JP2000200124A - Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit system - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit system

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JP2000200124A JP11002136A JP213699A JP2000200124A JP 2000200124 A JP2000200124 A JP 2000200124A JP 11002136 A JP11002136 A JP 11002136A JP 213699 A JP213699 A JP 213699A JP 2000200124 A JP2000200124 A JP 2000200124A
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integrated circuit
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裕 寺田
Takashi Hirata
貴士 平田
Satoshi Takahashi
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Yukio Arima
幸生 有馬
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忠弘 吉田
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義英 小松
Hiroyuki Yamauchi
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit system capable of reducing current consumption in a data transmission system of a current drive type for high-speed data transmission. SOLUTION: This system is provided with a data line pair (Data-A and Data-XA) and a strobe line pair (Strobe-B and Strobe-XB) for transmitting data between first and second chips 1 and 2. A control circuit 6 provided in the first chip 1 controls an output circuit 5. The output circuit 5 supplies a DC current from a power source to a data line Data-A for instance and the input circuit 7 of the second chip 2 returns the DC current to the output circuit 5 through terminating resistors RA1 and RA2 and the data line Data-XA. The output circuit 5 successively supplies the returned DC current to a strobe line Strobe-B, the input circuit 7 further returns it through the terminating resistors RB1 and RB2 and the strobe line Strobe-XB to the output circuit 5 and the returned current is made to flow into the ground. Thus, the current consumption is reduced half/as compared with the case of respectively current driving the data line pair and the strobe line pair.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高速にデータ伝送
を行ない且つ消費電力が低い半導体集積回路及び半導体
集積回路システムの改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit system which transmit data at high speed and consume low power.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、IEEE1394物理層LSIに代表される
半導体集積回路は、マルチメディア等のように高速で大
量にデータ処理を行なうシステムを実現するために、機
器間データ伝送を高速で行なう技術を搭載しており、現
在では200Mbpsのデータ伝送レートを実現し、400Mbpsの
半導体集積回路もサンプル出荷されている。また、研究
レベルでは1Gbpsを超える高速データ伝送技術も開発さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor integrated circuit typified by an IEEE1394 physical layer LSI has a technology for transmitting data between devices at a high speed in order to realize a system for performing a large amount of data processing at a high speed such as a multimedia. Currently, a data transmission rate of 200 Mbps has been realized, and a 400 Mbps semiconductor integrated circuit has been sampled. At the research level, high-speed data transmission technologies exceeding 1 Gbps have also been developed.

【0003】前記IEEE1394物理層LSIは、データ伝送を
行なう場合、送信側はデータをDC電流の形で差動のツイ
ストペアケーブルに出力する。ツイストペアケーブル間
には抵抗素子が接続され、この抵抗素子に流れる電流に
より現われるツイストペアケーブル間の電位差が受信側
の入力となる。また、このIEEE1394物理層LSIは、DS
リンク方式というデータ伝送方式を採用し、データ伝送
には、一つのポートに付きデータ線ペアとストローブ線
ペアとの2ペアの伝送線を用いる。前記IEEE1394の仕様
はdraft standard ver8.4の中で示されている。
In the IEEE1394 physical layer LSI, when data transmission is performed, the transmitting side outputs data in the form of a DC current to a differential twisted pair cable. A resistance element is connected between the twisted pair cables, and a potential difference between the twisted pair cables that appears due to a current flowing through the resistance element becomes an input on the receiving side. Also, this IEEE1394 physical layer LSI
A data transmission method called a link method is adopted. For data transmission, two pairs of transmission lines, a data line pair and a strobe line pair, are used for one port. The IEEE1394 specifications are shown in draft standard ver8.4.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記IE
EE1394物理層LSIでの技術では、上述のように、DC電流
をツイストペアケーブルに出力するために、常時電流が
流れ、出力部の消費電流が大きいという問題点がある。
特に、ポート数が増大すると、消費電流の増大が重大な
問題となってくる。更に、DSリンク方式は、データ線
ペア又はストローブ線ペアの何れか一方でのみデータの
遷移を発生させるが、データ遷移が無い他方においても
DC電流は流し続けており、このDC電流の常時流通も消費
電流を大きくする原因となっている。
However, the aforementioned IE
In the technology using the EE1394 physical layer LSI, as described above, there is a problem in that a current always flows to output a DC current to the twisted pair cable, and the current consumption of the output unit is large.
In particular, when the number of ports increases, an increase in current consumption becomes a serious problem. Further, in the DS link system, data transition occurs only in one of the data line pair or the strobe line pair, but the data transition occurs in the other without the data transition.
The DC current continues to flow, and the constant flow of the DC current also causes an increase in current consumption.

【0005】本発明の目的は、前記問題点に鑑み、IEEE
1394のような高速データ伝送のための電流駆動型のデー
タ伝送方式において、消費電流を低減するための最適な
構成の半導体集積回路及び半導体集積回路システムを提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an IEEE
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit system having an optimal configuration for reducing current consumption in a current-driven data transmission system for high-speed data transmission such as 1394.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明では、データ線ペアやストローブ線ペア等の
複数のデータバスペアを用いてデータ伝送する場合、何
れかのデータバスペアを電流駆動し、このデータバスペ
アに流れた電流を他のデータバスペアの電流駆動に利用
する。
In order to achieve the above object, according to the present invention, when transmitting data using a plurality of data bus pairs such as a data line pair and a strobe line pair, any one of the data bus pairs is used. Current driving is performed, and the current flowing through this data bus pair is used for current driving of another data bus pair.

【0007】即ち、請求項1記載の発明の半導体集積回
路システムは、第1のチップ及び第2のチップと、抵抗
素子で終端された複数の相補型データバスとを備え、前
記複数の相補型データバスを用いて前記第1及び第2の
チップ間でデータ伝送を行う半導体集積回路システムで
あって、前記複数の相補型データバスを電流駆動する電
流駆動型の駆動回路と、前記複数の相補型のデータバス
を電源及びグランド間で一本の電流経路とし、且つこの
電流経路を変更する経路変更手段とを備えたことを特徴
とする。
That is, a semiconductor integrated circuit system according to the first aspect of the present invention includes a first chip and a second chip, and a plurality of complementary data buses terminated by a resistance element. A semiconductor integrated circuit system for performing data transmission between said first and second chips using a data bus, comprising: a current driving type driving circuit for current driving said plurality of complementary data buses; And a path changing means for changing the current path between the power supply and the ground.

