JP2000124148A - Method of monitoring turbo pump operation of ion implanting apparatus for manufacture of semiconductor - Google Patents
Method of monitoring turbo pump operation of ion implanting apparatus for manufacture of semiconductorInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を製造する
ためのイオン注入装置に関するものであり、より詳しく
は、イオン注入装置に配置されたターボポンプの動作を
モニタする方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus for manufacturing a semiconductor, and more particularly, to a method for monitoring an operation of a turbo pump disposed in the ion implantation apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１には従来の半導体を製造するための
イオン注入装置が示される。この装置については、米国
特許第４９８０５５６号及び５３００８９１号明細書に
詳しく開示されている。この特許は、本発明の従来の技
術として参考することにする。2. Description of the Related Art FIG. 1 shows a conventional ion implantation apparatus for manufacturing a semiconductor. This device is disclosed in detail in U.S. Pat. Nos. 4,980,556 and 5,300,891. This patent is referred to as the prior art of the present invention.
【０００３】上述の特許に開示された装置によると、正
イオンは熱陰極（ｈｏｔ−ｃａｔｈｏｄｅ）ＰＩＧ（Ｐ
ｅｎｎｉｎｇ Ｉｏｎ Ｇａｕｇｅ）イオンソース１に
よって発生される。この正イオンはイオンソースの高正
電圧を印加することによって、ビームとして抜き出され
る。抜き出された正イオンビームは抜き出し電極システ
ムの直後に設置された電荷交換セル２を通過するときマ
グネシウム真空（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ）に衝突し、正イ
オンビームのいくつの正イオンはマグネシウムから２つ
の電子を取り出し、負イオンビームに変換させる。According to the apparatus disclosed in the above-mentioned patent, positive ions are converted into hot-cathode PIG (P
generated by the ion source 1. The positive ions are extracted as a beam by applying a high positive voltage from an ion source. The extracted positive ion beam collides with a magnesium vacuum as it passes through the charge exchange cell 2 installed immediately after the extraction electrode system, and some positive ions of the positive ion beam extract two electrons from magnesium. And convert it to a negative ion beam.
【０００４】電荷交換セル２を通過した後、このビーム
は９０度分析マグネット３によって電荷の状態及びイオ
ンの質量に従い分析され、必要な負イオンだけがタンデ
ム（ｔａｎｄｅｍ）加速器５に入射される。After passing through the charge exchange cell 2, the beam is analyzed by the 90-degree analysis magnet 3 according to the state of charge and the mass of the ions, and only the necessary negative ions are incident on the tandem accelerator 5.
【０００５】タンデム加速器６の低エネルギー加速チュ
ブ７の引き込みアパーチャ部で終えるプリーＱレンズ４
によって、質量分析負イオンビームはビームウェストを
生成するため集束動作（ｆｏｃｕｓｉｎｇ ａｃｔｉｏ
ｎ）を受信する。プリーＱレンズによって集束されたイ
オンビームはタンデム加速器の終端部に提供されたスト
リッパーカナル（ｓｔｒｉｐｐｅｒ ｃａｎａｌ）８の
中心でビーム中性化器（ガスセル）５によって中性化さ
れる。このときにおいて、負イオンビームは高正電位で
維持されるタンデム加速器の終端部の方に同時に加速さ
れる。The pulley Q lens 4 ending at the retraction aperture of the low energy acceleration tube 7 of the tandem accelerator 6
The mass spectrometry negative ion beam focuses to produce a beam waist.
n). The ion beam focused by the pre-Q lens is neutralized by a beam neutralizer (gas cell) 5 at the center of a stripper canal 8 provided at the end of the tandem accelerator. At this time, the negative ion beam is simultaneously accelerated toward the end of the tandem accelerator maintained at a high positive potential.
【０００６】この加速された負イオンビームがストリッ
パーカナル８を通過するとき、ストリッパーカナル８に
導入された窒素ガスに衝突によって軌道電子（ｏｒｂｉ
ｔａｌ ｅｌｅｃｔｒｏｎ）を失う。正イオンが加速器
６を通過する時、加速器終端部は接地棒９によって接地
され、加速器終端部の過充電（ｃｈａｒｇｅ−ｕｐ）が
防止される。[0006] When the accelerated negative ion beam passes through the stripper canal 8, it collides with the nitrogen gas introduced into the stripper canal 8 to cause orbital electrons (orbi).
tal electron). When the positive ions pass through the accelerator 6, the accelerator end is grounded by the grounding rod 9 to prevent the charge-up of the accelerator end.
【０００７】従って、獲得された正イオンビームはタン
デム加速器終端部からの接地電位の方に向け、高エネル
ギー加速チュブ１０を通過するとき再び加速される。最
終エネルギーを有するビームはポストＱーレンズ１１に
よってその他の集束動作を受信して、必要な電荷状態が
ポストー分析マグネット（ｐｏｓｔ−ａｎａｌｙｚｉｎ
ｇ ｍａｇｎｅｔ）１２によって選択され、ターゲット
（例えば、ウェーハ或いは基板）を備えた工程室（ｐｒ
ｏｃｅｓｓ ｃｈａｍｂｅｒ）１３に入れ込まれる。[0007] Thus, the acquired positive ion beam is again accelerated as it passes through the high energy accelerating tube 10 towards the ground potential from the tandem accelerator end. The beam having the final energy receives another focusing operation by the post-Q-lens 11, and the required charge state is changed to a post-analyzing magnet.
gmagnet) 12 and a process chamber (pr) with a target (eg, wafer or substrate).
process chamber) 13.
【０００８】ビーム中性化器（ｂｅａｍ ｎｅｕｔｒａ
ｌｉｚｅｒ）５の基本構成は図２に示す。図２に示した
ようにガスを導入する手段を提供して、ガスを循環さ
せ、真空領域内に高真空状態を提供するためターボ分子
性ポンプ（ｔｕｒｂｏ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｐｕｍ
ｐ）１４に供給されるガスセルである。Ｈ2，Ｎ2，Ｏ2
等のような大きな分子量が工程室に導入されても、真空
領域の相当に大きな影響を及ばすことを防ぐため差動ポ
ンプ（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｐｕｍｐｉｎｇ）に
よって除去される。負イオンビームは工程室１３に導入
されたガスとの衝突によって、電荷が変化され、中性化
される。ターボポンプは電源供給器１５から供給された
三相交流電流で動作される。[0008] Beam neutralizer (beam neutral)
The basic configuration of the riser 5 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, a turbo molecular pump is provided to provide a means for introducing a gas, circulate the gas, and provide a high vacuum state in a vacuum region.
p) A gas cell supplied to 14. H 2 , N 2 , O 2
Large molecular weights, such as those introduced into the process chamber, are removed by differential pumping to prevent a significant effect on the vacuum region. The charge of the negative ion beam is changed and neutralized by collision with the gas introduced into the process chamber 13. The turbo pump is operated by the three-phase alternating current supplied from the power supply 15.
【０００９】しかしながら、上述したように、従来のイ
オン注入装置では、イオン注入装置がターボポンプの動
作状態をモニタリングする手段を備えていないから、タ
ーボポンプ１４が動作しないとき、或いは正常動作範囲
を越える非正常的に動作するときには動作者がターボポ
ンプ１４の非動作或いは非正常動作を速やかに認識する
ことができない問題がある。もしイオン注入装置がター
ボポンプの非動作或いは非正常動作であるまま継続的に
動作を行うと、イオンビームの正常動作及び中性化が獲
得できなくなる。これは工程上の深刻な故障を発生す
る。ここで、ターボポンプの非動作というのはターボポ
ンプが非規則的であるか、或い電源電圧が電源供給器か
ら印加されないことを意味し、非正常動作というのはタ
ーボポンプの過負荷で動作するか、或いは動作するため
の十分な電源電圧が電源供給器１５からターボポンプ１
４に供給されないことを意味する。However, as described above, in the conventional ion implantation apparatus, since the ion implantation apparatus does not have means for monitoring the operating state of the turbo pump, when the turbo pump 14 does not operate or exceeds the normal operation range. When operating abnormally, there is a problem that the operator cannot quickly recognize the non-operation or abnormal operation of the turbo pump 14. If the ion implanter is continuously operated while the turbo pump is not operating or is not operating normally, normal operation and neutralization of the ion beam cannot be obtained. This causes a serious failure in the process. Here, the non-operation of the turbo pump means that the turbo pump is irregular, or that the power supply voltage is not applied from the power supply, and the abnormal operation means that the turbo pump operates due to overload of the turbo pump. Or a sufficient power supply voltage to operate is supplied from the power supply 15 to the turbo pump 1.
4 is not supplied.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はイオン
注入装置に配置されたターボポンプの動作をモニタする
方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method for monitoring the operation of a turbopump located in an ion implanter.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上述のような目的を達成
するための本発明の一の特徴によると、イオン注入装置
が半導体を製造するため提供される。この装置はイオン
中性化器を通す中性化ガスを循環させて前記装置の真空
領域の高真空状態を提供するターボポンプを有して、ビ
ーム中性化器を通過するイオンビームを中性化するビー
ム中性化器を含む。電源供給器は三相交流電源をターボ
ポンプに提供して、三相交流電源が電源制御信号に応じ
てターボポンプに供給されないようにする。電流検出器
はターボポンプに流れる電流量を検出する。表示装置は
検出された電流量に関する情報を表示する。メイン制御
器は電源制御信号を発生させるため、装置のすべての機
能を制御して、検出された電流量がプリセット下限値以
下であるか、或はプリセットされた上限値以上であるか
否かを判定する。従って、メイン制御器は、イオン注入
が保持状態に維持させ、ターボポンプを前記制御信号の
受信時にパワーオフさせる。According to one aspect of the present invention to achieve the above objects, an ion implanter is provided for manufacturing a semiconductor. This device has a turbo pump that circulates the neutralizing gas through the ion neutralizer to provide a high vacuum state in the vacuum region of the device, and neutralizes the ion beam passing through the beam neutralizer. Includes a neutralizing beam neutralizer. The power supply provides the three-phase AC power to the turbo pump so that the three-phase AC power is not supplied to the turbo pump in response to the power control signal. The current detector detects the amount of current flowing through the turbo pump. The display device displays information on the detected current amount. The main controller controls all functions of the device to generate a power control signal to determine whether the detected amount of current is below the preset lower limit or above the preset upper limit. judge. Therefore, the main controller keeps the ion implantation in a holding state, and turns off the turbo pump when receiving the control signal.
