JP2000171362A - Sampler for high purity gas - Google Patents
Sampler for high purity gasInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度ガス用サン
プラーに関し、詳しくは、高純度アルゴンや高純度窒素
等の高純度ガスをガス分析する際に使用するサンプラ
ー、特に、流通式のサンプラーに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sampler for high-purity gas, and more particularly to a sampler used for gas analysis of high-purity gas such as high-purity argon or high-purity nitrogen, and more particularly to a flow-type sampler. .
【0002】[0002]
【従来の技術】不純物レベルがppm〜ppbである高
純度アルゴンや高純度窒素等の高純度ガス製品の品質検
査を行うため、これらのガスの製造場所や使用場所でサ
ンプラーに採取し、これをガス分析装置の設置場所まで
搬送することが行われている。2. Description of the Related Art In order to inspect the quality of high-purity gas products such as high-purity argon and high-purity nitrogen having an impurity level of ppm to ppb, these gases are collected by a sampler at a manufacturing place or a place where these gases are used. It is carried to the place where the gas analyzer is installed.
【0003】このような高純度の試料ガスを採取するサ
ンプラーとして、従来からステンレス鋼製の流通式サン
プラーが用いられており、試料ガスとの接触面には、金
属表面から試料ガス中に不純物成分が放出されないよう
にするための各種の処理を施している。[0003] As a sampler for collecting such a high-purity sample gas, a flow-through sampler made of stainless steel has been conventionally used, and the contact surface with the sample gas has an impurity component from the metal surface to the sample gas. Various treatments have been applied to prevent the release of methane.
【0004】例えば、冷間圧延引抜き後に、アンモニア
や水素あるいは水素と窒素との混合ガス等の還元雰囲気
中で約1080℃に加熱して光輝焼鈍熱処理を行うBA
(Bright Anneal)処理、硫酸やリン酸等
の電解液中で陽極酸化処理することにより、電気化学反
応で金属表面の微小凸部を優先的に溶解(イオン化)
し、金属表面を平滑で、かつ、光沢に富む表面とするE
P(Electro−Polish)処理、金属表面に
酸化不動態膜を形成する0P処理、クロムリッチ不動態
膜を形成するCRP処理等が行われている。For example, after cold rolling and drawing, a bright annealing heat treatment is performed by heating to about 1080 ° C. in a reducing atmosphere such as ammonia, hydrogen or a mixed gas of hydrogen and nitrogen.
(Bright Anneal) treatment, anodizing treatment in an electrolytic solution such as sulfuric acid or phosphoric acid, so as to preferentially dissolve (ionize) minute projections on the metal surface by electrochemical reaction.
To make the metal surface smooth and glossy
P (Electro-Polish) treatment, 0P treatment for forming an oxidation passivation film on a metal surface, CRP treatment for forming a chromium-rich passivation film, and the like are performed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述のような各種処理
を行うことにより、金属表面への不純物の吸着や、金属
表面に吸着した不純物が試料ガス中に放出されること
は、略完全に防止することができるが、金属表面部分の
金属中に存在する水素が金属表面から試料ガス中に放出
されることがあり、水素の分析結果に大きな差を生じる
ことがあった。By performing the various treatments described above, the adsorption of impurities on the metal surface and the release of the impurities adsorbed on the metal surface into the sample gas are almost completely prevented. However, hydrogen present in the metal on the metal surface portion may be released from the metal surface into the sample gas, which may cause a large difference in the analysis result of hydrogen.
【0006】例えば、サンプラー内に採取した試料ガス
を採取直後に分析したときには、水素成分が1ppb以
下であったのに対し、採取から1週間経過後に分析を行
うと、水素成分が数十から数百ppbに上昇してしまう
ことがあった。For example, when the sample gas collected in the sampler was analyzed immediately after collection, the hydrogen component was 1 ppb or less, whereas when analyzed one week after collection, the hydrogen component was several tens to several In some cases, it increased to 100 ppb.
【0007】そこで本発明は、試料ガスの採取(サンプ
リング)から分析までの期間中における金属表面からの
水素の放出を抑制し、ガス分析の精度を向上させること
ができる高純度ガス用サンプラーを提供することを目的
としている。Accordingly, the present invention provides a high-purity gas sampler that suppresses the release of hydrogen from the metal surface during the period from sampling (sampling) to analysis of a sample gas and improves the accuracy of gas analysis. It is intended to be.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高純度ガス用サンプラーは、円筒状の容器
本体の両端にそれぞれ弁を有する高純度ガス用サンプラ
ーであって、少なくとも前記容器本体を銅で形成したこ
とを特徴としている。In order to achieve the above object, a high-purity gas sampler according to the present invention is a high-purity gas sampler having valves at both ends of a cylindrical container body. The main body is formed of copper.
【0009】さらに、本発明の高純度ガス用サンプラー
は、前記容器本体を、銅製の管体と、該管体の両端開口
に装着される銅製の鏡板と、該鏡板の中央に設けられた
通孔に装着されて前記弁に接続される銅製のブッシュと
を溶接により接合して形成したものであることを特徴と
している。さらに、前記弁や接続用補助部材も銅で形成
したことを特徴としている。Further, in the sampler for high-purity gas of the present invention, the container main body includes a copper tube, a copper end plate mounted at both ends of the tube, and a through hole provided at the center of the end plate. It is characterized by being formed by welding a copper bush attached to the hole and connected to the valve. Further, the valve and the connecting auxiliary member are also formed of copper.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】図1及び図2は、本発明の高純度
ガス用サンプラーの一形態例を示すもので、図1は要部
の断面図、図2は高純度ガスをサンプリングする際の手
順を説明するための配管系統図である。1 and 2 show an embodiment of a sampler for high-purity gas according to the present invention. FIG. 1 is a sectional view of a main part, and FIG. It is a piping system diagram for demonstrating the procedure of.
【0011】まず、サンプラー1の形状は、従来から用
いられているステンレス鋼製サンプラー、例えば流通式
サンプラーと同形状、同容量に形成することができ、耐
圧強度も同等となるように設計することができる。すな
わち、所定の直径及び長さの銅製の管体2と、該管体2
の両端の開口部に装着された銅製でドーム状の鏡板3
と、該鏡板3の中央に設けられた通孔3aに装着された
ブッシュ4とにより形成される容器本体と、前記ブッシ
ュ4に、接続用補助部材である短管5及び継手6を介し
て接続した弁7とにより形成されている。First, the shape of the sampler 1 should be designed so that it can be formed in the same shape and the same capacity as a conventional stainless steel sampler, for example, a flow-type sampler, and have the same pressure resistance. Can be. That is, a copper pipe 2 having a predetermined diameter and length, and the pipe 2
Dome-shaped end plate 3 made of copper attached to the openings at both ends
And a container body formed by a bush 4 mounted in a through hole 3a provided at the center of the end plate 3, and connected to the bush 4 via a short pipe 5 and a joint 6, which are auxiliary connecting members. And the valve 7.
【0012】前記管体2を形成する銅は、管体への加工
が容易で、還元性雰囲気で加熱されても水素ぜい化を生
じないものを選択すればよく、例えば、JIS C12
20に規定されているりん脱酸銅が、その性能やコスト
の面から好適である。また、鏡板3を形成する銅は、ド
ーム状への絞り加工が容易で、前記水素ぜい化を生じな
いものを選択すればよく、例えば、JIS C1020
に規定されている無酸素銅が、その性能やコストの面か
ら好適である。前記ブッシュ4は、その接ガス面の面積
が小さく、水素放出の影響が少ないので、適宜な銅材料
を選択することができるが、例えば上記りん脱酸銅で作
成することができる。The copper forming the tube 2 may be selected from copper which can be easily processed into a tube and does not cause hydrogen embrittlement even when heated in a reducing atmosphere. For example, JIS C12
Phosphorus-deoxidized copper specified in No. 20 is preferred in terms of its performance and cost. The copper forming the head plate 3 may be selected from copper which can be easily drawn into a dome shape and does not cause the hydrogen embrittlement. For example, JIS C1020
Is preferred in terms of performance and cost. Since the bush 4 has a small gas contact surface area and is less affected by hydrogen release, an appropriate copper material can be selected. For example, the bush 4 can be made of the above-mentioned phosphorous deoxidized copper.
【0013】前記管体2や鏡板3、ブッシュ4は、これ
らを接合する前に、少なくともその接ガス面を研磨して
おくことが好ましい。例えば、#400番のバフ研磨を
行って表面粗度を10ミクロン程度にしておくことによ
り、接ガス面における不純物の吸脱着を抑制することが
できる。It is preferable that at least the gas contact surfaces of the tubular body 2, the end plate 3, and the bush 4 are polished before joining them. For example, by performing the # 400 buffing to keep the surface roughness at about 10 μm, the adsorption and desorption of impurities on the gas contact surface can be suppressed.
【0014】各部材の接合は、電子ビーム溶接、ティグ
溶接、銀ロウ等によるロウ付けで行うことができるが、
なかでも、電子ビーム溶接は、開先加工を行わずに接合
面をそのままの状態で接合でき、高い接合強度や密着性
が得られるので最適である。The members can be joined by electron beam welding, TIG welding, brazing with silver brazing, or the like.
Among them, electron beam welding is the most suitable because it can join with the joining surface as it is without performing groove processing, and high joining strength and adhesion can be obtained.
【0015】一方、前記短管5や弁7は、これらの接ガ
ス面の面積が小さく、水素の放出量も少ないと考えられ
るので、通常のステンレス鋼で形成することができる
が、これらも銅で形成することにより、更に水素の影響
を低減させることができる。なお、ブッシュ4と弁7と
を短管5を介さずに直接接続することも可能であるが、
生産性や保守性を考慮すると、上述のように短管5を設
けることが好ましい。On the other hand, the short pipe 5 and the valve 7 can be made of ordinary stainless steel because they are considered to have a small gas contact area and a small amount of hydrogen release. By forming with, it is possible to further reduce the influence of hydrogen. Although the bush 4 and the valve 7 can be directly connected without passing through the short pipe 5,
In consideration of productivity and maintainability, it is preferable to provide the short pipe 5 as described above.
【0016】このような銅製の流通式サンプラー1は、
従来のステンレス鋼製サンプラーと同様にして使用する
ことができる。すなわち、図2に示すように、銅製の流
通式サンプラー1の一方の弁7を、放出弁11や圧力計
12を備えた小口径で短寸の配管からなるサンプリング
用配管13を介して試料ガス源の試料ガス取出弁14に
接続するとともに、他方の弁7に流量計15を接続する
ことにより、従来の流通式サンプラーと同様にして試料
ガスをサンプリングすることができる。Such a flowable sampler 1 made of copper is:
It can be used in the same manner as a conventional stainless steel sampler. That is, as shown in FIG. 2, one of the valves 7 of the copper flow-type sampler 1 is connected to a sample gas 13 via a sampling pipe 13 composed of a small-diameter and short pipe having a discharge valve 11 and a pressure gauge 12. By connecting the flow meter 15 to the other sample valve 7 while connecting it to the sample gas extraction valve 14 of the source, the sample gas can be sampled in the same manner as in a conventional flow-type sampler.
【0017】このようにサンプラー1の少なくとも容器
本体部を形成する管体2や鏡板3,ブッシュ4等を純銅
系の銅で形成することにより、金属面から水素が試料ガ
ス中に放出されることがほとんどなくなるので、水素許
容濃度が極めて低い高純度ガス、特に、アルゴンや窒素
等、半導体製造用に使用される高純度不活性ガス中に不
純物として含まれる水素量を正確に分析することができ
る。By forming at least the tube 2, the end plate 3, the bushing 4 and the like forming the container body of the sampler 1 from pure copper-based copper, hydrogen is released from the metal surface into the sample gas. , The amount of hydrogen contained as an impurity in a high-purity inert gas used for semiconductor manufacturing, such as high-purity gas having an extremely low allowable hydrogen concentration, particularly argon or nitrogen, can be accurately analyzed. .
【0018】また、水素が分析対象ガスでない場合で
も、水素と反応する成分を含む試料ガスの分析には極め
て有効である。さらに、従来のステンレス鋼製サンプラ
ーのような特殊な内面処理を行う必要がないので、製造
コストも低廉である。Even when hydrogen is not a gas to be analyzed, it is extremely effective for analyzing a sample gas containing a component which reacts with hydrogen. Further, since there is no need to perform a special inner surface treatment unlike a conventional stainless steel sampler, the manufacturing cost is low.
【0019】[0019]
【実施例】筒径165mm、長さ530mmで容積10
リットルの銅製サンプラーを作成した。管体及びブッシ
ュはJIS C1220のりん脱酸銅を、鏡板はJIS
C1020の無酸素銅をそれぞれ使用し、内面側をバフ
研磨して表面粗度を10ミクロン程度にしてから電子ビ
ーム溶接により接合した。短管はステンレス鋼製、弁及
び継手は市販の高純度ガス対応品を使用した。また、比
較品として、従来のステンレス鋼製サンプラーで、様々
な内面処理を行ったものを用意した。試料ガスには、水
素許容量が1ppb未満の超高純度窒素ガスを用い、サ
ンプリング後のガス分析は、水素の検出限界が1ppb
未満の光イオン化検出器付きガスクロマトグラフを使用
して同一条件で行った。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A cylinder diameter of 165 mm, a length of 530 mm and a capacity of 10
A liter copper sampler was made. The tube and bush are made of JIS C1220 phosphor deoxidized copper, and the end plate is made of JIS
Using oxygen-free copper of C1020, the inner surface was buffed to reduce the surface roughness to about 10 μm, and then joined by electron beam welding. The short pipe was made of stainless steel, and the valves and fittings used were commercially available high-purity gas-compatible products. As a comparative product, a conventional stainless steel sampler which had been subjected to various inner surface treatments was prepared. As the sample gas, an ultra-high-purity nitrogen gas having a hydrogen allowance of less than 1 ppb is used, and the gas analysis after sampling has a hydrogen detection limit of 1 ppb.
This was performed under the same conditions using a gas chromatograph with a photoionization detector of less than.
【0020】まず、図2に示すようにサンプラー1を接
続し、次の手順で試料ガスをサンプラー1内にサンプリ
ングした。すなわち、サンプラー1の出口側となる弁7
に流量計15を接続するとともに、試料ガス取出弁14
を微開状態にして試料ガスを僅かに放出させながら、放
出弁11を全開状態にしたサンプリング用配管13の上
流側を接続し、このサンプリング用配管13の下流側を
サンプラー1の入口側となる弁7に接続した。First, the sampler 1 was connected as shown in FIG. 2, and a sample gas was sampled into the sampler 1 in the following procedure. That is, the valve 7 on the outlet side of the sampler 1
The flowmeter 15 is connected to the
Is slightly opened to slightly release the sample gas, the upstream side of the sampling pipe 13 with the release valve 11 fully opened is connected, and the downstream side of the sampling pipe 13 becomes the inlet side of the sampler 1. Connected to valve 7.
【0021】サンプリング用配管13系のパージは、サ
ンプラー1の両側の弁7,7を開き、放出弁11を閉じ
てから、試料ガス取出弁14で流量調節を行い、試料ガ
スの流量を毎分10リットルに設定して5分間放置する
ことにより行った。なお、試料ガスの流量は、前記流量
計15で確認した。To purge the sampling pipe 13 system, the valves 7, 7 on both sides of the sampler 1 are opened, the discharge valve 11 is closed, and the flow rate is adjusted by the sample gas extraction valve 14, so that the flow rate of the sample gas is reduced per minute. It carried out by setting to 10 liters and leaving it to stand for 5 minutes. In addition, the flow rate of the sample gas was confirmed by the flow meter 15.
【0022】次に、サンプラー1の弁7,7を出口側,
入口側の順に閉じ、配管内が試料ガス源と同一圧力にな
るまで充圧してから試料ガス取出弁14を閉じ、接続部
の気密状態を圧力計12により圧力降下の有無で確認す
る気密試験を行った。Next, the valves 7, 7 of the sampler 1 are connected to the outlet side,
Close the inlet side in order, pressurize the inside of the pipe until the pressure becomes the same as that of the sample gas source, close the sample gas outlet valve 14, and conduct an airtightness test to check the airtightness of the connection part by the pressure gauge 12 with the presence or absence of pressure drop. went.
【0023】気密試験終了後、放出弁11を開き、配管
内のガスを放出してすぐに放出弁11を閉じる放圧操作
と、試料ガス取出弁14を開いて配管内が試料ガス源と
同一圧力になるまで試料ガスを充填する加圧充填操作と
を行うパージ操作、いわゆる加圧パージを10回繰り返
した。加圧パージ終了後、サンプラー1の弁7,7を出
口側,入口側の順に開き、試料ガスをサンプラー1内に
毎分20リットルで流通させて流通パージを20分間行
った。After the airtight test is completed, the discharge valve 11 is opened, the gas in the pipe is released, and the discharge valve 11 is immediately closed to release the gas. The sample gas extraction valve 14 is opened and the inside of the pipe is the same as the sample gas source. A purge operation of performing a pressure filling operation of filling a sample gas until a pressure is reached, that is, a so-called pressure purge, was repeated 10 times. After completion of the pressure purge, the valves 7, 7 of the sampler 1 were opened in the order of the outlet side and the inlet side, and the sample gas was allowed to flow through the sampler 1 at a rate of 20 liters per minute, thereby performing a flow purge for 20 minutes.
