JP2000223434A - Substrate-processing device and method thereof - Google Patents

Substrate-processing device and method thereof

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JP2000223434A
JP2000223434A JP11026098A JP2609899A JP2000223434A JP 2000223434 A JP2000223434 A JP 2000223434A JP 11026098 A JP11026098 A JP 11026098A JP 2609899 A JP2609899 A JP 2609899A JP 2000223434 A JP2000223434 A JP 2000223434A
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Japan
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substrate
lamp
lamps
processing apparatus
power
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JP11026098A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Masuda
充弘 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device, where a substrate is heated by a lamp, where wirings laid for the lamp can be lessened in number, the substrate processing device can be lessened in manufacturing cost and enhanced in processing reliability. SOLUTION: Heating means 31a are connected to a power supply 32a, and four lamps 311 and a current detector 312 are provided to each of the heating means 31a. Power supply modules 32 constituted this way are provided to a substrate-processing device. With this setup, the number of wirings prepared with respect to eight lamps 311 can be set at four. When the lamp 311 is burned out, the heating means 31a where the lamp is burned out can be located by the current detector 312. As a result, wirings laid for the lamps 311 can be lessened in number, properly detecting the lamp that is burned out, so that a substrate-processing device can be lessened in manufacturing cost and improved in processing reliability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ランプ光を照射
して基板に加熱を伴う処理を施す基板処理装置および基
板処理方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for irradiating a substrate with heat by irradiating lamp light.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体装置製造用の半導体基
板、各種表示器やフォトマスク製造用のガラス基板等の
精密パターン形成用の基板(以下、「基板」という。)
を所定雰囲気にて加熱して処理する際に、基板にランプ
からの光を照射して加熱する装置(いわゆる、ランプア
ニール装置)がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, substrates for precision pattern formation (hereinafter, referred to as "substrates") such as semiconductor substrates for manufacturing semiconductor devices, glass substrates for manufacturing various displays and photomasks, and the like.
There is an apparatus (a so-called lamp annealing apparatus) for irradiating the substrate with light from a lamp to heat the substrate in a predetermined atmosphere for processing.

【0003】図4はこのような基板処理装置においてラ
ンプに電力を供給する複数のモジュールのうちの1つを
示す図である。すなわち、1つの基板処理装置には図4
に示す構成が複数設けられ、多数のランプの点灯制御が
行われる。
FIG. 4 is a diagram showing one of a plurality of modules for supplying power to a lamp in such a substrate processing apparatus. That is, FIG.
Are provided, and lighting control of a large number of lamps is performed.

【0004】図4に示す例では、装置外部の交流電源9
1から電源モジュール92に電力が供給され、1つの電
源モジュール92が2個のランプ93に電力を供給す
る。電源モジュール92内には逆接続された1対のサイ
リスタ921、2個のランプ93へと流れる交流の電流
値を検知する変流器(current transformer)を有する電
流検知器922、および、ランプ93に印加される交流
の電圧値を検知する変圧器(potential transformer)を
有する電圧検知器923が設けられる。
[0004] In the example shown in FIG.
1 supplies power to the power supply module 92, and one power supply module 92 supplies power to two lamps 93. In the power supply module 92, a pair of thyristors 921 reversely connected, a current detector 922 having a current transformer for detecting an AC current value flowing to two lamps 93, and a lamp 93 are provided. A voltage detector 923 having a transformer (potential transformer) for detecting an applied AC voltage value is provided.

【0005】1対のサイリスタ921は交流の点弧位相
角を調整することにより2個のランプ93に供給する電
力(または、電流若しくは電圧)を制御する。なお、こ
の電力制御は電流検知器922および電圧検知器923
により検知される電流値および電圧値に基づいて行われ
る。
[0005] The pair of thyristors 921 controls the power (or current or voltage) supplied to the two lamps 93 by adjusting the firing phase angle of the AC. This power control is performed by the current detector 922 and the voltage detector 923.
This is performed based on the current value and the voltage value detected by.

【0006】また、2個のランプ93は1対のサイリス
タ921により制御される電力が並列にて給電されてお
り、各ランプ93に供給される電流の値を検知するため
に各ランプ93に対応して電流検知器931が電源モジ
ュール92内に設けられる。
The two lamps 93 are supplied with electric power controlled by a pair of thyristors 921 in parallel. Each of the two lamps 93 is provided with a corresponding one of the lamps 93 to detect the value of the current supplied to the lamp 93. Then, a current detector 931 is provided in the power supply module 92.

【0007】電流検知器931にて検知される電流値は
いわゆるランプ切れ(ランプ93内のフィラメント等の
断線)が発生しているか否かを検出するために利用され
る。具体的には、電圧検知器923からの出力波形とラ
ンプ切れ検出用の電流検知器931の出力波形とを比較
し、電圧値に対して電流値が極端に減少している場合に
ランプ切れが発生していると判定する。
[0007] The current value detected by the current detector 931 is used to detect whether or not a so-called lamp break (breakage of a filament or the like in the lamp 93) has occurred. Specifically, the output waveform from the voltage detector 923 is compared with the output waveform from the current detector 931 for detecting lamp burnout, and when the current value is extremely reduced with respect to the voltage value, the lamp burnout is detected. It is determined that it has occurred.

