JP2000195013A - Fabrication method of thin film magnetic head - Google Patents

Fabrication method of thin film magnetic head

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JP2000195013A
JP2000195013A JP10377562A JP37756298A JP2000195013A JP 2000195013 A JP2000195013 A JP 2000195013A JP 10377562 A JP10377562 A JP 10377562A JP 37756298 A JP37756298 A JP 37756298A JP 2000195013 A JP2000195013 A JP 2000195013A
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Japan
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layer
magnetic pole
magnetic
insulating layer
film
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JP10377562A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
Atsushi Iijima
淳 飯島
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TDK Corp
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TDK Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily fabricate a structure with a magnetic pole portion and an insulating layer provided adjacent to each other, and capable of precisely defining a throat height of a recording head. SOLUTION: An insulating layer 20a is formed on a lower magnetic pole layer 18 so as to have an opening at a position corresponding to a tip portion of a lower magnetic pole (a lower pole tip). The insulating layer 20a is formed by an insulating material, e.g. alumina, by, for example, a sputtering method or a CVD method. A magnetic layer 19 is formed on the insulating layer 20a and the lower magnetic pole layer 18. The magnetic layer 19 is then planarized by CMP(Chemical and Mechanical Polishing) to expose a surface of the insulating layer 20a. Thus, the tip portion of the lower magnetic pole (the lower pole tip) adjacent to the insulating layer 20a is formed on the lower magnetic pole layer 18.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a thin film magnetic head having at least an inductive magnetic transducer for writing.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗(以下、MR(Magneto Resistive )と記す。)素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。MR素子としては、異方
性磁気抵抗(以下、AMR(Anisotropic Magneto Resi
stive )と記す。)効果を有する膜を用いたAMR素子
と、巨大磁気抵抗(以下、GMR(Giant Magneto Resi
stive )と記す。)効果を有する膜を用いたGMR素子
とがあり、AMR素子を用いた再生ヘッドはAMRヘッ
ドあるいは単にMRヘッドと呼ばれ、GMR素子を用い
た再生ヘッドはGMRヘッドと呼ばれる。AMRヘッド
は、面記録密度が1ギガビット/(インチ)2 を超える
再生ヘッドとして利用され、GMRヘッドは、面記録密
度が3ギガビット/(インチ)2 を超える再生ヘッドと
して利用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the areal recording density of a hard disk drive has been improved, the performance of a thin film magnetic head has been required to be improved. As the thin film magnetic head, a composite thin film having a structure in which a recording head having an inductive magnetic transducer for writing and a reproducing head having a magnetoresistive (MR) element for reading is stacked. Magnetic heads are widely used. As an MR element, an anisotropic magnetoresistance (hereinafter, AMR) is used.
stive). AMR element using a film having an effect) and a giant magnetoresistance (hereinafter referred to as GMR (Giant Magneto Resi
stive). There is a GMR element using a film having an effect. A reproducing head using an AMR element is called an AMR head or simply an MR head, and a reproducing head using a GMR element is called a GMR head. The AMR head is used as a reproducing head having a surface recording density exceeding 1 gigabit / (inch) 2 , and the GMR head is used as a reproducing head having a surface recording density exceeding 3 gigabit / (inch) 2 .

【0003】一般的に、AMR膜は、MR効果を示す磁
性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに
対して、多くのGMR膜は、複数の膜を組み合わせた多
層構造になっている。GMR効果が発生するメカニズム
にはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってG
MR膜の層構造が変わる。GMR膜としては、超格子G
MR膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されて
いるが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗
変化を示し、量産を前提とするGMR膜としては、スピ
ンバルブ膜が有力である。
Generally, an AMR film is a single layer structure made of a magnetic material exhibiting the MR effect. On the other hand, many GMR films have a multilayer structure in which a plurality of films are combined. There are several types of mechanisms by which the GMR effect occurs.
The layer structure of the MR film changes. As a GMR film, a superlattice G
Although an MR film, a spin valve film, a granular film, and the like have been proposed, the spin valve film is promising as a GMR film that is relatively simple in structure, exhibits a large resistance change even with a weak magnetic field, and is premised on mass production. .

【0004】再生ヘッドの性能を決定する要因として
は、パターン幅、特に、MRハイトがある。MRハイト
は、MR素子のエアベアリング面側の端部から反対側の
端部までの長さ(高さ)をいう。このMRハイトは、本
来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御
される。なお、ここにいうエアベアリング面(ABS)
は、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向する面であ
り、トラック面ともいう。
Factors that determine the performance of the reproducing head include the pattern width, particularly the MR height. The MR height refers to the length (height) from the end on the air bearing surface side of the MR element to the end on the opposite side. The MR height is originally controlled by the polishing amount at the time of processing the air bearing surface. The air bearing surface (ABS) mentioned here
Is a surface of the thin-film magnetic head facing the magnetic recording medium, and is also called a track surface.

【0005】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記
録ギャップ(write gap)を挟んでその上下に形成された
下部磁極(ボトムポール)および上部磁極(トップポー
ル)のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミ
クロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッ
ドを実現する必要があり、そのため半導体加工技術が利
用されている。
On the other hand, as the performance of the reproducing head is improved, the performance of the recording head is also required to be improved. To increase the recording density of the performance of the recording head, it is necessary to increase the track density in the magnetic recording medium. For this purpose, the width of the lower magnetic pole (bottom pole) and the upper magnetic pole (top pole) formed above and below the write gap (write gap) on the air bearing surface is reduced from several microns to submicron order. It is necessary to realize a recording head having a track structure, and therefore, a semiconductor processing technique is used.

【0006】記録ヘッドの性能を決定するその他の要因
としては、スロートハイト(ThroatHeight:TH) があ
る。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイ
ルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分(磁極
部分)の長さ(高さ)をいう。記録ヘッドの性能向上の
ためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。こ
のスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御される。
Another factor that determines the performance of the recording head is the throat height (TH). The throat height refers to the length (height) of a portion (magnetic pole portion) from the air bearing surface to the edge of the insulating layer that electrically separates the thin-film coil. In order to improve the performance of the recording head, it is desired to reduce the throat height. This throat height is also controlled by the amount of polishing when processing the air bearing surface.

【0007】薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、
上述のような記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。
In order to improve the performance of a thin film magnetic head,
It is important to form the above-described recording head and reproducing head in a well-balanced manner.

【0008】ここで、図16(a),(b)乃至図21
(a),(b)を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの一
例として複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明
する。
Here, FIGS. 16 (a), (b) through 21
With reference to (a) and (b), an example of a method of manufacturing a composite thin film magnetic head will be described as an example of a conventional thin film magnetic head.

【0009】まず、図16に示したように、例えばアル
ティック(Al2 3 ・TiC)よりなる基板101上
に、例えばアルミナ(酸化アルミニウム,Al2 3
よりなる絶縁層102を、約5〜10μm程度の厚みで
形成する。続いて、絶縁層102上に例えばパーマロイ
(NiFe)からなる再生ヘッド用の下部シールド層1
03を形成する。
First, as shown in FIG. 16, for example, alumina (aluminum oxide, Al 2 O 3 ) is formed on a substrate 101 made of, for example, Altic (Al 2 O 3 .TiC).
The insulating layer 102 is formed with a thickness of about 5 to 10 μm. Subsequently, a lower shield layer 1 for a reproducing head made of, for example, permalloy (NiFe) is formed on the insulating layer 102.
03 is formed.

【0010】次に、図17に示したように、下部シール
ド層103上に、例えばアルミナを100〜200nm
の厚みで堆積し、シールドギャップ膜104を形成す
る。次に、シールドギャップ膜104上に、再生用のM
R素子を構成するためのMR膜105を数十nmの厚み
に形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状と
する。続いて、このMR膜105に対するリード端子層
106をリフトオフ法により形成する。次いで、シール
ドギャップ膜104、MR膜105およびリード端子層
106上に、シールドギャップ膜107を形成し、MR
膜105およびリード端子層106をシールドギャップ
膜104,107内に埋設する。続いて、シールドギャ
ップ膜107上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いる磁気材料、例えばパーマロイ(NiFe)からなる
膜厚3μmの上部シールド兼下部磁極(以下,下部磁極
と記す。)108を形成する。
Next, as shown in FIG. 17, for example, alumina is coated on the lower shield layer 103 by 100 to 200 nm.
And a shield gap film 104 is formed. Next, on the shield gap film 104, M
An MR film 105 for forming an R element is formed with a thickness of several tens of nm, and is formed into a desired shape by high-precision photolithography. Subsequently, a lead terminal layer 106 for the MR film 105 is formed by a lift-off method. Next, a shield gap film 107 is formed on the shield gap film 104, the MR film 105, and the lead terminal layer 106,
The film 105 and the lead terminal layer 106 are embedded in the shield gap films 104 and 107. Subsequently, on the shield gap film 107, a magnetic material used for both the read head and the write head, for example, an upper shield / lower magnetic pole (hereinafter, referred to as a lower magnetic pole) 108 having a thickness of 3 μm made of permalloy (NiFe) is formed. I do.

【0011】次に、図18に示したように、下部磁極1
08上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚200
nmの記録ギャップ層109を形成する。更に、この記
録ギャップ層109をフォトリソグラフィによりパター
ニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口109
aを形成する。続いて、めっき法によりパーマロイ(N
iFe)や窒化鉄(FeN)からなる磁気材料により磁
極先端部(ポールチップ)110を形成すると共に、上
部磁極と下部磁極との接続部パターン110aを形成す
る。この接続部パターン110aにより下部磁極108
と後述の上部磁極層116とが接続され、後述のCMP
(Chemical and Mechanical Polishing: 化学的機械研
磨)工程後の開口(スルーホール)の形成が容易にな
る。
Next, as shown in FIG.
08, an insulating layer such as an alumina film having a thickness of 200
A recording gap layer 109 of nm is formed. Further, the recording gap layer 109 is patterned by photolithography, and an opening 109 for connecting the upper magnetic pole and the lower magnetic pole is formed.
a is formed. Then, the permalloy (N
A magnetic pole tip (pole tip) 110 is formed of a magnetic material such as iFe) or iron nitride (FeN), and a connection pattern 110a between the upper magnetic pole and the lower magnetic pole is formed. The lower magnetic pole 108 is formed by the connection pattern 110a.
Is connected to an upper magnetic pole layer 116 to be described later.
(Chemical and Mechanical Polishing) It becomes easy to form an opening (through hole) after the step.

【0012】次に、図19に示したように、磁極先端部
110をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャ
ップ層109と下部磁極108とを約0.3〜0.5μ
m程度エッチングする。下部磁極108までエッチング
してトリム構造とすることにより、実効書き込みトラッ
ク幅の広がりが防止される(すなわち、データの書き込
み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制さ
れる)。続いて、全面に、膜厚約3μmの例えばアルミ
ナからなる絶縁層111を形成した後、全面をCMPに
より平坦化する。
Next, as shown in FIG. 19, the recording gap layer 109 and the lower magnetic pole 108 are separated by about 0.3 to 0.5 μm by ion milling using the magnetic pole tip 110 as a mask.
Etch about m. By etching the lower magnetic pole 108 to form a trim structure, the spread of the effective write track width is prevented (that is, the spread of the magnetic flux in the lower magnetic pole during data writing is suppressed). Subsequently, an insulating layer 111 made of, for example, alumina having a thickness of about 3 μm is formed on the entire surface, and the entire surface is flattened by CMP.

