JP2000080362A - Organic electroluminescence element - Google Patents

Organic electroluminescence element

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JP2000080362A
JP2000080362A JP10249665A JP24966598A JP2000080362A JP 2000080362 A JP2000080362 A JP 2000080362A JP 10249665 A JP10249665 A JP 10249665A JP 24966598 A JP24966598 A JP 24966598A JP 2000080362 A JP2000080362 A JP 2000080362A
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organic
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an element exhibiting a large luminance and excellent in color purity, a luminescence lifetime and the like by forming, between electrodes, at least one organic thin film layer containing naphthoquinoneimine- based compound forming a light-emitting layer. SOLUTION: This electroluminescence element is equipped with an anode and a cathode, and has at least one organic thin film layer including a light- emitting layer between a pair of electrodes, at least one of thin film layers containing a naphthoquinoneimine-based compound represented by formula I or II. As the naphthoquinoneimine-based compounds there can be exemplified 4-[4-(dimethylamino)phenylimino]-2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone and the like, and 4,8-bis(4-ethylphenylamino)-1,5-naphthoquinone and the like, and these naphthoquinoneimine compounds are admixed in an amount of 0.001-50 wt.% based on a light-emitting host material. As the host material is employed a quinoline-based metal complex or the like such as tris(8-quinolinol)aluminum or the like. In the formulae, R1-R4 each represents hydrogen, halogen, alkyl, alkoxy, aryl or the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平面光源や表示素
子に利用される有機エレクトロルミネッセンス素子(以
下、単に「有機EL素子」と言うこともある)に関し、
さらに詳述すると、赤色発光有機EL素子に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter, sometimes simply referred to as "organic EL device") used for a flat light source or a display device.
More specifically, the present invention relates to a red light emitting organic EL device.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機EL素子は、自発光型の平面型表示
素子としてその用途が有望視されている。有機EL素子
は、無機EL素子とは異なり、交流駆動かつ高電圧が必
要といった制約がなく、また、有機化合物の多様性によ
り多色化が容易であると考えられることから、フルカラ
ーディスプレーなどへの応用が期待され、盛んに開発が
行われている。
2. Description of the Related Art Organic EL elements are expected to be used as self-luminous flat display elements. Organic EL elements are different from inorganic EL elements in that they are not restricted by AC drive and require high voltage, and are considered to be easy to be multi-colored due to the variety of organic compounds. It is expected to be applied and is being actively developed.

【0003】前記有機EL素子をフルカラーディスプレ
ーに適用する場合、3原色である赤色、緑色、青色の3
色の発光を得る必要がある。緑色発光については多くの
例が報告されており、例えば緑色素子として、トリス
(8−キノリノール)アルミニウムを用いた素子(アプ
ライド・フィジックス・レターズ(Applied P
hyisics Letters)、51巻、913
頁、1987年)や、ジアリールアミン誘導体を用いた
素子(特開平8−53397号)などが報告されてい
る。
When the organic EL device is applied to a full-color display, three primary colors of red, green and blue are used.
It is necessary to obtain color light emission. Many examples of green light emission have been reported. For example, a device using Tris (8-quinolinol) aluminum (Applied Physics Letters (Applied P
hyisics Letters), 51, 913
1987) and devices using a diarylamine derivative (JP-A-8-53397).

【0004】青色発光素子についても、スチルベン系化
合物を用いた素子(特開平5−295359号)、トリ
アリールアミン誘導体を用いた素子(特開平7−539
55号)、テトラアリールジアミン誘導体を用いた素子
(特開平8−48656号)、スチリル化ビフェニル化
合物を用いた素子(特開平6−132080号)など、
数多くの報告例がある。また、ジスチリルアリーレン有
導体を発光材料に用いて輝度2万cd/m2以上、発光
効率51m/W、半減寿命5千時間以上を達成した素子
が報告されている。(日本化学会第70春季年会特別講
演)。
As for the blue light emitting device, a device using a stilbene compound (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-295359) and a device using a triarylamine derivative (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-539) are also available.
No. 55), an element using a tetraaryldiamine derivative (JP-A-8-48656), an element using a styrylated biphenyl compound (JP-A-6-132080), and the like.
There are numerous reports. In addition, there have been reports of devices using a distyrylarylene conductor as a light-emitting material and achieving a luminance of 20,000 cd / m 2 or more, a luminous efficiency of 51 m / W, and a half-life of 5,000 hours or more. (Special lecture of the 70th Annual Meeting of the Chemical Society of Japan).

【0005】赤色発光が得られる有機EL素子について
は、特開平3−152897号公報では、青色発光を蛍
光色素層において波長変換することにより、また、特開
平7−272854号公報、特開平7−288184号
公報、特開平8−286033号公報では、緑色や青色
の発光が得られる発光層に赤色蛍光色素をドーピングす
ることにより、それぞれ赤色発光を得ているが、いずれ
も輝度、色純度の面で十分とは言えず、実用に供するに
はさらなる改良が必要である。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3-15297 discloses an organic EL device which can emit red light by converting the wavelength of blue light emitted from a fluorescent dye layer into a fluorescent dye layer. In JP-A-288184 and JP-A-8-286033, red light emission is obtained by doping a red fluorescent dye into a light-emitting layer capable of emitting green or blue light. Is not enough, and further improvement is required for practical use.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た色変換フィルターを用いる方法では、EL発光をフィ
ルターで色変換するための量子収率に限界があるために
十分な発光効率が得られないことや、フィルターの使用
によるコスト高を免れることができないといった問題が
あった。
However, in the above-mentioned method using a color conversion filter, a sufficient luminous efficiency cannot be obtained because the quantum yield for color conversion of EL light emission by the filter is limited. However, there is a problem that the cost due to the use of the filter cannot be avoided.

【0007】また、先に従来例として例示した赤色発光
材料は蛍光の量子収率が低く、素子内部に流れる電流を
増加させても約1000cd/m2程度の輝度でしか発
光できず、実用性に欠けるものであった。
Further, the red light-emitting material exemplified above as a conventional example has a low quantum yield of fluorescence, and can emit light only at a luminance of about 1000 cd / m 2 even when the current flowing inside the element is increased, and is practical. Was lacking.

【0008】本発明は、前述した問題点に鑑みてなされ
たものであり、発光輝度が大きく、色純度、発光寿命等
に優れた赤色発光有機EL素子を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a red light-emitting organic EL device having high light emission luminance, excellent color purity, and excellent light emission life.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、下記(A)〜(I)の有機EL素子を提供
する。
The present invention provides the following (A) to (I) organic EL devices to achieve the above object.

【0010】(A)陰極及び陽極を備え、かつ前記一対
の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機薄膜層を
有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前
記有機薄膜層の少なくとも一層が、下記構造式(1)で
示されるナフトキノンイミン系化合物を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(A) In an organic electroluminescence device having a cathode and an anode and having at least one organic thin film layer including a light emitting layer between the pair of electrodes, at least one of the organic thin film layers has the following structural formula ( An organic electroluminescent device comprising the naphthoquinone imine compound represented by the above 1).

【化3】 (式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
くは無置換のアルコキシ基、アリール基、又は、ヒドロ
キシル基を表す。)
Embedded image (In the formula, R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, an aryl group, or a hydroxyl group.)

【0011】(B)構造式(1)で示されるナフトキノ
ンイミン系化合物が、4−[4−(ジメチルアミノ)フ
ェニルイミノ]−2−エチルカルバモイル−1,4−ナ
フトキノン又は4−(4―ジメチルアミノ−2−メチル
フェニルイミノ)−2−エチルカルバモイル−1,4−
ナフトキノンである(A)の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
(B) The naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) is 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone or 4- (4-dimethyl) (Amino-2-methylphenylimino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-
The organic electroluminescent device according to (A), which is naphthoquinone.

【0012】(C)陰極及び陽極を備え、かつ前記一対
の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機薄膜層を
有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前
記有機薄膜層の少なくとも一層が、下記構造式(2)で
示されるナフトキノンイミン系化合物を含有することを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(C) In an organic electroluminescence device having a cathode and an anode and having at least one organic thin film layer including a light emitting layer between the pair of electrodes, at least one of the organic thin film layers has the following structural formula ( An organic electroluminescent device comprising the naphthoquinone imine compound represented by the above 2).

【化4】 (式中、R1〜R2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
くは無置換のアルコキシ基、アリール基、又は、ヒドロ
キシル基を表す。)
Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, an aryl group, or a hydroxyl group.)

