JP2000174211A - Semiconductor-trimming device and method - Google Patents

Semiconductor-trimming device and method

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JP2000174211A
JP2000174211A JP10348528A JP34852898A JP2000174211A JP 2000174211 A JP2000174211 A JP 2000174211A JP 10348528 A JP10348528 A JP 10348528A JP 34852898 A JP34852898 A JP 34852898A JP 2000174211 A JP2000174211 A JP 2000174211A
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Japan
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state
trimming
circuit
short
semiconductor
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JP10348528A
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Japanese (ja)
Inventor
Chihiro Arai
千広 荒井
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor-trimming device and method for reducing the number of pads required for trimming. SOLUTION: In a trimming method, an anti fuse 2 with a larger current value required for shifting state than a fuse 1 is connected in parallel with a series circuit consisting of the fuse 1 and a resistor 3 with a specific resistance, the state of the fuse 1 is shifted to a semiconductor trimming device 11 with a specific resistance as an initial state according to circuit characteristics, and a current for preventing the state of the anti fuse 2 from being shifted is applied for open-circuiting, or a sufficient current for shifting the anti fuse 2 to the short-circuited state is applied for shifting to short- circuited state and hence performing trimming and reducing the number of pads.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の回
路調整に用いる半導体トリミング装置とそのトリミング
方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor trimming apparatus used for circuit adjustment of a semiconductor integrated circuit and a trimming method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路内で用いられるトリミン
グ素子のうち、電気的にトリミングを行なう手段とし
て、一般的に、開放状態から短絡状態への移行手段(以
下、「アンチヒューズ」と記す)として、ツェナーザッ
プダイオードが、また、短絡状態から開放状態への移行
手段(以下、「ヒューズ」と記す)として、ポリシリコ
ンヒューズ、あるいはアルミニウムヒューズが用いられ
ている。
2. Description of the Related Art Among the trimming elements used in a semiconductor integrated circuit, as means for electrically trimming, generally, means for shifting from an open state to a short-circuit state (hereinafter referred to as "anti-fuse"). And a Zener zap diode, and a polysilicon fuse or an aluminum fuse is used as a means for shifting from a short-circuit state to an open state (hereinafter referred to as “fuse”).

【0003】つぎに、図4および図5を参照して従来の
トリミング手段の例について説明する。
Next, an example of a conventional trimming means will be described with reference to FIGS.

【0004】まず、その第1は図4に示す回路構成を有
する半導体トリミング装置14であって、短絡状態から
開放状態への移行手段を有して構成されているものであ
る。針立て用のパッド4a、4b間にヒューズ1aと抵
抗3aが並列接続し、さらにパッド4b、4c間にヒュ
ーズ1bと抵抗3bが並列接続し、これら2つの並列回
路が直列接続している。
First, a semiconductor trimming device 14 having a circuit configuration shown in FIG. 4 has a means for shifting from a short-circuit state to an open state. The fuse 1a and the resistor 3a are connected in parallel between the needle standing pads 4a and 4b, and the fuse 1b and the resistor 3b are connected in parallel between the pads 4b and 4c. These two parallel circuits are connected in series.

【0005】この構成においてヒューズ1aを開放状態
に移行させるとパッド4a、4b間は抵抗3aが現れ、
また、ヒューズ1bを開放状態に移行させるとパッド4
b、4c間は抵抗3bが現れてトリミングが行なわれ
る。ヒューズ1a、1bの状態移行はそれぞれに対応し
た電流を印加することで行なわれる。
In this configuration, when the fuse 1a is shifted to the open state, a resistor 3a appears between the pads 4a and 4b,
When the fuse 1b is shifted to the open state, the pad 4
A resistor 3b appears between b and 4c, and trimming is performed. The state transition of the fuses 1a and 1b is performed by applying a corresponding current.

【0006】また、その第2は図5に示す回路構成を有
する半導体トリミング装置15であって、開放状態から
短絡状態への移行手段を有して構成されているものであ
る。針立て用のパッド4a、4b間にアンチヒューズ2
aと抵抗3aが並列接続し、さらにパッド4b、4c間
にアンチヒューズ2bと抵抗3bが並列接続し、これら
2つの並列回路が直列接続している。
The second is a semiconductor trimming device 15 having a circuit configuration shown in FIG. 5, which is provided with means for shifting from an open state to a short-circuit state. Antifuse 2 between pad 4a and 4b for needle stand
a and the resistor 3a are connected in parallel, and the antifuse 2b and the resistor 3b are connected in parallel between the pads 4b and 4c. These two parallel circuits are connected in series.

【0007】この構成においてアンチヒューズ2aを短
絡状態に移行させるとパッド4a、4b間の抵抗は近似
的に「零」となり、また、アンチヒューズ2bを短絡状
態に移行させるとパッド4b、4c間の抵抗は近似的に
「零」となりトリミングが行なわれる。アンチヒューズ
2a、2bの状態移行はそれぞれに対応した電流を印加
することで行なわれる。
In this configuration, when the anti-fuse 2a is shifted to the short-circuit state, the resistance between the pads 4a and 4b becomes approximately "zero", and when the anti-fuse 2b is shifted to the short-circuit state, the resistance between the pads 4b and 4c is reduced. The resistance becomes approximately “zero” and trimming is performed. The state transition of the anti-fuse 2a, 2b is performed by applying a corresponding current.

【0008】さて、実際の回路調整は半導体の製造工程
の完了後に、テスターを用いて、針立て用パッドに針を
立て、回路特性を測定し、調整の必要が有りと判断され
た場合は、トリミング素子の状態を移行させて回路特性
の調整を行なっていた。
In the actual circuit adjustment, after the semiconductor manufacturing process is completed, a tester is used to set a needle on a needle holder pad, the circuit characteristics are measured, and if it is determined that adjustment is necessary, Circuit characteristics are adjusted by shifting the state of the trimming element.

【0009】しかしながら、従来のトリミングでは、そ
れぞれのトリミング素子の両端に電流供給用のパッドを
必要とし、そのパッド数は調整bit数+1個となるも
のであった。
However, conventional trimming requires pads for supplying current at both ends of each trimming element, and the number of pads is the number of adjustment bits plus one.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
トリミング方法では、n−bitの調整に必要なパッド
数はn+1個となるが、パッドの大きさは針立て精度の
点から、略100μm×100μm程度必要としてい
る。そのため、調整bit数が増大した場合、パッドの
占める面積が増大し、これがチップ面積を大きくすると
いう問題があった。又、パッド数はテスターのピン数か
らの制約があるため、調整bit数を増大させることは
困難であった。
As described above, in the conventional trimming method, the number of pads required for n-bit adjustment is n + 1, but the size of the pad is approximately 100 μm from the standpoint of needle placement accuracy. × 100 μm is required. Therefore, when the number of adjustment bits increases, the area occupied by the pads increases, which causes a problem that the chip area increases. In addition, since the number of pads is limited by the number of pins of the tester, it is difficult to increase the number of adjustment bits.

【0011】従って、本発明の課題は、トリミングに必
要なパッド数を低減した半導体トリミング装置、および
そのトリミング方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a semiconductor trimming device in which the number of pads required for trimming is reduced, and a trimming method therefor.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
なされたものであって、所定の抵抗値から、短絡状態、
および開放状態のいずれの状態へも移動可能なトリミン
グ構造を有する半導体トリミング装置を構成する。前記
所定の抵抗値とは、1kΩ以上、100kΩ以下の範囲
であり、また、短絡状態とは所定の抵抗値よりも1桁以
上、抵抗値の低い状態であり、さらに、開放状態とは所
定の抵抗値よりも1桁以上、抵抗値の高い状態である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above problems, and has been made in consideration of the following problems.
And a semiconductor trimming device having a trimming structure capable of moving to any of the open state and the open state. The predetermined resistance value is in a range of 1 kΩ or more and 100 kΩ or less, and the short-circuit state is a state in which the resistance value is one digit or more lower than the predetermined resistance value, and the open state is a predetermined state. This is a state where the resistance value is higher by one digit or more than the resistance value.

【0013】前記半導体トリミング装置は、短絡状態か
ら開放状態に移行する第1のトリミング手段と所定の抵
抗値を有する半導体抵抗素子とを直列接続したものと、
前記第1のトリミング手段よりも状態移行に必要な電流
が大きい、開放状態から短絡状態に移行する第2のトリ
ミング手段とを、並列接続した構成とすることが可能で
ある。
[0013] The semiconductor trimming device includes a series connection of a first trimming means for shifting from a short-circuit state to an open state and a semiconductor resistance element having a predetermined resistance value.
It is possible to adopt a configuration in which a second trimming unit that shifts from an open state to a short-circuit state and that requires a larger current for state transition than the first trimming unit is connected in parallel.

【0014】ここで、第1のトリミング手段を短絡状態
から開放状態に移行させ、第2のトリミング手段を開放
状態のままに留める電流を印加することで、初期状態の
設定された抵抗値から開放状態に移行させる回路トリミ
ングと、さらに必要に応じて、第2のトリミング手段を
開放状態から短絡状態に移行させる電流を印加すること
で、短絡状態に移行させることが可能な回路トリミング
を行なうことを可能としたトリミング方法が提供でき
る。
Here, the first trimming means is shifted from the short-circuit state to the open state, and a current for keeping the second trimming means in the open state is applied to open the first trimming means from the set resistance value in the initial state. Circuit trimming for shifting to a state and, if necessary, circuit trimming for shifting to a short-circuit state by applying a current for shifting the second trimming means from an open state to a short-circuit state. A possible trimming method can be provided.

【0015】また、前記半導体トリミング装置は、短絡
状態から開放状態に移行する第1のトリミング手段と、
開放状態から短絡状態に移行し前記第1のトリミング手
段よりも状態移行に必要な電流が小さい第2のトリミン
グ手段と所定の抵抗値を有する半導体抵抗素子とを並列
接続し、さらに並列接続した回路と前記第1のトリミン
グ手段とを直列接続した構成とすることも可能である。
Further, the semiconductor trimming device includes a first trimming means for shifting from a short-circuit state to an open state,
A circuit in which a second trimming means that shifts from an open state to a short-circuit state and requires less current for state transition than the first trimming means is connected in parallel to a semiconductor resistance element having a predetermined resistance value, and further connected in parallel. And the first trimming means may be connected in series.

