JP2000086684A - New oligoferrocenylene derivative and production of thin film of electrochemically active cluster - Google Patents

New oligoferrocenylene derivative and production of thin film of electrochemically active cluster

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JP2000086684A
JP2000086684A JP10276391A JP27639198A JP2000086684A JP 2000086684 A JP2000086684 A JP 2000086684A JP 10276391 A JP10276391 A JP 10276391A JP 27639198 A JP27639198 A JP 27639198A JP 2000086684 A JP2000086684 A JP 2000086684A
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哲郎 掘越
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源明 伊藤
Kenya Kubo
謙哉 久保
Masato Kurihara
正人 栗原
Hiroshi Nishihara
寛 西原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a new alkanethiol derivative of biffarrocene, capable of facilitating the control of a film thickness, excellent in reproducibility, and useful for production of electron device such as a single electron element at a low cost by a simple process. SOLUTION: This oligoferrocenylene derivative is a compound of formula I or II [(n) is 1-17], e.g. 8-biferrocenyloctanethiol-8-one. The compound of formula I or II is obtained, for example, by reacting a compound of formula III with an acid chloride of the formula Br(CH2)nCOCl in the presence of aluminum chloride to provide a compound of formula IV, refluxing the obtained compound of formula IV with thiourea of the formula CS(NH2)2 in ethanol, adding a diluted aqueous solution of NaOH to the refluxed mixture, and further refluxing the mixture with the added NaOH. A metal cluster having the surface chemically modified with the oligoferrocenylene is preferably prepared by reacting a metal cluster having a alkanethiol as a dispersion stabilizer with the alkanethiol derivative of the oligoferrocenylene.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なオリゴフェ
ロセニレンのアルカンチオール誘導体の合成、nmサイ
ズのクラスター薄膜の電気化学的製造方法、及びその量
子効果素子への応用に関する。
The present invention relates to the synthesis of a novel alkanethiol derivative of oligoferrosenylene, a method for electrochemically producing a nm-sized cluster thin film, and its application to a quantum effect device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、原子や分子の大きさを越えて、
数百nmまでの大きさをもつ粒子はメゾスコピックな大
きさの粒子と呼ばれる。メゾスコピック粒子のうち、粒
子サイズが小さなものをクラスターと呼び、大きなもの
を超微粒子と呼ぶことがあるが(黒川洋一、鈴木敬一
郎、色材、1995,71(5),322−327)、
その大きさについては、未だ明確な定義はない。したが
って、本発明においては、「クラスター」をnmオーダ
ー(1nm前後から数百nmまで)の粒径を有する微粒
子と定義することにする。
2. Description of the Related Art Generally, beyond the size of atoms and molecules,
Particles with sizes up to several hundred nm are called mesoscopic sized particles. Among mesoscopic particles, particles having a small particle size are sometimes referred to as clusters, and large particles are sometimes referred to as ultrafine particles (Yoichi Kurokawa, Keiichiro Suzuki, coloring materials, 1995, 71 (5), 322-327).
There is no clear definition for its size. Therefore, in the present invention, “cluster” is defined as fine particles having a particle size on the order of nm (from about 1 nm to several hundred nm).

【0003】金属含有のメゾスコピック粒子(クラスタ
ーや超微粒子)の作製法には、大別して物理的方法と化
学的方法がある。物理的方法としては、ガス中蒸発法、
スパッタリング法、金属蒸気合成法、流動油上真空蒸発
法等が挙げられる。化学的方法としては、分散安定剤の
存在下で金属塩を還元するコロイド法、金属アルコキシ
ドの加水分解を利用するアルコキシド法、金属塩の混合
液に沈殿剤を加える共沈法等の液相法、有機金属化合物
の熱分解法、金属塩化物の還元・酸化・窒化法、水素中
還元法、溶媒蒸発法等の気相法がある。
[0003] Methods for producing metal-containing mesoscopic particles (clusters and ultrafine particles) are roughly classified into physical methods and chemical methods. Physical methods include gas evaporation method,
Examples include a sputtering method, a metal vapor synthesis method, and a vacuum evaporation method on fluid oil. As a chemical method, a liquid phase method such as a colloid method in which a metal salt is reduced in the presence of a dispersion stabilizer, an alkoxide method using hydrolysis of a metal alkoxide, and a coprecipitation method in which a precipitant is added to a mixed solution of a metal salt. Gas phase methods such as thermal decomposition of organometallic compounds, reduction / oxidation / nitridation of metal chlorides, reduction in hydrogen, and solvent evaporation.

【0004】金属、金属酸化物、半導体等のメゾスコピ
ック粒子においては、μmオーダー以上の粒径を有する
通常の粒子とは異なる特性が出現する。これは、比表面
積の増大、表面エネルギーの影響の増大、量子サイズ効
果等によるものと言われており、例えば、融点の降下、
特異な触媒特性の出現、バルクでは見られなかった電子
物性・光物性・磁性等の出現が報告されている。このよ
うに特異な性質をもつ金属又は半導体のクラスターをデ
バイス化しようとする場合、当然のことながら、その薄
膜形成技術が非常に重要になってくる。クラスター薄膜
の作製方法としては、これまでにいくつかの方法が報告
されている。
[0004] In mesoscopic particles such as metals, metal oxides, and semiconductors, characteristics different from ordinary particles having a particle size of the order of μm or more appear. It is said that this is due to an increase in specific surface area, an increase in the influence of surface energy, a quantum size effect, and the like.
The appearance of unique catalytic properties and the appearance of electronic properties, optical properties, magnetism, etc., which were not found in bulk, have been reported. In the case where a cluster of a metal or a semiconductor having such a unique property is to be made into a device, the thin-film forming technology naturally becomes very important. Several methods have been reported so far for producing cluster thin films.

【0005】特開平7−310107号公報、M.T.Reet
z et al.,J.Am.Chem.Soc.,1994,116,7401-7402、M.T.Re
etz et al.,Chem.Mater.,1995,7,227-228、M.T.Reetz e
t al.,Angew.Chem.Int.Ed.,1995,34,No.20,2240-2241、
M.T.Reetz et al.,Science,1995,267,367-369、M.T.Ree
tz et al.,J.Chem.Soc.Chem.Commun.,1997,147-148に
は、電気化学的方法を用いてテトラアルキルアンモニウ
ムプロマイドで安定化されたPd、Pt、Rh、Ru、
Mo、Ni、Co、Cu、Au、Ag等の一種或いは二
種の金属から成る金属クラスターを調整する方法が開示
されている。これらの金属クラスターは有機溶媒に可溶
で、スピンコート法等の適当な塗布方法によりクラスタ
ー薄膜を得ることもできる。実際、前掲の特開平7−3
10107号公報には、白金を陰極に、グラファイトを
陽極にし、6mmの電極間距離に30Vの電圧を印加す
ることにより、クラスター(コロイド)を電気泳動さ
せ、グラファイト電極上にクラスター薄膜を形成する方
法が記載されている。
[0005] JP-A-7-310107, MTReet
z et al., J. Am. Chem. Soc., 1994, 116, 7401-7402, MTRe
etz et al., Chem. Mater., 1995, 7, 227-228, MTReetze
t al., Angew.Chem.Int.Ed., 1995,34, No.20,2240-2241,
MTReetz et al., Science, 1995, 267, 367-369, MTRee
tz et al., J. Chem. Soc. Chem. Commun., 1997, 147-148, describe Pd, Pt, Rh, Ru, stabilized with tetraalkylammonium bromide using electrochemical methods.
A method of adjusting a metal cluster composed of one or two metals such as Mo, Ni, Co, Cu, Au, and Ag is disclosed. These metal clusters are soluble in an organic solvent, and a cluster thin film can be obtained by an appropriate coating method such as a spin coating method. In fact, the above-mentioned JP-A-7-3
No. 10107 discloses a method in which a cluster (colloid) is electrophoresed by applying a voltage of 30 V to a distance between electrodes of 6 mm using platinum as a cathode and graphite as an anode to form a cluster thin film on a graphite electrode. Is described.

【0006】M.Brust et al.,J.Chem.Soc.Chem.Commu
n.,1994,801-802、M.Brust et al.,Adv.Mater.,1995,7,
795-797、R.W.Murray et al.,J.Am.Chem.Soc.,1995,11
7,12537-12548には、アルカンチオールを安定化剤とす
る金クラスターの合成法、アルカンジチオールを架橋安
定化剤とする金クラスターの合成法およびキャスティン
グ法による櫛形電極上への金クラスター薄膜の形成法に
ついて記載されている。
M. Brust et al., J. Chem. Soc. Chem. Commu
n., 1994, 801-802, M. Brust et al., Adv. Mater., 1995, 7,
795-797, RWMurray et al., J. Am. Chem. Soc., 1995, 11
In 7,12537-12548, a method of synthesizing a gold cluster using alkanethiol as a stabilizer, a method of synthesizing a gold cluster using alkanedithiol as a cross-linking stabilizer, and forming a gold cluster thin film on a comb electrode by a casting method The law is described.

