JP2000131045A - 走査型荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
走査型荷電粒子ビーム装置Info
- Publication number
- JP2000131045A JP2000131045A JP10303710A JP30371098A JP2000131045A JP 2000131045 A JP2000131045 A JP 2000131045A JP 10303710 A JP10303710 A JP 10303710A JP 30371098 A JP30371098 A JP 30371098A JP 2000131045 A JP2000131045 A JP 2000131045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- particle beam
- scanning
- sample
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 正確な測長を行うことができると共に、高画
質の像を表示することができる走査型荷電粒子ビーム装
置を実現する。 【解決手段】 試料３からの２次電子を検出する第１の
検出器４の出力信号は、第１の増幅器６に供給されて増
幅され、第２の検出器５の出力信号は、第２の増幅器７
に供給されて増幅される。第１と第２の増幅器６，７の
出力信号は、加算器８に供給されて加算される。加算器
８において加算され、正規化された信号は画像積算器９
に供給されて各画素ごとの信号は積算される。画像積算
器９において積算された信号は、陰極線管１０に供給さ
れ。試料３の走査２次電子像が得られる。また、画像積
算器９において積算された信号は、測長ユニット１１に
供給され、特定パターンの測長が行われる。画像積算器
９から読み出された信号は、ゲイン調節器１２に供給さ
れる。ゲイン調節器１２の出力は、第１と第２の増幅器
６，７に供給され、それらの増幅器のゲインの調節を行
う。
質の像を表示することができる走査型荷電粒子ビーム装
置を実現する。 【解決手段】 試料３からの２次電子を検出する第１の
検出器４の出力信号は、第１の増幅器６に供給されて増
幅され、第２の検出器５の出力信号は、第２の増幅器７
に供給されて増幅される。第１と第２の増幅器６，７の
出力信号は、加算器８に供給されて加算される。加算器
８において加算され、正規化された信号は画像積算器９
に供給されて各画素ごとの信号は積算される。画像積算
器９において積算された信号は、陰極線管１０に供給さ
れ。試料３の走査２次電子像が得られる。また、画像積
算器９において積算された信号は、測長ユニット１１に
供給され、特定パターンの測長が行われる。画像積算器
９から読み出された信号は、ゲイン調節器１２に供給さ
れる。ゲイン調節器１２の出力は、第１と第２の増幅器
６，７に供給され、それらの増幅器のゲインの調節を行
う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査電子顕微鏡な
どの走査型荷電粒子ビーム装置に関し、特に、正確な測
長を行うことができる走査型荷電粒子ビーム装置に関す
る。
どの走査型荷電粒子ビーム装置に関し、特に、正確な測
長を行うことができる走査型荷電粒子ビーム装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し
加速された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズ
によって集束し、試料上に照射すると共に、試料上で電
子ビームを２次元的に走査し、試料から発生した２次電
子や反射電子を検出し、検出信号を陰極線管に供給して
試料の走査像を得るようにしている。
加速された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズ
によって集束し、試料上に照射すると共に、試料上で電
子ビームを２次元的に走査し、試料から発生した２次電
子や反射電子を検出し、検出信号を陰極線管に供給して
試料の走査像を得るようにしている。
【０００３】このような走査電子顕微鏡をマイクロメー
タオーダーの微小パターンの測長に用いることが行われ
ている。すなわち、電子ビームを同一方向（Ｘ方向また
はＹ方向）に走査した場合、この走査に伴う２次電子の
検出波形は、微小パターンの形状を反映しており、走査
検出波形から微小パターンの測長ができることになる。
タオーダーの微小パターンの測長に用いることが行われ
ている。すなわち、電子ビームを同一方向（Ｘ方向また
はＹ方向）に走査した場合、この走査に伴う２次電子の
検出波形は、微小パターンの形状を反映しており、走査
検出波形から微小パターンの測長ができることになる。
【０００４】図１はこのような走査電子顕微鏡の要部の
一例を示しており、図示していない電子銃から発生し加
速された一次電子ビームＥＢは、インナーチューブ１を
通過して対物レンズ２によって試料３上に細く集束させ
られる。この試料３に照射される一次電子ビームＥＢ
は、図示していない走査コイルにより、２次元的に走査
される。
一例を示しており、図示していない電子銃から発生し加
速された一次電子ビームＥＢは、インナーチューブ１を
通過して対物レンズ２によって試料３上に細く集束させ
られる。この試料３に照射される一次電子ビームＥＢ
は、図示していない走査コイルにより、２次元的に走査
される。
【０００５】試料３への一次電子ビームＥＢの照射によ
って試料３からは２次電子ｅが発生するが、この２次電
子ｅの検出効率を高めるため、複数の２次電子検出器が
設けられている。すなわち、インナーチューブ１の内部
に、上方に向かう２次電子を捕獲するための第１の検出
器（上方検出器）４が設けられ、対物レンズ２の横方向
に、対物レンズの外側に向かう２次電子を捕獲するため
の第２の検出器（下方検出器）５が設けられている。
って試料３からは２次電子ｅが発生するが、この２次電
子ｅの検出効率を高めるため、複数の２次電子検出器が
設けられている。すなわち、インナーチューブ１の内部
に、上方に向かう２次電子を捕獲するための第１の検出
器（上方検出器）４が設けられ、対物レンズ２の横方向
に、対物レンズの外側に向かう２次電子を捕獲するため
の第２の検出器（下方検出器）５が設けられている。
【０００６】第１と第２の検出器４，５は、それぞれ入
射した２次電子の量に応じた強度の電気信号を発生す
る。なお、検出器としてシンチレータとフォトマルチプ
ライヤを用いた場合には、２次電子は最初に光信号に変
換され、その後光の強度に応じた電気信号に変換され
る。
射した２次電子の量に応じた強度の電気信号を発生す
る。なお、検出器としてシンチレータとフォトマルチプ
ライヤを用いた場合には、２次電子は最初に光信号に変
換され、その後光の強度に応じた電気信号に変換され
る。
【０００７】第１の検出器４の出力信号は、第１の増幅
器６に供給されて増幅され、第２の検出器５の出力信号
は、第２の増幅器７に供給されて増幅される。第１と第
２の増幅器６，７の出力信号は、加算器８に供給されて
加算される。
器６に供給されて増幅され、第２の検出器５の出力信号
は、第２の増幅器７に供給されて増幅される。第１と第
２の増幅器６，７の出力信号は、加算器８に供給されて
加算される。
【０００８】加算器８において加算され、正規化された
信号は画像積算器９に供給されて各画素ごとの信号は積
算される。すなわち、試料上の所定領域のＸ，Ｙ２次元
走査は複数回行われ、各走査に基づいて得られた２次電
子検出信号は、画像積算器９においてフレーム積算さ
れ、ＳＮ比が向上させられる。
信号は画像積算器９に供給されて各画素ごとの信号は積
算される。すなわち、試料上の所定領域のＸ，Ｙ２次元
走査は複数回行われ、各走査に基づいて得られた２次電
子検出信号は、画像積算器９においてフレーム積算さ
れ、ＳＮ比が向上させられる。
【０００９】画像積算器９において積算された信号は、
陰極線管１０に供給されることから、陰極線管１０には
試料３の走査２次電子像が得られる。また、画像積算器
９において積算された信号は、測長ユニット１１に供給
され、測長ユニット１１において走査領域に含まれる特
定パターンの測長が行われる。
陰極線管１０に供給されることから、陰極線管１０には
試料３の走査２次電子像が得られる。また、画像積算器
９において積算された信号は、測長ユニット１１に供給
され、測長ユニット１１において走査領域に含まれる特
定パターンの測長が行われる。
【００１０】図２（ａ）は一次電子ビームの走査領域に
含まれる試料３上に形成された凸状のパターンＰを示し
ている。このパターンＰは台形であり、左右が対称形状
となっている。このパターンＰ上を集束された一次電子
ビームＥＢで走査すると、２次電子ｅが発生する。この
２次電子ｅは、パターンＰの形状を反映して発生量が場
所的に異なり、図２（ｂ）に示すような２次電子信号に
よる走査波形Ｗ１が得られる。このような走査波形Ｗの
幅から、微小パターンＰの測長（幅ｄ１）が行われる。
含まれる試料３上に形成された凸状のパターンＰを示し
ている。このパターンＰは台形であり、左右が対称形状
となっている。このパターンＰ上を集束された一次電子
ビームＥＢで走査すると、２次電子ｅが発生する。この
２次電子ｅは、パターンＰの形状を反映して発生量が場
所的に異なり、図２（ｂ）に示すような２次電子信号に
よる走査波形Ｗ１が得られる。このような走査波形Ｗの
幅から、微小パターンＰの測長（幅ｄ１）が行われる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１に示したような、
２次電子の検出効率を向上させるために２次電子検出器
を複数設けた場合、加算器８で加算された信号の波形
は、図２（ａ）で示したような対称形状のパターンＰを
走査しても、複数の検出器の検出効率の違いから、対称
な形とはならない。
２次電子の検出効率を向上させるために２次電子検出器
を複数設けた場合、加算器８で加算された信号の波形
は、図２（ａ）で示したような対称形状のパターンＰを
走査しても、複数の検出器の検出効率の違いから、対称
な形とはならない。
【００１２】この図２（ｂ）に示したような対称性のな
い走査波形Ｗ１を用いて測長した値は、試料、パターン
形状、観察条件によって値がばらつき、再現性がなくな
るという問題がある。また、測長における問題以外に
も、対称性のない検出波形を有した信号に基づいて陰極
線管１０に表示される像は、輝度むらが生じるなど画質
が劣化する問題もある。
い走査波形Ｗ１を用いて測長した値は、試料、パターン
形状、観察条件によって値がばらつき、再現性がなくな
るという問題がある。また、測長における問題以外に
も、対称性のない検出波形を有した信号に基づいて陰極
線管１０に表示される像は、輝度むらが生じるなど画質
が劣化する問題もある。
【００１３】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、正確な測長を行うことができると
共に、高画質の像を表示することができる走査型荷電粒
子ビーム装置を実現するにある。
もので、その目的は、正確な測長を行うことができると
共に、高画質の像を表示することができる走査型荷電粒
子ビーム装置を実現するにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく走査
型荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム源と、荷電粒
子ビーム源からの荷電粒子ビームを試料上に細く集束す
るためのレンズと、試料上で荷電粒子ビームを２次元的
に走査するための走査手段と、試料への荷電粒子ビーム
の照射によって発生した信号を検出する第１と第２の検
出器と、第１の検出器の検出信号を増幅する第１の増幅
器と、第２の検出器の検出信号を増幅する第２の増幅器
と、第１の増幅器と第２の増幅器の出力信号を加算する
加算器と、加算器による加算信号に基づいて、第１の増
幅器と第２の増幅器のいずれかあるいはその両方のゲイ
ンを調節するゲイン調節器とを備えたことを特徴として
いる。
型荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム源と、荷電粒
子ビーム源からの荷電粒子ビームを試料上に細く集束す
るためのレンズと、試料上で荷電粒子ビームを２次元的
に走査するための走査手段と、試料への荷電粒子ビーム
の照射によって発生した信号を検出する第１と第２の検
出器と、第１の検出器の検出信号を増幅する第１の増幅
器と、第２の検出器の検出信号を増幅する第２の増幅器
と、第１の増幅器と第２の増幅器の出力信号を加算する
加算器と、加算器による加算信号に基づいて、第１の増
幅器と第２の増幅器のいずれかあるいはその両方のゲイ
ンを調節するゲイン調節器とを備えたことを特徴として
いる。
【００１５】第１の発明では、荷電粒子ビームを試料に
照射することによって発生した信号を複数の検出器によ
って検出し、得られた検出信号を増幅する複数の増幅器
の出力信号を加算するようにした荷電粒子ビーム装置に
おいて、複数の増幅器のゲインを調整する。
照射することによって発生した信号を複数の検出器によ
って検出し、得られた検出信号を増幅する複数の増幅器
の出力信号を加算するようにした荷電粒子ビーム装置に
おいて、複数の増幅器のゲインを調整する。
【００１６】第２の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、第１の発明において、加算信号に基づいて試料
像を表示するようにしたことを特徴としている。第３の
発明に基づく走査型荷電粒子ビーム装置は、第１の発明
において、加算信号に基づいて特定パターンの長さを測
長するようにしたことを特徴としている。
装置は、第１の発明において、加算信号に基づいて試料
像を表示するようにしたことを特徴としている。第３の
発明に基づく走査型荷電粒子ビーム装置は、第１の発明
において、加算信号に基づいて特定パターンの長さを測
長するようにしたことを特徴としている。
【００１７】第４の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、第１の発明において、ゲイン調節器は、加算器
による加算信号から試料上の特定パターンの走査に基づ
く２つのピーク信号を検出し、その信号強度の差が所定
の値以内となるように、第１の増幅器と第２の増幅器の
いずれかあるいはその両方のゲインを制御するようにし
たことを特徴としている。
装置は、第１の発明において、ゲイン調節器は、加算器
による加算信号から試料上の特定パターンの走査に基づ
く２つのピーク信号を検出し、その信号強度の差が所定
の値以内となるように、第１の増幅器と第２の増幅器の
いずれかあるいはその両方のゲインを制御するようにし
たことを特徴としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図３は本発明に基づく走査
電子顕微鏡の要部の一例を示しており、図１と同一ない
しは類似の構成要素には同一番号が付されている。
施の形態を詳細に説明する。図３は本発明に基づく走査
電子顕微鏡の要部の一例を示しており、図１と同一ない
しは類似の構成要素には同一番号が付されている。
【００１９】図３において、図示していない電子銃から
発生し加速された一次電子ビームＥＢは、インナーチュ
ーブ１を通過して対物レンズ２によって試料３上に細く
集束させられる。この試料３に照射される一次電子ビー
ムＥＢは、図示していない走査コイルにより、２次元的
に走査される。
発生し加速された一次電子ビームＥＢは、インナーチュ
ーブ１を通過して対物レンズ２によって試料３上に細く
集束させられる。この試料３に照射される一次電子ビー
ムＥＢは、図示していない走査コイルにより、２次元的
に走査される。
【００２０】試料３への一次電子ビームＥＢの照射によ
って試料３からは２次電子ｅが発生するが、この２次電
子ｅの検出効率を高めるため、インナーチューブ１の内
部に第１の検出器（上方検出器）４が設けられ、対物レ
ンズ２の外側に第２の検出器（下方検出器）５が設けら
れている。
って試料３からは２次電子ｅが発生するが、この２次電
子ｅの検出効率を高めるため、インナーチューブ１の内
部に第１の検出器（上方検出器）４が設けられ、対物レ
ンズ２の外側に第２の検出器（下方検出器）５が設けら
れている。
【００２１】第１と第２の検出器４，５は、それぞれ入
射した２次電子の量に応じた強度の電気信号を発生す
る。なお、検出器としてシンチレータとフォトマルチプ
ライヤを用いた場合には、２次電子は最初に光信号に変
換され、その後光の強度に応じた電気信号に変換され
る。
射した２次電子の量に応じた強度の電気信号を発生す
る。なお、検出器としてシンチレータとフォトマルチプ
ライヤを用いた場合には、２次電子は最初に光信号に変
換され、その後光の強度に応じた電気信号に変換され
る。
【００２２】第１の検出器４の出力信号は、第１の増幅
器６に供給されて増幅され、第２の検出器５の出力信号
は、第２の増幅器７に供給されて増幅される。第１と第
２の増幅器６，７の出力信号は、加算器８に供給されて
加算される。
器６に供給されて増幅され、第２の検出器５の出力信号
は、第２の増幅器７に供給されて増幅される。第１と第
２の増幅器６，７の出力信号は、加算器８に供給されて
加算される。
【００２３】加算器８において加算され、正規化された
信号は画像積算器９に供給されて各画素ごとの信号は積
算される。すなわち、試料上の所定領域のＸ，Ｙ２次元
走査は複数回行われ、各走査に基づいて得られた２次電
子検出信号は、画像積算器９においてフレーム積算さ
れ、ＳＮ比が向上させられる。
信号は画像積算器９に供給されて各画素ごとの信号は積
算される。すなわち、試料上の所定領域のＸ，Ｙ２次元
走査は複数回行われ、各走査に基づいて得られた２次電
子検出信号は、画像積算器９においてフレーム積算さ
れ、ＳＮ比が向上させられる。
【００２４】画像積算器９において積算された信号は、
陰極線管１０に供給されることから、陰極線管１０には
試料３の走査２次電子像が得られる。また、画像積算器
９において積算された信号は、測長ユニット１１に供給
され、測長ユニット１１において走査領域に含まれる特
定パターンの測長が行われる。
陰極線管１０に供給されることから、陰極線管１０には
試料３の走査２次電子像が得られる。また、画像積算器
９において積算された信号は、測長ユニット１１に供給
され、測長ユニット１１において走査領域に含まれる特
定パターンの測長が行われる。
【００２５】画像積算器９から読み出された信号は、ゲ
イン調節器１２に供給される。ゲイン調節器１２は、図
４に示すようにピーク位置検出器１３、ゲイン調節判断
器１４、ゲイン演算器１５より構成されている。このゲ
イン調節器１２の出力は、第１と第２の増幅器６，７に
供給され、それらの増幅器のゲインの調節を行う。
イン調節器１２に供給される。ゲイン調節器１２は、図
４に示すようにピーク位置検出器１３、ゲイン調節判断
器１４、ゲイン演算器１５より構成されている。このゲ
イン調節器１２の出力は、第１と第２の増幅器６，７に
供給され、それらの増幅器のゲインの調節を行う。
【００２６】さて、このような構成において、図５
（ａ）に示すように、試料３上の台形で対称形状のパタ
ーンＰ上を集束された一次電子ビームＥＢで走査する
と、２次電子ｅが発生する。この２次電子ｅは、パター
ンＰの形状を反映して発生量が場所的に異なり、画像積
算器９で信号を積算してノイズを減らした信号の波形
は、理想的には図５（ｂ）に示すような波形Ｗ０とな
る。この波形Ｗ０は、対称的な波形である。
（ａ）に示すように、試料３上の台形で対称形状のパタ
ーンＰ上を集束された一次電子ビームＥＢで走査する
と、２次電子ｅが発生する。この２次電子ｅは、パター
ンＰの形状を反映して発生量が場所的に異なり、画像積
算器９で信号を積算してノイズを減らした信号の波形
は、理想的には図５（ｂ）に示すような波形Ｗ０とな
る。この波形Ｗ０は、対称的な波形である。
【００２７】しかしながら、２次電子検出器４，５のそ
れぞれの方向性、および、複数の２次電子検出器のそれ
ぞれの検出効率の差異により、現実には図５（ｂ）に示
す対称的な波形とならず、図５（ｃ）に示すような非対
称な波形Ｗ１となる。このような非対称な波形の信号に
基づいて測長を行うと、正確性が薄れ、また、再現性も
なくなり、更にこのような波形の信号に基づく像は画質
が悪くなることは既に述べた。
れぞれの方向性、および、複数の２次電子検出器のそれ
ぞれの検出効率の差異により、現実には図５（ｂ）に示
す対称的な波形とならず、図５（ｃ）に示すような非対
称な波形Ｗ１となる。このような非対称な波形の信号に
基づいて測長を行うと、正確性が薄れ、また、再現性も
なくなり、更にこのような波形の信号に基づく像は画質
が悪くなることは既に述べた。
【００２８】本発明では、図５（ｃ）の波形Ｗ１を、第
１の増幅器６と第２の増幅器７のいずれか、あるいはそ
の両方のゲインを調節することにより、図５（ｂ）に示
すような対称的な波形Ｗ０とすることを特徴としてい
る。
１の増幅器６と第２の増幅器７のいずれか、あるいはそ
の両方のゲインを調節することにより、図５（ｂ）に示
すような対称的な波形Ｗ０とすることを特徴としてい
る。
【００２９】図５（ｃ）に示す信号はゲイン調節器１２
に供給され、ピーク位置検出器１３において波形に含ま
れる２つのピークＡ，Ｂのピークの大きさが検出され、
その差Δε（Ａ−Ｂ）の信号が得られる。この差信号Δ
εはゲイン調節判断器１４に供給される。
に供給され、ピーク位置検出器１３において波形に含ま
れる２つのピークＡ，Ｂのピークの大きさが検出され、
その差Δε（Ａ−Ｂ）の信号が得られる。この差信号Δ
εはゲイン調節判断器１４に供給される。
【００３０】ゲイン調節判断器１４は、差信号Δεが、
Δε＞ε２、または、Δε＜−ε２となったとき、第１
と第２の増幅器６，７のゲインの調整が必要と判断し、
Δεが、 −ε２≦Δε≦ε２ の場合には、ゲイン調整しないと判断する。
Δε＞ε２、または、Δε＜−ε２となったとき、第１
と第２の増幅器６，７のゲインの調整が必要と判断し、
Δεが、 −ε２≦Δε≦ε２ の場合には、ゲイン調整しないと判断する。
【００３１】ゲイン演算器１５は、ゲイン調節判断器１
４がゲイン調節をすると判断したときに、次の式からゲ
インｇを演算する。 ｇ＝ｇ０（１＋α・Δε） ここで、ｇ０は前回に設定されているゲインであり、ま
た、αは、設定パラメータである。このゲイン演算器１
５で求められたゲインの値は、第１と第２の増幅器６，
７のいずれかに供給され、そのゲインが調節される。こ
のゲインが調節されて、ゲイン調節判断器１４において
調節不要の判断がなされるまで、すなわち、偏差Δε
が、Δε＜｜ε１｜となるまでゲイン調節を行う。
４がゲイン調節をすると判断したときに、次の式からゲ
インｇを演算する。 ｇ＝ｇ０（１＋α・Δε） ここで、ｇ０は前回に設定されているゲインであり、ま
た、αは、設定パラメータである。このゲイン演算器１
５で求められたゲインの値は、第１と第２の増幅器６，
７のいずれかに供給され、そのゲインが調節される。こ
のゲインが調節されて、ゲイン調節判断器１４において
調節不要の判断がなされるまで、すなわち、偏差Δε
が、Δε＜｜ε１｜となるまでゲイン調節を行う。
【００３２】図６はこのようなゲイン調節の様子を示し
ており、時刻ｔ１においてゲイン調節が必要と判断さ
れ、時刻ｔ２にゲイン調節終了と判断された場合を示し
ている。なお、制御のハンチング防止のため、パラメー
タε１、ε２は、ε１＜ε２となるように設定されてい
る。
ており、時刻ｔ１においてゲイン調節が必要と判断さ
れ、時刻ｔ２にゲイン調節終了と判断された場合を示し
ている。なお、制御のハンチング防止のため、パラメー
タε１、ε２は、ε１＜ε２となるように設定されてい
る。
【００３３】このようにして増幅器のゲインが調節さ
れ、図５（ｃ）に示した非対称な波形Ｗ１は、図５
（ｂ）に示すように対称な波形Ｗ０とされる。この対称
波形の信号を測長ユニット１１に供給すれば、正確な測
長値ｄ０が得られる。また、対称波形となる信号を陰極
線管１０に供給すれば、画質の優れた像を表示すること
ができる。
れ、図５（ｃ）に示した非対称な波形Ｗ１は、図５
（ｂ）に示すように対称な波形Ｗ０とされる。この対称
波形の信号を測長ユニット１１に供給すれば、正確な測
長値ｄ０が得られる。また、対称波形となる信号を陰極
線管１０に供給すれば、画質の優れた像を表示すること
ができる。
【００３４】以上本発明の一実施の形態を説明したが、
本発明はこの形態に限定されるものではない。例えば、
第１と第２の増幅器のいずれかのゲインを調節するよう
にしたが、両者を調節して対称波形の信号とするように
構成しても良い。また、測長機能を有した装置のみなら
ず、２次電子像の観察のみを行う装置にも本発明を適用
することができる。更に、走査電子顕微鏡を例に説明し
たが、ビームの走査によって画像を作る全ての装置にも
本発明を適用することができる。
本発明はこの形態に限定されるものではない。例えば、
第１と第２の増幅器のいずれかのゲインを調節するよう
にしたが、両者を調節して対称波形の信号とするように
構成しても良い。また、測長機能を有した装置のみなら
ず、２次電子像の観察のみを行う装置にも本発明を適用
することができる。更に、走査電子顕微鏡を例に説明し
たが、ビームの走査によって画像を作る全ての装置にも
本発明を適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】第１の発明では、荷電粒子ビームを試料
に照射することによって発生した信号を複数の検出器に
よって検出し、得られた検出信号を増幅する複数の増幅
器の出力信号を加算するようにした荷電粒子ビーム装置
において、複数の増幅器のゲインを調整するように構成
したので、加算信号を用いて測長を行えば、再現性の良
い測長を行うことができる。また、加算信号に基づいて
試料像を表示すれば、画質の優れた像を観察することが
できる。
に照射することによって発生した信号を複数の検出器に
よって検出し、得られた検出信号を増幅する複数の増幅
器の出力信号を加算するようにした荷電粒子ビーム装置
において、複数の増幅器のゲインを調整するように構成
したので、加算信号を用いて測長を行えば、再現性の良
い測長を行うことができる。また、加算信号に基づいて
試料像を表示すれば、画質の優れた像を観察することが
できる。
【００３６】第２の発明では、第１の発明において、加
算信号に基づいて試料像を表示するようにしたので、画
質の優れた像を観察することができる。第３の発明に基
づく走査型荷電粒子ビーム装置は、第１の発明におい
て、加算信号に基づいて特定パターンの長さを測長する
ようにしたので、加算信号を用いて測長を行えば、再現
性の良い測長を行うことができる。
算信号に基づいて試料像を表示するようにしたので、画
質の優れた像を観察することができる。第３の発明に基
づく走査型荷電粒子ビーム装置は、第１の発明におい
て、加算信号に基づいて特定パターンの長さを測長する
ようにしたので、加算信号を用いて測長を行えば、再現
性の良い測長を行うことができる。
【００３７】第４の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、第１の発明において、ゲイン調節器は、加算器
による加算信号から試料上の特定パターンの走査に基づ
く２つのピーク信号を検出し、その信号強度の差が所定
の値以内となるように、第１の増幅器と第２の増幅器の
いずれかあるいはその両方のゲインを制御するようにし
たので、加算信号を用いて測長を行えば、再現性の良い
測長を行うことができる。また、加算信号に基づいて試
料像を表示すれば、画質の優れた像を観察することがで
きる。
装置は、第１の発明において、ゲイン調節器は、加算器
による加算信号から試料上の特定パターンの走査に基づ
く２つのピーク信号を検出し、その信号強度の差が所定
の値以内となるように、第１の増幅器と第２の増幅器の
いずれかあるいはその両方のゲインを制御するようにし
たので、加算信号を用いて測長を行えば、再現性の良い
測長を行うことができる。また、加算信号に基づいて試
料像を表示すれば、画質の優れた像を観察することがで
きる。
【図１】従来の走査電子顕微鏡の要部の一例を示す図で
ある。
ある。
【図２】試料上のパターン部分の一次電子ビームの走査
と２次電子検出信号波形を示す図である。
と２次電子検出信号波形を示す図である。
【図３】本発明に基づく走査電子顕微鏡の要部の一例を
示す図である。
示す図である。
【図４】ゲイン調節器の詳細を示す図である。
【図５】試料上のパターン部分の一次電子ビームの走査
と２次電子検出信号波形を示す図である。
と２次電子検出信号波形を示す図である。
【図６】ゲイン調節の様子を示す図である。
１ インナーチューブ ２ 対物レンズ ３ 試料 ４，５ ２次電子検出器 ６，７ 増幅器 ８ 加算器 ９ 画像積算器 １０ 陰極線管 １１ 測長ユニット １２ ゲイン調整器
Claims (4)
- 【請求項１】 荷電粒子ビーム源と、荷電粒子ビーム源
からの荷電粒子ビームを試料上に細く集束するためのレ
ンズと、試料上で荷電粒子ビームを２次元的に走査する
ための走査手段と、試料への荷電粒子ビームの照射によ
って発生した信号を検出する第１と第２の検出器と、第
１の検出器の検出信号を増幅する第１の増幅器と、第２
の検出器の検出信号を増幅する第２の増幅器と、第１の
増幅器と第２の増幅器の出力信号を加算する加算器と、
加算器による加算信号に基づいて、第１の増幅器と第２
の増幅器のいずれかあるいはその両方のゲインを調節す
るゲイン調節器とを備えた走査型荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項２】 加算信号に基づいて試料像を表示するよ
うにした請求項１記載の走査型荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項３】 加算信号に基づいて特定パターンの長さ
を測長するようにした請求項１記載の走査型荷電粒子ビ
ーム装置。 - 【請求項４】 ゲイン調節器は、加算器による加算信号
から試料上の特定パターンの走査に基づく２つのピーク
信号を検出し、その信号強度の差が所定の値以内となる
ように、第１の増幅器と第２の増幅器のいずれかあるい
はその両方のゲインを制御するようにした請求項１記載
の走査型荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303710A JP2000131045A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303710A JP2000131045A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000131045A true JP2000131045A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17924327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10303710A Withdrawn JP2000131045A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000131045A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249273A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP2012503856A (ja) * | 2008-09-28 | 2012-02-09 | ビー−ナノ リミテッド | 真空化されたデバイス、および、走査型電子顕微鏡 |
| WO2012140874A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡装置および画像撮像方法 |
| US8981294B2 (en) | 2008-07-03 | 2015-03-17 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
| US9466458B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-10-11 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP10303710A patent/JP2000131045A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8981294B2 (en) | 2008-07-03 | 2015-03-17 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
| US9431213B2 (en) | 2008-07-03 | 2016-08-30 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope, an interface and a method for observing an object within a non-vacuum environment |
| JP2012503856A (ja) * | 2008-09-28 | 2012-02-09 | ビー−ナノ リミテッド | 真空化されたデバイス、および、走査型電子顕微鏡 |
| JP2011249273A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| WO2012140874A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡装置および画像撮像方法 |
| JP2012226842A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子顕微鏡装置および画像撮像方法 |
| US9460889B2 (en) | 2011-04-15 | 2016-10-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle microscope device and image capturing method |
| US9466458B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-10-11 | B-Nano Ltd. | Scanning electron microscope |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7439504B2 (en) | Pattern inspection method and apparatus using electron beam | |
| US6703613B2 (en) | Energy spectrum measuring apparatus, electron energy loss spectrometer, electron microscope provided therewith, and electron energy loss spectrum measuring method | |
| US4990776A (en) | Electron microscope | |
| JP2835097B2 (ja) | 荷電ビームの非点収差補正方法 | |
| JPH0337260B2 (ja) | ||
| JP5553154B2 (ja) | 多分割ｓｔｅｍ検出器の調整方法 | |
| US4097740A (en) | Method and apparatus for focusing the objective lens of a scanning transmission-type corpuscular-beam microscope | |
| JP3987208B2 (ja) | 走査透過型電子顕微鏡 | |
| JP2000131045A (ja) | 走査型荷電粒子ビーム装置 | |
| US4031391A (en) | Electron microscope including improved means for determining and correcting image drift | |
| JPS6127856B2 (ja) | ||
| US9859095B2 (en) | Electron microscope and measurement method | |
| JP3351647B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH01120749A (ja) | 電子顕微鏡の自動焦点合せ装置 | |
| JP2001084946A (ja) | 二次粒子検出器系の評価方法および粒子線装置 | |
| JP4146103B2 (ja) | 電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置 | |
| JP2674010B2 (ja) | 電子線照射装置 | |
| JPH08273568A (ja) | 電子ビーム装置における絞り位置調整方法および電子ビーム装置 | |
| JP3114416B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置における焦点合わせ方法 | |
| JPS6364255A (ja) | 粒子線照射装置 | |
| JP3364400B2 (ja) | 走査電子顕微鏡における電子ビームの調整方法ならびに走査電子顕微鏡 | |
| JPH04522Y2 (ja) | ||
| JP3858370B2 (ja) | 検査装置 | |
| TW202349432A (zh) | 帶電粒子束裝置，帶電粒子束系統，調整方法 | |
| JP2000228165A (ja) | 電子線装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |