JP2000200963A - Wiring board and its manufacture - Google Patents

Wiring board and its manufacture

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JP2000200963A
JP2000200963A JP11001530A JP153099A JP2000200963A JP 2000200963 A JP2000200963 A JP 2000200963A JP 11001530 A JP11001530 A JP 11001530A JP 153099 A JP153099 A JP 153099A JP 2000200963 A JP2000200963 A JP 2000200963A
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JP
Japan
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solder
wiring board
plating film
nickel plating
electroless nickel
Prior art date
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Application number
JP11001530A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Setsuo Ando
節夫 安藤
Hiroko Takehara
裕子 竹原
Yasunori Narizuka
康則 成塚
Satoshi Akazawa
諭 赤沢
Hiroshi Yamamoto
弘 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a wiring board with which a solder bonding operation of high connection reliability is obtained by a method, wherein impurities which obstruct a bonding operation to solder are removed from the region of a nickel- plated film which forms an alloy with the solder. SOLUTION: On an insulating board 4, which contains a copper layer as the uppermost wiring pattern of a multilayer wiring board, the whole face which excludes the external connecting-terminal formation region of a copper layer 3 is coated with a solder-resist insulating layer 2. While the insulating layer 2 is used as a mask, an electroless nickel-plated layer 1 is formed on the exposed copper layer 3. Then, the surface layer part of the nickel-plated layer 1 is etched, and impurities which obstruct a connection to solder are melted and removed selectively. Consequently, a nickel-plated layer 5 not containing the impurities which obstruct the connection to the solder is formed on the surface layer part of the nickel-plated layer 1. An actual external connecting terminal is constituted, a gold plating operation which ensures the prevention of oxidation, and the wettability of solder is executed to the nickel- plated layer 5 which does not contain the impurities.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に係り、
半導体のフリップチップ接合あるいはBGAのはんだボ
ール接合等の接続信頼性を必要とする外部接続端子を備
えた配線基板に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wiring board,
The present invention relates to a wiring board provided with external connection terminals requiring connection reliability such as flip-chip bonding of a semiconductor or solder ball bonding of a BGA.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、配線基板には電子部品等
を搭載接続するために数100個の外部接続端子が設け
られており、これら外部接続端子を除く基板表面には配
線パターンを保護するために一般に耐熱性絶縁膜として
ソルダーレジストが被覆されている。
2. Description of the Related Art As is well known, a wiring board is provided with hundreds of external connection terminals for mounting and connecting electronic parts and the like, and a wiring pattern is protected on the surface of the board excluding these external connection terminals. For this purpose, a solder resist is generally coated as a heat-resistant insulating film.

【0003】上記配線基板の外部接続端子として、アル
ミニウムを母材とした無電解ニッケル−リンめっき膜に
はんだ接続した例は、例えば特開昭63−16695
5号公報に、下地に銅を用い無電解ニッケル−リン/金
めっき膜にはんだ接続した例は、例えば(American S
ociety of Mechanical Engineers)97-WA-EEP-10(199
7)にそれぞれ開示されている。一方、リン系以外のニ
ッケルめっき液に関しては、特開昭63−19528
0号公報に無電解ニッケル−ボロン系めっき液が、特
開平2−500673号公報にヒドラジンを還元剤とす
る無電解ニッケルめっき液が開示されている。
An example in which an external connection terminal of the wiring board is connected by soldering to an electroless nickel-phosphorous plating film made of aluminum as a base material is disclosed in, for example, JP-A-63-16695.
No. 5 discloses an example in which copper is used as a base and soldered to an electroless nickel-phosphorus / gold plating film, for example, (American S
society of Mechanical Engineers) 97-WA-EEP-10 (199
7). On the other hand, nickel plating solutions other than phosphorus-based ones are disclosed in JP-A-63-19528.
No. 0 discloses an electroless nickel-boron plating solution, and JP-A-2-500673 discloses an electroless nickel plating solution using hydrazine as a reducing agent.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】例えばニッケル膜とス
ズを含むはんだとの接続では、ニッケル/スズの合金が
形成され良好な接合が得られる。この種のニッケルめっ
き膜においては、耐食性を向上させるため一般に無電解
ニッケルめっき溶液にリン成分が添加される結果、ニッ
ケル−リンめっき膜となる。ニッケル−リンめっき膜に
おいては、はんだ接続時にニッケル/スズ合金層と共に
リン偏析層が同時形成され両者間の界面破断による強度
低下が起こるといった問題があった(文献で指摘され
ている)。
For example, in the connection between a nickel film and a solder containing tin, a nickel / tin alloy is formed and good bonding is obtained. In this type of nickel plating film, a phosphorus component is generally added to an electroless nickel plating solution to improve corrosion resistance, resulting in a nickel-phosphorus plating film. The nickel-phosphorous plating film has a problem that a phosphorus segregation layer is formed simultaneously with a nickel / tin alloy layer at the time of solder connection, and the strength is reduced due to an interface rupture between the two (as pointed out in the literature).

【0005】一方、リンを含有しないニッケル−ボロン
系のめっき膜を用いた場合は、リンに起因する界面破断
は起こらないが、膜中不純物のイオウ偏析による界面破
断が発生するといった問題があった。ボロン系はリン系
よりも一般的に応力が大きいため、めっき液にイオウ系
の応力緩和剤を添加せざるを得ず、その結果微量ながら
めっき膜中にイオウが取り込まれるのが常である。
On the other hand, when a nickel-boron-based plating film containing no phosphorus is used, the interface breakage caused by phosphorus does not occur, but the interface breakage occurs due to sulfur segregation of impurities in the film. . Since boron-based alloys generally have higher stress than phosphorus-based alloys, sulfur-based stress relaxation agents must be added to the plating solution, and as a result, sulfur is usually incorporated into the plating film in a small amount.

