JP2000200944A5 - - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般式Pb1−x−yMgxYyX(但し、モル比で、0<x+y<1.0,0<x<1.0,0≦y≦0.1,X:S,SeおよびTeの少なくとも一種又は二種以上の元素、Y:Ia族元素、Ib族元素、IIIa族元素、IIIb族元素、Va族元素、Vb族元素、VIIa族元素およびVIIb族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素)で、およびPb1−x−y(Mg1−aZa)xYyX(但し、0<x+y<1.0,0<x<1.0,0≦y≦0.1,0<a<1.0,X:S,SeおよびTeの少なくとも一種又は二種以上の元素,Z:SrおよびBaの少なくとも一種又は二種の元素、Y:Ia族元素、Ib族元素、IIIa族元素、IIIb族元素、Va族元素、Vb族元素、VIIa族元素およびVIIb族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素)で表される固溶半導体からなり、波長0.4〜8μmの光広領域で発振し、室温付近において動作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびこの材料を用いたレーザ素子に関するものである。その目的は、波長0.4〜8μmの光広領域で発振し、しかも波長可変であって、室温付近において動作可能であるレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造あるいは格子整合型量子井戸構造のレーザ素子を作ることができる固溶半導体レーザ素子を提供することにある。
【産業上の利用分野】
本発明は、一般式Pb1−x−yMgxYyX(但し、モル比で、0<x+y<1.0,0<x<1.0,0≦y≦0.1,X:S,SeおよびTeの少なくとも一種又は二種以上の元素、Y:Ia族元素、Ib族元素、IIIa族元素、IIIb族元素、Va族元素、Vb族元素、VIIa族元素およびVIIb族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素)で、およびPb1−x−y(Mg1−aZa)xYyX(但し、0<x+y<1.0,0<x<1.0,0≦y≦0.1,0<a<1.0,X:S,SeおよびTeの少なくとも一種又は二種以上の元素,Z:SrおよびBaの少なくとも一種又は二種の元素、Y:Ia族元素、Ib族元素、IIIa族元素、IIIb族元素、Va族元素、Vb族元素、VIIa族元素およびVIIb族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素)で表される固溶半導体からなり、波長0.4〜8μmの光広領域で発振し、室温付近において動作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびこの材料を用いたレーザ素子に関するものである。その目的は、波長0.4〜8μmの光広領域で発振し、しかも波長可変であって、室温付近において動作可能であるレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造あるいは格子整合型量子井戸構造のレーザ素子を作ることができる固溶半導体レーザ素子を提供することにある。
従来、波長0.4〜8μmの光広領域で、しかも波長可変でレーザ光を発光する半導体レーザ素子の活性層および閉じ込め層としての材料は、II−VI族化合物半導体であるHg1−aCdaTe(ただし、0<a≦1)、III−V族化合物半導体であるInAsあるいはInSbおよび各種のIV−VI族化合物半導体が知られている。
この中でも、動作温度の高温化および波長可変性の大きさなどの点からIV−VI族化合物半導体が最も実用性の高い材料として注目されており、従来4元の鉛塩固溶半導体であるPb1−aCdaS1−bSebあるいはPb1−aEuaTe1−bSeb等が知られている。
この中でも、動作温度の高温化および波長可変性の大きさなどの点からIV−VI族化合物半導体が最も実用性の高い材料として注目されており、従来4元の鉛塩固溶半導体であるPb1−aCdaS1−bSebあるいはPb1−aEuaTe1−bSeb等が知られている。
【0031】
【発明の効果】
本発明材料は、波長0.4〜0.8μmの光広領域で発振し、波長可変で、室温付近において動作可能であるレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造あるいは格子整合型量子井戸構造レーザ素子を容易に作ることができるので、高発光効率および高性能レーザ素子の材料として好適であり、さらにこのレーザ素子は光通信システム、超高分解能分光器ならびにその他一般の計測機器の光源等としても好適であり応用範囲が広い。
【発明の効果】
本発明材料は、波長0.4〜0.8μmの光広領域で発振し、波長可変で、室温付近において動作可能であるレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造あるいは格子整合型量子井戸構造レーザ素子を容易に作ることができるので、高発光効率および高性能レーザ素子の材料として好適であり、さらにこのレーザ素子は光通信システム、超高分解能分光器ならびにその他一般の計測機器の光源等としても好適であり応用範囲が広い。
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---|---|---|---|
JP03764199A JP4107753B2 (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (3)
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JP2000200944A JP2000200944A (ja) | 2000-07-18 |
JP2000200944A5 true JP2000200944A5 (ja) | 2005-07-21 |
JP4107753B2 JP4107753B2 (ja) | 2008-06-25 |
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ID=12503290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP03764199A Expired - Fee Related JP4107753B2 (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4107753B2 (ja) |
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1999
- 1999-01-06 JP JP03764199A patent/JP4107753B2/ja not_active Expired - Fee Related
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