JP2000196134A - 可視―ブラインドuv検出器 - Google Patents
可視―ブラインドuv検出器Info
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Abstract
ラインドUV検出器を提供すること。 【解決手段】ZnSTe合金の活性層を含む可視−ブラ
インドUV検出器が開示される。Te組成は基板(例え
ば、Si、GaPまたはGaAs)の性質に依存して良
好な格子整合を提供するように変化し得るし、新規構造
は高い量子効率を与えるように提供される。本発明はま
た、純粋なZnSの活性層およびZnSSeの活性層を
有するUV検出器をも開示する。
Description
出器に関し、特に、活性材料としてII−VI合金を含
む可視−ブラインドUV検出器に関する。
性を有するUV検出器は、炎の監視、汚染物質の検出お
よびUV天文学のような応用にとって、並びに進歩した
医療技術および機器にとって極めて重要である。従来
は、2つのタイプの装置がUV検出器として用いられて
きた、すなわち、光増倍管およびシリコンp−i−n光
ダイオードである。
くものであったがしかし、応用の数が増える中で、シリ
コンp−i−n光ダイオードが低い量子効率を有するに
もかかわらずその小さなサイズと低い電圧操作性のため
に好ましくなった。近年では、可視−ブラインドおよび
太陽−ブラインドUV検出器用途のためのGaAlN合
金およびSiC薄膜を開発することについてもまた関心
が大きくなってきた。SiCに比較して、GaAlNは
多数の利点を有する、すなわち、(1)それは直接禁止
帯材料であり、従って、より高い吸収効率を有する、
(2)それはより鋭いカットオフ値を有する、および
(3)材料のドーピング制御は十分良好に開発されてい
るので、ヘテロ接合デバイスが現在可能であり、それは
よりすぐれた量子効率となり得る。加えて、GaAlN
合金のバンドギャップエネルギーは、略3600Åない
し略2000Åの特定長波長カットオフ値を有する検出
器を製作することを可能とするように3.4から6.2
eVの範囲を取る。ショットキーおよびp−i−n接合
タイプの両方および良好な性能を有する幾つかのGaN
−GaAlN系光導体および光ダイオードは成功裏に製
造されてきた。より最近は、更に高いゲインのGaN/
AlGaNのヘテロ接合光トランジスターが現れた。達
成された最も高い外部量子効率は355nmでほぼ70
%である。
での半導体系UV光検出器についての問題は、適切な格
子整合基板の欠如である。最も一般的に用いられる基板
のサファイア(Al2 O 3 )は、略14%まで窒化物に
対して格子不整合であり、GaNの熱膨張係数のほとん
ど2倍の大きさである熱膨張係数を有する。結果とし
て、高密度の不整合転移および束縛がそれらの構造の中
に不可避的に存在し、それは検出器の応答時間を著しく
制限する。例えば、250×250μmGaN光ダイオ
ードについて報告された最高速の応答時間はいまだマイ
クロ秒台である。Siテクノロジーで窒化物系光検出器
を集積することもまた困難である。GaNとSiとのあ
いだの格子不整合は更に大きく(立方GaNとSiとの
あいだで18.7%)、従って今のところ、Si基板上
に成長する良好な性能のGaN系デバイスの報告は存在
しない。
料としてZnS1-x Tex 合金を含むUV検出器が提供
される。合金中のTeの比率は、基板に対する良好な格
子整合を提供するように変化し得るし、選ばれる基板に
依存するであろうが、しかし、好ましくは0≦x≦0.
1である。可能な基板材料は、ドープされているかまた
はドープされていないGaAs、SiまたはGaPであ
る。活性層は、例えば、n型のドープされたZnST
e:Alのようなドープされた層であり得るし、または
真性ZnSTeの層であり得る。
検出器は、(a)n+ 型Si、GaAsまたはGaPの
基板層、(b)基板層の第1の上側表面上に形成され
た、ドープされているかされていないZnS1-x Tex
の活性層、(c)第1電極として活性層の表面上に形成
された第1導電材料の層、および(d)オーム接触とし
て基板の第2下方表面上に形成された第2導電材料を含
むショットキーバリア構造である。
止膜が形成される。これは、反射損失を最小化すること
により検出器の量子効率を増加させる。
構造は、基板の下に位置するオーム接触により引き起こ
される相対的に低い量子効率を有し得るものであり、そ
れゆえキャリアは、基板と活性層とのあいだの接合でト
ラップされ得ると言うのがその理由である。それゆえ、
より好ましい態様においては、検出器は、(a)GaA
s、SiまたはGaPの基板層、(b)基板層の第1の
上側表面上に形成されたAlがドープされたZnS1-x
Tex の第1層、(c)第1層の表面上に形成され、露
出した第1層の一部を残すように第1層を部分的にのみ
覆うZnS1-xTex の第2活性層、(d)第1電極を
形成するように第2活性層の表面上に形成された第1導
電材料の層、および(e)第1活性層の表面の露出され
た部分上に形成されたオーム接触を含むショットキーバ
リア構造である。
Pの基板をもって作られる。第1電極のための材料は好
ましくは金であり、それは、オーム接触が少なくとも1
つのインジウムペレットで形成され得る一方で、活性材
料に対するよりよい接着のためにCrまたはTiの薄層
上に堆積され得る。Siの基板については、Te組成物
は、もし基板がGaPであり、好ましくはx=0.06
であっても、x=0.03であるようでありえ、両方の
場合において、xは、基板と活性層とのあいだの良好な
格子整合を達成するよう選ばれる。
iまたはGaPの基板の第1の上側表面上の分子ビーム
エピタキシーによりAlのドープされたZnS1-x Te
x の第1層を堆積させること、(b)第1層の表面上の
分子ビームエピタキシーによりZnS1-x Tex の第2
活性層を堆積させること、(c)第1層の一部を露出す
るように化学的エッチングにより第2活性層の一部を除
去すること、(d)第1電極として第2活性層上に第1
導電材料を堆積させること、および(e)第1層の露出
された部分上にオーム接触を形成することにより形成さ
れ得る。
有害な効果を有し得るのでそれで、検出器を製造する別
の方法は、(a)GaAs、SiまたはGaPの基板の
第1上方表面上に分子ビームエピタキシーによりAlの
ドープされたZnS1-x Te x の第1の層を堆積させ、
(b)表面の一部を覆うために第1層の表面の一部に保
護材料を与え、(c)保護材料により覆われない第1層
の表面上に分子ビームエピタキシーによりZnS1-x T
ex の第2活性層を堆積させ、(d)第1電極として第
2活性層上に第1導電材料を堆積させ、および(e)前
記第1層の露出された部分上にオーム接触を形成するこ
とによる。
明はまた、活性材料として他のII−VI合金を含むU
V光検出器に関し、特に、活性材料としてZnS1-x S
exを含むUV光検出器に関する。ZnSSe光検出器
は、ZnSTe系光検出器についてと同じ技術を用いて
同じ構造で形成され得る。また、Seの比率は、基板材
料について良好な格子整合を提供するように選ばれ得る
が、しかし、好ましくは0≦x≦0.5であり、より好
ましくは更にx=0.5である。
び添付の図面を参照してこれから記載されるであろう。
出器構造を断面図で示す。
についての発生波長の関数として図1の態様の光電圧応
答を示す。
ての発生波長の関数として図1の態様の光電圧応答を示
す。
検出器構造を断面図で示す。
図4の態様の光電圧応答を示す。
図4の態様の量子効率を示す。
検出器の斜視図である。
の検出器の光電流および光電圧応答性を示す。
波長における発生電力の関数としての光電流および光電
圧を示す。
時間を示す。
器とZnSの活性層を有する検出器の応答を比較するプ
ロッティングである。
光検出器の斜視図である。
波長に対する電流応答のプロッティングである。
のUV検出器の発生電力に対する光電流および光電圧の
プロッティングである。
バイスの光応答曲線のプロッティングである。
る。ドープされたZnS1-x Tex薄膜を含む活性層
が、分離したエフュージョンセルにおいて含まれるZn
SおよびZnTe化合物源を用いてVG V80H M
BEシステムの中でn+ −GaAs(100)基板上に
成長される。Alを含む第3のエフュージョンセルがn
型ドーピング剤源として用いられた。活性層は、4%の
Te組成をもって5000Åの厚さに成長される。10
0〜200Å厚さのAu層が、透明頂部電極を形成する
ためのrfスパッタリングまたは熱気化技術により活性
ZnSTeの頂部上に堆積された。このように形成され
た検出器材料の試料は次いで、オーム接触がGaAs基
板の下に形成される様に測定のための導電性銀インクを
用いて銅試料ホルダー上に載置された。
子正孔対は、ZnSTe層上に入射する光子により発生
し、ダイオードを横切る出力電圧を生成するように反対
方向の空乏領域においてビルトイン電界により駆動され
る。この出力光電圧は入射光子のエネルギーに依存す
る。図2はAlドーピング(Teは4%であり、すなわ
ちx=0.04である)の3つのレベルについての光子
エネルギーの関数としての検出器の応答を示し、一方、
図3は3つの異なるTe分率についての応答を示す。
視−ブラインドであり、UV感受性であることが理解さ
れる。活性ZnSTe層のバンドギャップ未満(すなわ
ち約3.5eV未満)の光子エネルギー範囲における応
答はほぼGaAs層における吸収によるものであり、振
動の形態はZnSTe層により引き起こされる干渉効果
の結果である。高い光子エネルギーのドロップオフは、
表面の組換え効果を重要にするバンドギャップより大き
いエネルギーを有する光子の短い吸収波長による。
度に合せて増加することが理解され得る。図3は、図2
に対応するがしかし、xの3つの値(8.6%、3.1
%および0.5%)について真性ZnSTe層(すなわ
ちAlドーピング剤なし)からなる活性層についてのプ
ロット図を示し、応答がより大きいことが理解され得
る。
ドであるUV光検出器を提供することが理解されるであ
ろう。しかしながら、図1の態様により作られた光検出
器の量子効率の測定は効率が低いことを示すので図1の
態様は好ましくない。これは、オーム接触がGaAs基
板を通して作られ、n+ −GaAs基板と活性ZnST
e層との間の界面において高密度の不整合転移が存在す
るからである。それゆえ、光により発生したキャリヤの
大部分はこの界面においてトラップされるようになる。
この問題は、活性ZnSTe層に、より良い格子整合を
有するGaPまたはSiのような材料を基板として用い
ることにより部分的に克服され得る。
る吸収の問題への別のアプローチを提供する本発明の第
2の態様を例示する。この態様においては、オーム接触
は基板の下に形成されないが、しかし代わりに、第2の
電極層の上側表面上に形成される。この態様において、
1×1019cm-3台のキャリヤ濃度を有する1.5μm
の強くドープされたn+ −ZnS1-x Tex :Al層を
GaP基板上に成長させた。引き続き、真性ZnS1-x
Tex の1.5μmホモエピタキシャル層を成長させ
た。次いでAuの薄層をショットキーバリヤを形成する
ように頂部表面上に堆積させた。次いで、(例えばBr
C2 H6 O2 溶液を用いる)湿式化学的エッチングを、
オーム接触を形成するようにインジウムペレットが半田
付けされたn+ −ZnS1-x Tex :Al層までエッチ
ングするようにフォトリソグラフィーにより規定される
選択された面積に適用する。
子定数がGaP基板のそれと整合する、例えば、Te組
成が6%(すなわちx=0.06)であり得るように選
ばれ得る。このことはきわめて少ない不整合転移しか構
造全体にわたって形成されないことを保証する。更に、
オーム接触がn+ −ZnS1-x Tex 層の頂部表面上に
形成されるので、界面の欠陥が装置の反応について有し
得るいずれの有害な効果も大きく減少する。加えてこの
態様は、低いバンドギャップ基板における吸収によるバ
ンドエッジ未満の応答を最小化させる。図5は、光子エ
ネルギーの関数としてのこの態様の光電圧出力を示し、
バンドギャップエッジにおける鋭い立ち上がりが、いず
れの振動も無いこととともに、明らかに見られる。
れるこの第2の態様の量子効率を示し、光子エネルギー
の関数として示される。図6は、立ち上がり後平坦な感
受性が存在することおよび50%を超える最大効率を示
す。これは、UV領域において0.14A/Wの感受性
に対応し、商業的に入手可能なUV増強Si光ダイオー
ドのそれに匹敵する。
有量(x=0.01)を有するSi基板上に形成される
第2の態様の第2の例の量子効率を示す。応答の立ち上
がりはTe組成における差異によりGaP上に成長する
態様のそれに比較したとき青色にシフトし、測定された
ピークの効率はわずかに低いがしかしいまだ40%を超
える。
体減少した量子効率において有意な要因であるので反射
防止膜を用いることにより更に増加させ得る。そのよう
なコーティングについての可能な材料は銀(Ag)の薄
層である。
れども、この態様の潜在的な不利益は、湿式化学的エッ
チングプロセスがオーム接触の形成を不安定なプロセス
にする損傷されたかまたは粗面化された表面を残し得る
ことである。本発明の第3の態様において、この潜在的
な不利益は湿式化学的エッチングを用いる必要を除去す
る2段階成長アプローチを用いることにより回避され得
る。
れる構造を示す。その構造は、分離したエフュージョン
セルに含まれるZnSおよびZnTe化合物源を用いる
VGV80H分子ビームエピタキシー(MBE)システ
ムにおいてGaP(100)基板上に成長される。Al
を含む第3のエフュージョンセルがn型ドーピング剤源
として用いられる。2工程MBE成長アプローチがその
構造を作るために用いられる。第1工程は、Alドーピ
ング剤レベルがn=略1×1019cm-3の電子キャリア
濃度を与える状態で300℃での2.6μm厚さのZn
S1-x Tex:Al(式中x=略0.05)層の成長か
らなる。この第1工程に、数10ナノメートル厚さのS
e保護層のほぼ50℃での堆積が続く。次いで、試料を
成長系から取出し、ついで約3mmの幅を有する薄いタ
ンタルストリップを試料の表面を部分的に覆うように試
料上に配置した。タンタルストリップの2つの末端は溶
融ガリウムを用いて試料ホルダー上に固定して保持し
た。
入し、ほぼ300℃の最適成長温度に再加熱し、Se保
護層をほぼ150℃で起こる脱着により除去し、第2の
成長工程において、同じTe比率を有する2.7μm厚
さのドープされていないZnSTe層をSeの脱着され
た表面の頂部上に堆積した。
あいだに第2の層がその上で成長しないように第1の成
長したドープされた表面層を保護する役割をする。それ
ゆえ、成長したままの試料を成長チャンバーから取出す
ことができ、タンタルストリップを第1ZnSTe:A
l層を露出させるために除去することができ、1対のイ
ンジウムペレットをこの層の上に半田付けすることがで
き、次いで、オーム接触を提供するようにパルス電流衝
撃に供すことができる。100Å厚さのAu層をドープ
されていないZnSTe層上に熱気化技術により堆積す
る。セルの配列が、性能測定を促進するために得られる
検出器構造上に形成され得るがしかし、実際の光検出器
構造内に与えられる必要はないであろう。
れる3×3mm2 正方形上で測定される図7の検出器構
造の光電流および光電圧応答性を示す。測定は、ソース
として150Wキセノンアークランプを用いてなされ
た。その応答は、バンドエッジのエネルギーに対応する
波長で立ち上がりを示し、より短い波長については0.
13A/Wの高さの値に達する。これはUV領域におい
て50%の高さの外部量子効率に対応し、以前の態様に
おける様に、反射による実質的な損失(ほぼ30%)が
存在するであろうから、効率は、検出器表面に反射防止
膜を適用することにより更に増加し得る。460nmよ
り長い波長については、感度は、320nmのピークか
ら3桁減少し、それは、この態様の光検出器構造が特に
良好な可視−ブラインド特性を有することを示す。
密度フィルターを用いて320nmのピーク応答波長に
おける発生電力の関数としての光電流および光電圧を示
す。光電流は、増加する発生電力とともに4桁の強度増
加を超える良好な直線性を維持することが見て取られ得
る。対照的に、光電圧は、約1.7Vで予測された飽和
電圧を示す。
ついて決定され得る。図10は、400×400μm2
セルの1つの時間の関数としての応答を示す。このこと
から、応答時間は、GaN材料の従来の光検出器につい
てマイクロ秒台の既知の応答時間ときわめて好対照であ
るナノ秒台であることが理解され得る。
性層がZnSを含む、すなわちTe含有量が0%である
(x=0)もう1つの可能な態様を例示する。図11か
ら理解され得る様に、純粋なZnSの活性層を有するこ
とはより鋭い応答を提供する。
あり、それは図7の態様と同じ一般的構造を有するがし
かし、ここでは、活性層はZnSSe合金の層を含む。
図7の態様における様に、構造は、分離したエフュージ
ョンセルにおいて含まれるZnSおよびZnSe化合物
源を用いて分子ビームエピタキシーシステムにおいてG
aP(100)基板上に成長される。Alを含む第3の
エフュージョンセルがドーピング剤源として用いられ
る。図7の態様における様に、2工程MBE成長アプロ
ーチが、まず、GaP基板上にx=0.10の0.73
μm厚さのZnS 1-x Sex :Al層を成長させるため
に用いられる。この層のドーピング濃度は2.7×10
19cm-3のキャリア濃度を与えるようなものである。図
7の態様における様に、タンタルストリップを第1の層
の表面の一部に与え、次いで、x=0.10を有するZ
nS1-x Sex の第2層を、1.43μmの厚さに第1
層上に成長させる。タンタルストリップを除去し、イン
ジウムオーム接触を第1層の上側表面上に形成する。以
前の態様における様に、3×3mm2 および400×4
00μm2 の試験面積が試験目的のために検出器の上側
表面上に規定される。ZnSSeについては、可視光−
UV境界についてのバンドギャップエネルギーに対応す
るSeの組成は50%であるので、可視−ブラインド用
途については、0≦x≦0.5である。
答性を示す。結果は、ほぼ350nmで鋭いカットオフ
値を有する良好な可視−ブラインド応答を示す。図14
は、ピーク反応波長(340nm)における発生電力の
関数として測定される光電流および光電圧を示す。光電
流は、増加する発生電力とともに増加する6桁分の強度
を超える良好な直線性を維持することが理解され得る。
対照的に、光電圧は約1.1Vで予測された飽和を示
す。
る。しかしながら、いくつかの状況においてはこのこと
は理想的ではないであろう。と言うのは、Au第1電極
は高ドースのUV照射への長時間の暴露に耐え得ないか
らである。Au層の高ドースUV暴露は、活性材料への
Auの劣悪な接着の結果としてAuの集塊化を引き起こ
し得る。この問題を克服するために、CrまたはTiの
薄層が、良好な接着特性を有するので、まず堆積され得
る。次いで、Au第1電極が、CrまたはTi層上に堆
積され得る。第1電極としてのAu/TiおよびAu/
Crの組合わせがUVの強い付与の下で試験され、いか
なる劣化も観察されなかった。図15は、第1電極とし
てのAu/Cr(50Å/50Å)を用いるデバイスの
光応答曲線である。
ンド特性、高い量子効率および高速な応答時間を有する
新規な光ダイオード系UV光検出器構造を提供し、それ
は現存する集積回路技術に容易に組み込まれ得ることが
理解されるであろう。
面図である。
生波長の関数としての図1の態様の光電圧応答を示す図
である。
関数としての図1の態様の光電圧応答を示す図である。
断面図である。
の光電圧応答を示す図である。
の量子効率を示す図である。
図である。
光電流および光電圧応答性を示す図である。
発生電力の関数としての光電流および光電圧を示す図で
ある。
である。
活性層を有する検出器の応答を比較するプロット図であ
る。
視図である。
電流応答のプロット図である。
の発生電力に対する光電流および光電圧のプロット図で
ある。
答曲線のプロット図である。
Claims (30)
- 【請求項1】 UV応答活性材料としてZnS1-x Te
x 合金を含むUV検出器。 - 【請求項2】 式中0≦x≦0.1である請求項1記載
の検出器。 - 【請求項3】 前記活性材料がn+ 型GaAs、Siま
たはGaPの基板上に形成される層である請求項1また
は2記載の検出器。 - 【請求項4】 前記活性材料がn型のドープされたZn
STe:Alである請求項1ないし3のいずれか1項記
載の検出器 - 【請求項5】 前記活性材料が真性ZnSTeである請
求項1ないし3のいずれか1項記載の検出器。 - 【請求項6】 前記検出器が、(a)n+ 型Si、Ga
AsまたはGaPの基板層、(b)前記基板層の第1の
上側表面上に形成されたドープされているかまたはドー
プされていないZnS1-x Tex の活性層、(c)第1
電極として前記活性層の表面上に形成された第1の導電
材料の層、および(d)オーム接触として前記基板の第
2の下側表面上に形成された第2の導電材料を含むショ
ットキーバリア構造である請求項1記載の検出器。 - 【請求項7】 前記基板がn+ −GaAsで形成され、
前記第1電極がAuで形成される請求項6記載の検出
器。 - 【請求項8】 前記基板がn+ −GaAsで形成され、
前記第1電極がAu/Crで形成される請求項6記載の
検出器。 - 【請求項9】 前記基板がn+ −GaAsで形成され、
前記第1電極がAu/Tiで形成される請求項6記載の
検出器。 - 【請求項10】 前記検出器が反射防止膜を備える請求
項6ないし9のいずれか1項記載の検出器。 - 【請求項11】 前記検出器が、(a)GaAs、Si
またはGaPの基板層、(b)前記基板層の第1の上側
表面上に形成された、AlのドープされたZnS 1-x T
ex の第1層、(c)前記第1層の表面上に形成され、
露出した前記第1層の一部を残すように前記第1層を部
分的に覆うZnS1-x Tex の第2活性層、(d)第1
電極を形成するように前記第2活性層の表面上に形成さ
れる第1導電材料の層、および(e)前記第1層の表面
の前記暴露された部分上に形成されるオーム接触を含む
ショットキーバリア構造である請求項1記載の検出器。 - 【請求項12】 前記第1層はドープされたn+ −Zn
STeの層であり、前記第2活性層は真性ZnSTeの
層である請求項11記載の検出器。 - 【請求項13】 前記基板がGaPで形成され、x=
0.06である請求項11または12記載の検出器。 - 【請求項14】 前記基板がSiで形成され、x=0.
03である請求項11または12記載の検出器。 - 【請求項15】 前記検出器が反射防止膜を備える請求
項11ないし14のいずれか1項記載の検出器。 - 【請求項16】 前記第1導電材料がAuであり、前記
オーム接触がInで形成される請求項11ないし15の
いずれか1項記載の検出器。 - 【請求項17】 前記第1導電材料がAu/Crであ
り、前記オーム接触がInで形成される請求項11ない
し15のいずれか1項記載の検出器。 - 【請求項18】 前記第1導電材料がAu/Tiであ
り、前記オーム接触がInで形成される請求項11ない
し15のいずれか1項記載の検出器。 - 【請求項19】 (a)GaAs、SiまたはGaPの
基板の第1上方表面上に分子ビームエピタキシーにより
AlのドープされたZnS1-x Tex の第1層を堆積さ
せる工程、(b)前記第1層の表面上に分子ビームエピ
タキシーによりZnS1-x Tex の第2活性層を堆積さ
せる工程、(c)前記第1層の一部を露出させるために
化学的エッチングにより前記第2活性層の一部を除去す
る工程、(d)第1電極として前記第2活性層上に第1
導電材料を堆積させる工程、および(e)前記第1層の
前記露出された部分上にオーム接触を形成する工程を含
むUV検出器を形成する方法。 - 【請求項20】 (a)GaAs、SiまたはGaPの
基板の第1の上側表面上に分子ビームエピタキシーによ
りAlのドーピングされたZnS1-x Texの第1層を
堆積させる工程、(b)表面の前記部分を覆うように保
護材料を前記第1層の表面の一部に適用する工程、
(c)前記保護材料により覆われない前記第1層の表面
上に分子ビームエピタキシーによりZnS1-x Tex の
第2活性層を堆積させる工程、(d)第1電極として前
記第2活性層上に第1導電材料を堆積させる工程、およ
び(e)前記第1層の前記露出された部分上にオーム接
触を形成する工程を含むUV検出器を製造する方法。 - 【請求項21】 前記基板がSiまたはGaPである請
求項19または20記載のUV検出器を製造する方法。 - 【請求項22】 前記第1導電材料がAuであり、前記
オーム接触がInで形成される請求項19または20記
載のUV検出器を製造する方法。 - 【請求項23】 前記第1導電材料がAu/Crであ
り、前記オーム接触がInで形成される請求項19また
は20記載のUV検出器を製造する方法。 - 【請求項24】 前記第1導電材料がAu/Tiであ
り、前記オーム接触がInで形成される請求項19また
は20記載のUV検出器を製造する方法。 - 【請求項25】 UV反応活性材料としてZnS1-x S
ex 合金を含むUV検出器。 - 【請求項26】 前記検出器が(a)GaAs、Siま
たはGaPの基板層、(b)前記基板層の第1上方表面
上に形成された、AlがドープされたZnS1- x Sex
の第1層、(c)前記第1層の表面上に形成され、露出
された前記第1層の一部を残すように前記第1層を部分
的に覆うZnS1-x Sex の第2活性層、(d)第1電
極を形成するように前記第2活性層の表面上に形成され
た第1導電材料の層、および(e)前記第1層の表面の
前記露出されていない部分上に形成されたオーム接触を
含むショットキーバリア構造である請求項25記載の検
出器。 - 【請求項27】 0≦x≦0.5である請求項25また
は26記載のUV検出器。 - 【請求項28】 x=0.10である請求項27記載の
UV検出器。 - 【請求項29】 (a)GaAs、SiまたはGaPの
基板の第1の上側表面上に分子ビームエピタキシーによ
りAlのドープされたZnS1-x Sex の第1層を堆積
させる工程、(b)前記第1層の表面上に分子ビームエ
ピタキシーによりZnS1-x Sex の第2活性層を堆積
させる工程、(c)前記第1層の一部を露出するために
化学的エッチングにより前記第2活性層の一部を除去す
る工程、(d)第1電極として前記第2活性層上に第1
導電材料を堆積させる工程、(e)前記第1層の前記露
出された部分上にオーム接触を形成する工程を含むUV
検出器を形成する方法。 - 【請求項30】 (a)GaAs、SiまたはGaPの
基板の第1の上側表面上に分子ビームエピタキシーによ
りAlのドーピングされたZnS1-x Sexの第1層を
堆積させる工程、(b)表面の前記部分を覆うために保
護材料を前記第1層の表面の一部に適用する工程、
(c)前記保護材料により覆われない前記第1層の表面
上に分子ビームエピタキシーによりZnS1-x Sex の
第2活性層を堆積させる工程、(d)第1電極として前
記第2活性層上に第1導電材料を堆積させる工程、およ
び(e)前記第1層の前記露出された部分上にオーム接
触を形成する工程を含むUV検出器を形成する方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20091009 |