【0006】さらに、ヒドラジン系のニッケルめっき膜
でも、やはりニッケル膜とはんだとの界面において応力
緩和剤起因のイオウ偏析により界面破断が発生すると同
時に、ヒドラジンの不安定さ故のめっき液の安定性に問
題があり実用的でない。
Further, in the case of a hydrazine-based nickel plating film, the interface breakage also occurs at the interface between the nickel film and the solder due to the segregation of sulfur caused by the stress relaxation agent, and the stability of the plating solution due to the instability of hydrazine is also reduced. Problematic and impractical.

【0007】従って本発明の第1の目的は上記従来の無
電解ニッケルめっきの問題点を解消し、はんだと良好な
接合が得られる無電解ニッケルめっき膜を外部接続端子
として備えた配線基板を提供することであり、第2の目
的は第1の目的を達成するための製造方法を提供するこ
とにある。
Accordingly, a first object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the conventional electroless nickel plating and to provide a wiring board provided with an electroless nickel plating film as an external connection terminal capable of obtaining good bonding with solder. The second object is to provide a manufacturing method for achieving the first object.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、はんだと
ニッケル−リンめっき膜の破断面を深さ方向にマイクロ
オージェで分析した結果、リンの偏析を確認した。ま
た、はんだとニッケル−ボロンめっき膜の破断面を深さ
方向にマイクロオージェで分析した結果、イオウの偏析
を確認した。イオウを含まないニッケル−ボロンめっき
膜とはんだとの接合では、界面破断は起こらなかった。
以上の実験事実よりリンもしくはイオウの少なくとも一
方がはんだとの接合界面に偏析すれば、界面破断の原因
となりうることを突き止めた。本発明は、このような知
見に基づいてなされたものである。
The present inventors have analyzed the fracture surfaces of the solder and the nickel-phosphorus plating film by micro Auger in the depth direction, and confirmed the segregation of phosphorus. Further, as a result of analyzing the fracture surface of the solder and the nickel-boron plating film in the depth direction by micro Auger, segregation of sulfur was confirmed. No interface rupture occurred in the bonding between the nickel-boron plating film containing no sulfur and the solder.
From the above experimental facts, it has been found that segregation of at least one of phosphorus and sulfur at the joint interface with the solder may cause interface breakage. The present invention has been made based on such findings.

【0009】従って接続信頼性確保のためには、これら
の不純物をはんだと合金を形成するニッケルめっき膜の
領域から除去しておかなければならない。本発明者等
は、先ずめっき液成分からリンを除外することを考えた
が、そのためにはニッケルめっきの発生源の還元剤であ
る次亜リン酸ナトリウムに代わる優れた還元剤を見いだ
さなければならず、時間と費用の観点から非常に困難で
あると判断した。
Therefore, in order to ensure connection reliability, these impurities must be removed from the area of the nickel plating film which forms an alloy with solder. The present inventors first thought of excluding phosphorus from the plating solution components, but for that purpose, it was necessary to find an excellent reducing agent instead of sodium hypophosphite, which is a reducing agent of the source of nickel plating. It was judged that it was very difficult from the viewpoint of time and cost.

【0010】一方、ニッケル−ボロンめっき液を使いこ
なすためには、イオウを含まない応力緩和剤の使用が必
須であるが、イオウフリーで有効な応力緩和剤は見当た
らない。イオウ含有の応力緩和剤はヒドラジン系のニッ
ケルめっき液にも添加されているため、ボロン系と共通
の課題を抱えておりさらにめっき液が短寿命のため量産
には不適である。
On the other hand, in order to make full use of the nickel-boron plating solution, it is essential to use a stress-reducing agent containing no sulfur, but no sulfur-free and effective stress-releasing agent has been found. Since the sulfur-containing stress relieving agent is also added to the hydrazine-based nickel plating solution, it has the same problems as the boron-based stress reduction agent, and is unsuitable for mass production because the plating solution has a short life.

【0011】そこで本発明者等はニッケルめっき液その
ものを改良するのではなく、めっき膜質を改善すること
を試み本発明に至った。すなわち、配線基板の外部接続
端子として形成した無電解ニッケルめっき膜から膜表面
層のリンあるいはイオウをエッチングにより除去する方
法である。はんだとの拡散フロントとなるめっき膜表面
層からはんだ接合を阻害するこれら不純物を除去すれば
良好なはんだ接合が得られるとの着想に基づくものであ
る。
The present inventors have tried not to improve the nickel plating solution itself but to improve the quality of the plating film, and have reached the present invention. That is, this is a method of removing phosphorus or sulfur in a film surface layer by etching from an electroless nickel plating film formed as an external connection terminal of a wiring board. This is based on the idea that good solder joints can be obtained by removing these impurities that inhibit solder joints from the plating film surface layer that serves as a diffusion front with the solder.

【0012】詳細な実験検討をした結果、事実この着想
はほぼ正しく、十分に実用化できることが判明した。無
電解ニッケルめっき膜からエッチングによりはんだ接合
を阻害する不純物を選択的に除去する表面からの好まし
いエッチング深さは、0.05〜0.2μm、より好ま
しくは0.08〜0.12μmである。はんだとの拡散
フロントとなるニッケルめっき膜表面層は、表面から深
さが約0.1μm程度までの領域であることから、通常
はこのはんだとの拡散フロントとなる膜の表面層を目安
にエッチングするのが実用的で好ましい。
As a result of a detailed experimental study, it was found that this idea was in fact almost correct and that it could be put to practical use. The preferred etching depth from the surface from which impurities that inhibit solder bonding are selectively removed by etching from the electroless nickel plating film is 0.05 to 0.2 μm, and more preferably 0.08 to 0.12 μm. Since the surface layer of the nickel plating film, which serves as a diffusion front with the solder, is a region having a depth of about 0.1 μm from the surface, usually, the surface layer of the film which serves as a diffusion front with the solder is etched as a guide. It is practical and preferable.

