JP2000215498A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
- Publication number
- JP2000215498A JP2000215498A JP11018104A JP1810499A JP2000215498A JP 2000215498 A JP2000215498 A JP 2000215498A JP 11018104 A JP11018104 A JP 11018104A JP 1810499 A JP1810499 A JP 1810499A JP 2000215498 A JP2000215498 A JP 2000215498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser
- laser beam
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２つの半導体レーザ素子の位置精度に係わら
ず、対物レンズを共通化して用いることができる光ピッ
クアップを提供する。 【解決手段】 レーザ光Ｌ1を出射するレーザ素子１４
と、レーザ光Ｌ2を出射するレーザ素子１５と、このい
ずれか一方を光ディスク６に集光させる対物レンズ５
と、光ディスクから反射された反射光を回折分岐するホ
ログラム４と、レーザ素子１４を収納する開口部と、レ
ーザ素子１５を載置する表面を有するディテクタ部２と
からなり、レーザ光Ｌ1を通過させ、レーザ光Ｌ2を反射
し、かつレーザ光Ｌ2の進行方向に対して４５°傾向い
たミラー面３Ａを有して、開口部１１を覆うようにして
ディテクタ部２上に載置された波長選択ミラー３を備
え、レーザ素子１４の出射面１４Ａを垂直上方に向け、
レーザ素子１５の出射面１５Ａを出射面１４Ａと直交す
るように配置した。
ず、対物レンズを共通化して用いることができる光ピッ
クアップを提供する。 【解決手段】 レーザ光Ｌ1を出射するレーザ素子１４
と、レーザ光Ｌ2を出射するレーザ素子１５と、このい
ずれか一方を光ディスク６に集光させる対物レンズ５
と、光ディスクから反射された反射光を回折分岐するホ
ログラム４と、レーザ素子１４を収納する開口部と、レ
ーザ素子１５を載置する表面を有するディテクタ部２と
からなり、レーザ光Ｌ1を通過させ、レーザ光Ｌ2を反射
し、かつレーザ光Ｌ2の進行方向に対して４５°傾向い
たミラー面３Ａを有して、開口部１１を覆うようにして
ディテクタ部２上に載置された波長選択ミラー３を備
え、レーザ素子１４の出射面１４Ａを垂直上方に向け、
レーザ素子１５の出射面１５Ａを出射面１４Ａと直交す
るように配置した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（Ｃｏｍｐａ
ｃｔ Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅ
ｏ Ｄｉｓｃ）及びＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓ
ｃ ＷｒｉｔｅＯｎｃｅ）用等の光ディスクの記録又は
再生を行う光ディスク装置に用いられる光ピックアップ
に関する。
ｃｔ Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅ
ｏ Ｄｉｓｃ）及びＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓ
ｃ ＷｒｉｔｅＯｎｃｅ）用等の光ディスクの記録又は
再生を行う光ディスク装置に用いられる光ピックアップ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、特定波長のレーザ光を用
いて記録、又は、再生されるため、異なるフォーマット
で書き込まれた光ディスクの記録、又は、再生を行う場
合、それに対応した異なる特定波長のレーザ光が必要と
される。通常、このレーザ光の光源としては半導体レー
ザ素子が用いられ、レーザ光の波長は、半導体レーザ素
子の材料で決定される。このため、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ用及
びＤＶＤ用の複数の光ディスクの記録、又は、再生に
は、それに対応した異なるレーザ波長を有する複数の半
導体レーザ素子が必要とされる。
いて記録、又は、再生されるため、異なるフォーマット
で書き込まれた光ディスクの記録、又は、再生を行う場
合、それに対応した異なる特定波長のレーザ光が必要と
される。通常、このレーザ光の光源としては半導体レー
ザ素子が用いられ、レーザ光の波長は、半導体レーザ素
子の材料で決定される。このため、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ用及
びＤＶＤ用の複数の光ディスクの記録、又は、再生に
は、それに対応した異なるレーザ波長を有する複数の半
導体レーザ素子が必要とされる。
【０００３】ところで、複数の光ディスクの記録又は、
再生を行う場合には、低価格化や小型化のために、１台
の光ディスク装置により記録又は再生する開発が盛んに
行われている。特に、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ用及びＤＶＤ用光
ディスクの記録情報を1台の光ディスク装置で記録又は
