JP2000196537A - 双方向多重光通信装置及びシステム並びにその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 双方向多重光通信における漏話減少のための
手法の改善。 【解決手段】 波長多重光通信配置において光を用いて
双方向通信を行うための光通信方法において、光ファイ
バ１０５を介しての通信用で情報を搬送可能な光をレー
ザダイオード光源１０７を用いて第１の波長（例えば
１．３１μｍ）で生成し、この光源で生成される光を実
質上含まない、情報を搬送する第２の波長（例えば１．
５５μｍ）の光をこの光ファイバから受信し、実質上こ
の第２の波長の光にのみ感度を有しこの第１の波長の光
に実質上感度を有さない通過帯域光ダイオード受光器１
１１を用いてこの第２の波長の光を電気信号に変換し、
この光源からのこの第１の波長の光を、２色性の波長分
割多重スプリッタ１０９を介してこの光ファイバに結合
し、この光ファイバから受信されたこの第２の波長の光
を、この波長分割多重スプリッタを介してこの受光器に
結合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、１本の光ケーブル
上での異なる２つの波長の光源を用いる双方向多重光通
信の技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】単一の光ケーブル上で、異なる２つの波
長の光源、例えばレーザダイオード又は発光ダイオード
（ＬＥＤ）、を用いる双方向多重光通信における１つの
問題は、第１の波長で情報を伝送するために光ファイバ
の一端部において用いられる光源と、第２の波長で情報
を受信するために光ファイバのその一端部において用い
られる受光器、例えば光ダイオード、との間の漏話（ク
ロストーク）である。

【０００３】漏話を減少させるための従来技術による手
法は、光通信システムの光学的構成要素に主眼を置いて
いた。特に、２色性の波長分割多重（ＷＤＭ）スプリッ
タを介して漏話を減少させることに重点を置いていた。
加えて、波長分割多重スプリッタと光ダイオードとの間
に波長選択度の高い光フィルタを挿入して用いる手法
が、第２の波長の光を受信する光ダイオードに供給され
てしまう望ましくない第１の波長の光の量を減少させる
ために採用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの漏話
減少手法は結果として、コストを増大させ、実現が困難
であり、望ましくない副作用的な悪影響を生じさせる。
特に、高品質の光学的構成要素は高価であり、又これら
高品質の光学的構成要素の位置合わせ要件は達成が困難
である。そして、光フィルタを用いる結果、望む第２の
波長の光信号が減衰することになる。したがって、単一
の光ケーブル上で、異なる２つの波長の光源、例えばレ
ーザダイオード又は発光ダイオード（ＬＥＤ）、を用い
る双方向多重光通信において、これらの欠点を克服した
漏話減少手法が求められている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の発明者は、単一
の光ケーブル上での異なる２つの波長の光源、例えばレ
ーザダイオード又は発光ダイオード（ＬＥＤ）、を用い
る双方向多重光通信における漏話の減少が、光学面のみ
の手法ではなく電子的手法によって達成できることを認
識した。

【０００６】従来技術においては２波長光通信システム
で用いられる光の両方の波長に感度を有する受光器、例
えば光ダイオード、を用いてこれら両波長を光学的に分
離する手法が行われるが、代わりに本発明では各光ダイ
オードは実質上、その光ダイオードが受信すると予想さ
れる光の波長にのみ感度を有するように構成される。

【０００７】有利な点として、望ましくない波長を電子
的に排除することによって、光学的構成要素が、より低
いレベルの品質でもよいことになり、位置合わせ要件も
緩和され、結果として全体のコストが減少する。