【0008】また、請求項2記載の発明は、前記請求項
1記載の半導体集積回路システムにおいて、前記複数の
相補型データバスは、各々、データ線ペアの一方が前記
第1のチップから第2のチップへ電流を流し、他方が前
記第2のチップから第1のチップに対し電流を流すこと
を特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit system according to the first aspect, each of the plurality of complementary data buses has one of a data line pair from the first chip to the second chip. And a current flowing from the second chip to the first chip.

【0009】更に、請求項3記載の発明は、前記請求項
1記載の半導体集積回路システムにおいて、各相補型デ
ータバスの終端抵抗に現れる電位差を入力する入力回路
を有し、前記入力回路は、前記各相補型データバスの終
端抵抗に現れる電位差の中心電位のレンジを全て含むワ
イドレンジ型の入力回路で構成されることを特徴とす
る。
Further, according to a third aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit system according to the first aspect, there is provided an input circuit for inputting a potential difference appearing at a terminating resistor of each complementary data bus, and the input circuit comprises: It is characterized by a wide-range input circuit including the entire range of the central potential of the potential difference appearing at the terminating resistor of each of the complementary data buses.

【0010】加えて、請求項4記載の発明は、前記請求
項1記載の半導体集積回路システムにおいて、前記複数
の相補型データバスの終端抵抗に現れる電位差の中心電
位は、全体として、電源電位側又はグランド側に偏るこ
とを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit system according to the first aspect, the center potential of the potential difference appearing at the terminating resistors of the plurality of complementary data buses is entirely on the power supply potential side. Or, it is characterized by being biased toward the ground side.

【0011】また、請求項5記載の発明の半導体集積回
路は、抵抗素子で終端された複数のデータバスペアが接
続される半導体集積回路であって、前記複数のデータバ
スペアを電源及びグランド間で一本の電流経路とし、且
つこの電流経路を変更する経路変更手段を備え、前記経
路変更手段は、第1の電源に接続される第1の電流源
と、第2の電源に接続される第2の電流源と、前記第1
の電流源に接続され、前記複数のデータバスペアの何れ
かに電流を供給する制御を行う第1及び第2のスイッチ
素子と、前記第2の電流源に接続され、前記複数のデー
タバスペアの他の何れかから電流を引き抜く制御を行う
第3及び第4のスイッチ素子と、前記複数のデータバス
ペア間を接続する第5のスイッチ素子とを備えたことを
特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit to which a plurality of data bus pairs terminated by a resistance element are connected, wherein the plurality of data bus pairs are connected between a power supply and a ground. And a path changing means for changing the current path, wherein the path changing means is connected to a first current source connected to a first power source and a second power source. A second current source;
First and second switch elements connected to a current source for controlling supply of current to any of the plurality of data bus pairs; and the plurality of data bus pairs connected to the second current source. And a fifth switch element for connecting between the plurality of data bus pairs and a third and fourth switch element for performing control for extracting a current from any of the other data bus pairs.

【0012】更に、請求項6記載の発明は、前記請求項
5記載の半導体集積回路において、前記経路変更手段
は、更に、前記第1ないし第5のスイッチ素子を制御す
る制御回路を有し、前記制御回路は、前記経路変更手段
の第1ないし第5のスイッチ素子と共に同一チップ上に
配置されることを特徴とする。
Further, according to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit of the fifth aspect, the path changing means further includes a control circuit for controlling the first to fifth switch elements, The control circuit is arranged on the same chip together with the first to fifth switch elements of the path changing means.

【0013】加えて、請求項7記載の発明の半導体集積
回路は、抵抗素子で終端された複数のデータバスペアが
接続される半導体集積回路であって、前記複数のデータ
バスペアを電源及びグランド間で一本の電流経路とし、
且つこの電流経路を変更する経路変更手段を備え、前記
経路変更手段は、第1の電源に接続され、前記複数のデ
ータバスペアの何れかに電流を供給する第1の電流源
と、第2の電源に接続され、前記複数のデータバスペア
の何れかから電流を引き抜く第2の電流源と、前記複数
のデータバスペアのうち隣接するデータバスペア間でデ
ータ線同志を接続する第1ないし第4のスイッチ素子と
を備えたことを特徴とする。
In addition, a semiconductor integrated circuit according to a seventh aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit to which a plurality of data bus pairs terminated by a resistance element are connected, wherein the plurality of data bus pairs are connected to a power supply and a ground. A single current path between
And a path changing means for changing the current path, wherein the path changing means is connected to a first power supply and supplies a current to any one of the plurality of data bus pairs; And a second current source that is connected to a power supply and extracts current from any of the plurality of data bus pairs, and a first through a data line that connects data lines between adjacent data bus pairs of the plurality of data bus pairs. A fourth switch element.

【0014】また、請求項8記載の発明は、前記請求項
7記載の半導体集積回路において、前記経路変更手段
は、更に、前記第1及び第2のスイッチ素子を制御する
制御回路を有し、前記制御回路は、前記経路変更手段の
第1及び第2のスイッチ素子と共に同一チップ上に配置
されることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the seventh aspect, the path changing means further includes a control circuit for controlling the first and second switch elements, The control circuit is arranged on the same chip together with the first and second switch elements of the path changing unit.

【0015】更に、請求項9記載の発明は、前記請求項
5、6、7又は8記載の半導体集積回路において、別
途、各データバスペアに対応して設けられ、対応するデ
ータバスペアにデータが伝送されない不活性状態の時、
この不活性状態のデータバスペア以外のデータバスペア
から見て、前記不活性状態のデータバスペアを擬似的に
活性状態と同じ状態にする疑似回路を備えることを特徴
とする。
Further, according to a ninth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the fifth, sixth, seventh or eighth aspect, the semiconductor integrated circuit is separately provided corresponding to each data bus pair, and the data is stored in the corresponding data bus pair. In the inactive state where no data is transmitted,
A pseudo circuit is provided that sets the inactive data bus pair to the same state as the active state when viewed from a data bus pair other than the inactive data bus pair.

【0016】前記した構成により、請求項1ないし請求
項9記載の発明では、IEEE1394のような高速データ伝送
のための電流駆動型のデータ伝送方式において、何れか
のデータバスペアを電流駆動した際の電流を他のデータ
バスペアの電流駆動に利用したので、データ伝送に要す
る消費電流を効果的に低減できる。
According to the above-described configuration, according to the present invention, when any one of the data bus pairs is driven by a current in a current-driven data transmission system such as IEEE1394 for high-speed data transmission. Since this current is used for driving the current of another data bus pair, the current consumption required for data transmission can be effectively reduced.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の半導
体集積回路システムについて、図面を参照しながら説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor integrated circuit system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0018】図1は本発明の半導体集積回路システムの
原理を示す。
FIG. 1 shows the principle of a semiconductor integrated circuit system according to the present invention.

【0019】同図において、1は第1のチップ、2は第
2のチップ、DBA、DBBはデータバスペア(相補型データ
バス)、RA、RBはデータバスペアDBA、DBBの終端に配置
された終端抵抗、VDDは電源、VSSはグランドである。前
記第1のチップ1と第2のチップ2間には、前記2対の
データバスペアDBA、DBBが設けられる。第1のチップ1
にはデータバス駆動回路4が設けられ、この駆動回路4
は、前記データバスペアDBA、DBBをDC電流駆動する。こ
の電流駆動の際、終端抵抗RA、RBに流されるDC電流によ
り第2チップ2の入力部における電圧が決定される。
In FIG. 1, 1 is a first chip, 2 is a second chip, DBA and DBB are data bus pairs (complementary data buses), RA and RB are arranged at the ends of data bus pairs DBA and DBB. Terminating resistor, VDD is a power supply, and VSS is a ground. The two data bus pairs DBA and DBB are provided between the first chip 1 and the second chip 2. First chip 1
Is provided with a data bus driving circuit 4.
Drives the data bus pair DBA, DBB with a DC current. At the time of this current drive, the voltage at the input section of the second chip 2 is determined by the DC current flowing through the terminating resistors RA and RB.

【0020】本発明では、DC電流が2対のデータバスペ
アDBA、DBBに流れることによる消費電流を低減させるた
めに、一方のデータバスペアDBAに流れたDC電流をその
ままグランドVSSに流さず、他方のデータバスペアDBBの
駆動に用いている。即ち、第1のチップ1の駆動回路4
は、電源VDDからデータバスペアDBAに電流を駆動する。
データバスペアDBAの一方のデータ線は電流を第1のチ
ップ1から第2のチップ2に送り、他方のデータ線は終
端抵抗RAを介して流れてきた電流を第2のチップ2から
第1のチップ1に送る。第1のチップ1では、戻ってき
た電流を更に駆動回路4がデータバスペアDBBの一方の
データ線に送り、同様にして、他方のデータ線を介して
戻ってきた電流は前記駆動回路4によりグランドVSSに
流し込まれる。この構成の採用により、2組のデータバ
スペアDBA、DBBに流れるDC電流は1/2に低減される。
In the present invention, in order to reduce the current consumption caused by the DC current flowing through the two data bus pairs DBA and DBB, the DC current flowing through one data bus pair DBA is not directly flown to the ground VSS. It is used to drive the other data bus pair DBB. That is, the driving circuit 4 of the first chip 1
Drives a current from the power supply VDD to the data bus pair DBA.
One data line of the data bus pair DBA sends a current from the first chip 1 to the second chip 2, and the other data line sends a current flowing through the terminating resistor RA from the second chip 2 to the first chip. To chip 1. In the first chip 1, the drive circuit 4 further sends the returned current to one data line of the data bus pair DBB, and similarly, the current returned via the other data line is supplied by the drive circuit 4. Flowed into the ground VSS. By employing this configuration, the DC current flowing through the two data bus pairs DBA and DBB is reduced by half.

【0021】図2は、前記動作を模式的に示したタイミ
ングチャートである。2組のデータバスペアDBA、DBBの
電位は、同図に示すように、終端抵抗RA,RBや駆動回路
4での電圧降下に起因して、異なるレベルになる。
FIG. 2 is a timing chart schematically showing the above operation. The potentials of the two data bus pairs DBA and DBB are at different levels due to the termination resistors RA and RB and the voltage drop in the drive circuit 4, as shown in FIG.

【0022】ここで、本原理では、2組のデータバスペ
アDBA、DBBに流れる電流を一本の電流経路で流すように
構成しているが、3組以上のデータバスペアを、電源電
圧の値よりも電流による電圧降下が小さい範囲で、同様
に構成することも可能である。この場合には、DC電流は
1/データバスペア本数に低減される。
Here, in the present principle, the current flowing through the two data bus pairs DBA and DBB is configured to flow through one current path, but three or more data bus pairs are connected to the power supply voltage. The same configuration is possible in a range where the voltage drop due to the current is smaller than the value. In this case, the DC current is reduced to 1 / the number of data bus pairs.

【0023】図3は、前記原理をIEEE1394のデータ伝送
に適応した本実施の形態を示す。
FIG. 3 shows an embodiment in which the above principle is applied to IEEE1394 data transmission.

【0024】図3において、第1のチップ1のデータバ
ス駆動回路4には、出力回路5と制御回路6とが配置さ
れる。この両回路5、6により経路変更手段10を構成
する。Data-A、Data-XAはデータ線ペア(相補型データ
バス)、Strobe-B、Strobe-XBはストローブ線ペア(相
補型データバス)である。前記出力回路5は、前記デー
タ線ペアData-A、Data-XA及びストローブ線ペアStrobe-
B、Strobe-XBに対し、図1の原理と同様の電流駆動を行
う。本実施の形態では、例えば、電源VDDからデータ線
ペアの一方のデータ線Data-Aに対してDC電流を供給し、
終端抵抗RA1、RA2を介して他方のデータ線Data-XAを通
じて、DC電流を出力回路5に戻す。次に、出力回路5
は、戻ってきたDC電流をストローブ線ペアの一方のスト
ローブ線Strobe-Bに供給する。最後に、終端抵抗RB1、R
B2を介して他方のストローブ線Strobe-XBを通って戻っ
てきた電流は、出力回路5によりグランドVSSに流され
る。
In FIG. 3, an output circuit 5 and a control circuit 6 are arranged in the data bus drive circuit 4 of the first chip 1. These two circuits 5 and 6 constitute the path changing means 10. Data-A and Data-XA are data line pairs (complementary data bus), and Strobe-B and Strobe-XB are strobe line pairs (complementary data bus). The output circuit 5 includes the data line pair Data-A, Data-XA and the strobe line pair Strobe-
Current drive similar to the principle of FIG. 1 is performed on B and Strobe-XB. In the present embodiment, for example, a DC current is supplied from the power supply VDD to one data line Data-A of the data line pair,
The DC current is returned to the output circuit 5 through the other data line Data-XA via the terminating resistors RA1 and RA2. Next, the output circuit 5
Supplies the returned DC current to one strobe line Strobe-B of the strobe line pair. Finally, the termination resistors RB1, R
The current returning through the other strobe line Strobe-XB via B2 is passed by the output circuit 5 to the ground VSS.

【0025】前記制御回路6は、前記出力回路5がデー
タ線ペアData-A、Data-XAとストローブ線ペアStrobe-
B、Strobe-XBとを終端抵抗RA1、RA2、RB1、RB2と共に電
源VDDからグランドVSSまでを一本の電流経路で流すよう
に制御し、この電流経路を種々変更するように出力回路
5を制御する。
The control circuit 6 is configured such that the output circuit 5 includes a data line pair Data-A, Data-XA and a strobe line pair Strobe-A.
B, Strobe-XB and termination resistors RA1, RA2, RB1, RB2 are controlled to flow from power supply VDD to ground VSS through a single current path, and output circuit 5 is controlled to change this current path in various ways. I do.

【0026】一方、第2のチップ2には入力回路7が設
けられる。この入力回路7は、終端抵抗RA2、RB2の両端
に現われる電位差を入力として動作する。終端抵抗RA
2、RB2の両端に現われる電位差は、DC電流が流れている
ために等しいが、電位のレベル自体は電圧降下により大
きく異なってしまい、データ線ペアData-A、Data-XAか
らの入力とストローブ線ペアStrobe-B、Strobe-XBから
の入力とでは、入力タイミングが異なってしまう。しか
し、DSリンク方式を採用するIEEE1394規格のLSIにお
いては、上述のタイミングのズレはDSリンク方式の特
徴により大きな問題とはならない。即ち、DSリンク方式
では、データ線ペアData-A、Data-XAにより伝送されて
来るデータが変化した場合には、この変化したデータの
エッジを用いてデータを取り込み、データが変化しない
場合には、ストローブ線ペアStrobe-B、Strobe-XBで伝
送されてくるストローブ信号が変化してデータの取り込
みを行うからである。即ち、データが変化した場合の厳
しいデータ取り込みのタイミングのみ自分自身でデータ
を取り込み、データが変化せずに同一値が続く場合に
は、ストローブ信号が多少ずれても同一値のデータは確
実に取り込まれる。従って、DSリンク方式を採用する
IEEE1394規格のようなLSIにおいては、本方式の原理で
説明したように、消費電流の低減効果を十分に生かすこ
とが可能である。
On the other hand, an input circuit 7 is provided on the second chip 2. This input circuit 7 operates with a potential difference appearing at both ends of the terminating resistors RA2 and RB2 as an input. Terminating resistor RA
2.The potential difference appearing at both ends of RB2 is the same because DC current flows, but the potential level itself differs greatly due to the voltage drop, and the input from the data line pair Data-A, Data-XA and the strobe line The input timing differs between the input from the pair Strobe-B and Strobe-XB. However, in the LSI of the IEEE 1394 standard adopting the DS link system, the above-mentioned timing shift does not cause a serious problem due to the characteristics of the DS link system. That is, in the DS link system, when data transmitted by the data line pair Data-A, Data-XA changes, data is fetched using the edge of the changed data, and when the data does not change, This is because the strobe signal transmitted by the strobe line pair Strobe-B and Strobe-XB changes to take in data. In other words, data is fetched by itself only at the strict data fetch timing when the data changes, and if the same value continues without changing the data, even if the strobe signal is slightly shifted, the data of the same value is fetched reliably. It is. Therefore, adopt the DS link method
In an LSI such as the IEEE1394 standard, as described in the principle of the present method, the effect of reducing current consumption can be fully utilized.

【0027】前記第2のチップ2の入力回路7は、図4
に示すような内部構成を持つもので構成可能である。図
4の入力回路は、前記データ線ペアData-A、Data-XA及
びストローブ線ペアStrobe-B、Strobe-XBの終端抵抗RA
2、RB2に現れる電位差の中心電位(コモンモードレベ
ル)V0A、V0B(図2参照)のレンジを全て含むワイド
レンジ型のRail-to-Rail回路である。従って、この両
コモンモードレベルV0A、V0Bが相互で異なっても、こ
のRail-to-Rail回路は、データ線ペアData-A、Data-X
A及びストローブ線ペアStrobe-B、Strobe-XBのデータを
同一タイミングで取り込み可能である。
The input circuit 7 of the second chip 2
It can be configured with an internal configuration as shown in FIG. The input circuit of FIG. 4 includes the data line pair Data-A, Data-XA and the strobe line pair Strobe-B, Strobe-XB.
2. A wide-range rail-to-rail circuit that includes the entire range of the central potentials (common mode levels) V0A and V0B (see FIG. 2) of the potential difference appearing in RB2. Therefore, even if the two common mode levels V0A and V0B are different from each other, the Rail-to-Rail circuit can operate the data line pairs Data-A and Data-X
The data of A and the strobe line pairs Strobe-B and Strobe-XB can be captured at the same timing.

【0028】尚、前記入力回路7を前記ワイドレンジ型
のRail-to-Rail回路で構成することは必ずしも必要で
ない。例えば、電源VDDとグランドVSS間に抵抗を配置
し、この抵抗の配置位置に応じて、前記データ線ペアDa
ta-A、Data-XA及びストローブ線ペアStrobe-B、Strobe-
XBのコモンモードレベルV0A、V0Bを共に電源電圧側又
はグランド側に偏らせれば、Rail-to-Rail回路は不要
である。
It is not always necessary to configure the input circuit 7 with the wide-range type rail-to-rail circuit. For example, a resistor is arranged between the power supply VDD and the ground VSS, and the data line pair Da is arranged in accordance with the position of the resistor.
ta-A, Data-XA and strobe line pair Strobe-B, Strobe-
If both the common mode levels V0A and V0B of XB are biased toward the power supply voltage side or the ground side, a rail-to-rail circuit is unnecessary.

【0029】図5は、本実施の形態の図3に示した出力
回路(半導体集積回路)5の内部構成を示す。同図にお
いて、VDDは電源(第1の電源)、VSSはグランド(第2
の電源)、IS1、IS2は前記電源VDDに接続された第1の
電流源、IS3、IS4は前記グランドVSSに接続された第2
の電流源である。SW1、SW2は各々前記電流源IS1、IS2に
接続された第1及び第2のスイッチ素子、SW8、SW9は各
々前記電流源IS3、IS4に接続された第3及び第4のスイ
ッチ素子である。また、SW3〜SW7は、前記第1〜第4の
スイッチ素子間に配置された第5のスイッチ素子として
の5個のスイッチ素子である。データ線ペアData-A、Da
ta-XAの一方Data-Aは2個のスイッチ素子SW1,SW3間に、
データ線ペアの他方Data-XAは2個のスイッチ素子SW2,S
W4間に、ストローブ線ペアStrobe-B、Strobe -XBの一方
Strobe-Bは2個のスイッチ素子SW7,SW9間に、ストロー
ブ線ペアの他方Strobe -XBは2個のスイッチ素子SW6,SW
8間に各々接続される。
FIG. 5 shows the internal configuration of the output circuit (semiconductor integrated circuit) 5 of this embodiment shown in FIG. In the figure, VDD is a power supply (first power supply), VSS is ground (second power supply).
, IS1 and IS2 are first current sources connected to the power supply VDD, and IS3 and IS4 are second current sources connected to the ground VSS.
Current source. SW1 and SW2 are first and second switch elements connected to the current sources IS1 and IS2, respectively, and SW8 and SW9 are third and fourth switch elements connected to the current sources IS3 and IS4, respectively. SW3 to SW7 are five switch elements as fifth switch elements disposed between the first to fourth switch elements. Data line pair Data-A, Da
Data-A of ta-XA is between two switch elements SW1 and SW3,
The other Data-XA of the data line pair has two switch elements SW2, S
One of strobe wire pairs Strobe-B and Strobe-XB between W4
Strobe-B is between two switch elements SW7 and SW9, and the other strobe line pair Strobe-XB is two switch elements SW6 and SW
Each is connected between eight.

【0030】前記電流源IS1〜IS4は等しい電流駆動能力
を有して同じ電流を駆動し、2個の電流源IS1、IS2がペ
ア、他の2個の電流源IS3、IS4がペアとなり、電流源IS
1、IS2の何れか一方がデータ線ペアData-A、Data-XAに
電流を駆動し、電流源IS3、IS4の何れか一方がストロー
ブ線ペアStrobe-B、Strobe -XBからの電流を引き抜く。
例えば、電流源IS1が電流を駆動する場合には他方の電
流源IS2は駆動せず、電流源IS3が電流を引き抜く場合に
は他方の電流源IS4は電流を引き抜かない。尚、2個の
電流源IS1、IS2を共用化し、他の2個の電流源IS3、IS4
を共用化して、各々一個の電流源としても良い。
The current sources IS1 to IS4 have the same current driving capability and drive the same current. Two current sources IS1 and IS2 form a pair, and the other two current sources IS3 and IS4 form a pair. Source IS
One of IS1 and IS2 drives a current to the data line pair Data-A and Data-XA, and one of the current sources IS3 and IS4 draws current from the strobe line pair Strobe-B and Strobe-XB.
For example, when the current source IS1 drives current, the other current source IS2 does not drive, and when the current source IS3 draws current, the other current source IS4 does not draw current. The two current sources IS1 and IS2 are shared, and the other two current sources IS3 and IS4
May be shared, and each may be used as one current source.

【0031】各スイッチ素子SW1〜SW9は、図6に示した
ように、データ線ペアData-A、Data-XA及びストローブ
線ペアStrobe-B、Strobe -XBにどのようなデータ(H又
はLレベルのデータ)を伝送するかに応じて、図3に示
した制御回路6によりON-OFF切り換えされる。各スイッ
チ素子SW1〜SW9をどの組み合わせで駆動した場合におい
ても、電源VDDからグランドVSSに流れる電流が、データ
線ペアData-A、Data-XA及びストローブ線ペアStrobe-
B、Strobe -XBの全体が一本の電流経路として流れるよ
うに制御回路6で制御され、データ線ペアData-A、Data
-XAを駆動するDC電流を用いてストローブ線ペアStrobe-
B、Strobe -XBを駆動することが可能な構成をとってい
る。
As shown in FIG. 6, each switch element SW1 to SW9 supplies the data line pair Data-A, Data-XA and the strobe line pair Strobe-B, Strobe-XB to what data (H or L level). Is turned on and off by the control circuit 6 shown in FIG. When the switch elements SW1 to SW9 are driven in any combination, the current flowing from the power supply VDD to the ground VSS is equal to the data line pair Data-A, Data-XA and the strobe line pair Strobe-.
B and Strobe-XB are controlled by the control circuit 6 so as to flow as a single current path, and the data line pairs Data-A and Data-A
-Strobe line pair Strobe- using DC current to drive XA
It has a configuration that can drive B and Strobe-XB.

【0032】(出力回路の変形例)図7は、本実施の形
態の半導体集積回路システムに用いる出力回路5の変形
例を示す。
(Modification of Output Circuit) FIG. 7 shows a modification of the output circuit 5 used in the semiconductor integrated circuit system of the present embodiment.

【0033】同図の出力回路5'において、VDDは電源、
VSSはグランド、IS11、IS12は電源VDDに接続された第1
の電流源、IS13、IS14はグランドVSSに接続された第2
の電流源、SW11,SW12,SW17,SW18はスイッチ素子、SW13
〜SW16は各々第1ないし第4のスイッチ素子、Data-A、
Data-XAはデータ線ペア、Strobe-B、Strobe -XBはスト
ローブ線ペアである。
In the output circuit 5 'shown in FIG.
VSS is ground, IS11 and IS12 are connected to the power supply VDD.
Current sources, IS13 and IS14, are connected to ground VSS
Current sources, SW11, SW12, SW17 and SW18 are switch elements, SW13
To SW16 are first to fourth switch elements, Data-A,
Data-XA is a data line pair, and Strobe-B and Strobe-XB are strobe line pairs.

【0034】図7に示す出力回路5'は、基本的には、
図5に示した出力回路5と同じ動作を行う。DC電流を流
し続ける電流駆動型の出力回路5は、スイッチ素子での
電圧降下分も利いてくるため、電流経路におけるスイッ
チ素子の数を減らすことも重要である。本変形例の出力
回路5'では、データ線ペアData-A、Data-XAとストロー
ブ線ペアStrobe-B、Strobe -XBとの間に、4個のスイッ
チ素子SW13〜SW16が配置される。スイッチ素子SW13
は、データ線ペアの他方Data-XAとストローブ線ペアの
一方Strobe-Bとを接続し、スイッチ素子SW14は、データ
線ペアの一方Data-Aとストローブ線ペアの一方Strobe-B
とを接続し、スイッチ素子SW15は、データ線ペアの他方
Data-XAとストローブ線ペアの他方Strobe-XBとを接続
し、スイッチ素子SW16は、データ線ペアの一方Data-Aと
ストローブ線ペアの他方Strobe-XBとを接続する。
The output circuit 5 'shown in FIG.
The same operation as the output circuit 5 shown in FIG. 5 is performed. Since the current-driven output circuit 5 that continues to supply the DC current also benefits from the voltage drop in the switch element, it is important to reduce the number of switch elements in the current path. In the output circuit 5 'of this modification, four switch elements SW13 to SW16 are arranged between the data line pair Data-A, Data-XA and the strobe line pair Strobe-B, Strobe-XB. Switch element SW13
Connects the other data line pair Data-XA and one strobe line pair Strobe-B, and the switch element SW14 connects one data line pair Data-A and one strobe line pair Strobe-B
And the switching element SW15 is connected to the other of the data line pair.
Data-XA is connected to the other strobe line pair Strobe-XB, and switch element SW16 connects one data line pair Data-A and the other strobe line pair Strobe-XB.

【0035】図5の出力回路5では、2対のデータバス
ペアを同一電流経路で駆動するのに最大5個のスイッチ
素子を用いるのに対し、本変形例では、最大3個のスイ
ッチ素子しか介さない。従って、出力回路5'での電圧
降下分が少なくなるので、図5の出力回路5よりも多く
のデータバスペアを同一電流経路の形で駆動することが
可能になる。
In the output circuit 5 of FIG. 5, a maximum of five switch elements are used to drive two data bus pairs with the same current path. On the other hand, in the present modification, only a maximum of three switch elements are used. Not through. Therefore, since the voltage drop in the output circuit 5 'is reduced, it is possible to drive more data bus pairs in the same current path than in the output circuit 5 of FIG.

【0036】本変形例においても、図8に示すように、
データバスペアにどのようなデータを伝送するかに応じ
て、各スイッチ素子SW11〜SW18を制御回路6でON-OFF切
り換えする。図5及び図7の出力回路5、5'共に半導
体集積回路に組み込む場合には、出力回路5、5'の前
段に、図6及び図8に示す切換制御を行う制御回路6が
第1のチップ1内に設けられる。
Also in this modification, as shown in FIG.
Each of the switch elements SW11 to SW18 is turned on / off by the control circuit 6 in accordance with what data is transmitted to the data bus pair. When both the output circuits 5 and 5 'of FIGS. 5 and 7 are incorporated in a semiconductor integrated circuit, a control circuit 6 for performing switching control shown in FIGS. 6 and 8 is provided at a stage preceding the output circuits 5 and 5'. It is provided in the chip 1.

【0037】(出力回路の他の変形例)図9は、本実施
の形態の半導体集積回路システムに用いる出力回路の他
の変形例を示す。
(Other Modifications of Output Circuit) FIG. 9 shows another modification of the output circuit used in the semiconductor integrated circuit system of the present embodiment.

【0038】同図の出力回路5''において、IS21〜IS24
は電流源、SW21〜SW40はスイッチ素子、Data-A、Data-X
A、Data-B、Data-XB、Data-C、Data-XCは各々各ポート
のデータバスペア、RD35〜RD40は疑似終端抵抗、VDDは
電源、VSSはグランドである。図9に示す出力回路5''
は、3対のデータバスペアと接続されているが、基本的
には図5の出力回路5'と同じ動作を行う。
In the output circuit 5 ″ shown in FIG.
Is a current source, SW21 to SW40 are switch elements, Data-A, Data-X
A, Data-B, Data-XB, Data-C, and Data-XC are each a data bus pair of each port, RD35 to RD40 are pseudo termination resistors, VDD is a power supply, and VSS is a ground. Output circuit 5 ″ shown in FIG.
Are connected to three data bus pairs, but basically perform the same operation as the output circuit 5 'of FIG.

【0039】本変形例では、出力回路5''の特徴は、各
ポートを不活性にした場合にそのポートが動作している
かのように振る舞う疑似回路を設けた点である。例え
ば、データバスペアData-A、Data-XAのポートを不活性
にした場合に、単に出力を切り離すだけでは、同一電流
経路の形で駆動を行っている他のデータバスペアData-
B,Data-XB、Data-C,Data-XCのポートの系のインピーダ
ンスが変化して、これ等2つのポートの電圧レベルが大
きく変化してしまう。その結果、この2つのポートに接
続される受信側の受信能力を大きく変化させてしまい、
高速で動作する際のタイミング調整が適切でなくなる。
本変形例では、この問題を解決するために不活性にした
ポートがある場合でも、全ポートが動作しているように
するために、抵抗とスイッチ素子で構成した疑似回路が
設けられる。
In this modified example, the feature of the output circuit 5 ″ is that, when each port is made inactive, a pseudo circuit that behaves as if the port is operating is provided. For example, when the ports of the data bus pair Data-A and Data-XA are deactivated, simply disconnecting the output will not allow the other data bus pair Data-A to be driven in the same current path.
The impedance of the system of the B, Data-XB, Data-C, and Data-XC ports changes, and the voltage levels of these two ports greatly change. As a result, the receiving ability of the receiving side connected to these two ports is greatly changed,
Timing adjustment when operating at high speed is not appropriate.
In the present modification, a pseudo circuit composed of a resistor and a switch element is provided in order to make all the ports operate even when there is a port inactivated to solve this problem.

【0040】即ち、抵抗RD35及びスイッチ素子SW35で構
成される疑似回路11及び抵抗RD36及びスイッチ素子SW
36で構成される疑似回路12はデータバスペアData-A、
Data-XA用、抵抗RD37及びスイッチ素子SW37で構成され
る疑似回路13及び抵抗RD38及びスイッチ素子SW38で構
成される疑似回路14はデータバスペアData-B、Data-X
B用、抵抗RD39及びスイッチ素子SW39で構成される疑似
回路15及び抵抗RD40及びスイッチ素子SW40で構成され
る疑似回路16はデータバスペアData-C、Data-XC用で
ある。
That is, the pseudo circuit 11 composed of the resistor RD35 and the switch element SW35, the resistor RD36 and the switch element SW
The pseudo circuit 12 constituted by 36 is a data bus pair Data-A,
For the Data-XA, the pseudo circuit 13 composed of the resistor RD37 and the switch element SW37 and the pseudo circuit 14 composed of the resistor RD38 and the switch element SW38 are data bus pairs Data-B and Data-X.
The pseudo circuit 15 composed of the resistor RD39 and the switch element SW39 and the pseudo circuit 16 composed of the resistor RD40 and the switch element SW40 are for data bus pairs Data-C and Data-XC.

