JP2000223280A - Organic electroluminescent display element - Google Patents

Organic electroluminescent display element

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JP2000223280A
JP2000223280A JP11023606A JP2360699A JP2000223280A JP 2000223280 A JP2000223280 A JP 2000223280A JP 11023606 A JP11023606 A JP 11023606A JP 2360699 A JP2360699 A JP 2360699A JP 2000223280 A JP2000223280 A JP 2000223280A
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JP
Japan
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layer
cathode
anode
organic
display device
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JP11023606A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Furukawa
Yoshihisa Terasaka
Hideaki Ueda
慶一 古川
佳久 寺阪
秀昭 植田
Original Assignee
Minolta Co Ltd
ミノルタ株式会社
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3237Displays not provided for in group H01L27/3241 and subgroups, e.g. segment-type displays

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To impart dummy transparency to enhance luminance so as to improve luminous efficiency and thereby to facilitate the manufacturing of an organic electroluminescent display element.
SOLUTION: This element A is composed by providing a positive electrode 1, an organic luminescent film La and a negative electrode 5. In this case, the positive electrode 1 is formed of a translucent conductive film, the negative electrode 5 is formed of a metal film containing a metal having a low work function, and a current-carrying laid-around part 10 formed of a translucent conductive film is connected to and formed on the negative electrode 5.
COPYRIGHT: (C)2000,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 - 0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極と、該両電極間の有機発光層を含む有機化合物からなる膜(有機発光膜)を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示素子に関する。 The present invention relates includes a pair of electrodes, an organic electroluminescence display element having a film made of an organic compound containing an organic light-emitting layer between the both electrodes (organic light-emitting layer).

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴って、CR In recent years, with the diversification of information equipment, CR
Tより低消費電力で薄型の平面表示素子のニーズが高まっている。 There is an increasing need for thin flat display device with low power consumption than T. このような平面表示素子としては液晶表示素子、プラズマディスプレイ(PDP)等があるが、特に、最近は自己発光型で、表示が鮮明で視野角の広いエレクトロルミネッセンス素子が注目されている。 Such liquid crystal display devices as flat display devices, there is a plasma display (PDP) or the like, in particular, recently self-luminous display is clear and focused viewing angle wide electroluminescence element. エレクトロルミネッセンス素子はそれを構成する材料により無機エレクトロルミネッセンス素子と有機エレクトロルミネッセンス素子に大別することができ、無機エレクトロルミネッセンス素子は既に実用化され商品として市販されている。 Electroluminescent device may be roughly classified into the material constituting it an inorganic electroluminescence device and an organic electroluminescence device, an inorganic electroluminescence device has already been commercially available under the trade into practical use.

【0003】しかしながら、無機エレクトロルミネッセンス素子の発光は、高電界の印加によって加速された電子を発光中心に衝突させて発光させるという、いわゆる衝突型励起発光であるため、該素子の駆動には100V However, light emission of inorganic electroluminescent device, since that emit light by colliding with electrons accelerated by the application of a high electric field to the light emitting center, a so-called contention-excitation emission, the driving of the element 100V
以上の高電圧の印加が要求される。 Applying the above high voltage is required. このため、周辺機器の高コスト化を招くという問題がある。 Therefore, there is a problem that leads to high cost of the peripheral device. また、青色発光の良好な発光体がないためフルカラーの表示ができないという問題もある。 Further, there is a problem that can not be full-color display because there is no good light emitters blue light.

【0004】これに対して、有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極及び陰極の両電極から注入された電荷(正孔及び電子)が発光体中で再結合して励起子を生成し、それが発光材料の分子を励起して発光するという、 [0004] On the contrary, the organic electroluminescent device, charges injected from both electrodes of the anode and cathode (holes and electrons) recombine in the light-emitting element in generating an exciton, it luminescent material that emits a molecular excitation to,
いわゆる注入型発光素子であるため、低電圧で駆動することができる。 Since a so-called injection type light-emitting element can be driven at a low voltage. しかも、発光材料は有機化合物であるため発光材料の分子構造を容易に変更することができ、それにより任意の発光色を得ることができる。 Moreover, the light emitting material the molecular structure of a light emitting material for an organic compound can be easily changed, thereby it is possible to obtain an arbitrary emission color. 従って、有機エレクトロルミネッセンス素子はこれからの表示素子として非常に有望である。 Accordingly, the organic electroluminescent device is very promising as a future display device.

【0005】有機エレクトロルミネッセンス素子の原形は、正孔輸送層と電子輸送層の2層を備えた2層構造の素子であり、タン(Tang)とバンスライク(VanSlyke) [0005] original form of the organic electroluminescent device is a device having a two-layer structure having two layers of the hole transport layer and an electron transporting layer, Tan (Tang) and VanSlyke (VanSlyke)
によって提案された[ CW Tang and SA VanSlyk Proposed by [CW Tang and SA VanSlyk
e; Appl. Phys. Lett., 51 (1987) 913 ]。 e;... Appl Phys Lett, 51 (1987) 913]. 該素子は、 This device,
ガラス基板上に積層形成した陽極、正孔輸送層、電子輸送性発光層及び陰極からなる。 Anode was laminated on a glass substrate, a hole transport layer, an electron transport light-emitting layer and the cathode.

【0006】かかる素子では、正孔輸送層が陽極から電子輸送性発光層へ正孔を注入する働きをするとともに、 [0006] In such a device, as well as serve to hole transport layer to inject holes from the anode into the electron-transport luminescent layer,
陰極から注入された電子が正孔と再結合することなく陽極へ逃げるのを防ぎ、電子輸送性発光層内に電子を封じ込める役割をも果たしている。 Prevent escape to the anode without electrons injected from the cathode are recombined with holes, also we play a role to contain the electrons in the electron-transport luminescent layer. このため、この正孔輸送層による電子の封じ込め効果により、単層発光体構造の素子に比べてより効率よく電子と正孔の再結合が起こり、駆動電圧の大幅な低下が可能になった。 Therefore, the electron confinement effect of the hole transport layer more efficiently recombination of electrons and holes in comparison with the device of a single layer light emitting structure occurs has allowed substantial reduction in driving voltage.

【0007】また、斎藤らは、2層構造の素子において、電子輸送層だけでなく正孔輸送層も発光層となり得ることを示した[ C. Adachi, T. Tsutsui and S. Sait Further, Saito et al., In elements of a two-layer structure, a hole transport layer not only electron-transporting layer also showed that could cause luminescent layer [C. Adachi, T. Tsutsui and S. Sait
o; Appl. Phys. Lett., 55 (1989) 1489 ]。 o;... Appl Phys Lett, 55 (1989) 1489].

【0008】斉藤らは、2層構造素子の改良として正孔輸送層と電子輸送層の間に有機発光層が挟まれた3層構造の素子を提案している[ C. Adachi, S. Tokito, T. [0008] Saito et al., The organic emission layer between the hole transport layer and the electron transport layer is proposed a device of three-layer structure is sandwiched as an improvement of the two-layer structure element [C. Adachi, S. Tokito , T.
Tsutsui and S. Saito; Jpn. J. Appl. Phys., 27 (198 Tsutsui and S. Saito;... Jpn J. Appl Phys, 27 (198
8) L269 ]。 8) L269]. これは、ガラス基板上に積層形成した陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極からなり、 This anode was laminated on a glass substrate, a hole transport layer, light emitting layer, electron transporting layer, and a cathode,
正孔輸送層が電子を発光層に封じ込める働きをするとともに、電子輸送層が正孔を発光層に封じ込める働きをするため発光効率がさらに向上している。 With the hole transport layer serves to confine electrons to the light emitting layer, an electron transporting layer light emitting efficiency to serve to confine the holes to the emitting layer are further improved.

【0009】ところで有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極は一般的には仕事関数の小さな金属を有機層の上に100nm程度の膜厚に蒸着して形成されており、 By the way cathode of the organic electroluminescent device generally is formed by depositing a film thickness of about 100nm on the organic layer a metal having a low work function,
不透明である。 They are opaque. 有機エレクトロルミネッセンス素子において陽極とともに陰極も透光性を有する電極を用いた場合には透光性の自発光素子となり、応用範囲が広がる。 With an anode in the organic electroluminescence device when the cathode even using an electrode having a light-transmitting becomes transparent self-luminous device, the application range is widened.

【0010】この点、透明な有機エレクトロルミネッセンス素子については、特開平8−185984号公報に開示されている。 [0010] In this respect, the transparent organic electroluminescent device is disclosed in JP-A-8-185984. 同公報が教える素子は、電子輸送層、 Elements this publication teaches the electron-transporting layer,
発光層及び正孔輸送層からなる有機発光膜と透明導電層の間に低仕事関数の金属又はその合金の透光性を有する数nmの薄層を形成し、その上にITO(Indium TinOxi Emitting layer and forming a metal or thin layer of a few nm to a light-transmitting of the alloy of low work function between the organic light-emitting layer and a transparent conductive layer formed of a hole transport layer, ITO (Indium TinOxi thereon
de)からなる透明導電層(陰極)を形成する一方、正孔輸送層側にはITOからなる透明導電層(陽極)を設けたものである。 While forming a transparent conductive layer made of de) (cathode), the hole transport layer side are those provided transparent conductive layer made of ITO (anode). 一般に陰極に透明導電層を電極として用いた場合、陰極と電子輸送層のエネルギーギャップが大きくなりすぎ有機発光膜への電子注入性が低下し発光効率は悪くなるが、有機発光膜と透明導電層の間に低仕事関数の金属又はその合金の数nmの薄層を挿入することでこれを解決しようとするものである。 Generally when used as electrodes a transparent conductive layer on the cathode, but the emission efficiency decreases electron injection in organic light-emitting film energy gap of the cathode and the electron transport layer is too large becomes worse, the organic light emitting layer and the transparent conductive layer it is intended to solve this by inserting a metal or a thin layer of a few nm of the alloy of low work function between.

【0011】 [0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平8−185984号公報に記載の構造の素子を作製する場合、仕事関数の低い金属の薄層を採用する故に次の問題がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, the case of manufacturing the element structure described in JP-A-8-185984, the following problems because of adopting a thin layer of low work function metal. すなわち、仕事関数の低い金属の薄膜を形成することは難しく、薄膜が形成できたとしても薄膜の状態では酸化等が起きやすく非常に不安定であるため、かかる低仕事関数金属の薄膜上に透明導電層を形成するのは非常に困難である。 That is, by forming a thin film of a low work function metal is difficult, since a thin film state even as a thin film were formed very unstable oxide or the like is likely to occur, transparent thin film of such low work function metal it is very difficult to form a conductive layer.

【0012】そこで本発明は、疑似的に透光性を有し、 [0012] The present invention, artificially has translucency,
高輝度で発光効率がよく、作製容易である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを課題とする。 Luminous efficiency at high brightness good, it is an object to provide an organic electroluminescent device is easily manufactured.

【0013】 [0013]

【課題を解決するための手段】本発明者の研究によると、有機エレクトロルミネッセンス素子において高輝度、高発光効率を達成するという観点からすると、陰極には低仕事関数の金属からなる比較的厚い膜を採用することがよいこと、そのような比較的厚い膜を採用すると、その部分では透光性が小さくなる又はなくなるものの、その部分の、素子の被観察領域全体に占める面積割合を小さくすれば、疑似的に透光性を達成できる、そのような疑似的な透光性を有する素子は、例えばカメラのファインダー、コンピュータのディスプレイ、テレビ、 According to the present inventors' studies A resolving means for the ## high luminance in the organic electroluminescent element, from the viewpoint of achieving high luminous efficiency, a relatively thick layer made of a low work function metal cathode good be employed, when employing such relatively thick films, but in that part translucent is or no longer less, of that portion by reducing the area percentage of the total region to be observed in the element , artificially achieve translucency, such pseudo device having a light-transmitting property, for example, a camera viewfinder, computer displays, televisions,
その他の表示機器における表示画面、自動者等の車両のフロントガラスやメータ類の透明カバー、窓ガラス等に組み込んでも、それらの本来の用途、機能などを妨げることなく、必要に応じて発光させて表示できる。 Display screen in other display devices, a transparent cover of the windshield and the meters of the vehicle automatic and others, be integrated into the window glass or the like, their intended purpose, without interfering with such function, by emitting light as necessary It can be displayed.

【0014】本発明はかかる知見に基づくもので、前記課題を解決するため、少なくと陽極、有機発光膜及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、前記陽極が透光性導電性膜からなり、前記陰極が低仕事関数の金属を含有する金属膜からなり、該陰極に透光性導電性膜からなる通電用引き回し部分が接続形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子を提供する。 [0014] The present invention is based on such findings, in order to solve the above problems, in the organic electroluminescent display device having an anode, an organic light-emitting layer and a cathode small, the anode is made from a transparent conductive film, a metal film, wherein the cathode contains a metal having a low work function, to provide an organic electroluminescent display device characterized by energizing lead part made of a transparent conductive film is connected formed cathode .

【0015】前記有機発光膜としては次のものを例示できる。 [0015] can be exemplified include: as the organic light emitting layer. 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発光層を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層、有機発光層及び電子移動関連層を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子移動関連層を積層したもの。 From the anode side to the cathode side, which was laminated hole transport associated layer and an organic light emitting layer, from the anode side to the cathode side, the hole moving relevant layer, a laminate of an organic luminescent layer and an electron transfer associated layer, from the anode side the cathode side, which was laminated an organic light emitting layer and electron transport-related layers. 正孔移動関連層や電子移動関連層は、電極の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設けるようにすればよい。 Hole transport related layer and electron transfer associated layer may be so provided as necessary in accordance with the characteristics of the electrode characteristics and the organic light emitting layer. 〜において、正孔移動関連層としては、 In ~, as a hole transport related layer,
a)正孔注入層、b)正孔輸送層、c)正孔注入層及び正孔輸送層、d)正孔注入輸送層からなる群れより選択されるいずれかの層とすることができ、電子移動関連層としては、a)電子注入層、b)電子輸送層、c)電子注入層及び電子輸送層、d)電子注入輸送層からなる群れより選択されるいずれかの層とすることができる。 a) hole injection layer, b) a hole transport layer, c) a hole injecting layer and a hole transport layer, can be any of the layers selected from herd consisting of d) a hole injection transport layer, the electron transfer associated layer, a) an electron injection layer, b) an electron transport layer, c) an electron injection layer and the electron transport layer, d) be any of the layers selected from herd consisting of electron injection transport layer it can. これらの各層も、電極の特性や有機発光層の特性に合わせて適当なものを選択して設けるようにすればよい。 These layers also may be such in accordance with the characteristics of the electrode characteristics and the organic light-emitting layer provided by selecting the appropriate one. まこ〜において、有機発光層については、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部若しくは一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部若しくは一部に、蛍光物質をドープすることで、これらの層の全部又は一部を発光層とすることもできる。 In Mako ~, for organic light-emitting layer, for example, all or a portion of the hole transport layer or the hole injecting and transporting layer, or the whole or part of the electron transport layer or an electron injection transport layer, by doping the fluorescent substance , it may be all or part of these layers and the light-emitting layer.