【0013】次に、図20に示したように、絶縁層11
1上に、例えばめっき法により、例えば銅(Cu)より
なる誘導型の記録ヘッド用の第1層目の薄膜コイル11
2を選択的に形成し、更に、絶縁層111および薄膜コ
イル112上に、フォトレジスト膜113を高精度のフ
ォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。続い
て、フォトレジスト膜113の平坦化および薄膜コイル
112間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。更
に、同様に、フォトレジスト膜113上に、第2層目の
薄膜コイル114およびフォトレジスト膜115を形成
し、フォトレジスト膜115の平坦化および薄膜コイル
114間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。
Next, as shown in FIG.
1, a first-layer thin-film coil 11 for an inductive recording head made of, for example, copper (Cu) by plating, for example.
2 is formed selectively, and a photoresist film 113 is formed in a predetermined pattern on the insulating layer 111 and the thin film coil 112 by high-precision photolithography. Subsequently, heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the photoresist film 113 and to insulate the thin film coil 112 from each other. Further, similarly, a second-layer thin-film coil 114 and a photoresist film 115 are formed on the photoresist film 113, and a predetermined temperature is set for flattening the photoresist film 115 and insulating between the thin-film coils 114. Heat treatment.

【0014】次に、図21に示したように、磁極先端部
110、フォトレジスト膜113,115上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極層(以下、上部磁極層と記す。)116を
形成する。この上部磁極層116は、薄膜コイル11
2,114よりも後方の位置において、下部磁極108
と接触し、磁気的に連結される。続いて、上部磁極層1
16上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層1
17を形成する。最後に、スライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面(エアベ
アリング面)118を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成
する。この図21において、THはスロートハイトを表
し、MR−HはMRハイトをそれぞれ表している。ま
た、P2Wはトラック(磁極)幅を表している。
Next, as shown in FIG. 21, an upper yoke / upper magnetic pole layer (hereinafter referred to as an upper magnetic pole) made of a magnetic material for a recording head, for example, permalloy, is formed on the magnetic pole tip 110 and the photoresist films 113 and 115. A layer 116 is formed. The upper magnetic pole layer 116 is
2, 114, the lower magnetic pole 108
And is magnetically coupled. Subsequently, the upper magnetic pole layer 1
On the overcoat layer 1 made of, for example, alumina
17 is formed. Finally, the slider is machined to form track surfaces (air bearing surfaces) 118 of the recording head and the reproducing head, thereby completing the thin-film magnetic head. In FIG. 21, TH represents the throat height, and MR-H represents the MR height. P2W represents the track (magnetic pole) width.

【0015】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトTHやMRハイトMR−H等の他
に、図21においてθで示したようなエイペックスアン
グル(Apex Angle)がある。このエイペックスアングル
は、フォトレジスト膜113,115のトラック面側の
側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層116の上面とのな
す角度をいう。
In addition to the throat height TH and MR height MR-H, factors that determine the performance of the thin-film magnetic head include an Apex Angle as indicated by θ in FIG. The apex angle refers to an angle between a straight line connecting the corners of the side surfaces on the track surface side of the photoresist films 113 and 115 and the upper surface of the upper magnetic pole layer 116.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図21に示したようなスロートハイ
トTH、MRハイトMR−H、エイペックスアングルθ
およびトラック幅P2Wを正確に形成することが重要で
ある。
In order to improve the performance of the thin-film magnetic head, the throat height TH, MR height MR-H, apex angle θ as shown in FIG.
It is important to accurately form the track width P2W.

【0017】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、トラック幅P2Wには、1.0μm以下のサ
ブミクロン寸法が要求されている。そのために、半導体
加工技術を利用して上部磁極をサブミクロンに加工する
技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴っ
て、磁極には、より高い飽和磁束密度を持った磁性材料
の使用が望まれている。
In particular, in recent years, in order to enable high areal density recording, that is, to form a recording head having a narrow track structure, the track width P2W is required to have a submicron size of 1.0 μm or less. I have. For that purpose, a technology for processing the upper magnetic pole to submicron using semiconductor processing technology is required. Further, with the narrow track structure, it is desired to use a magnetic material having a higher saturation magnetic flux density for the magnetic pole.

【0018】ここで、問題となるのは、フォトレジスト
膜(例えば、図21のフォトレジスト膜113,11
5)で覆われて山状に盛り上がったコイル部分(エイペ
ックス部)の上に形成される上部磁極層(トップポー
ル)116を微細に形成することが困難であることであ
る。
The problem here is that the photoresist film (for example, the photoresist films 113 and 11 shown in FIG.
It is difficult to finely form an upper magnetic pole layer (top pole) 116 formed on a coil portion (apex portion) covered with 5) and raised in a mountain shape.

【0019】上部磁極を形成する方法としては、例えば
特開平7−262519号公報に示されるように、フレ
ームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて
上部磁極を形成する場合は、まず、エイペックス部の上
に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形
成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィによりパターニングして、めっきのため
のフレーム(外枠)を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極を
形成する。
As a method of forming the upper magnetic pole, for example, a frame plating method is used as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-262519. When the upper magnetic pole is formed by using the frame plating method, first, a thin electrode film made of, for example, permalloy is entirely formed on the apex portion. Next, a photoresist is applied thereon and patterned by photolithography to form a frame (outer frame) for plating. Then, the upper magnetic pole is formed by plating using the electrode film formed earlier as a seed layer.

【0020】ところで、上述のエイペックス部では、例
えば7〜10μm以上の高低差がある。このエイペック
ス部上に形成されるフォトレジストの膜厚が最低3μm
以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジスト
は低い方に集まることから、エイペックス部の下方で
は、例えば8〜10μm以上の厚みのフォトレジスト膜
が形成されることとなる。前述のように狭トラックを形
成するためには、フォトレジスト膜によってサブミクロ
ン幅のパターンを形成する必要がある。従って、8〜1
0μm以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サ
ブミクロン幅の微細なパターンを形成する必要が生じる
が、これは極めて困難であった。
The above-mentioned apex portion has a height difference of, for example, 7 to 10 μm or more. The thickness of the photoresist formed on the apex portion is at least 3 μm.
If it is necessary, the photoresist having fluidity is collected on the lower side, so that a photoresist film having a thickness of, for example, 8 to 10 μm or more is formed below the apex portion. As described above, in order to form a narrow track, it is necessary to form a submicron-width pattern using a photoresist film. Therefore, 8 to 1
It is necessary to form a submicron-width fine pattern using a photoresist film having a thickness of 0 μm or more, but this has been extremely difficult.

【0021】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射
し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、
フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従
来は、トラックP2Wを正確に制御して、狭トラック構
造とするための上部磁極を精度よく形成することが極め
て困難であった。
Furthermore, at the time of photolithographic exposure,
Exposure light is reflected by, for example, an electrode film made of permalloy, and the photoresist is also exposed by the reflected light,
Deformation of the photoresist pattern occurs. As a result, the upper magnetic pole cannot be formed in a desired shape, for example, the side wall of the upper magnetic pole has a rounded shape. As described above, conventionally, it has been extremely difficult to accurately control the track P2W and accurately form the upper magnetic pole for the narrow track structure.

【0022】このようなことから、上述の従来例の図1
8〜図21の工程でも示したように、記録ヘッドの狭ト
ラックの形成に有効な磁極先端部110で1.0μm以
下のトラック幅を形成した後、この磁極先端部110と
ヨーク部を兼ねる上部磁極層116とを接続させる方
法、すなわち、通常の上部磁極を、トラック幅を決定す
る磁極先端部110と、磁束を誘導するためのヨーク部
となる上部磁極層116との2つに分割する方法が採用
されている(特開昭62−245509,特開昭60−
10409号公報参照)。このように上部磁極を2分割
することにより、一方の磁極先端部110を記録ギャッ
プ層109の平坦面上においてサブミクロン幅に微細に
加工することが可能になる。
In view of the above, FIG.
As shown in the steps of FIGS. 8 to 21, after forming a track width of 1.0 μm or less at the magnetic pole tip 110 effective for forming a narrow track of the recording head, the upper portion which also serves as the yoke portion and this magnetic pole tip 110. A method of connecting the magnetic pole layer 116, that is, a method of dividing a normal upper magnetic pole into two parts: a magnetic pole tip 110 that determines a track width and an upper magnetic pole layer 116 that serves as a yoke for inducing magnetic flux. (Japanese Patent Laid-Open Nos. 62-245509 and 60-245).
No. 10409). By dividing the upper magnetic pole into two in this way, it becomes possible to finely process one magnetic pole tip 110 into a submicron width on the flat surface of the recording gap layer 109.

【0023】しかしながら、この薄膜磁気ヘッドにおい
ては、依然、以下のような問題があった。
However, this thin-film magnetic head still has the following problems.

【0024】(1)まず、従来の磁気ヘッドでは、磁極
先端部110のトラック面118から遠い側の端部にお
いてスロートハイトを決定している。しかし、この磁極
先端部110の幅が狭くなると、フォトリソグラフィー
においてパターンエッジが丸みを帯びて形成される。そ
のため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不
均一となり、トラック面の加工,研磨工程において、磁
気抵抗効果素子のトラック幅との間のバランスに欠ける
事態が発生していた。例えば、トラック幅として、0.
5〜0.6μm必要なときに、磁極先端部110のトラ
ック面118から遠い側の端部がスロートハイト零の位
置からトラック面側にずれ、大きく書き込みギャップが
開き、記録データの書き込みができなくなるという問題
がしばしば発生していた。
(1) First, in the conventional magnetic head, the throat height is determined at the end of the magnetic pole tip 110 far from the track surface 118. However, when the width of the magnetic pole tip 110 is reduced, the pattern edge is formed round in photolithography. For this reason, the throat height, which requires high-precision dimensions, becomes non-uniform, and a lack of balance with the track width of the magnetoresistive effect element occurs during the processing and polishing of the track surface. For example, if the track width is 0.
When 5 to 0.6 μm is required, the end of the magnetic pole tip 110 remote from the track surface 118 shifts from the throat height zero position to the track surface side, and a large write gap is opened, making it impossible to write recording data. The problem often occurred.

【0025】(2)次に、前述のように、従来の磁気ヘ
ッドでは、2分割された上部磁極のうちの一方の磁極先
端部110により記録ヘッドのトラック幅が規定される
ため、他方の上部磁極層116は磁極先端部110程に
は微細に加工する必要はないといえる。しかしながら、
上部磁極層116は磁極先端部110の上部にフォトリ
ソグラフィーの位置合わせにより位置が決定されるた
め、トラック面118(図21)側から見た場合、双方
が片側に大きく位置ずれすると、上部磁極層116側で
書き込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのた
め実効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおい
て、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われる、という不具合が発生する。
(2) Next, as described above, in the conventional magnetic head, the track width of the recording head is defined by the magnetic pole tip 110 of one of the two divided upper magnetic poles. It can be said that the magnetic pole layer 116 does not need to be processed as finely as the magnetic pole tip 110. However,
Since the upper magnetic pole layer 116 is positioned above the magnetic pole tip 110 by photolithographic alignment, when both are largely displaced to one side when viewed from the track surface 118 (FIG. 21) side, the upper magnetic pole layer 116 A so-called side write occurs in which writing is performed on the 116 side. As a result, the effective track width becomes wide, and a problem occurs that writing is performed in an area other than the original data recording area on the hard disk.

【0026】また、記録ヘッドのトラック幅が極微細、
特に0.5μm以下になってくると、上部磁極層116
においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。す
なわち、トラック面118(図21)側から見た場合、
磁極先端部110と上部磁極層116との横方向の寸法
差が大き過ぎると、上記と同様に、サイドライトが発生
し、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込
みが行われる、という不具合が発生する。
The track width of the recording head is extremely fine,
In particular, when the thickness becomes 0.5 μm or less, the upper magnetic pole layer 116
Also, a processing accuracy of a submicron width is required. That is, when viewed from the track surface 118 (FIG. 21) side,
If the dimensional difference in the horizontal direction between the magnetic pole tip 110 and the upper magnetic pole layer 116 is too large, as in the above case, side writing occurs, and writing is performed in an area other than the original data recording area. appear.

