JP2000097912A - Surface analyzing apparatus - Google Patents

Surface analyzing apparatus

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JP2000097912A
JP2000097912A JP10265879A JP26587998A JP2000097912A JP 2000097912 A JP2000097912 A JP 2000097912A JP 10265879 A JP10265879 A JP 10265879A JP 26587998 A JP26587998 A JP 26587998A JP 2000097912 A JP2000097912 A JP 2000097912A
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JP
Japan
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sample
laser
mass
quadrupole
mass spectrometer
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JP10265879A
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Japanese (ja)
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Kazuhiro Karahashi
一浩 唐橋
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an apparatus for analyzing surface by laser-induced temperature rise desorption which can start measuring in a short time after a sample is set and is compact in total constitution. SOLUTION: A laser 7 and a mass spectrograph 5 constituting the surface- analyzing apparatus which utilizes an induced temperature rise desorption of adhering substances by the laser 7 radiating a laser light toward a sample 2 are arranged in series and set so that the laser light is radiated through an ion source 8 to the sample 2. At the same time, a means for differentially exhausting the mass spectrograph 5 to a sample chamber 1 is set. Since the mass spectrograph 5 is differentially exhausted with respect to the sample chamber 1, the sample 2 can be exchanged in a state while the mass spectrograph 5 is kept in high vacuum. Since not a high degree of vacuum is required for the sample chamber 1, it is enough to rough the sample chamber 1 for several minutes after the sample 2 is exchanged and open a gate valve 4 set between the sample chamber 1 and a mass spectrographic chamber 3 after the roughing. Accordingly, various kinds of samples 2 can be measured in a short time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は表面分析装置に関す
るものであり、特に、半導体素子製造プロセス等におい
て表面に付着した物質を分析するレーザ誘起昇温脱離に
よる表面分析装置を小型化するための配置構造、及び、
試料セット後の真空排気のための待ち時間を短縮するた
めの構成に特徴がある表面分析装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface analyzer, and more particularly, to a downsized surface analyzer by laser-induced thermal desorption for analyzing a substance attached to a surface in a semiconductor device manufacturing process or the like. Arrangement structure, and
The present invention relates to a surface analyzer characterized by a configuration for reducing a waiting time for evacuation after sample setting.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のIGFET(絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ)等の半導体素子の微細化はとどまると
ころを知らず、この様な半導体素子の製造プロセスにお
いてウェハ表面に付着した付着物、例えば、コロージョ
ン(corrosion)をもたらすCl(塩素)等の
付着物の分析は半導体素子製造プロセスの安定性及び製
造歩留りを向上させる上で不可欠になっている。
2. Description of the Related Art In recent years, the miniaturization of semiconductor devices such as IGFETs (insulated gate field effect transistors) has been unavoidable. In the manufacturing process of such semiconductor devices, deposits adhering to the wafer surface, for example, corrosion ( The analysis of deposits such as Cl (chlorine) which causes corrosion is indispensable for improving the stability and the production yield of the semiconductor device manufacturing process.

【0003】従来、この様なウェハ表面の付着物の分析
は、基板加熱を用いた昇温脱離法或いはX線光電子分光
法等の超高真空の雰囲気を必要とする装置を用いて行わ
れており、このため、分析対象となる試料を生産ライン
から取り出し、専用の分析装置を用いて分析を行う必要
がある。したがって、ウェハ表面の付着物が、どの製造
プロセスに由来するのかについての原因を特定するため
には、数時間の時間と多くの労力を必要としていた。
Conventionally, such an analysis of the deposits on the wafer surface has been carried out using a device requiring an ultra-high vacuum atmosphere such as a thermal desorption method using substrate heating or an X-ray photoelectron spectroscopy. Therefore, it is necessary to take out a sample to be analyzed from the production line and perform analysis using a dedicated analyzer. Therefore, it took several hours and much effort to identify the cause of the manufacturing process from which the deposit on the wafer surface originated.

【0004】近年、この様なウェハ表面の付着物を局所
的に、短時間で且つ高感度で分析するために、レーザ誘
起によってウェハを昇温して付着物を脱離させ、この脱
離種を質量分析器で分析することによって付着物を同定
することのできるレーザ昇温脱離による表面分析装置が
開発されているので、ここで、図6を参照して従来のレ
ーザ昇温脱離による表面分析装置を説明する。
In recent years, in order to analyze such attached matter on the wafer surface locally, in a short time and with high sensitivity, the wafer is heated by laser induction to detach the attached matter. Has been developed by laser thermal desorption which can identify the deposits by analyzing with a mass spectrometer. Here, referring to FIG. The surface analyzer will be described.

【0005】図6参照 図6は、従来の表面分析装置の概略的構成図であり、こ
の表面分析装置は、分析対象となる試料32を収容する
試料室31と、質量分析器を収容する質量分析室35か
ら構成され、試料室31には観測用或いは試料や加工原
料ガス等の出し入れ用ポート等となる複数のポート34
が設けられており、その内に一つのポートを排気用ポー
ト33とし、この排気用ポート33を介して試料室31
はターボ分子ポンプに接続され、10-4Torr以上の
真空度に排気される。なお、本明細書において、「10
-4Torr以上の真空度」等という場合には、10-6
orr等の10-4Torrより高真空の真空度を意味す
る。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional surface analyzer. This surface analyzer includes a sample chamber 31 for storing a sample 32 to be analyzed and a mass for storing a mass analyzer. The sample chamber 31 includes a plurality of ports 34 serving as ports for observation or for taking in / out of a sample or a processing material gas.
One of the ports is used as an exhaust port 33, and the sample chamber 31 is connected through the exhaust port 33.
Is connected to a turbo-molecular pump and is evacuated to a degree of vacuum of 10 -4 Torr or more. In this specification, “10
-4 Torr or higher vacuum ”is 10 -6 T
It means a degree of vacuum higher than 10 -4 Torr such as orr.