【0016】いずれにしても、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子によると、陰極は低仕事関数の金属を含有する金属膜からなるから、高輝度、高発光率の表示を達成できる。 [0016] Anyway, according to the organic electroluminescent display device according to the present invention, the cathode because made of a metal film containing low work function metal, high brightness, the display of high luminous efficiency can be achieved. そして該陰極がたとえ透光性を有しない場合でも、陰極に接続形成された通電用の引回し部分や陽極は透光性導電性膜からなっているから、 And even when the cathode is even no light-transmitting, since lead portion and anode for energizing connected forming the cathode is made from light-transmitting conductive film
該陰極部分のうち、少なくとも発光表示に直接寄与する部分、すなわち陽極に対向する部分を幅狭く形成したり、その部分が素子表示画面(素子の被観察領域)に占める面積割合を小さくしておく等により、本発明に係る表示素子は疑似的に透光性を有することができ、各種分野に適用できる。 Of cathode portions, keep directly the portion contributing to at least a light emitting display, i.e. or width narrower opposing portion to the anode, the area ratio portion thereof occupies the device display screen (the observation area of ​​the element) small or the like by the display device according to the present invention is pseudo-may have a light-transmitting property can be applied to various fields. 例えば、カメラ、顕微鏡、望遠鏡等のインファインダー用ディスプレイ、時計の文字盤の照明 窓ガラス、水槽など透明な板面に組み込んだディスプレイや照明、自動車、鉄道車両等のヘッドアップディスプレイ、車両等のバックミラーやルームミラーに組み込んだディスプレイ、他の表示画面に重ねて使用するオーバーレイディスプレイ、トレースタブレットに組み込んだディスプレイ、蛍光表示玩具など、幅広い分野に適用できる。 For example, a camera, a microscope, in-finder display of the telescope, etc., illumination window glass of the dial watch, water tank, such as a transparent plate surface to incorporating display, lighting, automobiles, head-up display, such as a railway vehicle, the back of a vehicle or the like display incorporated in the mirror and room mirror, overlay display using superimposed on the other display screen, display incorporated into the trace tablet, such as a fluorescent display toys, it can be applied to a wide range of fields.

【0017】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子のいずれについても、次の表示素子とすることができる。 [0017] For any of the organic electroluminescent display device according to the present invention can be a next display element. ・前記陰極の、発光に直接寄与する部分(有機発光膜の発光部分に対応する部分、すなわち有機発光膜を介して陽極と対向する部分)が、そして極端な場合はその部分のみがマグネシウム又はリチウムを含有する金属膜からなっている表示素子。 Of-the cathode (the portion corresponding to the light emitting portion of the organic emission layer, i.e. the portion facing the anode through the organic light emitting layer) directly contributing portion emission and extreme case only that portion is magnesium or lithium display device which is a metal film containing. ・前記陽極が透光性の酸化インジウム錫化合物からなり、前記陰極が非透光性の金属膜からなり、該陰極の周囲が透光性を有している表示素子。 - said anode is made of indium tin oxide compound of translucent, the cathode is made of non-transparent metal film, a display device around the cathode has a light-transmitting property. ・前記有機発光膜が前記陽極側に配置された正孔移動関連層及び前記陰極側に配置された有機発光層を含んでおり、前記陽極は透光性の導電性金属酸化物膜からなり、 - the organic light emitting film includes a hole mobility associated layer and an organic light emitting layer disposed on the cathode side which is disposed on the anode side, the anode is made from a transparent conductive metal oxide film,
前記陰極は不透明の金属膜からなり、前記陰極に接続された引回し部分は透光性の導電性化合物膜からなる表示素子。 The cathode is made of an opaque metal film, connected lead portion on the cathode display device comprising a light-transmitting conductive compound film.

【0018】・前記陽極及び該陽極上に接続されるべき通電用引回し部分がITO(Indium Tin Oxide)膜で透明基板上にパターンニング形成されており、前記陰極が不透明金属膜からなる表示素子。 [0018] - the anode and the current supply routing portion to be connected to said positive best are patterned formed on the ITO (Indium Tin Oxide) film with a transparent substrate, a display device wherein the cathode is made of an opaque metal film . ・前記陽極・陰極間部分の厚さが20nm〜200nm Thickness of the anode-cathode between parts 20nm~200nm
である表示素子。 Display element is. このような素子の膜厚は、素子のブレイクダウンを防ぎつつ、駆動電圧を低くする上で都合がよい。 The thickness of such a device, while preventing breakdown of the element, it is advantageous in terms of lowering the driving voltage. ・前記陰極を構成している線の幅が1mm以下である表示素子。 - the width of the lines constituting the cathode is 1mm or less display device. このような陰極線幅は素子を疑似的に透明にする上で好ましい。 Such cathode ray wide preferred for the element to pseudo transparent. 陰極の線幅の下限は特に限定されず、 The lower limit of the line width of the cathode is not particularly limited,
陰極を形成する際に用いるマスクの精度の許容範囲、例えば10μm程度まで細くすることも可能である。 Tolerance accuracy of mask used in forming the cathode, for example, it is possible to thin up to about 10 [mu] m. ・前記有機発光膜における発光層は蛍光色素がドープされた層である表示素子。 Display device - light-emitting layer in the organic light emitting layer is a layer fluorescent dye doped. ドープする蛍光色素を選択でき、発光波長の選択、発光効率、素子寿命の点で有利である。 Can select dope fluorescent dyes, the choice of emission wavelength, emission efficiency, which is advantageous in terms of device life. ・前記有機発光膜が前記陰極側から前記陽極側へ電子移動関連層、発光層、正孔移動関連層を含んでいる表示素子。 - the organic light emitting layer electron transfer associated layer from the cathode side to the anode side, the light emitting layer, a display device includes a hole transport related layer.

【0019】・前記有機発光膜はそれぞれ個別的に発光パターンが定められた少なくとも二つの発光部分を含んでおり、該各発光部分はそれぞれ異なる発光色で表示される表示素子。 [0019] - the organic light emitting layer is respectively comprise at least two light emitting portions defined individually emit light pattern, the display device each of said light emitting portion is displayed in a different luminescent colors respectively. ・2枚のガラス基板の間に封止されている表示素子。 · Two display elements are sealed between the glass substrates. ・2色以上のカラー表示が可能である表示素子。 - two or more colors of color display is possible is a display element. ・前記有機発光膜における発光部分が占める面積が素子の被観察領域全体の1/10以下である表示素子。 - the display element area occupied by light-emitting portion of the organic light-emitting layer is less than 1/10 of total the observed region of the device. 換言すれば、素子の発光表示部の面積が、発光表示部及び発光表示部の周囲にある透光性部を含めた被観察領域全体の面積の1/10以下である表示素子。 In other words, the area of ​​the light-emitting display portion of the device, the light emitting display unit and a light-emitting display element region to be observed overall 1/10 or less is a display element of the area including the light-transmitting portion surrounding the. このような表示素子は、該表示素子を透して得られる透過像と重ねて表示する際も、その透過像に対して発光表示部が比較的目障りにならない点で好ましいものである。 Such display devices are also when displaying superimposed with transmission image obtained it through the display element, it is preferred in that the light-emitting display portion does not become relatively unsightly for the transmitted image. ・前記陽極及び陰極は表示素子を単純マトリクス駆動させるように設けられており、単純マトリクス駆動させ得る表示素子。 - the anode and cathode is provided so as to simple matrix driving display elements, the display device may simple matrix was driven. この素子は構造が簡単で製作し易くなり、 This device is easily manufactured structure is simple,
また、表示画面全体の透過率を上げることができる。 Further, it is possible to increase the transmittance of the entire display screen.

【0020】 [0020]

【発明の実施の形態】以下に本発明実施の形態を図面を参照して説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION be described with reference to the drawings Embodiments of the present invention carried out the following. 図1から図5のそれぞれは本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子の例の概略構成を模式的に示している。 Each Figures 1-5 is a schematic configuration example of an organic electroluminescent display device of the present invention is schematically shown. 図1に示す表示素子Aは、 Display device A shown in Figure 1,
透明なガラス等からなる透明基板G上に透明導電性膜からなる陽極1、有機発光膜La、低仕事関数の金属を含有する金属膜からなる陰極5及び透明導電性化合物膜からなる通電用の引回し部分10を順次積層形成したものである。 Anode 1 made of transparent glass or the like transparent conductive film on a transparent substrate G made of an organic light emitting layer La, the energization consisting cathode 5 and the transparent conductive compound film made of a metal film containing metal having a low work function it is obtained by successively laminated a leading portion 10. 有機発光膜Laはここでは積層された正孔注入輸送層2及び有機発光層3から構成されている。 The organic light emitting layer La is composed of the hole injection transport layer 2 and the organic light emitting layer 3 laminated here. 正孔注入輸送層2は陽極1に重ねられており、有機発光層3は陰極5に重ねられている。 The hole injection transport layer 2 is superimposed on the anode 1, the organic light-emitting layer 3 is superposed on the cathode 5.

【0021】図2に示す表示素子Bは、表示素子Aの変形例であり、透明基板G上に陽極1、有機発光膜Lb、 The display device B shown in FIG. 2 is a modified example of the display device A, the anode 1 on a transparent substrate G, the organic light emitting layer Lb,
陰極5及び通電用の引回し部分10を順次積層形成したものである。 The cathode 5 and routing portion 10 for energization is obtained by successively laminated. 有機発光膜Lbは順次積層された正孔注入輸送層2、有機発光層3'及び電子輸送層6からなっている。 The organic light emitting layer Lb sequentially laminated positive hole injection transport layer 2, is made from the organic light emitting layer 3 ', and an electron transport layer 6. 正孔注入輸送層2は陽極1に重ねられており、電子輸送層6は陰極5に重ねられている。 Hole injection transport layer 2 is superimposed on the anode 1, the electron transport layer 6 are stacked on the cathode 5.

【0022】図3に示す表示素子Cは、透明なガラス等からなる透明基板G上に透明導電性化合物膜からなる陽極1、有機発光膜Lc、低仕事関数の金属を含有する金属膜からなる陰極5及び透明導電性化合物膜からなる通電用の引回し部分10を順次積層形成したものである。 [0022] Display device C shown in FIG. 3, the anode 1 made of transparent glass transparent conductive compound on a transparent substrate G made of such film, a metal film containing an organic luminescent layer Lc, the low work function metals the routing portion 10 for energizing comprising a cathode 5 and a transparent conductive compound film is obtained by successively laminated.
有機発光膜Lcは順次積層された正孔注入層7、正孔輸送層8、有機発光層3”、電子輸送層6及び電子注入層4からなっている。正孔注入層7は陽極1に重ねられており、電子注入層4は陰極5に重ねられている。 The organic light emitting layer Lc sequentially stacked hole injection layer 7, hole transport layer 8, organic light-emitting layer 3 ', which is an electron transport layer 6 and the electron injection layer 4. The hole injection layer 7 to the anode 1 and superimposed, the electron injection layer 4 is superimposed on the cathode 5.

【0023】図4に示す表示素子Dは、表示素子Cの変形例であり、透明基板G上に陽極1、有機発光膜Ld、 The display device D shown in FIG. 4 is a modified example of the display device C, an anode 1 on a transparent substrate G, the organic light emitting layer Ld,
陰極5及び透明導電性化合物膜からなる通電用の引回し部分10'を順次積層形成し、さらに引回し部分10' Routing portion 10 for energizing comprising a cathode 5 and a transparent conductive compound film 'sequentially stacked form, further leading portion 10'
上に封止膜9を形成したものである。 It is obtained by forming a sealing film 9 above. 有機発光膜Ldは図3に示す素子における有機発光膜Lcと同構成のものである。 The organic light emitting layer Ld are those of the organic light emitting layer Lc and the same configuration of elements shown in FIG. 図5に示す表示素子Eは、透明なガラス等からなる透明基板G上に透明導電性化合物膜からなる陽極1、有機発光膜Le、低仕事関数の金属を含有する金属膜からなる陰極5及び透明導電性化合物膜からなる通電用の引回し部分10を順次積層形成したものである。 Display element E shown in FIG. 5, the anode 1 made of a transparent conductive compound film on a transparent substrate G made of transparent glass or the like, an organic light-emitting film Le, the cathode 5 and made of a metal film containing metal having a low work function is obtained by successively laminated a lead portion 10 for energization of a transparent conductive compound film. 有機発光膜Leは順次積層された正孔注入輸送層2、有機発光層30、電子輸送層6及び電子注入層4からなっている。 The organic light emitting film Le sequentially stacked hole injection transport layer 2, the organic light-emitting layer 30 consists of an electron-transporting layer 6 and the electron injection layer 4. 正孔注入輸送層2は陽極1に重ねられており、電子注入層4は陰極5に重ねられている。 The hole injection transport layer 2 is superimposed on the anode 1, the electron injection layer 4 is superimposed on the cathode 5.

【0024】前記いずれの表示素子においても、陽極1 [0024] The In any of the display device, the anode 1
と陰極5に電源PWから所定の電圧を印加することにより有機発光層3(又は3'又は3”又は30)が発光する。前記いずれの表示素子においても、透明基板Gとしては、適度の強度を有し、有機エレクトロルミネッセンス表示素子作製時、膜蒸着時等における熱に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定されないが、そのようなものを例示すると、ガラス基板、透明な樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を挙げることができる。 An organic light-emitting layer 3 by applying a predetermined voltage from a power source PW to the cathode 5 (or 3 'or 3 "or 30) emits light. The In any of the display device, the transparent substrate G, moderate intensity has, during manufacturing the organic electroluminescent display device, without being adversely to the heat at the time of film deposition, etc., are not particularly limited as long as transparency, to illustrate such a glass substrate, a transparent resin, for example, polyethylene, polypropylene, polyether sulfone, and the like polyether ether ketone.

【0025】図4に示す表示素子では陰極5の上に封止膜9が設けられているが、この封止膜は有機エレクトロルミネッセンス素子を構成している各層への水分や酸素の侵入を防止するためのものである。 [0025] While sealing film 9 on the cathode 5 in the display device shown in FIG 4 is provided, this sealing film prevents the penetration of moisture and oxygen into the layers constituting the organic electroluminescence element it is meant to be. 本発明に係る他の有機エレクトロルミネッセンス表示素子においても係る封止膜を設けることができる。 Sealing film can be provided according in other organic electroluminescent display device according to the present invention. 封止膜の材料としては、 As the material of the sealing film,
MgO,SiO,SiO 2 ,Al 23 ,GeO,Ni MgO, SiO, SiO 2, Al 2 O 3, GeO, Ni
O,CaO,BaO,Fe 23 ,Y 23 ,TiO 2 O, CaO, BaO, Fe 2 O 3, Y 2 O 3, TiO 2
等の金属酸化物、MgF 2 ,LiF,AlF 3 ,CaF Metal oxides etc., MgF 2, LiF, AlF 3 , CaF
2等の金属フッ化物等を例示できるが、前述の導電性酸化錫等の導電性金属酸化物を用いてもよい。 Although two metal fluorides such can be exemplified, it may be used a conductive metal oxide such as the aforementioned conductive tin oxide.

