JP2000208267A - Light emitting element - Google Patents

Light emitting element

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JP2000208267A
JP2000208267A JP11232415A JP23241599A JP2000208267A JP 2000208267 A JP2000208267 A JP 2000208267A JP 11232415 A JP11232415 A JP 11232415A JP 23241599 A JP23241599 A JP 23241599A JP 2000208267 A JP2000208267 A JP 2000208267A
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JP
Japan
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light
light emitting
emitting device
nitrogen
compound
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Pending
Application number
JP11232415A
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Japanese (ja)
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Takeshi Tominaga
剛 富永
Daisuke Kitazawa
大輔 北澤
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F13/00Illuminated signs; Luminous advertising
    • G09F13/20Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
    • G09F13/22Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
    • G09F2013/227Electroluminescent displays for vehicles

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a red light emitting element having high color purity by including at least a quinolinol metallic complex having a fluorescent peak wave length being in a specific range and a compound having a pyrromethene skeleton or the metallic complex. SOLUTION: A light emitting material emits the light in a peak wave length of 580 nm to 720 nm by electric energy. This light-emitting material includes a quinolinol metallic complex having a fluorescence peak wave length of 540 nm to 720 nm and a compound having a pyrromethene skeleton or the metallic complex. The pyrromethene skeleton is expressed by the formula. In the formula, R1 to R7 may be the same or may be different, and the hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl or the like, X is carbon or nitrogen, but in the case of nitrogen, R7 does not exits. B, Be, Mg, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pt or the like are preferably cited as metal capable of coordinating with the metallic complex.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an element capable of converting electric energy into light, and relates to a display element, a flat panel display, a backlight, lighting, an interior, a sign, a sign, an electrophotographic device, an optical signal generator, and the like. The present invention relates to a light emitting element that can be used in the field of (1).

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。
2. Description of the Related Art In recent years, studies have been actively conducted on organic laminated thin-film light emitting devices in which electrons injected from a cathode and holes injected from an anode emit light when they recombine in an organic phosphor sandwiched between both electrodes. ing. This device has attracted attention because it is thin, emits light with high luminance under a low driving voltage, and emits multicolor light by selecting a fluorescent material.

【0003】この研究は、コダック社のC.W.Tan
gらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来(Appl.Phys.Lett.51(12)
21,p.913,1987)、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である8−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてM
g:Agを順次設けたものであり、10V程度の駆動電
圧で1000cd/m2の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。
[0003] This study was carried out by Kodak Corporation. W. Tan
g. et al. showed that the organic laminated thin film element emits light with high luminance (Appl. Phys. Lett. 51 (12)
21, p. 913, 1987), and many research institutions are conducting studies. A typical configuration of an organic laminated thin film light emitting device presented by a research group of Kodak Company is a diamine compound having a hole transporting property and a light emitting layer on an ITO glass substrate.
Aluminum hydroxyquinoline and M as cathode
g: Ag was sequentially provided, and green light emission of 1000 cd / m 2 was possible at a driving voltage of about 10 V. The present organic laminated thin-film light-emitting device has a different configuration, such as a device provided with an electron transport layer in addition to the above-described device components, but basically follows the configuration of Kodak Company.

【0004】多色発光の中でも赤色発光は、有用なる発
光色として研究が進められている。従来、ビス(ジイソ
プロピルフェニル)ペリレンなどのペリレン系、ペリノ
ン系、ポルフィリン系、Eu錯体(Chem. Lett., 1267
(1991))などが赤色発光材料として知られている。
[0004] Among multicolor light emission, red light emission has been studied as a useful light emission color. Conventionally, perylene-based such as bis (diisopropylphenyl) perylene, perinone-based, porphyrin-based, Eu complex (Chem. Lett., 1267)
(1991)) are known as red light emitting materials.

【0005】また、赤色発光を得る手法として、ホスト
材料の中に微量の赤色蛍光材料をドーパントとして混入
させる方法も検討されている。ホスト材料としては、ト
リス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(1
0−ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、ジアリール
ブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、ベンズオキサゾ
ール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体などがあげられ、
その中にドーパントとして4−(ジシアノメチレン)−
2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4
H−ピラン、金属フタロシアニン(MgPc、AlPc
Clなど)化合物、スクアリリウム化合物、ビオラント
ロン化合物を存在させることによって赤色発光を取り出
していた。
As a technique for obtaining red light emission, a method of mixing a small amount of a red fluorescent material as a dopant into a host material is also being studied. As the host material, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (1
0-benzoquinolinolato) beryllium complex, diarylbutadiene derivative, stilbene derivative, benzoxazole derivative, benzothiazole derivative and the like,
4- (dicyanomethylene)-as a dopant therein
2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4
H-pyran, metal phthalocyanine (MgPc, AlPc
Cl), a squarylium compound and a biolanthrone compound were used to emit red light.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の赤色発
光材料(ホスト材料およびドーパント材料)は、発光ピ
ーク波長が580nmを越えてもピーク幅が広いため、
色純度が悪く綺麗な赤色発光が得られなかった。また、
Eu錯体などの希土類錯体は発光ピーク幅が狭く、綺麗
な赤色発光が得られるが、最高輝度が数〜数十cd/m
2と低いため、明瞭な表示ができないことが問題であっ
た。
However, conventional red light-emitting materials (host material and dopant material) have a wide peak width even if the emission peak wavelength exceeds 580 nm,
The color purity was poor, and beautiful red light emission could not be obtained. Also,
A rare-earth complex such as an Eu complex has a narrow emission peak width and can provide clean red light emission, but has a maximum luminance of several to several tens of cd / m.
The problem was that clear display was not possible due to the low value of 2 .

【0007】本発明は、かかる問題を解決し、高色純度
の赤色発光素子を提供することを目的とするものであ
る。
An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a red light emitting device having high color purity.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は陽極と陰極の間
に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーによりピー
ク波長が580nm以上720nm以下に発光する素子
であって、該素子は少なくとも蛍光ピーク波長が540
nm以上720nm以下のキノリノール金属錯体とピロ
メテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体を含む
ことを特徴とする発光素子である。
According to the present invention, there is provided an element which emits light having a peak wavelength of 580 nm or more and 720 nm or less due to electric energy, wherein a substance responsible for light emission is present between the anode and the cathode. Wavelength 540
A light-emitting element comprising a quinolinol metal complex having a size of from nm to 720 nm and a compound having a pyromethene skeleton or a metal complex thereof.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるもの
でないが、ITOガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば3
00Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機
能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能
になっていることから、低抵抗品を使用することが特に
望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ
事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5
mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、
ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカ
リガラスの方が好ましいが、SiO2 などのバリアコー
トを施したソーダライムガラスも市販されているのでこ
れを使用できる。ITO膜形成方法は、電子線ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, the anode is made of a conductive metal oxide such as tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO) or a metal such as gold, silver or chromium if it is transparent to extract light. Although not particularly limited, such as metals, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, and polyaniline, it is particularly preferable to use ITO glass or Nesa glass. The resistance of the transparent electrode is not limited as long as a current sufficient for light emission of the element can be supplied, but is preferably low from the viewpoint of power consumption of the element. For example, 3
Although an ITO substrate having a resistance of 00 Ω / □ or less functions as an element electrode, a substrate having a resistance of about 10 Ω / □ can be supplied at present. The thickness of the ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of usually 100 to 300 nm. Further, the glass substrate is made of soda lime glass, non-alkali glass, or the like, and the thickness only needs to be sufficient to maintain the mechanical strength.
mm or more is sufficient. For the glass material,
Alkali-free glass is preferred because less ions elute from the glass is preferred, but soda-lime glass with a barrier coat such as SiO 2 is also commercially available and can be used. The method of forming the ITO film is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

