取付部品。
  2. 【請求項2】 低圧力で雰囲気の圧力を維持する真空容
    器内に設けられ、光を電気信号に変換するための受光素
    子と、前記変換された電気信号を増幅するための増幅器
    と、前記受光素子及び前記増幅器を密閉するように設け
    られたカバーとで構成された検出部と、 前記検出部から得られた信号を前記真空容器の外に送電
    する電気ケーブルと、 前記電気ケーブルをカバーする遮断用チューブと、 前記遮断用チューブを前記カバーに接続するための継手
    とを有することを特徴とする検出装置。
JP11026744A 1999-02-03 1999-02-03 真空容器内取付部品および検出装置 Pending JP2000227358A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7245092B2 (en) 2003-09-09 2007-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Alignment stage apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing method
US7586582B2 (en) 2005-08-09 2009-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus

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