【0026】図1から図5に示す表示素子だけでなく、 [0026] rather than from Figure 1 only display element shown in FIG. 5,
本発明に係る表示素子の陽極、有機発光膜及び陰極は、 The anode of the display element of the present invention, the organic light-emitting layer and the cathode,
透明基板上に順次積層形成することができる。 It can be sequentially laminated on a transparent substrate. 図1から図5に示す表示素子だけでなく、本発明に係る表示素子全般について言えることであるが、図示の陽極1を含め、陽極は透光性の導電性膜、好ましくは透明導電性膜で形成する。 From Figure 1 as well as the display device shown in FIG. 5, but is true for display devices in general according to the present invention, including an anode 1 shown, the anode is transparent conductive film, preferably a transparent conductive film in form. かかる陽極膜の材料として、4eV程度よりも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用いることが好ましい。 As the material for such an anode layer, it is preferable to use a conductive material having a larger work function than about 4 eV. かかる物質として、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金のような金属のほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物及びそれらの固溶体や混合体などの導電性金属化合物のような導電性化合物を例示できる。 As such materials, carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, tungsten, silver, tin, other metals, such as gold or the like and alloys containing them, tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc, conductive compounds such as metal oxides and conductive metal compounds, such as solid solution thereof or a mixture of such zirconium oxide can be exemplified.

【0027】陽極を形成する場合、透明基板上に、前記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリング等の手法やゾル―ゲル法或いはかかる物質を樹脂等に分散させて塗布する等の手法を用いて所望の透光性と導電性が確保されるように形成すればよい。 In the case of forming an anode on a transparent substrate, a conductive material such as described above, vapor deposition, method or sol such as sputtering - a technique such as that applied by the gel method or such a substance is dispersed in a resin or the like desired translucency and conductivity may be formed so as to be secured with. 陽極の膜厚は、透光性を得るために、金属製陽極の場合、1nm〜10n The thickness of the anode, in order to obtain a light-transmitting, for metal anodes, 1Nm~10n
m程度が好ましく、より好ましくは1nm〜8nm程度である。 Preferably about m, more preferably about 1Nm~8nm. また、導電性金属化合物のような導電性化合物の陽極の場合は10nm〜300nmが好ましい。 In the case of anode conductive compound such as conductive metal compound 10nm~300nm it is preferred. 透明基板及び陽極として、ガラス基板上に透明電極が形成されたもの、例えばガラス基板上にITO(Indium Tin O As the transparent substrate and the anode, that a transparent electrode on a glass substrate is formed, for example, ITO on a glass substrate (Indium Tin O
xide)からなる透明電極を設けたもの、NESAガラスと通称されているコーニング社製の、透明電極をガラス基板上に形成したもの等を使用してもよい。 That a transparent electrode made of Xide), manufactured by Corning Inc. is NESA glass commonly called, a transparent electrode may be used such as those formed on a glass substrate.

【0028】次に図5に示す構成の表示素子Eを例にとってその作製について説明する。 [0028] Then the display element E of the construction shown in FIG 5 will be described a manufacturing as an example. 透明基板G及び陽極1 Transparent substrate G and the anode 1
として前記いずれかのものを採用する。 The employ either of those as. 次に、透明基板Gに陽極1上から正孔注入輸送層2を形成する。 Next, a hole injection transport layer 2 from above the anode 1 to the transparent substrate G. 図示の正孔注入輸送層2を含め、本発明に係る表示素子において正孔輸送層或いは正孔注入輸送層の形成のために用いることができる正孔輸送材料としては、公知のものが使用可能である。 Including a hole injection transport layer 2 of the illustrated, as the hole transporting materials that can be used to form the hole transport layer or hole injection transport layer in the display device according to the present invention, it can be used known ones it is.

【0029】例えばN,N' ―ジフェニル―N,N' ― [0029] For example N, N '- diphenyl -N, N' -
ビス(3―メチルフェニル)―1,1' ―ジフェニル― Bis (3-methylphenyl) -1,1 '- Diphenyl -
4,4' ―ジアミン、N,N' ―ジフェニル―N,N' 4,4 '- diamine, N, N' - diphenyl -N, N '
―ビス(4―メチルフェニル)―1,1' ―ジフェニル―4,4' ―ジアミン、N,N' ―ジフェニル―N, - bis (4-methylphenyl) -1,1 '- diphenyl-4,4' - diamine, N, N '- diphenyl -N,
N' ―ビス(1―ナフチル)―1,1' ―ジフェニル― N '- bis (1-naphthyl) -1,1' - diphenyl -
4,4' ―ジアミン、N,N' ―ジフェニル―N,N' 4,4 '- diamine, N, N' - diphenyl -N, N '
―ビス(2―ナフチル)―1,1' ―ジフェニル―4, - bis (2-naphthyl) -1,1 '- diphenyl-4,
4' ―ジアミン、N,N' ―テトラ(4―メチルフェニル)―1,1' ―ビス(3―メチルフェニル)―4, 4 '- diamine, N, N' - tetra (4-methylphenyl) -1,1 '- bis (3-methylphenyl) -4,
4' ―ジアミン、N,N' ―ジフェニル―N,N' ―ビス(3―メチルフェニル)―1,1' ―ビス(3―メチルフェニル)―4,4' ―ジアミン、N,N' ―ビス(N―カルバゾリル)―1,1' ―ジフェニル―4, 4 '- diamine, N, N' - diphenyl -N, N '- bis (3-methylphenyl) -1,1' - bis (3-methylphenyl) -4,4 '- diamine, N, N' - bis (N- carbazolyl) -1,1 '- diphenyl-4,
4' ―ジアミン、4,4' ,4”―トリス(N―カルバゾリル)トリフェニルアミン、N,N' ,N" ―トリフェニル―N,N' ,N" ―トリス(3―メチルフェニル)―1,3,5―トリ(4―アミノフェニル)ベンゼン、4,4' ,4”―トリス[N,N' ,N" ―トリフェニル―N,N' ,N" ―トリス(3―メチルフェニル)]トリフェニルアミンなどを挙げることができる。 4 '- diamine, 4,4', 4 "- tris (N- carbazolyl) triphenylamine, N, N ', N" - triphenyl -N, N', N "- tris (3-methylphenyl) - 1,3,5-tri (4-aminophenyl) benzene, 4,4 ', 4 "- tris [N, N', N" - triphenyl -N, N ', N "- tris (3-methylphenyl ) triphenyl amine.
これらのものは2種以上を混合して使用してもよい。 These things may be used by mixing two or more kinds.

【0030】正孔注入輸送層2を含め、本発明に係る表示素子における正孔輸送層或いは正孔注入輸送層は、前記のような正孔輸送材料を蒸着して形成してもよいし、 [0030] including the hole injection transport layer 2, a hole transporting layer or hole injecting and transporting layer in the display device according to the present invention may be formed by depositing the hole transport material, such as,
正孔輸送材料を溶解した溶液や正孔輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。 Using the hole transport material was dissolved solution or a solution obtained by dissolving the hole transport material together with a suitable resin you may be formed by a coating method such as dip coating or spin coating. 蒸着法で形成する場合、その厚さは1nm〜500nm程度とし、塗布法で形成する場合は、その厚さは5nm〜10 When forming by vapor deposition, when the thickness thereof is set to about 1 nm to 500 nm, to form a coating method, the thickness of 5nm~10
00nm程度にすればよい。 It may be set to about 00nm. 正孔輸送層或いは正孔注入輸送層は、その膜厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪くなり、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の劣化を招きやすい。 A hole transport layer or hole injection transport layer has a film thickness it is necessary to increase the applied voltage to the light emitting thicker emission efficiency is deteriorated, it tends to cause the deterioration of the organic electroluminescence display device. また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命が短くなる。 The luminous efficiency and film thickness is thin may become but the life of the organic electroluminescent device tends to break down shorter. 従って、発光効率及び素子の寿命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。 Therefore, in consideration of the lifetime of the light-emitting efficiency and element may be formed in a range of thickness of the.

【0031】次に、正孔注入輸送層2の上に有機発光層30を形成する。 Next, to form the organic luminescent layer 30 on the hole injection transport layer 2. 有機発光層30を含め、本発明に係る表示素子における有機発光層を形成するために用いる有機発光材料としては、公知のものが使用可能である。 Including organic light-emitting layer 30, the organic light emitting material used for forming the organic light-emitting layer in the display device according to the present invention, known ones can be used. 例えばエピドリジン、2,5―ビス[5,7―ジ―t―ペンチル―2―ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2, For example Epidorijin, 2,5-bis [5,7-di -t- pentyl-2-benzoxazolyl] thiophene, 2,
2' ―(1,4―フェニレンジビニレン)ビスベンゾチアゾール、2,2' ―(4,4' ―ビフェニレン)ビスベンゾチアゾール、5―メチル―2―{2―[4―(5 2 '- (1,4-phenylenediamine vinylene) bis benzothiazole, 2,2' - (4,4 '- biphenylene) bis benzothiazole, 5-methyl--2- {2- [4- (5
―メチル―2―ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル}ベンゾオキサゾール、2,5―ビス(5―メチル― - methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl} benzoxazole, 2,5-bis (5-methyl -
2―ベンゾオキサゾリル)チオフェン、アントラセン、 2-benzoxazolyl) thiophene, anthracene,
ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペリノン、1,4―ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、2―(4―ビフェニル)―6―フェニルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオキシン、ビス(ベンゾ―8―キノリノール)亜鉛、ビス(2―メチル―8―キノリノール)アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス(5―メチルオキシン)、リチウムオキシン、 Naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, perinone, 1,4-diphenyl butadiene, tetraphenyl butadiene, coumarin, acridine, stilbene, 2- (4-biphenyl) -6-phenyl-benzoxazole, aluminum trisoxine, magnesium bisoxine , bis (benzo-8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinol) aluminum oxide, indium trisoxine, aluminum tris (5-methyloxine), lithium oxine,
ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス(5―クロロオキシン)、ポリ亜鉛―ビス(8―ヒドロキシ―5―キノリノリル)メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、1,2―フタロペリノン、1,2―ナフタロペリノン、ポリフェリレンビニレン化合物などを挙げることができる。 Gallium trisoxine, calcium bis (5-chloro-oxine), poly zinc - bis (8-hydroxy-5-Kinorinoriru) methane, dilithium et pin drill dione, zinc Bisuokishin, 1,2 phthaloperynone, 1,2 naphthaloperinone, poly ferri vinylene compounds, and the like. また、一般的な蛍光染料、例えば蛍光クマリン染料、蛍光ペリレン染料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピラン染料、蛍光ポリメチン染料、蛍光メシアニン染料、蛍光イミダゾール染料等も使用できる。 Also, common fluorescent dyes such as fluorescent coumarin dyes, fluorescent perylene dye, fluorescent pyran dyes, fluorescent thiopyran dyes, fluorescent polymethine dye, a fluorescent Meshianin dyes, also fluorescent imidazole dyes and the like can be used.
このうち特に好ましいものとして、キレート化オキシノイド化合物を挙げることができる。 As these particularly preferred, mention may be made of chelated oxinoid compound.

【0032】有機発光層30を含め、本発明に係る表示素子における有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸着して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液や有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。 [0032] including the organic light-emitting layer 30, the organic light-emitting layer in the display device according to the present invention may be formed by depositing an organic light emitting material as described above, a solution or an organic light emitting dissolving the organic light-emitting material using a solution obtained by dissolving with a suitable resin material, it may be formed by a coating method such as dip coating or spin coating. 蒸着法で形成する場合、その厚さは1nm〜500nm程度とし、塗布法で形成する場合は、その厚さは5nm〜1000nm程度にすればよい。 When forming by deposition, the thickness is about 1 nm to 500 nm, when forming a coating method, the thickness may be about 5 nm to 1000 nm. 有機発光層についても、膜厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪くなり、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の劣化を招きやすい。 For even organic light-emitting layer, it is necessary to increase the applied voltage to the light emitting as the film thickness is larger luminous efficiency is deteriorated, it tends to cause the deterioration of the organic electroluminescence display device. また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネッセンス表示素子の寿命が短くなる。 The emission efficiency and film thickness is thin may become but the life of the organic electroluminescent display device tends to break down shorter. 従って、発光効率及び素子の寿命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。 Therefore, in consideration of the lifetime of the light-emitting efficiency and element may be formed in a range of thickness of the.

【0033】なお、有機発光層は前記蛍光物質からなる単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整するために、多層構成としてもよい。 [0033] Note that the organic light-emitting layer may have a single layer structure composed of the fluorescent materials, luminescent colors, in order to adjust the properties such as strength of the emission may have a multilayer structure. また、2種以上の蛍光物質を混合して形成したり、発光物質(例えば、ルブレン、クマリン、キナクリドンやキナクリドン誘導体などの蛍光色素)を、前記の有機発光材料や正孔輸送材料、又は後述する電子輸送材料にドープしたものでもよい。 Also, may be formed as a mixture of two or more fluorescent materials, luminescent materials (e.g., rubrene, coumarin, fluorescent dyes such as quinacridone and quinacridone derivatives), said organic light-emitting material and a hole transporting material, or later or it may be obtained by doping the electron transport material.

