JP2000188516A - Mixer circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、局部発振信号
（ＬＯ信号）に基づいて高周波信号（ＲＦ信号）を中間
周波数信号（ＩＦ信号）に周波数変換するミキサ回路に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mixer circuit for converting a high-frequency signal (RF signal) into an intermediate frequency signal (IF signal) based on a local oscillation signal (LO signal).
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は例えば「A GaAs MESFET Mixer wi
th Very Low Intermodulation」（IEEE Trans. On Micr
owave Theory and Techniques, Vol. MTT-35, No.4, Ap
ril 1987, pp.425-429）に記載の従来のミキサ回路を示
すブロック図である。また、図６は、図５の従来のミキ
サ回路に、ＩＦ信号を増幅するＩＦ増幅器を設けたもの
を示すブロック図である。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows, for example, "A GaAs MESFET Mixer wi
th Very Low Intermodulation ”(IEEE Trans. On Micr
owave Theory and Techniques, Vol. MTT-35, No.4, Ap
ril 1987, pp. 425-429) is a block diagram showing a conventional mixer circuit. FIG. 6 is a block diagram showing the conventional mixer circuit of FIG. 5 provided with an IF amplifier for amplifying an IF signal.
【０００３】図において、１はＲＦ信号を入力されるＲ
Ｆ信号入力端子であり、２はＬＯ信号を入力されるＬＯ
信号入力端子であり、３はＩＦ信号を出力するＩＦ信号
出力端子であり、４はソース端子を接地された電界効果
トランジスタ（以下、ＦＥＴという）である。１１はＦ
ＥＴ４のゲート端子に接続され、ＬＯ信号入力端子２を
介してＬＯ信号を入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域
の信号だけを通過させるＬＯ信号用帯域通過フィルタで
あり、１２は電源１３に接続されＦＥＴ４のゲート端子
にバイアスを加えるゲートバイアス回路であり、２１は
ＦＥＴ４のドレイン端子に接続され、ＲＦ信号入力端子
１を介してＲＦ信号を入力され、所定のＩＦ信号周波数
帯域の信号を抑制し、所定のＲＦ信号周波数帯域の信号
だけを通過させるＲＦ信号用帯域通過フィルタであり、
４０はＦＥＴ４のドレイン端子に接続され、所定のＩＦ
信号周波数帯域の信号だけを通過させ、周波数変換後の
ＩＦ信号をＩＦ信号出力端子３を介して出力するＩＦ信
号用帯域通過フィルタである。すなわち、このミキサ回
路は、レジスティブＦＥＴミキサ回路である。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an R to which an RF signal is input.
F signal input terminal, 2 is LO signal input terminal
A signal input terminal, 3 is an IF signal output terminal for outputting an IF signal, and 4 is a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) whose source terminal is grounded. 11 is F
A LO signal band-pass filter that is connected to the gate terminal of the ET 4, receives an LO signal through the LO signal input terminal 2, and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band. A gate bias circuit 21 for applying a bias to the gate terminal of the FET 4 is connected to the drain terminal of the FET 4 and receives an RF signal through the RF signal input terminal 1 to suppress a signal in a predetermined IF signal frequency band; An RF signal band-pass filter that passes only a signal in a predetermined RF signal frequency band,
40 is connected to the drain terminal of the FET 4 and has a predetermined IF
This is an IF signal band-pass filter that passes only a signal in a signal frequency band and outputs the IF signal after frequency conversion via an IF signal output terminal 3. That is, this mixer circuit is a resistive FET mixer circuit.
【０００４】次に動作について説明する。ＲＦ信号入力
端子１にＲＦ信号が入力され、ＬＯ信号入力端子２にＬ
Ｏ信号が入力される。ＲＦ信号用帯域通過フィルタ２１
は、所定のＩＦ信号周波数帯域の信号を抑制し、所定の
ＲＦ信号周波数帯域の信号だけを通過させる。ＬＯ信号
用帯域通過フィルタ１１は、所定のＬＯ信号周波数帯域
の信号だけを通過させる。Next, the operation will be described. An RF signal is input to the RF signal input terminal 1 and L is input to the LO signal input terminal 2.
The O signal is input. RF signal band-pass filter 21
Suppresses signals in a predetermined IF signal frequency band and passes only signals in a predetermined RF signal frequency band. The LO signal band-pass filter 11 passes only signals in a predetermined LO signal frequency band.
【０００５】ＲＦ信号はＲＦ信号用帯域通過フィルタ２
１を通過し、ＦＥＴ４のドレイン端子に印加され、ＬＯ
信号はＬＯ信号用帯域通過フィルタ１１を通過し、ＦＥ
Ｔ４のゲート端子に印加される。そして、それらの信号
に基づいてＦＥＴ４が動作し、ＲＦ信号の周波数を
ｆRF、ＬＯ信号の周波数をｆLOとすると、周波数がｆIF
（＝｜ｆRF−ｆLO｜）であるＩＦ信号がドレイン端子に
生成される。[0005] The RF signal is a bandpass filter 2 for an RF signal.
1 and applied to the drain terminal of FET4,
The signal passes through the LO signal band-pass filter 11, and the FE
Applied to the gate terminal of T4. Then, the FET 4 operates based on those signals, and if the frequency of the RF signal is f RF and the frequency of the LO signal is f LO , the frequency is f IF
(= | F RF −f LO |) is generated at the drain terminal.
【０００６】ＩＦ信号の周波数ｆIFはＩＦ信号周波数帯
域内の周波数であり、ＲＦ信号周波数帯域外であるの
で、生成されたＩＦ信号はＲＦ信号用帯域通過フィルタ
２１を通過せず、ＩＦ信号用帯域通過フィルタ４０を通
過して、ＩＦ信号出力端子３を介して出力される。Since the frequency f IF of the IF signal is within the frequency band of the IF signal and outside the frequency band of the RF signal, the generated IF signal does not pass through the bandpass filter 21 for the RF signal. The signal passes through the band-pass filter 40 and is output via the IF signal output terminal 3.