【0024】流通パージ終了後、サンプラーの出口側の
弁7を閉じて試料ガス取出弁14を全開とし、5分間放
置してサンプラー1内に試料ガスを充填した。試料ガス
の充填状態は、圧力計12により確認した。After the end of the flow purge, the valve 7 on the outlet side of the sampler was closed, the sample gas extraction valve 14 was fully opened, and the sample gas was filled into the sampler 1 by allowing it to stand for 5 minutes. The filling state of the sample gas was confirmed by the pressure gauge 12.
【0025】充填終了後、試料ガス取出弁14を閉じる
とともに、サンプラーの両方の弁7,7を閉じ、放出弁
11を開いてサンプリング用配管13内のガスを放出し
てからサンプリング用配管13及び流量計15をサンプ
ラー1から取り外し、サンプラー両側の弁7,7の気密
状態を確認後、両端に封止キャップを装着してサンプリ
ング操作を終了した。サンプリング後のサンプラー内の
試料ガスの分析は、分析装置に設定された操作で通常通
りに行った。After the filling is completed, the sample gas extraction valve 14 is closed, both valves 7 and 7 of the sampler are closed, and the discharge valve 11 is opened to release the gas in the sampling pipe 13. The flow meter 15 was removed from the sampler 1, and after checking the airtightness of the valves 7, 7 on both sides of the sampler, sealing caps were attached to both ends to complete the sampling operation. The analysis of the sample gas in the sampler after sampling was performed as usual by the operation set in the analyzer.
【0026】サンプリング後の経過時間に対する水素ガ
ス濃度[ppb]の経時変化を表1に示す(表中の「<
1」は検出限界以下)。Table 1 shows the change over time of the hydrogen gas concentration [ppb] with respect to the elapsed time after sampling.
1 "is below the detection limit).
【0027】[0027]
【表1】 [Table 1]
【0028】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高純度ガ
ス用サンプラーによれば、試料ガスサンプリング後の不
純物成分濃度の上昇を抑制することができるので、ガス
分析の精度を向上させることができるとともに、サンプ
リング後のガス分析を余裕を持って行うことができるの
で、ガス分析の負担も軽減できる。As described above, according to the high-purity gas sampler of the present invention, it is possible to suppress an increase in the impurity component concentration after sampling the sample gas, thereby improving the accuracy of gas analysis. In addition, gas analysis after sampling can be performed with a margin, so that the burden of gas analysis can be reduced.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】 本発明の高純度ガス用サンプラーの一形態例
を示す要部の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing one embodiment of a sampler for high-purity gas of the present invention.
【図2】 高純度ガスをサンプリングする際の配管接続
状態を示す系統図である。FIG. 2 is a system diagram showing a pipe connection state when sampling a high-purity gas.
1…サンプラー、2…管体、3…鏡板、4…ブッシュ、
5…短管、6…継手、7…弁、13…サンプリング用配
管、14…試料ガス取出弁1 ... sampler, 2 ... tube, 3 ... head plate, 4 ... bush,
5 Short pipe, 6 Joint, 7 Valve, 13 Sampling pipe, 14 Sample gas extraction valve
Claims (3)
有する高純度ガス用サンプラーであって、少なくとも前
記容器本体を銅で形成したことを特徴とする高純度ガス
用サンプラー。1. A high-purity gas sampler having valves at both ends of a cylindrical container body, wherein at least the container body is formed of copper.
の両端開口に装着される銅製の鏡板と、該鏡板の中央に
設けられた通孔に装着されて前記弁に接続される銅製の
ブッシュとを溶接により接合して形成したものであるこ
とを特徴とする請求項1記載の高純度ガス用サンプラ
ー。2. The container main body is connected to the valve by being mounted on a copper tube, a copper end plate mounted on both ends of the tube, and a through hole provided at the center of the end plate. 2. The sampler for high-purity gas according to claim 1, wherein said sampler is formed by joining a copper bush to said bush by welding.
とする請求項1記載の高純度ガス用サンプラー。3. The sampler according to claim 1, wherein the valve is made of copper.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10344718A JP2000171362A (en) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Sampler for high purity gas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10344718A JP2000171362A (en) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Sampler for high purity gas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000171362A true JP2000171362A (en) | 2000-06-23 |
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JP10344718A Pending JP2000171362A (en) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | Sampler for high purity gas |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000171362A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014048224A (en) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Taiyo Nippon Sanso Corp | Sampling method of sample gas |
JP2017161312A (en) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 大陽日酸株式会社 | Gas sampling container |
US9869614B2 (en) | 2014-12-15 | 2018-01-16 | Iwatani Corporation | Sampling apparatus and sampling method |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP10344718A patent/JP2000171362A/en active Pending
Cited By (3)
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