JP2000095545A - Transfer film and production of plasma display panel - Google Patents

Transfer film and production of plasma display panel

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JP2000095545A
JP2000095545A JP27068098A JP27068098A JP2000095545A JP 2000095545 A JP2000095545 A JP 2000095545A JP 27068098 A JP27068098 A JP 27068098A JP 27068098 A JP27068098 A JP 27068098A JP 2000095545 A JP2000095545 A JP 2000095545A
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JP
Japan
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film
meth
forming material
material layer
glass powder
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Pending
Application number
JP27068098A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Masuko
英明 増子
Tadahiko Udagawa
忠彦 宇田川
Takanori Yamashita
隆徳 山下
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JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
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Publication date
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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to improve the uniformity and smoothness of films, to prevent the erosion between bus electrodes and transparent electrodes, to obviate the peeling of both electrodes, to prevent the coloration of the bus electrodes and to form colorless and transparent dielectric layers by forming the laminated films of a first film forming material layer containing glass powder and a second film forming material layer containing glass powder having the softening point different from the above softening point on a supporting film. SOLUTION: The supporting film is a resin film having heat resistance, solvent resistance and flexibility and is, for example, polyethylene terephthalate. The thickness of the supporting film is formed to 20 to 100 μm. The softening point of the glass powder of the first film forming material layer is above 400 deg.C and below 600 deg.C and the softening point of the second glass powder is above 350 deg.C and below 550 deg.C. The composition examples of the glass powder are lead oxide, boron oxide, silicon oxide and calcium oxide. The grain size of the glass powder is 0.1 to 5 μm. A binder resin is preferably an acrylic resin and the content ratio thereof is 5 to 40 pts.wt. per 100 pts.wt. glass powder.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はガラス粉末を主成分
とする転写フィルムに関し、さらに詳しくは、プラズマ
ディスプレイパネルの誘電体層などを形成するために好
適に使用することができる転写フィルムに関する。
The present invention relates to a transfer film containing glass powder as a main component, and more particularly, to a transfer film that can be suitably used for forming a dielectric layer of a plasma display panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、平板状の蛍光表示体としてプラズ
マディスプレイが注目されている。図1は交流型のプラ
ズマディスプレイパネル(以下、「PDP」ともいう)
の断面形状を示す模式図である。同図において、1およ
び2は対向配置されたガラス基板、3は隔壁であり、ガ
ラス基板1、ガラス基板2および隔壁3によりセルが区
画形成される。4はガラス基板1に固定された透明電
極、5は透明電極の抵抗を下げる目的で、透明電極上に
形成されたバス電極、6はガラス基板2に固定されたア
ドレス電極、7はセル内に保持された蛍光物質、8は透
明電極4およびバス電極5を被覆するようガラス基板1
の表面に形成された誘電体層、9はアドレス電極6を被
覆するようにガラス基板2の表面に形成された誘電体
層、10は例えば酸化マグネシウムよりなる保護膜であ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, a plasma display has attracted attention as a flat fluorescent display. FIG. 1 shows an AC type plasma display panel (hereinafter also referred to as “PDP”).
It is a schematic diagram which shows the cross-sectional shape of. In FIG. 1, reference numerals 1 and 2 denote glass substrates which are arranged to face each other, and reference numeral 3 denotes a partition. 4 is a transparent electrode fixed on the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode, 6 is an address electrode fixed on the glass substrate 2, and 7 is a cell electrode. The retained fluorescent substance 8 covers the glass substrate 1 so as to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5.
Is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrodes 6, and 10 is a protective film made of, for example, magnesium oxide.

【0003】誘電体層はガラス焼結体より形成され、そ
の膜厚は例えば20〜50μmとされる。誘電体層の形
成方法としては、低融点ガラス粉末、結着樹脂および溶
剤を含有するペースト状の組成物(以下、「ガラスペー
スト組成物」ともいう)を調製し、該ガラスペースト組
成物をスクリーン印刷法によってガラス基板1の表面に
塗布して乾燥することにより膜形成材料層を形成する方
法、あるいはガラスペースト組成物を支持フィルム上に
塗布し、塗膜を乾燥して膜形成材料層を形成し、支持フ
ィルム上に形成された膜形成材料層を、電極が固定され
たガラス基板の表面に転写し、転写された膜形成材料層
を焼成することにより、前記ガラス基板の表面に誘電体
層を形成するドライフィルム法(例えば特開平9−10
2273号参照)などが提案されている。
[0003] The dielectric layer is formed of a glass sintered body and has a thickness of, for example, 20 to 50 µm. As a method for forming the dielectric layer, a paste-like composition containing a low-melting glass powder, a binder resin and a solvent (hereinafter, also referred to as “glass paste composition”) is prepared, and the glass paste composition is screened. A method of forming a film-forming material layer by coating the surface of the glass substrate 1 by a printing method and drying, or a method of forming a film-forming material layer by coating a glass paste composition on a support film and drying the coating film. Then, the film-forming material layer formed on the support film is transferred to the surface of the glass substrate to which the electrodes are fixed, and the transferred film-forming material layer is baked to form a dielectric layer on the surface of the glass substrate. Dry film method (for example, JP-A-9-10
No. 2273) has been proposed.

【0004】また、透明電極およびバス電極の形成方法
としては、まず、ガラス基板上に、CVD法やスパッタ
法でITOやSnO2を主成分とした膜からなる、所定
のパターンの透明電極を形成し、該透明電極の上にバス
電極を形成して積層構造とする方法が一般的である。近
年、バス電極は、従来の薄膜形成法よりも量産性が高
く、大面積化が容易で低コストな厚膜ペーストを用いた
スクリーン印刷法やドライフィルム法などで形成する検
討がなされている。
As a method of forming a transparent electrode and a bus electrode, first, a transparent electrode having a predetermined pattern made of a film containing ITO or SnO 2 as a main component is formed on a glass substrate by a CVD method or a sputtering method. In general, a bus electrode is formed on the transparent electrode to form a laminated structure. In recent years, studies have been made to form a bus electrode by a screen printing method, a dry film method, or the like using a thick film paste which has higher mass productivity than conventional thin film forming methods, is easy to increase in area, and is inexpensive, and is inexpensive.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ここで、厚膜のバス電
極上に、軟化点が500℃以下の低融点ガラス粉末を主
成分とする誘電体ペーストを用い、上記のスクリーン印
刷法やドライフィルム法で誘電体層を形成した場合、誘
電体層の焼成時に低融点ガラスが流動してバス電極と透
明電極との間に浸食し、図2に示すように、透明電極か
らバス電極が剥離してしまうという問題点がある。さら
に、銀を主成分とした厚膜のバス電極上に誘電体層をド
ライフィルム法で形成する場合、焼成時に、バス電極が
着色するという問題がある。一方、軟化点が550℃以
上の低融点ガラス粉末を主成分とする誘電体ペーストを
使った場合には、焼成後の誘電体層中に気泡が多く残存
し、白濁して透過率が低下するという問題がある。これ
らの問題を解決する手段として、厚膜のバス電極上に第
一の誘電体層を設け、この第一の誘電体層上に、より軟
化点の低いガラスを含有するガラスペーストにて形成さ
れた第二の誘電体層を設けることを特徴とした方法(特
許公報2705530号)が提案されている。しかしな
がら、この方法はスクリーン印刷で塗膜を形成するた
め、作業性が煩雑であり、また膜厚のバラツキが大き
く、スクリーンのメッシュ跡が塗膜上に残るなどして、
高品質な誘電体層の大型化、量産化を実現するのが困難
であった。
Here, a dielectric paste containing a low melting point glass powder having a softening point of 500 ° C. or less as a main component is used on a thick-film bus electrode, and the above-mentioned screen printing method and dry film method are used. When the dielectric layer is formed by the method, the low-melting glass flows during the firing of the dielectric layer and erodes between the bus electrode and the transparent electrode, and as shown in FIG. 2, the bus electrode peels off from the transparent electrode. There is a problem that. Furthermore, when a dielectric layer is formed on a thick-film bus electrode mainly composed of silver by a dry film method, there is a problem that the bus electrode is colored during firing. On the other hand, when a dielectric paste containing a low-melting glass powder having a softening point of 550 ° C. or higher as a main component is used, many bubbles remain in the fired dielectric layer, and the transmittance becomes low due to cloudiness. There is a problem. As means for solving these problems, a first dielectric layer is provided on a thick-film bus electrode, and a glass paste containing a glass having a lower softening point is formed on the first dielectric layer. A method characterized by providing a second dielectric layer (Japanese Patent Publication No. 2705530) has been proposed. However, since this method forms a coating film by screen printing, the workability is complicated, the dispersion of the film thickness is large, the mesh mark of the screen remains on the coating film,
It has been difficult to increase the size and mass production of high-quality dielectric layers.

【0006】本発明は以上のような事情に基いてなされ
たものである。本発明の第1の目的は、大型のプラズマ
ディスプレイパネルに要求される誘電体層を効率的に形
成することができる、転写フィルムおよびプラズマディ
スプレイパネルの製造方法を提供することである。本発
明の第2の目的は、膜厚の均一性に優れた誘電体層を形
成することができる、転写フィルムを提供することであ
る。本発明の第3の目的は、膜厚の平滑性に優れた誘電
体層を形成することができる、転写フィルムを提供する
ことである。本発明の第4の目的は、焼成時に低融点ガ
ラスの流動を抑えてバス電極と透明電極との間へ浸食を
抑制し、透明電極からバス電極が剥離しないような誘電
体層を形成することができる、転写フィルムを提供する
ことである。本発明の第5の目的は、銀を主成分とした
厚膜のバス電極上に誘電体層をドライフィルム法で形成
する際、焼成時にバス電極を着色させることがないよう
な誘電体層を形成することができる、転写フィルムを提
供することである。本発明の第6の目的は、無色透明性
に優れた誘電体層を形成することができる転写フィルム
を提供することである。
The present invention has been made based on the above circumstances. A first object of the present invention is to provide a transfer film and a method for manufacturing a plasma display panel, which can efficiently form a dielectric layer required for a large-sized plasma display panel. A second object of the present invention is to provide a transfer film capable of forming a dielectric layer having excellent film thickness uniformity. A third object of the present invention is to provide a transfer film capable of forming a dielectric layer having excellent thickness smoothness. A fourth object of the present invention is to form a dielectric layer that suppresses the flow of the low-melting glass during firing, suppresses erosion between the bus electrode and the transparent electrode, and prevents the bus electrode from peeling from the transparent electrode. To provide a transfer film. A fifth object of the present invention is to form a dielectric layer on a thick-film bus electrode containing silver as a main component by a dry film method so as not to color the bus electrode during firing. It is to provide a transfer film that can be formed. A sixth object of the present invention is to provide a transfer film capable of forming a dielectric layer having excellent colorless transparency.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の転写フィルム
は、ガラス粉末を含有する第一の膜形成材料層と、第一
の膜形成材料層と軟化点の異なるガラス粉末を含有する
第二の膜形成材料層との積層膜が、支持フィルム上に形
成されていることを特徴とする。本発明のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法は、本発明の転写フィルム
を、電極が固定されたガラス基板上に転写し、転写され
た膜形成材料層を焼成することにより、前記ガラス基板
の表面に誘電体層を形成することを特徴とする。一つの
支持フィルム上にガラス粉末の軟化点の異なる膜形成材
料層の積層膜をあらかじめ形成することで、作業性が向
上し、膜厚の均一性と平滑性に優れ、また電極間への低
融点ガラスの浸食を抑制し、かつ電極を剥離させず、焼
成時にバス電極を着色させることがなく、また優れた無
色透明性を兼ね備えた誘電体層を形成することができ
る。
The transfer film of the present invention comprises a first film forming material layer containing glass powder and a second film forming material containing glass powder having a softening point different from that of the first film forming material layer. The laminated film with the film forming material layer is formed on the support film. The method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention includes transferring the transfer film of the present invention onto a glass substrate to which electrodes are fixed, and baking the transferred film-forming material layer to form a dielectric film on the surface of the glass substrate. It is characterized by forming a body layer. By forming in advance a laminated film of film forming material layers having different softening points of glass powder on one support film, workability is improved, uniformity and smoothness of film thickness are excellent, and low gap between electrodes is achieved. It is possible to form a dielectric layer which suppresses erosion of the melting point glass, does not peel off the electrodes, does not color the bus electrodes during firing, and has excellent colorless and transparent properties.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 (1)転写フィルム 本発明の転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フ
ィルム上に形成された膜形成材料層とによって構成され
る。 <支持フィルム>本発明の転写フィルムを構成する支持
フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有するとともに可
撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持
フィルムが可撓性を有することにより、ロールコータ
ー、ブレードコーターなどによってガラスペースト組成
物を塗布することができ、膜形成材料層をロール状に巻
回した状態で保存し、供給することができる。支持フィ
ルムを形成する樹脂としては、例えばポリエチレンテレ
フタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコー
ル、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ
素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができ
る。支持フィルムの厚さとしては、例えば20〜100
μmとされる。なお、ガラスペースト組成物が塗布され
る支持フィルムの表面には離型処理が施されていること
が好ましい。これにより、ガラス基板への転写工程にお
いて、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. (1) Transfer Film The transfer film of the present invention comprises a support film and a film-forming material layer formed on the support film. <Support Film> The support film constituting the transfer film of the present invention is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and having flexibility. Since the support film has flexibility, the glass paste composition can be applied by a roll coater, a blade coater, or the like, and the film forming material layer can be stored and supplied in a rolled state. . Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, and polyfluoroethylene, nylon, and cellulose. As the thickness of the support film, for example, 20 to 100
μm. The surface of the support film to which the glass paste composition is applied is preferably subjected to a release treatment. Thereby, in the step of transferring to the glass substrate, the operation of peeling the support film can be easily performed.

【0009】本発明の転写フィルムを構成する膜形成材
料層は、ガラス粉末、結着樹脂および溶剤を必須成分と
して含有するガラスペースト組成物を、上記支持フィル
ム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部または全部を
除去することにより形成することができる。
The film forming material layer constituting the transfer film of the present invention is formed by applying a glass paste composition containing glass powder, a binder resin and a solvent as essential components on the above-mentioned support film, and drying the coated film. By removing part or all of the solvent.

【0010】<ガラス粉末>上記ガラスペースト組成物
においては、その必須成分であるガラス粉末の軟化点
が、各々の膜形成材料層においてそれぞれ異なることが
必要であり、電極付きガラス基板に接する第一の膜形成
材料層を構成するガラス粉末の軟化点が、第二の膜形成
材料層を構成するガラス粉末の軟化点よりも、50℃以
上高いことが好ましい。具体的には、第一の膜形成材料
層に含有されるガラス粉末の軟化点は、通常、400℃
以上600℃未満、好ましくは、500℃以上580℃
未満である。また、第二の膜形成材料層に含有されるガ
ラス粉末の軟化点は、通常、350℃以上550℃未
満、好ましくは、400℃以上500℃未満である。な
お、本明細書において、転写フィルムを転写した際の膜
形成材料層の位置関係は、電極付きガラス基板/第一の
膜形成材料層/第二の膜形成材料層、の順番である。従
って、転写フィルムの作製の工程においては、支持フィ
ルム上に第二の膜形成材料層が形成され、その上に第一
の膜形成材料層が形成される、という順番となる。ま
た、ここで「軟化点」とは、示差熱分析計(以下、「D
TA」という)により測定されたチャートから求められ
る。サンプルパン下方に熱中心が存在するDTAを用
い、ガラス粉末を一定の昇温速度で加熱していくと、通
常、第一吸収のショルダーと第二吸収の屈曲点が現れ、
前者のショルダーを転移点、後者の屈曲点を軟化点と定
義する。転移点はガラス転移に伴う熱の吸収によって現
れ、軟化点はガラス粉末の形状の変化(最も焼き締まっ
た状態から流動が起こる変化)によって現れるものと考
えられる。
<Glass Powder> In the above-mentioned glass paste composition, it is necessary that the softening point of the glass powder, which is an essential component, be different in each of the film forming material layers. It is preferable that the softening point of the glass powder forming the film forming material layer is higher by at least 50 ° C. than the softening point of the glass powder forming the second film forming material layer. Specifically, the softening point of the glass powder contained in the first film forming material layer is usually 400 ° C.
Not less than 600 ° C, preferably not less than 500 ° C and 580 ° C
Is less than. The softening point of the glass powder contained in the second film forming material layer is usually 350 ° C. or more and less than 550 ° C., preferably 400 ° C. or more and less than 500 ° C. In addition, in this specification, the positional relationship of the film forming material layer when the transfer film is transferred is as follows: glass substrate with electrodes / first film forming material layer / second film forming material layer. Therefore, in the step of producing the transfer film, the order is such that the second film-forming material layer is formed on the support film, and the first film-forming material layer is formed thereon. Here, the “softening point” refers to a differential thermal analyzer (hereinafter “D
TA ”). When DTA having a heat center below the sample pan is used and the glass powder is heated at a constant heating rate, the first absorption shoulder and the second absorption bending point usually appear,
The former shoulder is defined as a transition point, and the latter bending point is defined as a softening point. It is considered that the transition point appears due to the heat absorption accompanying the glass transition, and the softening point appears due to a change in the shape of the glass powder (a change in which a flow occurs from the most compacted state).

【0011】好適なガラス粉末の組成の具体例として
は、 酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カルシ
ウム(PbO−B23−SiO2−CaO系) 酸化
亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(ZnO−B23−Si
2系) 酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム(PbO−B23−SiO2−Al23系)
酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(Pb
O−ZnO−B23−SiO2系) 酸化鉛、酸化ホ
ウ素、酸化ケイ素(PbO−B23−SiO2系)
酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化ケイ素(Bi23−B
23−SiO2系) 酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸
化ケイ素、酸化アルミニウム(Bi23−B 23−Si
2−Al23系)などを例示することができる。ま
た、本発明に用いられるガラス粉末の粒径は、好ましく
は0.1〜5μmである。なお、ガラス粉末の軟化点を
調整するには、一般に、ガラス製造の原料秤量時に各酸
化物成分の組成比を変量してガラス化する方法が用いら
れる。本発明に用いられるガラスペースト組成物におけ
るガラス粉末の含有割合としては、50重量%以上であ
ることが好ましい。
As a specific example of the composition of a suitable glass powder,
Are lead oxide, boron oxide, silicon oxide, calcium oxide
Um (PbO-BTwoOThree-SiOTwo-CaO) oxidation
Zinc, boron oxide, silicon oxide (ZnO-BTwoOThree-Si
OTwoSystem) Lead oxide, boron oxide, silicon oxide, oxide
Luminium (PbO-BTwoOThree-SiOTwo-AlTwoOThreesystem)
 Lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (Pb
O-ZnO-BTwoOThree-SiOTwoSystem) Lead oxide, oxide oxide
Iodine, silicon oxide (PbO-BTwoOThree-SiOTwoSystem)
Bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (BiTwoOThree-B
TwoOThree-SiOTwoSystem) bismuth oxide, boron oxide, acid
Silicon oxide, aluminum oxide (BiTwoOThree-B TwoOThree-Si
OTwo-AlTwoOThreeSystem) and the like. Ma
The particle size of the glass powder used in the present invention is preferably
Is 0.1 to 5 μm. The softening point of the glass powder is
Adjustment is generally performed by weighing each acid when weighing raw materials for glass production.
The method of vitrification by varying the composition ratio of the
It is. In the glass paste composition used in the present invention
The glass powder content is 50% by weight or more.
Preferably.

【0012】<結着樹脂>上記ガラスペースト組成物の
必須成分である結着樹脂は、アクリル樹脂であることが
好ましい。結着樹脂としてアクリル樹脂が含有されてい
ることにより、形成される膜形成材料層には、ガラス基
板に対する優れた(加熱)接着性が発揮される。従っ
て、本発明の組成物を支持フィルム上に塗布して転写フ
ィルムを製造する場合において、得られる転写フィルム
は、膜形成材料層の転写性(ガラス基板への転写性)に
優れたものとなる。かかるアクリル樹脂としては、適度
な粘着性を有してガラス粉末を結着させることができ、
膜形成材料層の焼成処理温度(通常、400℃〜600
℃)によって完全に酸化除去される(共)重合体の中か
ら選択される。具体的には、下記一般式(1)で表され
る(メタ)アクリレート化合物の単独重合体、下記一般
式(1)で表される(メタ)アクリレート化合物の2種
以上の共重合体、および下記一般式(1)で表される
(メタ)アクリレート化合物と他の共重合性単量体との
共重合体が含まれる。
<Binder Resin> The binder resin, which is an essential component of the glass paste composition, is preferably an acrylic resin. By containing the acrylic resin as the binder resin, the film-forming material layer to be formed exhibits excellent (heat) adhesion to the glass substrate. Therefore, when the composition of the present invention is applied on a support film to produce a transfer film, the resulting transfer film has excellent transferability of the film-forming material layer (transferability to a glass substrate). . As such an acrylic resin, it is possible to bind a glass powder with an appropriate tackiness,
Firing treatment temperature of the film forming material layer (normally 400 ° C. to 600 ° C.)
° C) to completely remove the (co) polymer. Specifically, a homopolymer of a (meth) acrylate compound represented by the following general formula (1), a copolymer of two or more (meth) acrylate compounds represented by the following general formula (1), and The copolymer includes a (meth) acrylate compound represented by the following general formula (1) and another copolymerizable monomer.

【0013】[0013]

【化1】 Embedded image

【0014】〔式中、R1は水素原子またはメチル基を
示し、R2は1価の有機機を示す。〕
[In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents a monovalent organic compound. ]

【0015】上記一般式(1)で表される(メタ)アク
リレート化合物の具体例としては、メチル(メタ)アク
リレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メ
タ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレー
ト、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)
アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペン
チル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレー
ト、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メ
タ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オ
クチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)ア
クリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノ
ニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレー
ト、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メ
タ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラ
ウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アク
リレート、イソステアリル(メタ)アクリレートなどの
アルキル(メタ)アクリレート;
As specific examples of the (meth) acrylate compound represented by the general formula (1), methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl ( (Meth) acrylate, isobutyl (meth)
Acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) Acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, Alkyl (meth) acrylates such as isostearyl (meth) acrylate;

【0016】ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、
2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒ
ドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ
プロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル
(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)
アクリレートなどのヒドロキシアルキル(メタ)アクリ
レート;フェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−
ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレ
ートなどのフェノキシアルキル(メタ)アクリレート;
2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキ
シエチル(メタ)アクリレート、2−プロポキシエチル
(メタ)アクリレート、2−ブトキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−メトキシブチル(メタ)アクリレート
などのアルコキシアルキル(メタ)アクリレート;
Hydroxyethyl (meth) acrylate,
2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)
Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate; phenoxyethyl (meth) acrylate, 2-
Phenoxyalkyl (meth) acrylates, such as hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate;
Alkoxyalkyl (meth) such as 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, and 2-methoxybutyl (meth) acrylate ) Acrylates;

【0017】ポリエチレングリコールモノ(メタ)アク
リレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アク
リレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)ア
クリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メ
タ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリ
コール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコー
ルモノ(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレン
グリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリプロピ
レングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキ
シポリプロピレングリコール(メタ)アクリレートなど
のポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート;シ
クロヘキシル(メタ)アクリレート、4−ブチルシクロ
ヘキシル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル
(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)ア
クリレート、ジシクロペンタジエニル(メタ)アクリレ
ート、ボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル
(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)ア
クリレートなどのシクロアルキル(メタ)アクリレー
ト;ベンジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフル
フリル(メタ)アクリレートなどを挙げることができ
る。
Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate Polyalkylene glycol (meth) acrylates such as methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, and nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate; cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, Dicyclopentanyl (meth) acrylate Cycloalkyl (meth) acrylates such as dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl (meth) acrylate; benzyl (meth) ) Acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and the like.

【0018】これらのうち、上記一般式(1)中、R2
で示される基が、アルキル基またはオキシアルキレン基
を含有する基であることが好ましく、特に好ましい(メ
タ)アクリレート化合物として、メチル(メタ)アクリ
レート、ブチル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル
(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレー
ト、イソデシル(メタ)アクリレートおよび2−エトキ
シエチル(メタ)アクリレートを挙げることができる。
(メタ)アクリレート化合物との共重合に供される他の
共重合性単量体としては、上記(メタ)アクリレート化
合物と共重合可能な化合物であれば特に制限はなく、例
えば(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン
酸、ビニルフタル酸などの不飽和カルボン酸類;ビニル
ベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、
スチレン、α−メチルスチレン、ブタジエン、イソプレ
ンなどのビニル基含有ラジカル重合性化合物を挙げるこ
とができる。本発明の組成物を構成するアクリル樹脂に
おいて、上記一般式(1)で表される(メタ)アクリレ
ート化合物由来の共重合成分は、好ましくは70重量%
以上、特に好ましくは90重量%以上、さらに好ましく
は100重量%である。本発明の組成物を構成する結着
樹脂の分子量としては、GPCによるポリスチレン換算
の重量平均分子量(以下、「Mw」ともいう)が2,0
00〜300,000であることが好ましく、さらに好
ましくは5,000〜200,000とされる。
Of these, in the above general formula (1), R 2
Is preferably a group containing an alkyl group or an oxyalkylene group. As particularly preferred (meth) acrylate compounds, methyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (Meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate can be mentioned.
The other copolymerizable monomer used for copolymerization with the (meth) acrylate compound is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the (meth) acrylate compound. For example, (meth) acrylic acid And unsaturated carboxylic acids such as vinylbenzoic acid, maleic acid and vinylphthalic acid; vinylbenzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether,
Examples include vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as styrene, α-methylstyrene, butadiene, and isoprene. In the acrylic resin constituting the composition of the present invention, the copolymer component derived from the (meth) acrylate compound represented by the general formula (1) is preferably 70% by weight.
The content is particularly preferably 90% by weight or more, and more preferably 100% by weight. As the molecular weight of the binder resin constituting the composition of the present invention, a weight average molecular weight in terms of polystyrene by GPC (hereinafter, also referred to as “Mw”) is 2,0.
It is preferably from 00 to 300,000, more preferably from 5,000 to 200,000.

【0019】結着樹脂の含有割合としては、ガラス粉末
100重量部に対して、5〜40重量部であることが好
ましく、さらに好ましくは10〜30重量部とされる。
結着樹脂の割合が過小である場合には、ガラス粉末を確
実に結着保持することができず、一方、この割合が過大
である場合には、焼成工程に長い時間を要したり、形成
される誘電体層が十分な強度や膜厚を有するものとなら
なかったりする。
The content of the binder resin is preferably 5 to 40 parts by weight, more preferably 10 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the glass powder.
If the ratio of the binder resin is too small, the glass powder cannot be securely bound and held.On the other hand, if the ratio is too large, a long time is required for the firing step or formation. The resulting dielectric layer may not have sufficient strength and film thickness.

【0020】<溶剤>上記ガラスペースト組成物の必須
成分である溶剤としては、ガラス粉末との親和性、結着
樹脂の溶解性が良好で、ガラスペースト組成物に適度な
粘性を付与することができると共に、乾燥されることに
より容易に蒸発除去できるものであることが好ましい。
かかる溶剤の具体例としては、ジエチルケトン、メチル
ブチルケトン、ジプロピルケトン、シクロヘキサノンな
どのケトン類;n−ペンタノール、4−メチル−2−ペ
ンタノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコー
ルなどのアルコール類;エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
エチルエーテルなどのエーテル系アルコール類;酢酸−
n−ブチル、酢酸アミルなどの飽和脂肪族モノカルボン
酸アルキルエステル類;乳酸エチル、乳酸−n−ブチル
などの乳酸エステル類;メチルセロソルブアセテート、
エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、エチル−3−エトキシプ
ロピオネートなどのエーテル系エステル類などを例示す
ることができ、これらのうち、メチルブチルケトン、シ
クロヘキサノン、ジアセトンアルコール、エチレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、乳酸エチル、エチル−3−エトキシプ
ロピオネートなどが好ましい。
<Solvent> The solvent, which is an essential component of the above-mentioned glass paste composition, has good affinity for glass powder and good solubility of the binder resin, and imparts appropriate viscosity to the glass paste composition. It is preferable that they can be easily evaporated and removed by drying.
Specific examples of such a solvent include ketones such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone and cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monoethyl ether;
alkyl esters of saturated aliphatic monocarboxylic acids such as n-butyl and amyl acetate; lactates such as ethyl lactate and n-butyl lactate; methyl cellosolve acetate;
Examples thereof include ether esters such as ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate. Of these, methyl butyl ketone, cyclohexanone, diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether , Propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, ethyl-3-ethoxypropionate, and the like.

【0021】ガラスペースト組成物における溶剤の含有
割合としては、組成物の粘度を好適な範囲に維持する観
点から、ガラス粉末100重量部に対して、5〜50重
量部であることが好ましく、さらに好ましくは10〜4
0重量部とされる。
The content of the solvent in the glass paste composition is preferably 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of glass powder, from the viewpoint of maintaining the viscosity of the composition in a suitable range. Preferably 10-4
0 parts by weight.

【0022】本発明に用いられるガラスペースト組成物
には、上記の必須成分のほかに、分散剤、粘着性付与
剤、可塑剤、表面張力調整剤、安定剤、消泡剤、分散剤
などの各種添加剤が任意成分として含有されていてもよ
い。
The glass paste composition used in the present invention contains, in addition to the above essential components, a dispersant, a tackifier, a plasticizer, a surface tension regulator, a stabilizer, an antifoaming agent, a dispersant, and the like. Various additives may be contained as optional components.

【0023】好ましいガラスペースト組成物の一例を示
せば、第一の膜形成材料層を形成するガラスペースト組
成物として、酸化鉛50〜80重量%、酸化ホウ素5〜
20重量%、酸化ケイ素10〜50重量%および酸化カ
ルシウム0〜20重量%のガラス粉末(軟化点500〜
580℃)100重量部と、ポリブチルメタクリレート
(アクリル樹脂)10〜30重量部と、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル(溶剤)10〜50重量部と
を含有する組成物を挙げることができる。また、第二の
膜形成材料層を形成するガラスペースト組成物として
は、酸化鉛50〜90重量%、酸化ホウ素0〜10重量
%、酸化ケイ素5〜50重量%および酸化亜鉛0〜20
重量%のガラス粉末(軟化点400〜500℃)100
重量部と、ポリブチルメタクリレート(アクリル樹脂)
10〜30重量部と、プロピレングリコールモノメチル
エーテル(溶剤)10〜50重量部とを含有する組成物
を挙げることができる。ガラスペースト組成物は、上記
ガラス粉末、結着樹脂および溶剤並びに任意成分を、ロ
ール混練機、ミキサー、ホモミキサー、サンドミルなど
の混練・分散機を用いて混練することにより調製するこ
とができる。
As an example of a preferred glass paste composition, the glass paste composition for forming the first film forming material layer is composed of 50 to 80% by weight of lead oxide and 5 to 50% by weight of boron oxide.
Glass powder of 20% by weight, 10 to 50% by weight of silicon oxide and 0 to 20% by weight of calcium oxide (softening point 500 to
(580 ° C.) 100 parts by weight, a composition containing 10 to 30 parts by weight of polybutyl methacrylate (acrylic resin) and 10 to 50 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether (solvent). The glass paste composition for forming the second film forming material layer includes lead oxide of 50 to 90% by weight, boron oxide of 0 to 10% by weight, silicon oxide of 5 to 50% by weight and zinc oxide of 0 to 20%.
100% by weight glass powder (softening point 400-500 ° C.)
Parts by weight and polybutyl methacrylate (acrylic resin)
Examples of the composition include 10 to 30 parts by weight and 10 to 50 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether (solvent). The glass paste composition can be prepared by kneading the glass powder, the binder resin, the solvent, and optional components using a kneading / dispersing machine such as a roll kneader, a mixer, a homomixer, and a sand mill.

【0024】ガラスペースト組成物を支持フィルム上に
塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の大
きい(例えば20μm以上)塗膜を効率よく形成するこ
とができるものであることが好ましく、具体的には、ロ
ールコーターによる塗布方法、ブレードコーターによる
塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤー
コーターによる塗布方法などを好ましいものとして挙げ
ることができる。まず、支持フィルム上に第二の膜形成
材料層を形成するガラスペースト組成物を塗布し、その
上に第一の膜形成材料層を形成するガラスペースト組成
物を塗布する。また、転写フィルムには、膜形成材料層
の表面に保護フィルム層が設けられてもよい。このよう
な保護フィルム層としては、ポリエチレンテレフタレー
トフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコ
ール系フィルムなどを挙げることができる。
As a method of applying the glass paste composition on a support film, a method capable of efficiently forming a large (for example, 20 μm or more) coating film having excellent uniformity in film thickness is preferred. Preferably, specifically, a coating method using a roll coater, a coating method using a blade coater, a coating method using a curtain coater, a coating method using a wire coater, and the like can be mentioned as preferable examples. First, a glass paste composition for forming a second film forming material layer is applied on a support film, and a glass paste composition for forming a first film forming material layer is applied thereon. Further, the transfer film may be provided with a protective film layer on the surface of the film forming material layer. Examples of such a protective film layer include a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, and a polyvinyl alcohol-based film.

【0025】(2)膜形成材料層の転写工程:本発明の
プラズマディスプレイパネルの製造方法は、以上のよう
にして作製した転写フィルムを用い、当該転写フィルム
を構成する膜形成材料層を、電極が固定されたガラス基
板の表面に転写する点に特徴を有するものである。
(2) Step of Transferring Film Forming Material Layer: In the method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, the transfer film manufactured as described above is used, and the film forming material layer constituting the transfer film is replaced with an electrode. Is transferred to the surface of the fixed glass substrate.

【0026】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、ガラス基板の表面(電極固定面)
に、第一の膜形成材料層の表面が当接されるように転写
フィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラ
などにより熱圧着した後、膜形成材料層から支持フィル
ムを剥離除去する。これにより、ガラス基板の表面に膜
形成材料層が転写されて密着した状態となる。ここで、
転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が8
0〜130℃、加熱ローラによるロール圧が1〜5kg
/cm2 、加熱ローラの移動速度が0.1〜10.0m
/分を示すことができる。また、ガラス基板は予熱され
ていてもよく、予熱温度としては例えば50〜100℃
とすることができる。
An example of the transfer step is as follows. After peeling off the protective film layer of the transfer film used as necessary, the surface of the glass substrate (electrode fixing surface)
Then, a transfer film is overlaid so that the surface of the first film forming material layer is in contact with the transfer film, and the transfer film is thermocompression-bonded with a heating roller or the like, and then the support film is peeled off from the film forming material layer. Thereby, the film-forming material layer is transferred to the surface of the glass substrate and brought into close contact therewith. here,
As the transfer condition, for example, the surface temperature of the heating roller is 8
0-130 ° C, Roll pressure by heating roller is 1-5kg
/ Cm 2 , the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10.0 m
/ Min. The glass substrate may be preheated, and the preheating temperature is, for example, 50 to 100 ° C.
It can be.

【0027】(3)膜形成材料層の焼成工程:ガラス基
板の表面に転写された膜形成材料層は、焼成される。具
体的には、膜形成材料層が形成されたガラス基板を、高
温雰囲気下に配置することにより、膜形成材料層中に含
有されている有機物質(例えば結着樹脂、残存溶剤、各
種の添加剤)が分解などによって除去され、無機物質で
あるガラス粉末が溶融して焼結する。これにより、ガラ
ス基板上には、ガラス焼結体よりなる誘電体層が形成さ
れる。ここに、焼成温度としては、膜形成材料層中の構
成物質によっても異なるが、例えば400〜600℃と
される。
(3) Firing step of film forming material layer: The film forming material layer transferred to the surface of the glass substrate is fired. Specifically, by placing the glass substrate on which the film-forming material layer is formed in a high-temperature atmosphere, the organic substances (eg, binder resin, residual solvent, ) Is removed by decomposition or the like, and the glass powder as an inorganic substance is melted and sintered. As a result, a dielectric layer made of a glass sintered body is formed on the glass substrate. Here, the firing temperature is set to, for example, 400 to 600 ° C., although the temperature varies depending on the constituent substances in the film forming material layer.

【0028】[0028]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において「部」は「重量部」を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited by these. In the following, “parts” indicates “parts by weight”.

【0029】<実施例1> 〔転写フィルムの作製工程〕ガラス粉末として、酸化鉛
60重量%、酸化ホウ素10重量%、酸化ケイ素20重
量%、酸化カルシウム10重量%の組成を有するPbO
−B23−SiO2−CaO系ガラス(軟化点570
℃)100部と、ブチルメタクリレート(100重量
%)の重合体(Mw:80,000)(結着樹脂)30
部と、プロピレングリコールモノメチルエーテル(溶
剤)30部とを混練することにより、粘度3,000c
pのガラスペースト組成物(以下、「ガラスペースト組
成物1」ともいう)を調製した。また、ガラス粉末とし
て、酸化鉛65重量%、酸化ホウ素5重量%、酸化ケイ
素20重量%、酸化亜鉛10重量%の組成を有するPb
O−B23−SiO2−ZnO系ガラス(軟化点470
℃)100部と、ブチルメタクリレート(100重量
%)の重合体(Mw:80,000)(結着樹脂)30
部と、プロピレングリコールモノメチルエーテル(溶
剤)30部とを混練することにより、粘度3,500c
pのガラスペースト組成物(以下、「ガラスペースト組
成物2」ともいう)を調製した。
<Example 1> [Process for preparing transfer film] As a glass powder, PbO having a composition of 60% by weight of lead oxide, 10% by weight of boron oxide, 20% by weight of silicon oxide and 10% by weight of calcium oxide was used.
—B 2 O 3 —SiO 2 —CaO based glass (softening point 570)
° C) and a polymer (Mw: 80,000) of butyl methacrylate (100% by weight) (binder resin) 30
Parts and propylene glycol monomethyl ether (solvent) 30 parts by kneading to give a viscosity of 3,000 c.
p was prepared as a glass paste composition (hereinafter, also referred to as “glass paste composition 1”). Pb having a composition of 65% by weight of lead oxide, 5% by weight of boron oxide, 20% by weight of silicon oxide, and 10% by weight of zinc oxide as glass powder.
OB 2 O 3 —SiO 2 —ZnO based glass (softening point 470)
° C) and a polymer (Mw: 80,000) of butyl methacrylate (100% by weight) (binder resin) 30
Part and 30 parts of propylene glycol monomethyl ether (solvent) by kneading to give a viscosity of 3,500 c
p was prepared as a glass paste composition (hereinafter, also referred to as “glass paste composition 2”).

【0030】次に、ガラスペースト組成物2を、ブレー
ドコーターを用いて予め離型処理したポリエチレンテレ
フタレート(PET)フィルムよりなる支持フィルム
(幅200mm,長さ30m,厚さ38μm)上に塗布
して塗膜を形成した。形成された塗膜を110℃で5分
間乾燥することにより溶剤を除去し、これにより、第二
の膜形成材料層(以下、「膜形成材料層2」ともいう)
が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルムを作製
した。次いで、ガラスペースト組成物1を、上記膜形成
材料層2の上にブレードコーターを用いて塗布・乾燥す
ることにより溶剤を除去し、これにより、膜形成材料層
2の上に第一の膜形成材料層(以下、「膜形成材料層
1」ともいう)を有する積層膜が支持フィルム上に形成
されてなる、転写フィルムを作製した。
Next, the glass paste composition 2 was applied onto a support film (width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a polyethylene terephthalate (PET) film previously subjected to a release treatment using a blade coater. A coating was formed. The solvent is removed by drying the formed coating film at 110 ° C. for 5 minutes, whereby the second film forming material layer (hereinafter, also referred to as “film forming material layer 2”).
Was formed on a support film to prepare a transfer film. Next, the solvent is removed by applying and drying the glass paste composition 1 on the film forming material layer 2 using a blade coater, thereby forming a first film on the film forming material layer 2. A transfer film in which a laminated film having a material layer (hereinafter, also referred to as “film-forming material layer 1”) was formed on a support film was produced.

【0031】〔膜形成材料層の転写工程〕6インチパネ
ル用のガラス基板上にあらかじめSnO2の透明導電膜
を形成し、さらにその上に銀ペーストをスクリーン印刷
で塗布後焼成し、厚さ10μm、幅70μmのバス電極を
形成した。このバス電極を形成した基板上に膜形成材料
層1の表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合わ
せ、この転写フィルムを加熱ローラにより熱圧着した。
ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を1
20℃、ロール圧を4kg/cm2、加熱ローラの移動
速度を1m/分とした。熱圧着処理の終了後、転写フィ
ルムから支持フィルムを剥離除去した。これにより、ガ
ラス基板の表面に膜形成材料層1および膜形成用材料2
が転写されて密着した状態となった。この積層膜につい
て膜厚を測定したところ60μm±1μmの範囲にあっ
た。
[Transfer Step of Film Forming Material Layer] A transparent conductive film of SnO 2 is formed in advance on a glass substrate for a 6-inch panel, and a silver paste is applied thereon by screen printing and baked to obtain a thickness of 10 μm. A bus electrode having a width of 70 μm was formed. A transfer film was overlaid on the substrate on which the bus electrode was formed so that the surface of the film-forming material layer 1 was in contact with the substrate, and the transfer film was thermocompression-bonded with a heating roller.
Here, as the pressure bonding condition, the surface temperature of the heating roller is set to 1
At 20 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm 2 , and the moving speed of the heating roller was 1 m / min. After the completion of the thermocompression bonding, the support film was peeled off from the transfer film. As a result, the film forming material layer 1 and the film forming material 2 are formed on the surface of the glass substrate.
Was transferred and brought into close contact. When the film thickness of this laminated film was measured, it was in the range of 60 μm ± 1 μm.

【0032】〔膜形成材料層の焼成工程〕転写された膜
形成材料層を室温から10℃/分の昇温速度で570℃
まで昇温し、570℃の温度雰囲気下30分間にわたっ
て焼成処理することにより、ガラス基板の表面に、ガラ
ス焼結体よりなる誘電体層を形成した。この誘電体層の
膜厚を測定したところ30μm±0.5μmの範囲にあ
り、膜厚の均一性に優れているものであった。
[Firing Step of Film Forming Material Layer] The transferred film forming material layer is heated from room temperature to 570 ° C. at a rate of 10 ° C./min.
The temperature was raised to 570 ° C., and firing was performed for 30 minutes in a temperature atmosphere of 570 ° C., thereby forming a dielectric layer made of a glass sintered body on the surface of the glass substrate. When the film thickness of this dielectric layer was measured, it was in the range of 30 μm ± 0.5 μm, and the film was excellent in uniformity in film thickness.

【0033】〔誘電体層の性能評価〕このようにして、
誘電体層を有するガラス基板よりなるパネル材料を5台
分作製した。形成された誘電体層について、断面および
表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、全てのパネ
ル材料に形成された誘電体層においてピンホールやクラ
ックなどの膜欠陥は認められなかった。この誘電体層の
断面を電子顕微鏡(日立製作所製 SEM−4200)
にて観察したところ、低融点ガラスが軟化流動してバス
電極と透明導電膜との間に浸食することも、透明導電膜
からバス電極が剥離することもなかった。また目視によ
る外観の観察においても、バス電極の着色は認められな
かった。さらに、このようにして、誘電体層を有するガ
ラス基板よりなるパネル材料を5台分作製し、形成され
た誘電体層の光透過率(測定波長550nm)を測定し
たところ、光透過率の平均値は83%であり、良好な透
明性を有するものであることが認められた。以上の結果
を、表1に示す。
[Evaluation of Performance of Dielectric Layer]
Five panel materials made of a glass substrate having a dielectric layer were prepared. When the cross section and the surface of the formed dielectric layer were observed with a scanning electron microscope, no film defects such as pinholes and cracks were found in the dielectric layers formed on all the panel materials. An electron microscope (SEM-4200 manufactured by Hitachi, Ltd.)
As a result, it was found that the low-melting glass did not soften and flow to erode between the bus electrode and the transparent conductive film, nor did the bus electrode peel from the transparent conductive film. No coloration of the bus electrode was observed by visual observation of the appearance. Further, five panel materials made of a glass substrate having a dielectric layer were prepared in this way, and the light transmittance (measuring wavelength 550 nm) of the formed dielectric layer was measured. The value was 83%, and it was confirmed that the composition had good transparency. Table 1 shows the above results.