【0027】このようなことから、磁極先端部110だ
けでなく、上部磁極層116もサブミクロン幅に加工す
る必要があるが、上部磁極層116の下のエイペックス
部には、依然、前述のような大きな高低差があるため、
上部磁極層116の微細加工が困難であった。
For this reason, it is necessary to process not only the magnetic pole tip 110 but also the upper magnetic pole layer 116 to have a submicron width. However, the apex portion below the upper magnetic pole layer 116 still has the above-described structure. Because there is such a large height difference,
Fine processing of the upper magnetic pole layer 116 was difficult.

【0028】(3)更に、従来の磁気ヘッドでは磁路長
(Yoke Length)を短くすることが困難であるという問題
があった。すなわち、コイルピッチが狭い程、磁路長の
短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優
れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッ
チを限りなく小さくしていった場合、スロートハイト零
の位置から、コイルの外周端の距離が磁路長を妨げる大
きな要因となっていた。磁路長は、一層のコイルよりは
2層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波
用の記録ヘッドは2層コイルを採用している。しかしな
がら、従来の磁気ヘッドでは、1層目のコイルを形成し
た後、コイル間の絶縁層を形成するために、フォトレジ
スト膜を約2μmの厚さで形成している。そのため、1
層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペッ
クス部が形成される。次に、その上に2層目のコイルを
形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、
コイルのシード層のエッチングができず、コイルがショ
ートするため、2層目のコイルを形成することができな
い。そのため、2層目のコイルは平坦部に形成する必要
がある。コイルの厚みが2〜3μmで、更にコイル間絶
縁層の厚みを2μmとすると、エイペックスの傾斜が4
5〜55度の場合、コイルの外周端からスロートハイト
の零の位置近傍まで4〜5μmの距離の2倍(上部磁極
と下部磁極とのコンタクト部からコイル外周端までの距
離も4〜5μm必要)の8〜10μmが必要であり、こ
れが磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。例えばラ
イン/スペースが1.0μm/1.0μmの11巻コイ
ルを2層で形成する場合、1層目を6巻、2層目を5巻
とすると、磁路長のコイルを占める部分の長さは11μ
mである。ここで、上記コイル外周端のエイペックス部
に8〜10μmが必要なことから、19〜21μm以下
の磁路長の縮小は不可能で、これが高周波特性の改善を
妨げていた。
(3) Further, there is a problem that it is difficult to shorten the magnetic path length (Yoke Length) in the conventional magnetic head. That is, as the coil pitch is narrower, a head with a shorter magnetic path length can be realized, and a recording head having particularly excellent high-frequency characteristics can be formed. The distance from the position where the height is zero to the outer peripheral end of the coil is a major factor that hinders the magnetic path length. Since the magnetic path length of a two-layer coil can be shorter than that of a single-layer coil, many high-frequency recording heads employ a two-layer coil. However, in a conventional magnetic head, a photoresist film is formed with a thickness of about 2 μm in order to form an insulating layer between the coils after the first-layer coil is formed. Therefore, 1
A small rounded apex portion is formed at the outer peripheral end of the coil of the layer. Next, a second-layer coil is formed thereon. At this time, in the inclined portion of the apex portion,
Since the seed layer of the coil cannot be etched and the coil is short-circuited, a second-layer coil cannot be formed. Therefore, the coil of the second layer needs to be formed on a flat portion. If the thickness of the coil is 2 to 3 μm and the thickness of the inter-coil insulating layer is 2 μm, the slope of the apex is 4 μm.
In the case of 5 to 55 degrees, the distance from the outer peripheral end of the coil to the vicinity of the zero position of the throat height is twice the distance of 4 to 5 μm (the distance from the contact between the upper magnetic pole and the lower magnetic pole to the outer peripheral end of the coil is also 4 to 5 μm. ) Of 8 to 10 μm is required, which is a factor that hinders the reduction of the magnetic path length. For example, when an 11-turn coil having a line / space of 1.0 μm / 1.0 μm is formed by two layers, if the first layer has six turns and the second layer has five turns, the length of the portion occupying the coil having the magnetic path length is set 11μ
m. Here, since the apex portion at the outer peripheral end of the coil needs 8 to 10 μm, it is impossible to reduce the magnetic path length to 19 to 21 μm or less, which has hindered the improvement of the high frequency characteristics.

【0029】このようなことから本出願人と同一出願人
は、先に、記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な
制御、また、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブ
ミクロン幅の極微細加工が可能であり、更には、記録ヘ
ッドにおける磁路長の縮小が可能な薄膜磁気ヘッドを提
案した(特願平10−243942号明細書)。その内
容は、上部磁極だけでなく、下部磁極も、平坦な下部磁
極層(下部ポール)と、下部磁極先端部(下部ポールチ
ップ)とに分割し、下部磁極先端部を下部磁極層に対し
て突状に形成し、無機系材料により形成された絶縁層を
下部磁極先端部に隣接して形成するものである。この薄
膜ヘッドによれば、下部磁極先端部の記録媒体に対向す
る面からの奥行き方向への長さを、記録ヘッドのスロー
トハイトの長さに等しくすることにより、スロートハイ
トを正確に規定することが可能になる。
From the above, the same applicant as the present applicant has first described the precise control of the throat height in the recording head and the ultra-fine processing of the sub-micron width of the upper magnetic pole layer as well as the magnetic pole tip. And a thin-film magnetic head capable of reducing the magnetic path length of the recording head has been proposed (Japanese Patent Application No. 10-243942). The content is divided not only into the upper magnetic pole but also the lower magnetic pole into a flat lower magnetic pole layer (lower pole) and a lower magnetic pole tip (lower pole tip). An insulating layer formed in a projecting shape and made of an inorganic material is formed adjacent to the tip of the lower magnetic pole. According to this thin film head, the throat height can be accurately defined by making the length of the tip of the lower magnetic pole in the depth direction from the surface facing the recording medium equal to the length of the throat height of the recording head. Becomes possible.

【0030】本発明は、先に提案したこの薄膜磁気ヘッ
ドの製造に好適な方法、すなわち、磁極部分と絶縁層と
が互いに隣接し、記録ヘッドのスロートハイトを正確に
規定できる構造を、容易に作製することができる薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
The present invention provides a method suitable for manufacturing the thin-film magnetic head proposed earlier, that is, a structure in which the magnetic pole portion and the insulating layer are adjacent to each other and can accurately define the throat height of the recording head. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a thin film magnetic head that can be manufactured.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する2つの
磁極部分を含む少なくとも2つの磁性層と、磁束発生用
の1層あるいは2層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、磁性層を平坦に形成した
後、磁性層の上に、磁極部分と逆パターンの形状を有す
る絶縁層を選択的に形成する工程と、絶縁層のパターン
を利用して、磁性層の一部領域と磁気的に結合された磁
極部分を形成する工程とを含んでいる。
According to a method of manufacturing a thin-film magnetic head of the present invention, two magnetic pole portions which are magnetically connected and have a portion facing a recording medium facing a recording gap layer are provided. A method of manufacturing a thin-film magnetic head having at least two magnetic layers including at least one magnetic layer and one or more thin-film coils for generating magnetic flux, wherein the magnetic layer is formed flat, and then a magnetic pole is formed on the magnetic layer. Selectively forming an insulating layer having a shape opposite to that of the portion, and forming a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer using the pattern of the insulating layer. In.

【0032】具体的には、磁性層の上に、磁極部分と逆
パターンの形状の絶縁層を選択的に形成し、磁性層およ
び絶縁層の上に磁性材料を堆積させた後、絶縁層と同一
面となるように平坦化することにより、磁性層の一部領
域と磁気的に結合された磁極部分を形成するものであ
る。
Specifically, an insulating layer having a pattern opposite to that of the magnetic pole portion is selectively formed on the magnetic layer, and a magnetic material is deposited on the magnetic layer and the insulating layer. By flattening them so as to be on the same plane, a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer is formed.

【0033】この薄膜磁気ヘッドの製造方法では、先に
形成した絶縁層を利用して磁性層を平坦化することによ
り、磁極部分が絶縁層に隣接して形成される。従って、
絶縁層の端面の、磁極部分の記録媒体に対向する面から
の距離(すなわち、磁極部分の記録媒体に対向する面か
らの奥行き方向への長さ)を、記録ヘッドのスロートハ
イトの長さに等しくすることにより、記録ヘッド部のス
ロートハイトが正確に規定される。
In this method of manufacturing a thin-film magnetic head, the magnetic layer is flattened using the previously formed insulating layer, so that the magnetic pole portion is formed adjacent to the insulating layer. Therefore,
The distance of the end face of the insulating layer from the surface of the magnetic pole portion facing the recording medium (that is, the length in the depth direction from the surface of the magnetic pole portion facing the recording medium) is determined by the length of the throat height of the recording head. By making them equal, the throat height of the recording head section is accurately defined.

【0034】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部が記録ギャップ層を介して対向する2つの磁極部分を
含む少なくとも2つの磁性層と、磁束発生用の1層ある
いは2層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法であって、磁性層を平坦に形成した後、磁性層
の上に第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層の
上に薄膜コイルを形成し、薄膜コイルを覆うように第2
の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層および第2の
絶縁層を、磁極部分と逆パターンの形状となるようにパ
ターニングする工程と、第1の絶縁層および第2の絶縁
層のパターンを利用して、磁性層の一部領域と磁気的に
結合された磁極部分を形成する工程とを含んでいる。
According to another method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, at least two thin film magnetic heads include at least two magnetic pole portions including two magnetic pole portions whose portions facing the recording medium face each other via the recording gap layer. A method for manufacturing a thin-film magnetic head having a magnetic layer and one or more thin-film coils for generating magnetic flux, comprising: forming a flat magnetic layer; and forming a first insulating layer on the magnetic layer. Forming a thin-film coil on the first insulating layer, and forming a second thin-film coil on the first insulating layer so as to cover the thin-film coil.
Forming the first insulating layer and the second insulating layer, and patterning the first insulating layer and the second insulating layer so as to have a shape opposite to that of the magnetic pole portion. Forming a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer using the pattern.

【0035】具体的には、第1の絶縁層および第2の絶
縁層をパターニングした後、磁性層および第2の絶縁層
の上に磁性材料を堆積し、第2の絶縁層と同一面となる
ように平坦化することにより、磁性層の一部領域と磁気
的に結合された磁極部分を形成するものである。
Specifically, after patterning the first insulating layer and the second insulating layer, a magnetic material is deposited on the magnetic layer and the second insulating layer, and the magnetic material is deposited on the same surface as the second insulating layer. By flattening as much as possible, a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer is formed.

【0036】この薄膜磁気ヘッドの製造方法において
も、先にパターニングした第1の絶縁および第2の絶縁
層を利用して磁性層を平坦化することにより、磁極部分
が絶縁層に隣接して形成される。従って、第1の絶縁層
および第2の磁性層の端面の、磁極部分の記録媒体に対
向する面からの距離(すなわち、磁極部分の記録媒体に
対向する面からの奥行き方向への長さ)を、記録ヘッド
のスロートハイトの長さに等しくすることにより、スロ
ートハイトが正確に規定される。
In this method of manufacturing a thin-film magnetic head, the magnetic layer is flattened using the first insulating and second insulating layers which have been previously patterned, so that the magnetic pole portion is formed adjacent to the insulating layer. Is done. Accordingly, the distance between the end surfaces of the first insulating layer and the second magnetic layer from the surface of the magnetic pole portion facing the recording medium (that is, the length in the depth direction from the surface of the magnetic pole portion facing the recording medium) Is made equal to the length of the throat height of the recording head, thereby accurately defining the throat height.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0038】〔第1の実施の形態〕図1(a),(b)
ないし図7(a),(b)は、それぞれ、本発明の第1
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜
磁気ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図1な
いし図7において、(a)はトラック面(ABS)に垂
直な断面を示し、(b)は磁極部分のトラック面に平行
な断面をそれぞれ示している。
[First Embodiment] FIGS. 1A and 1B
7 (a) and 7 (b) show the first embodiment of the present invention, respectively.
14A to 14C show a manufacturing process of a composite thin film magnetic head as the thin film magnetic head according to the embodiment. 1 to 7, (a) shows a cross section perpendicular to the track surface (ABS), and (b) shows a cross section of the magnetic pole portion parallel to the track surface.

【0039】本実施の形態では、まず、図1に示したよ
うに、例えばアルティック(Al23 ・TiC)から
なる基板11上に、例えばスパッタ法により例えばアル
ミナ(Al2 3 )よりなる絶縁層12を、約3〜5μ
m程度の厚みで形成する。次に、絶縁層12上に、フォ
トレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロ
イ(NiFe)を約3μmの厚みで選択的に形成して、
再生ヘッド用の下部シールド層13を形成する。続い
て、例えばスパッタまたはCVD(Chemical Vapor Dep
osition )法により約4〜6μmの厚さのアルミナ膜
(図示せず)を形成し、CMPによって平坦化する。
In this embodiment, first, as shown in FIG. 1, a substrate 11 made of, for example, AlTiC (Al 2 O 3 .TiC) is formed on a substrate 11 by, for example, sputtering (eg, alumina (Al 2 O 3 )). Insulating layer 12 of about 3 to 5 μm.
It is formed with a thickness of about m. Next, using a photoresist film as a mask, permalloy (NiFe) is selectively formed to a thickness of about 3 μm on the insulating layer 12 by plating.
A lower shield layer 13 for a reproducing head is formed. Subsequently, for example, sputtering or CVD (Chemical Vapor Dep.
An alumina film (not shown) having a thickness of about 4 to 6 μm is formed by an osition method, and planarized by CMP.

【0040】次に、図2に示したように、下部シールド
層13上に、例えばアルミナを100〜200nmの厚
みでスパッタ法により堆積し、シールドギャップ層14
を形成する。続いて、シールドギャップ層14上に、再
生用のGMR素子等を構成するためのGMR膜15を、
数十nmの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィ
で所望の形状とする。GMR膜15は、例えばパーマロ
イ(NiFe)からなるフリー層や、PtMn,IrM
n,RuRhMnからなる反強磁性膜などの磁気抵抗効
果を有する各種材料により形成されている。なお、GM
R膜15の代わりに、AMR膜などの他の磁気抵抗効果
膜を用いるようにしてもよい。続いて、このGMR膜1
5に対するリード端子層15aをリフトオフ法により形
成する。次いで、シールドギャップ層14、GMR膜1
5およびリード端子層15a上に、シールドギャップ層
17を形成し、GMR膜15およびリード端子層15a
をシールドギャップ層14,17内に埋設させる。
Next, as shown in FIG. 2, for example, alumina is deposited on the lower shield layer 13 to a thickness of 100 to 200 nm by sputtering, and the shield gap layer 14 is formed.
To form Subsequently, on the shield gap layer 14, a GMR film 15 for forming a reproduction GMR element or the like is formed.
It is formed to a thickness of several tens of nm, and is formed into a desired shape by high-precision photolithography. The GMR film 15 is made of, for example, a free layer made of permalloy (NiFe), PtMn, IrM
It is formed of various materials having a magnetoresistance effect, such as an antiferromagnetic film made of n, RuRhMn. GM
Instead of the R film 15, another magnetoresistive film such as an AMR film may be used. Subsequently, the GMR film 1
5 is formed by a lift-off method. Next, the shield gap layer 14, the GMR film 1
5 and the lead terminal layer 15a, a shield gap layer 17 is formed, and the GMR film 15 and the lead terminal layer 15a are formed.
Is embedded in the shield gap layers 14 and 17.

【0041】続いて、シールドギャップ膜17上に、例
えばパーマロイ(NiFe)よりなる上部シールドを兼
ねた下部磁極層(下部ポール)18を、約1.0〜1.
5μmの厚みで形成する。
Subsequently, a lower magnetic pole layer (lower pole) 18 also serving as an upper shield made of, for example, permalloy (NiFe) is formed on the shield gap film 17 for about 1.0 to 1..
It is formed with a thickness of 5 μm.

【0042】次に、図3に示したように、下部磁極層1
8上に、後述の下部磁極先端部19aおよび下部接続部
19bに対応して開口を有する絶縁層20aを形成す
る。絶縁層20aは、例えばスパッタ法またはCVD法
によって、絶縁材料例えばアルミナにより形成する。こ
の絶縁層20aの厚さは、後述する下部磁極先端部19
aの厚みに合わせて、例えば約2.0〜2.5μmとす
る。続いて、この絶縁層20aおよび下部磁極層18上
に磁性層19を形成する。磁性層19は、NiFe等の
めっき膜により形成してもよく、FeN,FeZrN
P,CoFeNなどのスパッタ膜により形成してもよ
い。ここで、絶縁層20aは、そのトラック側の先端部
がスロートハイト零の位置となるようにする。なお、絶
縁層20aが本発明の絶縁層に対応している。
Next, as shown in FIG.
An insulating layer 20a having an opening corresponding to a lower magnetic pole tip portion 19a and a lower connecting portion 19b, which will be described later, is formed on the upper surface 8a. The insulating layer 20a is formed of an insulating material, for example, alumina by, for example, a sputtering method or a CVD method. The thickness of the insulating layer 20a is determined by the lower magnetic pole tip 19, which will be described later.
For example, the thickness is set to about 2.0 to 2.5 μm according to the thickness of “a”. Subsequently, a magnetic layer 19 is formed on the insulating layer 20a and the lower magnetic pole layer 18. The magnetic layer 19 may be formed of a plating film of NiFe or the like, and may be formed of FeN, FeZrN.
It may be formed by a sputtered film of P, CoFeN or the like. Here, the tip of the insulating layer 20a on the track side is set to the position of zero throat height. Note that the insulating layer 20a corresponds to the insulating layer of the present invention.

【0043】次に、図4に示したように、例えばCMP
(Chemical and Mechanical Polishing : 化学・機械研
磨)によって、磁性層19を平坦化して絶縁層20aの
表面を露出させる。これにより下部磁極層18上に、約
2.0〜2.5μmの厚みの下部磁極先端部(下部ポー
ルチップ)19aおよび下部接続部19bがそれぞれ絶
縁層20aに隣接して形成される。なお、下部磁極層1
8が本発明の2つの磁性層のうち一方の磁性層、下部磁
極先端部(下部ポールチップ)19aが本発明の一方の
磁性層の磁極部分にそれぞれ対応している。
Next, as shown in FIG.
The magnetic layer 19 is planarized by (Chemical and Mechanical Polishing) to expose the surface of the insulating layer 20a. As a result, a lower pole tip (lower pole tip) 19a and a lower connecting portion 19b having a thickness of about 2.0 to 2.5 μm are formed on the lower magnetic pole layer 18 adjacent to the insulating layer 20a. The lower magnetic pole layer 1
Reference numeral 8 denotes one of the two magnetic layers of the present invention, and the lower pole tip (lower pole tip) 19a corresponds to the magnetic pole portion of the one magnetic layer of the present invention.

【0044】次に、図5に示したように、スパッタ法に
より絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚0.2〜
0.3μmの記録ギャップ層22を形成する。記録ギャ
ップ層22は、アルミナの他、窒化アルミニウム(Al
N)、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料など
により形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギ
ャップ層22をフォトリソグラフィーによりパターニン
グし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口を形成す
る。
Next, as shown in FIG. 5, a film made of an insulating material, for example, alumina, having a thickness of 0.2 to
A 0.3 μm recording gap layer 22 is formed. The recording gap layer 22 is made of aluminum nitride (Al) in addition to alumina.
N), a silicon oxide-based material, a silicon nitride-based material, or the like. Subsequently, the recording gap layer 22 is patterned by photolithography to form an opening for connecting the upper magnetic pole and the lower magnetic pole.

【0045】続いて、記録ギャップ層22上に記録ヘッ
ドのトラック幅を決定するための上部磁極先端部(上部
ポールチップ)23aをフォトリソグラフィーにより形
成する。すなわち、記録ギャップ層22上に、例えばス
パッタ法により高飽和磁束密度材料(Hi−Bs材)、
例えばNiFe(Ni:50重量%,Fe:50重量
%),NiFe(Ni:80重量%,Fe:20重量
%),FeN,FeZrNP,CoFeNなどからな
る、膜厚2.5〜3.5μmの磁極層を形成する。続い
て、この磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例え
ばAr(アルゴン)のイオンミリングによって選択的に
除去し、上部磁極先端部23aを形成すると共に、上部
磁極と下部磁極とを磁気的に接続させるための上部接続
部23bを形成する。上部磁極先端部23aおよび上部
接続部23bはフォトレジストマスクの代わりにアルミ
ナ等の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングす
るようにしてもよく、また、このようなフォトリソグラ
フィーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などに
よって形成するようにしてもよい。なお、上部磁極先端
部23aが本発明の他方の磁性層の磁極部分に対応して
いる。
Subsequently, an upper pole tip (upper pole tip) 23a for determining the track width of the recording head is formed on the recording gap layer 22 by photolithography. That is, a high saturation magnetic flux density material (Hi-Bs material) is formed on the recording gap layer 22 by, for example, a sputtering method.
For example, NiFe (Ni: 50% by weight, Fe: 50% by weight), NiFe (Ni: 80% by weight, Fe: 20% by weight), FeN, FeZrNP, CoFeN, etc., having a film thickness of 2.5 to 3.5 μm. A pole layer is formed. Subsequently, the magnetic pole layer is selectively removed by ion milling of, for example, Ar (argon) using a photoresist mask to form an upper magnetic pole tip 23a and magnetically connect the upper magnetic pole and the lower magnetic pole. The upper connecting portion 23b for the connection is formed. The upper pole tip portion 23a and the upper connection portion 23b may be etched by using a mask made of an inorganic insulating layer such as alumina instead of a photoresist mask. It may be formed by a plating method, a sputtering method, or the like. Note that the upper magnetic pole tip 23a corresponds to the magnetic pole portion of the other magnetic layer of the present invention.

【0046】ここで、本実施の形態では、上部磁極先端
部23aを、トラック面から奥側に下部磁極先端部19
aよりも長く形成する。また、上部接続部23bを下部
接続部19bよりも幅広く形成し、上部接続部23bの
中央位置に下部接続部19bが接触されるようにする。
Here, in the present embodiment, the upper magnetic pole tip 23a is moved backward from the track surface to the lower magnetic pole tip 19a.
It is formed longer than a. Further, the upper connecting portion 23b is formed wider than the lower connecting portion 19b so that the lower connecting portion 19b is brought into contact with the center position of the upper connecting portion 23b.

【0047】続いて、下部磁極先端部19aと下部接続
部19bとの間に形成された凹部領域に、例えば電解め
っき法により、例えば銅(Cu)よりなる誘導型の記録
ヘッド用の第1層目の薄膜コイル21を1.5〜2.5
μmの厚みで形成する。
Subsequently, a first layer for an inductive recording head made of, for example, copper (Cu) is formed in a concave region formed between the lower magnetic pole tip portion 19a and the lower connecting portion 19b by, for example, electrolytic plating. 1.5 to 2.5 of the thin film coil 21 of the eye
It is formed with a thickness of μm.

【0048】次に、図6に示したように、全面に、スパ
ッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚
3.0〜4.0μmの絶縁層20bを形成した後、例え
ばCMP法により表面を平坦化し、上部磁極先端部23
aおよび上部接続部23bの表面を露出させる。なお、
この絶縁層20bや絶縁層20aは、アルミナに限ら
ず、二酸化珪素(SiO2 )や、窒化珪素(SiN)等
の他の絶縁材料により形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 6, an insulating layer 20b made of an insulating material, for example, alumina and having a thickness of 3.0 to 4.0 μm is formed on the entire surface by sputtering, and then the surface is formed by, for example, CMP. And the upper magnetic pole tip 23
a and the surfaces of the upper connection portions 23b are exposed. In addition,
The insulating layer 20b and the insulating layer 20a are not limited to alumina, and may be formed of another insulating material such as silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN).

【0049】続いて、上部磁極先端部23aをマスクと
して、その周辺の記録ギャップ層22および下部磁極先
端部19aを自己整合的にエッチングする。すなわち、
上部磁極先端部23aをマスクとした塩素系ガス(Cl
2 ,CF4 ,BCl2 ,SF6 等)によるRIE(Reac
tive Ion Etching) により、記録ギャップ層22を選択
的に除去した後、露出した下部磁極先端部19aを、再
び、例えばArのイオンミリングによって約0.3〜
0.6μm程度エッチングして、トリム構造の記録トラ
ックを形成する。
Subsequently, using the upper magnetic pole tip 23a as a mask, the surrounding recording gap layer 22 and the lower magnetic pole tip 19a are etched in a self-aligned manner. That is,
Chlorine-based gas (Cl
2 , RIE (Reac) using CF 4 , BCl 2 , SF 6 etc.
After selective removal of the recording gap layer 22 by tive ion etching, the exposed lower magnetic pole tip 19a is again removed by, for example, Ar ion milling to about 0.3 to
Etching is performed by about 0.6 μm to form a recording track having a trim structure.

【0050】続いて、例えばめっき法により、絶縁層2
0bの上に、例えば銅(Cu)よりなる記録ヘッド用の
第2層目の薄膜コイル24を選択的に形成し、更に、絶
縁層20bおよび薄膜コイル24上に、フォトレジスト
膜20cを高精度のフォトリソグラフィで所定のパター
ンに形成する。続いて、フォトレジスト膜20cの平坦
化および薄膜コイル24間の絶縁化のために所定の温度
で熱処理する。
Subsequently, the insulating layer 2 is formed by plating, for example.
0b, a second-layer thin film coil 24 for a recording head made of, for example, copper (Cu) is selectively formed, and a photoresist film 20c is formed on the insulating layer 20b and the thin film coil 24 with high precision. Is formed into a predetermined pattern by photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the photoresist film 20c and insulate the thin film coils 24 from each other.

【0051】次に、図7に示したように、例えば上部磁
極先端部23aと同じ材料を用いて、例えば電解めっき
法やスパッタ法などの方法により、上部磁極層25を約
3〜4μmの厚みに形成する。この上部磁極層25は、
トラック面側から見て、薄膜コイル21,24よりも後
方の位置において、上部接続部23bを介して、下部接
続部19bと接触し、下部磁極層18と磁気的に連結さ
れる。最後に、上部磁極層25上に、例えばスパッタ法
によりアルミナよりなる膜厚約30μmのオーバーコー
ト層26を形成する。その後、スライダの機械加工を行
い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面(AB
S)を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。なお、上部磁極層25が、本発明の2つの磁性層の
うち他方の磁性層に対応している。
Next, as shown in FIG. 7, the upper magnetic pole layer 25 is formed to a thickness of about 3 to 4 μm by using, for example, the same material as the upper magnetic pole tip 23a, for example, by an electrolytic plating method or a sputtering method. Formed. This upper magnetic pole layer 25
When viewed from the track surface side, at a position behind the thin-film coils 21 and 24, it contacts the lower connection portion 19b via the upper connection portion 23b and is magnetically connected to the lower pole layer 18. Finally, an overcoat layer 26 made of alumina and having a thickness of about 30 μm is formed on the upper magnetic pole layer 25 by, for example, a sputtering method. Then, machining of the slider is performed, and the track surfaces (AB
By forming S), a thin-film magnetic head is completed. Note that the upper magnetic pole layer 25 corresponds to the other magnetic layer of the two magnetic layers of the present invention.

【0052】なお、図8は、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの平面図である。なお、この図は、スライダの
機械加工を行う前の状態を表している。これらの図にお
いて、THはスロートハイトを表しており、このスロー
トハイトTHは、絶縁層20aの磁極部分側の端縁、す
なわち下部磁極先端部19aのトラック面と反対側の端
縁によって規定される。この図では、スロートハイトT
HはGMRハイトと一致しているため、TH=GMRハ
イトとなる。
FIG. 8 is a plan view of the thin-film magnetic head according to the present embodiment. This figure shows a state before the slider is machined. In these figures, TH represents the throat height, and the throat height TH is defined by the edge of the insulating layer 20a on the magnetic pole portion side, that is, the edge of the lower magnetic pole tip portion 19a opposite to the track surface. . In this figure, the throat height T
Since H coincides with the GMR height, TH = GMR height.

【0053】以上のような本実施の形態では、次のよう
な効果を得ることができる。
In the present embodiment as described above, the following effects can be obtained.

【0054】(1)まず、下部磁極を、下部磁極先端部
19aと下部磁極層18とに2分割すると共に、下部磁
極層18上に無機材料からなる絶縁層20aを形成した
後、この絶縁層20aを利用した平坦化プロセスを行う
ようにしたので、下部磁極先端部19aを絶縁層20a
に隣接して形成することができる。従って、絶縁層20
aの下部磁極先端部19a側の端縁(すなわち下部磁極
先端部19aのトラック面と反対側の端縁)によってス
ロートハイトが規定される。よって、従来のフォトレジ
スト膜のように、熱処理による端縁の位置変動(パター
ンシフト)およびプロファイル悪化が生じることがな
く、記録ヘッド部のスロートハイトの正確な制御が可能
になる。更に、GMRハイトの正確な制御や、エイペッ
クスアングルの正確な制御も可能となる。
(1) First, the lower magnetic pole is divided into a lower magnetic pole tip 19a and a lower magnetic pole layer 18, and an insulating layer 20a made of an inorganic material is formed on the lower magnetic pole layer 18. Since the flattening process using the lower magnetic pole 20a is performed, the front end portion 19a of the lower magnetic pole is fixed to the insulating layer 20a.
Can be formed adjacent to the substrate. Therefore, the insulating layer 20
The throat height is defined by the edge of the lower pole tip 19a on the side of the lower pole tip 19a (that is, the edge of the lower pole tip 19a opposite to the track surface). Therefore, unlike the conventional photoresist film, there is no occurrence of edge position fluctuation (pattern shift) and profile deterioration due to heat treatment, and accurate control of the throat height of the recording head can be achieved. Further, accurate control of the GMR height and accurate control of the apex angle are also possible.

【0055】(2)また、本実施の形態では、上部磁極
先端部23aを、下部磁極先端部19aよりも長く形成
するようにしたので、上部磁極先端部23aを下部磁極
先端部19aと同じ長さとした場合に比べて、上部磁極
先端部23aと上部磁極層25との接触面積を大きくす
ることができ、その部分での磁気的結合が良好となる。
特に、本実施の形態のように、上部磁極層25をトラッ
ク面から後退した位置に設ける構造(リセス構造)とし
た場合には、このような構成が有効である。すなわち、
上部磁極層25が、スロートハイトTH=零の位置(下
部磁極先端部19aのトラック面と反対側の端縁)より
トラック面側に近い位置、例えばTH=0.5μmの近
傍位置に存在すると、上部磁極層25によって隣接する
トラックに情報を書き込むサイドライト不良が発生す
る。理想的には、上部磁極層25は、THが零の位置よ
り、トラック面から遠い位置に形成することが望まし
い。一方、本実施の形態では、THを決めるための下部
磁極先端部19aを、上部磁極先端部23aを介して上
部磁極層25と磁気的に結合させるものであり、上部磁
極先端部23aと上部磁極層25とは、THが零の位置
より、トラック面と反対方向においてしっかり接続させ
る必要がある。このようなことから、上部磁極先端部2
3aは下部磁極先端部19aよりも長く形成することが
望ましい。
(2) In this embodiment, the upper magnetic pole tip 23a is formed to be longer than the lower magnetic pole tip 19a, so that the upper magnetic pole tip 23a has the same length as the lower magnetic pole tip 19a. The contact area between the upper magnetic pole tip portion 23a and the upper magnetic pole layer 25 can be increased as compared with the case where the magnetic pole is provided, and the magnetic coupling at that portion is improved.
In particular, when the upper magnetic pole layer 25 is provided at a position recessed from the track surface (recess structure) as in the present embodiment, such a configuration is effective. That is,
If the upper magnetic pole layer 25 is located closer to the track surface than the throat height TH = zero (the edge of the lower magnetic pole tip 19a opposite to the track surface), for example, at a position near TH = 0.5 μm, Due to the upper magnetic pole layer 25, a side write defect for writing information on an adjacent track occurs. Ideally, the upper magnetic pole layer 25 is desirably formed at a position farther from the track surface than a position where TH is zero. On the other hand, in the present embodiment, the lower magnetic pole tip 19a for determining TH is magnetically coupled to the upper magnetic pole layer 25 via the upper magnetic pole tip 23a, and the upper magnetic pole tip 23a is connected to the upper magnetic pole. The layer 25 must be firmly connected in the direction opposite to the track plane from the position where TH is zero. For this reason, the upper magnetic pole tip 2
3a is desirably formed longer than the lower magnetic pole tip 19a.

【0056】(3)また、本実施の形態では、図8に示
したように、各パターンを真上から見た場合、下部磁極
先端部19aの幅を上部磁極先端部23aの幅よりも広
くしているために、上部磁極先端部23aがハーフミク
ロン幅の狭トラックであっても、下部磁極先端部19a
の近傍において磁束が飽和することがない。
(3) In the present embodiment, as shown in FIG. 8, when each pattern is viewed from directly above, the width of the lower pole tip 19a is wider than the width of the upper pole tip 23a. Therefore, even if the upper magnetic pole tip 23a is a narrow track having a half-micron width, the lower magnetic pole tip 19a
Is not saturated in the vicinity of.

【0057】(4)ところで、上部磁極先端部23aお
よび下部磁極先端部19aが微細化され、その幅が狭く
なるに伴って、上部磁極と下部磁極とのコンタクト部、
すなわち、下部接続部19bおよび上部接続部23bの
幅も狭くなる。このように下部接続部19bおよび上部
接続部23bの幅が微細化された場合、下部接続部19
bの側壁の下部磁性層18に対する角度、あるいは上部
接続部23bの側壁の上部磁性層25に対する角度がそ
れぞれ垂直である場合には、その部分において磁束が飽
和してしまう虞がある。これに対して、本実施の形態で
は、上部接続部23bの面積が下部接続部19bよりも
大きくなっており、しかも下部接続部19bが上部接続
部23bの中央部に対向しているため、断面で見た場
合、コンタクト部全体は、上下のコイル間の傾斜面に沿
ったスロープを有する形状、すなわち、コンタクト部全
体があたかも漏斗のような形状となる。従って、上部磁
極から下部磁極への磁束の流れが円滑となり、両磁極の
磁気的結合が良好となる。
(4) By the way, as the upper magnetic pole tip 23a and the lower magnetic pole tip 19a are miniaturized and narrowed, the contact between the upper magnetic pole and the lower magnetic pole,
That is, the widths of the lower connecting portion 19b and the upper connecting portion 23b are also reduced. When the widths of the lower connection portion 19b and the upper connection portion 23b are reduced in this manner, the lower connection portion 19b
If the angle of the side wall of b with respect to the lower magnetic layer 18 or the angle of the side wall of the upper connection portion 23b with the upper magnetic layer 25 is perpendicular to each other, the magnetic flux may be saturated at that portion. On the other hand, in the present embodiment, the area of the upper connecting portion 23b is larger than that of the lower connecting portion 19b, and the lower connecting portion 19b faces the center of the upper connecting portion 23b. , The entire contact portion has a shape having a slope along the inclined surface between the upper and lower coils, that is, the entire contact portion has a funnel-like shape. Therefore, the flow of the magnetic flux from the upper magnetic pole to the lower magnetic pole is smooth, and the magnetic coupling between the two magnetic poles is improved.

