JP2000102250A - High-voltage power limiting circuit - Google Patents

High-voltage power limiting circuit

Info

Publication number
JP2000102250A
JP2000102250A JP27101098A JP27101098A JP2000102250A JP 2000102250 A JP2000102250 A JP 2000102250A JP 27101098 A JP27101098 A JP 27101098A JP 27101098 A JP27101098 A JP 27101098A JP 2000102250 A JP2000102250 A JP 2000102250A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
pulse
value
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27101098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Kashiwagi
茂 柏木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP27101098A priority Critical patent/JP2000102250A/en
Publication of JP2000102250A publication Critical patent/JP2000102250A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-voltage power limiting circuit which is capable of canceling high voltage stabilizing action with reliability, when a high-voltage load current exceeds a specified value, thus enabling reduction for the maximum power of equipment, improvement in the reliability of components, and prevention of X-ray radiation from an image picture tube. SOLUTION: When a high-voltage load current Ia exceeds a limit current Ial, a direct-current voltage Em obtained by rectifying the crest value of auxiliary pulses Vm through a rectifying circuit 18 exceeds a reference voltage Es2, and the output voltage Eo1 of a compactor 19 is brought to a high level. Then a feedback circuit is formed of the rectifying circuit 18, the compactor 19, a diode 20, and a timing circuit 17. The timing circuit 17 shifts the phase of timing pulses Vtm or its output, according to a phase control voltage Ep input, and acts to make the crest value of the auxiliary pulses Vm constant.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主として受像管デ
ィスプレイ機器の受像管陽極電圧を供給する高圧発生回
路の改良に関するものであって、高圧安定化作用を高圧
負荷電流の定められた一定値以上で打ち切り、受像管に
必要以上の大電力が供給されない様にすることによっ
て、装置の安全性を高める様にしたものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a high voltage generating circuit for supplying a cathode voltage of a picture tube of a picture tube display device. In this way, the safety of the apparatus is enhanced by preventing unnecessary power from being supplied to the picture tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6は、従来の水平偏向高圧発生回路の
一例を示す回路図である。図6において、水平励振スイ
ッチング素子1は、電解効果トランジスタ(FET)であ
り、図示しない前段の水平発振段から水平発振パルスV
osc を供給され、オンオフ動作を行っている。水平励振
スイッチング素子1のドレイン端子には励振トランス2
の1次巻線2a の一端が接続され、1次巻線2aの他の
一端には電流制限抵抗3を経て直流電源Eが接続されて
いる。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a conventional horizontal deflection high voltage generating circuit. In FIG. 6, a horizontal excitation switching element 1 is a field effect transistor (FET), and a horizontal oscillation pulse V
osc is supplied and on / off operation is performed. An excitation transformer 2 is connected to the drain terminal of the horizontal excitation switching element 1.
One end of the primary winding 2a is connected, and the other end of the primary winding 2a is connected to a DC power supply E via a current limiting resistor 3.

【0003】励振トランス2の2次巻線2bの一端は、
ベース抵抗4を経て水平出力スイッチング素子(トラン
ジスタ)5のベース電極に接続されている。トランジス
タ5のエミッタ電極は前記2次巻線2bの他の一端に接
続され、コレクタ電極とエミッタ電極との間にはダンパ
ーダイオード6と帰線共振コンデンサ7が並列に接続さ
れている。トランジスタ5のコレクタ電極と接地との間
には、水平偏向コイル8とS字補正コンデンサ9との直
列回路が接続されている。
[0003] One end of the secondary winding 2b of the excitation transformer 2 is
It is connected to a base electrode of a horizontal output switching element (transistor) 5 via a base resistor 4. The emitter electrode of the transistor 5 is connected to the other end of the secondary winding 2b, and a damper diode 6 and a return resonance capacitor 7 are connected in parallel between the collector electrode and the emitter electrode. A series circuit of a horizontal deflection coil 8 and an S-shaped correction capacitor 9 is connected between the collector electrode of the transistor 5 and the ground.

【0004】又、フライバックトランス10や高圧整流
ダイオード11等は、高圧発生回路を構成している。ト
ランジスタ5のコレクタ電極には、フライバックトラン
ス10の1次巻線10aの一端が接続され、その他端に
は直流電源Ebが接続されている。フライバックトラン
ス10の2次巻線10b の一端には、高圧整流ダイオー
ド11が接続され、そのカソード側に受像管陽極に供給
する直流高圧HVが発生する。
The flyback transformer 10 and the high-voltage rectifier diode 11 constitute a high-voltage generating circuit. One end of a primary winding 10a of the flyback transformer 10 is connected to a collector electrode of the transistor 5, and a DC power supply Eb is connected to the other end. A high voltage rectifier diode 11 is connected to one end of the secondary winding 10b of the flyback transformer 10, and a high voltage DC HV to be supplied to the cathode of the picture tube is generated on the cathode side.

