JP2000182936A - Exposure apparatus and manufacture of device - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル用のガ
ラスプレートや半導体製造用のウエハ等の感光基板を露
光する露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for exposing a photosensitive substrate such as a glass plate for a liquid crystal panel or a semiconductor manufacturing wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】通常、半導体素子や液晶表示素子等はフ
ォトリソグラフィ技術で製造されるが、 この際に使用さ
れる露光装置では原版(マスクまたはレチクル)に形成
された回路パターンを、投影光学系によって所定倍率で
感光基板(ガラスプレートまたはウエハ)上に投影転写
する。2. Description of the Related Art Normally, semiconductor elements and liquid crystal display elements are manufactured by a photolithography technique. In an exposure apparatus used at this time, a circuit pattern formed on an original (mask or reticle) is formed by a projection optical system. At a predetermined magnification on a photosensitive substrate (glass plate or wafer).
【0003】図2は従来の液晶用投影露光装置の構成を
模式的に示した図である。図2において、露光用光源1
からの照明光は楕円鏡2で集光された後、周知の照明光
学系(不図示)を介してマスクMの全面もしくは一部の
領域に対し均一な照度分布で照射される。AXは光軸で
ある。マスクMは搭載されたマスクチャック3上に真空
吸着により保持される。照明光で照射された領域にある
マスクM上のパターンは投影光学系PLを介してプレー
トP上に結像投影される。プレートチャック5は載置さ
れたプレートPを真空吸着により固定するとともにXY
θおよびZ方向に移動可能なステージ機構(プレートス
テージ)を有している。図2において、4はマスクステ
ージベース、6はXステージ、7はYステージ、8はプ
レートステージベースで、マスクステージベース4はマ
スクステージに含まれ、Xステージ6およびYステージ
7はプレートステージに含まれる。FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of a conventional liquid crystal projection exposure apparatus. In FIG. 2, an exposure light source 1
After being converged by the elliptical mirror 2, the entire surface or a partial area of the mask M is irradiated with a uniform illuminance distribution through a well-known illumination optical system (not shown). AX is the optical axis. The mask M is held on the mounted mask chuck 3 by vacuum suction. The pattern on the mask M in the area irradiated with the illumination light is image-formed and projected on the plate P via the projection optical system PL. The plate chuck 5 fixes the placed plate P by vacuum suction, and
It has a stage mechanism (plate stage) that can move in the θ and Z directions. In FIG. 2, 4 is a mask stage base, 6 is an X stage, 7 is a Y stage, 8 is a plate stage base, the mask stage base 4 is included in the mask stage, and the X stage 6 and the Y stage 7 are included in the plate stage. It is.
【0004】なお、図2には示していないが、このプレ
ートステージはXYθ軸をレーザ干渉測長計で位置計測
され、この計測データに基づき制御されて高精度な位置
決めや移動が可能な構造となっている。またこの従来例
においては、マスクステージおよびプレートステージが
スキャンするか否かは問題ではない。マスクのパターン
領域に対して、投影光学系が十分大きければスキャン無
しで一括露光を行なえばよいし、部分的な投影領域しか
得られない光学系であれば、スキャン露光となる。但
し、本発明は、プレートサイズがマスクサイズに比べて
数倍大きく、ステップ露光を行なう必要のある、露光装
置を前提としている。Although not shown in FIG. 2, this plate stage has a structure in which the position of the XYθ axis is measured by a laser interferometer and controlled based on the measurement data to enable high-precision positioning and movement. ing. In this conventional example, it does not matter whether the mask stage and the plate stage scan. If the projection optical system is sufficiently large for the pattern area of the mask, batch exposure may be performed without scanning. If the optical system can obtain only a partial projection area, scan exposure is performed. However, the present invention is based on an exposure apparatus in which the plate size is several times larger than the mask size and step exposure is required.
