JP2000086242A - Thin film and its production - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜の製造方法及
びそれによって作製された薄膜に関する。[0001] The present invention relates to a method for producing a thin film and a thin film produced by the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＰＺＴと呼ばれるペロブスカイト
酸化物が注目を集めている。ＰｂＺｒＴｉＯ３の化学式
で示される、鉛、ジルコニウム、チタンを含む酸化物で
ある。これは、強誘電性、圧電効果が優れており、これ
らの特性を活かして、強誘電性メモリーやアクチュエー
タへの応用が図られている。2. Description of the Related Art In recent years, a perovskite oxide called PZT has attracted attention. It is an oxide containing lead, zirconium, and titanium represented by the chemical formula of PbZrTiO 3 . It has excellent ferroelectricity and piezoelectric effect, and is being applied to ferroelectric memories and actuators by utilizing these characteristics.
【０００３】ＰＺＴ膜の工業的な作製方法としては、ス
パッタ法あるいはゾルゲル法が有力とされている。スパ
ッタ法は、所望の組成のスパッタリングターゲットを真
空槽中に配置し、スパッタガスを導入した後にターゲッ
トに電力を投入して放電を起こし、たたき出されたター
ゲット粒子が基板に付着して薄膜となる。ＰＺＴのよう
なペロブスカイト酸化物の場合、その後熱処理を行って
結晶化を促す必要がある。熱処理温度としては７００℃
以上の高温が必要になる。これに対して、ゾルゲル法
は、水、あるいは有機溶媒に所望の元素の有機化合物を
溶かし込んだものを出発原料とし、これをゾルと呼ぶ。
これを基板上にスピンコート法などで塗布した後に、乾
燥工程を経て、ゲル状の膜を得て、さらに最終的に熱処
理を行い結晶化したペロブスカイト膜を得るものであ
る。やはり、７００℃以上の熱処理温度が必要になると
いう欠点がある。スパッタ法とゾルゲル法を比較する
と、ゾルゲル法は、塗布するために成膜レートという観
点からは好ましいが、密着性の点ではスパッタ法に劣
る。どちらの成膜方法にも一長一短がある。また、アク
チュエーターへの応用の場合には、圧電特性が非常に重
要なファクターであるように、用途に適した特性が得ら
れるＰＺＴの作製方法が望ましく、より高い特性が得ら
れる成膜方法が待ち望まれている。[0003] As an industrial method for producing a PZT film, a sputtering method or a sol-gel method is considered to be effective. In the sputtering method, a sputtering target having a desired composition is placed in a vacuum chamber, and after introducing a sputtering gas, power is supplied to the target to cause a discharge, and the beaten target particles adhere to the substrate to form a thin film. . In the case of a perovskite oxide such as PZT, it is necessary to perform a heat treatment to promote crystallization. 700 ° C as heat treatment temperature
Higher temperatures are required. On the other hand, in the sol-gel method, a starting material obtained by dissolving an organic compound of a desired element in water or an organic solvent is called a sol.
This is coated on a substrate by a spin coating method or the like, and then subjected to a drying step to obtain a gel-like film, and finally to a heat treatment to obtain a crystallized perovskite film. Again, there is a disadvantage that a heat treatment temperature of 700 ° C. or more is required. Comparing the sputtering method and the sol-gel method, the sol-gel method is preferable from the viewpoint of the film formation rate for coating, but is inferior to the sputtering method in terms of adhesion. Both film forming methods have advantages and disadvantages. In addition, in the case of application to an actuator, a method for producing PZT that provides characteristics suitable for the application is desirable, and a film forming method that provides higher characteristics is awaited, as piezoelectric characteristics are a very important factor. Have been.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ＰＺＴ膜の作製におい
て、スパッタ法、ゾルゲル法ともに成膜直後はアモルフ
ァス状態と考えられている。これは、Ｘ線回折の結果か
らも確認されている。その後高温での熱処理を施すこと
により、結晶化が進行してペロブスカイト相が得られ
る。このようなポストアニールによる結晶化にはかなり
の高温が必要となり、また、充分な結晶化が進み難いと
考えられる。そのため、各々の方法で最終的に得られる
膜の特性は、本来有している性能が充分引き出されてい
ないと考えられる。In manufacturing a PZT film, it is considered that both the sputtering method and the sol-gel method are in an amorphous state immediately after the film formation. This has been confirmed from the results of X-ray diffraction. Thereafter, by performing a heat treatment at a high temperature, crystallization proceeds and a perovskite phase is obtained. It is considered that crystallization by such post-annealing requires a considerably high temperature, and that sufficient crystallization hardly proceeds. Therefore, it is considered that the characteristics of the film finally obtained by each method are not sufficiently derived from the inherent performance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、チャンバーと、プラズマを発生させる機
構と、からなる成膜装置において、プラズマを発生させ
ながら、薄膜の成分を含むゾルを前記プラズマ近傍に供
給し、プラズマ内あるいはその近傍に配置した基板上
に、ゾルに含まれる一部の成分を主たる成分とする薄膜
の作製方法を提供する。また、プラズマを発生させるた
め電極の一方をゾル中に配置し、他方の電極を前記ゾル
の外に配置し、前記ゾル表面付近にプラズマを形成する
ことにより、プラズマ内あるいはその近傍に配置した基
板上に、ゾルに含まれる一部の成分を主たる成分とする
薄膜の作製方法を提供する。２−ｎ−ブトキシエタノー
ル、酢酸鉛 、ジルコニウムアセチルアセトナート、及
びチタニウムテトライソプロポキシドの混合液をゾルの
主たる成分とすることで良質なＰＺＴ薄膜を得ることが
できる。チャンバー内を酸素雰囲気とすることで適正な
酸素含有量を有するＰＺＴ膜が得られる。基板温度を制
御する機構を設けることで結晶性の高いＰＺＴ膜が得ら
れる。また、ＤＣプラズマ、あるいはＲＦプラズマによ
りＰＺＴ膜を作製することが可能である。According to the present invention, there is provided a film forming apparatus comprising a chamber and a mechanism for generating plasma, wherein the sol containing a component of a thin film is generated while generating plasma. Is provided in the vicinity of the plasma to provide a method for producing a thin film having a part of components contained in a sol as a main component on a substrate disposed in or near the plasma. Further, a substrate arranged in or near the plasma by arranging one of the electrodes in the sol to generate plasma, arranging the other electrode outside the sol, and forming plasma near the sol surface. Above, a method for producing a thin film mainly containing some components contained in a sol is provided. By using a mixture of 2-n-butoxyethanol, lead acetate, zirconium acetylacetonate, and titanium tetraisopropoxide as a main component of the sol, a good PZT thin film can be obtained. By setting the inside of the chamber to an oxygen atmosphere, a PZT film having an appropriate oxygen content can be obtained. By providing a mechanism for controlling the substrate temperature, a PZT film having high crystallinity can be obtained. Further, a PZT film can be manufactured by DC plasma or RF plasma.
【０００６】さらに、本発明は、チャンバーと、プラズ
マを発生させる機構と、からなる成膜装置を用いて、プ
ラズマを発生させながら、薄膜の成分を含むゾルを前記
プラズマ近傍に供給し、プラズマ内あるいはその近傍に
配置された基板上に形成される薄膜を提供する。プラズ
マを発生させるため電極の一方を前記ゾル中に配置し、
他方の電極を前記ゾルの外に配置し、前記ゾル表面にプ
ラズマを形成することにより、プラズマ内あるいはその
近傍に配置された基板上に良質な薄膜が得られる。The present invention further provides a sol containing a thin film component in the vicinity of the plasma while generating the plasma using a film forming apparatus including a chamber and a mechanism for generating the plasma. Alternatively, a thin film formed on a substrate disposed in the vicinity thereof is provided. Placing one of the electrodes in the sol to generate a plasma,
By disposing the other electrode outside the sol and forming plasma on the sol surface, a good quality thin film can be obtained on a substrate disposed in or near the plasma.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】１． 第１の実施例 実施例に基づいて本発明を説明する。まず、図１は、本
実施例で用いた成膜装置の構成を示す模式図である。チ
ャンバー１１の内部にゾル１３が導入されている。電極
Ａ１４はゾル中に配置され、もう一方の電極Ｂ１５はゾ
ル１３の外に配置されている。成膜を行う基板は電極Ｂ
１５に隣接して配置する。本実施例では、プラズマ発生
電源１２として直流電源を用いた。最大で２ｋＶまで印
加可能である。成膜に先立ってチャンバー内にゾルを導
入したのちに、真空排気を行なった後に、さらにアルゴ
ンガスと酸素ガスとの混合ガスをマスフローコントロー
ラーを用いて１００ｓｃｃｍの流量で導入を行った。混
合比は、アルゴンガス４に対して酸素ガス１の割合であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First Embodiment The present invention will be described based on an embodiment. First, FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a film forming apparatus used in the present embodiment. A sol 13 is introduced into the chamber 11. The electrode A14 is arranged in the sol, and the other electrode B15 is arranged outside the sol 13. The substrate on which the film is formed is the electrode B
It is arranged adjacent to No. 15. In this embodiment, a DC power supply was used as the plasma generation power supply 12. Up to 2 kV can be applied. After the sol was introduced into the chamber prior to film formation, the chamber was evacuated, and then a mixed gas of argon gas and oxygen gas was introduced at a flow rate of 100 sccm using a mass flow controller. The mixing ratio is the ratio of oxygen gas 1 to argon gas 4.
【０００８】次に、本実施例で用いたゾルについて述べ
る。有機系の溶媒として、化学式ＣＨ３（ＣＨ２）３Ｏ
ＣＨ２ＣＨ２ＯＨで示される２−ｎ−ブトキシエタノー
ルを用いた。これに、ＰＺＴの原料成分である、酢酸
鉛：Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・Ｈ２Ｏ、 ジルコニウム
アセチルアセトナート：Ｚｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ
３）４、 チタニウムテトライソプロポキシド：Ｔｉ
［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］４を混合して溶かしたものをゾ
ルとした。酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナー
ト、チタニウムテトライソプロポキシドの混合比率は、
１００：５２：４８とした。また、添加剤として、０．
１ｍｏｌ％のポタシウムアセテートを加えた。Next, the sol used in this embodiment will be described. As an organic solvent, the chemical formula CH 3 (CH 2 ) 3 O
Using 2-n-butoxyethanol represented by CH 2 CH 2 OH. In addition, lead acetate: Pb (CH 3 COO) 2 .H 2 O, which is a raw material component of PZT, zirconium acetylacetonate: Zr (CH 3 COCHCOCH)
3 ) 4 , titanium tetraisopropoxide: Ti
A sol was obtained by mixing and dissolving [(CH 3 ) 2 CHO] 4 . The mixing ratio of lead acetate, zirconium acetylacetonate, and titanium tetraisopropoxide is
100: 52: 48. In addition, as an additive, 0.1.
1 mol% of potassium acetate was added.
【０００９】次に、成膜の手順について述べる。基板と
して、Ｓｉウエハーに白金下地層を２００ｎｍの膜厚で
形成したものを用いた。基板を電極Ｂ１５上に固定し
て、ゾルの直上に配置した。基板とゾル液面との距離は
可変とし、本実施例では、５〜２５ｍｍの間で薄膜の作
製を行った。チャンバー内に酸素ガスを導入後、プラズ
マ発生用電源を用いて、電極Ａ１４と電極Ｂ１５の間に
１ｋＶの直流電圧を印加し、基板とゾル液面との間にプ
ラズマを発生させた。基板とゾルの液面の距離を５〜５
０ｍｍの間で変化させてもプラズマは良好に発生した。
基板温度は、基板がプラズマ中に配置されるためかなり
高温になり、基板とゾルの液面との距離が１０ｍｍのと
きに、６５０℃以上であった。放電終了後、基板上には
堆積物が認められ、蛍光Ｘ線分析、Ｘ線回折の評価によ
り、良好なＰＺＴ薄膜が形成されていることが確認され
た。さらに、ＰＺＴ膜の密着性も充分に確保されている
ことがわかった。ＰＺＴ膜形成後に、さらに白金電極層
を形成して、圧電特性を評価したところ、従来のスパッ
タ法、ゾルゲル法に比べて約２５％の特性向上が観測さ
れた。この特性は、成膜後の熱処理を施さないで得られ
ており、工業的に意義が高い。また、従来のＰＺＴ作製
法に比べて、プロセスの最高温度が低くとも良好な圧電
特性が得られている。この原因としては、出発原料がゾ
ルであるためであろう。ゾルを用いているため、比較的
低い投入エネルギーで良質なＰＺＴ結晶が得られると考
えられる。Next, the procedure of film formation will be described. As the substrate, a substrate formed by forming a platinum underlayer with a thickness of 200 nm on a Si wafer was used. The substrate was fixed on the electrode B15 and placed directly above the sol. The distance between the substrate and the sol liquid level was made variable, and in this example, a thin film was formed between 5 and 25 mm. After introducing the oxygen gas into the chamber, a DC voltage of 1 kV was applied between the electrode A14 and the electrode B15 using a power supply for plasma generation to generate plasma between the substrate and the sol liquid surface. The distance between the liquid surface of the substrate and the sol is 5-5.
Plasma was well generated even when changed between 0 mm.
The substrate temperature became considerably high because the substrate was placed in the plasma, and was 650 ° C. or higher when the distance between the substrate and the liquid level of the sol was 10 mm. After the discharge, deposits were observed on the substrate, and it was confirmed by a fluorescent X-ray analysis and an X-ray diffraction evaluation that a good PZT thin film was formed. Further, it was found that the adhesion of the PZT film was sufficiently ensured. After the formation of the PZT film, a platinum electrode layer was further formed, and the piezoelectric characteristics were evaluated. As a result, about 25% improvement in characteristics was observed as compared with the conventional sputtering method and sol-gel method. This characteristic is obtained without performing heat treatment after film formation, and is industrially significant. Further, as compared with the conventional PZT manufacturing method, good piezoelectric characteristics are obtained even when the maximum temperature of the process is low. This may be because the starting material is a sol. Since the sol is used, it is considered that high quality PZT crystals can be obtained with relatively low input energy.
【００１０】２． 第２の実施例 次に、本発明の別の実施形態について述べる。実施例１
と異なる点は、プラズマ発生用電源と、基板温度制御に
関してである。プラズマ発生用電源として、本実施例で
は、最大出力２ｋＷの交流電源を用いた。基板は、Ｓｉ
ウエハーに白金下地層を２００ｎｍの膜厚で形成したも
のを用いた。基板とゾル液面との距離は１０ｍｍの間で
薄膜の作製を行った。実施例１と同様なゾルを用いた。
チャンバー内に酸素とアルゴンの混合ガスを導入後、プ
ラズマ発生用電源を用いて、電極Ａ１４と電極Ｂ１５の
間に８００Ｗの交流電圧を印加し、基板とゾル液面との
間にプラズマを発生させた。また、基板の裏面側にヒー
ターを配置することにより、基板温度を６５０℃程度に
制御した。放電終了後、基板上には堆積物が認められ、
蛍光Ｘ線分析、Ｘ線回折の評価により、良好なＰＺＴ薄
膜が形成されていることが確認された。圧電特性を調べ
た結果、従来プロセスに対して２０％程度の改善が認め
られ、良好なＰＺＴ膜が得られることがわかる。[0010] 2. Second Embodiment Next, another embodiment of the present invention will be described. Example 1
The difference from the first embodiment lies in the power source for plasma generation and the control of the substrate temperature. In this embodiment, an AC power supply having a maximum output of 2 kW was used as a power supply for plasma generation. The substrate is Si
A wafer having a platinum underlayer formed on the wafer with a thickness of 200 nm was used. The thin film was prepared with a distance between the substrate and the sol liquid level of 10 mm. The same sol as in Example 1 was used.
After introducing a mixed gas of oxygen and argon into the chamber, an AC voltage of 800 W is applied between the electrode A14 and the electrode B15 using a power supply for plasma generation to generate plasma between the substrate and the sol liquid surface. Was. The substrate temperature was controlled at about 650 ° C. by disposing a heater on the back side of the substrate. After the discharge, deposits are observed on the substrate,
Evaluation of X-ray fluorescence analysis and X-ray diffraction confirmed that a good PZT thin film was formed. As a result of examining the piezoelectric characteristics, about 20% improvement over the conventional process was recognized, and it was found that a good PZT film was obtained.
【００１１】一方、基板温度が５５０℃に制御した試料
も同様に作製したが、Ｘ線回折の結果、結晶性が悪いこ
とがわかった。圧電特性も好ましくないことがわかり、
成膜時の温度制御が重要であることがわかる。しかしな
がら、従来プロセスの熱処理温度よりは低いプロセス温
度で、良好な圧電特性が得られることに変わりはない。On the other hand, a sample in which the substrate temperature was controlled at 550 ° C. was prepared in the same manner, but as a result of X-ray diffraction, it was found that the crystallinity was poor. It turns out that the piezoelectric properties are not good,
It turns out that temperature control during film formation is important. However, good piezoelectric characteristics are still obtained at a process temperature lower than the heat treatment temperature of the conventional process.
【００１２】３． 第３の実施例 次に、本発明の別の実施形態について述べる。実施例
１、２と異なる点は、ゾルの供給方法である。実施例
１、２は、チャンバー内にゾル液を配置する場合である
が、ゾル液中にキャリアーガスを通してバブリングを行
い、ゾルを含んだ気体をプラズマ近傍に送るものであ
る。3. Third Embodiment Next, another embodiment of the present invention will be described. The difference from the first and second embodiments is the method of supplying the sol. In the first and second embodiments, the sol liquid is disposed in the chamber. Bubbling is performed by passing a carrier gas through the sol liquid, and a gas containing the sol is sent to the vicinity of the plasma.
【００１３】成膜装置としては、実施例２で用いたもの
を用いた。ただし、チャンバー内に配置した液は、２−
ｎ−ブトキシエタノールのみである。チャンバー内にＲ
Ｆプラズマを発生させた条件は、実施例２と同様であ
る。また、原料ゾルは、２−ｎ−ブトキシエタノール、
酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナート、 チタニ
ウムテトライソプロポキシドを混合して溶かしたものを
用いた。酢酸鉛、ジルコニウムアセチルアセトナート、
チタニウムテトライソプロポキシドの混合比率は、１０
０：５２：４８である。このゾル液中に酸素ガスをキャ
リアーガスとして通してバブリングを行い、ゾルを含ん
だガスをチャンバー内に導入した。As the film forming apparatus, the apparatus used in Example 2 was used. However, the liquid placed in the chamber is 2-
Only n-butoxyethanol. R in chamber
The conditions for generating the F plasma are the same as those in the second embodiment. The raw material sol is 2-n-butoxyethanol,
A mixture of lead acetate, zirconium acetylacetonate and titanium tetraisopropoxide was used. Lead acetate, zirconium acetylacetonate,
The mixing ratio of titanium tetraisopropoxide is 10
0:52:48. Bubbling was performed by passing oxygen gas as a carrier gas through the sol solution, and a gas containing sol was introduced into the chamber.
【００１４】基板は、Ｓｉウエハーに白金下地層を２０
０ｎｍの膜厚で形成したものを用いた。プラズマ発生用
電源を用いて、電極Ａ１４と電極Ｂ１５の間に８００Ｗ
の交流電圧を印加し、基板と液面との間にプラズマを発
生させた。そこに、ゾル成分を含むキャリアーガスを導
入した。ここで、基板温度を６５０℃程度に制御した。
ガス導入を停止した後に、放電を終了して、チャンバー
から基板を取り出したところ、基板上には堆積物が認め
られ、蛍光Ｘ線分析、Ｘ線回折の評価により、良好なＰ
ＺＴ薄膜が形成されていることが確認された。圧電特性
を調べた結果、従来プロセスに対して１５％程度の改善
が認められ、良好なＰＺＴ膜が得られることがわかる。As for the substrate, a platinum underlayer of 20
One formed with a thickness of 0 nm was used. 800 W between the electrode A14 and the electrode B15 using a power source for plasma generation.
Was applied to generate plasma between the substrate and the liquid surface. Thereto, a carrier gas containing a sol component was introduced. Here, the substrate temperature was controlled at about 650 ° C.
After the gas introduction was stopped, the discharge was stopped, and the substrate was taken out of the chamber. Deposits were observed on the substrate, and a good P was obtained by X-ray fluorescence analysis and X-ray diffraction evaluation.
It was confirmed that a ZT thin film was formed. As a result of examining the piezoelectric characteristics, an improvement of about 15% compared to the conventional process was recognized, and it was found that a good PZT film was obtained.
【００１５】本実施例では、プラズマ形成の方法とし
て、片側の電極を液中に配置する場合について述べてい
るが、本発明はこれに限らず、その他のプラズマ形成方
法を用いても有効である。さらに、チャンバー内に配置
したゾルと、バブリングにより導入するゾルとを異なる
成分としても有効である。In this embodiment, the case where one electrode is disposed in a liquid is described as a method of forming plasma, but the present invention is not limited to this, and other plasma forming methods are also effective. . Further, the sol disposed in the chamber and the sol introduced by bubbling are effective as different components.
【００１６】実施例においては、ＰＺＴの形成の場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限るものではなく、こ
れ以外の成分を有するゾルを原料としたペロブスカイト
膜の作製においても有効であることは言うまでもない。
また、ゾルとして有機系溶媒を用いた場合について説明
を行ったが、水系溶媒などを用いても有効であることは
言うまでもない。In the embodiment, the case of forming PZT has been described. However, the present invention is not limited to this, and it is effective in producing a perovskite film using a sol having other components as a raw material. Needless to say.
Further, the case where an organic solvent is used as the sol has been described, but it goes without saying that an aqueous solvent or the like is also effective.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明により、出発原料としてゾルを用
いることにより、プラズマ近傍において良質なＰＺＴ膜
を得ることを可能にした。According to the present invention, a high-quality PZT film can be obtained near a plasma by using a sol as a starting material.
【図１】本発明の成膜装置の第１の実施例の構成を示す
模式図FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a first embodiment of a film forming apparatus of the present invention.
１１ チャンバー １２ プラズマ発生電源 １３ ゾル １４ 電極Ａ １５ 電極Ｂ １６ 基板 １７ プラズマ １８ 排気系配管 １９ ガス導入系配管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Chamber 12 Plasma generation power supply 13 Sol 14 Electrode A 15 Electrode B 16 Substrate 17 Plasma 18 Exhaust system piping 19 Gas introduction system piping
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA11 AA12 AA32 BA09 BA10 CA08 GA02 GA05 4G047 CA08 CB04 CC02 CD02 4G048 AA03 AB01 AC01 AC02 AD02 AD10 AE08 Continued on front page F-term (reference) 4G031 AA11 AA12 AA32 BA09 BA10 CA08 GA02 GA05 4G047 CA08 CB04 CC02 CD02 4G048 AA03 AB01 AC01 AC02 AD02 AD10 AE08
Claims (9)
構と、からなる成膜装置において、プラズマを発生させ
ながら、薄膜の成分を含むゾルを前記プラズマ近傍に供
給し、プラズマ内あるいはその近傍に配置した基板上
に、ゾルに含まれる一部の成分を主たる成分とする薄膜
を形成することを特徴とする薄膜の作製方法。In a film forming apparatus comprising a chamber and a mechanism for generating plasma, a sol containing a component of a thin film is supplied to the vicinity of the plasma while generating the plasma, and the sol is disposed in or near the plasma. A method for producing a thin film, comprising forming a thin film on a substrate, the main component being a part of components contained in a sol.
て、プラズマを発生させるため電極の一方をゾル中に配
置し、他方の電極を前記ゾルの外に配置し、前記ゾル表
面付近にプラズマを形成することにより、プラズマ内あ
るいはその近傍に配置した基板上に、ゾルに含まれる一
部の成分を主たる成分とする薄膜を形成することを特徴
とする薄膜の作製方法。2. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein one of the electrodes is arranged in the sol to generate plasma, and the other electrode is arranged outside the sol, and the plasma is generated near the sol surface. Forming a thin film mainly composed of some components contained in the sol on a substrate disposed in or near the plasma by forming the thin film.
て、２−ｎ−ブトキシエタノール、酢酸鉛 、ジルコニ
ウムアセチルアセトナート、及びチタニウムテトライソ
プロポキシドの混合液をゾルの主たる成分とすることを
特徴とする薄膜の作製方法。3. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein a mixture of 2-n-butoxyethanol, lead acetate, zirconium acetylacetonate, and titanium tetraisopropoxide is a main component of the sol. A method for producing a characteristic thin film.
て、チャンバー内を酸素雰囲気とすることを特徴とする
薄膜の作製方法。4. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the inside of the chamber is an oxygen atmosphere.
て、基板温度を制御することを特徴とする薄膜の作製方
法。5. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the substrate temperature is controlled.
て、ＤＣプラズマ、あるいはＲＦプラズマにより作製す
ることを特徴とする薄膜の作製方法。6. The method for manufacturing a thin film according to claim 1, wherein the thin film is manufactured using DC plasma or RF plasma.
構と、からなる成膜装置を用いて、プラズマを発生させ
ながら、薄膜の成分を含むゾルを前記プラズマ近傍に供
給し、プラズマ内あるいはその近傍に配置された基板上
に形成されることを特徴とする薄膜。7. A sol containing a component of a thin film is supplied to the vicinity of the plasma while generating the plasma using a film forming apparatus including a chamber and a mechanism for generating the plasma, and the sol is supplied to the vicinity of the plasma. A thin film formed on an arranged substrate.
バーと、プラズマを発生させる機構と、薄膜の成分を含
むゾルと、からなる成膜装置を用いて、プラズマを発生
させるため電極の一方を前記ゾル中に配置し、他方の電
極を前記ゾルの外に配置し、前記ゾル表面にプラズマを
形成することにより、プラズマ内あるいはその近傍に配
置された基板上に形成されることを特徴とする薄膜。8. The thin film according to claim 7, wherein one of the electrodes for generating plasma is formed by using a film forming apparatus including a chamber, a mechanism for generating plasma, and a sol containing components of the thin film. By being arranged in the sol, the other electrode is arranged outside the sol, and a plasma is formed on the surface of the sol, thereby being formed on a substrate arranged in or near the plasma. Thin film.
−ブトキシエタノール、酢酸鉛 、ジルコニウムアセチ
ルアセトナート、及びチタニウムテトライソプロポキシ
ドの混合液をゾルの主たる成分として用いたことを特徴
とするＰＺＴ薄膜。9. The thin film according to claim 7, wherein 2-n
-A PZT thin film characterized by using a mixed solution of butoxyethanol, lead acetate, zirconium acetylacetonate and titanium tetraisopropoxide as a main component of the sol.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25903798A JP2000086242A (en) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Thin film and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25903798A JP2000086242A (en) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Thin film and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000086242A true JP2000086242A (en) | 2000-03-28 |
Family
ID=17328466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25903798A Withdrawn JP2000086242A (en) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Thin film and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000086242A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006111516A (en) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | Composition for forming ferroelectric thin film and ferroelectric thin film as well as liquid injection head |
| US7132373B2 (en) | 2001-10-02 | 2006-11-07 | Toto Ltd. | Thin metal oxide film and process for producing the same |
| JP2008060599A (en) * | 2007-10-22 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric element and actuator using the same, ink jet head, ink jet record device, and method of manufacturing ferroelectric element |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP25903798A patent/JP2000086242A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132373B2 (en) | 2001-10-02 | 2006-11-07 | Toto Ltd. | Thin metal oxide film and process for producing the same |
| JP2006111516A (en) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | Composition for forming ferroelectric thin film and ferroelectric thin film as well as liquid injection head |
| JP2008060599A (en) * | 2007-10-22 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric element and actuator using the same, ink jet head, ink jet record device, and method of manufacturing ferroelectric element |
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