【0005】又、補助水平出力スイッチング素子(FE
T)12は、電解効果トランジスタ(FET)であり、そ
のソース端子は接地され、ドレイン端子は水平出力トラ
ンジスタ5のエミッタ端子に接続されている。ドレイン
端子とソース端子の間には、ダンパーダイオード13と
帰線共振コンデンサ14の並列回路が接続されている。
一方、分圧抵抗15は、高圧HVを分圧し小電圧Ehvを
得て、比較器16の入力端子に供給されている。そして
比較器16は、小電圧Ehvと、他の入力端子の基準電圧
Es1を比較し、比較出力Eoを得て、タイミング回路1
7へ供給している。タイミング回路17の出力として、
タイミングパルスVtmが得られ、FET12のゲート端
子に供給されている。
An auxiliary horizontal output switching element (FE)
T) 12 is a field effect transistor (FET) whose source terminal is grounded and whose drain terminal is connected to the emitter terminal of the horizontal output transistor 5. A parallel circuit of a damper diode 13 and a return resonance capacitor 14 is connected between the drain terminal and the source terminal.
On the other hand, the voltage dividing resistor 15 divides the high voltage HV to obtain a small voltage Ehv, which is supplied to the input terminal of the comparator 16. Then, the comparator 16 compares the small voltage Ehv with the reference voltage Es1 of another input terminal to obtain a comparison output Eo.
7. As an output of the timing circuit 17,
A timing pulse Vtm is obtained and supplied to the gate terminal of the FET 12.

【0006】もしも、図6において、FET12が無
く、トランジスタ5のエミッタ端子が直接接地されてい
たとすると、これは通常の水平偏向高圧発生回路の構成
であって、周知の原理により、トランジスタ5のコレク
タには正弦半波の帰線パルスVcが発生し、水平偏向コ
イル8にはノコギリ波状の偏向電流Iyが流れて、受像
管電子ビームの水平偏向作用を行う。同時に、この帰線
パルスVcは、フライバックトランス10の2次巻線1
0bに昇圧されて高圧パルスVhvが得られ、高圧整流ダイ
オード11によって整流され直流高圧HVとなる。
If it is assumed in FIG. 6 that the FET 12 is not provided and the emitter terminal of the transistor 5 is directly grounded, this is a configuration of an ordinary horizontal deflection high voltage generating circuit, and the collector of the transistor 5 is formed by a well-known principle. Generates a half-sine retrace pulse Vc, and a sawtooth-shaped deflection current Iy flows through the horizontal deflection coil 8 to perform horizontal deflection of the picture tube electron beam. At the same time, the retrace pulse Vc is applied to the secondary winding 1 of the flyback transformer 10.
The voltage is boosted to 0b to obtain a high-voltage pulse Vhv, which is rectified by the high-voltage rectifier diode 11 to become a DC high-voltage HV.

【0007】しかし、図6ではFET12のドレイン端
子に発生する補助パルスVmが、トランジスタ5のエミ
ッタ端子に加わっており、この補助パルスVmの分だけ
帰線パルスVcが嵩上げされている。そこで、高圧HV
の負荷電流が増加してHVが低下した時、この補助パル
スVmを増加させて帰線パルスVcの値を上げる様にすれ
ば、高圧パルスVhvも上昇し、高圧HVの低下が補償出
来る。
However, in FIG. 6, the auxiliary pulse Vm generated at the drain terminal of the FET 12 is applied to the emitter terminal of the transistor 5, and the retrace pulse Vc is raised by the amount of the auxiliary pulse Vm. Therefore, high pressure HV
When the load current increases and the HV decreases, the auxiliary pulse Vm is increased to increase the value of the retrace pulse Vc, so that the high-voltage pulse Vhv also increases, and the reduction of the high-voltage HV can be compensated.

【0008】図6の高圧分圧抵抗15,比較器16,タイ
ミング回路17は位相制御回路を構成し、高圧安定化の
為の動作をする。即ち、高圧分圧抵抗15で得られた電
圧Ehvが、基準電圧Es1より低下しようとすると、比較
器16の出力Eoがタイミング回路17の出力方形波で
あるタイミングパルスVtmの位相を前方に移動させる様
に変化し、その結果補助パルスVmが増加する。そし
て、帰線パルスVcの波高値が増加し、高圧の減少分が
補われ、高圧が安定化される。
The high voltage dividing resistor 15, the comparator 16, and the timing circuit 17 shown in FIG. 6 constitute a phase control circuit, and perform an operation for stabilizing the high voltage. That is, when the voltage Ehv obtained by the high-voltage dividing resistor 15 is about to fall below the reference voltage Es1, the output Eo of the comparator 16 shifts the phase of the timing pulse Vtm, which is the square wave output from the timing circuit 17, forward. The auxiliary pulse Vm increases as a result. Then, the peak value of the retrace pulse Vc increases, and the decrease in the high voltage is compensated for, and the high voltage is stabilized.

【0009】図7は、図6の動作を更に詳細に説明した
波形図である。図7(A)は発振パルスVoscを示す
が、このボトミング期間で励振FET1がオフ状態、ハ
イレベル期間でオン状態となるので、そのドレインに出
力する励振パルスVdは同図(B)の様な波形となる。
この励振パルスVdのハイレベル期間で、トランジスタ
5のベース電流が正方向に流れる様、励振トランス2の
極性が定められており、実際には同図(C)の様な波形
のベース電流Ibが流れる。
FIG. 7 is a waveform chart for explaining the operation of FIG. 6 in more detail. FIG. 7A shows the oscillation pulse Vosc. Since the excitation FET 1 is turned off during the bottoming period and turned on during the high level period, the excitation pulse Vd output to the drain is as shown in FIG. It becomes a waveform.
The polarity of the excitation transformer 2 is determined so that the base current of the transistor 5 flows in the positive direction during the high level period of the excitation pulse Vd, and the base current Ib having a waveform as shown in FIG. Flows.

【0010】励振パルスVdのハイレベル期間が終わる
と、ベース電流Ibは一旦負方向に転じ、トランジスタ
5の固有の蓄積時間tstだけ経過した後ゼロに戻る。こ
の蓄積時間tstの直後からトランジスタ5のコレクタ・
エミッタ間には、図7(D)に破線で示す共振帰線パル
スVceが立ち上がり、回路定数で定まる共振周期で約半
サイクル経過した後、ゼロレベルに戻ってパルスは終了
する。
When the high level period of the excitation pulse Vd ends, the base current Ib once turns to the negative direction, and returns to zero after a lapse of the intrinsic storage time tst of the transistor 5. Immediately after the accumulation time tst, the collector of the transistor 5
A resonance retrace pulse Vce indicated by a broken line in FIG. 7D rises between the emitters, returns to a zero level after about half a cycle has elapsed in a resonance cycle determined by a circuit constant, and the pulse ends.

【0011】一方、図7(E)に示すタイミングパルス
Vtmがハイレベルからゼロレベルに変わる時点Tで、F
ET12がオフ状態になる。すると、同図(F)に示す
様に、このT時点より補助パルス(ドレインパルス)V
mが立ち上がる。このFET12がオフの期間は同図
(D)からも分かる様に、トランジスタ5もオフ期間な
ので、この時の共振容量はコンデンサ7とコンデンサ1
4との総合容量で決まり、同じ正弦波が容量値に従って
分圧された形になる。従ってパルスVceと補助パルスV
mとのピーク値の時間位置は一致し、補助パルスVmは帰
線時間trより短い期間tmでゼロレベルに戻る。する
と自動的に、ダンパーダイオード13が導通し、FET
12のドレイン端子はゼロに固定される。
On the other hand, at the time T when the timing pulse Vtm shown in FIG.
ET12 is turned off. Then, as shown in FIG. 4F, the auxiliary pulse (drain pulse) V
m stands up. As can be seen from FIG. 4D, the period in which the FET 12 is off is also the period in which the transistor 5 is in the off state.
4, the same sine wave is divided according to the capacitance value. Therefore, the pulse Vce and the auxiliary pulse V
The time position of the peak value coincides with m, and the auxiliary pulse Vm returns to the zero level in a period tm shorter than the retrace time tr. Then, the damper diode 13 automatically conducts, and the FET
Twelve drain terminals are fixed to zero.

【0012】次に、タイミングパルスVtmがハイレベル
に戻るとFET12がオンになるので、結局、期間tm
以外はFET12とダンパーダイオード13で並列形成
される合成の電子スイッチがオン状態になっていると言
える。この結果、トランジスタ5のコレクタと接地との
間の電圧Vcは、図7(D)の実線のように二つの正弦
半波パルスの合成になる。そしてパルスVce部分は高圧
負荷状態が変動してもほとんど変わらないが、補助パル
スVm部分は大きく変わり、高圧値の変動を補償して一
定化する動作をしている。
Next, when the timing pulse Vtm returns to the high level, the FET 12 is turned on.
Otherwise, it can be said that the combined electronic switch formed in parallel with the FET 12 and the damper diode 13 is in the ON state. As a result, the voltage Vc between the collector of the transistor 5 and the ground is a composite of two half-sine-wave pulses as shown by the solid line in FIG. Although the pulse Vce portion hardly changes even when the high-voltage load state changes, the auxiliary pulse Vm portion changes greatly, and the operation of compensating for the fluctuation of the high-voltage value and making it constant.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】前記説明の如く、図6
の高圧安定化作用は極めて有効に働き、高圧負荷電流の
大小に拘わらずほとんど一定の高圧値を得る事が出来
る。これは受像管画像の安定度と輝度を高めるのに役立
つ。しかしその一方、それによる問題点も生じる。この
方式は高圧負荷電流Iaが増えて高圧値HVが減少しよ
うとすると、補助パルスVmが本来の帰線パルスに加わ
って補償する加算型の安定化回路の為、補償の限界が定
め難い。例えば、図8の実線に示す様に、高圧負荷電流
Iaが増えても一向に高圧値が減少しない様なケースが
見られる。
As described above, FIG.
The high-voltage stabilizing function of the above works extremely effectively, and an almost constant high-voltage value can be obtained regardless of the magnitude of the high-voltage load current. This helps to increase the stability and brightness of the picture tube picture. On the other hand, however, there are also problems. In this method, when the high-voltage load current Ia increases and the high-voltage value HV tries to decrease, the auxiliary pulse Vm is added to the original retrace pulse to compensate, so that it is difficult to determine the limit of compensation. For example, as shown by the solid line in FIG. 8, there is a case where the high voltage value does not decrease at all even if the high voltage load current Ia increases.