【0005】こういった構成を採る投影露光装置では、
マスクの位置決め精度が、露光装置としての重要な性能
要因となる。マスク位置がXY方向にずれていると、プ
レート上でのマスクパターンの転写位置がずれるし、ま
た第2(セカンド)レイヤ以降の場合、搬送されたプレ
ートのアライメントが自動で行なえないという弊害が発
生する。またマスク位置がθ方向にずれると、ステップ
露光する際の各露光パターンの配列精度が悪化してしま
う。In a projection exposure apparatus having such a configuration,
The positioning accuracy of the mask is an important performance factor of the exposure apparatus. If the mask position is shifted in the X and Y directions, the transfer position of the mask pattern on the plate will be shifted, and in the case of the second (second) layer and subsequent layers, there will be a problem that the transferred plate cannot be automatically aligned. I do. In addition, if the mask position is shifted in the θ direction, the arrangement accuracy of each exposure pattern at the time of step exposure is deteriorated.
【0006】そこで通常、マスクMの少なくとも2箇所
にこのマスクを位置決めするために使用されるマークM
eを設けておき、このマークに対応する基準マークMb
を露光装置の本体構造体Ptもしくは投影光学系PLの
鏡筒に設け、この基準マークMbに対してマスクのマー
クMeを位置合わせすることにより、常にマスクMを一
定の位置に配置するような構成となっている。Therefore, usually, a mark M used for positioning the mask at at least two positions of the mask M is provided.
e, and the reference mark Mb corresponding to this mark is provided.
Is provided in the main body structure Pt of the exposure apparatus or the lens barrel of the projection optical system PL, and the mask Me is aligned with the reference mark Mb so that the mask M is always arranged at a fixed position. It has become.
【0007】このようにマスク基準マークMbに対して
マスクを位置合わせする場合、そのマスクの位置決め精
度は1μm以下という高い精度が要求されるため、マス
クMとマスク基準マークMbは、数μmという非常に小
さな間隔を隔てて配置されるのが一般的である。マスク
とマスク基準マークの間に投影光学系を配置して、マス
クとマスク基準マークの間隔を広げるということも考え
られるが、この場合、投影光学系の像歪み、安定性など
が高精度の位置決めを阻害する要因となってしまう。When the mask is aligned with respect to the mask reference mark Mb in this manner, since the positioning accuracy of the mask is required to be as high as 1 μm or less, the mask M and the mask reference mark Mb are very few μm. Generally, they are arranged at small intervals. It is conceivable to arrange the projection optical system between the mask and the mask reference mark to increase the distance between the mask and the mask reference mark.In this case, however, the image distortion and stability of the projection optical system are determined with high accuracy. It becomes a factor to hinder.
【0008】従って、マスクを駆動したときに、マスク
とマスク基準マークが接触しない範囲で極力隙間を小さ
くしてやることが望ましい。Therefore, it is desirable to reduce the gap as much as possible within a range where the mask does not contact the mask reference mark when the mask is driven.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体や液晶用
の露光装置においては限られた大きさの投影光学系を用
いて、できるだけ大きな露光エリアを確保するという目
的のため、マスクおよびプレートを同期スキャンさせて
露光するというスキャン露光装置が登場するようになっ
てきている。こういったスキャン露光装置においても、
当然ながら、前述したマスクの高精度な位置決めは必要
不可欠である。従って、従来技術にあるようにマスク
を、マスク基準マークに対して位置決めさせるという方
式を採用せざるを得ない。In recent years, in an exposure apparatus for a semiconductor or a liquid crystal, a mask and a plate are synchronized with each other for the purpose of securing an exposure area as large as possible by using a projection optical system having a limited size. Scanning exposure apparatuses that perform scanning and exposure have come into use. Even in such a scanning exposure apparatus,
Naturally, highly accurate positioning of the mask described above is indispensable. Therefore, it is necessary to adopt a method of positioning the mask with respect to the mask reference mark as in the related art.
