JP2000117200A - Method and apparatus for cleaning substrate - Google Patents

Method and apparatus for cleaning substrate

Info

Publication number
JP2000117200A
JP2000117200A JP10293562A JP29356298A JP2000117200A JP 2000117200 A JP2000117200 A JP 2000117200A JP 10293562 A JP10293562 A JP 10293562A JP 29356298 A JP29356298 A JP 29356298A JP 2000117200 A JP2000117200 A JP 2000117200A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning tool
cleaning
processing liquid
vacuum suction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10293562A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeya Morinishi
健也 森西
Joichi Nishimura
讓一 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP10293562A priority Critical patent/JP2000117200A/en
Publication of JP2000117200A publication Critical patent/JP2000117200A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To clean the whole surface of a substrate uniformly by making a cleaning tool follow the vertical vibration of the substrate promptly. SOLUTION: While a substrate W is being rotated, a treating liquid is ejected toward the substrate W from a treating liquid ejection hole 13 in the bottom surface of a cleaning tool 5, and the substrate W is vacuum-sucked from a vacuum suction hole 8. By the balance between the ejection force and vacuum suction force of the treating liquid, a narrow clearance G is formed between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the surface of the substrate W. The substrate W is cleaned by making the cleaning tool 5 act on the surface of the substrate W through the liquid film of the treating liquid existing in the clearance G. When the substrate is vibrated vertically while being rotated, the cleaning tool 5 is moved vertically to follow it to keep the clearance G constant so that the whole surface of the substrate is cleaned uniformly.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの各種の基板を回転させな
がら、その基板に純水や薬液などの処理液を供給すると
ともに、その基板に洗浄具を作用させて基板表面を洗浄
する基板洗浄方法およびその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of rotating various substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for an optical disk while rotating the substrate with pure water or chemical liquid. The present invention relates to a substrate cleaning method for cleaning a substrate surface by supplying a processing liquid such as a cleaning liquid and causing a cleaning tool to act on the substrate and a device therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の基板洗浄装置として、例
えば、特開平8−141519号公報に記載されたもの
がある。この装置は、上下動可能に支持された回転体を
備え、この回転体の下端にブラシなどで構成された洗浄
具が一体に取り付けられている。処理対象である基板は
スピンチャックなどにより水平姿勢で回転可能に保持さ
れる。この基板を回転させながら基板上に処理液を供給
するとともに、前記洗浄具を一定の押圧力で基板表面に
接触作用させた状態で、洗浄具を基板の回転半径方向に
変位させることにより基板表面を洗浄している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of substrate cleaning apparatus, there is one described in, for example, JP-A-8-141519. This apparatus includes a rotating body supported so as to be vertically movable, and a cleaning tool formed of a brush or the like is integrally attached to a lower end of the rotating body. The substrate to be processed is rotatably held in a horizontal posture by a spin chuck or the like. While rotating the substrate, the processing liquid is supplied onto the substrate, and the cleaning tool is displaced in the radial direction of rotation of the substrate while the cleaning tool is in contact with the substrate surface with a constant pressing force. Has been washed.

【0003】別の従来装置として、洗浄具を基板表面に
対して非接触状態に作用させるものがある。この装置
は、いわゆるハイドロプレーン現象を利用したもので、
基板を回転させながら洗浄液を供給するとともに、洗浄
具を基板表面に軽く作用させることにより洗浄具と基板
表面との間に洗浄液の液膜を形成し、この液膜を介して
基板表面を洗浄している。
[0003] As another conventional apparatus, there is an apparatus in which a cleaning tool is operated in a non-contact state with respect to a substrate surface. This device utilizes the so-called hydroplane phenomenon.
The cleaning liquid is supplied while rotating the substrate, and the cleaning tool is gently applied to the substrate surface to form a liquid film of the cleaning liquid between the cleaning tool and the substrate surface, and the substrate surface is cleaned through the liquid film. ing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで上述したよう
な基板洗浄処理において、基板に反りや撓みなどがあっ
たり、あるいは基板が水平に保持されていないと、基板
の回転に伴って基板が上下に振動する結果、基板表面へ
の洗浄具の押圧力が変動して洗浄処理が不均一になるこ
とが知られている。そこで、前者の従来例では、基板の
上下の振動に起因して生じる洗浄具の押圧力の変動を、
回転体の上部に取り付けられたエアーアクチュエータの
内部の圧力変動を通じて検出し、その検出結果に基づい
てエアーアクチュエータに供給するエアー圧を調整する
ことにより、洗浄具が基板表面に一定の押圧力で作用す
るようにしている。
In the above-described substrate cleaning process, if the substrate is warped or bent, or if the substrate is not held horizontally, the substrate is moved up and down with the rotation of the substrate. It is known that as a result of the vibration, the pressing force of the cleaning tool on the substrate surface fluctuates, and the cleaning process becomes uneven. Therefore, in the former conventional example, the fluctuation of the pressing force of the cleaning tool caused by the vertical vibration of the substrate,
The cleaning tool acts on the substrate surface with a constant pressing force by detecting through the pressure fluctuation inside the air actuator attached to the upper part of the rotating body and adjusting the air pressure supplied to the air actuator based on the detection result. I am trying to do it.

【0005】前者の従来例は上記のような押圧力の調整
機構を備えてはいるが、エアーアクチュエータが発生さ
せた押圧力を機構的に複雑で重量の大きな回転体を介し
て洗浄具に伝えているので、洗浄具を含めた回転体の慣
性力が大きいことに起因して、押圧力調整の応答性が良
いとは言えない。この傾向は、洗浄具の押圧力が低い場
合や、基板が高速度で回転された場合に顕著になる。な
お、洗浄具の押圧力を大きくすると、基板の上下振動に
対して洗浄具が追随しやすくなるが、そうすると洗浄具
によって基板表面が損傷するおそれがあるので、洗浄具
の押圧力をあまり大きく設定することはできない。
[0005] Although the former prior art is provided with the above-mentioned mechanism for adjusting the pressing force, the pressing force generated by the air actuator is mechanically transmitted to the cleaning tool via a complicated and heavy rotating body. Therefore, the responsiveness of the pressing force adjustment cannot be said to be good due to the large inertial force of the rotating body including the cleaning tool. This tendency becomes remarkable when the pressing force of the cleaning tool is low or when the substrate is rotated at a high speed. If the pressure of the cleaning tool is increased, the cleaning tool can easily follow the vertical vibration of the substrate, but if this is done, the cleaning tool may damage the substrate surface. I can't.

【0006】一方、後者の従来例も前者の従来例と同様
の問題が指摘されるが、さらに次のような固有の問題も
ある。すなわち、基板が上下に振動することなく正常に
回転したとしても、基板の回転中心部と周辺部とでは回
転周速度が異なるために、洗浄具と基板表面との間に形
成される液膜は基板の回転中心部と周辺部とでは膜厚の
異なったものになる。そのため洗浄処理が不均一になり
やすいという難点がある。
On the other hand, the same problem as the former conventional example is pointed out in the latter conventional example, but there are also the following inherent problems. In other words, even if the substrate rotates normally without vibrating up and down, the liquid film formed between the cleaning tool and the substrate surface is different because the rotation peripheral speed is different between the rotation center portion and the peripheral portion of the substrate. The film thickness differs between the rotation center portion and the peripheral portion of the substrate. Therefore, there is a problem that the cleaning process is likely to be uneven.

【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の上下振動に対して洗浄具を迅速
に追随させるとともに、基板表面全体にわたって均一な
洗浄処理を行うことができる基板洗浄方法およびその装
置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of such circumstances, and enables a cleaning tool to quickly follow vertical vibrations of a substrate and perform a uniform cleaning process over the entire surface of the substrate. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for cleaning a substrate.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板上に処理液を供給す
るとともに、その基板に洗浄具を作用させて基板表面を
洗浄する基板洗浄方法において、洗浄具の底面から基板
に向けて処理液を噴出するとともに、前記洗浄具の底面
から基板を真空吸引することにより、前記処理液の噴出
力と真空吸引力とをバランスさせて前記洗浄具の底面と
基板表面との間に狭い間隙を形成し、前記間隙に介在す
る処理液の液膜を介して洗浄具を基板に作用させて基板
表面を洗浄することを特徴とする。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 provides a substrate cleaning method for cleaning a substrate surface by supplying a processing liquid onto the substrate and causing the cleaning tool to act on the substrate. By ejecting the liquid and vacuum-suctioning the substrate from the bottom surface of the cleaning tool, the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force are balanced to form a narrow gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface. A cleaning tool is formed on the substrate through a liquid film of the processing liquid interposed in the gap to clean the substrate surface.

【0009】請求項2に記載の発明は、基板上に処理液
を供給するとともに、その基板に洗浄具を作用させて基
板表面を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を保持す
る基板保持手段と、基板に作用する洗浄具と、前記洗浄
具を支持する洗浄具支持手段と、前記洗浄具と基板とを
対向させて前記洗浄具を相対的に水平移動させる移動手
段とを備え、前記洗浄具は、基板に向けて処理液を噴出
する処理液噴出孔と、基板を真空吸引する真空吸引孔と
が、その底面にそれぞれ形成されており、かつ、前記処
理液噴出孔から噴出される処理液の噴出力と、前記真空
吸引孔からの真空吸引力とをバランスさせて前記洗浄具
の底面と基板表面との間に狭い間隙を形成し、前記間隙
に介在する処理液の液膜を介して洗浄具を基板に作用さ
せて基板表面を洗浄することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus for supplying a processing liquid onto a substrate and cleaning the surface of the substrate by applying a cleaning tool to the substrate, wherein the substrate holding means holds the substrate. A cleaning tool acting on the substrate; cleaning tool support means for supporting the cleaning tool; and moving means for relatively horizontally moving the cleaning tool with the cleaning tool facing the substrate. The processing tool has a processing liquid ejection hole for ejecting the treatment liquid toward the substrate, and a vacuum suction hole for vacuum-sucking the substrate, respectively, formed on the bottom surface thereof, and the processing liquid ejected from the treatment liquid ejection hole. The ejection power of the liquid and the vacuum suction force from the vacuum suction hole are balanced to form a narrow gap between the bottom surface of the cleaning tool and the surface of the substrate. To apply a cleaning tool to the substrate to clean the substrate surface. Characterized in that it.

【0010】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の基板洗浄装置において、前記装置がさらに、前記処理
液噴出孔から噴出される処理液の流量、および前記真空
吸引孔から吸引する真空吸引圧力の少なくともいずれか
一方を任意の値に調節する調節手段を備えたものであ
る。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the second aspect, the apparatus further includes a flow rate of the processing liquid ejected from the processing liquid ejection hole and suction from the vacuum suction hole. An adjusting means for adjusting at least one of the vacuum suction pressures to an arbitrary value is provided.