【0010】陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウ
ム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率
をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、
これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であ
ることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグ
ネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドー
ピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい
例として挙げることができるが、フッ化リチウムのよう
な無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定
されるものではない。更に電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコー
ル、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層すること
が好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法
も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプ
レーティング、コーティングなど導通を取ることができ
れば特に制限されない。
The cathode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic material layer.
Gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, etc., and lithium, sodium for improving the electron injection efficiency and improving the device characteristics , Potassium, calcium, magnesium or alloys containing these low work function metals are effective. But,
These low work function metals are generally unstable in the air in many cases. For example, an organic layer is doped with a very small amount of lithium or magnesium (1 nm or less as indicated by a film thickness gauge by vacuum deposition) to have high stability. Although a method using an electrode can be mentioned as a preferable example, it is not particularly limited because an inorganic salt such as lithium fluoride can be used. In addition, platinum, gold,
Lamination of metals such as silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium, or alloys using these metals, and inorganic substances such as silica, titania, and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, and hydrocarbon polymers. Are preferred examples. The method for producing these electrodes is not particularly limited, as long as electrical conduction such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating, and coating can be achieved.

【0011】発光を司る物質とは、1)正孔輸送層/発
光層、2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、3)発光
層/電子輸送層、そして、4)以上の組合わせ物質を一
層に混合した形態のいずれであってもよい。即ち、素子
構成としては、上記1)〜3)の多層積層構造の他に
4)のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送材
料や電子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよい。
The substance which controls light emission includes 1) a hole transport layer / light-emitting layer, 2) a hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer, 3) a light-emitting layer / electron transport layer, and 4) a combination of the above. Any of the forms in which the combined substances are mixed together may be used. That is, as the element configuration, in addition to the multilayer laminated structure of the above 1) to 3), a single layer of a luminescent material alone or a layer containing a luminescent material and a hole transporting material or an electron transporting material may be provided as in 4).

【0012】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチ
ルフェニル)−4,4’−ジフェニル−1,1’−ジア
ミン、N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−
4,4’−ジフェニル−1,1’−ジアミンなどのトリ
フェニルアミン類、ビス(N−アリルカルバゾール)ま
たはビス(N−アルキルカルバゾール)類、ピラゾリン
誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オ
キサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフ
ィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系で
は前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレ
ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが
好ましいが、素子作製に必要な薄膜を形成し、陽極から
正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であ
れば特に限定されるものではない。
The hole transporting layer is formed of a hole transporting substance alone or a mixture of two or more substances or a mixture of a hole transporting substance and a polymer binder. N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N, N'-dinaphthyl-N, N'-diphenyl-
Triphenylamines such as 4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, bis (N-allylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole), pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadi Heterocyclic compounds represented by azole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and polymer-based polycarbonates and styrene derivatives having the above monomers in the side chain, polyvinylcarbazole, polysilane, and the like are preferable. However, the compound is not particularly limited as long as it can inject holes from the anode and can transport holes.

【0013】発光材料は、電気エネルギーによりピーク
波長が580nm以上720nm以下で発光する。58
0nm以下では、ピーク幅が狭くても色純度の良好な赤
色発光を得ることができず、720nm以上では、視感
度が悪くなるので、効率良い高輝度赤色発光を得ること
ができない。
The light-emitting material emits light at a peak wavelength of 580 nm to 720 nm due to electric energy. 58
If it is 0 nm or less, red light emission with good color purity cannot be obtained even if the peak width is narrow, and if it is 720 nm or more, high visibility red light emission cannot be obtained because visibility deteriorates.

【0014】また、発光材料は蛍光ピーク波長が540
nm以上720nm以下のキノリノール金属錯体とピロ
メテン骨格(別称ジアザインダセン骨格)を有する化合
物もしくはその金属錯体を含み、蛍光化合物をホスト材
料とし、ピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金
属錯体をドーパント材料として、組み合わせて用いるド
ーピング法を好ましい方法として挙げることができる。
また、ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれてい
ても、部分的に含まれていても、いずれであってもよ
い。ドーパント材料は積層されていても、分散されてい
ても、いずれであってもよい。
The light emitting material has a fluorescence peak wavelength of 540.
A compound having a quinolinol metal complex having a size of at least nm and not more than 720 nm and a compound having a pyromethene skeleton (also called a diazaindacene skeleton) or a metal complex thereof. The doping method can be mentioned as a preferable method.
In addition, the dopant material may be included in the entire host material, partially, or may be included. The dopant material may be stacked, dispersed, or the like.

【0015】ホスト材料からドーパント材料へのエネル
ギー移動には、ホスト材料の蛍光スペクトルとドーパン
ト材料の吸収スペクトル(励起スペクトル)の重なりが
必要である。また色純度の良いドーパント材料のストー
クスシフト(励起スペクトルのピークと蛍光スペクトル
のピークの差)は数〜数十nmと狭く、580nm以上
720nm以下のドーパント材料からの高色純度赤色発
光を得ようとすると、ドーパント材料の吸収スペクトル
(励起スペクトル)は黄色、黄橙色、橙色、赤橙色、赤
色領域(540nm以上720nm以下)になる。ホス
ト材料の蛍光スペクトルが、黄色よりも短波長側の黄緑
色、緑色、青緑色、青色、青紫色、紫色領域にありスペ
クトルの重なりが小さいと、エネルギー移動が速やかに
行われず、ドーパント材料からの発光が得られなかった
り、得られたとしてもホスト材料からの発光が残り、白
色化するなど、高色純度の赤色発光が得られない。また
ジアザインダセン誘導体をドーパント材料として用いた
例があるが(特開平9−208946号公報、特開平9
−118880号公報)、各々ホスト材料が本発明とは
異なり、一方ではホスト材料に青色発光材料を用いてい
るので、スペクトルの重なりが少なく、エネルギー移動
が充分に行われないため、ホスト材料からの青色発光が
ドーパント材料からの発光と混ざってしまい、白色発光
しか得られていない(特開平9−208946号公
報)。さらに他方、ホスト材料に緑色の発光材料を用い
ているので、発光も得るべき赤色ではなく緑色の発光色
になってしまい、本発明の目的とする発光材料ではない
(特開平9−118880号公報)。
Energy transfer from the host material to the dopant material requires an overlap between the fluorescence spectrum of the host material and the absorption spectrum (excitation spectrum) of the dopant material. In addition, the Stokes shift (difference between the peak of the excitation spectrum and the peak of the fluorescence spectrum) of the dopant material having good color purity is as narrow as several to several tens of nm, so as to obtain high color purity red light emission from the dopant material of 580 nm to 720 nm. Then, the absorption spectrum (excitation spectrum) of the dopant material becomes yellow, yellow-orange, orange, red-orange, and red regions (540 nm or more and 720 nm or less). When the fluorescence spectrum of the host material is in the yellow-green, green, blue-green, blue, blue-violet, and violet regions on the shorter wavelength side than yellow and the spectrum overlap is small, energy transfer is not performed quickly, and the Light emission cannot be obtained, or even if light emission is obtained, light emission from the host material remains and red light emission of high color purity such as whitening cannot be obtained. In addition, there is an example in which a diazaindacene derivative is used as a dopant material (see JP-A-9-208946 and JP-A-9-208946).
JP-A-118880), and each of the host materials is different from the present invention. On the other hand, since a blue light emitting material is used as the host material, the overlap of spectra is small and energy transfer is not sufficiently performed. Blue light emission is mixed with light emission from the dopant material, and only white light emission is obtained (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-208946). On the other hand, since a green light-emitting material is used as the host material, the light emission becomes green rather than red, which is also a luminescent material, which is not the object of the present invention (Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 9-118880). ).

