JP2000082720A - Light emitting device, aligner and image forming apparatus - Google Patents

Light emitting device, aligner and image forming apparatus

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JP2000082720A
JP2000082720A JP10252248A JP25224898A JP2000082720A JP 2000082720 A JP2000082720 A JP 2000082720A JP 10252248 A JP10252248 A JP 10252248A JP 25224898 A JP25224898 A JP 25224898A JP 2000082720 A JP2000082720 A JP 2000082720A
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light emitting
layer
emitting device
anode
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Shinichi Urakawa
伸一 浦川
Tatsuto Kawai
達人 川合
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Canon Inc
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform an array structure with high accuracy by providing a plurality of light emitting elements constituted by sandwiching a plurality of organic compound layers between an anode layer and a cathode layer on a substrate, and mounting a driving IC for driving the elements in a flip-chip method. SOLUTION: Anodes 2 are patterned in individual electrodes corresponding to respective pixels and formed in an array state on a substrate 1 of a predetermined length. An organic compound layer 3 is laminated on an entirety of aligning array of the anodes 2, and further cathodes 4 are laminated. The layer 3 is sandwiched between the anodes 2 and the cathodes 4, connected above and below a film layer, and functioned as light emitting elements. An insulating moistureproof material is laminated on its surface to form a protective layer 5, then an aligning row of terminals 60 of driving IC 6 is connected to an aligning row of terminals 20 of the anodes 2, and mounted in a flip-chip method. Thus, an array structure with a high accuracy can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ,複
写機,プリンタなどの電子写真装置に用いる発光装置、
露光装置及び画像形成装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device used for an electrophotographic apparatus such as a display, a copying machine, a printer, and the like.
The present invention relates to an exposure device and an image forming device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、感光体上に潜像を書き込むた
めの露光方式としてレーザービーム方式、LEDアレイ
方式などが中心となっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a laser beam system, an LED array system, and the like have been mainly used as an exposure system for writing a latent image on a photosensitive member.

【0003】しかしながら、レーザービーム方式の場
合、ポリゴンミラーやレンズ等の光学部品が必要となり
装置の小型化が難しく、また超高速化も難しいという問
題がある。
[0003] However, in the case of the laser beam system, optical components such as a polygon mirror and a lens are required, so that it is difficult to reduce the size of the apparatus, and it is difficult to increase the speed.

【0004】また、LEDアレイ方式の場合は、基板が
高価であり、一枚の基板でアレイをつくれないため、切
り出したチップを並べる必要がある。そのときにチップ
間の段差、間隔が問題となる。
[0004] In the case of the LED array system, since the substrate is expensive and an array cannot be formed with one substrate, it is necessary to arrange the cut chips. At that time, steps and intervals between chips become problems.

【0005】また、チップ上の各LED(発光部)と、
それら各々に対応する各駆動用ICとの両端子間をワイ
ヤボンディングにより接続するため、膨大な数のワイヤ
ボンディングが必要となり、製作が繁雑になって生産コ
ストを引き上げてしまうという問題がある。
In addition, each LED (light emitting portion) on the chip,
Since both terminals of each of the corresponding driving ICs are connected by wire bonding, an enormous number of wire bondings are required, and there is a problem that the production becomes complicated and the production cost is raised.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解決し、高速、小型、低コスト、高精細である発
光装置、露光装置及び画像形成装置を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a light emitting device, an exposing device and an image forming device which are high-speed, compact, low-cost and high-definition.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、基板上
に、少なくとも陽極層及び陰極層と、これらの間に挟持
された一層または複数層の有機化合物層により構成され
る発光素子を複数有し、発光素子を駆動する駆動用IC
がフリップチップ方式により実装されていることを特徴
とする発光装置及び露光装置、並びに露光装置と、該露
光装置により露光される感光体とを少なくとも有するこ
とを特徴とする画像形成装置である。
That is, the present invention provides a light emitting device comprising at least an anode layer, a cathode layer, and one or more organic compound layers sandwiched between them on a substrate. For driving a light emitting element
Are mounted by a flip-chip method, and an image forming apparatus having at least a light emitting device, an exposure device, and an exposure device, and a photoconductor exposed by the exposure device.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の発光装置及び露光
装置の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the light emitting device and the exposure device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0009】図1から図3は、本発明の第1実施形態を
示し、図1は本発明にかかる発光装置及び露光装置の断
面図、図2はその製造工程を順に説明する平面及び断面
図、図3は陽極の配設パターンの他例を示す平面図であ
る。
FIGS. 1 to 3 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of a light emitting device and an exposure apparatus according to the present invention, and FIG. FIG. 3 is a plan view showing another example of the arrangement pattern of the anode.

【0010】図1に示すように、本発明の発光装置及び
露光装置は、透光性の基板1の上に、透明電極よりなる
陽極2,有機化合物層3,陰極4,保護膜5,駆動用I
C6を設けて構成されている。
As shown in FIG. 1, a light emitting device and an exposure device according to the present invention comprise a light transmitting substrate 1, an anode 2, an organic compound layer 3, a cathode 4, a protective film 5, a driving film For I
C6 is provided.

【0011】その製造は、図2に示すように、まず、所
定長さの基板1の上に、陽極2を各画素に対応した個別
電極にパターニングして列状に形成する[図2
(a)]。それら陽極2の並び列の上全体に、有機化合
物層3を積層し[図2(b)]、さらに陰極4を積層す
る[図2(c)]。これにより、有機化合物層3は、陽
極2及び陰極4とに挟まれて膜層の上下で接続し、発光
素子として機能するものとなる。また、このように、陽
極2を所定パターンにパターニングしておくことによ
り、水,溶剤,熱に比較的に弱い有機化合物層3の形成
が容易になる。
In the manufacture, as shown in FIG. 2, first, on a substrate 1 having a predetermined length, anodes 2 are patterned into individual electrodes corresponding to respective pixels and formed in rows [FIG.
(A)]. An organic compound layer 3 is laminated on the entire row of the anodes 2 [FIG. 2 (b)], and a cathode 4 is further laminated [FIG. 2 (c)]. As a result, the organic compound layer 3 is sandwiched between the anode 2 and the cathode 4 and connected above and below the film layer to function as a light emitting element. In addition, by forming the anode 2 into a predetermined pattern in this manner, the formation of the organic compound layer 3 which is relatively weak to water, a solvent and heat becomes easy.

【0012】そして、有機発光素子とした表層の保護と
劣化防止及び電極のショート防止のため、表面に絶縁性
の防湿性材料を積層して保護層5とする[図2
(d)]。このとき、陽極2の端子部20は、次の工程
で駆動用IC(6)の端子部(60)と接続するので保
護層5は被せないで、露出させるようにパターニングす
る。
Then, in order to protect the surface layer of the organic light-emitting element, prevent deterioration and prevent short-circuiting of the electrodes, an insulating moisture-proof material is laminated on the surface to form a protective layer 5 [FIG.
(D)]. At this time, since the terminal portion 20 of the anode 2 is connected to the terminal portion (60) of the driving IC (6) in the next step, it is patterned so as not to cover the protective layer 5 but to expose it.

【0013】なお、陽極2の配設パターンは、図2
(a)のように、その端子部20を単に横並びの一列パ
ターンとしてもよいが、図3に示すように、ジグザグ前
後して二段に並ぶ千鳥状パターンにすることでもよく、
これによりバンプとの接合面積を確保でき、更に高密度
化することができる。
The arrangement pattern of the anode 2 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3 (a), the terminal portions 20 may be simply arranged in a single row pattern, or as shown in FIG. 3, a staggered pattern arranged in two stages before and after zigzag may be used.
Thereby, the bonding area with the bump can be secured, and the density can be further increased.

