JP2000077332A - Scanning exposure method and apparatus, and manufacture of device using the same - Google Patents

Scanning exposure method and apparatus, and manufacture of device using the same

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JP2000077332A JP11271243A JP27124399A JP2000077332A JP 2000077332 A JP2000077332 A JP 2000077332A JP 11271243 A JP11271243 A JP 11271243A JP 27124399 A JP27124399 A JP 27124399A JP 2000077332 A JP2000077332 A JP 2000077332A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent generation of a positional shift between a wafer and a reticle caused by a reaction of a drive force generated when a stage having the wafer and reticle mounted thereon is accelerated. SOLUTION: The scanning exposure apparatus synchronously moves a reticle 11 and a wafer 6 to transfer a pattern of the reticle 11 onto the wafer 6. In this case, the apparatus includes a reticle stage 9 movable while holding the reticle 11 thereon, and prevention means 14A, 15A, etc., for preventing a positional shift between the reticle 11 and wafer 6 caused by a change in a gravity center of the stage 9 when the stage 9 is moved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば所謂スリットス
キャン露光方式でレチクルのパターンの像をウエハ上に
露光する走査露光方法及び走査型露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning exposure method and apparatus for exposing a reticle pattern image onto a wafer by, for example, a so-called slit scan exposure method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をリソグ
ラフィ工程で製造する際に、露光光のもとでフォトマス
ク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)のパタ
ーン像を投影光学系を介して感光基板上に投影する投影
露光装置が使用されている。斯かる投影露光装置におい
ては、レチクル上のより大きいチップパターンの像を感
光基板上に露光する大フィールド化に対する要求が高ま
っている。大フィールド化に対する要求に応えるために
は、レチクル及び感光基板を例えばスリット状又は円弧
状の照明領域に対して同期して走査する所謂スリットス
キャン露光方式が有効である。これにより、レチクル上
のその照明領域よりも広いパターンの像を感光基板上に
露光することができる。
2. Description of the Related Art When a semiconductor device or a liquid crystal display device is manufactured by a lithography process, a pattern image of a photomask or a reticle (hereinafter, collectively referred to as a "reticle") is exposed through a projection optical system under exposure light. 2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus that projects an image on a photosensitive substrate is used. In such a projection exposure apparatus, there is an increasing demand for a larger field for exposing an image of a larger chip pattern on a reticle onto a photosensitive substrate. In order to respond to the demand for a large field, a so-called slit scan exposure method in which a reticle and a photosensitive substrate are scanned in synchronization with, for example, a slit-shaped or arc-shaped illumination area is effective. Thus, an image of a pattern wider than the illumination area on the reticle can be exposed on the photosensitive substrate.

【0003】図4は従来のスリットスキャン露光方式の
投影露光装置を示し、この図4において、ベース1上に
防振ばね2A及び2Bを介してインバー(低膨張率の合
金)よりなる第1コラム3が載置されている。第1コラ
ム3の内部にはYステージ4及びXステージ5が載置さ
れ、Xステージ5上に感光基板としてのウエハ6が保持
されている。また、第1コラム3の上部に鏡筒7が固定
され、鏡筒7の内部に投影光学系PLが収納されてい
る。Yステージ4は、投影光学系PLの光軸に垂直な面
(水平面)内で図4の紙面に垂直な方向にウエハ6の位
置決めを行い、Xステージ5は、水平面内でY軸に垂直
なX方向にウエハ6の位置決めを行う。なお、図示省略
するも、Xステージ5とウエハ6との間には、ウエハ6
を投影光学系PLの光軸方向であるZ方向に位置決めす
るZステージ等も介装されている。
FIG. 4 shows a projection exposure apparatus of a conventional slit scan exposure system. In FIG. 4, a first column made of invar (an alloy having a low expansion coefficient) is provided on a base 1 via vibration isolating springs 2A and 2B. 3 is placed. A Y stage 4 and an X stage 5 are mounted inside the first column 3, and a wafer 6 as a photosensitive substrate is held on the X stage 5. The lens barrel 7 is fixed to the upper part of the first column 3, and the projection optical system PL is housed inside the lens barrel 7. The Y stage 4 positions the wafer 6 in a direction perpendicular to the plane of FIG. 4 in a plane (horizontal plane) perpendicular to the optical axis of the projection optical system PL, and the X stage 5 perpendicular to the Y axis in a horizontal plane. The wafer 6 is positioned in the X direction. Although not shown, the wafer 6 is located between the X stage 5 and the wafer 6.
A Z stage or the like for positioning the camera in the Z direction which is the optical axis direction of the projection optical system PL is also provided.

【0004】第1コラム3上にインバーよりなる第2コ
ラム8が固定され、第2コラム8の上部にX方向に摺動
自在なレチクル走査ステージ9が載置され、レチクル走
査ステージ9上に転写用のパターンが形成されたレチク
ル11が保持されている。レチクル11上のパターンは
照明光学系10から射出された露光光ILに照明され、
レチクル11上のパターン像が投影光学系PLを介して
ウエハ6上に投影露光される。この場合、照明光学系1
0によるレチクル11上の照明領域は、例えば矩形のス
リット状であり、その照明領域だけではレチクル11上
の全パターン領域が照明されない。
A second column 8 made of invar is fixed on the first column 3, and a reticle scanning stage 9 slidable in the X direction is mounted on the upper portion of the second column 8 and transferred onto the reticle scanning stage 9. The reticle 11 on which a pattern for use is formed is held. The pattern on the reticle 11 is illuminated with the exposure light IL emitted from the illumination optical system 10,
The pattern image on the reticle 11 is projected and exposed on the wafer 6 via the projection optical system PL. In this case, the illumination optical system 1
The illuminated area on the reticle 11 with 0 is, for example, a rectangular slit, and the entire illuminated pattern area on the reticle 11 is not illuminated.

【0005】そこで、露光時にはレチクル走査ステージ
9を駆動することにより、その照明領域に対して、レチ
クル11をその照明領域の長手方向に垂直な方向である
X方向に一定速度V1で走査する。これに同期して、X
ステージ5を駆動することにより、ウエハ6をその照明
領域内のレチクル像に対して−X方向に一定速度V2で
走査する。投影光学系PLによるレチクル11からウエ
ハ6への投影倍率をβとすると、速度V2はβ・V1で
ある。このようにして、レチクル11及びウエハ5を同
期して走査することにより、レチクル11の全パターン
の像がウエハ6上に投影露光される。その後、Yステー
ジ4及びXステージ5を駆動することにより、ウエハ6
上の次の露光領域が投影光学系PLの露光フィールド内
に移動する。
[0005] Therefore, at the time of exposure, the reticle scanning stage 9 is driven to scan the reticle 11 at a constant speed V1 in the X direction, which is a direction perpendicular to the longitudinal direction of the illumination region, by driving the reticle scanning stage 9. In sync with this, X
By driving the stage 5, the wafer 6 scans the reticle image in the illumination area in the -X direction at a constant speed V2. Assuming that the projection magnification from the reticle 11 to the wafer 6 by the projection optical system PL is β, the speed V2 is β · V1. By scanning the reticle 11 and the wafer 5 in synchronization in this manner, images of all the patterns of the reticle 11 are projected and exposed on the wafer 6. Thereafter, by driving the Y stage 4 and the X stage 5, the wafer 6
The next upper exposure area moves into the exposure field of the projection optical system PL.

【0006】この際に、レチクル走査ステージ9、Yス
テージ4及びXステージ5の駆動により発生する振動は
第1コラム3及び第2コラム8により減衰される。ま
た、ベース1が設置されている床側からの振動は、防振
ばね2A及び2Bにより吸収されて第1コラム3側には
ほとんど伝わらないようになっている。
At this time, the vibration generated by driving the reticle scanning stage 9, the Y stage 4 and the X stage 5 is attenuated by the first column 3 and the second column 8. In addition, vibrations from the floor on which the base 1 is installed are absorbed by the vibration isolating springs 2A and 2B and are hardly transmitted to the first column 3 side.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、レチクル11及びウエハ6をそれぞれ等速
度で走査する必要があり、ステージ静止状態から等速度
走査に達するまでの間、又は等速度走査からステージ静
止状態に達するまでの間は、Xステージ5及びレチクル
走査ステージ9に対してそれぞれを支持している第1コ
ラム3及び第2コラム8から所定の駆動力を与える必要
がある。
In the prior art as described above, it is necessary to scan the reticle 11 and the wafer 6 at the same speed, respectively. From the constant speed scanning until the stage reaches the stationary state, it is necessary to apply a predetermined driving force to the X stage 5 and the reticle scanning stage 9 from the first column 3 and the second column 8 that support them. .

【0008】例えば図5(a)に示すように、レチクル
走査ステージ9及びXステージ5のの質量をそれぞれM
1及びM2として、レチクル走査ステージ9及びXステ
ージ5に与えた加速度をそれぞれg1及びg2とする
と、レチクル走査ステージ9及びXステージ5に与えた
駆動力はそれぞれM1・g1及びM2・g2で表される
(簡単の為に摩擦による誤差は除く)。それらステージ
がそれぞれ一定の走査速度に達するまでそれら駆動力は
与えられ続ける。この過程で、その反作用によって対応
する第2コラム8及び第1コラム3にもそれぞれ反対方
向の力F1(=−M1・g1)及びF2(=−M2・g
2)が加えられることになり、第1コラム3及び第2コ
ラム8の全体が傾く虞があった。また、図5(b)に示
すように、レチクル走査ステージ9に加速度g3を与え
るために、第2コラム8に力F3が加わるような場合
に、第2コラム8の弱い部分8a及び8bが変形したり
する虞もあった。
For example, as shown in FIG. 5A, the mass of the reticle scanning stage 9 and the mass of the X stage 5 are each M
Assuming that the accelerations applied to the reticle scanning stage 9 and the X stage 5 are g1 and g2, respectively, as 1 and M2, the driving forces applied to the reticle scanning stage 9 and the X stage 5 are represented by M1 · g1 and M2 · g2, respectively. (Excluding errors due to friction for simplicity). The driving force continues to be applied until each of the stages reaches a constant scanning speed. In this process, due to the reaction, the forces F1 (= −M1 · g1) and F2 (= −M2 · g) in the opposite directions are also applied to the corresponding second column 8 and first column 3, respectively.
2) is added, and the entire first column 3 and the second column 8 may be inclined. Further, as shown in FIG. 5B, when a force F3 is applied to the second column 8 to apply an acceleration g3 to the reticle scanning stage 9, the weak portions 8a and 8b of the second column 8 are deformed. There was also a risk of doing so.

【0009】このように第1コラム3及び第2コラム8
の傾斜や第2コラム8の変形等が発生すると、レチクル
11とウエハ6との相対的位置関係が変化して、レチク
ル11上のパターンをウエハ6上の既に形成されている
回路パターン上に重ねて露光する際の重ね合わせ精度が
悪化するという不都合がある。また、これを防ぐ為に第
1コラム3及び第2コラム8を剛性の高い構造にする
と、それらコラムの設計が困難になると共に、それらコ
ラムが複雑化し且つ大型化するという不都合がある。更
に、各コラムの傾斜や変形による振動が外力となり、レ
チクル11とウエハ6との位置制御性を劣化させるとい
う不都合もあった。
Thus, the first column 3 and the second column 8
When the inclination of the reticle 11 and the deformation of the second column 8 occur, the relative positional relationship between the reticle 11 and the wafer 6 changes, and the pattern on the reticle 11 is superimposed on the already formed circuit pattern on the wafer 6. However, there is a disadvantage that the overlay accuracy at the time of exposure is deteriorated. In addition, if the first column 3 and the second column 8 are formed to have a high rigidity in order to prevent this, the design of the columns becomes difficult, and the columns become complicated and large. Further, there is also a disadvantage that vibrations caused by the inclination and deformation of each column become external forces and deteriorate the position controllability between the reticle 11 and the wafer 6.

【0010】本発明は斯かる点に鑑み、ウエハ又はレチ
クルが載置されたステージを加速する際に、その駆動力
の反作用によりそのステージの支持部が逆方向の力を受
けた場合でも、ウエハとレチクルとの位置ずれが生じな
いような走査露光方法及び走査型露光装置を提供するこ
とを目的とする。更に本発明は、その走査露光方法を用
いたデバイス製造方法を提供することをも目的とする。
In view of the above, the present invention has been made in consideration of the above circumstances. When a stage on which a wafer or a reticle is mounted is accelerated, even if a supporting portion of the stage receives a force in the opposite direction due to a reaction of its driving force, It is an object of the present invention to provide a scanning exposure method and a scanning type exposure apparatus which do not cause a positional shift between the reticle and the reticle. Still another object of the present invention is to provide a device manufacturing method using the scanning exposure method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、一実施例を表す図面に対応させて説明すると、請求
項1記載の走査型露光装置は、マスク(11)と基板
(6)とを同期移動してマスク(11)のパターンを基
板(6)に露光する走査型露光装置であって、マスク
(11)と基板(6)との一方を保持して移動可能な第
1ステージ系(9又は4,5)と、この第1ステージ系
(9又は4,5)を移動するときに、第1ステージ系
(9又は4,5)の重心の変化に起因するマスク(1
1)と基板(6)との位置ずれを防止する防止手段(1
4〜21)と、を備えている。
In order to solve the above-mentioned problems, a scanning exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings showing one embodiment. Scanning exposure apparatus for exposing the pattern of the mask (11) onto the substrate (6) by moving the mask (11) synchronously with the first stage, the first stage being movable while holding one of the mask (11) and the substrate (6) System (9 or 4, 5) and a mask (1) caused by a change in the center of gravity of the first stage system (9 or 4, 5) when moving the first stage system (9 or 4, 5).
(1) Prevention means (1) for preventing displacement of the substrate (6).
4 to 21).

【0012】また、請求項3記載の走査型露光装置は、
マスク(11)と基板(6)とを同期移動して、マスク
(11)のパターンを基板(6)に露光する走査型露光
装置であって、マスク(11)と基板(6)との一方を
保持して移動可能な第1ステージ系(9又は4,5)
と、この第1ステージ系(9又は4,5)を支持する支
持部材(12A,12B)と、この支持部材(12A,
12B)に対して第1ステージ系(9又は4,5)を移
動するときに、第1ステージ系(9又は4,5)の重心
の変化により支持部材(12A,12B)に変動が生じ
ないようにする防止手段(14〜21)と、を備えてい
る。
Further, the scanning type exposure apparatus according to claim 3 is
A scanning exposure apparatus that synchronously moves a mask (11) and a substrate (6) to expose a pattern of the mask (11) onto the substrate (6), wherein one of the mask (11) and the substrate (6) is used. Stage system (9 or 4, 5) that can move while holding
A support member (12A, 12B) for supporting the first stage system (9 or 4, 5);
When moving the first stage system (9 or 4, 5) with respect to 12B), no change occurs in the support members (12A, 12B) due to a change in the center of gravity of the first stage system (9 or 4, 5). Prevention means (14 to 21).

【0013】また、請求項17記載の走査露光方法は、
パターンを有したマスク(11)と基板(6)とを同期
移動して、マスク(11)のパターンを基板(6)に走
査露光する走査露光方法であって、マスク(11)と基
板(6)との一方を保持して移動可能な第1ステージ系
(9又は4,5)を駆動するときに、第1ステージ系
(9又は4,5)の重心の変化によるマスク(11)と
基板(6)との位置ずれを防止している。
Further, the scanning exposure method according to claim 17 is
A scanning exposure method for synchronously moving a mask (11) having a pattern and a substrate (6) to scan and expose a pattern of the mask (11) to a substrate (6). When driving the first stage system (9 or 4, 5) movable while holding one of the mask (11) and the substrate due to a change in the center of gravity of the first stage system (9 or 4, 5). Positional deviation from (6) is prevented.

【0014】次に、本発明によるデバイス製造方法は、
上記の本発明による走査露光方法又は走査型露光装置を
用いるものである。
Next, the device manufacturing method according to the present invention comprises:
A scanning exposure method or a scanning exposure apparatus according to the present invention is used.

【0015】[0015]

【作用】斯かる請求項1記載の走査型露光装置によれ
ば、第1ステージ系(9又は4,5)を移動するとき
に、第1ステージ系(9又は4,5)の重心の変化に起
因するマスク(11)と基板(6)との位置ずれを防止
する防止手段(14〜21)を備えているので、マスク
(11)のパターンを精度よく基板(6)に露光するこ
とができる。
According to the scanning exposure apparatus of the first aspect, when the first stage system (9 or 4, 5) is moved, the center of gravity of the first stage system (9 or 4, 5) changes. (14 to 21) for preventing the mask (11) from being displaced from the substrate (6) caused by the above, it is possible to accurately expose the pattern of the mask (11) to the substrate (6). it can.

【0016】また、請求項3記載の走査型露光装置は、
第1ステージ系(9又は4,5)を支持する支持部材
(12A,12B)に対して第1ステージ系(9又は
4,5)を移動するときに、第1ステージ系(9又は
4,5)の重心の変化により支持部材(12A,12
B)に変動が生じないようにする防止手段(14〜2
1)を備えているので、支持部材(12A,12B)の
傾き又は変形が生じない。従って、マスク(11)の共
役像と基板(6)との重ね合わせ精度が向上する。
The scanning exposure apparatus according to claim 3 is
When moving the first stage system (9 or 4, 5) with respect to the support members (12A, 12B) supporting the first stage system (9 or 4, 5), the first stage system (9 or 4, 5) is moved. Due to the change in the center of gravity of 5), the support members (12A, 12A)
B) Prevention means (14 to 2) for preventing fluctuations
Because of the configuration (1), the support members (12A, 12B) do not tilt or deform. Therefore, the overlay accuracy of the conjugate image of the mask (11) and the substrate (6) is improved.

【0017】また、請求項17記載の走査露光方法は、
マスク(11)と基板(6)との一方を保持して移動可
能な第1ステージ系(9又は4,5)を駆動するとき
に、第1ステージ系(9又は4,5)の重心の変化によ
るマスク(11)と基板(6)との位置ずれを防止して
いるので、マスク(11)のパターンを精度よく基板
(6)に露光することができる。
Further, the scanning exposure method according to the seventeenth aspect,
When driving the movable first stage system (9 or 4, 5) while holding one of the mask (11) and the substrate (6), the center of gravity of the first stage system (9 or 4, 5) is driven. Since the displacement between the mask (11) and the substrate (6) due to the change is prevented, the pattern of the mask (11) can be accurately exposed on the substrate (6).

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の一実施例につき図1〜図3を
参照して説明する。本実施例はスリットスキャン露光方
式の投影露光装置に本発明を適用したものであり、図1
〜図3において図4に対応する部分には同一符号を付し
てその詳細説明を省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, the present invention is applied to a projection exposure apparatus of a slit scan exposure type, and FIG.
3 to 3, parts corresponding to those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0019】図1は本実施例の投影露光装置を示し、こ
の図1において、ベース1の上に防振ばね2A及び2B
を介してインバー(低膨張率の合金)よりなる第1コラ
ム12Aを載置し、第1コラム12A上にインバーより
なる第2コラム12Bを固定する。第1コラム12Aの
内部にはYステージ4及びXステージ5を介してウエハ
6が保持され、第1コラム12Aの上段に鏡筒7を介し
て投影光学系PLが保持されている。また、第2コラム
12Bの上部にレチクル走査ステージ9を介してレチク
ル11が保持されている。本例の照明光学系10もレチ
クル11上のスリット状の照明領域を照明し、レチクル
11をその照明領域に対してX方向に走査するのと同期
して、ウエハ6を−X方向に走査することにより、スリ
ットスキャン露光方式でレチクル11のパターンの像が
ウエハ6上に露光される。
FIG. 1 shows a projection exposure apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, an anti-vibration spring 2A and 2B
The first column 12A made of Invar (an alloy having a low expansion coefficient) is placed via the, and the second column 12B made of Invar is fixed on the first column 12A. The wafer 6 is held inside the first column 12A via the Y stage 4 and the X stage 5, and the projection optical system PL is held via the lens barrel 7 above the first column 12A. The reticle 11 is held above the second column 12B via the reticle scanning stage 9. The illumination optical system 10 of this example also illuminates a slit-shaped illumination area on the reticle 11, and scans the wafer 6 in the −X direction in synchronization with scanning the reticle 11 in the X direction with respect to the illumination area. Thus, the image of the pattern of the reticle 11 is exposed on the wafer 6 by the slit scan exposure method.

【0020】本例ではベース1上の周縁部にインバーよ
りなる固定コラム13を植設する。そして、第1コラム
12AのX方向の一方の側面の凸部12aの上面に3個
の永久磁石埋め込み部14A〜14Cを形成し(図1で
は14Aのみが現れている)、それら永久磁石埋め込み
部14A〜14Cに対向するように、固定コラム13の
凸部13aの底部に3個の電磁石部15A〜15Cを形
成する(図1では15Aのみが現れている)。これと対
称に、第1コラム12AのX方向の他方の側面の凸部1
2bの上面に3個の永久磁石埋め込み部16A〜16C
を形成し(図1では16Aのみが現れている)、それら
永久磁石埋め込み部16A〜16Cに対向するように、
固定コラム13の凸部13bの底部に3個の電磁石部1
7A〜17Cを形成する(図1では15Aのみが現れて
いる)。永久磁石埋め込み部14A〜14Cと対応する
電磁石部15A〜15Cとで3組のリニアモーターが構
成されている。
In this embodiment, a fixed column 13 made of invar is planted on the peripheral portion of the base 1. Then, three permanent magnet embedded portions 14A to 14C are formed on the upper surface of the convex portion 12a on one side surface in the X direction of the first column 12A (only 14A is shown in FIG. 1), and these permanent magnet embedded portions are formed. Three electromagnet portions 15A to 15C are formed on the bottom of the convex portion 13a of the fixed column 13 so as to face the 14A to 14C (only 15A is shown in FIG. 1). Contrary to this, the protrusion 1 on the other side surface of the first column 12A in the X direction is used.
2b, three permanent magnet embedded portions 16A to 16C on the upper surface
(Only 16A is shown in FIG. 1), and these permanent magnet embedded portions 16A to 16C are opposed to each other.
Three electromagnet portions 1 are provided at the bottom of the convex portion 13b of the fixed column 13.
7A to 17C are formed (only 15A is shown in FIG. 1). Three sets of linear motors are constituted by the permanent magnet embedded portions 14A to 14C and the corresponding electromagnet portions 15A to 15C.

【0021】また、第2コラム12Bの上端のX方向の
一方の凸部12cの上面に2個の永久磁石埋め込み部1
8A及び18Bを形成し(図1では18Aのみが現れて
いる)、それら永久磁石埋め込み部18A及び18Bに
対向するように、固定コラム13の上端の凸部13cの
底部に2個の電磁石部19A及び19Bを形成する(図
1では19Aのみが現れている)。これと対称に、第2
コラム12Bの上端のX方向の他方の凸部12dの上面
に2個の永久磁石埋め込み部20A及び20Bを形成し
(図1では20Aのみが現れている)、それら永久磁石
埋め込み部20A及び20Bに対向するように、固定コ
ラム13の上端の凸部13dの底部に2個の電磁石部2
1A及び21Bを形成する(図1では21Aのみが現れ
ている)。
Also, two permanent magnet embedded portions 1 are provided on the upper surface of one convex portion 12c in the X direction at the upper end of the second column 12B.
8A and 18B (only 18A is shown in FIG. 1), and two electromagnet portions 19A are provided on the bottom of the convex portion 13c at the upper end of the fixed column 13 so as to face the permanent magnet embedded portions 18A and 18B. And 19B (only 19A appears in FIG. 1). In contrast to this, the second
Two permanent magnet embedded portions 20A and 20B are formed on the upper surface of the other convex portion 12d in the X direction at the upper end of the column 12B (only 20A is shown in FIG. 1), and these permanent magnet embedded portions 20A and 20B are formed. Two electromagnet parts 2 are provided on the bottom of the convex part 13d at the upper end of the fixed column 13 so as to face each other.
1A and 21B are formed (only 21A is shown in FIG. 1).

【0022】図2は図1のAA線に沿う断面図であり、
この図2に示すように、3個の永久磁石埋め込み部14
A〜14CをY方向に配列する。そして、両端の永久磁
石埋め込み部14A及び14CにはそれぞれX方向に順
次永久磁石のN極部22A、S極部23及びN極部22
Bを埋め込み、中央の永久磁石埋め込み部14BにはY
方向に順次永久磁石のN極部22A、S極部23及びN
極部22Bを埋め込む。また、図1の電磁石部15Aは
電磁石をX方向に配列して構成し、永久磁石埋め込み部
14B及び14Cに対向する電磁石部はそれぞれY方向
及びX方向に電磁石を配列して構成する。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG.
As shown in FIG. 2, three permanent magnet embedded portions 14 are provided.
A to 14C are arranged in the Y direction. Then, the permanent magnet embedded portions 14A and 14C at both ends are sequentially arranged in the X direction in the N-pole portion 22A, the S-pole portion 23 and the N-pole portion 22 of the permanent magnet.
B, and Y is embedded in the central permanent magnet embedded portion 14B.
N pole portion 22A, S pole portion 23 and N
The pole part 22B is embedded. The electromagnet portion 15A in FIG. 1 is configured by arranging electromagnets in the X direction, and the electromagnet portions facing the permanent magnet embedded portions 14B and 14C are configured by arranging electromagnets in the Y and X directions, respectively.

【0023】従って、永久磁石埋め込み部14A及び電
磁石部15Aからなるリニアモーター及び永久磁石埋め
込み部14C及び対応する電磁石部からなるリニアモー
ターにより、第1コラム12Aに対してそれぞれX方向
に任意の力F4A及びF4Cを付与することができ、中
央の永久磁石埋め込み部14B及び対応する電磁石部か
らなるリニアモーターにより、第1コラム12Aに対し
てY方向に任意の力F4Bを付与することができる。
Therefore, the linear motor consisting of the permanent magnet buried portion 14A and the electromagnet portion 15A and the linear motor consisting of the permanent magnet buried portion 14C and the corresponding electromagnet portion apply an arbitrary force F4A to the first column 12A in the X direction. And F4C, and an arbitrary force F4B can be applied to the first column 12A in the Y direction by the linear motor including the central permanent magnet embedded portion 14B and the corresponding electromagnet portion.

【0024】また、第1コラム12Aの右側の永久磁石
埋め込み部16A〜16Cには、それぞれ永久磁石埋め
込み部14A〜16Cと同様の配列で永久磁石を埋め込
み、対応する電磁石部17A〜17Cにはそれぞれ対向
する永久磁石の配列方向に電磁石を配列する。そして、
永久磁石埋め込み部16A,16B及び16Cを含むリ
ニアモーターにより、それぞれ第1コラム12Aに対し
てX方向の任意の力F5A、Y方向の任意の力F5B及
びX方向の任意の力F5Cを付与することができる。従
って、左側の3組のリニアモーター及び右側の3組のリ
ニアモーターにより、第1コラム12Aに対して水平面
(XY平面)内で任意の方向の力を付与することがで
き、更に第1コラム12Aに対して任意の回転力をも付
与することができる。そこで、スリットスキャン露光時
等にXステージ5及びYステージ4に加速度を付与する
際にその反作用が第1コラム12Aに加わる場合には、
それら6組のリニアモーターから第1コラム12Aに対
してその反作用を打ち消すような力を与えるようにす
る。
Further, permanent magnets are embedded in the permanent magnet embedded portions 16A to 16C on the right side of the first column 12A in the same arrangement as the permanent magnet embedded portions 14A to 16C, and the corresponding electromagnet portions 17A to 17C are respectively inserted. The electromagnets are arranged in the direction in which the opposing permanent magnets are arranged. And
Applying an arbitrary force F5A in the X direction, an arbitrary force F5B in the Y direction, and an arbitrary force F5C in the X direction to the first column 12A by the linear motor including the permanent magnet embedded portions 16A, 16B, and 16C, respectively. Can be. Therefore, a force in an arbitrary direction can be applied to the first column 12A in a horizontal plane (XY plane) by the three sets of linear motors on the left side and the three sets of linear motors on the right side. Can be given any rotational force. Therefore, when a reaction is applied to the first column 12A when applying acceleration to the X stage 5 and the Y stage 4 during slit scan exposure or the like,
The six sets of linear motors apply a force to the first column 12A to cancel the reaction.

【0025】一方、図1において、第2コラム12B上
の左側の2個の永久磁石埋め込み部18A及び18Bに
はそれぞれX方向に永久磁石を埋め込み、対応する電磁
石部19A及び19BもそれぞれX方向に電磁石を配列
して構成する。また、第2コラム12B上の右側の2個
の永久磁石埋め込み部20A及び20BにもそれぞれX
方向に永久磁石を埋め込み、対応する電磁石部21A及
び21BもそれぞれX方向に電磁石を配列して構成す
る。従って、永久磁石埋め込み部18A及び18Bをそ
れぞれ含む2個のリニアモーターにより第2コラム12
Bに対してX方向の任意の力が付与され、永久磁石埋め
込み部20A及び20Bをそれぞれ含む2個のリニアモ
ーターからも第2コラム12Bに対してX方向の任意の
力が付与される。
On the other hand, in FIG. 1, permanent magnets are buried in the X direction in the two permanent magnet buried portions 18A and 18B on the left side of the second column 12B, and the corresponding electromagnet portions 19A and 19B are also laid out in the X direction. An electromagnet is arranged and configured. Further, X is also applied to the two permanent magnet embedded portions 20A and 20B on the right side on the second column 12B.
The permanent magnets are embedded in the direction, and the corresponding electromagnet portions 21A and 21B are also configured by arranging the electromagnets in the X direction. Therefore, the second column 12 is driven by two linear motors each including the permanent magnet embedded portions 18A and 18B.
An arbitrary force in the X direction is applied to B, and an arbitrary force in the X direction is applied to the second column 12B from the two linear motors including the permanent magnet embedded portions 20A and 20B.

【0026】この実施例では、レチクル11はレチクル
走査ステージ9によりX方向に走査されるため、第2コ
ラム12Bに対する反作用はX方向に働く。従って、第
2コラム12Bに対してその反作用を打ち消すためにリ
ニアモーターから付与する力は、X方向の力のみで十分
である。なお、レチクル11をY方向にも駆動する場合
には、Y方向への力を独立に付与するためのリニアモー
ターを並列に装着すればよい。
In this embodiment, since the reticle 11 is scanned in the X direction by the reticle scanning stage 9, the reaction on the second column 12B acts in the X direction. Therefore, the force applied from the linear motor to cancel the reaction on the second column 12B is only the force in the X direction. When the reticle 11 is driven also in the Y direction, linear motors for independently applying a force in the Y direction may be mounted in parallel.

【0027】次に、本実施例の動作につき図3を参照し
て説明する。本実施例でスリットスキャン露光を開始す
るときには、図3に示すように、レチクル11にX方向
の加速度g1が加わり、ウエハ6に−X方向の加速度g
2が加わり、それらの反作用として第2コラム12Bに
は−X方向の力F1が付与され、第1コラム12Aには
X方向の力F2が付与される。そこで、永久磁石埋め込
み部18A及び電磁石部19Aよりなるリニアモーター
及び第2コラム12Bの上部の他の3個のリニアモータ
ーにより、第2コラム12Bに対してX方向に合計でF
1の力を与える。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG. When the slit scan exposure is started in this embodiment, an acceleration g1 in the X direction is applied to the reticle 11, and an acceleration g in the −X direction is applied to the wafer 6, as shown in FIG.
2 are applied, and as a reaction therebetween, a force F1 in the −X direction is applied to the second column 12B, and a force F2 in the X direction is applied to the first column 12A. Therefore, the linear motor including the permanent magnet embedded portion 18A and the electromagnet portion 19A and the other three linear motors on the upper part of the second column 12B provide a total of F in the X direction with respect to the second column 12B.
Give 1 power.

【0028】また、永久磁石埋め込み部14A及び電磁
石部15Aよりなるリニアモーター及び第1コラム12
Aの側面部の他の5個のリニアモーターにより、第1コ
ラム12Aに対して−X方向に合計でF2の力を与え
る。なお、永久磁石部14A等及び電磁石部15A等は
共に固定されているので、リニアモーターとして力を発
生する場合でも実際の移動は行われない。これにより、
第1コラム12A及び第2コラム12Bに働く力がそれ
ぞれ零となり、第1コラム12A及び第2コラム12B
の傾斜又は変形は生ずることがなく、レチクル11の共
役像とウエハ6との重ね合わせ精度は高精度に維持され
る。
A linear motor including a permanent magnet embedded portion 14A and an electromagnet portion 15A and a first column 12
A total of F2 force is applied to the first column 12A in the −X direction by the other five linear motors on the side surface of A. Since the permanent magnet portion 14A and the like and the electromagnet portion 15A and the like are fixed, even when a force is generated as a linear motor, actual movement is not performed. This allows
The forces acting on the first column 12A and the second column 12B become zero respectively, and the first column 12A and the second column 12B
Of the reticle 11 and the wafer 6 are maintained with high accuracy.

【0029】また、図2に示すように、Yステージ4の
位置及びXステージ5の位置によりステージ系の重心が
投影光学系PLの光軸からずれた場合で、且つYステー
ジ4をも駆動するような場合には、そのステージ系には
2種類の力ベクトル〈FY〉及び〈FX〉が作用する。
このような場合には、図2において左側の3個のリニア
モーターにより第1コラム12Aに付与する力ベクトル
を〈FA〉、右側の3個のリニアモーターにより第1コ
ラムに付与する力ベクトルを〈FB〉として、これらの
力配分を次のようにする。 〈FA〉+〈FB〉=〈FX〉+〈FY〉 これにより、第1コラム12Aに作用するねじれ力が零
になる。
As shown in FIG. 2, when the center of gravity of the stage system is shifted from the optical axis of the projection optical system PL due to the position of the Y stage 4 and the position of the X stage 5, the Y stage 4 is also driven. In such a case, two types of force vectors <FY> and <FX> act on the stage system.
In such a case, the force vector applied to the first column 12A by the three linear motors on the left side in FIG. 2 is <FA>, and the force vector applied to the first column by the three linear motors on the right side is <FA>. FB>, these force distributions are as follows. <FA> + <FB> = <FX> + <FY> Thereby, the torsional force acting on the first column 12A becomes zero.

【0030】なお、リニアモーターは発熱量が比較的大
きいが、本例のリニアモーターはレチクル11、投影光
学系PL及びウエハ6を含む投影露光部から離れて配置
されているので、その影響は無視できる程度である。但
し、それらリニアモーターにそれぞれ空冷又は液冷方式
等の発熱防止機構を装着することにより、その発熱の影
響をより小さくすることができる。
Although the linear motor generates a relatively large amount of heat, the effect of the linear motor of this embodiment is ignored since the linear motor is disposed away from the projection exposure section including the reticle 11, the projection optical system PL and the wafer 6. It is possible. However, by attaching an air-cooling or liquid-cooling type heat prevention mechanism to each of the linear motors, the influence of the heat generation can be further reduced.

【0031】また、上述実施例では、第1コラム12A
及び第2コラム12Bに対して固定コラム13からリニ
アモーター方式で力を付与しているが、例えば圧縮空気
を吹き付けるような方式で第1コラム12A及び第2コ
ラム12Bに対して力を与えるようにしてもよい。更
に、例えば固定コラム13と第1コラム12Aとの間に
圧縮コイルばねを介装して、固定コラム13側からその
圧縮コイルばねを介して第1コラム12Aに力を付与す
るようにしてもよい。圧縮コイルばねを用いる場合に
は、ほとんど非接触方式と同等に、固定コラム13側の
振動等が第1コラム12Aに伝わるのを防止することが
できる。
In the above embodiment, the first column 12A
And a force is applied to the second column 12B from the fixed column 13 by a linear motor method. For example, the force is applied to the first column 12A and the second column 12B by a method of blowing compressed air. You may. Further, for example, a compression coil spring may be interposed between the fixed column 13 and the first column 12A, and a force may be applied to the first column 12A from the fixed column 13 via the compression coil spring. . When the compression coil spring is used, it is possible to prevent the vibration and the like of the fixed column 13 from being transmitted to the first column 12A, almost as in the non-contact type.