【００１２】本発明のその他の特徴によると、半導体を
製造するため提供されるイオン注入装置はイオン中性化
器を通す中性化ガスを循環させて前記装置の真空領域の
高真空状態を提供するターボポンプを有して、ビーム中
性化器を通過するイオンビームを中性化するビーム中性
化器を含む。電源供給器は三相交流電源をターボポンプ
に提供して、三相交流電源が電源制御信号に応じてター
ボポンプに供給されないようにする。電流検出器はター
ボポンプに流れる電流量を検出して、電源制御信号を発
生するため、検出された検出された電流量がプリセット
された下限値以下であるか、或いは上限であるかを判定
する。表示装置（ｄｉｓｐｌａｙ）或いはスクリーン
（ｓｃｒｅｅｎ）は検出された電流量に関する情報を表
示する。メイン制御器は電源制御信号を発生させるた
め、装置のすべての機能を制御して、検出された電流量
がプリセット下限値以下であるか、或はプリセットされ
た上限値以上であるか否かを判定する。In accordance with another aspect of the present invention, an ion implanter provided for manufacturing semiconductors circulates a neutralizing gas through an ion neutralizer to provide a high vacuum in the vacuum region of the device. A beam neutralizer for neutralizing an ion beam passing through the beam neutralizer having a turbo pump. The power supply provides the three-phase AC power to the turbo pump so that the three-phase AC power is not supplied to the turbo pump in response to the power control signal. The current detector detects the amount of current flowing to the turbo pump and generates a power control signal, so that it is determined whether the detected amount of current is equal to or less than a preset lower limit or an upper limit. . A display or screen displays information about the detected current amount. The main controller controls all functions of the device to generate a power control signal to determine whether the detected amount of current is below the preset lower limit or above the preset upper limit. judge.
【００１３】本発明のその他の特徴によると、半導体を
製造するためのイオン注入装置に配置されたターボポン
プをモニタする方法が提供される。この装置はイオン中
性化器を通す中性化ガスを循環させて装置の真空領域の
高真空状態を提供するターボ有して、ビーム中性化器を
通過するイオンビームを中性化するビーム中性化器と、
三相交流電源をターボポンプに提供して、前記三相交流
電源が電源制御信号に応じてターボポンプに供給されな
いようにする電源供給器とを含む。この装置において、
この方法はターボポンプに流れる電流量を検出する段階
と、電源制御信号を発生させるため、検出された電流量
がプリセット下限値以下であるか、或はプリセットされ
た上限値以上であるか否かを判定する段階と、表示装置
及びメモリに検出された電流量に関する情報を各々表示
及び貯蔵する段階と、判定段階で一定範囲以外であれ
ば、電源制御信号を発生する段階と、電源制御信号にタ
ーボポンプに三相交流電源の供給を停止する段階とを含
む。従って、この装置のイオン注入は前記電源制御信号
に応じて保持状態に維持される。In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a method of monitoring a turbo pump located in an ion implanter for manufacturing semiconductors. This device has a turbo that circulates the neutralizing gas through the ion neutralizer to provide a high vacuum state in the vacuum region of the device, and a beam that neutralizes the ion beam passing through the beam neutralizer Neutralizer,
A power supply for providing three-phase AC power to the turbo pump to prevent the three-phase AC power from being supplied to the turbo pump in response to a power control signal. In this device,
The method includes the steps of detecting the amount of current flowing to the turbo pump and generating a power supply control signal to determine whether the detected amount of current is equal to or less than a preset lower limit or equal to or greater than a preset upper limit. Determining, displaying and storing the information on the amount of current detected in the display device and the memory, respectively, if the determination is out of a certain range, generating a power control signal; and Stopping the supply of three-phase AC power to the turbo pump. Therefore, the ion implantation of this device is maintained in the holding state in accordance with the power control signal.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】図３は、本発明によるイオン注入
装置に配置されたターボポンプをモニタする方法を図示
した図面である。図３を参照すると、イオン注入装置は
その装置のすべての制御を遂行するメイン制御器６０を
有する。電源供給器２０はメイン制御器に応じて三相交
流電源電圧でターボポンプ１４を制御させるようにす
る。例えば、電源供給器２０は電源制御信号に応じてス
イッチオフされ、ターボポンプ１４がパワーオフされる
ようにする。ターボポンプ１４はプリーＱレンズ４とタ
ンデム加速器６との間のビーム中性化器或いはガスセル
５に配置される。ビーム中性化器５はタンデム加速器６
を内装する加速器アセンブリに配置される。電流検出器
３０はここを流れる電流量を検出するため三相交流に対
応する３つの電源供給ラインの中１つに連結され、検出
された電流信号はメイン制御器６０に供給される。FIG. 3 is a diagram illustrating a method of monitoring a turbo pump disposed in an ion implantation apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 3, the ion implanter has a main controller 60 that performs all controls of the device. The power supply 20 controls the turbo pump 14 with the three-phase AC power supply voltage according to the main controller. For example, the power supply 20 is switched off in response to a power control signal, and the turbo pump 14 is powered off. The turbo pump 14 is arranged in a beam neutralizer or gas cell 5 between the Prey-Q lens 4 and the tandem accelerator 6. The beam neutralizer 5 is a tandem accelerator 6
Is located in the accelerator assembly that houses the The current detector 30 is connected to one of three power supply lines corresponding to three-phase alternating current to detect the amount of current flowing therethrough, and a detected current signal is supplied to the main controller 60.
【００１５】検出された電流信号は検出された電流量を
示すデータを示すため、電流表示装置４０だけでなくス
クリーン５０に供給される。電流検出器３０は例えば、
電流感知器として作用する１つの三相電源供給ラインに
配置された電流検出器巻線（ｗｉｎｄｉｎｇ）（図示せ
ず）と、電流検出器巻線に導入された電圧を増幅する増
幅器を含む。従って、導入された電圧は１つの三相電源
供給ラインに比例し、電流量がプリセット下限値以下で
あるか、或いはプリセット上限値以上であるか否かを判
定するためメイン制御器６０に供給される。交互的に電
流検出器３０は１つの三相電源供給ラインに配置された
電流検出器と、電流検出器巻線に導入された電圧を受信
して、導入された電圧に対応する電流量に関する情報を
発生する手段を含む。The detected current signal is supplied not only to the current display device 40 but also to the screen 50 to indicate data indicating the detected current amount. The current detector 30 is, for example,
It includes a current detector winding (not shown) located on one three-phase power supply line acting as a current sensor, and an amplifier for amplifying the voltage introduced to the current detector winding. Therefore, the introduced voltage is proportional to one three-phase power supply line, and is supplied to the main controller 60 to determine whether the current amount is below the preset lower limit value or above the preset upper limit value. You. Alternately, the current detector 30 receives a current detector disposed on one three-phase power supply line and a voltage applied to the current detector winding, and obtains information regarding a current amount corresponding to the introduced voltage. Means for generating
【００１６】この実施の形態において、メイン制御器６
０は本発明で具体化された制御プログラムによってター
ボポンプをモニタする方法を遂行する。制御プログラム
の流れ図は図４に示す。図４を参照すると、段階Ｓ４０
において、メイン制御器６０はイオン注入器が動作する
か否かをチェックする。動作すると、制御はターボポン
プ１４が動作されるか否かをチェックするため段階Ｓ４
２に進行し、動作しないと、イオン注入器がタンオンさ
れる段階４１に進行する。In this embodiment, the main controller 6
0 performs the method of monitoring the turbo pump according to the control program embodied in the present invention. FIG. 4 shows a flowchart of the control program. Referring to FIG. 4, in step S40.
In, the main controller 60 checks whether the ion implanter operates. When activated, control proceeds to step S4 to check if the turbo pump 14 is activated.
If not, the process proceeds to step 41 where the ion implanter is turned on.
【００１７】段階Ｓ４２において、ターボポンプが動作
しないとき、制御はターボポンプが電源供給器２０によ
って三相交流電源で供給される段階Ｓ４３に進行され
る。ターボポンプが動作するとき、１つの三相電源供給
ラインを通じて電流量は段階Ｓ４４で電流検出器３０に
よって検出され、検出された電流データを表示するため
電流表示装置４０だけでなくスクリーン５０にも伝達さ
れる。In step S42, when the turbo pump is not operating, the control proceeds to step S43 in which the turbo pump is supplied by the power supply 20 with three-phase AC power. When the turbo pump operates, the amount of current is detected by the current detector 30 through one three-phase power supply line in step S44 and transmitted to the screen 50 as well as the current display device 40 to display the detected current data. Is done.
【００１８】段階４５では、検出された電流データがプ
リセット下限値以下であるか、或いはプリセット上限値
以上であるか否かが判定される。範囲以外であれば、制
御はイオン注入が継続遂行される段階４６に進行する。
範囲以内であれば、制御はメイン制御器６０がメモリ内
に現在プロセス情報を貯蔵して、それをスクリーン５０
に表示する段階４７に進行する。この時以後、制御はイ
オン注入を保持するため、段階Ｓ４８に進行され、その
次に、制御はエラーメッセージがスクリーン５０に表示
させ、電源制御信号が発生される。その次に、ターボポ
ンプ１４は電源制御信号に応じてパワーオフされる段階
４９に進行する。ターボポンプが下限と上限との間の電
圧で供給されたのはターボポンプが正常的に動作できる
ことを意味する。即ち、下限と上限との間に電流量はタ
ーボポンプが正常的に動作できる電流範囲を意味する。In step 45, it is determined whether the detected current data is below the preset lower limit or above the preset upper limit. If not, control proceeds to step 46 where ion implantation continues.
If it is within the range, the main controller 60 stores the current process information in the memory and transmits it to the screen 50.
To step 47. After this time, the control proceeds to step S48 to maintain the ion implantation, and then the control causes an error message to be displayed on the screen 50 and a power control signal is generated. Thereafter, the turbo pump 14 proceeds to step 49 where it is powered off in response to the power control signal. The fact that the turbo pump is supplied with a voltage between the lower limit and the upper limit means that the turbo pump can operate normally. That is, the current amount between the lower limit and the upper limit means a current range in which the turbo pump can operate normally.
【００１９】上述したように現在の工程情報を貯蔵する
段階とイオン注入動作を保持する段階は別に遂行される
ことであるが、これらの段階は同時に遂行される。図５
は本発明の第２実施の形態によるイオン注入装置に配置
されたターボポンプのモニタする方法を示す回路図であ
る。図５の回路構成は電流検出器が、ターボポンプが動
作されない或いは非正常に動作される時に、電源制御信
号を発生して、電源制御信号に応じてターボ信号を間接
的に制御すること以外には図３の回路構成と同一であ
る。（図３に示した）本発明の第１実施の形態回路の構
成要素と類似な機能を有する構成要素と同一な参照番号
で表示され、その説明は以下で省略される。As described above, the step of storing the current process information and the step of maintaining the ion implantation operation are performed separately, but these steps are performed simultaneously. FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a method for monitoring a turbo pump arranged in an ion implantation apparatus according to a second embodiment of the present invention. The circuit configuration of FIG. 5 is different from the current detector in that when the turbo pump is not operated or operates abnormally, a power control signal is generated and the turbo signal is indirectly controlled according to the power control signal. Is the same as the circuit configuration of FIG. Components of the first embodiment of the present invention (shown in FIG. 3) that have similar functions to those of the circuit are denoted by the same reference numerals, and their description is omitted below.
【００２０】図５を参照すると、この実施の形態による
電流検出器３０Ａはターボポンプ１４が動作されない、
或いは非正常動作を遂行されない時ターボポンプ１４に
電源供給を直接に制御する手段を備える。第１実施の形
態と異なるのは、第２実施の形態の電流検出器３０Ａが
３つの電源供給ラインのうち１つを通じて流れる電流信
号を検出する電流感知器３２と、検出された電流信号の
量を判定して検出された電流量がプリセット下限値以下
であるか、或いはプリセット上限値以上であるか否かに
従い電源制御信号を発生するポンプ制御器３４とを含む
ことである。電源供給器２０はターボポンプ１４がパワ
ーオフされるようにする電源制御信号に応じてスイッチ
オフされる。電流感知器３２は１つの三相電源供給ライ
ンに配置された電流検出器巻線（図示せず）を含む。Referring to FIG. 5, the current detector 30A according to this embodiment has the turbo pump 14 not operated.
Alternatively, a means for directly controlling the power supply to the turbo pump 14 when the abnormal operation is not performed is provided. The difference from the first embodiment is that the current detector 30A of the second embodiment detects a current signal flowing through one of the three power supply lines, and the amount of the detected current signal. And a pump controller 34 that generates a power control signal according to whether the detected current amount is equal to or less than the preset lower limit value or equal to or greater than the preset upper limit value. The power supply 20 is switched off in response to a power control signal that causes the turbo pump 14 to be powered off. The current sensor 32 includes a current detector winding (not shown) arranged on one three-phase power supply line.
【００２１】又、検出された電流に関する情報は検出さ
れた電流量を表示するデータを示すため、電流表示装置
４０だけでなくスクリーン５０にも供給される。電源制
御信号は又装置の全ての制御を遂行するメイン制御器６
０Ａに供給される。電源制御信号を受信するため、メイ
ン制御器６０Ａイオン注入器が保持状態になるようにす
る。The information on the detected current is supplied not only to the current display device 40 but also to the screen 50 to indicate data indicating the detected current amount. The power control signal is also supplied to the main controller 6 which performs all control of the device.
0A. In order to receive the power control signal, the main controller 60A ion implanter is set to the holding state.
【００２２】この実施の形態において、ポンプ制御器３
４は本発明で具現された制御プログラムによってターボ
ポンプ１４のモニタする方法を遂行する。制御プログラ
ムの流れ図は図６に示す。In this embodiment, the pump controller 3
4 performs a method of monitoring the turbo pump 14 according to the control program embodied in the present invention. FIG. 6 shows a flowchart of the control program.