【0058】(5)更に、本実施の形態では、薄膜コイ
ル21と下部磁極層18との間には無機系の絶縁層20
aおよび記録ギャップ膜22が設けられていため、絶縁
層20aの厚さを調整することにより、薄膜コイル21
と下部磁極層18との間にそれぞれ大きな絶縁耐圧を得
ることができる。
(5) Further, in this embodiment, an inorganic insulating layer 20 is provided between the thin-film coil 21 and the lower magnetic pole layer 18.
a and the recording gap film 22, the thickness of the insulating layer 20a is adjusted so that the thin film coil 21
A large withstand voltage can be obtained between the lower magnetic pole layer 18 and the lower magnetic pole layer 18.

【0059】(6)また、本実施の形態では、上部磁極
を、上部磁極先端部23aと上部磁極層25とに2分割
し、上部磁極先端部23aを、記録ギャップ層22を間
にして下部磁極先端部19aの平坦面上に形成するよう
にしたので、記録トラック幅を規制する上部磁極先端部
23aをサブミクロン寸法に精度良く形成することがで
きる。加えて、本実施の形態では、1層目の薄膜コイル
21が絶縁層20bによって上部磁極先端部23aに隣
接した凹部領域内に埋め込まれると共に、絶縁層20b
の表面が上部磁極先端部23aの表面と同一面を形成す
る程度に平坦化されている。すなわち、2層目の薄膜コ
イル24を含むエイペックス部の段差が、1層目の薄膜
コイル21の分だけ、従来構造に比べて低くなる。従っ
て、上部磁極先端部23aに部分的に接触する上部磁極
層25をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エ
イペックス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の
厚さの差が低減され、その結果、上部磁極層25のサブ
ミクロン寸法の微細化を図ることが可能になる。よっ
て、本実施の形態により得られる薄膜磁気ヘッドでは、
記録ヘッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを
2層,3層と積層して記録ヘッドの性能を更に向上させ
ることができる。なお、上部磁極先端部23aおよび上
部磁極層25のフォトリソグラフィーの際に、フォトレ
ジストの代わりに無機系絶縁層をマスクとすることによ
り、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25の微細
化を、より高精度に実現することが可能になる。また、
上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25をフォトリ
ソグラフィー以外のスパッタ等により形成する場合にお
いても、同様に、エイペックス部の段差の影響が低減さ
れるため、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25
の微細化を図ることができる。また、ハードディスク上
で動作している際に発生する熱によって上部磁極(上部
磁極先端部23aまたは上部磁極層25)が膨張し、A
BSにせり出す現象(Protrusion) を大幅に抑制するこ
とができる。
(6) In this embodiment, the upper magnetic pole is divided into an upper magnetic pole tip portion 23a and an upper magnetic pole layer 25, and the upper magnetic pole tip portion 23a is divided into a lower portion with the recording gap layer 22 therebetween. Since the upper pole tip 19a is formed on the flat surface of the pole tip 19a, the upper pole tip 23a for regulating the recording track width can be formed with submicron accuracy. In addition, in the present embodiment, the first-layer thin-film coil 21 is embedded in the recessed region adjacent to the top pole tip 23a by the insulating layer 20b, and the insulating layer 20b
Is flattened to such an extent that the surface of the upper surface forms the same plane as the surface of the upper magnetic pole tip 23a. That is, the step in the apex portion including the second-layer thin-film coil 24 is lower than that of the conventional structure by the amount of the first-layer thin-film coil 21. Therefore, when the upper magnetic pole layer 25 that partially contacts the upper magnetic pole tip 23a is formed by photolithography, the difference in the thickness of the photoresist film between the upper and lower portions of the apex portion is reduced. The pole layer 25 can be miniaturized to submicron dimensions. Therefore, in the thin-film magnetic head obtained according to the present embodiment,
High area density recording by the recording head becomes possible, and the performance of the recording head can be further improved by laminating the coils in two or three layers. In addition, at the time of photolithography of the upper magnetic pole tip 23a and the upper magnetic pole layer 25, by using an inorganic insulating layer as a mask instead of a photoresist, the upper magnetic pole tip 23a and the upper magnetic pole layer 25 can be miniaturized. Higher accuracy can be achieved. Also,
Even when the upper magnetic pole tip 23a and the upper magnetic pole layer 25 are formed by sputtering or the like other than photolithography, similarly, the influence of the step of the apex portion is reduced, so that the upper magnetic pole tip 23a and the upper magnetic pole layer 25 are formed.
Can be miniaturized. Further, the upper magnetic pole (the upper magnetic pole tip portion 23a or the upper magnetic pole layer 25) expands due to heat generated during operation on the hard disk, and A
The phenomenon (Protrusion) protruding into the BS can be greatly suppressed.

【0060】(7)更に、本実施の形態では、第1およ
び第2層目の薄膜コイル21,24の下に、従来例のよ
うにフォトレジストパターンの傾斜部が存在しないた
め、薄膜コイル21,24を共に平坦部に形成すること
ができ、傾斜部によるコイル外周部端とスロートハイト
零の位置までの距離が磁路長縮小の妨げとはならない。
従って、本実施の形態では、磁路長を短くすることがで
き、記録ヘッドの高周波特性を著しく向上させることが
できる。
(7) Further, in this embodiment, there is no inclined portion of the photoresist pattern under the first and second layers of the thin film coils 21 and 24 unlike the conventional example. , 24 can be formed in a flat portion, and the distance between the end of the outer peripheral portion of the coil and the position of the throat height of zero due to the inclined portion does not hinder the reduction of the magnetic path length.
Therefore, in this embodiment, the magnetic path length can be shortened, and the high frequency characteristics of the recording head can be significantly improved.

【0061】(8)また、本実施の形態では、上部磁極
先端部23a,上部磁極層25等の磁性層は高飽和磁束
密度(Hi−Bs)材により形成されているので、トラ
ック幅が狭くなっても、薄膜コイル21,24に発生し
た磁気が途中で飽和することなく、有効に上部磁極先端
部23aおよび下部磁極先端部19aに到達し、これに
よって磁気損失のない記録ヘッドを実現できる。
(8) In this embodiment, since the magnetic layers such as the upper magnetic pole tip 23a and the upper magnetic pole layer 25 are formed of a high saturation magnetic flux density (Hi-Bs) material, the track width is narrow. Even so, the magnetism generated in the thin film coils 21 and 24 effectively reaches the upper magnetic pole tip 23a and the lower magnetic pole tip 19a without being saturated on the way, thereby realizing a recording head without magnetic loss.

【0062】(9)更に、本実施の形態では、トラック
幅を決定する上部磁極先端部23aの上に形成された上
部磁極層25が、トラック面に露出していないため、上
部磁極層25によるサイドライトが発生することはな
い。
(9) Further, in the present embodiment, the upper magnetic pole layer 25 formed on the upper magnetic pole tip 23a for determining the track width is not exposed on the track surface. There is no side light.

【0063】〔第2の実施の形態〕図9(a),(b)
乃至14(a),(b)は、本発明の第2の実施の形態
に係る複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を表すものであ
る。なお、以下、第1の実施の形態と同一の構成部分に
ついては同一の符号を付し、適宜簡略化して説明する。
[Second Embodiment] FIGS. 9A and 9B
14A to 14B show the steps of manufacturing the composite thin-film magnetic head according to the second embodiment of the present invention. Hereinafter, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description will be appropriately simplified.

【0064】本実施の形態では、まず、図9に示したよ
うに、例えばアルティック(Al23 ・TiC)から
なる基板11上に、例えばスパッタ法により例えばアル
ミナ(Al2 3 )よりなる絶縁層12を、約3〜5μ
m程度の厚みで形成する。次に、絶縁層12上に、フォ
トレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロ
イ(NiFe)を約3μmの厚みで選択的に形成して、
再生ヘッド用の下部シールド層13を形成する。続い
て、例えばスパッタまたはCVD法により約4〜6μm
の厚さのアルミナ膜(図示せず)を形成しCMPによっ
て平坦化する。
In this embodiment, first, as shown in FIG. 9, for example, alumina (Al 2 O 3 ) is formed on a substrate 11 made of, for example, AlTiC (Al 2 O 3 .TiC) by a sputtering method. Insulating layer 12 of about 3 to 5 μm.
It is formed with a thickness of about m. Next, using a photoresist film as a mask, permalloy (NiFe) is selectively formed to a thickness of about 3 μm on the insulating layer 12 by plating.
A lower shield layer 13 for a reproducing head is formed. Subsequently, for example, about 4 to 6 μm by sputtering or CVD.
An alumina film (not shown) having a thickness of 3 mm is formed and planarized by CMP.

【0065】続いて、下部シールド層13上に、例えば
アルミナを100〜200nmの厚みでスパッタ法によ
り堆積し、シールドギャップ層14を形成する。続い
て、シールドギャップ層14上に、再生用のGMR素子
等を構成するためのGMR膜15を、数十nmの厚みに
形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とす
る。続いて、このGMR膜15に対するリード端子層1
5aをリフトオフ法により形成する。次いで、シールド
ギャップ層14、GMR膜15およびリード端子層15
a上に、シールドギャップ層17を形成し、GMR膜1
5およびリード端子層15aをシールドギャップ層1
4,17内に埋設させる。続いて、シールドギャップ膜
17上に、例えばパーマロイ(NiFe)よりなる上部
シールドを兼ねた下部磁極層(下部ポール)18を、約
1.0〜1.5μmの厚みで形成する。以上は、第1の
実施の形態と同様である。
Subsequently, on the lower shield layer 13, for example, alumina is deposited with a thickness of 100 to 200 nm by a sputtering method to form a shield gap layer 14. Subsequently, a GMR film 15 for forming a reproducing GMR element or the like is formed on the shield gap layer 14 to have a thickness of several tens of nm, and is formed into a desired shape by high-precision photolithography. Subsequently, the lead terminal layer 1 for the GMR film 15 is formed.
5a is formed by a lift-off method. Next, the shield gap layer 14, the GMR film 15, and the lead terminal layer 15
a, a shield gap layer 17 is formed on the GMR film 1
5 and the lead terminal layer 15a to the shield gap layer 1
It is buried in 4,17. Subsequently, on the shield gap film 17, a lower magnetic pole layer (lower pole) 18 made of, for example, permalloy (NiFe) and also serving as an upper shield is formed with a thickness of about 1.0 to 1.5 μm. The above is the same as in the first embodiment.

