JP2000101237A - Build-up substrate - Google Patents

Build-up substrate

Info

Publication number
JP2000101237A
JP2000101237A JP26513298A JP26513298A JP2000101237A JP 2000101237 A JP2000101237 A JP 2000101237A JP 26513298 A JP26513298 A JP 26513298A JP 26513298 A JP26513298 A JP 26513298A JP 2000101237 A JP2000101237 A JP 2000101237A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
pattern
insulating layer
hole
build
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26513298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Suzuki
克彦 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP26513298A priority Critical patent/JP2000101237A/en
Publication of JP2000101237A publication Critical patent/JP2000101237A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve adhesion of a solid pattern and an insulating layer. SOLUTION: Concerning a build-up substrate 10 with which wiring patterns 18, 26 and 29 of plural layers are formed through insulating layers 17, 24 and 28 onto a wiring pattern 12 of a core substrate 11, the solid pattern 18 among the wiring patterns 18, 26 and 29 is provided with a through hole 40 for bridging the resins of the insulating layers 17 and 24. Thus, the resins of insulating layers are bridged to the through hole 40, and adhesion between the solid pattern 18 and the insulating layers 17 and 24 is improved. Besides, the moisture made into steam in the core substrate 11 or insulating layers is discharged to the outside by this through hole 40 and inter-layer release can be canceled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は層間剥離を解消しう
るビルドアップ基板に関する。
The present invention relates to a build-up substrate capable of eliminating delamination.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント基板において、ガラスエポキシ
材(ビスマトリアジン材、ポリイミド材等)をコアとし
て用い、この配線済のコア基板上に、絶縁層(主として
感光性樹脂層)と配線パターン層(銅めっき被膜による
配線パターン)がビア導通部を介して交互に積み上げら
れるビルドアップ基板が、高密度化基板として主流にな
りつつある。
2. Description of the Related Art In a printed circuit board, a glass epoxy material (bismatrazine material, polyimide material, etc.) is used as a core, and an insulating layer (mainly a photosensitive resin layer) and a wiring pattern layer (copper A build-up board in which wiring patterns (plating films) are alternately stacked via via conduction portions is becoming mainstream as a high-density board.

【0003】このビルドアップ基板は、一般的に、フォ
トリソグラフィー法などによりビア孔を形成した絶縁層
上に、めっき被膜を形成し、該めっき被膜をエッチング
して配線パターンを形成するため、配線ピッチを小さく
でき、ファインな配線パターンの形成が可能となる利点
を有する。
In general, this build-up substrate forms a wiring pattern by forming a plating film on an insulating layer in which a via hole is formed by a photolithography method, and etching the plating film to form a wiring pattern. And it is possible to form a fine wiring pattern.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、片面が
粗面に形成された銅箔を用いて配線パターンを形成する
場合に比して、上記ビルドアップ基板は、絶縁層上に無
電解めっき被膜を形成し、さらにこの無電解めっき被膜
上に電解めっきによりめっき被膜を積み上げるものであ
るため、絶縁層と配線パターンとの間の密着性に劣ると
いう課題がある。
However, as compared with the case where a wiring pattern is formed using a copper foil having a rough surface on one side, the build-up substrate has an electroless plating film on the insulating layer. Since this is formed and a plating film is further stacked on the electroless plating film by electrolytic plating, there is a problem that adhesion between the insulating layer and the wiring pattern is poor.

【0005】また、絶縁層中には水分が含有され、この
絶縁層中の水分が加熱試験等において水蒸気化し、その
ため、特にベタパターンの場合にはこの水蒸気の逃げ場
がなく、層間剥離が生じやすいなどの課題がある。
In addition, moisture is contained in the insulating layer, and the moisture in the insulating layer is turned into steam in a heating test or the like. Therefore, especially in the case of a solid pattern, there is no escape place of the steam, and delamination tends to occur. There are issues such as.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は上記課
題を解決すべくなされたもので、その目的とするところ
は、絶縁層と配線パターン間の密着性に優れるビルドア
ップ基板を提供するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a build-up substrate having excellent adhesion between an insulating layer and a wiring pattern. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係るビ
ルドアップ基板では、コア基板の配線パターン上に絶縁
層を介して複数層の配線パターンが形成されたビルドア
ップ基板において、前記配線パターンのうちのベタパタ
ーンに、前記絶縁層の樹脂をブリッジする貫通孔が設け
られていることを特徴としている。
The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, in the build-up board according to the present invention, in a build-up board in which a wiring pattern of a plurality of layers is formed on a wiring pattern of a core substrate via an insulating layer, Characterized in that a through hole for bridging the resin is provided.

【0008】上記のように、ベタパターンに貫通孔を設
けることによって、絶縁層の樹脂が貫通孔にブリッジ
し、これによりベタパターンと絶縁層との間の密着性が
向上する。またこの貫通孔によりコア基板や絶縁層中の
水蒸気化した水分が外部に排出され、層間剥離を解消で
きる。
As described above, by providing the through holes in the solid pattern, the resin of the insulating layer bridges the through holes, thereby improving the adhesion between the solid pattern and the insulating layer. In addition, the through holes allow the water vaporized in the core substrate and the insulating layer to be discharged to the outside, thereby eliminating delamination.

【0009】また本発明に係るビルドアップ基板では、
コア基板の配線パターン上に絶縁層を介して複数層の配
線パターンが形成されたビルドアップ基板において、前
記配線パターンのうちのベタパターンが、該ベタパター
ンに接する前記絶縁層に形成されたダミーのスルーホー
ルめっき被膜により隣接する層のパターンに連結されて
いることを特徴としている。
In the build-up board according to the present invention,
In a build-up substrate in which a plurality of wiring patterns are formed on a wiring pattern of a core substrate via an insulating layer, a solid pattern of the wiring patterns is a dummy pattern formed in the insulating layer in contact with the solid pattern. It is characterized by being connected to a pattern of an adjacent layer by a through-hole plating film.

【0010】ベタパターンがダミーのスルーホールめっ
き被膜を介して隣接する層のパターンと連結されるの
で、ベタパターンと絶縁層との間の密着性が向上する。
[0010] Since the solid pattern is connected to the pattern of the adjacent layer through the dummy through-hole plating film, the adhesion between the solid pattern and the insulating layer is improved.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を添
付図面に基づいて詳細に説明する。図1はビルドアップ
基板10の概略を示す断面図である。11はコア基板で
あり、ガラスエポキシ材からなる。このコア基板11の
両面には銅箔をエッチング加工することにより第1層の
配線パターン12、12が形成されている。この第1層
の配線パターン12、12は、所要エリアのベタパター
ンからなる電源層13、13と、導通部14、14とか
らなる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the build-up substrate 10. Reference numeral 11 denotes a core substrate made of a glass epoxy material. First-layer wiring patterns 12 are formed on both surfaces of the core substrate 11 by etching a copper foil. The first layer wiring patterns 12, 12 are composed of power supply layers 13, 13 formed of a solid pattern in a required area, and conductive portions 14, 14.

【0012】表裏の導通部14、14は、コア基板11
のスルーホールに形成されたスルーホールめっき被膜1
5により電気的に接続されている。また表裏の電源層1
3、13も図示しないスルーホールめっき被膜により適
宜個所で電気的に接続されている。
The conductive portions 14 on the front and back are connected to the core substrate 11.
Through-hole plating film 1 formed in through hole
5 are electrically connected. Power supply layer 1 on both sides
3 and 13 are also electrically connected at appropriate places by through-hole plating films (not shown).

【0013】第1層の配線パターン12、12上には感
光性樹脂からなる絶縁層17、17が形成され、この絶
縁層17、17上に第2層の配線パターン18、18が
形成されている。第2層の配線パターン18、18は、
絶縁層17、17上に無電解銅めっきと電解銅めっきと
により所要厚さに形成された銅層をエッチング加工する
ことによって形成された、導通部19、19および所要
エリアからなる電源層20、20からなる。
On the first layer wiring patterns 12, 12, insulating layers 17, 17 made of photosensitive resin are formed. On the insulating layers 17, 17, second layer wiring patterns 18, 18 are formed. I have. The wiring patterns 18 of the second layer are
A power supply layer 20, which is formed by etching a copper layer formed to a required thickness by electroless copper plating and electrolytic copper plating on the insulating layers 17, 17 and comprising conductive portions 19, 19 and a required area; Consists of twenty.

【0014】各導通部14と導通部19とは、絶縁層1
7に設けたビア孔22(図2)に、上記銅層を形成する
際の無電解銅めっきと電解銅めっきとにより銅被膜(ビ
ア導通部)19aを形成することにより、該ビア導通部
19aにより電気的導通がとられる。
Each conductive portion 14 and conductive portion 19 are formed by insulating layer 1
7, a copper film (via conductive portion) 19a is formed by electroless copper plating and electrolytic copper plating when forming the copper layer, thereby forming the via conductive portion 19a. As a result, electrical conduction is achieved.

【0015】第2層の配線パターン18、18上には同
様に感光性樹脂からなる絶縁層24、24が形成され、
この絶縁層24、24上に第3層の配線パターン26、
26が形成されている。この第3層の配線パターン2
6、26は、前記と同様に絶縁層24、24上に無電解
銅めっきと電解銅めっきとにより所要厚さに形成された
銅層をエッチング加工することによって形成された信号
層27よりなる。この信号層27と導通部19との間も
適宜図2に示すのと同様なビア導通部によって電気的に
接続される。
Similarly, insulating layers 24, 24 made of a photosensitive resin are formed on the wiring patterns 18, 18 of the second layer.
On the insulating layers 24, 24, a third-layer wiring pattern 26,
26 are formed. This third layer wiring pattern 2
Reference numerals 6 and 26 each include a signal layer 27 formed by etching a copper layer formed on the insulating layers 24 and 24 to a required thickness by electroless copper plating and electrolytic copper plating in the same manner as described above. The signal layer 27 and the conductive portion 19 are also electrically connected by a via conductive portion similar to that shown in FIG.

【0016】第3層の配線パターン26、26上には同
様に感光性樹脂からなる絶縁層28、28が形成され、
この絶縁層28、28上に第4層の配線パターン29、
29が形成されている。この第4層の配線パターン2
9、29は、前記と同様に絶縁層28上に無電解銅めっ
きと電解銅めっきとにより所要厚さに形成された銅層を
エッチング加工することによって形成された信号層30
よりなる。この信号層30と信号層27との間も適宜図
2に示すのと同様なビア導通部によって電気的に接続さ
れる。
Similarly, insulating layers 28 and 28 made of a photosensitive resin are formed on the third-layer wiring patterns 26 and 26, respectively.
On the insulating layers 28, 28, a fourth layer wiring pattern 29,
29 are formed. This fourth layer wiring pattern 2
Reference numerals 9 and 29 denote signal layers 30 formed by etching a copper layer formed on the insulating layer 28 to a required thickness by electroless copper plating and electrolytic copper plating in the same manner as described above.
Consisting of The signal layer 30 and the signal layer 27 are also electrically connected by a via conduction portion similar to that shown in FIG.

【0017】上記のようにしてコア基板11上に多層の
配線パターンが形成される。上記実施の形態の最表層の
配線パターン30、30を覆って適宜ソルダーレジスト
層32、32が形成され、ビルドアップ基板10に完成
される。
As described above, a multilayer wiring pattern is formed on the core substrate 11. Solder resist layers 32, 32 are formed as appropriate to cover the outermost wiring patterns 30, 30 of the above-described embodiment, and the build-up substrate 10 is completed.

【0018】ビルドアップ基板10が半導体チップを搭
載するパッケージとして用いられる場合には、最表層に
半導体チップ(図示せず)が搭載されると共に、半導体
チップと最表層の配線パターン30のパッドとの間がワ
イヤ等により電気的接続がとられ、また反対側の最表層
の配線パターン30のパッドにはんだボール等のバンプ
(図示せず)が取り付けられて、該バンプにより実装基
板に実装される。
When the build-up substrate 10 is used as a package on which a semiconductor chip is mounted, a semiconductor chip (not shown) is mounted on the outermost layer, and the semiconductor chip and the pad of the wiring pattern 30 on the outermost layer are connected. Electrical connection is established by wires or the like, and a bump (not shown) such as a solder ball is attached to a pad of the wiring pattern 30 on the outermost layer on the opposite side, and the bump is mounted on a mounting board by the bump.

【0019】なお、電源層13、20のどちらかはグラ
ンド層として使用可能である。これら電源層13、20
と半導体チップおよびバンプとの間は、各層のビア導通
部を介して適宜電気的接続が取られることはもちろんで
ある。
Either of the power supply layers 13 and 20 can be used as a ground layer. These power supply layers 13 and 20
It is needless to say that electrical connection is appropriately established between the semiconductor chip and the bump via the via conduction portion of each layer.

【0020】そして、本実施の形態において特徴とする
ところは、ベタパターンからなる電源層13、20の適
所に複数の貫通孔40、40を形成したところにある。
貫通孔40は、図3に示すように、マトリクス状に適宜
数設けると好適である。なお、ベタパターンは電源層に
限定されず、信号層におけるダミーのベタパターンの場
合もあり、その場合、電源層同様に、上記貫通孔の形成
が有効となる。
The feature of the present embodiment lies in that a plurality of through holes 40 are formed at appropriate positions on the power supply layers 13 and 20 formed of a solid pattern.
As shown in FIG. 3, it is preferable to provide a suitable number of through holes 40 in a matrix. Note that the solid pattern is not limited to the power supply layer, and may be a dummy solid pattern in the signal layer. In this case, the formation of the through hole is effective similarly to the power supply layer.

【0021】このように、ベタパターンの電源層13、
20(特にめっきで形成される電源層20)に貫通孔を
設けることにより、樹脂からなる絶縁層17、24がこ
の貫通孔40を通じてブリッジされ、これにより電源層
18と絶縁層17、24との間の密着性は極めて良好と
なる。
As described above, the solid pattern power supply layer 13,
By providing a through-hole in 20 (particularly, power supply layer 20 formed by plating), insulating layers 17 and 24 made of resin are bridged through this through-hole 40, whereby power supply layer 18 and insulating layers 17 and 24 are connected. The adhesion between them is extremely good.

【0022】また、両電源層13、20に貫通孔40、
40が設けられていることにより、コア基板11、およ
び絶縁層17、17中に含有され、加熱試験等で水蒸気
化した水分は、該貫通孔40、40および上層の配線パ
ターン間を通じて外部に放出されるので、内部にストレ
スが生じず、層間剥離も好適に解消される。
Further, through holes 40,
With the provision of 40, water contained in the core substrate 11 and the insulating layers 17 and 17 and vaporized by a heating test or the like is released to the outside through the space between the through holes 40 and 40 and the upper wiring pattern. Therefore, no stress is generated inside, and delamination is suitably eliminated.

【0023】上記では、絶縁層17、24、28に感光
性樹脂を用いたが、通常の接着性を有する樹脂を塗布あ
るいは積層して絶縁層を形成してもよい。この場合、前
記ビア孔22はレーザー光により開口することができ
る。また、電源層13、20の数、および層間位置は上
記に限られることはない。さらに上記では、コア基板1
1の両面に配線パターンを多層に形成したが、コア基板
11の片面側に配線パターンを多層に形成するものであ
ってもよい。
In the above description, a photosensitive resin is used for the insulating layers 17, 24, and 28. However, a resin having ordinary adhesiveness may be applied or laminated to form the insulating layers. In this case, the via hole 22 can be opened by laser light. Further, the number of power supply layers 13 and 20 and the interlayer positions are not limited to the above. Further, in the above description, the core substrate 1
Although the wiring pattern is formed in multiple layers on both surfaces of the core substrate 11, the wiring pattern may be formed in multiple layers on one side of the core substrate 11.

【0024】図4は他の実施の形態を示す。本実施の形
態では、電源層に貫通孔40を形成するのが好ましくな
い場合、例えば半導体チップの直下に電源層を配置して
シールド効果を発揮させる場合などにおける、該電源層
と絶縁層との間の密着性を向上させる構造である。
FIG. 4 shows another embodiment. In the present embodiment, when it is not preferable to form the through-hole 40 in the power supply layer, for example, when the power supply layer is disposed immediately below the semiconductor chip to exert a shielding effect, the power supply layer and the insulating layer This is a structure that improves the adhesiveness between them.

【0025】図4において、42は絶縁層44上に形成
した信号層、46は信号層42を覆って形成した絶縁層
48上に形成したベタパターンからなる電源層である。
この電源層46上に絶縁層50が形成され、この絶縁層
50上にチップ搭載部52が形成されている。
In FIG. 4, reference numeral 42 denotes a signal layer formed on the insulating layer 44, and reference numeral 46 denotes a power supply layer composed of a solid pattern formed on the insulating layer 48 formed so as to cover the signal layer 42.
An insulating layer 50 is formed on the power supply layer 46, and a chip mounting portion 52 is formed on the insulating layer 50.

【0026】信号層42、電源層46、チップ搭載部5
2は前記と同様に、必要に応じてビア導通部(図示せ
ず)により電気的接続をとるようにして、絶縁層上に無
電解めっき、電解めっきによりめっき被膜を形成して、
該めっき被膜をエッチング加工することによって形成さ
れる。
Signal layer 42, power supply layer 46, chip mounting section 5
In the same manner as described above, an electrical connection is made by a via conduction portion (not shown) as necessary, and a plating film is formed on the insulating layer by electroless plating and electrolytic plating, as described above.
The plating film is formed by etching.

【0027】電源層46を半導体チップのシールド層と
して使用する場合には、前記の貫通孔40を形成するの
は好ましくない。そこで、絶縁層50に適宜複数のスル
ーホール54を形成し、絶縁層50上に上記めっき被膜
を形成する際に、このスルーホール54にもダミーのス
ルーホールめっき被膜56を形成し、該めっき被膜56
により、電源層46と絶縁層50上のめっき被膜とを機
械的に連結するようにする。そして、絶縁層50上のめ
っき被膜をエッチング加工して、上記チップ搭載部52
と、スルーホールめっき被膜56に連結する電気的に独
立したパターン58とを形成する。
When the power supply layer 46 is used as a shield layer of a semiconductor chip, it is not preferable to form the through-hole 40 described above. Therefore, a plurality of through-holes 54 are appropriately formed in the insulating layer 50, and when forming the plating film on the insulating layer 50, a dummy through-hole plating film 56 is also formed on the through-hole 54, and the plating film is formed. 56
Thereby, the power supply layer 46 and the plating film on the insulating layer 50 are mechanically connected. Then, the plating film on the insulating layer 50 is etched to form the chip mounting portion 52.
And an electrically independent pattern 58 connected to the through-hole plating film 56 is formed.

【0028】上記のように、電源層46はダミーのスル
ーホールめっき被膜56を介して上層のパターン58に
機械的に連結され、その間の絶縁層50を電源層46と
パターン58とで抱き込んでいるので、該絶縁層50と
電源層46との間の密着性は良好となる。
As described above, the power supply layer 46 is mechanically connected to the upper layer pattern 58 via the dummy through-hole plating film 56, and the insulating layer 50 therebetween is sandwiched between the power supply layer 46 and the pattern 58. Therefore, the adhesion between the insulating layer 50 and the power supply layer 46 is improved.

【0029】なお、電源層46は下層の信号層42が形
成されている層の独立したパターン(図示せず、すなわ
ち隣接するパターン)との間で上記と同様にスルーホー
ルめっき被膜により機械的に連結するようにしてもよ
い。さらに、スルーホール54をレーザー光により形成
する場合には、パターン58の連結対象は電源層46に
限定されず、例えば信号層42に形成されたダミーパタ
ーンとすることもできる。
The power supply layer 46 is mechanically formed by a through-hole plating film between an independent pattern (not shown, that is, an adjacent pattern) of the layer on which the lower signal layer 42 is formed in the same manner as described above. You may make it connect. Further, when the through hole 54 is formed by a laser beam, the connection target of the pattern 58 is not limited to the power supply layer 46, but may be a dummy pattern formed in the signal layer 42, for example.

【0030】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
Although the present invention has been described in detail with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the embodiments, and it is noted that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. Of course.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明に係るビルドアップ基板によれ
ば、ベタパターンと絶縁層との間の密着性を向上でき、
層間剥離を解消しうる。
According to the build-up substrate of the present invention, the adhesion between the solid pattern and the insulating layer can be improved,
It can eliminate delamination.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ビルドアップ基板の概略を示す断面図、FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a build-up substrate.

【図2】ビア導通部を示す説明図、FIG. 2 is an explanatory view showing a via conduction portion;

【図3】ベタパターンの貫通孔パターンの一例を示す説
明図、
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a solid pattern through-hole pattern;

【図4】他の実施形態を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ビルドアップ基板 11 コア基板 12 第1層の配線パターン 13 電源層 14 導通部 15 スルーホールめっき被膜 17 絶縁層 18 第2層の配線パターン 19 導通部 20 電源層 22 ビア孔 24 絶縁層 26 第3層の配線パターン 27 信号層 28 絶縁層 29 第4層の配線パターン 30 信号層 32 ソルダーレジスト層 40 貫通孔 42 信号層 44 絶縁層 46 電源層 48 絶縁層 50 絶縁層 52 チップ搭載部 54 スルーホール 56 スルーホールめっき被膜 58 パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Build-up board 11 Core board 12 1st-layer wiring pattern 13 Power supply layer 14 Conducting part 15 Through-hole plating film 17 Insulating layer 18 Second-layer wiring pattern 19 Conducting part 20 Power supply layer 22 Via hole 24 Insulating layer 26 Third Layer wiring pattern 27 Signal layer 28 Insulating layer 29 Fourth layer wiring pattern 30 Signal layer 32 Solder resist layer 40 Through hole 42 Signal layer 44 Insulating layer 46 Power supply layer 48 Insulating layer 50 Insulating layer 52 Chip mounting part 54 Through hole 56 Through-hole plating film 58 patterns

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コア基板の配線パターン上に絶縁層を介
して複数層の配線パターンが形成されたビルドアップ基
板において、 前記配線パターンのうちのベタパターンに、前記絶縁層
の樹脂をブリッジする貫通孔が設けられていることを特
徴とするビルドアップ基板。
1. A build-up board in which a wiring pattern of a plurality of layers is formed on a wiring pattern of a core substrate via an insulating layer, wherein a through-hole that bridges a resin of the insulating layer to a solid pattern of the wiring patterns. A build-up board having holes.
【請求項2】 コア基板の配線パターン上に絶縁層を介
して複数層の配線パターンが形成されたビルドアップ基
板において、 前記配線パターンのうちのベタパターンが、該ベタパタ
ーンに接する前記絶縁層に形成されたダミーのスルーホ
ールめっき被膜により隣接する層のパターンに連結され
ていることを特徴とするビルドアップ基板。
2. A build-up substrate having a plurality of wiring patterns formed on a wiring pattern of a core substrate via an insulating layer, wherein a solid pattern of the wiring patterns is formed on the insulating layer in contact with the solid pattern. A build-up substrate connected to a pattern of an adjacent layer by a formed dummy through-hole plating film.
JP26513298A 1998-09-18 1998-09-18 Build-up substrate Pending JP2000101237A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26513298A JP2000101237A (en) 1998-09-18 1998-09-18 Build-up substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26513298A JP2000101237A (en) 1998-09-18 1998-09-18 Build-up substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000101237A true JP2000101237A (en) 2000-04-07

Family

ID=17413071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26513298A Pending JP2000101237A (en) 1998-09-18 1998-09-18 Build-up substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000101237A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002111231A (en) * 2000-10-03 2002-04-12 Toppan Printing Co Ltd Multilayer printed-wiring board
US7290333B2 (en) 2001-10-12 2007-11-06 Nec Corporation Manufacturing method of a multilayer printed wiring board
JP2008251578A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Printed wiring board
WO2012014743A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 Substrate structure for vehicle-mounting electronic device
WO2013021834A1 (en) * 2011-08-09 2013-02-14 住友電工プリントサーキット株式会社 Printed circuit board wiring-integrated sheet, printed circuit board formed using printed circuit board wiring-integrated sheet, and manufacturing method for printed circuit board wiring-integrated sheet
US9332658B2 (en) 2013-08-20 2016-05-03 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board
WO2016114170A1 (en) * 2015-01-15 2016-07-21 株式会社村田製作所 Probe card and multilayer wiring board with which said probe card is provided

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002111231A (en) * 2000-10-03 2002-04-12 Toppan Printing Co Ltd Multilayer printed-wiring board
US7290333B2 (en) 2001-10-12 2007-11-06 Nec Corporation Manufacturing method of a multilayer printed wiring board
JP2008251578A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Furukawa Electric Co Ltd:The Printed wiring board
WO2012014743A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 Substrate structure for vehicle-mounting electronic device
JP2012033664A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Hitachi Automotive Systems Ltd Substrate structure used in automotive electronic apparatus
WO2013021834A1 (en) * 2011-08-09 2013-02-14 住友電工プリントサーキット株式会社 Printed circuit board wiring-integrated sheet, printed circuit board formed using printed circuit board wiring-integrated sheet, and manufacturing method for printed circuit board wiring-integrated sheet
JP2013038265A (en) * 2011-08-09 2013-02-21 Sumitomo Electric Printed Circuit Inc Printed wire aggregate sheet, printed wiring board formed using printed wire aggregate sheet, manufacturing method of printed wire aggregate sheet
CN103202106A (en) * 2011-08-09 2013-07-10 住友电工印刷电路株式会社 Printed circuit board wiring-integrated sheet, printed circuit board formed using printed circuit board wiring-integrated sheet, and manufacturing method for printed circuit board wiring-integrated sheet
US9332658B2 (en) 2013-08-20 2016-05-03 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board
WO2016114170A1 (en) * 2015-01-15 2016-07-21 株式会社村田製作所 Probe card and multilayer wiring board with which said probe card is provided

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5719749A (en) Printed circuit assembly with fine pitch flexible printed circuit overlay mounted to printed circuit board
JP3407274B2 (en) Improved polytetrafluoroethylene thin film chip carrier
US6731004B2 (en) Electronic device and method of producing same
KR20010020468A (en) Sequentially built integrated circuit package
JP2003174265A (en) Multilayer wiring circuit substrate
JP2003101243A (en) Multilayer wiring board and semiconductor device
JP2007081157A (en) Multilevel wiring substrate and its manufacturing method
JP3577421B2 (en) Package for semiconductor device
JP2016063130A (en) Printed wiring board and semiconductor package
TW201448692A (en) Embedded high density interconnection printed circuit board and method for manufacturing same
US7157646B2 (en) Circuitized substrate with split conductive layer, method of making same, electrical assembly utilizing same, and information handling system utilizing same
JP3592129B2 (en) Manufacturing method of multilayer wiring board
JP2000101237A (en) Build-up substrate
US6465890B1 (en) Integrated circuit package having offset segmentation of package power and/or ground planes and methods for reducing delamination in integrated circuit packages
JP2000353765A (en) Wiring board and chip module provided therewith
US6207354B1 (en) Method of making an organic chip carrier package
JP2000261147A (en) Multilayer wiring board and manufacture thereof
US20040105955A1 (en) Lamination process and structure of high layout density substrate
JP3617073B2 (en) Electronic component mounting substrate and method for manufacturing the same
JP3925100B2 (en) Multilayer printed circuit board
JP4176283B2 (en) Manufacturing method of flexible fine multilayer circuit board
JP3959697B2 (en) Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and wiring board
JPH05251869A (en) Multilayered printed wiring board
JPH09237802A (en) Electric component
JPH07249876A (en) Multilayer printed board with metal core

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050215

A521 Written amendment

Effective date: 20050405

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050913