【００２３】図６を参照すると、段階Ｓ６０においてポ
ンプ制御器３４はターボポンプ１４が動作するか否かを
チェックする。動作すると、制御は１つの三相電源供給
ラインを通じて流れる電流量が電流感知器３２によって
検出される段階Ｓ６２に進行する。動作しないと、制御
はターボポンプが電源供給器２０によって三相交流電源
で供給される段階Ｓ６１に進行する。Referring to FIG. 6, in step S60, the pump controller 34 checks whether the turbo pump 14 operates. In operation, control proceeds to step S62 where the amount of current flowing through one three-phase power supply line is detected by current sensor 32. If not, control proceeds to step S61 where the turbopump is supplied by the power supply 20 with three-phase AC power.
【００２４】段階Ｓ６３において、ポンプ制御器３４は
検出された電流信号の量がプリセット下限値以下である
か、或いは上限値以上であるか否かをを判定する、範囲
以外であれば、制御は段階Ｓ６４に進行する。範囲以内
であれば、制御は電流検出器３０Ａは１つの三相交流電
源供給ラインを通じて流れる電流量を検出する段階Ｓ６
２にジャンプする。段階Ｓ６４において、検出された電
流量に関する情報は検出された電流量を示すデータを表
示するため電流表示装置４０だけでなくスクリーン５０
に転送される。次に、制御は電源制御信号が電源供給器
２０だけでなくメイン制御器６０Ａに供給される段階Ｓ
６５に進行する。その次に、電源制御信号の受信時に、
電源供給器２０はターボポンプ１４を電源制御信号の受
信時にパワーオフさせるようにし、メイン制御器６０Ａ
は現在の工程情報がそこに配置されたメモリ（図示せ
ず）に貯蔵されるようにし、イオン注入が保持状態、即
ち、イオン注入器が高真空に連続的に維持される状態に
なるようにしてイオン注入を停止する。In step S63, the pump controller 34 determines whether or not the amount of the detected current signal is below the preset lower limit value or above the upper limit value. Proceed to step S64. If the current is within the range, the current detector 30A detects the amount of current flowing through one three-phase AC power supply line in step S6.
Jump to 2. In step S64, the information on the detected current amount is displayed not only on the current display device 40 but also on the screen 50 to display data indicating the detected current amount.
Is forwarded to Next, the control is performed in step S in which the power control signal is supplied not only to the power supply 20 but also to the main controller 60A.
Proceed to 65. Next, when receiving the power control signal,
The power supply 20 turns off the turbo pump 14 when receiving a power control signal, and the main controller 60A
Allows the current process information to be stored in a memory (not shown) located there, so that the ion implantation is held, that is, the ion implanter is continuously maintained at a high vacuum. To stop ion implantation.
【００２５】[0025]
【発明の効果】上述のように、本発明によると、イオン
注入装置は、ターボポンプが動作しない、或いは非正常
的に動作するときを検出して、電流検出器を使用するこ
とによって１つの三相電源供給ラインを通じて流れる電
流の量を表示し、電源制御信号を発生する。この電源制
御信号に応じて、イオン注入装置は高真空状態でイオン
注入を停止し、ターボポンプがパワーオフされる。従っ
て、ターボポンプの動作をモニタすることができるた
め、非動作或いは非正常動作によって発生する工程故障
が防止される。As described above, according to the present invention, the ion implantation apparatus detects when the turbo pump does not operate or operates abnormally, and uses one of the current detectors. It indicates the amount of current flowing through the phase power supply line and generates a power control signal. In response to the power control signal, the ion implantation apparatus stops ion implantation in a high vacuum state, and the turbo pump is powered off. Therefore, since the operation of the turbo pump can be monitored, a process failure caused by non-operation or abnormal operation can be prevented.
【図１】 従来のイオン注入装置の構成を概略的に示し
た図面である。FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of a conventional ion implantation apparatus.
【図２】 従来の技術によるターボポンプの動作方法を
示した回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an operation method of a conventional turbo pump.
【図３】 本発明の第１実施の形態によるイオン注入装
置の中性化器に配置されたターボポンプのモニタする方
法を概略的に示した回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram schematically illustrating a method of monitoring a turbo pump disposed in a neutralizer of the ion implantation apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第１実施の形態によるターボポンプ
のモニタする方法工程段階を示す流れ図である。FIG. 4 is a flowchart showing the method steps of a method for monitoring a turbo pump according to a first embodiment of the present invention;
【図５】 本発明の第２実施の形態によるイオン注入装
置の中性化器に配置されたターボポンプのモニタする方
法を概略的に示した回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram schematically illustrating a method of monitoring a turbo pump disposed in a neutralizer of an ion implantation apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の第２実施の形態によるターボポンプ
のモニタする方法工程段階を示す流れ図である。FIG. 6 is a flowchart showing a method step of monitoring a turbo pump according to a second embodiment of the present invention;
１ ＰＩＧイオンソース ２ 電荷交換セル ３，１２ 分析マグネット ４，１１ Ｑレンズ ５ ビーム中性化器 ６ タンデム加速器 ７ 低エネルギー加速チュブ ８ ストリッパーカナル １０ 高エネルギー加速チュブ １３ 工程室 １４ ターボ分子性ポンプ １５，２０ 電源供給器 ３０ 電流検出器 ４０ 表示装置 ５０ スクリーン ６０ メイン制御器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 PIG ion source 2 Charge exchange cell 3,12 Analysis magnet 4,11 Q lens 5 Beam neutralizer 6 Tandem accelerator 7 Low energy acceleration tube 8 Stripper canal 10 High energy acceleration tube 13 Process room 14 Turbo molecular pump 15, Reference Signs List 20 power supply 30 current detector 40 display device 50 screen 60 main controller
フロントページの続き (72)発明者 鄭 孝祥 大韓民国京畿道水原市勸善區勸善洞1187− １新現代エーピーティ１−308 (72)発明者 韓 晟圭 大韓民国京畿道水原市勸善區西屯洞（番地 なし）東南エーピーティ３−207 Ｆターム(参考） 5C033 KK05 5C034 CC13 CD06 Continuing on the front page (72) Inventor Jung Hyo-sang 1187-1 Shinseon-dong, Seonsan-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea 1-308 New Innovative Apt. Cave (No address) Southeast APT 3-207 F-term (reference) 5C033 KK05 5C034 CC13 CD06
Claims (4)
において、 イオン中性化器を通す中性化ガスを循環させて前記装置
の真空領域の高真空状態を提供するターボポンプを有し
て、ビーム中性化器を通過するイオンビームを中性化す
るビーム中性化器と、 三相交流電源をターボポンプに提供して、前記三相交流
電源が電源制御信号に応じてターボポンプに供給されな
いようにする電源供給器と、 前記ターボポンプに流れる電流量を検出する電流検出器
と、 前記検出された電流量に関する情報を表示する表示装置
と、 前記電源制御信号を発生させるため、前記装置のすべて
の機能を制御して、前記検出された電流量がプリセット
下限値以下であるか、或はプリセットされた上限値以上
であるか否かを判定するメイン制御器とを含み、 前記メイン制御器は、イオン注入が保持状態に維持さ
せ、前記ターボポンプを前記制御信号の受信時にパワー
オフさせることを特徴とするイオン注入装置。1. An ion implantation apparatus for manufacturing a semiconductor, comprising: a turbo pump for circulating a neutralization gas passing through an ion neutralizer to provide a high vacuum state in a vacuum region of the apparatus. A beam neutralizer for neutralizing an ion beam passing through the beam neutralizer; and a three-phase AC power supply for a turbo pump, wherein the three-phase AC power supply is supplied to the turbo pump in response to a power control signal. A power supply that prevents the current from flowing, a current detector that detects an amount of current flowing through the turbo pump, a display device that displays information about the detected amount of current, and the device that generates the power control signal. And a main controller for controlling whether or not the detected current amount is equal to or less than a preset lower limit value or is equal to or greater than a preset upper limit value. The ion controller according to claim 1, wherein the ion controller keeps the ion implantation in a holding state, and powers off the turbo pump when the control signal is received.
において、 イオン中性化器を通す中性化ガスを循環させて前記装置
の真空領域の高真空状態を提供するターボポンプを有し
て、ビーム中性化器を通過するイオンビームを中性化す
るビーム中性化器と、 三相交流電源をターボポンプに提供して、前記三相交流
電源が電源制御信号に応じてターボポンプに供給されな
いようにする電源供給器と、 前記ターボポンプに流れる電流量を検出し、前記電源制
御信号を発生させるため、前記検出された電流量がプリ
セット下限値以下であるか、或はプリセットされた上限
値以上であるか否かを判定する電流検出器と、 前記検出された電流量に関する情報を表示する表示装置
と、 前記電源制御信号を発生させるため、前記装置のすべて
の機能を制御して、前記検出された電流量がプリセット
下限値以下であるか、或はプリセットされた上限値以上
であるか否かを判定するメイン制御器とを含み、 前記メイン制御器は、イオン注入が保持状態に維持さ
せ、前記ターボポンプを前記制御信号の受信時にパワー
オフさせることを特徴とするイオン注入装置。2. An ion implanter for manufacturing a semiconductor, comprising: a turbo pump for circulating a neutralizing gas passing through an ion neutralizer to provide a high vacuum state in a vacuum region of the device. A beam neutralizer for neutralizing an ion beam passing through the beam neutralizer; and a three-phase AC power supply for a turbo pump, wherein the three-phase AC power supply is supplied to the turbo pump in response to a power control signal. A power supply for preventing the current from flowing, and detecting the amount of current flowing through the turbo pump and generating the power control signal, so that the detected amount of current is equal to or less than a preset lower limit, or a preset upper limit. A current detector for determining whether the value is equal to or greater than a value, a display device for displaying information on the detected amount of current, and controlling all functions of the device to generate the power control signal. A main controller that determines whether the detected amount of current is equal to or less than a preset lower limit value or equal to or greater than a preset upper limit value. An ion implantation apparatus characterized in that the state is maintained and the turbo pump is powered off when the control signal is received.
電流量を検出する電流感知器と、前記検出された電流量
がプリセット下限値以下であるか、或はプリセットされ
た上限値以上であるか否かを判定して、そうであると、
前記電源制御信号を発生させるポンプ制御器と含むこと
を特徴とする請求項２記載のイオン注入装置。3. A current sensor, wherein the current detector detects an amount of current flowing to the turbo pump, and whether the detected amount of current is equal to or less than a preset lower limit value or equal to or greater than a preset upper limit value. Determine whether or not, if so,
3. The ion implantation apparatus according to claim 2, further comprising a pump controller that generates the power control signal.
させて装置の真空領域の高真空状態を提供するターボポ
ンプを有して、ビーム中性化器を通過するイオンビーム
を中性化するビーム中性化器と、三相交流電源をターボ
ポンプに提供して、前記三相交流電源が電源制御信号に
応じてターボポンプに供給されないようにする電源供給
器とを含む半導体を製造するためのイオン注入装置に配
置されたターボポンプをモニタする方法において、 ターボポンプに流れる電流量を検出する段階と、 電源制御信号を発生させるため、前記検出された電流量
がプリセット下限値以下であるか、或はプリセットされ
た上限値以上であるか否かを判定する段階と、 表示装置及びメモリに前記検出された電流量に関する情
報を各々表示及び貯蔵する段階と、 前記判定段階で一定範囲以外であれば、電源制御信号を
発生する段階と、 前記電源制御信号にターボポンプに三相交流電源の供給
を停止する段階とを含み、 前記装置のイオン注入が前記電源制御信号に応じて保持
状態に維持されることを特徴とするモニタ方法。4. A turbo pump for circulating a neutralizing gas through an ion neutralizer to provide a high vacuum state in a vacuum region of the apparatus, wherein a turbo pump is used to pass an ion beam passing through a beam neutralizer. A semiconductor including a beam neutralizer to be activated and a power supply for providing three-phase AC power to the turbo pump so that the three-phase AC power is not supplied to the turbo pump in response to a power control signal. In a method for monitoring a turbo pump disposed in an ion implantation apparatus for manufacturing, a step of detecting an amount of current flowing through the turbo pump, and a step of generating a power supply control signal, the detected amount of current being equal to or less than a preset lower limit Determining whether the current amount is equal to or greater than a preset upper limit value; anddisplaying and storing information on the detected current amount in a display device and a memory, respectively; If the determination step is outside the predetermined range, the method includes a step of generating a power control signal, and a step of stopping the supply of three-phase AC power to the turbo pump in the power control signal. A monitoring method characterized by being maintained in a holding state according to a control signal.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10295602A JP2000124148A (en) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | Method of monitoring turbo pump operation of ion implanting apparatus for manufacture of semiconductor |
| DE19860828A DE19860828C2 (en) | 1998-10-16 | 1998-12-30 | Ion implantation system and method for monitoring an ion implantation operation |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10295602A JP2000124148A (en) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | Method of monitoring turbo pump operation of ion implanting apparatus for manufacture of semiconductor |
| DE19860828A DE19860828C2 (en) | 1998-10-16 | 1998-12-30 | Ion implantation system and method for monitoring an ion implantation operation |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10295602A Pending JP2000124148A (en) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | Method of monitoring turbo pump operation of ion implanting apparatus for manufacture of semiconductor |
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| DE (1) | DE19860828C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384058B1 (en) * | 2000-10-27 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | Device and method for sencing drive state of turbo pump for tandetron accelerator in a ion pouring device |
| KR100533568B1 (en) * | 2004-07-15 | 2005-12-06 | 삼성전자주식회사 | High energy ion implanter having monitoring function about charge exchanging gas |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3353107A (en) * | 1959-10-06 | 1967-11-14 | High Voltage Engineering Corp | High voltage particle accelerators using charge transfer processes |
| US4980556A (en) * | 1988-04-29 | 1990-12-25 | Ionex/Hei Corporation | Apparatus for generating high currents of negative ions |
| DE3834485A1 (en) * | 1988-10-11 | 1990-04-12 | Hella Kg Hueck & Co | METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING AND MONITORING THE OPERATING STATE OF A PRINTING PRODUCTION DEVICE |
| US5300891A (en) * | 1992-05-01 | 1994-04-05 | Genus, Inc. | Ion accelerator |
| JP2656890B2 (en) * | 1993-06-03 | 1997-09-24 | 日本サーボ株式会社 | Control device for canned motor pump |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP10295602A patent/JP2000124148A/en active Pending
- 1998-12-30 DE DE19860828A patent/DE19860828C2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384058B1 (en) * | 2000-10-27 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | Device and method for sencing drive state of turbo pump for tandetron accelerator in a ion pouring device |
| KR100533568B1 (en) * | 2004-07-15 | 2005-12-06 | 삼성전자주식회사 | High energy ion implanter having monitoring function about charge exchanging gas |
| US7019316B2 (en) | 2004-07-15 | 2006-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-energy ion implanter and method of operation thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19860828C2 (en) | 2001-09-20 |
| DE19860828A1 (en) | 2000-07-13 |
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