【0016】また、ここで、第2のトリミング手段を開
放状態から短絡状態に移行させ、第1のトリミング手段
を短絡状態のまま留める電流を印加することで、初期状
態の所定の抵抗値から短絡状態に移行させる回路トリミ
ングと、さらに必要に応じて、第1のトリミング手段を
短絡状態から開放状態に移行させる電流を印加すること
で、開放状態に移行させることが可能な回路トリミング
を行なうことを可能としたトリミング方法が提供でき
る。
Here, the second trimming means is shifted from the open state to the short-circuit state, and a current is applied to keep the first trimming means in the short-circuit state. Circuit trimming for shifting to a state and, if necessary, circuit trimming for shifting to an open state by applying a current for shifting the first trimming means from a short-circuit state to an open state. A possible trimming method can be provided.

【0017】また、本発明は、所定の抵抗値から複数の
抵抗値に移行可能な半導体トリミング装置をも構成す
る。それは短絡状態から開放状態に移行するのに必要な
電流値の異なる、複数のトリミング手段を直列接続し、
各々のトリミング手段には、所定の抵抗値を有する半導
体抵抗素子を並列接続した構成からなるものである。
The present invention also constitutes a semiconductor trimming device capable of shifting from a predetermined resistance value to a plurality of resistance values. It is connected in series with a plurality of trimming means with different current values required to transition from a short-circuit state to an open state,
Each trimming means has a configuration in which semiconductor resistance elements having a predetermined resistance value are connected in parallel.

【0018】また、本発明のトリミング方法は、短絡状
態から開放状態に移行するのに必要な電流値の異なる、
複数のトリミング手段を直列接続し、各々のトリミング
手段には、所定の抵抗値を有する半導体抵抗素子を並列
接続した構成からなる半導体トリミング装置に、少なく
とも1つ以上のトリミング手段の状態を変化させる電流
を印加することで、必要とされる抵抗値を有する状態に
移行させることを特徴とする。
Further, according to the trimming method of the present invention, the current values required for shifting from the short-circuit state to the open state are different.
A plurality of trimming units are connected in series, and each trimming unit is connected to a semiconductor trimming device having a configuration in which semiconductor resistance elements having a predetermined resistance value are connected in parallel. A current for changing a state of at least one or more trimming units is provided. Is applied to shift to a state having a required resistance value.

【0019】さらに、開放状態から短絡状態へ移行する
トリミング手段として、ツェナーザップダイオードを用
い、短絡状態から開放状態へ移行するトリミング手段と
して、ポリシリコンヒューズ、またはアルミニウムヒュ
ーズを用いることが好ましい。
Further, it is preferable to use a Zener zap diode as the trimming means for shifting from the open state to the short-circuit state, and to use a polysilicon fuse or an aluminum fuse as the trimming means for shifting from the short-circuit state to the open state.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明にかかわる半導体トリミン
グ装置とそのトリミング方法の実施の形態例について、
図1ないし図3を参照して説明する。尚、図1は第1の
実施の形態例の、また、図2は第2の実施の形態例の、
さらに、図3は第3の実施の形態例の回路図と等価回路
図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a semiconductor trimming apparatus and a trimming method according to the present invention will be described.
This will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows the first embodiment, and FIG. 2 shows the second embodiment.
FIG. 3 is a circuit diagram and an equivalent circuit diagram of the third embodiment.

【0021】まず、第1の実施の形態例である半導体ト
リミング装置11の回路構成は図1(a−1)に示すよ
うに、パッド4a、4b間に、ヒューズ1と抵抗3の直
列接続と、これと並列にアンチヒューズ2とが設けられ
ている。トリミング素子としてヒューズ1、アンチヒュ
ーズ2、抵抗3、パッド4a、4bを示しているが、こ
の半導体装置は、バイポーラトランジスタ、MOSトラ
ンジスタ、抵抗、容量等の素子も備えている。この半導
体トリミング装置はこれらの素子を接続して形成された
回路のトリミングを行なうために用いられるものであっ
て、一般的にヒューズ1としてはポリシリコン、アルミ
ニウムが、また、アンチヒューズ2としてはツェナーザ
ップダイオードが用いられる。
First, the circuit configuration of a semiconductor trimming apparatus 11 according to the first embodiment is, as shown in FIG. 1A, a series connection of a fuse 1 and a resistor 3 between pads 4a and 4b. , And an antifuse 2 is provided in parallel with this. Although a fuse 1, an anti-fuse 2, a resistor 3, and pads 4a and 4b are shown as trimming elements, this semiconductor device also includes elements such as a bipolar transistor, a MOS transistor, a resistor, and a capacitor. This semiconductor trimming device is used for trimming a circuit formed by connecting these elements. Generally, polysilicon and aluminum are used for the fuse 1 and Zener is used for the anti-fuse 2. Zap diodes are used.