【0007】T.Vossmeyer et al,.Angew.Chem.Int.Ed.E
ngl.,1997,36,1080-1082には、12−アミノドデカンで
安定化された金クラスターを、ニトロベラトリロキシカ
ルボニルグリシンという特殊試薬を用いてガラス或いは
シリコン基板上に光パターンに応じて積層する方法が記
載されている。
[0007] T. Vossmeyer et al, .Angew.Chem.Int.Ed.E
In ngl., 1997, 36, 1080-1082, a gold cluster stabilized with 12-aminododecane is laminated on a glass or silicon substrate according to the light pattern using a special reagent called nitroveratryloxycarbonylglycine. A method is described.

【0008】G.Schmid et al.,Angew.Chem.Int.Ed.Eng
l.,1995,34,1442-1443、G.Schmid etal.,Adv.Mater.,19
98,10,515-526、G.Schmid et al.,J.Chem.Soc.Chem.Com
mun.,1995,31-32には、トリフェニルフォスフィンを安
定化剤とするNi、Au、Pd、Pt、Rh等の金属ク
ラスターを調整する方法及びこれらの金属クラスターを
一次元、二次元、三次元的に配列させる方法について記
載されている。
G. Schmid et al., Angew. Chem. Int. Ed. Eng.
l., 1995, 34, 1442-1443, G. Schmid et al., Adv. Mater., 19
98, 10, 515-526, G. Schmid et al., J. Chem. Soc. Chem. Com.
mun., 1995, 31-32, a method of preparing metal clusters such as Ni, Au, Pd, Pt, and Rh using stabilizing triphenylphosphine as well as one-dimensional, two-dimensional, A method for three-dimensionally arranging is described.

【0009】P.Mulvaney et al.,J.Phys.Chem.,1993,9
7,6334-6336には、クエン酸イオンで安定化された金ク
ラスターを電気泳動法で電極上に析出させる方法につい
て記載されている。J.H.Fendler et al.,J.Phys.Chem.,
1995,99,13065-13069には、ポリカチオンを使用してC
dS、PbS、TiO2のクラスターをレイヤーバイレ
イヤーに積層する方法が記載されている。G.Decher et
al.,Adv.Mater.,1997,9,61-65には、ポリアリルアミン
ハイドロクロライドとポリスチレンスルホン酸ナトリウ
ムを用いてポリエチレンイミン基板上に、クエン酸イオ
ンで安定化された金クラスターをレイヤーバイレイヤー
で積層する方法が記載されている。T.Kunitake et al.,
Chem.Lett.,1997,125-126には、ポリカチオンとしてポ
リジアリルジメチルアンモニウムクロライドを用いてS
iO2クラスターをレイヤーバイレイヤーに積層する方
法が記載されている。R.Claus et al.,J.Phys.Chem.,19
97,101,1385-1388には、ポリスチレンスルホン酸ナトリ
ウムを用いてTiO2クラスターをレイヤーバイレイヤ
ーに積層する方法が記載されている。
P. Mulvaney et al., J. Phys. Chem., 1993, 9
7,6334-6336 describes a method for depositing gold clusters stabilized by citrate ions on electrodes by electrophoresis. JHFendler et al., J. Phys. Chem.,
1995,99,13065-13069 use C
A method of laminating clusters of dS, PbS, and TiO 2 on a layer-by-layer basis is described. G. Decher et
al., Adv. Mater., 1997, 9, 61-65, reported that a gold cluster stabilized with citrate ions was layered on a polyethyleneimine substrate using polyallylamine hydrochloride and sodium polystyrene sulfonate. Is described. T. Kunitake et al.,
Chem. Lett., 1997, 125-126 describes the use of polydiallyldimethylammonium chloride as a polycation.
A method of laminating iO 2 clusters layer by layer is described. R. Claus et al., J. Phys. Chem., 19
97, 101, 1385-1388 describe a method of laminating TiO 2 clusters layer by layer using sodium polystyrene sulfonate.

【0010】X.Zhang et al.,Adv.Mater.,1998,10,529-
532には、ポリスチレンスルホン酸銅とポリビニルピリ
ジンをレイヤーバイレイヤーで積層した後、硫化水素を
作用させることにより、Cu2Sクラスター/ポリスチ
レンスルホン酸複合体とポリビニルピリジンとのコンポ
ジットが得られることが記載されている。M.J.Natan et
al.,Science,1995,267,1629-1632には、電気化学的に
活性なAu或いはAgのクラスター薄膜を得る方法が記
載されている。即ち、Au或いはAgのクラスター溶液
に、金の場合は3−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ランで、銀の場合は3−アミノプロピルトリメトキシシ
ランで表面処理した導電性基板(白金)を浸漬すること
により得られたクラスター薄膜/表面処理剤層/導電性
基板から成る薄膜電極が電気化学的に活性な電極として
働くこと、およびクラスター薄膜のない表面処理層/導
電性基板のみの薄膜電極は電極として働かないことが記
載されている。J.R.Heath et al.,Angew.Chem.Int.Ed.E
ngl.,1997,36,1078-1080には、ドデカンチオールで安定
化されたAgクラスターを、その自己集合機能を利用し
てリング状に配列させる方法が記載されている。C.N.R.
Rao et al.,J.Chem.Soc.Chem.Commun.,1997,537-538に
は、トルエン溶液を滴下乾燥して得られたアルカンチオ
ールで安定化されたAu、Pt、Agクラスターの薄膜
が超構造を形成することが記載されている。T.Kunitake
et al.,Adv.Mater.,1998,10,414-416には、クエン酸イ
オンで安定化された金クラスターの二分子膜上へ緻密な
静電吸着について記載されている。
X. Zhang et al., Adv. Mater., 1998, 10, 529-
No. 532 describes that a composite of a Cu 2 S cluster / polystyrene sulfonic acid complex and polyvinyl pyridine can be obtained by laminating copper polystyrene sulfonate and polyvinyl pyridine in a layer-by-layer manner and then reacting with hydrogen sulfide. Have been. MJNatan et
al., Science, 1995, 267, 1629-1632 describes a method for obtaining an electrochemically active Au or Ag cluster thin film. That is, a conductive substrate (platinum) surface-treated with 3-mercaptopropyltrimethoxysilane in the case of gold and 3-aminopropyltrimethoxysilane in the case of silver is immersed in a cluster solution of Au or Ag. The thin film electrode composed of the cluster thin film / surface treatment agent layer / conductive substrate serves as an electrochemically active electrode, and the thin film electrode having only the surface treatment layer / conductive substrate without the cluster thin film does not serve as an electrode. It is described. JRHeath et al., Angew.Chem.Int.Ed.E
ngl., 1997, 36, 1078-1080, describes a method of arranging Ag clusters stabilized with dodecanethiol in a ring shape by utilizing its self-assembly function. CNR
Rao et al., J. Chem. Soc. Chem. Commun., 1997, 537-538 discloses a thin film of Au, Pt, and Ag clusters stabilized with alkanethiol obtained by drop-drying a toluene solution. Forming superstructures is described. T.Kunitake
et al., Adv. Mater., 1998, 10, 414-416, describe dense electrostatic adsorption of citrate-stabilized gold clusters on bilayer membranes.

【0011】クラスター薄膜の応用としては、クローン
ブロッケイド現象(Coulomb Blokade Phenomena;非常に
小さな静電容量(C)のトンネル接合では接合間での単一
電子の移動により、静電エネルギー(e2/C)が変化し、
BT≪e2/Cの条件下でトンネル効果が抑制される現
象で、実験的には電極間の電流−電圧特性の測定におい
て単一電子の移動に基く階段状の変化(クーロンステア
ケース:Coulomb staircase)が観測される;cf.;H.Gr
abert and M.H.Devorret 「Singlee Charge Tunneling,C
oulomb Blokade Phenomena in Nanostructures」 Plenu
m,N.Y.,1992.、I.Giaever and H.R.Zeller,Phys.Rev.Le
tt.,1968,20,1504.、 T.A.Fulton and G.J.Dolan,Phys.
Rev.Lett.,1981,59,109.、 M.Amman,S.B.Field,and R.
C.Jaklevic,Phys.Rev.Bull.1993,48,12104)を利用した
単一電子素子への応用が挙げられる。
As an application of the cluster thin film, the Coulomb Blokade Phenomena (Tunnel junction having a very small capacitance (C)) has an electrostatic energy (e 2 / C) changes,
A phenomenon in which the tunnel effect is suppressed under the condition of k B T≪e 2 / C. Experimentally, in the measurement of current-voltage characteristics between electrodes, a step-like change based on the transfer of a single electron (Coulomb steer case) : Coulomb staircase) is observed; cf .; H. Gr
abert and MHDevorret `` Singlee Charge Tunneling, C
oulomb Blokade Phenomena in Nanostructures '' Plenu
m, NY, 1992., I. Giaever and HRZeller, Phys. Rev. Le
tt., 1968, 20, 1504., TAFulton and GJDolan, Phys.
Rev. Lett., 1981, 59, 109., M. Amman, SBField, and R.
C. Jaklevic, Phys. Rev. Bull. 1993, 48, 12104).

【0012】日本国特許第2650280号公報には、
スパッタリング法で形成されたPt−Pdクラスターを
用いた島状薄膜素子(検波素子)が開示されている。特
開平9−69630号公報には、同じくスパッタリング
法で形成されたAu、Cd、Se、Ag、Cu、Pd、
Pt等のクラスターを用いた単一電子トンネル素子につ
いて開示されている。特開平7−226522号公報に
は、硝酸銀を還元して得られる銀クラスター或いは塩化
金酸をクエン酸で還元して得られる金クラスターを原子
間力顕微鏡を用いて一個一個配列させたり、基板全面に
わたって単分子層または数分子層に吸着させたり、基板
のぬれ性に起因する自己組織能を利用して配列させたり
して、単一電子素子を作製する方法が開示されている。
更に、特開平9−275214号公報には、アルカンチ
オールにより安定化された金クラスターをクーロン力に
よりソース−ドレイン間に配列させた微小電荷制御素子
について記載されている。
Japanese Patent No. 2,650,280 discloses that
An island-shaped thin film element (detection element) using a Pt-Pd cluster formed by a sputtering method is disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-69630 discloses that Au, Cd, Se, Ag, Cu, Pd,
A single electron tunnel device using a cluster such as Pt is disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-226522 discloses that silver clusters obtained by reducing silver nitrate or gold clusters obtained by reducing chloroauric acid with citric acid are arranged one by one using an atomic force microscope. There has been disclosed a method for producing a single electronic device by adsorbing a monomolecular layer or several molecular layers over the substrate, or arranging the substrate using self-organizing ability caused by wettability of a substrate.
Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-275214 describes a micro charge control element in which gold clusters stabilized by alkanethiol are arranged between source and drain by Coulomb force.

【0013】更に、M.Amman et al.,Phys.Rev.B,1993,4
8,12104-12109には、真空蒸着法で形成された島状金ク
ラスターのクーロンブロッケイド現象の走査型トンネル
顕微鏡による観測が報告されている。M.Dorogi et al.,
Phys.Rev.B,1995,52,9071-9077およびC.P.Kubiak et a
l.,Science,1996,272,1323-1325には、気相法で作製し
た金クラスターを分子ビームとし、金基板上に化学吸着
させたp−キシレン−α,α’−ジチオールの自己集合
単分子膜上に化学吸着させ、走査型トンネル顕微鏡を用
いて、室温においてクーロンブロッケイド現象を観測し
たことが報告されている。R.P.Andres et al .,Scienc
e,1996,273,1690-1693には、ジチオール或いはジイソニ
トリルで架橋した金クラスターが自己集合単分子膜を形
成すること、およびこの架橋型自己集合単分子膜の電流
−電圧特性が非線形な応答を示すことが報告されてい
る。M.J.Natan et al.,J.Am.Chem.Soc.,1996,118,7640-
7641には、金属(金)/絶縁体薄膜(層状化合物と高分
子電解質との複合体)/ナノクラスター薄膜(粒径2.
5nmのクエン酸で安定化された金クラスター)/絶縁
体薄膜(層状化合物と高分子電解質との複合体)/導電
層(ポリピロール)から成るMINIM(Metal-Insula
tor-Nanocluster-Insulator-Metal)素子を作製し、クー
ロンブロッケイド現象を観測した結果が報告されてい
る。ここでは、層状化合物としてはリン酸ジルコニウム
を、高分子電解質としてはポリアクリルアミンハイドロ
クロライドを用い、金クラスター薄膜は浸漬法で作製
し、ポリピロール膜は塩化第二鉄を触媒とする気相重合
法で作製している。
Further, M. Amman et al., Phys. Rev. B, 1993, 4
8,12104-12109 reports the observation of the Coulomb blockade phenomenon of an island-shaped gold cluster formed by a vacuum evaporation method using a scanning tunneling microscope. M. Dorogi et al.,
Phys. Rev. B, 1995, 52, 9071-9077 and CPKubiak et a
l., Science, 1996, 272, 1323-1325, describe a self-assembled mono-assembly of p-xylene-α, α'-dithiol chemically adsorbed on a gold substrate using a gold cluster produced by a gas phase method as a molecular beam. It has been reported that a Coulomb blockade phenomenon was observed at room temperature using a scanning tunneling microscope by chemisorption on a molecular film. RPAndres et al., Scienc
e, 1996, 273, 1690-1693, describe that gold clusters cross-linked with dithiol or diisonitrile form a self-assembled monolayer, and that the current-voltage characteristics of this cross-linked self-assembled monolayer have a nonlinear response. It has been reported that MJNatan et al., J. Am. Chem. Soc., 1996, 118, 7640-
7641 includes metal (gold) / insulator thin film (composite of layered compound and polymer electrolyte) / nano cluster thin film (particle size 2.
MINIM (Metal-Insula) consisting of 5 nm citric acid-stabilized gold cluster) / insulator thin film (composite of layered compound and polymer electrolyte) / conductive layer (polypyrrole)
It has been reported that a tor-Nanocluster-Insulator-Metal) device was fabricated and the Coulomb blockade phenomenon was observed. Here, zirconium phosphate is used as the layered compound, polyacrylamine hydrochloride is used as the polymer electrolyte, the gold cluster thin film is prepared by an immersion method, and the polypyrrole film is a gas phase polymerization method using ferric chloride as a catalyst. It is made with.

【0014】クラスター薄膜の応用としては、この他に
も電界放射素子(FED)への応用が考えられる。FE
Dについては、特公平7−97473号公報、M.Hartwe
ll et al.,IEEE Trans.ED Conf.,1975,519-521およびG.
Dittmer,Thin Solid Films,1972,9,317-328に記載され
ている。
As an application of the cluster thin film, an application to a field emission element (FED) can be considered. FE
Regarding D, Japanese Patent Publication No. 7-97473, M. Hartwe
ll et al., IEEE Trans.ED Conf., 1975, 519-521 and G.
Dittmer, Thin Solid Films, 1972, 9, 317-328.

【0015】さらに、クラスター薄膜に直接関係するも
のではないが、デバイス作製技術に関するものとして、
サブミクロンオーダーの大きさを持つ電極上への電気化
学的に活性な高分子薄膜の形成法およびサブミクロンか
らnmオーダーの間隔を持つ電極間への電気化学的に活
性な高分子薄膜の形成法については、M.S.Wrighton et
al.,J.Am.Chem.Soc.,1984,106,5375-5377、M.S.Wrighto
n et al.,J.Am.Chem.Soc.,1987,109,5226-5228、M.S.Wr
ighton et al.,Chem.Mater.,1993,5,914-916等に開示さ
れている。また、分子デバイスやニューロデバイスを念
頭において、導電性高分子の電解重合を用いて三次元的
配線を構築しようとする試みは、M.J.Sailor et al.,Sc
ience,1993,262,2014-2016、M.J.Sailor et al.,Adv.Ma
ter.,1994,6,688-692、Yoshino et al.,Synth.Met.,199
5,71,2223-2224等に報告されている。この他にも、電気
化学的方法による配線については、電化移動錯体の電気
化学的結晶成長を利用した例(M.J.Sailor et al.,Adv.
Mater.,1996,8,897-899)および外部回路との接続無し
に、誘起分極を利用して金属粒子間の三次元的配線を可
能にしたもの(J.C.Bradley et al.,Nature,1997,389,26
8,270)等が挙げられる。
Further, although not directly related to the cluster thin film, as for device fabrication technology,
Method for forming electrochemically active polymer thin films on electrodes with submicron order size and method for forming electrochemically active polymer thin films between electrodes with submicron to nm order spacing About MSWrighton et
al., J. Am. Chem. Soc., 1984, 106, 5375-5377, MSWrighto
n et al., J. Am. Chem. Soc., 1987, 109, 5226-5228, MSWr
ighton et al., Chem. Mater., 1993, 5, 914-916 and the like. Attempts to construct three-dimensional wiring using electropolymerization of conductive polymers with molecular devices and neurodevices in mind have been reported by MJSailor et al., Sc
ience, 1993,262,2014-2016, MJSailor et al., Adv.Ma
ter., 1994, 6,688-692, Yoshino et al., Synth. Met., 199
5,71,2223-2224. In addition, as for wiring by an electrochemical method, an example utilizing electrochemical crystal growth of an electrified transfer complex (MJSailor et al., Adv.
Mater., 1996, 8, 897-899) and one that enables three-dimensional wiring between metal particles using induced polarization without connection to external circuits (JCBradley et al., Nature, 1997, 389, 26
8,270).

【0016】上述した種々のクラスター薄膜作製法は、
応用、特に電子デバイスへの応用を考えた場合、十分に
満足できるものとは言い難い。例えば、スパッタリング
法等の物理的方法(気相法)の場合、装置が大型化し、
生産性が低く、膜厚の制御が難しく、パターン化された
薄膜を得ることが難しい等の欠点を有する。化学的方法
についても、例えばスピンコート法やキャスティング法
は、再現性に優れた膜厚制御が難しく、電極上や電極間
のみに選択的に薄膜化したい場合には、エッチング等に
より余分な薄膜を除去するプロセスを必要とする。
The above-mentioned various methods for producing a cluster thin film are as follows.
In terms of applications, especially for electronic devices, it is hardly satisfactory. For example, in the case of a physical method (gas phase method) such as a sputtering method, the size of the apparatus increases,
It has disadvantages such as low productivity, difficulty in controlling the film thickness, and difficulty in obtaining a patterned thin film. Regarding chemical methods, for example, the spin coating method and the casting method are difficult to control the film thickness with excellent reproducibility, and when it is desired to selectively thin the film only on the electrode or between the electrodes, an extra thin film is etched or the like. Need a process to remove.

【0017】また、電気泳動法は、電気化学的に安定な
溶媒を使用しなければならないこと、帯電していないク
ラスターには適用できないこと、得られる薄膜が電気化
学的に活性でないため、膜厚の制御が難しいこと、薄膜
作製時間が長いこと、および電極間に薄膜を成長させる
のが難しい等の欠点を有する。
In addition, the electrophoresis method requires the use of an electrochemically stable solvent, cannot be applied to an uncharged cluster, and has a film thickness because the obtained thin film is not electrochemically active. Are difficult to control, the time required to form a thin film is long, and it is difficult to grow a thin film between electrodes.

【0018】更に、ニトロベラトリロキシカルボニルグ
リシンを用いる光化学的方法は、均一で精度の高い露光
手段が必要な上、基板表面に適当なシランカップリング
剤等を用いてアミノ基を形成し、続いてこのアミノ基と
ニトロベラトリロキシカルボニルグリシンのカルボキシ
ル基との反応により光化学的に活性な薄膜を形成すると
いうプロセスをとるため、電極上或いは電極間に直接ク
ラスター薄膜を形成することができない。更にプロセス
が複雑になってしまう等の欠点を有する。
Furthermore, the photochemical method using nitroveratryloxycarbonylglycine requires a uniform and high-precision exposure means, forms an amino group on the substrate surface using a suitable silane coupling agent or the like. Since the process of forming a photochemically active thin film by the reaction between the amino group of the lever and the carboxyl group of nitroveratryloxycarbonylglycine is employed, a cluster thin film cannot be formed directly on or between the electrodes. Further, it has disadvantages such as complicating the process.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明が解決しようとする課題は、単一電子素子等の電子デ
バイスの作製に好適な、低コストで、プロセスが簡単
で、膜厚制御が容易で、再現性に優れ、電極上あるいは
電極間に選択的に薄膜を形成することが可能なクラスタ
ー薄膜作製法を提供するとともに、該作製法に必要な化
合物、及びその合成法をも提供することである。
In view of the above, it is an object of the present invention to provide a low cost, simple process, and a film thickness suitable for manufacturing an electronic device such as a single electronic device. In addition to providing a cluster thin film preparation method that is easy to control, has excellent reproducibility, and can selectively form a thin film on or between electrodes, it also provides compounds necessary for the preparation method and methods for synthesizing the same. To provide.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明者らは、nmサイズのクラスター薄膜を電気
化学的に作製する新規な方法を開発した。即ち、分散安
定剤により安定化されたクラスターとオリゴフェロセニ
レン誘導体を反応させることにより、表面をオリゴフェ
ロセニレンで化学修飾されたクラスターを得、これを電
気化学的に酸化することにより、電極上或いは電極近傍
にクラスター薄膜を作製する方法を開発するとともに、
上記オリゴフェロセニレン誘導体の新規合成方法を見い
出したのである。本発明の一般式(I)のビフェロセン
のアルカンチオール誘導体(I)は反応式(1)で示さ
れる反応により合成される。
In order to solve the above problems, the present inventors have developed a novel method for electrochemically producing a cluster thin film of nm size. That is, by reacting a cluster stabilized by a dispersion stabilizer with an oligoferrosenylene derivative, a cluster whose surface is chemically modified with oligoferrosenylene is obtained, and this is electrochemically oxidized to form an electrode. While developing a method to fabricate a cluster thin film on or near the electrode,
We have found a new method for synthesizing the above-mentioned oligoferrosenylene derivatives. The biferrocene alkanethiol derivative (I) of the general formula (I) of the present invention is synthesized by the reaction represented by the reaction formula (1).

【0021】[0021]

【化3】 Embedded image

【0022】また、一般式(II)のテルフェロセンのア
ルカンチオール誘導体は反応式(2)により合成され
る。
The alkanethiol derivative of terferrocene of the general formula (II) is synthesized according to the reaction formula (2).

【0023】[0023]

【化4】 Embedded image

【0024】上記反応式(1)及び(2)中、BunLiはn
-ブチルリチウム(リチウム化剤)を、TMEDAはN,N,N',N'
−テトラメチルエチレンジアミン(リチウム化合物の安
定化剤)を、Bun 2Oはn-ブチルエーテル(主に溶媒)をそれ
ぞれ表わす。これら反応式(1)及び(2)にて示され
るように本発明における新規オリゴフェロセニレン誘導
体の原料としてのオリゴフェロセンは、フェロセンとヨ
ウ素化フェロセデニリニンから合成されるがその合成方
法は、E.W.Neuse,L.Bednarik, Macromolecules,1979,1
2,187に報告されており、また高分子錯体研究会、萩原
信衛、中村晃「高分子錯体−機能と応用−シリーズ4
「有機金属錯体」」に詳細に記載されている。
[0024] In the above reaction formula (1) and (2), Bu n Li is n
-Butyl lithium (lithiation agent), TMEDA is N, N, N ', N'
- tetramethylethylenediamine (stabilizer lithium compounds), Bu n 2 O represents each n- butyl ether (mainly solvent). As shown in the reaction formulas (1) and (2), oligoferrocene as a raw material of the novel oligoferrosenylene derivative in the present invention is synthesized from ferrocene and iodinated ferrocedenirinine. , EWNeuse, L. Bednarik, Macromolecules, 1979, 1
2,187, and Polymer Complex Study Group, Shinei Hagiwara, Akira Nakamura "Polymer Complex-Function and Application-Series 4
It is described in detail in "Organometallic Complex".

【0025】アルカンチオール誘導体は、Auのみでは
なく、少なくともAg、Cu、PtさらにはFe23
を安定化できることが知られている。したがって、表面
をオリゴフェロセニレンで化学修飾されたクラスターに
ついても、少なくともAu、Ag、Cu、Pt、Fe2
3については作製できる。
It is known that alkanethiol derivatives can stabilize not only Au but also at least Ag, Cu, Pt, Fe 2 O 3 and the like. Therefore, at least Au, Ag, Cu, Pt, and Fe 2 are used for clusters whose surfaces are chemically modified with oligoferrosenylene.
O 3 can be produced.

【0026】分散安定剤としては、アルカンチオール誘
導体の他に、テトラアルキルアンモニウムプロマイド、
テトラアルキルフォスフォニウムプロマイド、3−(ジ
メチルドデシルアンモニオ)プロパンスルホネート、カ
ルボン酸誘導体等も有効である。これらの分散安定剤に
より、Au、Ag、Cu、Pt、Pb、Rh、Ru、M
o、Ni、Co、Hg、Fe23、Al23、Ag
2O、In23、SnO2等のクラスターが作製できる。
As the dispersion stabilizer, in addition to the alkanethiol derivative, tetraalkylammonium bromide,
Tetraalkylphosphonium promide, 3- (dimethyldodecylammonio) propanesulfonate, carboxylic acid derivatives and the like are also effective. By these dispersion stabilizers, Au, Ag, Cu, Pt, Pb, Rh, Ru, M
o, Ni, Co, Hg, Fe 2 O 3 , Al 2 O 3 , Ag
Clusters such as 2 O, In 2 O 3 , and SnO 2 can be produced.

【0027】電極材料としては、電気化学的に安定な導
電体なら何でも使用できる。電極は、目的に応じて、導
電体単体を用いたり、ガラス、プラスチック、表面が酸
化されたシリコン基板等の上にパターン化されたものを
用いたりする。溶媒としては、電気化学で通常使用され
るものは全て使用できる。例えば、テトラヒドロフラ
ン、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメトキシエタ
ン、プロピレンカーボネート、水、クロロホルム等であ
る。
As the electrode material, any electrochemically stable conductor can be used. Depending on the purpose, the electrode may be a single conductor, or may be an electrode patterned on glass, plastic, a silicon substrate having an oxidized surface, or the like. As the solvent, any of those commonly used in electrochemistry can be used. For example, tetrahydrofuran, acetonitrile, dichloromethane, dimethoxyethane, propylene carbonate, water, chloroform and the like.

【0028】電解質としても、電気化学で通常使用され
るものは全て使用できる。例えば、支持電解質カチオン
としては、テトラアルキルアンモニウムイオン、アルカ
リ金属イオン、テトラアルキルホスホニウムイオン等が
挙げられる。アニオンとしては、ハロゲンイオン、ヘキ
サフルオロホスフェートイオン、カルボキシレートイオ
ン、テトラフルオロボレートイオン等が挙げられる
As the electrolyte, any of those commonly used in electrochemistry can be used. For example, examples of the supporting electrolyte cation include a tetraalkylammonium ion, an alkali metal ion, and a tetraalkylphosphonium ion. Examples of the anion include a halogen ion, a hexafluorophosphate ion, a carboxylate ion, and a tetrafluoroborate ion.

【0029】次に、本発明の基本的概念を、分散安定剤
としてオクタンチオールを用いた直径4nmの金クラス
ターをビフェロセニレンのアルカンチオール誘導体で修
飾する場合について説明する。下記反応式(3)に示す
ように、オクタンチオールにより安定化された金クラス
ターは、前述したM.Brust et al.,J.Chem.Soc.Chem.Com
mun.,1994,801-802、R.W.Murray et al.,J.Am.Chem.So
c.,1995,117,12537-12548に記載されている方法、即
ち、オクタンチオール共存下で金イオンを還元する方法
により得られる。金クラスターのコア部(金微粒子)の
直径は約2nm、シェル(オクタンチオール)の厚さは
約1nmである。
Next, the basic concept of the present invention will be described for a case where a gold cluster having a diameter of 4 nm using octanethiol as a dispersion stabilizer is modified with an alkanethiol derivative of biferrocenylene. As shown in the following reaction formula (3), the gold cluster stabilized by octanethiol can be obtained by the method described in M. Brust et al., J. Chem. Soc. Chem. Com.
mun., 1994, 801-802, RWMurray et al., J. Am. Chem. So
c., 1995, 117, 12537-12548, that is, a method of reducing gold ions in the presence of octanethiol. The diameter of the core part (fine gold particles) of the gold cluster is about 2 nm, and the thickness of the shell (octanethiol) is about 1 nm.

【0030】[0030]

【化5】 Embedded image

【0031】上記式(3)中、「−Fc-Fc」はビフェロ
セン骨格を表わし、また上記N(C8H17)4Brは親水性基と
してのオニウムイオン及び疎水性基としての長鎖アルキ
ル基を有しミセルを形成する界面活性剤として、NaBHは
還元剤として用いられ、C8H17SHはNaBHにより還元され
た金粒子との付加反応剤として用いられる。このように
して得られる金クラスター(1)((Au)m(C8
17S)n)は、粉末状態でも、分散状態でも安定であ
る。得られた金クラスター粉末を適当な溶媒に分散し、
一般式(I)(n=7)で示されるビフェロセニレンの
アルカンチオール誘導体(FcFcCO(CH2)7SH)
と反応させることにより、表面をオリゴフェロセニレン
で化学修飾した金クラスター(2)が作製できる。テル
フェロセニレンの場合についても同様に反応式(4)で
示されるようにテルフェロセニレンで化学修飾した金ク
ラスター(3)を作製できる。
In the above formula (3), “-Fc-Fc” represents a biferrocene skeleton, and N (C 8 H 17 ) 4 Br represents an onium ion as a hydrophilic group and a long-chain alkyl as a hydrophobic group. As a surfactant having a group and forming a micelle, NaBH is used as a reducing agent, and C 8 H 17 SH is used as an addition reactant with gold particles reduced by NaBH. The gold cluster (1) thus obtained ((Au) m (C 8 H
17 S) n) is stable in both a powder state and a dispersed state. Disperse the obtained gold cluster powder in a suitable solvent,
Alkanethiol derivative of biferrosenylene represented by the general formula (I) (n = 7) (FcFcCO (CH 2 ) 7 SH)
By reacting with, a gold cluster (2) whose surface is chemically modified with oligoferrosenylene can be produced. Similarly, in the case of terferocenylene, a gold cluster (3) chemically modified with terferocenylene can be prepared as shown by the reaction formula (4).

【0032】[0032]

【化6】 Embedded image

【0033】[0033]

【化7】 Embedded image

【0034】この金クラスター(3)も、金クラスター
(2)の場合と同様に、安定に取り出すことができ、直
径は約6nmである。NMR(核磁気共鳴分光)スペク
トルより、この場合、テルフェロセニレンのアルカンチ
オール誘導体とオクタンチオールとの比は、1:15〜
20であることがわかる。このようにして得られた、表
面をオリゴフェロセニレンで化学修飾された金クラスタ
ーを適当な電解液(この場合は、0.1M Bu4NC
lO4−CH2Cl2)に溶かし、電気化学反応を起こさ
せることにより、電極上に金クラスター薄膜を堆積させ
ることができる。この方法によれば、電極上あるいは電
極近傍にクラスター薄膜を低コストで、容易に、制御性
・再現性よく作製することが可能になる。
This gold cluster (3) can be stably extracted similarly to the case of the gold cluster (2), and has a diameter of about 6 nm. From the NMR (nuclear magnetic resonance spectroscopy) spectrum, in this case, the ratio of the alkanethiol derivative of terferrosenylene to octanethiol is 1:15 to 15.
It turns out that it is 20. The gold cluster thus obtained, the surface of which has been chemically modified with oligoferrosenylene, is combined with a suitable electrolyte (in this case, 0.1 M Bu 4 NC).
By dissolving it in 10 4 —CH 2 Cl 2 ) and causing an electrochemical reaction, a gold cluster thin film can be deposited on the electrode. According to this method, a cluster thin film can be easily formed on or near an electrode at low cost, with good controllability and reproducibility.

【0035】例えば、この方法を前述の日本国特許第2
650280号公報記載の島状薄膜素子或いは同じく前
述の特開平7−226522号公報記載の単一電子素子
に適用する場合、第一には、クラスター薄膜を形成すべ
き電極間を薄膜の電気化学的成長が起こり得る電位に保
つことにより、一方の電極から他方の電極へクラスター
薄膜を成長させ、最終的に両電極をクラスター薄膜で接
合する方法がある。第二には、前述のM.S.Wrighton et
al.,J.Am.Chem.Soc.,1984,106,5375-5377に記載されて
いるように、接合すべき2つの微小電極を等電位に保
ち、電極上および電極間にクラスター薄膜を電気化学的
に成長させる方法がある。また、本発明がオロゴフェロ
セニレン誘導体を使用する場合に限らず、分散安定剤に
より安定化されたクラスターから、表面を電気化学的に
活性な反応基で化学修飾したクラスターを合成し、電気
化学反応により電極上にクラスター薄膜を形成するとい
う更に一般的な方法としても拡張できることは明らかで
ある。
For example, this method is described in Japanese Patent No.
When applied to the island-shaped thin film element described in JP-A-650280 or the single-electron element described in JP-A-7-226522, first, the electrode between the electrodes on which the cluster thin film is to be formed is made electrochemically of the thin film. There is a method in which a cluster thin film is grown from one electrode to the other electrode by maintaining the potential at which growth can occur, and finally both electrodes are joined by the cluster thin film. Second, the aforementioned MSWrighton et
As described in al., J. Am. Chem. Soc., 1984, 106, 5375-5377, the two microelectrodes to be bonded are kept at the same potential, and the cluster thin film is electrically connected on and between the electrodes. There is a method of growing it chemically. In addition, the present invention is not limited to the case of using an orogoferosenylene derivative, and a cluster whose surface is chemically modified with an electrochemically active reactive group is synthesized from a cluster stabilized by a dispersion stabilizer, Obviously, the method can be extended to a more general method of forming a cluster thin film on an electrode by a chemical reaction.

【0036】[0036]

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて更に具体的に
説明する。 実施例1(反応式1参照) 8−ビフェロセニルオクタンチオール−8−オン(化合
物I;n=7)の合成 Ar雰囲気下、AlCl3を325mg(2.43mm
ol)脱水CH2Cl2の600μlに溶解させ、これに
Br(CH2)7COClを587μl(2.43mmo
l)滴下した。この溶液を、窒素雰囲気下、ビフェロセ
ン900mg(2.43mmol)のCH2Cl2溶液
(30ml)に1時間かけてゆっくり滴下した。室温で
12時間撹拌した後、脱気して氷冷した蒸留水に注い
だ。分液ロートに移して水でよく洗い、茶色の有機層を
取り出し、Na2SO4で乾燥後、溶媒を留去した。Br
(CH2)7COの一置換体の他に、二置換体も含まれてい
るので、HPLCを用いて分取し、FcFcCO(C
2)7Brを得た。収量186.2mg(0.324m
mol)。収率13.3%。窒素雰囲気下、FcFcC
O(CH2)7Brを118.6mg(0.206mmo
l)エタノール15mlに溶解させ、チオ尿素15.7
mg(0.206mmol)を加え、40時間還流し
た。さらに脱気した0.021M NaOHaqを20
ml(0.42mmol)加え、8時間還流した。生成
物をCHCl3を溶媒としてシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより分離し、目的物FcFcCO(CH2)7
SHを分取した。収量59.3mg(0.112mmo
l)。収率54.5%。 元素分析:計算値C,63.41%;H,6.46%。 実測値C,60.64%;H,6.61%。1 HNMR(図1) 同様に、Br(CH2)7COClの代わりに、Br(C
2)nCOClを使用することにより、この他のビフェ
ロセンのアルカンチオール誘導体も合成できる。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. Example 1 (see Reaction Scheme 1) Synthesis of 8-biferrocenyloctanethiol-8-one (Compound I; n = 7) Under an Ar atmosphere, 325 mg of AlCl 3 (2.43 mm)
ol) dissolved in 600 μl of dehydrated CH 2 Cl 2 , and 587 μl (2.43 mmol) of Br (CH 2 ) 7 COCl was added thereto.
l) It was added dropwise. This solution was slowly added dropwise to a solution of 900 mg (2.43 mmol) of biferrocene in CH 2 Cl 2 (30 ml) under a nitrogen atmosphere over 1 hour. After stirring at room temperature for 12 hours, the mixture was degassed and poured into ice-cooled distilled water. After transferring to a separatory funnel and washing well with water, a brown organic layer was taken out, dried over Na 2 SO 4 , and the solvent was distilled off. Br
Since a disubstituted substance is contained in addition to the monosubstituted (CH 2 ) 7 CO, fractionation is carried out using HPLC and FcFcCO (C
H 2 ) 7 Br was obtained. Yield 186.2 mg (0.324 m
mol). Yield 13.3%. FcFcC under nitrogen atmosphere
118.6 mg of O (CH 2 ) 7 Br (0.206 mmol)
l) Dissolve in 15 ml of ethanol and add 15.7 of thiourea
mg (0.206 mmol) was added and refluxed for 40 hours. Further, degassed 0.021 M NaOHaq was added to 20
Then, the mixture was refluxed for 8 hours. The product was separated by silica gel column chromatography using CHCl 3 as a solvent, and the desired product FcFcCO (CH 2 ) 7
SH was collected. Yield 59.3 mg (0.112 mmol
l). Yield 54.5%. Elemental analysis: Calcd. C, 63.41%; H, 6.46%. Found C, 60.64%; H, 6.61%. 1 HNMR (FIG. 1) Similarly, instead of Br (CH 2 ) 7 COCl, Br (C
By using H 2 ) nCOCl, other alkanethiol derivatives of biferrocene can also be synthesized.

【0037】実施例2 8−テルフェロセニルオクタンチオール−8−オン(化
合物II;n=7)の合成Ar雰囲気下、AlCl3を1
11mg(0.83mmol)CH2Cl2の200μl
に溶解させ、これにBr(CH2)7COClを200μl
(0.83mmol)滴下した。この溶液のうちの13
0μl(0.27mmol)を、窒素雰囲気下、テルフ
ェロセン150mg(0.27mmol)の脱水CH2
Cl2溶液(13ml)に1時間かけてゆっくり滴下し
た。室温で12時間撹拌し、反応液を大気解放後氷冷し
た蒸留水50mlに注いだ。分液ロートで、水でよく洗
い、茶色の有機層を取り出した。Na2SO4で乾燥後、
溶媒を留去した。残査をCHCl3を溶媒としてシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーに展開し、2番目のバン
ドを分取した。更にこれをCHCl3:hexane=
3:2溶液のTLCプレート(シリカゲル、厚さ0.5
mm)で2番目のバンドを分取した。橙色粉末[FcF
cFcCO(CH2)7Br]を得た。yield 8.3
mg(4.1%)。窒素雰囲気下、FcFcFcCO
(CH2)7Br16.4mg(0.022mmol)のエ
タノール溶液(1.5ml)に、チオ尿素1.7mg
(0.022mol)を加え、24時間還流した。TL
C(シリカゲル)で原料の消失を確認し、脱気した0.
022M NaOHaqを2.0ml(0.044mm
ol)加え、8時間還流した。溶媒を留去後、CHCl
3で抽出、CHCl3を溶媒としたTLCプレート(シリ
カゲル、厚さ0.5mm)で分離した。 1st band 赤色オイル [FcFcFcCO(CH2)7
H] yield10.1mg(64.1%)。 2nd band 赤色オイル [(FcFcFcCO(CH2)7)
2S] yield5.5mg(35.1%)。1 HNMR(図2) 同様に、Br(CH2)7COClの代わりに、Br(C
2)nCOClを使用することにより、この他のテルフ
ェロセンのアルカンチオール誘導体も合成できる。
[0037] Example 2 8-ether ferrocenyl Octanethiol-8-one (Compound II; n = 7) Synthesis Ar atmosphere, the AlCl 3 1
200 μl of 11 mg (0.83 mmol) CH 2 Cl 2
In 200 μl of Br (CH 2 ) 7 COCl.
(0.83 mmol) was added dropwise. 13 of this solution
0 μl (0.27 mmol) of terferrocene 150 mg (0.27 mmol) of dehydrated CH 2
The solution was slowly dropped into a Cl 2 solution (13 ml) over 1 hour. After stirring at room temperature for 12 hours, the reaction solution was released to the atmosphere and poured into 50 ml of ice-cooled distilled water. The mixture was washed well with water using a separating funnel, and a brown organic layer was taken out. After drying over Na 2 SO 4
The solvent was distilled off. The residue was subjected to silica gel column chromatography using CHCl 3 as a solvent, and the second band was collected. Further, this was converted to CHCl 3 : hexane =
3: 2 solution TLC plate (silica gel, thickness 0.5
mm), the second band was collected. Orange powder [FcF
was obtained cFcCO (CH 2) 7 Br] . yield 8.3
mg (4.1%). FcFcFcCO under nitrogen atmosphere
1.7 mg of thiourea was added to an ethanol solution (1.5 ml) of 16.4 mg (0.022 mmol) of (CH 2 ) 7 Br.
(0.022 mol) and refluxed for 24 hours. TL
C (silica gel) was used to confirm the disappearance of the raw materials, and degassed.
2.0 ml of 022M NaOHaq (0.044 mm
ol) and refluxed for 8 hours. After evaporating the solvent, CHCl
3 extracted and separated by TLC plates with CHCl 3 and solvent (silica gel, thickness 0.5 mm). 1st band red oil [FcFcFcCO (CH 2 ) 7 S
H] 10.1 mg (64.1%) yield. 2nd band red oil [(FcFcFcCO (CH 2 ) 7 )
2 S] yield 5.5 mg (35.1%). 1 HNMR (FIG. 2) Similarly, instead of Br (CH 2 ) 7 COCl, Br (C
By using H 2 ) nCOCl, other alkanethiol derivatives of terferrocene can also be synthesized.

【0038】実施例3 FcFcFcCO(CH2)7SH(化合物II(n=7))
のエタノール溶液に、金ディスク電極を浸漬し、自己集
合膜を形成させた。表面濃度の浸漬時間依存性から、1
6時間で飽和吸着量に達し、そのときの表面濃度は2.
3×10-10molcm-2であった。この電極の0.1
M Bu4NClO4CH2Cl2溶液でのサイクリックボ
ルタモグラム(CV)においては、可逆な3段の1電子
酸化波が現われたが(図3)、1N HClO4水溶液
では2段の1電子酸化波しか示さず(図4:0.1Vs
-1)、電子移動に集合状態が大きく影響することを示唆
した。本実施例の金ディスク電極の代わりに、AgやC
uの電極を用いても、同様にして電気化学的に活性な電
極を作製できる。
Example 3 FcFcFcCO (CH 2 ) 7 SH (Compound II (n = 7))
The gold disk electrode was immersed in an ethanol solution of the above to form a self-assembled film. From the immersion time dependence of the surface concentration, 1
The saturated adsorption amount is reached in 6 hours, and the surface concentration at that time is 2.
It was 3 × 10 −10 molcm −2 . 0.1 of this electrode
In M Bu 4 NClO 4 cyclic voltammograms at in CH 2 Cl 2 (CV), but one-electron oxidation wave of reversible three stages appeared (Fig. 3), one-electron oxidation of 2 stages in 1N HClO 4 aqueous solution Shows only a wave (FIG. 4: 0.1 Vs
-1 ), suggesting that the aggregation state has a large effect on electron transfer. In place of the gold disk electrode of this embodiment, Ag or C
Even if an electrode u is used, an electrochemically active electrode can be produced in the same manner.

【0039】実施例4 前述のR.W.Murray et al.,J.Am.Chem.Soc.,1995,117,12
537-12548に記載されている方法に従い、オクタンチオ
ールを分散安定剤とする金クラスター(1)[(Au)m
(C817S)n]を合成した。この金クラスターのコア
部の直径は約2nm、シェル部も含めたクラスター全体
の直径は約4nmであった。
Example 4 The aforementioned RWMurray et al., J. Am. Chem. Soc., 1995, 117, 12
According to the method described in No. 537-12548, a gold cluster using octanethiol as a dispersion stabilizer (1) [(Au) m
(C 8 H 17 S) n] was synthesized. The diameter of the core of the gold cluster was about 2 nm, and the diameter of the entire cluster including the shell was about 4 nm.

【0040】実施例5 biferrocene末端修飾チオール配位子金クラスター(Gol
d cluster(2))の合成 サンプル管に(Au)m(C817S)nを0.203g、
またFcFcCO(CH2)7SHを40.0mg入れ、ト
ルエン1.0mlに溶解させ、48時間撹拌した。これ
をエタノール300mlに注ぎ、冷凍庫(−17℃)で
一晩放置した。コロイドをメンブランフィルターで瀘別
し、エタノールでよく洗った。瀘紙の上のものをCH2
Cl2溶液に溶かし込み、これを溶媒留去することによ
り、目的のクラスター(Au)m(C817S)n(FcFc
CO(CH2)7SH)lを得た。収量0.190g(2.
71×10-3mmol)。収率85.0%。 元素分析:計算値C,16.90%;H,2.48%。 実測値C,16.92%;H,2.26%。 (オクタンチオール75、ビフェロセンチオール20/
金クラスター1個として計算)1 HNMR(図5)
Example 5 Biferrocene terminal-modified thiol ligand gold cluster (Gol
d cluster (2)) 0.203 g of (Au) m (C 8 H 17 S) n was added to a sample tube,
Further, 40.0 mg of FcFcCO (CH 2 ) 7 SH was added, dissolved in 1.0 ml of toluene, and stirred for 48 hours. This was poured into 300 ml of ethanol and left in a freezer (−17 ° C.) overnight. The colloid was filtered off with a membrane filter and washed well with ethanol. CH 2 on filter paper
The target cluster (Au) m (C 8 H 17 S) n (FcFc) was dissolved in a Cl 2 solution and the solvent was distilled off.
CO (CH 2 ) 7 SH) l was obtained. Yield 0.190 g (2.
71 × 10 −3 mmol). 85.0% yield. Elemental analysis: Calculated C, 16.90%; H, 2.48%. Found C, 16.92%; H, 2.26%. (Octanethiol 75, Biferrocentiol 20 /
1 HNMR (Fig. 5)

【0041】実施例6 terferrocene末端修飾チオール配位子金クラスターの合
成 50mlナスフラスコに(Au)m(C817S)nを2
8.1mg(3.77×10-4mmol)、また、Fc
FcFcCO(CH2)7SHを6.3mg(8.85×1
-4mmol)を入れ、トルエン14mlに溶解させ、
24時間撹拌した。これをエタノール100mlに注
ぎ、冷凍庫(−17℃)で一晩放置した。コロイドをメ
ンブランフィルターで瀘別し、エタノールでよく洗っ
た。瀘紙の上のものを乾燥させ、目的のクラスター(A
u)m(C817S)n(FcFcFcCO(CH2)7SH)
lを得た。m=309、n=95とすると(文献より)
NMRより、l=5.6であることがわかった。収量2
6.3mg(3.39×10-4mmol)。収率90.
0%。
Example 6 Synthesis of terferrocene terminal-modified thiol ligand gold cluster In a 50 ml eggplant flask, 2 (Au) m (C 8 H 17 S) n were added.
8.1 mg (3.77 × 10 −4 mmol) and Fc
6.3 mg of FcFcCO (CH 2 ) 7 SH (8.85 × 1
0 -4 mmol), and dissolved in 14 ml of toluene.
Stirred for 24 hours. This was poured into 100 ml of ethanol and left overnight in a freezer (−17 ° C.). The colloid was filtered off with a membrane filter and washed well with ethanol. The filter paper is dried and the desired cluster (A
u) m (C 8 H 17 S) n (FcFcFcCO (CH 2) 7 SH)
1 was obtained. If m = 309 and n = 95 (from literature)
From NMR, it was found that 1 = 5.6. Yield 2
6.3 mg (3.39 × 10 −4 mmol). Yield 90.
0%.

【0042】実施例7 実施例6において、オクタンチオールを分散安定剤とす
る金クラスターの代わりに、同じく前述のC.N.R.Rao et
al.,J.Chem.Soc.Chem.Commun.,1997,537-538に記載
の、ドデカンチオールを分散安定剤とする銀クラスター
を用い、これに化合物II(n=11)を反応させること
により、同様に、テルフェロセニレンで修飾された銀ク
ラスターを得た。
Example 7 In Example 6, instead of the gold cluster using octanethiol as a dispersion stabilizer, the above-mentioned CNRRao et al.
Commun., 1997, 537-538 described in al., J. Chem. Soc. Chem. Commun., by reacting compound II (n = 11) with a silver cluster using dodecanethiol as a dispersion stabilizer. Similarly, silver clusters modified with terferrosenylene were obtained.

【0043】実施例8 実施例5で得られたビフェニロセニレンで表面修飾され
た金クラスター4.5μMを、0.1M Bu4NCl
4とともにCH2Cl2に溶解し、この溶液のグラッシ
ーカーボン(GC)電極でのCVを測定した(図6)。
式量電位はフリーのビフェロセニレン誘導体とほぼ同じ
であった。最初の掃引では、ビフェロセニレンの酸化に
よる2段の可逆波が現われるが、掃引を繰り返すことに
より、電極上に金クラスターが積層し、最終的には構造
のないブロードな可逆波になることがわかった。ちなみ
に、フェロセンの単量体で表面修飾した金クラスターで
は、電極上への金クラスターの積層は観測されなかっ
た。
Example 8 4.5 μM of the gold cluster surface-modified with biphenylenenylene obtained in Example 5 was combined with 0.1 M Bu 4 NCl
It was dissolved in CH 2 Cl 2 together with O 4 , and the CV of this solution at a glassy carbon (GC) electrode was measured (FIG. 6).
The formal potential was about the same as the free biferrosenylene derivative. In the first sweep, a two-stage reversible wave appears due to the oxidation of biferrosenylene, but it was found that by repeating the sweep, gold clusters were deposited on the electrodes, and eventually a broad reversible wave with no structure was found. . Incidentally, in the case of a gold cluster surface-modified with a ferrocene monomer, no stacking of the gold cluster on the electrode was observed.

【0044】実施例9 実施例6で得られたテルフェロセニレンで表面修飾され
た金クラスター4.5μMを、0.1M Bu4NCl
4とともにCH2Cl2に溶解し、この溶液のグラッシ
ーカーボン(GC)電極でのCVを測定した(図7)。
式量電位はフリーのテルフェロセニレン誘導体とほぼ同
じであった。最初の掃引では、テルフェロセニレンの酸
化による3段の可逆波が現われるが、掃引を繰り返すこ
とにより、電極上に金クラスターが積層し、最終的に2
段の可逆波になることがわかった。同様の結果は、IT
O電極を用いたCV測定でも得られた。
Example 9 4.5 μM of the terferrosenylene-modified gold cluster obtained in Example 6 was combined with 0.1 M Bu 4 NCl
It was dissolved in CH 2 Cl 2 together with O 4 , and the CV of this solution at a glassy carbon (GC) electrode was measured (FIG. 7).
The formal potential was almost the same as the free terferrosenylene derivative. In the first sweep, three-stage reversible waves appear due to the oxidation of terferrosenylene, but by repeating the sweep, gold clusters are deposited on the electrodes, and finally 2
It turned out to be a reversible wave of steps. A similar result is the IT
It was also obtained by CV measurement using an O electrode.

【0045】実施例10 図8に示すような単一電子素子を作製した。即ち、導電
性シリコン基板の上に10nm厚の酸化膜を設け、この
酸化膜の上に金電極(1)及び(2)を設ける。電極間
距離は100nmであった。この電極基板を、実施例9
で使用したテルフェロセニレンで表面修飾された金クラ
スターの電解液に浸漬し、金電極(1)を0.8Vv
s.Ag/Ag+、金電極(2)を0Vvs.Ag/A
+として電極反応を行なう。金クラスターは、金電極
(1)から金電極(2)に向かって成長し、最終的に両
電極は金クラスターにより接合される。このようにし
て、本発明による金クラスター薄膜の電気化学的作製法
を用いることにより、極めて容易に単一電子素子が作製
できる。
Example 10 A single electronic device as shown in FIG. 8 was manufactured. That is, an oxide film having a thickness of 10 nm is provided on a conductive silicon substrate, and gold electrodes (1) and (2) are provided on the oxide film. The distance between the electrodes was 100 nm. This electrode substrate was used in Example 9
The gold electrode (1) was immersed in the electrolytic solution of the gold cluster surface-modified with terferrosenylene used in (1), and the gold electrode (1) was set at 0.8 V
s. Ag / Ag + , the gold electrode (2) was set to 0 V vs. Ag / A
The electrode reaction is performed with g + . The gold cluster grows from the gold electrode (1) toward the gold electrode (2), and finally both electrodes are joined by the gold cluster. In this way, by using the method for electrochemically producing a gold cluster thin film according to the present invention, a single electronic device can be produced very easily.

【0046】実施例11 実施例10において、電極間距離を50nmとし、金電
極(1)と金電極(2)を外部配線により接合し、対極
(白金電極)の電位を、0Vvs.Ag/Ag+とし、
金電極(作用極)の電位を0.8Vvs.Ag/Ag+
にして、金クラスター薄膜の堆積を行なう。電極(1)
と電極(2)は充分接近しているので、結果的に金クラ
スター薄膜は、金電極上及び金電極間にわたって均一に
堆積し、図9に示したような単一電子素子を作製するこ
とができる。
Example 11 In Example 10, the distance between the electrodes was set to 50 nm, the gold electrode (1) and the gold electrode (2) were joined by external wiring, and the potential of the counter electrode (platinum electrode) was set to 0 V vs. 0 V. Ag / Ag + ,
The potential of the gold electrode (working electrode) is set to 0.8 V vs. Ag / Ag +
Then, a gold cluster thin film is deposited. Electrode (1)
And the electrode (2) are sufficiently close to each other, and as a result, the gold cluster thin film is uniformly deposited on and between the gold electrodes, so that a single electronic device as shown in FIG. 9 can be manufactured. it can.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らか
なように、本発明は新規なオリゴフェロセニレンのアル
カンチオール誘導体、及びその合成、この新規化合物を
用いた電気化学的に活性な電極の作製および新規金属ク
ラスターの合成、この新規クラスターを用いた電気化学
的に活性な金属クラスター薄膜及びその作製法を提供
し、さらには作製された金属クラスター薄膜の量子効果
素子への応用等を可能にするものである。
As described above, the present invention provides a novel oligoferrocenylene alkanethiol derivative, its synthesis, and an electrochemically active electrode using the novel compound. Of metal clusters, synthesis of new metal clusters, electrochemically active metal cluster thin films using these new clusters, and methods for their preparation, and application of the manufactured metal cluster thin films to quantum effect devices It is to be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のFcFcCO(CH2)7SHの1HNM
Rのスペクトルを示した図(実施例1)である。
[1] FcFcCO of the present invention (CH 2) 7 SH of 1 HNM
FIG. 3 is a diagram (Example 1) showing an R spectrum.

【図2】本発明のFcFcFcCO(CH2)7SHの1
NMRのスペクトルを示した図(実施例2)である。
FIG. 2 shows 1 H of FcFcFcCO (CH 2 ) 7 SH of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an NMR spectrum (Example 2).

【図3】本発明のFcFcFcCO(CH2)7SHの金デ
ィスク電極上への自己集合膜の0.1M Bu4NCl
4CH2Cl2溶液でのサイクリックボルタモグラムを
示した図(実施例3)である。
FIG. 3 shows a 0.1 M Bu 4 NCl of a self-assembled film of FcFcFcCO (CH 2 ) 7 SH of the present invention on a gold disk electrode.
FIG. 10 is a diagram showing a cyclic voltammogram with an O 4 CH 2 Cl 2 solution (Example 3).

【図4】本発明のFcFcFcCO(CH2)7SHの金デ
ィスク電極上への自己集合膜の1N HClO4水溶液
でのサイクリックボルタモグラムを示した図(実施例
3)である。
FIG. 4 is a view showing a cyclic voltammogram of a self-assembled film of FcFcFcCO (CH 2 ) 7 SH of the present invention on a gold disk electrode in a 1N HClO 4 aqueous solution (Example 3).

【図5】本発明の金クラスター(2)の1HNMRのス
ペクトル(CH2Cl2溶液)を示した図(実施例5)で
ある。
FIG. 5 is a diagram (Example 5) showing a 1 H NMR spectrum (CH 2 Cl 2 solution) of the gold cluster (2) of the present invention.

【図6】本発明の金クラスター(2)のサイクリックボ
ルタモグラム(0.1M Bu4NClO4CH2Cl2
グラッシーカーボンディスク電極)を示した図(実施例
8)である。
FIG. 6 is a cyclic voltammogram (0.1 M Bu 4 NCLO 4 CH 2 Cl 2 ) of the gold cluster (2) of the present invention.
FIG. 15 is a diagram (Example 8) showing a glassy carbon disk electrode).

【図7】本発明の金クラスター(3)のサイクリックボ
ルタモグラム(0.1M Bu4NClO4CH2Cl2
グラッシーカーボンディスク電極)を示した図(実施例
9)である。
FIG. 7 is a cyclic voltammogram (0.1 M Bu 4 NCLO 4 CH 2 Cl 2 ) of the gold cluster (3) of the present invention.
FIG. 15 is a view showing a glassy carbon disk electrode) (Example 9).

【図8】導電性シリコン基板上に作製された単一電子素
子を示した図(実施例10)である。
FIG. 8 is a diagram showing a single electronic device manufactured on a conductive silicon substrate (Example 10).

【図9】導電性シリコン基板上に作製された単一電子素
子を示した図(実施例11)である。
FIG. 9 is a diagram showing a single electronic device manufactured on a conductive silicon substrate (Example 11).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 金電極(1) 2 金電極(2) 3 金クラスター 4 シリコン酸化膜 5 導電性シリコン基板 Reference Signs List 1 gold electrode (1) 2 gold electrode (2) 3 gold cluster 4 silicon oxide film 5 conductive silicon substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保 謙哉 東京都文京区本郷7丁目3番1号 東京大 学大学院理学系研究科化学専攻内 (72)発明者 栗原 正人 東京都文京区本郷7丁目3番1号 東京大 学大学院理学系研究科化学専攻内 (72)発明者 西原 寛 東京都文京区本郷7丁目3番1号 東京大 学大学院理学系研究科化学専攻内 Fターム(参考) 4H050 AA01 AA03 AB78 AB80 AB91 WB11 WB22 WB23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kenya Kubo 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tokyo University (72) Inventor Masato Kurihara 7, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 3-1, Chome, Department of Chemistry, Graduate School of Science, University of Tokyo (72) Inventor Hiroshi Nishihara 7-3-1, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo F-term, Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tokyo University (Reference) 4H050 AA01 AA03 AB78 AB80 AB91 WB11 WB22 WB23

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(I)で表わされるビフェロ
センのアルカンチオール誘導体。 【化1】
1. An alkanethiol derivative of biferrocene represented by the following general formula (I). Embedded image
【請求項2】 下記一般式(II)で表わされるテルフェ
ロセンのアルカンチオール誘導体。 【化2】
2. An alkanethiol derivative of terferrocene represented by the following general formula (II). Embedded image
【請求項3】 請求項1又は2に記載のオリゴフェロセ
ニレンのアルカンチオール誘導体により化学修飾された
電気化学的に活性な金属電極。
3. An electrochemically active metal electrode chemically modified with the alkanethiol derivative of oligoferrosenylene according to claim 1 or 2.
【請求項4】 請求項1又は2に記載のオリゴフェロセ
ニレンのアルカンチオール誘導体により化学修飾された
電気化学的に活性な金電極。
4. An electrochemically active gold electrode chemically modified with the alkanethiol derivative of oligoferrosenylene according to claim 1 or 2.
【請求項5】 アルカンチオールを分散安定剤とする金
属クラスターと、請求項1又は2に記載のオリゴフェロ
セニレンのアルカンチオール誘導体とを反応させること
により得られ、表面をオリゴフェロセニレンで化学修飾
された金属クラスター。
5. A metal cluster obtained by using alkanethiol as a dispersion stabilizer and an alkanethiol derivative of oligoferrosenylene according to claim 1 or 2, wherein the surface is chemically treated with oligoferrosenylene. Modified metal cluster.
【請求項6】 アルカンチオールを分散安定剤とする金
クラスターと、請求項1又は2に記載のオリゴフェロセ
ニレンのアルカンチオール誘導体とを反応させることに
より得られ、表面をオリゴフェロセニレンで化学修飾さ
れた金クラスター。
6. A method comprising reacting a gold cluster containing alkanethiol as a dispersion stabilizer with an alkanethiol derivative of oligoferrosenylene according to claim 1 or 2, wherein the surface is chemically treated with oligoferrosenylene. Qualified gold cluster.
【請求項7】 分散安定剤により安定化されたクラスタ
ーと請求項1又は2記載のオリゴフェロセニレン誘導体
を反応させることにより得られ、表面をオリゴフェロセ
ニレンで化学修飾されたクラスターから成る電解液を電
気化学的に酸化することにより、電極基板上にクラスタ
ー薄膜を形成する方法。
7. An electrolysis comprising a cluster obtained by reacting a cluster stabilized by a dispersion stabilizer with an oligoferrosenylene derivative according to claim 1 or 2, the surface of which is chemically modified with oligoferrosenylene. A method of forming a cluster thin film on an electrode substrate by electrochemically oxidizing a liquid.
【請求項8】 請求項6に記載の、表面をオリゴフェロ
セニレンで化学修飾された金クラスターから成る電気化
学的に活性な金クラスター薄膜。
8. The electrochemically active gold cluster thin film according to claim 6, comprising a gold cluster whose surface is chemically modified with oligoferrosenylene.
【請求項9】 請求項6に記載の、表面をオリゴフェロ
セニレンで化学修飾された金クラスターから成る電解液
から、電気化学的に活性な金クラスター薄膜を作製する
方法。
9. A method for producing an electrochemically active gold cluster thin film from an electrolytic solution comprising a gold cluster whose surface is chemically modified with oligoferrosenylene, according to claim 6.
【請求項10】 請求項7又は9に記載の方法により作
製したクラスター薄膜を用いることを特徴とする量子効
果素子。
10. A quantum effect device using a cluster thin film produced by the method according to claim 7. Description:
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