【０００７】なお、図５のミキサ回路では変換利得が低
いため、図６に示すようにＩＦ信号出力端子３の前段に
ＩＦ増幅器３２を設け、ＩＦ信号を増幅して出力するよ
うに回路を構成することが多い。In the mixer circuit of FIG. 5, since the conversion gain is low, an IF amplifier 32 is provided in front of the IF signal output terminal 3 as shown in FIG. 6, and the circuit is configured to amplify and output the IF signal. Often do.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来のミキサ回路は以
上のように構成されているので、アクティブミキサ回路
よりＬＯ信号の電力を大きくする必要があり、ＦＥＴ４
のドレイン端子へ漏洩するＬＯ信号のレベルが高くな
り、周波数ｆLOにおけるＩＦ信号用帯域通過フィルタ４
０による減衰量が十分でないと、漏洩したＬＯ信号に起
因してＩＦ増幅器３２の出力信号にひずみが発生し、ミ
キサ回路のひずみ特性が悪化するなどの課題があった。Since the conventional mixer circuit is configured as described above, the power of the LO signal needs to be larger than that of the active mixer circuit.
The level of the LO signal leaking to the drain terminal of the IF signal increases, and the IF signal bandpass filter 4 at the frequency f LO
If the attenuation by 0 is not sufficient, there is a problem that distortion occurs in the output signal of the IF amplifier 32 due to the leaked LO signal, and the distortion characteristics of the mixer circuit deteriorate.
【０００９】特に、移動体通信でこのようなミキサ回路
を使用する場合、ＩＦ信号の周波数ｆIFが低いため、Ｉ
Ｆ信号用帯域通過フィルタ４０を小型化することが困難
であるとともに、フィルタによる損失も大きくなるとい
う課題があった。In particular, when such a mixer circuit is used in mobile communication, the frequency f IF of the IF signal is low.
There is a problem that it is difficult to reduce the size of the F signal band-pass filter 40 and the loss due to the filter also increases.
【００１０】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ソース端子を接地されたＦＥＴの
ドレイン端子とＩＦ信号用の増幅器との間にＬＯ信号の
周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタを設ける
ようにして、ひずみ特性の良好なミキサ回路を得ること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problem, and blocks a signal in a frequency band of an LO signal between an IF signal amplifier and a drain terminal of an FET whose source terminal is grounded. It is an object of the present invention to provide a mixer circuit having good distortion characteristics by providing a band rejection filter that performs the above operation.
【００１１】また、ＲＦ信号用の帯域通過フィルタとＦ
ＥＴのドレイン端子との間に、ＲＦ信号とＩＦ信号とを
分離する高域通過フィルタを設けるとともに、ＦＥＴの
ソース端子とＩＦ信号用の増幅器との間に、ＬＯ信号の
周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタを設ける
ようにして、ひずみ特性の良好なミキサ回路を得ること
を目的とする。Also, a band-pass filter for an RF signal and F
A high-pass filter for separating the RF signal and the IF signal is provided between the drain terminal of the ET and the signal in the frequency band of the LO signal is blocked between the source terminal of the FET and the amplifier for the IF signal. It is an object of the present invention to provide a mixer circuit having good distortion characteristics by providing a band rejection filter that performs the above operation.
【００１２】また、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave I
ntegrated Circuit ）として構成するようにして小型化
が可能であるミキサ回路を得ることを目的とする。Further, MMIC (Monolithic Microwave I)
It is an object of the present invention to obtain a mixer circuit that can be miniaturized by being configured as an integrated circuit.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】この発明に係るミキサ回
路は、ソース端子を接地された電界効果トランジスタ
と、電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、Ｌ
Ｏ信号を入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だ
けを通過させる第１の帯域通過フィルタと、電界効果ト
ランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイ
アス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子に接
続され、ＲＦ信号を入力され、所定のＲＦ信号周波数帯
域の信号だけを通過させる第２の帯域通過フィルタと、
電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、ＬＯ
信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタ
と、帯域阻止フィルタを通過したＩＦ信号を増幅し、増
幅後のＩＦ信号を出力する増幅器とを備えるものであ
る。A mixer circuit according to the present invention has a source terminal connected to a grounded field-effect transistor and a gate terminal of the field-effect transistor.
A first band-pass filter that receives an O signal and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band, a gate bias circuit that applies a bias to a gate terminal of the field effect transistor, and a drain terminal of the field effect transistor. , A second band-pass filter that receives an RF signal and passes only a signal in a predetermined RF signal frequency band;
Connected to the drain terminal of the field effect transistor
It comprises a band rejection filter that blocks a signal in a frequency band of the signal, and an amplifier that amplifies the IF signal that has passed through the band rejection filter and outputs the amplified IF signal.
【００１４】この発明に係るミキサ回路は、電界効果ト
ランジスタと、電界効果トランジスタのゲート端子に接
続され、ＬＯ信号を入力され、所定のＬＯ信号周波数帯
域の信号だけを通過させる第１の帯域通過フィルタと、
電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加える
ゲートバイアス回路と、ＲＦ信号を入力され、所定のＲ
Ｆ信号周波数帯域の信号だけを通過させる第２の帯域通
過フィルタと、電界効果トランジスタのドレイン端子と
第２の帯域通過フィルタとの間に設けられ、所定のＲＦ
信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のＩＦ信号周波
数帯域の信号を阻止して所定のＲＦ信号周波数帯域の信
号と所定のＩＦ信号周波数帯域の信号とを分離する高域
通過フィルタと、電界効果トランジスタのソース端子に
接続され、ＬＯ信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域
阻止フィルタと、帯域阻止フィルタを通過したＩＦ信号
を増幅し、増幅後のＩＦ信号を出力する増幅器とを備え
るものである。A mixer circuit according to the present invention is a first band-pass filter connected to a field-effect transistor and a gate terminal of the field-effect transistor, receiving an LO signal, and passing only a signal in a predetermined LO signal frequency band. When,
A gate bias circuit for applying a bias to the gate terminal of the field-effect transistor;
A second band-pass filter that allows only a signal in the F signal frequency band to pass therethrough;
A high-pass filter that passes a signal in a signal frequency band, blocks a signal in a predetermined IF signal frequency band, and separates a signal in a predetermined RF signal frequency band from a signal in a predetermined IF signal frequency band; A band-stop filter connected to the source terminal of the transistor for blocking a signal in the frequency band of the LO signal; and an amplifier for amplifying the IF signal that has passed through the band-stop filter and outputting the amplified IF signal. .