【0066】本実施の形態では、次に、図10に示した
ように、例えばスパッタ法またはCVD法によって、絶
縁材料例えばアルミナからなる絶縁層20dを形成す
る。続いて、この絶縁層20d上に、例えば電解めっき
法により、例えば銅(Cu)よりなる第1層目の薄膜コ
イル21を例えば1.5〜2.5μmの厚みで形成す
る。ここで、この薄膜コイル21の一部に、第2層目の
薄膜コイル24との接続のために幅広の接続部21aを
形成する。次に、薄膜コイル21および絶縁層20dの
上に、例えば例えばスパッタ法またはCVD法によっ
て、絶縁材料例えばアルミナからなる絶縁層20eを形
成する。次に、この絶縁層22eおよび絶縁層22dを
フォトリソグラフィーによりパターニングし、後述(図
12)の下部磁極先端部(下部ポールチップ)19aお
よび下部接続部19bにそれぞれ対応した開口を形成す
る。ここで、絶縁層20d,20eのトラック側の先端
部がスロートハイト零の位置となるようにすることは、
第1の実施の形態と同様である。なお、絶縁層20dが
本発明の絶縁層または第1の絶縁層、また、絶縁層20
eが本発明の絶縁層または第2の絶縁層にそれぞれ対応
している。
In the present embodiment, next, as shown in FIG. 10, an insulating layer 20d made of an insulating material, for example, alumina is formed by, for example, a sputtering method or a CVD method. Subsequently, a first-layer thin-film coil 21 made of, for example, copper (Cu) is formed on the insulating layer 20d by, for example, an electrolytic plating method with a thickness of, for example, 1.5 to 2.5 μm. Here, a wide connecting portion 21a is formed in a part of the thin film coil 21 for connection with the thin film coil 24 of the second layer. Next, an insulating layer 20e made of an insulating material, for example, alumina is formed on the thin-film coil 21 and the insulating layer 20d by, for example, a sputtering method or a CVD method. Next, the insulating layer 22e and the insulating layer 22d are patterned by photolithography to form openings corresponding to a lower pole tip portion (lower pole tip) 19a and a lower connecting portion 19b (described later (FIG. 12)). Here, the tip of the insulating layers 20d and 20e on the track side is located at the throat height of zero.
This is the same as the first embodiment. Note that the insulating layer 20d is the insulating layer or the first insulating layer of the present invention,
e corresponds to the insulating layer or the second insulating layer of the present invention, respectively.

【0067】続いて、図11に示したように、絶縁層2
0eおよび下部磁極層18上に磁性層19を形成する。
Subsequently, as shown in FIG.
The magnetic layer 19 is formed on the lower magnetic pole layer 18 and the lower magnetic pole layer 18.

【0068】次に、図12に示したように、例えばCM
P法によって、磁性層19を平坦化して絶縁層20eの
表面を露出させる。これにより下部磁極層18上に下部
磁極先端部(下部ポールチップ)19aおよび下部接続
部19bがそれぞれ形成される。続いて、スパッタ法に
より絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚0.2〜
0.3μmの記録ギャップ層22を形成する。次に、こ
の記録ギャップ層22をフォトリソグラフィーによりパ
ターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口2
2aを形成すると共に、薄膜コイル21の接続部21a
に対向してコイル間接続用の開口22bを形成する。
Next, as shown in FIG.
The magnetic layer 19 is planarized by the P method to expose the surface of the insulating layer 20e. As a result, a lower magnetic pole tip (lower pole tip) 19a and a lower connecting portion 19b are formed on the lower magnetic pole layer 18, respectively. Subsequently, an insulating material such as alumina having a thickness of 0.2 to
A 0.3 μm recording gap layer 22 is formed. Next, the recording gap layer 22 is patterned by photolithography to form an opening 2 for connecting an upper magnetic pole and a lower magnetic pole.
2a and the connecting portion 21a of the thin film coil 21
An opening 22b for connection between the coils is formed to face this.

【0069】続いて、図13に示したように、記録ギャ
ップ層22上に記録ヘッドのトラック幅を決定するため
の上部磁極先端部(ポールチップ)23a、および上部
磁極と下部磁極とを磁気的に接続させるための上部接続
部23bを形成する。ここで、本実施の形態において
も、上部磁極先端部23aを、トラック面から奥側に下
部磁極先端部19aよりも長く形成すると共に、上部接
続部23bを下部接続部19bよりも幅広く形成し、且
つ、上部接続部23bの中央位置に下部接続部19bが
接触されるようにする。
Subsequently, as shown in FIG. 13, an upper magnetic pole tip (pole tip) 23a for determining the track width of the recording head, and an upper magnetic pole and a lower magnetic pole are magnetically formed on the recording gap layer 22. The upper connection part 23b for connecting to the first electrode is formed. Here, also in the present embodiment, the upper magnetic pole tip portion 23a is formed longer than the lower magnetic pole tip portion 19a on the back side from the track surface, and the upper connecting portion 23b is formed wider than the lower connecting portion 19b. In addition, the lower connection portion 19b is brought into contact with the center position of the upper connection portion 23b.

【0070】続いて、下部磁極先端部19aと下部接続
部19bとの間に形成された凹部領域に、例えば電解め
っき法により、例えば銅(Cu)よりなる第2層目の薄
膜コイル24を1.5〜2.5μmの厚みで形成する。
このとき薄膜コイル24の一部(幅広部24a)が、第
1層目の薄膜コイル21の幅広部21aと接続される。
Subsequently, a second-layer thin-film coil 24 made of, for example, copper (Cu) is formed in a concave region formed between the lower magnetic pole tip portion 19a and the lower connecting portion 19b by, for example, electrolytic plating. It is formed with a thickness of 0.5 to 2.5 μm.
At this time, a part (the wide portion 24a) of the thin-film coil 24 is connected to the wide portion 21a of the first-layer thin-film coil 21.

【0071】次に、全面に、スパッタ法により絶縁材
料、例えばアルミナよりなる絶縁層20fを形成した
後、例えばCMP法により表面を平坦化し、上部磁極先
端部23aおよび上部接続部23bの表面を露出させ
る。続いて、上部磁極先端部23aをマスクとして、そ
の周辺の記録ギャップ層22および下部磁極先端部19
aを自己整合的にエッチングして、トリム構造の記録ト
ラックを形成する。
Next, after an insulating layer 20f made of an insulating material, for example, alumina is formed on the entire surface by a sputtering method, the surface is flattened by, for example, a CMP method, and the surfaces of the upper pole tip portion 23a and the upper connecting portion 23b are exposed. Let it. Subsequently, the recording gap layer 22 and the lower magnetic pole tip 19 around the upper pole tip 23a are used as a mask.
a is etched in a self-aligned manner to form a recording track having a trim structure.

【0072】次に、図14に示したように、例えば上部
磁極先端部23aと同じ材料を用いて、例えば電解めっ
き法やスパッタ法などの方法により上部磁極層25を形
成する。この上部磁極層25は、トラック面側から見
て、薄膜コイル21,24よりも後方の位置において、
上部接続部23bを介して、下部接続部19bと接触
し、下部磁性層18と磁気的に連結される。最後に、上
部磁極層25上に、例えばスパッタ法によりアルミナよ
りなる膜厚約30μmのオーバーコート層26を形成す
る。その後、スライダの機械加工を行い、記録ヘッドお
よび再生ヘッドのトラック面(ABS)を形成すること
により、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドが完成する。
Next, as shown in FIG. 14, the upper magnetic pole layer 25 is formed using, for example, the same material as the upper magnetic pole tip 23a by a method such as an electrolytic plating method or a sputtering method. The upper magnetic pole layer 25 is located at a position behind the thin-film coils 21 and 24 when viewed from the track surface side.
The upper connection portion 23b is in contact with the lower connection portion 19b via the upper connection portion 23b, and is magnetically connected to the lower magnetic layer 18. Finally, an overcoat layer 26 made of alumina and having a thickness of about 30 μm is formed on the upper magnetic pole layer 25 by, for example, a sputtering method. Thereafter, the slider is machined to form the track surfaces (ABS) of the recording head and the reproducing head, thereby completing the thin-film magnetic head of the present embodiment.

【0073】本実施の形態では、上部シールドを兼ねた
下部磁極層18上に絶縁層20dを介して第1層目の薄
膜コイル21を形成すると共に、この薄膜コイル21を
覆うように絶縁層20eを形成し、この絶縁層20eを
利用した平坦化プロセスにより下部磁極先端部19aお
よび下部接続部19bを形成するようにしたので、第1
の実施の形態と同様の効果を得ることができる。更に、
本実施の形態では、第1層目の薄膜コイル21が、下部
磁極先端部19aに隣接した絶縁層20e内に、また、
第2層目の薄膜コイル24が上部磁極先端部23aに隣
接した絶縁層20f内にそれぞれ埋め込まれているの
で、上部磁極層25を平坦面に形成することができる。
従って、上部磁極層25の微細化をより一層図ることが
できる。
In this embodiment, the first-layer thin-film coil 21 is formed on the lower magnetic pole layer 18 also serving as the upper shield via the insulating layer 20d, and the insulating layer 20e is formed so as to cover the thin-film coil 21. Is formed, and the lower magnetic pole tip portion 19a and the lower connecting portion 19b are formed by a flattening process using the insulating layer 20e.
The same effect as that of the embodiment can be obtained. Furthermore,
In the present embodiment, the first-layer thin-film coil 21 is provided in the insulating layer 20e adjacent to the lower magnetic pole tip 19a,
Since the second-layer thin-film coil 24 is embedded in the insulating layer 20f adjacent to the upper magnetic pole tip 23a, the upper magnetic pole layer 25 can be formed on a flat surface.
Therefore, the upper pole layer 25 can be further miniaturized.

【0074】ところで、本実施の形態では、図13の工
程においても説明したように、記録ギャップ層22上に
上部磁極先端部23aおよび上部接続部23bを形成し
た後、これら上部磁極先端部23aと上部接続部23b
との間に形成された凹部領域に第2層目の薄膜コイル2
4、更に絶縁層20fを形成し、その後CMP法により
表面を平坦化するようにしているが、これら上部磁極先
端部23aおよび上部接続部23bを、下部磁極先端部
19aおよび下部接続部19bと同様な方法によって形
成するようにしてもよい。以下、この方法を同じ図12
および図13を参照して説明する。
In the present embodiment, as described in the step of FIG. 13, after the upper pole tip 23a and the upper connecting portion 23b are formed on the recording gap layer 22, these upper pole tip 23a are formed. Upper connection part 23b
The second layer of the thin film coil 2 is formed in the concave region formed between
4. The insulating layer 20f is further formed, and then the surface is flattened by the CMP method. The upper magnetic pole tip 23a and the upper connecting part 23b are similar to the lower magnetic pole tip 19a and the lower connecting part 19b. It may be formed by any suitable method. Hereinafter, this method will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG.

【0075】まず、図12に示したように、記録ギャッ
プ層22をフォトリソグラフィーによりパターニング
し、上部磁極と下部磁極との接続用の開口22aを形成
すると共に、薄膜コイル21の接続部21aに対向して
コイル間接続用の開口22bを形成した後、第2層目の
薄膜コイル24を形成する。次いで、この薄膜コイル2
4および記録ギャップ層22上に、絶縁層20fを形成
した後、この絶縁層22fをフォトリソグラフィーによ
りパターニングし、上部磁極先端部および上部接続部に
対応させて開口を形成する。続いて、この絶縁層20f
および記録ギャップ層22上に磁性層を形成し、この磁
性層を、CMP法によって、平坦化して絶縁層20fの
表面を露出させる。これにより記録ギャップ層22上に
上部磁極先端部(ポールチップ)23aが形成されると
共に、下部接続部19bに接続した上部接続部23bが
形成される。
First, as shown in FIG. 12, the recording gap layer 22 is patterned by photolithography to form an opening 22 a for connection between the upper magnetic pole and the lower magnetic pole, and to face the connecting portion 21 a of the thin-film coil 21. After forming the opening 22b for connecting the coils, the second-layer thin-film coil 24 is formed. Next, the thin film coil 2
After forming an insulating layer 20f on the recording gap layer 4 and the recording gap layer 22, the insulating layer 22f is patterned by photolithography to form an opening corresponding to the top end of the upper pole and the upper connecting portion. Subsequently, the insulating layer 20f
Then, a magnetic layer is formed on the recording gap layer 22, and the magnetic layer is planarized by a CMP method to expose the surface of the insulating layer 20f. As a result, an upper pole tip (pole tip) 23a is formed on the recording gap layer 22, and an upper connection portion 23b connected to the lower connection portion 19b is formed.