【0014】これは、一見受像管画像品位にとっては好
ましい事の様にも思えるが、しかしこの様に高負荷電流
領域においても高圧値が低下しない場合、受像管のX線
放射の危険が生じてくる。又、この様な完全な安定化を
行ってしまうと、高電流領域での回路の電力が無制限に
増大してしまい、機器の信頼性上望ましくない。やはり
図8の破線で示す様に、実用範囲以上の電流値では高圧
値が低下することが必要である。
Although this seems at first glance to be favorable for the picture quality of the picture tube, if the high voltage value does not decrease even in the high load current region, there is a danger of X-ray emission from the picture tube. come. Further, if such complete stabilization is performed, the power of the circuit in the high current region increases without limit, which is not desirable in terms of the reliability of the device. As shown by the broken line in FIG. 8 as well, it is necessary that the high voltage value decreases at a current value exceeding the practical range.

【0015】この為には、図7(E)に示すタイミングパ
ルスVtmの立ち下がり時点Tの位置が、ある定められた
点より前に行かない様に回路を設定する事も考えられ
る。例えば、電圧Eoの所にリミッターを設ければ良
い。すると、図7(F)に示す補助パルスVmの波高値が
一定値以上増加できないので、一応図8の破線の様な特
性は得られる。しかし、実際には、このTの時間位置の
僅かな差で補助パルスVmの波高値が大きく変わるの
で、この様にTの時間位置に頼って図8破線の特性を得
ようとすると、高圧安定化限界の電流値が大きくばらつ
いて実用化は難しい。
For this purpose, it is conceivable to set the circuit so that the position of the falling point T of the timing pulse Vtm shown in FIG. 7E does not come before a predetermined point. For example, a limiter may be provided at the voltage Eo. Then, since the peak value of the auxiliary pulse Vm shown in FIG. 7 (F) cannot be increased beyond a certain value, the characteristic as indicated by the broken line in FIG. 8 is obtained. However, in practice, the peak value of the auxiliary pulse Vm greatly changes due to a slight difference in the time position of T. Therefore, if the characteristic shown by the broken line in FIG. Practical application is difficult due to the large variation of the current value at the limit of activation.

【0016】又、図7において、万一タイミングパルス
Vtmのパルススタート位置Tが、帰線時間tr(トラン
ジスタ5のオフ期間)より前に位置してしまった場合
を、図9で考える。即ち、図9(A)に示すベース電流
Ibの蓄積時間tstが終了した所からトランジスタ5が
帰線時間trの間だけオフ状態になるが、この時もし、
図9(C)に示す様に時間位置Tが帰線時間tr開始よ
り時間長tprだけ先立ったものとする。
FIG. 9 shows a case where the pulse start position T of the timing pulse Vtm is located before the retrace time tr (the OFF period of the transistor 5) in FIG. That is, the transistor 5 is turned off only during the retrace time tr from the end of the accumulation time tst of the base current Ib shown in FIG. 9A.
As shown in FIG. 9C, it is assumed that the time position T precedes the retrace time tr by the time length tpr.

【0017】この様な場合、時間tprの間はまだトラン
ジスタ5がオン状態を保っている状態の所でFET12
だけがオフになるので、時刻Tから発生する正弦波パル
スが全部このドレイン・ソース間に加わる事になる。す
ると図9(D)の様に、このドレインに発生する補助パ
ルスVmは時間tprの間で急上昇し、次いで時間trが
始まってトランジスタ5もオフ状態を開始した時点から
分圧作用により正弦波の振幅が少なくなる。
In such a case, while the transistor 5 is still in the ON state during the time tpr, the FET 12
Is turned off, all the sine wave pulses generated from the time T are applied between the drain and the source. Then, as shown in FIG. 9 (D), the auxiliary pulse Vm generated at the drain rises rapidly during the time tpr, and then the sine wave of the sine wave is generated by the voltage dividing action from the time when the time tr starts and the transistor 5 starts to be turned off. The amplitude decreases.

【0018】この結果、時刻Tの位置がごく僅か帰線時
間trより先行しただけで、FET12のドレインに生
じる補助パルスVmは急増してしまう。このFET12
は、出来るだけオン抵抗が低い方が損失の点で望ましい
ので、それと引き替えに耐圧は必要最低限に留めて余裕
が無い事が多い。従ってこのパルスの急増はFET12
破損の危険性を高めてしまう。
As a result, even if the position at the time T is slightly earlier than the retrace time tr, the auxiliary pulse Vm generated at the drain of the FET 12 increases sharply. This FET12
Since it is desirable that the on-resistance is as low as possible in terms of loss, the breakdown voltage is often set to the minimum necessary and there is no margin. Therefore, the rapid increase of this pulse
It increases the risk of breakage.

【0019】勿論この様な場合、トランジスタ5のコレ
クタに生じる帰線パルスVcの値もその分加算されて大
きくなるので、高圧値が上がり、図6の高圧分圧抵抗1
5,比較器16,タイミング回路17で形成される高圧
制御の帰還ループが働いている限り、Tの位置が帰線時
間trに先行する事は無い。しかし、機器の電源投入時
などの過渡状態の時は、Tの位置が定まらず、前述した
様に補助パルスVmの波高値が異常に大きくなってFE
T12の耐圧をオーバーしてしまうことがあるという欠
点があった。
Of course, in such a case, the value of the retrace pulse Vc generated at the collector of the transistor 5 is increased by that amount, so that the high voltage value increases and the high voltage dividing resistor 1 shown in FIG.
5, As long as the feedback loop of the high voltage control formed by the comparator 16 and the timing circuit 17 operates, the position of T does not precede the retrace time tr. However, during a transient state such as when the power of the device is turned on, the position of T is not determined, and as described above, the peak value of the auxiliary pulse Vm becomes abnormally large and the FE is increased.
There is a disadvantage that the breakdown voltage of T12 may be exceeded.

【0020】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、受像管の陽極電圧を供給する高圧発生
回路において、高圧負荷電流が所定値を超えた時、確実
に高圧安定化作用を解除することができ、機器の最大電
力の削減、構成部品の信頼性の向上、受像管からのX線
放射の防止ができる高圧電力制限回路を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in a high-voltage generating circuit for supplying an anode voltage of a picture tube, when a high-voltage load current exceeds a predetermined value, a high-voltage stabilizing operation is ensured. It is an object of the present invention to provide a high-voltage power limiting circuit capable of reducing the maximum power of a device, improving the reliability of components, and preventing X-ray emission from a picture tube.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、上記課
題を解決するために、一定周期でオンオフし、共振作用
によってその両端に正弦半波のパルスを発生する複数個
のスイッチング素子と、前記複数個のスイッチング素子
の両端に発生したパルスを実質的に加算して得られた合
成パルスを昇圧整流して直流高圧を得る高圧発生回路
と、前記複数個のスイッチング素子のうち少なくとも1
個のスイッチング素子のオンからオフになる時点を、前
記合成パルスのパルス期間の範囲内で制御する位相制御
回路と、前記オフになる時点が制御されたスイッチング
素子の両端に発生したパルスの波高値を検出する検出回
路と、前記検出回路の出力が所定値を超えた場合には、
前記位相制御回路に対して前記オフになる時点を更に後
方に動かす様に動作し、前記パルスの波高値が所定値以
上に上昇しない様に制御する帰還回路とを備えたことを
特徴とする高圧電力制限回路を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a plurality of switching elements which are turned on and off at a constant cycle and generate half-sine-wave pulses at both ends thereof by resonance. A high-voltage generating circuit for boosting and rectifying a combined pulse obtained by substantially adding pulses generated at both ends of the plurality of switching elements to obtain a DC high voltage; and at least one of the plurality of switching elements.
A phase control circuit that controls the point in time when the switching elements are turned on from off within a pulse period of the composite pulse; and a peak value of a pulse generated at both ends of the switching element in which the off point is controlled. And a detection circuit for detecting when the output of the detection circuit exceeds a predetermined value,
A feedback circuit that operates to move the time point of turning off to the phase control circuit further backward, and controls the peak value of the pulse so as not to rise to a predetermined value or more. A power limiting circuit is provided.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の高圧電力制限回路
について、添付図面を参照して説明する。図1は本発明
の高圧電力制限回路の一例を示す図、図2,図3,図4
及び図5は、図1の回路動作を説明する為の特性図であ
る。図1において、図6と共通部分は同一符号を付し、
その詳細な説明を省略する。図6と異なる主要な点は、
Vm整流回路18,比較器19,ダイオード20が追加
され、補助パルスVmの動きでタイミング回路17の動
作を制御する新しい帰還回路が形成された点であり、以
下その動作を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A high-voltage power limiting circuit according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example of a high-voltage power limiting circuit according to the present invention, and FIGS.
FIG. 5 is a characteristic diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. In FIG. 1, the same parts as those in FIG.
A detailed description thereof will be omitted. The main difference from FIG. 6 is that
The Vm rectifier circuit 18, the comparator 19, and the diode 20 are added to form a new feedback circuit that controls the operation of the timing circuit 17 by the movement of the auxiliary pulse Vm. The operation will be described below.

【0023】整流回路(検出回路)18は、補助パルスV
mを入力し、整流して補助パルスVmの波高値を検出す
る動作を行い、補助パルスVmの波高値に比例した直流
電圧Emが得られる。この直流電圧Emは、比較器19
に入力され、他の入力に加わる第2の基準電圧Es2と比
較される。比較器19の出力電圧Eo1は抵抗21,ダイ
オード20を経てタイミング回路17の位相制御入力に
加えられる。このタイミング回路17は、図6と同じく
位相制御電圧Epに応じてその出力であるタイミングパ
ルスVtmの位相を動かす。
The rectifier circuit (detection circuit) 18 is provided with an auxiliary pulse V
The operation of inputting and rectifying m and detecting the peak value of the auxiliary pulse Vm is performed, and a DC voltage Em proportional to the peak value of the auxiliary pulse Vm is obtained. This DC voltage Em is supplied to the comparator 19
And is compared with a second reference voltage Es2 applied to other inputs. The output voltage Eo1 of the comparator 19 is applied to the phase control input of the timing circuit 17 via the resistor 21 and the diode 20. The timing circuit 17 shifts the phase of the timing pulse Vtm, which is the output thereof, according to the phase control voltage Ep, as in FIG.

【0024】一方、図6で説明したと同様に、高圧制御
の為の比較器16は、高圧変動に応じて基準電圧Es1と
の比較結果である直流電圧Eoを出力する。この直流電
圧Eoは抵抗23,ダイオード22を経て、比較器19
からの直流電圧Eo1と合成され、位相制御電圧Epとな
り、タイミング回路17を制御する。コンデンサ24は
不要なリップル分を除く為のものである。
On the other hand, as described with reference to FIG. 6, the comparator 16 for high voltage control outputs a DC voltage Eo which is a result of comparison with the reference voltage Es1 according to the high voltage fluctuation. This DC voltage Eo passes through the resistor 23 and the diode 22 to the comparator 19.
Is combined with the DC voltage Eo1 from the control circuit to become the phase control voltage Ep, and controls the timing circuit 17. The capacitor 24 is for removing unnecessary ripple.

【0025】この具体的な動作を以下説明する。図2は
高圧負荷電流Iaの動きに対する電圧Em(パルスVm
の波高値に比例)の動きを表したものである。即ち図
6、図7でも説明した様に、高圧負荷電流Iaが増加す
ると、本来なら低下しようとする高圧HVを補償するた
めに、分圧抵抗15,比較器16,タイミング回路17
等で構成される位相制御回路が働き、補助パルスVm、
ひいては5のコレクタの帰線パルスVcの値を増加させ
ることによって補償している。従って、図2に示す様
に、補助パルスVm及び整流電圧Emの値は高圧負荷電
流Iaと共に増加し、従来例の図6の場合は破線で示す
様に上昇を続ける。
The specific operation will be described below. FIG. 2 shows the voltage Em (pulse Vm) with respect to the movement of the high-voltage load current Ia.
(Proportional to the peak value). That is, as described with reference to FIGS. 6 and 7, when the high-voltage load current Ia increases, the voltage-dividing resistor 15, the comparator 16, and the timing circuit 17
And the like, and the auxiliary pulse Vm,
This is compensated by increasing the value of the collector retrace pulse Vc by five. Accordingly, as shown in FIG. 2, the values of the auxiliary pulse Vm and the rectified voltage Em increase with the high-voltage load current Ia, and continue to rise as shown by the broken line in the case of FIG.

【0026】しかし、本発明の図1の場合は電圧Emが
基準電圧Es2を超えると回路状態が変化する。即ち、図
2で電圧Emが限界電流Ia1の点で基準電圧Es2に達し
たとする。この結果、図3に示す様に第2の比較器19
の出力Eo1は高圧負荷電流Iaが限界電流Ia1に達する
まではローレベルを保っているが、電流Iaが限界電流
Ia1を超えると整流電圧Emが基準電圧Es2を超えるの
で、ハイレベルに変わる。
However, in the case of FIG. 1 of the present invention, when the voltage Em exceeds the reference voltage Es2, the circuit state changes. That is, it is assumed that the voltage Em reaches the reference voltage Es2 at the point of the limit current Ia1 in FIG. As a result, as shown in FIG.
The output Eo1 is kept at a low level until the high-voltage load current Ia reaches the limit current Ia1, but when the current Ia exceeds the limit current Ia1, the rectified voltage Em exceeds the reference voltage Es2, and thus changes to a high level.

【0027】電圧Eo1がローレベルになっている間、即
ち高圧負荷電流Iaが限界電流Ia1以下になっている
時、ダイオード20はオフ、ダイオード22はオン状態
なので、比較器19の出力である直流電圧Eo1は、回路
全体の動作には関係なく、比較器16からの出力である
直流電圧Eoによってのみタイミング回路17が制御さ
れる。その結果、先に説明した様に補助パルスVmの値
を変化させることによって、高圧HVを高圧負荷電流I
aの値によらず一定化する安定化回路として動作する。
While the voltage Eo1 is at the low level, that is, when the high-voltage load current Ia is less than the limit current Ia1, the diode 20 is off and the diode 22 is on, so that the DC Regarding the voltage Eo1, the timing circuit 17 is controlled only by the DC voltage Eo output from the comparator 16 irrespective of the operation of the entire circuit. As a result, the high voltage HV is changed to the high voltage load current I by changing the value of the auxiliary pulse Vm as described above.
It operates as a stabilizing circuit that stabilizes regardless of the value of a.

【0028】次に、直流電圧Eo1がハイレベルになった
時、即ち高圧負荷電流Iaが限界電流Ia1以上になった
時、ダイオード20はオン状態になる。すると、補助パ
ルスVmの変化を受けて、整流回路18,比較器19、
ダイオード20、タイミング回路17の帰還回路が形成
され、補助パルスVmの波高値を一定化する働きをす
る。限界電流Ial以上で補助パルスVmが一定値に固定
されるということは、この先は高圧値が低下することを
意味するが、すると当然Ehvの値は基準電圧Es1より低
下するので、比較器16の出力である直流電圧Eoは図
4に示す様にローレベルになって、ダイオード22はオ
フ状態になり、回路は高圧安定化の作用を失う。
Next, when the DC voltage Eo1 goes to a high level, that is, when the high-voltage load current Ia exceeds the limit current Ia1, the diode 20 is turned on. Then, in response to the change of the auxiliary pulse Vm, the rectifier circuit 18, the comparator 19,
A feedback circuit including the diode 20 and the timing circuit 17 is formed, and functions to stabilize the peak value of the auxiliary pulse Vm. The fact that the auxiliary pulse Vm is fixed to a constant value above the limit current Ial means that the high voltage value decreases in the future, but the value of Ehv naturally drops below the reference voltage Es1, so that the comparator 16 The output DC voltage Eo becomes low level as shown in FIG. 4, the diode 22 is turned off, and the circuit loses the function of stabilizing high voltage.

【0029】この結果、図5に示す様に高圧HVの値
は、高圧負荷電流Iaが限界電流Ia1に達するまではほ
ぼ一定値を保つが、それ以上になると高圧発生電源とし
ての内部インピーダンスの為、高圧負荷電流Iaの増加
に従って徐々に低下して行く様な特性が得られる。な
お、ダイオード22は場合によっては省略できる。即
ち、この場合でも高圧負荷電流が限界電流Ia1以下の時
はダイオード20がオフ状態なので、直流電圧Eoがタ
イミング回路17に作用することによる高圧安定化動作
は変わらない。
As a result, as shown in FIG. 5, the value of the high voltage HV keeps a substantially constant value until the high voltage load current Ia reaches the limit current Ia1. Thus, such a characteristic is obtained that the voltage gradually decreases as the high-voltage load current Ia increases. Note that the diode 22 can be omitted in some cases. That is, even in this case, when the high-voltage load current is equal to or less than the limit current Ia1, the diode 20 is in the off state, so that the high-voltage stabilizing operation by the DC voltage Eo acting on the timing circuit 17 does not change.

【0030】高圧負荷電流Iaが限界電流Ia1を超えた
ときは、抵抗23に比べて抵抗21の値を十分小さく設
定すれば、位相制御電圧Epの動きにほとんど高圧変化
成分の直流電圧Eoは影響せず、タイミング回路17は
専ら電圧Emを一定化する動作を行う。又、勿論この高
圧負荷電流の限界電流Ia1は、基準電圧Es2の値を変え
ることにより微細に調節可能である。これによって、帰
線パルスVcに積み上げる成分である補助パルスVmの
最大値を規定しているので、この限界電流Ia1の値が大
きくばらつくことは無い。
When the high voltage load current Ia exceeds the limit current Ia1, if the value of the resistor 21 is set sufficiently smaller than the value of the resistor 23, the DC voltage Eo of the high voltage change component has almost no effect on the movement of the phase control voltage Ep. Instead, the timing circuit 17 performs an operation exclusively for stabilizing the voltage Em. Of course, the limit current Ia1 of the high-voltage load current can be finely adjusted by changing the value of the reference voltage Es2. Since the maximum value of the auxiliary pulse Vm, which is a component accumulated on the retrace pulse Vc, is thereby defined, the value of the limit current Ia1 does not greatly vary.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上詳記した様に、本発明の高圧電力制
限回路は、受像管の陽極電圧を供給する高圧発生回路に
おいて、高圧負荷電流が所定値を超えた時、確実に高圧
安定化作用を解除する事が出来るので、機器の最大電力
の削減、構成部品の信頼性の向上、受像管からのX線放
射の防止等の極めて優れた効果がある。
As described in detail above, the high-voltage power limiting circuit of the present invention is capable of reliably stabilizing a high-voltage power supply in a high-voltage generating circuit for supplying an anode voltage of a picture tube when a high-voltage load current exceeds a predetermined value. Since the operation can be canceled, there are extremely excellent effects such as reduction of the maximum power of the device, improvement of the reliability of the components, prevention of X-ray emission from the picture tube, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.

【図2】図1の動作を説明するための特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining the operation of FIG.

【図3】図1の動作を説明するための特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram for explaining the operation of FIG. 1;

【図4】図1の動作を説明するための特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining the operation of FIG. 1;

【図5】図1の動作を説明するための特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram for explaining the operation of FIG. 1;

【図6】従来例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional example.

【図7】図6の動作を説明するための波形図である。FIG. 7 is a waveform chart for explaining the operation of FIG. 6;

【図8】図6の動作を説明するための特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram for explaining the operation of FIG. 6;

【図9】図6の動作を説明するための波形図である。FIG. 9 is a waveform chart for explaining the operation of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 水平励振スイッチング素子(FET) 2 水平励振トランス 5 水平出力スイッチング素子(トランジスタ) 6,13 ダンパーダイオード 7,14 帰線共振コンデンサ 8 水平偏向コイル 9 S字補正コンデンサ 10 フライバックトランス 11 高圧整流ダイオード 12 補助水平出力スイッチング素子(FET) 15 高圧分圧抵抗 16,19 比較器 17 タイミング回路 18 整流回路(検出回路) Vosc 水平発振パルス Vc 帰線パルス Vm 補助パルス Vtm タイミングパルス Ib ベース電流 Iy 偏向電流 Ia 高圧負荷電流 Ia1 限界電流 E,Eb 直流電源電圧 Ehv 高圧検知電圧 Es1,Es2 基準電圧 Eo,Eo1 直流電圧(比較結果電圧) Ep 位相制御電圧 tr 帰線時間 tst 蓄積時間 T 補助出力FETがオフに転じる時点 REFERENCE SIGNS LIST 1 horizontal excitation switching element (FET) 2 horizontal excitation transformer 5 horizontal output switching element (transistor) 6,13 damper diode 7,14 retrace resonance capacitor 8 horizontal deflection coil 9 S-shaped correction capacitor 10 flyback transformer 11 high voltage rectifier diode 12 Auxiliary horizontal output switching element (FET) 15 High voltage dividing resistor 16, 19 Comparator 17 Timing circuit 18 Rectifier circuit (detection circuit) Vosc Horizontal oscillation pulse Vc Retrace pulse Vm Auxiliary pulse Vtm Timing pulse Ib Base current Iy Deflection current Ia High voltage Load current Ia1 Limit current E, Eb DC power supply voltage Ehv High voltage detection voltage Es1, Es2 Reference voltage Eo, Eo1 DC voltage (comparison result voltage) Ep Phase control voltage tr Retrace time tst Accumulation time T When auxiliary output FET turns off

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一定周期でオンオフし、共振作用によって
その両端に正弦半波のパルスを発生する複数個のスイッ
チング素子と、 前記複数個のスイッチング素子の両端に発生したパルス
を実質的に加算して得られた合成パルスを昇圧整流して
直流高圧を得る高圧発生回路と、 前記複数個のスイッチング素子のうち少なくとも1個の
スイッチング素子のオンからオフになる時点を、前記合
成パルスのパルス期間の範囲内で制御する位相制御回路
と、 前記オフになる時点が制御されたスイッチング素子の両
端に発生したパルスの波高値を検出する検出回路と、 前記検出回路の出力が所定値を超えた場合には、前記位
相制御回路に対して前記オフになる時点を更に後方に動
かす様に動作し、前記パルスの波高値が所定値以上に上
昇しない様に制御する帰還回路とを備えたことを特徴と
する高圧電力制限回路。
1. A plurality of switching elements which are turned on / off at a constant cycle and generate half-sine-wave pulses at both ends thereof by a resonance action, and the pulses generated at both ends of the plurality of switching elements are substantially added. A high-voltage generation circuit that obtains a DC high voltage by boosting and rectifying the synthesized pulse obtained by the above-described method; and a time when at least one switching element of the plurality of switching elements is turned on to off is defined as a pulse period of the synthesized pulse. A phase control circuit that controls within a range, a detection circuit that detects a peak value of a pulse generated at both ends of the switching element whose turning-off time is controlled, and when an output of the detection circuit exceeds a predetermined value. Operates to move the time point of turning off to the phase control circuit further backward, and controls so that the peak value of the pulse does not rise above a predetermined value. A high voltage power limiting circuit, comprising:
JP27101098A 1998-09-25 1998-09-25 High-voltage power limiting circuit Pending JP2000102250A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27101098A JP2000102250A (en) 1998-09-25 1998-09-25 High-voltage power limiting circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27101098A JP2000102250A (en) 1998-09-25 1998-09-25 High-voltage power limiting circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000102250A true JP2000102250A (en) 2000-04-07

Family

ID=17494163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27101098A Pending JP2000102250A (en) 1998-09-25 1998-09-25 High-voltage power limiting circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000102250A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0414184B1 (en) High voltage regulator circuit for picture tube
JPS6261186B2 (en)
JPH10201227A (en) High voltage generating circuitry
JPH09503366A (en) Horizontal deflection
EP0520141B1 (en) High voltage shutdown circuit
JP2000102250A (en) High-voltage power limiting circuit
GB2262822A (en) A synchronised switch-mode power supply
JP3646764B2 (en) Stabilized high voltage generator for CRT display
JPH11308477A (en) Deflection high voltage-integrated type power source
JP3239647B2 (en) High voltage generator
JPH05252409A (en) High voltage generating circuit
KR100202950B1 (en) High voltage feed back stabilization circuit of monitor
JP3728899B2 (en) High voltage generation circuit
US5650696A (en) Method and apparatus for protection of EHT and/or scan output stages in multiscan displays
JPH11127364A (en) Horizontal deflection circuit
KR100299844B1 (en) High Voltage Stabilization Circuit of Image Display Equipment
KR970067524A (en) Horizontal deflection output circuit
KR200145475Y1 (en) A high voltage regulation circuit of a monitor
KR200340403Y1 (en) display apparatus
EP1039744B1 (en) Circuit for stabilizing a high voltage
JPH0630291A (en) High voltage generating circuit
JPH05328157A (en) High voltage generating circuit
JPH07254996A (en) Horizontal deflection circuit
KR19990003585U (en) Stabilization Circuit of DC-DC Converter in Monitor
JPH0698189A (en) High voltage generating circuit