JP2000116184A - Dc motor driving circuit - Google Patents

Dc motor driving circuit

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JP2000116184A
JP2000116184A JP10296125A JP29612598A JP2000116184A JP 2000116184 A JP2000116184 A JP 2000116184A JP 10296125 A JP10296125 A JP 10296125A JP 29612598 A JP29612598 A JP 29612598A JP 2000116184 A JP2000116184 A JP 2000116184A
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JP
Japan
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motor
transistor
current
shunt resistor
dcm
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JP10296125A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Senoo
哲夫 妹尾
Kunihiro Okumura
邦広 奥村
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Aichi Machine Industry Co Ltd
Original Assignee
Aichi Machine Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a temperature rise in a semiconductor switching element when regenerative current is passed through a DC motor by connecting diodes having small forward voltage drop which passe regenerative current from the DC motor through a shunt resistor. SOLUTION: This is a DC motor driving circuit with a shunt resistor R8 which detects the current passed through a DC motor DCM from a DC power source by the switching control of a semiconductor switching element forming an H-bridge circuit and which is connected between the positive side of a battery B and the power input side of an H-bridge circuit. Diodes SBD1, SBD2 which pass regenerative current from the motor DCM through the shunt resistor R8 are connected between the DC motor DCM and the shunt resistor R8. As a result, the current passing through the DC motor DCM from the battery B and the regenerative current from the DC motor DCM pass through the shunt resistor R8, thus it is possible to detect the current passing through the DC motor with high accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、Hブリッジ回路を
構成する半導体スイッチング素子のスイッチング制御に
より、例えば自動車用変速機、パワーステアリング等に
用いられる直流モータを駆動する直流モータ駆動回路に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC motor drive circuit for driving a DC motor used for, for example, a transmission for an automobile, a power steering, and the like by switching control of a semiconductor switching element constituting an H-bridge circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば自動車用変速機、パワース
テアリング等に用いられる直流モータを駆動する直流モ
ータ駆動回路は、図3に示すように電界効果型のトラン
ジスタFET1,FET2,FET3,FET4でHブ
リッジ回路が構成されており、トランジスタFET1,
FET2のソース間に直流モータDCMが接続されてい
る。また、電源となるバッテリBの正極には電源スイッ
チSWが接続され、電源スイッチSWとトランジスタF
ET1,FET2のドレイン間には、バッテリBから直
流モータDCMに通電される電流を検出するシャント抵
抗R8が接続されている。また、トランジスタFET
3,FET4のソースはバッテリBの負極に接続されて
いる。トランジスタFET1,FET2,FET3,F
ET4それぞれのソース、ドレイン間には順方向電圧降
下の比較的大きな内部ダイオードTD1,TD2,TD
3,TD4が接続されている。また、トランジスタFE
T1,FET2,FET3,FET4それぞれのゲート
は、抵抗R1,R2,R3,R4を介してトランジスタ
駆動回路IC1に接続されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a DC motor driving circuit for driving a DC motor used for, for example, a transmission for an automobile, a power steering, etc., employs field effect transistors FET1, FET2, FET3 and FET4 as shown in FIG. A bridge circuit is configured, and the transistors FET1,
A DC motor DCM is connected between the sources of the FET2. A power switch SW is connected to the positive electrode of the battery B serving as a power source.
A shunt resistor R8 for detecting a current supplied from the battery B to the DC motor DCM is connected between the drains of ET1 and FET2. In addition, transistor FET
3, the source of the FET 4 is connected to the negative electrode of the battery B. Transistors FET1, FET2, FET3, F
Internal diodes TD1, TD2, TD having a relatively large forward voltage drop between the source and the drain of each of ET4.
3 and TD4 are connected. Also, the transistor FE
The gates of T1, FET2, FET3, and FET4 are connected to the transistor drive circuit IC1 via the resistors R1, R2, R3, and R4.