【0013】(D)構造式(2)で示されるナフトキノ
ンイミン系化合物が、4,8−ビス(4−エチルフェニ
ルアミノ)−1,5−ナフトキノン又は4,8−ビス
(4−メトキシフェニルアミノ)−1,5−ナフトキノ
ンである(C)の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(D) The naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (2) is 4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5-naphthoquinone or 4,8-bis (4-methoxyphenylamino) ) The organic electroluminescent device of (C), which is -1,5-naphthoquinone.

【0014】(E)発光層が、前記構造式(1)又は
(2)で示されるナフトキノンイミン系化合物を含有す
る層であることを特徴とする(A)〜(D)の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。
(E) The organic electroluminescent device of (A) to (D), wherein the light emitting layer is a layer containing a naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2). .

【0015】(F)発光層が、500nm〜580nm
にELスペクトルを持つ緑色、黄色発光材料と、前記構
造式(1)又は(2)で示されるナフトキノンイミン系
化合物とを含有する層であることを特徴とする(A)〜
(D)の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(F) The light emitting layer has a thickness of 500 nm to 580 nm.
(A) to (A), comprising a green and yellow light-emitting material having an EL spectrum and a naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2).
(D) The organic electroluminescence element.

【0016】(G)構造式(1)又は(2)で示される
ナフトキノンイミン系化合物を、緑色、黄色発光材料に
対して0.001wt%〜50wt%の範囲で含有する
ことを特徴とする(F)の有機エレクトロルミネッセン
ス素子。
(G) A naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2) is contained in a range of 0.001 wt% to 50 wt% with respect to the green and yellow light emitting materials. F) The organic electroluminescence device.

【0017】(H)発光層が、キノリン系金属錯体と、
前記構造式(1)又は(2)で示されるナフトキノンイ
ミン系化合物とを含有する層であることを特徴とする
(A)〜(D)の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(H) The light-emitting layer comprises: a quinoline-based metal complex;
The organic electroluminescent device according to any one of (A) to (D), which is a layer containing the naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2).

【0018】(I)発光層が、ビススチリルアントラセ
ン誘導体と、前記構造式(1)又は(2)で示されるナ
フトキノンイミン系化合物とを含有する層であることを
特徴とする(A)〜(D)の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
(I) The light emitting layer is a layer containing a bisstyrylanthracene derivative and a naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2). D) The organic electroluminescent element.

【0019】本発明で用いる赤色発光材料、すなわち構
造式(1)又は(2)で示されるナフトキノンイミン系
化合物は、緑色領域に吸収を持ち、かつ600〜700
nmの赤色領域に高い量子収率をもって蛍光を示すた
め、上記発光材料を用いることにより、有機EL素子の
カラー化に必要な赤色発光を高輝度、高効率で得ること
ができる。また、本発明で用いる赤色発光材料は、高い
量子収率を有するので、有機EL素子の発光層中に微量
混入することで、高い輝度で赤色領域に発光を得ること
ができ、したがって有機EL素子に注入されるキャリア
移動の妨げにならない。加えて、上記赤色発光材料は、
抵抗加熱型の成膜法によって容易に薄膜化が可能であ
り、また薄膜状態は極めて安定でかつ平坦性に優れてお
り、結晶化、凝集状態形成といった膜構造の変化は認め
られず、したがって本発明の有機EL素子は長寿命化を
図ることが容易である。以上から、本発明に係る有機E
L素子は、カラー表示デバイスの赤色発光素子として、
有効である。
The red light-emitting material used in the present invention, that is, the naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2) has an absorption in the green region and has a wavelength of 600 to 700.
Since the compound exhibits fluorescence with a high quantum yield in the red region of nm, red light required for colorization of the organic EL device can be obtained with high luminance and high efficiency by using the above-described light emitting material. Further, since the red light-emitting material used in the present invention has a high quantum yield, light emission can be obtained in a red region with high luminance by mixing a small amount into the light-emitting layer of the organic EL element. It does not hinder the movement of carriers injected into the substrate. In addition, the red light-emitting material is
A thin film can be easily formed by a resistance heating type film forming method, the thin film state is extremely stable and excellent in flatness, and no change in the film structure such as crystallization or formation of an aggregated state is observed. The organic EL device of the invention can easily achieve a long life. From the above, the organic E according to the present invention
L element is a red light emitting element of a color display device,
It is valid.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明をさ
らに詳細に説明する。図1は本発明の有機EL素子の一
例を示す断面図であり、この有機EL素子は、ガラス基
板1上に設けた陽極2と陰極3との間に、正孔輸送層5
と発光層6と電子輸送層7とを順次設けたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the organic EL device of the present invention. This organic EL device has a hole transport layer 5 between an anode 2 and a cathode 3 provided on a glass substrate 1.
, A light emitting layer 6 and an electron transport layer 7 in this order.

【0021】本発明の有機EL素子の構造に限定はな
く、図1の例の他に、例えば図2〜図4に示す構造とす
ることができる。図2の有機EL素子は、陽極2と陰極
3との間に、正孔注入層4と正孔輸送層5と発光層6と
電子輸送層7とを順次設けたものである。図3の有機E
L素子は、陽極2と陰極3との間に、正孔輸送層5と発
光層6とを順次設けたものである。図4の有機EL素子
は、陽極2と陰極3との間に、発光層6と電子輸送層7
とを順次設けたものである。
The structure of the organic EL device of the present invention is not limited. For example, the structure shown in FIGS. The organic EL device shown in FIG. 2 is provided with a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, a light emitting layer 6, and an electron transport layer 7 between an anode 2 and a cathode 3. Organic E in FIG.
The L element has a structure in which a hole transport layer 5 and a light emitting layer 6 are sequentially provided between an anode 2 and a cathode 3. The organic EL device of FIG. 4 has a light emitting layer 6 and an electron transport layer 7 between an anode 2 and a cathode 3.
Are sequentially provided.

【0022】本発明の有機EL素子は、前記陰極と陽極
との間の有機薄膜層の少なくとも一層、特に発光層に、
前記構造式(1)又は(2)で示されるナフトキノンイ
ミン系化合物を含有せしめるようにしたものである。
The organic EL device of the present invention comprises at least one organic thin film layer between the cathode and the anode, in particular, a light-emitting layer.
The naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2) is contained.

【0023】ここで、構造式(1)で示されるナフトキ
ノンイミン系化合物におけるR1〜R4の例を下記に示す
が、構造式(1)の化合物は下記例に限定されるもので
はない。 ・R1=R2=R3=R4=CH3 ・R1=R2=R3=CH3 4=C25 ・R1=R2=R3=CH3 4=C37 ・R1=R2=R3=CH3 4=H ・R1=R2=CH3 3=H R4=C25 ・R1=R2=C25 3=R4=CH3 ・R1=R2=C25 3=R4=H ・R1=R2=CH3 3=OCH3 4=CH3 ・R1=R2=C65 3=H R4=CH3
Here, examples of R 1 to R 4 in the naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) are shown below, but the compound of the structural formula (1) is not limited to the following examples. · R 1 = R 2 = R 3 = R 4 = CH 3 · R 1 = R 2 = R 3 = CH 3 R 4 = C 2 H 5 · R 1 = R 2 = R 3 = CH 3 R 4 = C 3 H 7 · R 1 = R 2 = R 3 = CH 3 R 4 = H · R 1 = R 2 = CH 3 R 3 = H R 4 = C 2 H 5 · R 1 = R 2 = C 2 H 5 R 3 = R 4 = CH 3 · R 1 = R 2 = C 2 H 5 R 3 = R 4 = H · R 1 = R 2 = CH 3 R 3 = OCH 3 R 4 = CH 3 · R 1 = R 2 = C 6 H 5 R 3 = H R 4 = CH 3

【0024】また、構造式(2)で示されるナフトキノ
ンイミン系化合物におけるR1〜R2の例を下記に示す
が、構造式(2)の化合物は下記例に限定されるもので
はない。 ・R1=R2=CH3 ・R1=R2=C25 ・R1=R2=C37 ・R1=R2=H ・R1=R2=OCH3 ・R1=R2=Cl ・R1=R2=OH
Examples of R 1 to R 2 in the naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (2) are shown below, but the compound of the structural formula (2) is not limited to the following examples. · R 1 = R 2 = CH 3 · R 1 = R 2 = C 2 H 5 · R 1 = R 2 = C 3 H 7 · R 1 = R 2 = H · R 1 = R 2 = OCH 3 · R 1 = R 2 = Cl · R 1 = R 2 = OH

【0025】上記の例示化合物の中でも、下記構造式
(1−1)の4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイ
ミノ]−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノ
ン、下記構造式(1−2)の4−(4―ジメチルアミノ
−2−メチルフェニルイミノ)−2−エチルカルバモイ
ル−1,4−ナフトキノン、下記構造式(2−1)の
4,8−ビス(4−エチルフェニルアミノ)−1,5−
ナフトキノン、下記構造式(2−2)の4,8−ビス
(4−メトキシフェニルアミノ)−1,5−ナフトキノ
ンが、輝度、発光効率、輝度半減寿命、色度座標を考慮
すると特に好ましい。
Among the above exemplified compounds, 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone represented by the following structural formula (1-1): )), 4- (4-dimethylamino-2-methylphenylimino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone, 4,8-bis (4-ethylphenylamino)-of the following structural formula (2-1) 1,5-
Naphthoquinone and 4,8-bis (4-methoxyphenylamino) -1,5-naphthoquinone of the following structural formula (2-2) are particularly preferable in consideration of luminance, luminous efficiency, luminance half-life, and chromaticity coordinates.

【0026】[0026]

【化5】 Embedded image

【化6】 Embedded image

【化7】 Embedded image

【化8】 Embedded image

【0027】発光層のホスト材料(緑色、黄色発光材
料)としては、下記構造式(a)のトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムに代表される8−ヒドロキシキノ
リン金属錯体などのキノリン系金属錯体、下記構造式
(b)のビススチリルアントラセン誘導体、1,4−ビ
ス(2―メチルスチリル)ベンゼン等のジスチリルベン
ゼン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、ペリノン誘導体等が挙げられ、特にこのナフトキノ
ンイミン系化合物との組合わせとしては、トリス(8−
キノリノール)アルミニウムに代表される8−ヒドロキ
シキノリン金属錯体などのキノリン系金属錯体、ビスス
チリルアントラセン誘導体が、高い輝度、発光効率が得
られるので好ましい。
Examples of the host material (green and yellow light-emitting materials) of the light-emitting layer include quinoline-based metal complexes such as 8-hydroxyquinoline metal complex represented by tris (8-quinolinol) aluminum of the following structural formula (a). Examples include bisstyrylanthracene derivatives of structural formula (b), distyrylbenzene derivatives such as 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, and perinone derivatives. As a combination with the compound, tris (8-
A quinoline-based metal complex such as an 8-hydroxyquinoline metal complex represented by quinolinol) aluminum, and a bisstyrylanthracene derivative are preferable because high luminance and luminous efficiency can be obtained.

【0028】[0028]

【化9】 Embedded image

【化10】 Embedded image

【0029】また、発光層には、前記ナフトキノンイミ
ン系化合物を、他の正孔輸送材料、電子輸送材料、発光
材料との混合物として含有せしめることも可能である。
The light emitting layer may contain the naphthoquinone imine compound as a mixture with other hole transporting materials, electron transporting materials and light emitting materials.

【0030】前記ナフトキノンイミン系化合物は、発光
層のホスト材料に対して0.001wt%〜50wt%
の範囲で混合することが適当である。ナフトキノンイミ
ン系化合物の混合量が0.001wt%未満では色度が
悪くなる問題があり、50wt%を越えると濃度消光、
発光効率低下が生じ好ましくない。また、発光層の厚み
は10〜100nmの範囲とすることが好ましい。
The naphthoquinone imine compound is present in an amount of 0.001 wt% to 50 wt% based on the host material of the light emitting layer.
It is appropriate to mix in the range of. If the amount of the naphthoquinone imine-based compound is less than 0.001 wt%, there is a problem that the chromaticity is deteriorated.
Luminous efficiency decreases, which is not preferable. The thickness of the light emitting layer is preferably in the range of 10 to 100 nm.

【0031】本発明に係る有機EL素子の正孔注入層を
形成する正孔注入材料は特に限定されず、下記構造式
(c)で表される金属又は無金属フタロシアニン(Xは
水素、M−YはCu,VO,TiO,Mg,H2より選
択される)、下記構造式(d)の4,4',4"−トリス
(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミンなどのスター
バースト型分子等が使用可能である。
The hole injecting material forming the hole injecting layer of the organic EL device according to the present invention is not particularly limited, and a metal or metal-free phthalocyanine represented by the following structural formula (c) (X is hydrogen, M- Y is selected from Cu, VO, TiO, Mg, and H 2 ), and a star burst type molecule such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (diphenylamino) triphenylamine of the following structural formula (d) is used. It is possible.

【0032】[0032]

【化11】 Embedded image

【化12】 Embedded image

【0033】また、本発明の有機EL素子の正孔輸送層
を形成するための正孔輸送材料は特に限定されず、正孔
輸送材料として通常使用される化合物であればいかなる
化合物でも使用可能である。例えば、正孔輸送材料とし
ては、下記構造式(e)で表されるビス(ジ(p−トリ
ル)アミノフェニル−1,1−シクロヘキサン、下記構
造式(f)で表されるN,N'ジフェニル−N,N−ビ
ス(3−メチルフェニル)−1,1'−ビフェニル−
4、4'−ジアミン、下記構造式(g)で表されるN,
N'−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−
(1,1'−ビフェニル)−4、4'−ジアミン、前記構
造式(d)で表されるスターバースト型分子等が挙げら
れる。
The hole transporting material for forming the hole transporting layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, and any compound can be used as long as it is a compound usually used as a hole transporting material. is there. For example, as the hole transporting material, bis (di (p-tolyl) aminophenyl-1,1-cyclohexane represented by the following structural formula (e), N, N ′ represented by the following structural formula (f) Diphenyl-N, N-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-
4,4′-diamine, N, represented by the following structural formula (g)
N'-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl)-
(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine, a star burst type molecule represented by the structural formula (d), and the like.

【0034】[0034]

【化13】 Embedded image

【化14】 Embedded image

【化15】 Embedded image

【0035】本発明の有機EL素子の電子輸送層を形成
するための電子輸送材料も特に限定されず、電子輸送材
料として通常使用されている化合物であればいかなる化
合物でも使用可能である。例えば、電子輸送材料として
は、下記構造式(h)で表される2−(4−ビフェニ
ル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール、下記構造式(i)で表されるビス
{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール}−m−フェニレン等のオキサジアゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキシン金属錯体、ピラ
ジン誘導体、ピリジン誘導体、ペリレン誘導体、ペリリ
ン誘導体、ビススチリル誘導体等を挙げることができ
る。
The electron transporting material for forming the electron transporting layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, and any compound that is commonly used as an electron transporting material can be used. For example, as the electron transporting material, 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4- represented by the following structural formula (h)
Oxadiazole, oxadiazole derivatives such as bis {2- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole} -m-phenylene represented by the following structural formula (i), and triazole derivatives Oxine metal complex, pyrazine derivative, pyridine derivative, perylene derivative, perillin derivative, bisstyryl derivative and the like.

【0036】[0036]

【化16】 Embedded image

【化17】 Embedded image

【0037】また、陽極の材料としては、仕事関数が大
きく、透明な材料を好適に使用することができ、例とし
ては、酸化錫インジウム(ITO)、酸化スズ、酸化イ
ンジウムなどの導電性金属酸化物や、金、白金、クロム
等が挙げられる。陰極の材料としては、仕事関数の小さ
い金属又は該金属とアルカリ金属、アルカリ土類金属の
合金を好適に使用することができ、例としては、アルミ
ニウム、銀、錫や、これらとリチウム、マグネシウム、
カリウム、ナトリウムとの合金等が挙げられる。
As the material for the anode, a transparent material having a large work function and can be suitably used. For example, a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide or indium oxide may be used. Materials, gold, platinum, chromium, and the like. As a material of the cathode, a metal having a small work function or an alloy of the metal and an alkali metal, an alkaline earth metal can be suitably used.Examples thereof include aluminum, silver, tin, and lithium, magnesium,
Alloys with potassium and sodium.

【0038】[0038]

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist of the present invention.

【0039】(実施例1)実施例1に係る有機EL素子
の断面構造を図1に示す。本実施例に係る有機EL素子
は、透明支持基板(ガラス基板)1と、ガラス基板1上
に形成された陽極2及び陰極3と、陽極2と陰極3との
間に挟み込まれた有機薄膜層5〜7とからなる。
Example 1 FIG. 1 shows a sectional structure of an organic EL device according to Example 1. The organic EL device according to this embodiment includes a transparent support substrate (glass substrate) 1, an anode 2 and a cathode 3 formed on the glass substrate 1, and an organic thin film layer sandwiched between the anode 2 and the cathode 3. 5 to 7.