【0006】一方、質量分析室35内には、電子衝撃に
より試料32からの脱離物質41をイオン化するイオン
源36、四重極37、及び、イオン検出部38とからな
る四重極型質量分析器が配置されており、また、ポート
34に対向するようにYAGレーザ等のレーザ光源39
が配置されている。
On the other hand, in the mass spectrometry chamber 35, a quadrupole type mass comprising an ion source 36 for ionizing a substance 41 desorbed from the sample 32 by electron impact, a quadrupole 37, and an ion detector 38 is provided. An analyzer is provided, and a laser light source 39 such as a YAG laser is
Is arranged.

【0007】この表面分析装置の分析原理を簡単に説明
すると、レーザ光源39から出射されたレーザ光40に
よって試料32の表面を局所的に昇温させ、試料32の
表面に付着した物質を昇温に伴って脱離させ、脱離した
脱離物質41の一部は質量分析室35方向に飛散し、イ
オン源36においてイオン化されると同時に、印加され
ているバイアスによってイオン化された脱離物質41は
四重極37の中に取り入れ、四重極37に対する所定の
印加バイアスに対応する質量数の物質種のみがイオン検
出部38で検出されることになる。即ち、四重極37に
印加するバイアスを変化させることによって、特定の質
量数の物質種のみをターゲットとして分析を行うことに
なる。
[0007] The analysis principle of this surface analyzer will be briefly described. The surface of a sample 32 is locally heated by a laser beam 40 emitted from a laser light source 39, and the substance attached to the surface of the sample 32 is heated. A part of the desorbed substance 41 is scattered in the direction of the mass spectrometry chamber 35, is ionized in the ion source 36, and is simultaneously ionized by the applied bias. Is taken into the quadrupole 37, and only the substance type having a mass number corresponding to a predetermined applied bias to the quadrupole 37 is detected by the ion detection unit 38. That is, by changing the bias applied to the quadrupole 37, the analysis is performed with only the target species having a specific mass number as the target.

【0008】また、この様なレーザ照射を利用した表面
分析装置としては、他の構成の表面分析装置も提案され
ており、例えば、試料に紫外レーザ光を照射し、試料表
面に付着した物質を直接イオン化し、イオン化した物質
種を質量分析することが提案(必要ならば、特開平6−
290732号公報参照)されている。なお、この提案
においては、レーザ光を質量分析器の方向から照射する
構成になっている。
As a surface analyzer using such laser irradiation, a surface analyzer having another configuration has been proposed. For example, a sample is irradiated with an ultraviolet laser beam to remove substances adhering to the sample surface. It is proposed to directly ionize and perform mass spectrometry on the ionized substance (if necessary, see Japanese Unexamined Patent Publication No.
290732). In this proposal, the laser beam is irradiated from the direction of the mass analyzer.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のレーザ
光を用いた表面分析装置においては、高感度で脱離種を
測定するためには、質量分析器を高真空の状態に保つ必
要があり、そのためには、試料を交換する毎に、質量分
析室を含む試料室系全体を数時間真空排気する必要があ
り、依然として、測定のために多くの時間を要するとい
う問題がある。
However, in a conventional surface analyzer using a laser beam, it is necessary to maintain the mass analyzer in a high vacuum state in order to measure the desorbed species with high sensitivity. Therefore, every time the sample is exchanged, it is necessary to evacuate the entire sample chamber system including the mass spectrometry chamber for several hours, and there is still a problem that much time is required for measurement.

【0010】また、上記の図6のレーザ誘起昇温脱離に
よる表面分析装置においては、レーザ光源と試料と質量
分析器をアライメントすることが重要であるが、このア
ライメントは容易ではなく、且つ、図に示すように質量
分析器を取り付けるポートと、レーザ光を照射するため
のポート、即ち、照射窓を別個に必要とするため、試料
前面の空間をかなりの比率で占有することになり、手軽
に使用できる分析装置ではないという問題がある。
In the above-described surface analysis apparatus using laser-induced thermal desorption shown in FIG. 6, it is important to align the laser light source, the sample, and the mass spectrometer. However, this alignment is not easy. As shown in the figure, a port for attaching the mass spectrometer and a port for irradiating the laser beam, that is, an irradiation window are required separately, so that the space in front of the sample is occupied at a considerable ratio, which is convenient. There is a problem that it is not an analyzer that can be used.

【0011】したがって、本発明は、試料セット後、短
時間で測定開始可能で、且つ、全体構成がコンパクトな
レーザ誘起昇温脱離による表面分析装置を提供すること
を目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a surface analysis apparatus by laser-induced thermal desorption that can start measurement in a short time after setting a sample and has a compact overall configuration.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図1を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図1参照 (1)本発明は、試料2にレーザ光を照射することによ
る付着物のレーザ誘起昇温脱離を利用した表面分析装置
において、レーザ7と質量分析器5を直列に配置してイ
オン源8を通してレーザ光を試料2に照射するように設
定するとともに、質量分析器5を試料室1に対して差動
排気する手段を設けたことを特徴とする。
FIG. 1 is an explanatory view of the principle configuration of the present invention. Referring to FIG. 1, means for solving the problems in the present invention will be described. See FIG. 1. (1) The present invention relates to a surface analyzer using laser-induced thermal desorption of attached matter by irradiating a sample 2 with a laser beam, in which a laser 7 and a mass analyzer 5 are arranged in series. A laser beam is set to be irradiated on the sample 2 through the ion source 8, and a means for differentially exhausting the mass spectrometer 5 to the sample chamber 1 is provided.