【００１５】この発明に係るミキサ回路は、電界効果ト
ランジスタのドレイン端子と第２の帯域通過フィルタと
を接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設け
られたインダクタとで高域通過フィルタが構成され、電
界効果トランジスタのソース端子と増幅器とを接続する
信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたイン
ダクタおよびコンデンサの直列回路とで帯域阻止フィル
タが構成され、ＭＭＩＣとして構成されるものである。The mixer circuit according to the present invention comprises a signal line connecting the drain terminal of the field-effect transistor and the second band-pass filter, and an inductor provided between the signal line and a ground point. A pass filter is formed, a signal line connecting the source terminal of the field-effect transistor and the amplifier, and a series circuit of an inductor and a capacitor provided between the signal line and a ground point form a band-stop filter, It is configured as an MMIC.
【００１６】この発明に係るミキサ回路は、電界効果ト
ランジスタのドレイン端子と第２の帯域通過フィルタと
を接続する信号線と、その信号線と接地点との間に設け
られたインダクタとで高域通過フィルタが構成され、電
界効果トランジスタのソース端子と増幅器との間に直列
に設けられたインダクタおよびコンデンサの並列回路で
帯域阻止フィルタが構成され、ＭＭＩＣとして構成され
るものである。The mixer circuit according to the present invention comprises a signal line connecting the drain terminal of the field effect transistor and the second band-pass filter, and an inductor provided between the signal line and a ground point. A pass filter is formed, and a band rejection filter is formed by a parallel circuit of an inductor and a capacitor provided in series between the source terminal of the field effect transistor and the amplifier, and is configured as an MMIC.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１による
ミキサ回路の構成を示すブロック図である。図におい
て、１はＲＦ信号を入力されるＲＦ信号入力端子であ
り、２はＬＯ信号を入力されるＬＯ信号入力端子であ
り、３はＩＦ信号を出力するＩＦ信号出力端子であり、
４はソース端子を接地された電界効果トランジスタ（以
下、ＦＥＴという）である。１１はＦＥＴ４のゲート端
子に接続され、ＬＯ信号入力端子２を介してＬＯ信号を
入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だけを通過
させるＬＯ信号用帯域通過フィルタ（第１の帯域通過フ
ィルタ）であり、１２は電源１３に接続されＦＥＴ４の
ゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路であ
り、２１はＦＥＴ４のドレイン端子に接続され、ＲＦ信
号入力端子１を介してＲＦ信号を入力され、所定のＩＦ
信号周波数帯域の信号を抑制し、所定のＲＦ信号周波数
帯域の信号だけを通過させるＲＦ信号用帯域通過フィル
タ（第２の帯域通過フィルタ）である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, 1 is an RF signal input terminal for inputting an RF signal, 2 is an LO signal input terminal for inputting an LO signal, 3 is an IF signal output terminal for outputting an IF signal,
Reference numeral 4 denotes a field-effect transistor (hereinafter referred to as FET) whose source terminal is grounded. Reference numeral 11 denotes a LO signal band-pass filter (first band-pass filter) which is connected to the gate terminal of the FET 4, receives an LO signal via the LO signal input terminal 2, and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band. Reference numeral 12 denotes a gate bias circuit which is connected to the power supply 13 and applies a bias to the gate terminal of the FET 4. Reference numeral 21 denotes a gate bias circuit which is connected to the drain terminal of the FET 4 and receives an RF signal via the RF signal input terminal 1. IF
An RF signal band-pass filter (second band-pass filter) that suppresses a signal in a signal frequency band and passes only a signal in a predetermined RF signal frequency band.
【００１８】３１はＦＥＴ４のドレイン端子に接続さ
れ、ＬＯ信号の周波数帯域の信号だけを阻止するＬＯ信
号用帯域阻止フィルタ（帯域阻止フィルタ）であり、３
２は、ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１からのＩＦ信号
を増幅してＩＦ信号出力端子３を介して出力するＩＦ増
幅器（増幅器）である。すなわち、このミキサ回路は、
レジスティブＦＥＴミキサ回路である。Reference numeral 31 denotes an LO signal band rejection filter (band rejection filter) which is connected to the drain terminal of the FET 4 and blocks only a signal in a frequency band of the LO signal.
Reference numeral 2 denotes an IF amplifier (amplifier) that amplifies the IF signal from the LO signal band rejection filter 31 and outputs the amplified signal via the IF signal output terminal 3. That is, this mixer circuit
This is a resistive FET mixer circuit.
【００１９】次に動作について説明する。ＲＦ信号入力
端子１にＲＦ信号が入力され、ＬＯ信号入力端子２にＬ
Ｏ信号が入力される。ＲＦ信号用帯域通過フィルタ２１
は、所定のＩＦ信号周波数帯域の信号を抑制し、所定の
ＲＦ信号周波数帯域の信号だけを通過させる。ＬＯ信号
用帯域通過フィルタ１１は、所定のＬＯ信号周波数帯域
の信号だけを通過させる。Next, the operation will be described. An RF signal is input to the RF signal input terminal 1 and L is input to the LO signal input terminal 2.
The O signal is input. RF signal band-pass filter 21
Suppresses signals in a predetermined IF signal frequency band and passes only signals in a predetermined RF signal frequency band. The LO signal band-pass filter 11 passes only signals in a predetermined LO signal frequency band.
【００２０】ＲＦ信号はＲＦ信号用帯域通過フィルタ２
１を通過し、ＦＥＴ４のドレイン端子に印加され、ＬＯ
信号はＬＯ信号用帯域通過フィルタ１１を通過し、ＦＥ
Ｔ４のゲート端子に印加される。そして、それらの信号
に基づいてＦＥＴ４が動作し、ＲＦ信号の周波数を
ｆRF、ＬＯ信号の周波数をｆLOとすると、周波数がｆIF
（＝｜ｆRF−ｆLO｜）であるＩＦ信号がドレイン端子に
生成される。The RF signal is an RF signal band-pass filter 2
1 and applied to the drain terminal of FET4,
The signal passes through the LO signal band-pass filter 11, and the FE
Applied to the gate terminal of T4. Then, the FET 4 operates based on those signals, and if the frequency of the RF signal is f RF and the frequency of the LO signal is f LO , the frequency is f IF
(= | F RF −f LO |) is generated at the drain terminal.