【0040】以下、実施例1に係る有機EL素子の作製
手順について説明する。まず、ガラス基板上にITOを
スパッタリングによってシート抵抗15Ω/□以下にな
るように成膜し、陽極2とした。そのITO付きガラス
を純水とイソプロピルアルコールにて、それぞれ超音波
洗浄を行った後、沸騰させたイソプロピルアルコール上
で乾燥させた。さらに、UVオゾン洗浄装置にてこの基
板を洗浄し、真空蒸着装置の基板ホルダーに取り付け
た。
The procedure for fabricating the organic EL device according to Example 1 will be described below. First, an anode 2 was formed on a glass substrate by sputtering so as to have a sheet resistance of 15 Ω / □ or less. The glass with ITO was subjected to ultrasonic cleaning with pure water and isopropyl alcohol, respectively, and then dried over boiling isopropyl alcohol. Further, the substrate was cleaned with a UV ozone cleaning device and attached to a substrate holder of a vacuum evaporation device.

【0041】また、モリブデン製のボードに正孔輸送層
5としてN,N'−ジフェニル−N、N'−ビス(α−ナ
フチル)−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン
(α−NPD)を200mg、発光層6のホスト及び電
子輸送層7としてトリス(8−キノリノール)アルミニ
ウム(Alq3)を200mg、発光層のゲストとして
4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイミノ]−2−
エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノンを100m
g入れ、これを通電用端子に取り付けた後、真空層内を
2×10-4Paまで排気した。そして、N,N'−ジフ
ェニル−N、N'−ビス(α−ナフチル)−1,1'−ビ
フェニル−4、4'−ジアミンが入ったボードに通電
し、0.3nm/secの蒸着速度で50nmの膜厚に
なるまで蒸着した。
Further, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (α-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (α) was used as a hole transport layer 5 on a board made of molybdenum. -NPD), 200 mg of tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3) as the host of the light emitting layer 6 and the electron transport layer 7, and 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2- as the guest of the light emitting layer.
100 m of ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone
g, which was attached to a current-carrying terminal, and the inside of the vacuum layer was evacuated to 2 × 10 −4 Pa. Then, electricity is supplied to a board containing N, N'-diphenyl-N, N'-bis (α-naphthyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, and a deposition rate of 0.3 nm / sec. Was evaporated to a thickness of 50 nm.

【0042】次に、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウム、4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイミ
ノ]−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノン
が入ったボードに、前者が0.3nm/sec、後者が
0.02〜0.03nm/secの蒸着速度となるよう
に別の蒸着電源を用いて通電し、両材料の蒸着速度が安
定してきたところでシャッターを開放し、混合膜の膜厚
が30nmとなったところで、4−[4−(ジメチルア
ミノ)フェニルイミノ]−2−エチルカルバモイル−
1,4−ナフトキノンの蒸着電源を止め、続いてトリス
(8−キノリノール)アルミニウムのみを30nm蒸着
した。
Next, a board containing tris (8-quinolinol) aluminum and 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone was added to a board containing 0.3 nm / sec. An electric current is supplied using another deposition power supply so that the latter has a deposition rate of 0.02 to 0.03 nm / sec. When the deposition rates of both materials are stabilized, the shutter is opened and the thickness of the mixed film is reduced. At 30 nm, 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-
The deposition power of 1,4-naphthoquinone was turned off, and then only tris (8-quinolinol) aluminum was deposited to a thickness of 30 nm.

【0043】次に、支持基板/ITO/α−NPD/ト
リス(8−キノリノール)アルミニウム:4−[4−
(ジメチルアミノ)フェニルイミノ]−2−エチルカル
バモイル−1,4−ナフトキノン/トリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムの上部にステンレス製シャドーマ
スクを取り付けた。ここで、BN製ボートにアルミニウ
ムを3g入れ、通電用端子に取り付けた。同様に、タン
グステン製のフィラメントにLiを500mg入れ、別
の通電用端子に取り付けた。真空層を1×10-4Paま
で排気した後、アルミニウムの蒸着速度が0.2nm/
secとなるように通電し、同時にリチウムの蒸着速度
が0.02〜0.03nm/secとなるよう別の蒸着
電源を用いて通電した。両材料の蒸着速度が安定してき
たところでシャッターを開放し、混合膜の膜厚が30n
mとなったところでリチウムの蒸着電源を止め、アルミ
ニウム膜を170nmの膜圧になるまで成膜し、陰極3
を形成した。
Next, support substrate / ITO / α-NPD / tris (8-quinolinol) aluminum: 4- [4-
(Dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone / tris (8-quinolinol) aluminum was fitted with a stainless steel shadow mask. Here, 3 g of aluminum was put in a BN boat, and attached to a terminal for energization. Similarly, 500 mg of Li was put into a tungsten filament and attached to another current-carrying terminal. After evacuating the vacuum layer to 1 × 10 −4 Pa, the deposition rate of aluminum was 0.2 nm /
The current was supplied using another deposition power supply such that the deposition rate of lithium was 0.02 to 0.03 nm / sec. When the deposition rates of both materials are stabilized, the shutter is opened and the thickness of the mixed film is reduced to 30 n.
m, the lithium vapor deposition power supply was stopped, and an aluminum film was formed until the film pressure reached 170 nm.
Was formed.

【0044】真空層を大気圧に戻し、支持基板/ITO
/α−NPD/トリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム:4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイミノ]−
2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノン/トリ
ス(8−キノリノール)アルミニウム/AlLi/Al
よりなる有機EL素子を作製した。この素子のITOを
正極、アルミニウム電極を負極とし、10V印加時の電
流は8mA/cm2、最高輝度は4800cd/m2(2
0V)が得られた。400cd/m2時の色度座標は
(X:0.629、Y:0.331)の赤色発光で、こ
の時の発光効率は0.80[lm/W]であった。
The vacuum layer is returned to atmospheric pressure, and the supporting substrate / ITO
/ Α-NPD / tris (8-quinolinol) aluminum: 4- [4- (dimethylamino) phenylimino]-
2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone / tris (8-quinolinol) aluminum / AlLi / Al
An organic EL device was produced. In this device, ITO was used as a positive electrode, an aluminum electrode was used as a negative electrode, the current when 10 V was applied was 8 mA / cm 2 , and the maximum luminance was 4800 cd / m 2 (2
0 V). The chromaticity coordinates at 400 cd / m 2 were red light emission of (X: 0.629, Y: 0.331), and the light emission efficiency at this time was 0.80 [lm / W].

【0045】また、上記素子を窒素中、初期輝度200
cd/m2で駆動試験を行った結果、輝度半減時間は5
300時間であった。さらに、上記素子を窒素中で50
00時間保存した後、ダークスポットと呼ばれる非発光
部を観測した結果、成膜直後と変化はなく成長は認めら
れなかった。
Further, the above-mentioned device was placed in nitrogen and the initial luminance was 200
As a result of a driving test performed at cd / m 2 , the luminance half time was 5
It was 300 hours. Further, the above-described device is
After storage for 00 hours, a non-light-emitting portion called a dark spot was observed. As a result, there was no change from that immediately after the film formation, and no growth was observed.

【0046】(実施例2)実施例1と同様にして用意し
たITO付ガラス基板を蒸着機に装着した後、モリブデ
ン製のボードに正孔注入輸送材料としてN,N'−ジフ
ェニル−N、N'−ジ(3−メチルフェニル)−1,1'
−ビフェニル−4,4'−ジアミン(TPD)を200
mg、ホスト及び電子輸送層としてトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムを200mg、ゲストとして4−
(4―ジメチルアミノ−2−メチルフェニルイミノ)−
2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノンを10
0mg入れ、これを通電用端子に取り付けた後、真空層
内を2×10-4Paまで排気した。そして、正孔注入輸
送層が入ったボードに通電し、0.3nm/secの蒸
着速度で50nmの膜厚になるまで蒸着した。
Example 2 After a glass substrate with ITO prepared in the same manner as in Example 1 was mounted on a vapor deposition machine, N, N'-diphenyl-N, N '-Di (3-methylphenyl) -1,1'
-Biphenyl-4,4'-diamine (TPD)
mg, 200 mg of tris (8-quinolinol) aluminum as a host and an electron transport layer, and 4-mg as a guest.
(4-dimethylamino-2-methylphenylimino)-
2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone in 10
After putting 0 mg into the terminal and attaching it to a current-carrying terminal, the inside of the vacuum layer was evacuated to 2 × 10 −4 Pa. Then, a current was applied to the board containing the hole injecting and transporting layer, and vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 0.3 nm / sec until the film thickness reached 50 nm.

【0047】次に、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウム及び4−(4―ジメチルアミノ−2−メチルフェ
ニルイミノ)−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフ
トキノンが入ったボードに通電し、前者を0.3nm/
sec、後者を0.02〜0.03nm/secの蒸着
速度で30nmとなるまで共蒸着した。続いて、トリス
(8−キノリノール)アルミニウムのみを30nm蒸着
した。
Next, a current was supplied to the board containing tris (8-quinolinol) aluminum and 4- (4-dimethylamino-2-methylphenylimino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone. 0.3 nm /
The latter was co-deposited at a deposition rate of 0.02 to 0.03 nm / sec until the thickness became 30 nm. Subsequently, only tris (8-quinolinol) aluminum was deposited to a thickness of 30 nm.

【0048】次に、支持基板/ITO/TPD/トリス
(8−キノリノール)アルミニウム:4−(4―ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニルイミノ)−2−エチルカ
ルバモイル−1,4−ナフトキノン/トリス(8−キノ
リノール)アルミニウムの上部にステンレス製シャドー
マスクを取り付けた。ここで、BN製ボートにアルミニ
ウムを3g入れ、通電用端子に取り付けた。同様に、タ
ングステン製のフィラメントにLiを500mg入れ、
別の通電用端子に取り付けた。真空層を1×10-4Pa
まで排気した後、アルミニウムの蒸着速度が0.2nm
/secとなるように通電し、同時にリチウムの蒸着速
度が0.02〜0.03nm/secとなるよう別の蒸
着電源を用いて通電した。両材料の蒸着速度が安定して
きたところでシャッターを開放し、混合膜の膜厚が30
nmとなったところでリチウムの蒸着電源を止め、アル
ミニウム膜を170nmの膜厚になるまで成膜した。
Next, support substrate / ITO / TPD / tris (8-quinolinol) aluminum: 4- (4-dimethylamino-2-methylphenylimino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone / tris (8 -Quinolinol) A stainless steel shadow mask was mounted on top of the aluminum. Here, 3 g of aluminum was put in a BN boat, and attached to a terminal for energization. Similarly, 500 mg of Li is put into a tungsten filament,
Attached to another energizing terminal. The vacuum layer is 1 × 10 -4 Pa
After evacuation, the deposition rate of aluminum is 0.2 nm
/ Sec, and at the same time, using another deposition power source so that the deposition rate of lithium is 0.02 to 0.03 nm / sec. When the deposition rates of both materials have stabilized, the shutter is opened and the thickness of the mixed film is reduced to 30.
When the thickness reached nm, the power supply for lithium deposition was stopped, and an aluminum film was formed to a thickness of 170 nm.

【0049】再び、真空層を大気圧に戻し、支持基板/
ITO/TPD/トリス(8−キノリノール)アルミニ
ウム:4−(4―ジメチルアミノ−2−メチルフェニル
イミノ)−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキ
ノン/トリス(8−キノリノール)アルミニウム/Al
Li/Alよりなる有機EL素子を作製した。この素子
のITOを正極、アルミニウム電極を負極とし、10V
を印加した結果、電流が7mA/cm2流れ、最高輝度
4500cd/m2(20V)、400cd/m 2時の色
度座標(X:0.640、Y:0.316)の赤色発光
を得た。この時の発光効率は0.76[lm/W]であ
った。
The vacuum layer is returned to the atmospheric pressure again, and the supporting substrate /
ITO / TPD / Tris (8-quinolinol) aluminum
Um: 4- (4-dimethylamino-2-methylphenyl)
Imino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoki
Non / Tris (8-quinolinol) aluminum / Al
An organic EL device made of Li / Al was produced. This element
10V with ITO as positive electrode and aluminum electrode as negative electrode
As a result, the current is 7 mA / cmTwoFlow, maximum brightness
4500 cd / mTwo(20V), 400 cd / m TwoTime color
Red light emission at degree coordinates (X: 0.640, Y: 0.316)
I got The luminous efficiency at this time is 0.76 [lm / W].
Was.

【0050】また、上記素子を窒素中、初期輝度200
cd/m2で駆動試験を行った結果、輝度半減時間は5
500時間であった。さらに、上記素子を窒素中で50
00時間保存した後、ダークスポットと呼ばれる非発光
部を観測した結果、成膜直後と変化はなく成長は認めら
れなかった。
Further, the above-mentioned element was placed in nitrogen at an initial luminance of 200.
As a result of a driving test performed at cd / m 2 , the luminance half time was 5
500 hours. Further, the above-described device is
After storage for 00 hours, a non-light-emitting portion called a dark spot was observed. As a result, there was no change from that immediately after the film formation, and no growth was observed.

【0051】(実施例3)実施例1と同様にして用意し
たITOガラス基板を蒸着機に装着し、高純度グラファ
イト製のるつぼ5個を用意し、それぞれ別々に、正孔注
入層として銅フタロシアニンを1g、正孔輸送層として
N,N'−ジフェニル−N、N'−ビス(α−ナフチル)
−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン(α−NP
D)を1g、発光ホスト材料としてトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムを1g、発光ゲスト材料として
4,8−ビス(4−エチルフェニルアミノ)−1,5−
ナフトキノンを1g、電子輸送材料としてビス{2−
(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール}−m−フェニレンを1g入れ、それぞれ別の通
電用端子に取り付けた。真空層を1×10-4Paまで排
気した後、銅フタロシアニンが入ったるつぼに通電し、
0.3nm/secの蒸着速度で膜厚30nmになるま
で成膜した。また、α−NPDが入ったるつぼに通電
し、0.3nm/secの蒸着速度で膜厚30nmにな
るまで成膜した。
Example 3 An ITO glass substrate prepared in the same manner as in Example 1 was mounted on a vapor deposition machine, five crucibles made of high-purity graphite were prepared, and copper phthalocyanine was used separately as a hole injection layer. And N, N′-diphenyl-N, N′-bis (α-naphthyl) as a hole transport layer
-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (α-NP
D), 1 g of tris (8-quinolinol) aluminum as a light emitting host material, and 4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5- as a light emitting guest material.
1 g of naphthoquinone and bis @ 2- as an electron transport material
1 g of (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole} -m-phenylene was added, and each was attached to another current-carrying terminal. After evacuating the vacuum layer to 1 × 10 −4 Pa, a current was passed through a crucible containing copper phthalocyanine,
Film formation was performed at a deposition rate of 0.3 nm / sec until the film thickness reached 30 nm. An electric current was applied to the crucible containing α-NPD, and a film was formed at a deposition rate of 0.3 nm / sec until the film thickness reached 30 nm.

【0052】次に、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウム及び4,8−ビス(4−エチルフェニルアミノ)
−1,5−ナフトキノンが入ったるつぼにそれぞれ通電
し、トリス(8−キノリノール)アルミニウムが0.3
nm/sec、4,8−ビス(4−エチルフェニルアミ
ノ)−1,5−ナフトキノンが0.02〜0.03nm
/secの蒸着速度となるように電流を制御し、両者が
安定となったところで同時に蒸着を開始した。トリス
(8−キノリノール)アルミニウムの膜厚が20nm成
膜された段階で、4,8−ビス(4−エチルフェニルア
ミノ)−1,5−ナフトキノンの通電を止めて、トリス
(8−キノリノール)アルミニウムのみの膜を引き続き
20nm成膜した。
Next, tris (8-quinolinol) aluminum and 4,8-bis (4-ethylphenylamino)
Each of crucibles containing -1,5-naphthoquinone was energized, and tris (8-quinolinol) aluminum was 0.3
nm / sec, 4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5-naphthoquinone is 0.02 to 0.03 nm.
The current was controlled so that the deposition rate became / sec, and when both became stable, the deposition was started at the same time. At the stage when the film thickness of tris (8-quinolinol) aluminum was formed to 20 nm, the energization of 4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5-naphthoquinone was stopped, and tris (8-quinolinol) aluminum was turned off. Only the film having a thickness of 20 nm was continuously formed.

【0053】次に、ビス{2−(4−t−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール}−m−フェニレ
ンが入ったるつぼに通電し、蒸着速度0.4nmで膜厚
30nmになるまで成膜した。
Next, a current was passed through a crucible containing bis {2- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole} -m-phenylene, and the film thickness was 30 nm at a deposition rate of 0.4 nm. Film formation was performed until

【0054】こうして作製された支持基板/ITO/α
−NPD/トリス(8−キノリノール)アルミニウム:
4,8−ビス(4−エチルフェニルアミノ)−1,5−
ナフトキノン/トリス(8−キノリノール)アルミニウ
ム/ビス{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール}−m−フェニレンの構造を有す
る素子に、さらに実施例1と同様の方法により陰極を形
成した。そして、実施例1と同様に通電試験を行った結
果、10V印加時の電流は8mA/cm2、最高輝度は
5000cd/m2(24V)が得られた。400cd
/m2時の色度座標は(X:0.630、Y:0.32
3)の赤色発光で、この時の発光効率は0.85[lm
/W]であった。
The supporting substrate thus produced / ITO / α
-NPD / Tris (8-quinolinol) aluminum:
4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5-
Naphthoquinone / tris (8-quinolinol) aluminum / bis {2- (4-t-butylphenyl) -1,3,3
A cathode was further formed on the device having the structure of 4-oxadiazole 有 す る -m-phenylene in the same manner as in Example 1. Then, as a result of conducting an energization test in the same manner as in Example 1, a current at the time of application of 10 V was 8 mA / cm 2 , and a maximum luminance was 5000 cd / m 2 (24 V). 400 cd
The chromaticity coordinates at / m 2 are (X: 0.630, Y: 0.32
In the red light emission of 3), the luminous efficiency at this time is 0.85 [lm]
/ W].

【0055】また、上記素子を窒素中、初期輝度200
cd/m2で駆動試験を行った結果、輝度半減時間は6
900時間であった。さらに、上記素子を窒素中で50
00時間保存した後、ダークスポットと呼ばれる非発光
部を観測した結果、成膜直後と変化はなく成長は認めら
れなかった。
Further, the above-mentioned element was placed in nitrogen and the initial luminance was 200
As a result of a driving test performed at cd / m 2 , the luminance half time was 6
900 hours. Further, the above-described device is
After storage for 00 hours, a non-light-emitting portion called a dark spot was observed. As a result, there was no change from that immediately after the film formation, and no growth was observed.

【0056】(実施例4)実施例1と同様にして用意し
たITO付ガラス基板を蒸着機に装着した後、モリブデ
ン製のボードに正孔注入輸送材料としてN,N'−ジフ
ェニル−N、N'−ジ(3−メチルフェニル)−1,1'
−ビフェニル−4,4'−ジアミン(TPD)を200
mg、ホスト及び電子輸送層としてトリス(8−キノリ
ノール)アルミニウムを200mg、ゲストとして4,
8−ビス(4−メトキシフェニルアミノ)−1,5−ナ
フトキノンを100mg入れ、これを通電用端子に取り
付けた後、真空層内を2×10-4Paまで排気した。そ
して、正孔注入輸送層が入ったボードに通電し、0.3
nm/secの蒸着速度で50nmの膜厚になるまで蒸
着した。
(Example 4) After a glass substrate with ITO prepared in the same manner as in Example 1 was mounted on a vapor deposition machine, N, N'-diphenyl-N, N '-Di (3-methylphenyl) -1,1'
-Biphenyl-4,4'-diamine (TPD)
mg, 200 mg of tris (8-quinolinol) aluminum as a host and an electron transport layer, 4,4 as a guest
After 100 mg of 8-bis (4-methoxyphenylamino) -1,5-naphthoquinone was charged and attached to an energizing terminal, the inside of the vacuum layer was evacuated to 2 × 10 −4 Pa. Then, a current is applied to the board containing the hole injection transport layer, and
The deposition was performed at a deposition rate of nm / sec until the film thickness became 50 nm.

【0057】次に、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウム及び4,8−ビス(4−メトキシフェニルアミ
ノ)−1,5−ナフトキノンが入ったボードに通電し、
前者を0.3nm/sec、後者を0.02〜0.03
nm/secの蒸着速度で30nmとなるまで共蒸着し
た。続いて、トリス(8−キノリノール)アルミニウム
のみを30nm蒸着した。
Next, the board containing tris (8-quinolinol) aluminum and 4,8-bis (4-methoxyphenylamino) -1,5-naphthoquinone was energized,
The former is 0.3 nm / sec, and the latter is 0.02-0.03.
Co-deposition was performed at a deposition rate of nm / sec until the thickness reached 30 nm. Subsequently, only tris (8-quinolinol) aluminum was deposited to a thickness of 30 nm.

【0058】次に、支持基板/ITO/TPD/トリス
(8−キノリノール)アルミニウム:4,8−ビス(4
−メトキシフェニルアミノ)−1,5−ナフトキノン/
トリス(8−キノリノール)アルミニウムの上部にステ
ンレス製シャドーマスクを取り付けた。ここで、BN製
ボートにアルミニウムを3g入れ、通電用端子に取り付
けた。同様に、タングステン製のフィラメントにLiを
500mg入れ、別の通電用端子に取り付けた。真空層
を1×10-4Paまで排気した後、アルミニウムの蒸着
速度が0.2nm/secとなるように通電し、同時に
リチウムの蒸着速度が0.02〜0.03nm/sec
となるよう別の蒸着電源を用いて通電した。両材料の蒸
着速度が安定してきたところでシャッターを開放し、混
合膜の膜厚が20nmとなったところでリチウムの蒸着
電源を止め、アルミニウム膜を170nmの膜厚になる
まで成膜した。
Next, support substrate / ITO / TPD / tris (8-quinolinol) aluminum: 4,8-bis (4
-Methoxyphenylamino) -1,5-naphthoquinone /
A stainless steel shadow mask was mounted on top of Tris (8-quinolinol) aluminum. Here, 3 g of aluminum was put in a BN boat, and attached to a terminal for energization. Similarly, 500 mg of Li was put into a tungsten filament and attached to another current-carrying terminal. After the vacuum layer was evacuated to 1 × 10 −4 Pa, current was supplied so that the deposition rate of aluminum was 0.2 nm / sec, and at the same time, the deposition rate of lithium was 0.02 to 0.03 nm / sec.
It was energized using another deposition power supply so that When the deposition rates of both materials became stable, the shutter was opened, and when the thickness of the mixed film became 20 nm, the lithium vapor deposition power supply was stopped, and an aluminum film was formed to a thickness of 170 nm.

【0059】再び、真空層を大気圧に戻し、支持基板/
ITO/TPD/トリス(8−キノリノール)アルミニ
ウム:4,8−ビス(4−メトキシフェニルアミノ)−
1,5−ナフトキノン/トリス(8−キノリノール)ア
ルミニウム/AlLi/Alよりなる有機EL素子を作
製した。この素子のITOを正極、アルミニウム電極を
負極とし、10Vを印加した結果、電流が8.4mA/
cm2流れ、最高輝度5300cd/m2(24V)、4
00cd/m2時の色度座標(X:0.622、Y:
0.320)の赤色発光を得た。この時の発光効率は
0.82[lm/W]であった。また、上記素子を窒素
中、初期輝度200cd/m2で駆動試験を行った結
果、輝度半減時間は5400時間であった。
The vacuum layer is returned to the atmospheric pressure again, and the supporting substrate /
ITO / TPD / tris (8-quinolinol) aluminum: 4,8-bis (4-methoxyphenylamino)-
An organic EL device composed of 1,5-naphthoquinone / tris (8-quinolinol) aluminum / AlLi / Al was produced. As a result of applying 10 V with ITO as a positive electrode and an aluminum electrode as a negative electrode, a current of 8.4 mA /
cm 2 flow, maximum brightness 5300 cd / m 2 (24 V), 4
Chromaticity coordinates at 00 cd / m 2 (X: 0.622, Y:
0.320). The luminous efficiency at this time was 0.82 [lm / W]. A driving test was performed on the device in nitrogen at an initial luminance of 200 cd / m 2. As a result, the luminance half-life was 5,400 hours.

【0060】(実施例5)実施例1と同様にして用意し
たITO付ガラス基板を蒸着機に装着した後、高純度グ
ラファイト製のるつぼに電子輸送材料としてビス{2−
(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール}−m−フェニレンを1g入れ、別のるつぼに発
光材料として4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイ
ミノ]−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノ
ンを1g入れた。真空層を1×10 -4Paまで排気した
後、4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイミノ]−
2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノンが入っ
たるつぼに通電し、0.2nm/secの蒸着速度で2
5nmの膜厚になるまで成膜した。続いて、ビス{2−
(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール}−m−フェニレンが入ったるつぼに通電し、蒸
着速度0.4nmで膜厚50nmになるまで成膜した。
(Embodiment 5) Prepared in the same manner as in Embodiment 1.
After mounting the glass substrate with ITO on the evaporation machine,
Bis @ 2- as an electron transport material in a graphite crucible
(4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadia
Add 1 g of sol} -m-phenylene and sprinkle in another crucible
4- [4- (dimethylamino) phenyli as an optical material
Mino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquino
1 g was added. 1 × 10 vacuum layer -FourEvacuated to Pa
Later, 4- [4- (dimethylamino) phenylimino]-
Contains 2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone
Apply current to the crucible and apply a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec.
The film was formed to a thickness of 5 nm. Then, screw @ 2-
(4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadia
Apply electricity to the crucible containing sol} -m-phenylene,
The film was formed at a deposition rate of 0.4 nm until the film thickness became 50 nm.

【0061】次に、真空層を大気圧に戻し、支持基板/
ITO/4−[4−(ジメチルアミノ)フェニルイミ
ノ]−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキノン
/ビス{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾール}−m−フェニレンの構造の素子
に、実施例1と同様の方法によって陰極を形成した。E
L素子を蒸着機から取り出した後、実施例1と同様に通
電試験を行った結果、電圧を20V印加した時、16m
A/cm2の電流が流れ、輝度140cd/m2の赤色発
光を得た。
Next, the vacuum layer is returned to the atmospheric pressure and the supporting substrate /
ITO / 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone / bis {2- (4-t-butylphenyl) -1,3,4
A cathode was formed on the element having the structure of -oxadiazole} -m-phenylene by the same method as in Example 1. E
After the L element was taken out of the evaporator, a current-carrying test was performed in the same manner as in Example 1. As a result, when a voltage of 20 V was applied, 16 m
A current of A / cm 2 flowed, and red light emission with a luminance of 140 cd / m 2 was obtained.

【0062】(実施例6)発光材料を4−(4―ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニルイミノ)−2−エチルカ
ルバモイル−1,4−ナフトキノンとしたこと以外は、
実施例5と同様の方法で有機EL素子を作製した。この
素子を用いて実施例5と同様に通電試験を行った結果、
20V印加時に、電流密度17mA/cm2に相当する
電流が流れ、輝度約130cd/m2の赤色発光が得ら
れた。
(Example 6) Except that the light emitting material was 4- (4-dimethylamino-2-methylphenylimino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone,
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 5. As a result of conducting an energization test in the same manner as in Example 5 using this element,
When a voltage of 20 V was applied, a current corresponding to a current density of 17 mA / cm 2 flowed, and red light emission with a luminance of about 130 cd / m 2 was obtained.

【0063】(実施例7)実施例1と同様にして用意し
たITO付ガラス基板を蒸着機に装着した後、高純度グ
ラファイト製のるつぼに正孔輸送層として(ジ(p−ト
リル)アミノフェニル)−1,1−シクロヘキサンを1
g入れ、別のるつぼに発光材料として4,8−ビス(4
−エチルフェニルアミノ)−1,5−ナフトキノンを1
g入れた。真空層を1×10-4Paまで排気した後、ビ
ス(ジ(p−トリル)アミノフェニル)−1,1−シク
ロヘキサンが入ったるつぼに通電し、0.3nm/se
cの蒸着速度で膜厚50nmになるまで成膜した。続い
て、4,8−ビス(4−エチルフェニルアミノ)−1,
5−ナフトキノンが入ったるつぼに通電し、蒸着速度
0.2nmで膜厚25nmになるまで成膜した。
Example 7 After a glass substrate with ITO prepared in the same manner as in Example 1 was mounted on a vapor deposition machine, (di (p-tolyl) aminophenyl was used as a hole transport layer in a crucible made of high-purity graphite. ) 1,1-cyclohexane
g in a separate crucible as a luminescent material.
-Ethylphenylamino) -1,5-naphthoquinone
g. After the vacuum layer was evacuated to 1 × 10 −4 Pa, a current was passed through a crucible containing bis (di (p-tolyl) aminophenyl) -1,1-cyclohexane, and 0.3 nm / sec.
The film was formed at a deposition rate of c until the film thickness became 50 nm. Subsequently, 4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,
The crucible containing 5-naphthoquinone was energized to form a film at a deposition rate of 0.2 nm until the film thickness reached 25 nm.

【0064】次に、支持基板/ITO/ビス(ジ(p−
トリル)アミノフェニル)−1,1−シクロヘキサン/
4,8−ビス(4−エチルフェニルアミノ)−1,5−
ナフトキノンの構造の素子に、実施例1と同様の方法に
よって陰極を形成した。EL素子を蒸着機から取り出し
た後、実施例1と同様に通電試験を行った結果、電圧を
20V印加した時、21mA/cm2の電流が流れ、輝
度360cd/m2の赤色発光を得た。
Next, the supporting substrate / ITO / bis (di (p-
Tolyl) aminophenyl) -1,1-cyclohexane /
4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5-
A cathode was formed on a device having a naphthoquinone structure in the same manner as in Example 1. After taking out the EL element from the vapor deposition machine, a current-carrying test was performed in the same manner as in Example 1. As a result, when a voltage of 20 V was applied, a current of 21 mA / cm 2 flowed, and red light emission with a luminance of 360 cd / m 2 was obtained. .

【0065】(実施例8)発光材料を4,8−ビス(4
−メトキシフェニルアミノ)−1,5−ナフトキノンと
したこと以外は、実施例5と同様の方法で有機EL素子
を作製した。この素子を用いて実施例7と同様に通電試
験を行った結果、20V印加時に、電流密度19mA/
cm2に相当する電流が流れ、輝度300cd/m2の赤
色発光が得られた。
Example 8 The luminescent material was 4,8-bis (4
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 5, except that -methoxyphenylamino) -1,5-naphthoquinone was used. A current-carrying test was performed using this device in the same manner as in Example 7, and as a result, the current density was 19 mA /
A current corresponding to cm 2 flowed, and red light emission with a luminance of 300 cd / m 2 was obtained.

【0066】(実施例9〜12)発光ホスト材料を下記
構造式(j)の9,10−ビス[4−(ジフェニルアミ
ノ)スチリル]アントラセン(BSA誘導体)としたこ
と以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製
した。この場合、発光ホスト材料とゲスト材料との重量
比が下記表1のような条件下となるように、実施例3と
同様にして有機EL素子を作製した。得られた素子を用
いて実施例3と同様に通電試験を行った。また、これら
の素子を窒素中、初期輝度200cd/m2で駆動試験
を行い、輝度半減時間を判定した。その結果、表1に示
すように、前記作製条件下において、効率、駆動寿命に
優れた有機EL素子を得ることができることが確認され
た。
Examples 9 to 12 The same procedures as in Example 1 were carried out except that the luminescent host material was 9,10-bis [4- (diphenylamino) styryl] anthracene (BSA derivative) of the following structural formula (j). An organic EL device was manufactured in the same manner. In this case, an organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 3 so that the weight ratio between the light emitting host material and the guest material was as shown in Table 1 below. An energization test was performed in the same manner as in Example 3 using the obtained device. Further, these elements were subjected to a driving test in nitrogen at an initial luminance of 200 cd / m 2 , and the luminance half time was determined. As a result, as shown in Table 1, it was confirmed that an organic EL element excellent in efficiency and driving life could be obtained under the above-mentioned manufacturing conditions.

【0067】[0067]

【化18】 Embedded image

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】(従来例)実施例1と同様にして用意した
ITO付ガラス基板を蒸着機に装着した後、高純度グラ
ファイト製のるつぼに正孔輸送層としてα−NPDを1
g入れ、別のるつぼに発光材料及び電子輸送材料として
トリス(8−キノリノール)アルミニウムを1g入れ、
さらに別のるつぼにドーパントとして下記構造式(k)
の4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメ
チルアミノスチリル)−4H−ビラン(DCM、ドーピ
ング濃度5wt%)を1g入れた。真空層を1×10-4
Paまで排気した後、α−NPDが入ったるつぼに通電
し、0.3nm/secの蒸着速度で50nmの膜厚に
なるまで成膜した。
(Conventional Example) After a glass substrate with ITO prepared in the same manner as in Example 1 was mounted on a vapor deposition machine, α-NPD was added as a hole transport layer to a crucible made of high-purity graphite.
g of tris (8-quinolinol) aluminum as a light emitting material and an electron transporting material in another crucible,
In another crucible, the following structural formula (k) is used as a dopant.
Of 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-virane (DCM, doping concentration 5 wt%). 1 × 10 -4 vacuum layer
After evacuating to Pa, a current was applied to the crucible containing α-NPD, and a film was formed at a deposition rate of 0.3 nm / sec to a thickness of 50 nm.

【0070】[0070]

【化19】 Embedded image

【0071】次に、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウム、DCMが入ったボードに、前者が0.3nm/
sec、後者が0.03nm/secの蒸着速度となる
よう別の蒸着電源を用いてそれぞれ通電し、両材料の蒸
着速度が安定してきたところでシャッターを開放し、混
合膜の膜厚が30nmとなったところでDCMの蒸着電
源を止め、続いてトリス(8−キノリノール)アルミニ
ウムのみを40nm蒸着した。
Next, on a board containing tris (8-quinolinol) aluminum and DCM, the former was 0.3 nm /
In the second step, current is supplied to each of the other deposition power supplies so that the deposition rate becomes 0.03 nm / sec. When the deposition rates of both materials become stable, the shutter is opened, and the thickness of the mixed film becomes 30 nm. At that time, the power source for DCM deposition was stopped, and then only tris (8-quinolinol) aluminum was deposited to a thickness of 40 nm.

【0072】次に、支持基板/ITO/α−NPD/ト
リス(8−キノリノール)アルミニウム:DCM/トリ
ス(8−キノリノール)アルミニウムの構造の素子に、
実施例1と同様の方法によって陰極を形成した。EL素
子を蒸着機から取り出した後、実施例1と同様に通電試
験を行った結果、電圧を6V印加した時、15mA/c
2の電流が流れ、最高輝度12000cd/m2(20
V)のオレンジ色の発光を得た。
Next, an element having a structure of support substrate / ITO / α-NPD / tris (8-quinolinol) aluminum: DCM / tris (8-quinolinol) aluminum
A cathode was formed in the same manner as in Example 1. After the EL element was taken out of the vapor deposition machine, a current-carrying test was performed in the same manner as in Example 1. As a result, when a voltage of 6 V was applied, 15 mA / c was obtained.
m 2 flows, and the maximum luminance is 12000 cd / m 2 (20
V) orange light emission was obtained.

【0073】上記従来例では、最高輝度は本発明の有機
EL素子より大きいが、色度がC.I.E色度座標上で
(X:0.528、Y:0.440)とオレンジ領域で
あるため、青色との2色で白色となってしまう。したが
って、RGB3色を合わせると緑がかった色となり、白
色を得ることができなかった。その結果、上記従来例の
有機EL素子は、フルカラー表示パネル用素子として用
いることができないものであった。
In the above conventional example, the maximum luminance is higher than that of the organic EL device of the present invention, but the chromaticity is C.I. I. Since it is an orange area of (X: 0.528, Y: 0.440) on the E chromaticity coordinates, it becomes white in two colors of blue and blue. Therefore, when the three RGB colors are combined, the color becomes greenish, and white color cannot be obtained. As a result, the conventional organic EL element cannot be used as a full-color display panel element.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機EL
素子は、赤色発光を高輝度、高純度、高効率で得ること
ができるとともに、発光寿命が長く、したがってカラー
表示デバイスの赤色発光素子として有効なものである。
As described above, the organic EL of the present invention
The element can obtain red light emission with high luminance, high purity, and high efficiency, has a long light emission life, and is therefore effective as a red light emitting element of a color display device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る有機EL素子の一例の断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an example of an organic EL device according to the present invention.

【図2】本発明に係る有機EL素子の一例の断面図であ
る。
FIG. 2 is a cross-sectional view of an example of the organic EL device according to the present invention.

【図3】本発明に係る有機EL素子の一例の断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view of an example of the organic EL device according to the present invention.

【図4】本発明に係る有機EL素子の一例の断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view of an example of the organic EL device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明支持基板(ガラス基板) 2 陽極 3 陰極 4 正孔注入層 5 正孔輸送層 6 発光層 7 電子輸送層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent support substrate (glass substrate) 2 Anode 3 Cathode 4 Hole injection layer 5 Hole transport layer 6 Light emitting layer 7 Electron transport layer

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陰極及び陽極を備え、かつ前記一対の電極
間に発光層を含む少なくとも一層の有機薄膜層を有する
有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機
薄膜層の少なくとも一層が、下記構造式(1)で示され
るナフトキノンイミン系化合物を含有することを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化1】 (式中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
くは無置換のアルコキシ基、アリール基、又は、ヒドロ
キシル基を表す。)
1. An organic electroluminescent device comprising a cathode and an anode and having at least one organic thin film layer including a light emitting layer between the pair of electrodes, wherein at least one of the organic thin film layers has the following structural formula (1) An organic electroluminescent device comprising a naphthoquinone imine compound represented by the formula (1). Embedded image (In the formula, R 1 to R 4 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, an aryl group, or a hydroxyl group.)
【請求項2】構造式(1)で示されるナフトキノンイミ
ン系化合物が、4−[4−(ジメチルアミノ)フェニル
イミノ]−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフトキ
ノン又は4−(4―ジメチルアミノ−2−メチルフェニ
ルイミノ)−2−エチルカルバモイル−1,4−ナフト
キノンである請求項1に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
2. The method of claim 1, wherein the naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) is 4- [4- (dimethylamino) phenylimino] -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone or 4- (4-dimethylamino). The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic electroluminescent device is (-2-methylphenylimino) -2-ethylcarbamoyl-1,4-naphthoquinone.
【請求項3】陰極及び陽極を備え、かつ前記一対の電極
間に発光層を含む少なくとも一層の有機薄膜層を有する
有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機
薄膜層の少なくとも一層が、下記構造式(2)で示され
るナフトキノンイミン系化合物を含有することを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化2】 (式中、R1〜R2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
くは無置換のアルコキシ基、アリール基、又は、ヒドロ
キシル基を表す。)
3. An organic electroluminescent device comprising a cathode and an anode and having at least one organic thin film layer including a light emitting layer between said pair of electrodes, wherein at least one of said organic thin film layers has the following structural formula (2) An organic electroluminescent device comprising a naphthoquinone imine compound represented by the formula (1). Embedded image (Wherein, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, an aryl group, or a hydroxyl group.)
【請求項4】構造式(2)で示されるナフトキノンイミ
ン系化合物が、4,8−ビス(4−エチルフェニルアミ
ノ)−1,5−ナフトキノン又は4,8−ビス(4−メ
トキシフェニルアミノ)−1,5−ナフトキノンである
請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. The naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (2) is 4,8-bis (4-ethylphenylamino) -1,5-naphthoquinone or 4,8-bis (4-methoxyphenylamino) The organic electroluminescence device according to claim 3, wherein the organic electroluminescence device is -1,5-naphthoquinone.
【請求項5】発光層が、前記構造式(1)又は(2)で
示されるナフトキノンイミン系化合物を含有する層であ
ることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. The light-emitting layer according to claim 1, wherein the light-emitting layer is a layer containing a naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2). Organic electroluminescent element.
【請求項6】発光層が、500nm〜580nmにEL
スペクトルを持つ緑色、黄色発光材料と、前記構造式
(1)又は(2)で示されるナフトキノンイミン系化合
物とを含有する層であることを特徴とする請求項1〜4
のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
6. The light emitting layer according to claim 5, wherein said light emitting layer has an EL of 500 nm to 580 nm.
5. A layer containing a green or yellow light-emitting material having a spectrum and a naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2).
The organic electroluminescent device according to any one of the above items.
【請求項7】構造式(1)又は(2)で示されるナフト
キノンイミン系化合物を、緑色、黄色発光材料に対して
0.001wt%〜50wt%の範囲で含有することを
特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
7. The method according to claim 1, wherein the naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2) is contained in a range of 0.001 wt% to 50 wt% with respect to the green and yellow luminescent materials. 7. The organic electroluminescence device according to 6.
【請求項8】発光層が、キノリン系金属錯体と、前記構
造式(1)又は(2)で示されるナフトキノンイミン系
化合物とを含有する層であることを特徴とする請求項1
〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
8. The light-emitting layer according to claim 1, wherein the light-emitting layer is a layer containing a quinoline-based metal complex and a naphthoquinone imine-based compound represented by the structural formula (1) or (2).
5. The organic electroluminescent device according to any one of items 1 to 4,
【請求項9】発光層が、ビススチリルアントラセン誘導
体と、前記構造式(1)又は(2)で示されるナフトキ
ノンイミン系化合物とを含有する層であることを特徴と
する請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。
9. The light-emitting layer according to claim 1, wherein the light-emitting layer is a layer containing a bisstyrylanthracene derivative and a naphthoquinone imine compound represented by the structural formula (1) or (2). The organic electroluminescence device according to any one of the preceding claims.
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