【0013】無電解ニッケルめっき膜の膜厚は、通常数
μmのオーダーであることから、本発明に使用するニッ
ケルめっき膜においては、表層部を除き大半は、めっき
液から導入される不純物を含有する。したがって、積極
的に導入した不純物の特長(例えばリンの耐食性向上、
イオウの応力緩和剤としての効果等)は実質的に保持さ
れる。
Since the thickness of the electroless nickel plating film is usually on the order of several μm, most of the nickel plating film used in the present invention contains impurities introduced from the plating solution except for the surface layer. I do. Therefore, the characteristics of the impurities that were positively introduced (for example, the corrosion resistance of phosphorus,
The effect of sulfur as a stress relaxation agent) is substantially retained.

【0014】このように、表層部がエッチング処理され
た無電解ニッケルめっき膜の上に酸化防止被膜として例
えば金めっきが施されて最終的な外部接続端子となる。
As described above, for example, gold plating is applied as an antioxidant film on the electroless nickel plating film whose surface layer has been etched to form a final external connection terminal.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1を用い
て説明する。この図は、配線基板に数100個の外部接
続端子7が設けられたものから1個を取り出し、無電解
ニッケルめっき(ニッケル−リン)の表層部からエッチ
ングにより、はんだとの接合を阻害する不純物を除去す
る過程を示した拡大断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this figure, one of the hundreds of external connection terminals 7 provided on a wiring board is taken out, and an impurity that inhibits bonding with solder is removed from the surface layer of electroless nickel plating (nickel-phosphorus) by etching. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view illustrating a process of removing the hologram.

【0016】すなわち、図1(A)は、多層配線基板の
最上の配線パターン(銅層)3を含む絶縁基板4上に、
銅層3の外部接続端子形成領域を除き全面にソルダーレ
ジスト(絶縁層)2を被覆しておき、このソルダーレジ
スト(絶縁層)2をマスクにして露出した銅層3上に選
択的に無電解ニッケルめっき層1を形成した断面構造を
示している。そして、図1(B)は、本発明の特徴であ
るめっき層1の表層部をエッチングし、はんだ接続を阻
害する不純物を選択的に溶解除去することにより、めっ
き層1の表層部にはんだ接続を阻害する不純物を含まな
いめっき層5を形成した断面構造を示しいる。
That is, FIG. 1A shows that an insulating substrate 4 including an uppermost wiring pattern (copper layer) 3 of a multilayer wiring board is
A solder resist (insulating layer) 2 is coated on the entire surface of the copper layer 3 except for the external connection terminal forming region, and the copper resist 3 is selectively electrolessly exposed on the exposed copper layer 3 using the solder resist (insulating layer) 2 as a mask. 1 shows a cross-sectional structure in which a nickel plating layer 1 is formed. FIG. 1 (B) shows that the surface layer of the plating layer 1 which is a feature of the present invention is etched to selectively dissolve and remove impurities which hinder the solder connection. 2 shows a cross-sectional structure in which a plating layer 5 containing no impurity that hinders formation is formed.

【0017】先ず、エッチング液であるが、リン含有の
無電解ニッケルめっき膜をはんだとの接合に使用する
際、リンのエッチング液はニッケルにダメージを与える
ことなくリンを溶解するものであれば、種類を問わな
い。なかでもバリウムイオンを含む水溶液はリンの溶解
に特に効果があった。バリウムイオン濃度としては、
0.02〜0.5moL/Lが好ましく、0.02moL/L以下で
はリンのエッチング反応が非常に遅いので効率的でな
い。また0.5moL/L以上ではエッチング反応速度が上昇
せず試薬の無駄になる。
First, an etchant is used. When a phosphorus-containing electroless nickel plating film is used for bonding with a solder, the phosphorus etchant dissolves phosphorus without damaging nickel. Regardless of the type. Among them, the aqueous solution containing barium ion was particularly effective for dissolving phosphorus. As the barium ion concentration,
It is preferably 0.02 to 0.5 mol / L, and if the concentration is less than 0.02 mol / L, the phosphorus etching reaction is extremely slow, so that it is not efficient. If it is more than 0.5 mol / L, the etching reaction rate does not increase and the reagent is wasted.

【0018】処理温度としては30〜90℃が好まし
く、30℃以下ではエッチング反応が非常に遅くなる。
また、90℃以上ではニッケル表面の酸化が短時間に著
しく進行してしまうため、次工程の金めっき膜との密着
性が低下する。処理液のpHとしては6〜13が好まし
く、pH6以下ではエッチング速度が非常に遅くなる。
また、pH13以上ではニッケルめっき膜表面に水酸化
ニッケルが生成し易くなるので、エッチング処理後に水
酸化ニッケルの除去処理が別途必要となり工程が増大す
る。
The processing temperature is preferably from 30 to 90 ° C., and below 30 ° C., the etching reaction becomes very slow.
On the other hand, if the temperature is 90 ° C. or higher, the oxidation of the nickel surface proceeds remarkably in a short time, so that the adhesion to the gold plating film in the next step is reduced. The pH of the treatment liquid is preferably from 6 to 13, and if the pH is 6 or less, the etching rate becomes extremely slow.
If the pH is 13 or more, nickel hydroxide is likely to be generated on the surface of the nickel plating film. Therefore, a separate treatment for removing nickel hydroxide is required after the etching treatment, which increases the number of steps.

【0019】一方、めっき膜中にイオウを含有する無電
解ニッケルめっき膜をはんだ接合に使用する際、イオウ
のエッチングは、ニッケルにダメージを与えることなく
イオウをエッチングできるものであれば、特に制限はな
い。なかでも亜硫酸イオンを含む水溶液の効果が顕著で
あった。亜硫酸イオン濃度としては、0.01〜0.9mo
L/Lが好ましく、0.01moL/L以下ではイオウのエッチ
ング反応が非常に遅いので効率的でない。また0.9moL
/L以上ではエッチング反応速度が上昇せず試薬の無駄に
なる。
On the other hand, when an electroless nickel plating film containing sulfur in a plating film is used for solder bonding, the etching of sulfur is not particularly limited as long as it can etch sulfur without damaging nickel. Absent. Among them, the effect of the aqueous solution containing sulfite ions was remarkable. As the sulfite ion concentration, 0.01 to 0.9 mol
L / L is preferable, and if it is less than 0.01 mol / L, the sulfur etching reaction is very slow, so that it is not efficient. 0.9mol
Above / L, the etching reaction rate does not increase and the reagent is wasted.

【0020】処理温度としては30〜90℃が好まし
く、30℃以下ではエッチング反応が非常に遅くなり効
率的ではない。また、90℃以上では亜硫酸イオンの酸
化が著しく進行し硫酸イオンの生成によりエッチング効
率が低下する。処理液のpHとしては2〜11が好まし
く、pH2以下では亜硫酸イオンの分解に伴う二酸化イ
オウが発生しやすくなる。また、pH11以上ではエッ
チング反応速度が上昇せず特別の効果はない。
The processing temperature is preferably from 30 to 90 ° C. If it is lower than 30 ° C., the etching reaction becomes extremely slow, which is not efficient. At 90 ° C. or higher, the oxidation of sulfite ions proceeds remarkably, and the etching efficiency decreases due to the production of sulfate ions. The pH of the treatment liquid is preferably 2 to 11, and if the pH is 2 or less, sulfur dioxide is likely to be generated due to decomposition of sulfite ions. If the pH is 11 or more, the etching reaction rate does not increase and there is no special effect.

【0021】上記で説明したエッチング工程を組み入れ
た本発明のめっきプロセスのフローを図2に、そして比
較例として従来技術の一般的なめっきプロセスのフロー
を図3にそれぞれ示す。なお、はんだの種類あるいは接
合するめっき金属の組み合わせ等によっては、界面破断
を引き起こす原因となる不純物の種類が異なることがあ
る。しかし、本発明のプロセスは、はんだ接合界面から
除去したい不純物が上記リンやイオウに限らず他のもの
にも特定できれば、その不純物のエッチングに適したエ
ッチング液を選択ればよく、その工程を無電解ニッケル
めっき後に組み入れ、はんだとの拡散フロント部分のめ
っき表面層不純物のみ局所的にエッチングすれば、良好
なはんだ接合が得られることからニッケルめっき液およ
び不純物の種類に限定されないという特徴を持ってい
る。
FIG. 2 shows the flow of the plating process of the present invention incorporating the above-described etching step, and FIG. 3 shows the flow of a general plating process of the prior art as a comparative example. Note that the type of impurity that causes interface breakage may differ depending on the type of solder, the combination of plating metals to be joined, and the like. However, in the process of the present invention, if the impurities to be removed from the solder joint interface can be specified not only to the above phosphorus and sulfur but also to other substances, an etching solution suitable for etching the impurities may be selected, and the process is omitted. If it is incorporated after electrolytic nickel plating and only locally etches the plating surface layer impurities in the diffusion front part with the solder, good solder joints can be obtained, so it is not limited to the nickel plating solution and the type of impurities. .

【0022】実際の外部接続端子の構成は、図1(B)
のめっき層1の表層部に形成したはんだ接続を阻害する
不純物を含まないめっき層5の上に、酸化防止とはんだ
の濡れ性を確保するために金めっきが施される。金めっ
きは、通常、置換型無電解めっきにより薄付をし、その
上に厚付の還元型無電解めっきが施される。
The actual configuration of the external connection terminal is shown in FIG.
Gold plating is applied on the plating layer 5 which is formed on the surface layer of the plating layer 1 and does not contain impurities which hinder solder connection, in order to prevent oxidation and ensure solder wettability. The gold plating is usually thinned by substitution type electroless plating, and thicker reduction type electroless plating is applied thereon.