【００２１】ＩＦ信号の周波数ｆIFはＩＦ信号周波数帯
域内の周波数であり、ＲＦ信号周波数帯域外であるの
で、生成されたＩＦ信号はＲＦ信号用帯域通過フィルタ
２１を通過せず、ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１を通
過して、ＩＦ増幅器３２で増幅された後、ＩＦ信号出力
端子３を介して出力される。ここで、ＦＥＴ４のドレイ
ン端子に漏洩するＬＯ信号はＬＯ信号用帯域阻止フィル
タ３１で阻止されるため、ＩＦ増幅器３２にはＩＦ信号
のみが供給される。Since the frequency f IF of the IF signal is within the frequency band of the IF signal and outside the frequency band of the RF signal, the generated IF signal does not pass through the band pass filter 21 for the RF signal, After passing through the band rejection filter 31 and being amplified by the IF amplifier 32, it is output via the IF signal output terminal 3. Since the LO signal leaking to the drain terminal of the FET 4 is blocked by the LO signal band rejection filter 31, only the IF signal is supplied to the IF amplifier 32.
【００２２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、ソース端子を接地されたＦＥＴ４のドレイン端子と
ＩＦ増幅器３２との間にＬＯ信号の周波数帯域の信号を
阻止するＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１を設けるよう
にしたので、ひずみ特性を良好にすることができるとい
う効果が得られる。As described above, according to the first embodiment, between the drain terminal of the FET 4 whose source terminal is grounded and the IF amplifier 32, the LO signal band rejection for blocking the signal in the frequency band of the LO signal. Since the filter 31 is provided, an effect that distortion characteristics can be improved can be obtained.
【００２３】また、ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１を
使用するようにしたので、ＩＦ信号の周波数ｆIFにおけ
るフィルタの損失が低減するため、ＩＦ増幅器３２の増
幅率を低くすることができ、ＩＦ増幅器３２の消費電力
を低減することができるという効果が得られる。Further, since the LO signal band rejection filter 31 is used, the loss of the filter at the frequency fIF of the IF signal is reduced, so that the amplification factor of the IF amplifier 32 can be reduced, and the IF amplifier can be reduced. 32 can be reduced in power consumption.
【００２４】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２によるミキサ回路の構成を示すブロック図であ
る。図において、１はＲＦ信号を入力されるＲＦ信号入
力端子であり、２はＬＯ信号を入力されるＬＯ信号入力
端子であり、３はＩＦ信号を出力するＩＦ信号出力端子
であり、４はＦＥＴである。１１はＦＥＴ４のゲート端
子に接続され、ＬＯ信号入力端子２を介してＬＯ信号を
入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だけを通過
させるＬＯ信号用帯域通過フィルタであり、１２は電源
１３に接続されＦＥＴ４のゲート端子にバイアスを加え
るゲートバイアス回路であり、２１はＲＦ信号入力端子
１を介してＲＦ信号を入力され、所定のＩＦ信号周波数
帯域の信号を抑制し、所定のＲＦ信号周波数帯域の信号
だけを通過させるＲＦ信号用帯域通過フィルタである。Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 2 of the present invention. In the figure, 1 is an RF signal input terminal for inputting an RF signal, 2 is a LO signal input terminal for inputting an LO signal, 3 is an IF signal output terminal for outputting an IF signal, and 4 is a FET. It is. Reference numeral 11 denotes an LO signal band-pass filter which is connected to the gate terminal of the FET 4 and receives an LO signal through the LO signal input terminal 2 and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band. A gate bias circuit 21 is connected and applies a bias to the gate terminal of the FET 4. An RF signal is input through the RF signal input terminal 1 to suppress a signal in a predetermined IF signal frequency band, and to control a predetermined RF signal frequency band. Is a bandpass filter for an RF signal that allows only the signal of
【００２５】２２はＦＥＴ４のドレイン端子とＲＦ信号
用帯域通過フィルタ２１との間に設けられ、所定のＲＦ
信号周波数帯域の信号を通過させ、所定のＩＦ信号周波
数帯域の信号を阻止して所定のＲＦ信号周波数帯域の信
号と所定のＩＦ信号周波数帯域の信号とを分離する高域
通過フィルタである。Reference numeral 22 is provided between the drain terminal of the FET 4 and the RF signal band-pass filter 21 and has a predetermined RF power.
A high-pass filter that passes a signal in a signal frequency band, blocks a signal in a predetermined IF signal frequency band, and separates a signal in a predetermined RF signal frequency band from a signal in a predetermined IF signal frequency band.
【００２６】３１はＦＥＴ４のソース端子に接続され、
所定のＬＯ信号周波数帯域の信号を阻止するＬＯ信号用
帯域阻止フィルタであり、３２は、ＬＯ信号用帯域阻止
フィルタ３１からのＩＦ信号を増幅してＩＦ信号出力端
子３を介して出力するＩＦ増幅器である。すなわち、こ
のミキサ回路は、レジスティブＦＥＴミキサ回路であ
る。31 is connected to the source terminal of FET4,
Reference numeral 32 denotes an LO signal band rejection filter for rejecting a signal in a predetermined LO signal frequency band. An IF amplifier 32 amplifies an IF signal from the LO signal band rejection filter 31 and outputs the amplified signal via an IF signal output terminal 3. It is. That is, this mixer circuit is a resistive FET mixer circuit.
【００２７】次に動作について説明する。ＲＦ信号入力
端子１にＲＦ信号が入力され、ＬＯ信号入力端子２にＬ
Ｏ信号が入力される。ＲＦ信号用帯域通過フィルタ２１
は、所定のＩＦ信号周波数帯域の信号を抑制し、所定の
ＲＦ信号周波数帯域の信号だけを通過させ、高域通過フ
ィルタ２２は、所定のＲＦ信号周波数帯域の信号を通過
させ、所定のＩＦ信号周波数帯域の信号を阻止して所定
のＲＦ信号周波数帯域の信号と所定のＩＦ信号周波数帯
域の信号とを分離する。ＬＯ信号用帯域通過フィルタ１
１は、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だけを通過させ
る。Next, the operation will be described. An RF signal is input to the RF signal input terminal 1 and L is input to the LO signal input terminal 2.
