JP2000097658A - Aspherical reflex prototype - Google Patents

Aspherical reflex prototype

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JP2000097658A
JP2000097658A JP10266118A JP26611898A JP2000097658A JP 2000097658 A JP2000097658 A JP 2000097658A JP 10266118 A JP10266118 A JP 10266118A JP 26611898 A JP26611898 A JP 26611898A JP 2000097658 A JP2000097658 A JP 2000097658A
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JP
Japan
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reflex
prototype
axis
called
aspherical
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JP10266118A
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Japanese (ja)
Inventor
Hajime Ichikawa
元 市川
Takahiro Yamamoto
貴広 山本
Yusuke Fukuda
裕介 福田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately specify a measuring area even when reflex subtraction measurement using a null wavefront is used by using a reflect prototype which is set to the so-called 'base material' state against off-axis when a test surface is in the so-called off-axis state from the outside diameter. SOLUTION: The reflex surface 1a of a reflex prototype 1 is set at a size larger than the effective area of the test surface 2a of a work 2. When the surface 2a is an aspherical surface having the so-called off-axis shape, this condition is met by adopting the reflex prototype in the so-called base-material state as the reflex prototype 1. When the reflex prototype 1 is used, such rotation averaging as that shown by the arrow can be performed easily around the axis 3 of the aspherical surface at the time of measuring null interference. In addition, when eccentricity is required due to an optical surface formed on the rear surface of the work 2, the peculiar eccentricity (the eccentricity which is uniquely decided from the relative positional relation between the aspherical surface and rear surface and does not rely upon the outside diameter) of the aspherical surface having the off-axis shape can be measured with high accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は球面、及び非球面の
面形状を高精度に測定するための干渉計に用いられる、
レフ原器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for an interferometer for measuring spherical and aspherical surface shapes with high accuracy.
Reflex prototype.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、球面形状の計測には、フィゾー干
渉計やトワイマン・グリーン干渉計が用いられてきた。
これらの干渉計は基準面を必要とし、その基準面との比
較により、球面形状を計測するため、測定精度は基準面
の面精度を超えることが出来ない。
2. Description of the Related Art Conventionally, a Fizeau interferometer or a Twyman-Green interferometer has been used for measuring a spherical shape.
These interferometers require a reference surface, and measure the spherical shape by comparison with the reference surface. Therefore, the measurement accuracy cannot exceed the surface accuracy of the reference surface.

【0003】基準面を必要としない干渉計として、図9
に示すような、ピンホールによる回折波面を基準とする
Point-Diffraction-Interforometerが知られている。こ
の干渉計では、ピンホールの回折により生じた理想的な
球面波を基準波面として、球面形状の高精度な計測を実
現している。また、この方法では、球面の形状を高精度
に測定することは可能であったが、非球面の形状を測定
することは出来なかった。 Point-Diffraction-Interfo
rometer を用いて、非球面を計測する場合、ピンホール
で回折した球面波の曲率半径と被検非球面の曲率半径が
一致していれば間隔が粗い干渉縞が生じるが、非球面で
は場所によって曲率半径が異なるため、干渉縞間隔が粗
になる領域は一部であり、残りの領域では干渉縞間隔は
密になり計測が出来なくなる。
As an interferometer that does not require a reference plane, FIG.
Based on the wavefront diffracted by the pinhole as shown in
Point-Diffraction-Interforometer is known. This interferometer realizes highly accurate measurement of a spherical shape using an ideal spherical wave generated by diffraction of a pinhole as a reference wavefront. Further, with this method, it was possible to measure the shape of the spherical surface with high accuracy, but it was not possible to measure the shape of the aspherical surface. Point-Diffraction-Interfo
When measuring an aspheric surface using a rometer, if the radius of curvature of the spherical wave diffracted by the pinhole and the radius of curvature of the aspheric surface to be measured match, interference fringes with coarse intervals will occur. Since the radius of curvature is different, the region where the interference fringe interval is coarse is only a part, and in the remaining region, the interference fringe interval is dense and measurement cannot be performed.