【0022】つぎに、動作について説明する。図1(a
−1)の状態が初期状態であるとすると、その等価回路
は図1(b−1)に示すものになる。即ち、ヒューズ1
は短絡状態であり、アンチヒューズ2は開放状態である
ため、パッド4a、4b間に抵抗3が接続されている状
態となる。
Next, the operation will be described. FIG. 1 (a
If the state of -1) is the initial state, its equivalent circuit is as shown in FIG. 1 (b-1). That is, fuse 1
Is in a short-circuit state and the anti-fuse 2 is in an open state, so that the resistor 3 is connected between the pads 4a and 4b.

【0023】尚、抵抗3は一般的には10kΩから50
0kΩ程度である。ヒューズの抵抗値も回路構成上、抵
抗3に加算されることになるが、実際にはこの抵抗値は
100Ω程度と小さいため無視しても差し支えない。ま
た、ヒューズ1を短絡状態から開放状態に移行させる電
流は、アンチヒューズ2を開放状態から短絡状態に移行
させる電流よりも小さな値に設定されている。
Incidentally, the resistance 3 is generally 10 kΩ to 50 kΩ.
It is about 0 kΩ. The resistance value of the fuse is also added to the resistance 3 in the circuit configuration, but in practice, this resistance value is as small as about 100Ω and can be ignored. Further, the current for shifting the fuse 1 from the short-circuit state to the open state is set to a smaller value than the current for shifting the anti-fuse 2 from the open state to the short-circuit state.

【0024】つぎに、ヒューズ1を開放する場合、図1
(a−2)が回路構成であり、その等価回路は図1(b
−2)に示すものになる。ヒューズ1を開放するために
必要な電流は、例えば5mAであり、この電流ではアン
チヒューズ2は状態移行を起こさないものとする。この
状態でヒューズ1は開放され、アンチヒューズ2は開放
のままなので、図1(b−2)に示すようにパッド4
a、4b間、即ち、半導体トリミング装置は開放状態と
なる。
Next, when the fuse 1 is opened, the fuse 1 shown in FIG.
(A-2) is a circuit configuration, and its equivalent circuit is shown in FIG.
-2). The current required to open the fuse 1 is, for example, 5 mA, and the anti-fuse 2 does not cause a state transition with this current. In this state, the fuse 1 is opened and the anti-fuse 2 is kept open, so that the pad 4 is opened as shown in FIG.
a, 4b, that is, the semiconductor trimming device is in an open state.

【0025】さらに、アンチヒューズ2を短絡する場
合、図1(a−3)が回路構成であり、その等価回路は
図1(b−3)に示すものになる。アンチヒューズ2を
短絡するために必要な電流は、例えば10mAであり、
図1(b−3)に示すようにパッド4a、4b間、即
ち、半導体トリミング装置は短絡状態となる。
Further, when the antifuse 2 is short-circuited, FIG. 1A-3 shows a circuit configuration, and an equivalent circuit thereof is as shown in FIG. 1B-3. The current required to short the antifuse 2 is, for example, 10 mA,
As shown in FIG. 1B-3, between the pads 4a and 4b, that is, the semiconductor trimming device is in a short-circuit state.

【0026】上述したようにして、図1に示す半導体ト
リミング装置11は、その状態を所定抵抗値→開放状態
→短絡状態と、回路特性に応じて2つの異なる状態に移
行させることができることになる。
As described above, the semiconductor trimming device 11 shown in FIG. 1 can change its state to two different states according to the circuit characteristics, that is, a predetermined resistance value → open state → short state. .

【0027】つぎに、第2の実施の形態例である半導体
トリミング装置12の回路構成は図2(a−1)に示す
ように、パッド4a、4b間に、アンチヒューズ2と抵
抗3の並列接続と、これと直列にヒューズ1とが設けら
れている。トリミング素子としてヒューズ1、アンチヒ
ューズ2、抵抗3、パッド4a、4bを示しているが、
この半導体装置は、バイポーラトランジスタ、MOSト
ランジスタ、抵抗、容量等の素子も備え、これらの素子
を接続して形成された回路のトリミングを行なうために
用いられるものであって、一般的にヒューズ1としては
ポリシリコン、アルミニウムが、また、アンチヒューズ
2としてはツェナーザップダイオードが用いられること
は第1の実施の形態例と同様である。
Next, as shown in FIG. 2A, the circuit configuration of the semiconductor trimming device 12 according to the second embodiment is such that an antifuse 2 and a resistor 3 are connected in parallel between pads 4a and 4b. A connection and a fuse 1 are provided in series with the connection. Although a fuse 1, an anti-fuse 2, a resistor 3, and pads 4a and 4b are shown as trimming elements,
This semiconductor device also includes elements such as a bipolar transistor, a MOS transistor, a resistor, and a capacitor, and is used for trimming a circuit formed by connecting these elements. As in the first embodiment, polysilicon and aluminum are used, and a Zener zap diode is used as the antifuse 2.

【0028】つぎに、動作について説明する。図2(a
−1)の状態が初期状態であるとすると、その等価回路
は図2(b−1)に示すものになる。即ち、ヒューズ1
は短絡状態であり、アンチヒューズ2は開放状態である
ため、パッド4a、4b間に抵抗3が接続されている状
態となる。
Next, the operation will be described. FIG.
If the state of -1) is the initial state, its equivalent circuit is as shown in FIG. 2 (b-1). That is, fuse 1
Is in a short-circuit state and the anti-fuse 2 is in an open state, so that the resistor 3 is connected between the pads 4a and 4b.