【0008】また、電源モジュール92にて1対のサイ
リスタ921が電流検知器922および電圧検知器92
3からの出力値に基づいて電力のフィードバック制御が
行われている場合、ランプ切れの発生により正常な1つ
のランプ93に大電力が供給されるおそれがあることか
ら、ランプ切れが検出されると1対のサイリスタ921
のゲートが遮断され、ランプ切れが発生していない方の
ランプ93が保護される。
In the power supply module 92, a pair of thyristors 921 are connected to a current detector 922 and a voltage detector 92.
When the power feedback control is performed based on the output value from the lamp 3, there is a possibility that a large power is supplied to one normal lamp 93 due to the occurrence of the lamp burnout. A pair of thyristors 921
Is shut off, and the lamp 93 in which the lamp has not run out is protected.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、図4に示す
構成では、複数の電源モジュール92から多数のランプ
93に電力を供給するには、ランプ93の個数の2倍の
数のケーブルを電源モジュール92の配置位置からラン
プ93の取付位置まで配線する必要がある。その結果、
ケーブル全体の太さが増大するとともにコネクタや端子
の数が増大し、装置の製作工数の増大によるコストアッ
プや信頼性の低下を招くおそれがある。
By the way, in the configuration shown in FIG. 4, in order to supply electric power from the plurality of power supply modules 92 to a large number of lamps 93, twice as many cables as the number of the lamps 93 are required. It is necessary to wire from the arrangement position of 92 to the attachment position of the lamp 93. as a result,
As the thickness of the entire cable increases, the number of connectors and terminals increases, which may lead to an increase in cost and reliability due to an increase in man-hours for manufacturing the device.

【0010】特に、1つの基板処理装置に用いられるラ
ンプ93の数を増加させる場合には、配線数の増大のみ
ならず、ランプ切れ検出用の電流検知器931もランプ
93の数と同じだけ取り付ける必要があり、実用性のあ
る基板処理装置を構築することができない。
In particular, when the number of lamps 93 used in one substrate processing apparatus is increased, not only the number of wirings but also the current detectors 931 for detecting lamp expiration are mounted as many as the number of lamps 93. Therefore, a practical substrate processing apparatus cannot be constructed.

【0011】もちろん、電流検知器931をランプ93
側に寄せて配置することにより、電源モジュール92か
らランプ93側へと至る配線数を減少させることも可能
である。しかし、この場合においても電流検知器931
がランプ93と同数必要となる上、各ランプ93の近傍
にランプ切れを検出する回路を設けるスペースを確保す
る必要が生じる。したがって、このような設計変更を行
っても装置の製作工数の増大によるコストアップや信頼
性の低下を招くおそれがある。
Of course, the current detector 931 is connected to the lamp 93
By arranging them closer to the side, the number of wires from the power supply module 92 to the lamp 93 can be reduced. However, also in this case, the current detector 931
Are required in the same number as the lamps 93, and it is necessary to secure a space near each of the lamps 93 for providing a circuit for detecting lamp burnout. Therefore, even if such a design change is made, there is a possibility that cost increases and reliability decreases due to an increase in man-hours for manufacturing the apparatus.

【0012】一方、図4に示すように1つの電源モジュ
ール92に2個のランプ93が接続される場合、片方の
ランプ93が断線すると他方のランプ93を保護するた
めにランプへの電力供給が停止される。その結果、処理
途中にあった基板は不良基板となってしまう。
On the other hand, as shown in FIG. 4, when two lamps 93 are connected to one power supply module 92, if one of the lamps 93 is disconnected, power is supplied to the lamps to protect the other lamp 93. Stopped. As a result, the substrate that was in the middle of processing becomes a defective substrate.

【0013】この発明は上記ランプ切れに関する様々な
課題に鑑みなされたものであり、ランプ切れの検出を適
切に行いつつ配線数を減少させ、これにより、装置製造
コストを削減して基板製造コストの削減を図るとともに
基板処理の信頼性を向することを第1の目的としてい
る。また、ランプ切れによる不良基板の発生の防止し、
基板製造のコストを削減することを第2の目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned various problems relating to lamp burnout, and reduces the number of wirings while appropriately detecting lamp burnout, thereby reducing device manufacturing costs and substrate manufacturing costs. A first object is to achieve reduction and improve the reliability of substrate processing. In addition, it prevents the occurrence of defective boards due to lamp burnout,
A second object is to reduce the cost of manufacturing a substrate.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
に加熱を伴う処理を施す基板処理装置であって、基板を
加熱するための電力を発生する電力供給部と、前記電力
供給部から電力の供給を受けて基板にランプ光を照射す
る複数の加熱手段とを備え、前記複数の加熱手段のそれ
ぞれが、並列給電される複数のランプと、前記複数のラ
ンプに供給される電流または電力の値を検知する検知手
段とを有する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a process involving heating of a substrate, comprising: a power supply unit for generating power for heating the substrate; and the power supply unit. A plurality of heating means for irradiating the substrate with lamp light upon receiving power supply, each of the plurality of heating means, a plurality of lamps supplied in parallel, a current supplied to the plurality of lamps or Detecting means for detecting the value of the electric power.

【0015】請求項2の発明は、請求項1に記載の基板
処理装置であって、前記複数の加熱手段のそれぞれにお
いて検知される電流または電力の値に基づいてランプ切
れが発生した加熱手段を検出するランプ切れ検出手段を
さらに備える。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the heating means in which the lamp is cut off based on the value of the current or the electric power detected in each of the plurality of heating means. The apparatus further includes a lamp expiration detecting means for detecting.

【0016】請求項3の発明は、請求項2に記載の基板
処理装置であって、前記ランプ切れ検出手段によりラン
プ切れが検出された場合に、処理中の基板の処理を続行
し、当該基板の処理が完了した時点で次の基板に向けて
の処理動作を停止する動作制御手段をさらに備える。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the processing of the substrate being processed is continued when the lamp burn-out detecting means detects the burn-out of the substrate. Operation control means for stopping the processing operation for the next substrate when the above processing is completed.

