JP2000078004A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JP2000078004A
JP2000078004A JP10249305A JP24930598A JP2000078004A JP 2000078004 A JP2000078004 A JP 2000078004A JP 10249305 A JP10249305 A JP 10249305A JP 24930598 A JP24930598 A JP 24930598A JP 2000078004 A JP2000078004 A JP 2000078004A
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JP
Japan
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ring
circuit
output
inverter
conductive wiring
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JP10249305A
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Inventor
Hiroyuki Mizuno
弘之 水野
Hirokazu Aoki
郭和 青木
Koichiro Ishibashi
孝一郎 石橋
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillation circuit supplying the clock of low skew/low jitter and in addition a high speed semiconductor integrated circuit by means of it in the logic circuit and the memory circuit of a micro processor and the like. SOLUTION: A first ring oscillation circuit (OSC11) where plural inventors 110 are connected in a ring form, a second ring oscillation circuit (OSC12) where plural inventors are connected in the ring form a and a conductive wiring are installed. The output of at least one inverter in the first ring oscillation circuit and the output of at least one inverter in the second ring oscillation circuit are connected to the conductive wiring. A switch circuit (SW1112) is arranged in the conductive wiring connecting the output of the first ring oscillation circuit and the output of the second ring oscillation circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は発振回路、およびそ
れを用いた低ジッタ・低スキューなクロック分配系を備
えた半導体集積回路装置に関する。 【0002】 【従来の技術】従来のPLL(Phase locked loop)を使用し
たクロック生成方法は、たとえばアイ・イー・イー・イ
ー、ジャーナル・オブ・ソリッド・ステート・サーキッ
ト、第1599頁から第1607頁、1992年11月号(IEEE JOURNA
L OF SOLID-STATE CIRCUITS、VOL 27、NO 11、 Novembe
r 1992)に記載されている(以下、従来技術Aと記す)。
図2は従来のPLLを用いたクロック生成部の構成を示し
ている。fextは外部から入力される基準クロック信号で
ある。PFDは位相周波数比較器で、CPはチャージポン
プ、LPFはローパスフィルタ、VCO0は電圧制御発振器、D
IVNは1/N分周器、DIV2は1/2分周器、N0はクロッ
ク分配ネットワークを示している。それぞれの詳細回路
は省略する。 【0003】基準クロックfextおよび内部クロックfint
の位相と周波数差が、位相周波数比較器PFDで比較され
て誤差信号UP、DNが出力される。この誤差信号がチャー
ジポンプCPによってアナログ信号に変換され、ローパス
フィルタLPFによって誤差信号の高周波成分が除去され
た後に電圧制御発振器VCO0に発振周波数制御信号VCとし
て入力される。電圧制御発振器VCO0の発振出力は、分周
器DIV2によって半分の周波数でデューティ比が50%の
発振出力fint0に分周され、クロック分配ネットワークN
0に入力される。クロック分配系からのリターン信号fin
tは1/N分周器で分周された後、位相周波数比較器PFD
0に入力される。 【0004】この位相同期ループPLL0によって基準クロ
ックfextと内部クロックfintの位相が同期し、fintの周
波数はfextのN倍になる。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】内部クロックfintの周
波数は年々高くなっており、さらにチップ面積の増加に
ともなってクロック分配ネットワークN0の面積が大きく
なってきている。高速かつ広範囲にクロックを安定して
供給するためには、前記した従来技術では以下のような
問題が生じてくる。 【0006】(1) クロック分配ネットワークの遅延時
間、すなわちfint0とfintの遅延が、1/fintと比較して
相対的に大きくなる。これによってクロック分配ネット
ワークのスキューがクロック分配ネットワークとPLL0を
合わせたクロック分配系全体の性能を律速してしまう。 【0007】また、チップ内のクロック供給範囲を多数
に分割してそれぞれのクロック供給範囲に独立したPLL
を設けるという方法もあるが、この方法の場合、以下の
ような問題がある。 【0008】(2) 一般にPLLは電源ノイズや基板ノイズ
などのノイズに対して弱く、ノイズによってfint0の発
振周波数および位相がゆらぐ(ジッタ)が増加する。チッ
プ内に多数のPLLを設けるということはそれぞれのPLLに
ついてノイズを低減するような配慮をする必要が生じ
る。 【0009】(3) 多数のPLLの全面積がチップ全体の面
積に影響を与える。課題(2)を配慮することで、各々のP
LLの面積はさらに増加する。 【0010】(4) 独立したクロック供給範囲間でのクロ
ックスキューは、それぞれのクロック供給範囲内のスキ
ューをTskewL、PLLのジッタをTjitter、各PLLまでの基
準クロックのスキューをTskewGとすると、TskewG+2*Tsk
ewL+2*Tjitterとなり、非常に大きくなる。 【0011】本願の発明者らは、以上のような問題点に
着目し、その解決策として先に 特願平09-232052号を
出願した。また、さらに検討を深めた結果、当該解決策
によるとPLLを多数設けるために、原理的に消費電力が
増加するという課題を見いだした。 【0012】 【課題を解決するための手段】(1) 複数のインバータが
多段にリング状に接続された少なくとも二つのリング発
振回路と、導電性配線からなる発振回路において、各リ
ング発振回路中の一つの少なくとも一つのインバータの
出力を導電性配線に接続する。 【0013】(2) 複数のインバータが多段に接続された
少なくとも二つのディレイラインと、導電性配線からな
るデレイライン回路において、各ディレイライン中の一
つの少なくとも一つのインバータの出力を該導電性配線
に接続する。 【0014】(3) 導電性配線をリング状あるいはメッシ
ュ状に形成してもよい。 【0015】(4) さらに、リング発振器/ディレイライ
ンが導電性配線に等間隔に接続してもよい。 【0016】(5) また、リング発振器/ディレイライン
が導電性配線に接続されている間隔の少なくとも一つが
50μm以上にしてもよい。 【0017】(6) 以上のようにして、リング発振器/デ
ィレイラインを同一の周波数で発振させる。 【0018】(7) 以上(1)-(6)の手段によって得られた
発振回路/ディレイラインの導電性配線にクロック分配
系を接続し、電圧制御発振回路構成にする。 【0019】(8) (7)の手段で得られた電圧制御発振回
路と位相周波数比較器とチャージポンプ回路とローパス
フィルタを用いてPLLあるいはDLLを構成する。 【0020】(9) (8)の手段で得られたPLLあるいはDLL
を用いて半導体集積回路中の論理回路やメモリ回路にク
ロックを供給する。 【0021】携帯情報機器などに適用した場合、低消費
電力化に考慮することが望ましく、そのような場合には
以下のような構成が好適である。すなわち、複数のイン
バータがリング状に接続された第1のリング発振回路
と、複数のインバータがリング状に接続された第2のリ
ング発振回路と、導電性配線を有し、第1のリング発振
回路の少なくとも一つのインバータの出力と、第2のリ
ング発振回路の少なくとも一つのインバータの出力が、
導電性配線に接続され、第1のリング発振回路の出力と
第2のリング発振回路の出力とを結ぶ導電性配線中に、
スイッチ回路を有する。このようにすることで、機器の
動作に不必要なリング発振回路の発振を停止することが
でき、消費電力を低減することができる。 【0022】また、複数のインバータがリング状に接続
された第1のリング発振回路と、複数のインバータがリ
ング状に接続された第2のリング発振回路と、導電性配
線を有し、第1のリング発振回路の少なくとも一つのイ
ンバータの出力と、第2のリング発振回路の少なくとも
一つのインバータの出力が、導電性配線に接続され、導
電性配線に接続されるインバータの負荷駆動能力が、リ
ング発振回路の他のインバータの負荷駆動能力より大き
くなるようにする。このように、駆動力が必要なインバ
ータを優先的に大きく構成し、その他を小さいインバー
タとすることで、全体の消費電力を低減することができ
る。 【0023】 【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の具体
的な実施例を説明する。 【0024】図1は本発明の発振器の接続形態を示す概
念図である。OSC1〜OSCnはリング発振器で、それぞれの
リング発振器はインバータ110〜11m、120〜12m、1n0〜1
nmによって構成されている。リング発振器の発振ノード
の一つはノード101〜10nにそれぞれ接続されており、ノ
ード101〜10nの隣会うノード同士がリング状に接続され
ている。ここで、隣会うノード間の距離(例えばノード1
01とノード102の距離)は全てほぼ等しい距離lである。
インバータ110〜11m、120〜12m、1n0〜1nmは特に限定し
ないが、CMOSインバータでも良い。簡単のため以下図1
の説明にはCMOSインバータを用いることとする。 【0025】それぞれのリング発振器OSC1〜OSCnの発振
ノード同士が接続されているために、リング発振器OSC1
からOSCnは同一位相/周波数で発振する。 【0026】図3(A)にリング発振器の数が4つの場合の
回路シミュレーション波形を示す。横軸は時間、縦軸が
各ノードの電圧を表し、図中でV(x)はノードxの電位を
表す。シミュレーションで使用したトランジスタはゲー
ト長Lgが0。25μmのCMOSで、インバータ110〜11m、120
〜12m、1n0〜1nmは全て同一インバータ(PMOSのゲート幅
Wpが10μm、NMOSのゲート幅Wnが5μm)とした。電源電圧
は1。8V、ノード間距離lは3mm、時間0nsで各ノード101
〜104は異なる電位を初期値としてもっている状態を仮
定した。時刻0nsでは異なる位相をもっているにもかか
わらず、時刻0nsからしばらくした定常状態ではリング
発振器OSC1からOSC4が同一位相/周波数で発振している
ことが分かる。 【0027】このような構成により、距離lだけ離れた
リング発振器同士を同一の位相/周波数で発振させるこ
とができる。距離lは1μmでもいいし、10mmでもよい。
その長さによらないという利点がある。 【0028】前記では図1の隣会うノード間の距離は全
て等しい距離lとしたが、かならずしも等しい距離でな
くてもよい。その場合定常状態では、それぞれのリング
発振器は同一周波数にはなるが、同一位相にならない。
それぞれのリング発振器は位相δ1〜δnを保って同期し
て発振する(隣会うノード間の距離は全て等しい距離lで
あれば、δ1 = δ2 = ... = δnとなる)。 【0029】また、図3では各リング発振器を構成して
いるインバータ110〜11m、120〜12m、1n0〜1nmは同じも
ので構成したが、かならずしも同じである必要はない。
同じでなければ前記と同じように定常状態では、それぞ
れのリング発振器は同一周波数にはなるが、同一位相に
ならない。それぞれのリング発振器は位相δ1〜δnを持
って同期して発振する。逆に、この位相δ1〜δnは各リ
ング発振器のインバータの種類(負荷駆動能力等)を調整
することで変化できる。この性質を利用して、隣会うノ
ード間の距離を全て等しい距離lにしなくても、各リン
グ発振器のインバータの種類を調整することで、各リン
グ発振器の位相δ1〜δnを同一位相に調整することがで
きる。 【0030】一般にインバータ11m〜1nmはノード101〜1
0nおよびそれらを接続している配線を駆動する必要があ
るため比較的大きな負荷駆動能力(CMOSの場合にはゲー
ト幅を大きくする)が必要である。したがって、例えば
インバータ110、 111、...11mの順で負荷駆動能力を
大きくすれば低消費電力化に効果的である。 【0031】さらに、各リング発振器で、インバータの
段数は同じでなくてもよい。各リング発振器の固有発振
周波数がある程度同じであれば、本発明の構成により定
常状態でそれぞれのリング発振器を同一周波数で位相δ
1〜δnを保って同期させて発振させることが可能である
次に、本発明の発振器に電源電圧変動や基板電圧変動な
どのノイズが加わった場合の特性について記述する。 【0032】図3(B)はリング発振器OSC1だけが他のリン
グ発振器とは異なる電源電圧を持っているときの回路シ
ミュレーション波形である。リング発振器OSC1の電源電
圧は2。0Vで、その他の条件は図3(A)のシミュレーショ
ンの時と同じである。時刻0nsからしばらくした定常状
態ではリング発振器OSC1からOSC4がほぼ同一位相/周波
数で発振していることが分かる。 【0033】多数のリング発振器で構成されている本発
明の発振器のうち、数個のリング発振器の電源電圧が変
動しても発振器全体の位相/周波数がほとんど変化しな
い(電源電圧変動や基板電圧変動がない定常状態で、各
リング発振器が位相δ1〜δnを持っている場合には電源
電圧変動や基板電圧変動に対してその位相を保つ働きを
する)という特徴をもつ。 【0034】リング発振器に加わった電源電圧変動が他
のリング発振器の電源電圧に影響しないように構成すれ
ばこの効果はより大きくなる。一般に集積回路内で発生
する電源電圧変動はその場所が局所的であるため、複数
のリング発振器で電源を共有している場合には、距離l
が長ければ長いほどよい。さらに、それぞれのリング発
振器で電源をなるべく共有しないようにすればよい。た
とえばそれぞれのリング発振器に別々の電源電圧発生装
置あるいは電源電圧安定装置を用いてもよい。 【0035】以上、電源電圧変動に関する本発明の効果
を示したが、これは基板電圧変動についても同様のこと
がいえる。 【0036】図4は上記本発明の耐ノイズ性を活かした
例である。図1と比較すると、各リング発振器OSC1〜OSC
nを二つのリング発振器ペア{OSC1a、OSC1b}〜{OSCna、
OSCnb}で構成している点が大きな違いである。さ
らにそのリング発振器ペアの電源は異なる電源VDD1
a〜VDDnaおよびVSS1a〜VSSnaとVDD1b〜VDDnbおよびVSS
1b〜VSSnbに接続している。 【0037】電源VDD1a〜VDDnaおよびVSS1a〜VSSnaと電
源VDD1b〜VDDnbおよびVSS1b〜VSSnbに同時に電源電圧変
動等のノイズが乗る確率はノイズの局所性により低いの
で、電源電圧変動や基板電圧変動等によって生じるノー
ド400〜40nの発振周波数および位相の変動を小さくする
ことができる。 【0038】前記した効果は、電源電圧変動を抑えるた
めに電源間に挿入されるいわゆるパスコン(バイアスコ
ンデンサ)の効果に似ている。パスコンは、ノイズがな
い状態が一定電位(電源電圧という電位)である信号にお
いて、ノイズがある場合にその電位を保つように働く。
それに対して、本発明の発振器は、ノイズがない定常状
態が一定の発振周波数/位相である信号において、ノイ
ズがある場合にその周波数/位相を保つように働く。 【0039】図1から図4までの例では、シングルエンド
入出力のインバータを用いているが、図5のように差動
入出力をもつ差動インバータOSC1d〜OSCnd(差動インバ
ータの詳しい回路例は従来例AのFig。11に記載されてい
るため省略する)を用いてもよい。この場合、差動イン
バータの場合には発振出力は正論理出力と負論理出力を
持つので、図1のノード101〜10nに相当するものは、ノ
ード{501a、501b}〜{50na、50nb}のようにデュアルレー
ルになる。 【0040】また、図1から図5までの例では、各リング
発振器同士はその発振ノードのうち、ある一つのノード
同士で接続されているが、図6のように各リング発振器
の複数の発振ノード(違う位相のを持つ)を用いて接続し
てもよい。図6では二つのノード601a〜60naと601b〜60n
bをそれぞれ接続している。図1の接続形態の場合と比較
してより各リング発振器間のカップリングが増加するの
で耐ノイズ性が増加する。 【0041】さらに、図7、図8は図1の例とは別の接続
形態の実施例である。図7は図1の例と比較すると、リン
グ発振器OSC1とリング発振器OSCn間を直接接続している
配線がないのが特徴である。この場合、ノード101〜10n
の隣会うノード間の距離が全て等しい距離lで、各リン
グ発振器OSC1からOSCnが全て同一の特性のものであって
も、各リング発振器OSC1〜OSCnは同一周波数にはなる
が、同一位相にならない。それぞれのリング発振器は位
相δ1〜δnを保って同期して発振する。位相δ1〜δnを
同じにするには、隣会うノード間の距離を調整すること
でも可能であるが、各リング発振器OSC1からOSCnの種類
(負荷駆動能力等)を調整しても可能である。例えば両端
のリング発振器OSC1とOSCnの負荷駆動能力を他のリング
発振器の半分にすればよい。 【0042】図8はn×qのメッシュ状にリング発振器を
接続した例である。その他さまざまな接続形態が考えら
れるが、いかなる接続形態でも各リング発振器が同期し
て発振すればよい。要は複数の固有発振周波数がほぼ同
じの発振器を接続し、その発振器同士が同一周波数で発
振するように各リング発振器同士のノードを接続すれば
よい。図1から図4までの例と同様の効果が得られる。以
下の例では簡単のため図1の実施例を使って本発明の発
振器を使った実施例を示す。 【0043】図9は本発明の発振器を用いて、複数の論
理回路にクロックを供給している例である。LOG1〜LOGn
は論理回路で、711〜71nはバッファである。図1と比較
すると図1のノード101〜10nに相当するノード701〜70n
にバッファ711〜71nが接続され、その各出力721〜72nが
各論理回路LOG1〜LOGnに供給されている。前述のように
ノード701〜70nまでは同一周波数、同一位相(前述のよ
うに位相δ1〜δnを持つ場合もあるが、ここでは簡単の
ため図7は同一位相を持つ条件に接続されているものと
する)で発振する。論理回路LOG1〜LOGnにスキューが零
のクロックを供給することができる。さらに、前述のよ
うに耐ノイズ性があるため。ジッタの小さいクロックを
供給することができる。もちろん、バッファ711〜71nは
無くてもよいことは言うまでない。バッファ711〜71nが
あれば論理回路LOG1〜LOGnから発振器へのノイズの伝搬
を抑えることができる。 【0044】またノイズがある場合のノード701〜70nの
スキューは、図3(B)から分かるようにノードの電位が変
化してからある程度時間がたってからの方が小さい。し
たがって、ノード701〜70nに接続するバッファ711〜71n
をシュミット入力にした方がよい。バッファ711〜71nの
出力のスキューをより小さくできる。 【0045】図9の例では各論理回路に供給するクロッ
ク721〜72nを、各バッファ711〜71nの遅延時間を調整す
ることで、各論理回路LOG1〜LOGnに入力されるクロック
721〜72nの位相を個別に遅らせる方向で調整できる。 【0046】図10はさらに各論理回路に供給するクロッ
ク721〜72nの位相を早める方向の調整を可能にした例で
ある。各リング発振器同士を接続している発振ノード80
1〜80nと異なる発振ノード{831a、831b、831c、...}
〜{81na、83nb、83nc、...}を選択してバッファ711
〜71nに接続している。例えば発振ノード831aは発振ノ
ード801よりもインバータ1段分早い位相(リング発振器
が同一インバータp段で構成されているとすれば、360/p
度位相が早いことになる)で発振している。したがっ
て、この発振ノードからバッファ711を用いて論理回路L
OG1にクロックを供給すれば、発振ノード801からバッフ
ァを通してクロックを生成している論理回路よりも早い
位相のクロックを得ることができる。 【0047】図11は本発明の発振器をPLLの電圧制御発
振器(VCO)に使用した例である。VCO1〜VCOnは電圧制御
発振器、fint1〜fintnはその出力。901〜90nはバッフ
ァ、N1〜Nnはクロック分配ネットワークである。図7の
実施例と比較すると、リング発振器OSC1〜OSCnが電圧制
御発振器VCO1〜VCOnになり、その発振周波数制御信号VC
をPLL構造で制御しPLL1を構成している。また、バッフ
ァ901〜90nの出力であるグローバルクロック911〜91nは
クロック分配ネットワークN1〜Nnに接続されている。 【0048】電圧制御発振器VCO1〜VCOnの接続形態は簡
単のため図1の例の方法を用いたが、図4から図8までで
示した方法でもよい。また、図11の例では図2のものと
比較すると1/2分周器DIV2に相当するものが省略され
ているが、必要であればバッファ901〜90nの前段あるい
は後段に接続すればよい。 【0049】図12にVCO1〜VCOnの回路例を示す。図12
(A)はシングルエンドの入出力を持つインバータ1000〜1
00mで構成した場合の例である。それぞれのインバータ
の遅延時間が発振周波数制御信号VCの値によって変化す
ることで、発振出力fint1の発振周波数が発振周波数制
御信号VCの値によって変化する(インバータの詳しい回
路例は従来例AのFig。4に記載されているため省略す
る)。一方、図12(B)は差動入出力を持つ差動インバータ
1010〜101mで構成した場合の例である。図12(A)と同様
にそれぞれの差動インバータの遅延時間が発振周波数制
御信号VCの値によって変化することで、発振出力fint
1、/fint1の発振周波数が発振周波数制御信号VCの値に
よって変化する(差動インバータの詳しい回路例は従来
例AのFig。11に記載されているため省略する)。 【0050】図13は図11のクロック分配ネットワークN1
の詳細図である。1100〜110kはクロック分配線で、1110
〜111kはローカルバッファである。1100〜110kのクロッ
ク分配線のそれぞれの長さは、グローバルクロック911
からローカルバッファ1110〜111kまでのそれぞれの長さ
が等しくなるようにチップレイアウト上に配線する。し
たがって、ローカルバッファ1110〜111kの特性が完全に
同一で(以下、マッチングがとれていると記す)、さらに
ノイズがない場合には、ローカルクロック出力out1〜ou
tkのスキューは零となる。 【0051】電圧制御発振器VCO1〜VCOnは同一の発振周
波数制御信号VCが供給されているので、前述のように、
その発振出力fint1からfintnは同一周波数/同一位相
(図8までで記述したように位相δ1〜δnを持つ場合もあ
るが、ここでは簡単のため各電圧制御発振器VCO1〜VCOn
は同一位相を持つ条件に接続されているものとする)で
発振する。したがって、ローカルクロック出力out1〜ou
tkが同一周波数、同一位相で発振する。さらに、図10ま
での例の効果と同様の耐ノイズ性が得られるため、電源
電圧変動や基板電圧変動によるスキュー/ジッタの増加
が小さい。 【0052】図14は図11のPLLを、半導体集積回路装置
の中でもPLLへの性能要求が厳しいマイクロプロセッサ
に用いた例である。 【0053】1200がマイクロプロセッサで、1201〜1203
が論理回路ブロック、1211〜1213が図11のクロック分配
ネットワークに相当するものである。論理回路ブロック
の機能は特に限定しない。演算器等を内蔵したデータパ
スでもよいし、キャッシュ等のメモリ、あるいはそのコ
ントローラでもよい。 【0054】PLL1からはグローバルクロック1231〜1233
が出力される。そのグローバルクロック1231〜1233は、
クロック分配ネットワーク1211〜1213によって各論理回
路ブロック内でローカルクロック1241に分配される。最
後にそのローカルクロック1241がラッチ1220等の回路の
クロック入力部に供給される。 【0055】図11の例と同様、ローカルクロック1241
は、電源電圧変動や基板電圧変動によるスキュー/ジッ
タの増加が小さい。また、PLL1内の電圧制御発振器VCO1
〜VCOnをチップ内で分散させ、担当する論理回路ブロッ
クの近くに配置することで、電圧制御発振器VCO1〜VCOn
のクロック出力から、そのクロック出力を使用するラッ
チ等の回路までの経路(図14ではグローバルクロック123
1、クロック分配ネットワーク1211、ローカルクロック1
241)が短くできる。経路が短くなるとその間の遅延時間
を小さくできるため、その経路で発生したスキューやジ
ッタがクロック分配系全体の性能に与える影響を小さく
できる。 【0056】チップ内のクロック供給範囲を多数に分割
し、それぞれのクロック供給範囲に独立したPLLを設け
るという方法(以下、マルチPLL方式と呼ぶ)では、独立
したクロック供給範囲間でのクロックスキューは、それ
ぞれのクロック供給範囲内のスキューをTskewL、PLLの
ジッタをTjitter、各PLLまでの基準クロックのスキュー
をTskewGとすると、TskewG+2*TskewL+2*Tjitterとな
る。本発明の方法では、PLL1が出力するグローバルクロ
ックのジッタをTjitterNとし、クロック分配ネットワー
ク1211〜1213のスキューをTskewLNとすると、クロック
スキューは2*TskewLN+TjitterNとなる。仮に TskewL =
TskewLN としても本発明の方法の方がクロックスキュー
を小さくできる。実際には前述のように本発明のPLLは
TjitterN < Tjitter なので本発明の方法はクロックス
キューを大幅に削減できる。 【0057】またさらに、マルチPLL方式よりも多数のV
COをチップ内に分散させて同期させる本発明方式の方が
チップ面積を小さくできる。 【0058】以上の実施例ではPLL方式を用いて外部ク
ロックと内部クロックを同期させる例を示したが、ディ
レイド・ロックド・ループ(DLL)方式を用いてもよい。
例えば図1におけるリング発振器をディレイラインで置
換して構成することで本発明を適用することは容易であ
る。図15にその例を示す。さらに図16には図15のディレ
イラインを可変遅延ディレイラインにしてDLLを構成し
た例を示す。図11と比較すると、可変遅延ディレイライ
ンVDL1〜VDLnに基準クロックfextが入力されている点が
大きく異なる。その他、図15の実施例を図2から図14で
示した例に適用できることは自明である。 【0059】以上の実施例では一つのチップ内部での本
発明を適用したケースであるが、これを複数のチップか
らなる、半導体集積回路装置の実施例にも拡張すること
は自明である。例えば図14における各論理回路ブロック
とそれを担当する電圧制御発振器VCOをそれぞれ別のチ
ップで構成したり、図1でそれぞれのリング発振器をそ
れぞれ別のチップで構成するケースで本発明を適用する
ことは容易である。 【0060】また、以上の実施例では低消費電力化のた
めのいわゆるゲーティットクロック等の方法を適用した
実施例を示していないが、例えば図10のバッファ711〜7
1nをゲート回路に変更して構成するケースで本発明を適
用することは容易である。その他さまざまな方法がある
が、特にその方法は限定しない。 【0061】以上の例では複数のインバータが多段にリ
ング状に接続されたリング発振回路を用いたが、その構
成は特に限定しない。また、リング発振回路でなくても
発振回路であればよい。その発振回路の発振周波数およ
び位相がその発振回路の発振出力を入出力線として用い
て調整でき、前記のようにその発振回路を複数接続する
ことで複数の発振回路が同期して発振すればよい。 【0062】また、以上の例では本発明を実現する半導
体プロセスおよびトランジスタの構造等は特に規定しな
い。CMOSプロセスでもよいし、SOIウエハを用いたSOIト
ランジスタを用いてもよい。電源電圧およびその種類に
ついても特に限定しない。 【0063】以上で示した例においては、発信器を複数
備えるために、消費電流の低減に配慮することが望まれ
る。図1においてインバータ11m〜1nmはノード101〜10n
およびそれらを接続している配線を駆動する必要がある
ため比較的大きな負荷駆動能力(CMOSの場合にはゲート
幅を大きくする)が必要である。したがって、インバー
タ11m〜1nmの負荷駆動能力を大きくし、その他のインバ
ータを小さく押さえれば低消費電力化に効果的である。 【0064】低消費電力化に配慮した他の方法として、
複数の発信器のうち一部のみを動作させるように制御す
ることが考えられる。次に本発明で使用した多数の発振
器のうち、一部だけを動作させる方法を図17に示す。 【0065】図17は図8のn×qのメッシュ状にリング発
振器を接続した実施例で、各リング発振器同士を接続し
ている配線にスイッチを接続している。このスイッチは
特に限定しないが例えば同図の下側に示しているような
CMOSスイッチでよい。 【0066】全てのリング発振器を動作させるときに
は、全てのスイッチを導通状態にする。一方、例えばリ
ング発振器OSC11、OSC12、OSC21、OSC22だけを動作さ
せ、他のリング発振器を動作させたくない時にはスイッ
チSW1213、SW2223、SW2232、SW2131を非導通状態にす
る。スイッチSW1213、SW2223、SW2232、SW2131を非導通
状態にすることで動作していないリング発振器の影響が
リング発振器OSC11、OSC12、OSC21、OSC22の動作に及ぼ
すことがなくなる。例えば一部の回路にだけクロックを
供給して消費電力を下げたいときに、本発明の構成およ
び制御方法を用いることができる。 【0067】いままでの例ではリング発振器の周波数に
ついては、発振周波数制御信号VCによって制御されるこ
とを前提にしてきたが、外部から入力されるクロックに
よって決定するような発振器でもよい。これは例えばPL
L構造にすれば実現できる。 【0068】図18は図8の例にこれを適用したものであ
る。各PLL11〜PLLqnは外部からクロックを入力してい
る。図8の例と比較すると、OSC11〜OSCqnの代わりにPL
L11〜PLLqnを使用している。また、PLL11〜PLLqnの端子
は入力端子と出力端子の2端子があるが、両端子とも図
8のようにメッシュ導電体配線につながっている。PLL1
1〜PLLqnの出力端子につながっているメッシュ導電体配
線は図8と同様に各PLL11〜PLLqnの出力端子の位相を合
わせるために用いている。一方、PLL11〜PLLqnの入力端
子につながっているメッシュ導電体配線は、基準クロッ
ク入力用のものである。基準クロックは各PLL11〜PLLqn
に同じ電位で分配されればよいので、特に図18の形状
には限定されるものではない。 【0069】各PLL11〜PLLqnに供給される基準クロック
の位相が各PLL11〜PLLqnの入力端子位置で多少異なって
も、図18までで述べた本発明の効果によりPLL11〜PLL
qnの出力端子の位相誤差は小さくなる。図8の実施例で
は発信周波数制御信号VCチップを全体に分配する必要が
あるが、図18の実施例ではその必要がなく、基準クロ
ックを分配するだけでよい。基準クロックの分配は従来
から一般に用いられているクロック分配の手法を用いれ
ばよく、用意に実現できるという利点がある。この場
合、本発明の主な利点は分配された位相誤差を含む基準
クロックから、より誤差の少なく耐ノイズ性のあるクロ
ックを生成できるということである。 【0070】図19は各PLLPLL11〜PLLqnの一例である。
図19で使用している記号は図2のものと同様であるため
ここでは説明を省略する。 【0071】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によればマ
イクロプロセッサ等の論理回路やメモリ回路に、低スキ
ュー・低ジッタのクロックを供給することが可能とな
り、さらにそれによって高速な半導体集積回路装置が実
現できる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit and an oscillation circuit.
Low jitter and low skew clock distribution system
And a semiconductor integrated circuit device. [0002] A conventional PLL (Phase locked loop) is used.
The clock generation method used is, for example, IEE
ー, Journal of Solid State Circuit
Pp. 1599--1607, November 1992 (IEEE JOURNA
L OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL 27, NO 11, Novembe
r 1992) (hereinafter referred to as prior art A).
FIG. 2 shows the configuration of a clock generation unit using a conventional PLL.
ing. fext is a reference clock signal input from outside
is there. PFD is a phase frequency comparator, CP is a charge pump
LPF is a low-pass filter, VCO0 is a voltage controlled oscillator, D
IVN is 1 / N divider, DIV2 is 1/2 divider, N0 is clock
Figure 2 shows a network distribution network. Each detailed circuit
Is omitted. [0003] Reference clock fext and internal clock fint
Phase and frequency difference are compared by the phase frequency comparator PFD.
As a result, error signals UP and DN are output. This error signal
Converted to analog signal by dipump CP, low-pass
The high frequency component of the error signal is removed by the filter LPF.
After that, the oscillation frequency control signal VC is supplied to the voltage controlled oscillator VCO0.
Is entered. The oscillation output of the voltage controlled oscillator VCO0 is divided
DIV2, 50% duty ratio at half frequency
The frequency is divided by the oscillation output fint0 and the clock distribution network N
Entered as 0. Return signal fin from clock distribution system
t is frequency-divided by a 1 / N divider, and then phase-frequency comparator PFD
Entered as 0. The phase locked loop PLL0 provides a reference clock.
The clock fext and the internal clock fint synchronize in phase, and the
The wave number is N times fext. [0005] The frequency of the internal clock fint
Wave number is increasing year by year, and chip area is increasing
As a result, the area of the clock distribution network N0 is large
It has become to. Fast and stable clocks over a wide range
In order to supply, in the above-mentioned prior art,
Problems arise. (1) When the clock distribution network is delayed
The delay between fint0 and fint, compared to 1 / fint
Relatively large. This allows the clock distribution net
Skew of work is clock distribution network and PLL0
The performance of the combined clock distribution system is limited. In addition, a large number of clock supply ranges within a chip are required.
Independent PLL for each clock supply range
There is also a method to provide, but in this method, the following
There is such a problem. (2) Generally, PLL is a power supply noise and a board noise.
Weak against noise such as fint0
The vibration frequency and phase fluctuate (jitter). Chip
Providing a large number of PLLs in a loop means that each PLL
Needs to be considered to reduce noise
You. (3) The total area of a large number of PLLs is the entire chip surface
Affects the product. Considering issue (2), each P
The area of LL further increases. (4) Clocks between independent clock supply ranges
The skew is determined by the scan within the clock supply range.
To TskewL, PLL jitter to Tjitter, and PLL
If the skew of the quasi-clock is TskewG, TskewG + 2 * Tsk
It becomes ewL + 2 * Tjitter and becomes very large. [0011] The inventors of the present application have solved the above problems.
Focusing on this, as a solution,
Filed. In addition, as a result of further study,
According to the report, since many PLLs are provided,
I found the problem of increasing. Means for Solving the Problems (1) A plurality of inverters
At least two rings connected in a multistage ring
In the oscillation circuit consisting of the oscillation circuit and the conductive wiring,
Of at least one inverter in the
Connect the output to conductive wiring. (2) A plurality of inverters are connected in multiple stages
At least two delay lines and conductive wiring
In the delay line circuit, one of the delay lines
The output of at least one inverter to the conductive wiring
Connect to (3) Ring-shaped or meshed conductive wiring
It may be formed in the shape of a push. (4) Further, a ring oscillator / delay line
May be connected to the conductive wiring at equal intervals. (5) Ring oscillator / delay line
Is connected to the conductive wiring at least one of the intervals
It may be 50 μm or more. (6) As described above, the ring oscillator / data
The oscillating array lines oscillate at the same frequency. (7) Obtained by means of the above (1)-(6)
Clock distribution to conductive wiring of oscillation circuit / delay line
The system is connected and a voltage-controlled oscillation circuit is configured. (8) The voltage controlled oscillation circuit obtained by the means of (7)
Circuit, phase frequency comparator, charge pump circuit and low pass
Configure a PLL or DLL using filters. (9) PLL or DLL obtained by means of (8)
Logic circuits and memory circuits in semiconductor integrated circuits using
Supply lock. Low consumption when applied to portable information equipment, etc.
It is desirable to consider the power, in such a case
The following configuration is suitable. That is, multiple
First ring oscillation circuit in which barters are connected in a ring shape
And a second relay in which a plurality of inverters are connected in a ring.
A first ring oscillation circuit having a ring oscillation circuit and conductive wiring
An output of at least one inverter of the circuit and a second
The output of at least one inverter of the
Connected to the conductive wiring, and connected to the output of the first ring oscillation circuit.
In the conductive wiring connecting to the output of the second ring oscillation circuit,
It has a switch circuit. In this way, the equipment
Oscillation of the ring oscillation circuit unnecessary for operation can be stopped.
Power consumption can be reduced. A plurality of inverters are connected in a ring.
The first ring oscillator circuit and the plurality of inverters
A second ring oscillation circuit connected in a ring shape,
At least one of the first ring oscillator circuit
The output of the inverter and at least the second ring oscillator circuit
The output of one inverter is connected to conductive wiring and
The load drive capability of the inverter connected to the
Greater than the load drive capability of other inverters
So that it becomes In this way, an inverter that requires a driving force
Data with large priority and the other small
The overall power consumption can be reduced.
You. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
Examples will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing a connection configuration of an oscillator according to the present invention.
It is a reminder. OSC1 to OSCn are ring oscillators.
Ring oscillator is inverter 110 ~ 11m, 120 ~ 12m, 1n0 ~ 1
Consists of nm. Oscillation node of ring oscillator
Are connected to nodes 101 to 10n, respectively.
Nodes 101 to 10n that are adjacent to each other are connected in a ring
ing. Here, the distance between neighboring nodes (for example, node 1
(Distance between 01 and node 102) are all approximately equal distance l.
Inverters 110-11m, 120-12m, 1n0-1nm are not particularly limited
No, but a CMOS inverter may be used. Figure 1 below for simplicity
In the description, a CMOS inverter will be used. Oscillation of each ring oscillator OSC1 to OSCn
Because the nodes are connected, the ring oscillator OSC1
OSCn oscillates at the same phase / frequency. FIG. 3A shows a case where the number of ring oscillators is four.
4 shows a circuit simulation waveform. The horizontal axis is time, and the vertical axis is
In the figure, V (x) indicates the potential of node x.
Represent. The transistors used in the simulation are
CMOS with a length Lg of 0.25 μm, inverters 110 to 11 m, 120
~ 12m, 1n0 ~ 1nm are all the same inverter (PMOS gate width
Wp was 10 μm, and the NMOS gate width Wn was 5 μm). Power-supply voltage
Is 1.8 V, the distance l between nodes is 3 mm, and each node 101 at 0 ns.
~ 104 temporarily assume that different potentials are used as initial values.
Specified. Does it have a different phase at time 0ns?
However, in the steady state after a while from time 0ns, the ring
Oscillator OSC1 to OSC4 oscillate at the same phase / frequency
You can see that. With such a configuration, the distance l
Oscillating ring oscillators with the same phase / frequency
Can be. The distance l may be 1 μm or 10 mm.
There is an advantage that it does not depend on its length. In the above, the distance between adjacent nodes in FIG.
Equal distance l, but not always equal distance
You may not. In that case, in steady state, each ring
The oscillators have the same frequency but not the same phase.
Each ring oscillator is synchronized while maintaining the phases δ1 to δn.
Oscillate (the distance between neighboring nodes is all the same distance l
If so, δ1 = δ2 =. . . = δn). FIG. 3 shows the configuration of each ring oscillator.
Inverters 110 ~ 11m, 120 ~ 12m, 1n0 ~ 1nm are the same
Therefore, it is not always necessary to be the same.
Otherwise, in the steady state as before,
These ring oscillators have the same frequency but the same phase.
No. Each ring oscillator has phases δ1 to δn.
And oscillate synchronously. Conversely, the phases δ1 to δn
The type of inverter (load drive capability, etc.)
Can be changed. Utilizing this property,
Even if the distances between the
By adjusting the inverter type of the
It is possible to adjust the phases δ1 to δn of the
Wear. Generally, inverters 11m-1nm are connected to nodes 101-1
0n and the wiring connecting them must be driven
Therefore, relatively large load drive capability (for CMOS,
To increase the width). So, for example,
Inverters 110, 111,. . . Load driving capacity in the order of 11m
Increasing the value is effective in reducing power consumption. Further, in each ring oscillator, an inverter
The number of stages may not be the same. Natural oscillation of each ring oscillator
If the frequencies are somewhat the same, it is determined by the configuration of the present invention.
Under normal conditions, each ring oscillator has the same frequency and phase δ
It is possible to synchronize and oscillate while keeping 1 ~ δn
Next, the oscillator of the present invention is not affected by power supply voltage fluctuation and substrate voltage fluctuation.
Describe the characteristics when any noise is added. FIG. 3B shows that only the ring oscillator OSC1 has the other
Circuit oscillator when the power supply voltage differs from that of the
It is a simulation waveform. Power supply for ring oscillator OSC1
The pressure was 2.0 V, and the other conditions were the simulations in Fig. 3 (A).
It is the same as when Steady state after time 0ns
State, the ring oscillators OSC1 to OSC4 have almost the same phase / frequency
It can be seen that oscillation occurs by the number. The present invention comprising a number of ring oscillators
Power supply voltage of several ring oscillators
Operation, the phase / frequency of the entire oscillator hardly changes.
(In a steady state where there is no power supply voltage fluctuation or board voltage fluctuation,
Power supply if ring oscillator has phases δ1-δn
Function to maintain the phase against voltage fluctuation and substrate voltage fluctuation
). The power supply voltage fluctuation applied to the ring oscillator
So that it does not affect the power supply voltage of the ring oscillator.
The effect of the tobacco is greater. Generally occurs in integrated circuits
Power supply voltage fluctuations are local because
If the power is shared by the ring oscillators, the distance l
The longer the better. In addition, from each ring
What is necessary is just to avoid sharing power as much as possible with a shaker. Was
For example, separate power supply voltage generators for each ring oscillator
Alternatively, a power supply or power supply voltage stabilizer may be used. As described above, the effect of the present invention on power supply voltage fluctuation
The same applies to substrate voltage fluctuations.
Can be said. FIG. 4 shows the noise resistance of the present invention.
It is an example. Compared to FIG. 1, each ring oscillator OSC1 to OSC
n is a pair of two ring oscillators {OSC1a, OSC1b} to {OSCna,
The major difference lies in that it is composed of OSCnb #. Sa
Furthermore, the power supply of the ring oscillator pair is different power supply VDD1.
a to VDDna and VSS1a to VSSna and VDD1b to VDDnb and VSS
Connected to 1b to VSSnb. The power supplies VDD1a to VDDna and VSS1a to VSSna
The power supply voltage changes to the power supplies VDD1b to VDDnb and VSS1b to VSSnb simultaneously.
The probability that noise such as motion gets on is low due to the locality of noise.
In this case, noise caused by fluctuations in power supply voltage, substrate voltage, etc.
The fluctuations of the oscillation frequency and phase between 400 and 40n
be able to. The above-described effect is obtained by suppressing power supply voltage fluctuation.
A so-called bypass capacitor (bias capacitor)
Similar to the effect of The decap is noisy
Signal is a constant potential (potential called power supply voltage).
And works to maintain the potential when there is noise.
In contrast, the oscillator of the present invention has a steady state with no noise.
For signals whose state is a constant oscillation frequency / phase,
Works to maintain the frequency / phase when there is noise. In the examples of FIGS. 1 to 4, the single-ended
An input / output inverter is used.
Input / output differential inverters OSC1d to OSCnd (differential inverter
The detailed circuit example of the data is shown in Fig. Of Conventional Example A. Listed in 11
May be omitted). In this case, the differential input
In the case of a converter, the oscillation output is a positive logic output and a negative logic output.
1 correspond to nodes 101 to 10n in FIG.
Cards such as {501a, 501b} to {50na, 50nb}
Become In the examples of FIGS. 1 to 5, each ring
The oscillators are one of the oscillation nodes
Each ring oscillator is connected as shown in Fig. 6.
Using multiple oscillation nodes (having different phases)
You may. In FIG. 6, two nodes 601a to 60na and 601b to 60n
b are connected to each other. Comparison with the connection configuration of Fig. 1
The coupling between each ring oscillator increases
Increases the noise resistance. FIGS. 7 and 8 show different connections from the example of FIG.
It is an example of an embodiment. FIG. 7 shows a comparison with the example of FIG.
Direct connection between ring oscillator OSC1 and ring oscillator OSCn
The feature is that there is no wiring. In this case, nodes 101 to 10n
The distance l between adjacent nodes is the same, l
All the oscillators OSC1 to OSCn have the same characteristics.
Also, each ring oscillator OSC1 to OSCn has the same frequency
But do not have the same phase. Each ring oscillator is
Oscillates synchronously while maintaining the phases Δ1 to Δn. Phase δ1 ~ δn
To achieve the same, adjust the distance between neighboring nodes
But it is possible, but the type of each ring oscillator OSC1 to OSCn
It is also possible to adjust (such as load driving capability). For example, both ends
Ring oscillator OSC1 and OSCn load drive capability of other ring
What is necessary is just to make it half of an oscillator. FIG. 8 shows a ring oscillator in an n × q mesh shape.
This is an example of connection. Various other connection types are conceivable
However, the ring oscillators are synchronized regardless of the topology.
And oscillate. In short, multiple natural oscillation frequencies are almost the same.
Connected to the same oscillator, and the oscillators
If you connect the nodes of each ring oscillator so that
Good. The same effects as in the examples of FIGS. 1 to 4 can be obtained. Less than
In the following example, the present invention will be described using the embodiment of FIG. 1 for simplicity.
An embodiment using a shaker will be described. FIG. 9 shows a plurality of theories using the oscillator of the present invention.
This is an example in which a clock is supplied to a logical circuit. LOG1-LOGn
Is a logic circuit, and 711 to 71n are buffers. Compare with Figure 1
Then, nodes 701 to 70n corresponding to nodes 101 to 10n in FIG.
Are connected to buffers 711-71n, and their outputs 721-72n
It is supplied to each of the logic circuits LOG1 to LOGn. As aforementioned
Nodes 701 to 70n have the same frequency and phase (as described above).
In some cases, there are phases δ1 to δn.
Therefore, Fig. 7 shows that the condition is connected under the same phase.
Oscillate). Zero skew in logic circuits LOG1 to LOGn
Clock can be supplied. In addition,
Because it has noise resistance. Clock with low jitter
Can be supplied. Of course, buffers 711-71n
Needless to say, it is not necessary. Buffers 711-71n
Propagation of noise from logic circuits LOG1 to LOGn to oscillator
Can be suppressed. When there is noise, the nodes 701 to 70n
The skew is caused by the change in the node potential as can be seen from FIG.
It is smaller after some time has passed since the conversion. I
Therefore, buffers 711-71n connected to nodes 701-70n
It is better to use as Schmitt input. Buffer 711-71n
Output skew can be reduced. In the example of FIG. 9, the clock supplied to each logic circuit is
Adjust the delay time of each buffer 711-71n.
Clocks input to each of the logic circuits LOG1 to LOGn
The phases of 721 to 72n can be individually adjusted in the direction of delay. FIG. 10 further shows a clock supplied to each logic circuit.
In the example, it is possible to adjust the direction to advance the phase of 721 to 72n.
is there. Oscillation node 80 connecting each ring oscillator
The oscillation nodes {831a, 831b, 831c,. . . }
~ {81na, 83nb, 83nc,. . . } Select buffer 711
Connected to ~ 71n. For example, oscillation node 831a
Phase one stage earlier than the mode 801 (a ring oscillator
Are composed of the same inverter p stages, 360 / p
Phase will be earlier). Accordingly
From this oscillation node, the logic circuit L
If a clock is supplied to OG1, buffer from oscillation node 801
Faster than the logic circuit generating the clock through the
A phase clock can be obtained. FIG. 11 shows an oscillator according to the present invention using a PLL voltage-controlled oscillator.
This is an example used for a shaker (VCO). VCO1 to VCOn are voltage controlled
Oscillator, fint1 to fintn is its output. 901-90n is buff
And N1 to Nn are clock distribution networks. In FIG.
Compared with the embodiment, the ring oscillators OSC1 to OSCn are
Control oscillators VCO1 to VCOn, and their oscillation frequency control signal VC
Is controlled by a PLL structure to constitute PLL1. Also, buff
Global clocks 911 to 91n, which are the outputs of
It is connected to clock distribution networks N1-Nn. The connection form of the voltage controlled oscillators VCO1 to VCOn is simple.
For simplicity, the method of the example of FIG. 1 was used.
The method shown may be used. Also, the example of FIG. 11 is the same as that of FIG.
By comparison, the equivalent of the 1/2 frequency divider DIV2 has been omitted.
But if necessary, before the buffer 901 ~ 90n
May be connected to the subsequent stage. FIG. 12 shows a circuit example of VCO1 to VCOn. FIG.
(A) Inverter 1000-1 with single-ended input / output
This is an example in the case of a configuration of 00m. Each inverter
Delay time varies with the value of the oscillation frequency control signal VC.
The oscillation frequency of the oscillation output fint1 is controlled by the oscillation frequency
Varies depending on the value of the control signal VC.
The example of the road is Fig. Of Conventional Example A. Omitted because it is described in 4.
). On the other hand, Fig. 12 (B) shows a differential inverter with differential input / output.
This is an example in a case where the length is set to 101 to 101 m. Same as Fig. 12 (A)
The delay time of each differential inverter is controlled by the oscillation frequency.
Oscillation output fint is changed by the value of control signal VC.
1, the oscillation frequency of / fint1 becomes the value of the oscillation frequency control signal VC.
(The detailed circuit example of the differential inverter is
Fig. A of example A. It is omitted because it is described in 11). FIG. 13 shows the clock distribution network N1 of FIG.
FIG. 1100 to 110k are clock wiring, 1110
111111k is a local buffer. 1100 ~ 110k clock
The length of each wiring is equal to the global clock 911.
To local buffers 1110 to 111k
Are arranged on the chip layout so that the values are equal. I
Therefore, the characteristics of the local buffers 1110 to 111k are completely
The same (hereinafter referred to as matching), and
When there is no noise, local clock outputs out1 to ou
The skew of tk is zero. The voltage controlled oscillators VCO1 to VCOn have the same oscillation frequency.
Since the wave number control signal VC is supplied, as described above,
The oscillation outputs fint1 to fintn have the same frequency / same phase
(Some cases have phases δ1 to δn as described up to FIG. 8.
However, here, for simplicity, each of the voltage controlled oscillators VCO1 to VCOn
Are connected to the condition having the same phase).
Oscillate. Therefore, local clock outputs out1 to ou
tk oscillates at the same frequency and phase. Figure 10
Since the same noise resistance as the effect of the example in
Increase in skew / jitter due to voltage fluctuation and substrate voltage fluctuation
Is small. FIG. 14 is a circuit diagram showing the PLL of FIG.
Microprocessors with strict performance requirements for PLL
This is an example used for: Reference numeral 1200 denotes a microprocessor;
Is a logic circuit block, and 1211 to 1213 are clock distributions in FIG.
It is equivalent to a network. Logic circuit block
Is not particularly limited. Data path with built-in
Or a memory such as a cache
Controller. The global clocks 1231 to 1233 are output from PLL1.
Is output. Its global clocks 1231-1233 are
Each logical cycle by the clock distribution network 1211-1213
It is distributed to the local clock 1241 in the road block. Most
Later, the local clock 1241 is connected to a circuit such as the latch 1220.
It is supplied to the clock input unit. As in the example of FIG. 11, the local clock 1241
Skew / jitter due to power supply voltage fluctuations and board voltage fluctuations
Data increase is small. Also, the voltage controlled oscillator VCO1 in PLL1
~ Distribute VCOn in the chip and take charge of the logic circuit block
The voltage controlled oscillators VCO1 to VCOn
From the clock output of the
(See FIG. 14 for the global clock 123
1, clock distribution network 1211, local clock 1
241) can be shortened. Delay time between short paths
Skew and jitter generated on the path
Influence the overall performance of the clock distribution system.
it can. Divide the clock supply range in the chip into many
Independent PLLs are provided for each clock supply range
(Hereinafter referred to as the multi-PLL method)
Clock skew between the specified clock supply ranges
The skew within each clock supply range is reduced by TskewL and PLL.
Tjitter jitter, reference clock skew to each PLL
Is TskewG, TskewG + 2 * TskewL + 2 * Tjitter
You. In the method of the present invention, the global clock output from PLL1 is
TjitterN is the clock jitter, and the clock distribution network
If the skew of the clocks 1211-1213 is TskewLN, the clock
The skew is 2 * TskewLN + TjitterN. If TskewL =
As for TskewLN, the method of the present invention has a higher clock skew.
Can be reduced. Actually, as described above, the PLL of the present invention
TjitterN <Tjitter, so the method of the present invention
The queue can be greatly reduced. Further, a larger number of Vs than in the multi-PLL system
The method of the present invention that synchronizes by dispersing CO in the chip is better
Chip area can be reduced. In the above embodiment, the external clock is used by using the PLL method.
An example of synchronizing the lock and the internal clock has been described.
A raid locked loop (DLL) method may be used.
For example, place the ring oscillator in Fig. 1 with a delay line.
It is easy to apply the present invention by changing the configuration.
You. FIG. 15 shows an example. FIG. 16 further shows the delay of FIG.
A DLL with the delay line as the variable delay line.
Here is an example. Compared to FIG. 11, the variable delay delay line
The point that the reference clock fext is input to the VDL1 to VDLn
to differ greatly. In addition, the embodiment of FIG.
It is self-evident that it can be applied to the example shown. In the above embodiment, the book inside one chip
This is the case where the invention is applied.
The embodiment of the semiconductor integrated circuit device comprising
Is self-evident. For example, each logic circuit block in FIG.
And the voltage-controlled oscillator VCO responsible for it
Or each ring oscillator in Figure 1
Apply the present invention in a case where each chip is composed of different chips
It is easy. In the above embodiment, the power consumption is reduced.
So-called gated clock method
Although the embodiment is not shown, for example, buffers 711 to 7 in FIG.
The present invention is suitable for a case where 1n is changed to a gate circuit.
It is easy to use. There are various other methods
However, the method is not particularly limited. In the above example, a plurality of inverters are
Although a ring oscillator circuit connected in a ring shape was used,
The composition is not particularly limited. Also, even if it is not a ring oscillation circuit
Any oscillation circuit may be used. The oscillation frequency and
And the phase uses the oscillation output of the oscillation circuit as an input / output line.
And connect multiple oscillation circuits as described above.
Thus, a plurality of oscillation circuits may oscillate in synchronization. In the above example, a semiconductor device for realizing the present invention is used.
The body process and transistor structure are not specified.
No. CMOS process may be used, or SOI wafer using SOI wafer
A transistor may be used. Power supply voltage and its type
There is no particular limitation. In the example shown above, a plurality of transmitters are used.
In order to prepare, it is desirable to consider the reduction of current consumption.
You. In FIG. 1, inverters 11m-1nm are nodes 101-10n.
And the wires connecting them need to be driven
Therefore, a relatively large load drive capability (gate
(To increase the width). Therefore, Invar
11m to 1nm load drive capability and other inverters
If the data is kept small, it is effective to reduce power consumption. As another method in consideration of low power consumption,
Control so that only some of the transmitters operate
Can be considered. Next, many oscillations used in the present invention
FIG. 17 shows a method of operating only a part of the vessels. FIG. 17 is a diagram showing a ring emitted from an n × q mesh in FIG.
In this embodiment, the ring oscillators are connected to each other.
Switch is connected to the wiring. This switch
Although not particularly limited, for example, as shown in the lower side of FIG.
A CMOS switch is sufficient. When operating all ring oscillators
Makes all switches conductive. On the other hand, for example,
Operating only the oscillators OSC11, OSC12, OSC21, and OSC22.
Switch when you do not want to operate other ring oscillators.
Switch SW1213, SW2223, SW2232, and SW2131 to the non-conductive state.
You. Switches SW1213, SW2223, SW2232, SW2131 are non-conductive
The effect of the ring oscillator that is not operating
It affects the operation of the ring oscillators OSC11, OSC12, OSC21, and OSC22.
No more. For example, a clock only for some circuits
When it is desired to reduce power consumption by supplying
And control methods can be used. In the examples so far, the frequency of the ring oscillator is
This is controlled by the oscillation frequency control signal VC.
Has been assumed, but the clock input from outside
Therefore, an oscillator that is determined may be used. This is for example PL
This can be achieved by using an L structure. FIG. 18 shows an example in which this is applied to the example of FIG.
You. Each of PLL11 to PLLqn receives an external clock.
You. Compared to the example of FIG. 8, PLs are used instead of OSC11 to OSCqn.
L11 to PLLqn are used. In addition, the terminals of PLL11 to PLLqn
Has two terminals, an input terminal and an output terminal.
8, it is connected to the mesh conductor wiring. PLL1
1 to the mesh conductor connected to the output terminal of PLLqn
The lines match the phases of the output terminals of PLL11 to PLLqn as in FIG.
I use it to adjust. On the other hand, the input terminals of PLL11 to PLLqn
The mesh conductor wiring connected to the
It is for inputting a click. The reference clocks are PLL11 to PLLqn
In particular, the shape shown in FIG.
It is not limited to. Reference clock supplied to each of PLL11 to PLLqn
Is slightly different depending on the input terminal position of each of PLL11 to PLLqn.
Also, PLLs 11 to
The phase error at the output terminal of qn is small. In the embodiment of FIG.
Need to distribute the transmission frequency control signal VC chip to the whole
However, in the embodiment shown in FIG.
All you need to do is distribute the locks. Conventional distribution of reference clock
From the commonly used clock distribution method
The advantage is that it can be easily realized. This place
In this case, the main advantage of the present invention is that the reference with distributed phase error
From the clock, a clock with less error and noise
That it can generate FIG. 19 shows an example of each of PLLLPLL11 to PLLqn.
Since the symbols used in FIG. 19 are the same as those in FIG. 2,
Here, the description is omitted. As described above, according to the present invention, the mask
Low logic circuits such as microprocessors and memory circuits
Clock with low jitter and low jitter.
And thereby realizes a high-speed semiconductor integrated circuit device.
Can appear.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の示す最も簡単なインバータチェーンの
接続のブロック図。 【図2】従来のPLLを用いたクロック生成部の構造を示
すブロック図。 【図3】本発明の発振回路の回路シミュレーション波形
の波形図。 【図4】本発明の発振器で、リング発振器を別の電源に
接続した例を示すブロック図。 【図5】リング発振器に差動インバータを用いた場合を
示すブロック図。 【図6】図1とは別の接続形態を示すブロック図。 【図7】図1とは別の接続形態を示すブロック図。 【図8】リング発振器をアレー状に接続した場合のブロ
ック図。 【図9】本発明の発振器を用いて、複数の論理回路にク
ロックを供給したブロック図。 【図10】図9の発明で、各論理回路へのクロックの位
相を早い方向に調整可能にしたブロック図。 【図11】本発明の発振器を電圧制御発振器(可変周波
数発振器)として使用し、PLLを構成したブロック図。 【図12】電圧制御発振器の簡単な回路図。 【図13】クロック分配ネットワークを示す最も簡単な
概念図。 【図14】本発明のマイクロプロセッサの実施例の概念
図。 【図15】ディレイラインに本発明を適用したときのブ
ロック図。 【図16】図15のディレイラインを電圧制御ディレイ
ライン(可変遅延ディレイライン)として使用し、DLLを
構成したブロック図。 【図17】図8の実施例にスイッチを接続した場合のブ
ロック図。 【図18】図8の実施例のリング発振器をPLLにした場
合のブロック図。 【図19】図18のPLLのブロック図。 【符号の説明】 110、111、11m、120、121、12m、1n0、1n1、1nm……イ
ンバータ、 OSC1、OSC2、OSCn、OSC1a、OSC1b、OSC2a、OSC2b、OSCn
a、OSCnb……リング発振器、 OSC1d、OSC2d、OSCnd……差動インバータを用いたリン
グ発振器、 PFD……位相周波数比較器、 CP……チャージポンプ、 LPF……ローパスフィルタ、 VCO0……電圧制御発振器、 DIVN……1/N分周器、 DIV2……1/2分周器、 N0、N1、N2、Mn、1211、1212、1213……クロック分配ネ
ットワーク、 VDD1a、VDD2a、VDDna、VDD1b、VDD2b、VDDnb……正の電
源電圧、 VDD1a、VSS2a、VSSna、VSS1b、VSS2b、VSSnb……負の電
源電圧、 LOG1、LOG2、LOGn……論理回路、 711、712、71n、901、902、90n、1110、1111、111k……
バッファ、 VCO1、VCO2、VCOn……電圧制御発振器、 1000、1001、100m……シングルエンド電圧制御インバー
タ、 1010、1011、101m……差動電圧制御インバータ、 VC……発振周波数制御信号、 911、912、91n、1231、1232、1233……グローバルクロ
ック、 1100、1101、110k……クロック分配線、 out1〜outk、1241……ローカルクロック、 1220……ラッチ、 1200……マイクロプロセッサ、 DLY1、DLY2、DLYn……ディレイライン、 VDL1、VDL2、VDLn……可変遅延ディレイライン。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of the simplest inverter chain connection shown in the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a structure of a clock generation unit using a conventional PLL. FIG. 3 is a waveform diagram of a circuit simulation waveform of the oscillation circuit of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing an example in which a ring oscillator is connected to another power supply in the oscillator of the present invention. FIG. 5 is a block diagram showing a case where a differential inverter is used as a ring oscillator. FIG. 6 is a block diagram showing a connection form different from that of FIG. 1; FIG. 7 is a block diagram showing a connection form different from that of FIG. 1; FIG. 8 is a block diagram when ring oscillators are connected in an array. FIG. 9 is a block diagram in which a clock is supplied to a plurality of logic circuits using the oscillator of the present invention. FIG. 10 is a block diagram in which the phase of a clock to each logic circuit can be adjusted in the earlier direction in the invention of FIG. 9; FIG. 11 is a block diagram in which the oscillator of the present invention is used as a voltage controlled oscillator (variable frequency oscillator) to configure a PLL. FIG. 12 is a simple circuit diagram of a voltage controlled oscillator. FIG. 13 is a simple conceptual diagram showing a clock distribution network. FIG. 14 is a conceptual diagram of an embodiment of a microprocessor according to the present invention. FIG. 15 is a block diagram when the present invention is applied to a delay line. FIG. 16 is a block diagram illustrating a DLL using the delay line of FIG. 15 as a voltage control delay line (variable delay line). FIG. 17 is a block diagram when a switch is connected to the embodiment of FIG. 8; FIG. 18 is a block diagram when the ring oscillator of the embodiment of FIG. 8 is a PLL. FIG. 19 is a block diagram of the PLL in FIG. 18; [Description of Signs] 110, 111, 11m, 120, 121, 12m, 1n0, 1n1, 1nm ... Inverter, OSC1, OSC2, OSCn, OSC1a, OSC1b, OSC2a, OSC2b, OSCn
a, OSCnb ... Ring oscillator, OSC1d, OSC2d, OSCnd ... Ring oscillator using differential inverter, PFD ... Phase frequency comparator, CP ... Charge pump, LPF ... Low pass filter, VCO0 ... Voltage controlled oscillator , DIVN ... 1 / N divider, DIV2 ... 1/2 divider, N0, N1, N2, Mn, 1211, 1212, 1213 ... Clock distribution network, VDD1a, VDD2a, VDDna, VDD1b, VDD2b, VDDnb: Positive power supply voltage, VDD1a, VSS2a, VSSna, VSS1b, VSS2b, VSSnb: Negative power supply voltage, LOG1, LOG2, LOGn: Logic circuit, 711, 712, 71n, 901, 902, 90n, 1110, 1111, 111k ……
Buffer, VCO1, VCO2, VCOn …… Voltage controlled oscillator, 1000, 1001, 100m …… Single-ended voltage controlled inverter, 1010, 1011, 101m …… Differential voltage controlled inverter, VC …… Oscillation frequency control signal, 911, 912 , 91n, 1231, 1232, 1233 ... global clock, 1100, 1101, 110k ... clock wiring, out1 to outk, 1241 ... local clock, 1220 ... latch, 1200 ... microprocessor, DLY1, DLY2, DLYn ... delay line, VDL1, VDL2, VDLn ... variable delay line.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 孝一郎 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Fターム(参考) 5B079 AA07 CC08 CC14 CC20 DD02 DD06 DD08 DD13 DD20 5J106 AA04 BB03 CC01 CC20 CC21 CC38 CC41 CC52 DD09 DD32 GG01 HH08 JJ01 KK02 KK25 KK38 KK40 LL01    ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (72) Inventor Koichiro Ishibashi             1-280 Higashi Koikebo, Kokubunji-shi, Tokyo             Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. F term (reference) 5B079 AA07 CC08 CC14 CC20 DD02                       DD06 DD08 DD13 DD20                 5J106 AA04 BB03 CC01 CC20 CC21                       CC38 CC41 CC52 DD09 DD32                       GG01 HH08 JJ01 KK02 KK25                       KK38 KK40 LL01

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】複数のインバータがリング状に接続された
第1のリング発振回路と、 複数のインバータがリング状に接続された第2のリング
発振回路と、 導電性配線を有し、 上記第1のリング発振回路の少なくとも一つのインバー
タの出力と、上記第2のリング発振回路の少なくとも一
つのインバータの出力が、上記導電性配線に接続され、 上記第1のリング発振回路の出力と上記第2のリング発
振回路の出力とを結ぶ導電性配線中に、スイッチ回路を
有する請求項1記載の半導体集積回路装置。 【請求項2】上記導電性配線がリング状に形成されてい
る請求項1記載の半導体集積回路装置。 【請求項3】上記導電性配線がメッシュ状に形成され、 上記導電性配線と上記インバータの出力との少なくとも
一つの接続がメッシュの交点で行われている請求項1記
載の半導体集積回路装置。 【請求項4】上記導電性配線と上記インバータの出力と
の接続は等間隔に接続されていることを特徴とする請求
項1〜3のうちのいずれかに記載の半導体集積回路装
置。 【請求項5】上記導電性配線と上記インバータの出力が
接続されている間隔の少なくとも一つが50μm以上で
あることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれかに
記載の半導体集積回路装置。 【請求項7】上記リング発振器が等しい周波数で発振す
ることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれかに記
載の半導体集積回路装置。 【請求項8】複数の増幅器がリング状に接続された第1
のリング発振回路と、 複数の増幅器がリング状に接続された第2のリング発振
回路と、 上記第1のリング発振回路と第2のリング発振回路を接
続する配線と、 スイッチ回路を有し、 該スイッチ回路が導通状態の時には上記リング発振回路
同士が接続され、 該スイッチ回路が非導通状態の時には上記リング発振回
路同士が非導通状態になるように構成されていることを
特徴とする半導体集積回路装置。 【請求項9】上記リング発振回路の発振周波数が外部か
ら入力されるクロック信号によって制御されることを特
徴とする請求項8記載の半導体集積回路装置。 【請求項10】上記リング発振回路が、 発振器と、 該発振器の発振出力あるいはそれを分周した信号と基準
クロックを入力し、第一の誤差信号を出力する位相周波
数比較器と、 該第一の誤差信号を入力し第二の誤差信号を出力するチ
ャージポンプ回路と、 該第二の誤差信号を入力し第三の誤差信号を出力するロ
ーパスフィルタからなっており、 該発振器は第三の誤差信号を入力することを特徴とする
請求項8または9記載の半導体集積回路装置。 【請求項11】複数のインバータがリング状に接続され
た第1のリング発振回路と、 複数のインバータがリング状に接続された第2のリング
発振回路と、 導電性配線を有し、 上記第1のリング発振回路の少なくとも一つのインバー
タの出力と、上記第2のリング発振回路の少なくとも一
つのインバータの出力が、上記導電性配線に接続され、 上記導電性配線に接続されるインバータの負荷駆動能力
が、リング発振回路の他のインバータの負荷駆動能力よ
り大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。 【請求項12】上記導電性配線に接続されるインバータ
のゲート幅が、リング発振回路の他のインバータのゲー
ト幅より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。 【請求項13】複数のインバータがリング状に接続され
たリング発振回路を複数有し、 該複数のリング発振回路同士を接続する導電性配線と、 上記リング発振回路または導電性配線に接続されるクロ
ック分配系と、 上記複数のインバータの上記導電性配線による接続を断
続するためのスイッチ回路を有することを特徴とする半
導体集積回路装置。
Claims: 1. A first ring oscillation circuit in which a plurality of inverters are connected in a ring, a second ring oscillation circuit in which a plurality of inverters are connected in a ring, and conductive wiring. An output of at least one inverter of the first ring oscillation circuit and an output of at least one inverter of the second ring oscillation circuit are connected to the conductive wiring; 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a switch circuit in a conductive wiring connecting an output of the circuit and an output of the second ring oscillation circuit. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said conductive wiring is formed in a ring shape. 3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the conductive wiring is formed in a mesh shape, and at least one connection between the conductive wiring and the output of the inverter is made at an intersection of the mesh. 4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the connection between the conductive wiring and the output of the inverter is connected at equal intervals. 5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein at least one of the intervals at which the conductive wiring and the output of the inverter are connected is at least 50 μm. . 7. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said ring oscillator oscillates at an equal frequency. 8. A first amplifier comprising a plurality of amplifiers connected in a ring.
A ring oscillation circuit, a second ring oscillation circuit in which a plurality of amplifiers are connected in a ring, a wiring connecting the first ring oscillation circuit and the second ring oscillation circuit, and a switch circuit, A semiconductor integrated circuit, wherein the ring oscillation circuits are connected to each other when the switch circuit is in a conductive state, and the ring oscillation circuits are non-conductive to each other when the switch circuit is in a non-conductive state. Circuit device. 9. The semiconductor integrated circuit device according to claim 8, wherein the oscillation frequency of said ring oscillation circuit is controlled by a clock signal inputted from outside. 10. The above-mentioned ring oscillation circuit, comprising: an oscillator; an oscillation output of the oscillator or a signal obtained by dividing the oscillation output and a reference clock; and a phase frequency comparator for outputting a first error signal; And a low-pass filter that inputs the second error signal and outputs a third error signal. The oscillator includes a third error signal. 10. The semiconductor integrated circuit device according to claim 8, wherein a signal is input. 11. A first ring oscillation circuit having a plurality of inverters connected in a ring, a second ring oscillation circuit having a plurality of inverters connected in a ring, and a conductive wiring. An output of at least one inverter of one ring oscillation circuit and an output of at least one inverter of the second ring oscillation circuit are connected to the conductive wiring, and load driving of the inverter connected to the conductive wiring is performed. A semiconductor integrated circuit device having a capability greater than a load driving capability of another inverter of the ring oscillation circuit. 12. A semiconductor integrated circuit device, wherein a gate width of an inverter connected to the conductive wiring is larger than a gate width of another inverter of the ring oscillation circuit. 13. A plurality of inverters each having a plurality of ring oscillation circuits connected in a ring shape, a conductive wiring connecting the plurality of ring oscillation circuits, and being connected to the ring oscillation circuit or the conductive wiring. A semiconductor integrated circuit device comprising: a clock distribution system; and a switch circuit for interrupting connection of the plurality of inverters by the conductive wiring.
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