【0016】上記の理由により、580nm以上720
nm以下でドーパント材料が高輝度、高色純度で発光す
るには、ホスト材料は蛍光ピーク波長が540nm以上
720nm以下であることが必要である。目安として
は、黄色、黄橙色、橙色、赤橙色、赤色などの蛍光を有
するものが該当する。
[0016] For the above reasons, 580 nm or more and 720
In order for the dopant material to emit light with high brightness and high color purity at nm or less, the host material needs to have a fluorescence peak wavelength of 540 nm or more and 720 nm or less. As a guide, those having fluorescence such as yellow, yellow-orange, orange, red-orange, and red correspond.

【0017】蛍光ピーク波長が540nm以上720n
m以下の蛍光ピーク波長を有するホスト材料としての好
適な例として、キノリノール金属錯体があげられる。ビ
ス(8−キノリラト)亜鉛錯体のように蛍光ピーク波長
が540nm以上720nm以下であれば必ずしもキノ
リノール配位子を修飾する必要はないが、蛍光ピーク波
長が540nm以下の場合や、ドーパントとのエネルギ
ー移動を効率的に行うために長波長化させたい場合に
は、キノリノール配位子に極性基、芳香環あるいは複素
環の少なくとも一つを置換基として導入するか、芳香環
あるいは複素環を少なくとも一つ縮合することで長波長
化することができ、ホスト材料としてさらに好適に用い
ることが出来る。これらの修飾基にはさらに置換基が導
入されていても構わない。
The fluorescence peak wavelength is 540 nm or more and 720 n
A suitable example of the host material having a fluorescence peak wavelength of not more than m is a quinolinol metal complex. It is not necessary to modify the quinolinol ligand if the fluorescent peak wavelength is 540 nm or more and 720 nm or less as in the case of a bis (8-quinolinolato) zinc complex, but the fluorescent peak wavelength is not more than 540 nm or energy transfer with the dopant. When it is desired to increase the wavelength in order to efficiently perform, a polar group, at least one of an aromatic ring or a heterocyclic ring is introduced as a substituent into the quinolinol ligand, or at least one aromatic ring or a heterocyclic ring is introduced. By condensing, the wavelength can be increased, and it can be more suitably used as a host material. Substituents may be further introduced into these modifying groups.

【0018】キノリノール金属錯体の好適な例として、
次のようなものが挙げられる。強い電子吸引性の極性基
であるシアノ基を導入したトリス(2−シアノ−8−キ
ノリノラト)アルミニウム錯体、2−シアノ−8−キノ
リノラトリチウム錯体、芳香環を導入したトリス(5,
7−ビス(4−フェニル)−8−キノリノラト)アルミ
ニウム錯体、ビス(5,7−ビス(4−フェニル)−8
−キノリノラト)亜鉛錯体、トリス(5,7−ビス(4
−フルオロフェニル)−8−キノリノラト)アルミニウ
ム錯体、ビス(2−フェニル−8−キノリノラト)亜鉛
錯体、芳香環を共役的に導入したビス(2−スチリル−
8−キノリノラト)亜鉛錯体、ビス(2−(4−フェニ
ルスチリル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体、ビス(2
−(β−(1−ナフチル)ビニル)−8−キノリノラ
ト)亜鉛錯体、ビス(2−(β−(9−アントラニル)
ビニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体、複素環を共役
的に導入したビス(2−(ビチエニルビニル)−8−キ
ノリノラト)亜鉛錯体、ビス(2−(チエニルビニル)
−8−キノリノラト)亜鉛錯体、ビス(2−(ピリジル
ビニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体、強い電子供与
性の極性基と芳香環を共役的に導入したビス(2−p−
(N,N−ジメチルアミノ)スチリル−8−キノリノラ
ト)亜鉛錯体、芳香環を縮合させたトリス(4−フェナ
ントリジノラト)アルミニウム錯体、ビス(10−ヒド
ロキシベンゾ(h)キノリノラト)亜鉛錯体、ビス(1
0−ヒドロキシベンゾ(h)キノリノラト)銅錯体、ベ
ンゾ(f)キノリノール亜鉛錯体、アクリジン金属錯
体、トリス(12−アザ−11−ヒドロキシナフタセ
ン)アルミニウム錯体、トリス(13−アザ−14−ヒ
ドロキシペンタセン)アルミニウム錯体、などが挙げら
れるがこれに限定されるものではない。
Preferred examples of the quinolinol metal complex include:
Examples include the following: Tris (2-cyano-8-quinolinolato) aluminum complex into which a cyano group which is a strong electron-withdrawing polar group is introduced, lithium 2-cyano-8-quinolinolatolithium complex, and tris (5,
7-bis (4-phenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex, bis (5,7-bis (4-phenyl) -8
-Quinolinolato) zinc complex, tris (5,7-bis (4
-Fluorophenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex, bis (2-phenyl-8-quinolinolato) zinc complex, bis (2-styryl-) having an aromatic ring conjugated thereto
8-quinolinolato) zinc complex, bis (2- (4-phenylstyryl) -8-quinolinolato) zinc complex, bis (2
-(Β- (1-naphthyl) vinyl) -8-quinolinolato) zinc complex, bis (2- (β- (9-anthranyl))
Vinyl) -8-quinolinolato) zinc complex, bis (2- (bithienylvinyl) -8-quinolinolato) zinc complex in which a heterocyclic ring is conjugated, bis (2- (thienylvinyl))
-8-quinolinolato) zinc complex, bis (2- (pyridylvinyl) -8-quinolinolato) zinc complex, bis (2-p-) in which a strongly electron-donating polar group and an aromatic ring are introduced in a conjugated manner.
(N, N-dimethylamino) styryl-8-quinolinolato) zinc complex, tris (4-phenanthridinolate) aluminum complex with condensed aromatic ring, bis (10-hydroxybenzo (h) quinolinolato) zinc complex, bis (1
0-hydroxybenzo (h) quinolinolato) copper complex, benzo (f) quinolinol zinc complex, acridine metal complex, tris (12-aza-11-hydroxynaphthacene) aluminum complex, tris (13-aza-14-hydroxypentacene) Examples include, but are not limited to, aluminum complexes.

【0019】ドーパントとしては、好適な例として下記
ピロメテン骨格(別称ジアザインダセン骨格)を有する
化合物を挙げることができる。
Preferred examples of the dopant include compounds having the following pyromethene skeleton (also known as diazaindacene skeleton).

