JP2000091682A - パルスマルチプライヤ―を備えるエキシマレ―ザ - Google Patents
パルスマルチプライヤ―を備えるエキシマレ―ザInfo
- Publication number
- JP2000091682A JP2000091682A JP11251791A JP25179199A JP2000091682A JP 2000091682 A JP2000091682 A JP 2000091682A JP 11251791 A JP11251791 A JP 11251791A JP 25179199 A JP25179199 A JP 25179199A JP 2000091682 A JP2000091682 A JP 2000091682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- laser
- pulses
- delay path
- multiplier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルスマルチプライヤを備えるエキシマレー
ザを提供する。 【解決手段】 本発明は、光学的パルスマルチプリケー
ションを備えるエキシマレーザを提供する。パルスマル
チプライヤ光学系は、レーザ出力ビームを受け入れ、多
数のパルスを有するマルチプライヤ出力ビームを生成
し、レーザ出力ビームと比較して実質的に低減された強
度値を各々備える。
ザを提供する。 【解決手段】 本発明は、光学的パルスマルチプリケー
ションを備えるエキシマレーザを提供する。パルスマル
チプライヤ光学系は、レーザ出力ビームを受け入れ、多
数のパルスを有するマルチプライヤ出力ビームを生成
し、レーザ出力ビームと比較して実質的に低減された強
度値を各々備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザに関し、特
にエキシマレーザに関する。
にエキシマレーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のエキシマレーザ フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザは現在、集
積回路リソグラフィ産業の役馬的な光源となっている。
ＫｒＦレーザは、約２４８ｎｍの狭バンド波長を有する
レーザビームを生成し、約１８０ｎｍと同じくらい小さ
い寸法の集積回路を作り出すのに用いられ得る。かかる
ＫｒＦレーザは、米国特許第5,023,844号に記載されて
おり、ここにリファレンスとして組み入れられる。技術
水準のプロダクション高品位ＫｒＦレーザの完全な記載
は、米国特許出願シリアル番号09/041,474号に記載され
ており、これもリファレンスとして組み入れられる。フ
ッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザは、ＫｒＦレー
ザと非常によく似ている。主な違いは、レーザガス混合
と、出力ビームのより短い波長である。基本的に、アル
ゴンはクリプトンを置換し、出力ビームの結果の波長は
約１９３ｎｍである。このことにより、集積回路の寸法
を約１４０ｎｍまでさらに減少させることができる。集
積回路の製造に用いられる典型的な従来技術のエキシマ
レーザを図１に示す。この従来技術のレーザのレーザチ
ャンバの断面を図２に示す。整流子モジュール及び圧縮
モジュールからなり、高電圧電源モジュールによって電
源供給されるパルス電源装置が、電気的パルスを、放電
チャンバ８に配置された電極６に提供する。典型的な技
術水準のリソグラフィレーザは、約１０ｍＪ／パルスの
パルスエネルギで約１０００Ｈｚのパルス周波数で作動
する。約３乃至３．５気圧でレーザガス（ＫｒＦレーザ
に関して、約０．１％フッ素、１．３％クリプトン、残
りはバッファガスとして作用するネオン；ＡｒＦレーザ
に関しては、約０．１％フッ素、３％アルゴン、残りは
ネオン）は、約２５メートルの速度で電極の間の空間を
循環する。これは、レーザ放電チャンバに配置された正
接ブロワー１０でなされる。レーザガスは、レーザチャ
ンバ内にまた配置された熱交換器１１と、チャンバの外
側に配置された冷却プレート（図示せず）で冷却され
る。エキシマレーザの通常のバンド幅は、図１に示した
ような線狭帯域化モジュールによって狭帯域化される。
市販のエキシマレーザ装置は典型的には、システムの停
止を妨げることなく迅速に交換できうる種々のモジュー
ルからなる。主なモジュールは以下のものを含む： レーザチャンバモジュール 高電圧電源モジュール、通信モジュール、及び高電圧圧
縮ヘッドモジュールを備えるパルス電源システム 出力カプラモジュール 線狭帯域化モジュール 波長安定化モジュール 制御モジュール ガス制御モジュール
積回路リソグラフィ産業の役馬的な光源となっている。
ＫｒＦレーザは、約２４８ｎｍの狭バンド波長を有する
レーザビームを生成し、約１８０ｎｍと同じくらい小さ
い寸法の集積回路を作り出すのに用いられ得る。かかる
ＫｒＦレーザは、米国特許第5,023,844号に記載されて
おり、ここにリファレンスとして組み入れられる。技術
水準のプロダクション高品位ＫｒＦレーザの完全な記載
は、米国特許出願シリアル番号09/041,474号に記載され
ており、これもリファレンスとして組み入れられる。フ
ッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザは、ＫｒＦレー
ザと非常によく似ている。主な違いは、レーザガス混合
と、出力ビームのより短い波長である。基本的に、アル
ゴンはクリプトンを置換し、出力ビームの結果の波長は
約１９３ｎｍである。このことにより、集積回路の寸法
を約１４０ｎｍまでさらに減少させることができる。集
積回路の製造に用いられる典型的な従来技術のエキシマ
レーザを図１に示す。この従来技術のレーザのレーザチ
ャンバの断面を図２に示す。整流子モジュール及び圧縮
モジュールからなり、高電圧電源モジュールによって電
源供給されるパルス電源装置が、電気的パルスを、放電
チャンバ８に配置された電極６に提供する。典型的な技
術水準のリソグラフィレーザは、約１０ｍＪ／パルスの
パルスエネルギで約１０００Ｈｚのパルス周波数で作動
する。約３乃至３．５気圧でレーザガス（ＫｒＦレーザ
に関して、約０．１％フッ素、１．３％クリプトン、残
りはバッファガスとして作用するネオン；ＡｒＦレーザ
に関しては、約０．１％フッ素、３％アルゴン、残りは
ネオン）は、約２５メートルの速度で電極の間の空間を
循環する。これは、レーザ放電チャンバに配置された正
接ブロワー１０でなされる。レーザガスは、レーザチャ
ンバ内にまた配置された熱交換器１１と、チャンバの外
側に配置された冷却プレート（図示せず）で冷却され
る。エキシマレーザの通常のバンド幅は、図１に示した
ような線狭帯域化モジュールによって狭帯域化される。
市販のエキシマレーザ装置は典型的には、システムの停
止を妨げることなく迅速に交換できうる種々のモジュー
ルからなる。主なモジュールは以下のものを含む： レーザチャンバモジュール 高電圧電源モジュール、通信モジュール、及び高電圧圧
縮ヘッドモジュールを備えるパルス電源システム 出力カプラモジュール 線狭帯域化モジュール 波長安定化モジュール 制御モジュール ガス制御モジュール
【０００３】図１に示したこれらおよび追加のモジュー
ルは、メンテナンスを実行するときに、レーザのダウン
時間を最小にするために個々のユニットとして迅速に交
換するように設計される。
ルは、メンテナンスを実行するときに、レーザのダウン
時間を最小にするために個々のユニットとして迅速に交
換するように設計される。
【０００４】電極６は、カソードと接地アノードとから
なる。アノードは、この従来技術の実施形態では、チャ
ンバの中心付近で支持される。フローは、この方向から
見て時計回りである。電圧がピーキングキャパシタ５４
にたまる間、高電界が２つのプレイオン化装置５６によ
って生成され、該プレイオン化装置は、電極の間にイオ
ン電界を生成し、ピーキングキャパシタのチャージが約
１６，０００ボルトに達するとき、電極にわたる放電
が、エキシマレーザパルスを生成し、ピーキングキャパ
シタ５４を放電して生成される。以下の各パルス、ブロ
ワー１０によって生成された、約２．５ｃｍ／ミリ秒の
電極間のガスフローは、次のパルスが生じる１．０ミリ
秒後に丁度、電極の間で新鮮なレーザガスを提供するの
に十分である。
なる。アノードは、この従来技術の実施形態では、チャ
ンバの中心付近で支持される。フローは、この方向から
見て時計回りである。電圧がピーキングキャパシタ５４
にたまる間、高電界が２つのプレイオン化装置５６によ
って生成され、該プレイオン化装置は、電極の間にイオ
ン電界を生成し、ピーキングキャパシタのチャージが約
１６，０００ボルトに達するとき、電極にわたる放電
が、エキシマレーザパルスを生成し、ピーキングキャパ
シタ５４を放電して生成される。以下の各パルス、ブロ
ワー１０によって生成された、約２．５ｃｍ／ミリ秒の
電極間のガスフローは、次のパルスが生じる１．０ミリ
秒後に丁度、電極の間で新鮮なレーザガスを提供するの
に十分である。
【０００５】典型的なリソグラフィエキシマレーザにお
いて、フィードバック制御システムは、各パルスの出力
レーザエネルギを測定し、所望のパルスエネルギからの
偏差の度合いを判断し、次いで、電源供給電圧を調整す
るために制御モジュールに信号を送信し、一連のパルス
のエネルギは所望のエネルギに近づく。
いて、フィードバック制御システムは、各パルスの出力
レーザエネルギを測定し、所望のパルスエネルギからの
偏差の度合いを判断し、次いで、電源供給電圧を調整す
るために制御モジュールに信号を送信し、一連のパルス
のエネルギは所望のエネルギに近づく。
【０００６】これらのエキシマレーザは典型的には、予
定されたメンテナンスのためのほんの短い停止だけで、
１日２４時間、１週間７日間、数ヶ月、連続して作動す
ることが要求される。
定されたメンテナンスのためのほんの短い停止だけで、
１日２４時間、１週間７日間、数ヶ月、連続して作動す
ることが要求される。
【０００７】干渉レーザビームからのスペックルを排除
するためのパルスマルチプリケーション リソグラフィ光源として使用するのに他の多くのレーザ
よりエキシマレーザが大きく優れている点は、エキシマ
レーザビームが他の殆どのレーザソースと比べて非常に
空間的に非干渉性であることである。５倍のＮｄ−ＹＡ
Ｇのような他の可能なリソグラフィレーザソースからの
レーザビームが高干渉性であり、その結果、リソグラフ
ィソースのために使用するならば、スペックルを生成し
うる。技術は、これらの固体物理レーザからのパルスビ
ームによって生成されたスペックルを最小にするために
提案される。例えば、リファレンスとしてここに組み入
れられる米国特許第5,233,460号を参照のこと。図３
は、米国特許第5,233,460号からのパルス遅延技術を示
す。この場合、干渉性レーザビームの出力パルスは、異
なる遅延に各々服従される複数のビームに分割され、ビ
ームの干渉性を大きく減少させるために再結合される。
するためのパルスマルチプリケーション リソグラフィ光源として使用するのに他の多くのレーザ
よりエキシマレーザが大きく優れている点は、エキシマ
レーザビームが他の殆どのレーザソースと比べて非常に
空間的に非干渉性であることである。５倍のＮｄ−ＹＡ
Ｇのような他の可能なリソグラフィレーザソースからの
レーザビームが高干渉性であり、その結果、リソグラフ
ィソースのために使用するならば、スペックルを生成し
うる。技術は、これらの固体物理レーザからのパルスビ
ームによって生成されたスペックルを最小にするために
提案される。例えば、リファレンスとしてここに組み入
れられる米国特許第5,233,460号を参照のこと。図３
は、米国特許第5,233,460号からのパルス遅延技術を示
す。この場合、干渉性レーザビームの出力パルスは、異
なる遅延に各々服従される複数のビームに分割され、ビ
ームの干渉性を大きく減少させるために再結合される。
【０００８】米国特許第5,233,460号の技術背景の項で
は、エキシマレーザが複数の空間モード特性と、マイク
ロリソグラフィに使用するのに適当なエキシマレーザウ
ェルを作る高平均パワーとを有することが認識されてい
る。複数の空間モード特性は、エキシマレーザの通常の
非干渉性出力ビームに関する原因であるエキシマレーザ
の特徴である。
は、エキシマレーザが複数の空間モード特性と、マイク
ロリソグラフィに使用するのに適当なエキシマレーザウ
ェルを作る高平均パワーとを有することが認識されてい
る。複数の空間モード特性は、エキシマレーザの通常の
非干渉性出力ビームに関する原因であるエキシマレーザ
の特徴である。
【０００９】スペックルを減少させるための別のシステ
ム設計が、Scullyによる特許（"Laser Target Speckle
Eliminator"米国特許第4,51,220号、１９８５年４月）
に記載されている。Scullyの技術を図４に要約する。
ム設計が、Scullyによる特許（"Laser Target Speckle
Eliminator"米国特許第4,51,220号、１９８５年４月）
に記載されている。Scullyの技術を図４に要約する。
【００１０】通信のためのパルスマルチプリケーション パルスを乗算するための光学的配置は、光学的通信に関
して提案されてきた。図４に示した同様なシステムは、
データ転送レートを増加するために１９６９年のRubens
tein（C.B. Rubenstein, "Optical Pulse Generator"米
国特許第3,430,048号）によって提案された。通信に使
用するために設計された別のパルスマルチプライングシ
ステムは、De Lange（E.O. DeLange et.al.,"Optical P
ulse Multiplexer",（米国特許第3,447,856号）１９６
９年６月）によって提案され、３２によってパルスの数
を乗算する彼の技術の一例を図５に示す。
して提案されてきた。図４に示した同様なシステムは、
データ転送レートを増加するために１９６９年のRubens
tein（C.B. Rubenstein, "Optical Pulse Generator"米
国特許第3,430,048号）によって提案された。通信に使
用するために設計された別のパルスマルチプライングシ
ステムは、De Lange（E.O. DeLange et.al.,"Optical P
ulse Multiplexer",（米国特許第3,447,856号）１９６
９年６月）によって提案され、３２によってパルスの数
を乗算する彼の技術の一例を図５に示す。
【００１１】光学的通信のために設計された光学パルス
マルチプレクサシステムの別の例が、Herriott及びSchu
lteによる特許（米国特許第3,501,222号）に記載されて
いる。
マルチプレクサシステムの別の例が、Herriott及びSchu
lteによる特許（米国特許第3,501,222号）に記載されて
いる。
【００１２】ビーム配送における光学素子及び光学的リ
ソグラフィステッパで使用されるこれらのイメージング
システムに対する損傷を低減するために低い強度のパル
スを備える高エネルギを生成することができる高信頼性
プロダクション高品質エキシマレーザが必要とされてい
る。
ソグラフィステッパで使用されるこれらのイメージング
システムに対する損傷を低減するために低い強度のパル
スを備える高エネルギを生成することができる高信頼性
プロダクション高品質エキシマレーザが必要とされてい
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、光学的パルス
マルチプリケーションを備えるエキシマレーザを提供す
る。パルスマルチプライヤ光学系は、レーザ出力ビーム
を受け入れ、多数のパルスを有するマルチプライヤ出力
ビームを生成し、レーザ出力ビームと比較して実質的に
低減された強度値を各々備える。
マルチプリケーションを備えるエキシマレーザを提供す
る。パルスマルチプライヤ光学系は、レーザ出力ビーム
を受け入れ、多数のパルスを有するマルチプライヤ出力
ビームを生成し、レーザ出力ビームと比較して実質的に
低減された強度値を各々備える。
【００１４】本発明は、リソグラフィ機械における光学
的装置に対する２つのフォトン吸収損傷を減少させるた
めのＡｒＦエキシマレーザに対する改良が特に重要であ
る。圧密及びＤＵＶスペクトル領域における石英ガラス
の感光のような、２つのフォトンプロセスを含む損傷メ
カニズムに関して、ピークパワーにおける４倍の減少
が、レーザによって放射された単一パルスにおける全て
のエネルギを配送することと比較される約１６倍まで合
成された４つのパルスバーストによってなされる２つの
フォトン吸収損傷の量を減少させる。これは、ウェハで
利用できる総ドーズ量を減少させることなく、フォトリ
ソグラフィステッパシステムで使用されるような非常に
高価なビーム配送システムの寿命を長くさせる有用な方
法である。好ましい実施形態では、パルスマルチプライ
ヤシステムは、予め配置され、エキシマレーザに迅速に
取り付けられ得るモジュールに包含される。
的装置に対する２つのフォトン吸収損傷を減少させるた
めのＡｒＦエキシマレーザに対する改良が特に重要であ
る。圧密及びＤＵＶスペクトル領域における石英ガラス
の感光のような、２つのフォトンプロセスを含む損傷メ
カニズムに関して、ピークパワーにおける４倍の減少
が、レーザによって放射された単一パルスにおける全て
のエネルギを配送することと比較される約１６倍まで合
成された４つのパルスバーストによってなされる２つの
フォトン吸収損傷の量を減少させる。これは、ウェハで
利用できる総ドーズ量を減少させることなく、フォトリ
ソグラフィステッパシステムで使用されるような非常に
高価なビーム配送システムの寿命を長くさせる有用な方
法である。好ましい実施形態では、パルスマルチプライ
ヤシステムは、予め配置され、エキシマレーザに迅速に
取り付けられ得るモジュールに包含される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態を図を
参照することによって記載する。ＡｒＦレーザの１９３
ｎｍ波長は、集積回路リソグラフィのプロセスにおいて
紫外光で使用される普通の光学材料における透過ウィン
ドウの短い波長制限の実用的な範囲の付近である。Ａｒ
Ｆレーザフォトンの高エネルギ（６．４ｅＶ）はまた、
おそらく非線形の、２−フォトン吸収プロセスを増加さ
せる。ＣａＦ2及びＭｇＦ2のようなアルカリ土類フッ化
物、並びに石英ガラスは全て、６．４ｅＶよりも大きな
バンドギャップを有し、それ故、適度な強度でＡｒＦ光
学素子にとって良好な候補であるが、より強い強度で２
−フォトン吸収ダメージに曝される。１９３ｎｍでの線
形及び非線形吸収プロセスは、エキシマレーザとリソグ
ラフィー露出ツールの両方においてＵＶ光学素子の寿命
を制限する。１０ｍＪのＡｒＦエキシマレーザの従来技
術では、主要なエキシマレーザビーム石英ガラス吸収
は、線形吸収係数ａ0を介さないが、２−フォトン吸収
を介する。２−フォトン吸収は、色中心（ソラリゼーシ
ョン）及び（ＳｉＯ2に）圧縮の形態に関する最初のス
テップであるが、これらの２つの影響につながるプロセ
スは異なる。プロセスが、吸収原子の近くの２−フォト
ンの存在を要求するので、２−フォトン吸収プロセス
は、レーザパワー強度（Ｗ／ｃｍ2）の増加に対して非
線形である。２−フォトンの各々が反応スペースにある
確率が強度に対して線形に増加するので、同時に同じ場
所（即ち、特定の原子と関係する反応スペース）に２−
フォトンがある確率は、（ワット／ｃｍ2又はフォトン
／秒ｃｍ2で測定された）レーザビーム強度面積に比例
する。
参照することによって記載する。ＡｒＦレーザの１９３
ｎｍ波長は、集積回路リソグラフィのプロセスにおいて
紫外光で使用される普通の光学材料における透過ウィン
ドウの短い波長制限の実用的な範囲の付近である。Ａｒ
Ｆレーザフォトンの高エネルギ（６．４ｅＶ）はまた、
おそらく非線形の、２−フォトン吸収プロセスを増加さ
せる。ＣａＦ2及びＭｇＦ2のようなアルカリ土類フッ化
物、並びに石英ガラスは全て、６．４ｅＶよりも大きな
バンドギャップを有し、それ故、適度な強度でＡｒＦ光
学素子にとって良好な候補であるが、より強い強度で２
−フォトン吸収ダメージに曝される。１９３ｎｍでの線
形及び非線形吸収プロセスは、エキシマレーザとリソグ
ラフィー露出ツールの両方においてＵＶ光学素子の寿命
を制限する。１０ｍＪのＡｒＦエキシマレーザの従来技
術では、主要なエキシマレーザビーム石英ガラス吸収
は、線形吸収係数ａ0を介さないが、２−フォトン吸収
を介する。２−フォトン吸収は、色中心（ソラリゼーシ
ョン）及び（ＳｉＯ2に）圧縮の形態に関する最初のス
テップであるが、これらの２つの影響につながるプロセ
スは異なる。プロセスが、吸収原子の近くの２−フォト
ンの存在を要求するので、２−フォトン吸収プロセス
は、レーザパワー強度（Ｗ／ｃｍ2）の増加に対して非
線形である。２−フォトンの各々が反応スペースにある
確率が強度に対して線形に増加するので、同時に同じ場
所（即ち、特定の原子と関係する反応スペース）に２−
フォトンがある確率は、（ワット／ｃｍ2又はフォトン
／秒ｃｍ2で測定された）レーザビーム強度面積に比例
する。
【００１６】４倍パルスマルチプライヤ 図６は、本発明の第一の好ましい実施形態の光学的配置
図を示す。これは、総エネルギ出力を著しく減少させる
ことなく、ＡｒＦレーザソース５０の有効なパルス繰り
返し数を４倍にする低損失光学パルスマルチプライヤ５
２である。マルチプレクサを発つ全てのパルスは、ほと
んど完全なオーバーラップで同じビームラインに沿って
伝搬する。
図を示す。これは、総エネルギ出力を著しく減少させる
ことなく、ＡｒＦレーザソース５０の有効なパルス繰り
返し数を４倍にする低損失光学パルスマルチプライヤ５
２である。マルチプレクサを発つ全てのパルスは、ほと
んど完全なオーバーラップで同じビームラインに沿って
伝搬する。
【００１７】ＡｒＦレーザ５０は、１９３ｎｍ、１００
０Ｈｚのパルス繰り返し数で平面偏光を発する。典型的
なビーム断面積は、約０．３ｃｍ×１．３ｃｍ即ち約
０．３９ｃｍ2である。パルスエネルギは約１０ｍＪで
ある。それゆえ、各パルスにおける１９３ｎｍフォトン
の数は、約１×１０16フォトンであり、０．３９ｃｍ2
のビーム断面積にわたって広がる。図７に示したような
典型的なＡｒＦパルスは、約１２ｍの空間長にそれを与
える約４０ｎｓの期間である。そこで、パルスは、これ
らの１０16フォトンが移動する約４６８ｃｍ3の特定の
体積を定義する。水平及び垂直方向においてビームの断
面積にわたってフォトンの空間分布が約３０乃至４０パ
ーセントだけ変化し、一般的に強度の時間的変化が図７
Ａに示したようなので、ピーク強度は平均強度のおおよ
そ２乃至４倍である。
０Ｈｚのパルス繰り返し数で平面偏光を発する。典型的
なビーム断面積は、約０．３ｃｍ×１．３ｃｍ即ち約
０．３９ｃｍ2である。パルスエネルギは約１０ｍＪで
ある。それゆえ、各パルスにおける１９３ｎｍフォトン
の数は、約１×１０16フォトンであり、０．３９ｃｍ2
のビーム断面積にわたって広がる。図７に示したような
典型的なＡｒＦパルスは、約１２ｍの空間長にそれを与
える約４０ｎｓの期間である。そこで、パルスは、これ
らの１０16フォトンが移動する約４６８ｃｍ3の特定の
体積を定義する。水平及び垂直方向においてビームの断
面積にわたってフォトンの空間分布が約３０乃至４０パ
ーセントだけ変化し、一般的に強度の時間的変化が図７
Ａに示したようなので、ピーク強度は平均強度のおおよ
そ２乃至４倍である。
【００１８】１０13乃至１０14／ｃｍ3の範囲のＡｒＦ
６．４ｅＶフォトン密度では、ＵＶ光学系における２つ
のフォトン吸収は非常に著しい。２つのフォトン吸収
は、パルスの空間的または時間的広がりのいずれかによ
って減少する。ビームの空間的広がりは大きな光学系を
意味し、本発明はこの変形実施形態を取り扱わない。パ
ルスは、放電の持続時間を拡大するためにレーザの設計
における変化によって時間的に広がる。本発明は、パル
スの受動的な時間的光学的広がりを許容する。
６．４ｅＶフォトン密度では、ＵＶ光学系における２つ
のフォトン吸収は非常に著しい。２つのフォトン吸収
は、パルスの空間的または時間的広がりのいずれかによ
って減少する。ビームの空間的広がりは大きな光学系を
意味し、本発明はこの変形実施形態を取り扱わない。パ
ルスは、放電の持続時間を拡大するためにレーザの設計
における変化によって時間的に広がる。本発明は、パル
スの受動的な時間的光学的広がりを許容する。
【００１９】ＡｒＦレーザビーム５４の偏光の面は水平
であり、それ故、第１の偏光ビームスプリッタに関する
「Ｐ」とそれが遭遇する。レーザと第１のビームスプリ
ッタ５８との間に挿入された第１の１／４波プレート５
６が偏光状態をサーキュラーに変換する。光の半分、即
ち「Ｐ」コンポーネントが、この光学的要素に関係する
散乱及び吸収以外の損失無く５０／５０偏光ビームスプ
リッタ５８を通る。他の光の半分、即ち「Ｓ」コンポー
ネントが最初に反射され、又は「Ａ」遅延パスである。
であり、それ故、第１の偏光ビームスプリッタに関する
「Ｐ」とそれが遭遇する。レーザと第１のビームスプリ
ッタ５８との間に挿入された第１の１／４波プレート５
６が偏光状態をサーキュラーに変換する。光の半分、即
ち「Ｐ」コンポーネントが、この光学的要素に関係する
散乱及び吸収以外の損失無く５０／５０偏光ビームスプ
リッタ５８を通る。他の光の半分、即ち「Ｓ」コンポー
ネントが最初に反射され、又は「Ａ」遅延パスである。
【００２０】「Ｐ」コンポーネントに戻ると、第１のビ
ームスプリッタ５８を介して遅延無く通り、次に遭遇す
る光学素子は、光の偏光をサーキュラーに変換する第２
の１／４波プレート６０であり、次いで、最初のものと
同じ仕方で方位決めされた第２の５０／５０偏光ビーム
スプリッタ６２であり、光の半分を遅延パスＢに反射す
る。「Ｐ」偏光された光の半分がこの第２のビームスプ
リッタを介して真っ直ぐ通る。これは、パルスマルチプ
ライヤに出るための４つのサブ・プレートのバーストに
おける最初のサブ・プレートである。
ームスプリッタ５８を介して遅延無く通り、次に遭遇す
る光学素子は、光の偏光をサーキュラーに変換する第２
の１／４波プレート６０であり、次いで、最初のものと
同じ仕方で方位決めされた第２の５０／５０偏光ビーム
スプリッタ６２であり、光の半分を遅延パスＢに反射す
る。「Ｐ」偏光された光の半分がこの第２のビームスプ
リッタを介して真っ直ぐ通る。これは、パルスマルチプ
ライヤに出るための４つのサブ・プレートのバーストに
おける最初のサブ・プレートである。
【００２１】ビームスプリッタ５８で、「Ｓ」コンポー
ネントは遅延パス「Ａ」に反射される。ミラーＭ１によ
って反射された、第３の１／４波プレート６４を介する
２つのパスを作った後、それは「Ｐ」に変換され、第１
のビームスプリッタ５８を介して通る。遅延パス「Ａ」
の残りは、別のミラーＭ２と、第４の１／４波プレート
６６とを包含し、該プレートは、光をオリジナルパスに
戻すが、いま「Ｓ」偏光となる。遅延パス「Ａ」は、サ
ンプル位置でパルス＃１及び＃２の到着時間を部分的又
は完全に分離するために十分なパス長を加える。＃２パ
ルスは、もともと定義されたような「Ｓ」偏光を有し、
偏光状態をサーキュラーに変換する１／４波プレート６
０に向かって反射される。再び、この光の半分が、更な
る遅延なくマルチプレクサに出る。
ネントは遅延パス「Ａ」に反射される。ミラーＭ１によ
って反射された、第３の１／４波プレート６４を介する
２つのパスを作った後、それは「Ｐ」に変換され、第１
のビームスプリッタ５８を介して通る。遅延パス「Ａ」
の残りは、別のミラーＭ２と、第４の１／４波プレート
６６とを包含し、該プレートは、光をオリジナルパスに
戻すが、いま「Ｓ」偏光となる。遅延パス「Ａ」は、サ
ンプル位置でパルス＃１及び＃２の到着時間を部分的又
は完全に分離するために十分なパス長を加える。＃２パ
ルスは、もともと定義されたような「Ｓ」偏光を有し、
偏光状態をサーキュラーに変換する１／４波プレート６
０に向かって反射される。再び、この光の半分が、更な
る遅延なくマルチプレクサに出る。
【００２２】１／４波プレートが第３のビームスプリッ
タの前に配置されるので、パルス＃１及び＃２の両方が
それらの光の半分を遅延パスＢに送る。遅延パス「Ｂ」
は、遅延パス「Ａ」の約２倍のパス長を有する。これら
の更なる遅延パルスは、サブ・パルス３及び４となる。
ミラーＭ３及びＭ４と、遅延パス「Ｂ」の２つの１／４
波パルスは、遅延パス「Ａ」におけるそれらの対応とし
て同じ機能を実行する。このシーケンスは、ソースレー
ザの全てのパルスに関して繰り返され、４パルスバース
トは、各シングルソースレーザパルスに関するマルチプ
レクサを発つ。配送された総エネルギにおいて著しい変
化は無いが、以下の光学コンポーネントによって経験さ
れたピークパワーは大きく減少する。レーザから出た５
４でのレーザパルスを図６Ａに質的に示し、ビームスプ
リッタ６２からでた６８での４つのパルスを図６Ｂに質
的に示す。
タの前に配置されるので、パルス＃１及び＃２の両方が
それらの光の半分を遅延パスＢに送る。遅延パス「Ｂ」
は、遅延パス「Ａ」の約２倍のパス長を有する。これら
の更なる遅延パルスは、サブ・パルス３及び４となる。
ミラーＭ３及びＭ４と、遅延パス「Ｂ」の２つの１／４
波パルスは、遅延パス「Ａ」におけるそれらの対応とし
て同じ機能を実行する。このシーケンスは、ソースレー
ザの全てのパルスに関して繰り返され、４パルスバース
トは、各シングルソースレーザパルスに関するマルチプ
レクサを発つ。配送された総エネルギにおいて著しい変
化は無いが、以下の光学コンポーネントによって経験さ
れたピークパワーは大きく減少する。レーザから出た５
４でのレーザパルスを図６Ａに質的に示し、ビームスプ
リッタ６２からでた６８での４つのパルスを図６Ｂに質
的に示す。
【００２３】図６Ｂを見ると、パルス１から４は、最初
の定義に従って「Ｐ」及び「Ｓ」偏光が交互に届く。こ
れは、入射角が垂直から例えば±２０度以上離れている
ことはないほとんどの工学レンズ系を意味することにな
る。通常は円偏光で作動するこれらの系に関して、別の
１／４波プレートが、すべての「Ｓ」及び「Ｐ」パルス
を円偏光に変換するように記載された発明の出力に配置
されうる。
の定義に従って「Ｐ」及び「Ｓ」偏光が交互に届く。こ
れは、入射角が垂直から例えば±２０度以上離れている
ことはないほとんどの工学レンズ系を意味することにな
る。通常は円偏光で作動するこれらの系に関して、別の
１／４波プレートが、すべての「Ｓ」及び「Ｐ」パルス
を円偏光に変換するように記載された発明の出力に配置
されうる。
【００２４】ひとつの偏光だけの線形偏光を要求する系
に関しては、ポッケルスセルが、出力で加えられ、パル
スのコンバート２に一時的にスイッチされ、すべての４
は同じ偏光状態を有する。
に関しては、ポッケルスセルが、出力で加えられ、パル
スのコンバート２に一時的にスイッチされ、すべての４
は同じ偏光状態を有する。
【００２５】第１の好ましい実施形態 ビームマルチプライヤモジュール 本発明の第１の好ましい実施形態では、ビームマルチプ
ライヤモジュールが、集積回路リソグラフィに用いられ
るＡｒＦモジュラーエキシマレーザの技術水準に追加さ
れる。該モジュールは、図６に記載したような遅延パス
Ａ及び遅延パスＢを定義するために、光学コンポーネン
トを包含する。遅延パスＡを図９Ａに示し、遅延パスＢ
を図９Ｂに示す。遅延パスＡは約６ｍであり、遅延パス
Ｂは約１２ｍである。６メートル遅延パスは、約２０ｎ
ｓの一時的な遅延を生成し、１２メートル遅延は約４０
ｎｓの遅延を生成する。
ライヤモジュールが、集積回路リソグラフィに用いられ
るＡｒＦモジュラーエキシマレーザの技術水準に追加さ
れる。該モジュールは、図６に記載したような遅延パス
Ａ及び遅延パスＢを定義するために、光学コンポーネン
トを包含する。遅延パスＡを図９Ａに示し、遅延パスＢ
を図９Ｂに示す。遅延パスＡは約６ｍであり、遅延パス
Ｂは約１２ｍである。６メートル遅延パスは、約２０ｎ
ｓの一時的な遅延を生成し、１２メートル遅延は約４０
ｎｓの遅延を生成する。
【００２６】結果を図７及び７Ａと図８及び８Ａとの比
較によって示す。図７は、１０ｍＪパルス、１０００Ｈ
ｚで作動するＡｒＦレーザの技術水準の典型的なパルス
レーザビームを示す。パルス持続時間は、約４０ｎｓで
あり、典型的なシングルパルスの一般的な一時的な形状
を図７Ａに示す。平均パルスパワーは約２５０ｋＷであ
り、ピークパルスパワーは約３００ｋＷである。読者
は、４０ｎｓ持続時間パルス（２〜1/2ミリ秒時間スケ
ール）は、図７の３つの垂直ラインとして現れる。
較によって示す。図７は、１０ｍＪパルス、１０００Ｈ
ｚで作動するＡｒＦレーザの技術水準の典型的なパルス
レーザビームを示す。パルス持続時間は、約４０ｎｓで
あり、典型的なシングルパルスの一般的な一時的な形状
を図７Ａに示す。平均パルスパワーは約２５０ｋＷであ
り、ピークパルスパワーは約３００ｋＷである。読者
は、４０ｎｓ持続時間パルス（２〜1/2ミリ秒時間スケ
ール）は、図７の３つの垂直ラインとして現れる。
【００２７】図８Ａは、図９、９Ａ及び９Ｂパルスマル
チプライングモジュールによって枠に入れられた４つの
パルスを示す。時間ゼロの後の1,000,000ｎｓで現れる
サブパルス１は、オリジナルパルスと比較しても全く現
れない。サブパルス２，３及び４は、それぞれ２０ｎ
ｓ、４０ｎｓ及び６０ｎｓ遅延し、各パルスは約２．５
ｍＪを運ぶ。４つのサブパルスは、マルチプレクサを出
る同じビームパスに従い、１０ｍＪのオリジナルパルス
のエネルギの実質的に全てを有する合成パルスを形成す
るが、パルスはいま約１００ｎｓにわたって広がり、平
均合成パルスパワーは約２５０ｋｗから１００ｋｗに減
少し、ピークパルスパワーは約３００ｋｗから約１５０
ｋｗに減少する。
チプライングモジュールによって枠に入れられた４つの
パルスを示す。時間ゼロの後の1,000,000ｎｓで現れる
サブパルス１は、オリジナルパルスと比較しても全く現
れない。サブパルス２，３及び４は、それぞれ２０ｎ
ｓ、４０ｎｓ及び６０ｎｓ遅延し、各パルスは約２．５
ｍＪを運ぶ。４つのサブパルスは、マルチプレクサを出
る同じビームパスに従い、１０ｍＪのオリジナルパルス
のエネルギの実質的に全てを有する合成パルスを形成す
るが、パルスはいま約１００ｎｓにわたって広がり、平
均合成パルスパワーは約２５０ｋｗから１００ｋｗに減
少し、ピークパルスパワーは約３００ｋｗから約１５０
ｋｗに減少する。
【００２８】第２の好ましい実施形態 第２の好ましい実施形態における、パルスマルチプライ
ング技術は、ＡｒＦエキシマレーザパルスの強度を低下
させるためのパルスマルチプライヤモジュール７９にお
いて使用される干渉低減のためのPartlo及びOldhamの米
国特許第5,233,460号に記載されているものと同様であ
る。この実施形態では、ビームスプリッタ８０は、一方
の面が非反射コートされ、他の面が部分反射及び部分透
過コートされている。我々は、ビームスプリッタの反射
率を、Ｓ偏光に関してはＲsと、Ｐ偏光に関してはＲpと
定義する。同様に透過については、Ｓ偏光に関しては
（１−Ｒs）と、Ｐ偏光に関しては（１−Ｒp）とする。
ング技術は、ＡｒＦエキシマレーザパルスの強度を低下
させるためのパルスマルチプライヤモジュール７９にお
いて使用される干渉低減のためのPartlo及びOldhamの米
国特許第5,233,460号に記載されているものと同様であ
る。この実施形態では、ビームスプリッタ８０は、一方
の面が非反射コートされ、他の面が部分反射及び部分透
過コートされている。我々は、ビームスプリッタの反射
率を、Ｓ偏光に関してはＲsと、Ｐ偏光に関してはＲpと
定義する。同様に透過については、Ｓ偏光に関しては
（１−Ｒs）と、Ｐ偏光に関しては（１−Ｒp）とする。
【００２９】ステージは、レーザソースが、Ｐ偏光状態
におけるそのエネルギを備える入射であるように配置さ
れる。入射エネルギのＲpに等しいフラクションが、ビ
ームスプリッタによって反射され、（１−Ｒp）がビー
ムスプリッタを通り、次いで、４５度ミラーに向かう。
２つの４５度ミラー８２Ａ及び８２Ｂは、その進行方向
及び、その進行方向に関するその偏光の両方を変更する
までビームを透過するように配置する。ビームは次い
で、３０ｎｓパルス遅延を提供するための約３０フィー
トの総遅延パスの後で、ビームをビームスプリッタ８０
に戻るように差し向けた３つの垂直なミラー８４Ａ、８
４Ｂ及び８４Ｃに入射する。
におけるそのエネルギを備える入射であるように配置さ
れる。入射エネルギのＲpに等しいフラクションが、ビ
ームスプリッタによって反射され、（１−Ｒp）がビー
ムスプリッタを通り、次いで、４５度ミラーに向かう。
２つの４５度ミラー８２Ａ及び８２Ｂは、その進行方向
及び、その進行方向に関するその偏光の両方を変更する
までビームを透過するように配置する。ビームは次い
で、３０ｎｓパルス遅延を提供するための約３０フィー
トの総遅延パスの後で、ビームをビームスプリッタ８０
に戻るように差し向けた３つの垂直なミラー８４Ａ、８
４Ｂ及び８４Ｃに入射する。
【００３０】遅延アームを完全に横切った後、パルスは
再びビームスプリッタと遭遇するが、今度はＳ変更の状
態であり、従ってＳsは、（１−Ｒs）が透過するように
反射し、オリジナルの反射フラクションと同じパスに沿
って進む。この点で、遅延アーム内のオリジナルレーザ
パルスエネルギの（１−Ｒp）Ｒsが残る。このエネルギ
は再び、２つの４５度ミラーによって回転され、垂直な
ミラーを会していったん戻るように移動し、再びビーム
スプリッタに向かう。偏光はいま、Ｐ状態に戻り、従っ
て、ビームスプリッタはこのエネルギの（１−Ｒp）を
透過させる。
再びビームスプリッタと遭遇するが、今度はＳ変更の状
態であり、従ってＳsは、（１−Ｒs）が透過するように
反射し、オリジナルの反射フラクションと同じパスに沿
って進む。この点で、遅延アーム内のオリジナルレーザ
パルスエネルギの（１−Ｒp）Ｒsが残る。このエネルギ
は再び、２つの４５度ミラーによって回転され、垂直な
ミラーを会していったん戻るように移動し、再びビーム
スプリッタに向かう。偏光はいま、Ｐ状態に戻り、従っ
て、ビームスプリッタはこのエネルギの（１−Ｒp）を
透過させる。
【００３１】３つの個々のパルスはこのステージによっ
て生成され、Ｐ偏光を備える２つとＳ偏光を備える１つ
である。遅延アーム内で損失がゼロであると仮定する
と、これらの３つのパルスは、オリジナルパルスエネル
ギの以下のフラクションを有する： サブパルス＃１（Ｐ偏光）：Ｒp サブパルス＃２（Ｓ偏光）：（１−Ｒp）（１−Ｒs） サブパルス＃３（Ｐ偏光）：（１−Ｒp）Ｒs（１−
Ｒp）
て生成され、Ｐ偏光を備える２つとＳ偏光を備える１つ
である。遅延アーム内で損失がゼロであると仮定する
と、これらの３つのパルスは、オリジナルパルスエネル
ギの以下のフラクションを有する： サブパルス＃１（Ｐ偏光）：Ｒp サブパルス＃２（Ｓ偏光）：（１−Ｒp）（１−Ｒs） サブパルス＃３（Ｐ偏光）：（１−Ｒp）Ｒs（１−
Ｒp）
【００３２】理想的には、我々はこれらの３つのサブパ
ルスを等しくしたい。３つの別々の式があり、２つだけ
の独立変数Ｒp及びＲsがあるので、我々は、３つのサブ
パルスの間の相違を最小にすることのみを望む。最小の
相違は、Ｒp＝０．２９及びＲs＝０．５９の値で得られ
る。図１０は、図７Ａに示した典型的なＡｒＦ１０ｍＪ
レーザパルスと同様な入力パルスを備え、Ｒp＝０．２
９及びＲs＝０．５９を使用する単一のマルチプライヤ
ーステージの出力での時間に対するレーザパルス強度の
概略を示す。サブパルス１がＰ偏光であり、サブパルス
２がＳ偏光であり、サブパルス３がＰ偏光であることに
注意すべきである。パルスは、総パルスエネルギの約１
２％を示す長い尾（裾）を有する。
ルスを等しくしたい。３つの別々の式があり、２つだけ
の独立変数Ｒp及びＲsがあるので、我々は、３つのサブ
パルスの間の相違を最小にすることのみを望む。最小の
相違は、Ｒp＝０．２９及びＲs＝０．５９の値で得られ
る。図１０は、図７Ａに示した典型的なＡｒＦ１０ｍＪ
レーザパルスと同様な入力パルスを備え、Ｒp＝０．２
９及びＲs＝０．５９を使用する単一のマルチプライヤ
ーステージの出力での時間に対するレーザパルス強度の
概略を示す。サブパルス１がＰ偏光であり、サブパルス
２がＳ偏光であり、サブパルス３がＰ偏光であることに
注意すべきである。パルスは、総パルスエネルギの約１
２％を示す長い尾（裾）を有する。
【００３３】第３の好ましい実施形態 本発明の第３の好ましい実施形態を図１１に示す。この
実施形態は、ビームの偏光が回転されないことを除いて
上記のものと実質的に同じである。マルチプライヤーモ
ジュール８９は、ビームスプリッタ９０と、５つの全反
射ミラーとを有する。ビームスプリッタ９０は、反射可
能−透過可能ビームスプリッタであり、サブパルス１の
ようなＡｒＦレーザを出す水平偏光の光に対しては３８
パーセント反射し、上述のようなビームの６２パーセン
トを透過するように選択され、それがビームスプリッタ
９０に戻る前に３０ｎｓ遅延する。再び、はじめに透過
された６２パーセントの部分の６２パーセント（即ち、
オリジナルビームの３８パーセント）がサブパルス２と
して透過され、オリジナルビームの約２４パーセントが
再び反射され、ビームスプリッタ９０を介して透過した
第３のサブパルスが６０ｎｓ遅延し、オリジナルビーム
の約１５パーセントを示す。同様に、第４のサブパルス
は第１のパルスに対して９０ｎｓだけ遅延し、オリジナ
ルパルスの約５パーセントを示す。サブパルスの概略
と、合成ビームを図１１Ａに示す。この実施形態もま
た、パルスの長い尾（裾）を有する。この長くて、徐々
に縮んでいる尾（裾）は、米国特許出願シリアル番号08
/897,665号に記載されたタイプの高速パルストリマーで
削除されうることに注意すべきであり、当該出願はリフ
ァレンスとしてここに組み入れられる。このことにより
非常に正確なパルスエネルギ制御をすることができう
る。
実施形態は、ビームの偏光が回転されないことを除いて
上記のものと実質的に同じである。マルチプライヤーモ
ジュール８９は、ビームスプリッタ９０と、５つの全反
射ミラーとを有する。ビームスプリッタ９０は、反射可
能−透過可能ビームスプリッタであり、サブパルス１の
ようなＡｒＦレーザを出す水平偏光の光に対しては３８
パーセント反射し、上述のようなビームの６２パーセン
トを透過するように選択され、それがビームスプリッタ
９０に戻る前に３０ｎｓ遅延する。再び、はじめに透過
された６２パーセントの部分の６２パーセント（即ち、
オリジナルビームの３８パーセント）がサブパルス２と
して透過され、オリジナルビームの約２４パーセントが
再び反射され、ビームスプリッタ９０を介して透過した
第３のサブパルスが６０ｎｓ遅延し、オリジナルビーム
の約１５パーセントを示す。同様に、第４のサブパルス
は第１のパルスに対して９０ｎｓだけ遅延し、オリジナ
ルパルスの約５パーセントを示す。サブパルスの概略
と、合成ビームを図１１Ａに示す。この実施形態もま
た、パルスの長い尾（裾）を有する。この長くて、徐々
に縮んでいる尾（裾）は、米国特許出願シリアル番号08
/897,665号に記載されたタイプの高速パルストリマーで
削除されうることに注意すべきであり、当該出願はリフ
ァレンスとしてここに組み入れられる。このことにより
非常に正確なパルスエネルギ制御をすることができう
る。
【００３４】取り付け及び配置 ビームマルチプライヤーモジュールは、図９に示したよ
うにレーザの出力側に取り付けられるのが好ましい。好
ましい取り付けは、三角形パターンに配置された３つの
ピンと、レーザ光学素子に関してビームマルチプライヤ
ー光学素子の角度調整を提供するために、ピンで散りば
められた三角形のパターンに配置された３つの配置ボル
トとを利用する。
うにレーザの出力側に取り付けられるのが好ましい。好
ましい取り付けは、三角形パターンに配置された３つの
ピンと、レーザ光学素子に関してビームマルチプライヤ
ー光学素子の角度調整を提供するために、ピンで散りば
められた三角形のパターンに配置された３つの配置ボル
トとを利用する。
【００３５】当業者は、本発明の他の多くの実施形態が
上記の教示に基づいて可能であることを認識しうる。そ
れ故、読者は、本発明の範囲を特許請求の範囲及びその
法的均等の範囲のみによって決定すべきである。
上記の教示に基づいて可能であることを認識しうる。そ
れ故、読者は、本発明の範囲を特許請求の範囲及びその
法的均等の範囲のみによって決定すべきである。
【図１】技術水準にあるモジュラエキシマレーザの図で
ある。
ある。
【図２】図１のレーザのレーザチャンバの断面を示す断
面図である。
面図である。
【図３】従来技術のパルスマルチプライング技術を示す
図である。
図である。
【図４】従来技術のパルスマルチプライング技術を示す
図である。
図である。
【図５】従来技術のパルスマルチプライング技術を示す
図である。
図である。
【図６】本発明の好ましい実施形態のパルスマルチプラ
イング原理を示す概略図である。
イング原理を示す概略図である。
【図６Ａ】パルスマルチプリケーションの効果を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図６Ｂ】パルスマルチプリケーションの効果を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図７】約２乃至１／２ミリ秒の時間スケールでの技術
水準のＡｒＦエキシマレーザの通常のパルスを示す。
水準のＡｒＦエキシマレーザの通常のパルスを示す。
【図７Ａ】約４０ミリ秒の時間スケールでの技術水準の
ＡｒＦエキシマレーザの通常のパルスを示す。
ＡｒＦエキシマレーザの通常のパルスを示す。
【図８】好ましいパルスマルチプリケーション技術の結
果を示す。
果を示す。
【図８Ａ】好ましいパルスマルチプリケーション技術の
結果を示す。
結果を示す。
【図９】出力側に取り付けられたパルスマルチプリケー
ションモジュールを備える技術水準のＡｒＦレーザの図
である。
ションモジュールを備える技術水準のＡｒＦレーザの図
である。
【図９Ａ】図９の実施形態の遅延パスＡを示す。
【図９Ｂ】図９の実施形態の遅延パスＢを示す。
【図１０】本発明の第２の好ましい実施形態の概略図で
ある。
ある。
【図１０Ａ】図１０の実施形態の結果を示す。
【図１１】本発明の第３の好ましい実施形態の概略図で
ある。
ある。
【図１１Ａ】図１１の実施形態の結果を示す。
５０ レーザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム エヌ パートロ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92064 ポーウェイ ペドリザ ドライヴ 12634
Claims (1)
- 【請求項１】パルスマルチプリケーションを備えるエキ
シマレーザにおいて、 Ａ）少なくとも５００レーザ出力パルス／秒のパルス繰
り返し数で出力パルスレーザビームを作り出すように構
成されたエキシマレーザを包含し、各パルスが強度の値
を定義し、 Ｂ）前記出力パルスレーザビームを受け入れ、レーザ出
力パルスと比べて著しく減少した強度値を備える多数の
パルスからなるマルチプライヤ出力パルスビームを生成
するために１秒あたりのパルスの数を少なくとも２倍で
乗算するように配置されたパルスマルチプライヤ光学系
を包含する、パルスマルチプリケーションを備えるエキ
シマレーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/148,514 US6067311A (en) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | Excimer laser with pulse multiplier |
| US09/148514 | 1998-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091682A true JP2000091682A (ja) | 2000-03-31 |
| JP3343533B2 JP3343533B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=22526094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25179199A Expired - Fee Related JP3343533B2 (ja) | 1998-09-04 | 1999-09-06 | パルスマルチプライヤーを備えるエキシマレーザ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6067311A (ja) |
| EP (1) | EP1110282A4 (ja) |
| JP (1) | JP3343533B2 (ja) |
| KR (1) | KR100425861B1 (ja) |
| AU (1) | AU5683399A (ja) |
| TW (1) | TW434957B (ja) |
| WO (1) | WO2000014834A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186046A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Komatsu Ltd | 光学パルスストレッチ装置およびこれを用いたパルスレーザ装置 |
| JP2008277617A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Gigaphoton Inc | 光学的パルスストレッチ装置及び露光用放電励起レーザ装置 |
| JP2009512883A (ja) * | 2005-09-21 | 2009-03-26 | アブ−アジール、ナイェフ・エム | レーザ・スペックルを低減する方法および装置 |
| JP2014519614A (ja) * | 2011-06-13 | 2014-08-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レーザパルスマルチプライヤを用いた半導体検査および計測システム |
Families Citing this family (108)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853653B2 (en) | 1997-07-22 | 2005-02-08 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
| US6671294B2 (en) | 1997-07-22 | 2003-12-30 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
| US6067311A (en) * | 1998-09-04 | 2000-05-23 | Cymer, Inc. | Excimer laser with pulse multiplier |
| US6567450B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
| US20020127497A1 (en) * | 1998-09-10 | 2002-09-12 | Brown Daniel J. W. | Large diffraction grating for gas discharge laser |
| US6389045B1 (en) | 1999-04-19 | 2002-05-14 | Lambda Physik Ag | Optical pulse stretching and smoothing for ArF and F2 lithography excimer lasers |
| US6535531B1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-03-18 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with pulse multiplier |
| US6795474B2 (en) * | 2000-11-17 | 2004-09-21 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser with improved beam path |
| US7856044B2 (en) | 1999-05-10 | 2010-12-21 | Cymer, Inc. | Extendable electrode for gas discharge laser |
| US6882674B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-04-19 | Cymer, Inc. | Four KHz gas discharge laser system |
| US6801560B2 (en) * | 1999-05-10 | 2004-10-05 | Cymer, Inc. | Line selected F2 two chamber laser system |
| US6865210B2 (en) * | 2001-05-03 | 2005-03-08 | Cymer, Inc. | Timing control for two-chamber gas discharge laser system |
| US6625191B2 (en) * | 1999-12-10 | 2003-09-23 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
| US6904073B2 (en) * | 2001-01-29 | 2005-06-07 | Cymer, Inc. | High power deep ultraviolet laser with long life optics |
| US7180081B2 (en) * | 2000-06-09 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | Discharge produced plasma EUV light source |
| US6914919B2 (en) * | 2000-06-19 | 2005-07-05 | Cymer, Inc. | Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system |
| US6693939B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-02-17 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
| US6912052B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-06-28 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
| US6839372B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-01-04 | Cymer, Inc. | Gas discharge ultraviolet laser with enclosed beam path with added oxidizer |
| US6704340B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-09 | Cymer, Inc. | Lithography laser system with in-place alignment tool |
| US6704339B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-09 | Cymer, Inc. | Lithography laser with beam delivery and beam pointing control |
| US20050025882A1 (en) * | 2001-01-29 | 2005-02-03 | Partlo William N. | Optical elements with protective undercoating |
| US7190707B2 (en) * | 2001-01-29 | 2007-03-13 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser light source beam delivery unit |
| US6762124B2 (en) * | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
| US6690704B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-02-10 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7230964B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-06-12 | Cymer, Inc. | Lithography laser with beam delivery and beam pointing control |
| US7079564B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-07-18 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7039086B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-05-02 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7061959B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-06-13 | Tcz Gmbh | Laser thin film poly-silicon annealing system |
| US7167499B2 (en) * | 2001-04-18 | 2007-01-23 | Tcz Pte. Ltd. | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
| US7009140B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-03-07 | Cymer, Inc. | Laser thin film poly-silicon annealing optical system |
| US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
| US7415056B2 (en) * | 2006-03-31 | 2008-08-19 | Cymer, Inc. | Confocal pulse stretcher |
| US7378673B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-05-27 | Cymer, Inc. | Source material dispenser for EUV light source |
| US6928093B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-08-09 | Cymer, Inc. | Long delay and high TIS pulse stretcher |
| US7465946B2 (en) * | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
| US7439530B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US20050259709A1 (en) | 2002-05-07 | 2005-11-24 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
| US7598509B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US7154928B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-12-26 | Cymer Inc. | Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control |
| US6963595B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-11-08 | Cymer, Inc. | Automatic gas control system for a gas discharge laser |
| US7830934B2 (en) * | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
| US20050100072A1 (en) * | 2001-11-14 | 2005-05-12 | Rao Rajasekhar M. | High power laser output beam energy density reduction |
| US7671349B2 (en) * | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US6798812B2 (en) | 2002-01-23 | 2004-09-28 | Cymer, Inc. | Two chamber F2 laser system with F2 pressure based line selection |
| JP3925216B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2007-06-06 | 富士通株式会社 | エタロン及び外部共振型レーザ |
| US7016388B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-03-21 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
| WO2004012308A2 (en) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7741639B2 (en) * | 2003-01-31 | 2010-06-22 | Cymer, Inc. | Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control |
| US7217941B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
| US7277188B2 (en) * | 2003-04-29 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
| US7209507B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-04-24 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system |
| US6873418B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-29 | Cymer, Inc. | Optical mountings for gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
| US6894785B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-17 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
| US7813406B1 (en) * | 2003-10-15 | 2010-10-12 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Temporal laser pulse manipulation using multiple optical ring-cavities |
| US7321468B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-01-22 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Method and optical arrangement for beam guiding of a light beam with beam delay |
| US7486707B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-02-03 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optical delay module for lenghtening the propagation path of a light beam and pulse multiplication or elongation module |
| US7277464B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge laser system |
| US20060146906A1 (en) * | 2004-02-18 | 2006-07-06 | Cymer, Inc. | LLP EUV drive laser |
| US7196342B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
| US7006547B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-02-28 | Cymer, Inc. | Very high repetition rate narrow band gas discharge laser system |
| US7522650B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-21 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser chamber improvements |
| EP1586946A3 (en) * | 2004-04-14 | 2007-01-17 | Carl Zeiss SMT AG | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus |
| US7564888B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-07-21 | Cymer, Inc. | High power excimer laser with a pulse stretcher |
| US20050286599A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Rafac Robert J | Method and apparatus for gas discharge laser output light coherency reduction |
| US7355191B2 (en) * | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
| US7432517B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| US7482609B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US20060222034A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Cymer, Inc. | 6 Khz and above gas discharge laser system |
| US7317536B2 (en) | 2005-06-27 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Spectral bandwidth metrology for high repetition rate gas discharge lasers |
| US7365349B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | EUV light source collector lifetime improvements |
| US7141806B1 (en) | 2005-06-27 | 2006-11-28 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7180083B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7633989B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-12-15 | Cymer, Inc. | High pulse repetition rate gas discharge laser |
| US8379687B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-02-19 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser line narrowing module |
| US7653095B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-01-26 | Cymer, Inc. | Active bandwidth control for a laser |
| US7394083B2 (en) | 2005-07-08 | 2008-07-01 | Cymer, Inc. | Systems and methods for EUV light source metrology |
| US7706424B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-04-27 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser system electrodes and power supply for delivering electrical energy to same |
| US20070071047A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Cymer, Inc. | 6K pulse repetition rate and above gas discharge laser system solid state pulse power system improvements |
| US7679029B2 (en) * | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
| US7317179B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate |
| US7778302B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-08-17 | Cymer, Inc. | Laser system |
| US7920616B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-04-05 | Cymer, Inc. | Laser system |
| US20090296755A1 (en) * | 2005-11-01 | 2009-12-03 | Cymer, Inc. | Laser system |
| KR101238739B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2013-03-04 | 사이머 인코포레이티드 | 레이저 시스템 |
| US7321607B2 (en) * | 2005-11-01 | 2008-01-22 | Cymer, Inc. | External optics and chamber support system |
| US7999915B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-08-16 | Cymer, Inc. | Laser system |
| US7746913B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-06-29 | Cymer, Inc. | Laser system |
| US7885309B2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-02-08 | Cymer, Inc. | Laser system |
| US7453077B2 (en) * | 2005-11-05 | 2008-11-18 | Cymer, Inc. | EUV light source |
| US7307237B2 (en) * | 2005-12-29 | 2007-12-11 | Honeywell International, Inc. | Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips |
| US7483146B1 (en) * | 2006-01-19 | 2009-01-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems configured to provide illumination of a specimen or to inspect a specimen |
| US7639985B2 (en) * | 2006-03-02 | 2009-12-29 | Pc-Tel, Inc. | Use of SCH bursts for co-channel interference measurements |
| US8803027B2 (en) * | 2006-06-05 | 2014-08-12 | Cymer, Llc | Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications |
| US7812329B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-10-12 | Cymer, Inc. | System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus |
| US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
| US8498464B2 (en) * | 2007-09-27 | 2013-07-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems |
| US8519366B2 (en) * | 2008-08-06 | 2013-08-27 | Cymer, Inc. | Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source |
| US7756171B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-13 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
| US7720120B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-18 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
| US7751453B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-06 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
| JP5687488B2 (ja) | 2010-02-22 | 2015-03-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US9151940B2 (en) | 2012-12-05 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
| US9605999B2 (en) * | 2013-11-15 | 2017-03-28 | Marko Bosiljevac | Light sources with highly stable output intensity |
| US9804101B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
| US9525265B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-12-20 | Kla-Tencor Corporation | Laser repetition rate multiplier and flat-top beam profile generators using mirrors and/or prisms |
| CN105511030B (zh) * | 2016-01-15 | 2017-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种激光脉冲延时系统和激光退火系统 |
| US10444526B2 (en) | 2016-08-01 | 2019-10-15 | The Regents Of The University Of California | Optical pulse combiner comprising diffractive optical elements |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3501222A (en) * | 1965-11-23 | 1970-03-17 | Bell Telephone Labor Inc | Optical pulse generator |
| US3430048A (en) * | 1965-12-17 | 1969-02-25 | Bell Telephone Labor Inc | Optical pulse generator |
