JP2000171793A - Manufacture of liquid crystal display device - Google Patents

Manufacture of liquid crystal display device

Info

Publication number
JP2000171793A
JP2000171793A JP11169338A JP16933899A JP2000171793A JP 2000171793 A JP2000171793 A JP 2000171793A JP 11169338 A JP11169338 A JP 11169338A JP 16933899 A JP16933899 A JP 16933899A JP 2000171793 A JP2000171793 A JP 2000171793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
photosensitive resin
photomask
liquid crystal
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11169338A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3394925B2 (en
Inventor
Kazuhiko Tsuda
和彦 津田
Kazuhiro Ishizuka
一洋 石塚
Hiroyuki Ogami
裕之 大上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26492711&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2000171793(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP16933899A priority Critical patent/JP3394925B2/en
Priority to US09/406,684 priority patent/US7106400B1/en
Priority to KR1019990041255A priority patent/KR100306546B1/en
Publication of JP2000171793A publication Critical patent/JP2000171793A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3394925B2 publication Critical patent/JP3394925B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device with high display quality which enables manufacturing a reflection plate with excellent reflection characteristics easily and with excellent reproducibility. SOLUTION: A negative photosensitive resin 9 is coated on a substrate 1. In the first region of the photosensitive resin 9, projecting and recessing parts are formed on the surface by exposure with various integral values of irradiated light quantity resulting in differences of the remaining film quantity of the photosensitive resin 9. In the second region of the photosensitive resin 9, a recessing part is formed by exposure with an integral value of irradiated light quantity different from that in the first region resulting in the remaining film quantity of the photosensitive resin 9 less than that in the first region.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの入射光
を反射することによって表示を行う液晶表示装置の製造
方法に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device which performs display by reflecting externally incident light.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を
行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要である
ため消費電力が低く、薄型であり、軽量化が可能である
ことから注目されている。
2. Description of the Related Art In recent years, applications of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, and the like have been rapidly advancing. In particular, among liquid crystal display devices, a reflective liquid crystal display device that performs display by reflecting light incident from the outside does not require a backlight, and thus consumes low power, is thin, and can be reduced in weight. Attention has been paid.

【0003】しかしながら、従来の反射型液晶表示装置
は、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条件によ
って、その表示の明るさやコントラストなどが左右され
てしまうというような問題を有しており、そのため、現
在では、良好な反射特性を有し、容易にかつ再現性よく
作製することができるとともに、表示品位の高い反射型
液晶表示装置の実現に大きな期待が寄せられている。
However, the conventional reflection type liquid crystal display device has a problem that the brightness and contrast of the display are affected by the use environment or use conditions such as the ambient brightness. At present, great expectations are placed on the realization of a reflective liquid crystal display device which has good reflection characteristics, can be manufactured easily and with good reproducibility, and has high display quality.

【0004】ここで、特開平6−75238号公報に
は、反射型液晶表示装置の表示品位を向上させるため
に、反射電極に凹凸をランダムにかつ高密度に発生させ
る技術が開示されている。
Here, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 discloses a technique for randomly and densely generating irregularities on a reflective electrode in order to improve the display quality of a reflective liquid crystal display device.

【0005】これは、反射電極に微細な凹凸形状を付加
するための樹脂層を、ランダムな凹凸をパターニングし
た第一の感光性樹脂層と、この凹凸をさらに滑らかにす
るための第二の感光性樹脂層とから構成したものであ
り、この第一の感光性樹脂をパターニングするためのマ
スクを円形の遮光部をランダムに配置し、その遮光領域
の面積を反射板の面積の40%以上にするというもので
ある。
[0005] In this method, a resin layer for adding fine irregularities to the reflective electrode is composed of a first photosensitive resin layer on which random irregularities are patterned, and a second photosensitive resin layer for further smoothing the irregularities. And a mask for patterning the first photosensitive resin, wherein circular light-shielding portions are randomly arranged, and the area of the light-shielding region is set to 40% or more of the area of the reflection plate. It is to do.

【0006】そして、このようにランダム性を増大させ
ることによって繰り返しパターンによる干渉を防止し、
反射光の色づきを避けるとともに、凹凸密度を上げるこ
とによって、平坦部を減少させて正反射成分を減少させ
るということが記載されている。
[0006] By increasing the randomness in this way, interference due to repeated patterns is prevented,
It is described that the coloring of the reflected light is avoided and the density of the irregularities is increased to reduce the flat portion and reduce the regular reflection component.

【0007】また、特開平9−90426号公報には、
反射型液晶表示装置の製造プロセス短縮のために、ポジ
型感光性樹脂を1層のみ用いて凹凸形成用パターンとコ
ンタクトホールとを同時に露光する技術が開示されてい
る。
[0007] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-90426 discloses that
In order to shorten the manufacturing process of the reflection type liquid crystal display device, there is disclosed a technique for simultaneously exposing a pattern for forming unevenness and a contact hole using only one layer of a positive photosensitive resin.

【0008】ここで、この公報に記載されている反射型
液晶表示装置の製造方法について、図面を用いて簡単に
説明する。
Here, a method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device described in this publication will be briefly described with reference to the drawings.

【0009】図14は、上述した公報に記載されている
製造方法を基に作製された反射型液晶表示装置の構造を
示した断面図であり、図15は、その製造工程のフロー
を示した断面図である。
FIG. 14 is a sectional view showing the structure of a reflection type liquid crystal display device manufactured based on the manufacturing method described in the above-mentioned publication, and FIG. 15 shows a flow of the manufacturing process. It is sectional drawing.

【0010】図14に示すように、上述した公報に記載
された反射型液晶表示装置は、反射基板23として液晶
駆動用素子24が形成された基板を用い、反射基板23
に設けられるアルミ画素電極10と、これに対向する透
明電極12と、この透明電極12を支持するカラーフィ
ルター基板25と、これらによって挟持される液晶11
と、カラーフィルター基板の上方(液晶と対向しない面
側)に配置される位相差板15と、位相差板15上に配
置される偏光板16とを有する構成となっている。
As shown in FIG. 14, the reflection type liquid crystal display device described in the above-mentioned publication uses a substrate on which a liquid crystal driving element 24 is formed as a reflection substrate 23.
Pixel electrode 10, a transparent electrode 12 opposed thereto, a color filter substrate 25 supporting the transparent electrode 12, and a liquid crystal 11 interposed therebetween.
And a retardation plate 15 disposed above the color filter substrate (on the side not facing the liquid crystal), and a polarizing plate 16 disposed on the retardation plate 15.

【0011】そして、この反射基板23は、ガラス基板
1上に液晶駆動用素子24としてアモルファスシリコン
トランジスタを形成した構成となっており、図14に示
すように、この液晶駆動用素子24は、ガラス基板1上
のゲート電極2としてのTa、ゲート絶縁層3としての
SiNx、半導体層4としてのa−Si、n型半導体層
5としてのn型a−Si、ソース電極7としてのTi、
ドレイン電極8としてのTiなどから構成されている。
The reflection substrate 23 has a structure in which an amorphous silicon transistor is formed as a liquid crystal driving element 24 on the glass substrate 1. As shown in FIG. Ta as the gate electrode 2 on the substrate 1, SiNx as the gate insulating layer 3, a-Si as the semiconductor layer 4, n-type a-Si as the n-type semiconductor layer 5, Ti as the source electrode 7,
The drain electrode 8 is made of Ti or the like.

【0012】ここで、上述した公報に記載されている反
射型液晶表示装置の反射基板23の製造工程について、
図15を基に説明する。
Here, the manufacturing process of the reflective substrate 23 of the reflective liquid crystal display device described in the above-mentioned publication will be described.
This will be described with reference to FIG.

【0013】まず、図15(a)に示すように、基板1
上にポジ型の感光性樹脂9を塗布する。
First, as shown in FIG.
A positive photosensitive resin 9 is applied thereon.

【0014】次に、図15(b)に示すように、図16
に示すようなコンタクトホール部30を透過部とし、そ
れ以外にも凹凸形成部に透過部18を有するフォトマス
クを用いて、高照度で露光を行う。
Next, as shown in FIG.
Exposure at high illuminance is performed using a contact hole 30 as shown in FIG. 1 as a transmission portion and a photomask having a transmission portion 18 in the uneven portion.

【0015】次に、図15(c)に示すように、現像液
により現像を行うことにより、上述した露光部分の樹脂
が完全に除去され、マスクパターンに対してポジ型の樹
脂形状が形成される。
Next, as shown in FIG. 15C, by performing development with a developing solution, the resin in the above-described exposed portion is completely removed, and a positive resin shape is formed with respect to the mask pattern. You.

【0016】次に、図15(d)に示すように、加熱処
理を行うことにより、熱だれ現象によって露光された領
域の樹脂が変形し、滑らかな凹凸形状となる。ただし、
このときの露光領域については、上述した現像工程によ
って樹脂が完全に除去されているため平面となってい
る。
Next, as shown in FIG. 15D, by performing a heat treatment, the resin in the exposed area is deformed due to the heat dripping phenomenon, so that a smooth uneven shape is obtained. However,
The exposed area at this time is flat because the resin has been completely removed by the developing step described above.

【0017】次に、図15(e)に示すように、反射電
極10としてAl薄膜を形成し、1つのトランジスタに
対して1つの反射電極10が対応するようにパターニン
グを行っている。
Next, as shown in FIG. 15E, an Al thin film is formed as the reflective electrode 10, and patterning is performed so that one reflective electrode 10 corresponds to one transistor.

【0018】上述した公報に記載されている反射型液晶
表示装置は、以上のような工程によって反射電極10を
形成しているが、このような反射基板23は、露光部分
のポジ型感光性樹脂が完全に除去された状態で凹凸形状
を形成しているため、平面部の多い反射板となってしま
う。このような平面部の多い反射板では、その平面領域
において光源を移し込んでしまうため、正反射成分の多
い反射板となる。光源が写り込んでしまうと表示が確認
しづらくなるため、一般に反射型の表示装置を見るとき
には正反射成分を避ける傾向がある。
In the reflection type liquid crystal display device described in the above-mentioned publication, the reflection electrode 10 is formed by the above-described steps. Is completely removed to form a concave-convex shape, resulting in a reflector having many flat portions. In such a reflective plate having many flat portions, the light source is transferred to the flat region, and therefore, the reflective plate has many regular reflection components. When the light source is reflected, it is difficult to confirm the display. Therefore, in general, there is a tendency to avoid a specular reflection component when viewing a reflective display device.

【0019】従って、上述した公報に開示されている反
射型液晶表示装置における反射板の正反射成分は、明る
さに寄与するものではなく、結果として暗い表示になっ
てしまう。
Therefore, the specular reflection component of the reflection plate in the reflection type liquid crystal display device disclosed in the above-mentioned publication does not contribute to brightness, but results in dark display.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】上述したような特開平
9−90426号公報に開示された反射型液晶表示装置
に対して、先出の特開平6−75238号公報には、反
射板の凹凸密度を向上させて理想的な散乱状態を作り出
すために複雑な凹凸形成プロセスを採用した反射型液晶
表示装置が開示されている。これは、第一のポジ型感光
性樹脂を塗布後、十分な強度の第一の露光現像を行い、
凹凸形状を完全にパターニングした後、凹凸の隙間を埋
めて滑らかな凹凸とし、平坦部分を減少させるために第
二のポジ型感光性樹脂を塗布して、その後コンタクトホ
ール部分のみを第二の露光現像を行いて再度パターニン
グするというものである。
In contrast to the reflection type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-90426 as described above, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 discloses an unevenness of the reflection plate. There has been disclosed a reflective liquid crystal display device that employs a complicated unevenness forming process in order to create an ideal scattering state by increasing the density. This means that after applying the first positive photosensitive resin, perform first exposure and development with sufficient strength,
After completely patterning the concavo-convex shape, fill the gaps of the concavo-convex into smooth irregularities, apply a second positive photosensitive resin to reduce the flat part, and then expose only the contact hole part with the second exposure Development is performed and patterning is performed again.

【0021】しかしながら、このようなプロセスでは、
感光性樹脂を2層重ねていることから、感光性樹脂のフ
ォトプロセス(塗布−露光−現像−熱処理)が2回必要
となってしまい、コスト高となることが明白である。
However, in such a process,
Since the two layers of the photosensitive resin are stacked, it is apparent that the photo process (coating-exposure-development-heat treatment) of the photosensitive resin is required twice, resulting in an increase in cost.

【0022】さらに、特開平9−90426号公報に開
示さた反射型液晶表示装置では、1層のポジ型感光性樹
脂を使用しており、よって感光性樹脂のフォトプロセス
が1回ですむため簡潔なプロセスとなりコストの削減を
図ることが可能となるものの、コンタクトホール部の感
光性樹脂を確実に除去する必要があるため、必然的に凹
凸形成パターン部の被露光エリアのポジ型感光性樹脂も
除去されることになり、従って、被露光エリアは平面と
なって凹凸密度の小さな正反射の多い反射板となってし
まう。
Further, in the reflection type liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-90426, one layer of a positive photosensitive resin is used, so that only one photo process of the photosensitive resin is required. Although it is a simple process and it is possible to reduce the cost, it is necessary to remove the photosensitive resin in the contact hole part surely, so it is inevitable that the positive photosensitive resin Therefore, the area to be exposed becomes a flat surface and becomes a reflector having a small unevenness density and a large amount of regular reflection.

【0023】また、感光性樹脂を除去するための露光領
域にダストなどが存在すると、未露光となった部分が現
像によって除去することができなくなってしまう。した
がって、コンタクトホールや信号入力端子部において導
通不良が発生しやすくなってしまう。
Further, if dust or the like is present in an exposed region for removing the photosensitive resin, the unexposed portion cannot be removed by development. Therefore, poor conduction is likely to occur in the contact hole and the signal input terminal portion.

【0024】本発明は、上述したような反射型液晶表示
装置における問題点を解決するためになされたものであ
り、その目的とするところは、導通不良が起こりにく
く、良好な反射特性を有する液晶表示装置を容易にかつ
再現性よく作製することができる液晶表示装置の製造方
法を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the reflection type liquid crystal display device, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which is unlikely to cause conduction failure and has good reflection characteristics. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device that can easily produce a display device with good reproducibility.

【0025】[0025]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、液晶層を介在して対向配置される一対の基
板のうちの一方側の基板上に、他方基板側からの入射光
を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布
する工程と、前記感光性樹脂の第1領域に、照射する露
光量の積分値を異ならせて露光することで該感光性樹脂
の残膜量を異ならせて表面に凹凸を形成し、該感光性樹
脂の第2領域に、該第1領域と照射する露光量の積分値
を異ならせて露光することで該感光性樹脂の第1領域よ
りも残膜量の少ない凹部を形成する工程と、前記露光後
の感光性樹脂を現像する工程と、前記現像後の感光性樹
脂を加熱処理する工程と、前記加熱処理後の感光性樹脂
上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴として
おり、そのことにより、上記目的は達成される。
According to a method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, an incident light from the other substrate is placed on one of a pair of substrates opposed to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A method of manufacturing a liquid crystal display device having a reflection means for reflecting light, a step of applying a negative photosensitive resin on the one substrate, and an integrated value of an exposure amount for irradiating a first region of the photosensitive resin. By changing the amount of exposure, the residual film amount of the photosensitive resin is changed to form irregularities on the surface. In the second region of the photosensitive resin, the integrated value of the first region and the exposure amount to be irradiated is calculated. A step of forming a concave portion having a smaller remaining film amount than the first region of the photosensitive resin by exposing differently, a step of developing the exposed photosensitive resin, and a step of developing the exposed photosensitive resin. A heat treatment step and forming a reflective film on the photosensitive resin after the heat treatment That the steps are characterized in that it comprises, by its, the above-described object can be attained.

【0026】このとき、前記感光性樹脂の第1領域には
前記反射膜からなる反射電極が形成されるとともに、該
反射電極は該感光性樹脂の第2領域において該反射電極
の下層に形成される配線と接続されていることが望まし
い。
At this time, a reflection electrode made of the reflection film is formed in the first region of the photosensitive resin, and the reflection electrode is formed below the reflection electrode in the second region of the photosensitive resin. It is desirable to be connected to the wiring.

【0027】また、前記一方の基板上の表示外領域には
端子部が形成されるとともに、該端子部には前記感光性
樹脂の第2領域が形成されていることが望ましい。
Preferably, a terminal portion is formed in a non-display region on the one substrate, and a second region of the photosensitive resin is formed in the terminal portion.

【0028】また、前記感光性樹脂を露光する工程は、
透過部と遮光部と半透過部とを有するフォトマスクを用
いて露光する工程を含み、該フォトマスクの透過部およ
び半透過部に対応する領域に前記第1領域を形成し、該
フォトマスクの遮光部に対応する領域に前記第2領域を
形成することが望ましい。
Further, the step of exposing the photosensitive resin comprises:
Exposing using a photomask having a transmissive portion, a light shielding portion, and a semi-transmissive portion, forming the first region in a region corresponding to the transmissive portion and the semi-transmissive portion of the photomask, It is preferable that the second region is formed in a region corresponding to the light shielding portion.

【0029】また、前記感光性樹脂を露光する工程は、
第1のフォトマスクを用いて露光する工程と、第2のフ
ォトマスクを用いて露光する工程とを含み、該第1およ
び第2のフォトマスクにより、前記第1領域および第2
領域をそれぞれ形成することが望ましい。
Further, the step of exposing the photosensitive resin comprises:
Exposing using a first photomask; and exposing using a second photomask, wherein the first and second photomasks are used to expose the first region and the second region.
It is desirable to form each region.

【0030】このとき、前記第1のフォトマスクを用い
て露光する工程と前記第2のフォトマスクを用いて露光
する工程とは、それぞれ照射する光量が同じであること
が望ましい。
At this time, it is preferable that the step of exposing using the first photomask and the step of exposing using the second photomask have the same amount of light to be irradiated.

【0031】また、前記第1のフォトマスクを用いて露
光する工程では均一かつ低照度な露光を行い、前記第2
のフォトマスクを用いて露光する工程では均一かつ高照
度な露光を行うことが望ましい。
In the step of exposing using the first photomask, uniform and low illuminance exposure is performed and the second photomask is exposed.
In the step of exposing using the photomask described above, it is desirable to perform uniform and high illuminance exposure.

【0032】また、前記第2のフォトマスクには、円形
もしくは多角形の領域が不規則に配列されているととも
に、該円形もしくは多角形の領域の総面積は、該フォト
マスクの総面積の20%以上40%以下であることが望
ましい。
In the second photomask, circular or polygonal regions are irregularly arranged, and the total area of the circular or polygonal region is 20% of the total area of the photomask. % Or more and 40% or less.

【0033】また、前記第2のフォトマスクに配列され
た円形もしくは多角形の領域は、隣り合う領域の重心間
隔が5μm以上50μm以下の範囲内で不規則に配列さ
れていることが望ましい。
It is preferable that the circular or polygonal regions arranged on the second photomask are irregularly arranged such that the distance between the centers of gravity of adjacent regions is in the range of 5 μm to 50 μm.

【0034】以下に、本発明の液晶表示装置の製造方法
における作用について説明する。
The operation of the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention will be described below.

【0035】本発明によれば、基板上に塗布した感光性
樹脂のパターンが異なる領域に対して、露光量の積分値
を面積的に分割して露光することにより、滑らかで高密
度な凹凸形状とそれ以外の領域とをより少ない工程で形
成することができる。
According to the present invention, a region having a different pattern of the photosensitive resin applied on the substrate is exposed by dividing the integrated value of the exposure amount in area, thereby obtaining a smooth and high-density uneven shape. And other regions can be formed in fewer steps.

【0036】すなわち、凹凸形成領域には、感光性樹脂
の完全に除去された部分がない状態で、熱処理工程によ
り曲面化させることができるため、平面部がほとんど存
在しなくなる。したがって、正反射成分を少なくした良
好な反射特性を実現することができる。
In other words, since the photosensitive resin can be curved by the heat treatment step in a state where there is no portion where the photosensitive resin is completely removed, the flat portion hardly exists in the unevenness forming region. Therefore, it is possible to realize good reflection characteristics with a reduced specular reflection component.

【0037】ここで、露光工程では、フォトマスクによ
り遮光された部分(遮光領域)のネガ型の感光性樹脂は
現像液に溶解されやすいため、円形もしくは多角形の柱
または穴が形成されることになり、また、フォトマスク
により遮光されない部分(透過領域)のネガ型の感光性
樹脂は現像液に溶解されにくくなるため、露光後に感光
性樹脂を現像液により現像することによって、フォトマ
スクの透過領域と遮光領域とに対応して、基板上に凹凸
形状の感光性樹脂が形成されることになる。
Here, in the exposure step, a circular or polygonal column or hole may be formed since the negative photosensitive resin in the portion shielded by the photomask (light shielding region) is easily dissolved in the developing solution. In addition, since the negative photosensitive resin in a portion (transmission region) that is not shaded by the photomask is hardly dissolved in the developing solution, the photosensitive resin is developed with the developing solution after the exposure, so that the light is transmitted through the photomask. Irregular photosensitive resin is formed on the substrate corresponding to the region and the light-shielding region.

【0038】なお、感光性樹脂を層間絶縁膜として作用
させることにより、工程数をなるべく少なくして反射電
極を製造することができる。そして、感光性樹脂の第1
領域に反射電極を形成するとともに、この反射電極を感
光性樹脂の第2領域において反射電極の下層に形成され
る配線と接続することにより、すなわち、反射電極と液
晶駆動用素子とを接続するためのコンタクトホールに対
応する領域の樹脂は除去していることにより、コンタク
トホールを除く表示絵素領域全体にわたって感光性樹脂
が残るため、平面部の少ない、かつ絵素領域全体にわた
って滑らかな凹凸を形成することが可能になり、正反射
が低減された明るい反射光を得ることが可能となる。
By using a photosensitive resin as an interlayer insulating film, the number of steps can be reduced as much as possible to manufacture a reflective electrode. And the first of the photosensitive resin
By forming a reflective electrode in the region and connecting the reflective electrode to a wiring formed below the reflective electrode in the second region of the photosensitive resin, that is, to connect the reflective electrode to the liquid crystal driving element. Since the resin in the area corresponding to the contact hole is removed, the photosensitive resin remains over the entire display picture element area excluding the contact hole, so that there are few flat parts and smooth unevenness is formed over the entire picture element area It is possible to obtain bright reflected light with reduced regular reflection.

【0039】また、感光性樹脂を層間絶縁膜として作用
させ、感光性樹脂の第2領域において外部からの信号を
入力するための端子部に対応する透過領域を形成してい
ることにより、工程数をなるべく少なくして端子部を製
造することができる。
Also, the photosensitive resin acts as an interlayer insulating film, and the second region of the photosensitive resin forms a transmission region corresponding to a terminal portion for inputting an external signal, thereby reducing the number of processes. Is reduced as much as possible to manufacture the terminal portion.

【0040】また、透過部と遮光部と半透過部とを有す
るフォトマスクを用いて露光する工程を含み、フォトマ
スクの透過部および半透過部に対応する領域に第1領域
を形成し、フォトマスクの遮光部に対応する領域に前記
第2領域を形成することで、露光回数を一回にすること
ができる。
The method also includes the step of exposing using a photomask having a transmissive portion, a light-shielding portion, and a semi-transmissive portion, wherein a first region is formed in a region corresponding to the transmissive portion and the semi-transmissive portion of the photomask. By forming the second region in a region corresponding to the light shielding portion of the mask, the number of exposures can be reduced to one.

【0041】また、第1のフォトマスクを用いて露光す
る工程と、第2のフォトマスクを用いて露光する工程と
を含み、第1および第2のフォトマスクにより、第1領
域および第2領域をそれぞれ形成することで、透過部お
よび遮光部のみで構成されたフォトマスクを使用するこ
とが可能となり、フォトマスクの設計や製造が簡単であ
り、露光工程数も少なくすることができる。
The method also includes a step of exposing using a first photomask and a step of exposing using a second photomask, wherein the first and second photomasks are used to expose a first region and a second region. Is formed, it is possible to use a photomask composed of only the transmission part and the light-shielding part, and the design and manufacture of the photomask are simple, and the number of exposure steps can be reduced.

【0042】このとき、第1のフォトマスクを用いた露
光と第2のフォトマスクを用いた露光とをそれぞれ同じ
照射光量で行うことにより、光量調整が簡単になるため
露光工程のスループットを向上させることができる。
At this time, by performing the exposure using the first photomask and the exposure using the second photomask, respectively, with the same irradiation light amount, the adjustment of the light amount is simplified, so that the throughput of the exposure step is improved. be able to.

【0043】また、第1のフォトマスクを用いて露光す
る工程では均一かつ低照度な露光を行い、第2のフォト
マスクを用いて露光する工程では均一かつ高照度な露光
を行うことにより、第1領域のうちの凸部を形成する領
域にのみ高照度露光で照射することが可能となるため、
第1領域にはより確実に感光性樹脂を完全に残膜するこ
とができる。なお、ここでいう高照度露光とは、ネガ型
の感光性樹脂において樹脂の架橋が十分に進み、現像後
の残膜量が現像前の膜厚のほぼ50%より大きくなるよ
うな露光量を示しており、また、低照度露光とは、ネガ
型の感光性樹脂において樹脂の架橋が十分に行われず、
現像後の残膜量が現像前の膜厚の0%より大きく50%
未満、好ましくは10%以上50%未満となるような露
光量を示している。
In the step of exposing using the first photomask, uniform and low illuminance exposure is performed, and in the step of exposing using the second photomask, uniform and high illuminance exposure is performed. Since it is possible to irradiate only high-illumination exposure to a region where a convex portion is formed in one region,
In the first region, the photosensitive resin can be completely left completely. Here, the high illuminance exposure is an exposure amount such that the crosslinking of the resin in the negative photosensitive resin is sufficiently advanced, and the remaining film amount after development is larger than approximately 50% of the film thickness before development. In addition, the low-illumination exposure means that the crosslinking of the resin is not sufficiently performed in the negative photosensitive resin,
The residual film amount after development is larger than 0% and 50% of the film thickness before development.
The exposure amount is less than 10%, preferably 10% or more and less than 50%.

【0044】更に詳しくは、基板上に形成されたネガ型
の感光性樹脂は、第1のフォトマスクを用いて低照度露
光を行うことにより、第1のフォトマスクを用いて低照
度露光を行った部分の感光性樹脂の架橋が十分に行われ
ないため、露光後の現像液による現像によって低照度露
光部は一様に膜減りした状態となる。
More specifically, the negative photosensitive resin formed on the substrate is subjected to low-illumination exposure using the first photomask, thereby performing low-illumination exposure using the first photomask. Since the cross-linking of the photosensitive resin in the exposed portion is not sufficiently performed, the low-illuminance exposed portion is uniformly reduced in thickness by development with the developing solution after exposure.

【0045】また、基板上に形成されたネガ型の感光性
樹脂は、第2のフォトマスクを用いて高照度露光を行う
ことにより、第2のフォトマスクを用いて高照度露光を
行った部分の感光性樹脂の架橋が十分に進むため、露光
後の現像液による現像によって第2のフォトマスクによ
る未露光部分よりも一段高い凸部が形成された状態とな
り、その後の熱処理工程によって熱だれを起こして、滑
らかな凹凸形状を形成することを可能としている。
The negative photosensitive resin formed on the substrate is exposed to high illuminance using the second photomask, so that the portion exposed to high illuminance using the second photomask is exposed. The cross-linking of the photosensitive resin proceeds sufficiently, so that the projection with the developing solution after the exposure forms a projection that is one step higher than the unexposed portion by the second photomask. This makes it possible to form a smooth uneven shape.

【0046】このように、1層のネガ型の感光性樹脂に
対して、高照度の露光と低照度の露光とを行って現像し
た後、この感光性樹脂を加熱処理することにより、基板
上に形成された凹凸形状の感光性樹脂は熱だれの変形を
起こし、平面部分のない連続した高密度で滑らかな凹凸
面が基板上に形成されることになる。
As described above, after one layer of the negative photosensitive resin is exposed to high illuminance and exposed to low illuminance and developed, the photosensitive resin is subjected to a heat treatment so that the substrate can be heated. The unevenly shaped photosensitive resin formed on the substrate is deformed by heat dripping, and a continuous high-density and smooth uneven surface without a plane portion is formed on the substrate.

【0047】さらに、この加熱処理後の滑らかな凹凸面
を有する感光性樹脂上に反射電極を形成することによっ
て、正反射成分の少ない良好な反射手段を作製すること
が可能となる。
Further, by forming a reflective electrode on a photosensitive resin having a smooth uneven surface after the heat treatment, it is possible to manufacture a good reflecting means having a small regular reflection component.

【0048】なお、本発明では、第1の露光工程と第2
の露光工程との順序は、上述したものと逆の順序であっ
てもかまわない。
In the present invention, the first exposure step and the second exposure step
The order of the exposure step may be reverse to the order described above.

【0049】また、露光工程から現像工程へのプロセス
については、露光(低照度露光と高照度露光)−現像の
プロセスと、露光(低照度露光もしくは高照度露光)−
現像−露光(高照度露光もしくは低照度露光)−現像の
プロセスとの2つが考えられ、本発明ではどちらのプロ
セスでも可能であるが、プロセスの簡略化という点から
前者のプロセスが望ましい。
In the process from the exposure step to the development step, exposure (low-light exposure and high-light exposure) —development process and exposure (low-light exposure or high-light exposure) —
Development-exposure (high illuminance exposure or low illuminance exposure) -development processes are conceivable, and either process is possible in the present invention, but the former process is desirable in terms of simplification of the process.

【0050】また、第2のフォトマスクには円形もしく
は多角形の領域が不規則に配列されて、この円形もしく
は多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の20
%以上40%以下となっており、円形もしくは多角形の
領域が不規則に配列していることにより、基板上に形成
される感光性樹脂の凹凸パターンに周期性が無くなり、
光干渉現象を防ぐことが可能で、結果として色づきのな
い白色の散乱光を得ることが可能となる。また、この凹
凸面からの散乱光は特定方向に偏ることがなくなるた
め、均一な散乱光を得ることもできる。
In the second photomask, circular or polygonal regions are irregularly arranged, and the total area of the circular or polygonal region is 20% of the total area of the photomask.
% Or more and 40% or less, and the circular or polygonal regions are irregularly arranged, so that the irregularity pattern of the photosensitive resin formed on the substrate has no periodicity,
The light interference phenomenon can be prevented, and as a result, white scattered light without coloring can be obtained. In addition, since the scattered light from the uneven surface is not biased in a specific direction, uniform scattered light can be obtained.

【0051】そして、この第2のフォトマスクにおける
円形もしくは多角形の領域の総面積をフォトマスクの総
面積の20%以上40%以下としていることにより、光
を効率よく利用できるように、基板上に形成される感光
性樹脂の凹凸形状の傾斜角度を制御することができる。
Since the total area of the circular or polygonal region in the second photomask is set to 20% or more and 40% or less of the total area of the photomask, the light can be efficiently used on the substrate. It is possible to control the inclination angle of the uneven shape of the photosensitive resin formed on the substrate.

【0052】ここで、フォトマスクの総面積とは、具体
的には反射電極の総面積のことであり、この第2のフォ
トマスクにおける円形もしくは多角形の領域を40%以
上にすると、円形もしくは多角形の領域をランダムに配
置した場合に、互いに隣り合う円形もしくは多角形の領
域が重なり合って大きなパターンとなってしまい、全体
としてパターンの密度が下がってしまい平坦部の比率が
増加して正反射の多い反射板となってしまう。また、こ
の第2のフォトマスクにおける円形もしくは多角形の領
域を20%以下にすると、円形もしくは多角形の領域を
ランダムに配置した場合に、互いに隣り合う円形もしく
は多角形の領域の間隔が離れてすぎて、現像によって形
成される感光性樹脂の形状の凸部と凸部または凹部と凹
部の間隔が離れてしまい、加熱による熱だれ時に凸部と
凸部または凹部と凹部の間に平坦部が残存してしまい正
反射の多い反射板となってしまう。このような点から、
本発明では第2のフォトマスクにおける円形状の領域の
総面積をフォトマスクの総面積の20%以上40%以下
とした。
Here, the total area of the photomask specifically refers to the total area of the reflective electrode. If the circular or polygonal area of the second photomask is set to 40% or more, the circular or polygonal area is obtained. When polygonal areas are randomly arranged, circular or polygonal areas adjacent to each other overlap to form a large pattern, the overall pattern density decreases, the ratio of flat parts increases, and regular reflection occurs. It becomes a reflection plate with many. Further, when the circular or polygonal area in the second photomask is set to 20% or less, when circular or polygonal areas are randomly arranged, the distance between adjacent circular or polygonal areas is increased. The distance between the convex portion and the convex portion or the concave portion and the concave portion of the shape of the photosensitive resin formed by development is separated, and a flat portion is formed between the convex portion and the convex portion or the concave portion and the concave portion when heat is applied by heating. It remains and becomes a reflection plate with much regular reflection. From these points,
In the present invention, the total area of the circular region in the second photomask is set to 20% or more and 40% or less of the total area of the photomask.

【0053】なお、第2のフォトマスクに配列された円
形もしくは多角形の領域において隣り合う領域の重心間
隔を5μm以上50μm以下の範囲内で不規則に配列さ
せることにより、液晶表示装置の1絵素に対して十分な
数の凹凸パターンを配置することが可能となり、絵素間
における特性差の無い散乱光を得ることができる。
In the circular or polygonal region arranged on the second photomask, the distance between the centers of gravity of adjacent regions is irregularly arranged within the range of 5 μm or more and 50 μm or less, so that one picture of the liquid crystal display device can be obtained. It is possible to arrange a sufficient number of uneven patterns for the pixels, and it is possible to obtain scattered light having no characteristic difference between picture elements.

【0054】ここで、隣り合う円形もしくは多角形の領
域を重ねないように配置すると、ステッパの解像力限界
より、重心間隔が5μm以下のパターンは解像せずに平
坦部となって正反射の多い反射板となってしまう。ま
た、一般に液晶表示装置においては、1つの絵素サイズ
が100μm×300μm程度以下であることから、均
一な散乱性を得るために1つの絵素に10個程度以上の
凸部または凹部を配するためには、重心間隔をほぼ50
μm以下とする必要があり、重心間隔を50μmより大
きくしてしまうと円形状の領域の間隔が広いために平坦
部の比率が大きくなって正反射の多い反射板となってし
まう。このような点から、本発明では第2のフォトマス
クに配列された円形もしくは多角形の領域を隣り合う円
形もしくは多角形の領域の重心間隔が5μm以上50μ
m以下の範囲内となるように不規則に配列した。
Here, if adjacent circular or polygonal areas are arranged so as not to overlap with each other, a pattern having a center of gravity interval of 5 μm or less is not resolved but becomes a flat portion and has a large number of regular reflections due to the resolution limit of the stepper. It becomes a reflector. In general, in a liquid crystal display device, since one picture element size is about 100 μm × 300 μm or less, about 10 or more projections or depressions are arranged in one picture element in order to obtain uniform scattering. In order to achieve this, the center of gravity
If the distance between the centers of gravity is larger than 50 μm, the interval between the circular regions is wide, so that the ratio of the flat portions becomes large, resulting in a reflector having a large amount of regular reflection. From such a point, in the present invention, the circular or polygonal regions arranged in the second photomask are arranged such that the distance between the centers of gravity of adjacent circular or polygonal regions is 5 μm or more and 50 μm or more.
The arrangement was irregular so as to be within m or less.

【0055】[0055]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の
実施の形態1における反射型の液晶表示装置について、
図面に基づいて説明する。図1は、本実施の形態におけ
る反射型の液晶表示装置における反射基板を示した平面
図であり、図2は、図1に示した反射基板の断面図であ
り、図3は、その製造工程のフローを示した断面図であ
る。
(Embodiment 1) Hereinafter, a reflection type liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a reflective substrate in a reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view of the reflective substrate shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the flow of FIG.

【0056】図1および図2に示すように、本実施の形
態における反射型の液晶表示装置に使用される反射基板
23には、反射電極10が形成され、その表面は円形状
の凹部または凸部33からなる滑らかな凹凸状を有して
いる。そして、ガラス基板1上に液晶駆動用素子24と
してアモルファスシリコントランジスタを形成した構成
となっている。この液晶駆動用素子24は、ガラス基板
1上のゲート電極2としてのTa、ゲート絶縁層3とし
てのSiNx、半導体層4としてのa−Si、n型半導
体層5としてのn型a−Si、ソース電極7としてのT
i、ドレイン電極8としてのTiなどから構成されてい
る。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, a reflective electrode 10 is formed on a reflective substrate 23 used in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, and the surface thereof has a circular concave or convex shape. The portion 33 has a smooth uneven shape. Then, an amorphous silicon transistor is formed as the liquid crystal driving element 24 on the glass substrate 1. The liquid crystal driving element 24 includes Ta as the gate electrode 2 on the glass substrate 1, SiNx as the gate insulating layer 3, a-Si as the semiconductor layer 4, n-type a-Si as the n-type semiconductor layer 5, T as source electrode 7
i, the drain electrode 8 is made of Ti or the like.

【0057】また、ゲートバスラインおよびソースバス
ラインに信号を入力するための信号入力端子部27は、
ゲートバスライン、ゲート電極と同時にパターニングさ
れるTaからなる端子部電極2とITOからなる端子部
接続電極部26との2層により構成されている。
The signal input terminal 27 for inputting a signal to the gate bus line and the source bus line is
The gate bus line is composed of two layers: a terminal electrode 2 made of Ta and patterned at the same time as the gate electrode, and a terminal connection electrode 26 made of ITO.

【0058】ここで、本実施の形態における反射型液晶
表示装置の反射基板23の製造工程について、図3を基
に説明する。なお、図中、左側には画素領域を示し、右
側には信号入力端子部領域を示している。
Here, a manufacturing process of the reflection substrate 23 of the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In the figure, a pixel area is shown on the left side, and a signal input terminal area is shown on the right side.

【0059】まず、図3(a)に示すように、ガラス基
板1上にネガ型の感光性樹脂9(製品名:FE301
N:富士フィルムオーリン製)を1〜5μmの厚さに塗
布する。本実施の形態では、3μmの厚さで塗布した。
First, as shown in FIG. 3A, a negative photosensitive resin 9 (product name: FE301) is placed on a glass substrate 1.
N: Fuji Film Ohlin) is applied to a thickness of 1 to 5 μm. In the present embodiment, the coating was performed with a thickness of 3 μm.

【0060】次に、図4に示すように、コンタクトホー
ル部30に対応する遮光部18が配置された第1のフォ
トマスク19を用いて、図3(b)に示すように、コン
タクトホール部を除いた領域を均一に低照度で露光を行
った。なお、このときの露光量は20mj〜100mj
が好ましいが、本実施の形態では、40mjの露光量に
よりで露光を行った。
Next, as shown in FIG. 4, using a first photomask 19 in which a light shielding portion 18 corresponding to the contact hole portion 30 is arranged, as shown in FIG. Exposure was performed uniformly at low illuminance in the area excluding. The exposure amount at this time is 20 mj to 100 mj.
However, in the present embodiment, exposure was performed with an exposure amount of 40 mj.

【0061】次に、図5に示すように、コンタクトホー
ル部30を除いた領域に円形状の領域として透過部17
の面積が20%以上40%以下である第2のフォトマス
ク20を用いて、図3(c)に示すように、コンタクト
ホール部30を除いた領域を均一に高照度で露光を行っ
た。このときの露光量は160mj〜500mjが好ま
しいが、本実施の形態では、240mjの露光量により
で露光を行った。なお、このときの第2のフォトマスク
の円形もしくは多角形の透過部17は、隣り合う透過部
17の中心間隔が5μm以上50μm以下、好ましくは
10μm〜20μmとなるようにランダムに配置された
ものを用いた。
Next, as shown in FIG. 5, a circular area is formed in the area excluding the contact hole 30 to form the transmission section 17.
Using a second photomask 20 having an area of 20% or more and 40% or less, as shown in FIG. 3C, the region excluding the contact hole 30 was uniformly exposed with high illuminance. The exposure amount at this time is preferably from 160 mj to 500 mj, but in the present embodiment, exposure was performed with an exposure amount of 240 mj. In this case, the circular or polygonal transmission portions 17 of the second photomask are randomly arranged such that the center interval between adjacent transmission portions 17 is 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm to 20 μm. Was used.

【0062】なお、このとき、第1および第2のフォト
マスクは、コンタクトホールの遮光状態と同様に信号入
力端子部27も遮光するような構造とした。
At this time, the first and second photomasks have such a structure that the signal input terminal 27 is also shielded from light in the same manner as the contact hole is shielded from light.

【0063】次に、図3(d)に示すように、現像液で
ある東京応化工業(株)製のTMAH(テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド)により現像を行うこと
により、上述した未露光部分(コンタクトホール部およ
び信号入力端子部)の樹脂は完全に除去されるととも
に、低照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約40
%残膜し、また、高照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に
対して約80%残膜した状態となった。
Next, as shown in FIG. 3 (d), development is performed with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. The resin in the hole portion and the signal input terminal portion) is completely removed, and the resin in the low illuminance exposed portion is about 40% of the initial film thickness.
%, And the resin in the high illuminance exposed portion was in a state of remaining about 80% of the initial film thickness.

【0064】次に、図3(e)に示すように、200℃
で60分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象に
よって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹
凸形状となった。
Next, as shown in FIG.
By performing the heat treatment for 60 minutes, the resin in the above-mentioned state was deformed due to the heat dripping phenomenon, resulting in a smooth uneven shape.

【0065】次に、図3(f)に示すように、基板1上
に反射電極10としてAl薄膜をスパッタリング法によ
って2000Åの厚さに形成し、図3(g)〜(k)に
示すように、1つのトランジスタに対して1つの反射電
極10が対応するようにパターニングを行った。
Next, as shown in FIG. 3 (f), an Al thin film is formed on the substrate 1 as the reflective electrode 10 to a thickness of 2000 ° by a sputtering method, and as shown in FIGS. 3 (g) to 3 (k). Then, patterning was performed so that one reflective electrode 10 corresponds to one transistor.

【0066】具体的には、図3(g)に示すように、フ
ォトレジスト28を塗布し、図3(h)に示すように、
画素電極毎に分離するためのヌキ部および信号入力端子
部27を露光し、図3(i)〜(k)に示すように、現
像、エッチング、剥離の工程を行うことによって反射電
極10となるAl電極のパターニングを行った。
Specifically, as shown in FIG. 3 (g), a photoresist 28 is applied, and as shown in FIG.
The exposed portion and the signal input terminal portion 27 for separation for each pixel electrode are exposed, and as shown in FIGS. 3 (i) to 3 (k), development, etching and peeling are performed to form the reflection electrode 10. Patterning of the Al electrode was performed.

【0067】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極10を形成した。このような
反射基板23は、平坦部が減少しており、正反射成分の
少ない理想的な反射特性を実現することが可能となって
いる。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減
することが可能となっており、反射板の製造に必要なコ
ストの低減も可能となっている。
By the steps described above, a reflective electrode 10 having smooth and high-density uneven portions was formed. Such a reflection substrate 23 has a reduced flat portion, and can realize ideal reflection characteristics with a small regular reflection component. In addition, the number of photo processes for the photosensitive resin can be reduced, and the cost required for manufacturing the reflection plate can be reduced.

【0068】最後に、従来技術と同様な方法で、反射基
板23と、透明電極を支持するカラーフィルター基板と
をスペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カ
ラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて
本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させ
た。
Finally, the reflection substrate 23 and the color filter substrate supporting the transparent electrode are bonded together via a spacer in the same manner as in the prior art, and liquid crystal is injected, and the phase difference plate is attached to the color filter substrate. The reflective liquid crystal display device of the present embodiment was completed by attaching a polarizing plate.

【0069】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2における反射型の液晶表示装置について、図面に基
づいて説明する。なお、本実施の形態における反射型の
液晶表示装置を構成する反射基板は、図1に示した反射
基板と同じものであるが、その製造方法が異なるので、
図6に示した断面図を用いて以下に説明する。
(Embodiment 2) Hereinafter, a reflective liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the reflective substrate included in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment is the same as the reflective substrate shown in FIG. 1, but the manufacturing method is different.
This will be described below with reference to the cross-sectional view shown in FIG.

【0070】図6は、本実施の形態における反射型の液
晶表示装置に使用される反射基板の製造工程を示した断
面図であり、図中、左側には画素領域を示し、右側には
信号入力端子部領域を示している。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a reflection substrate used in the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment. In FIG. 6, a pixel region is shown on the left side, and a signal region is shown on the right side. 3 shows an input terminal area.

【0071】まず、図6(a)に示すように、ガラス基
板1上にネガ型の感光性樹脂9(製品名:FE301
N:富士フィルムオーリン製)を1〜5μmの厚さに塗
布する。本実施の形態では、3μmの厚さで塗布した。
First, as shown in FIG. 6A, a negative photosensitive resin 9 (product name: FE301) is placed on a glass substrate 1.
N: Fuji Film Ohlin) is applied to a thickness of 1 to 5 μm. In the present embodiment, the coating was performed with a thickness of 3 μm.

【0072】次に、図7に示すように、透過部17と遮
光部18とそれ以外の半透過部29とが混在し、円形状
の領域として透過部17の面積が20%以上40%以下
であるフォトマスク35を用いて、図6(b)に示すよ
うに、均一に高照度で露光を行った。このときの露光量
は160mj〜500mjが好ましいが、本実施の形態
では、240mjの露光量により露光を行った。なお、
このときのフォトマスクの円形もしくは多角形の透過部
17の面積は30%で、隣り合う透過部17の中心間隔
が5μm以上50μm以下、好ましくは10μm〜20
μmとなるようにランダムに配置されており、また、コ
ンタクトホール30に対応する領域には遮光部18、そ
れ以外の領域には、光透過率が透過部の17%であるよ
うな半透過部29がそれぞれ配置されているものを用い
た。また、図示していないが、表示領域以外の領域につ
いては遮光領域とした構造となっている。
Next, as shown in FIG. 7, the transmissive portion 17, the light-shielding portion 18, and the other semi-transmissive portion 29 are mixed, and the area of the transmissive portion 17 is 20% or more and 40% or less as a circular region. As shown in FIG. 6B, exposure was performed uniformly at a high illuminance using the photomask 35 as described above. The exposure amount at this time is preferably from 160 mj to 500 mj, but in this embodiment, the exposure was performed with an exposure amount of 240 mj. In addition,
At this time, the area of the circular or polygonal transmission part 17 of the photomask is 30%, and the center distance between adjacent transmission parts 17 is 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm to 20 μm.
μm, and a light-shielding portion 18 in a region corresponding to the contact hole 30 and a semi-transmissive portion having a light transmittance of 17% of the transmissive portion in other regions. 29 were used. Although not shown, the area other than the display area has a light shielding area.

【0073】その後の工程は、上述した実施の形態1と
同様で、図6(c)に示すように現像を行い、図6
(d)に示すように加熱処理を行うことにより、熱だれ
現象によって滑らかな凹凸形状を形成した。
The subsequent steps are the same as in the first embodiment described above, and development is performed as shown in FIG.
By performing the heat treatment as shown in (d), a smooth uneven shape was formed by the heat dripping phenomenon.

【0074】そして、図6(e)に示すように、基板1
上に反射電極10としてAl薄膜を形成し、図6(f)
〜(j)に示すように、1つのトランジスタに対して1
つの反射電極10が対応するようにパターニングを行っ
た。
Then, as shown in FIG.
An Al thin film is formed as a reflective electrode 10 thereon, and FIG.
As shown in FIG.
Patterning was performed so that one reflective electrode 10 corresponded.

【0075】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極10を形成した。このような
反射基板23は、平坦部が減少しており、正反射成分の
少ない理想的な反射特性を実現することが可能となって
いる。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減
することが可能となっており、反射板の製造に必要なコ
ストの低減も可能となっている。
Through the steps described above, the reflective electrode 10 having smooth and high-density uneven portions was formed. Such a reflection substrate 23 has a reduced flat portion, and can realize ideal reflection characteristics with a small regular reflection component. In addition, the number of photo processes for the photosensitive resin can be reduced, and the cost required for manufacturing the reflection plate can be reduced.

【0076】最後に、従来技術と同様な方法で、反射基
板23と、透明電極を支持するカラーフィルター基板と
をスぺーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カ
ラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて
本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させ
た。
Finally, in the same manner as in the prior art, the reflection substrate 23 and the color filter substrate supporting the transparent electrode are adhered through a spacer, and liquid crystal is injected, and the phase difference is applied to the color filter substrate. The reflection type liquid crystal display device in the present embodiment was completed by attaching the plate and the polarizing plate.

【0077】なお、本実施の形態における反射型の液晶
表示装置では、上述した実施の形態1と同様に、滑らか
で高密度な反射凹凸を有する反射電極を形成している
が、感光性樹脂のフォトプロセス中で半透過部を有する
フォトマスクを用いることにより、更に露光の回数を削
減することが可能となっており、反射基板の製造に必要
なコストを低減させることが可能となっている。
In the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment, a reflection electrode having smooth and high-density reflection irregularities is formed in the same manner as in the first embodiment. By using a photomask having a semi-transmissive portion in a photo process, the number of times of exposure can be further reduced, and the cost required for manufacturing a reflective substrate can be reduced.

【0078】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形
態3における反射型の液晶表示装置について、図面に基
づいて説明する。なお、本実施の形態における反射型の
液晶表示装置を構成する反射基板は、図1に示した反射
基板と同じものであるが、その製造方法が異なるので、
図8に示した断面図を用いて以下に説明する。
Embodiment 3 Hereinafter, a reflective liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the reflective substrate included in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment is the same as the reflective substrate shown in FIG. 1, but the manufacturing method is different.
This will be described below with reference to the cross-sectional view shown in FIG.

【0079】図8は、本実施の形態における反射型の液
晶表示装置に使用される反射基板の製造工程を示した断
面図であり、図中、左側には画素領域を示し、右側には
信号入力端子部領域を示している。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a reflection substrate used in the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment. In the drawing, a pixel region is shown on the left side, and a signal region is shown on the right side. 3 shows an input terminal area.

【0080】まず、図8(a)に示すように、ガラス基
板1上にネガ型の感光性樹脂9(製品名:FE301
N:富士フィルムオーリン製)を1〜5μmの厚さに塗
布する。本実施の形態では、3μmの厚さで塗布した。
First, as shown in FIG. 8A, a negative photosensitive resin 9 (product name: FE301) is placed on a glass substrate 1.
N: Fuji Film Ohlin) is applied to a thickness of 1 to 5 μm. In the present embodiment, the coating was performed with a thickness of 3 μm.

【0081】次に、図5に示すように、コンタクトホー
ル部30を除いた領域に円形状の領域として透過部17
の面積が20%以上40%以下である第2のフォトマス
ク20を用いて、図8(b)に示すように、コンタクト
ホール部30を除いた領域を均一に低照度で露光を行っ
た。このときの露光量は20mj〜100mjが好まし
いが、本実施の形態では、40mjの露光量によりで露
光を行った。なお、このときの第2のフォトマスクの円
形もしくは多角形の透過部17は、隣り合う透過部17
の中心間隔が5μm以上50μm以下、好ましくは10
μm〜20μmとなるようにランダムに配置されたもの
を用いた。
Next, as shown in FIG. 5, a circular region is formed in the region excluding the contact hole portion 30 to form the transmission portion 17.
Using a second photomask 20 having an area of 20% or more and 40% or less, as shown in FIG. 8B, the region excluding the contact hole 30 was uniformly exposed at low illuminance. The exposure amount at this time is preferably 20 mj to 100 mj, but in the present embodiment, the exposure was performed with an exposure amount of 40 mj. At this time, the circular or polygonal transmission part 17 of the second photomask is connected to the adjacent transmission part 17.
Is 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm or less.
Those randomly arranged so as to have a size of 20 μm to 20 μm were used.

【0082】次に、図4に示すように、コンタクトホー
ル部30に対応する遮光部18を配置した第1のフォト
マスク19を用いて、図8(c)に示すように、コンタ
クトホール部30を除いた領域を均一に、上述した第1
の露光工程と同じ40mjの露光量で露光を行った。な
お、この第1および第2のフォトマスクは、コンタクト
ホールの遮光状態と同様に、信号入力端子部27につい
ても遮光するような構造とした。
Next, as shown in FIG. 4, using a first photomask 19 in which a light shielding portion 18 corresponding to the contact hole portion 30 is arranged, as shown in FIG. Area except for the first
Exposure was performed at the same exposure amount of 40 mj as in the exposure step of No. 1. The first and second photomasks have a structure in which the signal input terminal 27 is also shielded from light, similarly to the light-shielded state of the contact holes.

【0083】次に、図8(d)に示すように、現像液で
ある東京応化工業(株)製のTMAH(テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド)により現像を行うこと
により、未露光の部分(コンタクトホール部および信号
入力端子部)の樹脂は完全に除去されるとともに、1回
露光された部分の樹脂は初期の膜厚に対して約30%残
膜し、また、2回露光された部分の樹脂は初期の膜厚に
対して約70%残膜した状態となった。
Next, as shown in FIG. 8 (d), development is performed with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Portion and the signal input terminal portion) are completely removed, and the resin in the portion exposed once remains about 30% of the initial film thickness, and the resin in the portion exposed twice. Was in a state of remaining about 70% of the initial film thickness.

【0084】次に、図8(e)に示すように、200℃
で60分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象に
よって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹
凸形状となった。
Next, as shown in FIG.
By performing the heat treatment for 60 minutes, the resin in the above-mentioned state was deformed due to the heat dripping phenomenon, resulting in a smooth uneven shape.

【0085】その後の工程は、上述した実施の形態1お
よび2と同様で、図8(f)に示すように、基板1上に
反射電極10としてAl薄膜を形成し、図8(j)〜
(k)に示すように、1つのトランジスタに対して1つ
の反射電極10が対応するようにパターニングを行っ
た。
The subsequent steps are the same as those in the first and second embodiments described above. As shown in FIG. 8F, an Al thin film is formed on the substrate 1 as the reflective electrode 10, and FIG.
As shown in (k), patterning was performed such that one reflective electrode 10 corresponds to one transistor.

【0086】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極10を形成した。このような
反射基板23は、平坦部が減少しており、正反射成分の
少ない理想的な反射特性を実現することが可能となって
いる。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減
することが可能となっており、反射板の製造に必要なコ
ストの低減も可能となっている。
By the steps described above, a reflective electrode 10 having smooth and high-density uneven portions was formed. Such a reflection substrate 23 has a reduced flat portion, and can realize ideal reflection characteristics with a small regular reflection component. In addition, the number of photo processes for the photosensitive resin can be reduced, and the cost required for manufacturing the reflection plate can be reduced.

【0087】最後に、従来技術と同様な方法で、反射基
板23と、透明電極を支持するカラーフィルター基板と
をスぺーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カ
ラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて
本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させ
た。
Lastly, the reflection substrate 23 and the color filter substrate supporting the transparent electrode are adhered to each other through a spacer in the same manner as in the prior art, and liquid crystal is injected. The reflection type liquid crystal display device in the present embodiment was completed by attaching the plate and the polarizing plate.

【0088】なお、本実施の形態における反射型の液晶
表示装置では、上述した実施の形態1と同様に、滑らか
で高密度な反射凹凸を有する反射電極を形成している
が、感光性樹脂のフォトプロセス中の1回目と2回目の
露光量を等しくすることにより、装置のスループットが
向上し、反射基板の製造に必要なコストを低減させるこ
とが可能となっている。
In the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment, a reflection electrode having smooth and high-density reflection irregularities is formed as in the first embodiment. By equalizing the first and second exposures during the photo process, the throughput of the apparatus is improved, and the cost required for manufacturing the reflective substrate can be reduced.

【0089】(実施の形態4)以下、本発明の実施の形
態4における透過反射両用型の液晶表示装置について、
図面に基づいて説明する。図9は、本実施の形態におけ
る透過反射両用型の液晶表示装置における基板を示した
平面図であり、図10は、図9に示した基板の断面図で
あり、図11は、その製造工程のフローを示した断面図
である。
Embodiment 4 Hereinafter, a transflective liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. 9 is a plan view showing a substrate in a transflective liquid crystal display device according to the present embodiment, FIG. 10 is a cross-sectional view of the substrate shown in FIG. 9, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the flow of FIG.

【0090】図9および図10に示すように、本実施の
形態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用され
る基板23には、基板23上に形成された1つの画素電
極が反射電極10が形成される反射領域と、透明電極が
形成される透過領域31とに分割されている。そして、
この反射電極10の表面は、実施の形態1〜3と同様
に、円形状の凹部または凸部からなる滑らかで高密度な
凹凸状を有している。
As shown in FIGS. 9 and 10, the substrate 23 used in the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment has one pixel electrode formed on the substrate 23 as the reflective electrode 10. Are divided into a reflection region where a transparent electrode is formed and a transmission region 31 where a transparent electrode is formed. And
Like the first to third embodiments, the surface of the reflective electrode 10 has a smooth, high-density unevenness formed of circular concave portions or convex portions.

【0091】このような構造により、透過型の液晶表示
装置では表示が霞んでしまう位に強い周囲光であれば、
反射型の液晶表示装置として使用することができ、一
方、薄暗い環境で反射型の液晶表示装置では表示が見え
にくいようであれば、バックライトを点灯して透過型の
液晶表示装置として使用することができる。
With such a structure, in a transmission type liquid crystal display device, if the ambient light is strong enough to haze the display,
It can be used as a reflective liquid crystal display device, but if it is difficult to see the display with a reflective liquid crystal display device in a dim environment, turn on the backlight and use it as a transmissive liquid crystal display device Can be.

【0092】このような本実施の形態における透過反射
両用型の液晶表示装置は、図9および図10に示すよう
に、ガラス基板1上に液晶駆動用素子24としてアモル
ファスシリコントランジスタを形成した構成となってい
る。この液晶駆動用素子24は、ガラス基板1上のゲー
ト電極2としてのTa、ゲート絶縁層3としてのSiN
x、半導体層4としてのa−Si、n型半導体層5とし
てのn型a−Si、ITOからなるソース電極7、ドレ
イン電極8と、それに積層するTa層32などから構成
されている。なお、このドレイン電極8のITOは、画
素領域にまで延在して透過領域に構成される透明電極を
形成している。
The transmission-reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment has a configuration in which an amorphous silicon transistor is formed as a liquid crystal driving element 24 on a glass substrate 1 as shown in FIGS. Has become. The liquid crystal driving element 24 is composed of Ta as the gate electrode 2 on the glass substrate 1 and SiN as the gate insulating layer 3.
x, a-Si as the semiconductor layer 4, n-type a-Si as the n-type semiconductor layer 5, a source electrode 7 and a drain electrode 8 made of ITO, and a Ta layer 32 laminated thereon. It should be noted that the ITO of the drain electrode 8 extends to the pixel region to form a transparent electrode configured as a transmission region.

【0093】また、ゲートバスラインおよびソースバス
ラインに信号を入力するための信号入力端子部27につ
いては、本実施の形態では図示していないが、上述した
実施の形態1〜3と同様である。
The signal input terminal 27 for inputting signals to the gate bus lines and the source bus lines is not shown in the present embodiment, but is the same as in the first to third embodiments. .

【0094】ここで、本実施の形態における透過反射両
用型の液晶表示装置の基板23の製造工程について、図
11を基に説明する。なお、この図11では、透過領域
31に存在するITOは省略した。
Here, the manufacturing process of the substrate 23 of the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 11, ITO existing in the transmission region 31 is omitted.

【0095】まず、図11(a)に示すように、ガラス
基板1上にネガ型の感光性樹脂9(製品名:OFPR−
800:東京応化製)を1〜5μmの厚さに塗布する。
本実施の形態では、3μmの厚さで塗布した。
First, as shown in FIG. 11A, a negative photosensitive resin 9 (product name: OFPR-
800: manufactured by Tokyo Ohka) to a thickness of 1 to 5 μm.
In the present embodiment, the coating was performed with a thickness of 3 μm.

【0096】次に、図12に示すように、コンタクトホ
ール部30および透過領域31に対応する遮光部18を
配置した第1のフォトマスク34を用いて、図11
(b)に示すように、コンタクトホール部30および透
過領域31を均一に低照度で露光を行った。なお、この
ときの第1および第2のフォトマスクは、コンタクトホ
ールの遮光状態と同様に信号入力端子部27についても
遮光するような構造とした。このときの露光量は20m
j〜100mjが好ましいが、本実施の形態では、40
mjの露光量により露光を行った。
Next, as shown in FIG. 12, a first photomask 34 in which the light-shielding portions 18 corresponding to the contact hole portions 30 and the transmission regions 31 are arranged is used.
As shown in (b), the contact hole portion 30 and the transmission region 31 were uniformly exposed at low illuminance. At this time, the first and second photomasks have a structure in which the signal input terminal portion 27 is also shielded from light, as in the light-shielded state of the contact hole. The exposure amount at this time is 20 m
j to 100 mj, but in the present embodiment,
Exposure was performed with an exposure amount of mj.

【0097】次に、図13に示すように、円形状の領域
として透過部17がコンタクトホール部30と透過領域
31とに存在しないように配置されたの第2のフォトマ
スク36を用いて、図11(c)に示すように、均一に
高照度で露光を行った。このときの露光量は160mj
〜500mjが好ましいが、本実施の形態では、透過部
17の面積が30%の第2のフォトマスク36を用いて
240mjの露光量により露光を行った。なお、このと
きの第2のフォトマスク36の円形もしくは多角形の透
過部17は、反射電極の面積の30%、隣り合う透過部
17の中心間隔が5μm以上50μm以下、好ましくは
10μm〜20μmとなるようにランダムに配置された
ものを用いた。
Next, as shown in FIG. 13, using a second photomask 36 in which the transmissive portion 17 is arranged as a circular region so as not to exist in the contact hole portion 30 and the transmissive region 31, As shown in FIG. 11C, exposure was performed uniformly at high illuminance. The exposure amount at this time is 160 mj
In the present embodiment, exposure is performed with an exposure amount of 240 mj using the second photomask 36 in which the area of the transmission part 17 is 30%. In this case, the circular or polygonal transmission portion 17 of the second photomask 36 has a reflection electrode having an area of 30% of the area of the reflection electrode and a center interval between adjacent transmission portions 17 of 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm to 20 μm. What was arranged at random so that it might be used.

【0098】次に、図11(d)に示すように、現像液
である東京応化工業(株)製のTMAH(テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド)により現像を行うこ
とにより、上述した露光部分(コンタクトホール部、透
過領域、信号入力端子部)の樹脂は完全に除去されると
ともに、低照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約
40%残膜し、また、未露光部の樹脂は初期の膜厚に対
して約80%残膜した状態となった。
Next, as shown in FIG. 11D, development was performed with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., which is a developing solution, so that the above-described exposed portion (contact hole) was developed. Portion, the transmission region, and the signal input terminal portion) are completely removed, the resin in the low illuminance exposed portion remains about 40% of the initial film thickness, and the resin in the unexposed portion is the initial film. About 80% of the film thickness remained.

【0099】次に、図11(e)に示すように、200
℃で60分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象
によって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな
凹凸形状となった。た。
Next, as shown in FIG.
By performing the heat treatment at 60 ° C. for 60 minutes, the resin in the above-described state was deformed due to the heat dripping phenomenon, resulting in a smooth uneven shape. Was.

【0100】その後の工程は、上述した実施の形態1〜
3と同様で、図11(f)の示すように、基板1上に反
射電極10としてAl薄膜を形成し、1つのトランジス
タに対して1つの反射電極10が対応するようにパター
ニングを行った。
The subsequent steps are the same as those of the first to third embodiments.
As in FIG. 3, as shown in FIG. 11F, an Al thin film was formed on the substrate 1 as the reflective electrode 10, and patterning was performed so that one reflective electrode 10 corresponded to one transistor.

【0101】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極10からなる反射領域と透明
電極からなる透過領域とを有する基板を形成した。この
ような基板における反射電極は、平坦部が減少してお
り、正反射成分の少ない理想的な反射特性を実現するこ
とが可能となっている。また、感光性樹脂のフォトプロ
セスの回数を削減することが可能となっており、反射板
の製造に必要なコストの低減も可能となっている。
By the steps described above, a substrate having a reflective region composed of the reflective electrode 10 having smooth and high-density uneven portions and a transmissive region composed of the transparent electrode was formed. The reflective electrode of such a substrate has a reduced flat portion, and can realize ideal reflection characteristics with a small specular reflection component. In addition, the number of photo processes for the photosensitive resin can be reduced, and the cost required for manufacturing the reflection plate can be reduced.

【0102】最後に、従来技術と同様な方法で、基板2
3と、透明電極を支持するカラーフィルター基板とをス
ペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カラー
フィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて、基
板の背面にはバックライトを設置して本実施の形態にお
ける透過反射両用型の液晶表示装置を完成させた。
Finally, the substrate 2 is formed in the same manner as in the prior art.
3 and a color filter substrate supporting a transparent electrode are bonded via a spacer, a liquid crystal is injected, a retardation plate and a polarizing plate are bonded to the color filter substrate, and a backlight is provided on the back of the substrate. The transmission and reflection type liquid crystal display device of the present embodiment was completed by installing the liquid crystal display device.

【0103】[0103]

【発明の効果】本発明によれば、基板上に塗布した1層
の感光性樹脂に対して、面積的に分割して露光量の積分
値を異ならせて露光を行うことにより、滑らかで高密度
の凹凸形状を形成することができ、平坦部を減少させ正
反射成分の少ない理想的な反射手段を作製することが可
能となっている。従って、感光性樹脂のフォトプロセス
回数を削減し製造に必要なコストの削減を図ることが可
能となっている。
According to the present invention, a single layer of photosensitive resin applied on a substrate is exposed by dividing the area and varying the integrated value of the amount of exposure, so that the photosensitive resin is smooth and high. It is possible to form an uneven shape having a high density, and it is possible to reduce the flat portion and to manufacture an ideal reflecting means having a small regular reflection component. Therefore, it is possible to reduce the number of photo processes for the photosensitive resin and to reduce the cost required for manufacturing.

【0104】なお、本発明では、ネガ型の感光性樹脂を
用いていることにより、ダストなどにより未露光となっ
た部分の樹脂を現像によって除去することが可能となっ
ていることから、コンタクトホール部および信号入力端
子部などにダストが付着した場合であっても、確実に導
通を確保することが可能となっている。
In the present invention, since the negative photosensitive resin is used, it is possible to remove the unexposed portion of the resin due to dust and the like by development. Even if dust adheres to the section and the signal input terminal section, it is possible to reliably ensure conduction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明の実施の形態における反射型の
液晶表示装置に使用する反射基板の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a reflective substrate used in a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は、本発明の実施の形態における反射型の
液晶表示装置に使用する反射基板の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a reflective substrate used in a reflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図3】図3(a)〜(k)は、本発明の実施の形態に
おける反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造
工程を示した断面図である。
FIGS. 3A to 3K are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a reflective substrate used in a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図4】図4は、本発明の実施の形態における第1のフ
ォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した
概略平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view showing a pattern of a transmission region and a light shielding region of the first photomask according to the embodiment of the present invention.

【図5】図5は、本発明の実施の形態における第2のフ
ォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した
概略平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view showing a pattern of a transmission region and a light shielding region of a second photomask according to the embodiment of the present invention.

【図6】図6(a)〜(j)は、本発明の実施の形態に
おける反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造
工程を示した断面図である。
FIGS. 6A to 6J are cross-sectional views showing the steps of manufacturing a reflective substrate used in a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図7】図7は、本発明の実施の形態におけるフォトマ
スクのパターンを示した概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing a pattern of a photomask according to the embodiment of the present invention.

【図8】図8(a)〜(k)は、本発明の実施の形態に
おける反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造
工程を示した断面図である。
8 (a) to 8 (k) are cross-sectional views illustrating a process for manufacturing a reflective substrate used in a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図9】図9は、本発明の実施の形態における透過反射
両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の平面図であ
る。
FIG. 9 is a plan view of a reflective substrate used in a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図10】図10は、本発明の実施の形態における透過
反射両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の断面図
である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a reflective substrate used in a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図11】図11(a)〜(f)は、本発明の実施の形
態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用する反
射基板の製造工程を示した断面図である。
FIGS. 11A to 11F are cross-sectional views illustrating a process for manufacturing a reflective substrate used in a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図12】図12は、本発明の実施の形態における第1
のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示
した概略平面図である。
FIG. 12 is a first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic plan view showing a pattern of a transmission region and a light shielding region of the photomask of FIG.

【図13】図13は、本発明の実施の形態における第2
のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示
した概略平面図である。
FIG. 13 is a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic plan view showing a pattern of a transmission region and a light shielding region of the photomask of FIG.

【図14】図14は、従来の製造方法により作製した反
射型の液晶表示装置を示した断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device manufactured by a conventional manufacturing method.

【図15】図15(a)〜(e)は、従来の反射型の液
晶表示装置における反射基板の製造工程を示した断面図
である。
FIGS. 15A to 15E are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing a reflective substrate in a conventional reflective liquid crystal display device.

【図16】図16は、従来のフォトマスクの透過領域と
遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。
FIG. 16 is a schematic plan view showing a pattern of a transmission region and a light shielding region of a conventional photomask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 ゲートライン、ゲート電極、ゲート電極と同じ材
質の端子部電極 3 ゲート絶縁膜 4 半導体層 5 n+層 6 エッチストッパ 7 ソースライン、ソース電極 8 ドレイン電極 9 層間絶縁膜(感光性樹脂) 10 反射電極 11 液晶層 12 ITO電極 13 カラーフィルター 14 カラーフィルター側ガラス基板 15 位相差板 16 偏光板 17 透過部 18 遮光部 19 第1のフォトマスク 20 第2のフォトマスク 21 フォトマスク 22 UV光 23 反射基板 24 液晶駆動用素子 25 カラーフィルター基板 26 端子部接続電極 27 信号入力端子部 28 フォトレジスト 29 半透過部 30 コンタクトホール 31 透過領域 32 金属層 33 凹部または凸部 34 第1のフォトマスク 35 フォトマスク 36 第2のフォトマスク
Reference Signs List 1 glass substrate 2 gate line, gate electrode, terminal electrode made of the same material as gate electrode 3 gate insulating film 4 semiconductor layer 5 n + layer 6 etch stopper 7 source line, source electrode 8 drain electrode 9 interlayer insulating film (photosensitive resin) REFERENCE SIGNS LIST 10 reflective electrode 11 liquid crystal layer 12 ITO electrode 13 color filter 14 color filter side glass substrate 15 retardation plate 16 polarizing plate 17 transmission part 18 light shielding part 19 first photomask 20 second photomask 21 photomask 22 UV light 23 Reflective substrate 24 Liquid crystal driving element 25 Color filter substrate 26 Terminal connection electrode 27 Signal input terminal 28 Photoresist 29 Semi-transmissive part 30 Contact hole 31 Transmissive area 32 Metal layer 33 Concave or convex part 34 First photomask 35 Photo Mask 36 Second Fo Mask

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大上 裕之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA14Y FA31Y FB02 FC10 FC22 GA02 GA13 LA12 2H092 JA28 JA41 JA46 JB52 KA05 KA12 KB25 MA16 NA01 NA15 NA29 PA12  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroyuki Ohgami 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka F-term (reference) 2H091 FA14Y FA31Y FB02 FC10 FC22 GA02 GA13 LA12 2H092 JA28 JA41 JA46 JB52 KA05 KA12 KB25 MA16 NA01 NA15 NA29 PA12

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶層を介在して対向配置される一対の
基板のうちの一方側の基板上に、他方基板側からの入射
光を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法
において、 前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程
と、 前記感光性樹脂の第1領域に、照射する露光量の積分値
を異ならせて露光することで該感光性樹脂の残膜量を異
ならせて表面に凹凸を形成し、該感光性樹脂の第2領域
に、該第1領域と照射する露光量の積分値を異ならせて
露光することで該感光性樹脂の第1領域よりも残膜量の
少ない凹部を形成する工程と、 前記露光後の感光性樹脂を現像する工程と、 前記現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、 前記加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程
と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a reflecting means for reflecting incident light from the other substrate side on one of a pair of substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. Applying a negative photosensitive resin on the one substrate; and exposing the first region of the photosensitive resin to the first region of the photosensitive resin by changing the integrated value of the amount of exposure to be irradiated, thereby forming a residual film of the photosensitive resin. The first region of the photosensitive resin is exposed by varying the amount of light to form irregularities on the surface, and exposing the second region of the photosensitive resin to the first region with a different integrated value of the amount of exposure to be irradiated. A step of forming a concave portion having a smaller remaining film amount than the above, a step of developing the photosensitive resin after the exposure, a step of heating the photosensitive resin after the development, and a step of heating the photosensitive resin. Forming a reflective film on the liquid crystal display device Manufacturing method.
【請求項2】 前記感光性樹脂の第1領域には前記反射
膜からなる反射電極が形成されるとともに、該反射電極
は該感光性樹脂の第2領域において該反射電極の下層に
形成される配線と接続されていることを特徴とする請求
項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
2. A reflection electrode formed of the reflection film is formed in a first region of the photosensitive resin, and the reflection electrode is formed below the reflection electrode in a second region of the photosensitive resin. The method according to claim 1, wherein the method is connected to a wiring.
【請求項3】 前記一方の基板上の表示外領域には端子
部が形成されるとともに、該端子部には前記感光性樹脂
の第2領域が形成されていることを特徴とする請求項1
に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. A terminal portion is formed in a non-display region on the one substrate, and a second region of the photosensitive resin is formed in the terminal portion.
3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 1.
【請求項4】 前記感光性樹脂を露光する工程は、透過
部と遮光部と半透過部とを有するフォトマスクを用いて
露光する工程を含み、該フォトマスクの透過部および半
透過部に対応する領域に前記第1領域を形成し、該フォ
トマスクの遮光部に対応する領域に前記第2領域を形成
することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の
製造方法。
4. The step of exposing the photosensitive resin includes the step of exposing using a photomask having a transmissive portion, a light-shielding portion, and a semi-transmissive portion, corresponding to the transmissive portion and the semi-transmissive portion of the photomask. 2. The method according to claim 1, wherein the first region is formed in a region to be formed, and the second region is formed in a region corresponding to a light shielding portion of the photomask.
【請求項5】 前記感光性樹脂を露光する工程は、第1
のフォトマスクを用いて露光する工程と、第2のフォト
マスクを用いて露光する工程とを含み、該第1および第
2のフォトマスクにより、前記第1領域および第2領域
をそれぞれ形成することを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the step of exposing the photosensitive resin comprises:
Exposing using a photomask and exposing using a second photomask, wherein the first and second regions are respectively formed by the first and second photomasks. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項6】 前記第1のフォトマスクを用いて露光す
る工程と前記第2のフォトマスクを用いて露光する工程
とは、それぞれ照射する光量が同じであることを特徴と
する請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。
6. The method according to claim 5, wherein the step of exposing using the first photomask and the step of exposing using the second photomask are performed with the same amount of light. The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the above.
【請求項7】 前記第1のフォトマスクを用いて露光す
る工程では均一かつ低照度な露光を行い、前記第2のフ
ォトマスクを用いて露光する工程では均一かつ高照度な
露光を行うことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示
装置の製造方法。
7. A step of performing uniform and low illuminance exposure in the step of exposing using the first photomask, and performing a uniform and high illuminance exposure in the step of exposing using the second photomask. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 5, wherein:
【請求項8】 前記第2のフォトマスクには、円形もし
くは多角形の領域が不規則に配列されているとともに、
該円形もしくは多角形の領域の総面積は、該フォトマス
クの総面積の20%以上40%以下であることを特徴と
する請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。
8. A circular or polygonal region is irregularly arranged on the second photomask,
8. The method according to claim 7, wherein a total area of the circular or polygonal region is 20% to 40% of a total area of the photomask.
【請求項9】 前記第2のフォトマスクに配列された円
形もしくは多角形の領域は、隣り合う領域の重心間隔が
5μm以上50μm以下の範囲内で不規則に配列されて
いることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の
製造方法。
9. The circular or polygonal region arranged on the second photomask is arranged irregularly when the distance between the centers of gravity of adjacent regions is in the range of 5 μm or more and 50 μm or less. A method for manufacturing the liquid crystal display device according to claim 8.
JP16933899A 1998-09-28 1999-06-16 Manufacturing method of liquid crystal display device Expired - Fee Related JP3394925B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16933899A JP3394925B2 (en) 1998-09-28 1999-06-16 Manufacturing method of liquid crystal display device
US09/406,684 US7106400B1 (en) 1998-09-28 1999-09-27 Method of making LCD with asperities in insulation layer under reflective electrode
KR1019990041255A KR100306546B1 (en) 1998-09-28 1999-09-27 Method of manufacturing liquid crystal display apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-273245 1998-09-28
JP27324598 1998-09-28
JP16933899A JP3394925B2 (en) 1998-09-28 1999-06-16 Manufacturing method of liquid crystal display device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002307014A Division JP3641629B2 (en) 1998-09-28 2002-10-22 Manufacturing method of liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000171793A true JP2000171793A (en) 2000-06-23
JP3394925B2 JP3394925B2 (en) 2003-04-07

Family

ID=26492711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16933899A Expired - Fee Related JP3394925B2 (en) 1998-09-28 1999-06-16 Manufacturing method of liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3394925B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002202503A (en) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP2002229062A (en) * 2001-02-05 2002-08-14 Sony Corp Display device and its manufacturing method
US6891194B2 (en) 2001-02-07 2005-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, electromagnetic detector, and liquid crystal display apparatus
JP2006119177A (en) * 2004-10-19 2006-05-11 Sharp Corp Manufacturing method of liquid crystal display, and liquid crystal display
JP2006154583A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd Transflective color liquid crystal display apparatus and its manufacturing method
US7224505B2 (en) 2003-11-04 2007-05-29 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of electro-optical apparatus substrate, manufacturing method of electro-optical apparatus, electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus, and electronic instrument
JP2007193371A (en) * 2007-04-26 2007-08-02 Advanced Display Inc Liquid crystal display device
US7379136B2 (en) 2003-12-29 2008-05-27 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7663716B2 (en) 2004-09-01 2010-02-16 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002202503A (en) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp Liquid crystal display device
JP2002229062A (en) * 2001-02-05 2002-08-14 Sony Corp Display device and its manufacturing method
US6891194B2 (en) 2001-02-07 2005-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, electromagnetic detector, and liquid crystal display apparatus
US7233021B2 (en) 2001-02-07 2007-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, electromagnetic detector, and liquid crystal display apparatus
US7224505B2 (en) 2003-11-04 2007-05-29 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of electro-optical apparatus substrate, manufacturing method of electro-optical apparatus, electro-optical apparatus substrate, electro-optical apparatus, and electronic instrument
US7379136B2 (en) 2003-12-29 2008-05-27 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same
US7663716B2 (en) 2004-09-01 2010-02-16 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device and electronic apparatus
JP2006119177A (en) * 2004-10-19 2006-05-11 Sharp Corp Manufacturing method of liquid crystal display, and liquid crystal display
JP4519602B2 (en) * 2004-10-19 2010-08-04 シャープ株式会社 Manufacturing method of liquid crystal display device and liquid crystal display device
JP2006154583A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Sanyo Electric Co Ltd Transflective color liquid crystal display apparatus and its manufacturing method
JP2007193371A (en) * 2007-04-26 2007-08-02 Advanced Display Inc Liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3394925B2 (en) 2003-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3394926B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
KR100306546B1 (en) Method of manufacturing liquid crystal display apparatus
JP4302385B2 (en) Liquid crystal display device for improving reflectivity and manufacturing method thereof
JP2001201742A (en) Reflective liquid crystal display device and its manufacturing method
JP3710529B2 (en) Method for manufacturing thin film transistor substrate
JP2002244126A (en) Active matrix type liquid crystal display and its manufacturing method
JP2008096779A (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2000122094A (en) Reflection type liquid crystal display device
JP3394925B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2007114770A (en) Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display device having the same
JP2000010124A (en) Reflection type liquid crystal display device and its production
JP2004157552A (en) Method of manufacturing liquid crystal display device
TWI250330B (en) Manufacturing method of electro-optical device substrate and manufacturing method of electro-optical device
JP3641629B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP3610060B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2004294805A (en) Liquid crystal display, manufacturing method of display device, and patterning method
JP2002031797A (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6986983B2 (en) Method for forming a reflection-type light diffuser
JP3566874B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP2004171002A (en) Manufacturing method for liquid crystal display device
KR100349378B1 (en) Method of forming a reflective liquid crystal display device
JP4514561B2 (en) Method for manufacturing reflective display device
KR20030091753A (en) Diffusion reflection plate and manufacturing method thereof, and proximity photo method
KR100576113B1 (en) Method for fabricating thin film transistor substrate for reflective LCD
JP4067097B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3394925

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080131

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120131

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130131

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130131

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees