JP2000194605A - Refreshing device of flash memory, its refreshing method, and flash memory - Google Patents

Refreshing device of flash memory, its refreshing method, and flash memory

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JP2000194605A
JP2000194605A JP10368056A JP36805698A JP2000194605A JP 2000194605 A JP2000194605 A JP 2000194605A JP 10368056 A JP10368056 A JP 10368056A JP 36805698 A JP36805698 A JP 36805698A JP 2000194605 A JP2000194605 A JP 2000194605A
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JP
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flash memory
standby
abnormality
active
check
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JP10368056A
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Japanese (ja)
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Keiji Shogatsu
敬二 正月
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NEC Mobile Communications Ltd
Original Assignee
NEC Mobile Communications Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect the abnormality a flash memory and to repair it without having any effect on system operation by providing a device processing means which detects the abnormality of an active and a standby system flash memory. SOLUTION: When initially activated, a 1st flash memory initial abnormality detecting means 11 of a device processing part 1 checks program information on a ROM program storage part 21, the in-operation lash memory 22, and the standby flash memory 23 of a device storage part (memory) 2. A flash memory active/standby switching means 12 activates the detected normal flash memory 22. A 2nd flash memory periodic abnormality detecting means 13 is periodically activated by a periodic timer in the system operation to check program information on the standby flash memory 23. When the standby flash memory 23 is abnormal, the normal active flash memory 22 is used for writing and the program information on the standby flash memory 23 is repaired.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、システム運用中の
フラッシュメモリ異常を検出し、自律修復するようにし
たフラッシュメモリのリフレッシュ装置、そのリフレッ
シュ方法及びフラッシュメモリに関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a flash memory refresh apparatus, a flash memory refresh method, and a flash memory that detect an abnormality in a flash memory during system operation and perform autonomous repair.

【0002】[0002]

【従来の技術】フラッシュメモリは、電気的操作による
データの書込み及び消去が可能な不揮発性メモリであ
る。
2. Description of the Related Art A flash memory is a nonvolatile memory in which data can be written and erased by an electric operation.

【0003】このようなフラッシュメモリに対するリフ
レッシュの手法として、たとえば特開平8−19079
6号公報に示されるものがある。
As a method of refreshing such a flash memory, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-19079
No. 6 is disclosed.

【0004】これは、まずプログラムベリファイモード
とイレーズベリファイモードの両モードで同アドレスか
らの読出しデータをアドレス毎に比較する。次いで、不
一致データに対応のメモリセルのデータを書換えるよう
にする。また、ブロック毎にプログラムベリファイモー
ドとイレーズベリファイモードの両モードでの読出しデ
ータの加算値を比較して不良ブロックを検索する。
In this method, first, read data from the same address is compared for each address in both the program verify mode and the erase verify mode. Next, the data of the memory cell corresponding to the mismatched data is rewritten. Further, a defective block is searched by comparing the added value of read data in both the program verify mode and the erase verify mode for each block.

【0005】不良ブロック内で上述したアドレス毎の比
較を行い、不一致データに対応のメモリセルのデータを
書換える。これにより、データの書込み直後又は消去直
後のベリファイ動作とは別に、不良データを保持してい
るメモリセルの特定と不良データの修復が可能となる。
The above-described comparison is performed for each address in the defective block, and the data in the memory cell corresponding to the mismatched data is rewritten. This makes it possible to specify the memory cell holding the defective data and repair the defective data separately from the verify operation immediately after writing or erasing data.

【0006】また、他のリフレッシュの手法として、た
とえば特開平9−204367号公報に示されるものも
ある。
As another refreshing method, for example, there is a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-204367.

【0007】これは、フラッシュディスクカードにフラ
ッシュメモリとECC(エラー検出訂正)回路とを搭載
したものである。フラッシュディスクカードに対して、
パワーオン後に初期化処理を行う際、フラッシュディス
クカード内のMPUにより、初期化処理の一環としてフ
ラッシュメモリに書込まれている全データを読出す。
This is a flash disk card equipped with a flash memory and an ECC (error detection and correction) circuit. For flash disk cards,
When performing initialization processing after power-on, the MPU in the flash disk card reads out all data written in the flash memory as part of the initialization processing.