【0010】ところが、前述のようにマスクとマスク基
準マークの間隔は数μmしか無いため、この状態で、マ
スクをスキャンさせることはほとんど不可能である。ま
た装置構成上も、上記構成を採ることは事実上不可能と
考えられる。However, as described above, since the interval between the mask and the mask reference mark is only a few μm, it is almost impossible to scan the mask in this state. Also, it is considered that the above configuration is practically impossible in terms of the device configuration.
【0011】近年、露光装置においては更なるアライメ
ント精度の向上を要求されている。その一方で露光エリ
アの拡大に伴い装置全体も大型化してきている。そのた
め、従来のように、構造体上に第1の基準となるマスク
のアライメント用の基準マークを配置しているとスキャ
ン駆動による投影光学系および装置本体の振動等の影響
を受けやすく基準マーク位置が安定しない。また、ステ
ージのスキャン駆動によって装置を構築している構造体
やアライメント用の観察光学系も連動して姿勢変化する
ため、アライメント計測時に誤差が載ってしまう。In recent years, exposure apparatuses have been required to further improve alignment accuracy. On the other hand, as the exposure area has expanded, the entire apparatus has also become larger. Therefore, if a reference mark for alignment of a mask serving as a first reference is arranged on the structure as in the related art, the position of the reference mark is easily affected by vibration of the projection optical system and the apparatus main body due to scan driving. Is not stable. In addition, since the attitude of the structure constructing the apparatus and the observation optical system for alignment are changed in conjunction with the scanning drive of the stage, an error is included in the alignment measurement.
【0012】本発明は、上述の従来例における問題点を
解決するもので、基準マークを露光装置の本体構造体や
投影光学系の鏡筒に設けて原版をアライメントする従来
の投影露光装置と少なくとも同等の精度を保った上で、
安価に原版の位置決めを行なうことが可能な手段を提供
することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems in the conventional example. At least a conventional projection exposure apparatus that aligns an original by providing a reference mark on a main body structure of an exposure apparatus or a barrel of a projection optical system is provided. While maintaining the same accuracy,
It is an object of the present invention to provide means capable of inexpensively positioning an original.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、本発明では、露光すべき原画パターンが形成され
た原版を吸着保持するとともにXYθ方向に移動可能な
第1のステージ手段と、前記原画パターンを所定の結像
面へ投影する投影光学系と、前記結像面とほぼ平行に感
光基板を保持するとともに前記結像面と平行な面内でX
Yθ方向に移動可能な第2のステージ手段とを備え、こ
れら第1および第2のステージ手段を前記投影光学系の
光軸と直交する方向に同期スキャンさせて、前記原画パ
ターン全面を感光基板上の所定位置に露光転写する投影
露光装置において、前記第1のステージ手段上に基準マ
ークを配置し、この基準マークに対して、前記マスクの
位置決めを行なうことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a first stage means which sucks and holds an original on which an original pattern to be exposed is formed and is movable in XYθ directions, A projection optical system for projecting the original image pattern onto a predetermined image forming surface; and a X-ray in a plane parallel to the image forming surface while holding a photosensitive substrate substantially parallel to the image forming surface.
Second stage means movable in the Yθ direction, and the first and second stage means are synchronously scanned in a direction orthogonal to the optical axis of the projection optical system, so that the entire surface of the original image pattern is formed on a photosensitive substrate. In a projection exposure apparatus that performs exposure transfer at a predetermined position, a reference mark is arranged on the first stage means, and the mask is positioned with respect to the reference mark.
【0014】[0014]
【作用】本発明によれば、スキャン型投影露光装置にお
いて、装置を構築している構造体上に原版(マスク)の
位置決め用基準マークを配置するのを廃止し、その代わ
りにスキャンする第1のステージ手段(マスクステー
ジ)上に配置するという装置構成を採っている。スキャ
ン型投影露光装置においては、通常、マスクステージの
位置をレーザ干渉計でモニタすることにより、マスクス
キャンステージの位置を高精度で制御する。このためマ
スク基準マークをマスクスキャンステージに設けても、
従来のように本体構造体にマスク基準マークを設けたの
と同等の精度を維持することが可能である。According to the present invention, in a scan type projection exposure apparatus, it is not necessary to dispose a reference mark for positioning an original (mask) on a structure forming the apparatus, and instead, a first scan for scanning is performed. (Mask stage). In a scanning projection exposure apparatus, the position of the mask scan stage is controlled with high accuracy by monitoring the position of the mask stage with a laser interferometer. Therefore, even if the mask reference mark is provided on the mask scan stage,
It is possible to maintain the same accuracy as when a mask reference mark is provided on a main body structure as in the related art.
【0015】また、スキャン駆動するステージ内部に基
準マークを配置することにより、スキャン駆動による投
影光学系および装置本体の振動等の影響を受け難くな
り、基準マーク位置精度の安定、アライメント計測誤差
の減少といった効果が得られ、その結果アライメント時
間が短縮され装置のスループットが向上し、かつ装置の
稼動率も高めることが出来る。Further, by disposing the reference mark inside the stage to be scanned and driven, the scanning drive makes the projection optical system and the apparatus main body less susceptible to vibration and the like, so that the reference mark position accuracy is stabilized and the alignment measurement error is reduced. As a result, the alignment time is shortened, the throughput of the apparatus is improved, and the operation rate of the apparatus can be increased.
【0016】[0016]
【実施例】以下に、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。図1は本発明を適用したスリットスキャン露光
方式の投影露光装置のマスクステージ部分の構成を示
す。なお、図1に図示しない光源、照明光学系、投影光
学系およびプレートステージ等は従来のスリットスキャ
ン露光方式の投影露光装置と同様に構成することができ
る。図1において、本体構造体Stは当該投影露光装置
内のマスクMを配置するためのユニットであるマスクス
テージ(マスクステージベース4を含む)を搭載すると
ともに、マスクMのアライメントを行なうための観察光
学系Asおよび不図示の投影光学系PLを支持してい
る。当然ながら、投影光学系PLは、マスクステージに
対しZ方向で下位置に配置され、構造体Stには、露光
光が通過できるような開口部15が設けられている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration of a mask stage portion of a slit scan exposure type projection exposure apparatus to which the present invention is applied. A light source, an illumination optical system, a projection optical system, a plate stage, and the like, not shown in FIG. In FIG. 1, a main body structure St mounts a mask stage (including a mask stage base 4) which is a unit for arranging a mask M in the projection exposure apparatus, and an observation optical system for aligning the mask M. It supports a system As and a projection optical system PL (not shown). Naturally, the projection optical system PL is disposed below the mask stage in the Z direction, and the structure St is provided with an opening 15 through which exposure light can pass.
【0017】マスクステージベース4はY軸方向の2本
のガイド9上を静圧軸受エアー方式により非接触で移動
可能である。また、一方のガイド9の上にはヨーガイド
10が載置され、前記マスクステージのヨーイングを規
制している。The mask stage base 4 can move on the two guides 9 in the Y-axis direction in a non-contact manner by a static pressure bearing air system. A yaw guide 10 is mounted on one of the guides 9 and regulates yawing of the mask stage.
【0018】マスクステージのY方向スキャン駆動のア
クチュエータとしてはリニアモータ12を2本採用して
おり、高トルク推力を発生することが可能である。ステ
ージベース4とリニアモータ12は連結板11により締
結されておりリニアモータ推力をマスクステージに伝達
している。Two linear motors 12 are employed as actuators for scanning the mask stage in the Y direction, and can generate a high torque thrust. The stage base 4 and the linear motor 12 are fastened by the connecting plate 11, and transmit the thrust of the linear motor to the mask stage.
【0019】ステージベース4には前記照明露光光が透
過する範囲に開口穴16を設けており、前記開口穴16
内壁にマスクMのアライメント用の基準マーク部材Mb
を複数配置している。また、ステージベース4上後方に
は移動鏡Byが固定され、本体に載置された不図示のレ
ーザ干渉計によりマスクステージユニットの座標を計測
する。さらに、図1内には図示されていないがステージ
ベース4上には前記ユニットの座標軸とは別の座標軸と
してXYθ方向に駆動するための複数のアクチュエータ
が配置され、それらによってマスクMを吸着保持するチ
ャック3を微少駆動させることが可能である。ローダー
ハンドMxから搬送されたマスクMは、観察光学系As
の補足範囲内に収まるようにチャック3上に設けられた
マスクMの外形プリアライメント機構(不図示)によっ
て一定範囲内にアライメントされた後、チャック3上の
吸着溝により真空吸着される。An opening 16 is provided in the stage base 4 in a range where the illumination exposure light is transmitted.
Reference mark member Mb for alignment of mask M on inner wall
Are arranged. A movable mirror By is fixed above and behind the stage base 4, and the coordinates of the mask stage unit are measured by a laser interferometer (not shown) mounted on the main body. Further, although not shown in FIG. 1, a plurality of actuators for driving in the X, Y, and θ directions are arranged on the stage base 4 as coordinate axes different from the coordinate axes of the unit, and hold the mask M by suction. It is possible to slightly drive the chuck 3. The mask M transported from the loader hand Mx is the observation optical system As
After being aligned within a predetermined range by an external shape pre-alignment mechanism (not shown) of the mask M provided on the chuck 3 so as to fall within the supplementary range, the mask M is vacuum-sucked by the suction groove on the chuck 3.
【0020】前記基準マーク部材Mb上にはマスクM上
の複数の計測用マークMeに対応して基準マークが複数
個形成されており、観察光学系As内に設けられている
拡大撮影用の結像レンズ(不図示)によりマスク計測倍
率を最適にし、内蔵のCCDカメラ(不図示)で相対位
置ずれ量を計測する。そしてそのずれ量をステージ位置
制御系(不図示)にフィードバックしステージベース4
上のアクチュエータによりチャック3をXYθ方向に微
少駆動させてアライメントを行なう。さらにマスクMの
アライメント終了後、チャック3はステージベース4に
対して真空吸着方式によるロックパッドRpを用いて固
定される。その後、本装置はアライメントされたマスク
M内の計測用マークMeに対してプレート上に複数設け
られたアライメントマークを前記プレートステージを用
いてアライメントし、その状態でマスクおよびプレート
ステージを同期駆動させて露光を行なう。A plurality of reference marks are formed on the reference mark member Mb in correspondence with the plurality of measurement marks Me on the mask M, and are provided in the observation optical system As for enlarged photographing. The mask measurement magnification is optimized by an image lens (not shown), and the relative displacement is measured by a built-in CCD camera (not shown). Then, the shift amount is fed back to a stage position control system (not shown) to provide
The alignment is performed by slightly driving the chuck 3 in the XYθ directions by the above actuator. After the alignment of the mask M is completed, the chuck 3 is fixed to the stage base 4 using a lock pad Rp by a vacuum suction method. Thereafter, the apparatus aligns a plurality of alignment marks provided on the plate with the measurement marks Me in the aligned mask M using the plate stage, and synchronously drives the mask and the plate stage in that state. Perform exposure.
【0021】上述実施例の手法は主に液晶表示素子をス
キャン露光する装置のマスクアライメント方法について
説明してあるが、半導体素子をスキャン露光する装置の
レチクルアライメント方法においても本説明の適用によ
り前述した同様の効果が期待出来る。 このように本発明
は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々の構成を取り得る。Although the method of the above embodiment mainly describes a mask alignment method for an apparatus for scanning and exposing a liquid crystal display element, the reticle alignment method for an apparatus for scanning and exposing a semiconductor element is also described above by applying this description. Similar effects can be expected. As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can take various configurations without departing from the gist of the present invention.
【0022】[0022]
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した投影露
光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明す
る。図3は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チッ
プ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設
計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2
(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスク
を製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリ
コンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5
(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、
パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ス
テップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷(ステップ7)される。[Embodiment of Device Production Method] Next, an embodiment of a device production method using the above-described projection exposure apparatus will be described. FIG. 3 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micro machines, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2
In (mask production), a mask on which a designed pattern is formed is produced. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. Next Step 5
The (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes an assembly process (dicing, bonding).
It includes steps such as a packaging step (chip encapsulation). In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【0023】図4は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明したマスクアライメント
装置を有するスキャン露光方式の投影露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。FIG. 4 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern on the mask is printed and exposed on the wafer by the scan exposure type projection exposure apparatus having the above-described mask alignment apparatus. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【0024】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a highly integrated device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、液晶表示
素子あるいは半導体素子等の製造工程で使用される原版
(マスクまたはレチクル)の原画パターンを感光基板
(プレートまたはウエハ)上にスリットスキャン方式で
露光する投影露光装置において原版のアライメント手法
に利用するのに有効である。近年、露光装置においては
更なるアライメント精度の向上を要求されている。その
一方で露光エリアの拡大に伴い装置全体も大型化してき
ている。そのため、従来のように、構造体上に第1の基
準となる原版のアライメント用の基準マークを配置して
いるとスキャン駆動による投影光学系、および装置本体
の振動等の影響を受けやすく基準マーク位置が安定しな
い。また、ステージのスキャン駆動によって装置を構築
している構造体、およびアライメント用の観察光学系も
連携して姿勢変化するため、アライメント計測時に誤差
が載ってしまう。しかしながら、本発明によればスキャ
ン駆動するステージ内部に基準マークを配置しているた
め、上記のような装置内の振動等の影響を受け難くな
り、基準マーク位置精度の安定、アライメント計測誤差
の減少といった効果が得られ、その結果アライメント時
間が短縮され装置のスループットが向上しかつ装置の稼
動率も高めることが出来る。As described above, according to the present invention, an original pattern of an original (mask or reticle) used in a manufacturing process of a liquid crystal display element or a semiconductor element is slit-scanned on a photosensitive substrate (plate or wafer). This is effective for use in an alignment method of an original in a projection exposure apparatus that performs exposure with a mask. In recent years, exposure apparatuses have been required to further improve alignment accuracy. On the other hand, as the exposure area has expanded, the entire apparatus has also become larger. Therefore, if the reference mark for alignment of the original plate serving as the first reference is arranged on the structure as in the related art, the reference mark is easily affected by vibration of the projection optical system and the apparatus main body due to scan driving, and the like. Position is not stable. In addition, since the attitude of the structure constructing the apparatus by the scan drive of the stage and the observation optical system for alignment cooperate with each other, an error occurs during alignment measurement. However, according to the present invention, since the reference mark is arranged inside the stage to be driven for scanning, the reference mark is hardly affected by the vibration in the apparatus as described above, and the reference mark position accuracy is stabilized, and the alignment measurement error is reduced. As a result, the alignment time is shortened, the throughput of the apparatus is improved, and the operation rate of the apparatus can be increased.
【図1】 本発明の実施例によるスリットスキャン方式
におけるマスクのアライメント手法の構成を示す斜視図
である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a mask alignment method in a slit scan method according to an embodiment of the present invention.
【図2】 従来より使用されている投影露光装置の全体
的な構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the overall configuration of a conventionally used projection exposure apparatus.
【図3】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.
【図4】 図3におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 3;
M:マスク、PL:投影光学系、P:プレート、As:
観察光学系、Ax:光軸、By:移動鏡、Mb:基準マ
ーク、Me:計測用マーク、Mx:ローダーハンド、R
p:ロックパッド、St:構造体、1:露光用光源、
2:楕円鏡、3:マスクチャック、4:マスクステージ
ベース、5:プレートチャック、6:Xステージ、7:
Yステージ、8:プレートステージベース、9:ガイ
ド、10:ヨーガイド、11:連結板、12:リニアモ
ータ、15:構造体に設けられた開口穴、16:マスク
ステージベースに設けられた開口穴。M: mask, PL: projection optical system, P: plate, As:
Observation optical system, Ax: optical axis, By: movable mirror, Mb: reference mark, Me: measurement mark, Mx: loader hand, R
p: lock pad, St: structure, 1: light source for exposure,
2: Elliptical mirror, 3: Mask chuck, 4: Mask stage base, 5: Plate chuck, 6: X stage, 7:
Y stage, 8: plate stage base, 9: guide, 10: yaw guide, 11: connecting plate, 12: linear motor, 15: opening hole provided in structure, 16: opening hole provided in mask stage base.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福永 純一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内 Fターム(参考) 5F046 BA05 CB17 CC02 CC03 CC06 CC09 CC15 DB05 EB02 EC01 ED03 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Junichi Fukunaga 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 5F046 BA05 CB17 CC02 CC03 CC06 CC09 CC15 DB05 EB02 EC01 ED03
Claims (2)
版を吸着保持するとともにXYθ方向に移動可能な第1
のステージ手段と、前記原画パターンを所定の結像面へ
投影する投影光学系と、前記結像面とほぼ平行に感光基
板を保持するとともに前記結像面と平行な面内でXYθ
方向に移動可能な第2のステージ手段とを備え、これら
第1および第2のステージ手段を前記投影光学系の光軸
と直交する方向に同期スキャンさせて、前記原画パター
ン全面を感光基板上の所定位置に露光転写する露光装置
において、前記第1のステージ手段上に基準マークを配
置し、この基準マークに対して、前記マスクの位置決め
を行なうことを特徴とする露光装置。1. A first plate which holds an original plate on which an original image pattern to be exposed is formed by suction and is movable in XYθ directions.
A stage means, a projection optical system for projecting the original image pattern onto a predetermined image plane, and a photosensitive substrate held substantially parallel to the image plane and XYθ in a plane parallel to the image plane.
Second stage means movable in a direction, and the first and second stage means are synchronously scanned in a direction orthogonal to the optical axis of the projection optical system, so that the entire surface of the original image pattern is formed on a photosensitive substrate. An exposure apparatus for exposing and transferring to a predetermined position, wherein a reference mark is disposed on the first stage means, and the mask is positioned with respect to the reference mark.
イスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。2. A device manufacturing method, comprising manufacturing a device using the exposure apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10358988A JP2000182936A (en) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | Exposure apparatus and manufacture of device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10358988A JP2000182936A (en) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | Exposure apparatus and manufacture of device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000182936A true JP2000182936A (en) | 2000-06-30 |
Family
ID=18462162
Family Applications (1)
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JP10358988A Pending JP2000182936A (en) | 1998-12-17 | 1998-12-17 | Exposure apparatus and manufacture of device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000182936A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002346756A (en) * | 2001-05-18 | 2002-12-04 | Honda Motor Co Ltd | Electric welding gun |
KR100469987B1 (en) * | 2000-12-27 | 2005-02-04 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | Substrate positioning apparatus and exposure apparatus |
KR100890133B1 (en) * | 2001-05-10 | 2009-03-20 | 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 | Aligner |
-
1998
- 1998-12-17 JP JP10358988A patent/JP2000182936A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100469987B1 (en) * | 2000-12-27 | 2005-02-04 | 산에이 기껜 가부시키가이샤 | Substrate positioning apparatus and exposure apparatus |
KR100890133B1 (en) * | 2001-05-10 | 2009-03-20 | 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 | Aligner |
JP2002346756A (en) * | 2001-05-18 | 2002-12-04 | Honda Motor Co Ltd | Electric welding gun |
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