【0017】請求項4の発明は、複数のランプからのラ
ンプ光を基板に照射して基板に加熱を伴う処理を施す基
板処理方法であって、(a)基板を所定の位置に受け入れ
る工程と、(b)前記基板に前記複数のランプからのラン
プ光を照射して前記基板に加熱を伴う処理を施す工程
と、(c)前記基板を前記所定の位置から払い出す工程
と、(d)前記工程(a)ないし(c)を繰り返し、複数の基板
に順次処理を施す工程とを有し、前記工程(b)が、(b-1)
前記複数のランプにおけるランプ切れを検出する工程
と、(b-2)前記工程(b-1)においてランプ切れが検出され
た場合に、前記工程(c)の実行後に前記工程(d)を中止す
る工程とを有する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for irradiating a substrate with lamp light from a plurality of lamps to perform a process involving heating of the substrate, comprising: (a) receiving the substrate at a predetermined position; (B) irradiating the substrate with lamp light from the plurality of lamps to perform a process involving heating on the substrate, (c) discharging the substrate from the predetermined position, and (d) Repeating the steps (a) to (c), sequentially processing a plurality of substrates, and the step (b), (b-1)
Detecting the lamp burnout in the plurality of lamps, and (b-2) stopping the step (d) after the execution of the step (c) if the lamp burnout is detected in the step (b-1). And

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1はこの発明の一の実施の形態
である基板処理装置1の全体構成を示す縦断面図であ
る。基板処理装置1は多数のランプからの光を照射して
基板に所定の処理を施す、いわゆるランプアニール装置
である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the entire structure of a substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a so-called lamp annealing apparatus that irradiates light from a large number of lamps to perform predetermined processing on a substrate.

【0019】図1に示すように、基板処理装置1は基板
9の処理空間を形成する処理室11内に、処理中に基板
9を保持する保持部12、装置外部の搬送ロボット81
のハンド811との間で基板9の受け渡しを行う突上部
13を有し、処理室11の搬出入口111には矢印14
Sにて示すようにスライド移動することにより搬出入口
111を開閉するゲート弁14が設けられる。
As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 includes a holding section 12 for holding a substrate 9 during processing and a transfer robot 81 outside the apparatus in a processing chamber 11 forming a processing space for the substrate 9.
The processing unit 11 has a protrusion 13 for transferring the substrate 9 to and from the hand 811.
As shown by S, a gate valve 14 that opens and closes the carry-in / out entrance 111 by sliding is provided.

【0020】また、処理室11には処理の際に所定の処
理ガスを充填するためのガス供給管15が接続され、処
理室11の上部には光を透過する石英窓21が配置され
る。さらに、石英窓21の上方はランプ室31となって
おり、基板9を加熱するための光を発生するランプ(例
えば、タングステンハロゲンランプ)311が多数取り
付けられる。ランプ311は外部の交流電源82から電
力を受けてランプ点灯用の電力を発生する複数の電源モ
ジュール32に接続され、各電源モジュール32は複数
のランプ311に電力を供給してランプ311の点灯制
御を行う。
A gas supply pipe 15 for filling a predetermined processing gas at the time of processing is connected to the processing chamber 11, and a quartz window 21 for transmitting light is disposed above the processing chamber 11. Further, a lamp chamber 31 is provided above the quartz window 21, and a large number of lamps (for example, tungsten halogen lamps) 311 for generating light for heating the substrate 9 are attached. The lamps 311 are connected to a plurality of power supply modules 32 that receive power from an external AC power supply 82 and generate power for lighting the lamps. Each power supply module 32 supplies power to the plurality of lamps 311 to control the lighting of the lamps 311. I do.

【0021】次に、基板処理装置1による基板9の処理
動作について簡単に説明する。未処理の基板9は、ま
ず、外部の搬送ロボット81のハンド811に保持され
て処理室11内部へと搬入される。ハンド811は矢印
811Sにて示すように昇降可能とされており、処理室
11内へと基板9を搬入した後、図中2点鎖線にて示す
ように下降する。
Next, the processing operation of the substrate 9 by the substrate processing apparatus 1 will be briefly described. The unprocessed substrate 9 is firstly held by the hand 811 of the external transfer robot 81 and carried into the processing chamber 11. The hand 811 can move up and down as indicated by an arrow 811S. After the substrate 9 is loaded into the processing chamber 11, the hand 811 descends as indicated by a two-dot chain line in the figure.

【0022】このとき、突上部13は図中2点鎖線にて
示す位置に存在し、突上部13の複数のピン131の上
にハンド811が保持する基板9が載置される。その
後、ハンド811は処理室11外へと退避し、ゲート弁
14が処理室11の搬出入口111を閉じる。
At this time, the protrusion 13 is located at a position shown by a two-dot chain line in the figure, and the substrate 9 held by the hand 811 is placed on the plurality of pins 131 of the protrusion 13. Thereafter, the hand 811 retreats outside the processing chamber 11, and the gate valve 14 closes the loading / unloading port 111 of the processing chamber 11.

【0023】基板9がピン131上に載置されると、矢
印13Sにて示すように昇降可能な突上部13が下降
し、基板9が保持部12上に載置される。また、ガス供
給管15から処理室11内へと所定のガスが供給され、
基板9の周囲が処理に適した雰囲気とされる。
When the substrate 9 is placed on the pins 131, the protruding portion 13 that can be moved up and down is lowered as shown by an arrow 13 S, and the substrate 9 is placed on the holding portion 12. Further, a predetermined gas is supplied from the gas supply pipe 15 into the processing chamber 11,
The atmosphere around the substrate 9 is an atmosphere suitable for processing.

【0024】処理の準備が整えられると、電源モジュー
ル32からランプ311へと電力が供給され、ランプ3
11が点灯される。これにより、基板9には多数のラン
プ311からランプ光が照射され、アニールやCVD(C
hemical Vapor Deposition)等の加熱を伴う処理が基板
9に施される。また、ランプ311へ供給される電力は
処理の内容に応じて適切に変化するよう制御され、さら
に、処理室11内部の雰囲気も適宜調整される。
When the preparation for processing is completed, power is supplied from the power supply module 32 to the lamp 311 and the lamp 311 is turned on.
11 is turned on. As a result, the substrate 9 is irradiated with lamp light from a large number of lamps 311 to perform annealing or CVD (C
A process involving heating, such as chemical vapor deposition, is performed on the substrate 9. Further, the power supplied to the lamp 311 is controlled so as to be appropriately changed according to the content of the processing, and the atmosphere inside the processing chamber 11 is appropriately adjusted.

