JP2000153519A - プリズム材料の製造方法及びその方法により得られた材料 - Google Patents
プリズム材料の製造方法及びその方法により得られた材料Info
- Publication number
- JP2000153519A JP2000153519A JP10328365A JP32836598A JP2000153519A JP 2000153519 A JP2000153519 A JP 2000153519A JP 10328365 A JP10328365 A JP 10328365A JP 32836598 A JP32836598 A JP 32836598A JP 2000153519 A JP2000153519 A JP 2000153519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- single crystal
- prism
- cut
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶よりプリズム材料を選るに際し
て、従来法より収率良く、かつ得られたプリズム材料よ
り短時間で、結果的に低コストにプリズムを得ることを
可能とするプリズム材料とその製造方法の提供を課題と
する。 【解決手段】 単結晶を決められた方位に円筒状など
に切断した後、該単結晶をガラス板等に接着剤を用いて
固定し、所望厚さの平板状単結晶が得られるように切断
し、次いで、パラフィンなどの接着剤より融点の低い物
で切断部分の切断代を埋めて、平板状単結晶がずれない
ように固定し、次いで切断方向を変更して四角柱状単結
晶を得、再度切断代をパラフィンなどの接着剤より融点
の低い物で埋め、次いで切断方向を変更して切断し、三
角柱状単結晶を得る。
て、従来法より収率良く、かつ得られたプリズム材料よ
り短時間で、結果的に低コストにプリズムを得ることを
可能とするプリズム材料とその製造方法の提供を課題と
する。 【解決手段】 単結晶を決められた方位に円筒状など
に切断した後、該単結晶をガラス板等に接着剤を用いて
固定し、所望厚さの平板状単結晶が得られるように切断
し、次いで、パラフィンなどの接着剤より融点の低い物
で切断部分の切断代を埋めて、平板状単結晶がずれない
ように固定し、次いで切断方向を変更して四角柱状単結
晶を得、再度切断代をパラフィンなどの接着剤より融点
の低い物で埋め、次いで切断方向を変更して切断し、三
角柱状単結晶を得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本考案は、光ディスク装置等
に用いられる単結晶プリズムを作る単結晶材料に関し、
特に該材料を単結晶より得る際の歩留まりを向上させ、
該材料よりプリズムを容易に研磨加工可能とする単結晶
材料とその製造法に関するものである。
に用いられる単結晶プリズムを作る単結晶材料に関し、
特に該材料を単結晶より得る際の歩留まりを向上させ、
該材料よりプリズムを容易に研磨加工可能とする単結晶
材料とその製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスク装置等に用いるプリズ
ム、例えばウォラストンプリズムを作製するための単結
晶材料は、図1に示すように、単結晶をエポキシ樹脂等
によりガラス等へ接着して固定し、ワイヤーソーを用い
て単結晶を一定厚さに切断し、次いで切断代をパラフィ
ンで埋め、単結晶を90°回転し、前記切断面に対して
直角になるようにワイヤーソウで切断して得ている。こ
の材料は上記制作方法より分かるとおり四角柱となって
いる。
ム、例えばウォラストンプリズムを作製するための単結
晶材料は、図1に示すように、単結晶をエポキシ樹脂等
によりガラス等へ接着して固定し、ワイヤーソーを用い
て単結晶を一定厚さに切断し、次いで切断代をパラフィ
ンで埋め、単結晶を90°回転し、前記切断面に対して
直角になるようにワイヤーソウで切断して得ている。こ
の材料は上記制作方法より分かるとおり四角柱となって
いる。
【0003】そして、この四角柱の一稜辺と二面とを研
磨して三角柱を得、これを必要な大きさに切断し、各面
のコーティング、張り合わせなどの加工工程を経てプリ
ズムを得ている。
磨して三角柱を得、これを必要な大きさに切断し、各面
のコーティング、張り合わせなどの加工工程を経てプリ
ズムを得ている。
【0004】ところで、上記した従来法では四角柱より
研磨して三角柱を得るために材料の約半分を研磨除去す
ることになり極めて歩留まりが悪いばかりでなく、加工
時間も長くなる。また、近年の光ディスク等の小型化、
低コスト化に対応して微少プリズムを効率よく得るため
にはこの欠点が大きな問題となってくる。
研磨して三角柱を得るために材料の約半分を研磨除去す
ることになり極めて歩留まりが悪いばかりでなく、加工
時間も長くなる。また、近年の光ディスク等の小型化、
低コスト化に対応して微少プリズムを効率よく得るため
にはこの欠点が大きな問題となってくる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、この
ような従来技術の欠点を解消し効率よく材料を使い、そ
れよりプリズムを得るのに短時間で加工可能なプリズム
材料とその製造方法を提供することである。
ような従来技術の欠点を解消し効率よく材料を使い、そ
れよりプリズムを得るのに短時間で加工可能なプリズム
材料とその製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本第
1の発明は、単結晶を決められた方位に円筒状などに切
断した後、該単結晶をガラス板等に接着剤を用いて固定
し、所望厚さの平板状単結晶が得られるように切断し、
次いで、パラフィンなどの接着剤より融点の低い物で切
断部分の切断代を埋めて、平板状単結晶がずれないよう
に固定し、次いで切断方向を変更して四角柱状単結晶を
得、再度切断代をパラフィンなどの接着剤より融点の低
い物で埋め、次いで切断方向を変更して切断し、三角柱
状単結晶を得るプリズム材料の製造方法である。
1の発明は、単結晶を決められた方位に円筒状などに切
断した後、該単結晶をガラス板等に接着剤を用いて固定
し、所望厚さの平板状単結晶が得られるように切断し、
次いで、パラフィンなどの接着剤より融点の低い物で切
断部分の切断代を埋めて、平板状単結晶がずれないよう
に固定し、次いで切断方向を変更して四角柱状単結晶を
得、再度切断代をパラフィンなどの接着剤より融点の低
い物で埋め、次いで切断方向を変更して切断し、三角柱
状単結晶を得るプリズム材料の製造方法である。
【0007】また、本第2の発明は、上記本第1の発明
の方法で得られたプリズム材料である。
の方法で得られたプリズム材料である。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明では、従来の方法に従い得
られた四角柱状のプリズム材料をさらに切断して三角柱
状のプリズム材料とするため、一つの単結晶より得られ
るプリズム材料の収率が大幅に向上する。さらに、本発
明のプリズム材料を用いれば、プリズムを得るための加
工代が大幅に減少するためにプリズム製造時間を大幅に
短縮できる。
られた四角柱状のプリズム材料をさらに切断して三角柱
状のプリズム材料とするため、一つの単結晶より得られ
るプリズム材料の収率が大幅に向上する。さらに、本発
明のプリズム材料を用いれば、プリズムを得るための加
工代が大幅に減少するためにプリズム製造時間を大幅に
短縮できる。
【0009】本発明に従えば、必要とされるプリズムが
微少化しても、研磨代が少ないため、安定してかつ短時
間でプリズムを製造できるので、本発明は工業的に有効
である。
微少化しても、研磨代が少ないため、安定してかつ短時
間でプリズムを製造できるので、本発明は工業的に有効
である。
【0010】本発明で用いる単結晶の固定用接着剤、ガ
ラス等は従来法で用いているものをそのまま用いること
ができる。また、パラフィン等の接着剤より融点の低い
物を切断代の埋め込みに用いるのは、単結晶を貼り付け
ている接着剤に影響を与えないように切断代に埋め込む
ことを可能とするためである。
ラス等は従来法で用いているものをそのまま用いること
ができる。また、パラフィン等の接着剤より融点の低い
物を切断代の埋め込みに用いるのは、単結晶を貼り付け
ている接着剤に影響を与えないように切断代に埋め込む
ことを可能とするためである。
【0011】なお、切断終了後は切断代のパラフィン等
を除去すると共に三角柱をガラス板等より取り外し、分
離した後プリズム製造のための研磨工程にかけるのは従
来通りである。
を除去すると共に三角柱をガラス板等より取り外し、分
離した後プリズム製造のための研磨工程にかけるのは従
来通りである。
【0012】また、本発明で四角柱の断面形状は矩形で
も平行四辺形でも良く、いずれも本発明の範疇であるこ
とは明らかである。
も平行四辺形でも良く、いずれも本発明の範疇であるこ
とは明らかである。
【0013】
【実施例】次に実施例を用いて本発明をさらに説明す
る。 (実施例1)ニオブ酸リチュウム結晶より本発明のプリ
ズム材料を得た。その工程を図2により説明する。
る。 (実施例1)ニオブ酸リチュウム結晶より本発明のプリ
ズム材料を得た。その工程を図2により説明する。
【0014】ニオブ酸リチュウム結晶を直径76.2m
m×長さ100mmに切断、円筒研削した後(図2
(a))、切断面の一方をエポキシ樹脂系接着剤でガラス
板に固定し(図2(b))、研磨代が0.1mmとなるよ
うに設定し、ワイヤーソウを用いて厚さ6.1mmの板
状に切断した。その状態で水洗し、溶融状態のパラフィ
ン系ワックス中に浸漬して切断部の切断代を該ワックス
で埋め、放冷して次の工程で板状の結晶板が切断中にず
れないようにした。(図2(c)) なお、パラフィン系のワックスを用いるのは比較的低温
で溶融が可能である特徴を生かしエポキシ系接着剤が剥
がれない様にする為である。
m×長さ100mmに切断、円筒研削した後(図2
(a))、切断面の一方をエポキシ樹脂系接着剤でガラス
板に固定し(図2(b))、研磨代が0.1mmとなるよ
うに設定し、ワイヤーソウを用いて厚さ6.1mmの板
状に切断した。その状態で水洗し、溶融状態のパラフィ
ン系ワックス中に浸漬して切断部の切断代を該ワックス
で埋め、放冷して次の工程で板状の結晶板が切断中にず
れないようにした。(図2(c)) なお、パラフィン系のワックスを用いるのは比較的低温
で溶融が可能である特徴を生かしエポキシ系接着剤が剥
がれない様にする為である。
【0015】次に、幅10.3mmの四角柱が得られる
ように切断方向を調節してワイヤーソウで切断し、切断
後に前工程と同様に水洗し、溶融状態のパラフィン系ワ
ックス中に浸漬して切断部切断代を埋めた。(図2
(d)) その後、四角柱が2つの対象形の三角柱になるようにワ
イヤーソウで切断し(図2(e))、ワックスを洗浄し、
接着剤を剥がしたてプリズム材料108本を得た。
ように切断方向を調節してワイヤーソウで切断し、切断
後に前工程と同様に水洗し、溶融状態のパラフィン系ワ
ックス中に浸漬して切断部切断代を埋めた。(図2
(d)) その後、四角柱が2つの対象形の三角柱になるようにワ
イヤーソウで切断し(図2(e))、ワックスを洗浄し、
接着剤を剥がしたてプリズム材料108本を得た。
【0016】これら一連の切断加工により得られたプリ
ズム材料は、断面が10mm(底辺)×6mm(高さ)
の二等辺三角形で、長さ100mmの三角柱であった。
(図2(f)) 本発明によれば、従来法では58本しかできなかったプ
リズム材料が108本得られ、50本の増量が可能とな
った。また、研磨代も少なくなっており、その後のプリ
ズム製造に際して必要とされる研磨加工時間も大幅に短
縮した。
ズム材料は、断面が10mm(底辺)×6mm(高さ)
の二等辺三角形で、長さ100mmの三角柱であった。
(図2(f)) 本発明によれば、従来法では58本しかできなかったプ
リズム材料が108本得られ、50本の増量が可能とな
った。また、研磨代も少なくなっており、その後のプリ
ズム製造に際して必要とされる研磨加工時間も大幅に短
縮した。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、従来四角柱として製造
していたプリズム材料を三角柱とするため、単結晶を有
効利用でき、かつプリズムを製造する際の、研磨取り代
を大きく減少させることが可能になる。このため、プリ
ズムを得るに際して単結晶材料の歩留まり向上と、プリ
ズム製造時間の大幅短縮が可能となり、コスト低減効果
が極めて大きく、本発明は工業的に極めて有用である。
していたプリズム材料を三角柱とするため、単結晶を有
効利用でき、かつプリズムを製造する際の、研磨取り代
を大きく減少させることが可能になる。このため、プリ
ズムを得るに際して単結晶材料の歩留まり向上と、プリ
ズム製造時間の大幅短縮が可能となり、コスト低減効果
が極めて大きく、本発明は工業的に極めて有用である。
【図1】従来のプリズム材料を得る工程を示したもので
ある。
ある。
【図2】本発明のプリズム材料を得る工程を示したもの
である。
である。
1―――円筒研削後の単結晶 2―――ガラス板
Claims (2)
- 【請求項1】 単結晶を決められた方位に円筒状など
に切断した後、該単結晶をガラス板等に接着剤を用いて
固定し、所望厚さの平板状単結晶が得られるように切断
し、次いで、パラフィンなどの接着剤より融点の低い物
で切断部分の切断代を埋めて、平板状単結晶がずれない
ように固定し、次いで切断方向を変更して四角柱状単結
晶を得、再度切断代をパラフィンなどの接着剤より融点
の低い物で埋め、次いで切断方向を変更して切断し、三
角柱状単結晶を得ることを特徴とするプリズム材料の製
造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法で得られたことを
特徴とするプリズム材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10328365A JP2000153519A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | プリズム材料の製造方法及びその方法により得られた材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10328365A JP2000153519A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | プリズム材料の製造方法及びその方法により得られた材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000153519A true JP2000153519A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18209445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10328365A Pending JP2000153519A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | プリズム材料の製造方法及びその方法により得られた材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000153519A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101621764B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2016-05-17 | 주식회사 엔티에스 | 고체레이저용 단결정 로드 및 이의 제조방법 |
CN106945187A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-07-14 | 上海日进机床有限公司 | 线切割设备及线切割方法 |
CN114454368A (zh) * | 2021-07-13 | 2022-05-10 | 青岛高测科技股份有限公司 | 硅棒切割方法、设备及系统 |
CN114454364A (zh) * | 2021-08-19 | 2022-05-10 | 青岛高测科技股份有限公司 | 硅棒切割方法、设备及系统 |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP10328365A patent/JP2000153519A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101621764B1 (ko) * | 2014-09-15 | 2016-05-17 | 주식회사 엔티에스 | 고체레이저용 단결정 로드 및 이의 제조방법 |
CN106945187A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-07-14 | 上海日进机床有限公司 | 线切割设备及线切割方法 |
CN114454368A (zh) * | 2021-07-13 | 2022-05-10 | 青岛高测科技股份有限公司 | 硅棒切割方法、设备及系统 |
CN114454364A (zh) * | 2021-08-19 | 2022-05-10 | 青岛高测科技股份有限公司 | 硅棒切割方法、设备及系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7727860B2 (en) | Method for manufacturing bonded wafer and outer-peripheral grinding machine of bonded wafer | |
US20100035052A1 (en) | Polyimide substrate bonded to other substrate | |
JPS61112345A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US2964839A (en) | Flux free bonded article and method | |
CN108603305A (zh) | 单晶层、特别是压电层的制造方法 | |
US7837793B2 (en) | Method of manufacturing diamond substrates | |
CN113972160A (zh) | 一种固体材料的激光分片方法 | |
JP2000153519A (ja) | プリズム材料の製造方法及びその方法により得られた材料 | |
WO2023279727A1 (zh) | 光学基板的切割方法 | |
EP2461359B1 (en) | Method for forming substrate with insulating buried layer | |
CN111320133A (zh) | 芯片的分离方法以及晶圆 | |
JPH08281641A (ja) | 微細加工方法 | |
RU2137259C1 (ru) | Способ изготовления многоэлементного фотоприемника | |
JP2009196028A (ja) | ウエハの作製方法 | |
JPH09183047A (ja) | 試料研磨方法 | |
JP2003015111A (ja) | 平面表示装置の製造方法 | |
JP4459004B2 (ja) | 砥石の製造方法 | |
JPS60227423A (ja) | インゴツトの接着方法 | |
JPH11233845A (ja) | 複合結晶基板およびこれを用いたデバイスの製造方法 | |
EP0431685A1 (en) | Method of forming thin defect-free strips of monocrystalline silicon on insulators | |
JP2004216881A (ja) | テープヘッド製作における列スライス方法の改良 | |
JPH03501379A (ja) | コングルエント組成を有するニオブ酸リチウム単結晶及びその製法 | |
JPH03274437A (ja) | 電子顕微鏡用試料作製方法 | |
JPH01131039A (ja) | 電界印加イオン交換による屈折率分布型ガラス材の製造方法 | |
JPH05284761A (ja) | 超音波モータのステータの製造方法 |