【0034】次に有機発光層30の上に電子輸送層6を形成する。 [0034] Then for forming the electron transporting layer 6 on top of the organic light emitting layer 30. 電子輸送層6を含め、本発明に係る表示素子における電子輸送層(或いは電子注入輸送層)を形成するための電子輸送材料としては、公知のものが使用可能である。 Including an electron-transporting layer 6, as the electron transporting material for forming the electron-transporting layer (or electron injecting and transporting layer) in the display device according to the present invention, known ones can be used. 例えば、2−(4―ビフェニルイル)−5− For example, 2- (4-biphenylyl) -5-
(4−tert―ブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾール、2―(1―ナフチル)―5―(4―te (4-tert- butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2- (1-naphthyl)-5-(4-te
rt―ブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾール、1,4―ビス{2―[5―(4―tertブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾリル]}ベンゼン、1,3―ビス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾリル]}ベンゼン、4,4' ―ビス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―オキサジアゾリル]}ビフェニル、2―(4―ビフェニルイル)―5―(4―te rt- butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis {2- [5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazolyl]} benzene, 1,3 bis {2- [5- (4-tert- butylphenyl) -1,3,4-oxadiazolyl]} benzene, 4,4 '- bis {2- [5- (4-tert- butylphenyl) -1, 3,4-oxadiazolyl]} biphenyl, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-te
rt―ブチルフェニル)―1,3,4―チアジアゾール、2―(1―ナフチル)―5―(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―チアジアゾール、1,4― rt- butyl phenyl) -1,3,4-thiadiazole, 2- (1-naphthyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-thiadiazole, 1,4
ビス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)― Bis {2- [5- (4-tert- butylphenyl) -
1,3,4―チアジアゾリル]}ベンゼン、1,3―ビス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)― 1,3,4-thiadiazolyl]} benzene, 1,3-bis {2- [5- (4-tert- butylphenyl) -
1,3,4―チアジアゾリル]}ベンゼン、4,4' ― 1,3,4-thiadiazolyl]} benzene, 4,4 '-
ビス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)― Bis {2- [5- (4-tert- butylphenyl) -
1,3,4―チアジアゾリル]}ビフェニル、3―(4 1,3,4-thiadiazolyl]} biphenyl, 3- (4
―ビフェニルイル)―4―フェニル―5―(4―ter - biphenylyl) -4-phenyl -5- (4-ter
t―ブチルフェニル)―1,2,4―トリアゾール、3 t- butylphenyl) -1,2,4-triazole, 3
―(1―ナフチル)―4―フェニル―5―(4―ter - (1-naphthyl) -4-phenyl-5-(4-ter
t―ブチルフェニル)―1,2,4―トリアゾール、 t- butylphenyl) -1,2,4-triazole,
1,4―ビス{3―[4―フェニル―5―(4―ter 1,4-bis {3- [4-phenyl -5- (4-ter
t―ブチルフェニル)―1,2,4―トリアゾリル]} t- butylphenyl) -1,2,4-triazolyl]}
ベンゼン、1,3―ビス{2―[1―フェニル―5― Benzene, 1,3-bis {2- [1-phenyl-5
(4―tert―ブチルフェニル)―1,3,4―トリアゾリル]}ベンゼン、4,4' ―ビス{2―[1―フェニル―5―(4―tert―ブチルフェニル)―1, (4-tert- butylphenyl) -1,3,4-triazolyl]} benzene, 4,4 '- bis {2- [1-phenyl-5-(4-tert- butylphenyl) -1,
3,4―トリアゾリル]}ビフェニル、1,3,5―トリス{2―[5―(4―tert―ブチルフェニル)― 3,4-triazolyl]} biphenyl, 1,3,5-tris {2- [5- (4-tert- butylphenyl) -
1,3,4―オキサジアゾリル]}ベンゼンなどを挙げることができる。 , And the like 1,3,4-oxadiazolyl]} benzene. これらのものは、2種以上を混合して使用してもよい。 These things may be used by mixing two or more kinds. また、アルミニウムトリスオキシンなど有機発光材料として用いられる物質のうち比較的電子輸送能の高いものを用いることもできる。 It is also possible to use a relatively high electron transportability among the material used as the organic light emitting material such as aluminum trisoxine.

【0035】電子輸送層6を含め、本発明に係る表示素子における電子輸送層或いは電子注入輸送層は、前記のような電子輸送材料を蒸着して形成してもよいし、電子輸送材料を溶解した溶液や電子輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。 [0035] including the electron transport layer 6, an electron transport layer or an electron injection transport layer in the display device according to the present invention they may be formed by depositing an electron transporting material as described above, dissolved electron transport material the solution and the electron transport material using a solution prepared by dissolving with a suitable resin may be formed by a coating method such as dip coating or spin coating. 蒸着法で形成する場合、その厚さは1nm〜500nm程度とし、塗布法で形成する場合は、5nm〜1000nm程度に形成すればよい。 When forming by deposition, the thickness is about 1 nm to 500 nm, when forming a coating method, it may be formed about 5 nm to 1000 nm. 電子輸送層或いは電子注入輸送層についても、膜厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪くなり、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の劣化を招きやすい。 For even the electron transport layer or an electron injection transport layer, it is necessary to increase the applied voltage to the light emitting as the film thickness is larger luminous efficiency is deteriorated, it tends to cause the deterioration of the organic electroluminescence display device. また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネッセンス表示素子の寿命が短くなる。 The luminous efficiency and the film thickness becomes thinner may become but the life of the organic electroluminescent display device tends to break down shorter. 従って、発光効率及び素子の寿命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。 Therefore, in consideration of the lifetime of the light-emitting efficiency and element may be formed in a range of thickness of the.

【0036】次に電子輸送層6の上に電子注入層4を形成する。 [0036] Then to form the electron injection layer 4 on the electron transport layer 6. 電子注入層4を含め、本発明に係る表示素子における電子注入層を形成するための電子注入材料には従来公知の各種の電子注入材料を用いることができるが、 Including an electron injection layer 4, the electron injecting material for forming the electron injection layer in the display device according to the present invention can be used an electron injecting material various known,
好ましくは、 アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、 アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩、 アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属と有機金属錯体との混合物、 アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、又は アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物(例えばフッ化物)を用いる。 Preferably, the alkali metal or an organometallic complex of an alkaline earth metal, alkali metal or alkaline earth metal organometallic salts of a mixture of alkali metal or alkaline earth metal and an organic metal complex, an alkali metal or alkaline earth metal an oxide, or an alkali metal or alkaline earth metal halides (e.g., fluorides). これらの有機金属錯体、有機金属塩、酸化物、ハロゲン化物等に含有されるアルカリ金属又はアルカリ土類金属としては、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、バリウム、ストロンチウム、セシウム等を挙げることができるが、中でもリチウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、セシウムが電子注入性が良好なため特に好ましい。 These organometallic complexes, organic metal salts, oxides, the alkali metal or alkaline earth metal contained in the halides, lithium, beryllium, sodium, magnesium, potassium, calcium, rubidium, barium, strontium, cesium can be exemplified, among others, lithium, magnesium, potassium, calcium, since cesium is good electron injection property particularly preferred.

【0037】有機金属塩又は有機金属錯体としては、かかる金属を含有するアセチルアセトナート錯体、エチレンジアミン錯塩、グリシン錯塩、オキシン錯体、アルファーニトロソベーターナフトール錯体、サリチル酸塩、 Examples of the organic metal salts or organometallic complexes, acetylacetonato complexes containing such metals, ethylenediamine complex, glycine complex, oxine complexes, alpha-nitroso beta naphthol complex, salicylate,
サリチルアルドキシム錯体、クペロン錯体、ベンゾインオキシム錯体、ビピリジン錯体、フェナントロリン錯体、クラウン錯体、プロリン錯体、ベンゾイルアセトン錯体、二価カルボン酸塩、脂肪族カルボン酸塩等が挙げられる。 Salicylaldoxime complex, cupferron complexes, benzoin oxime complex, bipyridine complex, phenanthroline complex, crown complexes, proline complex, benzoyl acetone complex, divalent carboxylic acid salt include aliphatic carboxylates and the like. これらの中でもアセチルアセトナート錯体、オキシン錯体、サリチル酸塩、サリチルアルドキシム錯体、二価カルボン酸塩、脂肪族カルボン酸塩が電子注入性が良好なため特に好ましい。 These acetylacetonato complex among, oxine complexes, salicylates, salicylaldoxime complexes, divalent carboxylic acid salt, an aliphatic carboxylic acid salts are particularly preferable because of excellent electron-injection property.

【0038】電子注入層は、蒸着、スパッタリング等の方法で形成できる。 The electron injection layer deposition, can be formed by a method such as sputtering. 蒸着法で形成する場合、その厚さは0.1nm〜20nm程度とする。 When forming by vapor deposition and has a thickness on the order of 0.1Nm~20nm. 電子注入層はその膜厚が薄いほど電子注入効率を向上させ得るが、薄すぎると電子注入むらやダークスポットの原因となる。 The electron injection layer is capable of improving the electron injection efficiency higher the film thickness is thin, becomes too thin and causes electron injection unevenness and dark spots. また膜厚が厚くなるとかえって発光効率が悪くなり有機エレクトロルミネッセンス表示素子の寿命が短くなる。 The lifetime of the organic electroluminescence display device becomes poor rather luminous efficiency when the film thickness is increased is shortened. 従って、電子注入効率、発光効率及び素子の寿命等を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。 Therefore, electron injection efficiencies, considering life like light-emitting efficiency and element may be formed in a range of thickness described above.

【0039】次に電子注入層4の上に陰極5を形成する。 [0039] Then a cathode is formed 5 on the electron injection layer 4. 陰極5を含め、本発明に係る表示素子における陰極は低仕事関数の金属を含有する金属膜から形成する。 Including cathode 5, a cathode in the display device according to the present invention is formed from a metal film containing low work function metal. かかる陰極の材料としては、4eV以下の仕事関数の金属を含有するものがよく、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニウム、マンガン及びそれらを含有する合金を例示でき、かかる金属を用い、蒸着、スパッタリング等の手法によって陰極を形成すればよい。 As a material of such a cathode, often those containing metals following work function 4 eV, can be exemplified magnesium, calcium, titanium, yttrium, lithium, gadolinium, ytterbium, ruthenium, manganese and alloys containing them, such metals the used, evaporation, may be formed cathode by a technique such as sputtering. 陰極の膜厚は10nm〜500nm、より好ましくは50n Cathode having a thickness of 10 nm to 500 nm, more preferably 50n
m〜500nmの範囲が導電性および製造安定性の点から好ましい。 Range m~500nm is preferable in view of conductivity and production stability.

【0040】既述のとおり陰極5には部分的に接続した通電用の透明導電性膜からなる引き回し部分10を設けるが、該引回し部分10を含め、本発明に係る表示素子における陰極用引回し部分を形成する透明導電性膜の材料としては、4eV程度よりも大きい仕事関数を持つものがよく、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、 [0040] The following cathode 5 previously described providing routing portion 10 consisting of a transparent conductive film for energization partially connected but citation cathode in the display device including the cited turning portion 10, according to the present invention the transparent conductive film forming part turning, often those having a high work function than about 4 eV, aluminum, vanadium, iron, cobalt,
ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、銀、錫、金等及びそれらの合金のような金属のほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物及びそれらの固溶体や混合体などの導電性金属化合物のような導電性化合物を例示できる。 Nickel, copper, zinc, tungsten, silver, tin, gold or the like and other metals such as alloys thereof, tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc oxide, metal oxides such as zirconium oxide and or their solid solutions mixed a conductive compound such as conductive metal compounds, such as the body can be exemplified.

【0041】かかる導電性物質を用い、蒸着、スパッタリング等の手法やゾル―ゲル法、或いはかかる物質を樹脂等に分散させて塗布する等の手法を用いて所望の透光性と導電性が確保されるように引回し部分を形成すればよい。 The use of such conductive material, vapor deposition, method or sol such as sputtering - gel method, or the desired translucency and conductivity using a technique such as applying such material is dispersed in a resin or the like is secured it may be formed leading portion as. 引回し部分の厚さは、透光性を得るために、金属製引回し部分については、1nm〜30nm程度が好ましく、導電性金属化合物のような導電性化合物からなる場合は1nm〜300nmが好ましい。 The thickness of the lead portions, in order to obtain a translucent, the metallic lead portion is preferably about 1 nm to 30 nm, preferably 1nm~300nm if made of a conductive compound such as conductive metal compound .

【0042】陽極についても必要に応じ、陰極用引き回し部分の材料と同様の材料で、通電用の引き回し部分を設けることかできる。 [0042] Also needed for anode, the same material as the material of the cathode lead-out portion, may either be provided routing portion for energization. 陰極5と陽極1からなる各組の電極は、各電極に透明導電性膜からなる電極引き回し部分を設け、その端部にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリード線11を接続し、該リード線を介して両電極に適当な電圧を印加することにより表示素子が発光する。 Each set of electrodes consisting of a cathode 5 and the anode 1 is provided with an electrode lead part made of a transparent conductive film on the electrodes, Nichrome wire at its end, a gold wire, copper wire, suitable leads platinum wire or the like 11 connect the display element emits light by applying an appropriate voltage to both the electrodes through the lead wires.

【0043】なお、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、正孔の注入、輸送につき、 Incidentally, in the organic electroluminescent display device according to the present invention, injection of holes, transport per,
機能分離させて、例えば図3、図4に示すように正孔注入層と正孔輸送層とを重ねて用いる場合、正孔注入層は、正孔注入材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入材料を溶解した溶液や正孔注入材料を適当な樹脂とともに溶解した溶液を用いてディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。 Function are separated, for example, FIG. 3, when using overlapped and hole injection layer and a hole transport layer 4, hole injection layer may be formed by depositing a hole injection material and it may be formed by a coating method such as dip coating or spin coating using a solution obtained by dissolving and dissolving the hole injection material solution or a hole injection material with suitable resin. 正孔注入層を蒸着法で形成する場合、その厚さは、1nm〜20nm When forming the hole injection layer by vapor deposition and has a thickness of, 1 nm to 20 nm
程度とし、塗布法で形成する場合、その厚さは1nm〜 If the degree to form a coating method and has a thickness of 1nm~
50nm程度にすればよい。 It may be set to about 50nm. 正孔注入層を形成するための正孔注入材料としては、銅フタロシアニン等のポルフォリン環化合物やインダンスレン顔料、カーボン膜、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性高分子膜、4, The hole injecting material for forming the hole injection layer, Poruforin ring compound or indanthrene pigments copper phthalocyanine, carbon membranes, polyaniline, conductive polymer film such as polythiophene, 4,
4',4”−トリス(N−カルバゾリ)トリアミノトリフェニルアミン、N,N',N”−トリフェニル−N, 4 ', 4 "- tris (N- Karubazori) triamino triphenylamine, N, N', N" - triphenyl -N,
N',N”−トリス(3−メチルフェニル)−1,3, N ', N "- tris (3-methylphenyl) -1,3,
5−トリ(4−アミノフェニル)ベンゼン、4,4', 5-tri (4-aminophenyl) benzene, 4,4 ',
4”−トリス〔N,N',N”−トリフェニル−N, 4 "- tris [N, N ', N" - triphenyl -N,
N',N”−トリス(3−メチルフェニル)〕トリアミノトリフェニルアミン等のスターバースト型化合物等を例示できる。なお、図1〜図4に示すような他の構成の素子についても、上述と同様の方法で各層を順次形成してゆくことで、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成することができる。また、上述したのとは逆に、透明基板上にまず陰極を形成し、その上に有機発光層を含む他の層を順次形成し、最後に陽極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するようにしてもよい。 N ', N "-. Be exemplified tris (3-methylphenyl)] starburst compounds such as triamino-triphenylamine Here, also for the elements of other configurations, such as shown in FIGS. 1 to 4, above by slide into successively they form each layer in the same manner as it is possible to form the organic electroluminescence device. in addition, in contrast to that described above, first, to form a cathode on a transparent substrate, an organic thereon sequentially forming other layers including a light emitting layer may be fabricated organic electroluminescent device by forming an end anode.

【0044】以上説明した有機エレクトロルミネッセンス表示素子は、各種の表示装置乃至ディスプレイ装置等に適用可能である。 The above organic electroluminescent display device described is applicable to various display devices or display devices and the like. 例えばカメラ・顕微鏡・望遠鏡等のインファインダー用ディスプレイ、時計のガラス上の表示、窓ガラス・水槽など透明な面に組み込んだディスプレイや照明、自動車・鉄道車両等の窓用ディスプレイ、 For example, a camera, a microscope, a telescope, such as the in-finder for a display, the display on the glass of the watch, incorporating display and lighting in the transparent surface such as window glass, water tank, window displays such as automobiles, railway vehicles,
バックミラー・ルームミラーに組み込んだディスプレイ、他の表示画面に重ねて用いるオーバーレイディスプレイ、トレースタブレットに組み込んだディスプレイ、 Display incorporated in the rearview mirror room mirror, overlay display using superimposed on the other display screen, display incorporating the trace tablet,
蛍光表示玩具など、幅広い応用が考えられる。 Such as a fluorescent display toys, a wide range of applications can be considered.

【0045】以下に本発明の実施例をその製造方法とともに説明する。 [0045] The embodiments of the present invention will be described together with its manufacturing method below. ・実施例1 透明ガラス基板100上に陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクをセットし、スパッタ装置を用いて、ITO焼結体ターゲット(In 23 −10wt%SnO 2含有)をスパッタリングし、該メタルマスク上から、基板100上に50nmの導電性ITO膜を形成した。 · Set the metal mask punched pattern of the routing portion of Example 1 a transparent glass substrate 100 anode and the current supply to be connected thereto on, by using a sputtering apparatus, ITO sintered body target (an In 2 O 3 sputtering a -10 wt% SnO 2 containing), from on the metal mask, forming a conductive an ITO film of 50nm on the substrate 100. このITO膜により、図6(A)に示すように、並列された二組の7 This ITO film, as shown in FIG. 6 (A), the juxtaposed two sets 7
セグメント形式の陽極101とこれに接続された引回し部102を得た。 To obtain a lead-out portion 102 connected to the anode 101 of the segment type.

【0046】次に、該ITO膜上に矩形開口を形成したメタルマスクをセットし、真空蒸着法により、正孔注入層として、4,4' ,4" −トリス[N,N' ,N" − Next, set the metal mask to form a rectangular opening onto the ITO film by vacuum evaporation, as a hole injection layer, 4,4', 4 "- tris [N, N ', N" -
トリフェニル−N,N' ,N" −トリス(3−メチルフェニル)]トリフェニルアミンの薄膜を厚さ15nmに形成した。次に、同じメタルマスクを用い、正孔輸送層として、N,N' −ジフェニル−N,N' −ビス(1− Triphenyl -N, N ', N "-. Tris (3-methylphenyl)] to form a thin film of triphenylamine in thickness 15nm Next, using the same metal mask, as a hole transport layer, N, N "- diphenyl -N, N '- bis (1-
ナフチル)−1,1' −ジフェニル−4,4' −ジアミンの薄膜を真空蒸着法により正孔輸送層の上に重ねて厚さ55nmに形成した。 Naphthyl) -1,1 '- diphenyl-4,4' - was formed to a thickness 55nm on top of the hole transport layer by a thin film of diamine the vacuum deposition method.

【0047】さらに同じメタルマスクを用い、正孔輸送層の上に有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたものを共蒸着により厚さ20nmの薄膜になるように形成した。 [0047] Further use of the same metal mask, as an organic luminescent layer on the hole transport layer to form those rubrene aluminum trisoxine is 5 wt% doped to be a thin thickness of 20nm by a co-evaporation . さらに同じメタルマスクを用い、有機発光層の上に電子輸送層として、アルミニウムトリスオキシンの薄膜を真空蒸着法により50nmの厚さに形成し、その上に電子注入層としてリチウムアセチルアセトネートの薄膜を抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さに形成した。 Moreover using the same metal mask, an electron transport layer on the organic light-emitting layer, a thin film of aluminum trisoxine formed to a thickness of 50nm by vacuum deposition, a thin film of lithium acetylacetonate as the electron injection layer thereon It was formed to a thickness of 2nm by evaporation method using resistance heating.

【0048】かくして図6(B)に示すように、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層及び電子注入層を順次積層した構造の有機発光膜L1を形成した。 [0048] Thus, as shown in FIG. 6 (B), a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer to form an organic light-emitting layer L1 stacked sequentially an electron transporting layer and an electron injection layer.
次に、前記陽極101に対応するパターンの陰極パターンを打ち抜いたメタルマスクを有機発光膜L1上に重ね、その上から、マグネシウムと銀を共蒸着により1 Next, a metal mask punched cathode pattern of the pattern corresponding to the anode 101 overlying the organic light-emitting layer L1, thereon, by a co-evaporation of magnesium and silver
0:1の原子比で80nmの厚さになるように蒸着させ、図6(C)に示すパターンの薄膜(陰極)103を形成した。 0: deposited to a thickness of 80nm at 1 atomic ratio, to form a pattern of the thin film (cathode) 103 shown in FIG. 6 (C). さらに、その上に陰極用引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクを重ね、前記と同様のITO Furthermore, repeated metal mask punched pattern of the cathode lead-out portion thereon, by the same ITO
ターゲットを採用し、スパッタ装置を用いて厚さ100 Adopted targets 100 thickness using a sputtering apparatus
nmになるように薄膜を形成し、陰極103に対応する図6(D)に示すパターンの引回し部104を得た。 Forming a thin film so as to nm, to obtain a routing portion 104 of the pattern shown in FIG. 6 (D) corresponding to the cathode 103. 最後に、図6(E)に示すように、周縁部に封止用のエポキシ樹脂105aを塗ったガラス基板105を前記のとおり形成した薄膜の上に載せ、熱硬化により封止した。 Lastly, as shown in Fig. 6 (E), placing a glass substrate 105 coated with epoxy resin 105a for sealing the periphery onto the thin film formed as described above, was sealed by thermal curing.
図6(E)中2点鎖線で示す部分は発光領域である。 Portion indicated by two-dot chain line in FIG. 6 (E) is a light emitting region. このようにして、発光部のみが不透明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。 In this way, only the light-emitting portion is fabricated opaque organic electroluminescent display device.

【0049】・実施例2 市販のインジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部のパターンを描いたスクリーン印刷用マスクをセットし、スクリーン印刷によりレジストを塗布し硬化させた後、レジストに覆われていない透明電極部分を酸でエッチングし、その後レジストを溶剤で溶解させた。 [0049] - Example 2 sets a commercial screen printing mask depicting a pattern of routing of the indium tin oxide energization to be connected anode and thereto on the substrate of the coated glass, the resist by screen printing after coating and curing, etching the transparent electrode which is not covered with the resist with an acid, after which the resist is dissolved in the solvent. その基板を中性洗剤、有機溶剤で洗浄し、表面を紫外線(UV)/オゾン(O Its board neutral detergent, washing with an organic solvent, ultraviolet surface (UV) / ozone (O 3 )洗浄した。 3) was washed. かくして図7(A)に示すように、 Thus, as shown in FIG. 7 (A),
ガラス基板100'上に並列された二組の7セグメント形式の、ITOからなる陽極101とこれに接続された引回し部102を形成した。 The two pairs of 7 segment format in parallel on the glass substrate 100 ', to form the lead-out portion 102 connected to the anode 101 of ITO. なお、かかるレジストとして、クラリアント社製ポジ型レジストAZ−RFPAを用いた。 As the resist, using Clariant Corp. positive resist AZ-RFPA.

【0050】次に、該ITO膜上に矩形孔を形成したメタルマスクをセットし、真空蒸着法により、正孔注入層として、銅フタロシアニンの薄膜を厚さ10nmに形成した。 Next, set the metal mask to form a rectangular hole on the ITO film by vacuum evaporation, as a hole injection layer, to form a thin film of copper phthalocyanine in the thickness 10 nm. 次に、同じメタルマスクを用い、該正孔注入層の上に、有機発光層として、N,N' −ジフェニル−N, Then, using the same metal mask, on the hole-injection layer, an organic light-emitting layer, N, N '- diphenyl -N,
N' −ビス(4−メチルフェニル)−1,1' −ビス(3−メチルフェニル)−4,4' −ジアミンにルブレンを5重量%ドープさせたものを共蒸着により、厚さ4 N '- bis (4-methylphenyl) -1,1' - bis (3-methylphenyl) -4,4 '- by co-evaporation that rubrene was 5 wt% doped diamine, thickness 4
5nmの薄膜に形成した。 It was formed to 5nm thin film of. さらに同じメタルマスクを用い、該発光層上に、電子輸送層として、アルミニウムトリスオキシンを蒸着させ、60nmの厚さになるように薄膜を形成した。 Moreover using the same metal mask, to the light emitting layer, the electron transport layer, by depositing aluminum trisoxine, to form a thin film to a thickness of 60 nm. さらに同じメタルマスクを用い、該電子輸送層上に、電子注入層として、カリウムアセチルアセトネートの薄膜を抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さに形成した。 Moreover using the same metal mask on the electron transporting layer, as the electron injection layer to form a thin film of potassium acetylacetonate by an evaporation method using resistance heating in a thickness of 2 nm.

【0051】かくして図7(B)に示すように、正孔注入層、有機発光層、電子輸送層及び電子注入層を順次積層した構造の有機発光膜L2を形成した。 [0051] Thus, as shown in FIG. 7 (B), a hole injection layer, an organic light-emitting layer to form an organic light-emitting layer L2 stacked sequentially an electron transporting layer and an electron injection layer. 次に、前記陽極101に対応するパターンの陰極パターンを打ち抜いたメタルマスクを有機発光膜L2上に重ね、その上から、Ag−Mg合金( Mg:10at%) をスパッタターゲットとしてスパッタ装置により100nmの厚さの薄膜を形成し、図7(C)に示すパターンの陰極10 Next, overlapped metal mask punched cathode pattern of the pattern corresponding to the anode 101 on the organic light emitting layer L2, thereon, Ag-Mg alloy: a (Mg 10at%) as a sputter target by a sputtering apparatus 100nm for forming a thick film, the cathode 10 of the pattern shown in FIG. 7 (C)
3'を形成した。 3 'was formed. さらに、その上に陰極用引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクを重ね、RFスパッタ装置によりIn 23にZnOを5%ドープしたものをスパッタターゲットに採用して180nmの厚さとなるように薄膜を形成し、陰極103'に対応する図7 Furthermore, repeated metal mask punched pattern of the cathode lead-out portion thereon, so as to have a thickness of 180nm by a material obtained by 5% doped ZnO in In 2 O 3 by RF sputtering apparatus employed in the sputter target thin film is formed, corresponding to the cathode 103 '7
(D)に示すパターンの引回し部104'を得た。 To obtain a routing portion 104 'of the pattern shown in (D). 最後に、図7(E)に示すように、周縁部に封止用のエポキシ樹脂105aを塗ったガラス基板105を以上形成した薄膜の上に載せ、熱硬化により封止した。 Finally, as shown in FIG. 7 (E), placed on a thin film formed of a glass substrate 105 coated with epoxy resin 105a for sealing the periphery or was sealed by thermal curing. 図7(E) Fig. 7 (E)
中2点鎖線で示す部分は発光領域である。 Portion indicated by two-dot chain line in is a light emitting region. このようにして、発光部のみが不透明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。 In this way, only the light-emitting portion is fabricated opaque organic electroluminescent display device.

【0052】・実施例3 ガラス基板100上に陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクをセットし、スパッタ装置を用いて、ITO焼結体ターゲット(In 23 −10wt%SnO 2含有)をスパッタリングし、該メタルマスク上から、基板100上に厚さ50nmの導電性ITO膜を形成した。 [0052] - Example 3 on a glass substrate 100 by anodic and sets a metal mask punched pattern of the routing portion for energization to be connected thereto, by using a sputtering apparatus, ITO sintered body target (In 2 O 3 was -10 wt% sputtered SnO 2 containing), from on the metal mask to form a conductive ITO film having a thickness of 50nm on the substrate 100. このITO膜により、図8(A)に示すように、並列された二組の7 The ITO film, as shown in FIG. 8 (A), in parallel two sets of 7
セグメント形式の陽極101とこれに接続された引回し部102を得た。 To obtain a lead-out portion 102 connected to the anode 101 of segment format.

【0053】次に、該ITO膜上に前記陽極全体を覆う面積の矩形孔を形成したメタルマスクをセットし、着真空蒸着法により、正孔注入層として、インダンスロンの薄膜を厚さ10nmに形成した。 Next, set the metal mask to form a rectangular hole of the area covering the entire anode on the ITO film, by Chakushinku evaporation, as a hole injection layer, a thickness of 10nm thin indanthrone It was formed in. さらに、同じメタルマスクを用い、該正孔注入層の上に、正孔輸送層として、 Furthermore, using the same metal mask, on the hole injection layer, a hole transport layer,
N,N' −ジフェニル−N,N' −ビス(1−ナフチル)−1,1' −ジフェニル−4,4' −ジアミンの薄膜を真空蒸着法により厚さ50nmに形成した。 N, N '- diphenyl -N, N' - bis (1-naphthyl) -1,1 '- diphenyl-4,4' - and the films of diamine is formed in a thickness 50nm by vacuum evaporation. かくして図8(B)に示すように、前記導電性ITO膜上に、 Thus, as shown in FIG. 8 (B), on the conductive ITO film,
正孔注入層及び正孔輸送層からなる積層膜Loを形成した。 To form a laminated film Lo consisting hole injecting layers and the hole transport layer.

【0054】次に図8(A)に示す右側の7セグメント陽極を覆う面積の矩形孔を形成したメタルマスクを前記積層膜Lo上に重ね、該積層膜Lo上に、有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンに蛍光色素DCMを1重量%ドープさせたものを共蒸着させて厚さ20nm [0054] Next superposed metal mask forming a rectangular hole area covering the right seven-segment anodes shown in FIG. 8 (A) on the laminated film Lo, on laminated film Lo, as an organic luminescent layer, an aluminum thickness 20nm those fluorescent dyes DCM was 1 wt% doped trisoxine by coevaporation
の、図8(C)に示すパターンの薄膜S1を形成した。 Of, a thin film was formed S1 of pattern shown in FIG. 8 (C).
さらに、図8(A)に示す左側の7セグメント陽極を覆う面積の矩形孔を形成したメタルマスクを該薄膜S1の上から重ね、もう一つの有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンにジメチルキナクリドンを1重量%ドープさせたものを共蒸着により蒸着させて厚さ20nm Furthermore, overlapping a metal mask to form a rectangular hole area covering the 7 segment anode on the left shown in FIG. 8 (A) from the top of thin films S1, Another organic light-emitting layer, a dimethyl quinacridone aluminum trisoxine 1 the thickness of 20nm by depositing by co-evaporation that is wt% doped
の、図8(D)に示すパターンの薄膜S2を形成した。 Of, to form a thin film S2 in the pattern shown in FIG. 8 (D).

