JP2000111955A - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

Liquid crystal device and electronic apparatus

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JP2000111955A
JP2000111955A JP28710098A JP28710098A JP2000111955A JP 2000111955 A JP2000111955 A JP 2000111955A JP 28710098 A JP28710098 A JP 28710098A JP 28710098 A JP28710098 A JP 28710098A JP 2000111955 A JP2000111955 A JP 2000111955A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal device
conductive line
concave portion
lines
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JP28710098A
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Japanese (ja)
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Yoshio Yamaguchi
善夫 山口
Kazuhiro Tanaka
千浩 田中
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to make an aperture ratio as large as possible without increasing the resistance value of conduction lines of a liquid crystal device. SOLUTION: This liquid crystal display device is constituted by sealing liquid crystals between an element side substrate 3a having continuity lines 4 and TFT elements 7 connected to these continuity lines 4 and a counter substrate disposed to face the element side substrate 3a. The continuity lines 4 have recessed parts 13 in the connecting portions with the TFT elements 7 and the whole or portions of the TFT elements 7 are arranged in these recessed parts 13. Since pixel electrodes 6 may be formed in proximity to the continuity lines 4 in the state of a rectangular shape, openings 22 of a black mask may be formed exactly along the entire area of the outer periphery edges of the pixel electrodes 6 and consequently, the degradation in the aperture ratio may be prevented. In addition, the resistance value of the continuity lines 4 may be maintained at a desired value by increasing the area of the portions 4d held by a pair of the recessed parts 13 among the continuity lines 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶に印加する電
圧を制御することによってその液晶の配向を制御し、も
って、その液晶を通過する光を変調する構造の液晶装
置、より具体的には、導通ライン及びその導通ラインに
接続する非線形素子を備えた素子側基板と、その素子側
基板に対向して配設される対向基板とを有する構造の液
晶装置に関する。また、本発明はその液晶装置を用いて
構成される電子機器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device having a structure in which the orientation of the liquid crystal is controlled by controlling the voltage applied to the liquid crystal, thereby modulating the light passing through the liquid crystal. The present invention relates to a liquid crystal device having a structure including an element-side substrate having a conductive line and a non-linear element connected to the conductive line, and a counter substrate disposed to face the element-side substrate. Further, the present invention relates to an electronic device including the liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、小型コンピュータのディスプレ
イ、デジタルカメラのディスプレイ、携帯電話機の像表
示部等に液晶装置が広く用いられるようになってきてい
る。この液晶装置の中にパッシブマトリクス方式の液晶
装置及びアクティブマトリクス方式の液晶装置があるこ
とは広く知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal devices have been widely used for displays of small computers, displays of digital cameras, image display units of portable telephones, and the like. It is widely known that among these liquid crystal devices, there are a passive matrix type liquid crystal device and an active matrix type liquid crystal device.

【0003】パッシブマトリクス方式においては、各画
素が能動素子を持たず、走査電極とデータ電極との交差
部が画素又はドットに対応し、駆動信号がそれらの電極
に直接に印加される。一方、アクティブマトリクス方式
においては、画素又はドットごとに能動素子が設けら
れ、書込み期間では能動素子がON状態となってデータ
信号が書き込まれ、他の期間では能動素子がOFF状態
となって書き込まれたデータ信号が保持される。
In the passive matrix system, each pixel has no active element, the intersection of the scanning electrode and the data electrode corresponds to a pixel or a dot, and a drive signal is directly applied to those electrodes. On the other hand, in the active matrix system, an active element is provided for each pixel or dot, and during the writing period, the active element is turned on to write a data signal, and in other periods, the active element is turned off and written. The retained data signal is retained.

【0004】アクティブマトリクス方式の中には、能動
素子の種類によって3端子型のTFT(Thin Film Tran
sistor)素子を用いる方式や、2端子型のTFD(Thin
Film Diode)素子を用いる方式等がある。今、TFD
素子を用いる方式の液晶装置を考えると、従来、その液
晶装置を構成する素子側基板には、例えば図4に示すよ
うに、データ線又は走査線として用いられる導通ライン
51と、その導通ライン51に接続するMIM(Metal
Insulator Metal)素子52a及び52bと、そして導
通ライン51から見て後段側のMIM素子52bに接続
する画素電極53が形成される。MIM素子52a及び
52bはTFD素子の一例である。
In the active matrix system, a three-terminal TFT (Thin Film Tran) is used depending on the type of active element.
sistor) element or two-terminal TFD (Thin
Film Diode). Now, TFD
Considering a liquid crystal device using a device, conventionally, as shown in FIG. 4, for example, a conductive line 51 used as a data line or a scanning line and a conductive line 51 are formed on an element side substrate constituting the liquid crystal device. MIM (Metal
Insulator Metal) elements 52a and 52b, and a pixel electrode 53 connected to the MIM element 52b on the subsequent stage when viewed from the conduction line 51 are formed. The MIM elements 52a and 52b are examples of a TFD element.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶装置で
は、画素電極53が1個の画素単位となって像が形成さ
れる。このとき、画素電極53以外の部分から光が漏れ
出ると、画素電極53を通過する光によって形成される
像のコントラストが低下して像品質が低下することが考
えられる。よって、通常の液晶装置では、画素電極53
の外周縁に沿った開口54を有するブラックマトリクス
を形成する。このブラックマトリクスは開口54以外の
部分が遮光性を有し、よって、画素電極53以外の領域
からの光の漏れを防止できる。
In the above-mentioned conventional liquid crystal device, an image is formed with the pixel electrode 53 as one pixel unit. At this time, if light leaks from a portion other than the pixel electrode 53, the contrast of an image formed by the light passing through the pixel electrode 53 may be reduced and the image quality may be reduced. Therefore, in a normal liquid crystal device, the pixel electrode 53
A black matrix having an opening 54 along the outer peripheral edge of is formed. In this black matrix, portions other than the openings 54 have a light-shielding property, so that light leakage from regions other than the pixel electrodes 53 can be prevented.