【0020】[0020]

【化4】 Embedded image

【0021】(ここで、R1〜R7は同じでも異なって
いてもよく、水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、
アリール、アラルキル、アルケニル、アリールエーテ
ル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボニル、エステ
ル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基との間に形成さ
れる縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Xは炭素
または窒素であるが、窒素の場合には上記R7は存在し
ない。) これらの置換基の説明の内、アルキル基とは例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽和脂肪
族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていて
もかまわない。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ
基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示
し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもか
まわない。ハロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素を
示す。また、アリール基とは例えばフェニル基、ナフチ
ル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル
基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、アラル
キル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基などの
脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪
族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換
されていてもかまわない。また、アルケニル基とは例え
ばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合
を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換で
も置換されていてもかまわない。また、アリールエーテ
ル基とは例えばフェノキシ基などのエーテル結合を介し
た芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換
でも置換されていてもかまわない。また、複素環基とは
例えばチエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリ
ル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、ピ
ラジル基、ピリミジル基、キノリニル基、イソキノリル
基、キノキサリル基、アクリジニル基、カルバゾリル基
などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これ
は無置換でも置換されていてもかまわない。アルデヒド
基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、アミ
ノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化
水素、複素環などで置換されたものも含み、さらに脂肪
族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環
は無置換でも置換されていてもかまわない。隣接置換基
との間に形成される縮合環および脂肪族環とは、R1と
R2、R2とR3、R4とR5、R5とR6の部位で共
役または非共役の縮合環を形成するものである。そして
これら縮合環は環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含ん
でいても良いし、さらに別の環と縮合していてもよい。
(Where R1 to R7 may be the same or different, and include hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen,
It is selected from aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed ring and aliphatic ring formed between adjacent substituents. X is carbon or nitrogen, but when it is nitrogen, R7 is not present. In the description of these substituents, the alkyl group means a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, which may be unsubstituted or substituted. The alkoxy group refers to an aliphatic hydrocarbon group via an ether bond such as a methoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Halogen refers to fluorine, chlorine, bromine and iodine. The aryl group refers to, for example, an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, and a pyrenyl group, which may be unsubstituted or substituted. The aralkyl group refers to an aromatic hydrocarbon group via an aliphatic hydrocarbon such as a benzyl group and a phenylethyl group, and the aliphatic hydrocarbon and the aromatic hydrocarbon may be unsubstituted or substituted. I don't care. The alkenyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a double bond such as a vinyl group, an allyl group and a butadienyl group, which may be unsubstituted or substituted. Further, the aryl ether group refers to an aromatic hydrocarbon group via an ether bond such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. The heterocyclic group includes, for example, a thienyl group, a furyl group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a pyrazolyl group, an oxazolyl group, a pyridyl group, a pyrazyl group, a pyrimidyl group, a quinolinyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalyl group, an acridinyl group, and a carbazolyl group. A cyclic structural group having an atom other than carbon, which may be unsubstituted or substituted. Aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, and amino groups include those substituted with aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, heterocycles, and the like. The cyclic hydrocarbon, aromatic hydrocarbon and heterocyclic ring may be unsubstituted or substituted. The condensed ring and the aliphatic ring formed between the adjacent substituents are those forming a conjugated or non-conjugated condensed ring at the positions of R1 and R2, R2 and R3, R4 and R5, and R5 and R6. . These condensed rings may contain nitrogen, oxygen and sulfur atoms in the ring structure, or may be condensed with another ring.

【0022】また、金属に配位する時には、ピロメテン
骨格を有する化合物単独でも混合配位子でも特に限定は
されない。混合配位子の場合の第2の配位子としては、
アルコキシ、フェノキシ、ハロゲン、アルキル、アリル
その他縮合環炭化水素、複素環化合物、または酸素原子
を介して結合された芳香環または複素環化合物などを導
入することが可能である。
When coordinating to a metal, there is no particular limitation on the compound having a pyromethene skeleton, either alone or as a mixed ligand. As the second ligand in the case of the mixed ligand,
It is possible to introduce alkoxy, phenoxy, halogen, alkyl, allyl and other condensed ring hydrocarbons, heterocyclic compounds, or aromatic or heterocyclic compounds linked via an oxygen atom.

【0023】本発明のリガンドに配位できる金属は、特
に限定されるものではないが、通常用いられる元素の一
例として、ホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、白金などを挙
げることができる。
The metal which can be coordinated with the ligand of the present invention is not particularly limited, but examples of commonly used elements include boron, beryllium, magnesium, chromium, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, platinum And the like.

【0024】そして、優れた色純度特性を持つ赤色発光
を得るためには、前記ピロメテン骨格を有する化合物の
中でも、下記一般式(2)で表される化合物が望まし
い。
In order to obtain red light emission having excellent color purity characteristics, a compound represented by the following general formula (2) is desirable among the compounds having a pyromethene skeleton.

【0025】[0025]

【化5】 Embedded image

【0026】(ここで、R8〜R14のうち少なくとも
一つは芳香環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合
芳香環を形成し、残りは水素、アルキル、アルコキシ、
ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケニル、アリー
ルエーテル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボニ
ル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基との
間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれ
る。Xは炭素または窒素であるが、窒素の場合には上記
R14は存在しない。) ここでいう芳香環基とはフェニル基、ナフチル基、アン
トラニル基のような芳香族炭化水素基のみならず、ピリ
ジル基、キノリル基、チエニル基などの複素環芳香族官
能基も含有する。また、隣接置換基との間に形成される
縮合芳香環とは、R8とR9、R9とR10、R11と
R12、R12とR13の部位で縮合芳香環を形成する
ものである。そしてこれら縮合芳香環は、上記の芳香環
基と同じく環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでい
ても良いし、さらに別の芳香環あるいは脂肪族環と縮合
していてもよい。
(Wherein at least one of R8 to R14 contains an aromatic ring or forms a condensed aromatic ring with an adjacent substituent, and the rest is hydrogen, alkyl, alkoxy,
It is selected from halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed ring formed between adjacent substituents, and aliphatic ring. X is carbon or nitrogen, but when it is nitrogen, R14 is not present. Here, the aromatic ring group includes not only aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group, naphthyl group and anthranyl group but also heterocyclic aromatic functional groups such as pyridyl group, quinolyl group and thienyl group. Further, the condensed aromatic ring formed between the adjacent substituents is one that forms a condensed aromatic ring at the sites of R8 and R9, R9 and R10, R11 and R12, and R12 and R13. These condensed aromatic rings may contain nitrogen, oxygen, and sulfur atoms in the ring structure similarly to the above-mentioned aromatic ring group, or may be condensed with another aromatic ring or aliphatic ring.

【0027】さらに、ピロメテン骨格を有する化合物を
赤色発光材料として用いる場合、高輝度特性を得るため
には、蛍光量子収率が高いものがより好ましい。そこ
で、前記ピロメテン骨格を有する化合物としては、下記
一般式(3)で表される化合物がより好ましい。
Further, when a compound having a pyromethene skeleton is used as a red light emitting material, a compound having a high fluorescence quantum yield is more preferable in order to obtain high luminance characteristics. Therefore, as the compound having a pyromethene skeleton, a compound represented by the following general formula (3) is more preferable.