【0008】次いで、ECC回路により、読出されたデ
ータに対してエラーの検出及び訂正が行われたときに
は、訂正されたデータをフラッシュメモリに書込む。こ
れにより、データの読出し速度を低下させることなく、
データ保持特性が高めるられる。
Next, when an error is detected and corrected for the read data by the ECC circuit, the corrected data is written to the flash memory. Thereby, without lowering the data reading speed,
Data retention characteristics are enhanced.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した何
れの先行技術にも、システム運用中の異常検出や修復に
ついて考慮がなされていないため、システム運用中にフ
ラッシュメモリの異常を検出してリフレッシュすること
ができないという問題がある。
However, since none of the above-mentioned prior arts takes into account abnormality detection and repair during system operation, an abnormality in the flash memory is detected and refreshed during system operation. There is a problem that you can not.

【0010】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、システム運用中であってもシステム運用
に影響を及すことなく、フラッシュメモリの異常を検出
し、修復することができるフラッシュメモリのリフレッ
シュ装置、そのリフレッシュ方法及びフラッシュメモリ
を提供することができるようにするものである。
The present invention has been made in view of such a situation, and it is possible to detect and repair an abnormality in a flash memory without affecting system operation even during system operation. An object of the present invention is to provide a flash memory refresh device, a refresh method thereof, and a flash memory.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載のフラッ
シュメモリのリフレッシュ装置は、運用系のフラッシュ
メモリと、待機系のフラッシュメモリと、運用系及び待
機系のフラッシュメモリの異常を検出する装置処理手段
と備えることを特徴とする。また、装置処理手段は、シ
ステム初期起動時に、運用系及び待機系のフラッシュメ
モリをチェックする第1のフラッシュメモリ初期異常検
出手段と、チェックの結果に基づいて、運用系及び待機
系のフラッシュメモリの何れかを起動系に切替えるフラ
ッシュメモリ運用/待機切替手段と、システム運用中に
周期起動され、待機系のフラシュメモリをチェックする
第2のフラッシュメモリ定期異常検出手段と、チェック
の結果、異常が検出された場合、待機系のフラッシュメ
モリのプログラム情報を、正常なプログラム情報に書換
えるフラッシュメモリのリフレッシュ手段とを備えるよ
うにすることができる。また、第1のフラッシュメモリ
初期異常検出手段によるチェックには、運用系及び待機
系のフラッシュメモリの異常チェックが含まれるように
することができる。また、第2のフラッシュメモリ定期
異常検出手段によるチェックには、待機系のフラッシュ
メモリの異常チェックが含まれるようにすることができ
る。また、第2のフラッシュメモリ定期異常検出手段1
3は、一定周期で数バイト分のプログラム情報のチェッ
クサムを計算し、すでにメモリ書込み時に書込まれてい
るチェックサムとの比較によってチェックを行うように
することができる。請求項6に記載のフラッシュメモリ
のリフレッシュ方法は、運用系のフラッシュメモリ及び
待機系のフラッシュメモリの異常を検出して修復するフ
ラッシュメモリのリフレッシュ方法であって、運用系及
び待機系のフラッシュメモリの異常を検出する第1の工
程を備えることを特徴とする。また、第1の工程には、
システム初期起動時に、運用系及び待機系のフラッシュ
メモリをチェックする第2の工程と、チェックの結果に
基づいて、運用系及び待機系のフラッシュメモリの何れ
かを起動系に切替える第3の工程と、システム運用中に
周期起動され、待機系のフラシュメモリをチェックする
第4の工程と、チェックの結果、異常が検出された場
合、待機系のフラッシュメモリのプログラム情報を、正
常なプログラム情報に書換える第5の工程とを備えるよ
うにすることができる。また、第2の工程には、運用系
及び待機系のフラッシュメモリの異常チェックを行う工
程が含まれるようにすることができる。また、第4の工
程には、待機系のフラッシュメモリの異常チェックを行
う第6の工程が含まれるようにすることができる。ま
た、第4又は第6の工程には、一定周期で数バイト分の
プログラム情報のチェックサムを計算し、すでにメモリ
書込み時に書込まれているチェックサムとの比較によっ
てチェックを行う工程が含まれるようにすることができ
る。請求項11に記載のフラッシュメモリは、運用系の
フラッシュメモリと、待機系のフラッシュメモリとの二
重構成とされていることを特徴とする。本発明に係るフ
ラッシュメモリのリフレッシュ装置、そのリフレッシュ
方法及びフラッシュメモリにおいては、フラッシュメモ
リを運用系及び待機系の二重構成とし、システム運用中
であっても待機系のフラッシュメモリの異常チェックを
行うようにするとともに、異常チェックに際しては、一
定周期で数バイト分のプログラム情報のチェックを行う
ようにする。
According to the present invention, there is provided a flash memory refresh apparatus for detecting an abnormality in an active flash memory, a standby flash memory, and an active flash memory and a standby flash memory. It is characterized by comprising processing means. Further, the apparatus processing means includes: first flash memory initial abnormality detection means for checking the active and standby flash memories at the time of initial system startup; and Flash memory operation / standby switching means for switching any one to the startup system, second flash memory periodic abnormality detection means periodically started during system operation and checking the flash memory of the standby system, and abnormality is detected as a result of the check In this case, a flash memory refresh unit for rewriting the program information of the standby flash memory with normal program information can be provided. Further, the check by the first flash memory initial abnormality detection means may include an abnormality check of the active and standby flash memories. Further, the check by the second flash memory regular abnormality detection means may include an abnormality check of the standby flash memory. Also, the second flash memory periodic abnormality detecting means 1
3 can calculate a checksum of several bytes of program information at a fixed period, and perform a check by comparing with a checksum already written at the time of writing to the memory. A flash memory refresh method according to claim 6, wherein the flash memory refresh method detects and repairs an abnormality in the active flash memory and the standby flash memory. The method includes a first step of detecting an abnormality. In the first step,
A second step of checking the active and standby flash memories at the time of initial system startup, and a third step of switching one of the active and standby flash memories to the active system based on the check result. A fourth step of periodically starting up during system operation and checking the flash memory of the standby system, and rewriting the program information of the flash memory of the standby system with normal program information when an abnormality is detected as a result of the check. And a fifth step. Further, the second step may include a step of performing an abnormality check on the flash memories of the active system and the standby system. Further, the fourth step may include a sixth step of performing an abnormality check of the standby flash memory. Further, the fourth or sixth step includes a step of calculating a checksum of program information for several bytes at a fixed period and performing a check by comparing with a checksum already written at the time of writing to the memory. You can do so. The flash memory according to the eleventh aspect is characterized in that it has a dual configuration of an active flash memory and a standby flash memory. In the flash memory refresh apparatus, the refresh method, and the flash memory according to the present invention, the flash memory has a dual configuration of an active system and a standby system, and an abnormality check of the standby flash memory is performed even during system operation. At the same time, when checking for abnormalities, program information for several bytes is checked at a fixed cycle.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図1は、本発明のフラッシュメモリを示す
ブロック図である。図1に示すフラッシュメモリは、運
用系のフラッシュメモリ22及び待機系のフラッシュメ
モリ23の二重構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a block diagram showing a flash memory according to the present invention. The flash memory shown in FIG. 1 has a dual configuration of an active flash memory 22 and a standby flash memory 23.