【0025】基板9への処理が完了すると処理室11内
部のガスが不活性ガスに置換され、その後、ゲート弁1
4を空けて搬送ロボット81により基板9が搬出され
る。なお、基板9の搬出は搬入の際の動作と逆の動作に
より行われる。
When the processing of the substrate 9 is completed, the gas in the processing chamber 11 is replaced with an inert gas.
The substrate 9 is carried out by the transfer robot 81 with the space 4 left. The unloading of the substrate 9 is performed by the operation reverse to the operation at the time of loading.

【0026】次に、基板処理装置1におけるランプ31
1の点灯を制御する構成について図2を参照しながら説
明する。図2は1つの電源モジュール32およびこれに
接続される8個のランプ311を示す図であり、基板処
理装置1では複数の電源モジュール32を設けて多数の
ランプ311の点灯制御を行う。
Next, the lamp 31 in the substrate processing apparatus 1
A configuration for controlling lighting of No. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing one power supply module 32 and eight lamps 311 connected thereto. In the substrate processing apparatus 1, a plurality of power supply modules 32 are provided to control the lighting of many lamps 311.

【0027】電源モジュール32は互いに逆接続された
1対のサイリスタ321、電源モジュール32が出力す
る交流の電流値を検知する電流検知器322、出力され
る交流の電圧値を検知する電圧検知器323を有し、こ
れらが交流電源82からの電力を変換してランプ311
へ供給する電力を発生する電力供給部32aを構成す
る。
The power supply module 32 includes a pair of thyristors 321 connected in reverse to each other, a current detector 322 for detecting an AC current value output from the power supply module 32, and a voltage detector 323 for detecting an output AC voltage value. These convert the power from the AC power supply 82 to the lamp 311
A power supply unit 32a that generates power to be supplied to the power supply unit.

【0028】図2に示すように、基板処理装置1では1
つの電源モジュール32がランプ室31に配置される8
個のランプ311に電力を並列給電し、8個のランプ3
11は4個ずつの2組に分けられる。そして、ランプ3
11の各組にはランプ切れを検出するために電流値を検
知する電流検知器312が設けられる。すなわち、電力
供給部32aには4個のランプ311を有する加熱手段
31aが2つ(並列に)接続され、各加熱手段31aに
はランプ切れ検出用の電流検知器312が設けられる。
As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 1
8 in which two power supply modules 32 are arranged in the lamp chamber 31
Power is supplied to the three lamps 311 in parallel, and eight lamps 311 are supplied.
11 is divided into two sets of four. And lamp 3
Each set of 11 is provided with a current detector 312 for detecting a current value in order to detect lamp burnout. That is, two (in parallel) heating means 31a having four lamps 311 are connected to the power supply unit 32a, and each of the heating means 31a is provided with a current detector 312 for detecting lamp expiration.

【0029】2つの電流検知器312からの出力はラン
プ切れ検出回路33に入力され、後述する方法にてラン
プ切れの検出が行われる。また、ランプ切れ検出回路3
3は基板処理装置1の全体動作を司る全体制御部10に
接続され、ランプ切れが発生した場合にはその旨が全体
制御部10に通知される。
The outputs from the two current detectors 312 are input to a lamp burnout detection circuit 33, which detects lamp burnout by a method described later. In addition, the lamp burnout detection circuit 3
Reference numeral 3 is connected to the overall control unit 10 that controls the overall operation of the substrate processing apparatus 1, and when the lamp has run out, the fact is notified to the overall control unit 10.

【0030】一方、電力供給部32aの1対のサイリス
タ321は電力制御回路34に接続されており、1対の
サイリスタ321に入力される交流の点弧位相角を電力
制御回路34が調整することにより電力供給部32aか
ら出力される電力が基板9の処理の進行状況に応じて制
御される。なお、電力制御回路34には電流検知器32
2および電圧検知器323からの電流値および電圧値が
入力され、電力制御回路34から出力される電力がフィ
ードバック制御される。
On the other hand, the pair of thyristors 321 of the power supply unit 32a are connected to the power control circuit 34, and the power control circuit 34 adjusts the firing phase angle of the alternating current input to the pair of thyristors 321. Thus, the power output from the power supply unit 32a is controlled according to the progress of the processing of the substrate 9. The power control circuit 34 includes the current detector 32
2 and the current value and the voltage value from the voltage detector 323 are input, and the power output from the power control circuit 34 is feedback-controlled.

【0031】また、電力制御回路34は全体制御部10
に接続され、ランプ切れ検出回路33から全体制御部1
0にランプ切れの検出が通知されると、全体制御部10
が必要に応じて電力制御回路34へと信号を送り、電力
制御回路34が1対のサイリスタ321のゲートを遮断
してランプ311を消灯する。
Further, the power control circuit 34 is
And the overall control unit 1
When the detection of the lamp out is notified to 0, the overall control unit 10
Sends a signal to the power control circuit 34 as necessary, and the power control circuit 34 turns off the lamp 311 by shutting off the gates of the pair of thyristors 321.

【0032】次に、基板処理装置1におけるランプ切れ
検出の方法について説明する。図2に示す1つの電源モ
ジュール32に関する構成において8個のランプ311
には全て同定格(ほぼ同一の特性)のランプが使用され
る。また、2つの加熱手段31aは電力供給部32aか
ら並列に電力が供給され、常に同一の電圧(実効値)が
印加されているため、2つの加熱手段31aに流れ込む
電流値(実効値)は(回路のインピーダンスが等しいと
仮定すると)同一となる。
Next, a description will be given of a method of detecting the out-of-lamp in the substrate processing apparatus 1. In the configuration related to one power supply module 32 shown in FIG.
Are all lamps having the same rating (almost the same characteristics). In addition, since the two heating units 31a are supplied with power in parallel from the power supply unit 32a and are always supplied with the same voltage (effective value), the current value (effective value) flowing into the two heating units 31a is ( (Assuming the impedances of the circuits are equal).

【0033】ここで、いずれかの加熱手段31aにおい
て1つのランプ311が断線した場合、ランプ切れが生
じた加熱手段31aに流れる電流値はランプ切れが生じ
ていない加熱手段31aに流れる電流値のおよそ3/4
となる。したがって、ランプ切れ検出回路33では2つ
の電流検知器312からの出力を比較することでランプ
切れの検出を行うことができ、ランプ切れの自動検出が
実現される。なお、この検出方法では2つの加熱手段3
1aにおいて同時に同数のランプ切れが発生する場合を
想定していないが、通常の使用状態においてこのような
断線が発生する可能性は皆無に等しく、実用上問題は生
じない。
Here, when one lamp 311 is disconnected in any one of the heating means 31a, the value of the current flowing through the heating means 31a in which the lamp has failed is approximately equal to the value of the current flowing in the heating means 31a in which the lamp has not failed. 3/4
Becomes Therefore, the lamp burnout detection circuit 33 can detect the burnout of the lamp by comparing the outputs from the two current detectors 312, and the automatic detection of the burnout of the lamp is realized. In this detection method, two heating means 3
Although it is not assumed that the same number of lamp burnouts will occur at the same time in 1a, there is almost no possibility that such a disconnection will occur in a normal use condition, and there is no practical problem.

【0034】具体例としては、一方の加熱手段31a
(便宜上、「加熱手段X」という。)を流れる電流値を
Ixとし、他方の加熱手段31a(便宜上、「加熱手段
Y」という。)を流れる電流値をIyとし、ランプ切れ
による電流の減少量に±10%程度のばらつきがあると
仮定すると、概算として、
As a specific example, one heating means 31a
(For convenience, the current value flowing through the heating means X) is Ix, and the current value flowing through the other heating means 31a (for convenience, the heating means Y) is Iy. Assuming that there is a variation of about ± 10%,

【0035】[0035]

【数1】 (Equation 1)

【0036】にて示される関係が成立する場合に加熱手
段Xにおいてランプ切れが発生しており、
When the relationship shown by the above is satisfied, the lamp has been cut out in the heating means X,

【0037】[0037]

【数2】 (Equation 2)

【0038】にて示される関係が成立する場合に加熱手
段Yにおいてランプ切れが発生していると判断される。
When the relationship shown by the above expression is satisfied, it is determined that the lamp has run out in the heating means Y.

【0039】なお、ランプ点灯開始時の突入電流や過渡
的な状態における誤検出を防止するために、ランプ31
1に定格電圧の50%程度以上の電圧が印加されている
時にのみランプ切れの検出が行われ、その他、様々なフ
ィルタ回路やソフトウェア処理を用いて誤検出の防止が
適宜施される。
In order to prevent an inrush current at the start of lamp lighting or an erroneous detection in a transient state, the lamp 31 is prevented.
1 is detected only when a voltage of about 50% or more of the rated voltage is applied, and erroneous detection is appropriately prevented by using various filter circuits and software processing.

【0040】以上説明したように、基板処理装置1では
4個のランプ311を1組とし、各組にランプ切れを検
出する回路を設けている。したがって、従来のように電
源モジュールと多数のランプとの間にランプの数の2倍
のケーブルを配線する必要はなく、基板処理装置1では
ランプ311の数の半分の数のケーブルを電源モジュー
ル32とランプ室31との間に配線するだけで足りる。
As described above, in the substrate processing apparatus 1, the four lamps 311 are set as one set, and each set is provided with a circuit for detecting lamp burnout. Therefore, there is no need to wire twice as many cables as the number of lamps between the power supply module and a large number of lamps as in the related art. It is only necessary to wire between the lamp chamber 31 and the lamp.

【0041】これにより、ランプ311の配線に要する
製作工数を削減することができ、また、ランプ切れ検出
用の電流検知器312や回路等の数も従来に比べて削減
することができる。その結果、装置製造コストを削減し
て基板製造コストの削減を図ることができるとともに基
板処理の信頼性を向上することができる。
As a result, the number of man-hours required for wiring the lamp 311 can be reduced, and the number of current detectors 312 for detecting lamp burnout, the number of circuits, and the like can be reduced as compared with the related art. As a result, it is possible to reduce the device manufacturing cost and the substrate manufacturing cost, and to improve the reliability of the substrate processing.

【0042】特に、図1に示すようにランプ311とし
て小型かつ球型のランプを多数用いる場合、直管型のラ
ンプを用いて基板9を加熱する場合よりも多くのランプ
を設ける必要が生じる。このような場合においても複数
のランプ311を並列に接続してグループとすることに
より、実用性のある基板処理装置を製作することができ
る。
In particular, when a large number of small and spherical lamps are used as the lamps 311 as shown in FIG. 1, it is necessary to provide more lamps than when the substrate 9 is heated using a straight tube type lamp. Even in such a case, a practical substrate processing apparatus can be manufactured by connecting a plurality of lamps 311 in parallel to form a group.

【0043】なお、1つの加熱手段31aに設けられる
ランプ311の個数は上記4個に限定されるものではな
く、2個以上であれば従来よりも配線数を減少させるこ
とができる。もちろん、ランプ切れ検出時点ではランプ
切れしたランプ311を有する加熱手段31aが特定さ
れるのみであるが、加熱手段31aが特定されればラン
プ切れしたランプの特定を容易に行うことができため、
実用上問題は生じない。
The number of lamps 311 provided in one heating means 31a is not limited to the above four, and the number of wirings can be reduced as compared with the conventional one if it is two or more. Needless to say, at the time of lamp out detection, only the heating unit 31a having the lamp 311 that has been cut out is specified. However, if the heating unit 31a is specified, the lamp that has been cut out can be easily specified.
There is no practical problem.

【0044】また、基板処理装置1は4個のランプ31
1を1組としているが、これは、作業者がランプ切れし
たランプ311の特定に煩雑さを感じない程度の数とい
う観点から好ましい数であり、また、ランプ切れを生じ
た際に電流検知器312からの電流値の変動等に基づい
て容易にランプ切れを検出できる数でもある。
The substrate processing apparatus 1 has four lamps 31.
1 is a set, but this is a preferable number from the viewpoint that the operator does not feel troublesome in identifying the lamp 311 that has been cut off, and the current detector is used when the lamp is cut off. It is also a number that can easily detect a lamp burnout based on a change in current value from 312 or the like.

【0045】次に、基板処理装置1における基板9の処
理途上においてランプ切れが検出された際の基板処理装
置1の動作について図3に示す流れ図を参照しながら説
明する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 when the lamp burnout is detected during the processing of the substrate 9 in the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

【0046】既述のように、基板処理装置1の処理動作
では、まず、未処理の基板9が処理室11に搬入される
(ステップS11)、次に処理ガスの雰囲気下にてラン
プ311が点灯されて処理が開始される(ステップS1
2)。基板9への処理が終了すると基板9が処理室11
から搬出され(ステップS13)、次に処理すべき基板
9が存在する場合には上記ステップS11〜S13が繰
り返され、処理室11への基板9の受け入れ、処理、お
よび、処理室11からの基板9の払い出しが行われる
(ステップS14)。これにより、複数の基板9に順次
処理が行われる。
As described above, in the processing operation of the substrate processing apparatus 1, first, the unprocessed substrate 9 is loaded into the processing chamber 11 (Step S11), and then the lamp 311 is turned on in the atmosphere of the processing gas. The process is turned on to start the process (step S1).
2). When the processing on the substrate 9 is completed, the substrate 9 is moved to the processing chamber 11.
(Step S13), and when there is a substrate 9 to be processed next, the above-described Steps S11 to S13 are repeated to receive the substrate 9 into the processing chamber 11, perform processing, and perform processing on the substrate 9 from the processing chamber 11. 9 is paid out (step S14). Thus, the processing is sequentially performed on the plurality of substrates 9.

【0047】ここで、基板処理装置1では基板9の処理
中にランプ切れが発生したか否かが確認される(ステッ
プS22、S23)。もし、ランプ切れが発生した場合
には、図2に示したランプ切れ検出回路33が全体制御
部10にランプ切れを通知すると共に、ディスプレイに
エラーを表示して作業者に通報する(ステップS3
0)。そして、全体制御部10が処理途上の基板9の処
理を中止すべきか否かを判断する(ステップS24)。
Here, in the substrate processing apparatus 1, it is confirmed whether or not the lamp has run out during the processing of the substrate 9 (steps S22 and S23). If an out-of-lamp occurs, the out-of-lamp detection circuit 33 shown in FIG. 2 notifies the overall control unit 10 of the out-of-lamp and displays an error on the display to notify the operator (step S3).
0). Then, the overall control unit 10 determines whether or not to stop the processing of the substrate 9 being processed (step S24).

【0048】例えば、何らかの事情で幾つかのランプ3
11にランプ切れが発生した場合やランプ切れによる影
響を受けやすい処理を行っている場合等には全体制御部
10が処理を中止する(ステップS25)。
For example, for some reason, some lamps 3
If the lamp 11 has run out, or if a process that is susceptible to the running out of the lamp is being performed, the overall control unit 10 stops the process (step S25).

【0049】一方、ランプ切れの影響を受けにくい処理
を行っている場合には、ランプ切れが発生しても全体制
御部10が処理を中止せず、事前に0に設定されている
変数flagに1を設定する(ステップS21、S27)。
図2に示すように1つの電源モジュール32に8個のラ
ンプ311が取り付けられている場合には、1個のラン
プ311にランプ切れが発生しても他のランプ311へ
の影響が少ないため、他のランプ311を保護する必要
がないからである。
On the other hand, when a process that is less susceptible to the lamp burnout is being performed, the overall control unit 10 does not stop the process even if the lamp burnout occurs, and sets the variable flag that has been set to 0 in advance to the variable flag. 1 is set (steps S21 and S27).
As shown in FIG. 2, when eight lamps 311 are attached to one power supply module 32, even if one lamp 311 burns out, the influence on the other lamps 311 is small. This is because there is no need to protect the other lamps 311.

【0050】すなわち、電力供給部32aにて複数のラ
ンプ311に所定の電力が供給されるようにフィードバ
ック制御が行われる際にランプ切れが発生すると他のラ
ンプ311に多目の電力が供給される。しかし、元々8
個のランプ311に供給されていた電力が7個のランプ
311に供給されるようになってもこれらのランプ31
1に損害が発生する可能性は低い。そこで、この基板処
理装置1では基板9の処理およびランプ311に影響が
生じない範囲で基板9の処理を中止しないようにされて
いる。
In other words, if the lamp burnout occurs during the feedback control so that the predetermined power is supplied to the plurality of lamps 311 by the power supply unit 32a, the other lamps 311 are supplied with more power. . However, originally 8
Even if the power supplied to the three lamps 311 is supplied to the seven lamps 311, these lamps 31
1 is unlikely to cause damage. Therefore, in the substrate processing apparatus 1, the processing of the substrate 9 and the processing of the substrate 9 are not stopped within a range that does not affect the lamp 311.

【0051】このように、基板処理装置1ではランプ切
れが生じても原則的には処理は続行され、処理が完了す
ると基板9は処理室11から搬出される(ステップS1
3)。しかし、ランプ切れが生じた場合には変数flagが
1であることに基づいて基板処理装置1は次の基板9に
向けての処理動作を停止し、次の基板9を処理室11に
搬入することはない(ステップS28)。その後、作業
者はエラー表示に従ってランプ切れしたランプ311の
グループから交換すべきランプ311を探し出し、ラン
プ311の交換を行って基板処理を再開する。
As described above, in the substrate processing apparatus 1, the processing is basically continued even if the lamp is cut out, and when the processing is completed, the substrate 9 is unloaded from the processing chamber 11 (step S1).
3). However, when the lamp has run out, the substrate processing apparatus 1 stops the processing operation for the next substrate 9 based on the fact that the variable flag is 1, and carries the next substrate 9 into the processing chamber 11. This is not the case (step S28). After that, the operator finds a lamp 311 to be replaced from the group of lamps 311 that have run out according to the error display, replaces the lamp 311 and restarts the substrate processing.

【0052】以上、基板処理装置1においてランプ切れ
が発生した場合の動作について説明したが、基板処理装
置1ではランプ切れが発生した場合にはランプ311へ
の電力の供給を停止すべきか否かが全体制御部10にお
けるソフトウェアにより判断され、電力供給の停止が必
要でない場合にはそのまま処理を続行する。したがっ
て、従来、基板の加熱処理中にランプ切れが発生すると
他のランプを保護するために電力供給を停止し、処理中
の基板が必ず不良基板となってしまっていたが、この基
板処理装置1では加熱処理後に装置を停止してランプ3
11の交換を行うので、可能な限り不良基板の発生を削
減することができる。これにより、基板9の製造コスト
を削減することができる。
The operation performed when the lamp has run out in the substrate processing apparatus 1 has been described above. In the case where the lamp has run out in the substrate processing apparatus 1, it is determined whether or not the supply of power to the lamp 311 should be stopped. It is determined by software in the overall control unit 10, and if the power supply does not need to be stopped, the process is continued. Therefore, conventionally, when the lamp burns out during the heat treatment of the substrate, the power supply is stopped to protect the other lamps, and the substrate being processed is always a defective substrate. Then, after the heat treatment, the device is stopped and the lamp 3
Since the replacement of 11 is performed, occurrence of defective substrates can be reduced as much as possible. Thereby, the manufacturing cost of the substrate 9 can be reduced.

【0053】以上、この発明の一の実施の形態である基
板処理装置1について説明してきたが、この発明は上記
実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能
である。
Although the substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.

【0054】例えば、上記実施の形態では、1つの電源
モジュール32に8個のランプ311を接続し、さら
に、これらのランプ311を4個ずつのランプ切れ検出
用の組(2組)に分けているが、1つの電源モジュール
32に接続されるランプ311の組の数は3以上であっ
てもよい。すなわち、電力供給部32aに3以上の加熱
手段31aが接続されてもよい。また、1つの加熱手段
31aに2以上のランプ311を設けるのであれば配線
数の削減という効果を奏することができる。
For example, in the above-described embodiment, eight lamps 311 are connected to one power supply module 32, and these lamps 311 are further divided into four sets (two sets) for detecting lamp expiration. However, the number of sets of lamps 311 connected to one power supply module 32 may be three or more. That is, three or more heating units 31a may be connected to the power supply unit 32a. If two or more lamps 311 are provided for one heating means 31a, the effect of reducing the number of wirings can be achieved.

【0055】また、上記実施の形態では、電流検知器3
12により各加熱手段31aに供給される電流の値を検
知して並列接続されるランプ311のランプ切れを検出
するようにしているが、各加熱手段31aに供給される
電力の値を検知することによってもランプ切れの検出は
可能である。
In the above embodiment, the current detector 3
12 detects the value of the current supplied to each heating means 31a and detects the burnout of the lamp 311 connected in parallel. However, it is necessary to detect the value of the power supplied to each heating means 31a. It is also possible to detect that the lamp has run out.

【0056】また、上記実施の形態では2つの加熱手段
31aに並列給電しているが、2つの加熱手段31aの
それぞれに独立して電力が供給されてもよい。この場合
には、正常な状態で加熱手段31aに供給される電流ま
たは電力の値を事前に記憶しておき、これらの値の変化
からランプ切れを検出するようにしてもよい。また、こ
のような方法でランプ切れを検出する場合には各加熱手
段31aに設けられるランプ311の数を異なった数と
することができる。
In the above embodiment, the two heating means 31a are fed in parallel, but power may be supplied independently to each of the two heating means 31a. In this case, the value of the current or the power supplied to the heating means 31a in a normal state may be stored in advance, and the lamp burnout may be detected from a change in these values. In addition, when the lamp burnout is detected by such a method, the number of lamps 311 provided in each heating means 31a can be different.

【0057】また、上記実施の形態では逆接続した1対
のサイリスタ321の点弧位相角を調整して供給電力の
制御を行うが、供給電力を制御する方法はどのようなも
のであってもよく、例えば、1対のサイリスタ321と
等価なトライアックを用いたり、トランジスタを用いて
等価な回路を構成してもよい。
Further, in the above embodiment, the supply power is controlled by adjusting the firing phase angle of the pair of thyristors 321 connected in reverse. However, any method of controlling the supply power may be used. For example, a triac equivalent to the pair of thyristors 321 may be used, or an equivalent circuit may be formed using transistors.

【0058】また、上記実施の形態は半導体装置製造用
の半導体基板、フラットパネルディスプレイ製造用のガ
ラス基板、フォトマスク製造用のガラス基板等、各種基
板の製造に利用することができる。
The above embodiments can be used for manufacturing various substrates such as a semiconductor substrate for manufacturing a semiconductor device, a glass substrate for manufacturing a flat panel display, and a glass substrate for manufacturing a photomask.