【0055】次に、前記陽極全体を覆う面積の矩形孔を形成したメタルマスクを以上形成した薄膜上にセットし、蒸着法により、電子輸送層として、アルミニウムトリスオキシンを蒸着させ、50nmの厚さの薄膜を形成し、さらに同じマスクを用いて、該電子輸送層上に、電子注入層として、リチウムオキシンを抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さになるように薄膜を形成した。 Next, set on a thin film formed over the metal mask to form a rectangular hole of the area covering the entire anode, by the vapor deposition method, an electron-transporting layer, by depositing aluminum trisoxine, a 50nm thick thin film formation, further using the same mask, on the electron transport layer, an electron injection layer to form a thin film to a thickness of 2nm by evaporation using lithium oxine using resistance heating. 次に、前記陽極101に対応するパターンの陰極パターンを打ち抜いたメタルマスクを以上形成した薄膜上に重ね、その上から、マグネシウムと銀を共蒸着にて10: Then, overlaid on the thin film formed over the metal mask punched cathode pattern of the pattern corresponding to the anode 101, thereon, in co-deposited magnesium and silver 10:
1の原子比で80nmの厚さになるように蒸着させ、図8(E)に示すパターンの薄膜(陰極)103を形成した。 It deposited to a thickness of 80nm at 1 atomic ratio, to form a pattern of the thin film (cathode) 103 shown in FIG. 8 (E).

【0056】さらに、その上に陰極用引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクを重ね、スパッタ装置により、実施例1の場合と同じスパッタターゲットに採用して100nmの厚さとなるように薄膜を形成し、陰極1 [0056] Further, overlapping the metal mask punched pattern of the cathode lead-out portion thereon, formed by a sputtering apparatus, a thin film so as to have a thickness of 100nm was employed in the same sputter target as in Example 1 and, the cathode 1
03に対応する図8(F)に示すパターンの引回し部1 Figure 8 corresponding to the 03 lead portion of the pattern 1 shown in (F)
04を得た。 04 was obtained. 最後に、図8(G)に示すように、周縁部に封止用のエポキシ樹脂105aを塗ったガラス基板1 Finally, as shown in FIG. 8 (G), a glass substrate 1 coated with epoxy resin 105a for sealing the peripheral edge
05を以上形成した薄膜の上に載せ、熱硬化により封止した。 Put on the 05 was formed above the thin film was sealed by heat curing. 図8(G)中2点鎖線で示す部分は発光領域である。 Figure 8 (G) in a portion indicated by two-dot chain line is a light emitting region. このようにして、発光部のみが不透明で発光場所によって発光色が異なる有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。 In this way, the emission color by an opaque light-emitting locations only the light emitting portion is to produce a different organic electroluminescent display device.

【0057】・実施例4 市販のインジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板上に陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部のパターンを描いたスクリーン印刷用マスクをセットし、スクリーン印刷により、実施例2で採用したものと同じレジストを塗布し硬化させた後、レジストに覆われていない透明電極部分を酸でエッチングし、その後レジストを溶剤で溶解させた。 [0057] - Example 4 sets a screen printing mask depicting a pattern of routing unit for energizing to be connected anode and thereto on a substrate of commercially available indium tin oxide coated glass, by screen printing, carried out after the same resist as that used in example 2 was coated and cured, etching the transparent electrode which is not covered with the resist with an acid, after which resist is dissolved in a solvent. その基板を中性洗剤、有機溶剤で洗浄し、 Washing the substrate neutral detergent, an organic solvent,
表面を紫外線(UV)/オゾン(O Surface with ultraviolet (UV) / ozone (O 3 )洗浄した。 3) was washed. かくして図9(A)に示すように、ガラス基板100'上にITOからなる陽極106a、その左右の陽極106 Thus, as shown in FIG. 9 (A), anode 106a made of ITO on a glass substrate 100 ', the anode of the left and right 106
b、さらにその左右の陽極106cとこれら接続された引回し部107を形成した。 b, to form the lead-out portion 107 that is left and right anode 106c thereof connected further.

【0058】次いで、該ITO膜の上に該陽極全体を覆う面積の矩形孔を形成したメタルマスクをセットし、正孔注入層として、銅フタロシアニンを蒸着させて厚さ1 [0058] Then, set the metal mask to form a rectangular hole of the area covering the entire anode over the ITO film, as the hole injection layer, the thickness by depositing a copper phthalocyanine is 1
0nmの薄膜を形成した。 To form a thin film of 0nm. 次に、同じメタルマスクを用いて該正孔注入層上に、正孔輸送層として、N,N' − Next, the hole injection layer, using the same metal mask, as a hole transport layer, N, N '-
ジフェニル−N,N' −ビス(1−ナフチル)−1, Diphenyl -N, N '- bis (1-naphthyl) -1,
1' −ジフェニル−4,4' −ジアミンを蒸着させ、厚さ50nmの薄膜を形成した。 1 '- diphenyl-4,4' - diamine was vapor deposition to form a thin film having a thickness of 50nm. かくして図9(B)に示すように、正孔注入層と正孔輸送層とが積層された膜L Thus, as shown in FIG. 9 (B), film and a hole injection layer and the hole transport layer are laminated L
pを形成した。 To form a p. さらにその上に、中央の点状の陽極10 Further thereon, a central point-like anode 10
6aを覆う位置をとり、面積を有する矩形開口を形成したメタルマスクを重ね、有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンに蛍光色素DCMを1重量%ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、図9(C)に示すパターンの厚さ20nmの薄膜S3を形成した。 Takes a position covering the 6a, overlapping the metal mask to form a rectangular opening having an area, as the organic light-emitting layer, was deposited by co-evaporation which aluminum trisoxine a fluorescent dye DCM was 1 wt% dope, 9 ( to form a thin film S3 of thickness 20nm of the pattern shown in C).

【0059】また、その上から、左右の陽極106bを覆う位置をとり、面積を有する左右の矩形開口を形成したメタルマスクを用いてもう一種の有機発光層として、 [0059] Moreover, from above, takes the position covering the left and right of the anode 106b, as another one organic light-emitting layer using a metal mask to form a rectangular opening of the left and right with an area,
アルミニウムトリスオキシンにジメチルキナクリドンを1重量%ドープさせたものを共蒸着させ、図9(D)に示すパターンの厚さ20nmの薄膜S4を形成した。 Those dimethyl quinacridone aluminum trisoxine was 1 wt% dope is co-evaporated to form the thin film S4 thickness 20nm of the pattern shown in FIG. 9 (D). さらに、その上から、左右の陽極106cを覆う位置をとり、面積を有する左右の矩形開口を形成したメタルマスクを用いて、さらにもう一種の有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブレンを3重量%ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、、図9(E)に示すパターンの厚さ20nmの厚さになるように薄膜S5を形成した。 Further, from above, takes the position covering the left and right of the anode 106c, using a metal mask to form a rectangular opening of the left and right with an area, yet another as a kind of the organic light emitting layer, a rubrene aluminum trisoxine 3 wt% what was doped to form a thin film S5 to a thickness of thickness 20nm of patterns shown in ,, view 9 (E) is deposited by co-evaporation.

【0060】次いで、以上形成した膜上に、陽極全体を覆う面積の矩形開口を形成したメタルマスクをセットし、電子輸送層として、アルミニウムトリスオキシンを蒸着させて厚さ60nmの厚さになるように薄膜を形成し、さらにその上に続けて、電子注入層として、リチウムアセチルアセトネートを抵抗加熱による蒸着法にて蒸着させ、厚さ3nmの薄膜を形成した。 [0060] Then, on the above formed film, set a metal mask to form a rectangular opening area that covers the entire anode, an electron transport layer, so that the thickness of the thickness of 60nm by depositing aluminum trisoxine the thin film is formed, further followed thereon as an electron injection layer was deposited by evaporation using lithium acetylacetonate using resistance heating to form a thin film having a thickness of 3 nm. 次に、前記陽極106a、106b、106cに対応するパターンの陰極パターンを打ち抜いたメタルマスクを前記有機発光層上に重ね、その上から、スパッタ装置を用いてAl−L Next, the anode 106a, 106b, overlapping metal mask punched cathode patterns of a pattern corresponding to 106c on the organic light emitting layer, thereon, Al-L by using a sputtering apparatus
i合金(Li:1wt%)をスパッタターゲットとしてスパッタリングし、厚さ100nmの、図9(F)に示すパターンの薄膜(陰極)107a、107b、107 i alloys: the (Li 1 wt%) was sputtered as a sputtering target, a thickness of 100 nm, a thin film (negative electrode) of the pattern shown in FIG. 9 (F) 107a, 107 b, 107
cを形成した。 The formation of the c.

【0061】さらに、その上に陰極用引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクを重ね、RFスパッタ装置によりIn 23にZnOを5%ドープしたものをスパッタターゲットに採用して180nmの厚さとなるように薄膜を形成し、陰極に対応する図9(G)に示すパターンの引回し部108を得た。 [0061] Further, overlapping the metal mask punched pattern of the cathode lead-out portion thereon, and a thickness of 180nm by a material obtained by 5% doped ZnO in In 2 O 3 was employed to sputter target by an RF sputtering apparatus so as to form a thin film, to obtain a routing portion 108 patterns shown in FIG. 9 (G) corresponding to the cathode. 最後に、図9(H)に示すように、周縁部に封止用のエポキシ樹脂105aを塗ったガラス基板105を以上形成した薄膜の上に載せ、 Finally, as shown in FIG. 9 (H), placed on a thin film formed of a glass substrate 105 coated with epoxy resin 105a for sealing the periphery or,
熱硬化により封止した。 It was sealed by thermal curing. 図9(H)中2点鎖線で示す部分は発光領域である。 Figure 9 (H) in the portion indicated by a two-dot chain line is a light emitting region. このようにして、発光部のみが不透明で3色の発光部分を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。 Thus, to produce an organic electroluminescence display device only the light-emitting portion has a light emitting portion of the opaque three colors.

【0062】・実施例5 ガラス基板100上に陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクをセットし、スパッタ装置を用いて、ITO焼結体ターゲット(In 23 −10wt%SnO 2含有)をスパッタリングし、該メタルマスク上から、基板100上に厚さ50nmの導電性ITO膜を形成した。 [0062] - Example 5 on a glass substrate 100 by anodic and sets a metal mask punched routing portion of the pattern for the current to be connected to it, by using a sputtering apparatus, ITO sintered body target (In 2 O 3 was -10 wt% sputtered SnO 2 containing), from on the metal mask to form a conductive ITO film having a thickness of 50nm on the substrate 100. このITO膜により、図10(A)に示すように、ITOからなる陽極106a、その左右の陽極106b、さらにその左右の陽極106cとこれら接続された引回し部107を形成した。 By this ITO film, as shown in FIG. 10 (A), anode 106a made of ITO, the right and left of the anode 106b, to form the lead-out portion 107 that is left and right anode 106c thereof connected further. 次いで、該ITO膜の上に該陽極全体を覆う面積の矩形開口を形成したメタルマスクをセットし、正孔注入層として、4,4' ,4" −トリス[N,N' , Then, set the metal mask to form a rectangular opening area covering the entire anode over the ITO film, as the hole injection layer, 4,4 ', 4 "- tris [N, N',
N" −トリフェニル−N,N' ,N" −トリス(3−メチルフェニル)]トリフェニルアミンを真空蒸着装置による真空蒸着法により蒸着させ、厚さ15nmの薄膜を形成した。 N "- triphenyl -N, N ', N" - tris (3-methylphenyl)] triphenylamine was deposited by vacuum evaporation method using a vacuum deposition apparatus to form a thin film having a thickness of 15 nm.

【0063】さらにその上に、正孔輸送層として、N, [0063] Further thereon, as a hole transport layer, N,
N' −ジフェニル−N,N' −ビス(1−ナフチル)− N '- diphenyl -N, N' - bis (1-naphthyl) -
1,1' −ジフェニル−4,4' −ジアミンを蒸着させ、厚さ55nmの薄膜を形成した。 1,1 '- diphenyl-4,4' - diamine was vapor deposition, to form a thickness 55nm of the film. かくして図10 Thus Figure 10
(B)に示すように、正孔注入層と正孔輸送層を積層した膜Lqを形成した。 (B), the formed film Lq formed by laminating a hole injection layer and a hole transport layer. さらにその上に、中央の点状の陽極106aを覆う位置をとり、面積を有する矩形開口を形成したメタルマスクを重ね、有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンに蛍光色素DCMを1重量%ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、図10(C) Further thereon, taking a position covering the center of the point-like anode 106a, superimposed metal mask to form a rectangular opening having an area, as an organic luminescent layer, the fluorescent dye DCM was 1 wt% doped aluminum trisoxine It was deposited by co-evaporation things, FIG. 10 (C)
に示すパターンの厚さ20nmの薄膜S3を形成した。 The film S3 of the thickness of 20nm of the pattern shown in the form.
また、その上から、左右の陽極106b、106cを覆う位置をとり、面積を有する左右の矩形開口を形成したメタルマスクを用いてもう一種の有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンにジメチルキナクリドンを1 Further, from above, the right and left of the anode 106b, taking the position covering the 106c, as a further type of organic light-emitting layer using a metal mask to form a rectangular opening of the left and right with an area, a dimethyl quinacridone aluminum trisoxine 1
重量%ドープさせたものを共蒸着させ、図10(D)に示すパターンの厚さ20nmの薄膜S6を形成した。 It was co-evaporated one obtained by wt% doped, to form a thin film S6 thickness 20nm of the pattern shown in FIG. 10 (D).

【0064】次いで、以上形成した膜上に、陽極全体を覆う面積の矩形開口を形成したメタルマスクをセットし、電子輸送層として、アルミニウムトリスオキシンを蒸着させて厚さ50nmの厚さになるように薄膜を形成し、さらにその上に続けて、電子注入層として、リチウムアセチルアセトネートを抵抗加熱による蒸着法にて蒸着させ、厚さ2nmの薄膜を形成した。 [0064] Then, on the above formed film, set a metal mask to form a rectangular opening area that covers the entire anode, an electron transport layer, so that the thickness of the thickness of 50nm by depositing aluminum trisoxine the thin film is formed, further followed thereon as an electron injection layer was deposited by vapor deposition of lithium acetylacetonate using resistance heating to form a thin film having a thickness of 2 nm. かくして図10 Thus Figure 10
(E)に示すように、電子輸送層と電子注入層を積層した膜Lrを形成した。 (E), the forming a film Lr formed by laminating the electron-transporting layer and an electron injection layer. さらに、前記陽極106a、10 Further, the anode 106a, 10
6b、106cに対応するパターンの陰極パターンを打ち抜いたメタルマスクを前記膜Lr上に重ね、その上から、マグネシウムと銀を共蒸着にて10:1の原子比で80nmの厚さになるように蒸着させ、図10(F)に示すパターンの薄膜(陰極)109a、109b、10 6b, superimposed metal mask punched cathode patterns corresponding pattern 106c on the film Lr, thereon, magnesium and silver at coevaporation 10: to a thickness of 80nm at 1 atomic ratio evaporated, the pattern shown in FIG. 10 (F) film (cathode) 109a, 109b, 10
9cを形成した。 9c was formed.

【0065】その上に陰極用引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクを重ね、スパッタ装置を用い、前記と同じ焼結体ターゲットをスパッタリングし、該メタルマスク上から、厚さ100nmの導電性ITO引回し部108'を形成した。 [0065] Moreover superposed metal mask punched pattern of the cathode lead-out portion, using a sputtering apparatus, and sputtering the same sintered target and the, from on the metal mask having a thickness of 100nm conductive ITO to form the lead-out portion 108 '. 最後に、図10(H)に示すように、周縁部に封止用のエポキシ樹脂105aを塗ったガラス基板105を以上形成した薄膜の上に載せ、熱硬化により封止した。 Finally, as shown in FIG. 10 (H), placed on a thin film formed of a glass substrate 105 coated with epoxy resin 105a for sealing the periphery or was sealed by thermal curing. 図10(H)中2点鎖線で示す部分は発光領域である。 Figure 10 (H) in the portion indicated by a two-dot chain line is a light emitting region. このようにして、発光部のみが不透明で2色の発光部分を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。 Thus, to produce an organic electroluminescence display device only the light-emitting portion has a light emitting portion of the two-color opaque.

【0066】・実施例6 市販のインジウムスズ酸化物被覆ガラスの基板の全面に実施例2で採用したものと同じレジストをスピンコートし、該レジスト膜上に陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部のパターンを打ち抜いたマスクをセットし、その上から露光した。 [0066] Commercial-Example 6 The same resist as those employed on the entire surface of the substrate of indium tin oxide coated glass in Example 2 was spin-coated for conduction to be connected anode and to it on the resist film a mask for punched patterns of routing portion and exposed thereon. その後、溶剤を用いて、露光されたレジスト部分、すなわち、陽極及びそれに接続されるべき通電用の引回し部に対応する部分を溶解させた。 Then, using a solvent, exposed resist portion, i.e., to dissolve the portion corresponding to the leading portion of the current-carrying to be connected anode and thereto.

【0067】その後、基板を中性洗剤、有機溶剤で洗浄し、表面を紫外線(UV)/オゾン(O 3 )洗浄した。 [0067] Then, the substrate was washed neutral detergent, an organic solvent, ultraviolet surface (UV) / ozone (O 3) and washed.
かくして図11(A)に示すように、ガラス基板上に並列された二組の7セグメント形式の、ITOからなる陽極101'とこれに接続された引回し部102'、並びにレジストからなる絶縁膜110を形成した。 Thus, as shown in FIG. 11 (A), two sets 7-segment format in parallel on a glass plate, 'leading portion 102 connected thereto and' anode 101 composed of ITO, and composed of a resist insulating film 110 were formed. 次いで、 Then,
該陽極等の上に、発光層として、下記式〔化1〕で示されるポリフェリレンビニレン化合物をスピンコートにより塗布し、厚さ50nmの薄膜を形成した。 On such anode, as a light emitting layer, a poly ferrimagnetic vinylene compound represented by the following formula [1] was applied by spin-coating to form a thin film having a thickness of 50nm.

【化1】 [Formula 1]

【0068】次いで、陽極全体を覆う面積の矩形開口を形成したメタルマスクを該発光層の上に重ね、電子注入輸送層として、アルミニウムトリスオキシンを蒸着させ、図11(B)に示すパターンの厚さ50nmの薄膜S7を形成した。 [0068] Next, superposed metal mask to form a rectangular opening area that covers the entire anode on the light emitting layer, an electron injecting and transporting layer, by depositing aluminum trisoxine, thickness of the pattern shown in FIG. 11 (B) It is to form a thin film S7 in 50nm. 次に、前記陽極101'に対応するパターンの陰極パターンを打ち抜いたメタルマスクを電子注入輸送層S7上に重ね、その上から、蒸着装置を用いてAl−Li合金(Li 1wt%)を厚さ100nm Next, overlapped metal mask punched cathode pattern of the pattern corresponding to the anode 101 'on the electron injection transport layer S7, thereon, the thickness of the Al-Li alloy (Li 1 wt%) using a vapor deposition apparatus of 100nm
蒸着させ、さらにその上にAlを蒸着装置により厚さ1 Deposited thickness by further depositing device Al thereon of 1
00nm蒸着させ、かくして図11(C)に示すパターンの薄膜(陰極)107'を形成した。 00nm is deposited, thus forming a thin film pattern shown in FIG. 11 (C) (cathode) 107 '.

【0069】さらに、その上に陰極用引回し部のパターンを打ち抜いたメタルマスクを重ね、ヘリコンスパッタ装置を用いて、In 23にZnOを5%ドープしたものをスパッタターゲットに採用して180nmの厚さとなるように薄膜を形成し、陰極に対応する図11(D) [0069] Further, overlapping the metal mask punched pattern of the cathode lead-out portion thereon, using a helicon sputtering device, 180 nm employ those 5% doped ZnO in In 2 O 3 in the sputter target the thin film is formed to have a thickness, corresponding to the cathode FIG 11 (D)
に示すパターンの引回し部108'を得た。 To obtain the routing portion 108 'of the pattern shown in. 最後に、図11(E)に示すように、周縁部に封止用のエポキシ樹脂105aを塗ったガラス基板105を以上形成した薄膜の上に載せ、熱硬化により封止した。 Finally, as shown in FIG. 11 (E), placed on a thin film formed of a glass substrate 105 coated with epoxy resin 105a for sealing the periphery or was sealed by thermal curing. 図11(E)中2点鎖線で示す部分は発光領域である。 Figure 11 (E) in a portion indicated by two-dot chain line is a light emitting region. このようにして、発光部のみが不透明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。 In this way, only the light-emitting portion is fabricated opaque organic electroluminescent display device.

【0070】実施例1〜実施例6のいずれの有機有機エレクトロルミネッセンス表示素子も陽極及び陰極間に電圧を印加することで、高輝度に発光効率よく発光した。 [0070] Any of organic organic electroluminescence display devices of Example 1 to Example 6 also by applying a voltage between the anode and the cathode, and luminous well luminous efficiency at a high luminance.

【0071】次に本発明に係る表示素子の応用例を説明する。 [0071] Next will be described an application example of a display device according to the present invention. ・応用例1 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子をカメラのインファインダーに組み込んだ例を図12に示す。 - an example that incorporates the camera's Inn finder organic electroluminescent display device according to an application example 1 present invention shown in FIG. 12. 図12に示す例では、カメラファインダーFで観察される被写体に重ねて、本発明に係る表示素子DL1が見えている。 In the example shown in FIG. 12, superimposed on the object observed by the camera viewfinder F, the display element DL1 are visible according to the present invention. 表示素子DL1をカメラのインファインダーに組み込むことで発光型による鮮明な表示とカラー表示による注意の喚起やユーザーに対するカメラの撮影情報を表示することができる。 It is possible to display the shooting information of the camera with respect to arouse and user attention by vivid display and color display by emitting by incorporating a display element DL1 to camera in-finder.

【0072】・応用例2 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を時計の透明表面カバーガラスに組み込んだ例を図13に示す。 [0072] Examples incorporating organic electroluminescent display device according to-Application 2 invention a transparent front cover glass of the watch shown in FIG. 13. 図13に示す例では、本発明に係る表示素子DL In the example shown in FIG. 13, the display element DL according to the present invention
2が、時計WTの指針による表示部の上側に設けられた2枚の透明カバーガラスCG1とCG2の間に挟着されてガラス枠WFに組み込まれており、それにより該カバーガラスの部分に例えばカレンダーCAが表示されている状態を示している。 2, is sandwiched between two transparent cover glass CG1 provided on the upper side of the display unit according timepiece hand WT and CG2 are built into the glass frame WF, whereby for example the portion of the cover glass It shows a state in which the calendar CA is displayed. このように、時計に本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を組み込み、日付けや地図等の表示を行うことができる。 Thus, incorporation of the organic electroluminescent display device according to the present invention in a clockwise, can be displayed date and maps or the like. また、夜間に発光させることもできる。 It is also possible to emit light at night. また電池交換等の注意を喚起するための警告表示にも用いることができる。 It can also be used to alert indication to alert the battery replacement.

【0073】・応用例3 本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を窓ガラスに組み込んだ例を図14に示す。 [0073] Examples of incorporating organic electroluminescent display device on the window glass of the - Application 3 present invention is shown in FIG. 14. 図14に示すように、窓ガラスWGに重ねて本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子DL3を組み込み、例えば広告の表示やイルミネーション、夜の照明等に用いることができる。 As shown in FIG. 14, incorporating the organic electroluminescent display device DL3 according to the present invention superimposed on the window glass WG, eg advertising display and illumination can be used for illumination or the like at night.

【0074】・応用例4 本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を自動車のヘッドアップディスプレイに用いた例を図15に示す。 [0074] An example using an organic electroluminescent display device on the head-up display of a vehicle-Application 4 present invention is shown in FIG. 15. 図15に示すように、例えば自動車のフロントガラスAGに重ねて本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子DL4、DL5を組み込み、例えば走行速度表示やナビゲーション装置のディスプレイとして利用できる。 As shown in FIG. 15, for example, an organic electroluminescent display device DL4 according superimposed on windshield AG automobile to the present invention, incorporates a DL5, it can be used as a display for example the running speed display or navigation device. また、自動車の車載用ヘッドアップディスプレイとして用いることにより、駆動電位が低く、自動車のバッテリーに負担をかけず、カラー表示や運転者に注意を促す表示をすることができる。 Also, by using as a vehicle head-up display of an automobile, the drive voltage is low, without burdening the car battery, it can be an alert displayed on the color display or the driver. また、有機エレクトロルミネッセンス表示素子がフロントガラスの視認性を妨げないので、通常の運転には支障を生じず、発光するため注意を喚起しやすい。 Further, since the organic electroluminescent display device does not interfere with the visibility of the front glass, for normal operation without causing trouble, easily attention for emitting light.

【0075】・応用例5 本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子をオーバーレイディスプレイに用いた例を図16に示す。 [0075] An example using an organic electroluminescence display element Overlay Display & applications 5 present invention shown in FIG. 16. 図1 Figure 1
6はコンピュータの表示画面CPに重ねて本発明に係る表示素子DL6を組み込んだ例を示している。 6 shows an example of incorporating the display device DL6 according to the present invention superimposed on the display screen CP computer. 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を液晶パネルやCRTの窓枠内に組み込むことで、重複させた表示をする時に発光型で見やすく、注意等を喚起しやすい。 The organic electroluminescence display device according to the present invention by incorporating into the window frame in the liquid crystal panel, a CRT, or legible at emission type when the display was duplicated, easily attention like.
また、チャンネル表示や時計表示をさせ、使用者の利便を図ることができる。 Further, to the channel display and the clock display, it is possible to improve convenience of the user.

【0076】 [0076]

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、疑似的に透光性を有し、高輝度で発光効率がよく、作製容易である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。 According to the present invention described above, according to the present invention, artificially has translucency, the light emission efficiency at high brightness well, it is possible to provide an organic electroluminescent device is easy manufacturing.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子の1例の概略構成を示す側面図である。 1 is a side view showing a schematic structure of an example of the organic electroluminescent display device according to the present invention.

【図2】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子の他の例の概略構成を示す側面図である。 Is a side view showing the schematic structure of another example of the organic electroluminescent display device according to the invention; FIG.

【図3】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子のさらに他の例の概略構成を示す側面図である。 3 is a side view of further showing a schematic configuration of another example of the organic electroluminescent display device according to the present invention.

【図4】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子のさらに他の例の概略構成を示す側面図である。 It is a further side view showing a schematic configuration of another example of the organic electroluminescent display device according to the present invention; FIG.

【図5】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子のさらに他の例の概略構成を示す側面図である。 5 is a side view further showing a schematic structure of another example of the organic electroluminescent display device according to the present invention.

【図6】図6は実施例1の表示素子を作製する手順を示すもので、図6(A)は基板上に陽極及び該陽極のための引回し部分形成した状態の平面図、図6(B)は陽極上に有機発光膜を形成した状態の平面図、図6(C)は陰極パターンの平面図、図6(D)は陰極用引回し部のパターンを示す平面図、図6(E)は完成した表示素子の平面図である。 Figure 6 shows the steps of manufacturing a display device of Embodiment 1 FIG. 6 (A) is a plan view of a lead portion forming condition for the anode and anode on a substrate, FIG. 6 (B) is a plan view of a state of forming an organic light emitting layer on the anode, Figure 6 (C) is a plan view of a cathode pattern, FIG. 6 (D) is a plan view showing a pattern of a cathode lead portion, FIG. 6 (E) is a plan view of the completed display device.

【図7】図7は実施例2の表示素子を作製する手順を示すもので、図7(A)は基板上に陽極及び該陽極のための引回し部分形成した状態の平面図、図7(B)は陽極上に有機発光膜を形成した状態の平面図、図7(C)は陰極パターンの平面図、図7(D)は陰極用引回し部のパターンを示す平面図、図7(E)は完成した表示素子の平面図である。 Figure 7 shows the steps of manufacturing a display device of Embodiment 2, FIG. 7 (A) is a plan view of the lead portion formed state for the anode and the anode on a substrate, FIG. 7 (B) is a plan view of a state of forming an organic light emitting layer on the anode, 7 (C) is a plan view of a cathode pattern, FIG. 7 (D) is a plan view showing a pattern of a cathode lead portion, FIG. 7 (E) is a plan view of the completed display device.

【図8】図8は実施例3の表示素子を作製する手順を示すもので、図8(A)は基板上に陽極及び該陽極のための引回し部分形成した状態の平面図、図8(B)は陽極上に有機発光膜の一部を形成した状態の平面図、図8 Figure 8 shows the steps of manufacturing a display device of Example 3, FIG. 8 (A) is a plan view of a lead portion formed state for the anode and anode on a substrate, FIG. 8 (B) is a plan view of a state of forming a part of the organic light emitting layer on the anode, 8
(C)及び(D)はそれぞれ有機発光膜の残部のパターンの平面図、図8(E)は陰極パターンの平面図、図8 (C) and (D) plan view of a pattern of the remainder of each organic light emitting film, FIG. 8 (E) is a plan view of a cathode pattern, FIG. 8
(F)は陰極用引回し部のパターンを示す平面図、図8 (F) is a plan view showing a pattern of a cathode lead portion, FIG. 8
(G)は完成した表示素子の平面図である。 (G) is a plan view of the completed display device.

【図9】図9は実施例4の表示素子を作製する手順を示すもので、図9(A)は基板上に陽極及び該陽極のための引回し部分形成した状態の平面図、図9(B)は陽極上に有機発光膜の一部を形成した状態の平面図、図9 Figure 9 shows a procedure for manufacturing a display device of Example 4, FIG. 9 (A) is a plan view of a lead portion formed state for the anode and anode on a substrate, FIG. 9 (B) is a plan view of a state of forming a part of the organic light emitting layer on the anode, 9
(C)、(D)及び(E)はそれぞれ有機発光膜の残部のパターンの平面図、図9(F)は陰極パターンの平面図、図9(G)は陰極用引回し部のパターンを示す平面図、図9(H)は完成した表示素子の平面図である。 (C), (D) and (E) is a plan view of the pattern of the remainder of the respective organic light emitting layer, FIG. 9 (F) is a plan view of a cathode pattern, the pattern of FIG. 9 (G) is routing unit for cathode plan view illustrating, FIG. 9 (H) is a plan view of the completed display device.

【図10】図10は実施例5の表示素子を作製する手順を示すもので、図10(A)は基板上に陽極及び該陽極のための引回し部分形成した状態の平面図、図10 Figure 10 shows a procedure for manufacturing a display device of Example 5, FIG. 10 (A) is a plan view of a lead portion formed state for the anode and anode on a substrate, FIG. 10
(B)は陽極上に有機発光膜の一部を形成した状態の平面図、図10(C)、(D)及び(E)はそれぞれ有機発光膜の残部のパターンの平面図、図10(F)は陰極パターンの平面図、図10(G)は陰極用引回し部のパターンを示す平面図、図10(H)は完成した表示素子の平面図である。 (B) is a plan view of a state of forming a part of the organic light emitting layer on the anode, 10 (C), (D) and (E) is a plan view of the pattern of the remainder of the respective organic light emitting layer, FIG. 10 ( F) a plan view of a cathode pattern, FIG. 10 (G) is a plan view showing a pattern of a cathode lead portion, FIG. 10 (H) is a plan view of the completed display device.

【図11】図11は実施例6の表示素子を作製する手順を示すもので、図10(A)は基板上に陽極、引回し部分及びそれらを囲むレジストからなる電気絶縁性膜を形成した状態の平面図、図10(B)は陽極上に形成した有機発光膜のパターンを示す図、図10(C)は陰極パターンの平面図、図10(D)は陰極用引回し部のパターンを示す平面図、図10(E)は完成した表示素子の平面図である。 Figure 11 shows a procedure for manufacturing a display device of Example 6, FIG. 10 (A) was formed an electrically insulating film comprising an anode, a lead-out portion and the resist surrounding them on the substrate plan view of a state, FIG. 10 (B) pattern plan view, FIG. 10 (D) are lead portion cathode for drawing, FIG. 10 (C) is a cathode pattern indicating a pattern of the organic light emitting layer formed on the anode plan shows a view, FIG. 10 (E) is a plan view of the completed display device.

【図12】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子をカメラのインファインダーに組み込んだ例を示す図である。 The organic electroluminescent display device according to the present invention; FIG is a diagram showing an example incorporated in the camera in the viewfinder.

【図13】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子をカバーガラスに組み込んだ時計例の一部の斜視図である。 13 is a fragmentary perspective view of a watch case incorporating organic electroluminescent display device on the cover glass according to the present invention.

【図14】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を組み込んだ窓ガラス例の斜視図である。 14 is a perspective view of a glazing example incorporating organic electroluminescent display device according to the present invention.

【図15】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子をフロントガラスに組み込んだ自動車例の一部を示す図である。 [15] The organic electroluminescent display device according to the present invention is a diagram showing a part of an automobile example incorporating the windshield.

【図16】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子をコンピュータ表示画面のオーバーレイディスプレイとして用いた例を示す図である。 Figure 16 is a diagram illustrating an example of using the organic electroluminescent display device according to the present invention as an overlay display of the computer display screen.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

G 透明基板 1 陽極 2 正孔注入輸送層 3、3'、3”、30 有機発光層 4 電子注入層 5 陰極 6 電子注入層 7 正孔注入層 8 正孔輸送層 9 電源 10、10' 引回し部分 La、Lb、Lc、Ld、Le 有機発光膜 PW 電源 100、100' 透明ガラス基板 101 陽極 102 引回し部分 L1、L2 有機発光膜 103、103' 陰極 104、104' 引回し部分 105 ガラス基板 105a エポキシ樹脂 Lo 正孔注入層及び正孔輸送層からなる積層膜 S1、S2 薄膜(有機発光層) 106a、106b、106c 陽極 107 引回し部分 Lp 正孔注入層と正孔輸送層とが積層された膜 S3、S4、S5 薄膜(有機発光層) 107a、107b、107c 陰極 108 引回し部分 Lq 正孔注入層と正孔輸送層を積層した膜 S6 G transparent substrate 1 anode 2 hole injecting and transporting layer 3, 3 ', 3 ", 30 an organic light-emitting layer 4 electron injection layer 5 cathode 6 an electron injection layer 7 hole injection layer 8 hole transport layer 9 Power 10, 10' argument Turn portion La, Lb, Lc, Ld, Le organic emission layer PW power 100, 100 'transparent glass substrate 101 anode 102 lead portions L1, L2 organic emission layer 103, 103' cathode 104, 104 'lead portion 105 glass substrate 105a epoxy resin Lo hole injection layer and the laminated film S1, which consists of a hole transporting layer, S2 film (organic light-emitting layer) 106a, 106b, and the 106c anode 107 lead portion Lp hole injection layer and the hole transport layer are laminated film S3, S4, S5 thin film (organic light-emitting layer) 107a, 107b, 107c cathode 108 lead portion Lq hole injection layer and a film S6 formed by laminating a hole transport layer 膜(有機発光層) Lr 電子輸送層と電子注入層を積層した膜 109a、109b、109c 陰極 108' 引回し部分 101'陽極 102'引回し部分 110 レジストからなる絶縁膜 S7 薄膜(発光層と電子注入輸送層の積層膜) 107' 陰極 108'引回し部分 DL1〜DL6 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 F カメラのインファインダー WT 指針式時計 CG1、CG2 透明ガラスカバー WF ガラス枠 CA カレンダー WG 窓ガラス AG 自動車のフロントガラス CP コンピュータの表示画面 Film (organic light-emitting layer) Lr electron transport layer and film 109a obtained by stacking an electron injection layer, 109b, 109c cathode 108 'lead portion 101' insulating film S7 thin film made of an anode 102 'lead portions 110 resist (light-emitting layer and the electron injection laminated film of transport layer) 107 'cathode 108' lead portion DL1~DL6 organic electroluminescent display device F camera in viewfinder WT pointer-type timepiece CG1, CG2 transparent glass cover WF glass frame CA calendar WG glazing AG front of the motor vehicle the display screen of the glass CP computer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古川 慶一 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB12 AB13 AB18 BA06 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Keiichi Furukawa Chuo-ku, Osaka Azuchi-chome No. 3 No. 13 Osaka International building Minolta Co., Ltd. in the F-term (reference) 3K007 AB02 AB03 AB12 AB13 AB18 BA06 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03

Claims (16)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】少なくと陽極、有機発光膜及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、前記陽極が透光性導電性膜からなり、前記陰極が低仕事関数の金属を含有する金属膜からなり、該陰極に透光性導電性膜からなる通電用引き回し部分が接続形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 1. A small an anode, an organic electroluminescent display device having an organic luminescent layer and a cathode, wherein the anode is made from a transparent conductive film, the cathode is made of a metal film containing metal having a low work function the organic electroluminescence display element characterized by energizing lead portions in the cathode made of a transparent conductive film is connected form.
  2. 【請求項2】前記陰極の、発光に直接寄与する部分がマグネシウム又はリチウムを含有する金属膜からなっている請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 Wherein said cathode, direct the portion contributing to light emission of claim 1, wherein which is a metal film containing magnesium or lithium organic electroluminescent display device.
  3. 【請求項3】前記陽極が透光性の酸化インジウム錫化合物からなり、前記陰極が不透明の金属膜からなり、該陰極の周囲が透光性を有している請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 Wherein the anode is made of indium tin oxide compound of translucent, the cathode is made of an opaque metal film, organic claim 1 or 2, wherein the periphery of the cathode has a light-transmitting property an electroluminescent display element.
  4. 【請求項4】前記有機発光膜が前記陽極側に配置された正孔移動関連層及び前記陰極側に配置された有機発光層を含んでおり、前記陽極は透光性の導電性金属酸化物膜からなり、前記陰極は不透明の金属膜からなり、前記陰極に接続された引回し部分は透光性の導電性化合物膜からなる請求項1、2又は3記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 Wherein said organic light emitting film includes a hole mobility associated layer and an organic light emitting layer disposed on the cathode side which is disposed on the anode side, the anode is transparent conductive metal oxide consists membrane, the cathode is made of an opaque metal film, connected routing portion to the cathode of the organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein made of a transparent conductive compound film.
  5. 【請求項5】前記正孔移動関連層が、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層、正孔注入輸送層からなる群れより選択されたいずれかの層である請求項4 Wherein said hole mobility-related layer is a hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection layer and a hole transport layer, in any layer selected from the herd consisting of a hole injection transport layer there claim 4
    記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 The organic electroluminescence display element according.
  6. 【請求項6】前記陽極及び該陽極に接続されるべき通電用引回し部分がITO膜で透明基板上にパターンニング形成されており、前記陰極は不透明金属膜からなる請求項1から5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 6. are patterned formed on the anode and for current supply should be connected to the anode lead-out part on a transparent substrate with an ITO film, wherein the cathode is one of claims 1 consisting of an opaque metal film 5 the organic electroluminescent display device of crab according.
  7. 【請求項7】前記陽極・陰極間部分の厚さが20nm〜 7. The thickness of the anode-cathode between parts 20nm~
    200nmである請求項1から6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 The organic electroluminescent display device according to any one of claims 1 to 6 is 200 nm.
  8. 【請求項8】前記陰極を構成している線の幅が1mm以下である請求項1から7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 8. An organic electroluminescent display device according to any one of claims 1 width of the lines constituting the cathode is 1mm or less 7.
  9. 【請求項9】前記有機発光膜における発光層は蛍光色素がドープされた層である請求項1から8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 9. The organic electroluminescent display device according to any one of the organic light-emitting light-emitting layer in the film of claims 1, which is a layer of fluorescent dye doped 8.
  10. 【請求項10】前記有機発光膜が前記陰極側から前記陽極側へ電子移動関連層、発光層、正孔移動関連層を含んでいる請求項1から9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 Wherein said organic light emitting layer electron transfer related layer from the cathode side to the anode side, the light emitting layer, an organic electroluminescent display according to claim 1 comprising a hole transport related layer 9 element.
  11. 【請求項11】前記電子移動関連層が、電子注入層、電子輸送層、電子注入層及び電子輸送層、電子注入輸送層からなる群れより選択されたいずれかの層であり、前記正孔移動関連層が、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層、正孔注入輸送層からなる群れより選択されたいずれかの層である請求項10記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 Wherein said electron transfer related layer, an electron injection layer, an electron transport layer, electron injection layer and the electron transport layer is any layer selected from the herd consisting of electron injection transport layer, the hole mobility Related layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection layer and a hole transport layer, an organic electroluminescence of claim 10 selected from the herd formed of a hole injecting and transporting layer is any layer display element.
  12. 【請求項12】前記有機発光膜はそれぞれ個別的に発光パターンが定められた少なくとも二つの発光部分を含んでおり、該各発光部分はそれぞれ異なる発光色で表示される請求項1から11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 12. The organic emission layer each comprises at least two light emitting portion emitting pattern is determined individually, one of claims 1 11 of each of the light emitting portion to be displayed in a different luminescent colors respectively the organic electroluminescent display device of crab according.
  13. 【請求項13】2枚のガラス基板の間に封止されている請求項1から12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 13. Two of the organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 12, which is sealed between the glass substrates.
  14. 【請求項14】2色以上のカラー表示が可能である請求項1から13のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 The organic electroluminescence display element according to any one of claims 14] color display two or more colors are possible claims 1 to 13.
  15. 【請求項15】前記有機発光膜における発光部分が占める面積は素子の被観察領域全体の1/10以下である請求項1から14のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 15. The organic electroluminescent display device according to any one of the organic light emitting area occupied by the light emitting portion in the film of claims 1 or less 1/10 of the entire region to be observed in the element 14.
  16. 【請求項16】前記陽極及び陰極は表示素子を単純マトリクス駆動させるように設けられており、単純マトリクス駆動させ得る請求項1から15のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 16. The anode and cathode is provided so as to simple matrix driving display elements, organic electroluminescent display device according to claims 1 which is capable of simple matrix driving in 15 either.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158090A (en) * 2000-09-08 2002-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device, its production method and thin film forming device
JP2003068448A (en) * 2001-08-30 2003-03-07 Hitachi Maxell Ltd Organic el element and its manufacturing method
JP2007242387A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Seiko Epson Corp Light emitting device, its manufacturing method, and electronic apparatus
US7473575B2 (en) 2001-11-27 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2010526405A (en) * 2007-05-03 2010-07-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Lighting window
US7786668B2 (en) 2008-02-13 2010-08-31 Seiko Epson Corporation Organic EL device
WO2017149734A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-08 パイオニア株式会社 Light-emitting device and light-emitting system

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158090A (en) * 2000-09-08 2002-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device, its production method and thin film forming device
JP2003068448A (en) * 2001-08-30 2003-03-07 Hitachi Maxell Ltd Organic el element and its manufacturing method
JP2015130526A (en) * 2001-11-27 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting element
US9263691B2 (en) 2001-11-27 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device containing iridium complex
US7473575B2 (en) 2001-11-27 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7482626B2 (en) 2001-11-27 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2010056581A (en) * 2001-11-27 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting element
US7737437B2 (en) 2001-11-27 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting device
US8610109B2 (en) 2001-11-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8994017B2 (en) 2001-11-27 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device containing iridium complex
JP2007242387A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Seiko Epson Corp Light emitting device, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP2010526405A (en) * 2007-05-03 2010-07-29 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Lighting window
US7786668B2 (en) 2008-02-13 2010-08-31 Seiko Epson Corporation Organic EL device
WO2017149734A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-08 パイオニア株式会社 Light-emitting device and light-emitting system

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