【0028】[0028]

【化6】 Embedded image

【0029】(ここで、R15〜R21のうち少なくと
も一つは芳香環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮
合芳香環を形成し、残りは水素、アルキル、アルコキ
シ、ハロゲン、アリール、アラルキル、アルケニル、ア
リールエーテル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボ
ニル、エステル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基と
の間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれ
る。R22およびR23は同じでも異なっていてもよ
く、ハロゲン、水素、アルキル、アリール、複素環基か
ら選ばれる。Xは炭素または窒素であるが、窒素の場合
には上記R21は存在しない。) 上記のピロメテン骨格を有する化合物として、具体的に
は下記のような構造があげられる。
(Here, at least one of R15 to R21 contains an aromatic ring or forms a condensed aromatic ring with an adjacent substituent, and the rest is hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, R22 and R23 are the same or different, and are selected from alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, fused ring and aliphatic ring formed between adjacent substituents. Selected from halogen, hydrogen, alkyl, aryl, and heterocyclic groups. X is carbon or nitrogen, and when nitrogen is nitrogen, R21 does not exist.) As the compound having a pyromethene skeleton, Specifically, the following structure can be given.

【0030】[0030]

【化7】 Embedded image

【0031】[0031]

【化8】 Embedded image

【0032】[0032]

【化9】 Embedded image

【0033】[0033]

【化10】 Embedded image

【0034】[0034]

【化11】 Embedded image

【0035】[0035]

【化12】 Embedded image

【0036】[0036]

【化13】 Embedded image

【0037】ドーピング量は、通常多すぎると濃度消光
現象が起きるため、通常ホスト物質に対して10重量%
以下で用いることが好ましく、更に好ましくは2%以下
である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸
着法によって形成することができるが、ホスト材料と予
め混合してから同時に蒸着しても良い。また、前記ジア
ザインダセン骨格を有する化合物は、極めて微量でも発
光することから微量のジアザインダセン誘導体をホスト
材料にサンドイッチ状に挟んで使用することも可能であ
る。この場合、一層でも二層以上ホスト材料と積層して
も良い。
When the doping amount is usually too large, a concentration quenching phenomenon occurs.
It is preferably used in the following, more preferably 2% or less. As a doping method, it can be formed by a co-evaporation method with a host material, but it may be mixed with the host material in advance and then evaporated at the same time. Further, since the compound having a diazaindacene skeleton emits light even in a very small amount, it is possible to use a small amount of a diazaindacene derivative sandwiched between host materials. In this case, one or more layers may be stacked with the host material.

【0038】また、発光材料に添加するドーパント材料
は、前記ピロメテン骨格を有する化合物一種のみに限る
必要はなく、複数の前記化合物を混合して用いたり、既
知のドーパント材料の一種類以上を前記化合物と混合し
て用いてもよい。具体的には従来から知られている、ビ
ス(ジイソプロピルフェニル)ペリレンテトラカルボン
酸イミドなどのナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導
体、アセチルアセトンやベンゾイルアセトンとフェナン
トロリンなどを配位子とするEu錯体などの希土類錯
体、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p
−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピランやその類縁
体、マグネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロ
フタロシアニンなどの金属フタロシアニン誘導体、ロー
ダミン化合物、デアザフラビン誘導体、クマリン誘導
体、オキサジン化合物などを共存させることが出来るが
特にこれらに限定されるものではない。
The dopant material to be added to the light emitting material is not limited to one kind of the compound having a pyrromethene skeleton. A plurality of the above compounds may be used as a mixture, or one or more kinds of known dopant materials may be used as the above compound. May be used as a mixture. Specifically, conventionally known naphthalimide derivatives such as bis (diisopropylphenyl) perylenetetracarboxylic imide, perinone derivatives, rare earth complexes such as Eu complexes having acetylacetone, benzoylacetone and phenanthroline as ligands, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p
-Dimethylaminostyryl) -4H-pyran and its analogs, metal phthalocyanine derivatives such as magnesium phthalocyanine and aluminum chlorophthalocyanine, rhodamine compounds, deazaflavin derivatives, coumarin derivatives, oxazine compounds and the like can coexist, but are not particularly limited thereto. Not something.

【0039】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、8−ヒドロ
キシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘
導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属
錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン、
クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン
誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナ
ントロリン誘導体などがあるが特に限定されるものでは
ない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、
異なる電子輸送材料と積層または混合して使用しても構
わない。
As the electron transporting material in the present invention,
It is necessary to efficiently transport electrons from the negative electrode between the electrodes to which an electric field is applied, and it is desirable that the electron injection efficiency is high and the injected electrons are transported efficiently. For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, a high stability, and a small amount of impurities serving as traps during production and use. Materials satisfying such conditions include quinolinol derivative metal complexes represented by 8-hydroxyquinoline aluminum, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, perylene derivatives, perinone derivatives, naphthalene,
There are coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, aldazine derivatives, bisstyryl derivatives, pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, and the like, but are not particularly limited. Although these electron transport materials are used alone,
They may be laminated or mixed with different electron transport materials.

【0040】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
The above materials used for the hole transporting layer, the light emitting layer and the electron transporting layer can be used alone to form each layer. As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N- Vinyl carbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polysulfone, polyamide,
Solvent-soluble resins such as ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane resin, phenolic resin, xylene resin, petroleum resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin,
It is also possible to use the resin dispersed in a curable resin such as a silicone resin.

【0041】発光を司る物質の形成方法は、抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法など特に限定されるものではないが、通常
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好まし
い。層の厚みは、発光を司る物質の抵抗値にもよるので
限定することはできないが、1〜1000nmの間から
選ばれる。
The method for forming the substance that controls light emission is not particularly limited, such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, molecular lamination, and coating. However, resistance heating evaporation and electron beam evaporation are generally used. Preferred in terms of surface. The thickness of the layer depends on the resistance value of the substance that controls light emission and cannot be limited, but is selected from the range of 1 to 1000 nm.

【0042】綺麗な赤色表示を行わせるためには、発光
スペクトルのピーク波長が580nm以上720nm以
下、より好ましくは600nm以上700nm以下の範
囲内であり、半値幅が100nm以下であることが重要
である。発光スペクトルは、できるだけ単一ピークであ
ることが好ましいが、場合によっては他のピークとの重
なりによって複数の極大点を有したり、ピークの裾に肩
が現れることもある。本発明において、ピーク波長とは
発光中心波長に値する主ピークの波長であり、半値幅と
はこれらピーク全体において発光中心波長の高さの半分
のところのピーク幅であると定義している。
In order to provide a beautiful red display, it is important that the peak wavelength of the emission spectrum is in the range of 580 nm to 720 nm, more preferably, 600 nm to 700 nm, and the half width is 100 nm or less. . The emission spectrum is preferably a single peak as much as possible. In some cases, the emission spectrum may have a plurality of maximum points due to overlap with another peak, or a shoulder may appear at the foot of the peak. In the present invention, the peak wavelength is defined as the wavelength of the main peak corresponding to the emission center wavelength, and the half-value width is defined as the peak width at half the height of the emission center wavelength in all of these peaks.

【0043】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
Although the electric energy mainly refers to a direct current, a pulse current or an alternating current can also be used.
The current value and the voltage value are not particularly limited. However, in consideration of the power consumption and life of the device, it is necessary to obtain the maximum luminance with the lowest possible energy.

【0044】本発明におけるマトリクスとは、表示のた
めの画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合
で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途に
よって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画
像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、赤、
緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的に
はデルタタイプとストライプタイプがある。そして、こ
のマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やア
クティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の
方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を
考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場
合があるので、これも用途によって使い分けることが必
要である。
The matrix in the present invention refers to a matrix in which pixels for display are arranged in a lattice, and displays a character or an image by a set of pixels. The shape and size of the pixel depend on the application. For example, a square pixel having a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, a monitor, and a television. In the case of a large display such as a display panel, a pixel having a side of mm order is used. . For monochrome display, pixels of the same color may be arranged, but for color display, red, red,
Green and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix may be driven by either a line-sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has the advantage that the structure is simpler, but the active matrix is sometimes superior when the operating characteristics are taken into consideration.

【0045】本発明におけるセグメントタイプとは、予
め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、
決められた領域を発光させることになる。例えば、デジ
タル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ
機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル
表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示と
セグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよ
い。
The segment type in the present invention means that a pattern is formed so as to display predetermined information,
Light is emitted from the determined area. For example, there are a time display and a temperature display on a digital clock or a thermometer, an operation state display of an audio device, an electromagnetic cooker, or the like, and a panel display of an automobile. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

【0046】本発明におけるバックライトとは、主に自
発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用さ
れ、液晶表示装置、時計、オーディオ機器、自動車パネ
ル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表示装
置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバ
ックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板
からなっているため薄型化が困難であることを考えると
本発明におけるバックライトは、薄型、軽量が特徴にな
る。
The backlight in the present invention is mainly used for the purpose of improving the visibility of a display device which does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. . In particular, as a backlight for a liquid crystal display device, especially a personal computer application in which thinning is an issue, considering that it is difficult to reduce the thickness because the conventional type is made of a fluorescent lamp or a light guide plate, the present invention The backlight is thin and lightweight.

【0047】[0047]

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0048】実施例1 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子社製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を30
×40mmに切断、エッチングを行った。得られた基板
をアセトン、セミコクリン56で各々15分間超音波洗
浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルア
ルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに
15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製
する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内
に設置して、装置内の真空度が1×10-5Pa以下にな
るまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材
料としてN,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチ
ルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジア
ミン(TPD)を100nm蒸着した。次にホスト材料
としてトリス(5,7−ビス(4−フルオロフェニル)
−8−キノリノラト)アルミニウム錯体(粉末の蛍光ピ
ーク波長559nm、DMF溶液中の蛍光ピーク波長は
552nm)を、ドーパント材料として4,4−ジフル
オロ−1,3,5,7−テトラフェニル−4−ボラ−3a,
4a−ジアザ−s−インダセン(ジクロロメタン溶液中
の蛍光ピーク波長は611nm)を用いて、ドーパント
が1wt%になるように50nmの厚さに共蒸着し、ホ
スト材料を50nmの厚さに積層した。次にリチウムを
0.2nm、銀を150nm蒸着して陰極とし、5×5
mm角の素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波
長は609nmであり、スペクトル半値幅が52nmの
綺麗な赤色発光を示した。
Example 1 A glass substrate (15 Ω / □, electron beam vapor-deposited product, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm
The wafer was cut into a size of 40 mm and etched. The obtained substrate was subjected to ultrasonic cleaning with acetone and semicocrine 56 for 15 minutes each, and then with ultrapure water. Subsequently, the substrate was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 15 minutes, immersed in hot methanol for 15 minutes, and dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for one hour immediately before producing the element, placed in a vacuum evaporation apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 1 × 10 −5 Pa or less. First, 100 nm of N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (TPD) was deposited as a hole transporting material by a resistance heating method. . Next, tris (5,7-bis (4-fluorophenyl)) is used as a host material.
-8-quinolinolato) aluminum complex (fluorescence peak wavelength of powder: 559 nm, fluorescence peak wavelength in DMF solution: 552 nm) was used as a dopant material for 4,4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-bora. -3a,
Using 4a-diaza-s-indacene (fluorescence peak wavelength in a dichloromethane solution was 611 nm), co-evaporation was performed to a thickness of 50 nm so that the dopant became 1 wt%, and a host material was stacked to a thickness of 50 nm. Next, lithium was vapor-deposited at a thickness of 0.2 nm and silver was vapor-deposited at a thickness of 150 nm to form a cathode.
An mm square device was produced. The emission peak wavelength of this light emitting device was 609 nm, and the device exhibited a beautiful red emission having a spectral half width of 52 nm.

【0049】実施例2 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子社製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を30
×40mmに切断、エッチングを行った。得られた基板
をアセトン、セミコクリン56で各々15分間超音波洗
浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルア
ルコールで15分間超音波洗浄してから熱メタノールに
15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製
する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内
に設置して、装置内の真空度が5×10-5Pa以下にな
るまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材
料としてTPDを100nm蒸着した。次にホスト材料
としてビス(2−(ビチエニルビニル)−8−キノリノ
ラト)亜鉛錯体(粉末の蛍光ピーク波長591nm、D
MF溶液中の蛍光ピーク波長は589nm)を、ドーパ
ント材料としてジフルオロ[3−フェニル−1−[(3−
フェニル−2H−ベンゾ[c]イソインドール−1−イ
ル)メチレン]−1H−ベンゾ[c]イソインドラト−N1,
2]ボロン(ジクロロメタン溶液中の蛍光ピーク波長は
645nm)を用いて、ドーパントが1wt%になるよ
うに50nmの厚さに共蒸着し、ホスト材料を50nm
の厚さに積層した。次にリチウムを0.5nm、アルミ
ニウムを200nm蒸着して陰極とし、5×5mm角の
素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長は64
6nmであり、スペクトル半値幅が40nmの綺麗な赤
色発光を示した。
Example 2 A glass substrate (available from Asahi Glass Co., Ltd., 15 Ω / □, electron beam vapor-deposited product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm was 30
The wafer was cut into a size of 40 mm and etched. The obtained substrate was subjected to ultrasonic cleaning with acetone and semicocrine 56 for 15 minutes each, and then with ultrapure water. Subsequently, the substrate was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 15 minutes, immersed in hot methanol for 15 minutes, and dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the element, placed in a vacuum evaporation apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 −5 Pa or less. First, 100 nm of TPD was deposited as a hole transport material by a resistance heating method. Next, bis (2- (bithienylvinyl) -8-quinolinolato) zinc complex (fluorescent peak wavelength of powder: 591 nm, D
The fluorescence peak wavelength in the MF solution is 589 nm, and difluoro [3-phenyl-1-[(3-
Phenyl-2H-benzo [c] isoindol-1-yl) methylene] -1H-benzo [c] isoindolato-N 1 ,
[N 2 ] boron (fluorescence peak wavelength in a dichloromethane solution is 645 nm), co-evaporated to a thickness of 50 nm so that the dopant becomes 1 wt%, and deposited a host material of 50 nm.
The thickness was laminated. Next, 0.5 nm of lithium and 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form a cathode, and a 5 × 5 mm square element was produced. The emission peak wavelength of this light emitting device is 64
It was 6 nm, and showed a beautiful red emission having a spectral half width of 40 nm.

【0050】比較例1 ホスト材料としてトリス(8−キノリノラト)アルミニ
ウム錯体(蛍光ピーク波長513nm)を用いた以外は
実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素
子の発光ピーク波長は520nmであり、ドーパント材
料へのエネルギー移動は殆ど見られず、ホスト材料から
の緑色発光を示し、ドーパント材料からの赤色発光を得
ることが出来なかった。
Comparative Example 1 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that a tris (8-quinolinolato) aluminum complex (fluorescence peak wavelength: 513 nm) was used as a host material. This light-emitting element had an emission peak wavelength of 520 nm, showed almost no energy transfer to the dopant material, showed green light emission from the host material, and failed to obtain red light emission from the dopant material.

【0051】実施例3 ホスト材料としてビス(2−(β−(1−ナフチル)ビ
ニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体(粉末の蛍光ピー
ク波長575nm)を用いる以外は実施例1と同様にし
て発光素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長
は610nmであり、スペクトル半値幅が50nmの綺
麗な赤色発光を示した。
Example 3 Light emission was carried out in the same manner as in Example 1 except that bis (2- (β- (1-naphthyl) vinyl) -8-quinolinolato) zinc complex (fluorescent peak wavelength of powder: 575 nm) was used as a host material. An element was manufactured. This light-emitting device emitted light at a peak wavelength of 610 nm and exhibited a beautiful red light emission having a spectral half width of 50 nm.

【0052】実施例4 ホスト材料としてビス(2−(β−(9−アントラニ
ル)ビニル)−8−キノリノラト)亜鉛錯体(橙色蛍
光)を用いる以外は実施例2と同様にして発光素子を作
製した。この発光素子の発光ピーク波長は640nmで
あり、スペクトル半値幅が50nmの綺麗な赤色発光を
示した。
Example 4 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 2 except that bis (2- (β- (9-anthranyl) vinyl) -8-quinolinolato) zinc complex (orange fluorescence) was used as a host material. . The emission peak wavelength of this light emitting device was 640 nm, and the device exhibited a beautiful red emission having a spectral half width of 50 nm.

【0053】実施例5 ホスト材料として2−シアノ−8−キノリノラトリチウ
ム錯体(蛍光ピーク波長566nm)を用いる以外は実
施例2と同様にして発光素子を作製した。この発光素子
の発光ピーク波長は640nmであり、スペクトル半値
幅が50nmの綺麗な赤色発光を示した。
Example 5 A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2 except that a lithium 2-cyano-8-quinolinolato complex (fluorescence peak wavelength: 566 nm) was used as a host material. The emission peak wavelength of this light emitting device was 640 nm, and the device exhibited a beautiful red emission having a spectral half width of 50 nm.

【0054】実施例6 ホスト材料としてトリス(4−フェナントリジノラト)
アルミニウム錯体(黄色蛍光)を用いる以外は実施例1
と同様にして発光素子を作製した。この発光素子の発光
ピーク波長は610nmであり、スペクトル半値幅が5
0nmの綺麗な赤色発光を示した。
Example 6 Tris (4-phenanthridine) as a host material
Example 1 except that an aluminum complex (yellow fluorescence) was used.
A light-emitting element was manufactured in the same manner as described above. The light emitting device has a light emission peak wavelength of 610 nm and a spectral half width of 5
It exhibited a beautiful red emission of 0 nm.

【0055】実施例7 ホスト材料としてビス(10−ヒドロキシベンゾ(h)
キノリノラト)亜鉛錯体を用いる以外は実施例1と同様
にして発光素子を作製した。この発光素子の発光ピーク
波長は610nmであり、スペクトル半値幅が50nm
の綺麗な赤色発光を示した。
Example 7 Bis (10-hydroxybenzo (h) was used as a host material.
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that a quinolinolato) zinc complex was used. This light-emitting element has a light emission peak wavelength of 610 nm and a spectral half width of 50 nm.
Showed a beautiful red light emission.

【0056】実施例8 ホスト材料としてビス(4−ヒドロキシアクリジン)亜
鉛錯体(赤色蛍光)を用いる以外は実施例2と同様にし
て発光素子を作製した。この発光素子の発光ピーク波長
は646nmであり、スペクトル半値幅が40nmの綺
麗な赤色発光を示した。
Example 8 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 2 except that a bis (4-hydroxyacridine) zinc complex (red fluorescence) was used as a host material. This light-emitting device emitted light at a peak wavelength of 646 nm and exhibited a beautiful red light emission having a spectral half width of 40 nm.

【0057】実施例9 ホスト材料としてトリス(12−アザ−11−ヒドロキ
シナフタセン)アルミニウム錯体(橙色蛍光)を用いる
以外は実施例1と同様にして発光素子を作製した。この
発光素子の発光ピーク波長は610nmであり、スペク
トル半値幅が50nmの綺麗な赤色発光を示した。
Example 9 A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a tris (12-aza-11-hydroxynaphthacene) aluminum complex (orange fluorescence) was used as a host material. This light-emitting device emitted light at a peak wavelength of 610 nm and exhibited a beautiful red light emission having a spectral half width of 50 nm.

【0058】実施例10 ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板
(旭硝子社製、15Ω/□、電子ビーム蒸着品)を30
×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって30
0μmピッチ(残り幅270μm)×32本のストライ
プ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺方向
片側は外部との電気的接続を容易にするために1.27
mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてある。得
られた基板をアセトン、セミコクリン56で各々15分
間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソ
プロピルアルコールで15分間超音波洗浄してから熱メ
タノールに15分間浸漬させて乾燥させた。この基板を
素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空
蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10-4
a以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず
N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフェニ
ル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(T
PD)を100nm蒸着した。次にホスト材料としてト
リス(5,7−ビス(4−フルオロフェニル)−8−キ
ノリノラト)アルミニウム錯体(粉末の蛍光ピーク波長
559nm、DMF溶液中の蛍光ピーク波長は552n
m)を、ドーパント材料として4,4−ジフルオロ−1,
3,5,7−テトラフェニル−4−ボラ−3a,4a−ジ
アザ−s−インダセンを用いて、ドーパントが1wt%
になるように50nmの厚さに共蒸着し、ホスト材料を
50nmの厚さに積層した。次に厚さ50μmのコバー
ル板にウエットエッチングによって16本の250μm
の開口部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)
を設けたマスクを、真空中でITOストライプに直交す
るようにマスク交換し、マスクとITO基板が密着する
ように裏面から磁石で固定した。そしてマグネシウムを
50nm、アルミニウムを150nm蒸着して32×1
6ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリク
ス駆動させたところ、クロストークなく文字表示でき
た。
Example 10 A glass substrate (15 Ω / □, electron beam deposited, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) on which an ITO transparent conductive film was deposited to a thickness of 150 nm
Cut to × 40mm, 30 by photolithography
The pattern was processed into a stripe pattern of 0 μm pitch (remaining width 270 μm) × 32 stripes. One side of the long side of the ITO stripe is 1.27 to facilitate electrical connection with the outside.
mm pitch (opening width 800 μm). The obtained substrate was subjected to ultrasonic cleaning with acetone and semicocrine 56 for 15 minutes each, and then with ultrapure water. Subsequently, the substrate was subjected to ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol for 15 minutes, immersed in hot methanol for 15 minutes, and dried. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the element, and was placed in a vacuum evaporation apparatus, and the degree of vacuum in the apparatus was 5 × 10 -4 P
The gas was exhausted until the pressure became equal to or less than a. First, N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (T
PD) was deposited to a thickness of 100 nm. Next, as a host material, a tris (5,7-bis (4-fluorophenyl) -8-quinolinolato) aluminum complex (fluorescence peak wavelength of powder at 559 nm, fluorescence peak wavelength in DMF solution is 552 n)
m) with 4,4-difluoro-1,
Using 3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a, 4a-diaza-s-indacene, the dopant is 1 wt%.
Was co-evaporated to a thickness of 50 nm, and a host material was laminated to a thickness of 50 nm. Next, 16 pieces of 250 μm thick Kovar plate having a thickness of 50 μm were wet-etched.
Opening (corresponding to the remaining width of 50 μm and 300 μm pitch)
The mask provided with was replaced in a vacuum so as to be orthogonal to the ITO stripe, and was fixed with a magnet from the back surface so that the mask and the ITO substrate were in close contact with each other. Then, 50 nm of magnesium and 150 nm of aluminum are deposited to form 32 × 1
A 6 dot matrix device was manufactured. When this device was driven in a matrix, characters could be displayed without crosstalk.

