JP2000100004A - Production of optical memory medium - Google Patents

Production of optical memory medium

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JP2000100004A
JP2000100004A JP10267165A JP26716598A JP2000100004A JP 2000100004 A JP2000100004 A JP 2000100004A JP 10267165 A JP10267165 A JP 10267165A JP 26716598 A JP26716598 A JP 26716598A JP 2000100004 A JP2000100004 A JP 2000100004A
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Japan
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dielectric layer
layer
film forming
transparent resin
resin substrate
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JP10267165A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Deguchi
浩司 出口
Kazunori Ito
和典 伊藤
Nobuaki Onaki
伸晃 小名木
Katsunari Hanaoka
克成 花岡
Hiroko Tashiro
浩子 田代
Kiyoto Shibata
清人 柴田
Yasutomo Aman
康知 阿萬
Yuji Miura
裕司 三浦
Wataru Otani
渉 大谷
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deformation of a substrate even when a thin substrate is used and a film is formed by sputtering, and to efficiently produce an optical disk or the like. SOLUTION: In a first film forming device 1, a first dielectric layer 15, recording layer 16 and second dielectric layer 17 are successively formed by sputtering on a transparent resin substrate 14, and then the substrate is taken out into air and exposed to air for a specified time for cooling so as to remove damages added to the transparent resin substrate 14 by plasma during the first dielectric layer 15, recording layer 16 and second dielectric layer 17 are formed by sputtering. The transparent resin substrate 14 on which layers up to the second dielectric layer 17 are formed and cooled is sent to a second film forming device 2, where a reflection heat-radiating layer 18 is formed on the second dielectric layer 17. Thus, influences of damages due to plasma are reduced to decrease deformation of the transparent resin substrate 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスク等の
多層構造を有する光メモリ媒体の作製方法、特に作成し
た光メモリ媒体の変形の防止に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical memory medium having a multilayer structure, such as an optical disk, and more particularly to a method for preventing deformation of the manufactured optical memory medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば光ディスクの分野において、高密
度記録を可能にするために光源のスポット径を小さくす
る必要があり、光学系に開口数が高いレンズを使用して
いる。このように開口数が高いレンズを使用するとレン
ズの焦点深度が浅くなることから、基板の厚さを薄くす
る必要があり、例えばDVDの場合は基板の厚さを0.
6mmと従来使用されている光ディスクより厚さが薄い
基板を使用している。
2. Description of the Related Art For example, in the field of optical disks, it is necessary to reduce the spot diameter of a light source in order to enable high-density recording, and a lens having a high numerical aperture is used in an optical system. When a lens having such a high numerical aperture is used, the depth of focus of the lens becomes shallow, so that it is necessary to reduce the thickness of the substrate.
A substrate having a thickness of 6 mm, which is thinner than a conventionally used optical disk, is used.

【0003】また、無機材料を用いた書換型光ディスク
のほとんどは、その成膜方法にスパッタリング法を用い
ている。スパッタリング法は成膜する材料と基板の間に
プラズマを発生させ、そのプラズマ粒子がターゲットに
衝突した際にターゲット材料から原子をたたき出して、
その原子が活性化された酸素ガスあるいは窒素ガスと反
応してそれぞれの酸化物や窒化物を基板に堆積する成膜
方法である。
[0003] Most rewritable optical disks using an inorganic material employ a sputtering method as a film forming method. The sputtering method generates plasma between the material to be formed and the substrate, and when the plasma particles collide with the target, strikes atoms from the target material,
This is a film forming method in which atoms react with activated oxygen gas or nitrogen gas to deposit respective oxides and nitrides on a substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】スパッタリング法は堆
積温度が低く、皮膜を容易に作ることができるが、プラ
ズマを用いることから、プラズマによる基板へのダメー
ジが少なからずある。DVDの場合もほとんどは同様な
成膜方法が用いられるが、基板厚が薄いため成膜時の基
板へのプラズマによるダメージによって基板が大きく変
形してしまうという短所がある。
In the sputtering method, the deposition temperature is low and a film can be easily formed. However, since plasma is used, there is considerable damage to the substrate by the plasma. In the case of DVDs, the same film formation method is used in most cases, but there is a disadvantage in that the substrate is greatly deformed due to plasma damage to the substrate during film formation because the substrate is thin.

【0005】この発明はかかる短所を改善し、薄い基板
を使用してスパッタリング法で成膜しても基板に変形が
生じることを防止し、効率良く光ディスク等を作成する
ことができる光メモリ媒体の作製方法を提供することを
目的とするものである。
[0005] The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and prevents the substrate from being deformed even when the film is formed by a sputtering method using a thin substrate, thereby producing an optical memory medium capable of efficiently producing an optical disk or the like. It is intended to provide a method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係る光メモリ
媒体の作製方法は、基板の表面に記録層を含んだ複数層
をスパッタリングで成膜して光メモリ媒体を作成する方
法において、基板の表面に複数層の一部を成膜してから
大気中で冷却した後、残りの層を成膜することを特徴と
する。
According to a method of manufacturing an optical memory medium according to the present invention, a method of manufacturing an optical memory medium by forming a plurality of layers including a recording layer on a surface of a substrate by sputtering. After a part of the plurality of layers is formed, the film is cooled in the air, and then the remaining layers are formed.