【0013】この様に、質量分析器5を試料室1に対し
て差動排気しているので、質量分析器5を高真空に保っ
た状態で試料2を交換することができ、また、試料室1
の真空度はそれ程高真空を要求されないので、試料2を
交換したのちの試料室1は数分間荒引きするだけで良
く、荒引きをしたのち、試料室1と質量分析室3との間
に設けたゲート弁4を開けるだけで良く、したがって、
短時間で各種の試料2の測定が可能になる。なお、この
場合の「イオン源8」とは、電子衝撃により脱離種をイ
オン化する部位を意味する。
As described above, since the mass spectrometer 5 is differentially evacuated to the sample chamber 1, the sample 2 can be exchanged while the mass spectrometer 5 is maintained at a high vacuum. Room 1
Since the degree of vacuum does not require a very high vacuum, the sample chamber 1 after exchanging the sample 2 only needs to be roughed for a few minutes, and after roughing, the space between the sample chamber 1 and the mass spectrometry chamber 3 is obtained. It is only necessary to open the provided gate valve 4, and therefore,
Various samples 2 can be measured in a short time. In this case, the “ion source 8” means a portion that ionizes the desorbed species by electron impact.

【0014】また、レーザ7と質量分析器5を直列に配
置してイオン源8を通してレーザ光を試料2に照射する
ように設定しているので、測定系のためには試料室1に
設けたポートの内の一つを占有するだけであるので分析
装置の全体構成をコンパクトにすることができ、且つ、
レーザ光の光軸と質量分析器5とを予め同軸上に直列に
配置しているので、正確なアライメントが不要になる。
Further, since the laser 7 and the mass analyzer 5 are arranged in series and the laser beam is irradiated on the sample 2 through the ion source 8, it is provided in the sample chamber 1 for the measurement system. Since only one of the ports is occupied, the overall configuration of the analyzer can be made compact, and
Since the optical axis of the laser beam and the mass spectrometer 5 are previously arranged coaxially in series, accurate alignment is not required.

【0015】(2)また、本発明は、上記(1)におい
て、質量分析器5が四重極型質量分析器であり、四重極
6の長手方向がレーザ光の照射方向に対して直交するよ
うに配置されていることを特徴とする。
(2) In the present invention, in the above (1), the mass analyzer 5 is a quadrupole mass analyzer, and the longitudinal direction of the quadrupole 6 is orthogonal to the irradiation direction of the laser beam. It is characterized by being arranged so that it may be.

【0016】この様に、質量分析器5として四重極型質
量分析器を用いることにより、特定の質量数の脱離種の
有無を短時間で測定することが可能になり、この場合、
四重極6の長手方向がレーザ光の照射方向に対して直交
するように配置しても良く、この場合には、レーザ光の
光軸に沿った方向の装置構成の長さを短くすることがで
きる。
As described above, by using a quadrupole mass spectrometer as the mass spectrometer 5, the presence or absence of a desorbed species having a specific mass number can be measured in a short time.
The quadrupole 6 may be arranged so that its longitudinal direction is orthogonal to the direction of laser light irradiation. In this case, the length of the device in the direction along the optical axis of the laser light should be reduced. Can be.

【0017】(3)また、本発明は、上記(1)におい
て、質量分析器5が四重極型質量分析器であり、四重極
6の長手方向がレーザ光の照射方向に対して平行になる
ように配置され、レーザ光が四重極型質量分析器を通し
て試料2に照射されることを特徴とする。
(3) In the present invention, in the above (1), the mass analyzer 5 is a quadrupole mass analyzer, and the longitudinal direction of the quadrupole 6 is parallel to the irradiation direction of the laser beam. And the laser beam is applied to the sample 2 through a quadrupole mass spectrometer.

【0018】この様に、質量分析器5として四重極型質
量分析器を用いた場合には、四重極6の長手方向がレー
ザ光の照射方向に対して平行になるように配置しても良
く、この場合には、全ての長手方向がレーザ光の光軸に
沿った方向となるので、ポート近傍の空間の占有面積を
少なくすることができる。
As described above, when a quadrupole mass analyzer is used as the mass analyzer 5, the quadrupole 6 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the laser beam irradiation direction. In this case, all the longitudinal directions are along the optical axis of the laser beam, so that the area occupied by the space near the port can be reduced.

【0019】また、この場合には、イオン源8を質量分
析器5と分離して試料2の表面により近づけることが可
能になるので、分析する試料2に対する立体角を大きく
することができ、それによって、より高感度で脱離種を
捕らえることができる。
In this case, since the ion source 8 can be separated from the mass analyzer 5 and can be brought closer to the surface of the sample 2, the solid angle with respect to the sample 2 to be analyzed can be increased. Thereby, the detached species can be captured with higher sensitivity.

【0020】(4)また、本発明は、上記(1)におい
て、質量分析器5が飛行時間型質量分析器であり、飛行
管の長手方向がレーザ光の照射方向に対して平行になる
ように配置され、レーザ光が飛行管を通して試料2に照
射されることを特徴とする。
(4) In the present invention, in the above (1), the mass analyzer 5 is a time-of-flight mass analyzer, and the longitudinal direction of the flight tube is parallel to the irradiation direction of the laser beam. And the sample 2 is irradiated with the laser beam through the flight tube.

【0021】この様に、質量分析器5として飛行時間型
質量分析器を用いても良いものであり、この場合には、
四重極型質量分析器を用いた場合に比べて装置全体の構
成が単純となり、また、異なる質量数の脱離種を同時に
測定することが可能になる。なお、この場合も、イオン
源8を質量分析器5と分離して試料2の表面により近づ
けることが可能になる。
As described above, a time-of-flight mass spectrometer may be used as the mass spectrometer 5. In this case,
Compared to the case where a quadrupole mass spectrometer is used, the configuration of the entire apparatus becomes simpler, and desorbed species having different mass numbers can be simultaneously measured. In this case as well, it becomes possible to separate the ion source 8 from the mass spectrometer 5 and bring it closer to the surface of the sample 2.

【0022】(5)また、本発明は、上記(1)乃至
(4)のいずれかにおいて、レーザ7が、波長を可変に
するための手段を備えていることを特徴とする。
(5) The present invention is characterized in that, in any one of the above (1) to (4), the laser 7 is provided with means for changing the wavelength.

【0023】この様に、レーザ7の波長を、例えば、二
次高調波発生装置等を用いて可変にすることによって、
試料2内の異なる材質の表面に付着した付着物を分離し
て分析することができる。
As described above, by making the wavelength of the laser 7 variable using, for example, a second harmonic generation device or the like,
It is possible to separate and analyze the deposits attached to the surfaces of different materials in the sample 2.

【0024】(6)また、本発明は、上記(1)乃至
(5)のいずれかにおいて、レーザ光を走査する走査反
射鏡を設けたことを特徴とする。
(6) Further, the present invention is characterized in that in any one of the above (1) to (5), a scanning reflector for scanning a laser beam is provided.

【0025】この様に、試料2に照射するレーザ光を走
査反射鏡によって、試料2の表面上を走査することによ
って、試料2の表面上での付着物の分布の測定が可能に
なる。
As described above, the distribution of the deposits on the surface of the sample 2 can be measured by scanning the surface of the sample 2 with the laser beam irradiated on the sample 2 by the scanning reflecting mirror.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】ここで、図2乃至図5を参照し
て、本発明の各実施の形態のレーザ誘起昇温脱離による
表面分析装置を説明するが、まず、図2を参照して、本
発明の第1の実施の形態を説明する。 図2参照 図2は、本発明の第1の実施の形態のレーザ誘起昇温脱
離による表面分析装置の概略的構成図であり、この表面
分析装置は、試料12を収容する試料室11と、四重極
質量分析器18を収容する質量分析室15から構成さ
れ、試料室11と質量分析室15とはゲート弁16を介
して接続されており、また、質量分析室15は、先端に
小孔(オリフィス)の開いているくちばし状隔離弁17
で試料室11と隔てられており、この質量分析室15の
他端の設けたポートには窓を介してYAGレーザからな
るレーザ光源22が設けられている。なお、レーザ光源
22としては、パルスレーザ或いは連続発振レーザのい
ずれを用いても良いものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Here, referring to FIG. 2 to FIG. 5, a surface analysis apparatus by laser-induced thermal desorption according to each embodiment of the present invention will be described. Next, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer by laser-induced thermal desorption according to the first embodiment of the present invention. This surface analyzer has a sample chamber 11 containing a sample 12 and a sample chamber 11. , A mass spectrometry chamber 15 accommodating a quadrupole mass spectrometer 18, the sample chamber 11 and the mass spectrometry chamber 15 are connected via a gate valve 16, and the mass spectrometry chamber 15 Beak isolation valve 17 with small orifice
A laser light source 22 made of a YAG laser is provided through a window at a port provided at the other end of the mass spectrometry chamber 15. As the laser light source 22, any of a pulse laser and a continuous wave laser may be used.

【0027】この四重極質量分析器18は、電子衝撃に
よって脱離種をイオン化すると共に加速するイオン源1
9、イオン化された脱離種を測定対象となる脱離種の質
量数に応じた所定の電界が印加された四重極20、及
び、設定した質量数の脱離種の到達の有無を検出するマ
ルチチャンネルプレート型のイオン検出部21によって
構成される。
This quadrupole mass analyzer 18 is an ion source 1 that ionizes and accelerates desorbed species by electron impact.
9. Detection of the quadrupole 20 to which a predetermined electric field corresponding to the mass number of the desorbed species to be measured is applied to the ionized desorbed species, and the presence or absence of the set mass number of the desorbed species. And a multi-channel plate-type ion detector 21.

【0028】また、この第1の実施の形態においては、
四重極質量分析器18は、四重極20の長手方向が図に
おいて矢印で示すレーザ光の照射方向と直交する様に配
置されており、レーザ光源22からのレーザ光はイオン
源19を通過して試料12に照射されることになる。な
お、電子衝撃によって脱離種をイオン化するイオン源1
9は、フィラメントとグリッド等を用いた熱陰極と同様
の構成となっているので、レーザ光の透過を妨げること
はない。
In the first embodiment,
The quadrupole mass analyzer 18 is arranged so that the longitudinal direction of the quadrupole 20 is orthogonal to the irradiation direction of the laser light indicated by the arrow in the figure, and the laser light from the laser light source 22 passes through the ion source 19. Thus, the sample 12 is irradiated. An ion source 1 for ionizing desorbed species by electron impact
9 has the same configuration as a hot cathode using a filament, a grid, and the like, and does not hinder the transmission of laser light.

【0029】また、この試料室11には、排気用ポート
13が設けられ、排気用ポート13を介して接続されて
いるターボ分子ポンプによって、10-3Torr以上の
真空度に排気される。また、試料室11には、複数のポ
ート14が設けられており、この内の一つのポートを利
用して質量分析室15が取り付けられている。
The sample chamber 11 is provided with an exhaust port 13, and the sample chamber 11 is evacuated to a degree of vacuum of 10 −3 Torr or more by a turbo-molecular pump connected through the exhaust port 13. A plurality of ports 14 are provided in the sample chamber 11, and a mass spectrometry chamber 15 is attached using one of these ports.

【0030】また、質量分析室15は、ターボ分子ポン
プによって別個に排気することによって試料室11より
高真空状態に保たれるとともに、四重極質量分析器18
自体もイオンポンプによって別個に排気することによっ
て10-7Torr以上の超高真空状態に保つようになっ
ている。
The mass spectrometry chamber 15 is kept in a higher vacuum state than the sample chamber 11 by separately evacuating by a turbo molecular pump, and the quadrupole mass spectrometer 18
The gas itself is separately evacuated by an ion pump to maintain an ultra-high vacuum of 10 −7 Torr or more.

【0031】この様に、試料室11と、四重極質量分析
器18及び質量分析室15とを独立に排気するように設
定しているので、差動排気することが可能になり、した
がって、試料12を交換する際には、ゲート弁16を閉
じて、四重極質量分析器18及び質量分析室15を高真
空に保った状態で、試料12の交換を行い、試料12を
セットした後、試料室11を数分間排気して10-3To
rr以上の真空度、例えば、10-4Torrにすれば良
く、排気後、ゲート弁16を開けることによって測定を
開始することが可能になる。
As described above, since the sample chamber 11, and the quadrupole mass spectrometer 18 and the mass spectrometry chamber 15 are set to be independently evacuated, differential exhaust can be performed. When the sample 12 is replaced, the gate valve 16 is closed, the sample 12 is replaced while the quadrupole mass spectrometer 18 and the mass spectrometry chamber 15 are kept in a high vacuum, and the sample 12 is set. The sample chamber 11 is evacuated for several minutes to 10 -3 To
The degree of vacuum may be set to rr or more, for example, 10 -4 Torr. After the evacuation, the measurement can be started by opening the gate valve 16.

【0032】即ち、試料12をセットした後の試料室1
1の真空度は、脱離種が他の気体分子に散乱されること
のないように、脱離種の平均自由行程が、試料12とく
ちばし状隔離弁17の先端の小孔までの距離より大きく
なる程度の真空度にすれば足りるものであり、試料12
とくちばし状隔離弁17の先端の小孔までの距離に依存
するものの、10-3Torr以上の真空度、例えば、1
-4Torr程度にすれば良いので、試料12の交換か
ら測定開始までの時間は数分程度で良く、従来より真空
引きのための待機時間を大幅に短縮することができる。
That is, the sample chamber 1 after setting the sample 12
The degree of vacuum of 1 is such that the mean free path of the desorbed species is smaller than the distance between the sample 12 and the small hole at the tip of the beak-shaped isolation valve 17 so that the desorbed species is not scattered by other gas molecules. It is sufficient if the degree of vacuum is so large that the sample 12
Although it depends on the distance to the small hole at the tip of the beak-shaped isolation valve 17, the degree of vacuum of 10 -3 Torr or more, for example, 1
Since the pressure may be set to about 0 -4 Torr, the time from the replacement of the sample 12 to the start of the measurement may be about several minutes, and the waiting time for evacuation can be greatly reduced as compared with the related art.

【0033】また、測定する場合には、レーザ光源22
からのレーザ光をイオン源19及びくちばし状隔離弁1
7の先端の小孔を介して試料12の表面に照射し、照射
によって試料12の表面が加熱されることによって試料
12の表面の付着物が脱離し、脱離した付着物、即ち、
脱離種は他の気体分子に散乱されることなくくちばし状
隔離弁17の先端の小孔から四重極質量分析器18に導
入され、イオン源19でイオン化されたのち四重極20
を介してイオン検出部21で検出されることになる。
When measuring, the laser light source 22
Source 19 and beak-shaped isolation valve 1
7, the surface of the sample 12 is irradiated through the small hole at the tip of the sample 7, and the surface of the sample 12 is heated by the irradiation.
The desorbed species is introduced into the quadrupole mass spectrometer 18 through the small hole at the tip of the beak-shaped isolation valve 17 without being scattered by other gas molecules, ionized by the ion source 19 and then quadrupole 20
Is detected by the ion detection unit 21 via.

【0034】また、この第1の実施の形態においては、
質量分析器として四重極質量分析器18を用いているの
で、特定の質量数の脱離種の有無を短時間で測定するこ
とが可能になり、さらに、四重極質量分析器18とレー
ザ光源22とが図において矢印で示すレーザ光の照射方
向に沿って直列に配置されているので、測定系のために
は1つのポートを使用するで良く、試料前面の空間の占
有比率を小さくすることができ、また、四重極質量分析
器18を構成する四重極20の長手方向がレーザ光の照
射方向に対して直交するように配置しているので、レー
ザ光軸に沿った測定系の長さが短くなるので、装置の全
体構成をコンパクトにすることができる。
In the first embodiment,
Since the quadrupole mass spectrometer 18 is used as the mass spectrometer, the presence or absence of a desorbed species having a specific mass number can be measured in a short time. Since the light source 22 and the light source 22 are arranged in series along the irradiation direction of the laser light indicated by the arrow in the drawing, one port may be used for the measurement system, and the occupation ratio of the space in front of the sample is reduced. Further, since the longitudinal direction of the quadrupole 20 constituting the quadrupole mass analyzer 18 is arranged so as to be orthogonal to the irradiation direction of the laser beam, the measurement system along the laser optical axis , The overall configuration of the device can be made compact.

【0035】次に、図3を参照して、本発明の第2の実
施の形態を説明する。 図3参照 図3は、本発明の第2の実施の形態のレーザ誘起昇温脱
離による表面分析装置の概略的構成図であり、上述の第
1の実施の形態の表面分析装置とは、四重極質量分析器
18の配置状態、及び、それに伴ってイオン検出部21
及びその他の構成が若干異なるだけであるので、排気系
等の説明は省略する。この表面分析装置は、試料12を
収容する試料室11と、四重極質量分析器18を収容す
る質量分析室15から構成され、試料室11と質量分析
室15とはゲート弁16を介して接続されており、質量
分析室15は、先端に小孔の開いているくちばし状隔離
弁17で試料室11と隔てられており、この質量分析室
15の他端の設けたポートには窓を介してYAGレーザ
からなるレーザ光源22が設けられている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer by laser-induced thermal desorption according to the second embodiment of the present invention. The surface analyzer of the first embodiment described above includes: The arrangement state of the quadrupole mass analyzer 18 and the ion detector 21
And other configurations are only slightly different, so that the description of the exhaust system and the like is omitted. This surface analyzer comprises a sample chamber 11 containing a sample 12 and a mass spectrometry chamber 15 containing a quadrupole mass analyzer 18. The sample chamber 11 and the mass spectrometer 15 are connected via a gate valve 16. The mass spectrometry chamber 15 is connected to the sample chamber 11 by a beak-shaped isolation valve 17 having a small hole at the end, and a port is provided at the other end of the mass spectrometry chamber 15. A laser light source 22 composed of a YAG laser is provided through the light source.

【0036】この場合の四重極質量分析器18は、四重
極20の長手方向がレーザ光の照射方向と平行になる様
に配置されており、それに伴ってイオン検出部21にも
レーザ光を通過させるために、マルチチャンネルプレー
トの中心に小孔23を設けており、レーザ光源22から
のレーザ光はイオン検出部21に設けた小孔23、四重
極20、及び、イオン源19を通過して試料12に照射
されることになる。
In this case, the quadrupole mass analyzer 18 is arranged so that the longitudinal direction of the quadrupole 20 is parallel to the irradiation direction of the laser beam, and accordingly, the ion detection unit 21 is also provided with the laser beam. Is provided at the center of the multi-channel plate, and the laser light from the laser light source 22 passes through the small hole 23, the quadrupole 20, and the ion source 19 provided in the ion detector 21. The sample 12 passes through and irradiates the sample 12.

【0037】また、この第2の実施の形態においては、
イオン源19を四重極質量分析器18から分離してゲー
ト弁16とくちばし状隔離弁17との間の空間に配置し
ているので、イオン源19と試料12との距離を短くす
ることができ、それによって、試料12、したがって、
脱離種に対するイオン源19の立体角が大きくなるの
で、試料12から脱離した脱離種をより高感度で捕らえ
ることが可能になる。
In the second embodiment,
Since the ion source 19 is separated from the quadrupole mass analyzer 18 and disposed in the space between the gate valve 16 and the beak-shaped isolation valve 17, the distance between the ion source 19 and the sample 12 can be reduced. So that sample 12, and thus,
Since the solid angle of the ion source 19 with respect to the desorbed species is increased, the desorbed species desorbed from the sample 12 can be captured with higher sensitivity.

【0038】また、この第2の実施の形態においては、
四重極質量分析器18を、四重極20の長手方向がレー
ザ光の照射方向と平行になる様に配置しているので、ポ
ートの近傍の空間の占有比率を上記の第1の実施の形態
より小さくすることができる。但し、レーザ光の光軸に
沿った方向の測定系の装置構成の長さが長くなる。
In the second embodiment,
Since the quadrupole mass spectrometer 18 is arranged so that the longitudinal direction of the quadrupole 20 is parallel to the irradiation direction of the laser beam, the occupancy ratio of the space near the port is determined according to the first embodiment. It can be smaller than the form. However, the length of the device configuration of the measurement system in the direction along the optical axis of the laser light becomes longer.

【0039】なお、上記の第2の実施の形態の説明にお
いては、イオン源19を四重極質量分析器18から分離
してゲート弁16とくちばし状隔離弁17との間の空間
に配置しているが、必ずしも必須ではなく、第1の実施
の形態と同様に四重極20に近接して設けても良いもの
である。
In the above description of the second embodiment, the ion source 19 is separated from the quadrupole mass analyzer 18 and arranged in the space between the gate valve 16 and the beak-shaped isolation valve 17. However, it is not essential, and may be provided close to the quadrupole 20 as in the first embodiment.

【0040】次に、図4を参照して、本発明の第3の実
施の形態を説明する。 図4参照 図4は、本発明の第3の実施の形態のレーザ誘起昇温脱
離による表面分析装置の概略的構成図であり、レーザ光
を試料12の表面に沿って走査するための走査ミラー2
4を設けた以外は上述の第1の実施の形態の表面分析装
置と同等の構成であるので、排気系等の説明は省略す
る。この表面分析装置は、試料12を収容する試料室1
1と、四重極質量分析器18を収容する質量分析室15
から構成され、試料室11と質量分析室15とはゲート
弁16を介して接続されており、質量分析室15は、先
端に小孔の開いているくちばし状隔離弁17で試料室1
1と隔てられており、この質量分析室15の他端側の空
間には走査ミラー24が設けられており、レーザ光源2
2はその光軸がレーザ光の照射方向にほぼ直交するよう
に配置されている。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a surface analysis apparatus using laser-induced thermal desorption according to a third embodiment of the present invention, and shows a scanning for scanning a laser beam along the surface of a sample 12. Mirror 2
Since the configuration is the same as that of the surface analyzer of the above-described first embodiment except that 4 is provided, the description of the exhaust system and the like is omitted. This surface analyzer is a sample chamber 1 containing a sample 12.
1 and a mass spectrometer 15 containing a quadrupole mass analyzer 18
The sample chamber 11 and the mass spectrometry chamber 15 are connected via a gate valve 16. The mass spectrometry chamber 15 is connected to the sample chamber 1 by a beak-shaped isolation valve 17 having a small hole at the end.
1, a scanning mirror 24 is provided in the space on the other end side of the mass spectrometry chamber 15, and the laser light source 2
2 is arranged so that its optical axis is substantially orthogonal to the direction of laser beam irradiation.

【0041】この場合、レーザ光源22からのレーザ光
を走査ミラー24によってほぼ90°偏向させるととも
に、走査ミラー24を所定角度の範囲内で回転させるこ
とによって、レーザ光を試料12の表面で走査するもの
であり、レーザ光を走査することによって、試料12の
表面に付着した付着物の試料表面上での分布を測定する
ことが可能になる。
In this case, the laser beam from the laser light source 22 is deflected by approximately 90 ° by the scanning mirror 24 and the scanning mirror 24 is rotated within a predetermined angle range, thereby scanning the laser beam on the surface of the sample 12. That is, by scanning with a laser beam, it becomes possible to measure the distribution of the deposits on the surface of the sample 12 on the sample surface.

【0042】また、この第3の実施の形態においては、
四重極質量分析器18を構成する四重極20の長手方向
がレーザ光の照射方向に対して直交するように配置する
とともに、レーザ光源22の長手方向もレーザ光の照射
方向に対して直交するように配置しているので、レーザ
光の照射方向に沿った測定系の装置構成の長さをさらに
短くすることができる。
Further, in the third embodiment,
The quadrupole 20 constituting the quadrupole mass analyzer 18 is arranged so that the longitudinal direction is orthogonal to the laser light irradiation direction, and the longitudinal direction of the laser light source 22 is also orthogonal to the laser light irradiation direction. The length of the device configuration of the measurement system along the laser beam irradiation direction can be further reduced.

【0043】次に、図5を参照して、本発明の第4の実
施の形態を説明する。 図5参照 図5は、本発明の第4の実施の形態のレーザ誘起昇温脱
離による表面分析装置の概略的構成図であり、質量分析
器として飛行時間型質量分析器25を用いた以外は、上
述の第2の実施の形態と同様であるので、説明を簡略に
する。この表面分析装置は、試料12を収容する試料室
11と、飛行時間型質分析器25を収容する質量分析室
15から構成され、試料室11と質量分析室15とはゲ
ート弁16を介して接続されており、質量分析室15
は、先端に小孔の開いているくちばし状隔離弁17で試
料室11と隔てられており、この質量分析室15の他端
の設けたポートには窓を介してYAGレーザからなるレ
ーザ光源22が設けられている。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer by laser-induced thermal desorption according to a fourth embodiment of the present invention, except that a time-of-flight mass analyzer 25 is used as a mass analyzer. Are the same as those in the above-described second embodiment, so that the description will be simplified. This surface analyzer comprises a sample chamber 11 containing a sample 12 and a mass spectrometer chamber 15 containing a time-of-flight quality analyzer 25. Connected to the mass spectrometer 15
Is separated from the sample chamber 11 by a beak-shaped isolation valve 17 having a small hole at the tip. A laser light source 22 composed of a YAG laser is provided through a window at a port provided at the other end of the mass spectrometry chamber 15. Is provided.

【0044】この飛行時間型質量分析器25は、飛行管
26と内部に配置されたマルチチャンネルプレート型の
イオン検出部21によって構成され、この場合、マルチ
チャンネルプレートの中心にはレーザ光を通過させる小
孔23が設けられている。なお、イオン源19は、上記
の第2の実施の形態と同様に、飛行時間型質量分析器2
5から分離してゲート弁16とくちばし状隔離弁17と
の間の空間に配置しているが、第1の実施の形態と同様
に質量分析器を構成する飛行管26の先端部の近傍に配
置しても良いものである。
The time-of-flight mass spectrometer 25 is composed of a flight tube 26 and a multi-channel plate type ion detector 21 disposed inside. In this case, a laser beam passes through the center of the multi-channel plate. A small hole 23 is provided. Note that the ion source 19 is provided with the time-of-flight mass spectrometer 2 in the same manner as in the second embodiment.
5 and is disposed in the space between the gate valve 16 and the beak-shaped isolation valve 17, but in the vicinity of the tip of the flight tube 26 constituting the mass analyzer as in the first embodiment. They may be arranged.

【0045】この第4の実施の形態においては、質量分
析器として飛行時間型質量分析器25を用いているの
で、四重極型質量分析器に比べて装置構成が簡単にな
り、また、この場合には、レーザ光としてパルスレーザ
光を用いる必要があるが、異なる質量数の脱離種を同時
に測定することが可能になる。
In the fourth embodiment, since the time-of-flight mass analyzer 25 is used as the mass analyzer, the apparatus configuration is simpler than that of the quadrupole mass analyzer, and In this case, it is necessary to use pulsed laser light as the laser light, but it becomes possible to simultaneously measure desorbed species having different mass numbers.

【0046】次に、上記の第1乃至第4の実施の形態に
共通の変形例を説明する。上記の第1乃至第4の実施の
形態の説明においては、単一の波長のレーザ光を用いて
いるが、波長を可変にしても良いものであり、例えば、
YAGレーザに対して二次高調波発生装置を組み合わせ
たり、或いは、YAGレーザと緑色光アルゴンレーザを
並列配置し、プリズムミラーを用いて両者の光軸が平行
に近接させることによって、1μm近傍の赤外線と50
0nm近傍の可視光とを照射することができる。
Next, a modified example common to the first to fourth embodiments will be described. In the description of the first to fourth embodiments, laser light of a single wavelength is used. However, the wavelength may be variable.
By combining a second harmonic generator with a YAG laser, or by arranging a YAG laser and a green-light argon laser in parallel and using a prism mirror to make the optical axes of the two close to each other in parallel, an infrared ray near 1 μm can be obtained. And 50
Irradiation with visible light near 0 nm can be performed.

【0047】この様に、レーザ光の波長を可変にした場
合、基板の材質により吸収する波長帯が異なるので、例
えば、500nm程度の光を使用するとシリコン層では
吸収されるためにシリコン表面が加熱されシリコン表面
に付着している付着物が脱離するが、SiO2 膜では殆
ど吸収されないのでSiO2 膜表面に付着している付着
物は脱離せず、したがって、試料12の表面における異
なった材質上の付着物を選択的に測定することができ
る。
As described above, when the wavelength of the laser beam is made variable, the wavelength band to be absorbed differs depending on the material of the substrate. For example, when light of about 500 nm is used, the silicon layer is absorbed, so that the silicon surface is heated. by deposits adhered to the silicon surface leaving Suruga, since hardly absorbed in the SiO 2 film deposits adhering to the SiO 2 film surface is not desorbed, thus, different in the surface of the sample 12 material The deposits on the top can be selectively measured.

【0048】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能であり、例えば、上記の
各実施の形態の説明においては、試料室及び質量分析室
をターボ分子ポンプで排気し、質量分析器をイオンポン
プで排気しているが、質量分析器の分子ターボポンプで
排気しても良いものであり、さらには、所定の排気容量
及び所定の到達真空度が得られるのであれば、どの様な
真空ポンプを用いても良いものである。
The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the configuration described in the embodiments, and various modifications are possible. In the description of the mode, the sample chamber and the mass spectrometry chamber are evacuated with a turbo molecular pump, and the mass analyzer is evacuated with an ion pump, but may be evacuated with a molecular turbo pump of the mass analyzer. Further, any vacuum pump may be used as long as a predetermined exhaust capacity and a predetermined ultimate vacuum degree can be obtained.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明によれば、試料を収容する試料室
と、質量分析器を収容する質量分析室とを独立に排気
し、質量分析室を試料室に対して差動排気した構成とし
ているので、試料を交換する際には、試料室のみを常圧
にして試料の交換を行い、試料交換後、試料室を数分間
荒引きするだけで測定開始が可能になるので、測定に要
する全時間を大幅に短縮することができ、また、レーザ
光源と質量分析器とを直列に配置しているので、装置の
全体構成がコンパクトにすることができ、それによっ
て、半導体素子製造プロセスにおける表面分析を手軽に
行うことができるようになるので、微細化が進む半導体
素子製造プロセスの安定性の向上及び製造歩留りの向上
に寄与するところが大きい。
According to the present invention, the sample chamber accommodating the sample and the mass spectrometer chamber accommodating the mass spectrometer are independently evacuated, and the mass spectrometer chamber is differentially evacuated to the sample chamber. Therefore, when exchanging the sample, the sample is exchanged with only the sample chamber at normal pressure, and after the sample exchange, measurement can be started only by roughing the sample chamber for several minutes, which is necessary for measurement. Since the total time can be greatly reduced, and the laser light source and the mass spectrometer are arranged in series, the overall configuration of the apparatus can be made compact. Since the analysis can be easily performed, it greatly contributes to the improvement of the stability and the manufacturing yield of the semiconductor device manufacturing process in which the miniaturization is advanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理的構成の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a basic configuration of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態の表面分析装置の概
略的構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態の表面分析装置の概
略的構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施の形態の表面分析装置の概
略的構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施の形態の表面分析装置の概
略的構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a surface analyzer according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】従来の表面分析装置の概略的構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional surface analyzer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 試料室 2 試料 3 質量分析室 4 ゲート弁 5 質量分析器 6 四重極 7 レーザ 8 イオン源 11 試料室 12 試料 13 排気用ポート 14 ポート 15 質量分析室 16 ゲート弁 17 くちばし状隔離弁 18 四重極質量分析器 19 イオン源 20 四重極 21 イオン検出部 22 レーザ光源 23 小孔 24 走査ミラー 25 飛行時間型質量分析器 26 飛行管 31 試料室 32 試料 33 排気用ポート 34 ポート 35 質量分析室 36 イオン源 37 四重極 38 イオン検出部 39 レーザ光源 40 レーザ光 41 脱離物質 Reference Signs List 1 sample chamber 2 sample 3 mass spectrometry chamber 4 gate valve 5 mass spectrometer 6 quadrupole 7 laser 8 ion source 11 sample chamber 12 sample 13 exhaust port 14 port 15 mass spectrometry chamber 16 gate valve 17 beak isolation valve 18 four Quadrupole mass spectrometer 19 Ion source 20 Quadrupole 21 Ion detector 22 Laser light source 23 Small hole 24 Scanning mirror 25 Time-of-flight mass spectrometer 26 Flight tube 31 Sample chamber 32 Sample 33 Exhaust port 34 Port 35 Mass spectrometer 36 Ion source 37 Quadrupole 38 Ion detector 39 Laser light source 40 Laser light 41 Desorbed substance

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料にレーザ光を照射することによる付
着物質のレーザ誘起昇温脱離を利用した表面分析装置に
おいて、レーザと質量分析器を直列に配置してイオン源
を通してレーザ光を試料に照射するように設定するとと
もに、前記質量分析器を試料室に対して差動排気する手
段を設けたことを特徴とする表面分析装置。
1. A surface analysis apparatus utilizing laser-induced thermal desorption of a substance adhering to a sample by irradiating the sample with a laser beam, wherein a laser and a mass analyzer are arranged in series, and the laser beam is applied to the sample through an ion source. A surface analyzer comprising: means for irradiating, and means for differentially evacuating the mass analyzer to a sample chamber.
【請求項2】 上記質量分析器が四重極型質量分析器で
あり、四重極の長手方向が上記レーザ光の照射方向に対
して直交するように配置されていることを特徴とする請
求項1記載の表面分析装置。
2. The mass spectrometer according to claim 1, wherein the mass spectrometer is a quadrupole mass spectrometer, and a longitudinal direction of the quadrupole is arranged to be orthogonal to an irradiation direction of the laser beam. Item 4. The surface analyzer according to Item 1.
【請求項3】 上記質量分析器が四重極型質量分析器で
あり、四重極の長手方向が上記レーザ光の照射方向に対
して平行になるように配置され、前記レーザ光が前記四
重極型質量分析器を通して試料に照射されることを特徴
とする請求項1記載の表面分析装置。
3. The mass spectrometer is a quadrupole mass spectrometer, and is arranged so that a longitudinal direction of the quadrupole is parallel to an irradiation direction of the laser light. The surface analyzer according to claim 1, wherein the sample is irradiated through a quadrupole mass spectrometer.
【請求項4】 上記質量分析器が飛行時間型質量分析器
であり、飛行管の長手方向が上記レーザ光の照射方向に
対して平行になるように配置され、前記レーザ光が前記
飛行管を通して試料に照射されることを特徴とする請求
項1記載の表面分析装置。
4. The mass spectrometer is a time-of-flight mass spectrometer, and is arranged such that a longitudinal direction of the flight tube is parallel to an irradiation direction of the laser beam, and the laser beam passes through the flight tube. The surface analyzer according to claim 1, wherein the surface analyzer is irradiated with the sample.
【請求項5】 上記レーザが、波長を可変にするための
手段を備えていることを特徴とする請求項1乃至4のい
ずれか1項に記載の表面分析装置。
5. The surface analyzer according to claim 1, wherein the laser has a means for changing a wavelength.
【請求項6】 上記レーザ光を走査する走査反射鏡を設
けたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に
記載の表面分析装置。
6. The surface analyzer according to claim 1, further comprising a scanning mirror for scanning the laser beam.
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