【0034】<比較例1>実施例で用いたものと同様の
ガラス基板上に、スクリーン印刷法を用いて、ガラスペ
ースト組成物1を塗布し、乾燥することにより溶剤を完
全に除去して膜形成材料層1を形成した。次いで、ガラ
スペースト組成物2を塗布し、乾燥することにより溶剤
を完全に除去して膜形成材料層2を形成した。得られた
膜形成材料層の積層膜について膜厚を測定したところ、
60μm±3.0μmの範囲にあった。次いで、実施例
と同様に、ガラス基板の表面に誘電体層を形成し、評価
を行った。結果を表1に併せて示す。
<Comparative Example 1> A glass paste composition 1 was applied on a glass substrate similar to that used in the examples by using a screen printing method, and dried to completely remove the solvent. The forming material layer 1 was formed. Next, the glass paste composition 2 was applied and dried to completely remove the solvent, thereby forming the film-forming material layer 2. When the film thickness of the laminated film of the obtained film forming material layer was measured,
It was in the range of 60 μm ± 3.0 μm. Next, a dielectric layer was formed on the surface of the glass substrate and evaluated in the same manner as in the examples. The results are shown in Table 1.

【0035】<比較例2、3>表1に示すガラスペース
ト組成物を用いた以外は、実施例と同様にして転写フィ
ルムを作製し、当該転写フィルムを用いた以外は実施例
と同様にして、誘電体層を形成し、評価を行った。結果
を表1に併せて示す。
<Comparative Examples 2 and 3> A transfer film was prepared in the same manner as in Example except that the glass paste compositions shown in Table 1 were used, and in the same manner as in Example except that the transfer film was used. Then, a dielectric layer was formed and evaluated. The results are shown in Table 1.

【0036】[0036]

【表1】 [Table 1]

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明の方法によれば、膜形成材料層の
転写工程を含む簡単な方法によって、誘電体層の形成工
程において、プラズマディスプレイパネルの製造効率を
向上させることができる。また、本発明の方法によれ
ば、膜厚の均一性および平滑性を維持しながら、膜厚の
大きな誘電体層を形成することができ、大型のパネルに
要求される誘電体層であっても効率的に形成することが
できる。さらに、本発明の方法によれば、透明電極から
バス電極が剥離しないような誘電体層を形成することが
できる。また、透明性に優れ、銀を主成分とした厚膜の
バス電極上に誘電体層をドライフィルム法で形成して
も、焼成時にバス電極を着色させることがないような誘
電体層を形成することができる。従って、このような信
頼性の高い誘電体層によって安定した誘電特性が発揮さ
れ、この結果、本発明の方法により製造されるPDPに
おいて、輝度ムラなどの表示欠陥が発生することはな
い。
According to the method of the present invention, the manufacturing efficiency of the plasma display panel can be improved in the step of forming the dielectric layer by a simple method including the step of transferring the film forming material layer. Further, according to the method of the present invention, a dielectric layer having a large thickness can be formed while maintaining uniformity and smoothness of the film thickness, and is a dielectric layer required for a large panel. Can also be formed efficiently. Further, according to the method of the present invention, it is possible to form a dielectric layer such that the bus electrode does not peel off from the transparent electrode. In addition, even if a dielectric layer is formed on a thick bus electrode mainly composed of silver by a dry film method, the dielectric layer is formed so that the bus electrode is not colored during firing. can do. Therefore, stable dielectric properties are exhibited by such a highly reliable dielectric layer, and as a result, display defects such as uneven brightness do not occur in the PDP manufactured by the method of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 交流型のプラズマディスプレイパネルの断面
形状を示す模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type plasma display panel.

【図2】 プラズマディスプレイパネルにおける正常な
バス電極の状態(電極が密着した状態)と、剥離したバ
ス電極の状態(電極が剥離した状態)との断面形状を示
す模式図である。
FIG. 2 is a schematic view showing cross-sectional shapes of a normal bus electrode state (a state in which the electrodes are in close contact) and a peeled bus electrode state (a state in which the electrodes are peeled) in the plasma display panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板(前面基板) 2 ガラス基板(背面基板) 3 隔壁 4 透明電極 5 バス電極 6 アドレス電極 7 蛍光物質 8 誘電体層(前面基板) 9 誘電体層(背面基板) 10 保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate (front substrate) 2 Glass substrate (rear substrate) 3 Partition wall 4 Transparent electrode 5 Bus electrode 6 Address electrode 7 Fluorescent substance 8 Dielectric layer (front substrate) 9 Dielectric layer (rear substrate) 10 Protective layer

フロントページの続き Fターム(参考) 3B005 FC08X FC20X FG08Z FG20Z 4F100 AG00A AG00B AG00C AG001 AK25A AK25B AK42C AS00A AS00B AT00C BA03 BA07 BA10A BA10C BA13 BA26 CC00A CC00B DE01A DE01B EC042 EH461 EJ421 EJ482 EJ861 GB41 JA04A JA04B JG05A JG05B JL14C 4G059 AA07 CA01 CB10 5C027 AA05 5C040 FA01 GD02 GD07 GD09 JA19 JA21 JA40 KA07 KA17 KB04 KB06 KB11 LA17 MA26 Continued on front page F-term (reference) 3B005 FC08X FC20X FG08Z FG20Z 4F100 AG00A AG00B AG00C AG001 AK25A AK25B AK42C AS00A AS00B AT00C BA03 BA07 BA10A BA10C BA13 BA26 CC00A CC00B DE01A DE01B EC041 E41B05 J041 E04B05 J041 E04B01 J041 5C027 AA05 5C040 FA01 GD02 GD07 GD09 JA19 JA21 JA40 KA07 KA17 KB04 KB06 KB11 LA17 MA26

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス粉末を含有する第一の膜形成材料
層と、第一の膜形成材料層と軟化点の異なるガラス粉末
を含有する第二の膜形成材料層との積層膜が、支持フィ
ルム上に形成されていることを特徴とする、転写フィル
ム。
A laminated film of a first film forming material layer containing glass powder and a second film forming material layer containing glass powder having a different softening point from the first film forming material layer is supported. A transfer film, which is formed on a film.
【請求項2】 請求項1記載の転写フィルムを、電極が
固定されたガラス基板上に転写し、転写された膜形成材
料層を焼成することにより、前記ガラス基板の表面に誘
電体層を形成することを特徴とする、プラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
2. A dielectric layer is formed on the surface of the glass substrate by transferring the transfer film according to claim 1 onto a glass substrate to which electrodes are fixed, and baking the transferred film forming material layer. A method for manufacturing a plasma display panel.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006299008A (en) * 2005-04-18 2006-11-02 Jsr Corp Inorganic particle-containing composition, transfer film, and method for manufacturing plasma display panel
JP2013049614A (en) * 2011-07-29 2013-03-14 Nippon Electric Glass Co Ltd Method for producing glass substrate with sealing material layer

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