【0007】上記複数層の一部を成膜してから大気中で
冷却するときに、表面に露出した層を記録層としないほ
うが望ましい。
When a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the air, it is preferable that the layer exposed on the surface is not used as a recording layer.

【0008】また、上記複数層の一部を成膜してから大
気中で冷却するときに40℃以下の温度まで冷却すると
良い。さらに複数層の一部を成膜してから大気中で冷却
するときに、乾燥気体を吹き付けて強制冷却することが
望ましい。
Further, it is preferable to cool to a temperature of 40 ° C. or less when cooling in the air after forming a part of the plurality of layers. Furthermore, when cooling in the atmosphere after forming a part of the plurality of layers, it is desirable to blow dry gas to perform forced cooling.

【0009】さらに、複数層の一部を成膜してから大気
中で冷却した後、残りの層を成膜するときに、記録層を
含んだ複数層を1又は複数媒体分1つの基板に、基板を
静止した状態でスパッタリングで成膜すると良い。
Further, after a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the atmosphere, when forming the remaining layers, the plurality of layers including the recording layer are formed on one substrate for one or a plurality of media. It is preferable to form a film by sputtering while the substrate is stationary.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】この発明の光ディスク作成装置は
第1の成膜装置と第2の成膜装置を有する。第1の成膜
装置と第2の成膜装置は所定距離離れた位置に独立して
設けられ、それぞれ3種類の層を成膜することができ
る。第1の成膜装置と第2の成膜装置で透明樹脂基板に
第1誘電体層と記録層と第2誘電体層と反射放熱層及び
UV硬化樹脂層を積層して光ディスクを作成するとき
は、第1の成膜装置で透明樹脂基板に第1誘電体層と記
録層と第2誘電体層をそれぞれスパッタリング法により
順次成膜してから大気中に取り出して所定時間大気中に
さらして冷却し、第1誘電体層と記録層と第2誘電体層
をスパッタリングで成膜しているときにプラズマにより
透明樹脂基板に与えられたダメージを除去する。この第
2誘電体層までが成膜されて冷却された透明樹脂基板を
第2の成膜装置に取り込み、第2誘電体層の表面に反射
放熱層を成膜し、プラズマによるダメージの影響を少な
くして透明樹脂基板の変形量を低減する。この変形量が
低減された透明樹脂基板の反射放熱層の表面にUV硬化
樹脂を塗布して光ディスクを作成する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An optical disk producing apparatus according to the present invention has a first film forming apparatus and a second film forming apparatus. The first film forming apparatus and the second film forming apparatus are independently provided at positions separated by a predetermined distance, and can respectively form three types of layers. When an optical disk is formed by laminating a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, a reflective heat radiation layer, and a UV curable resin layer on a transparent resin substrate using the first film forming apparatus and the second film forming apparatus. Is a method in which a first dielectric layer, a recording layer, and a second dielectric layer are sequentially formed on a transparent resin substrate by a sputtering method in a first film forming apparatus, and then taken out into the air and exposed to the air for a predetermined time. After cooling, the first dielectric layer, the recording layer, and the second dielectric layer are formed by sputtering, so that the damage given to the transparent resin substrate by the plasma is removed. The transparent resin substrate on which the film up to the second dielectric layer has been formed and cooled is taken into a second film forming apparatus, and a reflective heat dissipation layer is formed on the surface of the second dielectric layer to reduce the influence of plasma damage. The amount of deformation of the transparent resin substrate is reduced by reducing the amount. The UV curable resin is applied to the surface of the reflective heat radiation layer of the transparent resin substrate in which the amount of the deformation is reduced to produce an optical disk.

【0011】[0011]

【実施例】図1はこの発明の一実施例の光ディスク作成
装置の構成図である。図に示すように、光ディスク作成
装置は第1の成膜装置1と第2の成膜装置2を有する。
第1の成膜装置1と第2の成膜装置2は所定距離離れた
位置に独立して設けられている。第1の成膜装置1は媒
体取込口3と第1成膜室4と第2成膜室5と第3成膜室
6及び媒体取出口7を有し、第2の成膜装置2は媒体取
込口8と第4成膜室9と第5成膜室10と第6成膜室1
1及び媒体取出口12を有し、第1の成膜装置1と第2
の成膜装置2はそれぞれ3種類の層を成膜することがで
きる。
FIG. 1 is a block diagram of an optical disk producing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the optical disk producing apparatus has a first film forming apparatus 1 and a second film forming apparatus 2.
The first film forming apparatus 1 and the second film forming apparatus 2 are independently provided at positions separated by a predetermined distance. The first film forming apparatus 1 has a medium inlet 3, a first film forming chamber 4, a second film forming chamber 5, a third film forming chamber 6, and a medium outlet 7; Denotes a medium inlet 8, a fourth film forming chamber 9, a fifth film forming chamber 10, and a sixth film forming chamber 1.
1 and a medium outlet 12, and the first film forming apparatus 1 and the second
Can form three types of layers, respectively.

【0012】この第1の成膜装置1と第2の成膜装置2
で成膜する相変化形光ディスク13は、図2の断面図に
示すように、透明樹脂基板14と第1誘電体層15と記
録層16と第2誘電体層17と反射放熱層18及びUV
硬化樹脂層19を有する。透明樹脂基板14はポリカー
ボネート等により直径120mm,厚さ0.6mmに形
成され、表面にトラッキング用の案内溝を有する。第1
誘電体層15と第2誘電体層17はZnS・SiO2
らなり、記録層16はAg−In−Sb−Teを積層
し、反射放熱層18はAl合金を順次積層して形成され
る。UV硬化樹脂層19は反射放熱層18にUV硬化樹
脂を塗布してUV硬化させて形成される。第1誘電体層
15と記録層16と第2誘電体層17及び反射放熱層1
8は高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜さ
れる。
The first film forming apparatus 1 and the second film forming apparatus 2
As shown in the cross-sectional view of FIG. 2, the phase-change optical disk 13 formed by the above-described method includes a transparent resin substrate 14, a first dielectric layer 15, a recording layer 16, a second dielectric layer 17, a reflective heat radiation layer 18, and a UV.
It has a cured resin layer 19. The transparent resin substrate 14 is formed of polycarbonate or the like to have a diameter of 120 mm and a thickness of 0.6 mm, and has a guide groove for tracking on the surface. First
The dielectric layer 15 and the second dielectric layer 17 are formed of ZnS.SiO 2 , the recording layer 16 is formed by stacking Ag-In-Sb-Te, and the reflective heat dissipation layer 18 is formed by sequentially stacking Al alloy. The UV curable resin layer 19 is formed by applying a UV curable resin to the reflective heat radiation layer 18 and curing the UV. First dielectric layer 15, recording layer 16, second dielectric layer 17, and reflective heat radiation layer 1
8 is formed by a high-frequency magnetron sputtering method.

【0013】上記のように構成された光ディスク13の
第1誘電体層15と記録層16と第2誘電体層17及び
反射放熱層18を第1の成膜装置1と第2の成膜装置2
で成膜するときの動作を説明する。まず、第1の成膜装
置1の媒体取込口3から透明樹脂基板14を取り込み第
1成膜室4に送り、透明樹脂基板14をターゲットに対
して静止対向させてスパッタリング法により透明樹脂基
板14の表面に第1誘電体層15を成膜する。この第1
誘電体層15が成膜された透明樹脂基板14を第2成膜
室5に送り、第1誘電体層15の表面にスパッタリング
法により記録層16を成膜する。この第1誘電体層15
と記録層16が成膜された透明樹脂基板14を第3成膜
室6に送り、記録層16の表面にスパッタリング法によ
り第2誘電体層17を成膜する。次ぎに、第1誘電体層
15と記録層16と第2誘電体層17を成膜した透明樹
脂基板14を媒体取出口7から大気中に取り出して所定
時間大気中にさらし自然冷却してから第2の成膜装置2
の媒体取込口8から取り込み第4成膜室9に送り、第2
誘電体層17の表面に反射放熱層18を成膜する。この
反射放熱層18が成膜された透明樹脂基板14を媒体取
出口12から取り出し、次工程のUV硬化樹脂の塗布工
程に送り、反射放熱層18の表面にUV硬化樹脂層19
を形成する。
The first dielectric layer 15, the recording layer 16, the second dielectric layer 17, and the reflective heat radiation layer 18 of the optical disk 13 configured as described above are used for the first film forming apparatus 1 and the second film forming apparatus. 2
The operation when forming a film will be described. First, the transparent resin substrate 14 is taken in from the medium inlet 3 of the first film forming apparatus 1 and is sent to the first film forming chamber 4, and the transparent resin substrate 14 is statically opposed to the target by the sputtering method. The first dielectric layer 15 is formed on the surface of the substrate. This first
The transparent resin substrate 14 on which the dielectric layer 15 is formed is sent to the second film forming chamber 5, and the recording layer 16 is formed on the surface of the first dielectric layer 15 by a sputtering method. This first dielectric layer 15
Then, the transparent resin substrate 14 on which the recording layer 16 is formed is sent to the third film forming chamber 6, and the second dielectric layer 17 is formed on the surface of the recording layer 16 by a sputtering method. Next, the transparent resin substrate 14 on which the first dielectric layer 15, the recording layer 16, and the second dielectric layer 17 are formed is taken out from the medium outlet 7 into the atmosphere, exposed to the air for a predetermined time, and naturally cooled. Second film forming apparatus 2
And taken into the fourth film forming chamber 9 through the medium inlet 8 of the second
A reflective heat dissipation layer 18 is formed on the surface of the dielectric layer 17. The transparent resin substrate 14 on which the reflective heat radiation layer 18 is formed is taken out from the medium outlet 12 and sent to the next step of applying a UV curable resin.
To form

【0014】この第1の成膜装置1と第2の成膜装置2
を使用して透明樹脂基板14に第1誘電体層15と記録
層16と第2誘電体層17及び反射放熱層18をスパッ
タリング法で成膜した後の透明樹脂基板14の変形量を
図3に示す。図3において、(A)は第1の成膜装置1
で第2誘電体層17を成膜し、第2の成膜装置2で反射
放熱層18を成膜した場合、(B)は比較のため、従来
使用されている1つ成膜装置で反射放熱層18までを成
膜した場合を示す。図3に示すように、第1の成膜装置
1で第2誘電体層17を成膜してから大気中にさらして
自然冷却した後に第2の成膜装置2で反射放熱層18を
成膜した場合、透明樹脂基板14の変形量は1つ成膜装
置で反射放熱層18まで成膜した場合よりも50%以下
に低減することができた。すなわち、従来のように1つ
成膜装置で反射放熱層18まで成膜すると、連続して成
膜する各成膜工程でスパッタリングによりプラズマのダ
メージが蓄積され、その蓄積により透明樹脂基板14の
変形量が大きくなる。これに対して、第1の成膜装置1
で第2誘電体層17を成膜してから大気中にさらして自
然冷却すると、透明樹脂基板14に与えられたプラズマ
によるダメージの履歴を無くすことができ、このプラズ
マによるダメージの履歴を無くした状態で第2の成膜装
置2で反射放熱層18を成膜することにより、プラズマ
によるダメージの影響を少なくすることができ、透明樹
脂基板14の変形量を低減することができる。
The first film forming apparatus 1 and the second film forming apparatus 2
FIG. 3 shows the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 after the first dielectric layer 15, the recording layer 16, the second dielectric layer 17, and the reflective heat dissipation layer 18 were formed on the transparent resin substrate 14 by sputtering. Shown in In FIG. 3, (A) shows a first film forming apparatus 1.
In the case where the second dielectric layer 17 is formed and the reflective heat radiation layer 18 is formed by the second film forming apparatus 2, (B) shows the reflection by one conventionally used film forming apparatus for comparison. The case where the layers up to the heat radiation layer 18 are formed is shown. As shown in FIG. 3, after forming the second dielectric layer 17 in the first film forming apparatus 1, exposing it to the atmosphere and allowing it to cool naturally, the second film forming apparatus 2 forms the reflective heat dissipation layer 18. When the film was formed, the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 could be reduced to 50% or less than when the film was formed up to the reflective heat dissipation layer 18 by one film forming apparatus. That is, when the film is formed up to the reflective heat dissipation layer 18 by one film forming apparatus as in the related art, plasma damage is accumulated by sputtering in each successive film forming process, and the accumulation causes the deformation of the transparent resin substrate 14. The amount increases. On the other hand, the first film forming apparatus 1
When the second dielectric layer 17 is formed and then exposed to the air and cooled naturally, the history of damage caused by the plasma applied to the transparent resin substrate 14 can be eliminated, and the history of damage caused by the plasma is eliminated. By forming the reflective heat radiation layer 18 by the second film forming apparatus 2 in this state, the influence of plasma damage can be reduced, and the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 can be reduced.

【0015】そこで第1の成膜装置1で第2誘電体層1
7を成膜してから第2の成膜装置2で反射放熱層18に
取り込む前の第2誘電体層17まで成膜した透明樹脂基
板14を大気中にさらして冷却する時間を可変して、透
明樹脂基板14の温度を室温約25℃と30℃から90
℃まで冷却して第2の成膜装置2に取り込み反射放熱層
18を成膜した後、透明樹脂基板14の変形量を調べた
結果を図4に示す。図4に示すように、第2誘電体層1
7まで成膜した透明樹脂基板14の大気中にさらして自
然冷却した場合、80℃から90℃に冷却した場合は、
反射放熱層18を成膜した後の透明樹脂基板14の変形
量は大きくなっていて、第2誘電体層17まで成膜した
ときのプラズマによるダメージの影響が残っていると考
えられるが、40℃程度まで冷却すると反射放熱層18
を成膜した後の透明樹脂基板14の変形量を大幅に低減
することができ、第2誘電体層17まで成膜したときの
プラズマによるダメージの影響を小さくすることができ
る。
Therefore, the first dielectric layer 1 is
After the film 7 is formed, the transparent resin substrate 14 formed up to the second dielectric layer 17 before being taken into the reflective heat dissipation layer 18 by the second film forming apparatus 2 is exposed to the air and cooled for a variable time. The temperature of the transparent resin substrate 14 is set to about 25 ° C. and 30 ° C.
FIG. 4 shows the result of examining the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 after cooling to the second temperature and cooling the film to the second film forming apparatus 2 to form the reflective heat dissipation layer 18. As shown in FIG. 4, the second dielectric layer 1
In the case where the transparent resin substrate 14 on which the film is formed up to 7 is exposed to the atmosphere and naturally cooled, and when cooled from 80 ° C. to 90 ° C.,
The amount of deformation of the transparent resin substrate 14 after the formation of the reflective heat dissipation layer 18 is large, and it is considered that the influence of plasma damage when the film is formed up to the second dielectric layer 17 remains. When cooled to about ℃, the reflective heat dissipation layer 18
The amount of deformation of the transparent resin substrate 14 after the formation of the second dielectric layer 17 can be greatly reduced, and the influence of plasma damage when the second dielectric layer 17 is formed can be reduced.

【0016】上記実施例は第1の成膜装置1で第2誘電
体層17を成膜してから第2の成膜装置2に取り込む前
に、第2誘電体層17まで成膜した透明樹脂基板14を
大気中にさらして自然冷却した場合について説明した
が、第2誘電体層17まで成膜した透明樹脂基板14を
強制冷却しても良い。例えば、第2誘電体層17まで成
膜して第1の成膜装置1から取り出した透明樹脂基板1
4に乾燥空気を吹き付けて温度40℃まで強制冷却して
から第2の成膜装置2に取り込み反射放熱層18を成膜
した後の透明樹脂基板14の変形量を図5に示す。図5
において(A)は透明樹脂基板14を40℃まで強制冷
却した場合、(B)は透明樹脂基板14を40℃まで自
然冷却した場合を示す。図5に示すように第1の成膜装
置1から取り出した透明樹脂基板14に乾燥空気を吹き
付けて強制冷却した場合も、自然冷却した場合と同様に
反射放熱層18を成膜した透明樹脂基板14の変形量を
大幅に低減することができる。また、透明樹脂基板14
に乾燥空気を吹き付けて強制冷却した場合には、冷却時
間を短縮することができ、光ディスク13の作成時間を
大幅に短縮して効率良く作成することができる。
In the above embodiment, the first dielectric film 17 is formed in the first film forming apparatus 1 and before the second dielectric layer 17 is taken into the second film forming apparatus 2, the transparent film is formed up to the second dielectric layer 17. Although the case where the resin substrate 14 is exposed to the air and naturally cooled has been described, the transparent resin substrate 14 formed up to the second dielectric layer 17 may be forcibly cooled. For example, the transparent resin substrate 1 formed up to the second dielectric layer 17 and taken out of the first film forming apparatus 1
FIG. 5 shows the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 after blowing dry air onto the substrate 4 to forcibly cool it to a temperature of 40 ° C. and then taking it into the second film forming apparatus 2 to form the reflective heat radiation layer 18. FIG.
3A shows a case where the transparent resin substrate 14 is forcibly cooled to 40 ° C., and FIG. 3B shows a case where the transparent resin substrate 14 is naturally cooled to 40 ° C. As shown in FIG. 5, when the transparent resin substrate 14 taken out of the first film forming apparatus 1 is forcibly cooled by blowing dry air, the transparent resin substrate on which the reflective heat radiation layer 18 is formed is the same as in the case of natural cooling. 14 can be greatly reduced. Also, the transparent resin substrate 14
When forced cooling is performed by blowing dry air on the optical disk 13, the cooling time can be shortened, and the time required to create the optical disk 13 can be significantly reduced, and the optical disk 13 can be efficiently created.

【0017】上記実施例は第1の成膜装置1で第2誘電
体層17まで成膜し、第2の成膜装置2で反射放熱層1
8を成膜した場合について説明したが、第1の成膜装置
1で第1誘電体層15と記録層16を成膜し、第2の成
膜装置2で第2誘電体層17と反射放熱層18を成膜し
ても良い。このように第1の成膜装置1で第1誘電体層
15と記録層16を成膜し、40℃に冷却してから第2
の成膜装置2に取り込み第2誘電体層17と反射放熱層
18を成膜した場合も、反射放熱層18を成膜した透明
樹脂基板14の変形量を第1の成膜装置1で第2誘電体
層17まで成膜し、第2の成膜装置2で反射放熱層18
を成膜した場合と同様に低減することができた。
In the above embodiment, the first film forming apparatus 1 forms a film up to the second dielectric layer 17, and the second film forming apparatus 2 forms the reflective heat radiation layer 1.
8 was formed, the first dielectric layer 15 and the recording layer 16 were formed by the first film forming apparatus 1, and the second dielectric layer 17 was formed by the second film forming apparatus 2. The heat radiation layer 18 may be formed. As described above, the first dielectric layer 15 and the recording layer 16 are formed by the first film forming apparatus 1 and cooled to 40 ° C.
In the case where the second dielectric layer 17 and the reflective heat dissipation layer 18 are formed into the film, the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 on which the reflective heat dissipation layer 18 is formed is determined by the first film formation apparatus 1. 2 The film is formed up to the dielectric layer 17.
Could be reduced in the same manner as in the case of forming a film.