【0059】なお、上記実施の形態ではランプ切れを自
動的に検出するようにしているが、電流の変化の表示に
基づいて作業者がランプ切れを判断したり、処理の中止
または続行を決定してもよい。
In the above embodiment, the lamp burnout is automatically detected. However, based on the display of the change in the current, the operator judges the lamp burnout or determines whether to stop or continue the process. You may.

【0060】[0060]

【発明の効果】請求項1ないし3に記載の発明では、ラ
ンプに関する配線を簡素化しつつ適切なランプ切れの検
出を行うことができる。これにより、装置製作コストを
削減して基板製造コストの削減を図ることができるとと
もに基板処理の信頼性を向上することができる。
According to the first to third aspects of the present invention, it is possible to appropriately detect the expiration of the lamp while simplifying wiring for the lamp. As a result, it is possible to reduce the device manufacturing cost and the substrate manufacturing cost, and to improve the reliability of the substrate processing.

【0061】また、請求項2に記載の発明では、ランプ
切れを自動的に検出することができる。
According to the second aspect of the present invention, it is possible to automatically detect that the lamp has run out.

【0062】また、請求項3および4に記載の発明で
は、ランプ切れが生じても不要基板の発生を最小限に抑
えることができる。これにより、基板製造コストの削減
を図ることができる。
Further, according to the third and fourth aspects of the present invention, the occurrence of unnecessary substrates can be minimized even when the lamp burns out. As a result, it is possible to reduce the substrate manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一の実施の形態である基板処理装置
の全体構成の概略を示す縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing an overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す基板処理装置における1つの電源モ
ジュールの構成およびこれに接続されるランプを示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of one power supply module in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 and a lamp connected thereto.

【図3】図1に示す基板処理装置の動作の流れを示す流
れ図である。
FIG. 3 is a flowchart showing a flow of an operation of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1;

【図4】従来の基板処理装置における1つの電源モジュ
ールの構成およびこれに接続されるランプを示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of one power supply module in a conventional substrate processing apparatus and a lamp connected thereto.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 9 基板 10 全体制御部 31a 加熱手段 32a 電力供給部 33 ランプ切れ検出回路 311 ランプ 312 電流検知器 S11〜S14、S21〜S23、S27、S28 ス
テップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 9 Substrate 10 Overall control part 31a Heating means 32a Power supply part 33 Lamp out detection circuit 311 Lamp 312 Current detector S11-S14, S21-S23, S27, S28 Step

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に加熱を伴う処理を施す基板処理装
置であって、 基板を加熱するための電力を発生する電力供給部と、 前記電力供給部から電力の供給を受けて基板にランプ光
を照射する複数の加熱手段と、を備え、 前記複数の加熱手段のそれぞれが、 並列給電される複数のランプと、 前記複数のランプに供給される電流または電力の値を検
知する検知手段と、を有することを特徴とする基板処理
装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a process involving heating on a substrate, comprising: a power supply unit for generating power for heating the substrate; and a lamp light receiving the power from the power supply unit. A plurality of heating means for irradiating the plurality of lamps, each of the plurality of heating means, a plurality of lamps supplied in parallel, a detection means for detecting the value of the current or power supplied to the plurality of lamps, A substrate processing apparatus comprising:
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置であっ
て、 前記複数の加熱手段のそれぞれにおいて検知される電流
または電力の値に基づいてランプ切れが発生した加熱手
段を検出するランプ切れ検出手段、をさらに備えること
を特徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a lamp burnout detecting unit detects a heating unit in which a lamp burnout has occurred based on a current or electric power value detected in each of the plurality of heating units. Substrate processing apparatus, further comprising:
【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置であっ
て、 前記ランプ切れ検出手段によりランプ切れが検出された
場合に、処理中の基板の処理を続行し、当該基板の処理
が完了した時点で次の基板に向けての処理動作を停止す
る動作制御手段、をさらに備えることを特徴とする基板
処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the processing of the substrate being processed is continued and the processing of the substrate is completed when the lamp-extinguish detecting means detects the lamp-extinguish. The substrate processing apparatus further comprising: operation control means for stopping a processing operation for a next substrate at a time.
【請求項4】 複数のランプからのランプ光を基板に照
射して基板に加熱を伴う処理を施す基板処理方法であっ
て、 (a) 基板を所定の位置に受け入れる工程と、 (b) 前記基板に前記複数のランプからのランプ光を照射
して前記基板に加熱を伴う処理を施す工程と、 (c) 前記基板を前記所定の位置から払い出す工程と、 (d) 前記工程(a)ないし(c)を繰り返し、複数の基板に順
次処理を施す工程と、を有し、 前記工程(b)が、 (b-1) 前記複数のランプにおけるランプ切れを検出する
工程と、 (b-2) 前記工程(b-1)においてランプ切れが検出された
場合に、前記工程(c)の実行後に前記工程(d)を中止する
工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
4. A substrate processing method for irradiating a substrate with lamp light from a plurality of lamps and performing a process involving heating on the substrate, comprising: (a) receiving the substrate at a predetermined position; Irradiating the substrate with lamp light from the plurality of lamps and performing a process involving heating on the substrate; (c) discharging the substrate from the predetermined position; (d) the step (a) Repeating (c) and sequentially processing a plurality of substrates, wherein the step (b) comprises: (b-1) a step of detecting lamp burnout in the plurality of lamps; 2) a step of stopping the step (d) after the execution of the step (c) when the lamp burnout is detected in the step (b-1).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9799576B2 (en) 2015-10-15 2017-10-24 Renesas Electronics Corporation Monitoring method and manufacturing method of semiconductor device

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