【0004】それを解決するものとして、干渉縞間隔が
粗である部分のみを計測した後、被検非球面とピンホー
ルの位置関係を変化させて(図9の矢印がそれを表わ
す)干渉縞間隔が粗になる部分を変化させた後に再度計
測を行う、という工程を繰り返し、計測結果を合成する
ことにより非球面の形状を測定する、所謂「輪帯波面合
成」が知られている。
In order to solve the above problem, after measuring only the portion where the interference fringe interval is coarse, the positional relationship between the aspheric surface to be measured and the pinhole is changed (the arrow in FIG. 9 indicates this). A so-called "ring zone wavefront synthesis" is known in which the process of repeating the measurement after changing the portion where the interval becomes coarse is repeated, and the shape of the aspheric surface is measured by synthesizing the measurement results.

【0005】この方法によれば非球面のレフ原器は高精
度に校正される反面、波面合成により計測データを繋ぎ
あわせる為、測定時間が長くなり、量産性に劣る。した
がって、それを避ける為に、図10のように、この方法
で校正されたレフ原器1を使用して、ワーク2の被検面
2aをレフ原器1のレフ面1aに対して、ヌル素子4に
より生成されたヌル波面を介して比較減算を行う、所謂
「レフ減算」を採用する手法が、出願されている。
According to this method, the aspherical REF prototype is calibrated with high accuracy, but the measurement data is joined by wavefront synthesis, so that the measurement time becomes longer and mass productivity is poor. Therefore, in order to avoid this, as shown in FIG. 10, using the ref prototype 1 calibrated by this method, the test surface 2a of the work 2 is null-connected to the ref surface 1a of the ref prototype 1. A method has been filed which employs a so-called “Leff subtraction” in which comparison and subtraction are performed via a null wavefront generated by the element 4.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記輪
帯波面合成を行おうとした場合、レフ原器面の絶対校正
に加え、各計測データを繋ぎあわせる際の、各々の横座
標の整合性を採る必要が有った。また、このヌル波面に
よるレフ減算測定を用いる場合にも、干渉計により測定
している領域の特定を正確に行うことが難しいと言う問
題点も有った。
However, when attempting to synthesize the annular wavefront, in addition to the absolute calibration of the reflex prototype surface, the consistency of each abscissa at the time of joining each measurement data is taken. I needed to. In addition, also in the case of using the reflex subtraction measurement based on the null wavefront, there is a problem that it is difficult to accurately specify the area measured by the interferometer.

【0007】更に、実際に使用するワーク(製品)の外
径が非球面軸に対して対称で無い、所謂「オフアクシ
ス」な外形形状の場合、被検面とレフ面の横座標の整合
性を採るのも難しいと言う問題点が有った。本発明は上
記従来技術の欠点に鑑みなされたもので、非球面干渉計
で使用される、主にレフ原器のレフ面に関わる横座標の
整合性を高精度に図ることを目的とする。
Furthermore, in the case of a so-called "off-axis" external shape in which the outer diameter of the work (product) actually used is not symmetrical with respect to the aspherical axis, the consistency of the abscissas of the test surface and the reflex surface. There was a problem that it was difficult to take. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described drawbacks of the related art, and has as its object to achieve high-precision matching of abscissas mainly used for a reflex surface of a reflex prototype used in an aspherical interferometer.

【0008】[0008]

【課題を解決する為の手段】本発明では、上記目的を達
成するために、第1の手段として、「『光源から出射さ
れた測定用光束を被検面に照射し反射された前記測定用
光束と、前記光源から出射された所定の波面を有する参
照用光束とを互いに干渉させ、干渉により生じる干渉縞
の状態を検知することにより、前記被検面の面形状を計
測する、所謂干渉計』で使用される、前記被検面と同じ
形状のレフ面を有するレフ原器であって、前記被検面が
外径に対して所謂『オフアクシス』である場合に、前記
『オフアクシス』に対して所謂『母材』の状態としたこ
とを特徴とするレフ原器」を用いることとした。これに
より、ヌル波面によるレフ減算測定を用いる場合にも、
干渉計により測定している領域の特定を正確に行うこと
が可能になる。
According to the present invention, in order to achieve the above object, as a first means, "" a measuring light beam emitted from a light source is irradiated on a surface to be measured and reflected by the measuring light beam; A so-called interferometer for measuring a surface shape of the surface to be detected by causing a light beam and a reference light beam having a predetermined wavefront emitted from the light source to interfere with each other and detecting a state of interference fringes generated by the interference. Used in, a reflex prototype having a reflex surface having the same shape as the test surface, wherein the test surface is a so-called "off-axis" with respect to the outer diameter, the "off-axis" In contrast, a "reflection device characterized by being in a so-called" base material "state" was used. Thereby, even when using the reflex subtraction measurement by the null wavefront,
It is possible to accurately specify the area being measured by the interferometer.

【0009】第2の手段は、「『光源から出射された測
定用光束を被検面に照射し反射された前記測定用光束
と、前記光源から出射された所定の波面を有する参照用
光束とを互いに干渉させ、干渉により生じる干渉縞の状
態を検知することにより、前記被検面の面形状を計測す
る、所謂干渉計』で使用される、前記被検面と同じ形状
のレフ面を有するレフ原器であって、前記レフ面にマー
キングを設けたことを特徴とするレフ原器」を用いるこ
ととした。これにより、前記波面合成を行おうとした場
合、レフ原器面の絶対校正に加え、各計測データを繋ぎ
あわせる際の、各々の横座標の整合性を採ることが可能
になる。
The second means is composed of ““ a measuring light beam emitted from a light source onto a surface to be measured and reflected, and a reference light beam having a predetermined wavefront emitted from the light source. Have a reflex surface of the same shape as the test surface, which is used in a so-called interferometer that measures the surface shape of the test surface by detecting the state of interference fringes caused by the interference. A ref prototype, wherein a marking is provided on the ref surface, is used. Accordingly, when the wavefront synthesis is to be performed, in addition to the absolute calibration of the reference surface of the reflex, it is possible to take consistency of the respective abscissas when connecting the measurement data.

【0010】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。
In the section of the means for solving the above-mentioned problems, which explains the configuration of the present invention, the drawings of the embodiments of the present invention are used for easy understanding of the present invention. However, the present invention is not limited to this.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態及び実施例】−本発明によるレフ原
器の説明− 以下、図1を用いて本発明のレフ原器について説明す
る。通常図10のヌル波面を用いたレフ減算測定におい
ては、レフ減算時の位置合わせ誤差やエッジの部分の回
折による欠如を考慮して、レフ原器1のレフ面1aは、
ワーク2の被検面2aの有効領域よりも大きく設定する
必要が有る。この有効領域とは、ワークに要求される光
学的な規格を満足すべき領域である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS -Explanation of Reflex Prototype According to the Present Invention- Hereinafter, the reflex prototype of the present invention will be described with reference to FIG. Normally, in the reflex subtraction measurement using the null wavefront shown in FIG. 10, the refraction surface 1a of the reflex prototype 1 is set in consideration of the alignment error at the time of reflex subtraction and the lack of diffraction at the edge portion.
It must be set larger than the effective area of the test surface 2a of the work 2. The effective area is an area that satisfies the optical standard required for the work.

【0012】図2は、ワーク2が所謂オフアクシスな形
状の非球面の場合であり、それに対して、レフ原器1と
して所謂母材の状態のものを採用することにより、この
条件を満たしたものである。図1は、図2におけるレフ
原器1とワーク2を非球面軸3を回転して表した図であ
り、母材とオフアクシスの大小関係を表わしている。こ
の母材の状態のレフ原器を用いれば、非球面軸3を中心
として、図1の矢印で示すような回転平均化をヌル干渉
計測時に行うことが容易に可能となる利点を有する。
FIG. 2 shows a case where the work 2 is an aspherical surface having a so-called off-axis shape. In contrast, this condition is satisfied by adopting a so-called base material as the ref prototype 1. Things. FIG. 1 is a diagram illustrating the reflex prototype 1 and the workpiece 2 in FIG. 2 with the aspherical axis 3 being rotated, and shows the magnitude relationship between the base material and the off-axis. The use of the REF prototype in the state of the base material has an advantage that the rotation averaging around the aspherical axis 3 as indicated by an arrow in FIG.

【0013】さらに、裏面に光学面が形成されることに
より偏心が要求される場合、オフアクシスな形状の非球
面の固有偏心(非球面と裏面との相対的位置関係で一意
に定まる偏心であり、外径に依存しない)の高精度測定
が可能となる。 −本発明によるレフ原器の第一の実施例の説明− 図3のレフ原器は、図1で表わしたワーク2の有効領域
をカバーする領域を2個所設けた例である。このカバー
領域5は、前述したエッジの欠如を考慮して、ワークの
有効領域よりも均等に太らせて設定している。図のよう
に、この太らせ方を領域ごとに変えても良い。また図4
のように、個数は2個に限定する必要は無く、非球面軸
に対して点対称性を持たせても良い。図4は、カバー領
域が非球面軸をカバーしなくても良い場合の例である。
Further, when eccentricity is required by forming an optical surface on the back surface, the inherent eccentricity of the off-axis aspherical surface (the eccentricity uniquely determined by the relative positional relationship between the aspherical surface and the back surface). , Independent of the outer diameter). -Explanation of the first embodiment of the ref prototype according to the present invention- The ref prototype of FIG. 3 is an example in which two areas covering the effective area of the work 2 shown in FIG. 1 are provided. The cover area 5 is set to be evenly thicker than the effective area of the work in consideration of the lack of the edge described above. As shown in the figure, the method of thickening may be changed for each area. FIG. 4
It is not necessary to limit the number to two as described above, and point symmetry may be given to the aspherical axis. FIG. 4 shows an example in which the cover area does not need to cover the aspherical axis.

【0014】このカバー領域の形成は、ワークやレフ原
器の創製過程では、仮Agのような容易に除去可能なコ
ートを用いれば良いし、一端レフ原器が仕上がった段階
では、レフ原器の表面に所定の形状の開口を設けたマス
クを設置して、真空蒸着やスパッタリングなどの薄膜形
成法により部分的に薄膜をコートした領域を形成する
(マスク蒸着)ことによって形成することが出来る。 −本発明によるレフ原器の別の形態の説明− 図5のレフ原器1は、図9で示したPDI輪帯波面合成
に使用されるものである。図5では、輪帯データとし
て、中央部の円状データ1個と周辺部のドーナッツ状デ
ータ1個の、合計2個の干渉計測データの合成に使用さ
れるレフ原器の例である。この周辺部のドーナッツ状デ
ータの個数は、ワークの非球面形状の非球面量(最適近
似球面からの乖離)に依存して、増えることもある。
This cover area may be formed by using a coat which can be easily removed, such as temporary Ag, in the process of creating a work or a ref prototype. The mask can be formed by providing a mask having an opening of a predetermined shape on the surface thereof and forming a region where a thin film is partially coated by a thin film forming method such as vacuum evaporation or sputtering (mask evaporation). -Description of Another Embodiment of Reflex Prototype According to the Present Invention- The reflex prototype 1 of FIG. 5 is used for the PDI annular wavefront synthesis shown in FIG. FIG. 5 shows an example of a reflex prototype used for synthesizing a total of two pieces of interference measurement data, one ring-shaped data at the center and one donut-shaped data at the periphery as ring data. The number of the donut-shaped data in the peripheral portion may increase depending on the aspherical amount of the aspherical shape of the workpiece (deviation from the optimal approximate spherical surface).

【0015】これらのデータを干渉計測により取得する
場合に、縞密度の疎の領域を得るために、図9のように
レフ原器面を光軸方向に走査させことが必要となる。こ
のようにして得られた2個の干渉計測データの最適近似
球面の曲率半径は、原理的に異なるため、たとえ測定波
面のサインコンディションが補正されていても、干渉計
データが示す、1画素当たりのレフ原器面上の大きさで
定義される、所謂「干渉計倍率」が異なることになる。
When these data are obtained by interference measurement, it is necessary to scan the surface of the ref prototype as shown in FIG. 9 in the optical axis direction in order to obtain a region having a low fringe density. Since the radius of curvature of the optimal approximation spherical surface of the two pieces of interferometric data obtained in this way is different in principle, even if the sine condition of the measurement wavefront is corrected, one pixel indicated by the interferometer data indicates The so-called “interferometer magnification,” which is defined by the size of the ref prototype, is different.

【0016】したがって、これら少なくとも2個のデー
タを、その重複した領域を基準に合成する場合に、その
位置合わせとともに、干渉計倍率の合わせも必要とな
る。この横座標の整合性をとる際に、マーキング6を利
用するのが、本実施例である。図5は、このこの倍率合
わせの為に、少なくとも2個のマーキングを各データの
重複領域に施した例である。このマーキングの位置は、
非球面軸に点対称に施すのが理想である。また、溝状の
ものであっても良い。
Therefore, when synthesizing these at least two data on the basis of the overlapping area, it is necessary to adjust the interferometer magnification as well as the alignment. In the present embodiment, the marking 6 is used when matching the abscissa. FIG. 5 shows an example in which at least two markings are applied to the overlapping area of each data for this magnification adjustment. The location of this marking is
Ideally, it should be applied point-symmetrically to the aspherical axis. Further, it may be groove-shaped.

【0017】このマーキングは、後から干渉計で観察で
きるものであれば何でも良い。マーキングの形成方法と
しては、レフ原器に研磨前の段階で研削、彫刻、エッチ
ング等により彫り込んだ領域を形成しても良いし、研磨
の段階で突起状の領域を形成しても良い。さらに、レフ
原器が仕上がった段階で、薄膜を部分的に除去すること
により形成しても良く、マスク蒸着、リフトオフ、エッ
チングなどが使用できる。マスク蒸着は、前述の方法に
よる。また、リフトオフは、予めフォトレジストなどで
マークを描いておいて、その上に薄膜を形成して、後か
らレジスト(とその上に付いた薄膜)を除去する。エッ
チングは、薄膜を形成した後に、基板全体にフォトレジ
ストを塗布し、マークの部分を露光して(ポジレジスト
の場合、ネガならば逆)現像して、レジストをマスクと
してウェットエッチングまたはドライエッチングを行
う。
This marking may be anything as long as it can be observed later by an interferometer. As a method of forming the marking, a region engraved by grinding, engraving, etching, or the like may be formed in the REF prototype before polishing, or a projecting region may be formed in the polishing stage. Further, at the stage when the ref prototype has been completed, the thin film may be formed by partially removing the thin film, and mask evaporation, lift-off, etching and the like can be used. Mask evaporation is performed according to the method described above. In lift-off, a mark is previously drawn with a photoresist or the like, a thin film is formed thereon, and the resist (and the thin film attached thereon) is removed later. In etching, after forming a thin film, a photoresist is applied to the entire substrate, the mark portion is exposed (in the case of a positive resist, reverse if negative) and developed, and wet etching or dry etching is performed using the resist as a mask. Do.

【0018】−本発明によるレフ原器の第二の実施例の
説明− 図6は、マーキングの個数を円周上に均等な配置で3個
に増やすことにより、位置決め精度の向上を図った例で
ある。図7は、レフ原器として、ワークと同様のオフア
クシスな形状のものを採用した場合のマーキングの例で
ある。マーキングの個数は円周上に3個等ピッチで配置
したものである。このオフアクシスの場合には、点対称
性が確保出来ないため、PDIの測定波面に回転対称な
ディストーションが有る場合には、最低3個のマーキン
グが必要となる。
-Description of Second Embodiment of Reflex Prototype According to the Present Invention- FIG. 6 shows an example in which the number of markings is increased to three in a uniform arrangement on the circumference to improve the positioning accuracy. It is. FIG. 7 shows an example of marking when a reflex prototype having the same off-axis shape as the workpiece is employed. The number of markings is three at equal pitch on the circumference. In the case of this off-axis, point symmetry cannot be ensured. Therefore, if there is a rotationally symmetric distortion in the measurement wavefront of the PDI, at least three markings are required.

【0019】また、マーキングの等ピッチ性や円周等分
性は必ずしも必要無く、干渉計データが受けたディスト
ーションの量と、マーキングの相対的な関係が予め既知
でありさえすれば、繋ぎは同様に可能である。このマー
キングの位置を干渉計データから特定する際は、通常、
その図心を用いる為、マーキングの外形が円状であるこ
とが望ましい。また、ディストーションを予め補正し
て、干渉計データ上で円形が確保されるマーキングを施
しても良い。
Further, the equal pitch property and the equal circumferential property of the marking are not necessarily required, and the connection is the same as long as the relative relationship between the amount of distortion received by the interferometer data and the marking is known in advance. It is possible. When identifying the location of this marking from interferometer data,
In order to use the centroid, it is desirable that the outer shape of the marking be circular. In addition, the distortion may be corrected in advance, and marking may be performed on the interferometer data so that a circle is secured.

【0020】−本発明によるレフ原器の第三の実施例の
説明− 図8は、波面合成用のマーキングを、ヌル測定レフ減算
用の干渉計倍率設定に兼用する例である。このヌル測定
レフ減算用の干渉計倍率設定としては、図8のようなマ
スク7を利用した例が考えられる。このマスク7は、例
えばレフ原器の外形を基準として非球面軸に対称に回転
可能とし、干渉計データの相関付けを行う為に、中央部
はどの回転角度でも常に視認が可能となるように、マス
ク7のアパーチャを偏心させたものである。
Description of Third Embodiment of Reflex Prototype According to the Present Invention FIG. 8 shows an example in which the marking for wavefront synthesis is also used for setting the interferometer magnification for subtraction of null measurement reflex. As an example of setting the interferometer magnification for subtraction of the null measurement reflex, an example using a mask 7 as shown in FIG. 8 can be considered. The mask 7 is rotatable symmetrically with respect to the aspherical axis, for example, with reference to the outer shape of the ref prototype. In order to correlate interferometer data, the center is always visible at any rotation angle. , The aperture of the mask 7 is decentered.

【0021】このマスク7を用いてその図心の移動距離
(直線距離)を、実空間上と干渉計データ上で対応付け
れば、高精度に干渉計倍率が設定可能となるが、更に、
波面合成用のマーキングを併用すれば、精度向上を図る
ことが可能となる。 −本発明によるレフ原器の第四の実施例の説明− 波面合成用のマーキングと、オフアクシス対応レフ減算
用の領域設定を、同時にレフ原器に適用した例である。
If the movement distance (linear distance) of the center of gravity of the mask 7 is associated with the real space on the interferometer data using the mask 7, the interferometer magnification can be set with high accuracy.
If the marking for wavefront synthesis is used together, the accuracy can be improved. -Description of fourth embodiment of REF prototype according to the present invention-This is an example in which marking for wavefront synthesis and area setting for REF subtraction for off-axis are simultaneously applied to the REF prototype.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上のように、本発明に係るレフ原器を
採用すれば、非球面干渉計測に関わる横座標の整合性を
高精度に図ることが可能となる。
As described above, the adoption of the REF prototype according to the present invention makes it possible to achieve high-accuracy consistency of the abscissa relating to aspherical interference measurement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明に係るレフ原器の原理説明図で
ある。
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of a reflex prototype according to the present invention.

【図2】図2は、本発明に係るレフ原器の原理説明図で
ある。
FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of a reflex prototype according to the present invention.

【図3】図3は、本発明に係るレフ原器の第1の実施例
の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a first embodiment of a ref prototype according to the present invention.

【図4】図4は、本発明に係るレフ原器の第1の実施例
の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a first embodiment of a ref prototype according to the present invention.

【図5】図5は、本発明に係るレフ原器の原理説明図で
ある。
FIG. 5 is a diagram illustrating the principle of a reflex prototype according to the present invention.

【図6】図6は、本発明に係るレフ原器の第2の実施例
の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a second embodiment of a ref prototype according to the present invention.

【図7】図7は、本発明に係るレフ原器の第2の実施例
の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a second embodiment of a ref prototype according to the present invention.

【図8】図8は、本発明に係るレフ原器の第3の実施例
の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a third embodiment of a ref prototype according to the present invention.

【図9】図9は、PDI輪帯波面合成の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of PDI annular wavefront synthesis.

【図10】図10は、ヌル波面によるレフ減算の説明図
である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of Ref subtraction using a null wavefront.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ・・・・レフ原器 1a・・・・レフ面 2 ・・・・ワーク 2a・・・・被検面 3 ・・・・マーキング 1 Ref prototype 1a Ref surface 2 Work 2a Detected surface 3 Marking

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F064 AA09 CC10 DD10 EE02 EE05 JJ01 2F065 AA46 BB05 BB27 CC21 DD06 FF52  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F064 AA09 CC10 DD10 EE02 EE05 JJ01 2F065 AA46 BB05 BB27 CC21 DD06 FF52

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光源から出射された測定用光束を被検面に
照射し反射された前記測定用光束と、前記光源から出射
された所定の波面を有する参照用光束とを互いに干渉さ
せ、干渉により生じる干渉縞の状態を検知することによ
り、前記被検面の面形状を計測する、所謂干渉計で使用
される、前記被検面と同じ形状のレフ面を有するレフ原
器であって、 前記被検面が外径に対して所謂オフアクシスである場合
に、前記オフアクシスに対して所謂母材の状態としたこ
とを特徴とするレフ原器。
1. A measurement light beam emitted from a light source is irradiated to a surface to be measured and reflected, and the measurement light beam reflected from the light source and a reference light beam having a predetermined wavefront emitted from the light source interfere with each other. By detecting the state of the interference fringes caused by measuring the surface shape of the test surface, used in a so-called interferometer, a reflex prototype having a reflex surface of the same shape as the test surface, A ref prototype, wherein when the surface to be inspected is a so-called off-axis with respect to an outer diameter, a so-called base material is used for the off-axis.
【請求項2】光源から出射された測定用光束を被検面に
照射し反射された前記測定用光束と、前記光源から出射
された所定の波面を有する参照用光束とを互いに干渉さ
せ、干渉により生じる干渉縞の状態を検知することによ
り、前記被検面の面形状を計測する、所謂干渉計で使用
される、前記被検面と同じ形状のレフ面を有するレフ原
器であって、 前記レフ面にマーキングを設けたことを特徴とするレフ
原器。
2. A measurement light beam emitted from a light source irradiating a surface to be measured and reflected, and the measurement light beam reflected from the light source and a reference light beam having a predetermined wavefront emitted from the light source interfere with each other. By detecting the state of the interference fringes caused by measuring the surface shape of the test surface, used in a so-called interferometer, a reflex prototype having a reflex surface of the same shape as the test surface, A reflex prototype, wherein a marking is provided on the reflex surface.
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