再生することが行われている。ＣＤ用の再生及びＣＤ−
Ｒ用光ディスクの記録、又は、再生を行う光源として
は、波長７８０ｎｍのレーザ光を出射するＡｌＧａＡｓ
系半導体レーザ素子が、ＤＶＤ用光ディスクの再生を行
う光源としては、波長６５０ｎｍのレーザ光を出射する
ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子が用いられる。この
ため、基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎ
ＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子とを搭載した半導体レー
ザ装置とか、同一半導体基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を同時
に形成した半導体レーザ装置が必要となる。
再生を行う場合には、低価格化や小型化のために、１台
の光ディスク装置により記録又は再生する開発が盛んに
行われている。特に、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ用及びＤＶＤ用光
ディスクの記録情報を1台の光ディスク装置で記録又は
再生することが行われている。ＣＤ用の再生及びＣＤ−
Ｒ用光ディスクの記録、又は、再生を行う光源として
は、波長７８０ｎｍのレーザ光を出射するＡｌＧａＡｓ
系半導体レーザ素子が、ＤＶＤ用光ディスクの再生を行
う光源としては、波長６５０ｎｍのレーザ光を出射する
ＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子が用いられる。この
ため、基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎ
ＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子とを搭載した半導体レー
ザ装置とか、同一半導体基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を同時
に形成した半導体レーザ装置が必要となる。
【０００４】このうち、同一半導体基板上にＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ
素子を同時に形成するためには、以下の困難さがある。
これら２つの半導体レーザ素子は、材料系が異なるため
必ずいずれか一方を先に成長し、しかる後、他方を成長
する必要がある。このため、先に成長した一方の半導体
レーザ素子の結晶層部分には、他方の半導体レーザ素子
を成長する際にも熱が加わることになり、略２倍の熱履
歴を有することになる。このため、先に成長した一方の
半導体レーザ素子の積層された結晶層間でドーパント
（例えば、Ｚｎ）の拡散が生じ、設計通りのｐｎ接合が
形成されない（ｐｎシフト）といったことが生じる。こ
のようなｐｎ接合シフトは、半導体レーザ素子の電気的
特性を劣化（例えば、動作電圧の増大）させたり、ドー
パントが活性層に拡散して非発光中心を増加させたりし
て、レーザ特性を劣化させてしまう。このように、同一
半導体基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎ
ＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を同時に形成するには、
前述したような困難さがある。
ｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ
素子を同時に形成するためには、以下の困難さがある。
これら２つの半導体レーザ素子は、材料系が異なるため
必ずいずれか一方を先に成長し、しかる後、他方を成長
する必要がある。このため、先に成長した一方の半導体
レーザ素子の結晶層部分には、他方の半導体レーザ素子
を成長する際にも熱が加わることになり、略２倍の熱履
歴を有することになる。このため、先に成長した一方の
半導体レーザ素子の積層された結晶層間でドーパント
（例えば、Ｚｎ）の拡散が生じ、設計通りのｐｎ接合が
形成されない（ｐｎシフト）といったことが生じる。こ
のようなｐｎ接合シフトは、半導体レーザ素子の電気的
特性を劣化（例えば、動作電圧の増大）させたり、ドー
パントが活性層に拡散して非発光中心を増加させたりし
て、レーザ特性を劣化させてしまう。このように、同一
半導体基板上にＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子とＩｎ
ＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を同時に形成するには、
前述したような困難さがある。
【０００５】これに対して、ＡｌＧａＡｓ系半導体レー
ザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を近接配置
して基板上に搭載する半導体レーザ装置は、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ
素子が既に商品化されているので、この２つの半導体レ
ーザ素子を組み立てるだけで、ＣＤ用、ＣＤ−Ｒ用及び
ＤＶＤ用光ディスクの記録、又は、再生を行うことがで
きる。更に、２つの半導体レ−ザ素子のそれぞれの発光
領域間を１００μｍ以内にすれば、光学系を共通化して
用いることができるので、１つの光ピックアップにより
ＣＤ用、ＣＤ−Ｒ用及びＤＶＤ用の光ディスクの記録又
は再生を行うことができるため、安価な光ディスク装置
を得ることができる。
ザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子を近接配置
して基板上に搭載する半導体レーザ装置は、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザ素子とＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ
素子が既に商品化されているので、この２つの半導体レ
ーザ素子を組み立てるだけで、ＣＤ用、ＣＤ−Ｒ用及び
ＤＶＤ用光ディスクの記録、又は、再生を行うことがで
きる。更に、２つの半導体レ−ザ素子のそれぞれの発光
領域間を１００μｍ以内にすれば、光学系を共通化して
用いることができるので、１つの光ピックアップにより
ＣＤ用、ＣＤ−Ｒ用及びＤＶＤ用の光ディスクの記録又
は再生を行うことができるため、安価な光ディスク装置
を得ることができる。
【０００６】このような光ディスク装置に用られる光ピ
ックアップについて図３乃至図５を用いて説明する。図
３は、従来の光ピックアップを示す概略断面図である。
図４は、従来の光ピックアップのディテクタ部を示す斜
視図である。図５は、マウント台上に載置された半導体
レーザ素子を示す斜視図である。まず初めに、従来の光
ピックアップ１９の構成について説明する。図３及び図
４に示すように、光ピックアップ１９は、ディテクタ部
２１と、このディテクタ部２１の上方に、回折光を生じ
るホログラム４と、光を集光する対物レンズ５と、光デ
ィスク６とが順次配置されて構成されている。
ックアップについて図３乃至図５を用いて説明する。図
３は、従来の光ピックアップを示す概略断面図である。
図４は、従来の光ピックアップのディテクタ部を示す斜
視図である。図５は、マウント台上に載置された半導体
レーザ素子を示す斜視図である。まず初めに、従来の光
ピックアップ１９の構成について説明する。図３及び図
４に示すように、光ピックアップ１９は、ディテクタ部
２１と、このディテクタ部２１の上方に、回折光を生じ
るホログラム４と、光を集光する対物レンズ５と、光デ
ィスク６とが順次配置されて構成されている。
【０００７】ディテクタ部２１は、ベース基板７と、こ
のベース基板７上に載置された開口部１１を有するディ
テクタ基板８とからなる。ディテクタ基板８の表面上に
は、開口部１１を挟んで対称な位置にフォトディテクタ
９、１０が固着されている。更に、図５に示すように、
マウント台２０の側面２０ＡにＩｎＧａＡｌＰ系半導体
レーザ素子１４（以下、半導体レーザ素子１４という）
とＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１５（以下、半導体
レーザ素子１５という）とが所定の間隔を有して固着形
成されている。このように、半導体レーザ素子１４、１
５が固着形成されたマウント台２０が、ディテクタ基板
８の開口部１１内に収納されている。この際、半導体レ
ーザ素子１４、１５のそれぞれの出射面１４Ａ、１５Ａ
は、垂直上方を向いている。また、半導体レーザ素子１
４、１５から出射される２つのレーザ光が１つの対物レ
ンズ５で光ディスク６に集光できるように、この２つの
半導体レーザ素子１４、１５は、それぞれの発光領域間
隔が１００μｍ以内となるように、配置されている。
のベース基板７上に載置された開口部１１を有するディ
テクタ基板８とからなる。ディテクタ基板８の表面上に
は、開口部１１を挟んで対称な位置にフォトディテクタ
９、１０が固着されている。更に、図５に示すように、
マウント台２０の側面２０ＡにＩｎＧａＡｌＰ系半導体
レーザ素子１４（以下、半導体レーザ素子１４という）
とＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１５（以下、半導体
レーザ素子１５という）とが所定の間隔を有して固着形
成されている。このように、半導体レーザ素子１４、１
５が固着形成されたマウント台２０が、ディテクタ基板
８の開口部１１内に収納されている。この際、半導体レ
ーザ素子１４、１５のそれぞれの出射面１４Ａ、１５Ａ
は、垂直上方を向いている。また、半導体レーザ素子１
４、１５から出射される２つのレーザ光が１つの対物レ
ンズ５で光ディスク６に集光できるように、この２つの
半導体レーザ素子１４、１５は、それぞれの発光領域間
隔が１００μｍ以内となるように、配置されている。
【０００８】次に、従来の光ピックアップ１９の動作に
ついて説明する。まず初めに、半導体レーザ素子１５を
用いて、ＣＤ用の光ディスクの再生及びＣＤ−Ｒ用の光
ディスクの再生を行う場合について説明する。半導体レ
ーザ素子１５を動作させ、半導体レーザ素子１５から出
射されたレーザ光は、ホログラム４を介して対物レンズ
５に入射させる。この際、このホログラム４で回折され
たレーザ光のうち、対物レンズ５は、０次回折光１６の
みを光ディスク６に集光させる。この０次回折光１６の
みとなったレーザ光は、光ディスク６に照射され、反射
光を生じる。この反射光は、対物レンズ５を介して、再
びホログラム４に入射し、回折されて＋１次回折光１７
と−１次回折光１８に分岐する。
ついて説明する。まず初めに、半導体レーザ素子１５を
用いて、ＣＤ用の光ディスクの再生及びＣＤ−Ｒ用の光
ディスクの再生を行う場合について説明する。半導体レ
ーザ素子１５を動作させ、半導体レーザ素子１５から出
射されたレーザ光は、ホログラム４を介して対物レンズ
５に入射させる。この際、このホログラム４で回折され
たレーザ光のうち、対物レンズ５は、０次回折光１６の
みを光ディスク６に集光させる。この０次回折光１６の
みとなったレーザ光は、光ディスク６に照射され、反射
光を生じる。この反射光は、対物レンズ５を介して、再
びホログラム４に入射し、回折されて＋１次回折光１７
と−１次回折光１８に分岐する。
【０００９】＋１次回折光１７は、フォトディテクタ９
に入射し、−１次回折光１８は、フォトディテクタ１０
に入射する。この後、フォトディテクタ９、１０に入射
した±１次回折光１７、１８のスポットサイズ径が同じ
になることを検出して、光ディスク６の再生を行う。
に入射し、−１次回折光１８は、フォトディテクタ１０
に入射する。この後、フォトディテクタ９、１０に入射
した±１次回折光１７、１８のスポットサイズ径が同じ
になることを検出して、光ディスク６の再生を行う。
【００１０】ＤＶＤ用の光ディスクの再生は、前記した
半導体レーザ素子１５が半導体レーザ素子１４に代わる
のみであり、ＣＤ用の光ディスクの再生と全く同様に行
うことができる。
半導体レーザ素子１５が半導体レーザ素子１４に代わる
のみであり、ＣＤ用の光ディスクの再生と全く同様に行
うことができる。
【００１１】半導体レーザ素子１５を用いたＣＤ−Ｒ用
光ディスクへ情報記録は、情報信号を半導体レーザ素子
１５から出射されるレーザ光に重畳させ、この情報信号
が重畳したレーザ光をホログラム３及び対物レンズ４を
介して光ディスク６に照射して行うことができる。ま
た、ＣＤ−Ｒ用光ディスクの再生は、半導体レーザ素子
１５を用いて前記したＣＤ用光ディスクの再生の場合と
同様に行うことができる。
光ディスクへ情報記録は、情報信号を半導体レーザ素子
１５から出射されるレーザ光に重畳させ、この情報信号
が重畳したレーザ光をホログラム３及び対物レンズ４を
介して光ディスク６に照射して行うことができる。ま
た、ＣＤ−Ｒ用光ディスクの再生は、半導体レーザ素子
１５を用いて前記したＣＤ用光ディスクの再生の場合と
同様に行うことができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ピックアップ１９には、以下の問題点があった。半導
体レーザ素子１４、１５の発光領域が１００μｍ以内に
なるようにするためには、半導体レーザ素子１４と半導
体レーザ素子１５を精度良くマウント台２０上に固着す
る必要があった。この位置精度の調整はμｍオーダーで
行う必要があり、非常に困難であった。
光ピックアップ１９には、以下の問題点があった。半導
体レーザ素子１４、１５の発光領域が１００μｍ以内に
なるようにするためには、半導体レーザ素子１４と半導
体レーザ素子１５を精度良くマウント台２０上に固着す
る必要があった。この位置精度の調整はμｍオーダーで
行う必要があり、非常に困難であった。
【００１３】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、２つの半導体レーザ素
子の位置精度に係わらず、対物レンズを共通化して用い
ることができる光ピックアップを提供することを目的と
する。
解消するためになされたもので、２つの半導体レーザ素
子の位置精度に係わらず、対物レンズを共通化して用い
ることができる光ピックアップを提供することを目的と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
は、少なくとも、第１のレーザ光を出射する第１半導体
レーザ素子と、第２のレーザ光を出射する第２半導体レ
ーザ素子と、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ
光のいずれか一方を光ディスクに集光させる対物レンズ
と、前記光ディスクから反射された反射光をディテクタ
に導く手段と、前記第１半導体レーザ素子を収納する開
口部及び前記第２半導体レーザ素子を載置する表面を有
すると共に前記ディテクタを形成したディテクタ部とか
らなる光ピックアップにおいて、前記第１のレーザ光を
通過させ、前記第２のレーザ光を反射し、かつ前記第２
のレーザ光の進行方向に対して４５°傾いたミラー面を
有して、前記開口部を覆うように前記ディテクタ部上に
載置された波長選択ミラーを備え、前記第１のレーザ光
を出射する前記第１半導体レーザ素子の出射面を垂直上
方に向け、前記第２のレーザ光を出射する前記第２半導
体レーザ素子の出射面を前記第１の半導体レーザ素子の
出射面と直交するように配置して、前記第２のレーザ光
が前記ミラー面で垂直上方に曲げられて前記第１のレー
ザ光の進行方向と同一方向にして前記対物レンズに入射
するようにしたことを特徴とする。
は、少なくとも、第１のレーザ光を出射する第１半導体
レーザ素子と、第２のレーザ光を出射する第２半導体レ
ーザ素子と、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ
光のいずれか一方を光ディスクに集光させる対物レンズ
と、前記光ディスクから反射された反射光をディテクタ
に導く手段と、前記第１半導体レーザ素子を収納する開
口部及び前記第２半導体レーザ素子を載置する表面を有
すると共に前記ディテクタを形成したディテクタ部とか
らなる光ピックアップにおいて、前記第１のレーザ光を
通過させ、前記第２のレーザ光を反射し、かつ前記第２
のレーザ光の進行方向に対して４５°傾いたミラー面を
有して、前記開口部を覆うように前記ディテクタ部上に
載置された波長選択ミラーを備え、前記第１のレーザ光
を出射する前記第１半導体レーザ素子の出射面を垂直上
方に向け、前記第２のレーザ光を出射する前記第２半導
体レーザ素子の出射面を前記第１の半導体レーザ素子の
出射面と直交するように配置して、前記第２のレーザ光
が前記ミラー面で垂直上方に曲げられて前記第１のレー
ザ光の進行方向と同一方向にして前記対物レンズに入射
するようにしたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の光ピックアップの実施形
態について図１及び図２を用いて説明する。図１は、本
発明の光ピックアップを示す概略断面図である。図２
は、本発明の光ピックアップのディテクタ部を示す斜視
図である。従来例と同一構成には同一符号を用いて、そ
の詳細な説明を省略する。
態について図１及び図２を用いて説明する。図１は、本
発明の光ピックアップを示す概略断面図である。図２
は、本発明の光ピックアップのディテクタ部を示す斜視
図である。従来例と同一構成には同一符号を用いて、そ
の詳細な説明を省略する。
【００１６】まず初めに、本発明の光ピックアップの構
成について説明する。図１に示すように、光ピックアッ
プ１は、ディテクタ部２と、このディテクタ部２の上方
に、所定の波長帯域の光を透過及び反射する波長選択ミ
ラー３と、回折光を生じるホログラム４と、光を集光す
る対物レンズ５と、光ディスク６とが順次配置されて構
成されている。図２に示すように、ディテクタ部２は、
ベース基板７と、このベ−ス基板７上に載置され、開口
部１１を有するディテクタ基板８とからなる。このディ
テクタ基板８上に開口部１１を挟み対称な位置にフォト
ディテクタ９、１０が載置され、フォトディテクタ９、
１０と略直交する位置にマウント台１３上に載置された
半導体レーザ素子１５が配置されている。
成について説明する。図１に示すように、光ピックアッ
プ１は、ディテクタ部２と、このディテクタ部２の上方
に、所定の波長帯域の光を透過及び反射する波長選択ミ
ラー３と、回折光を生じるホログラム４と、光を集光す
る対物レンズ５と、光ディスク６とが順次配置されて構
成されている。図２に示すように、ディテクタ部２は、
ベース基板７と、このベ−ス基板７上に載置され、開口
部１１を有するディテクタ基板８とからなる。このディ
テクタ基板８上に開口部１１を挟み対称な位置にフォト
ディテクタ９、１０が載置され、フォトディテクタ９、
１０と略直交する位置にマウント台１３上に載置された
半導体レーザ素子１５が配置されている。
【００１７】更に、ディテクタ基板８の開口部１１内に
は、半導体レーザ素子１４が出射面１４Ａを垂直上方に
向けた状態で収納されている。また、半導体レーザ素子
１５は、この出射面１５Ａが半導体レーザ素子１４の出
射面１４Ａと直交するように、ディテクタ基板８の表面
上に固着形成されている。このため、半導体レーザ素子
１４の出射面１４Ａから出射されるレーザ光Ｌ1（波長
６５０ｎｍ）と半導体レーザ素子１５の出射面１５Ａか
ら出射されるレーザ光Ｌ2（波長７８０ｎｍ）とは直交
する。なお、半導体レーザ素子１４、１５から出射され
るレーザ光Ｌ1、Ｌ2は、それぞれの出射面１４Ａ、１５
Ａに垂直に出射される。
は、半導体レーザ素子１４が出射面１４Ａを垂直上方に
向けた状態で収納されている。また、半導体レーザ素子
１５は、この出射面１５Ａが半導体レーザ素子１４の出
射面１４Ａと直交するように、ディテクタ基板８の表面
上に固着形成されている。このため、半導体レーザ素子
１４の出射面１４Ａから出射されるレーザ光Ｌ1（波長
６５０ｎｍ）と半導体レーザ素子１５の出射面１５Ａか
ら出射されるレーザ光Ｌ2（波長７８０ｎｍ）とは直交
する。なお、半導体レーザ素子１４、１５から出射され
るレーザ光Ｌ1、Ｌ2は、それぞれの出射面１４Ａ、１５
Ａに垂直に出射される。
【００１８】波長選択ミラー３は、半導体レーザ素子１
４から出射されるレ−ザ光Ｌ1を透過し、半導体レーザ
素子１５から出射されるレーザ光Ｌ2を反射するミラー
面３Ａを有し、このミラー面３Ａは、半導体レーザ素子
１５から出射されるレーザ光Ｌ2の進行方向に対して４
５°傾けている。このように、半導体レーザ素子１５か
ら出射されるレーザ光Ｌ2の進行方向に対して波長選択
ミラー３のミラー面３Ａを４５°傾けているので、レー
ザ光Ｌ2は、波長選択ミラー３のミラー面３Ａで反射さ
れて９０°上方に曲げることができる。このため、レー
ザ光Ｌ2は、レーザ光Ｌ1の進行方向と同一の垂直方向に
進行させることができる。この結果、レーザ光Ｌ1とレ
ーザ光Ｌ2は、略同一発光点を有する半導体レーザ素子
から出射されているようにすることができ、対物レンズ
５を共通化して用いることができる。
４から出射されるレ−ザ光Ｌ1を透過し、半導体レーザ
素子１５から出射されるレーザ光Ｌ2を反射するミラー
面３Ａを有し、このミラー面３Ａは、半導体レーザ素子
１５から出射されるレーザ光Ｌ2の進行方向に対して４
５°傾けている。このように、半導体レーザ素子１５か
ら出射されるレーザ光Ｌ2の進行方向に対して波長選択
ミラー３のミラー面３Ａを４５°傾けているので、レー
ザ光Ｌ2は、波長選択ミラー３のミラー面３Ａで反射さ
れて９０°上方に曲げることができる。このため、レー
ザ光Ｌ2は、レーザ光Ｌ1の進行方向と同一の垂直方向に
進行させることができる。この結果、レーザ光Ｌ1とレ
ーザ光Ｌ2は、略同一発光点を有する半導体レーザ素子
から出射されているようにすることができ、対物レンズ
５を共通化して用いることができる。
【００１９】次に、本発明の光ピックアップ１の動作に
ついて説明する。まず初めに、半導体レーザ素子１５を
用いて、ＣＤ用及びＣＤ−Ｒ用の光ディスクの再生を行
う場合について説明する。半導体レーザ素子１５から出
射されたレーザ光Ｌ2は、波長選択ミラー３のミラー面
３Ａで反射されて９０°上方に曲げられてホログラム
４、対物レンズ５を介して光ディスク６に入射させる。
この際、このホログラム４で回折されたレーザ光Ｌ2の
うち、対物レンズ５は、０次回折光１６のみを光ディス
ク６に集光させる。この０次回折光１６のみとなったレ
ーザ光Ｌ2は、光ディスク６に照射され、反射光を生じ
る。この反射光は、対物レンズ５を介して、再びホログ
ラム４に入射し、回折されて＋１次回折光１７と−１次
回折光１８に分岐する。
ついて説明する。まず初めに、半導体レーザ素子１５を
用いて、ＣＤ用及びＣＤ−Ｒ用の光ディスクの再生を行
う場合について説明する。半導体レーザ素子１５から出
射されたレーザ光Ｌ2は、波長選択ミラー３のミラー面
３Ａで反射されて９０°上方に曲げられてホログラム
４、対物レンズ５を介して光ディスク６に入射させる。
この際、このホログラム４で回折されたレーザ光Ｌ2の
うち、対物レンズ５は、０次回折光１６のみを光ディス
ク６に集光させる。この０次回折光１６のみとなったレ
ーザ光Ｌ2は、光ディスク６に照射され、反射光を生じ
る。この反射光は、対物レンズ５を介して、再びホログ
ラム４に入射し、回折されて＋１次回折光１７と−１次
回折光１８に分岐する。
【００２０】＋１次回折光１７は、フォトディテクタ９
に入射し、−１次回折光１８は、フォトディテクタ１０
に入射する。この後、フォトディテクタ９、１０に入射
した±１次回折光１７、１８のスポットサイズ径が同じ
になることを検出して、光ディスク６の情報を再生す
る。
に入射し、−１次回折光１８は、フォトディテクタ１０
に入射する。この後、フォトディテクタ９、１０に入射
した±１次回折光１７、１８のスポットサイズ径が同じ
になることを検出して、光ディスク６の情報を再生す
る。
【００２１】ＤＶＤ用の光ディスクの再生は、前記した
半導体レーザ素子１５が半導体レーザ素子１４に代わる
のみであり、ＣＤ用の光ディスクの再生と全く同様に行
うことができる。
半導体レーザ素子１５が半導体レーザ素子１４に代わる
のみであり、ＣＤ用の光ディスクの再生と全く同様に行
うことができる。
【００２２】ＣＤ−Ｒ用光ディスクへ情報記録は、半導
体レーザ素子１５を用い、前記した従来例と同様にして
行うことができる。
体レーザ素子１５を用い、前記した従来例と同様にして
行うことができる。
【００２３】以上のように、レーザ光Ｌ1を出射する半
導体レーザ素子１４と、レーザ光Ｌ2を出射する半導体
レーザ素子１５と、レーザ光Ｌ1及びレーザ光Ｌ2のいず
れか一方を光ディスク６に集光させる対物レンズ５と、
光ディスク６から反射された反射光を回折分岐するホロ
グラム４と、半導体レーザ素子１４を収納する開口部１
１と、半導体レーザ素子１５を載置する表面を有するデ
ィテクタ部２とからなり、レーザ光Ｌ1を通過させ、レ
ーザ光Ｌ2を反射し、かつレーザ光Ｌ2の進行方向に対し
て４５°傾向いたミラー面３Ａを有して、開口部１１を
覆うようにしてディテクタ基板８上に載置された波長選
択ミラー３を備え、レーザ光Ｌ1を出射する半導体レー
ザ素子１４の出射面１４Ａを垂直上方に向け、レーザ光
Ｌ2を出射する半導体レーザ素子１５の出射面１５Ａを
半導体レーザ素子１４の出射面１４Ａと直交するように
配置したので、レーザ光Ｌ2がミラー面３Ａで垂直上方
に曲げられてレーザ光Ｌ1の進行方向と同一方向にして
対物レンズ５に入射するようにしたこのため、レーザ光
Ｌ1とレーザ光Ｌ2が略同一発光点を有する半導体レーザ
素子から出射されているようにすることができ、対物レ
ンズ４を共通化して用いることができる。
導体レーザ素子１４と、レーザ光Ｌ2を出射する半導体
レーザ素子１５と、レーザ光Ｌ1及びレーザ光Ｌ2のいず
れか一方を光ディスク６に集光させる対物レンズ５と、
光ディスク６から反射された反射光を回折分岐するホロ
グラム４と、半導体レーザ素子１４を収納する開口部１
１と、半導体レーザ素子１５を載置する表面を有するデ
ィテクタ部２とからなり、レーザ光Ｌ1を通過させ、レ
ーザ光Ｌ2を反射し、かつレーザ光Ｌ2の進行方向に対し
て４５°傾向いたミラー面３Ａを有して、開口部１１を
覆うようにしてディテクタ基板８上に載置された波長選
択ミラー３を備え、レーザ光Ｌ1を出射する半導体レー
ザ素子１４の出射面１４Ａを垂直上方に向け、レーザ光
Ｌ2を出射する半導体レーザ素子１５の出射面１５Ａを
半導体レーザ素子１４の出射面１４Ａと直交するように
配置したので、レーザ光Ｌ2がミラー面３Ａで垂直上方
に曲げられてレーザ光Ｌ1の進行方向と同一方向にして
対物レンズ５に入射するようにしたこのため、レーザ光
Ｌ1とレーザ光Ｌ2が略同一発光点を有する半導体レーザ
素子から出射されているようにすることができ、対物レ
ンズ４を共通化して用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の光ピックアップによれば、少な
くとも、第１のレーザ光を出射する第１半導体レーザ素
子と、第２のレーザ光を出射する第２半導体レーザ素子
と、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光のいず
れか一方を光ディスクに集光させる対物レンズと、前記
光ディスクから反射された反射光をディテクタに導く手
段と、前記第１半導体レーザ素子を収納する開口部及び
前記第２半導体レーザ素子を載置する表面を有すると共
に前記ディテクタを形成したディテクタ部とからなる光
ピックアップにおいて、前記第１のレーザ光を通過さ
せ、前記第２のレーザ光を反射し、かつ前記第２のレー
ザ光の進行方向に対して４５°傾いたミラー面を有し
て、前記開口部を覆うように前記ディテクタ部上に載置
された波長選択ミラーを備え、前記第１のレーザ光を出
射する前記第１半導体レーザ素子の出射面を垂直上方に
向け、前記第２のレーザ光を出射する前記第２半導体レ
ーザ素子の出射面を前記第１の半導体レーザ素子の出射
面と直交するように配置して、前記第２のレーザ光が前
記ミラー面で垂直上方に曲げられて前記第１のレーザ光
の進行方向と同一方向にして前記対物レンズに入射する
ようにしたので、前記第１のレーザ光と前記第２のレー
ザ光が略同一発光点を有する半導体レーザ素子から出射
されているようにすることができ、対物レンズを共通化
して用いることができる。
くとも、第１のレーザ光を出射する第１半導体レーザ素
子と、第２のレーザ光を出射する第２半導体レーザ素子
と、前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光のいず
れか一方を光ディスクに集光させる対物レンズと、前記
光ディスクから反射された反射光をディテクタに導く手
段と、前記第１半導体レーザ素子を収納する開口部及び
前記第２半導体レーザ素子を載置する表面を有すると共
に前記ディテクタを形成したディテクタ部とからなる光
ピックアップにおいて、前記第１のレーザ光を通過さ
せ、前記第２のレーザ光を反射し、かつ前記第２のレー
ザ光の進行方向に対して４５°傾いたミラー面を有し
て、前記開口部を覆うように前記ディテクタ部上に載置
された波長選択ミラーを備え、前記第１のレーザ光を出
射する前記第１半導体レーザ素子の出射面を垂直上方に
向け、前記第２のレーザ光を出射する前記第２半導体レ
ーザ素子の出射面を前記第１の半導体レーザ素子の出射
面と直交するように配置して、前記第２のレーザ光が前
記ミラー面で垂直上方に曲げられて前記第１のレーザ光
の進行方向と同一方向にして前記対物レンズに入射する
ようにしたので、前記第１のレーザ光と前記第２のレー
ザ光が略同一発光点を有する半導体レーザ素子から出射
されているようにすることができ、対物レンズを共通化
して用いることができる。
【図１】本発明の光ピックアップを示す概略断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の光ピックアップのディテクタ部を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図３】従来の光ピックアップを示す概略断面図であ
る。
る。
【図４】従来の光ピックアップのディテクタ部を示す斜
視図である。
視図である。
【図５】マウント台上に載置された半導体レーザ素子を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１…光ピックアップ、２…ディテクタ部、３…波長選択
ミラー、３Ａ…ミラー面、４…ホログラム（手段）、５
…対物レンズ、６…光ディスク、７…ベース基板、８…
ディテクタ基板、９、１０…フォトディテクタ（ディテ
クタ）、１１…開口部、１２、１３…マウント台、１４
…半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）、１４
Ａ、１５Ａ…出射面、１５…半導体レーザ素子（第２半
導体レーザ素子）、１６…０次回折光、１７…＋１次回
折光、１８…−１次回折光、Ｌ1、Ｌ2…レーザ光
ミラー、３Ａ…ミラー面、４…ホログラム（手段）、５
…対物レンズ、６…光ディスク、７…ベース基板、８…
ディテクタ基板、９、１０…フォトディテクタ（ディテ
クタ）、１１…開口部、１２、１３…マウント台、１４
…半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）、１４
Ａ、１５Ａ…出射面、１５…半導体レーザ素子（第２半
導体レーザ素子）、１６…０次回折光、１７…＋１次回
折光、１８…−１次回折光、Ｌ1、Ｌ2…レーザ光
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも、第１のレーザ光を出射する第
１半導体レーザ素子と、第２のレーザ光を出射する第２
半導体レーザ素子と、前記第１のレーザ光及び前記第２
のレーザ光のいずれか一方を光ディスクに集光させる対