【0076】〔第3の実施の形態〕次に、図15を参照
して本発明の第3の実施の形態について説明する。な
お、本実施の形態では、第2の実施の形態において、図
13の第2層目の薄膜コイル24を作製する工程まで
は、第2実施の形態と同様であるので、その説明は省略
する。その後、本実施の形態では、薄膜コイル24およ
び記録ギャップ層22上に、フォトレジスト膜20gを
高精度のフォトリソグラフィで所定のパターンに形成す
る。続いて、フォトレジスト膜20gの平坦化および薄
膜コイル24間の絶縁化のために所定の温度で熱処理す
る。次いで、例えば上部磁極先端部23aと同じ材料を
用いて、例えば電解めっき法やスパッタ法などの方法に
よって、上部磁極層30を形成する。この上部磁極層3
0は、第2実施の形態における上部磁極先端部23a、
上部接続部23bおよび上部磁極層25が一体化された
構造に相当するものであるが、その先端はトラック面に
露出している。その後の工程は第2の実施の形態と同様
である。
[Third Embodiment] Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that, in the present embodiment, the steps up to the step of manufacturing the second-layer thin-film coil 24 in FIG. 13 in the second embodiment are the same as those in the second embodiment, and a description thereof will be omitted. . Thereafter, in the present embodiment, a photoresist film 20g is formed in a predetermined pattern on the thin film coil 24 and the recording gap layer 22 by high-precision photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed at a predetermined temperature to planarize the photoresist film 20g and to insulate the thin film coil 24 from each other. Next, the upper magnetic pole layer 30 is formed using, for example, the same material as the upper magnetic pole tip 23a by a method such as an electrolytic plating method or a sputtering method. This upper pole layer 3
0 is the top pole tip 23a in the second embodiment,
This corresponds to a structure in which the upper connection part 23b and the upper pole layer 25 are integrated, but the tip is exposed on the track surface. Subsequent steps are the same as in the second embodiment.

【0077】本実施の形態においても、下部磁極層18
上に絶縁層20aを形成した後、この絶縁層20aを利
用した平坦化プロセスによって、下部磁極先端部19a
を絶縁層20aに隣接して形成することは、第2の実施
の形態と同様である。従って、その効果の説明は省略す
る。
In the present embodiment, the lower pole layer 18
After the insulating layer 20a is formed thereon, the lower pole tip 19a is formed by a planarization process using the insulating layer 20a.
Is formed adjacent to the insulating layer 20a as in the second embodiment. Therefore, the description of the effect is omitted.

【0078】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく
種々変形可能である。例えば、上記実施の形態におい
て、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25等の磁
性層は、NiFe(Ni:50重量%,Fe:50重量
%),NiFe(Ni:80重量%,Fe:20重量
%)の他、FeN,FeCoZr等の高飽和磁束密度材
を用いる例について説明したが、これらの材料を2種類
以上積層した構造としてもよい。
Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above-described embodiment and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the magnetic layers such as the top pole tip 23a and the top pole layer 25 are made of NiFe (Ni: 50% by weight, Fe: 50% by weight), NiFe (Ni: 80% by weight, Fe: 20%). Weight%), an example using a high saturation magnetic flux density material such as FeN or FeCoZr has been described, but a structure in which two or more of these materials are stacked may be used.

【0079】また、第2,第3の実施の形態では、下部
磁極先端部19aに隣接する絶縁層20e内に埋め込ま
れる薄膜コイルを1層としたが、2層以上の積層構造と
してもよい。更に、上記実施の形態では、絶縁層20
b,20e,20fをアルミナ,二酸化珪素あるいは窒
化珪素を用いて形成するようにしたが、例えば、アルミ
ナの薄膜により薄膜コイルを覆った後、表面の凹部分を
SOG(Spin On Glass)膜により埋め込み、平坦化する
ようにしてもよい。
In the second and third embodiments, one thin-film coil is embedded in the insulating layer 20e adjacent to the lower pole tip 19a. However, a laminated structure of two or more layers may be used. Further, in the above embodiment, the insulating layer 20
The b, 20e, and 20f are formed using alumina, silicon dioxide, or silicon nitride. For example, after covering a thin film coil with a thin film of alumina, a concave portion on the surface is embedded with a SOG (Spin On Glass) film. , May be flattened.

【0080】また、上記実施の形態では、下部磁極側を
本発明の一方の磁性層、上部磁極側を他方の磁性層とし
て説明したが、逆に、上部磁極側を本発明の一方の磁性
層、下部磁極側を他方の磁性層としてもよい。更に、上
記各実施の形態では、複合型の薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記
録・再生兼用の薄膜磁気ヘッドの製造にも適用すること
ができる。更に、本発明は、書き込み用の素子と再生用
の素子の積層の順序を入れ換えた構造の薄膜磁気ヘッド
の製造にも適用することも可能である。
In the above embodiment, the lower magnetic pole side is described as one magnetic layer of the present invention and the upper magnetic pole side is described as the other magnetic layer. Conversely, the upper magnetic pole side is described as one magnetic layer of the present invention. Alternatively, the lower magnetic pole side may be used as the other magnetic layer. Further, in each of the embodiments described above, the method of manufacturing the composite type thin film magnetic head has been described. However, the present invention provides a thin film magnetic head dedicated for recording having an inductive magnetic transducer for writing, The present invention can also be applied to the manufacture of a thin-film magnetic head. Further, the present invention can be applied to the manufacture of a thin-film magnetic head having a structure in which the order of lamination of the element for writing and the element for reproduction is changed.

【0081】[0081]

【発明の効果】以上説明したように請求項1または請求
項2に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁性
層上に、先に絶縁層を形成し、この絶縁層を利用して磁
性層を平坦化するようにしたので、絶縁層に隣接した磁
極部分を容易に形成することができる。従って、絶縁層
の端面の、磁極部分の記録媒体に対向する面からの距離
を、記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくするこ
とによって、スロートハイトを正確に規定することが可
能等の効果を得ることができる。
As described above, according to the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the first or second aspect, an insulating layer is first formed on a magnetic layer, and this insulating layer is used. Since the magnetic layer is flattened, the magnetic pole portion adjacent to the insulating layer can be easily formed. Therefore, by making the distance between the end face of the insulating layer and the surface of the magnetic pole portion facing the recording medium equal to the length of the throat height of the recording head, the throat height can be accurately defined. Obtainable.

【0082】また、請求項3または請求項4に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第2の絶縁層内に予
め薄膜コイルを埋め込むようにしたので、上記効果に加
え、コイル形成部分をより平坦化することが可能にな
り、上層の磁性層のより微細化が可能になる等の効果を
得ることができる。
According to the method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the third or fourth aspect, the thin-film coil is embedded in the second insulating layer in advance. Can be further flattened, and effects such as the fineness of the upper magnetic layer can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を説明するための断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG.

【図3】図2に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 2;

【図4】図3に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 3;

【図5】図4に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 4;

【図6】図5に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 5;

【図7】図6に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 6;

【図8】本発明の第1の実施の形態によって製造される
薄膜磁気ヘッドの要部の平面図である。
FIG. 8 is a plan view of a main part of the thin-film magnetic head manufactured according to the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成を説明するための断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a thin-film magnetic head according to a second embodiment of the invention.

【図10】図9に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 9;

【図11】図10に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 10;

【図12】図11に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 11;

【図13】図12に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 12;

【図14】図13に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 14 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 13;

【図15】本発明の第3の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を説明するための断面図である。
FIG. 15 is a sectional view illustrating a configuration of a thin-film magnetic head according to a third embodiment of the invention.

【図16】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する
ための断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a conventional thin-film magnetic head.

【図17】図16に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 17 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 16;

【図18】図17に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 18 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 17;

【図19】図18に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 19 is a sectional view for illustrating a step following the step shown in FIG. 18;

【図20】図19に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 20 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 19;

【図21】図20に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 21 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 20.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…基板、18…上部シールド兼下部磁極(下部磁極
層)、19a…下部磁極先端部、22…記録ギャップ
層、23a…上部磁極先端部、20a〜20f…絶縁
層、21,24…薄膜コイル、25…上部磁極層
11: substrate, 18: upper shield and lower magnetic pole (lower magnetic pole layer), 19a: lower magnetic pole tip, 22: recording gap layer, 23a: upper magnetic pole tip, 20a to 20f: insulating layer, 21, 24: thin film coil , 25 ... Upper pole layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する2つの
磁極部分を含む少なくとも2つの磁性層と、磁束発生用
の1層あるいは2層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、 磁性層を平坦に形成した後、前記磁性層の上に、前記磁
極部分と逆パターンの形状を有する絶縁層を選択的に形
成する工程と、 前記絶縁層のパターンを利用して、前記磁性層の一部領
域と磁気的に結合された磁極部分を形成する工程とを含
むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
At least two magnetic layers including two magnetic pole portions which are magnetically coupled and a part of a side facing a recording medium is opposed via a recording gap layer, and one layer for generating magnetic flux or A method of manufacturing a thin-film magnetic head having two or more thin-film coils, comprising: forming a flat magnetic layer, and selectively forming an insulating layer having a pattern opposite to that of the magnetic pole portion on the magnetic layer. Forming a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer using the pattern of the insulating layer. .
【請求項2】 前記磁性層の上に、前記磁極部分と逆パ
ターンの形状の絶縁層を選択的に形成し、前記磁性層お
よび絶縁層の上に磁性材料を堆積させた後、前記絶縁層
と同一面となるように平坦化することにより、前記磁性
層の一部領域と磁気的に結合された磁極部分を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
2. An insulating layer having a pattern opposite to that of the magnetic pole portion is selectively formed on the magnetic layer, and a magnetic material is deposited on the magnetic layer and the insulating layer. 2. The method according to claim 1, wherein a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer is formed by flattening the surface of the magnetic layer so as to be flush with the magnetic layer.
【請求項3】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する2つの
磁極部分を含む少なくとも2つの磁性層と、磁束発生用
の1層あるいは2層以上の薄膜コイルとを有する薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、 磁性層を平坦に形成した後、前記磁性層の上に第1の絶
縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層の上に薄膜コイルを形成し、前記薄膜
コイルを覆うように第2の絶縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層および第2の絶縁層を、前記磁極部分
と逆パターンの形状となるようにパターニングする工程
と、 前記第1の絶縁層および第2の絶縁層のパターンを利用
して、前記磁性層の一部領域と磁気的に結合された磁極
部分を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
3. At least two magnetic layers including two magnetic pole portions which are magnetically connected and a part of a side facing the recording medium is opposed via a recording gap layer, and one layer for generating magnetic flux or A method of manufacturing a thin-film magnetic head having two or more thin-film coils, comprising: forming a magnetic layer flat, and then forming a first insulating layer on the magnetic layer; Forming a thin-film coil on the layer and forming a second insulating layer so as to cover the thin-film coil; and forming the first insulating layer and the second insulating layer in a pattern having a pattern opposite to that of the magnetic pole portion. Patterning to form a magnetic pole portion that is magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer using the patterns of the first insulating layer and the second insulating layer. Manufacture of a thin film magnetic head characterized by including Law.
【請求項4】 前記第1の絶縁層および第2の絶縁層を
パターニングした後、前記磁性層および第2の絶縁層の
上に磁性材料を堆積し、前記第2の絶縁層と同一面とな
るように平坦化することにより、前記磁性層の一部領域
と磁気的に結合された磁極部分を形成することを特徴と
する請求項3記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. After patterning the first insulating layer and the second insulating layer, a magnetic material is deposited on the magnetic layer and the second insulating layer, and the magnetic material is deposited on the same surface as the second insulating layer. 4. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 3, wherein a magnetic pole portion magnetically coupled to a partial region of the magnetic layer is formed by flattening the magnetic layer.
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