【0029】尚、抵抗3は一般的には10kΩから50
0kΩ程度である。ヒューズの抵抗値も回路構成上、抵
抗3に加算されることになるが、実際にはこの抵抗値は
100Ω程度と小さいため無視しても差し支えないこと
は第1の実施の形態例と同様である。また、ヒューズ1
を短絡状態から開放状態に変化させる電流は、アンチヒ
ューズ2を開放状態から短絡状態に変化させる電流より
も大きな値に設定されているものである。
Incidentally, the resistance 3 is generally 10 kΩ to 50 kΩ.
It is about 0 kΩ. The resistance value of the fuse is also added to the resistance 3 in the circuit configuration. However, since this resistance value is actually as small as about 100Ω, it can be ignored as in the first embodiment. is there. Also, fuse 1
Is set to a larger value than the current that changes the antifuse 2 from the open state to the short circuit state.

【0030】つぎに、アンチヒューズ2を短絡する場
合、図2(a−2)が回路構成であり、その等価回路は
図2(b−2)に示すものになる。アンチヒューズ2を
短絡するために必要な電流は、例えば5mAであり、こ
の電流ではヒューズ1は状態移行を起こさないものとす
る。この状態でアンチヒューズ2は短絡され、ヒューズ
1は短絡状態のままなので、図2(b−2)に示すよう
にパッド4a、4b間、即ち、半導体トリミング装置1
2は短絡状態となる。
Next, when the antifuse 2 is short-circuited, FIG. 2A-2 shows a circuit configuration, and an equivalent circuit thereof is as shown in FIG. 2B-2. The current required to short-circuit the anti-fuse 2 is, for example, 5 mA, and the fuse 1 does not cause a state transition with this current. In this state, the antifuse 2 is short-circuited, and the fuse 1 remains in the short-circuited state. Therefore, as shown in FIG. 2B-2, between the pads 4a and 4b, that is, the semiconductor trimming device 1
2 is short-circuited.

【0031】さらに、ヒューズ1を開放する場合、図2
(a−3)が回路構成であり、その等価回路は図2(b
−3)に示すものになる。ヒューズ1を開放するために
必要な電流は、例えば10mAであり、図2(b−3)
に示すようにパッド4a、4b間、即ち、半導体トリミ
ング装置は開放状態となる。
Further, when the fuse 1 is opened, the operation shown in FIG.
(A-3) shows a circuit configuration, and an equivalent circuit thereof is shown in FIG.
-3). The current required to open the fuse 1 is, for example, 10 mA, as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the portion between the pads 4a and 4b, that is, the semiconductor trimming device is open.

【0032】上述したようにして、図2に示す半導体ト
リミング装置12は、その状態を所定抵抗値→短絡状態
→開放状態と、回路特性に応じて2つの異なる状態に移
行させることができることになる。
As described above, the state of the semiconductor trimming device 12 shown in FIG. 2 can be shifted to two different states according to the circuit characteristics, that is, the predetermined resistance value → short state → open state. .

【0033】つぎに、第3の実施の形態例である半導体
トリミング装置13の回路構成は図3(a−1)に示す
ように、パッド4a、4b間に、ヒューズ1aと抵抗3
a、ヒューズ1bと抵抗3b、ヒューズ1cと抵抗3c
がそれぞれ並列接続されたものが直列に接続された構成
になっている。
Next, as shown in FIG. 3 (a-1), the circuit configuration of the semiconductor trimming device 13 according to the third embodiment is such that a fuse 1a and a resistor 3 are provided between pads 4a and 4b.
a, fuse 1b and resistor 3b, fuse 1c and resistor 3c
Are connected in series and connected in parallel.

【0034】ここで、ヒューズ1a、1b、1cの状態
を移行させるために必要な電流はそれぞれ異なり、例え
ばヒューズ1aの状態を移行させるために必要な電流は
3mA、ヒューズ1bの状態を移行させるために必要な
電流は6mA、ヒューズ1cの状態を移行させるために
必要な電流は9mA等である。状態を移行させる電流値
の異なるヒューズはヒューズ自身の幅を変えることで容
易に実現できる。
Here, the current required to change the state of the fuses 1a, 1b, and 1c is different. For example, the current required to change the state of the fuse 1a is 3 mA, and the current required to change the state of the fuse 1b is 3 mA. Is required to be 6 mA, and the current required to shift the state of the fuse 1c is 9 mA or the like. Fuses with different current values for shifting states can be easily realized by changing the width of the fuse itself.

【0035】トリミング素子としてヒューズ1a、1
b、1c、抵抗3a、3b、3c、パッド4a、4bを
示しているが、この半導体装置は、バイポーラトランジ
スタ、MOSトランジスタ、抵抗、容量等の素子も備
え、これらの素子を接続して形成された回路のトリミン
グを行なうために用いられるものであって、一般的にヒ
ューズ1a、1b、1cとしてはポリシリコン、アルミ
ニウムが用いられることは第1の実施の形態例と同様で
ある。
Fuse 1a, 1
b, 1c, resistors 3a, 3b, 3c and pads 4a, 4b are shown. This semiconductor device also includes elements such as a bipolar transistor, a MOS transistor, a resistor, and a capacitor, and is formed by connecting these elements. As in the first embodiment, polysilicon and aluminum are generally used for the fuses 1a, 1b, and 1c.

【0036】つぎに、動作について説明する。図3(a
−1)の状態が初期状態であるとすると、その等価回路
は図3(b−1)に示すものになる。即ち、ヒューズ1
a、1b、1cは全て短絡状態であり、パッド4a、4
b間は短絡状態となる。
Next, the operation will be described. FIG.
Assuming that the state of -1) is the initial state, the equivalent circuit is as shown in FIG. That is, fuse 1
a, 1b and 1c are all in a short-circuit state, and the pads 4a and 4c
There is a short circuit between b.

【0037】尚、厳密にはヒューズ1a、1b、1cの
抵抗値をそれぞれR1a、R1b、R1cとし、抵抗3a、3
b、3cの抵抗値をそれぞれR3a、R3b、R3cとすると
パッド4a、4b間の抵抗r1 は r1 =〔(R1a×R3a)/(R1a+R3a)+(R1b×R3b)/(R1b+R3b) +(R1c×R3c)/(R1c+R3c)〕 ≒R1a+R1b+R1c (1) となる。しかしながらヒューズ1a、1b、1cは10
0Ω程度の抵抗値を有するが、抵抗3a、3b、3cは
一般的には10kΩから500kΩ程度であり、これに
比してr1 は極めて小さく、短絡状態にあると考えて差
し支えない。
Strictly speaking, the resistance values of the fuses 1a, 1b and 1c are R1a, R1b and R1c, respectively,
Assuming that the resistance values of b and 3c are R3a, R3b and R3c, respectively, the resistance r1 between the pads 4a and 4b is r1 = [(R1a × R3a) / (R1a + R3a) + (R1b × R3b) / (R1b + R3b) + (R1c × R3c) / (R1c + R3c)] ≒ R1a + R1b + R1c (1) However, fuses 1a, 1b, and 1c are 10
Although it has a resistance value of about 0Ω, the resistances 3a, 3b and 3c are generally in the range of about 10 kΩ to 500 kΩ, and r1 is extremely small as compared with this.

【0038】つぎに、ヒューズ1aを開放するために必
要な電流、例えば3mAを印加すると、ヒューズ1b、
1cの状態は変化せず、ヒューズ1aだけが短絡状態か
ら開放状態へ移行する。この場合、図3(a−2)が回
路構成であり、その等価回路は図3(b−2)に示すも
のになる。従って、パッド4a、4b間の抵抗r2 は r2 =〔R3a+(R1b×R3b)/(R1b+R3b)+(R1c×R3c)/(R1c+ R3c)〕 ≒R3a (2) となる。
Next, when a current required to open the fuse 1a, for example, 3 mA, is applied, the fuse 1b,
The state of 1c does not change, and only the fuse 1a shifts from the short-circuit state to the open state. In this case, FIG. 3A-2 shows a circuit configuration, and its equivalent circuit is as shown in FIG. 3B-2. Therefore, the resistance r2 between the pads 4a and 4b is r2 = [R3a + (R1b.times.R3b) / (R1b + R3b) + (R1c.times.R3c) / (R1c + R3c)] cR3a (2)

【0039】さらに、ヒューズ1bを開放するために必
要な電流、例えば6mAを印加すると、ヒューズ1cの
状態は変化せず、ヒューズ1bは短絡状態から開放状態
へ移行する。この場合、図3(a−3)が回路構成であ
り、その等価回路は図3(b−3)に示すものになる。
従って、パッド4a、4b間の抵抗r3 は r3 =〔R3a+R3b+(R1c×R3c)/(R1c+R3c)〕 ≒R3a+R3b (3) となる。
Further, when a current required to open the fuse 1b, for example, 6 mA is applied, the state of the fuse 1c does not change, and the fuse 1b shifts from the short-circuit state to the open state. In this case, FIG. 3A-3 shows a circuit configuration, and its equivalent circuit is as shown in FIG. 3B-3.
Therefore, the resistance r3 between the pads 4a and 4b is as follows: r3 = [R3a + R3b + (R1c × R3c) / (R1c + R3c)] ≒ R3a + R3b (3)

【0040】さらに、ヒューズ1cを開放するために必
要な電流、例えば9mAを印加すると、ヒューズ1cは
短絡状態から開放状態へ移行する。この場合、図3(a
−4)が回路構成であり、その等価回路は図3(b−
4)に示すものになる。従って、パッド4a、4b間の
抵抗r4 は r4 =R3a+R3b+R3c (4) となる。
Further, when a current required to open the fuse 1c, for example, 9 mA is applied, the fuse 1c shifts from the short-circuit state to the open state. In this case, FIG.
-4) is a circuit configuration, and its equivalent circuit is shown in FIG.
4). Therefore, the resistance r4 between the pads 4a and 4b is as follows: r4 = R3a + R3b + R3c (4)

【0041】上述したようにして、図3に示す半導体ト
リミング装置13は、その状態を短絡状態→抵抗値r1
→抵抗値r2 →抵抗値r3 と回路特性に応じて3つの異
なる状態に移行させることができる。第3の実施の形態
例は3段に積み重ねたものであるが、さらに段数を重ね
てもよいことは当然である。また、最終段をヒューズだ
けにし、このヒューズを短絡状態から開放状態にして、
半導体トリミング装置13に開放状態の機能を付加して
もよい。
As described above, the semiconductor trimming device 13 shown in FIG. 3 changes its state from a short-circuit state to a resistance value r1.
→ Resistance value r2 → Resistance value r3 It is possible to shift to three different states according to the circuit characteristics. In the third embodiment, three stages are stacked, but it goes without saying that the number of stages may be further increased. In addition, the last stage is only a fuse, and this fuse is changed from a short circuit state to an open state,
An open state function may be added to the semiconductor trimming device 13.

【0042】尚、本発明は上述した実施の形態例に限る
ことなく、本発明の範囲において、その技術的思想を具
現化するいかなる回路構成をとることができることは当
然である。
It is to be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that any circuit configuration that embodies the technical idea can be adopted within the scope of the present invention.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
半導体トリミング装置によると、複数のトリミング状態
を実現するためのパッド数を減らすことが可能となる。
従って、トリミングを必要とする半導体集積回路の面積
を削減することができ、また、従来、テスターの測定可
能ピン数から調整ビット数が制約されていた半導体装置
にもトリミング手段による回路調整が適用できるように
なる。
As described above in detail, according to the semiconductor trimming device of the present invention, it is possible to reduce the number of pads for realizing a plurality of trimming states.
Therefore, the area of the semiconductor integrated circuit requiring trimming can be reduced, and the circuit adjustment by the trimming means can be applied to a semiconductor device in which the number of adjustment bits is conventionally restricted from the number of measurable pins of the tester. Become like

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明にかかわる半導体トリミング装置の第
1の実施の形態例を示す回路図と等価回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram and an equivalent circuit diagram showing a first embodiment of a semiconductor trimming device according to the present invention.

【図2】 本発明にかかわる半導体トリミング装置の第
2の実施の形態例を示す回路図と等価回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram and an equivalent circuit diagram showing a second embodiment of the semiconductor trimming device according to the present invention.

【図3】 本発明にかかわる半導体トリミング装置の第
3の実施の形態例を示す回路図と等価回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram and an equivalent circuit diagram showing a third embodiment of a semiconductor trimming device according to the present invention.

【図4】 従来の半導体トリミング装置の構成を示す回
路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional semiconductor trimming device.

【図5】 従来の半導体トリミング装置の他の構成を示
す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing another configuration of a conventional semiconductor trimming device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b,1c…ヒューズ、2,2a,2b…ア
ンチヒューズ、3,3a,3b,3c…抵抗、4a,4
b,4c…パッド、11,12,13,14,15…半
導体トリミング装置
1, 1a, 1b, 1c: fuse, 2, 2a, 2b: antifuse, 3, 3a, 3b, 3c: resistor, 4a, 4
b, 4c pad, 11, 12, 13, 14, 15 ... semiconductor trimming device