【0006】ところで、従来の液晶装置では、MIM素
子52a及び52bが導通ライン51の外側に張り出す
位置に形成されるので、画素電極53に関してはそのM
IM素子52a及び52bの横位置に存在する部分が幅
の狭い狭小部分53aとなる。古いタイプの液晶装置で
は1画素の幅W1が比較的広いので特別な問題はなかっ
たが、最近の液晶装置では表示に関して高精細化の要望
が強いため、1画素の幅W1を狭くすること、例えば7
0μm程度に狭くすることが要求されるようになってい
る。
By the way, in the conventional liquid crystal device, the MIM elements 52a and 52b are formed at positions protruding outside the conduction line 51, so that the MIM elements 52a and 52b
The portion existing at the lateral position of the IM elements 52a and 52b is a narrow portion 53a having a small width. In an old type liquid crystal device, the width W1 of one pixel was relatively large, so there was no particular problem. For example, 7
It is required to be as narrow as about 0 μm.

【0007】このように1画素の幅W1を狭くする場合
には、それに応じて画素電極53の狭小部分53aの幅
W2も狭くなる。そしてその場合には、その狭小部分5
3aに対応する部分のブラックマトリクスの開口54の
幅も狭くしなければならない。しかしながら、狭小部分
53aの幅W2が許容限界寸法以上に狭くなると、それ
に対応するブラックマトリクスの開口54の形状は、角
部が尖った形状に形成することが難しくなり、図示のよ
うに、角部が丸くなって画素電極53の狭小部分53a
の形状に正確に沿わせることが困難になる。そしてその
結果、画素面積に対するブラックマトリクス開口54の
面積の割合、すなわち開口率が小さくなって明るい表示
が得難くなるという問題があった。
As described above, when the width W1 of one pixel is reduced, the width W2 of the narrow portion 53a of the pixel electrode 53 is correspondingly reduced. And in that case, the narrow part 5
The width of the opening 54 of the black matrix corresponding to 3a must also be reduced. However, when the width W2 of the narrow portion 53a becomes narrower than the allowable limit dimension, it is difficult to form the corresponding shape of the opening 54 of the black matrix into a shape with sharp corners. Is rounded and a narrow portion 53a of the pixel electrode 53 is formed.
It is difficult to accurately conform to the shape of. As a result, there is a problem that the ratio of the area of the black matrix opening 54 to the pixel area, that is, the opening ratio becomes small, and it becomes difficult to obtain a bright display.

【0008】このような問題は、導通ライン51の幅W
3を狭くして、その分だけ画素電極53の長さを長くす
ることによって解消できるとも考えられるが、そのよう
にすると、導通ライン51の抵抗値が高くなってMIM
素子52a及び52b等に関して所期の特性を得られな
くなるという別の問題が生じるおそれがある。
Such a problem is caused by the width W of the conductive line 51.
3 can be reduced by increasing the length of the pixel electrode 53 by that amount. However, in such a case, the resistance value of the conduction line 51 increases and the MIM increases.
Another problem may arise in that desired characteristics cannot be obtained for the elements 52a and 52b and the like.

【0009】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、液晶装置において導通ラインの抵抗値を
上げることなく、しかし開口率をできるだけ大きくでき
るようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to increase the aperture ratio as much as possible without increasing the resistance value of a conductive line in a liquid crystal device. .

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】(1) 上記の目的を達
成するため、本発明に係る液晶装置は、導通ライン及び
その導通ラインに接続する非線形素子を備えた素子側基
板と、その素子側基板に対向して配設される対向基板と
を有し、そして、前記導通ラインは前記非線形素子との
接続部分に凹部を有し、そしてさらに、その凹部の中に
前記非線形素子又はその一部分が配置されることを特徴
とする。
(1) In order to achieve the above object, a liquid crystal device according to the present invention comprises an element-side substrate having a conductive line and a non-linear element connected to the conductive line; A counter substrate disposed opposite to the substrate, and the conductive line has a concave portion at a connection portion with the non-linear element, and further includes the non-linear element or a part thereof in the concave portion. It is characterized by being arranged.

【0011】この液晶装置によれば、非線形素子が導通
ラインの凹部の中に収まるので、画素電極に幅の狭い狭
小部分を形成することなくその画素電極を導通ラインに
近づけて形成することができる。このように画素電極に
狭小部分を形成しなくて済むので、画素電極の幅が高精
細化のために狭くされる場合でも、ブラックマトリクス
は尖った角部を有する状態で画素電極の外周縁に沿って
形成でき、その結果、開口率が低下することを防止でき
る。
According to this liquid crystal device, since the non-linear element is accommodated in the concave portion of the conductive line, the pixel electrode can be formed close to the conductive line without forming a narrow portion of the pixel electrode. . Since it is not necessary to form a narrow portion in the pixel electrode in this way, even when the width of the pixel electrode is narrowed for higher definition, the black matrix has sharp corners on the outer peripheral edge of the pixel electrode. Therefore, the aperture ratio can be prevented from lowering.

【0012】上記構成において、「凹部の中に非線形素
子又はその一部分が配置される」というのは、非線形素
子の全てが導通ラインの凹部の中に収まる場合及び非線
形素子が部分的に導通ラインの凹部の中に収まる場合の
両方を含む意味である。
In the above configuration, "the non-linear element or a part thereof is arranged in the concave portion" means that all of the non-linear element is accommodated in the concave portion of the conductive line and that the non-linear element is partially It is meant to include both cases where it fits in the recess.

【0013】(2) 上記構成において、「非線形素
子」は、電圧−電流特性が非線形性を有する素子のこと
であり、例えば、薄膜状に形成されたトランジスタであ
る薄膜トランジスタ(TFT)や、薄膜ダイオード(T
FD)素子等を用いることができる。薄膜ダイオード素
子は、薄膜状に形成された非線形な電流電圧特性を有す
る能動素子のことである。このTFD素子は、例えば、
第1電極、絶縁層、第2電極を順次に積層して形成され
るMIM素子によって構成できる。
(2) In the above configuration, the term “non-linear element” means an element having a non-linear voltage-current characteristic, such as a thin film transistor (TFT) or a thin film diode. (T
FD) element or the like can be used. A thin-film diode element is an active element formed in a thin film and having a non-linear current-voltage characteristic. This TFD element is, for example,
It can be constituted by an MIM element formed by sequentially laminating a first electrode, an insulating layer, and a second electrode.

【0014】(3) 一般に液晶装置の素子側基板に形
成される導通ラインは所定の抵抗値を有するように設計
される。本発明に係る液晶装置においては、導通ライン
に設けられる1つの凹部とそれに隣接する他の凹部との
間に位置する部分の導通ラインの面積を調節することに
より、その導通ラインの抵抗値を希望の設計値に調節す
ることができる。
(3) In general, the conduction line formed on the element-side substrate of the liquid crystal device is designed to have a predetermined resistance value. In the liquid crystal device according to the present invention, by adjusting the area of the conductive line in a portion located between one concave portion provided in the conductive line and another concave portion adjacent thereto, the resistance value of the conductive line can be controlled. Can be adjusted to the design value.

【0015】(4) 次に、本発明に係る電子機器は、
液晶装置とそれを制御する制御部とを有する電子機器で
あり、その液晶装置は、導通ライン及びその導通ライン
に接続する非線形素子を備えた素子側基板と、その素子
側基板に対向して配設される対向基板とを含んで構成さ
れる。そして、前記導通ラインは前記非線形素子との接
続部分に凹部を有し、そしてその凹部の中に前記非線形
素子又はその一部分が配置される。 この電子機器によ
れば、内蔵する液晶装置において、非線形素子が導通ラ
インの凹部の中に収まるので、画素電極に幅の狭い狭小
部分を形成することなくその画素電極を導通ラインに近
づけて形成することができる。このように画素電極に狭
小部分を形成しなくて済むので、画素電極の幅が高精細
化のために狭くされる場合でも、ブラックマトリクスは
尖った角部を有する状態で画素電極の外周縁に沿って形
成でき、その結果、開口率が低下することを防止でき
る。
(4) Next, the electronic device according to the present invention
An electronic apparatus having a liquid crystal device and a control unit for controlling the liquid crystal device. The liquid crystal device includes an element-side substrate having a conductive line and a non-linear element connected to the conductive line, and a device opposed to the element-side substrate. And a counter substrate provided. The conductive line has a concave portion at a connection portion with the nonlinear element, and the nonlinear element or a part thereof is disposed in the concave portion. According to this electronic device, in the built-in liquid crystal device, the non-linear element is accommodated in the concave portion of the conductive line, so that the pixel electrode is formed close to the conductive line without forming a narrow narrow portion on the pixel electrode. be able to. Since it is not necessary to form a narrow portion in the pixel electrode in this way, even when the width of the pixel electrode is narrowed for higher definition, the black matrix has sharp corners on the outer peripheral edge of the pixel electrode. Therefore, the aperture ratio can be prevented from lowering.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】(第1実施形態)図1は、本発明
に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して平面的に示
している。ここに示す液晶装置1は、シール材2によっ
て互いに接合された一対の透光性基板3a及び3bを有
する。これらの透光性基板の間には間隙、いわゆるセル
ギャップが形成され、シール材2によって囲まれる部分
のセルギャップ内に液晶が封入される。
(First Embodiment) FIG. 1 is a plan view showing a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention, with a part thereof broken away. The liquid crystal device 1 shown here has a pair of translucent substrates 3a and 3b joined to each other by a sealant 2. A gap, a so-called cell gap, is formed between these translucent substrates, and liquid crystal is sealed in a portion of the cell gap surrounded by the sealing material 2.

【0017】図の奥側の透光性基板3aは素子側基板で
あり、その内側表面には、互いに平行に並べられた直線
状の導通ライン、すなわちストライプ状の導通ライン4
が形成され、さらにそれらの導通ライン4の間に複数の
画素電極6がドットマトリクス状に形成され、さらに各
画素電極6と導通ライン4とがTFD素子7を介して接
続される。素子側基板3aの外側表面には偏光板12が
貼着される。
The light-transmitting substrate 3a on the back side of the figure is an element-side substrate, and on its inner surface, linear conductive lines arranged parallel to each other, that is, stripe-shaped conductive lines 4a.
Are formed, and a plurality of pixel electrodes 6 are formed between the conductive lines 4 in a dot matrix. Further, each pixel electrode 6 and the conductive line 4 are connected via a TFD element 7. A polarizing plate 12 is attached to the outer surface of the element-side substrate 3a.

【0018】一方、図1の手前側の透光性基板3bは対
向側基板であり、その内側表面にはストライプ状の対向
電極8が形成される。これらの対向電極8と素子側基板
3a上の画素電極6との対向する部分にドットマトリク
ス状に配列される複数の画素が形成される。対向側基板
3bの外側表面には偏光板12が貼着される。
On the other hand, the light-transmitting substrate 3b on the near side in FIG. 1 is an opposing substrate, and a stripe-shaped opposing electrode 8 is formed on the inner surface thereof. A plurality of pixels arranged in a dot matrix are formed at a portion where the opposing electrode 8 and the pixel electrode 6 on the element-side substrate 3a oppose each other. The polarizing plate 12 is attached to the outer surface of the opposing substrate 3b.

【0019】なお、素子側基板3aにおいて、各導通ラ
イン4は実際には極めて狭い間隔寸法で多数本が基板3
a上に形成されるが、図1では、構造を分かり易く示す
ために各導通ライン4の間隔寸法を拡大して模式的に示
し、さらにそれらの導通ライン4のうち数本を示し他の
部分を省略してある。また、画素電極6は、実際には非
常に面積が小さく、しかも微細な間隔でドットマトリク
ス状に配列されるが、図1では構造を分かり易く示すた
めに各画素電極6を拡大して模式的に示すと共にそれら
の間隔も拡大して示してある。
In the element-side substrate 3a, a large number of conductive lines 4 are actually arranged at very narrow intervals.
In FIG. 1, in FIG. 1, in order to clearly show the structure, the spacing dimension of each conductive line 4 is schematically shown in an enlarged manner, and some of those conductive lines 4 are shown and other portions are shown. Is omitted. Further, the pixel electrodes 6 are actually very small in area and are arranged in a dot matrix at fine intervals. However, in FIG. 1, each pixel electrode 6 is enlarged and schematically shown for easy understanding of the structure. And their intervals are also shown enlarged.

【0020】また、対向側基板3bにおいて、対向電極
8は実際には素子側基板3a上の画素電極6に対向する
ように極めて狭い間隔で多数本形成されるものである
が、図1では、構造を分かり易く示すために各対向電極
8の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの
対向電極8の一部分を省略してある。
In the counter substrate 3b, a large number of counter electrodes 8 are actually formed at very small intervals so as to face the pixel electrodes 6 on the element substrate 3a. In order to show the structure in an easy-to-understand manner, the spacing between the opposing electrodes 8 is schematically shown in an enlarged manner, and a part of the opposing electrodes 8 is omitted.

【0021】画素電極6等が形成された素子側基板3a
の内側表面には、さらに、ポリイミド等によって配向膜
が形成され、その配向膜に対して一軸配向処理、例えば
ラビング処理が施される。また、対向電極8が形成され
た対向側基板3bの内側表面にも、ポリイミド等によっ
て配向膜が形成され、その配向膜に対しても一軸配向処
理、例えばラビング処理が施される。
The element-side substrate 3a on which the pixel electrodes 6 and the like are formed
An alignment film is further formed on the inner surface of the substrate by polyimide or the like, and the alignment film is subjected to a uniaxial alignment process, for example, a rubbing process. In addition, an alignment film is also formed of polyimide or the like on the inner surface of the counter substrate 3b on which the counter electrode 8 is formed, and the alignment film is also subjected to a uniaxial alignment process, for example, a rubbing process.

【0022】対向側基板3bの内側表面には、必要に応
じて、さらにカラーフィルタが形成され、さらにブラッ
クマスクが形成される。このブラックマスクは、複数の
画素電極6のそれぞれに相当する部分に開口を有するパ
ターン形状に形成され、画素電極6以外の領域から光が
漏れ出ることを防止し、もって、画素領域を通過する光
によって表示される像のコントラストを向上する。
A color filter and a black mask are further formed on the inner surface of the opposing substrate 3b, if necessary. The black mask is formed in a pattern shape having an opening at a portion corresponding to each of the plurality of pixel electrodes 6 to prevent light from leaking out of a region other than the pixel electrode 6, and thus to prevent light from passing through the pixel region. Improves the contrast of the displayed image.

【0023】本実施形態の液晶装置1はCOG( Chip
On Glass)方式の液晶装置であり、よって、素子側基板
3aの表面に液晶駆動用IC9aが直接に実装され、ま
た、対向側基板3bの表面にも液晶駆動用IC9bが直
接に実装される。そして、素子側基板3a上に形成され
た導通ライン4が液晶駆動用IC9aの出力端子に接続
され、一方、対向側基板3b上に形成された対向電極8
が液晶駆動用IC9bの出力端子に接続される。符号1
1は、液晶駆動用IC9a及び9bを外部回路に接続す
るための外部接続用端子を示す。
The liquid crystal device 1 of the present embodiment has a COG (Chip)
An on-glass type liquid crystal device, and therefore, a liquid crystal driving IC 9a is directly mounted on the surface of the element-side substrate 3a, and a liquid crystal driving IC 9b is directly mounted on the surface of the opposing substrate 3b. The conductive line 4 formed on the element-side substrate 3a is connected to the output terminal of the liquid crystal driving IC 9a, while the counter electrode 8 formed on the counter-side substrate 3b is connected.
Is connected to the output terminal of the liquid crystal driving IC 9b. Sign 1
Reference numeral 1 denotes an external connection terminal for connecting the liquid crystal driving ICs 9a and 9b to an external circuit.

【0024】液晶駆動用IC9a及び9bが作動する
と、選択された画素に相当する画素電極6と対向電極8
との間に所定の大きさのON電圧及びOFF電圧が印加
され、この電圧制御によって液晶の配向状態を制御す
る。そして、この配向制御に基づいて光を変調すること
により、文字、数字、絵柄等といった像を外部に表示す
る。導通ライン4は、データ線として用いられることも
あるし、走査線として用いられることもある。
When the liquid crystal driving ICs 9a and 9b operate, the pixel electrode 6 corresponding to the selected pixel and the counter electrode 8
A predetermined magnitude of the ON voltage and the OFF voltage is applied between the two, and the voltage control controls the alignment state of the liquid crystal. Then, by modulating the light based on the orientation control, an image such as a character, a numeral, or a picture is displayed outside. The conduction line 4 may be used as a data line or a scanning line.

【0025】図2は、素子側基板3aの内側表面におけ
る1個の画素領域の近傍を拡大して示している。2本の
横線L1と2本の縦線L2とによって区画される領域が
1個の画素領域に相当する。この図において、導通ライ
ン4は、Ta(タンタル)等といった導電材によって形
成された第1層4aと、その第1層4aの上に積層され
た陽極酸化膜によって形成された第2層4bと、その第
2層4bの上にCr(クロム)等の導電材によって形成
された第3層4cとによって構成される。
FIG. 2 is an enlarged view showing the vicinity of one pixel region on the inner surface of the element-side substrate 3a. An area defined by two horizontal lines L1 and two vertical lines L2 corresponds to one pixel area. In this figure, a conduction line 4 includes a first layer 4a formed of a conductive material such as Ta (tantalum) and a second layer 4b formed of an anodic oxide film laminated on the first layer 4a. And a third layer 4c formed of a conductive material such as Cr (chromium) on the second layer 4b.

【0026】本実施形態では、導通ライン4は幅が一様
な単なる直線形状に形成されるのではなく、画素1個分
の間隔で凹部13が形成され、隣り合う一対の凹部13
の間に面積の大きい領域4dが形成される。
In the present embodiment, the conductive line 4 is not formed in a simple linear shape having a uniform width, but the recesses 13 are formed at intervals of one pixel, and a pair of adjacent recesses 13 are formed.
A region 4d having a large area is formed therebetween.

【0027】TFD素子7は、一対のMIM素子14a
及び14bを電気的に逆向きに直列接続することによっ
て、いわゆるバック・ツー・バック(Back-to-Back)構
造の素子として形成されている。このバック・ツー・バ
ック構造により、1個のMIM素子を用いる場合に比べ
て安定したスイッチング特性を得ることができる。もち
ろん、1個のMIM素子を用いて非線形素子を構成する
こともできる。
The TFD element 7 includes a pair of MIM elements 14a.
And 14b are electrically connected in series in the opposite direction to form an element having a so-called back-to-back structure. With this back-to-back structure, stable switching characteristics can be obtained as compared with the case where one MIM element is used. Of course, a non-linear element can be configured using one MIM element.

【0028】個々のMIM素子14a及び14bは、導
通ライン4の第1層4aと同時にTa等によって形成さ
れた第1電極16と、その第1電極16の上に形成され
た陽極酸化膜17と、導通ライン4の第3層4cと同時
にCr等によって形成された第2電極18とによって構
成される。
Each of the MIM elements 14a and 14b has a first electrode 16 formed of Ta or the like at the same time as the first layer 4a of the conductive line 4, and an anodic oxide film 17 formed on the first electrode 16. And the second electrode 18 formed of Cr or the like at the same time as the third layer 4c of the conduction line 4.

【0029】本実施形態では、TFD素子7のほとんど
全て、すなわちMIM素子14a及び14bのほとんど
全てが、導通ライン4に形成した凹部13の中に収まる
ように設けられる。
In the present embodiment, almost all of the TFD elements 7, that is, almost all of the MIM elements 14 a and 14 b are provided so as to fit in the recess 13 formed in the conduction line 4.

【0030】導通ライン4から見て後段側に形成された
MIM素子14bの第2電極18には2個の分岐部19
が形成され、それらの分岐部に重なるようにITO(In
diumTin Oxide)等によって画素電極6が形成される。
本実施形態では、TFD素子7が導通ライン4の凹部1
3内に収められる関係上、画素電極6は図4に符号53
aで示すような狭小部分を形成することなく、ほとんど
長方形状のままで導通ライン4に接近して形成される。
The second electrode 18 of the MIM element 14b formed on the subsequent stage as viewed from the conduction line 4 has two branch portions 19
Is formed, and ITO (In
The pixel electrode 6 is formed by, for example, dium tin oxide.
In the present embodiment, the TFD element 7 is
3, the pixel electrode 6 is denoted by reference numeral 53 in FIG.
It is formed close to the conductive line 4 with almost a rectangular shape without forming a narrow portion as shown by a.

【0031】このように、画素電極6には狭小部分が形
成されないので、液晶表示の高精細化のために1画素の
幅W1が狭く設計、例えば70μm程度に設計される場
合でも、画素電極6には幅の狭い部分が形成されること
がなくなり、よって、ブラックマスクの開口周縁22の
角部を正確に尖った形状に形成でき、よって、ブラック
マスクの開口を画素電極6の外周縁に正確に沿った状態
で形成できる。その結果、開口率、すなわち1個の画素
領域面積に対するブラックマスクの開口面積の割合を大
きな値に維持できる。
As described above, since the narrow portion is not formed in the pixel electrode 6, even if the width W1 of one pixel is designed to be narrow, for example, about 70 μm in order to increase the definition of the liquid crystal display, the pixel electrode 6 is not formed. In this case, a narrow portion is not formed, so that the corner of the opening peripheral edge 22 of the black mask can be formed into a sharp pointed shape, so that the opening of the black mask can be accurately positioned on the outer peripheral edge of the pixel electrode 6. Can be formed along the line. As a result, the aperture ratio, that is, the ratio of the aperture area of the black mask to the area of one pixel region can be maintained at a large value.

【0032】しかも本実施形態では、導通ライン4のう
ち一対の隣り合う凹部13の間に位置する部分4dの面
積を大きく設定することにより、導通ライン4の抵抗値
が過剰に大きい値となることを防止して、図4に示すよ
うな単なる直線形状に形成する場合と同様の値に維持す
ることができる。
Moreover, in the present embodiment, by setting the area of the portion 4d of the conductive line 4 located between the pair of adjacent concave portions 13 large, the resistance value of the conductive line 4 becomes excessively large. And the same value as in the case of forming a simple linear shape as shown in FIG. 4 can be maintained.

【0033】(第2実施形態)図3は、図1に示す液晶
装置を用いて構成される本発明に係る電子機器の一実施
形態である携帯型コンピュータを示している。この携帯
型コンピュータ31は、複数のキー32を備えたキーボ
ード部33と、そのキーボード部33に対して矢印Aの
ように開閉回転動作するカバー34と、そのカバー34
に埋め込まれた液晶装置30とを含んで構成される。液
晶装置30は、図1の液晶装置1にバックライト等とい
った付帯機器を装着することによって作製される。
(Second Embodiment) FIG. 3 shows a portable computer which is an embodiment of an electronic apparatus according to the present invention constituted by using the liquid crystal device shown in FIG. The portable computer 31 includes a keyboard 33 having a plurality of keys 32, a cover 34 that opens and closes and rotates with respect to the keyboard 33 as indicated by an arrow A, and a cover 34.
And a liquid crystal device 30 embedded therein. The liquid crystal device 30 is manufactured by attaching auxiliary equipment such as a backlight to the liquid crystal device 1 of FIG.

【0034】キーボード部33の内部には、携帯型コン
ピュータとしての機能を果たすための各種の演算を実行
するためのCPU(中央処理装置)を含む制御部が格納
される。そしてその制御部は、液晶装置30に所定の映
像を表示するための演算処理を実行する。
Inside the keyboard unit 33, a control unit including a CPU (Central Processing Unit) for executing various calculations for performing the function as a portable computer is stored. Then, the control unit executes an arithmetic process for displaying a predetermined image on the liquid crystal device 30.

【0035】本実施形態の携帯型コンピュータにおいて
は、図2に示すように導通ライン4に形成した凹部13
の中にTFD素子7の全部又はその一部が納められるパ
ターン構造を有する液晶装置を用いたので、画素電極6
に狭小部分を形成しなくても済むようになり、よって、
1画素の幅W1が狭くなる場合にもブラックマスクの角
部を丸みを持たない尖った形状に形成でき、その結果、
液晶装置における開口率の低下を防止できる。そしてさ
らに、導通ライン4のうち隣り合う一対の凹部13の間
に位置する部分4dの面積を大きく設定することによ
り、導通ライン4の抵抗値を希望の値に維持することが
できる。
In the portable computer according to the present embodiment, as shown in FIG.
Since the liquid crystal device having a pattern structure in which all or a part of the TFD element 7 is accommodated in the pixel electrode 6 is used,
It is not necessary to form a narrow part in
Even when the width W1 of one pixel becomes narrow, the corners of the black mask can be formed in a sharp shape without roundness.
A reduction in the aperture ratio in the liquid crystal device can be prevented. Further, by setting the area of the portion 4d of the conductive line 4 located between the pair of adjacent concave portions 13 large, the resistance value of the conductive line 4 can be maintained at a desired value.

【0036】(その他の実施形態)図1に示す液晶装置
はCOG方式の液晶装置であるが、本発明はそれ以外の
構造を有する任意の液晶装置に対して適用できる。例え
ば、TAB(Tape Automated Bonding:テープ自動化実
装)の技術を用いてFPC(Flexible Printed Circui
t)の上にICチップをボンディングして形成されるT
CP(Tape Carrier Package)を用いる構造の、いわゆ
るTAB方式の液晶装置に対して本発明を適用できる。
また、エポキシ基板等といったガラス以外の基板上にI
Cチップを実装する構造の、いわゆるCOB(Chip On
Board)方式の液晶装置に対して本発明を適用すること
もできる。
(Other Embodiments) Although the liquid crystal device shown in FIG. 1 is a COG type liquid crystal device, the present invention can be applied to any liquid crystal device having other structures. For example, by using TAB (Tape Automated Bonding) technology, FPC (Flexible Printed Circui
T) formed by bonding an IC chip on t)
The present invention can be applied to a so-called TAB type liquid crystal device having a structure using a CP (Tape Carrier Package).
In addition, I.P.
The so-called COB (Chip On
The present invention can be applied to a liquid crystal device of a (Board) type.

【0037】上記の実施形態では一対のMIM素子を逆
極性で直列に接続した構造のバック・ツー・バック方式
のTFD素子を非線形素子として用いる場合を例示した
が、1個のMIM素子を用いる構造のTFD素子を用い
ることもでき、あるいは、TFD素子に代えてTFT
(Thin Film Transistor)素子を用いることもできる。
また、図3では、電子機器として携帯型コンピュータを
例示したが、本発明に係る液晶装置はその他の任意の電
子機器、例えば、携帯電話機等にも適用できる。
In the above embodiment, the case where a back-to-back type TFD element having a structure in which a pair of MIM elements are connected in series with opposite polarities is used as a non-linear element has been exemplified, but a structure using one MIM element is used. TFD elements can be used, or TFTs can be used instead of TFD elements.
(Thin Film Transistor) elements can also be used.
Further, in FIG. 3, a portable computer is illustrated as an example of the electronic device, but the liquid crystal device according to the present invention can be applied to any other electronic device, for example, a mobile phone.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明に係る液晶装置及び電子機器によ
れば、TFD素子等といった非線形素子が導通ラインの
凹部の中に収まるので、画素電極に幅の狭い狭小部分を
形成することなくその画素電極を導通ラインに近づけて
形成することができる。このように画素電極に狭小部分
を形成しなくて済むので、画素電極の幅が高精細化のた
めに狭くされる場合でも、ブラックマトリクスは尖った
角部を有する状態で画素電極の外周縁に沿って形成で
き、その結果、開口率が低下することを防止できる。
According to the liquid crystal device and the electronic apparatus of the present invention, since the non-linear element such as the TFD element is accommodated in the recess of the conductive line, the pixel electrode can be formed without forming a narrow portion on the pixel electrode. The electrode can be formed close to the conductive line. Since it is not necessary to form a narrow portion in the pixel electrode in this way, even when the width of the pixel electrode is narrowed for higher definition, the black matrix has sharp corners on the outer peripheral edge of the pixel electrode. Therefore, the aperture ratio can be prevented from lowering.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破
断して示す平面図である。
FIG. 1 is a partially cutaway plan view showing an embodiment of a liquid crystal device according to the present invention.

【図2】図1の1画素部分を拡大して示す平面図であ
る。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing one pixel portion of FIG. 1;

【図3】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of an electronic apparatus according to the invention.

【図4】従来の液晶装置における1画素部分を示す平面
図である。
FIG. 4 is a plan view showing one pixel portion in a conventional liquid crystal device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 液晶装置 2 シール材 3a 素子側基板 3b 対向側基板 4 導通ライン 4a 導通ラインの第1層 4b 導通ラインの第2層 4c 導通ラインの第3層 4d 導通ラインの抵抗値調整部分 6 画素電極 7 TFD素子(非線形素子) 8 対向電極 9a,9b 液晶駆動用IC 13 凹部 14a,14b MIM素子 16 第1電極 17 陽極酸化膜 18 第2電極 19 分岐部 W1 1画素の幅 W2 狭小部分の幅 W3 導通ラインの幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal device 2 Sealing material 3a Element side substrate 3b Opposite substrate 4 Conducting line 4a First layer of conducting line 4b Second layer of conducting line 4c Third layer of conducting line 4d Resistance adjusting portion of conducting line 6 Pixel electrode 7 TFD element (non-linear element) 8 Counter electrode 9a, 9b Liquid crystal driving IC 13 Depression 14a, 14b MIM element 16 First electrode 17 Anodized film 18 Second electrode 19 Branch part W1 One pixel width W2 Narrow width W3 Conduction Line width

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Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導通ライン及びその導通ラインに接続す
る非線形素子を備えた素子側基板と、その素子側基板に
対向して配設される対向基板とを有し、 前記導通ラインは前記非線形素子との接続部分に凹部を
有し、そしてその凹部の中に前記非線形素子又はその一
部分が配置されることを特徴とする液晶装置。
1. An element substrate having a conductive line and a non-linear element connected to the conductive line, and a counter substrate disposed to face the element side substrate, wherein the conductive line is a non-linear element. A liquid crystal device having a concave portion at a connection portion with the non-linear element, and the non-linear element or a part thereof is disposed in the concave portion.
【請求項2】 請求項1において、前記非線形素子は、
薄膜状に形成された非線形な電流電圧特性を有する能動
素子である薄膜ダイオード素子であることを特徴とする
液晶装置。
2. The method according to claim 1, wherein the nonlinear element includes:
A liquid crystal device comprising a thin film diode element which is an active element having a non-linear current-voltage characteristic and formed in a thin film.
【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記導
通ラインに関して1つの凹部とそれに隣接する他の凹部
との間に位置する部分の面積を調節することにより、そ
の導通ラインの抵抗値を調節することを特徴とする液晶
装置。
3. The resistance value of the conductive line according to claim 1 or 2, by adjusting the area of a portion between one concave portion and another concave portion adjacent thereto with respect to the conductive line. A liquid crystal device characterized by adjusting.
【請求項4】 液晶装置とそれを制御する制御部とを有
する電子機器において、その液晶装置は、 導通ライン及びその導通ラインに接続する非線形素子を
備えた素子側基板と、その素子側基板に対向して配設さ
れる対向基板とを有し、 前記導通ラインは前記非線形素子との接続部分に凹部を
有し、そしてその凹部の中に前記非線形素子又はその一
部分が配置されることを特徴とする電子機器。
4. An electronic apparatus having a liquid crystal device and a control unit for controlling the liquid crystal device, wherein the liquid crystal device includes an element-side substrate including a conduction line and a non-linear element connected to the conduction line; An opposing substrate disposed opposite to the conductive line, wherein the conductive line has a concave portion at a connection portion with the non-linear element, and the non-linear element or a part thereof is disposed in the concave portion. And electronic equipment.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US10656456B2 (en) 2018-02-26 2020-05-19 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US11526057B2 (en) 2020-12-23 2022-12-13 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device comprising a wall portion extending along a third end and a fourth end of a pixel electrode and covered with the pixel electrode

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