JP2000164679A - Substrate-processing device - Google Patents

Substrate-processing device

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JP2000164679A
JP2000164679A JP10336938A JP33693898A JP2000164679A JP 2000164679 A JP2000164679 A JP 2000164679A JP 10336938 A JP10336938 A JP 10336938A JP 33693898 A JP33693898 A JP 33693898A JP 2000164679 A JP2000164679 A JP 2000164679A
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JP
Japan
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substrate
detection
gas
contact
sensor
Prior art date
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Application number
JP10336938A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Taniguchi
竹志 谷口
Mitsuo Ogasawara
光雄 小笠原
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-processing device which uses a non contact type sensor and can suppress noncenformities which occur when this sensor is used. SOLUTION: This substrate-processing device is provided with a transfer roller, a spray nozzle, a position sensor 34, and a spot nozzle 340. The transfer roller transfers a substrate W, and the spray nozzle supplies a liquid chemical to the substrate W. The position sensor 34 detects the presence of the substrate W at a prescribed position, without waking contact with the substrate W. The spot nozzle 340 jets out a nitrogen gas to a detection position P. This detection position P is a position to be detected by the position sensor 34.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用ガラ
ス基板、カラーフィルタ用ガラス基板、フォトマスク用
基板、サーマルヘッド用セラミック基板、プリント基
板、半導体ウエハなどの基板の処理を行う基板処理装
置、特に、搬送される基板の位置を検出するために設け
られる検知手段を備えた基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing substrates such as glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for color filters, substrates for photomasks, ceramic substrates for thermal heads, printed substrates, and semiconductor wafers. In particular, the present invention relates to a substrate processing apparatus provided with a detecting unit provided for detecting a position of a substrate to be transferred.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板処理装置には、基板を搬送し基板に
処理液を供給して基板処理を行う装置が多い。このよう
な装置では、通常各処理部において基板の搬入や搬出を
検知する必要があり、さらに所定の処理部において基板
を搬送方向に沿って往復動させることで揺動させるよう
な場合には基板の前端や後端を検出して搬送方向を切り
替える必要がある。このため、従来の基板処理装置に
は、基板位置を検知するための検知センサが設置されて
いる。
2. Description of the Related Art There are many substrate processing apparatuses which transport a substrate and supply a processing liquid to the substrate to perform the substrate processing. In such an apparatus, it is usually necessary to detect the loading and unloading of the substrate in each processing unit, and in the case where the substrate is swung by reciprocating along the transport direction in a predetermined processing unit, the substrate is It is necessary to switch the transport direction by detecting the front end and the rear end of the printer. For this reason, a conventional substrate processing apparatus is provided with a detection sensor for detecting a substrate position.

【0003】この従来基板処理装置に設置されている検
知センサは、接触式のセンサ、すなわち基板の前端など
に接触することによって基板の存在を検知する方式のセ
ンサである。この接触式のセンサとしては、基板に接触
する接触部の傾きをリードスイッチ等によって検出する
センサなどがある。
The detection sensor installed in this conventional substrate processing apparatus is a contact type sensor, that is, a sensor that detects the presence of a substrate by contacting the front end of the substrate or the like. Examples of the contact-type sensor include a sensor that detects the inclination of a contact portion that contacts the substrate with a reed switch or the like.

【0004】このように接触式のセンサを従来採用して
いる理由は、非接触式のセンサ、例えば光電センサや超
音波センサ、静電容量式近接センサなどを用いた場合、
基板やこれらのセンサに処理液が付着することによって
センサが機能しなくなったりセンサ自身が故障してしま
ったりする恐れが高いからである。具体的には、光電セ
ンサを使う場合には、基板上に処理液が付着していると
光電センサに到達すべき光が乱反射してセンサが誤作動
し、光電センサ自身に処理液が付着したときにも誤作動
を起こす恐れがある。また、静電容量式近接センサでは
基板よりも誘電率の高い処理液を先に検出する誤作動の
恐れが高く、超音波センサでは処理液がセンサに付着す
るとセンサが故障する恐れが高いという不具合が存在す
る。
[0004] As described above, the reason why a contact-type sensor is conventionally employed is that a non-contact-type sensor such as a photoelectric sensor, an ultrasonic sensor, or a capacitance-type proximity sensor is used.
This is because there is a high possibility that the sensor will not function or the sensor itself will be damaged due to the processing liquid adhering to the substrate or these sensors. Specifically, when the photoelectric sensor is used, if the processing liquid adheres to the substrate, light that should reach the photoelectric sensor is irregularly reflected, the sensor malfunctions, and the processing liquid adheres to the photoelectric sensor itself. Sometimes there is a risk of malfunction. In addition, the capacitance proximity sensor has a high risk of malfunction in detecting the processing liquid having a higher dielectric constant than the substrate first, and the ultrasonic sensor has a high risk of failure if the processing liquid adheres to the sensor. Exists.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
基板処理装置においては接触式のセンサが広く用いられ
ているが、接触式であるが故の問題点が存在する。この
問題点としては、例えば、基板との接触部が動くことか
ら必然的に可動部が存在するが繰り返し作動させるため
可動部が壊れることが多いことや、処理液が可動部で結
晶化して接触部が動かなくなることや、基板ではなく処
理液が接触部に当たることでセンサが誤作動してしまう
ことが挙げられる。
As described above, the contact type sensor is widely used in the conventional substrate processing apparatus, but there is a problem due to the contact type sensor. The problem is that, for example, the movable part is inevitably present due to the movement of the contact part with the substrate, but the movable part often breaks due to repeated operation, or the processing liquid crystallizes on the movable part and makes contact. The sensor may malfunction because the part does not move or the processing liquid hits the contact part instead of the substrate.

【0006】このようなことから、望ましくは接触式で
はなく非接触式のセンサを基板処理装置において採用し
たいが、前述したように処理液の存在から基板処理装置
に非接触式のセンサを採用することを選択することは難
しく、従来は接触式のセンサが用いられている。
For this reason, it is desirable to use a non-contact sensor instead of a contact sensor in the substrate processing apparatus. However, as described above, a non-contact sensor is used in the substrate processing apparatus due to the presence of the processing liquid. It is difficult to select this, and a contact-type sensor has been conventionally used.

【0007】本発明の課題は、非接触式のセンサを用
い、且つ非接触式のセンサを用いた場合の不具合を抑え
た基板処理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that uses a non-contact type sensor and that suppresses problems caused by using the non-contact type sensor.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、搬送手段と、処理液供給手段と、非接触検知手
段と、気体供給手段とを備えている。搬送手段は、基板
を搬送する。処理液供給手段は、基板に処理液を供給す
る。非接触検知手段は、基板に接触することなく所定位
置に基板が存在するか否かを検知することができる検知
手段である。気体供給手段は、検知位置又は検知位置近
傍に気体を吹き出す。この検知位置は、非接触検知手段
が検知する位置である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a transporting unit, a processing liquid supplying unit, a non-contact detecting unit, and a gas supplying unit. The transfer means transfers the substrate. The processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate. The non-contact detection unit is a detection unit that can detect whether or not the substrate exists at a predetermined position without contacting the substrate. The gas supply means blows out gas at or near the detection position. This detection position is a position detected by the non-contact detection means.

【0009】本請求項に係る装置では、検知位置又は検
知位置近傍に対して気体供給手段によって気体を吹き出
している。このため、処理液が基板に付着している場合
でも、検知位置においては基板に付着している処理液が
部分的に吹き飛ばされているという状態にすることがで
きる。したがって、非接触検知手段を使った場合に処理
液が基板に付着していることで誤作動が生じるいう不具
合がなくなり、搬送される基板を非接触検知手段によっ
て確実に検知することができる。
In the apparatus according to the present invention, gas is blown out to the detection position or the vicinity of the detection position by the gas supply means. For this reason, even when the processing liquid adheres to the substrate, the processing liquid adhering to the substrate can be partially blown off at the detection position. Therefore, when the non-contact detecting means is used, the malfunction that the processing liquid adheres to the substrate to cause a malfunction does not occur, and the conveyed substrate can be reliably detected by the non-contact detecting means.

【0010】なお、気体供給手段から吹き出す気体につ
いては、処理液の特性を考慮して窒素ガス等の不活性ガ
スを使用するのが望ましいことが多いが、特に問題がな
ければ高圧空気やその他の気体を用いればよい。
It is often desirable to use an inert gas such as a nitrogen gas in consideration of the characteristics of the processing solution for the gas blown out from the gas supply means. A gas may be used.

【0011】請求項2に係る基板処理装置は、請求項1
に記載の装置であって、カバーをさらに備えている。カ
バーは、非接触検知手段を囲うものである。また、この
カバーは、開口を有している。カバーの開口は、非接触
検知手段と検知位置とを結ぶ空間に位置している。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
2. The device according to claim 1, further comprising a cover. The cover surrounds the non-contact detecting means. The cover has an opening. The opening of the cover is located in a space connecting the non-contact detection means and the detection position.

【0012】本請求項に係る装置では、カバーによって
非接触検知手段を囲っているため、処理液や雰囲気中の
処理液のミストが非接触検知手段に付着することが抑え
られる。これにより、処理液等が非接触検知手段に付着
することにより発生する非接触検知手段の誤作動や故障
が抑えられる。したがって、基板処理装置における非接
触検知手段による搬送基板の検知がより確実なものとな
る。
In the apparatus according to the present invention, since the non-contact detecting means is surrounded by the cover, the processing liquid and the mist of the processing liquid in the atmosphere are suppressed from adhering to the non-contact detecting means. Thereby, malfunction or failure of the non-contact detection means caused by the treatment liquid or the like adhering to the non-contact detection means can be suppressed. Therefore, the detection of the transport substrate by the non-contact detection means in the substrate processing apparatus becomes more reliable.

【0013】なお、非接触検知手段が基板を検知するた
めに使う光や音波等をカバーが遮らないように、カバー
には非接触検知手段と検知位置とを結ぶ空間に開口が設
けられている。
The cover is provided with an opening in a space connecting the non-contact detection means and the detection position so that the cover does not block light or sound waves used by the non-contact detection means for detecting the substrate. .

【0014】請求項3に係る基板処理装置は、請求項1
に記載の装置であって、非接触検知手段は、気体供給手
段から吹き出される気体の流れの中に配置されている。
A third aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus.
The non-contact detection means is arranged in a flow of gas blown out from the gas supply means.

【0015】本請求項に係る装置では、検知位置又は検
知位置近傍に気体を吹き出すことを利用して、この気体
の流れの中に非接触検知手段を配置している。このた
め、処理液供給手段から供給される処理液や雰囲気中の
処理液のミストが非接触検知手段に近づくことが抑えら
れ、これらが非接触検知手段に付着することがほぼなく
なる。したがって、処理液等が非接触検知手段に付着す
ることにより発生する非接触検知手段の誤作動や故障が
抑えられ、基板処理装置における非接触検知手段による
搬送基板の検知がより確実なものとなる。言い換えれ
ば、気体供給手段から吹き出される気体は、検知位置に
きたときに基板に付着している処理液が部分的に吹き飛
ばされている状態にする役割を果たすとともに、処理液
等が非接触検知手段に付着することを抑制する役割も果
たしている。
In the device according to the present invention, the non-contact detecting means is arranged in the flow of the gas by utilizing the blowing of the gas at or near the detecting position. For this reason, the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit and the mist of the processing liquid in the atmosphere are suppressed from approaching the non-contact detection unit, and these are hardly attached to the non-contact detection unit. Therefore, malfunction or failure of the non-contact detection means caused by the processing liquid or the like adhering to the non-contact detection means is suppressed, and the detection of the transport substrate by the non-contact detection means in the substrate processing apparatus becomes more reliable. . In other words, the gas blown out from the gas supply means serves to make the processing liquid attached to the substrate partially blown off when it reaches the detection position, and the processing liquid etc. is used for non-contact detection. It also plays a role in suppressing adhesion to the means.

【0016】なお、気体供給手段による検知位置又は検
知位置近傍への気体の吹き出しは少なくとも検知が必要
なときに為されている必要があるが、検知を行わないと
きにおいても常時気体を吹き出しておけば、処理液等が
非接触検知手段に付着して非接触検知手段の機能を害し
たり非接触検知手段を損傷させたりする不具合をより効
果的に抑えることができる。
It is necessary that the gas supply means blows the gas to the detection position or to the vicinity of the detection position at least when the detection is required, but the gas is always blown even when the detection is not performed. If this is the case, it is possible to more effectively suppress the problem that the treatment liquid or the like adheres to the non-contact detection means and impairs the function of the non-contact detection means or damages the non-contact detection means.

【0017】請求項4に係る基板処理装置は、請求項3
に記載の装置であって、気体供給手段は、気体を吹き出
すノズルを有している。また、非接触検知手段は、気体
供給手段のノズル内に配置されている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
The gas supply means has a nozzle for blowing gas. Further, the non-contact detecting means is disposed in the nozzle of the gas supply means.

【0018】本請求項に係る装置では、気体を吹き出す
ノズル内に非接触検知手段を配置することによって、非
接触検知手段が気体供給手段から吹き出される気体の流
れの中に置かれるようにしている。ここでは、非接触検
知手段が概ねノズルによって囲まれることになり、また
ノズル内は吹き出す気体により外部から処理液のミスト
等を含んだ雰囲気が侵入してくる恐れが少ないため、非
接触検知手段に処理液や処理液のミストが付着すること
がほぼなくなり、非接触検知手段の誤作動や損傷の発生
確率を極めて小さくすることができる。
In the apparatus according to the present invention, the non-contact detecting means is arranged in the nozzle for blowing the gas so that the non-contact detecting means is placed in the flow of the gas blown from the gas supply means. I have. Here, the non-contact detection means is generally surrounded by the nozzle, and the inside of the nozzle is less likely to enter the atmosphere including the mist of the processing liquid from the outside due to the blown gas. The processing liquid and the mist of the processing liquid hardly adhere, and the probability of malfunction or damage of the non-contact detecting means can be extremely reduced.

【0019】請求項5に係る基板処理装置は、請求項1
から4のいずれかに記載の装置であって、制御手段をさ
らに備えている。制御手段は、非接触検知手段による検
知の必要がないときに、気体供給手段から吹き出す気体
の速度を小さくする制御を行う。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the first aspect.
5. The apparatus according to any one of items 1 to 4, further comprising control means. The control means performs control to reduce the speed of the gas blown out from the gas supply means when there is no need for detection by the non-contact detection means.

【0020】本請求項に係る装置では、搬送されている
基板の検知を行うときには気体供給手段から検知位置又
は検知位置近傍に吹き出す気体の速度を速くし、検知を
行わないときには吹き出す気体の速度を遅く(小さく)
している。このようにしているため、検知するときには
確実に基板に付着している処理液が吹き飛ばされて検知
が確実にされる一方、検知を行わないときには、部分的
にではあっても基板上の処理液が吹き飛ばされて基板処
理に悪影響を与えることが抑えられる。すなわち、検知
を行う必要がない場合にも速い速度で気体を検知位置を
通る基板に吹き付けていると基板処理に影響を与えて処
理の悪化や処理ムラの発生の恐れがあるが、ここでは検
知を行う必要がないときに吹き出す気体の速度を小さく
制御しているので処理の悪化や処理ムラの発生を抑える
ことができる。
In the apparatus according to the present invention, the speed of the gas blown from the gas supply means to the detection position or the vicinity of the detection position is increased when detecting the substrate being transferred, and the speed of the gas blown when the detection is not performed. Late (small)
are doing. In this way, when detection is performed, the processing liquid adhering to the substrate is reliably blown off to ensure detection. On the other hand, when detection is not performed, the processing liquid on the substrate is at least partially removed. Is prevented from being blown off and adversely affecting the substrate processing. That is, even when it is not necessary to perform the detection, if the gas is blown at a high speed on the substrate passing through the detection position, it may affect the substrate processing, and the processing may be deteriorated or the processing may be uneven. When it is not necessary to perform the process, the speed of the gas blown out is controlled to be small, so that it is possible to suppress the deterioration of the process and the occurrence of the process unevenness.

【0021】請求項6に係る基板処理装置は、請求項1
から4のいずれかに記載の装置であって、制御手段をさ
らに備えている。制御手段は、非接触検知手段による検
知の必要がないときに、気体供給手段から吹き出す気体
の量を減らす制御を行う。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
5. The apparatus according to any one of items 1 to 4, further comprising control means. The control means performs control to reduce the amount of gas blown from the gas supply means when there is no need for detection by the non-contact detection means.

【0022】本請求項に係る装置では、搬送されている
基板の検知を行うときには気体供給手段から検知位置又
は検知位置近傍に吹き出す気体の量を多くし、検知を行
わないときには吹き出す気体の量を少なくしている。こ
のようにしているため、検知するときには確実に基板に
付着している処理液が吹き飛ばされて検知が確実にされ
る一方、検知を行わないときには、部分的にではあって
も基板上の処理液が吹き飛ばされて基板処理に悪影響を
与えることが抑えられる。
In the apparatus according to the present invention, the amount of gas blown from the gas supply means to the detection position or near the detection position is increased when detecting the substrate being transferred, and the amount of gas blown when no detection is performed. I have less. In this way, when detection is performed, the processing liquid adhering to the substrate is reliably blown off to ensure detection. On the other hand, when detection is not performed, the processing liquid on the substrate is at least partially removed. Is prevented from being blown off and adversely affecting the substrate processing.

【0023】また、検知が必要なときにだけ気体供給手
段から気体を多く吹き出すようにしているため、非接触
検知手段による基板の検知のために必要な気体の総量が
抑制され、ランニングコストが抑えられる。
Further, since a large amount of gas is blown out from the gas supply means only when detection is necessary, the total amount of gas required for detecting the substrate by the non-contact detection means is suppressed, and the running cost is reduced. Can be

【0024】請求項7に係る基板処理装置は、請求項5
に記載の装置であって、制御手段は、搬送手段によって
搬送されてきた基板の進行方向前端部を検知位置におい
て非接触検知手段が検知したときに、気体供給手段から
吹き出す気体の速度を小さくする制御を行う。また、制
御手段は、基板が検知位置をそのまま通り過ぎる場合に
は、その後検知位置を基板が通り過ぎるまで、気体供給
手段から吹き出す気体の速度を小さくし続ける制御を行
う。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the fifth aspect.
Wherein the control means reduces the velocity of the gas blown from the gas supply means when the non-contact detection means detects the front end in the traveling direction of the substrate conveyed by the conveyance means at the detection position at the detection position. Perform control. Further, when the substrate passes the detection position as it is, the control unit performs control to keep the speed of the gas blown out from the gas supply unit low until the substrate passes the detection position thereafter.

【0025】本請求項に係る装置では、非接触検知手段
に、搬送される基板の進行方向前端部を検知することで
基板が所定位置に存在することを検知させる。そして、
基板がそのままの進行方向を維持して検知位置を通り過
ぎる場合には、基板の進行方向前端部を検知し終わった
後、基板が検知位置を通り過ぎるまで、気体供給手段か
ら吹き出す気体の速度を小さく保つ。
In the apparatus according to the present invention, the non-contact detecting means detects the presence of the substrate at the predetermined position by detecting the front end of the conveyed substrate in the traveling direction. And
When the substrate passes the detection position while maintaining the same traveling direction, after detecting the front end in the traveling direction of the substrate, until the substrate passes the detection position, keep the speed of the gas blown out from the gas supply means small. .

【0026】このような制御を行っているため、基板に
付着している処理液を吹き飛ばす程に速い速度で気体供
給手段から吹き出される気体は、基板の進行方向前端部
にしか衝突することがない。言い換えれば、基板の進行
方向前端部は検知位置又は検知位置近傍において気体の
吹き付けを受けて付着している処理液が吹き飛ばされる
が、基板の進行方向前端部を除く部分については、遅い
速度でしか気体が吹き付けられず処理液が基板から吹き
飛ばされる現象はほとんど起こらない。したがって、こ
こでは気体供給手段からの気体の吹き付けによって問題
となるような基板の処理の悪化や基板の処理ムラが発生
することがほぼなくなる。
Since such control is performed, the gas blown out of the gas supply means at such a high speed that the processing liquid adhering to the substrate is blown off may collide only with the front end in the traveling direction of the substrate. Absent. In other words, the front end in the traveling direction of the substrate is blown away by the gas at the detection position or in the vicinity of the detection position, and the attached processing liquid is blown off. The phenomenon that the processing liquid is blown off the substrate without blowing the gas hardly occurs. Therefore, the deterioration of the processing of the substrate and the unevenness of the processing of the substrate, which are problematic due to the blowing of the gas from the gas supply means, are almost eliminated.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】[第1実施形態] <装置の全体構成>図1に本発明の一実施形態である基
板処理装置1を示す。基板処理装置1は、液晶表示器用
のガラスの基板W上に形成された薄膜にエッチングを施
す装置であって、主として、入口コンベアチャンバー
2、エッチングチャンバー3、水洗チャンバー4,及び
乾燥搬出チャンバー5と、各チャンバー2〜5に配備さ
れる搬送ローラ(搬送手段)6とから構成されている。
各チャンバー2〜5の下方の空間には、エッチングチャ
ンバー3に薬液を供給するための薬液槽や配管、水洗チ
ャンバー4に純水を供給するための純水槽や配管、高圧
空気・排気・排液・排水等の各種配管、制御装置や電気
配線等が配置される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment <Overall Configuration of Apparatus> FIG. 1 shows a substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that etches a thin film formed on a glass substrate W for a liquid crystal display, and mainly includes an inlet conveyor chamber 2, an etching chamber 3, a washing chamber 4, and a drying / unloading chamber 5. And transport rollers (transport means) 6 provided in each of the chambers 2 to 5.
In a space below each of the chambers 2 to 5, a chemical tank and a pipe for supplying a chemical to the etching chamber 3, a pure water tank and a pipe for supplying pure water to the washing chamber 4, high-pressure air, exhaust, and drainage -Various piping such as drainage, control devices, electric wiring, etc. are arranged.

【0028】<装置の動作概略>表面に薄膜が形成され
た基板Wが基板処理装置1に運ばれてくると、まず基板
Wは入口コンベアチャンバー2に搬入される。その後、
基板Wは搬送ローラ6によってエッチングチャンバー3
に移動する。エッチングチャンバー3では、エッチング
用の薬液が基板Wに噴射され、基板表面上の薄膜が所定
の厚さだけ食刻される。このようにエッチングされた基
板Wは、次に水洗チャンバー4に送られて、基板Wに付
着した薬液が純水によって洗い流される。そして、水洗
処理を終えた基板Wは、乾燥搬出チャンバー5でエアー
の吹き付けによる乾燥処理が行われた後に搬出される。
このように、基板Wは、入口コンベアチャンバー2から
乾燥搬出チャンバー5へと、すなわち図1の左側から右
側へと搬送される。
<Outline of Operation of Apparatus> When a substrate W having a thin film formed on its surface is carried to the substrate processing apparatus 1, first, the substrate W is carried into the entrance conveyor chamber 2. afterwards,
The substrate W is transported by the transfer roller 6 to the etching chamber 3.
Go to In the etching chamber 3, a chemical solution for etching is sprayed on the substrate W, and a thin film on the substrate surface is etched by a predetermined thickness. The substrate W thus etched is then sent to the rinsing chamber 4, where the chemical solution attached to the substrate W is washed away with pure water. Then, the substrate W that has been subjected to the water washing process is carried out after the drying process by blowing air is performed in the drying / unloading chamber 5.
As described above, the substrate W is transferred from the inlet conveyor chamber 2 to the drying / unloading chamber 5, that is, from the left side to the right side in FIG.

【0029】なおここでは、基板Wは各チャンバー2〜
5において所定の傾斜状態とされて処理・搬送される。
搬送ローラ6は、その長手方向が基板Wの搬送方向Dに
直交するようにそれぞれ配置されており、基板Wを傾斜
状態に保持しながら搬送する。この搬送ローラ6の上方
には、基板Wが通過する搬送経路C(図1において1点
鎖線で図示)が形成される。搬送ローラ6の傾斜、すな
わち基板Wの傾斜は、エッチングの処理効率等を考慮し
て水平面に対して5゜〜10゜に設定されている。
In this case, the substrate W is placed in each of the chambers 2 to
At 5, it is processed and transported in a predetermined inclined state.
The transport rollers 6 are arranged such that their longitudinal directions are orthogonal to the transport direction D of the substrate W, and transport the substrate W while holding the substrate W in an inclined state. Above the transport roller 6, a transport path C (shown by a dashed line in FIG. 1) through which the substrate W passes is formed. The inclination of the transport roller 6, that is, the inclination of the substrate W, is set at 5 ° to 10 ° with respect to the horizontal plane in consideration of the etching processing efficiency and the like.

【0030】<各チャンバーの構成及び動作>エッチン
グチャンバー3には、図1に示すように、主として、基
板Wに薬液を噴射するスプレーノズル33、基板Wを搬
送ローラ6によって搬送経路Cに沿って揺動させるとき
に使用する位置センサ(非接触検知手段)34,35、
及びエッチングの終点を検出するEPS(エンド・ポイ
ント・センサ)36が配置されている。スプレーノズル
33は、それぞれ基板Wの搬送経路Cに沿って延設さ
れ、基板Wの幅方向に等間隔に複数の吐出口が配置され
ている。また、スプレーノズル33は、基板Wが両位置
センサ34,35間に搬入されてきた後に、その長手方
向を軸として所定角度だけ往復回転運動しながら基板W
に概ね均一に薬液を噴射する。位置センサ34,35の
詳細については後述する。このエッチングチャンバー3
内ではEPS36によってエッチングの終了が自動的に
検出されるが、それまでの間、基板Wは、搬送経路Cに
沿って両位置センサ34,35の間を往復動することに
よって揺動しながら、スプレーノズル33から薬液の噴
射を受ける。
<Configuration and Operation of Each Chamber> In the etching chamber 3, as shown in FIG. 1, a spray nozzle 33 for injecting a chemical solution onto the substrate W, and the substrate W are moved along the transport path C by the transport roller 6 as shown in FIG. Position sensors (non-contact detecting means) 34, 35 used for swinging;
And an EPS (end point sensor) 36 for detecting the end point of the etching. The spray nozzles 33 extend along the transport path C of the substrate W, and a plurality of discharge ports are arranged at equal intervals in the width direction of the substrate W. After the substrate W is carried in between the position sensors 34 and 35, the spray nozzle 33 rotates the substrate W reciprocally by a predetermined angle about the longitudinal direction thereof.
The chemical solution is sprayed almost uniformly. Details of the position sensors 34 and 35 will be described later. This etching chamber 3
In the inside, the end of the etching is automatically detected by the EPS 36. In the meantime, the substrate W is oscillated by reciprocating between the position sensors 34 and 35 along the transport path C until then. The spray nozzle 33 receives the injection of the chemical solution.

【0031】水洗チャンバー4には、主として、上部洗
浄スプレー41、下部洗浄スプレー42、位置センサ
(非接触検知手段)43,44、及び入口カーテン45
が配置されている。上部及び下部洗浄スプレー41,4
2は、基板Wに対して純水を噴射する。位置センサ4
3,44は、水洗チャンバー4内における基板Wの搬送
経路C上の位置を検出する光電センサである。この位置
センサ43,44の詳細については後述する。入口カー
テン45は、基板Wに対して、純水を搬送方向Dと交わ
る方向にわたってカーテン状に供給する。
The washing chamber 4 mainly includes an upper cleaning spray 41, a lower cleaning spray 42, position sensors (non-contact detecting means) 43 and 44, and an entrance curtain 45.
Is arranged. Upper and lower cleaning sprays 41, 4
2 injects pure water to the substrate W. Position sensor 4
Reference numerals 3 and 44 denote photoelectric sensors that detect the position of the substrate W on the transport path C in the washing chamber 4. Details of the position sensors 43 and 44 will be described later. The entrance curtain 45 supplies pure water to the substrate W in a curtain shape in a direction intersecting with the transport direction D.

【0032】エッチングチャンバー3において薬液によ
るエッチングが施され薬液が付着した状態の基板Wが、
搬送ローラ6によって水洗チャンバー4に送られてくる
と、入口カーテン45から層状の純水をかけられた後、
基板Wは所定の時間だけ両位置センサ43,44の間を
行ったり来たりの揺動を繰り返す。このときに、上部及
び下部洗浄スプレー41,42から基板Wに対して純水
が噴射される。この純水が基板Wに接触衝突して、基板
Wに付着している薬液を基板Wから洗い流す。基板Wを
洗浄し薬液と混じり合って汚染された純水は、水洗チャ
ンバー4の下部から排出される。
The substrate W in a state where the etching is performed by the chemical solution in the etching chamber 3 and the chemical solution is attached,
When it is sent to the washing chamber 4 by the transport roller 6, layered pure water is applied from the entrance curtain 45,
The substrate W repeatedly swings back and forth between the two position sensors 43 and 44 for a predetermined time. At this time, pure water is sprayed onto the substrate W from the upper and lower cleaning sprays 41 and 42. The pure water comes into contact with and collides with the substrate W, and the chemical solution attached to the substrate W is washed away from the substrate W. Pure water contaminated by cleaning the substrate W and mixing with the chemical solution is discharged from the lower portion of the water cleaning chamber 4.

【0033】乾燥搬出チャンバー5には、基板Wにドラ
イエアーを噴射する上下エアーナイフ51,52が設け
られている。この乾燥搬出チャンバー5内では、水洗チ
ャンバー4での水洗処理後に基板Wに残留した純水を両
エアーナイフ51,52から噴射されるドライエアーに
より吹き飛ばし、基板Wを乾燥させる。
The drying / unloading chamber 5 is provided with upper and lower air knives 51 and 52 for injecting dry air onto the substrate W. In the drying / unloading chamber 5, the pure water remaining on the substrate W after the rinsing process in the rinsing chamber 4 is blown off by the dry air jetted from the air knives 51 and 52 to dry the substrate W.

【0034】<位置センサ及びスポットノズル>エッチ
ングチャンバー3の位置センサ34,35及び水洗チャ
ンバー4の位置センサ43,44は、同様の構成であ
り、また同様の方法で基板Wの搬送経路C上を搬送され
る基板Wが各位置センサの直下に来たことを検知する。
したがって、以下位置センサ34について以下に詳しく
説明を行うが、他の位置センサ35,43,44につい
ては詳しい説明を省略する。
<Position Sensor and Spot Nozzle> The position sensors 34 and 35 of the etching chamber 3 and the position sensors 43 and 44 of the washing chamber 4 have the same configuration, and move on the transport path C of the substrate W in the same manner. It detects that the substrate W to be conveyed has come directly under each position sensor.
Therefore, the position sensor 34 will be described below in detail, but the other position sensors 35, 43, and 44 will not be described in detail.

【0035】図2に位置センサ34付近の断面を示す。
位置センサ34は、搬送経路Cの上方に配置され、下向
きに投光して基板Wの表面で反射される反射光を受光す
ることによって(光の投光、反射、受光を図2において
点線の矢印で模擬的に図示)検知位置Pに基板Wが存在
するか否かを検知することができる反射型の光電センサ
である。
FIG. 2 shows a cross section near the position sensor 34.
The position sensor 34 is disposed above the transport path C, and projects light downward to receive reflected light reflected on the surface of the substrate W (light projection, reflection, and light reception are indicated by dotted lines in FIG. 2). This is a reflection type photoelectric sensor capable of detecting whether or not the substrate W exists at the detection position P (simulated by an arrow).

【0036】この位置センサ34の投光部及び受光部を
含む本体は、図2に示すように、検知位置Pに窒素ガス
をスポット的に吹き付けるために設けられた概ね円筒状
のスポットノズル340の内部に配置されている。検知
位置Pは、基板Wの搬送経路C上に位置している。この
スポットノズル340は、搬送経路Cに直交する装置1
の幅方向に1箇所だけ設けられており、下端が絞られて
いる。絞られた下端の開口340aは、検知位置Pに近
接して配置されている。そして、検知時には、この開口
340aから下方に吹き付けられる窒素ガス(流れの向
きを図2において2点鎖線の矢印で図示)によって、搬
送されてきて検知位置Pを通る基板Wの一部分では、付
着している処理液(薬液)Lが吹き飛ばされる(図2参
照)。
As shown in FIG. 2, the main body of the position sensor 34 including the light projecting portion and the light receiving portion is provided with a substantially cylindrical spot nozzle 340 provided for spraying nitrogen gas onto the detection position P in a spot-like manner. Located inside. The detection position P is located on the transport path C of the substrate W. The spot nozzle 340 is connected to the device 1 orthogonal to the transport path C.
Are provided at only one location in the width direction, and the lower end is narrowed. The narrowed lower opening 340a is arranged close to the detection position P. At the time of detection, a part of the substrate W which is transported by the nitrogen gas (flow direction is indicated by a two-dot chain arrow in FIG. 2) blown downward from the opening 340a and passes through the detection position P adheres. The processing liquid (chemical liquid) L is blown off (see FIG. 2).

【0037】また、このスポットノズル340には、上
部に接続されている窒素ガス供給管340bから窒素ガ
スが供給される。このため、スポットノズル340内の
窒素ガスの流れは、上側から下側に流れる一方通行の流
れとなる。そして、位置センサ34はこのスポットノズ
ル340内に収容されているため、窒素ガスの流れの中
に配置されていることになる。そして、スポットノズル
340の開口340aからは常時下方に窒素ガスを吹き
出すので、スポットノズル340の外部からエッチング
チャンバー3内の薬液のミストを含んだ雰囲気が侵入し
てくることはなく、位置センサ34にも薬液のミストを
含んだ雰囲気が近づくことがない。
A nitrogen gas is supplied to the spot nozzle 340 from a nitrogen gas supply pipe 340b connected to the upper portion. Therefore, the flow of the nitrogen gas in the spot nozzle 340 is a one-way flow flowing from the upper side to the lower side. Since the position sensor 34 is housed in the spot nozzle 340, it is arranged in the flow of the nitrogen gas. Since nitrogen gas is always blown downward from the opening 340 a of the spot nozzle 340, the atmosphere containing the mist of the chemical solution in the etching chamber 3 does not enter from outside the spot nozzle 340, and Also, the atmosphere containing the mist of the chemical does not approach.

【0038】位置センサ35,43,44についても、
それぞれを囲うように配置されたスポットノズル35
0,430,440が存在し(図1参照)、これらから
下方に吹き出される窒素ガス(スポットノズル430,
440についてはエアー)によって検知位置を通る基板
Wの一部分に付着している薬液又は純水が吹き飛ばされ
る。また、スポットノズル350,430,440の外
部からエッチングチャンバー3内の薬液のミスト又は水
洗チャンバー4内の薬液や純水のミストを含んだ雰囲気
が侵入してくることはなく、位置センサ35,43,4
4にもミストを含んだ雰囲気が近づくことがない。
As for the position sensors 35, 43, and 44,
Spot nozzles 35 arranged to surround each
0, 430, and 440 (see FIG. 1), and nitrogen gas (spot nozzles 430, 430,
The chemical liquid or pure water attached to a part of the substrate W passing through the detection position is blown off by air (440). Also, the atmosphere containing the mist of the chemical solution in the etching chamber 3 or the mist of the chemical solution or the pure water mist in the washing chamber 4 does not enter from outside the spot nozzles 350, 430, 440, and the position sensors 35, 43. , 4
The atmosphere containing the mist does not come close to 4.

【0039】なお、スポットノズル340,350,4
30,440が下方に吹き出す窒素ガス/エアーの量
は、後述する制御部70の制御によって大小が切り替わ
るようにされている。窒素ガス/エアーの量が大きくさ
れたときには、基板Wに付着している液体を吹き飛ばす
ことができる速度で、窒素ガス/エアーが基板Wにぶつ
かる。窒素ガス/エアーの量が小さくされたときには、
基板Wにぶつかるときの窒素ガス/エアーの速度は極め
て遅くなって、基板Wに付着している液体は殆ど流動し
ない。
The spot nozzles 340, 350, 4
The magnitude of the amount of nitrogen gas / air blown downward by the units 30 and 440 is switched by the control of the control unit 70 described later. When the amount of the nitrogen gas / air is increased, the nitrogen gas / air hits the substrate W at such a speed that the liquid adhering to the substrate W can be blown off. When the amount of nitrogen gas / air is reduced,
The speed of the nitrogen gas / air at the time of collision with the substrate W becomes extremely slow, and the liquid adhering to the substrate W hardly flows.

【0040】<装置の制御>次に、本基板処理装置1の
主としてエッチングチャンバー3及び水洗チャンバー4
における基板処理の制御について説明する。
<Control of Apparatus> Next, the etching chamber 3 and the rinsing chamber 4 of the substrate processing apparatus 1 are mainly used.
The control of the substrate processing in the above will be described.

【0041】図3に制御系統を示す。制御部70には、
位置センサ34,35,43,44やEPS36からの
信号が入力される。これらの入力信号を基に、制御部7
0は、搬送ローラ6、スプレーノズル33、入口カーテ
ン45,洗浄スプレー41,42、エアーナイフ51,
52、スポットノズル340,350,430,440
等に指令を発する。この制御部70は、以下のように制
御を行う。入口コンベアチャンバー2からエッチングチ
ャンバー3へと基板Wを搬送するときには、基板Wが乾
燥した状態であってスポットノズル340,350から
窒素ガスを吹き出して基板Wから液体を吹き飛ばす必要
がないため、スポットノズル340,350から吹き出
す窒素ガスの量を小さくした状態で基板Wをエッチング
チャンバー3に搬入する。
FIG. 3 shows a control system. In the control unit 70,
Signals from the position sensors 34, 35, 43, 44 and the EPS 36 are input. Based on these input signals, the control unit 7
0 denotes a conveying roller 6, a spray nozzle 33, an entrance curtain 45, cleaning sprays 41 and 42, an air knife 51,
52, spot nozzles 340, 350, 430, 440
Etc. The control unit 70 performs control as follows. When transporting the substrate W from the inlet conveyor chamber 2 to the etching chamber 3, the substrate W is in a dry state, and there is no need to blow nitrogen gas from the spot nozzles 340 and 350 to blow liquid from the substrate W. The substrate W is carried into the etching chamber 3 with the amount of nitrogen gas blown from 340 and 350 reduced.

【0042】位置センサ35により基板Wの進行方向前
端部が位置センサ35の直下にある検知位置に来たこと
を確認すると、制御部70はエッチングチャンバー3内
の搬送ローラ6を停止する。そして、スプレーノズル3
3からエッチング用の薬液を噴射させてエッチングを開
始する。
When the position sensor 35 confirms that the front end of the substrate W in the traveling direction has reached the detection position immediately below the position sensor 35, the control unit 70 stops the transport roller 6 in the etching chamber 3. And spray nozzle 3
Etching is started by spraying a chemical solution for etching from 3.

【0043】このエッチング時には、搬送ローラ6の回
転方向を切り替えて基板Wを位置センサ34,35間で
揺動させるため位置センサ34,35による基板Wの位
置検知が必要となるが、このときには基板W上に薬液が
付着している状態(載っている状態)であるため、スポ
ットノズル340,350から吹き出す窒素ガスの量を
大きくする。これにより、位置センサ34,35の直下
にある検知位置に基板Wの進行方向前端部(位置センサ
34では基板Wの入口コンベアチャンバー2側の端部/
位置センサ35では基板Wの水洗チャンバー4側の端
部)が入ったときに、この部分に付着している薬液が窒
素ガスの吹き付けによって吹き飛ばされて基板Wの表面
が露出した状態となるため、位置センサ34,35が確
実に基板Wの進行方向前端部の存在を検知することがで
きる。
At the time of this etching, the rotation direction of the transport roller 6 is switched to swing the substrate W between the position sensors 34 and 35, so that the position sensors 34 and 35 need to detect the position of the substrate W. Since the chemical liquid is attached to W (it is placed on it), the amount of nitrogen gas blown out from spot nozzles 340 and 350 is increased. Accordingly, the front end of the substrate W in the traveling direction (the end of the substrate W on the entrance conveyor chamber 2 side /
When the position sensor 35 enters the edge of the substrate W on the side of the washing chamber 4), the chemical liquid adhering to this portion is blown off by blowing nitrogen gas to expose the surface of the substrate W, The position sensors 34 and 35 can reliably detect the presence of the front end of the substrate W in the traveling direction.

【0044】この基板Wの揺動制御においては、制御部
70は、位置センサ34から検知の信号を受けると搬送
ローラ6を正回転(搬送方向Dに基板Wを搬送する回
転)に切り替え、位置センサ35から検知信号を受ける
と搬送ローラ6を逆回転に切り替える。これにより、基
板Wは、スプレーノズル33からの薬液の噴射を受けな
がら、位置センサ34,35間で搬送経路Cに沿って行
ったり来たりの揺動をする。
In the swing control of the substrate W, when the control unit 70 receives a detection signal from the position sensor 34, the control unit 70 switches the transport roller 6 to forward rotation (rotation for transporting the substrate W in the transport direction D). Upon receiving the detection signal from the sensor 35, the transport roller 6 is switched to the reverse rotation. Accordingly, the substrate W swings back and forth along the transport path C between the position sensors 34 and 35 while receiving the injection of the chemical solution from the spray nozzle 33.

【0045】EPS36によってエッチングの完了が検
知されると、制御部70は、スプレーノズル33からの
薬液の噴射を止めて、スポットノズル340,350か
ら吹き出す窒素ガスの量を小さくする。そして、基板W
のエッチングチャンバー3から水洗チャンバー4への搬
送処理に移る。このときには、スポットノズル350か
らの窒素ガスの吹き出し速度が極めて遅くなっているた
め、位置センサ35の検知位置を通る基板Wの幅方向の
一部分だけから基板W上の薬液が吹き飛ばされエッチン
グの処理に処理ムラが生じるというような不具合が発生
しない。なお、少なくとも後述するように基板Wが水洗
チャンバー4に搬入されたことが確認されるまでは、ス
ポットノズル350から吹き出す窒素ガスの量を小さく
したまま保持する。
When the completion of the etching is detected by the EPS 36, the control unit 70 stops the injection of the chemical solution from the spray nozzle 33 and reduces the amount of nitrogen gas blown out from the spot nozzles 340 and 350. And the substrate W
Transfer processing from the etching chamber 3 to the washing chamber 4 is performed. At this time, since the blowing speed of the nitrogen gas from the spot nozzle 350 is extremely low, the chemical solution on the substrate W is blown away from only a part of the width of the substrate W passing through the detection position of the position sensor 35, and the etching process is performed. A problem such as uneven processing does not occur. Note that the amount of nitrogen gas blown out from the spot nozzle 350 is kept small at least until it is confirmed that the substrate W has been carried into the washing chamber 4 as described later.

【0046】水洗チャンバー4に基板Wを搬入させると
きには、入口カーテン45から搬送されてくる基板Wに
対して純水をカーテン状に吹きかけるとともに、スポッ
トノズル430,440から吹き出すエアーの量を大き
くする。そして、入口カーテン45よりも若干乾燥搬出
チャンバー5寄りに配置されている位置センサ43及び
乾燥搬出チャンバー5側に配置されている位置センサ4
4によって、搬送されてくる基板Wの位置を検知する。
このときには、スポットノズル430からエアーが速い
速度で吹き出されているため、位置センサ43の検知位
置を通る基板Wの幅方向(基板表面において、搬送方向
Dと直交する方向)の一部分については基板W上から液
体が吹き飛ばされるが、ここを通るときには既に基板W
には入口カーテン45から純水がかけられており、スポ
ットノズル430から吹き出されるエアーがエッチング
の処理に影響を与えることは殆どない。
When the substrate W is carried into the washing chamber 4, pure water is sprayed in a curtain shape on the substrate W conveyed from the entrance curtain 45, and the amount of air blown out from the spot nozzles 430 and 440 is increased. Then, the position sensor 43 arranged slightly closer to the drying and unloading chamber 5 than the entrance curtain 45 and the position sensor 4 arranged on the drying and unloading chamber 5 side
4, the position of the transferred substrate W is detected.
At this time, since the air is blown out from the spot nozzle 430 at a high speed, the substrate W passes through a detection position of the position sensor 43 in a part of the width direction of the substrate W (a direction orthogonal to the transport direction D on the substrate surface). The liquid is blown off from above, but when passing through it, the substrate W
Is supplied with pure water from the entrance curtain 45, and the air blown out from the spot nozzle 430 hardly affects the etching process.

【0047】位置センサ44により基板Wの進行方向前
端部が位置センサ44の直下にある検知位置に来たこと
を確認すると、制御部70は水洗チャンバー4内の搬送
ローラ6を停止する。そして、洗浄スプレー41,42
から純水を噴射させて洗浄処理を開始する。
When the position sensor 44 confirms that the front end of the substrate W in the traveling direction has reached the detection position immediately below the position sensor 44, the control unit 70 stops the transport roller 6 in the washing chamber 4. And the cleaning sprays 41 and 42
To start the cleaning process.

【0048】この洗浄処理時には、搬送ローラ6の回転
方向を切り替えて基板Wを位置センサ43,44間で揺
動させるため位置センサ43,44による基板Wの位置
検知が必要となるが、このときには基板W上に純水が載
っている状態であるため、スポットノズル430,44
0から吹き出すエアーの量を大きくしておく。これによ
り、位置センサ43,44の直下にある検知位置に基板
Wの進行方向前端部(位置センサ43では基板Wのエッ
チングチャンバー3側の端部/位置センサ44では基板
Wの乾燥搬出チャンバー5側の端部)が入ったときに、
この部分に載っている純水がエアーの吹き付けによって
吹き飛ばされているため、位置センサ43,44が確実
に基板Wの進行方向前端部の存在を検知することができ
る。
In this cleaning process, the position of the substrate W is required to be detected by the position sensors 43 and 44 in order to swing the substrate W between the position sensors 43 and 44 by switching the rotation direction of the transport roller 6. Since pure water is placed on the substrate W, the spot nozzles 430, 44
Increase the amount of air blown from zero. Thus, the front end in the traveling direction of the substrate W (the end of the substrate W on the side of the etching chamber 3 in the position sensor 43 / the side of the drying / unloading chamber 5 of the substrate W in the position sensor 44) is located at the detection position immediately below the position sensors 43 and 44. End)
Since the pure water on this portion is blown off by blowing air, the position sensors 43 and 44 can reliably detect the presence of the front end of the substrate W in the traveling direction.

【0049】この基板Wの揺動制御においては、制御部
70は、位置センサ43から検知の信号を受けると搬送
ローラ6を正回転に切り替え、位置センサ44から検知
信号を受けると搬送ローラ6を逆回転に切り替える。こ
れにより、基板Wは、洗浄スプレー41,42からの純
水の噴射を受けながら、位置センサ43,44間で搬送
経路Cに沿って行ったり来たりの揺動をする。
In the swing control of the substrate W, the control unit 70 switches the transport roller 6 to forward rotation when receiving a detection signal from the position sensor 43, and switches the transport roller 6 when receiving the detection signal from the position sensor 44. Switch to reverse rotation. Thus, the substrate W swings back and forth along the transport path C between the position sensors 43 and 44 while receiving the jet of pure water from the cleaning sprays 41 and 42.

【0050】所定の時間が経過して洗浄処理が完了する
と、制御部70は、洗浄スプレー41,42からの純水
の噴射を止めて、スポットノズル430,440から吹
き出すエアーの量を小さくする。そして、基板Wの水洗
チャンバー4から乾燥搬出チャンバー5への搬送処理に
移る。
When the cleaning process is completed after a lapse of a predetermined time, the control unit 70 stops the injection of the pure water from the cleaning sprays 41 and 42, and reduces the amount of air blown out from the spot nozzles 430 and 440. Then, the process proceeds to a process of transporting the substrate W from the washing chamber 4 to the drying / unloading chamber 5.

【0051】<装置の特徴> (1)本装置1では、図1及び図2に示すように、スポ
ットノズル340,350,430,440を設けて、
検知位置Pに対して窒素ガス/エアーを吹き付けてい
る。このため、薬液や純水といった処理液が基板W上に
付着している場合でも、検知位置Pにおいては基板Wに
付着している処理液が部分的に吹き飛ばされているとい
う状態となる。したがって、処理液が基板に付着してい
ることで非接触式の反射型光電センサである位置センサ
34,35,43,44が誤作動してしまうことがなく
なり、搬送される基板Wを確実に検知することができて
いる。
<Features of Apparatus> (1) In the present apparatus 1, spot nozzles 340, 350, 430, and 440 are provided as shown in FIGS.
Nitrogen gas / air is blown to the detection position P. For this reason, even when a processing liquid such as a chemical solution or pure water adheres to the substrate W, the processing liquid adhering to the substrate W is partially blown off at the detection position P. Therefore, the position sensors 34, 35, 43, and 44, which are non-contact reflective photoelectric sensors, are prevented from malfunctioning due to the treatment liquid adhering to the substrate, and the substrate W to be transported can be reliably transferred. Can be detected.

【0052】(2)本装置1では、スポットノズル34
0,350,430,440から検知位置に窒素ガス/
エアーを吹き出すことを利用して、この窒素ガス/エア
ーの流れの中、すなわちスポットノズル340,35
0,430,440の内部に位置センサ34,35,4
3,44を配置している。すなわち、位置センサ34,
35,43,44は、スポットノズル340,350,
430,440によって囲われ、且つスポットノズル3
40,350,430,440内は正圧となっている。
このため、エッチングチャンバー3内で噴射されている
薬液や雰囲気中のミスト、あるいは水洗チャンバー4内
の噴射されている純水や雰囲気中のミストが位置センサ
34,35,43,44に近づいて付着することがなく
なる。したがって、薬液等や薬液等のミストが位置セン
サ34,35,43,44に付着することにより発生す
る位置センサ34,35,43,44の誤作動や故障が
抑えられ、基板処理装置1における位置センサ34,3
5,43,44による基板Wの検知がより確実なものと
なっている。
(2) In the present apparatus 1, the spot nozzle 34
0, 350, 430, 440 to the detection position
By blowing air, the nitrogen gas / air flow, that is, spot nozzles 340, 35
Position sensors 34, 35, 4 inside 0, 430, 440
3, 44 are arranged. That is, the position sensor 34,
35, 43, and 44 are spot nozzles 340, 350,
430, 440 and spot nozzle 3
The inside of 40, 350, 430, 440 has a positive pressure.
For this reason, the chemical solution sprayed in the etching chamber 3 and the mist in the atmosphere, or the pure water sprayed in the washing chamber 4 and the mist in the atmosphere approach the position sensors 34, 35, 43, and 44 and adhere thereto. Will not be done. Therefore, malfunctions and failures of the position sensors 34, 35, 43, and 44 caused by the adhesion of the chemical solution or the like and the mist of the chemical solution to the position sensors 34, 35, 43, and 44 are suppressed, and the position in the substrate processing apparatus 1 is reduced. Sensor 34, 3
Detection of the substrate W by 5, 43, 44 is more reliable.

【0053】(3)本装置1では、搬送されている基板
Wの検知を行うときにはスポットノズル340,350
から検知位置に吹き出す窒素ガスの量を増やして速度を
速くし、検知を行わないときには吹き出す窒素ガスの量
を減らして速度を遅くしている。このようにしているた
め、検知するときには確実に基板Wに付着している薬液
が吹き飛ばされて検知が確実になる一方、検知を行わな
いときには、基板Wの幅方向に部分的にではあっても基
板W上の薬液が吹き飛ばされてエッチングの処理に悪影
響を与えることが抑えられる。すなわち、検知を行う必
要がない場合にも速い速度で窒素ガスを検知位置を通る
基板Wに吹き付けているとエッチングの処理に影響を与
えて処理の悪化や処理ムラの発生の恐れがあるが、ここ
では検知を行う必要がないときに吹き出す窒素ガスの速
度が小さくなるように制御しているので処理の悪化や処
理ムラの発生を抑えることができている。
(3) In the present apparatus 1, when detecting the transported substrate W, the spot nozzles 340, 350
The speed is increased by increasing the amount of nitrogen gas blown out from the sensor to the detection position, and the speed is reduced by reducing the amount of nitrogen gas blown out when no detection is performed. Because of this, when detection is performed, the chemical liquid adhering to the substrate W is reliably blown off to ensure detection. On the other hand, when detection is not performed, even if the detection is partially performed in the width direction of the substrate W. It is possible to prevent the chemical solution on the substrate W from being blown off and adversely affecting the etching process. That is, even when it is not necessary to perform the detection, if the nitrogen gas is sprayed at a high speed on the substrate W passing through the detection position, it may affect the etching process and may deteriorate the process or cause uneven processing. Here, the control is performed such that the velocity of the nitrogen gas blown out when it is not necessary to perform the detection can suppress the deterioration of the processing and the occurrence of the processing unevenness.

【0054】また、検知が必要なときにだけ窒素ガスを
多く吹き出すようにしているため、位置センサ34,3
5による基板Wの検知のために必要な窒素ガスの総量が
抑制され、ランニングコストが抑えられている。
Also, since a large amount of nitrogen gas is blown out only when detection is necessary, the position sensors 34 and 3
5, the total amount of nitrogen gas required for detecting the substrate W is suppressed, and the running cost is suppressed.

【0055】(4)本装置1では、搬送されている基板
の検知を行うときにはスポットノズル430,440か
ら検知位置に吹き出すエアーの量を多くし、検知を行わ
ないときには吹き出すエアーの量を少なくしている。こ
のように検知が必要なときにだけエアーを多く吹き出す
ようにしているため、位置センサ43,44による基板
Wの検知のために必要なエアーの総量が抑制され、ラン
ニングコストが抑えられている。
(4) In the present apparatus 1, the amount of air blown from the spot nozzles 430 and 440 to the detection position is increased when detecting a substrate being transported, and the amount of air blown is reduced when detection is not performed. ing. Since a large amount of air is blown out only when detection is necessary, the total amount of air required for detecting the substrate W by the position sensors 43 and 44 is suppressed, and the running cost is suppressed.

【0056】(5)本装置1では、エッチングチャンバ
ー3から水洗チャンバー4へと基板Wを搬送する際に、
スポットノズル350からの窒素ガスの吹き出し量を小
さくして吹き出し速度が極めて遅くなるように制御して
いる。このため、基板Wに付着している薬液を吹き飛ば
す程に速い速度でスポットノズル350から吹き出され
る窒素ガスは、基板Wの進行方向前端部にしか衝突する
ことがない。言い換えれば、揺動時に基板Wの進行方向
前端部は検知位置において窒素ガスの吹き付けを受けて
付着している薬液が吹き飛ばされるが、基板Wの進行方
向前端部を除く部分については、遅い速度でしか窒素ガ
スが吹き付けられず、薬液が基板W上から吹き飛ばされ
る現象は起こらない。したがって、ここでは、位置セン
サ35の検知位置を通る基板Wの幅方向の一部分から基
板W上の薬液が吹き飛ばされエッチングの処理が悪化し
たり処理ムラが生じるというような不具合が発生しな
い。
(5) In the present apparatus 1, when the substrate W is transferred from the etching chamber 3 to the washing chamber 4,
The amount of nitrogen gas blown out from the spot nozzle 350 is controlled so that the blowout speed becomes extremely slow. For this reason, the nitrogen gas blown out from the spot nozzle 350 at such a high speed that the chemical solution attached to the substrate W is blown off collides only with the front end of the substrate W in the traveling direction. In other words, at the time of swinging, the front end of the substrate W in the traveling direction is blown with the nitrogen gas at the detection position and the attached chemical solution is blown off. Only the nitrogen gas is blown, and the phenomenon that the chemical solution is blown off from above the substrate W does not occur. Therefore, here, there is no problem such that the chemical solution on the substrate W is blown off from a part of the width direction of the substrate W passing through the detection position of the position sensor 35, thereby deteriorating the etching process and causing the processing unevenness.

【0057】(6)本装置1では、接触式の位置センサ
ではなく非接触式の位置センサ34,35,43,44
を採用しているため、これらを搬送経路Cの上方に配置
することができ、搬送ローラ6の配置にかかわらず平面
的に搬送ローラ6と重なる位置に位置センサ34,43
を配置できている。
(6) In the present device 1, non-contact type position sensors 34, 35, 43, 44 are used instead of contact type position sensors.
, These can be arranged above the conveying path C, and the position sensors 34 and 43 are located at positions overlapping the conveying roller 6 in a plane regardless of the arrangement of the conveying roller 6.
Can be arranged.

【0058】(7)本装置1では、位置センサ34、3
5から吹き出す窒素ガス、および、位置センサ43、4
4から吹き出すエアーの量を基板の検知を行わないとき
には少なくして、スポットノズル340、350、43
0、440内を流れる窒素ガスまたはエアーの速度を遅
くしている。このため、窒素ガスまたはエアーの速度を
遅くしているときは窒素ガスまたはエアーが位置センサ
34、35、43、44に与える物理的な力は小さくな
る。
(7) In the present apparatus 1, the position sensors 34, 3
5 and the position sensors 43 and 4
4 is reduced when the substrate is not detected, so that the spot nozzles 340, 350, 43
The speed of the nitrogen gas or air flowing in the chambers 0 and 440 is reduced. Therefore, when the speed of the nitrogen gas or air is reduced, the physical force that the nitrogen gas or air exerts on the position sensors 34, 35, 43, and 44 becomes small.

【0059】従って、基板上の液体を吹き飛ばす程、多
量の窒素ガスまたはエアーを高速で常時流している場合
に比べて位置センサ34、35、43、44が物理的な
力によって故障することが少なくなる。
Therefore, as the liquid on the substrate is blown off, the position sensors 34, 35, 43, and 44 are less likely to break down due to physical force than when a large amount of nitrogen gas or air is constantly flowing at a high speed. Become.

【0060】よって、位置センサ34、35、43、4
4を交換するまでの期間が長くなり、装置のランニング
コストの上昇を防止することができる。
Therefore, the position sensors 34, 35, 43, 4
4 becomes longer, and the running cost of the apparatus can be prevented from increasing.

【0061】<他の実施形態> (A)本発明は、上記のようなエッチングに関する基板
処理装置1に限らず、現像や剥離等に関する基板処理装
置やこれらを含むインラインシステム等に適用すること
ができる。
<Other Embodiments> (A) The present invention is not limited to the above-described substrate processing apparatus 1 relating to etching, but may be applied to a substrate processing apparatus relating to development and peeling, an in-line system including the same, and the like. it can.

【0062】(B)上記実施形態では光電センサを位置
センサとして採用しているが、他の非接触式のセンサ、
例えば、超音波センサや静電容量式近接センサを採用す
ることも可能である。
(B) Although the photoelectric sensor is used as the position sensor in the above embodiment, other non-contact sensors,
For example, it is possible to employ an ultrasonic sensor or a capacitance type proximity sensor.

【0063】[第2実施形態]上記第1実施形態におい
ては図1及び図2に示すように各位置センサ34,3
5,43,44をスポットノズル340,350,43
0,440の内部に収容することによって位置センサ3
4,35,43,44に薬液等の液体が近づかないよう
にしているが、以下に示すようにスポットノズル34
0,350,430,440の外部に位置センサ34,
35,43,44を配置することもできる。
[Second Embodiment] In the first embodiment, as shown in FIG. 1 and FIG.
5, 43, 44 are spot nozzles 340, 350, 43
0,440, the position sensor 3
4, 35, 43 and 44 are kept away from liquids such as chemicals.
0, 350, 430, 440, the position sensor 34,
35, 43 and 44 can also be arranged.

【0064】本実施形態においても、位置センサ35,
43,44及びスポットノズル350,430,440
の構成や位置関係は位置センサ34及びスポットノズル
340のそれと同様であるため、以下、位置センサ34
及びスポットノズル340について説明を行う。
In this embodiment, the position sensors 35,
43, 44 and spot nozzles 350, 430, 440
Are similar to those of the position sensor 34 and the spot nozzle 340.
And the spot nozzle 340 will be described.

【0065】本実施形態においては、図4に示すよう
に、スポットノズル340の外部に位置センサ34を配
置して、位置センサ34を囲うカバー34aをスポット
ノズル340とは別に設けている。そして、このカバー
34aによって薬液等や薬液等のミストが位置センサ3
4に付着することを防止している。このカバー34aに
は、位置センサ34と検知位置Pとの間で光が行き来で
きるように下部に開口34bが形成されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 4, the position sensor 34 is disposed outside the spot nozzle 340, and a cover 34a surrounding the position sensor 34 is provided separately from the spot nozzle 340. Then, a mist of a chemical solution or the like or a mist of the chemical solution or the like is
4 is prevented. An opening 34b is formed in a lower portion of the cover 34a so that light can travel between the position sensor 34 and the detection position P.

【0066】また、スポットノズル340は、位置セン
サ34と基板Wとの間に窒素ガスを吹き付けられるよう
に、斜めに配置されている。そして、スポットノズル3
40は、検知位置Pの近傍に窒素ガスを速い速度で斜め
に吹き付け(流れの向きを図4において2点鎖線の矢印
で図示)、検知位置Pにおいて基板W上から薬液が吹き
飛ばされて基板Wの表面が露出した状態になるようにす
ることができる。
The spot nozzle 340 is disposed obliquely so that nitrogen gas can be blown between the position sensor 34 and the substrate W. And spot nozzle 3
Numeral 40 denotes an oblique spray of nitrogen gas at a high speed near the detection position P (the direction of the flow is indicated by a two-dot chain line arrow in FIG. 4). Can be exposed.

【0067】このような構成とした場合にも、上記第1
実施形態と同様の効果を得ることができ、非接触式の位
置センサを採用する場合の不具合が解消される。
In the case of such a structure, the first
The same effect as in the embodiment can be obtained, and the problem in the case of employing the non-contact type position sensor can be solved.

【0068】[0068]

【発明の効果】本発明では、検知位置又は検知位置近傍
に対して気体供給手段によって気体を吹き出すため、処
理液が基板に付着している場合でも検知位置においては
基板に付着している処理液が部分的に吹き飛ばされてい
るという状態にすることができ、非接触検知手段を使っ
た場合に処理液が基板に付着していることで誤作動が生
じるいう不具合がなくなり、搬送される基板を非接触検
知手段によって確実に検知することができるようにな
る。
According to the present invention, since the gas is blown out to the detection position or the vicinity of the detection position by the gas supply means, even if the processing liquid adheres to the substrate, the processing liquid adhered to the substrate at the detection position. Can be in a state of being partially blown off, and when using the non-contact detection means, the malfunction that the processing liquid adheres to the substrate to cause malfunctions is eliminated, and the transported substrate can be removed. The non-contact detecting means can surely detect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態における基板処理装置の概
略図。
FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】位置センサ付近の拡大断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view near a position sensor.

【図3】エッチングチャンバー及び水洗チャンバーの制
御系統図。
FIG. 3 is a control system diagram of an etching chamber and a washing chamber.

【図4】第2実施形態の位置センサ付近の拡大断面図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view near a position sensor according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 6 搬送ローラ(搬送手段) 33 スプレーノズル(処理液供給手段) 34,35,43,44 位置センサ(非接触検知手
段) 41,42 洗浄スプレー(処理液供給手段) 340,350,430,440 スポットノズル
(気体供給手段) 34a カバー 34b 開口 70 制御部 P 検知位置 W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 6 Conveyance roller (conveyance means) 33 Spray nozzle (treatment liquid supply means) 34, 35, 43, 44 Position sensor (non-contact detection means) 41, 42 Cleaning spray (treatment liquid supply means) 340, 350, 430, 440 Spot nozzle (gas supply means) 34a Cover 34b Opening 70 Control unit P Detection position W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小笠原 光雄 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 CA07 CA20 JA01 JA14 JA22 JA36 5F043 AA01 DD23 DD24 EE07  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Mitsuo Ogasawara 4-chome Tenjin Kitamachi 1-chome, Horikawa-dori-Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto F-term 5F031 CA02 CA05 CA07 CA20 JA01 JA14 JA22 JA36 5F043 AA01 DD23 DD24 EE07

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板を搬送する搬送手段と、 基板に処理液を供給する処理液供給手段と、 基板に接触することなく所定位置に基板が存在するか否
かを検知することができる非接触検知手段と、 前記非接触検知手段が検知する位置である検知位置又は
前記検知位置近傍に気体を吹き出す気体供給手段と、を
備えた基板処理装置。
1. A transfer means for transferring a substrate, a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the substrate, and a non-contact method capable of detecting whether the substrate is present at a predetermined position without contacting the substrate. A substrate processing apparatus comprising: a detection unit; and a gas supply unit that blows gas to a detection position that is a position detected by the non-contact detection unit or a vicinity of the detection position.
【請求項2】前記非接触検知手段を囲うカバーであっ
て、前記非接触検知手段と前記検知位置とを結ぶ空間に
開口を有するカバーをさらに備えた、請求項1に記載の
基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a cover surrounding said non-contact detection means, said cover having an opening in a space connecting said non-contact detection means and said detection position.
【請求項3】前記非接触検知手段は、前記気体供給手段
から吹き出される気体の流れの中に配置されている、請
求項1に記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said non-contact detection means is arranged in a flow of gas blown from said gas supply means.
【請求項4】前記気体供給手段は、気体を吹き出すノズ
ルを有しており、 前記非接触検知手段は、前記ノズル内に配置されてい
る、請求項3に記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said gas supply means has a nozzle for blowing gas, and said non-contact detection means is arranged inside said nozzle.
【請求項5】前記非接触検知手段による検知の必要がな
いときに、前記気体供給手段から吹き出す気体の速度を
小さくする制御を行う制御手段をさらに備えた、請求項
1から4のいずれかに記載の基板処理装置。
5. The apparatus according to claim 1, further comprising control means for performing control to reduce the speed of gas blown from said gas supply means when detection by said non-contact detection means is unnecessary. The substrate processing apparatus according to any one of the preceding claims.
【請求項6】前記非接触検知手段による検知の必要がな
いときに、前記気体供給手段から吹き出す気体の量を減
らす制御を行う制御手段をさらに備えた、請求項1から
4のいずれかに記載の基板処理装置。
6. The control device according to claim 1, further comprising control means for performing control to reduce the amount of gas blown out from said gas supply means when detection by said non-contact detection means is not necessary. Substrate processing equipment.
【請求項7】前記制御手段は、前記搬送手段によって搬
送されてきた基板の進行方向前端部を前記検知位置で前
記非接触検知手段が検知したときに前記気体供給手段か
ら吹き出す気体の速度を小さくし、前記検知位置を基板
が通り過ぎる場合には基板が前記検知位置を通り過ぎる
まで前記気体供給手段から吹き出す気体の速度を小さく
し続ける制御を行う、請求項5に記載の基板処理装置。
7. The control means reduces the velocity of gas blown from the gas supply means when the non-contact detection means detects the front end in the traveling direction of the substrate conveyed by the conveyance means at the detection position at the detection position. 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein when the substrate passes the detection position, control is performed to keep the velocity of the gas blown out from the gas supply unit small until the substrate passes the detection position.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014012878A (en) * 2012-07-05 2014-01-23 Nippon Steel & Sumitomo Metal Etchant treatment mechanism and etchant application method

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