【０００８】例えば、本発明によれば、波長１．３１μ
ｍ及び１．５５μｍのレーザダイオード光源を光ファイ
バの第１及び第２の端部においてそれぞれ用いる双方向
多重光通信において、１．５５μｍの通過帯域を有する
光ダイオード受光器が第１の端部に用いられ、１．３１
μｍの通過帯域を有する光ダイオード受光器が第２の端
部に用いられる。尚、通過帯域を有する光ダイオード
（通過帯域光ダイオード）受光器は、特定の主波長を含
むその前後の比較的狭い帯域の光に選択的に感度を有す
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に基づく、単一の
光ケーブル上での異なる２つの波長の光源を用いる双方
向多重光通信システムを例示し、光学的手法のみではな
く電子的手法の使用によって漏話が減少する。図１に
は、光通信装置としての光モジュール１０１及び光モジ
ュール１０３並びに光ファイバ１０５を示す。情報が、
第１の波長で光モジュール１０１から光モジュール１０
３へ、そして第２の波長で光モジュール１０３から光モ
ジュール１０１へ、光学的に伝送される。

【００１０】本発明の一実施例において、第１の波長は
１．３１μｍ、そして第２の波長は１．５５μｍであ
る。このような波長は、受動的光ネットワークの一形式
であるいわゆる「フル・サービス・アクセス・ネットワ
ーク」（ＦＳＡＮ）のようなシステムに有用である。各
光ダイオードは、実質上、その光ダイオードにおいて受
信が予想される光の波長にのみ、感度を有するように構
成される。

【００１１】光モジュール１０１は、（ａ）（光源とし
ての）レーザダイオード１０７、（ｂ）（受光器として
の）光ダイオード１１１、（ｃ）２色性の波長分割多重
（ＷＤＭ）スプリッタ１０９、及び（ｄ）オプション
（選択肢）の波長選択性の光フィルタ１１３からなり、
光モジュール１０３は、同じく（ａ’）（光源として
の）レーザダイオード１１５、（ｂ’）（受光器として
の）光ダイオード１１９、（ｃ’）２色性の波長分割多
重（ＷＤＭ）スプリッタ１１７、及び（ｄ’）オプショ
ンの波長選択性の光フィルタ１２１からなる。

【００１２】光モジュール１０１及び１０３はそれぞ
れ、光ファイバ１０５に、例えばハーメチック（密閉）
シール、コネクタ等を介して又は他の通常の方法で結合
される。レーザダイオード１０７、１１５及び光ダイオ
ード１１１、１１９には、それぞれの光モジュールの外
部の電子回路への接続用の導線が用意される。

【００１３】図１に示す実施例において、通常のレーザ
ダイオード１０７が第１の波長、例えば１．３１μｍで
光を生成する。いわゆる通過帯域光ダイオードである光
ダイオード１１１が、受信された第２の波長、例えば
１．５５μｍの光を検出する。２色性の波長分割多重ス
プリッタ１０９が、第１の波長の光を、自体を通して光
ファイバ１０５に透過伝送し、又、光ファイバ１０５か
ら受信された第２の波長の光を光ダイオード１１１へ偏
向させる。

【００１４】オプションの波長選択性の光フィルタ１１
３が、実質上、２色性の波長分割多重スプリッタ１０９
によって偏向された第２の波長の光のみを光ダイオード
１１１へ向けて通過させる。

【００１５】有利な点として、本発明の原理に基づき、
光ダイオード１１１が実質上、第２の波長にのみ感度を
有するので、２色性の波長分割多重スプリッタ１０９及
びオプションの波長選択性の光フィルタ１１３のような
より低い品質の光学的構成要素のみを用いても許容性能
を達成できる。

【００１６】例えば、第１及び第２の波長間に５５ｄＢ
の分離を求めるＦＳＡＮ要件を満足させるためには、２
色性の波長分割多重スプリッタ１０９が１５ｄＢ程度の
悪い漏話品質のものでも許容され、オプションの波長選
択性光フィルタ１１３は、望ましくない波長を阻止する
性能が２５ｄＢを超える必要がない。従来技術の手法で
は、最高品質の光学的構成要素を用いるにも拘わらず、
この要件を満足させることができなかった。よくても４
７ｄＢの分離を達成できる程度であった。

【００１７】通常のレーザダイオード１１５が第２の波
長で光を生成する。いわゆる通過帯域光ダイオードであ
る光ダイオード１１９が、受信された第１の波長の光を
検出する。２色性の波長分割多重スプリッタ１１７が、
第２の波長の光を、自体を通して光ファイバ１０５に透
過伝送し、又、光ファイバ１０５から受信された第１の
波長の光を光ダイオード１１９へ偏向させる。

【００１８】オプションの波長選択性の光フィルタ１２
１が、実質上、２色性の波長分割多重スプリッタ１１７
によって偏向された第１の波長の光のみを光ダイオード
１１９へ向けて通過させる。

【００１９】有利な点として、上記と同じ理由で、光ダ
イオード１１９が実質上、第１の波長にのみ感度を有す
るので、２色性の波長分割多重スプリッタ１１７及びオ
プションの波長選択性の光フィルタ１２１のような品質
のより低い光学的構成要素のみを用いても許容性能を達
成できる。

【００２０】尚、図１では光ファイバ１０５の各端部に
１個のみの光モジュールが設けられているが、例えばス
ターカプラを用いて、光ファイバの各端部に多数の光モ
ジュールを接続させることも可能である。但し、適切な
プロトコルを用いて、光伝送中の或る光モジュールが使
用している波長と同じ波長で同時に他の光モジュールが
光伝送する事態が防止されることが条件となる。

【００２１】図２は、レーザダイオード１０７及び１１
５によってそれぞれ供給されるような波長１．３１μｍ
及び１．５５μｍの光にそれぞれ感度を有する通過帯域
光ダイオードについての相対的感応度を波長に関して表
す線図２０１、２０３である。従来技術によるシステム
において一貫して用いられている種類の通常のインジウ
ム・ガリウム・ヒ素（ＩｎＧａＡｓ）光ダイオードにつ
いての相対的感応度を波長に関して表す線図２０５と共
に示す。

【００２２】１つの通過波長光を有する一方の通過帯域
光ダイオードの相対的感応度が他方の通過帯域光ダイオ
ードの領域においてよく減衰していることに注目された
い。

【００２３】図３は、１．３１μｍの波長の光に感度を
有する通過帯域光ダイオードの構造例を示す。これは光
ダイオード１１９（図１）として使用可能である。この
通過帯域光ダイオードの構造は、基板としてのリン化イ
ンジウム（ＩｎＰ）層３０１と、この基板の頂部に位置
しＮ領域として作用するインジウム・ガリウム・ヒ素・
リン化物（ＩｎＧａＡｓＰ）層３０３とからなる。

【００２４】ＩｎＧａＡｓＰ層３０３は、この通過帯域
光ダイオードによって検出可能な１．３１μｍの波長に
対応するバンドギャップを有する。Ｎ領域内には、亜鉛
拡散手法を用いて得られる「Ｐ＋光感知領域」３０５が
設けられる。

【００２５】加えて、追加の「Ｐ＋領域」３０７が設け
られる。Ｐ＋領域とＮ領域とが近接していることから電
界が生じるが、このような電界内では実質上形成されな
い電荷によってテール電流（tail current）が生成され
ることがあり得る。Ｐ＋領域３０７は、このテール電流
を最小化するために追加される。

【００２６】このＰ＋領域３０７は、例えばＰ＋光感知
領域３０５を或る距離を置いて取り囲むような、Ｐ＋ガ
ードリングとして機能する。この距離は、光子に感応し
て生成される電荷がそれら電荷を収集する力に曝され、
これによって電荷がＩｎＧａＡｓＰ層３０３内に残留で
きないように設定される。