【0018】そして第1の成膜装置1で第2誘電体層1
7まで成膜し、第2の成膜装置2で反射放熱層18を成
膜した場合と、第1の成膜装置1で第1誘電体層15と
記録層16を成膜し、第2の成膜装置2で第2誘電体層
17と反射放熱層18を成膜した場合の記録再生特性を
調べた。ここで記録は、波長λ=635nmのレーザ光
を開口数0.6のレンズで集光し、線速度3.5m/s
で行い、記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はE
FM+(8/16)変調方式で行った。また、記録線密
度は0.267μm/bitとし、グルーブすなわち凹
凸の凹部に最適な条件の記録パワーを用いた。そして波
長λ=650nmのレーザ光と開口数0.6のレンズを
使用して再生し、ジッターを測定して評価した。その結
果、第1の成膜装置1で第2誘電体層17まで成膜し、
第2の成膜装置2で反射放熱層18を成膜した場合、ジ
ッターσ/Tw(Tw;ウインドウ幅)は8.6%であ
り、第1の成膜装置1で第1誘電体層15と記録層16
を成膜し、第2の成膜装置2で第2誘電体層17と反射
放熱層18を成膜した場合には、ジッターσ/Twは1
0.0%であり、第1の成膜装置1で第1誘電体層15
と記録層16を成膜して取り出し、記録層16を露出し
た状態で冷却する場合より、記録層16の表面に第2誘
電体層17を成膜してから冷却する場合のほうが良好な
信号を得ることができた。すなわち、無機材料を用いた
書換型光ディスクとしては光磁気ディスクと相変化光デ
ィスクがあるが、いずれの記録層の材料も酸素や窒素,
水等で汚染される。したがって記録層16の表面に第2
誘電体層17を成膜して記録層16の表面を大気中に露
出しないようにして記録層16の表面が汚染することを
防いだほうが良い。
Then, the second dielectric layer 1 is
7 and the reflective heat radiation layer 18 is formed by the second film forming apparatus 2, and the first dielectric layer 15 and the recording layer 16 are formed by the first film forming apparatus 1, The recording / reproducing characteristics when the second dielectric layer 17 and the reflective heat dissipation layer 18 were formed by the film forming apparatus 2 were examined. Here, recording is performed by condensing a laser beam having a wavelength λ = 635 nm with a lens having a numerical aperture of 0.6 and a linear velocity of 3.5 m / s.
The recording method uses a pulse modulation method, and the modulation method is E.
The measurement was performed by the FM + (8/16) modulation method. The recording linear density was 0.267 μm / bit, and the recording power under the optimum condition for the groove, ie, the concave and convex portions was used. Then, reproduction was performed using a laser beam having a wavelength of λ = 650 nm and a lens having a numerical aperture of 0.6, and jitter was measured and evaluated. As a result, a film is formed up to the second dielectric layer 17 by the first film forming apparatus 1,
When the reflective heat dissipation layer 18 is formed by the second film forming apparatus 2, the jitter σ / Tw (Tw; window width) is 8.6%, and the first dielectric layer 15 is formed by the first film forming apparatus 1. And recording layer 16
When the second dielectric layer 17 and the reflective heat dissipation layer 18 are formed by the second film forming apparatus 2, the jitter σ / Tw becomes 1
0.0%, and the first dielectric layer 15
A better signal is obtained when the second dielectric layer 17 is formed on the surface of the recording layer 16 and then cooled than when the recording layer 16 is formed and taken out and cooled with the recording layer 16 exposed. Could be obtained. That is, as rewritable optical disks using inorganic materials, there are a magneto-optical disk and a phase change optical disk.
Contaminated with water. Therefore, the second layer
It is better to form the dielectric layer 17 so that the surface of the recording layer 16 is not exposed to the atmosphere to prevent the surface of the recording layer 16 from being contaminated.

【0019】さらに、上記実施例は第1の成膜装置1と
第2の成膜装置2の各成膜室でRFマグネトロンスパッ
タリングにより成膜する場合について説明したが、DC
スパッタリングやイオンビームスパッタリングにより成
膜しても良い。例えばイオンビームスパッタリングによ
り第1の成膜装置1で第2誘電体層17まで成膜し、第
2の成膜装置2で反射放熱層18を成膜した場合の透明
樹脂基板14の変形量を図6に示す。図6において
(A)はイオンビームスパッタリングにより成膜した場
合、(B)はRFマグネトロンスパッタリングにより成
膜した場合を示す。図6に示すように、いずれのスパッ
タリング法により成膜しても、透明樹脂基板14の変形
量をほぼ同じように低減することができた。
Further, in the above embodiment, the case where the film is formed by the RF magnetron sputtering in each of the film forming chambers of the first film forming apparatus 1 and the second film forming apparatus 2 has been described.
The film may be formed by sputtering or ion beam sputtering. For example, the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 when the second dielectric layer 17 is formed by the first film forming apparatus 1 and the reflective heat dissipation layer 18 is formed by the second film forming apparatus 2 by ion beam sputtering is described below. As shown in FIG. 6A shows the case where the film is formed by ion beam sputtering, and FIG. 6B shows the case where the film is formed by RF magnetron sputtering. As shown in FIG. 6, the amount of deformation of the transparent resin substrate 14 could be reduced in almost the same manner, regardless of which of the sputtering methods was used.

【0020】また、上記実施例は1つの光ディスク13
の第1誘電体層15と記録層16と第2誘電体層17及
び反射放熱層18を透明樹脂基板14に成膜する場合に
ついて説明したが、複数の光ディスク13の第1誘電体
層15と記録層16と第2誘電体層17及び反射放熱層
18を1つの透明樹脂基板14に成膜しても良い。この
ように1つの透明樹脂基板14に複数の光ディスク13
の第1誘電体層15と記録層16等を成膜することによ
り、透明樹脂基板14をターゲットに対して静止対向さ
せてスパッタリング法で成膜するときに透明樹脂基板1
4に与えるダメージをより少なくすることができる。
In the above embodiment, one optical disk 13 is used.
The case where the first dielectric layer 15, the recording layer 16, the second dielectric layer 17, and the reflective heat dissipation layer 18 are formed on the transparent resin substrate 14 has been described. The recording layer 16, the second dielectric layer 17, and the reflective heat dissipation layer 18 may be formed on one transparent resin substrate 14. In this manner, the plurality of optical discs 13 are provided on one transparent resin substrate 14.
When the first dielectric layer 15 and the recording layer 16 are formed into a film, the transparent resin substrate 14 is formed by sputtering while the transparent resin substrate 14 is statically opposed to the target.
4 can be less damaged.

【0021】[0021]

【発明の効果】この発明は以上説明したように、基板の
表面に複数層の一部を成膜してから大気中で冷却して、
基板に与えられたプラズマによるダメージの履歴を無く
してから残りの層を成膜することにより、作成された光
メモリ媒体の変形量を低減することができる。
As described above, according to the present invention, a plurality of layers are partially formed on the surface of a substrate, and then cooled in the atmosphere.
Deformation of the remaining layer after eliminating the history of damage caused by plasma applied to the substrate can reduce the amount of deformation of the optical memory medium thus produced.

【0022】また、複数層の一部を成膜してから大気中
で冷却するときに、表面に露出した層を記録層としない
ことにより、形成した光メモリ媒体の記録再生特性が劣
化することを防ぐことができる。
Further, when a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the air, the recording / reproducing characteristics of the formed optical memory medium are prevented from deteriorating by not using the layer exposed on the surface as a recording layer. Can be prevented.

【0023】さらに、複数層の一部を成膜してから大気
中で冷却するときに40℃以下の温度まで冷却すること
により、作成された光メモリ媒体の変形量を大幅に低減
することができ、安定した光メモリ媒体を作成すること
ができる。
Furthermore, when a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the atmosphere to a temperature of 40 ° C. or less, the amount of deformation of the optical memory medium thus produced can be greatly reduced. Thus, a stable optical memory medium can be created.

【0024】また、複数層の一部を成膜してから大気中
で冷却するときに、乾燥気体を吹き付けて強制冷却する
ことにより、作成された光メモリ媒体の変形量を低減す
るとともに、光メモリ媒体の作成時間を短縮することが
でき、光メモリ媒体を効率良く作成できる。
Further, when a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the atmosphere, a dry gas is sprayed to forcibly cool the optical memory medium, thereby reducing the amount of deformation of the manufactured optical memory medium and reducing the amount of deformation. Can be shortened, and an optical memory medium can be efficiently created.