【0003】上記トランジスタ駆動回路IC1は、主制
御回路CPUからのモータ制御指令に基づいてトランジ
スタFET1,FET2,FET3,FET4それぞれ
に駆動制御信号を出力するもので、直流モータDCMを
正方向回転させる場合はトランジスタFET1をオンに
制御するとともにトランジスタFET4をPWM制御
(パルスワイドモジュレーション制御)する。また、直
流モータDCMを逆方向回転させる場合はトランジスタ
FET2をオンに制御するとともにトランジスタFET
3をPWM制御する。主制御回路CPUからのモータ制
御指令に基づいてトランジスタ駆動回路IC1からトラ
ンジスタFET1,FET2,FET3,FET4それ
ぞれに駆動制御信号が出力され、直流モータDCMが正
回転方向あるいは逆回転方向に駆動されたときの電流が
前記バッテリBから前記シャント抵抗R8を流れると、
シャント抵抗R8の両端の電圧はバッテリBから直流モ
ータDCMに流れる電流に比例する。オペレーショナル
アンプリファイアOPは、シャント抵抗R8の両端の電
圧を抵抗R6,R7を介して入力し、増幅した信号でト
ランジスタTrを制御することにより、抵抗R5に対し
てバッテリBから直流モータDCMに流れる電流に比例
した検出電流を通電させる。その結果、抵抗R5におけ
る電圧がバッテリBから直流モータDCMに流れる電流
に対応した電圧として主制御回路CPUに入力される。
The transistor drive circuit IC1 outputs a drive control signal to each of the transistors FET1, FET2, FET3, and FET4 based on a motor control command from the main control circuit CPU, and is used to rotate the DC motor DCM in the forward direction. Controls the transistor FET1 to be on and performs PWM control (pulse wide modulation control) of the transistor FET4. When the DC motor DCM is rotated in the reverse direction, the transistor FET2 is turned on and the transistor FET2 is turned on.
3 is subjected to PWM control. When a drive control signal is output from the transistor drive circuit IC1 to each of the transistors FET1, FET2, FET3, and FET4 based on a motor control command from the main control circuit CPU, and the DC motor DCM is driven in the forward rotation direction or the reverse rotation direction. Flows from the battery B through the shunt resistor R8,
The voltage across the shunt resistor R8 is proportional to the current flowing from the battery B to the DC motor DCM. The operational amplifier OP inputs the voltage across the shunt resistor R8 via the resistors R6 and R7, and controls the transistor Tr with the amplified signal, so that the current flowing from the battery B to the DC motor DCM with respect to the resistor R5. A detection current proportional to is supplied. As a result, the voltage at the resistor R5 is input to the main control circuit CPU as a voltage corresponding to the current flowing from the battery B to the DC motor DCM.

【0004】以上のように構成された従来の直流モータ
駆動回路において、前記電源スイッチSWがオンされて
いる状態で、直流モータDCMを正回転方向に駆動する
場合は、トランジスタ駆動回路IC1からトランジスタ
FET1をオンに制御するとともにトランジスタFET
4をPWM制御する制御信号が出力される。これによ
り、トランジスタFET4がデューティオンのとき、バ
ッテリBの正極からの電流は、シャント抵抗R8、トラ
ンジスタFET1、直流モータDCM、トランジスタF
ET4、バッテリBの負極の経路で流れる。この状態か
ら、トランジスタFET4がデューティオフになると、
直流モータDCMに対するバッテリBからの電流が遮断
されるため、直流モータDCMからの回生電流がトラン
ジスタFET2の内部ダイオードTD2、トランジスタ
FET1を流れて直流モータDCMに戻る。従ってこの
場合、直流モータDCMからの回生電流はシャント抵抗
R8に流れない。
In the conventional DC motor driving circuit constructed as described above, when the DC motor DCM is driven in the forward rotation direction while the power switch SW is turned on, the transistor driving circuit IC1 is switched to the transistor FET1. And the transistor FET
4 is output as a control signal for PWM control. Thus, when the transistor FET4 is in the duty-on state, the current from the positive electrode of the battery B is equal to the shunt resistance R8, the transistor FET1, the DC motor DCM, and the transistor F.
ET4 flows through the path of the negative electrode of the battery B. When the duty of the transistor FET4 is turned off from this state,
Since the current from the battery B to the DC motor DCM is cut off, the regenerative current from the DC motor DCM flows through the internal diode TD2 of the transistor FET2 and the transistor FET1, and returns to the DC motor DCM. Therefore, in this case, the regenerative current from the DC motor DCM does not flow through the shunt resistor R8.

【0005】トランジスタFET1,FET2,FET
3,FET4を全てオフしたあと、直流モータDCMを
逆回転方向に駆動する場合、トランジスタ駆動回路IC
1からトランジスタFET2をオンに制御するとともに
トランジスタFET3をPWM制御する制御信号が出力
される。これにより、トランジスタFET3がデューテ
ィオンのとき、バッテリBの正極からの電流は、シャン
ト抵抗R8、トランジスタFET2、直流モータDC
M、トランジスタFET3、バッテリBの負極の経路で
流れる。この状態から、トランジスタFET3がデュー
ティオフになると、直流モータDCMに対するバッテリ
Bからの電流が遮断されるため、直流モータDCMから
の回生電流がトランジスタFET1の内部ダイオードT
D1、トランジスタFET2を流れて直流モータDCM
に戻る。従ってこの場合も直流モータDCMからの回生
電流はシャント抵抗R8に流れない。
[0005] Transistors FET1, FET2, FET
3. When the DC motor DCM is driven in the reverse rotation direction after turning off all the FETs 4, the transistor drive circuit IC
From 1, a control signal for controlling the transistor FET2 to be turned on and for PWM-controlling the transistor FET3 is output. Thus, when the transistor FET3 is in the duty-on state, the current from the positive electrode of the battery B is reduced by the shunt resistor R8, the transistor FET2, and the DC motor DC.
The current flows through the path of M, the transistor FET3, and the negative electrode of the battery B. In this state, when the duty of the transistor FET3 is turned off, the current from the battery B to the DC motor DCM is cut off, so that the regenerative current from the DC motor DCM is applied to the internal diode T1 of the transistor FET1.
DC motor DCM flowing through D1 and transistor FET2
Return to Therefore, also in this case, the regenerative current from the DC motor DCM does not flow through the shunt resistor R8.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の直流モータ
駆動回路において、トランジスタFET3,FET4の
デューティオフの状態で通電される直流モータDCMの
回生電流はシャント抵抗R8に流れないため、シャント
抵抗R8の両端の電圧に基づく直流モータDCMの電流
を正確に検出することができない。即ち、トランジスタ
FET3,FET4のデューティ比が例えば50%であ
る場合、シャント抵抗R8に流れる電流は直流モータD
CMの実電流の50%となるため、シャント抵抗R8に
流れる電流を検出しても直流モータDCMの電流を正確
に検出することはできない。また、トランジスタFET
1の内部ダイオードTD1、トランジスタFET2の内
部ダイオードTD2は一般に順方向電圧降下が大きいた
め、前記回生電流の通電時に損失が大きく、発熱量が大
きいため、トランジスタFET1,FET2の温度がか
なり高くなるという問題がある。
In the above-described conventional DC motor drive circuit, the regenerative current of the DC motor DCM which is energized with the transistors FET3 and FET4 turned off does not flow through the shunt resistor R8. The current of the DC motor DCM based on the voltage at both ends cannot be detected accurately. That is, when the duty ratio of the transistors FET3 and FET4 is, for example, 50%, the current flowing through the shunt resistor R8 is
Since the current becomes 50% of the actual current of the CM, the current of the DC motor DCM cannot be accurately detected even if the current flowing through the shunt resistor R8 is detected. In addition, transistor FET
In general, the internal diode TD1 and the internal diode TD2 of the transistor FET2 have a large forward voltage drop, so that the loss is large when the regenerative current is applied and the amount of heat generated is large, so that the temperature of the transistors FET1 and FET2 becomes considerably high. There is.

【0007】そこで本発明では、直流モータに流れる電
流を正確に検出するとともに、直流モ−タの回生電流通
電時の半導体スイッチング素子の温度上昇を抑制するこ
とができる直流モータ駆動回路を提供することを解決す
べき課題とする。
In view of the above, the present invention provides a DC motor drive circuit capable of accurately detecting a current flowing in a DC motor and suppressing a rise in the temperature of a semiconductor switching element when a regenerative current is supplied to the DC motor. Is a problem to be solved.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、Hブ
リッジ回路を構成する半導体スイッチング素子のスイッ
チング制御により直流電源から直流モータに通電された
電流を検出するシャント抵抗が前記直流電源の正極側と
前記Hブリッジ回路の電源入力側との間に接続された直
流モータ駆動回路において、前記直流モータからの回生
電流を前記シャント抵抗に通電させる順方向電圧降下の
小さいダイオードを接続することである。
According to a first aspect of the present invention, a shunt resistor for detecting a current supplied from a DC power supply to a DC motor by a switching control of a semiconductor switching element constituting an H-bridge circuit has a positive pole of the DC power supply. In a DC motor drive circuit connected between the DC motor and a power input side of the H-bridge circuit, a diode having a small forward voltage drop for supplying a regenerative current from the DC motor to the shunt resistor is connected. .

【0009】請求項2の発明は、請求項1の直流モータ
駆動回路において、前記ダイオードは、ショットキーバ
リアダイオードや高効率ダイオードまたはファーストリ
カバリーダイオードを用いることである。
According to a second aspect of the present invention, in the DC motor driving circuit of the first aspect, the diode uses a Schottky barrier diode, a high efficiency diode or a fast recovery diode.

【0010】次に、図1に基づいて本発明の要部につい
て説明する。図1に示すように、Hブリッジ回路を構成
する半導体スイッチング素子(トランジスタFET1〜
FET4)のスイッチング制御により直流電源(バッテ
リB)から直流モータDCMに通電された電流を検出す
るシャント抵抗R8を前記バッテリBの正極側と前記H
ブリッジ回路の電源入力側との間に接続した直流モータ
駆動回路において、前記直流モータDCMからの回生電
流を前記シャント抵抗R8に通電させるダイオードSB
D1,SBD2を直流モータDCMとシャント抵抗R8
間に接続したものである。また、トランジスタFET1
〜FET4は、内部ダイオードTD1〜TD4を有し、
ダイオードSBD1,SBD2は内部ダイオードTD1
〜TD4の順方向電圧降下より小さな順方向電圧降下特
性を有するショットキーバリアダイオードを用いる。
Next, the main part of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, semiconductor switching elements (transistors FET1 to FET1) constituting an H-bridge circuit
The shunt resistor R8 for detecting the current supplied from the DC power supply (battery B) to the DC motor DCM by the switching control of the FET 4) is connected to the positive side of the battery B and the H
In a DC motor drive circuit connected between a power supply input side of a bridge circuit and a diode SB for supplying a regenerative current from the DC motor DCM to the shunt resistor R8.
D1 and SBD2 are connected to DC motor DCM and shunt resistor R8.
It is connected between. Also, the transistor FET1
FET4 has internal diodes TD1 to TD4,
Diodes SBD1 and SBD2 are internal diodes TD1
A schottky barrier diode having a forward voltage drop characteristic smaller than the forward voltage drop of 〜TD4 is used.

【0011】図1に示す直流モータ駆動回路において、
トランジスタFET1をオンに制御するとともにトラン
ジスタFET4をデューティ制御する制御信号がトラン
ジスタ駆動回路IC1から出力されると、バッテリBの
正極からの電流は、シャント抵抗R8、トランジスタF
ET1、直流モータDCM、トランジスタFET4、バ
ッテリBの負極の経路で電流が流れ、直流モータDCM
を正回転方向に駆動する。この状態から、トランジスタ
FET4がデューティオフに制御されると、直流モータ
DCMに対するバッテリBからの電流が遮断されるた
め、直流モータDCMからの回生電流はダイオードSB
D2からシャント抵抗R8、トランジスタFET1を流
れ、直流モータDCMに戻る。同様に、直流モータDC
Mを逆回転方向に駆動する場合、バッテリBの正極から
の電流は、シャント抵抗R8、トランジスタFET2、
直流モータDCM、トランジスタFET3、バッテリB
の負極の経路で流れる。この状態から、トランジスタF
ET3がデューティオフに制御されると、直流モータD
CMに対するバッテリBからの電流が遮断されるため、
直流モータDCMからの回生電流はダイオードSBD1
からシャント抵抗R8、トランジスタFET2を流れ、
直流モータDCMに戻る。このように、直流モータDC
Mの正回転、逆回転共、バッテリBから直流モータDC
Mに流れる電流及び直流モータDCMからの回生電流は
シャント抵抗R8に流れるため、直流モータに流れる電
流を正確に検出することができる。また、直流モータD
CMからの回生電流は順方向電圧降下の大きな内部ダイ
オードTD1,TD2よりも順方向電圧降下の小さなダ
イオードSBD1,SBD2を流れるため、トランジス
タFET1,FET2の温度上昇を抑制することができ
る。
In the DC motor drive circuit shown in FIG.
When a control signal for controlling the transistor FET1 to be turned on and for controlling the duty of the transistor FET4 is output from the transistor driving circuit IC1, the current from the positive electrode of the battery B becomes the shunt resistor R8 and the transistor F
ET1, DC motor DCM, transistor FET4, current flows in the negative path of battery B, and DC motor DCM
Is driven in the forward rotation direction. In this state, when the transistor FET4 is controlled to be in the duty-off state, the current from the battery B to the DC motor DCM is cut off, and the regenerative current from the DC motor DCM
D2 flows through the shunt resistor R8 and the transistor FET1, and returns to the DC motor DCM. Similarly, DC motor DC
When M is driven in the reverse rotation direction, the current from the positive electrode of the battery B is equal to the shunt resistance R8, the transistor FET2,
DC motor DCM, transistor FET3, battery B
Flows through the path of the negative electrode. From this state, the transistor F
When ET3 is controlled to be duty-off, DC motor D
Since the current from the battery B to the CM is cut off,
The regenerative current from the DC motor DCM is a diode SBD1
Through the shunt resistor R8 and the transistor FET2,
Return to the DC motor DCM. Thus, the DC motor DC
DC motor DC from battery B for both forward rotation and reverse rotation of M
Since the current flowing through M and the regenerative current from the DC motor DCM flow through the shunt resistor R8, the current flowing through the DC motor can be accurately detected. DC motor D
Since the regenerative current from the CM flows through the diodes SBD1 and SBD2 having a smaller forward voltage drop than the internal diodes TD1 and TD2 having a larger forward voltage drop, the temperature rise of the transistors FET1 and FET2 can be suppressed.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て説明する。図2は本発明の実施の形態の直流モータ駆
動回路図である。図2に示すように、電界効果型のトラ
ンジスタFET1,FET2,FET3,FET4でH
ブリッジ回路が構成されており、トランジスタFET
1,FET2のソース間に直流モータDCMが接続され
ている。また、電源となるバッテリBの正極には、例え
ばイグニッションスイッチ等の電源スイッチSWが接続
され、電源スイッチSWとトランジスタFET1,FE
T2のドレイン間にはシャント抵抗R8が接続されてい
る。また、トランジスタFET3,FET4のソースは
バッテリBの負極に接続されている。トランジスタFE
T1,FET2,FET3,FET4それぞれのソー
ス、ドレイン間には、順方向電圧降下の比較的大きな内
部ダイオードTD1,TD2,TD3,TD4が接続さ
れている。また、トランジスタFET1,FET2,F
ET3,FET4それぞれのゲートは抵抗R1,R2,
R3,R4を介してトランジスタ駆動回路IC1に接続
されている。
Next, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a DC motor drive circuit diagram according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the field effect transistors FET1, FET2, FET3 and FET4
A bridge circuit is configured, and the transistor FET
1, a DC motor DCM is connected between the sources of the FET2. A power switch SW such as an ignition switch is connected to the positive electrode of the battery B serving as a power supply, and the power switch SW is connected to the transistors FET1 and FE.
A shunt resistor R8 is connected between the drains of T2. The sources of the transistors FET3 and FET4 are connected to the negative electrode of the battery B. Transistor FE
Internal diodes TD1, TD2, TD3, TD4 having a relatively large forward voltage drop are connected between the source and the drain of each of T1, FET2, FET3, and FET4. Also, transistors FET1, FET2, F
The gates of ET3 and FET4 are resistors R1, R2,
It is connected to the transistor drive circuit IC1 via R3 and R4.

【0013】上記トランジスタ駆動回路IC1は、主制
御回路CPUからのモータ制御指令に基づいてトランジ
スタFET1,FET2,FET3,FET4それぞれ
にスイッチング制御信号を出力するもので、直流モータ
DCMを正方向回転させる場合はトランジスタFET1
をオン制御するとともにトランジスタFET4をPWM
制御(パルスワイドモジュレーション制御)する。ま
た、直流モータDCMを逆方向回転させる場合はトラン
ジスタFET2をオン制御するとともにトランジスタF
ET3をPWM制御する。主制御回路CPUは、例えば
各種のセンサからの信号やスイッチからの信号を受信し
たときそれぞれの信号に基づいてモータ制御指令を出力
するものである。そして、そのモータ制御指令に基づい
てトランジスタ駆動回路IC1からトランジスタFET
1,FET2,FET3,FET4それぞれにスイッチ
ング制御信号が出力されると、直流モータDCMは正回
転方向あるいは逆回転方向に駆動される。シャント抵抗
R8には後述するようにバッテリBから直流モータDC
Mに流れる電流及び直流モータDCMの回生電流が通電
される。そのため、シャント抵抗R8の両端の電圧は直
流モータDCMの電流に比例したものとなる。オペレー
ショナルアンプリファイアOPはシャント抵抗R8の両
端の電圧を抵抗R6,R7を介して入力し、増幅してト
ランジスタTrを制御する。そして、トランジスタTr
から抵抗R5に直流モータDCMの電流に対応した電流
を通電させることにより、抵抗R5における電圧を直流
モータDCMの電流に対応した電圧として主制御回路C
PUに出力させる。尚、コンデンサC1、ツェナーダイ
オードZD1及び抵抗R9は、バッテリBの電圧を所定
制御電圧に安定化させて主制御回路CPUに供給するた
めの回路である。
The transistor drive circuit IC1 outputs a switching control signal to each of the transistors FET1, FET2, FET3, and FET4 based on a motor control command from the main control circuit CPU. Is the transistor FET1
Is turned on and the transistor FET4 is set to PWM.
Control (pulse wide modulation control). When the DC motor DCM is rotated in the reverse direction, the transistor FET2 is turned on and the transistor F2 is turned on.
ET3 is PWM controlled. The main control circuit CPU outputs a motor control command based on each signal when receiving a signal from various sensors or a signal from a switch, for example. Then, based on the motor control command, the transistor drive circuit IC1 sends the transistor FET
When the switching control signal is output to each of FET1, FET2, FET3, and FET4, the DC motor DCM is driven in the forward rotation direction or the reverse rotation direction. As will be described later, the DC motor DC
M and a regenerative current of the DC motor DCM are supplied. Therefore, the voltage across the shunt resistor R8 is proportional to the current of the DC motor DCM. The operational amplifier OP receives the voltage across the shunt resistor R8 via the resistors R6 and R7, amplifies the voltage, and controls the transistor Tr. And the transistor Tr
Through the resistor R5, a voltage corresponding to the current of the DC motor DCM is applied to the main control circuit C as a voltage corresponding to the current of the DC motor DCM.
Output to PU. The capacitor C1, the Zener diode ZD1, and the resistor R9 are circuits for stabilizing the voltage of the battery B to a predetermined control voltage and supplying the same to the main control circuit CPU.

【0014】図2に示すように、直流モータDCMとシ
ャント抵抗R8の上流側間にダイオードSBD1,SB
D2が接続されている。このダイオードSBD1,SB
D2は、前記内部ダイオードTD1,TD2,TD3,
TD4より順方向電圧降下が小さなショットキーバリア
ダイオードである。
As shown in FIG. 2, diodes SBD1, SB are connected between the DC motor DCM and the upstream side of the shunt resistor R8.
D2 is connected. These diodes SBD1, SB
D2 is the internal diodes TD1, TD2, TD3.
This is a Schottky barrier diode having a smaller forward voltage drop than TD4.

【0015】以上のように構成された直流モータ駆動回
路において、前記電源スイッチSWがオンされている状
態で、トランジスタ駆動回路IC1からトランジスタF
ET1をオンに制御するとともにトランジスタFET4
をPWM制御する制御信号が出力されると、バッテリB
の正極からの電流は、シャント抵抗R8、トランジスタ
FET1、直流モータDCM、トランジスタFET4、
バッテリBの負極の経路で流れるため、直流モータDC
Mは正方向に回転駆動される。この状態から、トランジ
スタFET4がデューティオフになると、直流モータD
CMに対するバッテリBからの電流が遮断されるため、
直流モータDCMからの回生電流はダイオードSBD2
からシャント抵抗R8、トランジスタFET1を流れ、
直流モータDCMに戻る。
In the DC motor driving circuit configured as described above, when the power switch SW is turned on, the transistor driving circuit IC1 transmits the transistor F
ET1 is turned on and the transistor FET4
When a control signal for performing PWM control of
The current from the positive electrode of shunt resistor R8, transistor FET1, DC motor DCM, transistor FET4,
Since the current flows through the negative electrode path of the battery B, the DC motor DC
M is driven to rotate in the forward direction. When the duty of the transistor FET4 is turned off from this state, the DC motor D
Since the current from the battery B to the CM is cut off,
The regenerative current from the DC motor DCM is a diode SBD2
From the shunt resistor R8 and the transistor FET1,
Return to the DC motor DCM.

【0016】次に、トランジスタFET1,FET2,
FET3,FET4を一旦、全てオフに制御したあと、
直流モータDCMを逆回転方向に駆動する場合、トラン
ジスタ駆動回路IC1からトランジスタFET2をオン
に制御するとともにトランジスタFET3をPWM制御
する制御信号が出力されると、バッテリBの正極からの
電流は、シャント抵抗R8、トランジスタFET2、直
流モータDCM、トランジスタFET3、バッテリBの
負極の経路で流れる。この状態から、トランジスタFE
T3がデューティオフになると、直流モータDCMに対
するバッテリBからの電流が遮断されるため、直流モー
タDCMからの回生電流はダイオードSBD1からシャ
ント抵抗R8、トランジスタFET2を流れ、直流モー
タDCMに戻る。
Next, transistors FET1, FET2,
After once controlling all FET3 and FET4 off,
When the DC motor DCM is driven in the reverse rotation direction, when a control signal for controlling the transistor FET2 to be turned on and for performing the PWM control of the transistor FET3 is output from the transistor driving circuit IC1, the current from the positive electrode of the battery B becomes the shunt resistance. R8, the transistor FET2, the DC motor DCM, the transistor FET3, and the negative electrode of the battery B flow. From this state, the transistor FE
When the duty of T3 is turned off, the current from the battery B to the DC motor DCM is cut off, so that the regenerative current from the DC motor DCM flows from the diode SBD1 through the shunt resistor R8 and the transistor FET2, and returns to the DC motor DCM.

【0017】このように、バッテリBから直流モータD
CMに通電される電流、及び直流モータDCMからの回
生電流は共にシャント抵抗R8に流れるため、直流モー
タDCMの電流は、シャント抵抗R8、オペレーショナ
ルアンプリファイアOP、トランジスタTr、抵抗R5
等から構成される電流検出回路により正確に検出され
る。
As described above, the DC motor D
Since both the current supplied to the CM and the regenerative current from the DC motor DCM flow through the shunt resistor R8, the current of the DC motor DCM is determined by the shunt resistor R8, the operational amplifier OP, the transistor Tr, and the resistor R5.
The current is accurately detected by a current detection circuit composed of the above.

【0018】また、直流モータDCMからの回生電流
は、殆ど、順方向電圧降下の小さいショットキーバリア
ダイオードSBD1,SBD2を流れ、比較的順方向電
圧降下の大きな内部ダイオードTD1,TD2を流れな
いため、回生電流の通電によるトランジスタFET1,
FET2の温度上昇が抑制される。そのため、エネルギ
ーロスを少なくすることができる。尚、この実施の形態
は一例であるため、本発明はこの実施の形態に限定され
ない。
Also, most of the regenerative current from the DC motor DCM flows through the Schottky barrier diodes SBD1 and SBD2 having a small forward voltage drop, and does not flow through the internal diodes TD1 and TD2 having a relatively large forward voltage drop. The transistors FET1,
The temperature rise of the FET 2 is suppressed. Therefore, energy loss can be reduced. Note that this embodiment is merely an example, and thus the present invention is not limited to this embodiment.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上のように請求項1及び請求項2の発
明によれば、電源から直流モータに通電される電流及び
直流モータからの回生電流は共にシャント抵抗に流れる
ため、直流モータの電流を正確に検出することができる
とともに、回生電流通電時の半導体スイッチング素子の
温度上昇を抑制することができる。
As described above, according to the first and second aspects of the present invention, the current supplied from the power supply to the DC motor and the regenerative current from the DC motor both flow through the shunt resistor. Can be accurately detected, and the temperature rise of the semiconductor switching element when the regenerative current flows can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の要部構成を示した回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a main configuration of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来の直流モータ駆動回路図である。FIG. 3 is a conventional DC motor drive circuit diagram.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

DCM 直流モータ FET1〜FET4 電界効果型のトランジスタ SBD1,SBD2 ショットキーバリアダイオード R8 シャント抵抗 B バッテリ OP オペレーショナルアンプリファイア Tr トランジスタ TD1〜TD4 電界効果型トランジスタの内部ダイオ
ード
DCM DC motor FET1 to FET4 Field effect transistor SBD1, SBD2 Schottky barrier diode R8 Shunt resistor B Battery OP Operational amplifier Tr transistor TD1 to TD4 Internal diode of field effect transistor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Hブリッジ回路を構成する半導体スイッ
チング素子のスイッチング制御により直流電源から直流
モータに通電された電流を検出するシャント抵抗が前記
直流電源の正極側と前記Hブリッジ回路の電源入力側と
の間に接続された直流モータ駆動回路において、前記直
流モータの回生電流を前記シャント抵抗に通電させる順
方向電圧降下の小さいダイオードを接続したことを特徴
とする直流モータ駆動回路。
1. A shunt resistor for detecting a current supplied from a DC power supply to a DC motor by switching control of a semiconductor switching element constituting an H-bridge circuit has a shunt resistor connected between a positive side of the DC power supply and a power input side of the H-bridge circuit. A DC motor driving circuit, wherein a diode having a small forward voltage drop for supplying a regenerative current of the DC motor to the shunt resistor is connected.
【請求項2】 前記ダイオードは、ショットキーバリア
ダイオードや高効率ダイオードまたはファーストリカバ
リーダイオードを用いたことを特徴とする請求項1に記
載の直流モータ駆動回路。
2. The DC motor drive circuit according to claim 1, wherein the diode uses a Schottky barrier diode, a high efficiency diode, or a fast recovery diode.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010200416A (en) * 2009-02-23 2010-09-09 Toyota Motor Corp Device for prevention and control of motor heat generation
US9581352B2 (en) 2011-11-02 2017-02-28 Denso Corporation Control device for air conditioner

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