物レンズと、前記光ディスクから反射された反射光をデ
ィテクタに導く手段と、前記第１半導体レーザ素子を収
納する開口部及び前記第２半導体レーザ素子を載置する
表面を有すると共に前記ディテクタを形成したディテク
タ部とからなる光ピックアップにおいて、 前記第１のレーザ光を通過させ、前記第２のレーザ光を
反射し、かつ前記第２のレーザ光の進行方向に対して４
５°傾いたミラー面を有して、前記開口部を覆うように
前記ディテクタ部上に載置された波長選択ミラーを備
え、 前記第１のレーザ光を出射する前記第１半導体レーザ素
子の出射面を垂直上方に向け、前記第２のレーザ光を出
射する前記第２半導体レーザ素子の出射面を前記第１の
半導体レーザ素子の出射面と直交するように配置して、
前記第２のレーザ光が前記ミラー面で垂直上方に曲げら
れて前記第１のレーザ光の進行方向と同一方向にして前
記対物レンズに入射するようにしたことを特徴とする光
ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11018104A JP2000215498A (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11018104A JP2000215498A (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215498A true JP2000215498A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11962329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11018104A Pending JP2000215498A (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000215498A (ja) |
-
1999
- 1999-01-27 JP JP11018104A patent/JP2000215498A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100195137B1 (ko) | 호환형 광픽업장치 | |
| US6747939B2 (en) | Semiconductor laser device and optical pickup device using the same | |
| JP2000353332A (ja) | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 | |
| JP2001236671A (ja) | 光ピックアップ装置及びレーザダイオードチップ | |
| KR100253810B1 (ko) | 이파장 광원모듈 및 그를 이용한 광픽업장치 | |
| KR100716938B1 (ko) | 광픽업장치 | |
| EP0996119B1 (en) | Optical pickup and optical device | |
| US5933402A (en) | Optical pickup capable of compatibly adopting disks of different thickness | |
| KR100547211B1 (ko) | 광학 픽업 및 광 디스크 장치 | |
| KR100294886B1 (ko) | 호환형 광픽업장치 | |
| JP2000215498A (ja) | 光ピックアップ | |
| KR100607936B1 (ko) | 광픽업장치 | |
| US6947367B2 (en) | Single means for converting beam widths of plural laser beams with different entry and exit angle with offset | |
| JPH1049904A (ja) | 光ピックアップ | |
| KR100585065B1 (ko) | 광출력모듈 및 이를 채용한 호환형 광픽업장치 | |
| JP2001076376A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2002288854A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH10241189A (ja) | 光ピックアップ装置およびそれを備えた光学記録媒体駆動装置 | |
| KR20000066585A (ko) | 광출력모듈 및 이를 채용한 호환형 광픽업장치 | |
| JP2000222766A (ja) | 光学装置 | |
| JPH10247338A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| KR20000025093A (ko) | 호환형 광픽업장치 | |
| JPH06318339A (ja) | 光ピックアップ及び光ディスク装置 | |
| JP2001313437A (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| JPH0773493A (ja) | 光ピックアップ及びそれを搭載した光ディスク装置 |