JP2000091862A - Variable gain amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、広く可変利得増幅
器に関し、より具体的には、低電圧で作動する線形性の
高い可変利得増幅器(VGA)に関する。The present invention relates generally to variable gain amplifiers and, more particularly, to a highly linear variable gain amplifier (VGA) that operates at low voltages.
【0002】[0002]
【従来の技術】可変利得増幅器(VGA)またはプログ
ラマブル利得増幅器(PGA)は、あらゆる信号調整シ
ステムにおける重要な部品であり、A/D変換器、ディ
ジタル・オシロスコープ、シグナルコンディショナ等に
おいて広く用いられている。CMOSの技法を用いて作
成されたVGAやPGAは沢山あるが、いずれも何らか
の解決すべき課題を残している。2. Description of the Related Art A variable gain amplifier (VGA) or a programmable gain amplifier (PGA) is an important component in any signal conditioning system and is widely used in A / D converters, digital oscilloscopes, signal conditioners, and the like. I have. Although there are many VGAs and PGAs produced by using the CMOS technique, all of them have some problems to be solved.
【0003】そのような可変利得増幅器の一例に、特開
平7−122950号公報に記載のものがある。この回
路は、純粋のCMOS回路で、周波数帯域幅が利得に依
存しないものではあるが、電力供給量が大きくなるとい
う大きな欠点を有している。このため、近年の低電圧で
作動しなければならないという条件に合致せず、実用的
ではなかった。One example of such a variable gain amplifier is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-122950. Although this circuit is a pure CMOS circuit whose frequency bandwidth does not depend on gain, it has a major drawback in that the power supply is large. For this reason, it does not meet the recent requirement of operating at a low voltage and is not practical.
【0004】この回路を図5に示す。ここにおいて用い
られているトランジスタは、全てMOSFET(金属酸
化物電界効果トランジスタ)(以下、単に「FET」と
いう)である。Vinで示した2個の端子に入力電圧1
0,11が入力される。Vo+とVo-で示したのが出力電
圧端子であり、ここに出力電圧12、13があらわれ
る。ここで、FET26,27、45,47は差動入力
回路を構成しており、FET24,25,28,29,
40,46は出力電圧12,13を負帰還する負帰還回
路を構成する。そして、FET16,18,20,2
2,30,32および17,19,21,23,31,
33は、出力段回路を構成する。FET34と利得制御
電圧50の入力が利得制御段を構成する。ここで、FE
T20,21,22,23は、すべてNFET素子であ
る一方、FET30,31,32,33は、PFET素
子である。FIG. 5 shows this circuit. The transistors used here are all MOSFETs (metal oxide field effect transistors) (hereinafter simply referred to as “FETs”). The input voltage 1 is applied to the two terminals indicated by Vin.
0 and 11 are input. Output voltage terminals are indicated by Vo + and Vo- , and output voltages 12 and 13 appear here. Here, the FETs 26, 27, 45, 47 constitute a differential input circuit, and the FETs 24, 25, 28, 29,
Reference numerals 40 and 46 constitute a negative feedback circuit for negatively feeding back the output voltages 12 and 13. And FETs 16, 18, 20, 2
2, 30, 32 and 17, 19, 21, 23, 31,
33 constitutes an output stage circuit. The input of the FET 34 and the gain control voltage 50 constitute a gain control stage. Where FE
T20, 21, 22, and 23 are all NFET devices, while FETs 30, 31, 32, and 33 are PFET devices.
【0005】入力電圧10,11は、FET26,27
のゲートに入力され、FET26,27のソースは、F
ET45のドレインに接続され、FET45のソース
は、47のドレインに接続されている。また、FET2
6のドレインは、FET20のソース、FET16,1
8のドレインとFET34のドレインに接続され、FE
T27のドレインは、FET21のソース、FET1
7,19のドレインに接続されている。The input voltages 10 and 11 are connected to FETs 26 and 27
And the sources of FETs 26 and 27 are connected to F
The source of the FET 45 is connected to the drain of the ET 45. Also, FET2
The drain of FET 6 is the source of FET 20, FET 16, 1
8 and the drain of the FET 34,
The drain of T27 is the source of FET21, FET1
7 and 19 are connected to the drains.
【0006】FET20のドレインは、FET28のド
レインとFET22のソースに接続され、FET22の
ドレインは出力電圧12を出力すると共に、FET28
とFET24のゲート、FET30のドレインに接続し
ている。FET21のドレインはFET29のドレイン
とFET23のソースに接続され、FET23のドレイ
ンは、出力電圧13を出力すると共に、FET29とF
ET25のゲート、FET31のドレインに接続してい
る。The drain of the FET 20 is connected to the drain of the FET 28 and the source of the FET 22. The drain of the FET 22 outputs the output voltage 12 and
And the gate of the FET 24 and the drain of the FET 30. The drain of the FET 21 is connected to the drain of the FET 29 and the source of the FET 23. The drain of the FET 23 outputs the output voltage 13,
It is connected to the gate of ET25 and the drain of FET31.
【0007】また、FET28,29のソースは、FE
T40のドレインに接続され、FET40のソースはF
ET46のドレインに接続される。FET30,31の
ソースは、それぞれFET32,33のドレインに接続
される。さらに、FET32,33,46,47のソー
スは正電圧源VDDに、FET16,18,40,17,
19のソースは、グランド(GND)に接続されてい
る。FET32,33,46,47のゲート、FET2
2,23のゲート、FET20,21のゲートには、そ
れぞれバイアス電圧が印加されている。The sources of the FETs 28 and 29 are FE
Connected to the drain of T40, the source of FET40 is F
Connected to the drain of ET46. The sources of the FETs 30 and 31 are connected to the drains of the FETs 32 and 33, respectively. Further, the sources of the FETs 32, 33, 46, and 47 are connected to the positive voltage source VDD , and the FETs 16, 18, 40, 17, and
The 19 source is connected to the ground (GND). Gate of FET32, 33, 46, 47, FET2
Bias voltages are applied to the gates 2 and 23 and the gates of the FETs 20 and 21, respectively.
【0008】FET16,17のゲートは、コモンモー
ド電圧VCMに接続している。このコモンモード電圧は、
出力電圧12,13の和に比例するものであり、出力電
圧のコモンモードに比例することからこの呼び名があ
る。この結果、電圧VCMが大きくなるとFET16,1
7の作用により、出力段回路にバイアス電流が流れて、
前記出力電圧のコモンモードが小さくなるように動作す
る。また、電圧VCMが小さくなると、前記出力電圧のコ
モンモードが大きくなるように動作する。すなわちコモ
ンモード帰還回路は、負帰還回路として動作することと
なる。The gates of the FETs 16 and 17 are connected to a common mode voltage V CM . This common mode voltage is
It is proportional to the sum of the output voltages 12 and 13 and is proportional to the common mode of the output voltage. As a result, when the voltage V CM increases, the FETs 16, 1
By the action of 7, a bias current flows in the output stage circuit,
The operation is performed so that the common mode of the output voltage is reduced. When the voltage V CM decreases, the operation is performed so that the common mode of the output voltage increases. That is, the common mode feedback circuit operates as a negative feedback circuit.
【0009】この特開平7−122950号公報に記載
された回路の主な欠点は、5個のトランジスタが直列に
繋がれている構成を有しており、そのため出力スイング
が限定され、供給電圧が大きくなってしまう(1.2μ
m加工による場合6ボルト)。これは、1.2μm加工
の素子におけるVtが大きいことに部分的にも依るもの
である。もっと新しい加工技術を用いればVtを下げる
ことができるが(1.2μmの場合に0.8ボルトであ
ったものが、0.5μm技術では0.5ボルトにな
る)、それでも3.3ボルトの供給電源で作動させるこ
とはできない。The main disadvantage of the circuit described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-122950 is that it has a configuration in which five transistors are connected in series, which limits the output swing and reduces the supply voltage. (1.2μ)
6 bolts in case of m processing). This is partly due to the large Vt in the 1.2 μm processed device. Vt can be reduced by using a newer processing technology (from 0.8 volts for 1.2 μm to 0.5 volts for 0.5 μm technology) but still 3.3 volts. It cannot be operated with power supply.
【0010】この先行技術による回路の周波数帯域が利
得の変動に対しても安定である理由は、帰還回路の特性
を変更することなしに、差動入力回路からの電流信号を
調整できることにある。このような機能は、図5に示さ
れたFET20,21からなるカスケード段によって達
成されている。そして、このカスケード段のFET2
0,21の存在が、必要とする電源電圧を高める理由と
もなっているのである。The reason that the frequency band of this prior art circuit is stable against fluctuations in gain is that the current signal from the differential input circuit can be adjusted without changing the characteristics of the feedback circuit. Such a function is achieved by the cascade stage including the FETs 20 and 21 shown in FIG. And FET2 of this cascade stage
The presence of 0 and 21 is the reason for increasing the required power supply voltage.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本願発明の目的は、上
記のような従来技術に鑑み、より低電圧で作動しつつ、
周波数帯域の安定性と高入力インピーダンスという上記
先行技術の利点を備えた可変利得増幅器を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems in the prior art while operating at a lower voltage.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a variable gain amplifier having the advantages of the above-mentioned prior art such as frequency band stability and high input impedance.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、二つの
入力電圧が入力される差動入力回路と、利得制御電圧と
この差動入力回路の二つの出力電流とが入力され、3以
上のトランジスタ装置を含んでなる利得制御段と、この
利得制御段の二つの出力電流に基づき出力電圧を変化さ
せる出力段と、この出力電圧を前記出力段に負帰還させ
る帰還回路とを備えたことを特徴とする可変利得増幅器
が提供される。According to the present invention, a differential input circuit to which two input voltages are input, a gain control voltage and two output currents of the differential input circuit are input, and three or more are input. A gain control stage including the transistor device, an output stage for changing an output voltage based on two output currents of the gain control stage, and a feedback circuit for negatively feeding back the output voltage to the output stage. A variable gain amplifier is provided.
【0013】すなわち、出力段回路に直列に重ねられて
いるカスケード段の一組のFET20、21を取り去っ
て、それに代わるものとして、入力差動回路に直列に配
置された、出力段の回路の一部を構成しない二つまたは
それ以上のFETを採用する。このような構成により、
差動入力回路からの電流信号によって、帰還回路の特性
を変更することなしに、差動入力回路からの電流信号を
調整できる。本発明においては、これらのFETと利得
制御電圧を受けるFETとからなる回路を利得制御段と
呼んでいる。このように、出力段において直列に接続さ
れているFETの数を減少することにより、可変利得増
幅器回路全体の特性を維持または改善しつつ、より低い
電圧、特に課題となっている3.3ボルト以下での作動
を可能にするものである。That is, a set of FETs 20 and 21 cascaded in series with the output stage circuit is removed and, as an alternative, one of the output stage circuits arranged in series with the input differential circuit. Two or more FETs that do not constitute a unit are employed. With such a configuration,
The current signal from the differential input circuit can be adjusted by the current signal from the differential input circuit without changing the characteristics of the feedback circuit. In the present invention, a circuit composed of these FETs and an FET receiving the gain control voltage is called a gain control stage. Thus, by reducing the number of FETs connected in series at the output stage, lower voltages, especially 3.3 volts, are a challenge while maintaining or improving the overall variable gain amplifier circuit characteristics. It enables the following operations.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の一実施態様を、図1から
4を参照して、次に説明する。図1において、図5につ
いて説明した先行技術と同一の部分については、同じ参
照番号を用い、説明を省略する。本願にかかる発明は特
許請求の範囲により規定されており、ここに説明する実
施態様に限定されるものではないことはいうまでもな
い。なお、本実施例においては、金属酸化物電界効果型
トランジスタを用いて説明するが、その他の装置、例え
ば、バイポーラトランジスタなども利用できる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIG. 1, the same parts as those of the prior art described with reference to FIG. The invention according to the present application is defined by the claims, and it is needless to say that the invention is not limited to the embodiments described herein. In this embodiment, a description will be given using a metal oxide field-effect transistor. However, other devices, for example, a bipolar transistor or the like can be used.
【0015】図1において、FET20,21は、バイ
アス電圧Vbias4と共に取り去られている。それに代わ
って、FET60、61のソースが、それぞれ、利得制
御電圧50を受けるFET62のドレインとソースに結
合されている。これらのFET60,61のゲートは共
にグランドされている。そして、FET60,61のド
レインは、FET22,23のソースと帰還回路の一部
を構成するFET28,29のドレインに接続されてい
る。これらのFET60,61は、PMOSである。ま
た、図5の従来例における利得制御電圧50の入力を受
けるFET34は、図1の回路図においてはFET62
に置き換えられていることがわかる。In FIG. 1, FETs 20 and 21 have been removed with a bias voltage V bias 4. Instead, the sources of FETs 60 and 61 are coupled to the drain and source of FET 62, respectively, which receives gain control voltage 50. The gates of these FETs 60 and 61 are both grounded. The drains of the FETs 60 and 61 are connected to the sources of the FETs 22 and 23 and the drains of the FETs 28 and 29 which constitute a part of the feedback circuit. These FETs 60 and 61 are PMOS. The FET 34 receiving the input of the gain control voltage 50 in the conventional example of FIG. 5 is an FET 62 in the circuit diagram of FIG.
It can be seen that it has been replaced by
【0016】すなわち、出力段は、FET16,18,
22,24,30,32およびFET17,19,2
3,25,31,33により構成されている。このよう
に出力段の直列に接続されたトランジスタを4個にする
ことにより、3.3ボルトでの動作が可能となる。ま
た、差動入力回路は、FET26,27,45,47で
構成されている。負帰還回路は、FET24,25,2
8,29,40,46からなり、出力電圧12,13を
負帰還しているが、FET28、29のソースとFET
46のドレインの間にもう一つの同様のFET(このF
ETのソースがFET46のドレインに接続する)を図
示のVbias1上にFET46が設けられているのと同様
に、Vbias2上に設けることも可能である。That is, the output stage comprises FETs 16, 18,
22, 24, 30, 32 and FETs 17, 19, 2
3, 25, 31, and 33. By using four transistors connected in series in the output stage, operation at 3.3 volts becomes possible. The differential input circuit includes FETs 26, 27, 45, and 47. The negative feedback circuit includes FETs 24, 25, 2
8, 29, 40 and 46, and the output voltages 12 and 13 are negatively fed back.
Another similar FET (this F
(The source of ET connects to the drain of FET 46) can be provided on V bias 2 in the same manner as FET 46 is provided on V bias 1 shown.
【0017】本実施例の回路の動作は次のようなもので
ある。もし利得制御電圧50が低いとFET62はオフ
になっている。入力部のFET28,29からの電流
は、出力ノードに向けられて、利得は最大となる。利得
制御電圧50が増大すると、入力部からの電流の一部は
FET62を通って流れ、利得は減少する。The operation of the circuit of this embodiment is as follows. If the gain control voltage 50 is low, FET 62 is off. The current from the input FETs 28 and 29 is directed to the output node and the gain is maximized. As the gain control voltage 50 increases, a portion of the current from the input flows through the FET 62 and the gain decreases.
【0018】周波数帯域が利得に依存しないことを示す
ため、図2に示す小信号等価半回路を考える。ここで、
αは、入力部の電流のどれだけがFET60,61を通
って出力ノードに入力されるかを示す係数である。した
がって、図2より、次のように利得を計算することがで
きる。To show that the frequency band does not depend on the gain, consider the small signal equivalent half circuit shown in FIG. here,
α is a coefficient indicating how much of the current of the input section is input to the output node through the FETs 60 and 61. Therefore, the gain can be calculated as follows from FIG.
【0019】[0019]
【数1】 ここで、R2 とC2 は出力抵抗および出力ノードBの負
荷キャパシタンスである。C1 はノードAの総キャパシ
タンスであり、R1 はノードAの入力抵抗である(1/
gm7)。上記の式は、ポールの位置、つまり周波数帯域
が利得と共に変化しないことを示している。出力ノード
の負荷キャパシタンスを変化させると、周波数応答が大
きく変化しうることに留意されたい。したがって、可変
利得増幅器が比較的大きな負荷キャパシタンスで作動で
きるようにするため、出力ノードで二つのソースフォロ
アを用いる。(Equation 1) Here, R 2 and C 2 are the output resistance and the load capacitance of the output node B. C 1 is the total capacitance of node A, and R 1 is the input resistance of node A (1 /
g m7 ). The above equation shows that the position of the pole, that is, the frequency band does not change with the gain. Note that changing the load capacitance at the output node can significantly change the frequency response. Therefore, two source followers are used at the output node to enable the variable gain amplifier to operate with relatively large load capacitance.
【0020】図3は、異なる利得電圧レベルにおける本
実施例の可変利得増幅器の周波数応答を示すシミュレー
ション結果である。このグラフで、Vgainは、利得制御
電圧50を表す。図4は、この増幅器の利得の温度依存
性を示すものである。利得の温度による変動はきわめて
小さい。異なる信号強度と周波数と増幅器利得における
総合高調波ひずみ(THD)は、次のようなものであ
る。78MHz出力でV p-p が600mVである時、シ
ミュレートされたTHDは、利得が最大で−60dB、
利得最小で−45.3dBであった。また、316MH
zの周波数帯域でのノイズは、同じくシミュレーション
によると、利得最大で86μVであり、利得最小で78
7μVであった。利得が低い際の比較的大きなノイズ
は、ソースフォロアのノイズと、入力段に帰還される出
力段のノイズによるものである。しかしながら、低い利
得は入力信号が大きい場合のみに使用するので、入力に
対して見たノイズは、通常の入力信号レベルに対して−
60dBより小さい。FIG. 3 illustrates the present invention at different gain voltage levels.
Simulation showing frequency response of variable gain amplifier of embodiment
Result. In this graph, Vgain is the gain control
Represents the voltage 50. Figure 4 shows the temperature dependence of the gain of this amplifier.
It shows the nature. Gain variation with temperature is extremely
small. At different signal strengths and frequencies and amplifier gains
Total harmonic distortion (THD) is as follows:
You. V at 78MHz output ppIs 600 mV,
The simulated THD has a gain of up to -60 dB,
The minimum gain was -45.3 dB. In addition, 316MH
Noise in the frequency band of z is also simulated
According to the figure, the maximum gain is 86 μV and the minimum gain is 78 μV.
7 μV. Relatively large noise at low gain
Is the noise of the source follower and the output that is fed back to the input stage.
This is due to noise at the power stage. However, low profit
Since the gain is used only when the input signal is large,
The noise seen is-
Less than 60 dB.
【0021】また、この増幅器は、18dBの広い可変
利得域を有し、最大利得は19.5dBである。−3d
Bでの周波数帯域は、310MHzであった。したがっ
て、この回路の有効利得と周波数帯域の積は、3GHz
である。これらの全てが22mWの電力消費の単一段増
幅で可能である。このような回路を2段にカスケード接
続すると、ほぼ40dBの可変利得増幅器が得られる。This amplifier has a wide variable gain range of 18 dB, and the maximum gain is 19.5 dB. -3d
The frequency band at B was 310 MHz. Therefore, the product of the effective gain and the frequency band of this circuit is 3 GHz
It is. All of these are possible with a single-stage amplification with a power consumption of 22 mW. When such circuits are cascaded in two stages, a variable gain amplifier of approximately 40 dB is obtained.
【0022】[0022]
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、0.5
μmのCMOS技術を利用して3.3ボルトで作動する
可変利得増幅器を作ることができる。また、周波数帯域
が利得に依存しない。高入力インピーダンスや、広く安
定した周波数帯域という優れた特性に加えて、このよう
な低電圧で作動することは、可変利得増幅器に現在求め
られている条件を満足する上で、非常に重要である。As described above, according to the present invention, 0.5
Using μm CMOS technology, a variable gain amplifier that operates at 3.3 volts can be made. Further, the frequency band does not depend on the gain. Operating at such a low voltage, in addition to the excellent characteristics of high input impedance and wide and stable frequency band, is very important in satisfying the current requirements for variable gain amplifiers. .
【図1】本発明の実施例にかかる可変利得増幅器の回路
構成を示すダイヤグラムである。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a variable gain amplifier according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に記載の実施例の回路の等価半回路を示
す。FIG. 2 shows an equivalent half circuit of the circuit of the embodiment according to FIG.
【図3】利得制御電圧と可変利得増幅器の周波数応答性
の関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a relationship between a gain control voltage and a frequency response of a variable gain amplifier.
【図4】温度に対する可変利得増幅器の周波数応答性の
変化を示すグラムである。FIG. 4 is a graph showing a change in frequency response of the variable gain amplifier with respect to temperature.
【図5】従来例の回路構成を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a conventional example.
10,11 入力電圧 12,13 出力電圧 16,17,18,19,22,23,24,25,2
6,27,28,29,30,31,32,33,4
5,46,47,60,61,62 FET 50 利得制御電圧 VDD 作動電圧 VCM コモンモード電圧 GND グランド10,11 input voltage 12,13 output voltage 16,17,18,19,22,23,24,25,2
6,27,28,29,30,31,32,33,4
5, 46, 47, 60, 61, 62 FET 50 Gain control voltage V DD operating voltage V CM common mode voltage GND Ground
Claims (1)
路と、利得制御電圧とこの差動入力回路の二つの出力電
流とが入力され、3以上のトランジスタ装置を含んでな
る利得制御段と、この利得制御段の二つの出力電流に基
づき出力電圧を変化させる出力段と、この出力電圧を前
記出力段に負帰還させる帰還回路とを備えたことを特徴
とする可変利得増幅器。1. A differential input circuit to which two input voltages are inputted, a gain control stage to which a gain control voltage and two output currents of the differential input circuit are inputted, and comprising three or more transistor devices. A variable gain amplifier comprising: an output stage for changing an output voltage based on two output currents of the gain control stage; and a feedback circuit for negatively feeding back the output voltage to the output stage.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10254144A JP2000091862A (en) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | Variable gain amplifier |
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JP10254144A JP2000091862A (en) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | Variable gain amplifier |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115688A (en) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | HF plasma supply device |
-
1998
- 1998-09-08 JP JP10254144A patent/JP2000091862A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007115688A (en) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | HF plasma supply device |
US7745955B2 (en) | 2005-10-17 | 2010-06-29 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | RF plasma supply device |
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