| US3447856A (en) * | 1966-10-07 | 1969-06-03 | Bell Telephone Labor Inc | Optical pulse multiplier |
| US3845294A (en) * | 1973-05-09 | 1974-10-29 | Bell Telephone Labor Inc | Multiplexed communications system |
| US4511220A (en) * | 1982-12-23 | 1985-04-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Laser target speckle eliminator |
| US5023884A (en) * | 1988-01-15 | 1991-06-11 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser |
| EP0402570B1 (en) * | 1989-06-14 | 1998-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Narrow-band laser apparatus |
| US5633735A (en) * | 1990-11-09 | 1997-05-27 | Litel Instruments | Use of fresnel zone plates for material processing |
| US5233460A (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-03 | Regents Of The University Of California | Method and means for reducing speckle in coherent laser pulses |
| US5891605A (en) * | 1996-01-16 | 1999-04-06 | Lucent Technologies Inc. | Reduction in damage to optical elements used in optical lithography for device fabrication |
| US5936988A (en) * | 1997-12-15 | 1999-08-10 | Cymer, Inc. | High pulse rate pulse power system |
| US6067311A (en) * | 1998-09-04 | 2000-05-23 | Cymer, Inc. | Excimer laser with pulse multiplier |
-
1998
- 1998-09-04 US US09/148,514 patent/US6067311A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-30 US US09/183,860 patent/US6314119B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-18 KR KR10-2001-7002844A patent/KR100425861B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-08-18 WO PCT/US1999/019064 patent/WO2000014834A1/en active IP Right Grant
- 1999-08-18 AU AU56833/99A patent/AU5683399A/en not_active Abandoned
- 1999-08-18 EP EP99943806A patent/EP1110282A4/en not_active Withdrawn
- 1999-09-04 TW TW088114970A patent/TW434957B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-09-06 JP JP25179199A patent/JP3343533B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186046A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Komatsu Ltd | 光学パルスストレッチ装置およびこれを用いたパルスレーザ装置 |
| JP4627185B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2011-02-09 | 株式会社小松製作所 | 光学パルスストレッチ装置における遅延光学路長の設定方法 |
| JP2009512883A (ja) * | 2005-09-21 | 2009-03-26 | アブ−アジール、ナイェフ・エム | レーザ・スペックルを低減する方法および装置 |
| JP2008277617A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Gigaphoton Inc | 光学的パルスストレッチ装置及び露光用放電励起レーザ装置 |
| JP2014519614A (ja) * | 2011-06-13 | 2014-08-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レーザパルスマルチプライヤを用いた半導体検査および計測システム |
| JP2017201697A (ja) * | 2011-06-13 | 2017-11-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レーザパルスマルチプライヤを用いた半導体検査および計測システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010074954A (ko) | 2001-08-09 |
| US6314119B1 (en) | 2001-11-06 |
| WO2000014834A1 (en) | 2000-03-16 |
| KR100425861B1 (ko) | 2004-04-03 |
| AU5683399A (en) | 2000-03-27 |
| US6067311A (en) | 2000-05-23 |
| TW434957B (en) | 2001-05-16 |
| JP3343533B2 (ja) | 2002-11-11 |
| EP1110282A4 (en) | 2004-05-19 |
| EP1110282A1 (en) | 2001-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3343533B2 (ja) | パルスマルチプライヤーを備えるエキシマレーザ | |
| US7245420B2 (en) | Master-oscillator power-amplifier (MOPA) excimer or molecular fluorine laser system with long optics lifetime | |
| US7227881B2 (en) | Master oscillator—power amplifier excimer laser system | |
| US7822092B2 (en) | Laser system | |
| US6389045B1 (en) | Optical pulse stretching and smoothing for ArF and F2 lithography excimer lasers | |
| US7630424B2 (en) | Laser system | |
| US20030219094A1 (en) | Excimer or molecular fluorine laser system with multiple discharge units | |
| US7778302B2 (en) | Laser system | |
| US8014432B2 (en) | Regenerative ring resonator | |
| US7746913B2 (en) | Laser system | |
| US6577663B2 (en) | Narrow bandwidth oscillator-amplifier system | |
| US6490306B2 (en) | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm | |
| US6987790B2 (en) | Excimer or molecular fluorine laser with several discharge chambers | |
| JP2000091684A (ja) | パルス及びビ―ムマルチプライヤ―を備えるエキシマレ―ザ | |
| JP2002094160A (ja) | Ｆ２レーザ | |
| US6795473B1 (en) | Narrow band excimer laser with a prism-grating as line-narrowing optical element | |
| US20020075933A1 (en) | Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm | |
| US20020018506A1 (en) | Line selection of molecular fluorine laser emission | |
| US6785316B1 (en) | Excimer or molecular laser with optimized spectral purity | |
| WO2022195893A1 (ja) | 紫外線レーザ装置及び電子デバイスの製造方法 | |
| USRE45957E1 (en) | Regenerative ring resonator | |
| US20230004091A1 (en) | Apparatus for and methods of combining multiple laser beams | |
| Hackel et al. | Phase conjugation in a high power regenerative laser amplifier system | |
| US6690703B1 (en) | Molecular fluorine laser system | |
| JP2002118318A (ja) | 分子フッ素レーザシステム及びその帯域幅制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120823 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120823 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130823 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |