JP2000208709A - Semiconductor integrated circuit device and ic card - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device and ic card

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JP2000208709A
JP2000208709A JP11005546A JP554699A JP2000208709A JP 2000208709 A JP2000208709 A JP 2000208709A JP 11005546 A JP11005546 A JP 11005546A JP 554699 A JP554699 A JP 554699A JP 2000208709 A JP2000208709 A JP 2000208709A
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integrated circuit
chip
circuit device
card
chip crack
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JP11005546A
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Keiki Watanabe
圭紀 渡邊
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Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability for a noncontact type IC card or the like mounting a logic integrated circuit device by realizing a circuit device having a chip crack detecting function. SOLUTION: In a noncontact type IC card or the like provided with an antenna wiring AW, a resistance wiring RW for detecting chip cracks is formed along four sides of a semiconductor substrate CHIP of a logic integrated circuit device LSI, and a set input terminal and a reset input terminal are formed. A flip-flop in which an output signal turns into an internal reset signal IRST, a first delay circuit which contains the resistance wiring RW as a resistor R1, delays an external reset signal RST by a specific delay time, and transfers the signal to a cassette input terminal of the flip-flop, and a chip crack detecting circuit BD which receives practical resistance change of the resistor wiring RW and discriminates the generation of chip cracks in the semiconductor substrate CHIP are installed. The detection circuit BD contains a second delay circuit, which delays the external reset signal RST by a specific delay time and transfers the signal to the reset terminal of the flip-flop. The delay time is longer than the delay time of the first delay circuit in the normal state but is shorter than the delay time, when chip cracks are generated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は半導体集積回路装
置及びIC(Integrated Circuit)
カードに関し、例えば、フラッシュメモリ等の不揮発性
メモリを備える論理集積回路装置及びこれを搭載する非
接触型ICカードならびにそのチップ割れに対する信頼
性の向上に利用して特に有効な技術に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and an IC (Integrated Circuit).
The present invention relates to a card, for example, relates to a logic integrated circuit device having a nonvolatile memory such as a flash memory, a non-contact type IC card equipped with the same, and a technique particularly effective for improving reliability against chip breakage.

【0002】[0002]

【従来の技術】コントロールゲート及びフローティング
ゲートを有する2層ゲート構造型メモリセルが格子配列
されてなるメモリアレイをその基本構成要素とするフラ
ッシュメモリがあり、このようなフラッシュメモリを内
蔵する論理集積回路装置等の半導体集積回路装置があ
る。また、プラスティック等からなるカード面上に上記
論理集積回路装置を搭載し、カード面上に形成されたア
ンテナ配線を介して動作電源及びデータ等の授受を行う
いわゆる非接触型ICカードがある。
2. Description of the Related Art There is a flash memory whose basic component is a memory array in which two-layer gate structure type memory cells having a control gate and a floating gate are arranged in a lattice, and a logic integrated circuit incorporating such a flash memory. There are semiconductor integrated circuit devices such as devices. In addition, there is a so-called non-contact type IC card in which the above-mentioned logic integrated circuit device is mounted on a card surface made of plastic or the like, and exchanges operating power, data, and the like via an antenna wiring formed on the card surface.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本願発明者等は、この
発明に先立って、論理集積回路装置を搭載する非接触型
ICカードの開発に従事し、次のような問題点に気付い
た。すなわち、非接触型ICカードに搭載される論理集
積回路装置等は、集積回路技術の進歩を受けて高集積化
・大規模化される傾向にあり、これを受けてそのチップ
サイズは大型化されつつある。しかし、非接触型ICカ
ードは、その利便性を高める意味から、例えば名刺程度
に小型化・薄型化される傾向にあり、これに合わせてそ
の基体となるカードも薄くなりつつある。このため、カ
ード利用者によるカード曲げ等で非接触型ICカードに
応力・圧力が加わった場合、論理集積回路装置の半導体
基板(チップ)に割れが生じ、正常に動作できないこと
が考えられる。
Prior to the present invention, the present inventors engaged in the development of a non-contact type IC card having a logic integrated circuit device, and noticed the following problems. That is, logic integrated circuit devices and the like mounted on a non-contact type IC card tend to be highly integrated and scaled up with the progress of integrated circuit technology, and accordingly, the chip size has been increased. It is getting. However, non-contact type IC cards tend to be smaller and thinner than business cards, for example, in order to enhance their convenience, and accordingly, the base card is becoming thinner. For this reason, when stress / pressure is applied to the non-contact type IC card due to card bending or the like by the card user, it is considered that the semiconductor substrate (chip) of the logic integrated circuit device is cracked and cannot operate normally.

【0004】周知のように、ICカードは、電子マネー
等のような金銭に関わるシステムに使用されることが予
想され、充分な信頼性を要求されつつある。したがっ
て、上記のようなチップ割れ等によりICカードが正常
に動作できなくなった場合、その動作を完全停止するこ
とが必要となるが、現状の非接触型ICカード等はチッ
プ割れ検出機能を持たず、充分な信頼性を確保するに至
っていない。
As is well known, an IC card is expected to be used in a money-related system such as electronic money, and is required to have sufficient reliability. Therefore, when the IC card cannot operate normally due to the chip breakage or the like as described above, it is necessary to completely stop the operation, but the current non-contact type IC card does not have a chip breakage detection function. However, sufficient reliability has not been secured.

【0005】この発明の目的は、チップ割れ検出機能を
有する論理集積回路装置等の半導体集積回路装置を提供
することにある。この発明の他の目的は、論理集積回路
装置等を搭載する非接触型ICカード等の信頼性を高め
ることにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device such as a logic integrated circuit device having a chip crack detecting function. Another object of the present invention is to improve the reliability of a non-contact type IC card or the like on which a logic integrated circuit device or the like is mounted.

【0006】この発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、この明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。すなわち、アンテナ配線を備える非接触
型ICカード等において、搭載される論理集積回路装置
等の半導体基板面の四辺に沿ってチップ割れ検出用配線
を形成するとともに、セット入力端子及びリセット入力
端子を備え、その出力信号が内部リセット信号となるフ
リップフロップと、チップ割れ検出用配線を第1の抵抗
手段として含み、外部リセット信号を所定の遅延時間だ
け遅らせて上記フリップフロップのセット入力端子に伝
達する第1の遅延回路と、外部リセット信号を所定の遅
延時間だけ遅らせて上記フリップフロップのリセット入
力端子に伝達し、かつその遅延時間が第1の遅延回路の
正常時における遅延時間より長くしかもチップ割れ発生
時における遅延時間より短い第2の遅延回路とを含み、
チップ割れ検出用配線の実質的な抵抗値の変化を受けて
半導体基板にチップ割れが発生したことを識別するチッ
プ割れ検出回路を設ける。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application. That is, in a non-contact type IC card or the like having an antenna wiring, a chip crack detection wiring is formed along four sides of a semiconductor substrate surface of a mounted logic integrated circuit device and the like, and a set input terminal and a reset input terminal are provided. A flip-flop whose output signal is used as an internal reset signal, and a wiring for detecting chip breakage as first resistance means for transmitting an external reset signal to a set input terminal of the flip-flop with a predetermined delay time. And a delay circuit for delaying the external reset signal by a predetermined delay time and transmitting it to the reset input terminal of the flip-flop, and the delay time is longer than the normal delay time of the first delay circuit, and chip cracking occurs. A second delay circuit shorter than the delay time at
A chip crack detection circuit is provided for identifying that a chip crack has occurred in the semiconductor substrate in response to a substantial change in the resistance value of the chip crack detection wiring.

【0008】上記手段によれば、非接触型ICカードに
搭載される論理集積回路装置等にチップ割れが発生した
場合、これを検出して、外部リセット信号の無効レベル
が内部リセット信号の無効レベルとして伝達されるのを
選択的に禁止し、論理集積回路装置等の以後の動作を完
全に停止することができる。この結果、論理集積回路装
置等のチップ割れにともなう誤動作を防止し、論理集積
回路装置等及びこれを搭載する非接触型ICカード等の
信頼性を高めることができる。
According to the above means, when a chip break occurs in a logic integrated circuit device or the like mounted on a non-contact type IC card, this is detected and the invalid level of the external reset signal is changed to the invalid level of the internal reset signal. Can be selectively inhibited from being transmitted, and the subsequent operation of the logic integrated circuit device or the like can be completely stopped. As a result, malfunctions due to chip breakage of the logic integrated circuit device or the like can be prevented, and the reliability of the logic integrated circuit device or the like and the non-contact type IC card or the like mounting the same can be improved.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】図1には、この発明が適用された
論理集積回路装置LSI(半導体集積回路装置)を搭載
する非接触型ICカードICC(ICカード)の一実施
例の外観構造図が示されている。また、図2には、図1
の非接触型ICカードICC及びこれに搭載される論理
集積回路装置LSIの一実施例のブロック図が示され、
図3には、図2の論理集積回路装置LSIの一実施例の
基板配置図が示されている。これらの図をもとに、まず
この実施例の非接触型ICカードICC及び論理集積回
路装置LSIの構成及び動作の概要について説明する。
なお、図2及び図3の論理集積回路装置LSIの各部を
構成する回路素子は、特に制限されないが、公知のMO
SFET(金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ。
この明細書では、MOSFETをして絶縁ゲート型電界
効果トランジスタの総称とする)集積回路の製造技術に
より、単結晶シリコンのような1個の半導体基板CHI
P面上に形成される。また、図1及び図3に関する以下
の記述では、各図の位置関係をもってカード面又は半導
体基板CHIP面での上下左右を表す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an external structural view of one embodiment of a non-contact type IC card ICC (IC card) mounted with a logic integrated circuit device LSI (semiconductor integrated circuit device) to which the present invention is applied. It is shown. FIG. 2 also shows FIG.
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a non-contact type IC card ICC and a logic integrated circuit device LSI mounted thereon;
FIG. 3 shows a board layout of one embodiment of the logic integrated circuit device LSI of FIG. First, the outline of the configuration and operation of the non-contact type IC card ICC and the logic integrated circuit device LSI of this embodiment will be described with reference to these drawings.
The circuit elements constituting each part of the logic integrated circuit device LSI shown in FIGS. 2 and 3 are not particularly limited.
SFET (metal oxide semiconductor field effect transistor.
In this specification, a MOSFET is referred to as an insulated gate field effect transistor).
It is formed on the P plane. In the following description regarding FIGS. 1 and 3, the positional relationship in each drawing represents the upper, lower, left and right on the card surface or the semiconductor substrate CHIP surface.

【0010】図1において、この実施例の非接触型IC
カードICCは、特に制限されないが、例えばプラステ
ィック材料からなるカード面の下部にチップCHIPと
して搭載される論理集積回路装置LSIと、その上部に
四角いコイル状に形成されるアンテナ配線AWとを備え
る。また、論理集積回路装置LSIは、図2に示される
ように、アンテナ配線AWに結合されるインタフェース
回路RFIFと、チップ割れ検出回路BD,制御論理部
LCならびにメモリユニットMEMUとを備える。この
うち、メモリユニットMEMUは、図3に示されるよう
に、論理集積回路装置LSIが形成される半導体基板C
HIPの下部に、その半分を超える面積を占めて配置さ
れ、他のインタフェース回路RFIF,チップ割れ検出
回路BDならびに制御論理部LCは、半導体基板CHI
Pの上部に配置される。
Referring to FIG. 1, a non-contact type IC of this embodiment is shown.
Although not particularly limited, the card ICC includes, for example, a logic integrated circuit device LSI mounted as a chip CHIP below a card surface made of a plastic material, and an antenna wiring AW formed in a rectangular coil shape above the logic integrated circuit device LSI. Further, as shown in FIG. 2, the logic integrated circuit device LSI includes an interface circuit RFIF coupled to the antenna wiring AW, a chip crack detection circuit BD, a control logic unit LC, and a memory unit MEMU. The memory unit MEMU is, as shown in FIG. 3, a semiconductor substrate C on which a logic integrated circuit device LSI is formed.
The other interface circuit RFIF, chip crack detection circuit BD, and control logic unit LC are arranged under the HIP so as to occupy more than half of the area.
It is located above P.

【0011】この実施例において、論理集積回路装置L
SIを構成するインタフェース回路RFIF,チップ割
れ検出回路BD,制御論理部LCならびにメモリユニッ
トMEMUの周囲には、半導体基板CHIPの四辺に沿
って、例えばポリシリコン等からなる抵抗配線RW(チ
ップ割れ検出用配線)が配置される。この抵抗配線RW
は、後述するように、抵抗R1となって、図示されない
他の回路素子とともにチップ割れ検出回路BDを構成
し、その抵抗値の変化により、非接触型ICカードIC
Cの無理なカード曲げ等にともなうチップ割れを検出す
る。このため、抵抗配線RWつまり抵抗R1の抵抗値
は、正常時、つまり半導体基板CHIPがチップ割れ状
態にないとき、比較的小さな所定値R1とされ、チップ
割れ発生時には、チップ割れの状況に応じて最大無限大
まで大きくなる。
In this embodiment, a logic integrated circuit device L
Around the interface circuit RFIF, the chip crack detection circuit BD, the control logic unit LC, and the memory unit MEMU constituting the SI, along the four sides of the semiconductor substrate CHIP, a resistance wire RW (for chip crack detection) made of, for example, polysilicon or the like is provided. Wiring) is arranged. This resistance wiring RW
Is a resistor R1 and constitutes a chip crack detection circuit BD together with other circuit elements (not shown), as will be described later.
Chip breakage due to excessive card bending of C is detected. For this reason, the resistance value of the resistance wiring RW, that is, the resistance value of the resistor R1 is set to a relatively small predetermined value R1 in a normal state, that is, when the semiconductor substrate CHIP is not in a chip crack state. It grows up to infinity.

【0012】図2に戻ろう。この実施例の非接触型IC
カードICCは、コネクタ等の接続手段を介することな
く、すなわちアンテナ配線AWから送受信される無線信
号を介して図示されないカード駆動装置に電気的に結合
される。このとき、論理集積回路装置LSIのインタフ
ェース回路RFIFは、例えば無線信号の搬送波成分を
整流することによって電源電圧VCC及び接地電位VS
Sを生成し、各部の動作電源として供給するとともに、
受信した無線信号からクロック信号CK及び外部リセッ
ト信号RSTを抽出し、チップ割れ検出回路BDを含む
論理集積回路装置LSIの各部に供給する。また、受信
した無線信号から有効な受信信号RSを抽出して制御論
理部LCに伝達するとともに、制御論理部LCから供給
される送信信号TSを無線信号に変換してカード駆動装
置に出力する。
Returning to FIG. Non-contact type IC of this embodiment
The card ICC is electrically coupled to a card driving device (not shown) without a connection means such as a connector, that is, via a radio signal transmitted and received from the antenna wiring AW. At this time, the interface circuit RFIF of the logic integrated circuit device LSI rectifies the carrier component of the radio signal, for example, so that the power supply voltage VCC and the ground potential VS.
S is generated and supplied as operation power for each unit.
The clock signal CK and the external reset signal RST are extracted from the received wireless signal and supplied to each unit of the logic integrated circuit device LSI including the chip crack detection circuit BD. Further, it extracts a valid reception signal RS from the received radio signal and transmits it to the control logic unit LC, converts the transmission signal TS supplied from the control logic unit LC into a radio signal, and outputs the radio signal to the card driving device.

【0013】なお、電源電圧VCCは、特に制限されな
いが、例えば+2.5V(ボルト)のような正電位とさ
れる。また、外部リセット信号RSTは、非接触型IC
カードICCがカード駆動装置に装着された当初におい
て電源電圧VCCのようなハイレベル(以下、ハイレベ
ルとは電源電圧VCCのような電位を表す)の有効レベ
ルとされ、ICカードの主たる動作、つまりその主たる
機能を実現するための動作が開始される直前に接地電位
VSSのようなロウレベル(以下、ロウレベルとは接地
電位VSSのような電位を表す)の無効レベルとされ
る。
The power supply voltage VCC is not particularly limited, but has a positive potential such as +2.5 V (volt). The external reset signal RST is a non-contact type IC.
When the card ICC is initially mounted on the card driving device, it is set to an effective level of a high level such as the power supply voltage VCC (hereinafter, the high level represents a potential such as the power supply voltage VCC), and the main operation of the IC card, that is, Immediately before the operation for realizing the main function is started, a low level such as the ground potential VSS (hereinafter, the low level represents a potential like the ground potential VSS) is set to an invalid level.

【0014】次に、論理集積回路装置LSIのチップ割
れ検出回路BDは、抵抗配線RWつまり抵抗R1の抵抗
値の変化を受けてカード曲げ等にともなう論理集積回路
装置LSIのチップ割れを検出し、その出力信号たる内
部リセット信号IRSTを選択的に形成する。すなわ
ち、チップ割れ検出回路BDは、非接触型ICカードI
CCがカード駆動装置に装着された当初、外部リセット
信号RSTのハイレベルを受けて内部リセット信号IR
STをハイレベルの有効レベルとし、制御論理部LCを
含む論理集積回路装置LSIの各部をリセット状態とす
る。また、論理集積回路装置LSIの主たる動作を開始
するために外部リセット信号RSTがロウレベルとされ
ると、抵抗配線RWつまり抵抗R1の抵抗値が所定値以
下であることを条件に、つまり論理集積回路装置LSI
の半導体基板CHIPがチップ割れ状態にないことを条
件に、内部リセット信号IRSTを選択的にロウレベル
の無効レベルとし、論理集積回路装置LSIの以後の動
作を可能とする。
Next, the chip crack detection circuit BD of the logic integrated circuit device LSI detects a chip break of the logic integrated circuit device LSI due to a card bending or the like in response to a change in the resistance value of the resistance wiring RW, that is, the resistance R1. An internal reset signal IRST as an output signal is selectively formed. That is, the chip crack detection circuit BD is a non-contact type IC card I
Initially, when the CC is mounted on the card driving device, the internal reset signal IR is received in response to the high level of the external reset signal RST.
ST is set to a high effective level, and each unit of the logic integrated circuit device LSI including the control logic unit LC is reset. When the external reset signal RST is set to a low level in order to start the main operation of the logic integrated circuit device LSI, on the condition that the resistance value of the resistance wiring RW, that is, the resistance R1 is equal to or less than a predetermined value, that is, the logic integrated circuit Device LSI
Under the condition that the semiconductor substrate CHIP is not in a chip cracked state, the internal reset signal IRST is selectively set to the invalid level of the low level to enable the subsequent operation of the logic integrated circuit device LSI.

【0015】しかし、抵抗配線RWつまり抵抗R1の抵
抗値が所定値より大きい場合、つまり論理集積回路装置
LSIの半導体基板CHIPにチップ割れが発生した場
合、内部リセット信号IRSTをハイレベルの有効レベ
ルのままとし、論理集積回路装置LSIの各部をリセッ
ト状態のままとして以後の動作を禁止し、論理集積回路
装置LSIの誤動作を防止して、論理集積回路装置LS
I及びこれを搭載する非接触型ICカードICCの信頼
性を高める役割を果たす。非接触型ICカードICCの
具体的構成及び動作については、後で詳細に説明する。
However, when the resistance value of the resistance wiring RW, that is, the resistance of the resistor R1 is larger than a predetermined value, that is, when a chip crack occurs in the semiconductor substrate CHIP of the logic integrated circuit device LSI, the internal reset signal IRST is set to a high effective level. The respective parts of the logic integrated circuit device LSI are kept in the reset state, and the subsequent operation is prohibited, and the malfunction of the logic integrated circuit device LSI is prevented.
It plays a role in improving the reliability of the IC and the non-contact type IC card ICC on which it is mounted. The specific configuration and operation of the non-contact type IC card ICC will be described later in detail.

【0016】一方、論理集積回路装置LSIの制御論理
部LCは、例えばCPU(中央処理装置)のようなスト
アドプログラム方式のコントローラからなり、各部の動
作を制御・統轄する。また、メモリユニットMEMU
は、例えばフラッシュメモリ等の不揮発性メモリからな
り、非接触型ICカードICCの主たる機能を実現する
ための記憶手段として作用する。このとき、制御論理部
LCは、インタフェース回路RFIFから伝達される受
信信号RSをもとに各種コマンドを解析し、メモリ制御
信号MCS,アドレスADならびにデータDTを選択的
に形成して、メモリユニットMEMUに対する書き込み
又は読み出し動作を制御する。また、メモリユニットM
EMUは、制御論理部LCから供給されるメモリ制御信
号MCS,アドレスADならびにデータDTに従って、
指定アドレスに対する書き込み又は読み出し動作を実行
し、その結果を制御論理部LCに出力する。
On the other hand, the control logic unit LC of the logic integrated circuit device LSI is composed of a controller of a stored program system such as a CPU (Central Processing Unit), and controls and controls the operation of each unit. In addition, the memory unit MEMU
Comprises a non-volatile memory such as a flash memory, and functions as a storage unit for realizing a main function of the non-contact type IC card ICC. At this time, the control logic unit LC analyzes various commands based on the received signal RS transmitted from the interface circuit RFIF, selectively forms the memory control signal MCS, the address AD, and the data DT, and generates the memory unit MEMU. Control the write or read operation for Also, the memory unit M
The EMU according to the memory control signal MCS, the address AD and the data DT supplied from the control logic unit LC
A write or read operation for the specified address is performed, and the result is output to the control logic unit LC.

【0017】前述のように、制御論理部LCは、チップ
割れ検出回路BDから供給される内部リセット信号IR
STに従って論理集積回路装置LSIの各部をリセット
状態とし、この内部リセット信号IRSTは、論理集積
回路装置LSIの半導体基板CHIPがチップ割れ状態
にないことを条件に選択的に無効レベルつまりロウレベ
ルとされる。このため、論理集積回路装置LSIの各部
は、内部リセット信号IRSTがロウレベルであること
を条件に、つまり半導体基板CHIPがチップ割れ状態
にないことを条件に選択的にそのリセット状態を解か
れ、非接触型ICカードICCの主たる機能を実現する
ための通常動作を開始する。
As described above, the control logic part LC is provided with the internal reset signal IR supplied from the chip break detection circuit BD.
Each part of the logic integrated circuit device LSI is reset according to ST, and the internal reset signal IRST is selectively set to an invalid level, that is, a low level, on condition that the semiconductor substrate CHIP of the logic integrated circuit device LSI is not in a chip breaking state. . Therefore, each part of the logic integrated circuit device LSI is selectively released from its reset state on condition that the internal reset signal IRST is at a low level, that is, on condition that the semiconductor substrate CHIP is not in a chip break state. The normal operation for realizing the main function of the contact type IC card ICC is started.

【0018】図4には、図2の論理集積回路装置LSI
に含まれるチップ割れ検出回路BDの一実施例の回路図
が示され、図5及び図6には、その正常時及びチップ割
れ発生時の一実施例の信号波形図がそれぞれ示されてい
る。これらの図をもとに、この実施例の論理集積回路装
置LSIに含まれるチップ割れ検出回路BDの具体的構
成及び動作ならびにその特徴について説明する。
FIG. 4 shows the logic integrated circuit device LSI of FIG.
5 and FIG. 6 show signal waveform diagrams of the normal state and the embodiment of the chip breakage occurrence state in the case of chip breakage, respectively. With reference to these drawings, the specific configuration and operation of the chip breakage detection circuit BD included in the logic integrated circuit device LSI of this embodiment and its features will be described.

【0019】図4において、この実施例の論理集積回路
装置LSIのチップ割れ検出回路BDは、特に制限され
ないが、セット入力端子SB,リセット入力端子RB,
非反転出力端子Qならびに反転出力端子QB(ここで、
それが有効とされるとき選択的にロウレベルとされるい
わゆる反転信号等については、その名称の末尾にBを付
して表す。以下同様)を備えるセット優先型のフリップ
フロップFFを含む。このフリップフロップFFのセッ
ト入力端子SBには、インバータV1,抵抗配線RWつ
まり抵抗R1(第1の抵抗手段),容量C1ならびにイ
ンバータV2及びV3からなる第1の遅延回路を介して
外部リセット信号RSTが供給され、その反転入力端子
には、インバータV4,抵抗R3(第2の抵抗手段),
容量C2ならびにインバータV5及びV6からなる第2
の遅延回路を介して外部リセット信号RSTが供給され
る。また、フリップフロップFFの非反転出力信号Q
は、内部リセット信号IRSTとして制御論理部LCに
供給される。
In FIG. 4, the chip break detection circuit BD of the logic integrated circuit device LSI of this embodiment is not particularly limited, but includes a set input terminal SB, a reset input terminal RB,
The non-inverting output terminal Q and the inverting output terminal QB (where
A so-called inverted signal or the like which is selectively set to a low level when it is made valid is indicated by adding a B to the end of its name. The same applies to the following.) An external reset signal RST is connected to a set input terminal SB of the flip-flop FF via a first delay circuit including an inverter V1, a resistance wiring RW, that is, a resistance R1 (first resistance means), a capacitor C1, and inverters V2 and V3. Are supplied to the inverting input terminals thereof, the inverter V4, the resistor R3 (second resistor means),
A second capacitor C2 and inverters V5 and V6
The external reset signal RST is supplied through the delay circuit. Also, the non-inverted output signal Q of the flip-flop FF
Is supplied to the control logic unit LC as an internal reset signal IRST.

【0020】なお、インバータV2の入力端子と接地電
位との間には、抵抗R1及びR3に比較して充分に大き
な抵抗値の抵抗R2が設けられるが、この抵抗R2は、
チップ割れによって抵抗配線RWが完全な切断状態とな
ったとき、インバータV2の入力端子がフローティング
状態となるのを防止すべく作用する。
A resistor R2 having a sufficiently larger resistance value than the resistors R1 and R3 is provided between the input terminal of the inverter V2 and the ground potential.
When the resistance wiring RW is completely cut off due to chip breakage, it works to prevent the input terminal of the inverter V2 from being in a floating state.

【0021】前述のように、外部リセット信号RST
は、非接触型ICカードICCがカード駆動装置に装着
された当初にハイレベルの有効レベルとされ、その主た
る動作が開始される直前にロウレベルの無効レベルとさ
れる。また、チップ割れ検出回路BDを構成する抵抗配
線RWつまり抵抗R1の抵抗値は、正常時つまり論理集
積回路装置LSIの半導体基板CHIPがチップ割れ状
態にないとき、所定値つまりチップ割れ検出回路BDを
構成する抵抗R3の抵抗値より小さな値とされ、半導体
基板CHIPがチップ割れ状態となり、抵抗配線RWの
一部に破損又は欠損が生じたときには、その程度に応じ
て抵抗R3の抵抗値より大きな値とされ、抵抗配線RW
が完全な切断状態となった場合には無限大となる。
As described above, the external reset signal RST
Is set to a high-level valid level at the beginning when the non-contact type IC card ICC is mounted on the card driving device, and set to a low-level invalid level immediately before the main operation is started. The resistance value of the resistance wire RW, ie, the resistance of the resistor R1, which constitutes the chip crack detection circuit BD is a predetermined value, ie, the chip break detection circuit BD, when the semiconductor substrate CHIP of the logic integrated circuit device LSI is not in a chip crack state. When the semiconductor substrate CHIP is in a chip cracked state and a part of the resistance wiring RW is damaged or lost, the resistance is set to a value smaller than the resistance of the resistor R3. And the resistance wiring RW
Becomes infinite when is completely disconnected.

【0022】非接触型ICカードICCがカード駆動装
置に装着され、外部リセット信号RSTがハイレベルの
有効レベルとされるとき、論理集積回路装置LSIのチ
ップ割れ検出回路BDでは、図5及び図6の左端に示さ
れるように、フリップフロップFFに対するセット入力
信号FF−SB及びリセット入力信号FF−RBがとも
にロウレベルの有効レベルとされる。このため、セット
優先型のフリップフロップFFは、セット入力信号FF
−SB側の有効レベルを受けてセット状態となり、その
非反転出力信号Qたる内部リセット信号IRSTは、ハ
イレベルの有効レベルとされる。これにより、制御論理
部LCを含む論理集積回路装置LSIの各部がリセット
状態となり、言わば通常動作のための待機状態となる。
When the non-contact type IC card ICC is mounted on the card driving device and the external reset signal RST is set to the high effective level, the chip breakage detection circuit BD of the logic integrated circuit device LSI uses FIG. 5 and FIG. , The set input signal FF-SB and the reset input signal FF-RB to the flip-flop FF are both set to the low effective level. For this reason, the set priority type flip-flop FF is connected to the set input signal FF.
In response to the valid level on the -SB side, the internal reset signal IRST, which is the non-inverted output signal Q, is set to a high valid level. As a result, each unit of the logic integrated circuit device LSI including the control logic unit LC is in a reset state, that is, a standby state for normal operation.

【0023】次に、カード駆動装置によって非接触型I
CカードICCの動作が開始され、外部リセット信号R
STがロウレベルの無効レベルとされると、論理集積回
路装置LSIでは、抵抗配線RWつまり抵抗R1の抵抗
値に応じて、言い換えるならば論理集積回路装置LSI
の半導体基板CHIPのチップ割れの有無に応じて、チ
ップ割れ検出回路BDの出力信号たる内部リセット信号
IRSTが選択的に無効レベルとされ、あるいは有効レ
ベルのままとされる。
Next, the non-contact type I
The operation of the C card ICC starts, and the external reset signal R
When ST is set to the low invalid level, in the logic integrated circuit device LSI, in accordance with the resistance value of the resistance wiring RW, that is, the resistor R1, in other words, the logic integrated circuit device LSI
The internal reset signal IRST, which is the output signal of the chip crack detection circuit BD, is selectively set to an invalid level or remains at an effective level depending on whether or not the semiconductor substrate CHIP has a chip crack.

【0024】すなわち、論理集積回路装置LSIがチッ
プ割れ状態にない正常時、外部リセット信号RSTのロ
ウレベルへの変化を受けたチップ割れ検出回路BDで
は、図5に示されるように、抵抗配線RWつまり抵抗R
1の比較的小さな抵抗値と容量C1の容量値とにより決
まる比較的短い遅延時間tsnが経過した時点で、フリ
ップフロップFFに対するセット入力信号FF−SBが
ロウレベルからハイレベルに変化する。また、抵抗R3
のやや大きな抵抗値と容量C2の容量値とによって決ま
る遅延時間trが経過した時点で、フリップフロップF
Fに対するリセット入力信号FF−RBがロウレベルか
らハイレベルに変化する。
That is, when the logic integrated circuit device LSI is in a normal state in which the chip is not broken, the chip break detection circuit BD which has received the change of the external reset signal RST to the low level, as shown in FIG. Resistance R
When a relatively short delay time tsn determined by a relatively small resistance value of 1 and the capacitance value of the capacitor C1 has elapsed, the set input signal FF-SB to the flip-flop FF changes from a low level to a high level. The resistance R3
When a delay time tr determined by the slightly larger resistance value and the capacitance value of the capacitor C2 has elapsed, the flip-flop F
The reset input signal FF-RB for F changes from low level to high level.

【0025】したがって、セット優先型のフリップフロ
ップFFの非反転出力信号Qたる内部リセット信号IR
STは、フリップフロップFFに対するリセット入力信
号FF−RBがロウレベルとされたままセット入力信号
FF−SBがハイレベルとされた時点で、ロウレベルの
無効レベルに変化し、これを受けて論理集積回路装置L
SIの主たる機能を実現するための正常動作が開始され
る。
Therefore, the internal reset signal IR which is the non-inverted output signal Q of the set priority type flip-flop FF
ST changes to a low-level invalid level when the set input signal FF-SB is changed to the high level while the reset input signal FF-RB for the flip-flop FF is set to the low level. L
The normal operation for realizing the main function of the SI is started.

【0026】一方、論理集積回路装置LSIがチップ割
れ状態になったとき、外部リセット信号RSTのロウレ
ベルへの変化を受けたチップ割れ検出回路BDでは、図
6に示されるように、抵抗R3の抵抗値と容量C2の容
量値とにより決まる遅延時間trが経過した時点で、ま
ずフリップフロップFFに対するリセット入力信号FF
−RBがロウレベルからハイレベルに変化し、セット入
力信号FF−SBは、切断又は欠損状態にある抵抗配線
RWつまり抵抗R1の比較的大きな抵抗値と容量C1の
容量値とにより決まる比較的長い遅延時間tsbが経過
した時点でロウレベルからハイレベルに変化し、あるい
はロウレベルのままとなる。
On the other hand, when the logic integrated circuit device LSI is in a chip break state, the chip break detection circuit BD which has received the change of the external reset signal RST to the low level, as shown in FIG. When a delay time tr determined by the value and the capacitance value of the capacitor C2 elapses, first, the reset input signal FF to the flip-flop FF
-RB changes from the low level to the high level, and the set input signal FF-SB has a relatively long delay determined by the relatively large resistance value of the resistance wiring RW, that is, the resistance R1 and the capacitance value of the capacitance C1 in the disconnected or missing state. When the time tsb has elapsed, the level changes from the low level to the high level or remains at the low level.

【0027】したがって、セット優先型のフリップフロ
ップFFの非反転出力信号Qたる内部リセット信号IR
STは、ハイレベルの有効レベルのままとされ、これが
ために論理集積回路装置LSIの各部はリセット状態の
ままとされ、論理集積回路装置LSIの制御論理部LC
を含む各部は待機状態のままとされる。この結果、チッ
プ割れ状態にある論理集積回路装置LSIの誤動作を防
止することができ、これによって論理集積回路装置LS
Iひいてはこれを搭載する非接触型ICカードICCの
信頼性を高めることができるものである。
Therefore, the internal reset signal IR as the non-inverted output signal Q of the set-priority type flip-flop FF
ST is kept at a high effective level, which causes each part of the logic integrated circuit device LSI to remain in a reset state, and the control logic portion LC of the logic integrated circuit device LSI
Are kept in a standby state. As a result, it is possible to prevent a malfunction of the logic integrated circuit device LSI in a chip cracked state, whereby the logic integrated circuit device LS
Thus, the reliability of the non-contact type IC card ICC mounting the same can be improved.

【0028】なお、論理集積回路装置LSIの抵抗配線
RWがチップ割れによって完全な切断状態となったと
き、内部リセット信号IRSTのロウレベルへの変化は
フリップフロップFFのセット入力端子SBに伝達され
ない。ところが、この実施例のチップ割れ検出回路BD
では、前述のように、インバータV2の入力端子と接地
電位との間に、抵抗R1及びR3に比較して充分に大き
な抵抗値を有する抵抗R2が設けられる。この抵抗R2
は、抵抗配線RWがチップ割れによって完全な切断状態
となったとき、インバータV2の入力信号をロウレベル
に固定し、フリップフロップFFに対するセット入力信
号FF−SBをロウレベルに固定して、内部リセット信
号IRSTを無効レベルのままとする。この結果、抵抗
配線RWがチップ割れによって完全な切断状態となった
場合でも、論理集積回路装置LSIの誤動作を防止し、
論理集積回路装置LSI及びこれを搭載する非接触型I
CカードICCの信頼性をさらに高めることができるも
のである。
When the resistance wiring RW of the logic integrated circuit device LSI is completely disconnected due to chip breakage, the change of the internal reset signal IRST to the low level is not transmitted to the set input terminal SB of the flip-flop FF. However, the chip crack detection circuit BD of this embodiment
As described above, the resistor R2 having a sufficiently large resistance value as compared with the resistors R1 and R3 is provided between the input terminal of the inverter V2 and the ground potential. This resistance R2
When the resistance wiring RW is completely disconnected due to chip breakage, the input signal of the inverter V2 is fixed at a low level, the set input signal FF-SB to the flip-flop FF is fixed at a low level, and the internal reset signal IRST At the invalid level. As a result, even if the resistance wiring RW is completely disconnected due to chip breakage, malfunction of the logic integrated circuit device LSI is prevented,
Logic integrated circuit device LSI and non-contact type I mounting the same
The reliability of the C card ICC can be further improved.

【0029】以上の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 (1)アンテナ配線を備える非接触型ICカード等にお
いて、搭載される論理集積回路装置等の半導体基板面の
四辺に沿ってチップ割れ検出用配線を形成するととも
に、セット入力端子及びリセット入力端子を備え、その
出力信号が内部リセット信号となるフリップフロップ
と、チップ割れ検出用配線を第1の抵抗手段として含
み、外部リセット信号を所定の遅延時間だけ遅らせて上
記フリップフロップのセット入力端子に伝達する第1の
遅延回路と、外部リセット信号を所定の遅延時間だけ遅
らせて上記フリップフロップのリセット入力端子に伝達
し、かつその遅延時間が第1の遅延回路の正常時におけ
る遅延時間より長くしかもチップ割れ発生時における遅
延時間より短い第2の遅延回路とを含み、チップ割れ検
出用配線の実質的な抵抗値の変化を受けて半導体基板に
チップ割れが発生したことを識別するチップ割れ検出回
路を設けることで、非接触型ICカードに搭載される論
理集積回路装置等にカード曲げ等によるチップ割れが発
生した場合、これを検出して、外部リセット信号の無効
レベルが内部リセット信号の無効レベルとして伝達され
るのを選択的に禁止し、論理集積回路装置等の以後の動
作を完全に停止させることができるという効果が得られ
る。
The functions and effects obtained from the above embodiment are as follows. (1) In a non-contact type IC card or the like having an antenna wiring, a chip crack detecting wiring is formed along four sides of a semiconductor substrate surface of a mounted logic integrated circuit device or the like, and a set input terminal and a reset input are formed. A flip-flop whose output signal is an internal reset signal; and a chip crack detection wiring as first resistance means. The external reset signal is delayed by a predetermined delay time to a set input terminal of the flip-flop. A first delay circuit to be transmitted, an external reset signal delayed by a predetermined delay time and transmitted to the reset input terminal of the flip-flop, and the delay time is longer than the normal delay time of the first delay circuit. A second delay circuit that is shorter than the delay time at the time of chip cracking. By providing a chip crack detection circuit for identifying that a chip crack has occurred in a semiconductor substrate in response to a qualitative change in resistance value, a logic integrated circuit device mounted on a non-contact type IC card can be subjected to card bending or the like. If a chip break occurs, this is detected, and the invalid level of the external reset signal is selectively prohibited from being transmitted as the invalid level of the internal reset signal, and the subsequent operation of the logic integrated circuit device or the like is completely prevented. The effect of being able to stop is obtained.

【0030】(2)上記(1)項により、論理集積回路
装置等のチップ割れにともなう誤動作を防止することが
できるという効果が得られる。 (3)上記(2)項により、論理集積回路装置等及びこ
れを搭載する非接触型ICカード等の信頼性を高めるこ
とができるという効果が得られる。 (4)上記(1)〜(3)項において、チップ割れ検出
用配線がチップ割れによって完全な切断状態となったと
き、上記フリップフロップのセット入力端子を有効レベ
ルに固定するプルダウン又はプルアップ抵抗を設けるこ
とで、チップ割れ検出用配線が完全な切断状態となった
場合でも、論理集積回路装置等の誤動作を防止し、論理
集積回路装置等ひいてはこれを搭載する非接触型ICカ
ード等の信頼性をさらに高めることができるという効果
が得られる。
(2) According to the above item (1), an effect is obtained that a malfunction due to chip breakage of a logic integrated circuit device or the like can be prevented. (3) According to the above item (2), an effect is obtained that the reliability of the logic integrated circuit device and the like and the non-contact type IC card and the like mounting the same can be improved. (4) In the above items (1) to (3), a pull-down or pull-up resistor for fixing the set input terminal of the flip-flop to an effective level when the chip-break detection wiring is completely disconnected due to chip break. This prevents malfunctions of the logic integrated circuit device and the like even when the chip crack detection wiring is completely cut off, and reduces the reliability of the logic integrated circuit device and the like and the non-contact type IC card or the like on which the device is mounted. The effect that the property can be further improved is obtained.

【0031】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図1において、非接触型ICカードICCに搭載さ
れる論理集積回路装置LSIは、例えばメモリユニット
MEMUに相当するメモリ集積回路装置と、インタフェ
ース回路RFIF,チップ割れ検出回路BDならびに制
御論理部LCに相当する論理集積回路装置とに分割して
形成することができるし、例えばチップ割れ検出回路B
Dを構成する容量C1及びC2を、他の各部とは別個の
半導体集積回路装置として形成してもよい。非接触型I
CカードICCは、任意の形状をとりうるし、論理集積
回路装置LSIの搭載位置やアンテナ配線AWの形状等
は、種々の実施形態をとりうる。ICカードは、非接触
型であることを必須条件とはせず、例えばコネクタや電
極等を介してカード駆動装置に接続されるものとしても
よい。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, there is. For example, in FIG. 1, a logic integrated circuit device LSI mounted on a non-contact type IC card ICC includes, for example, a memory integrated circuit device corresponding to a memory unit MEMU, an interface circuit RFIF, a chip crack detection circuit BD, and a control logic unit LC. Can be formed separately from a logic integrated circuit device corresponding to
The capacitances C1 and C2 constituting D may be formed as a semiconductor integrated circuit device separate from other components. Non-contact type I
The C card ICC can take any shape, and the mounting position of the logic integrated circuit device LSI, the shape of the antenna wiring AW, and the like can take various embodiments. The IC card is not required to be a non-contact type, but may be connected to a card driving device via, for example, a connector or an electrode.

【0032】図2において、抵抗配線RWは、アルミニ
ウム等の金属配線層に置き換えてもよいし、他の各種の
配線材料を用いて形成することができる。また、論理集
積回路装置LSIのブロックは、種々の実施形態をとり
うるし、各ブロック間で授受される信号の組み合わせ及
び有効レベルならびに電源電圧の極性及び絶対値等につ
いても同様である。図3において、論理集積回路装置L
SIの半導体基板CHIPの形状は、この実施例による
制約を受けない。また、各ブロックの配置位置は任意に
設計できるし、抵抗配線RWの配置についても同様であ
る。
In FIG. 2, the resistance wiring RW may be replaced by a metal wiring layer such as aluminum, or may be formed using other various wiring materials. The blocks of the logic integrated circuit device LSI can take various embodiments, and the same applies to combinations and effective levels of signals transmitted and received between the blocks, polarities and absolute values of power supply voltages, and the like. In FIG. 3, the logic integrated circuit device L
The shape of the SI semiconductor substrate CHIP is not restricted by this embodiment. The arrangement position of each block can be arbitrarily designed, and the same applies to the arrangement of the resistance wiring RW.

【0033】図4において、フリップフロップFFのセ
ット入力端子SB及びリセット入力端子RBの前段に設
けられる第1及び第2の遅延回路は、任意の構成をとり
うるし、抵抗R2は、例えばインバータV3の入力端子
と電源電圧VCCとの間に設けられるプルアップ抵抗に
置き換えることができる。チップ割れ検出回路BDの具
体的構成は種々の実施形態をとりうるし、外部リセット
信号RST及び内部リセット信号IRSTの有効レベル
も、任意に設定できる。
In FIG. 4, the first and second delay circuits provided before the set input terminal SB and the reset input terminal RB of the flip-flop FF can have an arbitrary configuration, and the resistor R2 is connected to, for example, the inverter V3. It can be replaced with a pull-up resistor provided between the input terminal and the power supply voltage VCC. The specific configuration of the chip crack detection circuit BD can take various embodiments, and the effective levels of the external reset signal RST and the internal reset signal IRST can be arbitrarily set.

【0034】図5及び図6において、各信号の具体的な
レベル及び時間関係は、本実施例の主旨に影響を与えな
いし、その有効レベルについても同様である。
In FIGS. 5 and 6, the specific level and time relationship of each signal do not affect the gist of the present embodiment, and the same applies to the effective level.

【0035】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である論理
集積回路装置及びこれを搭載する非接触型ICカードに
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、例えば、各種のゲートアレイやメモリ集積
回路装置あるいはこれを搭載する各種のICカードにも
適用できる。この発明は、少なくともチップ割れのおそ
れがある半導体集積回路装置及びこれを搭載するICカ
ードならびにこのような半導体集積回路装置又はICカ
ードを含む装置又はシステムに広く適用できる。
In the above description, the case where the invention made by the inventor is mainly applied to a logic integrated circuit device and a non-contact type IC card on which the logic integrated circuit device is mounted has been described. The present invention is not limited thereto, and can be applied to, for example, various gate arrays, memory integrated circuit devices, and various IC cards equipped with the same. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied to at least a semiconductor integrated circuit device having a risk of chip breakage, an IC card mounting the same, and a device or system including such a semiconductor integrated circuit device or IC card.

【0036】[0036]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、アンテナ配線を備える非接
触型ICカード等において、搭載される論理集積回路装
置等の半導体基板面の四辺に沿ってチップ割れ検出用配
線を形成するとともに、セット入力端子及びリセット入
力端子を備え、その出力信号が内部リセット信号となる
フリップフロップと、チップ割れ検出用配線を第1の抵
抗手段として含み、外部リセット信号を所定の遅延時間
だけ遅らせて上記フリップフロップのセット入力端子に
伝達する第1の遅延回路と、外部リセット信号を所定の
遅延時間だけ遅らせて上記フリップフロップのリセット
入力端子に伝達し、かつその遅延時間が第1の遅延回路
の正常時における遅延時間より長くしかもチップ割れ発
生時における遅延時間より短い第2の遅延回路とを含
み、チップ割れ検出用配線の実質的な抵抗値の変化を受
けて半導体基板にチップ割れが発生したことを識別する
チップ割れ検出回路を設けることで、非接触型ICカー
ドに搭載される論理集積回路装置等にチップ割れが発生
した場合、これを検出して、外部リセット信号の無効レ
ベルが内部リセット信号の無効レベルとして伝達される
のを選択的に禁止し、論理集積回路装置等の以後の動作
を完全に停止することができる。この結果、論理集積回
路装置等のチップ割れにともなう誤動作を防止し、論理
集積回路装置等及びこれを搭載する非接触型ICカード
等の信頼性を高めることができる。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, in a non-contact type IC card or the like having an antenna wiring, a chip crack detection wiring is formed along four sides of a semiconductor substrate surface of a mounted logic integrated circuit device and the like, and a set input terminal and a reset input terminal are provided. A flip-flop whose output signal is used as an internal reset signal, and a wiring for detecting chip breakage as first resistance means for transmitting an external reset signal to a set input terminal of the flip-flop with a predetermined delay time. And a delay circuit for delaying the external reset signal by a predetermined delay time and transmitting it to the reset input terminal of the flip-flop, and the delay time is longer than the normal delay time of the first delay circuit, and chip cracking occurs. And a second delay circuit that is shorter than the delay time at the time. By providing a chip crack detection circuit for identifying that a chip crack has occurred on a semiconductor substrate in response to a change in resistance, if a chip crack occurs in a logic integrated circuit device or the like mounted on a non-contact type IC card, By detecting this, the transmission of the invalid level of the external reset signal as the invalid level of the internal reset signal is selectively inhibited, and the subsequent operation of the logic integrated circuit device or the like can be completely stopped. As a result, malfunctions due to chip breakage of the logic integrated circuit device or the like can be prevented, and the reliability of the logic integrated circuit device or the like and the non-contact type IC card or the like mounting the same can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明が適用された論理集積回路装置を搭載
する非接触型ICカードの一実施例を示す外観構造図で
ある。
FIG. 1 is an external structural view showing one embodiment of a non-contact type IC card on which a logic integrated circuit device to which the present invention is applied is mounted.

【図2】図1の非接触型ICカード及びこれに搭載され
る論理集積回路装置の一実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of the non-contact type IC card of FIG. 1 and a logic integrated circuit device mounted thereon.

【図3】図1の非接触型ICカードに搭載される論理集
積回路装置の一実施例を示す基板配置図である。
FIG. 3 is a board layout diagram showing one embodiment of a logic integrated circuit device mounted on the non-contact type IC card of FIG. 1;

【図4】図3の論理集積回路装置に含まれるチップ割れ
検出回路の一実施例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing one embodiment of a chip crack detection circuit included in the logic integrated circuit device of FIG. 3;

【図5】図4のチップ割れ検出回路の正常時の一実施例
を示す信号波形図である。
FIG. 5 is a signal waveform diagram showing one embodiment of a normal state of the chip crack detection circuit of FIG. 4;

【図6】図4のチップ割れ検出回路のチップ割れ発生時
の一実施例を示す信号波形図である。
FIG. 6 is a signal waveform diagram showing one embodiment of the chip crack detection circuit of FIG. 4 when a chip crack occurs.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

ICC……非接触型ICカード、LSI……論理集積回
路装置、CHIP……半導体基板(チップ)、AW……
アンテナ配線。RFIF……インタフェース回路、BD
……チップ割れ検出回路、LC……論理制御部、MEM
U……メモリユニット、RW……抵抗配線、RST……
外部リセット信号、IRST……内部リセット信号、C
K……クロック信号、VCC……電源電圧、VSS……
接地電位、RS……受信信号、TS……送信信号、MC
S……メモリ制御信号、AD……アドレス、DT……デ
ータ。V1〜V6……インバータ、R1〜R3……抵
抗、C1〜C2……容量、FF……セット優先型フリッ
プフロップ。tsn,tsb,tr……遅延時間。
ICC: non-contact IC card, LSI: logic integrated circuit device, CHIP: semiconductor substrate (chip), AW
Antenna wiring. RFIF ... Interface circuit, BD
…… Chip crack detection circuit, LC …… Logic control unit, MEM
U: Memory unit, RW: Resistance wiring, RST:
External reset signal, IRST ... Internal reset signal, C
K: clock signal, VCC: power supply voltage, VSS:
Ground potential, RS: received signal, TS: transmitted signal, MC
S: memory control signal, AD: address, DT: data. V1 to V6: inverters, R1 to R3: resistors, C1 to C2, capacitors, FFs: set-priority flip-flops. tsn, tsb, tr ... delay time.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体基板面の各辺に沿って形成される
チップ割れ検出用配線と、 上記チップ割れ検出用配線の実質的な抵抗値の変化を受
けて、半導体基板にチップ割れが発生したことを識別す
るチップ割れ検出回路とを具備することを特徴とする半
導体集積回路装置。
A chip crack is generated in a semiconductor substrate in response to a substantial change in a resistance value of a chip crack detection wiring formed along each side of a semiconductor substrate surface and the chip crack detection wiring. And a chip crack detection circuit for identifying the situation.
【請求項2】 請求項1において、 上記チップ割れ検出回路は、上記チップ割れ検出用配線
の抵抗値が所定値より小さいとき、外部から供給される
外部リセット信号の無効レベルを内部リセット信号の無
効レベルとして選択的に伝達するものであって、 上記半導体集積回路装置は、上記内部リセット信号の無
効レベルを受けて、その主たる機能を実現するための動
作を選択的に開始しうるものとされることを特徴とする
半導体集積回路装置。
2. The chip crack detection circuit according to claim 1, wherein the chip crack detection circuit changes the invalid level of the external reset signal supplied from outside when the resistance value of the chip crack detection wiring is smaller than a predetermined value. The semiconductor integrated circuit device is capable of selectively starting an operation for realizing its main function in response to the invalid level of the internal reset signal. A semiconductor integrated circuit device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、 上記チップ割れ検出用配線は、正常時において比較的小
さな所定の抵抗値を有し、チップ割れ発生時において上
記所定値より大きな抵抗値を有する抵抗配線からなるも
のであることを特徴とする半導体集積回路装置。
3. The chip crack detecting wire according to claim 1, wherein the chip crack detection wiring has a relatively small predetermined resistance value in a normal state, and has a resistance value larger than the predetermined value when a chip crack occurs. A semiconductor integrated circuit device comprising a resistance wiring.
【請求項4】 請求項1,請求項2又は請求項3におい
て、 上記チップ割れ検出回路は、 セット入力端子及びリセット入力端子を備え、その出力
信号が上記内部リセット信号となるフリップフロップ
と、 上記チップ割れ検出用配線を第1の抵抗手段として含
み、上記外部リセット信号を所定の遅延時間だけ遅らせ
て上記フリップフロップのセット入力端子に伝達する第
1の遅延回路と、 上記外部リセット信号を所定の遅延時間だけ遅らせて上
記フリップフロップのリセット入力端子に伝達し、かつ
その遅延時間が、上記第1の遅延回路の正常時における
遅延時間より長く、チップ割れ発生時における遅延時間
より短い第2の遅延回路とを含むものであることを特徴
とする半導体集積回路装置。
4. The flip-flop according to claim 1, further comprising a set input terminal and a reset input terminal, the output signal of which is the internal reset signal. A first delay circuit that includes a chip crack detection wiring as first resistance means, delays the external reset signal by a predetermined delay time, and transmits the external reset signal to a set input terminal of the flip-flop; The second delay is delayed by the delay time and transmitted to the reset input terminal of the flip-flop, and the delay time is longer than the normal delay time of the first delay circuit and shorter than the delay time when a chip break occurs. And a semiconductor integrated circuit device.
【請求項5】 請求項4において、 上記第2の遅延回路は、その抵抗値が、上記第1の抵抗
手段の正常時における抵抗値より大きく、チップ割れ発
生時の抵抗値より小さな第2の抵抗手段を含むものであ
ることを特徴とする半導体集積回路装置。
5. The second delay circuit according to claim 4, wherein a resistance value of the second delay circuit is larger than a resistance value of the first resistance means in a normal state and smaller than a resistance value of the first resistance means when a chip break occurs. A semiconductor integrated circuit device including resistance means.
【請求項6】 請求項1,請求項2,請求項3,請求項
4又は請求項5において、 上記半導体集積回路装置は、所定のアンテナ配線を備え
る非接触型ICカードに搭載されるものであることを特
徴とする半導体集積回路装置。
6. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit device is mounted on a non-contact type IC card having a predetermined antenna wiring. A semiconductor integrated circuit device.
【請求項7】 半導体基板面の各辺に沿って形成される
チップ割れ検出用配線と、上記チップ割れ検出用配線の
実質的な抵抗値の変化を受けて、半導体基板にチップ割
れが発生したことを識別するチップ割れ検出回路とを含
む半導体集積回路装置を搭載してなることを特徴とする
ICカード。
7. A chip crack is generated in the semiconductor substrate due to a substantial change in resistance of the chip crack detection wiring formed along each side of the semiconductor substrate surface and the chip crack detection wiring. An IC card comprising a semiconductor integrated circuit device including a chip crack detection circuit for identifying the fact.
【請求項8】 請求項7において、 上記ICカードは、所定のアンテナ配線を備える非接触
型ICカードであることを特徴とするICカード。
8. The IC card according to claim 7, wherein the IC card is a non-contact type IC card having a predetermined antenna wiring.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100517554B1 (en) * 2002-12-05 2005-09-28 삼성전자주식회사 Semiconductor integrated circuit with security function

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