【0014】保護層5を形成した後、陽極2の端子部2
0の並び列に駆動用IC6の端子部60の並び列を接続
させて実装する[図2(e)]。この駆動用IC6は、
陽極2の端子部20の並び列数つまり画素全数に対応し
た数量の駆動チップを、基板1と対応した長さの単一パ
ッケージに収納した構成となっており、その端子部60
の並び列が陽極2の端子部20の並び列に対応して形成
されている。
After forming the protective layer 5, the terminal 2 of the anode 2
The array of terminal portions 60 of the driving IC 6 is connected to the array of 0s and mounted [FIG. 2 (e)]. This driving IC 6
The number of drive chips corresponding to the number of rows of the terminal portions 20 of the anode 2, that is, the number of pixels corresponding to the total number of pixels is housed in a single package having a length corresponding to the substrate 1.
Are formed corresponding to the rows of the terminal portions 20 of the anode 2.

【0015】基板1としては、発光素子を表面に構成で
きるものであればよく、例えばソーダライムガラス等の
ガラス、樹脂フィルム等透明絶縁性基板を用いるのが好
ましい。
As the substrate 1, any material can be used as long as the light emitting element can be formed on the surface. For example, it is preferable to use a transparent insulating substrate such as a glass such as soda lime glass or a resin film.

【0016】陽極層2の材料としては仕事関数が大きな
ものが望ましく、例えばITO、酸化錫、金、白金、パ
ラジウム、セレン、イリジウム、ヨウ化銅などを用いる
ことができる。一方、陰極層4の材料としては仕事関数
が小さなものが望ましく、例えばMg/Ag、Mg、A
l、Inあるいはこれらの合金等を用いることができ
る。
As a material of the anode layer 2, a material having a large work function is desirable. For example, ITO, tin oxide, gold, platinum, palladium, selenium, iridium, copper iodide and the like can be used. On the other hand, it is desirable that the material of the cathode layer 4 has a small work function, for example, Mg / Ag, Mg, A
1, In, or an alloy thereof can be used.

【0017】有機化合物層3は、一層構成であっても良
いし、複数層構成であっても良く、例えば、陽極層2か
ら正孔が注入される正孔輸送層、及び陰極層4から電子
が注入される電子輸送層からなり、正孔輸送層と電子輸
送層のいずれかが発光層となる。また、蛍光体を含有す
る蛍光体層を正孔輸送層と電子輸送層との間に設けても
良い。また、混合一層構成で正孔輸送層,電子輸送層,
蛍光層を兼ねた構成も可能である。
The organic compound layer 3 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. For example, the organic compound layer 3 may have a hole transport layer into which holes are injected from the anode layer 2 and an electron transport layer from the cathode layer 4. Is injected, and one of the hole transport layer and the electron transport layer becomes the light emitting layer. Further, a phosphor layer containing a phosphor may be provided between the hole transport layer and the electron transport layer. In addition, the hole transport layer, the electron transport layer,
A configuration also serving as a fluorescent layer is possible.

【0018】正孔輸送層としては、例えば、N,N’−
ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(以下
TPD)を用いることができ、その他にも下記の有機材
料を用いることができる。
As the hole transport layer, for example, N, N'-
Bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl-
(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (TPD) can be used, and the following organic materials can also be used.

【0019】[0019]

【化1】 Embedded image

【0020】[0020]

【化2】 Embedded image

【0021】[0021]

【化3】 Embedded image

【0022】[0022]

【化4】 Embedded image

【0023】[0023]

【化5】 Embedded image

【0024】電子輸送層としては、例えば、トリス(8
−キノリノール)アルミニウム(以下Alq3)を用い
ることができ、その他にも下記の材料を用いることがで
きる。
As the electron transporting layer, for example, Tris (8
-Quinolinol) aluminum (hereinafter Alq 3 ), and the following materials can also be used.

【0025】[0025]

【化6】 Embedded image

【0026】[0026]

【化7】 Embedded image

【0027】[0027]

【化8】 Embedded image

【0028】[0028]

【化9】 Embedded image

【0029】また、以下に示されているようなドーパン
ド色素を電子輸送層、あるいは正孔輸送層にドーピング
することもできる。
Further, a dopant as shown below can be doped into the electron transporting layer or the hole transporting layer.

【0030】[0030]

【化10】 Embedded image

【0031】また、陽極層2と基板1との間に誘電層を
設けることが好ましい。誘電層は、SiO2,SiO等
屈折率の異なる層の積層により特定の波長の反射透過率
を高く(低く)することができる。あるいは単にハーフ
ミラーを使用することも可能である。
Preferably, a dielectric layer is provided between the anode layer 2 and the substrate 1. The dielectric layer can increase (lower) the reflection transmittance at a specific wavelength by laminating layers having different refractive indexes such as SiO 2 and SiO. Alternatively, it is also possible to simply use a half mirror.

【0032】駆動用IC6は、例えば半田バンプ,異方
性導電接着材料(異方性導電性のペースト及びフィルム
等)によるフリップチップ方式により実装されている。
The driving IC 6 is mounted by, for example, a flip chip method using solder bumps and an anisotropic conductive adhesive material (anisotropic conductive paste and film).

【0033】これは、例えばAl基板とSiチップの組
み合わせでチップサイズを2mm×10mmとし、バン
プサイズは70μm□でアレイ数が330の場合、半田
で接合する条件としては、ツール温度が400℃で基板
温度は約200〜220℃、圧力は15kgf、時間は
60secが好ましく、この条件で接合される。
For example, when the chip size is 2 mm × 10 mm using a combination of an Al substrate and a Si chip, the bump size is 70 μm □, and the number of arrays is 330, the condition for joining with solder is that the tool temperature is 400 ° C. The substrate temperature is preferably about 200 to 220 ° C., the pressure is preferably 15 kgf, and the time is preferably 60 sec.

【0034】しかし、有機化合物層3は高温高熱下で結
晶化,劣化が起こるので、温度条件はできるだけ下げた
い。その点、異方性導電ペーストを用いると、比較的に
高熱に弱い有機化合物層3を持つ構成でも、駆動用IC
6を実装することが可能となる。つまり、異方性導電ペ
ーストで接合する条件としては、ツール温度が200℃
で基板温度は約130〜140℃と比較的に低温でよく
なり、圧力は15kgf、時間は60secが好まし
く、この条件で接合される。
However, since the organic compound layer 3 is crystallized and deteriorated under high temperature and high heat, the temperature condition should be reduced as much as possible. In that respect, when the anisotropic conductive paste is used, even if the organic compound layer 3 has a relatively low heat resistance, the driving IC
6 can be implemented. That is, as a condition for joining with the anisotropic conductive paste, the tool temperature is 200 ° C.
The substrate temperature is relatively low, about 130 to 140 ° C., the pressure is preferably 15 kgf, and the time is preferably 60 sec.

【0035】また、熱的問題の少ない構成であれば、異
方性導電ペーストの代わりに異方性導電フィルムを使う
ことができる。この異方性導電フィルムで接合する条件
としては、ツール温度が350℃で基板温度は約180
〜200℃、圧力は15kgf、時間は60secが好
ましく、この条件で接合される。さらに、熱的問題がな
い構成であれば、前述した半田を使用することでもよ
い。
In addition, as long as there is little thermal problem, an anisotropic conductive film can be used instead of the anisotropic conductive paste. The conditions for joining with this anisotropic conductive film are that the tool temperature is 350 ° C. and the substrate temperature is about 180 °.
It is preferable that the pressure is 15 kgf and the time is 60 sec. Further, as long as there is no thermal problem, the above-mentioned solder may be used.

【0036】なお、ここでは半田,異方性導電性接着剤
を挙げているが、導通が取れるものであれば何であって
もかまわない。
Although the solder and the anisotropic conductive adhesive are mentioned here, any material may be used as long as it can conduct electricity.

【0037】以上の構成により本実施形態の発光装置
は、所定長さの基板1には、陽極2が各画素に対応した
個別電極の並び列に形成され、その並び列の上全体に有
機化合物層3が積層されるので、これにより、各陽極2
に個別的に発光部が配置されることになり、この有機化
合物層3は、陽極2及び陰極4とに挟まれて膜層の上下
で接続して複数配列のアレイ構成となる。そして、陽極
2の端子部20の並び列に対して、有機化合物層3を駆
動する駆動用IC6がフリップチップ方式により実装さ
れるので、これにより発光装置及び露光装置として機能
するものとなる。
With the above configuration, the light emitting device of the present embodiment has an anode 2 formed on a substrate 1 of a predetermined length in an array of individual electrodes corresponding to each pixel, and an organic compound on the entire array. Since the layer 3 is laminated, each anode 2
The organic compound layer 3 is sandwiched between the anode 2 and the cathode 4 and connected above and below the film layer to form a plurality of arrays. Then, a driving IC 6 for driving the organic compound layer 3 is mounted on the row of the terminal portions 20 of the anode 2 by a flip-chip method, thereby functioning as a light emitting device and an exposure device.

【0038】このように、陽極2の並び列上に一括して
有機化合物層3が積層されるので、製作が簡単,容易で
あり、生産性に優れて生産コストを低く抑えることがで
きる。
As described above, since the organic compound layer 3 is laminated on the row of the anodes 2 at a time, the production is simple and easy, the productivity is excellent, and the production cost can be kept low.

【0039】そして、駆動用IC6が陽極2の並び列に
対してフリップチップ方式により実装されるので、従来
のような膨大な数のワイヤボンディングは必要なく、製
作が簡単,容易となり生産性に優れて生産コストを低減
し得る。
Since the driving ICs 6 are mounted on the array of the anodes 2 by the flip-chip method, an enormous number of wire bondings as in the prior art are not required, and the manufacturing is simple and easy, and the productivity is excellent. Production costs can be reduced.

【0040】さらに、有機化合物層3が一括して積層さ
れるので、その膜層の均一性は必然的に高くなり、精度
の高い配列構造を得ることができる。その結果、高い分
解能が得られ、電子写真方式の露光部に好ましく適用す
ることができる。
Further, since the organic compound layers 3 are collectively laminated, the uniformity of the film layers is inevitably increased, and a highly accurate arrangement structure can be obtained. As a result, a high resolution is obtained, and it can be preferably applied to an electrophotographic exposure unit.

【0041】図4は、本発明の第2実施形態を示し、上
述した第1実施形態と同一構成部分には同一符号を付し
て重複する説明を省略する。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention, in which the same components as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0042】ここでは、駆動用IC6を、その向きを変
えて実装させており、即ち、駆動用IC6は、その端子
部60を陽極2の端子部20と接続させるが、このとき
素子面を保護膜5の上に向い合わせに接触させて実装さ
れている。
Here, the driving IC 6 is mounted with its orientation changed, that is, the driving IC 6 has its terminal portion 60 connected to the terminal portion 20 of the anode 2, but at this time, the element surface is protected. It is mounted on the film 5 so as to be in face-to-face contact.

【0043】この場合、駆動用IC6の素子面が、有機
化合物層3を覆う状態となっており、このため、有機化
合物層3の発光熱が駆動用IC6パッケージに伝わって
放熱することになるので、発光素子の熱による劣化を抑
えることができる。
In this case, the element surface of the driving IC 6 is in a state of covering the organic compound layer 3, so that the luminescent heat of the organic compound layer 3 is transmitted to the driving IC 6 package and radiated. Further, deterioration of the light emitting element due to heat can be suppressed.

【0044】図5は、本発明の第3実施形態を示し、上
述した第1実施形態と同一構成部分には同一符号を付し
て重複する説明を省略する。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention, in which the same components as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0045】ここでは、駆動用IC6を、上述した第2
実施形態と同様に、パッケージ面を保護膜5の上に向い
合わせに接触させて実装し、さらに、その駆動用IC6
の上に放熱フィン7が取り付けられている。
Here, the driving IC 6 is connected to the second
As in the embodiment, the package is mounted with the package surface facing the protective film 5 so as to face each other.
The radiation fins 7 are mounted on the fins.

【0046】このように、駆動用IC6上に放熱フィン
7が取り付けられているので、発光素子の熱劣化を抑止
できることはもちろん、さらに駆動用IC6の温度上昇
も抑えることができ、放熱効率が上がる。
As described above, since the radiation fins 7 are mounted on the driving IC 6, not only can the thermal degradation of the light emitting element be suppressed, but also the temperature rise of the driving IC 6 can be suppressed, and the radiation efficiency can be increased. .

【0047】本発明の画像形成装置の一例として、電子
写真方式を用いた画像形成装置の概略構成図を図6に示
す。
FIG. 6 shows a schematic configuration diagram of an image forming apparatus using an electrophotographic method as an example of the image forming apparatus of the present invention.

【0048】111は像担持体としての回転ドラム型の
電子写真感光体、112は帯電装置、113は現像装
置、114は転写装置、115は定着装置、116はク
リーニング装置である。
Reference numeral 111 denotes an electrophotographic photosensitive member of a rotating drum type as an image carrier, 112 denotes a charging device, 113 denotes a developing device, 114 denotes a transfer device, 115 denotes a fixing device, and 116 denotes a cleaning device.

【0049】光源Lとしては、本発明の露光装置(不図
示)を用いる。露光装置には駆動用ドライバが接続さ
れ、陽極層をプラス、陰極層をマイナスにして直流電圧
を印加すると、発光部から緑色の発光が得られ、感光体
111上に結像させることができ、良好な画像を得るこ
とができる。
As the light source L, the exposure apparatus (not shown) of the present invention is used. A driving driver is connected to the exposure apparatus, and when a positive voltage is applied to the anode layer and a negative voltage is applied to the cathode layer to apply a DC voltage, green light is emitted from the light emitting unit, and an image can be formed on the photoconductor 111. Good images can be obtained.

【0050】感光体111上を帯電装置112により一
様に帯電する。この感光体111の帯電面に対して出力
される目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に
対応して露光装置による露光Lがなされ、感光体111
の周面に対して目的の画像情報に対応した静電潜像が形
成される。その静電潜像は絶縁トナーを用いた現像装置
113によりトナー像として現像される。一方、給紙部
(不図示)から記録材としての転写材pが供給されて、
感光体111と、これに所定の押圧力で当接させた接触
転写手段との圧接ニップ部(転写部)Tに所定のタイミ
ングにて導入され、所定の転写バイアス電圧を印加して
転写を行う。
The photosensitive member 111 is uniformly charged by the charging device 112. Exposure L is performed by an exposure device in accordance with a time-series electric digital pixel signal of target image information output to the charged surface of the photoconductor 111, and the photoconductor 111
An electrostatic latent image corresponding to the target image information is formed on the peripheral surface of. The electrostatic latent image is developed as a toner image by a developing device 113 using insulating toner. On the other hand, a transfer material p as a recording material is supplied from a paper feeding unit (not shown),
The photoconductor 111 is introduced at a predetermined timing into a pressure contact nip (transfer portion) T between the photoconductor 111 and a contact transfer unit contacted with a predetermined pressing force, and performs a transfer by applying a predetermined transfer bias voltage. .

【0051】トナー画像の転写をうけた転写材Pは感光
体111の面から分離されて熱定着方式等の定着装置1
15へ導入されてトナー画像の定着をうけ、画像形成物
(プリント)として装置外へ排出される。また転写材P
に対するトナー画像転写後の感光体面はクリーニング装
置116により残留トナー等の付着汚染物の除去をうけ
て清掃され繰り返して作像に供される。
The transfer material P to which the toner image has been transferred is separated from the surface of the photoreceptor 111 and is fixed by a fixing device 1 such as a heat fixing method.
15, the toner image is fixed, and is discharged out of the apparatus as an image-formed product (print). Transfer material P
After the transfer of the toner image, the surface of the photoreceptor is cleaned by a cleaning device 116 to remove adhered contaminants such as residual toner and is repeatedly provided for image formation.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように本発明のによれば、
製作が簡単,容易であり、生産性に優れて生産コストを
低く抑えることができる。
As described above, according to the present invention,
It is simple and easy to manufacture, has excellent productivity and can keep production costs low.

【0053】そして、陽極の端子部の並び列に対して、
有機化合物層を駆動する駆動用ICがフリップチップ方
式により実装されるので、従来のような膨大な数のワイ
ヤボンディングは必要なく、製作が簡単,容易となり生
産性に優れて生産コストを低減し得る。
Then, with respect to the row of the terminal portions of the anode,
Since the driving IC for driving the organic compound layer is mounted by the flip-chip method, an enormous number of wire bondings are not required unlike the related art, and the manufacturing is simple and easy, the productivity is excellent, and the production cost can be reduced. .

【0054】さらに、有機化合物層が一括して積層され
るので、その膜層の均一性は必然的に高くなり、精度の
高い配列構造を得ることができる。その結果、高い分解
能が得られ、電子写真方式の露光部に好ましく適用する
ことができる。
Further, since the organic compound layers are collectively laminated, the uniformity of the film layers is inevitably increased, and a highly accurate array structure can be obtained. As a result, a high resolution is obtained, and it can be preferably applied to an electrophotographic exposure unit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の発光装置及び露光装置の製造工程を順に
説明する平面及び断面図である。
FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view for sequentially explaining manufacturing steps of the light emitting device and the exposure device of FIG.

【図3】陽極の配設パターンの他例を示す平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view showing another example of an arrangement pattern of anodes.

【図4】本発明の第2実施形態を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施形態を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の画像形成装置の一例を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram illustrating an example of the image forming apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 有機化合物層 4 陰極) 5 保護膜 6 駆動用IC 7 放熱フィン 20,60 端子部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Organic compound layer 4 Cathode 5 Protective film 6 Driving IC 7 Radiation fin 20, 60 terminal part

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、少なくとも陽極層及び陰極層
と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化
合物層により構成される発光素子を複数有し、発光素子
を駆動する駆動用ICがフリップチップ方式により実装
されていることを特徴とする発光装置。
1. A driving device for driving a light-emitting element, comprising a substrate and a plurality of light-emitting elements each including at least an anode layer and a cathode layer and one or more organic compound layers sandwiched therebetween. A light-emitting device in which an IC is mounted by a flip-chip method.
【請求項2】 陽極が、透光性導電材で形成された個別
電極であり、駆動用ICの有する電極の少なくとも一部
が個別電極のそれぞれに接続されていることを特徴とす
る請求項1に記載の発光装置。
2. The method according to claim 1, wherein the anode is an individual electrode formed of a translucent conductive material, and at least a part of the electrode of the driving IC is connected to each of the individual electrodes. A light-emitting device according to claim 1.
【請求項3】 駆動用ICが、異方性導電ペーストによ
り実装されていることを特徴とする請求項1または2に
記載の発光装置。
3. The light emitting device according to claim 1, wherein the driving IC is mounted with an anisotropic conductive paste.
【請求項4】 駆動用ICが、異方性導電フィルムによ
り実装されていることを特徴とする請求項1または2に
記載の発光装置。
4. The light emitting device according to claim 1, wherein the driving IC is mounted with an anisotropic conductive film.
【請求項5】 駆動用ICが、各発光素子上を覆うよう
に実装されていることを特徴とする請求項1〜4に記載
の発光装置。
5. The light emitting device according to claim 1, wherein the driving IC is mounted so as to cover each light emitting element.
【請求項6】 駆動用IC上に放熱フィンを設けたこと
を特徴とする請求項1〜5に記載の発光装置。
6. The light emitting device according to claim 1, further comprising a heat radiation fin provided on the driving IC.
【請求項7】 基板上に、少なくとも陽極層及び陰極層
と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化
合物層により構成される発光素子を複数有し、発光素子
を駆動する駆動用ICがフリップチップ方式により実装
されていることを特徴とする露光装置。
7. A driving device for driving a light emitting element, comprising a plurality of light emitting elements each including at least an anode layer and a cathode layer and one or more organic compound layers sandwiched between them on a substrate. An exposure apparatus, wherein the IC is mounted by a flip chip method.
【請求項8】 陽極が、透光性導電材で形成された個別
電極であり、駆動用ICの有する電極の少なくとも一部
が個別電極のそれぞれに接続されていることを特徴とす
る請求項7に記載の露光装置。
8. The method according to claim 7, wherein the anode is an individual electrode formed of a translucent conductive material, and at least a part of the electrode of the driving IC is connected to each of the individual electrodes. 3. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項9】 駆動用ICが、異方性導電ペーストによ
り実装されていることを特徴とする請求項7または8に
記載の露光装置。
9. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the driving IC is mounted with an anisotropic conductive paste.
【請求項10】 駆動用ICが、異方性導電フィルムに
より実装されていることを特徴とする請求項7または8
に記載の露光装置。
10. The driving IC is mounted on an anisotropic conductive film.
3. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項11】 駆動用ICが、各発光素子上を覆うよ
うに実装されていることを特徴とする請求項7〜10に
記載の露光装置。
11. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the driving IC is mounted so as to cover each light emitting element.
【請求項12】 駆動用IC上に放熱フィンを設けたこ
とを特徴とする請求項7〜11に記載の露光装置。
12. The exposure apparatus according to claim 7, wherein a radiation fin is provided on the driving IC.
【請求項13】 請求項7〜12に記載の露光装置と、
該露光装置により露光される感光体とを少なくとも有す
ることを特徴とする画像形成装置。
13. An exposure apparatus according to claim 7, wherein:
An image forming apparatus comprising at least a photoconductor exposed by the exposure apparatus.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002078101A1 (en) * 2001-03-22 2002-10-03 Microemissive Displays Limited Method of creating an electroluminescent device
EP1276154A2 (en) * 2001-07-12 2003-01-15 Lg Electronics Inc. Organic EL display device
JP2005037950A (en) * 2003-07-15 2005-02-10 Lg Electronics Inc Connecting member and plasma display panel driving gear
JP2006043990A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP2006043989A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP2006043988A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP2006043987A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
US7132796B2 (en) 2003-12-30 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US7304427B2 (en) 2002-12-31 2007-12-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device with pixel regions and dummy pixel regions and method of fabricating the same
US7782351B2 (en) 2004-08-03 2010-08-24 Seiko Epson Corporation Exposure head

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004521466A (en) * 2001-03-22 2004-07-15 マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミテッド Manufacturing method of electroluminescence device
WO2002078101A1 (en) * 2001-03-22 2002-10-03 Microemissive Displays Limited Method of creating an electroluminescent device
US7595588B2 (en) 2001-03-22 2009-09-29 Microemissive Displays Limited Electroluminescent device and method of making same
EP1276154A2 (en) * 2001-07-12 2003-01-15 Lg Electronics Inc. Organic EL display device
EP1276154A3 (en) * 2001-07-12 2004-01-28 Lg Electronics Inc. Organic EL display device
US7304427B2 (en) 2002-12-31 2007-12-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device with pixel regions and dummy pixel regions and method of fabricating the same
US7311577B2 (en) 2002-12-31 2007-12-25 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device with pixel regions and dummy pixel regions and method or fabricating the same
JP2005037950A (en) * 2003-07-15 2005-02-10 Lg Electronics Inc Connecting member and plasma display panel driving gear
US7132796B2 (en) 2003-12-30 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US7245080B2 (en) 2003-12-30 2007-07-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Substrate having organic electroluminescent device and method of fabricating the same
JP2006043987A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP2006043988A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP2006043989A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP2006043990A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp Exposure head
JP4508768B2 (en) * 2004-08-03 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 Exposure head and image forming apparatus
JP4508767B2 (en) * 2004-08-03 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 Exposure head and image forming apparatus using the same
US7782351B2 (en) 2004-08-03 2010-08-24 Seiko Epson Corporation Exposure head
JP4595432B2 (en) * 2004-08-03 2010-12-08 セイコーエプソン株式会社 Exposure head and image forming apparatus using the same

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