【0025】さらに、複数層の一部を成膜してから大気
中で冷却した後、残りの層を成膜するときに、複数の記
録層を含んだ複数層を、1つの基板に基板を静止した状
態でスパッタリングで成膜することにより、基板をター
ゲットに対して静止対向させてスパッタリング法で成膜
するときに、基板に与えるダメージをより少なくするこ
とができる。
Further, after a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the air, when forming the remaining layers, the plurality of layers including the plurality of recording layers are transferred to one substrate. By forming a film by sputtering in a stationary state, damage to the substrate can be further reduced when the film is formed by a sputtering method with the substrate stationary facing a target.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例の光ディスク作成装置の構成
図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical disk producing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】光ディスクの構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of an optical disc.

【図3】成膜した透明樹脂基板の変形量の分布図であ
る。
FIG. 3 is a distribution diagram of a deformation amount of a formed transparent resin substrate.

【図4】冷却温度を変えたときの透明樹脂基板の変形量
の分布図である。
FIG. 4 is a distribution diagram of a deformation amount of a transparent resin substrate when a cooling temperature is changed.

【図5】自然冷却と強制冷却をしたときの透明樹脂基板
の変形量の分布図である。
FIG. 5 is a distribution diagram of a deformation amount of a transparent resin substrate when natural cooling and forced cooling are performed.

【図6】異なるスパッタリング法で成膜したときの透明
樹脂基板の変形量の分布図である。
FIG. 6 is a distribution diagram of a deformation amount of a transparent resin substrate when films are formed by different sputtering methods.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の成膜装置 2 第2の成膜装置 3 媒体取込口 4 第1成膜室 5 第2成膜室 6 第3成膜室 7 媒体取出口 8 媒体取込口 9 第4成膜室 10 第5成膜室 11 第6成膜室 12 媒体取出口 13 光ディスク 14 透明樹脂基板 15 第1誘電体層 16 記録層 17 第2誘電体層 18 反射放熱層 19 UV硬化樹脂層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st film-forming apparatus 2 2nd film-forming apparatus 3 Medium inlet 4 1st film-forming chamber 5 2nd film-forming chamber 6 3rd film-forming chamber 7 Medium outlet 8 Medium inlet 9 Fourth structure Film chamber 10 Fifth film forming chamber 11 Sixth film forming chamber 12 Medium outlet 13 Optical disk 14 Transparent resin substrate 15 First dielectric layer 16 Recording layer 17 Second dielectric layer 18 Reflecting heat radiation layer 19 UV curable resin layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 花岡 克成 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 柴田 清人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 阿萬 康知 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 大谷 渉 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 5D121 AA01 AA03 EE03 EE27 EE28 EE29 GG01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Nobuaki Onagi 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Katsunari Hanaoka 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Share Inside Ricoh Company (72) Inventor Hiroko Tashiro 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Inside Ricoh Company (72) Inventor Kiyoto Shibata 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh Company (72) Inventor Yasumichi Aman 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Yuji Miura 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Wataru Otani 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo F-term in Ricoh Co., Ltd. (Reference) 5D121 AA01 AA03 EE03 EE27 EE28 EE29 GG01

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に記録層を含んだ複数層をス
パッタリングで成膜して光メモリ媒体を作成する方法に
おいて、 基板の表面に複数層の一部を成膜してから大気中で冷却
した後、残りの層を成膜することを特徴とする光メモリ
媒体の作製方法。
1. A method for forming an optical memory medium by forming a plurality of layers including a recording layer on a surface of a substrate by sputtering, wherein a part of the plurality of layers is formed on the surface of the substrate and then cooled in the air. And then forming the remaining layer.
【請求項2】 上記複数層の一部を成膜してから大気中
で冷却するときに表面に露出した層が記録層でない請求
項1記載の光メモリ媒体の作製方法。
2. The method for manufacturing an optical memory medium according to claim 1, wherein a layer exposed on the surface when a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the atmosphere is not a recording layer.
【請求項3】 上記複数層の一部を成膜してから大気中
で冷却するときに40℃以下の温度まで冷却する請求項
1又は2記載の光メモリ媒体の作製方法。
3. The method for manufacturing an optical memory medium according to claim 1, wherein when a part of the plurality of layers is formed and then cooled in the atmosphere, the temperature is cooled to a temperature of 40 ° C. or less.
【請求項4】 上記複数層の一部を成膜してから大気中
で冷却するときに、乾燥気体を吹き付けて強制冷却する
請求項1,2又は3記載の光メモリ媒体の作製方法。
4. The method for manufacturing an optical memory medium according to claim 1, wherein when cooling in the atmosphere after forming a part of said plurality of layers, forced drying is performed by blowing a dry gas.
【請求項5】 上記記録層を含んだ複数層を1又は複数
媒体分1つの基板に、基板を静止した状態でスパッタリ
ングで成膜する請求項1,2,3又は4記載の光メモリ
媒体の作製方法。
5. An optical memory medium according to claim 1, wherein a plurality of layers including the recording layer is formed on one substrate for one or a plurality of media by sputtering while the substrate is stationary. Method.
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