The O signal is input. RF signal band-pass filter 21
Suppresses a signal in a predetermined IF signal frequency band, passes only a signal in a predetermined RF signal frequency band, and a high-pass filter 22 allows a signal in a predetermined RF signal frequency band to pass, and a predetermined IF signal The signal in the frequency band is blocked to separate the signal in the predetermined RF signal frequency band and the signal in the predetermined IF signal frequency band. LO signal band pass filter 1
1 allows only signals in a predetermined LO signal frequency band to pass.
【００２８】ＲＦ信号はＲＦ信号用帯域通過フィルタ２
１および高域通過フィルタ２２を通過し、ＦＥＴ４のド
レイン端子に印加され、ＬＯ信号はＬＯ信号用帯域通過
フィルタ１１を通過し、ＦＥＴ４のゲート端子に印加さ
れる。そして、それらの信号に基づいてＦＥＴ４が動作
し、ＲＦ信号の周波数をｆRF、ＬＯ信号の周波数をｆ LO
とすると、周波数がｆIF（＝｜ｆRF−ｆLO｜）であるＩ
Ｆ信号がソース端子に生成される。The RF signal is an RF signal band pass filter 2
1 and the high-pass filter 22 and the gate of the FET 4
The LO signal is applied to the rain terminal and the LO signal passes through the band for the LO signal.
It passes through filter 11 and is applied to the gate terminal of FET4.
It is. And FET4 operates based on those signals.
And the frequency of the RF signal is fRF, LO signal frequency f LO
Then the frequency is fIF(= | FRF−fLO|) Is I
An F signal is generated at the source terminal.
【００２９】ＩＦ信号の周波数ｆIFはＩＦ信号周波数帯
域内の周波数であり、ＲＦ信号周波数帯域外であるの
で、生成されたＩＦ信号は、ＬＯ信号用帯域阻止フィル
タ３１を通過して、ＩＦ増幅器３２で増幅された後、Ｉ
Ｆ信号出力端子３を介して出力される。Since the frequency f IF of the IF signal is within the frequency band of the IF signal and outside the frequency band of the RF signal, the generated IF signal passes through the LO signal band rejection filter 31 and passes through the IF amplifier. After amplification at 32, I
The signal is output via the F signal output terminal 3.
【００３０】ここで、ＦＥＴ４のソース端子に漏洩する
ＬＯ信号はＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１で阻止され
るため、ＩＦ増幅器３２にはＩＦ信号のみが供給され
る。また、ＦＥＴ４のドレイン端子に生成されるＩＦ信
号は高域通過フィルタ２２により阻止され、ＲＦ信号入
力端子１に現れるＩＦ信号が低減される。さらに、ＦＥ
Ｔ４のソース端子に漏洩するＲＦ信号は、その周波数ｆ
RFがＬＯ信号の周波数ｆ LOに近いため、ＬＯ信号と同様
にＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１で阻止される。Here, leakage to the source terminal of FET 4
The LO signal is blocked by the LO signal band rejection filter 31.
Therefore, only the IF signal is supplied to the IF amplifier 32.
You. Also, an IF signal generated at the drain terminal of FET 4
Signal is blocked by the high-pass filter 22 and the RF signal
The IF signal appearing at the input terminal 1 is reduced. Furthermore, FE
The RF signal leaking to the source terminal of T4 has its frequency f
RFIs the frequency f of the LO signal LOIs similar to the LO signal
Is blocked by the LO signal band rejection filter 31.
【００３１】なお、ＦＥＴ４のソース端子に現れるＬＯ
信号のレベルのほうがＲＦ信号のレベルより高いので、
ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１を設計する際には、Ｌ
Ｏ信号の周波数ｆLOにおいて減衰量が最大になるように
するのが好ましい。The LO appearing at the source terminal of the FET 4
Since the signal level is higher than the RF signal level,
When designing the LO signal band rejection filter 31, L
It is preferable that the amount of attenuation be maximized at the frequency f LO of the O signal.
【００３２】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、ＲＦ信号用帯域通過フィルタ２１とＦＥＴ４のドレ
イン端子との間に、ＲＦ信号とＩＦ信号とを分離する高
域通過フィルタ２２を設けるとともに、ＦＥＴ４のソー
ス端子とＩＦ増幅器３２との間に、ＬＯ信号の周波数帯
域の信号を阻止するＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１を
設けるようにしたので、ひずみ特性を良好にすることが
できるという効果が得られる。As described above, according to the second embodiment, the high-pass filter 22 for separating the RF signal and the IF signal is provided between the RF signal band-pass filter 21 and the drain terminal of the FET 4. In addition, since the LO signal band rejection filter 31 for blocking the signal in the frequency band of the LO signal is provided between the source terminal of the FET 4 and the IF amplifier 32, the distortion characteristics can be improved. Is obtained.
【００３３】また、この実施の形態２によれば、ＲＦ信
号入力端子１とＩＦ信号出力端子３とのアイソレーショ
ン特性が良好になるという効果が得られる。According to the second embodiment, the effect of improving the isolation characteristics between the RF signal input terminal 1 and the IF signal output terminal 3 can be obtained.
【００３４】実施の形態３．図３は、この発明の実施の
形態３によるミキサ回路の構成を示すブロック図であ
る。この発明の実施の形態３によるミキサ回路は、実施
の形態２によるミキサ回路をＭＭＩＣ５として構成した
ものである。図において、２３はＦＥＴ４のドレイン端
子とＲＦ信号用帯域通過フィルタ２１とを接続する信号
線と接地点との間に設けられた、高域通過フィルタ２２
を構成するインダクタである。３３はＦＥＴ４のソース
端子とＩＦ増幅器３２とを接続する信号線とコンデンサ
３４との間に設けられた、ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ
３１を構成するインダクタであり、３４はインダクタ３
３と接地点との間に設けられた、ＬＯ信号用帯域阻止フ
ィルタ３１を構成するコンデンサである。Embodiment 3 FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 3 of the present invention. The mixer circuit according to the third embodiment of the present invention is configured such that the mixer circuit according to the second embodiment is configured as an MMIC 5. In the figure, reference numeral 23 denotes a high-pass filter 22 provided between a signal line connecting the drain terminal of the FET 4 and the RF signal band-pass filter 21 and a ground point.
Is an inductor. An inductor 33 is provided between the capacitor 34 and a signal line connecting the source terminal of the FET 4 and the IF amplifier 32 and constitutes the LO signal band rejection filter 31.
3 is a capacitor provided between the grounding point 3 and the grounding point, and constituting the LO signal band rejection filter 31.
【００３５】すなわち、高域通過フィルタ２２がインダ
クタ２３で構成され、ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１
がインダクタ３３およびコンデンサ３４の直列回路で構
成される。そして、インダクタ２３は、そのインピーダ
ンスがＲＦ信号の周波数ｆRFでは開放状態に近く、ＩＦ
信号の周波数ｆIFでは短絡状態に近くなるように設定さ
れ、インダクタ３３およびコンデンサ３４の直列共振回
路は、共振周波数がＬＯ信号の周波数ｆLOになるように
設定される。That is, the high-pass filter 22 is composed of the inductor 23 and the band-stop filter 31 for the LO signal.
Are composed of a series circuit of an inductor 33 and a capacitor 34. The impedance of the inductor 23 is close to the open state at the frequency f RF of the RF signal, and
At the signal frequency f IF , it is set to be close to the short circuit state, and the series resonance circuit of the inductor 33 and the capacitor 34 is set so that the resonance frequency becomes the frequency f LO of the LO signal.
【００３６】なお、その他の構成要素については、実施
の形態２によるものと同様であるので、その説明を省略
する。また動作については実施の形態にものと同様であ
るので、その説明を省略する。The other components are the same as those according to the second embodiment, and a description thereof will be omitted. Further, the operation is the same as that of the embodiment, and the explanation is omitted.
【００３７】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、高域通過フィルタ２２をインダクタ２３で構成し、
ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１をインダクタ３３およ
びコンデンサ３４の直列回路で構成するようにしたの
で、１チップのＭＭＩＣとしてミキサ回路を構成するこ
とができ、回路を小型化することができるという効果が
得られる。As described above, according to the third embodiment, the high-pass filter 22 is constituted by the inductor 23,
Since the LO rejection filter 31 is configured by a series circuit of the inductor 33 and the capacitor 34, a mixer circuit can be configured as a one-chip MMIC, and the effect of reducing the size of the circuit can be obtained. Can be
【００３８】実施の形態４．図４は、この発明の実施の
形態４によるミキサ回路の構成を示すブロック図であ
る。この発明の実施の形態４によるミキサ回路は、実施
の形態２によるミキサ回路をＭＭＩＣ５として構成した
ものである。図において、２３はＦＥＴ４のドレイン端
子とＲＦ信号用帯域通過フィルタ２１とを接続する信号
線と接地点との間に設けられた、高域通過フィルタ２２
を構成するインダクタである。３５はＦＥＴ４のソース
端子とＩＦ増幅器３２との間に設けられた、ＬＯ信号用
帯域阻止フィルタ３１を構成するインダクタであり、３
６はインダクタ３３と並列に設けられた、ＬＯ信号用帯
域阻止フィルタ３１を構成するコンデンサである。Embodiment 4 FIG. FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 4 of the present invention. The mixer circuit according to the fourth embodiment of the present invention is obtained by configuring the mixer circuit according to the second embodiment as an MMIC 5. In the figure, reference numeral 23 denotes a high-pass filter 22 provided between a signal line connecting the drain terminal of the FET 4 and the RF signal band-pass filter 21 and a ground point.
Is an inductor. Reference numeral 35 denotes an inductor which is provided between the source terminal of the FET 4 and the IF amplifier 32 and forms the LO signal band rejection filter 31.
Reference numeral 6 denotes a capacitor provided in parallel with the inductor 33 and constituting the LO signal band rejection filter 31.
【００３９】すなわち、高域通過フィルタ２２がインダ
クタ２３で構成され、ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１
がインダクタ３５およびコンデンサ３６の並列回路で構
成される。そして、インダクタ２３は、そのインピーダ
ンスがＲＦ信号の周波数ｆRFでは開放状態に近く、ＩＦ
信号の周波数ｆIFでは短絡状態に近くなるように設定さ
れ、インダクタ３５およびコンデンサ３６の並列共振回
路は、共振周波数がＬＯ信号の周波数ｆLOになるように
設定される。That is, the high-pass filter 22 is composed of the inductor 23 and the band-stop filter 31 for the LO signal.
Are constituted by a parallel circuit of an inductor 35 and a capacitor 36. The impedance of the inductor 23 is close to the open state at the frequency f RF of the RF signal, and
The signal frequency fIF is set so as to be close to the short circuit state, and the parallel resonance circuit of the inductor 35 and the capacitor 36 is set so that the resonance frequency becomes the frequency fLO of the LO signal.
【００４０】なお、その他の構成要素については、実施
の形態２によるものと同様であるので、その説明を省略
する。また動作については実施の形態のものと同様であ
るので、その説明を省略する。The other components are the same as those according to the second embodiment, and a description thereof will be omitted. Since the operation is the same as that of the embodiment, the description thereof will be omitted.
【００４１】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、高域通過フィルタ２２をインダクタ２３で構成し、
ＬＯ信号用帯域阻止フィルタ３１をインダクタ３５およ
びコンデンサ３６の並列回路で構成するようにしたの
で、１チップのＭＭＩＣとしてミキサ回路を構成するこ
とができ、回路を小型化することができるという効果が
得られる。As described above, according to the fourth embodiment, the high-pass filter 22 is constituted by the inductor 23,
Since the LO signal band rejection filter 31 is configured by the parallel circuit of the inductor 35 and the capacitor 36, the mixer circuit can be configured as a one-chip MMIC, and the circuit can be downsized. Can be
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ソー
ス端子を接地された電界効果トランジスタと、電界効果
トランジスタのゲート端子に接続され、ＬＯ信号を入力
され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だけを通過させ
る第１の帯域通過フィルタと、電界効果トランジスタの
ゲート端子にバイアスを加えるゲートバイアス回路と、
電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、ＲＦ
信号を入力され、所定のＲＦ信号周波数帯域の信号だけ
を通過させる第２の帯域通過フィルタと、電界効果トラ
ンジスタのドレイン端子に接続され、ＬＯ信号の周波数
帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタと、帯域阻止フ
ィルタを通過したＩＦ信号を増幅し、増幅後のＩＦ信号
を出力する増幅器とを備えるようにしたので、ひずみ特
性を良好にすることができるという効果がある。As described above, according to the present invention, a source terminal is connected to a grounded field effect transistor, and a gate terminal of the field effect transistor is connected to input a LO signal, and a predetermined LO signal frequency band. A first band-pass filter for passing only a signal, a gate bias circuit for applying a bias to a gate terminal of the field-effect transistor,
Connected to the drain terminal of the field effect transistor, RF
A second band-pass filter that receives a signal and passes only a signal in a predetermined RF signal frequency band; a band-stop filter connected to a drain terminal of the field-effect transistor and blocking a signal in a frequency band of the LO signal; Since the amplifier for amplifying the IF signal that has passed through the band rejection filter and outputting the amplified IF signal is provided, the distortion characteristic can be improved.
【００４３】また、帯域阻止フィルタを使用するように
したので、ＩＦ信号の周波数ｆIFにおけるフィルタの損
失が低減するため、増幅器の増幅率を低くすることがで
き、増幅器の消費電力を低減することができるという効
果がある。Also, since the band rejection filter is used, the loss of the filter at the frequency fIF of the IF signal is reduced, so that the amplification factor of the amplifier can be reduced and the power consumption of the amplifier can be reduced. There is an effect that can be.
【００４４】この発明によれば、電界効果トランジスタ
と、電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、Ｌ
Ｏ信号を入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だ
けを通過させる第１の帯域通過フィルタと、電界効果ト
ランジスタのゲート端子にバイアスを加えるゲートバイ
アス回路と、ＲＦ信号を入力され、所定のＲＦ信号周波
数帯域の信号だけを通過させる第２の帯域通過フィルタ
と、電界効果トランジスタのドレイン端子と第２の帯域
通過フィルタとの間に設けられ、所定のＲＦ信号周波数
帯域の信号を通過させ、所定のＩＦ信号周波数帯域の信
号を阻止して所定のＲＦ信号周波数帯域の信号と所定の
ＩＦ信号周波数帯域の信号とを分離する高域通過フィル
タと、電界効果トランジスタのソース端子に接続され、
ＬＯ信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィル
タと、帯域阻止フィルタを通過したＩＦ信号を増幅し、
増幅後のＩＦ信号を出力する増幅器とを備えるようにし
たので、ひずみ特性を良好にすることができるという効
果がある。According to the present invention, the field effect transistor and the gate terminal of the field effect transistor
A first band-pass filter that receives an O signal and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band, a gate bias circuit that applies a bias to a gate terminal of a field-effect transistor, and a predetermined RF signal that is supplied with an RF signal A second band-pass filter for passing only a signal in a signal frequency band, and a second band-pass filter provided between a drain terminal of the field-effect transistor and the second band-pass filter; A high-pass filter that blocks a signal in the IF signal frequency band to separate a signal in the predetermined RF signal frequency band and a signal in the predetermined IF signal frequency band, and is connected to a source terminal of the field effect transistor;
A band rejection filter that blocks a signal in a frequency band of the LO signal, and an IF signal that has passed through the band rejection filter,
Since an amplifier that outputs the amplified IF signal is provided, there is an effect that distortion characteristics can be improved.
【００４５】この発明によれば、電界効果トランジスタ
のドレイン端子と第２の帯域通過フィルタとを接続する
信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたイン
ダクタとで高域通過フィルタが構成され、電界効果トラ
ンジスタのソース端子と増幅器とを接続する信号線と、
その信号線と接地点との間に設けられたインダクタおよ
びコンデンサの直列回路とで帯域阻止フィルタが構成さ
れ、ＭＭＩＣとして構成されるようにしたので、回路を
小型化することができるという効果がある。According to the present invention, the high-pass filter includes the signal line connecting the drain terminal of the field-effect transistor and the second band-pass filter, and the inductor provided between the signal line and the ground point. And a signal line connecting the source terminal of the field effect transistor and the amplifier,
Since the band rejection filter is formed by the series circuit of the inductor and the capacitor provided between the signal line and the ground point and configured as the MMIC, there is an effect that the circuit can be downsized. .
【００４６】この発明によれば、電界効果トランジスタ
のドレイン端子と第２の帯域通過フィルタとを接続する
信号線と、その信号線と接地点との間に設けられたイン
ダクタとで高域通過フィルタが構成され、電界効果トラ
ンジスタのソース端子と増幅器との間に直列に設けられ
たインダクタおよびコンデンサの並列回路とで帯域阻止
フィルタが構成され、ＭＭＩＣとして構成されるように
したので、回路を小型化することができるという効果が
ある。According to the present invention, the high-pass filter includes the signal line connecting the drain terminal of the field-effect transistor and the second band-pass filter, and the inductor provided between the signal line and the ground point. And the parallel circuit of an inductor and a capacitor provided in series between the source terminal of the field-effect transistor and the amplifier constitutes a band rejection filter, and is configured as an MMIC. There is an effect that can be.
【図１】 この発明の実施の形態１によるミキサ回路の
構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】 この発明の実施の形態２によるミキサ回路の
構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 この発明の実施の形態３によるミキサ回路の
構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 3 of the present invention.
【図４】 この発明の実施の形態４によるミキサ回路の
構成を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a mixer circuit according to Embodiment 4 of the present invention.
【図５】 従来のミキサ回路を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a conventional mixer circuit.
【図６】 図５の従来のミキサ回路に、ＩＦ信号を増幅
するＩＦ増幅器を設けたものを示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration in which an IF amplifier for amplifying an IF signal is provided in the conventional mixer circuit of FIG. 5;
４ 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、１１ ＬＯ信号
用帯域通過フィルタ（第１の帯域通過フィルタ）、１２
ゲートバイアス回路、２１ ＲＦ信号用帯域通過フィ
ルタ（第２の帯域通過フィルタ）、２２ 高域通過フィ
ルタ、２３，３３，３５ インダクタ、３１ ＬＯ信号
用帯域阻止フィルタ（帯域阻止フィルタ）、３２ ＩＦ
増幅器（増幅器）、３４，３６ コンデンサ。4 Field-effect transistor (FET), 11 LO signal band-pass filter (first band-pass filter), 12
Gate bias circuit, 21 RF signal band pass filter (second band pass filter), 22 high pass filter, 23, 33, 35 inductor, 31 LO signal band rejection filter (band rejection filter), 32 IF
Amplifier (amplifier), 34, 36 Capacitor.
Claims (4)
ジスタと、 前記電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、Ｌ
Ｏ信号を入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だ
けを通過させる第１の帯域通過フィルタと、 前記電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加
えるゲートバイアス回路と、 前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、
ＲＦ信号を入力され、所定のＲＦ信号周波数帯域の信号
だけを通過させる第２の帯域通過フィルタと、 前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、
ＬＯ信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィル
タと、 前記帯域阻止フィルタを通過したＩＦ信号を増幅し、増
幅後のＩＦ信号を出力する増幅器とを備えたミキサ回
路。A field effect transistor having a source terminal grounded; a gate connected to the field effect transistor;
A first band-pass filter that receives an O signal and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band, a gate bias circuit that applies a bias to a gate terminal of the field-effect transistor, and a drain terminal of the field-effect transistor. Connected
A second band-pass filter that receives an RF signal and passes only a signal in a predetermined RF signal frequency band, and is connected to a drain terminal of the field-effect transistor;
A mixer circuit comprising: a band rejection filter that blocks a signal in a frequency band of an LO signal; and an amplifier that amplifies an IF signal that has passed through the band rejection filter and outputs an amplified IF signal.
Ｏ信号を入力され、所定のＬＯ信号周波数帯域の信号だ
けを通過させる第１の帯域通過フィルタと、 前記電界効果トランジスタのゲート端子にバイアスを加
えるゲートバイアス回路と、 ＲＦ信号を入力され、所定のＲＦ信号周波数帯域の信号
だけを通過させる第２の帯域通過フィルタと、 前記電界効果トランジスタのドレイン端子と前記第２の
帯域通過フィルタとの間に設けられ、前記所定のＲＦ信
号周波数帯域の信号を通過させ、所定のＩＦ信号周波数
帯域の信号を阻止して前記所定のＲＦ信号周波数帯域の
信号と前記所定のＩＦ信号周波数帯域の信号とを分離す
る高域通過フィルタと、 前記電界効果トランジスタのソース端子に接続され、Ｌ
Ｏ信号の周波数帯域の信号を阻止する帯域阻止フィルタ
と、 前記帯域阻止フィルタを通過したＩＦ信号を増幅し、増
幅後のＩＦ信号を出力する増幅器とを備えたミキサ回
路。2. A field effect transistor, connected to a gate terminal of the field effect transistor;
A first band-pass filter that receives an O signal and passes only a signal in a predetermined LO signal frequency band; a gate bias circuit that applies a bias to a gate terminal of the field-effect transistor; A second band-pass filter that allows only a signal in an RF signal frequency band to pass therethrough; a second band-pass filter provided between a drain terminal of the field-effect transistor and the second band-pass filter; A high-pass filter that passes and blocks a signal in a predetermined IF signal frequency band to separate the signal in the predetermined RF signal frequency band and the signal in the predetermined IF signal frequency band; and a source of the field effect transistor. Terminal
A mixer circuit comprising: a band rejection filter that blocks a signal in a frequency band of an O signal; and an amplifier that amplifies an IF signal that has passed through the band rejection filter and outputs an amplified IF signal.
スタのドレイン端子と第２の帯域通過フィルタとを接続
する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられた
インダクタとで構成され、 帯域阻止フィルタは、前記電界効果トランジスタのソー
ス端子と増幅器とを接続する信号線と、その信号線と接
地点との間に設けられたインダクタおよびコンデンサの
直列回路とで構成され、 前記電界効果トランジスタ、第１の帯域通過フィルタ、
ゲートバイアス回路、前記第２の帯域通過フィルタ、前
記高域通過フィルタ、前記帯域阻止フィルタおよび前記
増幅器はＭＭＩＣとして構成されることを特徴とする請
求項２記載のミキサ回路。3. The high-pass filter includes a signal line connecting the drain terminal of the field-effect transistor and the second band-pass filter, and an inductor provided between the signal line and a ground point. A band-elimination filter including a signal line connecting a source terminal of the field-effect transistor and an amplifier, and a series circuit of an inductor and a capacitor provided between the signal line and a ground point; A transistor, a first bandpass filter,
The mixer circuit according to claim 2, wherein the gate bias circuit, the second band-pass filter, the high-pass filter, the band-stop filter, and the amplifier are configured as an MMIC.
スタのドレイン端子と第２の帯域通過フィルタとを接続
する信号線と、その信号線と接地点との間に設けられた
インダクタとで構成され、 帯域阻止フィルタは、前記電界効果トランジスタのソー
ス端子と増幅器との間に直列に設けられたインダクタお
よびコンデンサの並列回路で構成され、 前記電界効果トランジスタ、第１の帯域通過フィルタ、
ゲートバイアス回路、前記第２の帯域通過フィルタ、前
記高域通過フィルタ、前記帯域阻止フィルタおよび前記
増幅器はＭＭＩＣとして構成されることを特徴とする請
求項２記載のミキサ回路。4. A high-pass filter includes a signal line connecting a drain terminal of a field-effect transistor and a second band-pass filter, and an inductor provided between the signal line and a ground point. A band-elimination filter comprising a parallel circuit of an inductor and a capacitor provided in series between a source terminal of the field-effect transistor and an amplifier, wherein the field-effect transistor, a first band-pass filter,
The mixer circuit according to claim 2, wherein the gate bias circuit, the second band-pass filter, the high-pass filter, the band-stop filter, and the amplifier are configured as an MMIC.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36326798A JP3560838B2 (en) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | Resistive mixer circuit |
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| JP2000188516A true JP2000188516A (en) | 2000-07-04 |
| JP3560838B2 JP3560838B2 (en) | 2004-09-02 |
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| WO2002023714A1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistive mixer |
| KR20220048330A (en) * | 2020-10-12 | 2022-04-19 | 한국전자통신연구원 | Apparatus for mixing frequency |
| WO2023175696A1 (en) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | 三菱電機株式会社 | High-frequency mixer |
-
1998
- 1998-12-21 JP JP36326798A patent/JP3560838B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Date | Code | Title | Description |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040427 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040526 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080604 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
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