【0023】ここで置換型無電解めっきとは、イオン化
傾向の差を利用して金属皮膜を形成させるめっき方法で
あり、このプロセスの場合、ニッケルが溶解してイオン
となり、同時に発生した電子を金イオンが受け取って析
出するものである。下地との密着性を得るためには必須
であるが、反応機構上厚付けはできない。一方、厚付け
還元型無電解めっきとは、還元剤を含むめっき液を用い
て金属皮膜を形成させる無電解めっきのことで、厚付け
可能である。めっきプロセス後は、例えば空気中150℃
で熱処理乾燥する。
Here, substitutional electroless plating is a plating method in which a metal film is formed by utilizing the difference in ionization tendency. In this process, nickel dissolves into ions and simultaneously generated electrons are converted into gold. The ions are received and deposited. Although it is indispensable to obtain adhesion to the base, it cannot be thickened due to the reaction mechanism. On the other hand, thick reduction electroless plating is electroless plating in which a metal film is formed using a plating solution containing a reducing agent, and can be thickened. After the plating process, for example, 150 ° C in air
And heat-dry.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面と共に説明す
る。 〈実施例1〉図面を用いて先ず概略を説明する。5枚の
両面銅張り積層板6を用いて通常の工程にしたがって1
0層の多層配線基板を形成し、最表面の配線パターンに
外部接続端子を形成する領域を除く全表面にソルダーレ
ジスト(絶縁層)2を被覆する。このようにして、図1
(A)に示すように外部接続端子の形成領域(銅層)3
を露出させ配線基板を準備し、図2に示すめっきプロセ
スにしたがい露出した銅層3上に無電解ニッケル−リン
めっき膜1を形成する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <Embodiment 1> An outline will be described first with reference to the drawings. Using five double-sided copper-clad laminates 6 according to the normal process,
A zero-layer multilayer wiring board is formed, and a solder resist (insulating layer) 2 is coated on the entire surface except for a region where an external connection terminal is formed on the outermost wiring pattern. Thus, FIG.
(A) As shown in FIG.
Are exposed to prepare a wiring board, and an electroless nickel-phosphorous plating film 1 is formed on the exposed copper layer 3 according to the plating process shown in FIG.

【0025】次いで無電解ニッケル−リンめっき膜1か
ら、リンを選択的に溶解除去するエッチング工程を経
て、図1(B)に示すように表層部からリンが除かれた
ニッケルめっき層5を有する外部接続端子の構造を得
る。最終的にはこのニッケルめっき層5の上に不図示の
金めっき膜が形成されて外部接続端子7となる。なお、
実際の配線基板には、この種の外部接続端子7が数10
0個形成されている。
Next, as shown in FIG. 1 (B), the electroless nickel-phosphorous plating film 1 has a nickel plating layer 5 in which phosphorus has been removed from the surface layer through an etching step of selectively dissolving and removing phosphorus. Obtain the structure of the external connection terminal. Eventually, a gold plating film (not shown) is formed on the nickel plating layer 5 to become the external connection terminals 7. In addition,
In an actual wiring board, this kind of external connection terminal 7 has several tens of
0 are formed.

【0026】以下、図1(A)、図1(B)の工程図及
び図2に示しためっきプロセスにしたがい本実施例を更
に詳述する。先ず、ソルダーレジスト(絶縁層)2から
露出した外部接続端子の形成領域(銅層)3の表面を洗
浄するために、酸性脱脂液(ワールドメタル社製の脱脂
液:Z-200、40℃、1分)に浸積した。
Hereinafter, the present embodiment will be described in more detail in accordance with the steps shown in FIGS. 1A and 1B and the plating process shown in FIG. First, in order to wash the surface of the external connection terminal formation region (copper layer) 3 exposed from the solder resist (insulating layer) 2, an acidic degreasing solution (a degreasing solution manufactured by World Metal Corporation: Z-200, 40 ° C., 1 minute).

【0027】そして一次水洗、二次水洗各2分後、銅表
面のライトエッチング(過硫酸アンモニウム:100g/L、
室温、1分)を行った。一次水洗、二次水洗各1分後、
銅酸化膜を除去するために酸処理(10%硫酸、室温、1
分)を行い、さらに一次水洗、二次水洗各1分後、銅表
面を無電解ニッケルめっきに対して活性化するために、
Pd活性化処理(日立化成工業株式会社製の触媒液:SA-1
00、室温、5分)した。
After two minutes each of primary and secondary water washing, light etching of the copper surface (ammonium persulfate: 100 g / L,
Room temperature, 1 minute). After 1 minute each of primary and secondary washing,
Acid treatment (10% sulfuric acid, room temperature, 1
Min), and after 1 minute each of primary and secondary water washing, in order to activate the copper surface for electroless nickel plating,
Pd activation treatment (catalyst solution manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: SA-1
00, room temperature, 5 minutes).

【0028】一次水洗、二次水洗各1分後、無電解ニッ
ケル−リンめっき(日立化成工業株式会社製のめっき
液:NIPS-100、85℃、20分)を行い、膜厚7μmの無電
解ニッケル−リンめっき膜を形成した。さらに一次水
洗、二次水洗各1分後、無電解ニッケル−リンめっき膜
1の表層から膜中のリンを除去するため、リンのエッチ
ング液(0.1moL/Lの水酸化バリウム水溶液:85℃、10
分)に浸積した。これにより膜厚7μmの無電解ニッケ
ル−リンめっき膜1の表層部から深さ0.15μmまで
エッチングし、リンを選択的に溶解除去した無電解ニッ
ケル層5を形成した。
After 1 minute each of primary and secondary water washing, electroless nickel-phosphorus plating (plating solution: NIPS-100, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., 85 ° C., 20 minutes) is performed, and a 7 μm-thick electroless film is formed. A nickel-phosphorus plating film was formed. One minute after each of the primary and secondary water washing, in order to remove phosphorus in the surface of the electroless nickel-phosphorous plating film 1 from the surface layer, a phosphorus etching solution (a 0.1 mol / L barium hydroxide aqueous solution: 85 ° C.) Ten
Min). Thus, the electroless nickel-phosphorous plating film 1 having a thickness of 7 μm was etched from the surface layer portion to a depth of 0.15 μm to form an electroless nickel layer 5 in which phosphorus was selectively dissolved and removed.

【0029】次に一次水洗、二次水洗各1分後、表面の
酸化膜を除去するために酸処理(10%塩酸、室温、1
分)を施した。そして一次水洗、二次水洗各分後、はん
だとの濡れ性を確保するために置換型無電解金めっき
(日立化成工業株式会社製のめっき液:HGS-500、85
℃)により薄付(膜厚0.05μm)し、再び一次水
洗、二次水洗各1分後、厚付け還元型無電解金めっき
(日立化成工業株式会社製のめっき液:HGS-2000、65
℃、50分)を行い膜厚0.7μmの金めっき膜を形成し
た。
Next, after 1 minute each of primary water washing and secondary water washing, an acid treatment (10% hydrochloric acid, room temperature, 1 hour) was carried out to remove an oxide film on the surface.
Min). After each minute of primary and secondary washing, replaceable electroless gold plating (plating solution manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: HGS-500, 85) to ensure wettability with solder
℃), and after 1 minute each of primary and secondary water washing, reductive electroless gold plating (plating solution: HGS-2000, 65 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
(° C., 50 minutes) to form a gold plating film having a thickness of 0.7 μm.

【0030】次に、一次水洗、二次水洗各2分後、ブロ
ー乾燥しさらに空気中150℃で4時間熱処理乾燥した。そ
して、はんだリフロー(共晶はんだ、200℃以上、1分)
後、剪断試験による破断モードを観察した。その結果を
比較例と共に表1に示した。
Next, after 2 minutes each of primary and secondary water washing, blow drying was performed, followed by heat treatment drying in air at 150 ° C. for 4 hours. And solder reflow (eutectic solder, 200 ° C or higher, 1 minute)
Thereafter, a breaking mode by a shear test was observed. The results are shown in Table 1 together with Comparative Examples.

【0031】〈実施例2〉本実施例では、上記実施例1
の無電解ニッケル−リンめっき液の代わりに、無電解ニ
ッケル−ボロンめっき液(ワールドメタル社製のめっき
液:ニボロン-KOM、pH6.7、65℃、60分)に、リンのエ
ッチング液の代わりにイオウのエッチング液(亜硫酸ナ
トリウム:0.5moL/L、pH5.0、60℃ 、10分)にそれぞれ
変更した以外は上記実施例1と同様にして試料を作成評
価した。その結果を比較例と共に表1に示した。
<Embodiment 2> In the present embodiment, the first embodiment is used.
In place of the electroless nickel-phosphorous plating solution described above, an electroless nickel-boron plating solution (plating solution manufactured by World Metal Co., Niboron-KOM, pH6.7, 65 ° C, 60 minutes) is used instead of the phosphorus etching solution A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the etching solution was changed to a sulfur etching solution (sodium sulfite: 0.5 mol / L, pH 5.0, 60 ° C., 10 minutes). The results are shown in Table 1 together with Comparative Examples.

【0032】〈比較例1〉比較例1として、上記実施例
と同様に加工した銅張り積層板を用い、不純物のエッチ
ング工程を有さない図3に示す従来プロセスに従いめっ
きした。すなわち、先ず被めっき物(銅層3)を酸性脱
脂液(ワールドメタル社製の脱脂液:Z-200、40℃、1
分)に浸積した。
<Comparative Example 1> As Comparative Example 1, a copper-clad laminate processed in the same manner as in the above embodiment was used and plated according to the conventional process shown in FIG. 3 without an impurity etching step. That is, first, an object to be plated (copper layer 3) was acidified with a degreasing solution (degreasing solution manufactured by World Metal Co., Ltd .: Z-200,
Min).

【0033】そして一次水洗、二次水洗各2分後、銅表
面のライトエッチング(過硫酸アンモニウム:100g/L、
室温、1分)を行った。一次水洗、二次水洗各1分後、
酸処理(10%硫酸、室温、1分)を行い、さらに一次水
洗、二次水洗各1分後、Pd活性化処理(日立化成工業株
式会社製の触媒液:SA-100、室温、5分)した。
After 2 minutes each of primary and secondary water washing, light etching of the copper surface (ammonium persulfate: 100 g / L,
Room temperature, 1 minute). After 1 minute each of primary and secondary washing,
An acid treatment (10% sulfuric acid, room temperature, 1 minute) is performed, and after 1 minute each of primary water washing and secondary water washing, Pd activation treatment (catalyst solution manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: SA-100, room temperature, 5 minutes) )did.

【0034】一次水洗、二次水洗各1分後、無電解ニッ
ケル−リンめっき(日立化成工業株式会社製のめっき
液:NIPS-100、85℃、20分)をした。さらに一次水洗、
二次水洗各1分後、置換型無電解金めっき(日立化成工
業株式会社製のめっき液:HGS-500、85℃)し、再び一
次水洗、二次水洗各1分後、厚付け還元型無電解金めっ
き(日立化成工業株式会社製のめっき液:HGS-2000、65
℃、50分)をおこなった。
One minute after each of the primary water washing and the secondary water washing, electroless nickel-phosphorus plating (plating solution manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: NIPS-100, 85 ° C., 20 minutes) was performed. Further primary washing,
One minute after each secondary washing, substitutional electroless gold plating (plating solution manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: HGS-500, 85 ° C), and again one minute after each primary washing and secondary washing, thickened reduction type Electroless gold plating (plating solution manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd .: HGS-2000, 65
C., 50 minutes).

【0035】次に一次水洗、二次水洗各2分後、ブロー
乾燥しさらに空気中150℃で4時間熱処理乾燥した。そし
てはんだリフロー(共晶はんだ、200℃以上、1分)後、
剪断試験による破断モードを観察した。その結果を表1
に示した。
Next, two minutes after each of the primary and secondary water washing, blow drying was performed, followed by heat treatment drying in air at 150 ° C. for 4 hours. And after solder reflow (eutectic solder, 200 ° C or more, 1 minute)
The breaking mode by the shear test was observed. Table 1 shows the results.
It was shown to.