【0059】[0059]

【発明の効果】本発明は、電気エネルギーの利用効率が
高く、色純度に優れた赤色発光素子を提供できるもので
ある。
According to the present invention, it is possible to provide a red light emitting device having high utilization efficiency of electric energy and excellent color purity.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーによりピーク波長が580nm以上
720nm以下に発光する素子であって、該素子は少な
くとも蛍光ピーク波長が540nm以上720nm以下
のキノリノール金属錯体と下記一般式(1)に示すピロ
メテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体を含む
ことを特徴とする発光素子。 【化1】 (ここで、R1〜R7は同じでも異なっていてもよく、
水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、アリール、ア
ラルキル、アルケニル、アリールエーテル、複素環、シ
アノ、アルデヒド、カルボニル、エステル、カルバモイ
ル、アミノ、隣接置換基との間に形成される縮合環およ
び脂肪族環の中から選ばれる。Xは炭素または窒素であ
るが、窒素の場合には上記R7は存在しない。)
1. A device which has a substance which controls light emission between an anode and a cathode and emits light at a peak wavelength of not less than 580 nm and not more than 720 nm by electric energy, wherein the device has at least a fluorescence peak wavelength of not less than 540 nm and not more than 720 nm. A light-emitting element comprising a quinolinol metal complex and a compound having a pyromethene skeleton represented by the following general formula (1) or a metal complex thereof. Embedded image (Where R1 to R7 may be the same or different,
Hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed ring and aliphatic ring formed between adjacent substituents Selected from. X is carbon or nitrogen, but when it is nitrogen, R7 is not present. )
【請求項2】前記金属錯体の金属がホウ素、ベリリウ
ム、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、
銅、亜鉛、白金から選ばれる少なくとも一種であること
を特徴とする請求項1記載の発光素子。
2. The method according to claim 1, wherein the metal of the metal complex is boron, beryllium, magnesium, chromium, iron, cobalt, nickel,
The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is at least one selected from copper, zinc, and platinum.
【請求項3】前記ピロメテン骨格を有する化合物が下記
一般式(2)で表されることを特徴とする請求項1記載
の発光素子。 【化2】 (ここで、R8〜R14のうち少なくとも一つは芳香環
を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合環を形成し、
残りは水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、アリー
ル、アラルキル、アルケニル、アリールエーテル、複素
環、シアノ、アルデヒド、カルボニル、エステル、カル
バモイル、アミノ、隣接置換基との間に形成される縮合
環および脂肪族環の中から選ばれる。Xは炭素または窒
素であるが、窒素の場合には上記R14は存在しな
い。)
3. The light emitting device according to claim 1, wherein the compound having a pyromethene skeleton is represented by the following general formula (2). Embedded image (Where at least one of R8 to R14 contains an aromatic ring or forms a condensed ring with an adjacent substituent,
The remainder is hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen, aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed and aliphatic rings formed between adjacent substituents Selected from X is carbon or nitrogen, but when it is nitrogen, R14 is not present. )
【請求項4】前記ピロメテン骨格を有する化合物が下記
一般式(3)で表されることを特徴とする請求項1記載
の発光素子。 【化3】 (ここで、R15〜R21のうち少なくとも一つは芳香
環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合芳香環を形
成し、残りは水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、
アリール、アラルキル、アルケニル、アリールエーテ
ル、複素環、シアノ、アルデヒド、カルボニル、エステ
ル、カルバモイル、アミノ、隣接置換基との間に形成さ
れる縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。R22お
よびR23は同じでも異なっていてもよく、ハロゲン、
水素、アルキル、アリール、複素環基から選ばれる。X
は炭素または窒素であるが、窒素の場合には上記R21
は存在しない。)
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the compound having a pyromethene skeleton is represented by the following general formula (3). Embedded image (Here, at least one of R15 to R21 contains an aromatic ring or forms a condensed aromatic ring with an adjacent substituent, and the rest is hydrogen, alkyl, alkoxy, halogen,
It is selected from aryl, aralkyl, alkenyl, aryl ether, heterocycle, cyano, aldehyde, carbonyl, ester, carbamoyl, amino, condensed ring and aliphatic ring formed between adjacent substituents. R22 and R23 may be the same or different, and halogen,
Selected from hydrogen, alkyl, aryl, and heterocyclic groups. X
Is carbon or nitrogen, and in the case of nitrogen, the above R21
Does not exist. )
【請求項5】前記キノリノール金属錯体において、キノ
リノール配位子に極性基、芳香環、複素環の少なくとも
一つが置換基として導入されている、あるいは芳香環、
複素環の少なくとも一つが縮合されていることを特徴と
する請求項1記載の発光素子。
5. The quinolinol metal complex, wherein at least one of a polar group, an aromatic ring and a heterocyclic ring is introduced as a substituent into the quinolinol ligand, or an aromatic ring,
The light emitting device according to claim 1, wherein at least one of the heterocycles is fused.
【請求項6】前記ピロメテン骨格を有する化合物もしく
はその金属錯体化合物がドーパント材料であることを特
徴とする請求項1記載の発光素子。
6. The light emitting device according to claim 1, wherein the compound having a pyromethene skeleton or a metal complex compound thereof is a dopant material.
【請求項7】発光を司る物質が少なくとも発光材料と正
孔輸送材料および/または電子輸送材料とからなること
を特徴とする請求項1記載の発光素子。
7. The light emitting device according to claim 1, wherein the substance that controls light emission comprises at least a light emitting material and a hole transporting material and / or an electron transporting material.
【請求項8】発光を司る物質が少なくとも正孔輸送層と
発光層との積層構造を有することを特徴とする請求項1
記載の発光素子。
8. The material according to claim 1, wherein the substance that controls light emission has a laminated structure of at least a hole transport layer and a light emitting layer.
The light-emitting element according to any one of the preceding claims.
【請求項9】陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、
陰極を順次積層することを特徴とする請求項8記載の発
光素子。
9. An anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer,
The light emitting device according to claim 8, wherein the cathodes are sequentially laminated.
【請求項10】マトリクスおよび/またはセグメント方
式によって表示するディスプレイであることを特徴とす
る請求項1〜9のいずれか記載の発光素子。
10. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is a display for displaying in a matrix and / or a segment system.
【請求項11】バックライトであることを特徴とする請
求項1〜9のいずれか記載の発光素子。
11. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is a backlight.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002531467A (en) * 1998-12-02 2002-09-24 サウス バンク ユニバーシティー エンタープライジズ リミテッド Electroluminescent quinolate

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