JP2000153050A - 導電性遊技機制御用収納ケース - Google Patents
導電性遊技機制御用収納ケースInfo
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- JP2000153050A JP2000153050A JP33071798A JP33071798A JP2000153050A JP 2000153050 A JP2000153050 A JP 2000153050A JP 33071798 A JP33071798 A JP 33071798A JP 33071798 A JP33071798 A JP 33071798A JP 2000153050 A JP2000153050 A JP 2000153050A
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- Japan
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- oxide thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の製品と同様に光透過性を有すると共
に、ケース自体に電荷が蓄積されず、電磁波に対して電
磁遮蔽効果を有するケースを提供する 【解決手段】 制御基板が設置されるケース６面のうち
下部開放部を除いた残り面がほぼ閉塞されたプラスチッ
クのケースにおいて、少なくともケース表面全体を10k
Ω/cm2以下となるように金属酸化物薄膜にてコーティン
グすると共に制御基板と接するケース周縁の少なくとも
２カ所においてアース接地するように構成した導電性遊
技機制御用収納ケース。
に、ケース自体に電荷が蓄積されず、電磁波に対して電
磁遮蔽効果を有するケースを提供する 【解決手段】 制御基板が設置されるケース６面のうち
下部開放部を除いた残り面がほぼ閉塞されたプラスチッ
クのケースにおいて、少なくともケース表面全体を10k
Ω/cm2以下となるように金属酸化物薄膜にてコーティン
グすると共に制御基板と接するケース周縁の少なくとも
２カ所においてアース接地するように構成した導電性遊
技機制御用収納ケース。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パチンコ遊技機、
パチスロなどの遊技機に装備された遊技機制御回路基板
の収納ケースの改良に関するもので、ケース表面に導電
性を持たせると共にある程度の光透過性を持たせたもの
である。
パチスロなどの遊技機に装備された遊技機制御回路基板
の収納ケースの改良に関するもので、ケース表面に導電
性を持たせると共にある程度の光透過性を持たせたもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のパチンコなどの遊技機に装着され
る制御基板には、外から内部が透視できるように透明な
プラスチックケースで作られている。これは外部機関に
よる黙視検査が可能であることが要件となっているため
であり、金属などの非透視性の素材でケースを構成する
ことは不可能な状況にある。
る制御基板には、外から内部が透視できるように透明な
プラスチックケースで作られている。これは外部機関に
よる黙視検査が可能であることが要件となっているため
であり、金属などの非透視性の素材でケースを構成する
ことは不可能な状況にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パチン
コ遊技機は主に鋼球からなるパチンコ玉を金属やプラス
チックからなる流樋機構やパイプを介して供給されてい
るために途中の摩擦などの要因によりパチンコ玉自身が
静電気を帯びることになり、パチンコ玉の貯溜部におい
てこれらの電荷が高まる結果近接する制御基板のケース
も帯電することになる。その結果ある程度帯電したケー
スより制御基板に向けて静電放射（スパーク）が起こ
り、制御基板の誤動作を引き起こす要因となっていた。
また、制御基板は、精密機器で構成されているが、外部
で発生した電磁波による影響を受けやいが、ケース自体
が非導電性のもので構成されているために電磁波が透過
してしまい、誤動作の原因として考えられている。そこ
で本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑みなされたもの
であり、従来の製品と同様に光透過性を有すると共に、
ケース自体に電荷が蓄積されず、電磁波に対して電磁遮
蔽効果を有するケースを提供することを目的とする。
コ遊技機は主に鋼球からなるパチンコ玉を金属やプラス
チックからなる流樋機構やパイプを介して供給されてい
るために途中の摩擦などの要因によりパチンコ玉自身が
静電気を帯びることになり、パチンコ玉の貯溜部におい
てこれらの電荷が高まる結果近接する制御基板のケース
も帯電することになる。その結果ある程度帯電したケー
スより制御基板に向けて静電放射（スパーク）が起こ
り、制御基板の誤動作を引き起こす要因となっていた。
また、制御基板は、精密機器で構成されているが、外部
で発生した電磁波による影響を受けやいが、ケース自体
が非導電性のもので構成されているために電磁波が透過
してしまい、誤動作の原因として考えられている。そこ
で本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑みなされたもの
であり、従来の製品と同様に光透過性を有すると共に、
ケース自体に電荷が蓄積されず、電磁波に対して電磁遮
蔽効果を有するケースを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、制御
基板が設置されるケース６面のうち下部開放部を除いた
残り面がほぼ閉塞されたプラスチックのケースにおい
て、少なくともケース表面全体を10kΩ/cm2以下となる
ように金属酸化物薄膜にてコーティングすると共に制御
基板と接するケース周縁の少なくとも２カ所においてア
ース接地するように構成した導電性遊技機制御用収納ケ
ースにより本目的を達成する。請求項２の発明は、前記
金属酸化物薄膜がＩＴＯ薄膜（インジウム・スズ酸化物
薄膜）でコーティングされた導電性遊技機制御用収納ケ
ースである。請求項３の発明は、前記金属酸化物薄膜の
コーティングが、低温スパッタリングにより１５０Å以
上の厚さにコーティングされた導電性遊技機制御用収納
ケースである。請求項４の発明は、吹き付け式のゾルゲ
ル法により厚さ１５０Å以上の厚さにコーティングされ
た導電性遊技機制御用収納ケースである。請求項５の発
明は、制御基板が設置されるケース６面のうち下部開放
部を除いた残り面がほぼ閉塞されたプラスチックのケー
スにおいて、ケース表裏全体を10kΩ/cm2以下となるよ
うに金属酸化物薄膜にてコーティングすると共に制御基
板と接するケース周縁の少なくとも２カ所においてアー
ス接地するように構成した導電性遊技機制御用収納ケー
スであり、導電層を二重にすることにより導電性、電磁
遮蔽効果を高めたものである。請求項６の発明は、前記
コーティングしたプラスチックケースの光透過率が、元
の素材（プラスチック）の８０〜９５％となるように構
成されていることを特徴とする導電性遊技機制御用収納
ケースである。
基板が設置されるケース６面のうち下部開放部を除いた
残り面がほぼ閉塞されたプラスチックのケースにおい
て、少なくともケース表面全体を10kΩ/cm2以下となる
ように金属酸化物薄膜にてコーティングすると共に制御
基板と接するケース周縁の少なくとも２カ所においてア
ース接地するように構成した導電性遊技機制御用収納ケ
ースにより本目的を達成する。請求項２の発明は、前記
金属酸化物薄膜がＩＴＯ薄膜（インジウム・スズ酸化物
薄膜）でコーティングされた導電性遊技機制御用収納ケ
ースである。請求項３の発明は、前記金属酸化物薄膜の
コーティングが、低温スパッタリングにより１５０Å以
上の厚さにコーティングされた導電性遊技機制御用収納
ケースである。請求項４の発明は、吹き付け式のゾルゲ
ル法により厚さ１５０Å以上の厚さにコーティングされ
た導電性遊技機制御用収納ケースである。請求項５の発
明は、制御基板が設置されるケース６面のうち下部開放
部を除いた残り面がほぼ閉塞されたプラスチックのケー
スにおいて、ケース表裏全体を10kΩ/cm2以下となるよ
うに金属酸化物薄膜にてコーティングすると共に制御基
板と接するケース周縁の少なくとも２カ所においてアー
ス接地するように構成した導電性遊技機制御用収納ケー
スであり、導電層を二重にすることにより導電性、電磁
遮蔽効果を高めたものである。請求項６の発明は、前記
コーティングしたプラスチックケースの光透過率が、元
の素材（プラスチック）の８０〜９５％となるように構
成されていることを特徴とする導電性遊技機制御用収納
ケースである。
【０００５】
【作用】本発明にかかる導電性遊技機制御用収納ケース
では電荷が溜まりやすい非導電性のプラスチックケース
の表面に金属酸化物薄膜にて10kΩ/cm2以下となるよう
にコーティングされている。またコーティングされたケ
ースの少なくとも二点においてアース接地されているの
で、外部の帯電によりケース自体が電荷を帯びようとし
たとき、すばやく電荷をアースに向けて流すことになる
ためにケースに電荷が溜まることない。また、ケース表
面が、導電性のもので形成されているために外部から放
射された電磁波を吸収するために、電磁波による制御基
板への影響を極力減らすことになる。
では電荷が溜まりやすい非導電性のプラスチックケース
の表面に金属酸化物薄膜にて10kΩ/cm2以下となるよう
にコーティングされている。またコーティングされたケ
ースの少なくとも二点においてアース接地されているの
で、外部の帯電によりケース自体が電荷を帯びようとし
たとき、すばやく電荷をアースに向けて流すことになる
ためにケースに電荷が溜まることない。また、ケース表
面が、導電性のもので形成されているために外部から放
射された電磁波を吸収するために、電磁波による制御基
板への影響を極力減らすことになる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明を図示された実施例
に従って詳細に説明する。図１、図２、図３において２
は遊技機制御回路基板１の上面を覆うように接続された
プラスチックケースであり、該ケース２の長手方向両端
部には底板３と係合するためのフランジ部２ａが４カ所
に連設されており、底板３の下方の金属プレート４と金
属ねじ５にて係止されている。尚、金属プレート４は装
置のアースと接続されており、該金属プレート４のケー
ス２の側面部とは導電性テープにより導通されている。
に従って詳細に説明する。図１、図２、図３において２
は遊技機制御回路基板１の上面を覆うように接続された
プラスチックケースであり、該ケース２の長手方向両端
部には底板３と係合するためのフランジ部２ａが４カ所
に連設されており、底板３の下方の金属プレート４と金
属ねじ５にて係止されている。尚、金属プレート４は装
置のアースと接続されており、該金属プレート４のケー
ス２の側面部とは導電性テープにより導通されている。
【０００７】前記プラスチックケース２は、図４の断面
図に示すようにその表面全体をインジウム・スズ酸化物
薄膜（ＩＴＯ薄膜）６が、低温スパッタリングにより厚
さ１５０Å以上で、表面抵抗が100〜10kΩ/cm2となるよ
うに、かつ光透過率が素材の透過率を１００とした時に
８０％以上となるようにコーティングされている。また
本実施例では、プラスチックケース２のフランジ部２ａ
のねじ穴周囲までＩＴＯ薄膜６がコーティングされてお
り、該コーティングされたねじ穴周囲は、ねじ５又は座
金７を介して金属プレート４と導通している。これによ
りプラスチックケース２任意の１点とのアース接点間の
抵抗値は、常に均等な値となり、部分的に電荷が溜まる
ことはなく、また電磁波を均等に吸収することが可能と
なる。
図に示すようにその表面全体をインジウム・スズ酸化物
薄膜（ＩＴＯ薄膜）６が、低温スパッタリングにより厚
さ１５０Å以上で、表面抵抗が100〜10kΩ/cm2となるよ
うに、かつ光透過率が素材の透過率を１００とした時に
８０％以上となるようにコーティングされている。また
本実施例では、プラスチックケース２のフランジ部２ａ
のねじ穴周囲までＩＴＯ薄膜６がコーティングされてお
り、該コーティングされたねじ穴周囲は、ねじ５又は座
金７を介して金属プレート４と導通している。これによ
りプラスチックケース２任意の１点とのアース接点間の
抵抗値は、常に均等な値となり、部分的に電荷が溜まる
ことはなく、また電磁波を均等に吸収することが可能と
なる。
【０００８】プラスチックへのコーティング方法として
本実施例では、低温スパッタリング方法を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、プラスチック表面に均一
に金属酸化物薄膜をコーティングでいるものであれば、
これに限定されるものではない。これ以外の方法として
多少樹脂の高温耐久性が求められるが、ＩＴＯのゾルゲ
ルを８０℃乃至１００℃で焼き付ける吹き付け法が考え
られる。しかしながら、薄膜を均一ににコーティングす
ることにより均一な抵抗値を得るためには、前記低温ス
パッタリング方法が望ましい。またコーティング素材と
してＩＴＯを選択したが、これに限定されるものではな
く以下の要件を満たす素材であれば、何でも良い。
本実施例では、低温スパッタリング方法を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、プラスチック表面に均一
に金属酸化物薄膜をコーティングでいるものであれば、
これに限定されるものではない。これ以外の方法として
多少樹脂の高温耐久性が求められるが、ＩＴＯのゾルゲ
ルを８０℃乃至１００℃で焼き付ける吹き付け法が考え
られる。しかしながら、薄膜を均一ににコーティングす
ることにより均一な抵抗値を得るためには、前記低温ス
パッタリング方法が望ましい。またコーティング素材と
してＩＴＯを選択したが、これに限定されるものではな
く以下の要件を満たす素材であれば、何でも良い。
【０００９】（条件） （１）表面に導電層をコーティングできるもので、抵抗
値が10kΩ/cm2以下となるもの。 （２）コーティングした結果、ケースの透過率を著しく
低下させないもので、透過率が８０％以上となるもの。
値が10kΩ/cm2以下となるもの。 （２）コーティングした結果、ケースの透過率を著しく
低下させないもので、透過率が８０％以上となるもの。
【００１０】またコーティングする金属酸化物薄膜の厚
みは素材により異なるが長期保存した場合に断線を生じ
ない程度のものが望ましく、あまりに薄いと良好薄膜が
形成されず、厚いとクラックが入るので、コーティング
薄膜の厚さは１５０Å（10kΩ/cm2）以上で３０００Å
（100Ω/cm2）以下が好ましい。
みは素材により異なるが長期保存した場合に断線を生じ
ない程度のものが望ましく、あまりに薄いと良好薄膜が
形成されず、厚いとクラックが入るので、コーティング
薄膜の厚さは１５０Å（10kΩ/cm2）以上で３０００Å
（100Ω/cm2）以下が好ましい。
【００１１】（試験方法）以上のように作成されたプラ
スチックケースの静電ノイズ耐量を計測するために、図
５及び図６に示すような、標準グランド用アルミ板１０
上に机１２を載置し、該机１２のへ表面に卓上アルミ板
１４を敷き、該アルミ板１４上に放電ガン１５及び静電
ノイズシュミュレータ１６からなる試験機１７、ＡＣ２
４Ｖ変換用トランス１８及び絶縁シート１９を載せ、該
絶縁シート１９上にプラスチックケース２で覆われた制
御基板１を載置したものにおいて、前記試験機１７及び
変換用トランス１８に対して、１００Ｖ ＡＣライン用
ノイズフィルタ２０及び該フィルタから供給される電流
をノイズカットする１００Ｖ ＡＣノイズカットトラン
ス２２を介して電流を供給するように構成し、さらに前
記放電ガン１５、静電ノイズシュミュレータ１６、プラ
スチックケース２をアース接続したもので構成した。 （試験供試品）プラスチックケースとして以下に示すよ
うな実施例１、実施例２、比較例１、比較例２及び比較
例３のものを用いた。
スチックケースの静電ノイズ耐量を計測するために、図
５及び図６に示すような、標準グランド用アルミ板１０
上に机１２を載置し、該机１２のへ表面に卓上アルミ板
１４を敷き、該アルミ板１４上に放電ガン１５及び静電
ノイズシュミュレータ１６からなる試験機１７、ＡＣ２
４Ｖ変換用トランス１８及び絶縁シート１９を載せ、該
絶縁シート１９上にプラスチックケース２で覆われた制
御基板１を載置したものにおいて、前記試験機１７及び
変換用トランス１８に対して、１００Ｖ ＡＣライン用
ノイズフィルタ２０及び該フィルタから供給される電流
をノイズカットする１００Ｖ ＡＣノイズカットトラン
ス２２を介して電流を供給するように構成し、さらに前
記放電ガン１５、静電ノイズシュミュレータ１６、プラ
スチックケース２をアース接続したもので構成した。 （試験供試品）プラスチックケースとして以下に示すよ
うな実施例１、実施例２、比較例１、比較例２及び比較
例３のものを用いた。
【００１２】
【表１】
【００１３】（試験条件） （１）ＩＥＣ ６１０００−４−２静電気イミュニティ
規格に基づき、遊技機業界用にアレンジした試験方法。 （２）試験機（ＭＯＤＥＬ ＥＳＳ−６３０Ａ） 放電抵抗 ３３０Ω 放電コンデンサ ５００ｐＦ 放電サイクル ５００msec. 正極性放電回数 １００回 但し、放電ガン自身からの輻射によるノイズ評価用ボー
ドへの影響は対象外とする。 （３）ノイズ評価用ボード ノイズ評価用ボードのＣＰＵは、遊技機制御用プロセッ
サであるＬＥ２０６８Ａを使用した。このＣＰＵは間接
放電１５ｋＶの電圧においてもラッチアップしない。 （４）環境 周囲温度 ２５℃±５％ 周囲湿度 40％RH±５％
規格に基づき、遊技機業界用にアレンジした試験方法。 （２）試験機（ＭＯＤＥＬ ＥＳＳ−６３０Ａ） 放電抵抗 ３３０Ω 放電コンデンサ ５００ｐＦ 放電サイクル ５００msec. 正極性放電回数 １００回 但し、放電ガン自身からの輻射によるノイズ評価用ボー
ドへの影響は対象外とする。 （３）ノイズ評価用ボード ノイズ評価用ボードのＣＰＵは、遊技機制御用プロセッ
サであるＬＥ２０６８Ａを使用した。このＣＰＵは間接
放電１５ｋＶの電圧においてもラッチアップしない。 （４）環境 周囲温度 ２５℃±５％ 周囲湿度 40％RH±５％
【００１４】（試験内容） （１）誤動作の状態比較による試験 表示の誤動作、暴走、停止などの状態となったときのＥ
ＳＤ電圧を確認する。 （２）ハングアップに関する試験 表示の誤表示は無視し、停止した状態の説きにユーザー
リセットを入力し、停止状態の解除が不可能なＥＳＤ電
圧を確認する。
ＳＤ電圧を確認する。 （２）ハングアップに関する試験 表示の誤表示は無視し、停止した状態の説きにユーザー
リセットを入力し、停止状態の解除が不可能なＥＳＤ電
圧を確認する。
【００１５】（試験方法）放電サイクル５００msec、正
極性放電回数１００回の静電ノイズを１００Ｖ単位で低
い電圧から徐々に高い電圧へと上げていき、その途上で
ノイズ評価用ボードの誤動作（表示の誤表示、暴走、停
止など）、ハングアップの状態が発生するかどうかをチ
ェックし、その発生した時点の電圧を記録する。ＥＳＤ
試験おいて推奨される厳しさレベルを以下の表２に示
す。
極性放電回数１００回の静電ノイズを１００Ｖ単位で低
い電圧から徐々に高い電圧へと上げていき、その途上で
ノイズ評価用ボードの誤動作（表示の誤表示、暴走、停
止など）、ハングアップの状態が発生するかどうかをチ
ェックし、その発生した時点の電圧を記録する。ＥＳＤ
試験おいて推奨される厳しさレベルを以下の表２に示
す。
【００１６】
【表２】
【００１７】（試験結果） ３０ｋＶ空気放電合格品 Ｒ Ｂ：１．２ｋΩ/cm2 Ｒ Ｃ：５ ｋΩ/cm2 不合格品 １７ｋＶ近辺で強度の火花が発生し、危険があるため試
験を中断した。これは接地アースを施しても同様の現象
が得られた。 Ｒ Ｄ：３０ ｋΩ/cm2 Ｒ Ｅ：金属メッシュ
験を中断した。これは接地アースを施しても同様の現象
が得られた。 Ｒ Ｄ：３０ ｋΩ/cm2 Ｒ Ｅ：金属メッシュ
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明にかかる導電性
のプラスチックケースは、従来のケースにおける外部か
らの黙視のための基準を守りつつ、外部からの静電気の
発生を防ぐことが可能であるために制御基板の精密機器
の保護につながると共に、導電性の金属酸化物薄膜でケ
ース表面を覆ったので、外部から侵入しようとする電磁
波を遮蔽することも可能であるため、内部ＣＰＵの誤動
作、暴走、停止などを防ぐことができる。また低温スパ
ッタリングにてコーティングした場合には、コーティン
グ膜を均一にすることができると共に表面の光透過率を
下げることが少なく、またプラスチックへの密着性にも
優れる。さらに本発明にかかるプラスチックケースで
は、ケースの少なくとも２箇所においてアースと接続す
る構成としたので、プラスチックコーティング膜の抵抗
が一定ばかりでなく、ケース任意の１点とアースとの抵
抗値をも一定なものとすることができ、静電気の帯電を
防ぐ意味で優れている。
のプラスチックケースは、従来のケースにおける外部か
らの黙視のための基準を守りつつ、外部からの静電気の
発生を防ぐことが可能であるために制御基板の精密機器
の保護につながると共に、導電性の金属酸化物薄膜でケ
ース表面を覆ったので、外部から侵入しようとする電磁
波を遮蔽することも可能であるため、内部ＣＰＵの誤動
作、暴走、停止などを防ぐことができる。また低温スパ
ッタリングにてコーティングした場合には、コーティン
グ膜を均一にすることができると共に表面の光透過率を
下げることが少なく、またプラスチックへの密着性にも
優れる。さらに本発明にかかるプラスチックケースで
は、ケースの少なくとも２箇所においてアースと接続す
る構成としたので、プラスチックコーティング膜の抵抗
が一定ばかりでなく、ケース任意の１点とアースとの抵
抗値をも一定なものとすることができ、静電気の帯電を
防ぐ意味で優れている。
【図１】 本発明の実施例にかかる導電性プラスチック
ケースを接地した状態の斜視図である。
ケースを接地した状態の斜視図である。
【図２】 図１の実施例の底板との接続状況を示す一部
縦断面図である。
縦断面図である。
【図３】 図１の実施例の基板の分解斜視図である。
【図４】 図１のケースの拡大部分断面図である。
【図５】 試験装置を示す斜視図である。
【図６】 試験装置の結線関係を示すブロック図であ
る。
る。
１ 制御基板 ２ 導電性プラスチックケース ２ａ フランジ部 ３ 底板 ４ 金属プレート ５ 金属ねじ ６ ＩＴＯ薄膜 ７ 座金 １０ 標準グランド用アルミ板 １２ 机 １４ アルミ板 １５ 放電ガン（静電ノイズ印加電極） １６ 静電ノイズシュミュレータ １７ 試験機 １８ 変換用トランス １９ 絶縁用シート ２０ ＡＣライン用ノイズフィルタ ２２ ＡＣノイズカットトランス
Claims (6)
- 【請求項１】 制御基板が設置されるケース６面のうち
下部開放部を除いた残り面がほぼ閉塞されたプラスチッ
クのケースにおいて、少なくともケース表面全体を10k
Ω/cm2以下となるように金属酸化物薄膜にてコーティン
グすると共に制御基板と接するケース周縁の少なくとも
２カ所においてアース接地するように構成した導電性遊
技機制御用収納ケース。 - 【請求項２】 前記金属酸化物薄膜がＩＴＯ薄膜（イン
ジウム・スズ酸化物薄膜）でコーティングされた請求項
１記載の導電性遊技機制御用収納ケース。 - 【請求項３】 前記金属酸化物薄膜のコーティングが、
低温スパッタリングにより１５０Å以上の厚さにコーテ
ィングされた請求項１又は２記載の導電性遊技機制御用
収納ケース。 - 【請求項４】 前記金属酸化物薄膜のコーティングが吹
き付け式のゾルゲル法により厚さ１５０Å以上の厚さに
コーティングされた請求項１又は２記載の導電性遊技機
制御用収納ケース。 - 【請求項５】 制御基板が設置されるケース６面のうち
下部開放部を除いた残り面がほぼ閉塞されたプラスチッ
クのケースにおいて、ケース表裏全体を10kΩ/cm2以下
となるように金属酸化物薄膜にてコーティングすると共
に制御基板と接するケース周縁の少なくとも２カ所にお
いてアース接地するように構成した導電性遊技機制御用
収納ケース。 - 【請求項６】 前記コーティングしたプラスチックケー
スの光透過率が、元の素材（プラスチック）の８０〜９
５％となるように構成されていることを特徴とする請求
項１乃至５記載の導電性遊技機制御用収納ケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33071798A JP2000153050A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 導電性遊技機制御用収納ケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33071798A JP2000153050A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 導電性遊技機制御用収納ケース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000153050A true JP2000153050A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18235789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33071798A Pending JP2000153050A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 導電性遊技機制御用収納ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000153050A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002331082A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-19 | Heiwa Corp | 遊技機 |
| JP2002360889A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-17 | Maruhon Ind Co Ltd | 雑音電流吸収装置および遊技機 |
| JP2008186072A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Y E Data Inc | 半導体メモリーカード読み書き装置 |
| JP2012205765A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Newgin Co Ltd | 遊技機 |
| JP2018033630A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 株式会社大一商会 | 遊技機 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33071798A patent/JP2000153050A/ja active Pending
Cited By (5)
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