【0013】これらフラッシュメモリ22,23は、バ
ス25に接続されている。バス25には、CPU20,
ROM21,RAM24が接続されている。
The flash memories 22 and 23 are connected to a bus 25. The bus 25 includes a CPU 20,
The ROM 21 and the RAM 24 are connected.

【0014】図2は、本発明のフラッシュメモリのリフ
レッシュ装置の一実施の形態を示すブロック図、図3
は、図2のフラッシュメモリのリフレッシュ装置の動作
を説明するためのフローチャートである。なお、以下に
説明する図において、図1と共通する部分には、同一符
号を付すものとする。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of a flash memory refresh apparatus according to the present invention, and FIG.
3 is a flowchart for explaining the operation of the refresh device of the flash memory of FIG. 2; Note that, in the drawings described below, parts common to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0015】図2に示すフラッシュメモリのリフレッシ
ュ装置(以下、単にリフレッシュ装置という)は、プロ
グラム制御により動作する装置処理部(コンピュータ:
中央処理装置;CPU)1と、装置記憶部(メモリ)2
とを備えている。
A flash memory refresh device (hereinafter simply referred to as a refresh device) shown in FIG. 2 is a device processing unit (computer: computer) that operates under program control.
Central processing unit (CPU) 1 and device storage unit (memory) 2
And

【0016】装置処理部1は、第1のフラッシュメモリ
初期異常検出手段11、フラッシュメモリ運用/待機切
替手段12、第2のフラッシュメモリ定期異常検出手段
13及びフラッシュメモリリフレッシュ手段14を備え
ている。
The device processing unit 1 includes a first flash memory initial abnormality detecting unit 11, a flash memory operation / standby switching unit 12, a second flash memory periodic abnormality detecting unit 13, and a flash memory refreshing unit 14.

【0017】第1のフラッシュメモリ初期異常検出手段
11は、初期起動時に、装置記憶部(メモリ)2のRO
Mプログラム記憶部21、運用系のフラッシュメモリ2
2及び待機系のフラッシュメモリ23のプログラム情報
のチェックを行う。また、第1のフラッシュメモリ初期
異常検出手段11は、初期起動時に、ハードウェア初期
化やプログラムを起動する運用系の決定等をも行う。
The first flash memory initial abnormality detecting means 11 detects the RO of the device storage unit (memory) 2 at the time of initial startup.
M program storage unit 21, active flash memory 2
2 and the program information of the flash memory 23 of the standby system is checked. In addition, the first flash memory initial abnormality detecting means 11 also performs hardware initialization, determination of an active system for starting a program, and the like at the time of initial startup.

【0018】チェックの結果、以上が検出された場合、
CPU1に対して異常を通報し、プログラム強制ダウン
ロード待ちとなる。
If the above is detected as a result of the check,
The CPU 1 is notified of the abnormality and waits for forced download of the program.

【0019】フラッシュメモリ運用/待機切替手段12
は、第1のフラッシュメモリ初期異常検出手段11にて
検出された正常なフラッシュメモリ22又は23を起動
する。
Flash memory operation / standby switching means 12
Starts the normal flash memory 22 or 23 detected by the first flash memory initial abnormality detecting means 11.

【0020】第2のフラッシュメモリ定期異常検出手段
13は、システム運用中に定期タイマにより周期起動さ
れ、装置記憶部(メモリ)2の待機系のフラッシュメモ
リ23のプログラム情報をチェックする。
The second flash memory periodic abnormality detecting means 13 is periodically started by a periodic timer during the operation of the system, and checks the program information of the standby flash memory 23 of the device storage unit (memory) 2.

【0021】チェックの結果、待機系のフラッシュメモ
リ23が異常の場合には、正常な運用系のフラッシュメ
モリ22を書込み用とし、待機系のフラッシュメモリ2
3のプログラム情報を修復(リフレッシュ)する。
As a result of the check, if the standby flash memory 23 is abnormal, the normal operating flash memory 22 is used for writing and the standby flash memory 2 is used.
3 is restored (refreshed).

【0022】図2に示す装置記憶部(メモリ)2は、R
OMプログラム記憶部21、運用系のフラッシュメモリ
2及び待機系のフラッシュメモリ23を備えている。
The device storage unit (memory) 2 shown in FIG.
An OM program storage unit 21, an active flash memory 2, and a standby flash memory 23 are provided.

【0023】ROMプログラム記憶部21は、第1のフ
ラッシュメモリ初期異常検出手段11、フラッシュメモ
リ運用/待機切替手段12の動作に必要なプログラム情
報を記憶している。
The ROM program storage section 21 stores program information necessary for the operation of the first flash memory initial abnormality detecting means 11 and the operation of the flash memory operation / standby switching means 12.

【0024】運用系のフラッシュメモリ22と、待機系
のフラッシュメモリ23は、プログラムダウンロード等
により、アプリケーションプログラム情報を記憶してい
る。
The active flash memory 22 and the standby flash memory 23 store application program information by program download or the like.

【0025】次に、このような構成のリフレッシュ装置
の動作を、図3を用いて説明する。まず、初期起動時に
おいて、第1のフラッシュメモリ初期異常検出手段11
により、運用系のフラッシュメモリ22のプログラム情
報がチェックされる(ステップA1)。この場合、全て
のデータのチェックサム(全てのバイトデータを加算し
2の補数を計算する)と、すでにメモリ書込み時に書込
まれているチェックサムとを一度に比較する。
Next, the operation of the refresh device having such a configuration will be described with reference to FIG. First, at the time of initial startup, the first flash memory initial abnormality detecting means 11
As a result, the program information in the active flash memory 22 is checked (step A1). In this case, the checksum of all data (all byte data is added to calculate a two's complement) and the checksum already written at the time of writing to the memory are compared at once.

【0026】次に、待機系のフラッシュメモリ23のプ
ログラム情報をチェックするために、全てのデータのチ
ェックサムを計算(全てのバイトデータを加算し2の補
数を計算する)し、すでにメモリ書込み時に書込まれて
いるチェックサムとを一度に比較する(ステップA
2)。
Next, in order to check the program information of the standby flash memory 23, the checksums of all data are calculated (all byte data are added and two's complement is calculated), and the data is already written in the memory. Compare the written checksum at once (step A
2).

【0027】次いで、チェックの結果が判断され、チェ
ックサムの比較により一致していれば正常と判断する。
また、チェックサムの比較により不一致となれば異常と
判断する(ステップA3)。
Next, the result of the check is determined, and if the checksums match, it is determined to be normal.
If the checksums do not match, it is determined to be abnormal (step A3).

【0028】判断の結果、何れのフラッシュメモリ2
2,23も正常である場合、フラッシュメモリ22を用
いてプログラムを起動する(ステップA4)。また、何
れか一方のみが正常であると判断された場合、正常であ
る一方のフラッシュメモリ22又は23を用いてプログ
ラムを起動する。
As a result of the judgment, any flash memory 2
If both are normal, the program is started using the flash memory 22 (step A4). If it is determined that only one of them is normal, the program is started using one of the normal flash memories 22 or 23.

【0029】なお、これらフラッシュメモリ22,23
の起動の切替えは、図2のフラッシュメモリ運用/待機
切替手段12によって行われる。
The flash memories 22, 23
Is switched by the flash memory operation / standby switching unit 12 in FIG.

【0030】判断の結果、何れも正常でない場合には、
図2のCPU1に異常通報を行いプログラムの強制ダウ
ンロード待ちとなる(ステップA5)。
As a result of the judgment, if none of them is normal,
The CPU 1 of FIG. 2 is notified of an abnormality and waits for forced download of the program (step A5).

【0031】次に、システム運用中における動作を、図
4を用いて説明する。まず、システム運用中では、第2
のフラッシュメモリ定期異常検出手段13により、待機
系のフラッシュメモリ23のプログラム情報がチェック
される(ステップA2)。この場合、一定周期で数バイ
ト分のプログラム情報のチェックサムを計算し、すでに
メモリ書込み時に書込まれているチェックサムと比較す
る。
Next, the operation during operation of the system will be described with reference to FIG. First, during system operation, the second
The program information of the standby flash memory 23 is checked by the flash memory periodic abnormality detecting means 13 (step A2). In this case, the checksum of several bytes of program information is calculated at a fixed period and compared with the checksum already written at the time of writing to the memory.

【0032】比較の結果、一致していれば正常と判断
し、不一致となれば異常と判断する(ステップA3)。
As a result of comparison, if they match, it is determined to be normal, and if they do not match, it is determined to be abnormal (step A3).

【0033】正常と判断された場合は、フラッシュメモ
リ異常チェック用定期タイマをスタートさせる(ステッ
プB2)。異常と判断された場合は、正常な運用系のフ
ラッシュメモリ22のプログラム情報を、待機系のフラ
ッシュメモリ23に上書きコピー(書込み)し、修復
(リフレッシュ)を行う(ステップB1)。
If it is determined that the operation is normal, the flash memory abnormality check regular timer is started (step B2). If it is determined to be abnormal, the program information in the normal operating flash memory 22 is copied (written) over the standby flash memory 23 and repaired (refreshed) (step B1).

【0034】このように、本実施の形態では、フラッシ
ュメモリ22,23を二重構成(運用/待機)としたの
で、システム運用中であっても待機系のフラッシュメモ
リ23の異常チェックを行うことができる。また、異常
チェックに際しては、一定周期で数バイト分のプログラ
ム情報のチェックを行うようにしたので、システムの機
能及び処理に負担をかけることも防げる。
As described above, in the present embodiment, since the flash memories 22 and 23 have a dual configuration (operation / standby), it is necessary to check the abnormality of the standby flash memory 23 even during system operation. Can be. In addition, at the time of the abnormality check, the program information of several bytes is checked at a constant cycle, so that it is possible to prevent a burden on the functions and processing of the system.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の如く本発明に係るフラッシュメモ
リのリフレッシュ装置、そのリフレッシュ方法及びフラ
ッシュメモリによれば、フラッシュメモリを運用系及び
待機系の二重構成とし、システム運用中であっても待機
系のフラッシュメモリの異常チェックを行うようにする
とともに、異常チェックに際しては、一定周期で数バイ
ト分のプログラム情報のチェックを行うようにしたの
で、システム運用中であってもシステム運用に影響を及
ぼすことなく、フラッシュメモリの異常を検出し、修復
することができる。
As described above, according to the flash memory refresh apparatus, the refresh method, and the flash memory according to the present invention, the flash memory has a dual configuration of an active system and a standby system, and the flash memory is in standby even during system operation. The system flash memory is checked for abnormalities, and at the time of checking for abnormalities, several bytes of program information are checked at regular intervals, thus affecting system operation even during system operation. Without detecting an abnormality in the flash memory, the flash memory can be repaired.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のフラッシュメモリを示すブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram showing a flash memory of the present invention.

【図2】図2は、本発明のフラッシュメモリのリフレッ
シュ装置の一実施の形態を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of a refresh device for a flash memory according to the present invention;

【図3】図2のフラッシュメモリのリフレッシュ装置の
動作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the flash memory refresh device of FIG. 2;

【図4】図2のフラッシュメモリのリフレッシュ装置の
システム運用中における動作を説明するためのフローチ
ャートである。
FIG. 4 is a flowchart illustrating an operation of the flash memory refresh device of FIG. 2 during system operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 装置処理部 2 装置記憶部 11 第1のフラッシュメモリ初期異常検出手段 12 フラッシュメモリ運用/待機切替手段 13 第2のフラッシュメモリ定期異常検出手段 14 フラッシュメモリリフレッシュ手段 21 ROMプログラム記憶部 22 運用系のフラッシュメモリ 23 待機系のフラッシュメモリ 25 バス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Device processing unit 2 Device storage unit 11 First flash memory initial abnormality detection unit 12 Flash memory operation / standby switching unit 13 Second flash memory periodic abnormality detection unit 14 Flash memory refresh unit 21 ROM program storage unit 22 Operating system Flash memory 23 Standby flash memory 25 Bus

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 運用系のフラッシュメモリと、 待機系のフラッシュメモリと、 前記運用系及び待機系のフラッシュメモリの異常を検出
する装置処理手段と備えることを特徴とするフラッシュ
メモリのリフレッシュ装置。
1. An apparatus for refreshing a flash memory, comprising: an active flash memory; a standby flash memory; and device processing means for detecting an abnormality in the active and standby flash memories.
【請求項2】 前記装置処理手段は、 システム初期起動時に、前記運用系及び待機系のフラッ
シュメモリをチェックする第1のフラッシュメモリ初期
異常検出手段と、 前記チェックの結果に基づいて、前記運用系及び待機系
のフラッシュメモリの何れかを起動系に切替えるフラッ
シュメモリ運用/待機切替手段と、 システム運用中に周期起動され、前記待機系のフラシュ
メモリをチェックする第2のフラッシュメモリ定期異常
検出手段と、 前記チェックの結果、異常が検出された場合、前記待機
系のフラッシュメモリのプログラム情報を、正常なプロ
グラム情報に書換えるフラッシュメモリのリフレッシュ
手段とを備えることを特徴とする請求項1に記載のフラ
ッシュメモリのリフレッシュ装置。
2. The apparatus processing means comprises: first flash memory initial abnormality detecting means for checking the active and standby flash memories at the time of initial system startup; and Flash memory operation / standby switching means for switching any of the flash memory of the standby system to the activation system; second flash memory periodic abnormality detection means that is periodically activated during system operation and checks the flash memory of the standby system; 2. The flash memory according to claim 1, further comprising: a flash memory refresh unit that rewrites program information of the standby flash memory to normal program information when an abnormality is detected as a result of the check. Refresh device for flash memory.
【請求項3】 前記第1のフラッシュメモリ初期異常検
出手段によるチェックには、前記運用系及び待機系のフ
ラッシュメモリの異常チェックが含まれることを特徴と
する請求項2に記載のフラッシュメモリのリフレッシュ
装置。
3. The refresh of the flash memory according to claim 2, wherein the check by the first flash memory initial abnormality detection unit includes an abnormality check of the flash memories of the active system and the standby system. apparatus.
【請求項4】 前記第2のフラッシュメモリ定期異常検
出手段によるチェックには、前記待機系のフラッシュメ
モリの異常チェックが含まれることを特徴とする請求項
2に記載のフラッシュメモリのリフレッシュ装置。
4. The flash memory refresh device according to claim 2, wherein the check by the second flash memory periodic abnormality detection means includes an abnormality check of the standby flash memory.
【請求項5】 前記第2のフラッシュメモリ定期異常検
出手段13は、一定周期で数バイト分のプログラム情報
のチェックサムを計算し、すでにメモリ書込み時に書込
まれているチェックサムとの比較によって前記チェック
を行うことを特徴とする請求項2又は4に記載のフラッ
シュメモリのリフレッシュ装置。
5. The second flash memory periodic abnormality detecting means 13 calculates a checksum of several bytes of program information at a fixed period and compares the checksum with a checksum already written at the time of writing to the memory. 5. The flash memory refresh device according to claim 2, wherein a check is performed.
【請求項6】 運用系のフラッシュメモリ及び待機系の
フラッシュメモリの異常を検出して修復するフラッシュ
メモリのリフレッシュ方法であって、 前記運用系及び待機系のフラッシュメモリの異常を検出
する第1の工程を備えることを特徴とするフラッシュメ
モリのリフレッシュ方法。
6. A flash memory refresh method for detecting and repairing an abnormality in an active flash memory and a standby flash memory, wherein the first method detects an abnormality in the active and standby flash memories. A method for refreshing a flash memory, comprising the steps of:
【請求項7】 前記第1の工程には、 システム初期起動時に、前記運用系及び待機系のフラッ
シュメモリをチェック する第2の工程と、前記チェックの結果に基づいて、前
記運用系及び待機系のフラッシュメモリの何れかを起動
系に切替える第3の工程と、 システム運用中に周期起動され、前記待機系のフラシュ
メモリをチェックする第4の工程と、 前記チェックの結果、異常が検出された場合、前記待機
系のフラッシュメモリのプログラム情報を、正常なプロ
グラム情報に書換える第5の工程とを備えることを特徴
とする請求項6に記載のフラッシュメモリのリフレッシ
ュ方法。
7. The first step includes checking a flash memory of the active system and the standby system at the time of initial startup of the system, and the operating system and the standby system based on a result of the check. A third step of switching any one of the flash memories to the activation system, a fourth step of periodically starting the flash memory during system operation and checking the flash memory of the standby system, and as a result of the check, an abnormality is detected. 7. The flash memory refresh method according to claim 6, further comprising: a fifth step of rewriting the program information of the standby flash memory into normal program information.
【請求項8】 前記第2の工程には、前記運用系及び待
機系のフラッシュメモリの異常チェックを行う工程が含
まれることを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメ
モリのリフレッシュ方法。
8. The flash memory refresh method according to claim 7, wherein the second step includes a step of performing an abnormality check on the active and standby flash memories.
【請求項9】 前記第4の工程には、前記待機系のフラ
ッシュメモリの異常チェックを行う第6の工程が含まれ
ることを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリ
のリフレッシュ方法。
9. The flash memory refresh method according to claim 7, wherein the fourth step includes a sixth step of performing an abnormality check on the standby flash memory.
【請求項10】 前記第4又は第6の工程には、一定周
期で数バイト分のプログラム情報のチェックサムを計算
し、すでにメモリ書込み時に書込まれているチェックサ
ムとの比較によって前記チェックを行う工程が含まれる
ことを特徴とする請求項7又は9に記載のフラッシュメ
モリのリフレッシュ方法。
10. The fourth or sixth step includes calculating a checksum of several bytes of program information at a fixed period, and comparing the checksum with a checksum already written at the time of writing to the memory. The method for refreshing a flash memory according to claim 7, further comprising a step of performing.
【請求項11】 運用系のフラッシュメモリと、待機系
のフラッシュメモリとの二重構成とされていることを特
徴とするフラッシュメモリ。
11. A flash memory having a dual configuration of an active flash memory and a standby flash memory.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007193563A (en) * 2006-01-19 2007-08-02 Nec Computertechno Ltd Bios restoring mode and bios restoring method
JP2008123481A (en) * 2006-11-14 2008-05-29 Innodisk Corp Mini flash disk which ensures data security
JP2010515190A (en) * 2007-01-02 2010-05-06 サンディスク アイエル リミテッド Apparatus and method for archiving digital content
JP2019040376A (en) * 2017-08-25 2019-03-14 株式会社明電舎 Local data rewrite method

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