【0011】請求項4に記載の発明は、請求項2または
3に記載の基板洗浄装置において、前記真空吸引孔およ
び前記処理液噴出孔のいずれか一方の孔が洗浄具の底面
のほぼ中央部にあり、他方の孔が複数個あって、かつ前
記洗浄具の底面の中央部にある前記一方の孔を挟んでほ
ぼ対向する位置に設けられたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the second or third aspect, either one of the vacuum suction hole and the processing liquid ejection hole is located substantially at the center of the bottom surface of the cleaning tool. And a plurality of the other holes are provided, and are provided at positions substantially opposed to each other across the one hole at the center of the bottom surface of the cleaning tool.

【0012】請求項5に記載の発明は、請求項2ないし
4のいずれかに記載の基板洗浄装置において、前記洗浄
具が、リニアガイドを介して前記洗浄具支持手段に取り
付けられたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to any one of the second to fourth aspects, the cleaning tool is attached to the cleaning tool support means via a linear guide. .

【0013】請求項6に記載の発明は、請求項2ないし
5のいずれかに記載の基板洗浄装置において、前記洗浄
具が、球面軸受を介して前記前記洗浄具支持手段に取り
付けられたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the apparatus for cleaning a substrate according to any one of the second to fifth aspects, the cleaning tool is attached to the cleaning tool support means via a spherical bearing. is there.

【0014】請求項7に記載の発明は、請求項2ないし
6のいずれかに記載の基板洗浄装置において、前記洗浄
具が、前記洗浄具支持手段に連結固定されたものであ
る。
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to any one of the second to sixth aspects, the cleaning tool is connected and fixed to the cleaning tool support means.

【0015】請求項8に記載の発明は、請求項2ないし
7のいずれかに記載の基板洗浄装置において、前記洗浄
具には、基板表面に作用する別の洗浄具が取り付けられ
たものである。
According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to any one of the second to seventh aspects, another cleaning tool that acts on the substrate surface is attached to the cleaning tool. .

【0016】請求項9に記載の発明は、請求項8に記載
の基板洗浄装置において、前記別の洗浄具が、前記洗浄
具に高さ調節可能に取り付けられたものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus of the eighth aspect, the another cleaning tool is attached to the cleaning tool so as to be adjustable in height.

【0017】[0017]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。処理液の噴出力と真空吸引力とをバランスさせて基
板洗浄を行っている場合、洗浄具は、その裏面から基板
に向けて処理液を噴出することの反作用として上向きの
力を受けるとともに、その裏面から基板を真空吸引する
ことの反作用として下向きの力を受ける。洗浄具にそれ
ぞれ作用する上向きの力と下向きの力とが均衡すること
により、洗浄具は基板表面との間に狭い間隙を形成した
状態で維持される。この間隙に介在する処理液の液膜を
介して洗浄具が基板表面に作用することにより、基板表
面が洗浄される。つまり処理液の液膜は、処理液の噴出
力と真空吸引力とのバランスによって形成される間隙と
同等の厚みをもち、基板の回転にはほとんど依存しない
ので、基板の中心部から周辺部にかけて処理液の液膜は
均一である。その結果、基板表面の全体にわたって均一
な洗浄が行われる。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. When the substrate cleaning is performed by balancing the jetting power of the processing liquid and the vacuum suction force, the cleaning tool receives an upward force as a reaction of jetting the processing liquid from the back surface toward the substrate, and the cleaning tool receives the upward force. The substrate receives a downward force as a reaction to vacuum suction of the substrate from the back surface. By balancing the upward and downward forces acting on the cleaning tool, respectively, the cleaning tool is maintained in a state where a narrow gap is formed between the cleaning tool and the substrate surface. The cleaning tool acts on the substrate surface via the liquid film of the processing liquid interposed in the gap, thereby cleaning the substrate surface. In other words, the liquid film of the processing liquid has a thickness equivalent to the gap formed by the balance between the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force, and hardly depends on the rotation of the substrate. The liquid film of the processing liquid is uniform. As a result, uniform cleaning is performed over the entire substrate surface.

【0018】次に、基板を洗浄している場合に、基板が
上下に振動したときの作用を説明する。例えば基板が下
がると、処理液を噴出することの反作用として洗浄具が
受ける上向きの力が小さくなることにより、真空吸引す
ることの反作用として洗浄具が受ける下向きの力が前記
上向きの力よりも相対的に大きくなり、洗浄具は下方に
変位する。そして、上下の力がバランスした位置で洗浄
具の下降変位が停止する。つまり基板が下がると、これ
に追随して洗浄具が下降するので、洗浄具の底面と基板
表面との間に一定の間隙が常に維持される。一方、基板
が上がると、処理液を噴出することの反作用として洗浄
具が受ける上向きの力が、真空吸引することの反作用と
して洗浄具が受ける下向きの力よりも大きくなり、洗浄
具は上方に変位する。つまり基板が上がると、これに追
随して洗浄具が上昇するので、洗浄具の底面と基板表面
との間に一定の間隙が常に維持される。
Next, an operation when the substrate vibrates up and down while the substrate is being cleaned will be described. For example, when the substrate is lowered, the upward force received by the cleaning tool as a reaction to the ejection of the processing liquid is reduced, so that the downward force received by the cleaning tool as a reaction to the vacuum suction is more relative to the upward force. The cleaning tool is displaced downward. Then, the downward displacement of the cleaning tool stops at the position where the vertical force is balanced. That is, when the substrate is lowered, the cleaning tool descends following the lowering of the substrate, so that a constant gap is always maintained between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface. On the other hand, when the substrate is raised, the upward force received by the cleaning tool as a reaction to ejecting the processing liquid becomes larger than the downward force received by the cleaning tool as a reaction to vacuum suction, and the cleaning tool is displaced upward. I do. In other words, when the substrate is lifted, the cleaning tool rises in accordance therewith, so that a constant gap is always maintained between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface.

【0019】このように基板の上下の振動に追随して洗
浄具が上下動して、洗浄具の底面と基板表面との間隙を
一定に維持するので、この間隙に介在する処理液の液膜
も常に一定であり、基板の上下の振動にかかわらず、基
板表面が均一に洗浄される。しかも、洗浄具に加わる上
下の力は、洗浄具の底面に直接的に作用するので、洗浄
具が取り付けられている支持機構などを介して洗浄具に
押圧力を作用させるものと比べて、基板の上下振動に対
する洗浄具の追随性(応答性)が良好であり、基板を比
較的に高速度で移動させても、均一な洗浄効果が得られ
る。また、処理液の噴出力と、真空吸引力とを高めに設
定すれば、それだけ洗浄具の応答性が高くなるので、基
板の高速回転処理に好適である。しかも、処理液の噴出
力と、真空吸引力とを高めに設定しても、洗浄具の底面
と基板表面との間には処理液の液膜が介在しているの
で、基板表面が損傷されることもない。
As described above, the cleaning tool moves up and down following the vertical vibration of the substrate to maintain a constant gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface. Is always constant, and the substrate surface is uniformly cleaned regardless of the vertical vibration of the substrate. Moreover, since the upper and lower forces applied to the cleaning tool directly act on the bottom surface of the cleaning tool, the substrate is compared with a device that applies a pressing force to the cleaning tool via a support mechanism to which the cleaning tool is attached. The cleaning tool has good follow-up (response) to vertical vibrations, and a uniform cleaning effect can be obtained even when the substrate is moved at a relatively high speed. In addition, if the ejection power of the treatment liquid and the vacuum suction force are set to be higher, the response of the cleaning tool is correspondingly increased, which is suitable for high-speed rotation processing of the substrate. Moreover, even when the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force are set to be high, the substrate surface is damaged because the liquid film of the processing liquid is interposed between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface. Never even.

【0020】請求項2に記載の発明の作用は次のとおり
である。基板保持手段に保持された基板と、洗浄具支持
手段に支持された洗浄具とを対向させた状態で、移動手
段が洗浄具を相対的に水平移動させる。このとき洗浄具
の底面にある処理液噴出孔から基板に向けて処理液が噴
出されるとともに、真空吸引孔から基板が真空吸引され
る。そして、処理液噴出孔から噴出される処理液の噴出
力と、真空吸引孔からの真空吸引力とがバランスするこ
とにより、洗浄具の底面と基板表面との間に狭い間隙が
形成され、この間隙に介在する処理液の液膜を介して基
板表面の全体が洗浄処理される。洗浄処理の均一性、お
よび基板の上下振動に対する洗浄具の追随動作は請求項
1に記載の発明方法と同様であるので、ここでの説明は
省略する。
The operation of the invention described in claim 2 is as follows. The moving means relatively horizontally moves the cleaning tool in a state where the substrate held by the substrate holding means and the cleaning tool supported by the cleaning tool support means face each other. At this time, the processing liquid is spouted toward the substrate from the processing liquid spouting hole on the bottom surface of the cleaning tool, and the substrate is suctioned through the vacuum suction hole. Then, a narrow gap is formed between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface by balancing the ejection power of the treatment liquid ejected from the treatment liquid ejection holes and the vacuum suction force from the vacuum suction holes. The entire surface of the substrate is cleaned through the liquid film of the processing liquid interposed in the gap. The uniformity of the cleaning process and the following operation of the cleaning tool with respect to the vertical vibration of the substrate are the same as those of the method according to the first aspect of the present invention.

【0021】請求項3に記載の発明の作用は次のとおり
である。処理液の流量は洗浄具に作用する上向きの力に
関係し、真空吸引力は洗浄具に作用する下向きの力に関
係する。したがって、例えば処理液の流量を増やすと、
増加した上向きの力によって洗浄具は上方に変位する。
洗浄具の底面と基板表面との間隙が広がるに従って、洗
浄具に作用する上向きの力は小さくなり、真空吸引力と
バランスしたところで洗浄具の上昇変位は停止する。逆
に処理液の流量を減らすと洗浄具に作用する上向きの力
が小さくなることによって洗浄具が下方に変位して洗浄
具の底面と基板表面との間隙が狭くなり、真空吸引力と
バランスしたところで洗浄具の下降変位は停止する。つ
まり、真空吸引力が一定の場合は、処理液の流量を変え
ることにより、洗浄具の底面と基板表面の間隙の広さ、
換言すれば処理液の液膜の厚みを任意に設定することが
できるので、洗浄効果を任意に調整することができる。
同様に、処理液の流量が一定の場合は、真空吸引力を変
えることにより、洗浄具の底面と基板表面との間隙に介
在する処理液の液膜の厚みを任意に設定することができ
る。
The operation of the invention described in claim 3 is as follows. The flow rate of the processing liquid is related to an upward force acting on the cleaning tool, and the vacuum suction force is related to a downward force acting on the cleaning tool. Therefore, for example, when the flow rate of the processing liquid is increased,
The cleaning tool is displaced upward by the increased upward force.
As the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the surface of the substrate increases, the upward force acting on the cleaning tool decreases, and the upward displacement of the cleaning tool stops when the cleaning tool balances the vacuum suction force. Conversely, when the flow rate of the processing liquid is reduced, the upward force acting on the cleaning tool is reduced, whereby the cleaning tool is displaced downward, the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface is narrowed, and the vacuum suction force is balanced. By the way, the downward displacement of the cleaning tool stops. In other words, when the vacuum suction force is constant, by changing the flow rate of the processing solution, the width of the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the surface of the substrate,
In other words, since the thickness of the liquid film of the processing liquid can be arbitrarily set, the cleaning effect can be arbitrarily adjusted.
Similarly, when the flow rate of the processing solution is constant, the thickness of the processing solution liquid film interposed in the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface can be arbitrarily set by changing the vacuum suction force.

【0022】請求項4に記載の発明によれば、処理液噴
出孔から噴出される処理液の噴出力と、真空吸引孔から
の真空吸引力とをバランスさせると、洗浄具の底面にあ
る両孔の位置関係により、洗浄具を傾かせるようなモー
メントは作用しないので、洗浄具は基板表面に対して安
定した平行姿勢を維持する。
According to the fourth aspect of the present invention, when the jetting power of the processing liquid jetted from the processing liquid jetting hole and the vacuum suction force from the vacuum suction hole are balanced, both the jets on the bottom surface of the cleaning tool are provided. Since the moment for tilting the cleaning tool does not act due to the positional relationship of the holes, the cleaning tool maintains a stable parallel posture with respect to the substrate surface.

【0023】請求項5に記載の発明によれば、洗浄具が
リニアガイドを介して洗浄具支持手段に取り付けられて
いるので、基板の上下振動に追随して、洗浄具が円滑に
上下動する。
According to the fifth aspect of the present invention, since the cleaning tool is attached to the cleaning tool support means via the linear guide, the cleaning tool moves up and down smoothly following the vertical vibration of the substrate. .

【0024】請求項6に記載の発明によれば、洗浄具が
球面軸受を介して洗浄具支持手段に取り付けられている
ので、処理中に基板表面が傾いた場合にも、これに追随
して洗浄具が傾き、洗浄具の底面と基板表面との間隙が
一定に維持される。
According to the sixth aspect of the present invention, since the cleaning tool is attached to the cleaning tool support means via the spherical bearing, even if the substrate surface is tilted during the processing, it can follow the cleaning tool. The cleaning tool is tilted, and the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface is kept constant.

【0025】請求項7に記載の発明によれば、洗浄具が
洗浄具支持手段に連結固定されているので、処理中の洗
浄具の高さは一定に維持される。この場合、処理液の噴
出力によって基板を下方に押し下げる力と、真空吸引に
よって基板を上方に持ち上げる力とがバランスすること
によって、基板の上下振動が強制的に抑制されて洗浄具
の底面と基板表面との間隙が一定に保たれる。
According to the seventh aspect of the present invention, since the cleaning tool is connected and fixed to the cleaning tool support means, the height of the cleaning tool during processing is maintained constant. In this case, the force for pushing the substrate downward by the ejection power of the processing liquid and the force for lifting the substrate upward by vacuum suction are balanced, so that the vertical vibration of the substrate is forcibly suppressed, and the bottom surface of the cleaning tool and the substrate are removed. The gap with the surface is kept constant.

【0026】請求項8に記載の発明によれば、本案に係
る洗浄具によって処理液の液膜を介した洗浄処理が行わ
れるとともに、この洗浄具に取り付けられた別の洗浄
具、例えばブラシ洗浄具などによって、基板表面に別種
の洗浄処理が行われる。
According to the invention of claim 8, the cleaning tool according to the present invention performs the cleaning process through the liquid film of the processing liquid, and another cleaning tool attached to the cleaning tool, for example, a brush cleaning. A different kind of cleaning treatment is performed on the substrate surface by a tool or the like.

【0027】請求項9に記載の発明によれば、別の洗浄
具が、本案に係る洗浄具に高さ調節可能に取り付けられ
ているので、例えばブラシ洗浄具などの別の洗浄具の底
面を本案に係る洗浄具の底面よりも下げることにより、
別の洗浄具を基板表面に接触させて洗浄処理を行うこと
もできる。
According to the ninth aspect of the present invention, since another cleaning tool is attached to the cleaning tool according to the present invention so as to be adjustable in height, the bottom surface of another cleaning tool, such as a brush cleaning tool, can be used. By lowering than the bottom of the cleaning tool according to the present invention,
The cleaning process can be performed by bringing another cleaning tool into contact with the substrate surface.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。 <第1実施例>図1は本発明に係る基板洗浄装置の第1
実施例の全体の概略構成を示す一部破断正面図、図2は
第1実施例の全体の概略構成を示す平面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> FIG. 1 shows a first embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a partially cutaway front view showing the overall schematic configuration of the embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing the overall schematic configuration of the first embodiment.

【0029】本実施例に係る基板洗浄装置は、洗浄処理
対象である半導体ウエハなどの基板Wを水平姿勢で吸着
保持して回転させるスピンチャック1を備えている。ス
ピンチャック1はモータ2の出力軸2aに連結されてい
る。スピンチャック1は本発明装置における基板保持手
段に相当する。なお、基板保持手段はスピンチャック1
に限らず、回転台の上に複数本のピンを立設し、これら
のピンで基板Wの端縁を保持するような構造のものでも
よい。
The substrate cleaning apparatus according to the present embodiment is provided with a spin chuck 1 for sucking, holding and rotating a substrate W such as a semiconductor wafer to be cleaned in a horizontal posture. The spin chuck 1 is connected to an output shaft 2a of a motor 2. The spin chuck 1 corresponds to a substrate holding unit in the apparatus of the present invention. The substrate holding means is a spin chuck 1
However, the present invention is not limited thereto, and a structure in which a plurality of pins are erected on a turntable and the edges of the substrate W are held by these pins may be used.

【0030】スピンチャック1の周囲には処理液の飛散
を防止して回収するためのカップ3が設けられている。
カップ3の傍らには昇降および縦軸芯P周りに揺動自在
な洗浄具支持アーム4が設けられている。この洗浄具支
持アーム4の先端に洗浄具5が垂直下方に向かうように
取り付けられている。図2に示すように、洗浄具支持ア
ーム4は、スピンチャック1に保持されて回転している
基板Wの表面に洗浄具5を対向させて、洗浄具5を基板
Wの回転半径方向に水平移動させる。洗浄具支持アーム
4は本発明装置における洗浄具支持手段および移動手段
に相当する。また、基板Wに対して洗浄具5を相対的に
移動させる意味において、スピンチャック1は本発明装
置における移動手段としての機能も備える。なお、移動
手段は、洗浄具支持アーム4のように洗浄具5を円弧状
に移動させるものに限らず、基板Wの回転半径方向に洗
浄具5を直線移動させるものであってもよい。
Around the spin chuck 1, there is provided a cup 3 for preventing and collecting the processing liquid.
A cleaning tool support arm 4 is provided beside the cup 3 so as to be vertically movable and swingable about a vertical axis P. The cleaning tool 5 is attached to the tip of the cleaning tool support arm 4 so as to face vertically downward. As shown in FIG. 2, the cleaning tool supporting arm 4 faces the cleaning tool 5 to the surface of the rotating substrate W held by the spin chuck 1 and horizontally moves the cleaning tool 5 in the rotation radius direction of the substrate W. Move. The cleaning tool support arm 4 corresponds to the cleaning tool support means and the moving means in the apparatus of the present invention. In addition, the spin chuck 1 also has a function as a moving unit in the apparatus of the present invention in the sense that the cleaning tool 5 is relatively moved with respect to the substrate W. The moving means is not limited to the one that moves the cleaning tool 5 in an arc shape like the cleaning tool support arm 4, but may be one that linearly moves the cleaning tool 5 in the rotation radius direction of the substrate W.

【0031】図3を参照して洗浄具5の構成を説明す
る。図3は洗浄具5の概略構成を示した縦断面図であ
る。洗浄具5は、フッ素系樹脂などで形成された中空円
盤状の洗浄具本体6を備えている。洗浄具本体6の底面
中央部には凹部7が形成されており、この凹部7に連通
するように真空吸引孔8が設けられている。真空吸引孔
8は洗浄具本体6を上下に貫く吸気管9に連通されてい
る。吸気管9は、洗浄具本体6が取り付けられる部材1
0の内部吸気路11を介して、図示しない真空吸引源に
連通接続されている。洗浄時に基板Wの表面に近接対向
する洗浄具本体6の底面には、柔軟なPVA(ポリビニ
ルアルコール)シート12が貼付けられており、洗浄具
本体6がもしも基板Wに接触しても、基板表面を傷つけ
ないようになっている。洗浄具本体6の底面には、複数
個の処理液噴出孔13が凹部7を取り囲むように形成さ
れている。具体的には各処理液噴出孔13は、洗浄具本
体6の底面中央にある真空吸引孔8を挟んでほぼ対向す
るように円形状に配置されている。処理液噴出孔13は
洗浄具本体6の内部空間である液溜まり14に連通され
ている。洗浄具本体6の上面には液溜まり14に連通す
る処理液流入口15があり、この処理液流入口15が図
示しない処理液供給源に連通接続されている。洗浄処理
に使われる処理液は特に限定されないが、例えば純水や
薬液などがある。
The structure of the cleaning tool 5 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the cleaning tool 5. The cleaning tool 5 includes a hollow disk-shaped cleaning tool body 6 formed of a fluorine-based resin or the like. A recess 7 is formed in the center of the bottom surface of the cleaning tool body 6, and a vacuum suction hole 8 is provided so as to communicate with the recess 7. The vacuum suction hole 8 communicates with an intake pipe 9 that penetrates the cleaning tool body 6 up and down. The suction pipe 9 is a member 1 to which the cleaning tool body 6 is attached.
0 is connected to a vacuum suction source (not shown) through the internal suction passage 11 of the air conditioner. A flexible PVA (polyvinyl alcohol) sheet 12 is affixed to the bottom surface of the cleaning tool main body 6 which is in close proximity to the surface of the substrate W at the time of cleaning. Not to hurt. A plurality of processing liquid ejection holes 13 are formed on the bottom surface of the cleaning tool main body 6 so as to surround the recess 7. Specifically, the processing liquid ejection holes 13 are arranged in a circular shape so as to be substantially opposed to each other with the vacuum suction hole 8 at the center of the bottom surface of the cleaning tool main body 6 interposed therebetween. The processing liquid ejection hole 13 is communicated with a liquid pool 14 which is an internal space of the cleaning tool main body 6. On the upper surface of the cleaning tool main body 6, there is a processing liquid inlet 15 communicating with the liquid reservoir 14, and the processing liquid inlet 15 is connected to a processing liquid supply source (not shown). The treatment liquid used for the cleaning treatment is not particularly limited, but includes, for example, pure water and a chemical solution.

【0032】上述した内部吸気路11に連通する真空吸
引路には、真空吸引圧力を検出する圧力センサ16と、
真空吸引圧力を調節するレギュレータ17とが設けられ
ており、それぞれが制御部18に接続されている。ま
た、処理液流入口15に連通する処理液流路には、処理
液の流量を検出する流量センサ19と、処理液の圧力を
通じて処理液流量を調節するレギュレータ20とが設け
られており、それぞれが同様に制御部18に接続されて
いる。レギュレータ17,20は本発明装置における調
節手段に相当する。
A pressure sensor 16 for detecting a vacuum suction pressure is provided in the vacuum suction passage communicating with the internal suction passage 11 described above.
A regulator 17 for adjusting the vacuum suction pressure is provided, and each is connected to the control unit 18. The processing liquid flow path communicating with the processing liquid inlet 15 is provided with a flow rate sensor 19 for detecting the flow rate of the processing liquid and a regulator 20 for adjusting the flow rate of the processing liquid through the pressure of the processing liquid. Are similarly connected to the control unit 18. The regulators 17 and 20 correspond to adjusting means in the device of the present invention.

【0033】上述した部材10と、その上の部材21
と、これら部材10,21によって緩く挟持された球体
22とによって球面軸受23が構成されている。この球
面軸受23を介して洗浄具5が洗浄具支持アーム4と連
結支持されることにより、洗浄具5が自由に首降り変位
できるようになっている。また、球体22の上部には支
持軸24が連結固定されている。この支持軸24が、洗
浄具支持アーム4の先端内部に設けられたリニアガイド
25に案内されることにより、洗浄具5が上下方向に変
位自在になっている。さらに、洗浄具支持アーム4の先
端下面と部材21との間に、支持軸24を取り囲むよう
にベローズ26が設けられている。仮に球面軸受23や
リニアガイド25で塵埃が発生しても、これらの塵埃は
ベローズ26で遮蔽されて外部に飛散しないので、塵埃
によって基板Wが汚染されることがない。
The member 10 described above and the member 21 thereon
And the spherical body 22 loosely held by the members 10 and 21 form a spherical bearing 23. The cleaning tool 5 is connected to and supported by the cleaning tool support arm 4 via the spherical bearing 23, so that the cleaning tool 5 can be freely displaced. A support shaft 24 is connected and fixed to the upper part of the sphere 22. The support shaft 24 is guided by a linear guide 25 provided inside the distal end of the cleaning tool support arm 4 so that the cleaning tool 5 can be displaced vertically. Further, a bellows 26 is provided between the lower surface of the distal end of the cleaning tool support arm 4 and the member 21 so as to surround the support shaft 24. Even if dust is generated on the spherical bearing 23 or the linear guide 25, the dust is shielded by the bellows 26 and does not scatter outside, so that the substrate W is not contaminated by the dust.

【0034】次に上述した構成を備えた第1実施例装置
の動作を説明する。処理対象である基板Wは、図示しな
い基板搬送ロボットなどにより本装置内に搬入されて、
スピンチャック1上に移載される。この基板Wをスピン
チャック1が吸着保持した後、スピンチャック1が回転
する。続いて洗浄具支持アーム4が、図2に実線で示し
た待機位置から洗浄開始位置(例えば、図2中に符号P
1 で示す位置)の上方にまで進出する。洗浄開始位置P
1 に達すると洗浄具支持アーム4が下降する。洗浄具5
が所定の位置にまで下降すると、洗浄具5への処理液の
噴出と真空吸引とを開始する。洗浄具5の底面にある処
理液噴出孔13から処理液を噴出させるとともに、真空
吸引孔8から真空吸引しながら、なおも洗浄具5が下降
すると、処理液の噴出力と真空吸引力とがバランスした
ところで洗浄具5の下降変位が停止し、洗浄具5の底面
と基板Wの表面との間に狭い間隙Gができる。この間隙
Gは後述するように任意に設定可能であるが、通常、
0.1〜0.2mm程度である。間隙Gには処理液噴出
孔13から噴出された処理液の液膜が介在する。この処
理液の液膜を介して洗浄具5(具体的にはPVAシート
12が貼り付けられた洗浄具5の底面)が基板Wの表面
に作用することにより、基板表面が洗浄される。
Next, the operation of the apparatus of the first embodiment having the above configuration will be described. The substrate W to be processed is carried into the apparatus by a substrate transport robot (not shown), and the like.
It is transferred onto the spin chuck 1. After the spin chuck 1 sucks and holds the substrate W, the spin chuck 1 rotates. Subsequently, the cleaning tool supporting arm 4 is moved from the standby position indicated by the solid line in FIG.
(Position indicated by 1 ). Cleaning start position P
When it reaches 1 , the cleaning tool support arm 4 descends. Cleaning tool 5
Is lowered to a predetermined position, the ejection of the processing liquid to the cleaning tool 5 and the vacuum suction are started. When the cleaning tool 5 is still lowered while the processing liquid is ejected from the processing liquid ejection holes 13 on the bottom surface of the cleaning tool 5 and vacuum suction is performed through the vacuum suction holes 8, the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force are reduced. When the balance is achieved, the downward movement of the cleaning tool 5 stops, and a narrow gap G is formed between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the surface of the substrate W. This gap G can be set arbitrarily as described later, but usually,
It is about 0.1 to 0.2 mm. A liquid film of the processing liquid ejected from the processing liquid ejection holes 13 is interposed in the gap G. The cleaning tool 5 (specifically, the bottom surface of the cleaning tool 5 to which the PVA sheet 12 is attached) acts on the surface of the substrate W through the liquid film of the processing liquid, whereby the substrate surface is cleaned.

【0035】洗浄具5の底面と基板Wの表面との間に間
隙Gが形成される際のメカニズムを説明する。処理液噴
出孔13から基板Wに向けて処理液が噴出されると、そ
の反作用として洗浄具5は上向きの力(図3中に符号F
で示す)を受ける。一方、真空吸引孔8から基板Wを真
空吸引すると、その反作用として洗浄具5は下向きの力
(図3中に符号−Fで示す)を受ける。洗浄具5にそれ
ぞれ作用する上向きの力(F)と下向きの力(−F)と
が均衡することにより、洗浄具5は基板表面との間に狭
い間隙Gを形成した状態で維持される。本実施例におい
て、真空吸引孔8は凹部7に連通しているので、凹部7
が存在する洗浄具5の底面中央部に下向きの力が作用す
る。一方、複数個の処理液噴出孔13は真空吸引孔8を
挟んで対向するように円形配置されているので、洗浄具
5の底面周辺部に上向きの力が作用する。つまり、各処
理液噴出孔13からの処理液の噴出力がそれぞれ同じに
なるようにしておけば、各処理液噴出孔13からの処理
液の総噴出力と真空吸引孔8からの真空吸引力とがバラ
ンスしたとき、これらの上下の力によって洗浄具5にモ
ーメント力は作用しないので、洗浄具5は傾くことな
く、基板表面との間で間隙Gを保った安定した平行姿勢
を維持する。
The mechanism when the gap G is formed between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the surface of the substrate W will be described. When the processing liquid is jetted from the processing liquid jetting hole 13 toward the substrate W, the cleaning tool 5 reacts upward by an upward force (reference numeral F in FIG. 3).
). On the other hand, when the substrate W is vacuum-suctioned through the vacuum suction hole 8, the cleaning tool 5 receives a downward force (represented by a symbol -F in FIG. 3) as a reaction. By balancing the upward force (F) and the downward force (-F) acting on the cleaning tool 5, the cleaning tool 5 is maintained in a state where a narrow gap G is formed between the cleaning tool 5 and the substrate surface. In this embodiment, since the vacuum suction hole 8 communicates with the concave portion 7,
A downward force acts on the center of the bottom surface of the cleaning tool 5 in which there is. On the other hand, since the plurality of processing liquid ejection holes 13 are circularly arranged to face each other with the vacuum suction hole 8 interposed therebetween, an upward force acts on the periphery of the bottom surface of the cleaning tool 5. That is, if the ejection power of the processing liquid from each processing liquid ejection hole 13 is set to be the same, the total ejection power of the processing liquid from each processing liquid ejection hole 13 and the vacuum suction force from the vacuum suction hole 8 When the balance is achieved, the moment force does not act on the cleaning tool 5 due to these upper and lower forces, so that the cleaning tool 5 does not tilt and maintains a stable parallel posture maintaining the gap G between the cleaning tool 5 and the substrate surface.

【0036】なお、厳密に言えば、洗浄具5に作用する
下向きの力は、真空吸引力による力と、洗浄具5自体が
もつ重量との和である。しかし、本実施例によれば洗浄
具5に押圧力を加えるためのアクチュエータなどを取り
付ける必要がないので、洗浄具5の全体重量を十分に小
さくすることができる。したがって、以下の説明では洗
浄具5に作用する下向きの力として、真空吸引力だけを
考える。
Strictly speaking, the downward force acting on the cleaning tool 5 is the sum of the force of the vacuum suction force and the weight of the cleaning tool 5 itself. However, according to the present embodiment, it is not necessary to attach an actuator or the like for applying a pressing force to the cleaning tool 5, so that the overall weight of the cleaning tool 5 can be sufficiently reduced. Therefore, in the following description, only the vacuum suction force is considered as the downward force acting on the cleaning tool 5.

【0037】間隙Gは処理液の噴出流量および真空吸引
圧力の少なくともいずれか一方を調節することにより、
任意に調節することができる。以下、間隙Gの調節動作
について説明する。ここでは、真空吸引圧力を一定値と
し、処理液の噴出流量を変えることにより間隙Gを調節
する場合を例に採って説明する。
The gap G can be adjusted by adjusting at least one of the flow rate of the processing liquid and the vacuum suction pressure.
It can be adjusted arbitrarily. Hereinafter, the operation of adjusting the gap G will be described. Here, the case where the gap G is adjusted by changing the vacuum suction pressure to a constant value and changing the ejection flow rate of the processing liquid will be described as an example.

【0038】間隙Gを広くする場合、制御部18は処理
液流路の流量センサ19の検出信号を取り込み、設定し
ようとする間隙Gに対応する処理液の流量となるように
レギュレータ20を調節する。この場合、処理液の流量
が増やされることにより、洗浄具5に作用する上向きの
力が増加する(力=F+ΔF)。その結果、洗浄具5に
作用する下向きの力(−F)とのバランスが崩れて洗浄
具5は上昇変位する。洗浄具5が上昇するに従って洗浄
具5に作用する上向きの力が弱まって、下向きの力とバ
ランスするところで洗浄具5の上昇変位は停止する。そ
の結果、間隙Gが広く設定される(間隙=G+ΔG)。
逆に間隙Gを狭くする場合には、設定しようとする間隙
Gに応じて処理液の流量を減らせばよい。
To widen the gap G, the control unit 18 takes in the detection signal of the flow rate sensor 19 in the processing liquid flow path, and adjusts the regulator 20 so that the flow rate of the processing liquid corresponds to the gap G to be set. . In this case, the upward force acting on the cleaning tool 5 increases by increasing the flow rate of the processing liquid (force = F + ΔF). As a result, the balance with the downward force (-F) acting on the cleaning tool 5 is lost, and the cleaning tool 5 is displaced upward. As the cleaning tool 5 rises, the upward force acting on the cleaning tool 5 is weakened, and the upward displacement of the cleaning tool 5 stops when the cleaning tool 5 is balanced with the downward force. As a result, the gap G is set wide (gap = G + ΔG).
Conversely, when narrowing the gap G, the flow rate of the processing liquid may be reduced according to the gap G to be set.

【0039】一方、処理液の流量を一定値とし、真空吸
引圧力を変えて間隙Gを調節する場合は、真空吸引路の
圧力センサ16をモニタし、レギュレータ17を操作す
る。具体的には、真空吸引圧力を増せば間隙Gが狭くな
り、真空吸引圧力を減らせば間隙Gは広くなる。
On the other hand, when adjusting the gap G by changing the vacuum suction pressure while keeping the flow rate of the processing liquid constant, the pressure sensor 16 in the vacuum suction path is monitored and the regulator 17 is operated. Specifically, increasing the vacuum suction pressure narrows the gap G, and decreasing the vacuum suction pressure widens the gap G.

【0040】以上のように間隙Gを調節すれば、それに
応じて間隙Gに介在する処理液の液膜の厚みが変わるの
で、この処理液の液膜を介して洗浄具5が基板表面に作
用することによって行われる洗浄の効果を適宜に調節す
ることができる。
If the gap G is adjusted as described above, the thickness of the liquid film of the processing liquid interposed in the gap G changes accordingly, and the cleaning tool 5 acts on the substrate surface via the liquid film of the processing liquid. By doing so, the effect of the washing performed can be appropriately adjusted.

【0041】洗浄具支持アーム4が下降して、洗浄具5
が図2の洗浄開始位置P1 に達すると、洗浄具支持アー
ム4が縦軸芯P周りに揺動することにより、洗浄具5が
基板Wの回転半径方向(図2中の経路P1 →P2
3 )に水平移動して基板表面の全体を洗浄する。この
とき処理液の液膜は、処理液の噴出力と真空吸引力との
バランスによって形成される間隙Gと同等の厚みをも
ち、基板Wの回転(基板各部の回転周速度)にはほとん
ど依存しないので、基板の中心部から周辺部にかけて処
理液の液膜は均一である。その結果、基板表面の全体に
わたって均一な洗浄が行われる。
The cleaning tool supporting arm 4 descends, and the cleaning tool 5
If There reached cleaning start position P 1 of Figure 2, cleaning tools by supporting arm 4 swings vertically axis P around cleaner 5 radial direction of the substrate W (the path P in FIG. 2 1 → P 2
Move horizontally to P 3 ) to clean the entire substrate surface. At this time, the liquid film of the processing liquid has the same thickness as the gap G formed by the balance between the jetting power of the processing liquid and the vacuum suction force, and almost depends on the rotation of the substrate W (the rotational peripheral speed of each part of the substrate). Therefore, the liquid film of the processing liquid is uniform from the central part to the peripheral part of the substrate. As a result, uniform cleaning is performed over the entire substrate surface.

【0042】次に基板Wの回転に伴って基板Wが上下に
振動した場合の動作を説明する。洗浄処理中に基板Wが
下方に変位すると間隙Gが広くなる。そうすると、処理
液を噴出することの反作用として洗浄具5が受ける上向
きの力が小さくなり、真空吸引力に基づく下向きの力が
処理液の噴出力に基づく上向きの力よりも相対的に大き
くなる。その結果、洗浄具5は下方に変位する。洗浄具
5が下方に変位して間隙Gが狭くなるに従って、処理液
を噴出することによって洗浄具5が受ける上向きの力が
大きくなり、この上向きの力が真空吸引力に基づく下向
きの力とバランスしたところで、洗浄具5の下方変位は
停止する。つまり基板Wが下がると、これに追随して洗
浄具5が下降するので、洗浄具5の底面と基板表面との
間の間隙Gは常に一定に維持される。一方、基板Wが上
方に変位して間隙Gが狭くなると、処理液の噴出力に基
づく上向きの力が、真空吸引力に基づく下向きの力より
も大きくなって、洗浄具5は上方に変位する。つまり基
板Wが上がると、これに追随して洗浄具5が上昇するの
で、洗浄具5の底面と基板表面との間の間隙Gは常に一
定に維持される。
Next, the operation when the substrate W vibrates up and down with the rotation of the substrate W will be described. When the substrate W is displaced downward during the cleaning process, the gap G is widened. Then, the upward force received by the cleaning tool 5 is reduced as a reaction to the ejection of the processing liquid, and the downward force based on the vacuum suction force is relatively larger than the upward force based on the processing liquid ejection power. As a result, the cleaning tool 5 is displaced downward. As the cleaning tool 5 is displaced downward and the gap G becomes narrower, the upward force received by the cleaning tool 5 by ejecting the processing liquid increases, and this upward force balances the downward force based on the vacuum suction force. Then, the downward displacement of the cleaning tool 5 stops. That is, when the substrate W is lowered, the cleaning tool 5 descends following the lowering of the substrate W, so that the gap G between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface is always kept constant. On the other hand, when the substrate W is displaced upward and the gap G is narrowed, the upward force based on the ejection power of the processing liquid becomes larger than the downward force based on the vacuum suction force, and the cleaning tool 5 is displaced upward. . In other words, when the substrate W rises, the cleaning tool 5 rises accordingly, so that the gap G between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface is always kept constant.

【0043】洗浄具5は、それ自体が比較的に軽量であ
り、またリニアガイド25を介して洗浄具支持アーム4
に上下動自在に連結されているので、基板Wの上下振動
により洗浄具5に作用する上下方向の力が僅かに変動し
ても、これに敏感に反応して追随する。また、上述した
上下方向の力は洗浄具5の底面に直接的に作用するの
で、基板Wの上下振動に対する洗浄具5の追随応答性が
良好である。したがって、基板Wを比較的に高速で回転
させて洗浄処理を行っても、洗浄具5が基板表面で飛び
跳ねることがなく、基板表面全体を均一に処理すること
ができる。また、処理液の流量および真空吸引圧力の高
めに設定しておくと、それだけ洗浄具5の応答性が高く
なり、基板Wの高速回転処理に好適である。しかも、処
理液の流量および真空吸引圧力を高めに設定しても、洗
浄具5の底面と基板表面との間には処理液の液膜が介在
しているので、基板表面が損傷されることはない。さら
に、基板表面が傾いた場合には、球面軸受23が基板表
面の傾きに合わせて洗浄具5を傾斜変位させるので、洗
浄具5の底面と基板表面との間隙Gは常に一定であり、
基板表面の傾きにかかわらず均一な洗浄処理を行うこと
ができる。
The cleaning tool 5 itself is relatively lightweight, and the cleaning tool supporting arm 4
Since the substrate W is vertically movably connected, even if the vertical force acting on the cleaning tool 5 due to the vertical vibration of the substrate W fluctuates slightly, it responds sensitively and follows the fluctuation. In addition, since the above-described vertical force acts directly on the bottom surface of the cleaning tool 5, the following response of the cleaning tool 5 to the vertical vibration of the substrate W is good. Therefore, even if the cleaning process is performed by rotating the substrate W at a relatively high speed, the cleaning tool 5 does not jump off the substrate surface, and the entire substrate surface can be uniformly processed. When the flow rate of the processing liquid and the vacuum suction pressure are set to be higher, the responsiveness of the cleaning tool 5 becomes higher accordingly, which is suitable for the high-speed rotation processing of the substrate W. In addition, even if the flow rate of the processing solution and the vacuum suction pressure are set to be high, the substrate surface may be damaged because the processing solution liquid film is interposed between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface. There is no. Further, when the substrate surface is inclined, the spherical bearing 23 causes the cleaning tool 5 to be tilted and displaced in accordance with the inclination of the substrate surface. Therefore, the gap G between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface is always constant.
A uniform cleaning process can be performed regardless of the inclination of the substrate surface.

【0044】基板Wの洗浄処理が終わると洗浄具支持ア
ーム4が待機位置に戻るとともに、基板Wが高速回転さ
れて基板W上の余剰の処理液が振り切られて基板Wが乾
燥される。処理が終わった基板Wは図示しない基板搬送
ロボットなどによって本装置外に搬出され、続いて新た
な基板Wが本装置に搬入されて、上述と同様の処理が繰
り返し行われる。
When the cleaning process of the substrate W is completed, the cleaning tool support arm 4 returns to the standby position, and the substrate W is rotated at a high speed to shake off excess processing liquid on the substrate W, thereby drying the substrate W. The processed substrate W is carried out of the apparatus by a substrate transfer robot or the like (not shown), and then a new substrate W is carried into the apparatus, and the same processing as described above is repeatedly performed.

【0045】<第2実施例>図4は本発明の第2実施例
に係る基板洗浄装置に備えられた洗浄具の概略構成を示
す縦断面図である。洗浄装置の全体構成は図1および図
2を使って説明した第1実施例のものと同様であるので
図示を省略する。また、図4において、図3中の各符号
と同一の符号で示した構成部分は第1実施例のものと同
様であるので、これらの説明も省略する。
<Second Embodiment> FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning tool provided in a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. The overall configuration of the cleaning apparatus is the same as that of the first embodiment described with reference to FIGS. In FIG. 4, the components indicated by the same reference numerals as those in FIG. 3 are the same as those in the first embodiment, and therefore, the description thereof will be omitted.

【0046】本実施例の特徴は、第1実施例で説明した
と同様の構成の洗浄具5に、別の洗浄具としてブラシ洗
浄具30が取り付けられたことにある。ブラシ洗浄具3
0は、雄ねじが形成された胴体31の下面に、ナイロン
やモヘアなどのブラシ32が植毛されている。洗浄具5
の凹部7内には、内周面に雌ねじが形成された筒状のブ
ラシホルダ33がブラケット34を介して取りつけられ
ている。ブラシ洗浄具30の胴体31をブラシホルダ3
3にねじ込むことにより、ブラシ洗浄具30が洗浄具5
に取り付けられている。このとき胴体31のねじ込み量
を調節することにより、洗浄具5に対するブラシ洗浄具
30の高さを任意に設定できるようになっている。ブラ
シ洗浄具30の高さが設定されると、胴体31にナット
35がねじ込まれてロックされる。
The feature of this embodiment is that a brush cleaning tool 30 is attached as another cleaning tool to the cleaning tool 5 having the same configuration as that described in the first embodiment. Brush cleaning tool 3
Numeral 0 denotes a brush 32 made of nylon or mohair implanted on the lower surface of the body 31 on which the male screw is formed. Cleaning tool 5
A cylindrical brush holder 33 having a female screw formed on the inner peripheral surface is mounted via a bracket 34 in the concave portion 7. The body 31 of the brush cleaning tool 30 is
3, the brush cleaning tool 30 is turned into the cleaning tool 5.
Attached to. At this time, the height of the brush cleaning tool 30 with respect to the cleaning tool 5 can be arbitrarily set by adjusting the screwing amount of the body 31. When the height of the brush cleaning tool 30 is set, the nut 35 is screwed into the body 31 and locked.

【0047】本実施例によれば、第1実施例と同様に洗
浄具5の底面からの処理液の噴出力と真空吸引力とがバ
ランスすることにより、洗浄具5の底面と基板表面との
間に一定の間隙が形成され、この間隙に介在する処理液
の液膜を介して洗浄具5が基板表面に作用することによ
り基板表面の洗浄が行われる。洗浄具5による処理液の
液膜を介した洗浄と同時に、ブラシ洗浄具30が基板表
面に作用することよりブラシ洗浄具30を用いた洗浄処
理が行われる。ブラシ洗浄具30の高さを適宜に選択設
定することにより、ブラシ洗浄具30のブラシ32を基
板表面に接触させて行う洗浄、あるいは処理液の液膜を
介してブラシ32を基板表面に作用させて行う洗浄のい
ずれでも実施することが可能である。
According to the present embodiment, as in the first embodiment, the jetting power of the processing liquid from the bottom surface of the cleaning tool 5 and the vacuum suction force are balanced, so that the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface are balanced. A certain gap is formed between the gaps, and the cleaning tool 5 acts on the substrate surface via the liquid film of the processing liquid interposed in the gap to clean the substrate surface. Simultaneously with the cleaning of the treatment liquid through the liquid film by the cleaning tool 5, the cleaning process using the brush cleaning tool 30 is performed by the brush cleaning tool 30 acting on the substrate surface. By appropriately selecting and setting the height of the brush cleaning tool 30, cleaning is performed by bringing the brush 32 of the brush cleaning tool 30 into contact with the substrate surface, or the brush 32 acts on the substrate surface via a liquid film of the processing liquid. It is possible to carry out any of the cleaning performed.

【0048】以上のように本実施例によれば、洗浄具5
を用いた洗浄と、ブラシ洗浄具30を用いた洗浄とを同
時に行うことができるので、基板表面の洗浄効果を効率
よく高めることができる。
As described above, according to the present embodiment, the cleaning tool 5
And the cleaning using the brush cleaning tool 30 can be performed simultaneously, so that the effect of cleaning the substrate surface can be efficiently enhanced.

【0049】なお、洗浄具5へのブラシ洗浄具30の取
りつけ箇所は任意であり、例えば図4に鎖線で示すよう
に、リング状のブラシ洗浄具30Aを洗浄具5の外側に
嵌め付けるようにしてもよい。
The brush cleaning tool 30 can be attached to the cleaning tool 5 at any position. For example, a ring-shaped brush cleaning tool 30A is fitted to the outside of the cleaning tool 5 as shown by a chain line in FIG. You may.

【0050】<第3実施例>図5は本発明の第3実施例
に係る基板洗浄装置に備えられた洗浄具の概略構成を示
す縦断面図である。上述した第1および第2実施例で
は、洗浄具5自体は回転しなかったが、本実施例では洗
浄具5が回転するように構成してある。洗浄具5の構成
は第1実施例のものとほぼ同じであるので、ここでの説
明は省略する。以下、洗浄具5の回転機構について説明
する。
<Third Embodiment> FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning tool provided in a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention. In the first and second embodiments described above, the cleaning tool 5 itself does not rotate, but in this embodiment, the cleaning tool 5 is configured to rotate. Since the structure of the cleaning tool 5 is almost the same as that of the first embodiment, the description is omitted here. Hereinafter, the rotation mechanism of the cleaning tool 5 will be described.

【0051】洗浄具5には上下に貫くように吸気用の内
管41が連結固定されており、この内管41の末端が凹
部7で開口して真空吸引孔8を構成している。内管41
の外側に処理液送液用の外管42が同心状に設けられて
いる。この外管42は、その末端が洗浄具5の液溜まり
14に連通するように洗浄具5の上面に連結固定されて
いる。外管42はリニアガイド25を介して洗浄具支持
アーム4に回転および上下動自在に支持されている。内
管41の上端は軸シール継手43を介して真空吸引源に
連通接続されている。一方、外管42の上端は軸シール
継手44を介して処理液供給源に連通接続されている。
また、内管41と外管42は、各々の上端部が連結部材
45によって連結されており、両管41,42が一体と
なって回転するようになっている。
An inner pipe 41 for suction is connected and fixed to the cleaning tool 5 so as to penetrate vertically, and the end of the inner pipe 41 is opened at the concave portion 7 to form a vacuum suction hole 8. Inner tube 41
An outer pipe 42 for feeding a processing liquid is provided concentrically outside the liquid crystal display. The outer tube 42 is connected and fixed to the upper surface of the cleaning tool 5 so that its end communicates with the liquid pool 14 of the cleaning tool 5. The outer tube 42 is supported by the cleaning tool support arm 4 via the linear guide 25 so as to be rotatable and vertically movable. The upper end of the inner pipe 41 is connected to a vacuum suction source via a shaft seal joint 43. On the other hand, the upper end of the outer tube 42 is connected to a processing liquid supply source via a shaft seal joint 44.
The inner tube 41 and the outer tube 42 are connected at their upper ends by a connecting member 45 so that the two tubes 41 and 42 rotate integrally.

【0052】外管42の中間部位の外側には、回転軸受
46を介して洗浄具支持アーム4の内周面に支持された
円筒状の筒体47があり、この筒体47と外管42の中
間部位とがスプライン結合している。筒体47にはプー
リー48が嵌め付け固定されており、このプーリー48
に歯付ベルト49が巻回されている。歯付ベルト49の
他端は、洗浄具支持アーム4の基端側に収納された図示
しないモータの出力軸に取りつけられたもう一つのプー
リーに巻回されている。なお、外管42が導出される洗
浄具支持アーム4の先端部には磁気流体シール50が施
され、洗浄具支持アーム4内で発生した塵埃が外部へ放
出されないようになっている。
Outside the intermediate portion of the outer tube 42, there is a cylindrical tube 47 supported on the inner peripheral surface of the cleaning tool support arm 4 via a rotary bearing 46. Are spline-bonded to the intermediate part of A pulley 48 is fitted and fixed to the cylindrical body 47.
, A toothed belt 49 is wound. The other end of the toothed belt 49 is wound around another pulley attached to the output shaft of a motor (not shown) housed on the base end side of the cleaning tool support arm 4. A magnetic fluid seal 50 is provided at the tip of the cleaning tool support arm 4 from which the outer pipe 42 is led out, so that dust generated in the cleaning tool support arm 4 is not released to the outside.

【0053】以上のように構成された第3実施例装置の
動作を説明する。軸シール継手44および外管42を介
して送られきた処理液は洗浄具5の液溜まり14に流入
し、洗浄具5の底面の処理液噴出孔13から基板Wに向
けて噴出される。一方、内管41および軸シール継手4
3を介して真空吸引源に連通する真空吸引孔8から基板
Wが真空吸引される。処理液の噴出力と真空吸引力とが
バランスすることにより、洗浄具5の底面と基板表面と
の間に間隙Gが形成され、この間隙Gに介在する処理液
の液膜を介して洗浄具5が基板表面に作用して基板Wが
洗浄される点は上述した各実施例と同様である。そし
て、本実施例によれば、歯付ベルト49を介して伝達さ
れた回転力が筒体47を介して外管42および内管41
に伝達されることにより、洗浄具5が回転しながら基板
Wを洗浄する。なお、外管42と筒体47とはスプライ
ン結合しているので、基板Wの上下振動に対して洗浄具
5は円滑に追随して間隙Gを維持する。本実施例装置に
よれば、洗浄具5自体が回転しながら基板Wを洗浄する
ので、より一層均一な洗浄処理を行うことができる。
The operation of the apparatus according to the third embodiment configured as described above will be described. The processing liquid sent through the shaft seal joint 44 and the outer pipe 42 flows into the liquid reservoir 14 of the cleaning tool 5, and is jetted toward the substrate W from the processing liquid jet hole 13 on the bottom surface of the cleaning tool 5. On the other hand, the inner pipe 41 and the shaft seal joint 4
The substrate W is vacuum-suctioned from the vacuum suction hole 8 communicating with the vacuum suction source through the vacuum suction source 3. By balancing the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force, a gap G is formed between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the surface of the substrate, and the cleaning tool is interposed in the gap G via a liquid film of the processing liquid. The point that 5 acts on the substrate surface to clean the substrate W is the same as in the above-described embodiments. According to the present embodiment, the rotational force transmitted via the toothed belt 49 is applied to the outer pipe 42 and the inner pipe 41 via the cylindrical body 47.
, The cleaning tool 5 rotates to clean the substrate W. Since the outer tube 42 and the cylindrical body 47 are spline-coupled, the cleaning tool 5 smoothly follows the vertical vibration of the substrate W and maintains the gap G. According to the present embodiment, since the cleaning tool 5 itself rotates and cleans the substrate W, a more uniform cleaning process can be performed.

【0054】<第4実施例>図6は本発明の第4実施例
に係る基板洗浄装置に備えられた洗浄具の概略構成を示
す縦断面図である。本実施例装置も、第1実施例などと
同様の洗浄具5を備えている。ただし、第1実施例など
では洗浄具5が上下動自在に洗浄具支持アーム4に連結
されているのに対して、本実施例では洗浄具5が洗浄具
支持アーム4に連結固定されて、上下方向に変位しない
点に特徴がある。その他の点は第1実施例と同様である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の動作
を説明する。
<Fourth Embodiment> FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning tool provided in a substrate cleaning apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. The apparatus of the present embodiment also includes the same cleaning tool 5 as the first embodiment. However, in the first embodiment and the like, the cleaning tool 5 is connected to the cleaning tool support arm 4 so as to be vertically movable, whereas in the present embodiment, the cleaning tool 5 is connected and fixed to the cleaning tool support arm 4, The feature is that it is not displaced in the vertical direction. The other points are the same as those of the first embodiment, and the description is omitted here. Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described.

【0055】本実施例では、洗浄具5が洗浄具支持アー
ム4に連結固定されているので、洗浄具5の底面から基
板Wに向けて処理液が噴出されると、基板Wを押し下げ
る力が作用する。一方、洗浄具5の底面から基板Wを真
空吸引することにより、基板Wを持ち上げる力が作用す
る。このような処理液の噴出力によって基板を押し下げ
る力と、真空吸引によって基板を持ち上げる力とがバラ
ンスすることによって、基板Wの上下振動が強制的に抑
制されて洗浄具5の底面と基板表面との間隙Gが一定に
保たれる。具体的には、回転に伴って基板Wが下方に変
位すると、処理液の噴出力に基づく基板Wを下方に押し
下げる力が小さくなり、逆に真空吸引力に基づく基板W
を上方に持ち上げる力が相対的に大きくなって、基板W
の下方への変位を抑制する。一方、回転に伴って基板W
が上方に変位すると、基板Wを押し下げる力が、基板W
を持ち上げる力よりも大きくなって、基板Wの上方への
変位を抑制する。
In this embodiment, since the cleaning tool 5 is connected and fixed to the cleaning tool support arm 4, when the processing liquid is jetted from the bottom surface of the cleaning tool 5 toward the substrate W, the force for pushing down the substrate W is increased. Works. On the other hand, the vacuum suction of the substrate W from the bottom surface of the cleaning tool 5 exerts a force for lifting the substrate W. By balancing the force for pushing down the substrate by the ejection power of the processing liquid and the force for lifting the substrate by vacuum suction, the vertical vibration of the substrate W is forcibly suppressed, and the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface Is kept constant. Specifically, when the substrate W is displaced downward due to the rotation, the force for pushing down the substrate W based on the ejection power of the processing liquid decreases, and conversely, the substrate W based on the vacuum suction force.
Is relatively large, and the substrate W
To suppress the downward displacement of. On the other hand, the substrate W
Is displaced upward, the force pushing down the substrate W
Is greater than the force for lifting the substrate W, thereby suppressing upward displacement of the substrate W.

【0056】上述したように本実施例によっても、洗浄
具5の底面と基板表面の間の間隙Gが一定に維持される
ので、基板Wの回転周速度や基板の上下振動にかかわら
ず、均一な洗浄処理を行うことができる。
As described above, also in the present embodiment, the gap G between the bottom surface of the cleaning tool 5 and the substrate surface is kept constant, so that the gap G is uniform regardless of the rotational peripheral speed of the substrate W and the vertical vibration of the substrate. Cleaning process can be performed.

【0057】本発明は上述した各実施例のものに限ら
ず、次のように変形実施することもできる。 (1)図7に示した洗浄具51は、その底面の中央部に
基板Wに向けて処理液を噴出する処理液噴出孔52を備
え、この処理液噴出孔52を取り囲むように複数個の真
空吸引孔53が設けられている。各真空吸引孔53は処
理液噴出孔52を挟んで各々がほぼ対向するように配置
されている。処理液噴出孔52および真空吸引孔53を
このように配置することによっても、処理液の噴出力と
真空吸引力とをバランスさせることにより、洗浄具51
の底面と基板表面との間の間隙Gを一定に維持すること
ができるので、第1実施例などと同様の効果を得ること
ができる。
The present invention is not limited to the above embodiments, but may be modified as follows. (1) The cleaning tool 51 shown in FIG. 7 has a processing liquid ejection hole 52 for ejecting a processing liquid toward the substrate W at the center of the bottom surface thereof. A vacuum suction hole 53 is provided. The vacuum suction holes 53 are arranged so as to be substantially opposed to each other with the processing liquid ejection hole 52 interposed therebetween. By arranging the processing liquid ejection holes 52 and the vacuum suction holes 53 in this manner, the cleaning tool 51 can be balanced by balancing the processing liquid ejection power and the vacuum suction force.
The gap G between the bottom surface of the substrate and the surface of the substrate can be kept constant, so that the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

【0058】(2)上述した各実施例では基板Wを回転
させるとともに、洗浄具5を基板Wの回転半径方向に移
動させることにより、洗浄具5を基板表面に沿って移動
させたが、本発明はこれに限らず洗浄具を移動させずに
基板だけを水平移動させるようにしてもよい。例えば図
8に示すように、ガラス基板などの矩形状の基板Wを搬
送経路に沿って水平移動するとともに、この基板Wに対
向して細長い直方体状の洗浄具60を搬送経路と直交す
るように配置する。洗浄具60の底面の中央部には複数
個の真空吸引孔61が一列状に配置されているととも
に、これらの真空吸引孔61を挟んで複数個の処理液噴
出孔62が対向配置されている。各真空吸引孔61は洗
浄具60の上面に連通接続された吸気管63を介して吸
引される。また、各処理液噴出孔62は洗浄具60の側
面に連通接続された送液管64を介して処理液を供給さ
れる。このような洗浄具60によっても、各処理液噴出
孔62からの処理液の噴出力と、各真空吸引孔61から
の真空吸引力とをバランスさせることにより、搬送中の
基板の上下振動などにかかわらず基板表面の全体を均一
に洗浄することができる。
(2) In each of the above-described embodiments, the cleaning tool 5 is moved along the substrate surface by rotating the substrate W and moving the cleaning tool 5 in the radial direction of the rotation of the substrate W. The invention is not limited to this, and only the substrate may be horizontally moved without moving the cleaning tool. For example, as shown in FIG. 8, a rectangular substrate W such as a glass substrate is horizontally moved along a transport path, and an elongated rectangular parallelepiped cleaning tool 60 is opposed to the substrate W so as to be orthogonal to the transport path. Deploy. A plurality of vacuum suction holes 61 are arranged in a row at the center of the bottom surface of the cleaning tool 60, and a plurality of processing liquid ejection holes 62 are opposed to each other with the vacuum suction holes 61 interposed therebetween. . Each vacuum suction hole 61 is sucked through an intake pipe 63 connected to the upper surface of the cleaning tool 60. Further, the processing liquid jet holes 62 are supplied with the processing liquid via a liquid feed pipe 64 connected to the side surface of the cleaning tool 60. Even with such a cleaning tool 60, by balancing the ejection power of the processing liquid from each processing liquid ejection hole 62 and the vacuum suction force from each vacuum suction hole 61, it is possible to prevent vertical vibration of the substrate being conveyed. Regardless, the entire substrate surface can be uniformly cleaned.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。すなわち、請求項1に記載
の発明方法によれば、処理液の噴出力と真空吸引力とを
バランスさせることにより、洗浄具の底面と基板表面と
の間に間隙を形成し、この間隙に介在する処理液の液膜
を介して洗浄具を基板表面に作用させて基板を洗浄して
いるので、基板と洗浄具との相対移動速度にかからわず
処理液の液膜の厚みはほぼ一定であり、基板表面の全体
にわたって均一な洗浄処理を行うことができる。また、
基板が上下に振動しても、これに追随して洗浄具が迅速
に上下動して洗浄具の底面と基板表面との間隙を一定に
維持するので、基板の上下振動にもかかわらず、基板に
均一な洗浄処理を行うことができる。
As apparent from the above description, the present invention has the following effects. That is, according to the first aspect of the present invention, a gap is formed between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface by balancing the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force, and the gap is interposed in the gap. The cleaning tool acts on the substrate surface through the processing liquid film to clean the substrate, so the thickness of the processing liquid film is almost constant regardless of the relative movement speed between the substrate and the cleaning tool. Thus, a uniform cleaning process can be performed over the entire surface of the substrate. Also,
Even when the substrate vibrates up and down, the cleaning tool quickly moves up and down following this to maintain a constant gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface. A uniform cleaning process can be performed.

【0060】請求項2に記載の発明装置によれば、請求
項1に記載の発明方法を好適に実施することができる。
According to the second aspect of the present invention, the method of the first aspect can be suitably implemented.

【0061】請求項3に記載の発明によれば、処理液の
流量および真空吸引力の少なくともいずれか一方を任意
の値に調節することにより、処理対象である基板に応じ
て処理液の液膜の厚みを最適なものに設定することがで
きる。
According to the third aspect of the invention, by adjusting at least one of the flow rate of the processing liquid and the vacuum suction force to an arbitrary value, the liquid film of the processing liquid is adjusted according to the substrate to be processed. Can be set to an optimum thickness.

【0062】請求項4に記載の発明によれば、洗浄具を
安定した姿勢でバランスさせることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the cleaning tool can be balanced in a stable posture.

【0063】請求項5に記載の発明によれば、リニアガ
イドで洗浄具を案内することにより、基板の上下振動に
追随して、洗浄具を円滑に上下動させることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the cleaning tool is guided by the linear guide, so that the cleaning tool can be moved up and down smoothly following the vertical vibration of the substrate.

【0064】請求項6に記載の発明によれば、処理中に
基板表面が傾いた場合にも、これに追随して洗浄具が傾
くので、洗浄具の底面と基板表面との間隙を一定に維持
することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, even when the substrate surface is tilted during processing, the cleaning tool is tilted following the tilt, so that the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface is kept constant. Can be maintained.

【0065】請求項7に記載の発明によれば、基板の上
下振動が強制的に抑制されて洗浄具の底面と基板表面と
の間隙を一定に保つことができる。
According to the present invention, the vertical vibration of the substrate is forcibly suppressed, and the gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface can be kept constant.

【0066】請求項8に記載の発明によれば、本案に係
る洗浄具と、別の洗浄具とによって、基板表面に対して
別種の洗浄を同時に行うことができる。
According to the eighth aspect of the invention, the cleaning tool according to the present invention and another cleaning tool can simultaneously perform different types of cleaning on the substrate surface.

【0067】請求項9に記載の発明によれば、別の洗浄
具の高さを調節することにより、例えば別の洗浄具を基
板表面に接触させた状態で洗浄処理を行うなど、より自
由度の高い洗浄処理を行うことができる。
According to the ninth aspect of the present invention, by adjusting the height of another cleaning tool, for example, a cleaning process is performed with another cleaning tool in contact with the substrate surface. High cleaning process can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板洗浄装置の第1実施例の全体
の概略構成を示す一部破断正面図である。
FIG. 1 is a partially cutaway front view showing the overall schematic configuration of a first embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.

【図2】第1実施例の全体の概略構成を示す平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view showing the overall schematic configuration of the first embodiment.

【図3】第1実施例の洗浄具の概略構成を示す縦断面図
である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the cleaning tool of the first embodiment.

【図4】第2実施例の洗浄具の概略構成を示す縦断面図
である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a cleaning tool according to a second embodiment.

【図5】第3実施例の洗浄具の概略構成を示す縦断面図
である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning tool according to a third embodiment.

【図6】第4実施例の洗浄具の概略構成を示す縦断面図
である。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a cleaning tool according to a fourth embodiment.

【図7】その他の実施例に係る洗浄具の概略構成を示す
縦断面図である。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a cleaning tool according to another embodiment.

【図8】(a)はさらに別の実施例の概略構成を示す斜
視図、(b)は洗浄具の底面図である。
FIG. 8A is a perspective view showing a schematic configuration of still another embodiment, and FIG. 8B is a bottom view of a cleaning tool.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…スピンチャック 4…洗浄具支持アーム 5…洗浄具 7…凹部 8…真空吸引孔 13…処理液噴出孔 17,20…レギャレータ 23…球面軸受 25…リニアガイド 30…ブラシ洗浄具 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Spin chuck 4 ... Cleaning tool support arm 5 ... Cleaning tool 7 ... Concave part 8 ... Vacuum suction hole 13 ... Processing liquid ejection hole 17, 20 ... Legator 23 ... Spherical bearing 25 ... Linear guide 30 ... Brush cleaning tool

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 讓一 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 3B116 AA02 AA03 AB34 AB42 AB47 BA02 BA08 BA13 BA34 BB22 BB32 BB43 BB73 BB75 BB77 CD31 CD42 CD43 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 AB47 BA02 BA08 BA13 BB22 BB32 BB43 BB55 BB73 BB75 BB77 BB92 CD34 CD42 CD43  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor J 一 ichi Nishimura 4-chome Tenjin Kitamachi 1-chome, Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto F-term (reference) 3B116 AA02 AA03 AB34 AB42 AB47 BA02 BA08 BA13 BA34 BB22 BB32 BB43 BB73 BB75 BB77 CD31 CD42 CD43 3B201 AA02 AA03 AB34 AB42 AB47 BA02 BA08 BA13 BB22 BB32 BB43 BB55 BB73 BB75 BB77 BB92 CD34 CD42 CD43

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に処理液を供給するとともに、そ
の基板に洗浄具を作用させて基板表面を洗浄する基板洗
浄方法において、 洗浄具の底面から基板に向けて処理液を噴出するととも
に、前記洗浄具の底面から基板を真空吸引することによ
り、前記処理液の噴出力と真空吸引力とをバランスさせ
て前記洗浄具の底面と基板表面との間に狭い間隙を形成
し、前記間隙に介在する処理液の液膜を介して洗浄具を
基板に作用させて基板表面を洗浄することを特徴とする
基板洗浄方法。
In a substrate cleaning method for supplying a processing liquid onto a substrate and applying a cleaning tool to the substrate to clean the surface of the substrate, the processing liquid is jetted from a bottom surface of the cleaning tool toward the substrate. By vacuum suctioning the substrate from the bottom surface of the cleaning tool, the ejection power of the processing liquid and the vacuum suction force are balanced to form a narrow gap between the bottom surface of the cleaning tool and the substrate surface, and the gap is formed in the gap. A substrate cleaning method, wherein a substrate is cleaned by applying a cleaning tool to a substrate via a liquid film of an intervening processing liquid.
【請求項2】 基板上に処理液を供給するとともに、そ
の基板に洗浄具を作用させて基板表面を洗浄する基板洗
浄装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 基板に作用する洗浄具と、 前記洗浄具を支持する洗浄具支持手段と、 前記洗浄具と基板とを対向させて前記洗浄具を相対的に
水平移動させる移動手段とを備え、 前記洗浄具は、基板に向けて処理液を噴出する処理液噴
出孔と、基板を真空吸引する真空吸引孔とが、その底面
にそれぞれ形成されており、 かつ、前記処理液噴出孔から噴出される処理液の噴出力
と、前記真空吸引孔からの真空吸引力とをバランスさせ
て前記洗浄具の底面と基板表面との間に狭い間隙を形成
し、前記間隙に介在する処理液の液膜を介して洗浄具を
基板に作用させて基板表面を洗浄することを特徴とする
基板洗浄装置。
2. A substrate cleaning apparatus for supplying a processing liquid onto a substrate and applying a cleaning tool to the substrate to clean the surface of the substrate, comprising: substrate holding means for holding the substrate; and cleaning for acting on the substrate. Tool, cleaning tool support means for supporting the cleaning tool, and moving means for moving the cleaning tool relatively horizontally with the cleaning tool facing the substrate, wherein the cleaning tool faces the substrate. A processing liquid ejection hole for ejecting the processing liquid, and a vacuum suction hole for vacuum-sucking the substrate are formed on the bottom surface thereof, respectively, and the ejection power of the treatment liquid ejected from the treatment liquid ejection hole, The vacuum suction force from the vacuum suction hole is balanced to form a narrow gap between the bottom surface of the cleaning tool and the surface of the substrate, and the cleaning tool acts on the substrate via the liquid film of the processing liquid interposed in the gap. To clean the substrate surface. Substrate cleaning equipment.
【請求項3】 請求項2に記載の基板洗浄装置におい
て、前記装置はさらに、 前記処理液噴出孔から噴出される処理液の流量、および
前記真空吸引孔から吸引する真空吸引圧力の少なくとも
いずれか一方を任意の値に調節する調節手段を備えてい
る基板洗浄装置。
3. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the apparatus further comprises at least one of a flow rate of a processing liquid ejected from the processing liquid ejection hole and a vacuum suction pressure sucked from the vacuum suction hole. A substrate cleaning apparatus provided with an adjusting means for adjusting one to an arbitrary value.
【請求項4】 請求項2または3に記載の基板洗浄装置
において、 前記真空吸引孔および前記処理液噴出孔のいずれか一方
の孔は洗浄具の底面のほぼ中央部にあり、他方の孔は複
数個あって、かつ前記洗浄具の底面の中央部にある前記
一方の孔を挟んでほぼ対向する位置に設けられている基
板洗浄装置。
4. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein one of the vacuum suction hole and the processing liquid ejection hole is located at a substantially central portion of a bottom surface of the cleaning tool, and the other hole is provided at the other end. A substrate cleaning apparatus, comprising: a plurality of substrate cleaning devices provided at positions substantially opposite to each other across the one hole at the center of the bottom surface of the cleaning tool.
【請求項5】 請求項2ないし4のいずれかに記載の基
板洗浄装置において、 前記洗浄具は、リニアガイドを介して前記洗浄具支持手
段に取り付けられている基板洗浄装置。
5. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein said cleaning tool is attached to said cleaning tool support means via a linear guide.
【請求項6】 請求項2ないし5のいずれかに記載の基
板洗浄装置において、 前記洗浄具は、球面軸受を介して前記前記洗浄具支持手
段に取り付けられている基板洗浄装置。
6. The apparatus for cleaning a substrate according to claim 2, wherein said cleaning tool is attached to said cleaning tool support means via a spherical bearing.
【請求項7】 請求項2ないし6のいずれかに記載の基
板洗浄装置において、 前記洗浄具は、前記洗浄具支持手段に連結固定されてい
る基板洗浄装置。
7. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein the cleaning tool is connected and fixed to the cleaning tool support means.
【請求項8】 請求項2ないし7のいずれかに記載の基
板洗浄装置において、 前記洗浄具には、基板表面に作用する別の洗浄具が取り
付けられている基板洗浄装置。
8. The substrate cleaning apparatus according to claim 2, wherein another cleaning tool that acts on the substrate surface is attached to the cleaning tool.
【請求項9】 請求項8に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記別の洗浄具は、前記洗浄具に高さ調節可能に取り付
けられている基板洗浄装置。
9. The substrate cleaning apparatus according to claim 8, wherein the another cleaning tool is attached to the cleaning tool so as to be adjustable in height.
JP10293562A 1998-10-15 1998-10-15 Method and apparatus for cleaning substrate Pending JP2000117200A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10293562A JP2000117200A (en) 1998-10-15 1998-10-15 Method and apparatus for cleaning substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10293562A JP2000117200A (en) 1998-10-15 1998-10-15 Method and apparatus for cleaning substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000117200A true JP2000117200A (en) 2000-04-25

Family

ID=17796363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10293562A Pending JP2000117200A (en) 1998-10-15 1998-10-15 Method and apparatus for cleaning substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000117200A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150002483A (en) * 2013-06-28 2015-01-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150002483A (en) * 2013-06-28 2015-01-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus
JP2015012200A (en) * 2013-06-28 2015-01-19 株式会社荏原製作所 Substrate processing apparatus
US9566616B2 (en) 2013-06-28 2017-02-14 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
US9808836B2 (en) 2013-06-28 2017-11-07 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
TWI674624B (en) * 2013-06-28 2019-10-11 荏原製作所股份有限公司 Substrate processing apparatus
KR102238389B1 (en) 2013-06-28 2021-04-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3328426B2 (en) Cleaning equipment
KR101872903B1 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP2845738B2 (en) Substrate rotation holder for rotary substrate processing equipment
JP5208666B2 (en) Substrate processing equipment
CN107086190B (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP7523241B2 (en) Substrate Cleaning Equipment
JP2018056383A (en) Substrate cleaning device and substrate processing device
WO2018207704A1 (en) Cleaning device, substrate processing device, cleaning device maintenance method, and computer-readable recording medium including cleaning device maintenance program
JP2004140058A (en) Wafer conveying device and wafer processing apparatus
KR20190083620A (en) Machining apparatus
JP2000208591A (en) Rotary apparatus for processing substrate
JP2000117200A (en) Method and apparatus for cleaning substrate
JPH0697137A (en) Substrate cleaning equipment
JPH11121420A (en) Method and equipment for cleaning substrate
JP7117996B2 (en) Transfer machine and bevel polisher
JP2022103731A (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JPH11238714A (en) Method of cleaning
JP6044955B2 (en) Wafer polishing head and wafer polishing apparatus
JP5355179B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3292367B2 (en) Cleaning device and cleaning method
US20240033782A1 (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
KR102310466B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JPH0536816A (en) Semiconductor substrate vacuum chuck
JP2018142594A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JPH118192A (en) Treatment equipment and treatment method