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の抵抗値から、短絡状態、および開
放状態のいずれの状態へも移動可能であることを特徴と
する半導体トリミング装置。
1. A semiconductor trimming device capable of moving from a predetermined resistance value to any of a short-circuit state and an open state.
【請求項2】 前記所定の抵抗値は、1kΩ以上、10
0kΩ以下の範囲内であり、 また、前記短絡状態とは前記所定の抵抗値よりも1桁以
上、抵抗値の低い状態であり、 さらに、前記開放状態とは前記所定の抵抗値よりも1桁
以上、抵抗値の高い状態であることを特徴とする、請求
項1に記載の半導体トリミング装置。
2. The method according to claim 1, wherein the predetermined resistance is 1 kΩ or more and 10 kΩ or more.
0 kΩ or less, and the short-circuit state is a state in which the resistance value is one digit or more lower than the predetermined resistance value, and the open state is one digit number than the predetermined resistance value. The semiconductor trimming device according to claim 1, wherein the semiconductor trimming device has a high resistance value.
【請求項3】 短絡状態から開放状態に移行する第1の
トリミング手段と所定の抵抗値を有する半導体抵抗素子
とを直列接続した回路と、 開放状態から短絡状態に移行する第2のトリミング手段
とを並列接続した構成からなり、 且つ、前記第1のトリミング手段の短絡状態から開放状
態への状態移行に必要な電流は、前記第2のトリミング
手段の開放状態から短絡状態への状態移行に必要な電流
より小さいことを特徴とする、請求項1に記載の半導体
トリミング装置。
3. A circuit in which first trimming means for shifting from a short-circuit state to an open state and a semiconductor resistance element having a predetermined resistance value are connected in series, and second trimming means for shifting from an open state to a short-circuit state. Are connected in parallel, and the current required for the first trimming means to transition from the short-circuit state to the open state is required for the second trimming means to transition from the open state to the short-circuit state. 2. The semiconductor trimming device according to claim 1, wherein the current is smaller than a predetermined current.
【請求項4】 請求項3に記載の半導体トリミング装置
で、 前記第1のトリミング手段を短絡状態から開放状態に移
行させ、且つ、前記第2のトリミング手段を開放状態の
まま留める大きさの電流を印加して、初期状態の所定の
抵抗値から開放状態に移行させる回路トリミングと、 さらに必要に応じて、前記第2のトリミング手段を開放
状態から短絡状態に移行させる大きさの電流を印加し
て、短絡状態に移行させる回路トリミングとを行なうこ
とを特徴とするトリミング方法。
4. The semiconductor trimming device according to claim 3, wherein said first trimming means is shifted from a short-circuit state to an open state, and said current is large enough to keep said second trimming means in an open state. Circuit trimming to shift from a predetermined resistance value in an initial state to an open state, and, if necessary, applying a current of a magnitude to shift the second trimming means from an open state to a short-circuit state. And performing circuit trimming for shifting to a short-circuit state.
【請求項5】 短絡状態から開放状態に移行する第1の
トリミング手段と、 開放状態から短絡状態に移行する第2のトリミング手段
と所定の抵抗値を有する半導体抵抗素子とを並列接続し
た回路とを直列接続した構成からなり、 且つ、前記第1のトリミング手段の短絡状態から開放状
態への状態移行に必要な電流は、前記第2のトリミング
手段の開放状態から短絡状態への状態移行に必要な電流
より大きいことを特徴とする、請求項1に記載の半導体
トリミング装置。
5. A circuit in which a first trimming means for shifting from a short-circuit state to an open state, a second trimming means for shifting from an open state to a short-circuit state, and a semiconductor resistor having a predetermined resistance are connected in parallel. Are connected in series, and the current required for the first trimming means to transition from the short-circuit state to the open state is required for the second trimming means to transition from the open state to the short-circuit state. 2. The semiconductor trimming device according to claim 1, wherein the current is larger than the current.
【請求項6】 請求項5に記載の半導体トリミング装置
で、 前記第2のトリミング手段を開放状態から短絡状態に移
行させ、且つ、前記第1のトリミング手段を短絡状態の
まま留める大きさの電流を印加して、初期状態の所定の
抵抗値から短絡状態に移行させる回路トリミングと、 さらに必要に応じて、前記第1のトリミング手段を短絡
状態から開放状態に移行させる電流を印加して、開放状
態に移行させる回路トリミングとを行なうことを特徴と
するトリミング方法。
6. The semiconductor trimming device according to claim 5, wherein said second trimming means is shifted from an open state to a short-circuit state, and said first trimming means is kept short-circuited. Circuit trimming to shift from a predetermined resistance value in an initial state to a short-circuit state, and further, if necessary, applying a current to shift the first trimming means from a short-circuit state to an open state to open the circuit. Circuit trimming for shifting to a state.
【請求項7】 短絡状態から開放状態に状態移行するト
リミング手段により、所定の抵抗値から複数の抵抗値に
移行可能なことを特徴とする半導体トリミング装置。
7. A semiconductor trimming device, wherein a predetermined resistance value can be shifted to a plurality of resistance values by trimming means for shifting from a short-circuit state to an open state.
【請求項8】 短絡状態から開放状態に移行するのに必
要な電流値の異なる、複数のトリミング手段を直列接続
し、且つ、前記トリミング手段の各々に所定抵抗値を有
する半導体抵抗素子が並列接続して設けられていること
を特徴とする、請求項7に記載の半導体トリミング装
置。
8. A plurality of trimming means having different current values required for shifting from a short-circuit state to an open state are connected in series, and a semiconductor resistor having a predetermined resistance value is connected in parallel to each of the trimming means. The semiconductor trimming device according to claim 7, wherein the semiconductor trimming device is provided.
【請求項9】 請求項8に記載の半導体トリミング装置
で、 前記複数のトリミング手段のうち、少なくとも1つ以上
のトリミング手段の状態を変化させる電流を印加するこ
とで、必要とされる抵抗値を有する状態に移行させるこ
とを特徴とするトリミング方法。
9. The semiconductor trimming device according to claim 8, wherein a required resistance value is changed by applying a current that changes a state of at least one of the plurality of trimming units. A trimming method characterized by causing a transition to a holding state.
【請求項10】 短絡状態から開放状態へ移行するトリ
ミング手段として、ポリシリコンヒューズ、および、ア
ルミニウムヒューズのうちのいずれか1つを用い、 開放状態から短絡状態へ移行するトリミング手段とし
て、ツェナーザップダイオードを用いることを特徴とす
る、請求項1、請求項2、請求項3、請求項5、請求項
7、請求項8のいずれか1項に記載の半導体トリミング
装置。
10. A zener zap diode as one of a polysilicon fuse and an aluminum fuse is used as trimming means for shifting from a short-circuit state to an open state, and a zener zap diode is used as trimming means for shifting from an open state to a short-circuit state. The semiconductor trimming apparatus according to any one of claims 1, 2, 3, 5, 5, 7, and 8, characterized by using:
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