【0041】例えば、データバスペアData-A、Data-XA
のポートが不活性の場合には、スイッチ素子SW35、SW36
をオンさせて、疑似終端素子RD35、RD36に電流を流し、
あたかもデータバスペアData-A、Data-XAに電流が流れ
たように、他の2つのポートに対して電圧レベルを与え
る。以上の構成により、不活性のポートが存在する場合
においても、受信側の回路は、全ポートが動作している
時と同じ条件で動作することができる。
For example, a data bus pair Data-A, Data-XA
Switch ports SW35 and SW36
Is turned on, a current flows through the pseudo termination elements RD35 and RD36,
A voltage level is applied to the other two ports as if a current had flowed through the data bus pair Data-A and Data-XA. With the above configuration, even when there is an inactive port, the circuit on the receiving side can operate under the same conditions as when all ports are operating.

【0042】本変形例においても、図10に示すよう
に、各データバスペアにどのようなデータを伝送するか
に応じて、各スイッチ素子SW21〜SW40を制御回路6でON
-OFF切り換えする。図9の出力回路5''も、半導体集積
回路に組み込む場合には、図10の制御を行う制御回路
6を出力回路5''の前段に設けることが必要である。
Also in this modification, as shown in FIG. 10, each switch element SW21 to SW40 is turned on by the control circuit 6 in accordance with what data is transmitted to each data bus pair.
-Switch off. When the output circuit 5 ″ of FIG. 9 is also incorporated in a semiconductor integrated circuit, it is necessary to provide a control circuit 6 for performing the control of FIG. 10 at a stage preceding the output circuit 5 ″.

【0043】本変形例では、電源VDDの電圧を3vに設
定した場合、3つのデータバスペア(Data-A,Data-XA)、
(Data-B,Data-XB)、(Data-C,Data-XC)で各々、200mv
の振幅が得られることがシミュレーションにより確認で
きた。
In this modification, when the voltage of the power supply VDD is set to 3 V, three data bus pairs (Data-A, Data-XA),
200mv for (Data-B, Data-XB) and (Data-C, Data-XC) respectively
It was confirmed by the simulation that the amplitude of the above was obtained.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし請
求項9記載の発明によれば、IEEE1394のような高速デー
タ伝送のための電流駆動型のデータ伝送方式において、
何れかのデータバスペアを電流駆動した際の電流を他の
データバスペアの電流駆動に利用したので、データ伝送
に要する消費電流を効果的に低減できる。
As described above, according to the first to ninth aspects of the present invention, in a current-driven data transmission system for high-speed data transmission such as IEEE1394,
Since the current at the time of driving one of the data bus pairs is used for driving the current of another data bus pair, the current consumption required for data transmission can be effectively reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体集積回路システムの原理図であ
る。
FIG. 1 is a principle diagram of a semiconductor integrated circuit system of the present invention.

【図2】本発明の半導体集積回路システムの原理におけ
る模式的なタイミングチャートを示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic timing chart according to the principle of the semiconductor integrated circuit system of the present invention.

【図3】本発明の原理をIEEE1394に適応した半導体集積
回路システムの実施の形態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit system in which the principle of the present invention is adapted to IEEE1394.

【図4】同実施の形態の半導体集積回路システムに備え
る入力回路の具体的構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a specific configuration of an input circuit provided in the semiconductor integrated circuit system of the embodiment.

【図5】同実施の形態の半導体集積回路システムに備え
る出力回路の具体的構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a specific configuration of an output circuit provided in the semiconductor integrated circuit system of the embodiment.

【図6】同出力回路を制御する制御回路の動作説明図で
ある。
FIG. 6 is an operation explanatory diagram of a control circuit that controls the output circuit.

【図7】本発明の実施の形態の半導体集積回路システに
備える出力回路の変形例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a modified example of the output circuit provided in the semiconductor integrated circuit system according to the embodiment of the present invention.

【図8】同出力回路を制御する制御回路の動作説明図で
ある。
FIG. 8 is an operation explanatory diagram of a control circuit that controls the output circuit.

【図9】本発明の実施の形態の半導体集積回路システに
備える出力回路の他の変形例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing another modified example of the output circuit provided in the semiconductor integrated circuit system according to the embodiment of the present invention.

【図10】同出力回路を制御する制御回路の動作説明図
である。
FIG. 10 is an operation explanatory diagram of a control circuit that controls the output circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のチップ 2 第2のチップ DBA、DBB データバスペア(相補型データバス) RA,RB,RA1,RA2,RB1,RB2 終端抵抗 VDD 電源(第1の電源) VSS グランド(第2の電源) 4 駆動回路 5、5'、5'' 出力回路 6 制御回路 Data-A、Data-XA データ線ペア(相補型デ
ータバス)、(データバスペア) Strobe-B、Strobe-XB ストローブ線ペア(相補
型データバス)、(データバスペア) 7 入力回路 IS1,IS2,IS11,IS12 第1の電流源 IS3,IS4,IS13,IS14 第2の電流源 SW1,SW13 第1のスイッチ素子 SW2 第2のスイッチ素子 SW3〜SW7 第5のスイッチ素子 SW8 第3のスイッチ素子 SW9 第4のスイッチ素子 SW13 第1のスイッチ素子 SW14 第2のスイッチ素子 SW15 第3のスイッチ素子 SW16 第4のスイッチ素子 10 経路変更手段 11〜16 疑似回路
1 First chip 2 Second chip DBA, DBB Data bus pair (complementary data bus) RA, RB, RA1, RA2, RB1, RB2 Termination resistor VDD power supply (first power supply) VSS ground (second power supply) 4) Drive circuit 5, 5 ', 5''output circuit 6 Control circuit Data-A, Data-XA Data line pair (complementary data bus), (Data bus pair) Strobe-B, Strobe-XB Strobe line pair ( (Complementary data bus), (data bus pair) 7 input circuit IS1, IS2, IS11, IS12 first current source IS3, IS4, IS13, IS14 second current source SW1, SW13 first switch element SW2 second Switch elements SW3 to SW7 Fifth switch element SW8 Third switch element SW9 Fourth switch element SW13 First switch element SW14 Second switch element SW15 Third switch element SW16 Fourth switch element 10 Path changing means 11-16 pseudo circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平田 貴士 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高橋 学志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 有馬 幸生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 吉田 忠弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小松 義英 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山内 寛行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5K029 AA11 AA13 CC01 DD04 DD13 DD23 EE02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takashi Hirata 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Pref.Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Yukio Arima 1006 Kadoma, Kazuma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Tadahiro Yoshida 1006 Odoma, Kadoma, Osaka Pref. No. 1006, Kazuma, Kadoma, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Yamauchi 1006, Kazuma, Kadoma, Kazuma, Osaka Prefecture F-term (reference) 5K029 AA11 AA13 CC01 DD04 DD13 DD23 EE02

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のチップ及び第2のチップと、 抵抗素子で終端された複数の相補型データバスとを備
え、 前記複数の相補型データバスを用いて前記第1及び第2
のチップ間でデータ伝送を行う半導体集積回路システム
であって、 前記複数の相補型データバスを電流駆動する電流駆動型
の駆動回路と、 前記複数の相補型のデータバスを電源及びグランド間で
一本の電流経路とし、且つこの電流経路を変更する経路
変更手段とを備えたことを特徴とする半導体集積回路シ
ステム。
A first chip and a second chip; and a plurality of complementary data buses terminated by a resistance element, wherein the first and second chips are provided using the plurality of complementary data buses.
A semiconductor integrated circuit system for performing data transmission between chips, comprising: a current driving type driving circuit for current driving the plurality of complementary data buses; and a circuit for connecting the plurality of complementary data buses between a power supply and a ground. A semiconductor integrated circuit system comprising: a current path; and a path changing means for changing the current path.
【請求項2】 前記複数の相補型データバスは、各々、 データ線ペアの一方が前記第1のチップから第2のチッ
プへ電流を流し、他方が前記第2のチップから第1のチ
ップに対し電流を流すことを特徴とする請求項1記載の
半導体集積回路システム。
2. The plurality of complementary data buses, wherein one of a data line pair passes a current from the first chip to the second chip, and the other of the data line pairs flows from the second chip to the first chip. 2. The semiconductor integrated circuit system according to claim 1, wherein a current flows.
【請求項3】 各相補型データバスの終端抵抗に現れる
電位差を入力する入力回路を有し、 前記入力回路は、前記各相補型データバスの終端抵抗に
現れる電位差の中心電位のレンジを全て含むワイドレン
ジ型の入力回路で構成されることを特徴とする請求項1
記載の半導体集積回路システム。
3. An input circuit for inputting a potential difference appearing at a terminating resistor of each complementary data bus, wherein the input circuit includes the entire range of the central potential of the potential difference appearing at the terminating resistor of each complementary data bus. 2. A wide-range input circuit.
13. The semiconductor integrated circuit system according to claim 1.
【請求項4】 前記複数の相補型データバスの終端抵抗
に現れる電位差の中心電位は、全体として、電源電位側
又はグランド側に偏ることを特徴とする請求項1記載の
半導体集積回路システム。
4. The semiconductor integrated circuit system according to claim 1, wherein a central potential of a potential difference appearing at terminating resistors of said plurality of complementary data buses is biased toward a power supply potential side or a ground side as a whole.
【請求項5】 抵抗素子で終端された複数のデータバス
ペアが接続される半導体集積回路であって、 前記複数のデータバスペアを電源及びグランド間で一本
の電流経路とし、且つこの電流経路を変更する経路変更
手段を備え、 前記経路変更手段は、 第1の電源に接続される第1の電流源と、 第2の電源に接続される第2の電流源と、 前記第1の電流源に接続され、前記複数のデータバスペ
アの何れかに電流を供給する制御を行う第1及び第2の
スイッチ素子と、 前記第2の電流源に接続され、前記複数のデータバスペ
アの他の何れかから電流を引き抜く制御を行う第3及び
第4のスイッチ素子と、 前記複数のデータバスペア間を接続する第5のスイッチ
素子とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
5. A semiconductor integrated circuit to which a plurality of data bus pairs terminated by a resistance element are connected, wherein said plurality of data bus pairs are a single current path between a power supply and a ground, and said current path is A path changing means for changing a current, a first current source connected to a first power supply, a second current source connected to a second power supply, and the first current A first and a second switch element connected to a current source and controlling supply of a current to any one of the plurality of data bus pairs; and a second switch element connected to the second current source and connected to the second data bus pair. 3. A semiconductor integrated circuit comprising: third and fourth switch elements for performing control for extracting a current from any one of the above, and a fifth switch element for connecting the plurality of data bus pairs.
【請求項6】 前記経路変更手段は、更に、前記第1な
いし第5のスイッチ素子を制御する制御回路を有し、 前記制御回路は、前記経路変更手段の第1ないし第5の
スイッチ素子と共に同一チップ上に配置されることを特
徴とする請求項5記載の半導体集積回路。
6. The path changing unit further includes a control circuit for controlling the first to fifth switch elements, and the control circuit is provided together with the first to fifth switch elements of the path change unit. 6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the semiconductor integrated circuit is arranged on the same chip.
【請求項7】 抵抗素子で終端された複数のデータバス
ペアが接続される半導体集積回路であって、 前記複数のデータバスペアを電源及びグランド間で一本
の電流経路とし、且つこの電流経路を変更する経路変更
手段を備え、 前記経路変更手段は、 第1の電源に接続され、前記複数のデータバスペアの何
れかに電流を供給する第1の電流源と、 第2の電源に接続され、前記複数のデータバスペアの何
れかから電流を引き抜く第2の電流源と、 前記複数のデータバスペアのうち隣接するデータバスペ
ア間でデータ線同志を接続する第1ないし第4のスイッ
チ素子とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
7. A semiconductor integrated circuit to which a plurality of data bus pairs terminated by a resistance element are connected, wherein said plurality of data bus pairs are a single current path between a power supply and a ground, and said current path is And a path changing unit connected to a first power supply for supplying a current to any one of the plurality of data bus pairs, and a path changing unit connected to a second power supply. A second current source for drawing current from any of the plurality of data bus pairs; and a first to fourth switch for connecting data lines between adjacent data bus pairs among the plurality of data bus pairs. A semiconductor integrated circuit comprising: an element;
【請求項8】 前記経路変更手段は、更に、前記第1及
び第2のスイッチ素子を制御する制御回路を有し、 前記制御回路は、前記経路変更手段の第1及び第2のス
イッチ素子と共に同一チップ上に配置されることを特徴
とする請求項7記載の半導体集積回路。
8. The path changing unit further includes a control circuit for controlling the first and second switch elements, wherein the control circuit is provided together with the first and second switch elements of the path changing unit. 8. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the semiconductor integrated circuit is arranged on the same chip.
【請求項9】 別途、各データバスペアに対応して設け
られ、対応するデータバスペアにデータが伝送されない
不活性状態の時、この不活性状態のデータバスペア以外
のデータバスペアから見て、前記不活性状態のデータバ
スペアを擬似的に活性状態と同じ状態にする疑似回路を
備えることを特徴とする請求項5、6、7又は8記載の
半導体集積回路。
9. An inactive state provided separately for each data bus pair and in which data is not transmitted to the corresponding data bus pair, when viewed from a data bus pair other than the inactive data bus pair. 9. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, further comprising a pseudo circuit for setting said inactive data bus pair to the same state as said active state.
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