【００２７】作動時に、Ｐ＋光感知領域３０５は入射光
に感応して生成される電流を増幅する増幅器に接続さ
れ、ＩｎＰ層３０１はバイアス電圧に接続される。

【００２８】図４は、１．５５μｍの波長の光に感度を
有する通過帯域光ダイオードの構造例を示す。これは光
ダイオード１１１（図１）として使用可能である。この
通過帯域光ダイオードの構造は、基板としてのリン化イ
ンジウム（ＩｎＰ）層４０１と、この基板に隣接しＮ領
域として作用するエピタキシャル・インジウム・ガリウ
ム・ヒ素（エピタキシャルＩｎＧａＡｓ）層４０３とか
らなる。Ｎ領域内には、亜鉛拡散手法を用いて得られる
「Ｐ＋光感知領域」４０５が設けられる。

【００２９】加えて、追加の「Ｐ＋領域」４０７が設け
られる。Ｐ＋領域とＮ領域とが近接していることから電
界が生じるが、このような電界内では実質上形成されな
い電荷によってテール電流（tail current）が生成され
ることがあり得る。Ｐ＋領域４０７は、このテール電流
を最小化するために追加される。

【００３０】このＰ＋領域４０７は、例えばＰ＋光感知
領域４０５を或る距離を置いて取り囲むような、Ｐ＋ガ
ードリングとして機能する。この距離は、光子に感応し
て生成される電荷が電荷を収集する力に曝され、これに
よって電荷がエピタキシャルＩｎＧａＡｓ層４０３内に
残留できないように設定される。

【００３１】このの通過帯域光ダイオードの構造は更
に、基板であるＩｎＰ層４０１の、エピタキシャルＩｎ
ＧａＡｓ層４０３の位置する側と反対の側に位置するエ
ピタキシャル・インジウム・ガリウム・ヒ素・リン化物
（ＩｎＧａＡｓＰ）層４０９からなる。

【００３２】作動時に、Ｐ＋光感知領域４０５が、入射
光に感応して生成される電流を増幅する増幅器に接続さ
れ、エピタキシャルＩｎＧａＡｓＰ層４０９がバイアス
電圧に接続される。この通過帯域光ダイオードは、光が
エピタキシャルＩｎＧａＡｓＰ層４０９上に入射するよ
うに配置される。１．３１μｍの波長の光のほぼ全てが
エピタキシャルＩｎＧａＡｓＰ層４０９によって吸収さ
れる。残りの光はＩｎＰ層４０１を通過して、エピタキ
シャルＩｎＧａＡｓ層４０３とＰ＋光感知領域４０５と
に到達する。

【００３３】図２に示すように、又技術的に周知の通
り、エピタキシャルＩｎＧａＡｓ層４０３及びそのＰ＋
光感知領域４０５のみで構成される構造は、１．３１μ
ｍの波長の光及び１．５５μｍの波長の光の両方に感度
を有する。しかし、１．３１μｍの波長の光が全てＩｎ
ＧａＡｓＰ層４０９によって吸収されたため、１．５５
μｍの波長の光のみが残り、エピタキシャルＩｎＧａＡ
ｓ層４０３及びそのＰ＋光感知領域４０５によって検出
される。

【００３４】結果として、図４の通過帯域光ダイオード
全体としては１．５５μｍの波長の光にのみ感度を有す
る。

【００３５】以上の説明は単に本発明の原理を例示した
に過ぎない。したがって、この技術分野の当業者であれ
ば、本発明に関して本明細書には記述のない種々の変形
例を考え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲
に包含される。更に、本明細書に述べた諸例示は、主と
して、本発明の原理の理解を助けるための教示目的のみ
を意図したものであり、本発明に制約を与えると解され
るべきものではない。

【００３６】その上、本発明の原理、態様、実施例、及
び具体例に関する本明細書における記述は全て、それら
の構造的及び機能的同等体をも包含することが意図され
る。加えて、これら同等体には、現在既知の同等体、及
び将来開発される同等体、すなわち構造に無関係に、同
一の機能を行うような開発される要素体、の双方を包含
することが意図される。

【００３７】したがって、例えば、この技術分野の当業
者であれば、本明細書に記述されるブロック図が本発明
の原理を実施する例示回路の概念図であることを理解さ
れよう。同様に、流れ図、状態遷移図、疑似コード等
が、コンピュータ又はプロセスの明示有無にかかわら
ず、コンピュータ読み取り可能な媒体に表示されコンピ
ュータ又はプロセッサによって実行可能な種々のプロセ
スを表すことを理解されよう。

【００３８】本明細書の図面に示す種々の要素（「プロ
セッサ」と表示された機能ブロックを含む）の機能は、
専用ハードウエア、及び適切なソフトウエアと協同して
ソフトウエアを実行可能なハードウエア、を用いること
によって得られる。プロセッサによって得られた場合、
それら機能は、単一の専用プロセッサ、単一の共用プロ
セッサ、又は一部共用の複数の個別プロセッサ、によっ
て得られる。

【００３９】その上、「プロセッサ」又は「コントロー
ラ」用語が明示使用されていても、ソフトウエアを実行
可能なハードウエアのみを指すと解釈してはならず、一
方、制限を設けることなく、ディジタル信号処理（ＤＳ
Ｐ）ハードウエア、ソフトウエア記憶用の読み出し専用
メモリ（ＲＯＭ）、及び不揮発性メモリを暗に包含す
る。他の通常の及び／又は特別仕様のハードウエアをも
含む。

【００４０】同様に、本明細書の図面に示すスイッチ類
は概念的なものに過ぎない。それらの機能は、プログラ
ム論理の運用を通じて、専用論理を通じて、プログラム
制御及び専用論理の相互作用を通じて、又は場合によっ
ては手動により、実行される。具体的な手法は、実施者
が説明文脈をより具体的に理解することにより、適切な
ものを選択使用できる。

【００４１】本明細書の請求項において、或る特定の機
能を実行するための手段とは、その機能を実行するため
のいかなる方法をも含む。この方法には例えば、ａ）そ
の機能を行う回路要素の組み合わせ、又は、ｂ）その機
能を行うためのファームウエア、マイクロコード等を含
む全ての形式のソフトウエアと、その機能を行うために
そのソフトウエアを実行する適切な回路との組み合わ
せ、を含む。

【００４２】これらの請求項によって定義される本発明
は、上記の種々の手段によって得られる機能的特性が、
これらの請求項が求める仕方によって組み合わされ、一
体化されるという事実に基づく。したがって、本発明の
出願人は、これらの機能的特性を与えるいかなる手段を
も本明細書に示すこれらの手段と同等とみなすものであ
る。

【００４３】尚、特許請求の範囲に記載した参照番号は
発明の容易な理解のためで、その技術的範囲を制限する
よう解釈されるべきではない。

【００４４】

【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、単
一の光ケーブル上での異なる２つの波長の光源を用いる
双方向多重光通信における漏話の減少を、従来技術によ
り光学面のみの手法で両波長を光学的に分離する代わり
に、電子的手法を用いて、望ましくない波長を電子的に
拒絶（排除）することによって達成できる。

【００４５】したがって、漏話減少のためには、システ
ムを構成する光学的構成要素はその品質が従来技術の手
法の場合より低いレベルでもよいことになり、又構成要
素の位置合わせ要件も緩和され、結果として全体のコス
トが減少する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づく、単一の光ケーブル上での異な
る２つの波長の光源を用いる双方向多重光通信を例示す
る略図であり、光学的手法のみではなく電子的手法の使
用によって漏話が減少する。

【図２】波長１．３１μｍ及び１．５５μｍの光に感度
を有する通過帯域光ダイオードについての相対的感応度
を波長に関して表す線図であり、通常のインジウム・ガ
リウム・ヒ素（ＩｎＧａＡｓ）光ダイオードについての
相対的感応度を波長に関して表す線図と共に示す。

【図３】１．３１μｍの波長の光に感度を有する通過帯
域光ダイオードの構造例を示す略図である。

【図４】１．５５μｍの波長の光に感度を有する通過帯
域光ダイオードの構造例を示す略図である。

【符号の説明】

１０１ 光モジュール １０３ 光モジュール １０５ 光ファイバ １０７ レーザダイオード １０９ ２色性の波長分割多重（ＷＤＭ）スプリッタ １１１ 光ダイオード １１３ 光フィルタ １１５ レーザダイオード １１７ ２色性の波長分割多重（ＷＤＭ）スプリッタ １１９ 光ダイオード １２１ 光フィルタ ２０１ １．３１μｍに感度を有する通過帯域光ダイオ
ードの相対的感応度曲線 ２０３ １．５５μｍに感度を有する通過帯域光ダイオ
ードの相対的感応度曲線 ２０５ 通常のＩｎＧａＡｓ光ダイオードの相対的感応
度曲線 ３０１ リン化インジウム（ＩｎＰ）層（基板） ３０３ インジウム・ガリウム・ヒ素・リン化物（Ｉｎ
ＧａＡｓＰ）層 ３０５ Ｐ＋光感知領域 ３０７ Ｐ＋領域（Ｐ＋ガードリング） ４０１ リン化インジウム（ＩｎＰ）層（基板） ４０３ エピタキシャル・インジウム・ガリウム・ヒ素
（エピタキシャルＩｎＧａＡｓ）層 ４０５ Ｐ＋光感知領域 ４０７ Ｐ＋領域（Ｐ＋ガードリング） ４０９ インジウム・ガリウム・ヒ素・リン化物（Ｉｎ
ＧａＡｓＰ）層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 太田 祐助 アメリカ合衆国、07046 ニュージャージ ー、マウンテイン レイクス、ローレル ヒル ロード 215

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）第１の波長で光を供給する光源
   （１０７）；と、 （ｂ）前記光源によって供給される光を実質上含まない
   第２の波長の光に感応して電気信号を生成するための受
   光器（１１１）；と、 （ｃ）２色性の波長分割多重スプリッタ（１０９）；
   と、からなり、 前記波長分割多重スプリッタが、前記第１の波長の前記
   光源からの光を光ファイバ（１０５）に結合するように
   構成され、且つ前記光ファイバから受信される前記第２
   の波長の光を前記受光器に結合するように構成される、
   ことを特徴とする、双方向多重光通信装置。
2. 【請求項２】 前記装置が更に、 （ｄ）前記波長分割多重スプリッタと前記受光器との間
   に挿入された光フィルタ（１１３）；からなることを特
   徴とする請求項１の装置。
3. 【請求項３】 前記光源が、レーザダイオードと発光ダ
   イオードとからなるグループのうちの１つであることを
   特徴とする請求項１の装置。
4. 【請求項４】 前記光源が、１．３１μｍと１．５５μ
   ｍとからなる波長グループのうちの１つの波長で光を供
   給することを特徴とする請求項１の装置。
5. 【請求項５】 前記受光器が、光ダイオードであること
   を特徴とする請求項１の装置。
6. 【請求項６】 前記受光器が、通過帯域光ダイオードで
   あることを特徴とする請求項１の装置。
7. 【請求項７】 前記受光器（ｂ）が、 （ｂ１）基板としてのリン化インジウム（ＩｎＰ）層；
   と、 （ｂ２）前記基板の頂部に位置し、Ｐ＋光感知領域を有
   するインジウム・ガリウム・ヒ素・リン化物（ＩｎＧａ
   ＡｓＰ）層；とからなり、 前記ＩｎＧａＡｓＰ層が前記第２の波長に対応するバン
   ドギャップを有する、ことを特徴とする請求項１の装
   置。
8. 【請求項８】 前記Ｐ＋光感知領域は、亜鉛が拡散され
   ていることを特徴とする請求項７の装置。
9. 【請求項９】 前記受光器（ｂ）が更に、 （ｂ３）少なくとも１個のＰ＋ガードリング；からなる
   ことを特徴とする請求項７の装置。
10. 【請求項１０】 前記第２の波長が１．３１μｍである
    ことを特徴とする請求項７の装置。
11. 【請求項１１】 前記受光器が（ｂ）、 （ｂ１１）基板としてのリン化インジウム（ＩｎＰ）
    層；と、 （ｂ１２）前記基板の第１の側部に位置し、Ｐ＋光感知
    領域を有するインジウム・ガリウム・ヒ素（ＩｎＧａＡ
    ｓ）エピタキシャル層；と、 （ｂ１３）前記基板の第２の側部に位置するインジウム
    ・ガリウム・ヒ素・リン化物（ＩｎＧａＡｓＰ）層；と
    からなり、 これにより、前記ＩｎＧａＡｓＰ層が、前記第２の波長
    の光のみを前記基板へ、そして最終的に前記Ｐ＋光感知
    領域へと通過させるように、前記ＩｎＧａＡｓＰ層上に
    入射する光をフィルタ処理する、ことを特徴とする請求
    項１の装置。
12. 【請求項１２】 前記Ｐ＋光感知領域は、亜鉛が拡散さ
    れていることを特徴とする請求項１１の装置。
13. 【請求項１３】 前記受光器（ｂ）が更に、 （ｂ１４）少なくとも１個のＰ＋ガードリング；からな
    ることを特徴とする請求項１１の装置。
14. 【請求項１４】 波長多重光通信配置において光を用い
    て双方向通信を行うための、双方向多重光通信方法であ
    って、 （Ａ）光源を用いて第１の波長で光を生成するステップ
    であって、前記光が情報を搬送するように生成され、前
    記生成された光が光ファイバを介しての通信用であるよ
    うな、光を生成するステップ；と、 （Ｂ）前記光源において生成される光を実質上含まな
    い、情報を搬送する第２の波長の光を前記光ファイバか
    ら受信し、実質上前記第２の波長の光にのみ感度を有し
    前記第１の波長の光に実質上感度を有さない受光器を用
    いて前記第２の波長の前記光を電気信号に変換するステ
    ップ；と、 （Ｃ）前記光源からの前記第１の波長の光を、２色性の
    波長分割多重スプリッタを介して前記光ファイバに結合
    するステップ；と、 （Ｄ）前記光ファイバから受信された前記第２の波長の
    光を、前記波長分割多重スプリッタを介して前記受光器
    に結合するステップ；と、からなることを特徴とする、
    双方向多重光通信方法。
15. 【請求項１５】 前記受光器が、 （１）前記受光器に入射する光を、実質上前記第２の波
    長の光のみを前記受光器の光感知領域へ通過させるよう
    にフィルタ処理するステップ；と、 （２）前記受光器の前記光感知領域に入射する光を電気
    信号形式に変換するステップ；と、からなることを特徴
    とする請求項１４の方法。
16. 【請求項１６】 前記方法が更に、 （Ｅ）前記波長分割多重スプリッタを介して前記光ファ
    イバから受信された光を、前記波長分割多重スプリッタ
    と前記受光器との間に挿入された光フィルタを用いて光
    学的にフィルタ処理するステップ；からなることを特徴
    とする請求項１４の方法。
17. 【請求項１７】 （ａａ）光ファイバ；と、 （ｂｂ）第１の波長で光を供給する第１の光源と； （ｃｃ）第２の波長で光を供給する第２の光源と； （ｄｄ）前記第１の光源によって供給される光を実質上
    含まない第２の波長の光に感応して電気信号を生成する
    ための第１の受光器；と、 （ｅｅ）前記第２の光源によって供給される光を実質上
    含まない波長帯域内の前記第１の波長の光に感応して電
    気信号を生成するための第２の受光器；と、 （ｆｆ）前記第１の光源からの前記第１の波長の光を前
    記光ファイバの第１の端部に結合するように構成され、
    且つ前記光ファイバの前記第１の端部から受信される前
    記第２の波長の光を前記第１の受光器に結合するように
    構成される、第１の２色性の波長分割多重スプリッタ；
    と、 （ｇｇ）前記第２の光源からの前記第２の波長の光を前
    記光ファイバの第２の端部に結合するように構成され且
    つ前記光ファイバの前記第２の端部から受信される前記
    第１の波長の光を前記第２の受光器に結合するように構
    成される第２の２色性の波長分割多重スプリッタ；と、
    からなることを特徴とする、双方向多重光通信システ
    ム。
18. 【請求項１８】 前記システムが更に、 （ｈｈ）前記第１の波長分割多重スプリッタと前記第１
    の受光器との間に挿入された第１の光フィルタ；と、 （ｉｉ）前記第２の波長分割多重スプリッタと前記第２
    の受光器との間に挿入された第２の光フィルタ；と、か
    らなることを特徴とする請求項１７のシステム。
19. 【請求項１９】 前記第１の受光器（ｄｄ）が、 （ｄｄ１）第１の基板としてのリン化インジウム（Ｉｎ
    Ｐ）層；と、 （ｄｄ２）前記第１の基板の頂部に位置し、Ｐ＋光感知
    領域を有するインジウム・ガリウム・ヒ素・リン化物
    （ＩｎＧａＡｓＰ）層；とからなり、 前記ＩｎＧａＡｓＰ層が前記第２の波長に対応するバン
    ドギャップを有し、 前記第２の受光器（ｅｅ）が、 （ｅｅ１）第２の基板としてのリン化インジウム（Ｉｎ
    Ｐ）層；と、 （ｅｅ２）前記第２の基板の第１の側部に位置し、Ｐ＋
    光感知領域を有するインジウム・ガリウム・ヒ素（Ｉｎ
    ＧａＡｓ）エピタキシャル層；と、 （ｅｅ３）前記第２の基板の第２の側部に位置するイン
    ジウム・ガリウム・ヒ素・リン化物（ＩｎＧａＡｓＰ）
    層；とからなり、 これにより、前記ＩｎＧａＡｓＰ層が、前記第１の波長
    の光のみを前記第２の基板へ、そして最終的に前記Ｐ＋
    光感知領域へと通過させるように、前記ＩｎＧａＡｓＰ
    層上に入射する光をフィルタ処理する、ことを特徴とす
    る請求項１７のシステム。
20. 【請求項２０】 前記第１の光源が、１．３１μｍから
    なる波長で光を供給し、前記第２の光源が、１．５５μ
    ｍからなる波長で光を供給することを特徴とする請求項
    １７のシステム。
21. 【請求項２１】 前記第１の受光器（ｄｄ）が第１の通
    過帯域を有する光ダイオードであり、前記第２の受光器
    （ｅｅ）が実質上第１の通過帯域と部分的に重なり合わ
    ない第２の通過帯域を有する光ダイオードであることを
    特徴とする請求項１７のシステム。
22. 【請求項２２】 （ａａａ）第１の波長で光源光を供給
    するための手段；と （ｂｂｂ）前記光を供給するための手段によって供給さ
    れる光を実質上含まない第２の波長の光に感応して電気
    信号を生成するための手段；と、 （ｃｃｃ）２色性の波長分割多重スプリット処理を行う
    ための手段；と、からなり、 前記波長分割多重スプリット処理を行う手段が、前記光
    源からの前記第１の波長の光を光ファイバに結合するよ
    うに構成され、且つ前記光ファイバから受信される前記
    第２の波長の光を前記生成するための手段に結合するよ
    うに構成されることを特徴とする、２波長双方向多重光
    通信装置。