【0036】〈比較例2〉上記比較例1の無電解ニッケ
ル−リンめっき液の代わりに、無電解ニッケル−ボロン
めっき液(ワールドメタル社製のめっき液:ニボロン-K
OM、pH6.7、65℃、60分)に変更した以外は上記比較例
1と同様にして試料を作成評価した。その結果を表1に
示した。
<Comparative Example 2> Instead of the electroless nickel-phosphorous plating solution of Comparative Example 1, an electroless nickel-boron plating solution (plating solution manufactured by World Metal Corporation: Niboron-K) was used.
OM, pH 6.7, 65 ° C., 60 minutes), and a sample was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1 above. The results are shown in Table 1.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】表1には、破断モードにおいて「はんだボ
ール脱落モード」の有無を示したものである。なお、表
中の「はんだボール脱落」とは、試料とした多層配線基
板に形成した数100個の外部接続端子のうち、1個で
もニッケル膜との界面ではんだが100%破断したもの
が存在した場合のモードを指したものである。
Table 1 shows the presence or absence of the "solder ball falling mode" in the breaking mode. In the table, “Solder ball falling off” means that among the hundreds of external connection terminals formed on the sampled multilayer wiring board, at least one of the external connection terminals has a 100% breakage of the solder at the interface with the nickel film. This indicates the mode in the case of performing.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上詳述したように本発明により、所期
の目的を達成することができた。すなわち、ニッケルめ
っき表面層からはんだ接続を阻害する不純物を除去する
ことで、接続信頼性の高いはんだ接合が得られる外部接
続端子を備えた配線基板を実現することができた。
As described in detail above, the present invention has achieved the intended purpose. That is, by removing impurities that hinder solder connection from the nickel plating surface layer, a wiring board having external connection terminals capable of obtaining solder connection with high connection reliability was realized.

【0040】また、この種のはんだ接続を阻害するリン
あるいはイオウ以外に除去すべき不純物がある場合で
も、その不純物に適したエッチング液を組み替えること
で対応できるので、無電解ニッケルめっき液の種類を限
定することなく本発明のプロセスに適用できる効果があ
る。
Further, even if there is an impurity to be removed other than phosphorus or sulfur which hinders this kind of solder connection, it can be dealt with by changing an etching solution suitable for the impurity. There is an effect that can be applied to the process of the present invention without limitation.

【0041】なお、本発明は無電解ニッケルめっき膜に
限定されるものではなく、その他、種々のめっき液から
混入が予想される、この種のはんだ接続を阻害する不純
物を含有するめっき金属皮膜(銅など)にも応用できる
ことはいうまでもない。
The present invention is not limited to the electroless nickel plating film. In addition, the present invention is not limited to the electroless nickel plating film. Needless to say, it can also be applied to copper and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を模式的に表す断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例となるめっきプロセス工程図
である。
FIG. 2 is a process chart of a plating process according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来技術のめっきプロセス工程図である。FIG. 3 is a diagram showing a conventional plating process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ニッケル−リンめっき層、 2…絶縁層(ソルダーレジスト)、 3…銅層(配線パターン)、 4…絶縁基板、 5…リンエッチング後のニッケルめっき層、 6…銅張り積層板、 7…外部接続端子。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Nickel-phosphorous plating layer, 2 ... Insulating layer (solder resist), 3 ... Copper layer (wiring pattern), 4 ... Insulating substrate, 5 ... Nickel plating layer after phosphorus etching, 6 ... Copper clad laminated board, 7 ... External connection terminal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹原 裕子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 成塚 康則 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 赤沢 諭 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 山本 弘 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 Fターム(参考) 4K022 AA42 BA14 BA16 BA19 CA04 DA01 EA04 4K057 WA07 WB03 WB11 WE03 WN01 5E319 AC01 AC17 GG03  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuko Takehara 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd. Production Technology Research Institute (72) Inventor Yasunori Narizuka 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside Hitachi, Ltd. Production Technology Research Laboratories (72) Inventor Satoshi Akazawa 1500 Odai Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Chemical Co., Ltd. Shimodate Plant (72) Inventor Hiroshi Yamamoto 1500 Odai Ogawa Shimodate City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. F-term in Shimodate factory (reference) 4K022 AA42 BA14 BA16 BA19 CA04 DA01 EA04 4K057 WA07 WB03 WB11 WE03 WN01 5E319 AC01 AC17 GG03

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】配線基板の外部接続端子に形成した無電解
ニッケルめっき膜を、めっき時に混入する不純物を含有
する下層部と、はんだとの接合を阻害する不純物が選択
的に除去された表層部とで構成して成る配線基板。
An electroless nickel plating film formed on an external connection terminal of a wiring board has a lower layer portion containing impurities mixed during plating and a surface layer portion from which impurities which inhibit bonding with solder are selectively removed. And a wiring board composed of:
【請求項2】上記はんだとの接合を阻害する不純物が選
択的に除去された表層部の深さを、はんだとの接合時に
拡散フロントとなるニッケルめっき膜の深さ相当分とし
て成る請求項1記載の配線基板。
2. The method according to claim 1, wherein the depth of the surface layer portion from which impurities that inhibit the bonding with the solder are selectively removed is equivalent to the depth of the nickel plating film serving as a diffusion front at the time of bonding with the solder. The wiring board as described.
【請求項3】上記はんだとの接合を阻害する不純物が選
択的に除去された表層部の深さを、0.5〜0.2μm
として成る請求項1記載の配線基板。
3. The depth of the surface layer portion from which impurities that inhibit the bonding with the solder are selectively removed is 0.5 to 0.2 μm.
The wiring board according to claim 1, wherein
【請求項4】上記はんだとの接合を阻害する不純物がイ
オウもしくはリンである請求項1乃至3のいずれか一つ
に記載の配線基板。
4. The wiring board according to claim 1, wherein the impurity that inhibits the bonding with the solder is sulfur or phosphorus.
【請求項5】上記はんだとの接合を阻害する不純物が選
択的に除去された無電解ニッケルめっき層上に、金めっ
き層を形成した外部接続端子を有して成る請求項1乃至
4のいずれか一つに記載の配線基板。
5. An external connection terminal having a gold plating layer formed on an electroless nickel plating layer from which impurities that hinder the bonding with the solder are selectively removed. The wiring board according to any one of the above.
【請求項6】配線基板の外部接続端子に形成した無電解
ニッケルめっき膜の表層部から、はんだとの接合を阻害
する不純物をエッチングにより選択的に除去する工程を
有して成る配線基板の製造方法。
6. A method of manufacturing a wiring board, comprising the step of selectively removing, by etching, impurities that inhibit bonding with solder from a surface layer of an electroless nickel plating film formed on external connection terminals of the wiring board. Method.
【請求項7】上記無電解ニッケルめっき膜の表層部か
ら、はんだとの接合を阻害する不純物をエッチングによ
り選択的に除去する工程を、はんだとの接合時に拡散フ
ロントとなるニッケルめっき膜の深さまでエッチングす
る工程で構成して成る請求項6記載の配線基板の製造方
法。
7. A step of selectively removing, from the surface layer of the electroless nickel plating film, an impurity which inhibits bonding with the solder by etching, to a depth of the nickel plating film serving as a diffusion front at the time of bonding with the solder. 7. The method for manufacturing a wiring board according to claim 6, comprising a step of etching.
【請求項8】上記はんだとの接合を阻害する不純物をエ
ッチングにより選択的に除去する工程においては、無電
解ニッケルめっき膜の表面から0.5〜0.2μmの深
さまでエッチングする工程として成る請求項6もしくは
7記載の配線基板の製造方法。
8. The step of selectively removing the impurities that inhibit the bonding with the solder by etching, the step of etching to a depth of 0.5 to 0.2 μm from the surface of the electroless nickel plating film. Item 8. The method for manufacturing a wiring board according to Item 6 or 7.
【請求項9】上記無電解ニッケルめっき膜中に含まれる
不純物がイオウもしくはリンであり、前記配線基板の外
部接続端子表面に形成した無電解ニッケルめっき膜を、
前記不純物を選択的に溶解可能なエッチング液に所定時
間接触させ、前記接触時間を制御してはんだとの拡散フ
ロントとなる深さまでエッチングする工程で、前記不純
物をエッチングにより選択的に除去する工程を構成して
成る請求項6もしくは7記載の配線基板の製造方法。
9. An electroless nickel plating film, wherein the impurity contained in the electroless nickel plating film is sulfur or phosphorus, and the electroless nickel plating film formed on the surface of the external connection terminal of the wiring board is
A step of contacting the impurity with an etchant capable of selectively dissolving the impurity for a predetermined time, controlling the contact time to etch to a depth that becomes a diffusion front with solder, and selectively removing the impurity by etching. 8. The method for manufacturing a wiring board according to claim 6, wherein the wiring board is configured.
【請求項10】上記無電解ニッケルめっき膜中に含まれ
る不純物がイオウであり、バリウムを含むエッチング液
で前記無電解ニッケルめっき膜表層部のイオウを選択的
にエッチング除去する工程を有して成る請求項6乃至9
のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
10. The method according to claim 1, wherein the impurity contained in the electroless nickel plating film is sulfur, and the method further comprises the step of selectively removing the sulfur on the surface layer of the electroless nickel plating film by an etching solution containing barium. Claims 6 to 9
The method for manufacturing a wiring board according to any one of the above.
【請求項11】上記無電解ニッケルめっき膜中に含まれ
る不純物がリンであり、亜硫酸イオンを含むエッチング
液で前記無電解ニッケルめっき膜表層部のリンを選択的
にエッチング除去する工程を有して成る請求項6乃至9
のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
11. The method according to claim 1, wherein the impurity contained in the electroless nickel plating film is phosphorus, and the method further comprises a step of selectively etching away phosphorus on the surface layer of the electroless nickel plating film with an etching solution containing sulfite ions. Claims 6 to 9 comprising
The method for manufacturing a wiring board according to any one of the above.
【請求項12】請求項6乃至9のいずれか一つに記載の
配線基板の製造方法による無電解ニッケルめっき膜表層
部に含まれるはんだとの接合を阻害する不純物を選択的
にエッチング除去する工程の後に、前記エッチング処理
しためっき膜表面に置換型無電解金めっきにより膜厚の
薄い金めっき層を形成する工程と、前記膜厚の薄い金め
っき層表面に還元型無電解金めっきにより膜厚の厚い金
めっき層を形成する工程とを付加して成る配線基板の製
造方法。
12. A process for selectively removing impurities contained in a surface layer portion of an electroless nickel plating film, which inhibits bonding with a solder, by a method for manufacturing a wiring board according to claim 6. Forming a thin gold plating layer on the surface of the etched plating film by substitutional electroless gold plating; and forming a thin gold plating layer on the thin gold plating layer surface by reduction electroless gold plating. Forming a thick gold plating layer.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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