【0032】なお、上述実施例では、固定コラム13を
ベース1上に配置しているが、ベース1以外であって
も、ステージ4,5,9の査定時に振動しない部材が存
在すれば、この部材に固定コラム13を固定するように
しても良い。また、上述実施例ではウエハ側の電磁石部
15A〜15C,17A〜17Cとレチクル側の電磁石
部19A〜19C,21A〜21Cは共に固定コラム1
3に固定されているが、ウエハ側の電磁石部とレチクル
側の電磁石部とをそれぞれ別の固定コラムに固定するよ
うにしても良い。
In the above-described embodiment, the fixed column 13 is arranged on the base 1. However, if there is a member that does not vibrate when the stages 4, 5, and 9 are evaluated, the fixed column 13 may be provided other than the base 1. The fixing column 13 may be fixed to a member. In the above embodiment, the electromagnet portions 15A to 15C and 17A to 17C on the wafer side and the electromagnet portions 19A to 19C and 21A to 21C on the reticle side are both fixed columns 1.
3, the electromagnet portion on the wafer side and the electromagnet portion on the reticle side may be respectively fixed to different fixed columns.

【0033】また、図1の実施例では、第1コラム12
Aの内部にYステージ4及びXステージ5が収納され、
その底部とベース1との間に防振ばね2A,2Bが介装
されているが、その第1コラム12Aを鏡筒7の保持部
を中心として左右に拡げて、このように拡げられた部分
とベース1との間にそれぞれ防振ばね2A,2Bを介装
しても良い。この場合には、第1コラムの鏡筒7の保持
部の下に、U字型のコラムを好ましくは一体の金物とし
て取り付けて、このU字型のコラム上にそれらYステー
ジ4及びXステージ5を載置すると良い。このような構
成により、振動の影響が更に低減される。
In the embodiment shown in FIG. 1, the first column 12
The Y stage 4 and the X stage 5 are stored inside A,
Anti-vibration springs 2A and 2B are interposed between the bottom portion and the base 1. The first column 12A is expanded right and left around the holding portion of the lens barrel 7, and the expanded portion is provided. Anti-vibration springs 2A and 2B may be interposed between the base and the base 1, respectively. In this case, a U-shaped column is mounted, preferably as an integral piece of metal, under the holding portion of the barrel 7 of the first column, and the Y stage 4 and the X stage 5 are mounted on the U-shaped column. Should be placed. With such a configuration, the influence of vibration is further reduced.

【0034】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can take various configurations without departing from the gist of the present invention.

【0035】[0035]

【発明の効果】請求項1記載の走査型露光装置によれ
ば、第1ステージ系の重心の変化に起因するマスクと基
板との位置ずれを防止する防止手段を備えているので、
マスクと基板との相対位置関係が変化しない。このた
め、マスクのパターンを精度よく基板に露光することが
できる。
According to the first aspect of the present invention, the scanning type exposure apparatus is provided with the prevention means for preventing the displacement between the mask and the substrate due to the change of the center of gravity of the first stage system.
The relative positional relationship between the mask and the substrate does not change. Therefore, the pattern of the mask can be accurately exposed on the substrate.

【0036】また、請求項3記載の走査型露光装置は、
第1ステージ系の重心の変化により支持部材に変動が生
じないようにする防止手段を備えているので、支持部材
の傾き又は変形が生じない。従って、マスクの共役像と
基板との重ね合わせ精度を向上することができる。ま
た、請求項17記載の走査露光方法は、第1ステージ系
の重心の変化によるマスクと基板との位置ずれを防止し
ているので、マスクと基板との相対位置関係が変化しな
い。従って、マスクのパターンを精度よく基板に露光す
ることができる。
The scanning exposure apparatus according to claim 3 is
Since there is provided a preventive means for preventing a change in the support member due to a change in the center of gravity of the first stage system, the support member does not tilt or deform. Therefore, the overlay accuracy of the conjugate image of the mask and the substrate can be improved. In the scanning exposure method according to the present invention, since the positional shift between the mask and the substrate due to the change in the center of gravity of the first stage system is prevented, the relative positional relationship between the mask and the substrate does not change. Therefore, the pattern of the mask can be accurately exposed on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の投影露光装置を示す構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のAA線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG.

【図3】図1の実施例で第1コラム12A及び第2コラ
ム12Bに作用する力を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing forces acting on a first column 12A and a second column 12B in the embodiment of FIG.

【図4】従来の投影露光装置を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional projection exposure apparatus.

【図5】(a)は図4の投影露光装置がステージ駆動時
に傾斜する状態を示す図、(b)は図4の投影露光装置
のコラムがステージ駆動時に変形する様子を示す図であ
る。
5A is a diagram illustrating a state in which the projection exposure apparatus of FIG. 4 is inclined when the stage is driven, and FIG. 5B is a diagram illustrating a state in which a column of the projection exposure apparatus in FIG. 4 is deformed when the stage is driven.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ベース 2A,2B 防振ばね 4 Yステ−ジ 5 Xステージ 6 ウエハ PL 投影光学系 7 鏡筒 9 レチクル走査ステージ 10 照明光学系 11 レチクル 12A 第1コラム 12B 第2コラム 13 固定コラム 14A,16A,18A,20A 永久磁石埋め込み部 15A,17A,19A,21A 電磁石部 Reference Signs List 1 base 2A, 2B anti-vibration spring 4 Y stage 5 X stage 6 wafer PL projection optical system 7 lens barrel 9 reticle scanning stage 10 illumination optical system 11 reticle 12A first column 12B second column 13 fixed column 14A, 16A, 18A, 20A Permanent magnet embedded part 15A, 17A, 19A, 21A Electromagnet part

Claims (28)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスクと基板とを同期移動して前記マス
クのパターンを前記基板に露光する走査型露光装置にお
いて、 前記マスクと前記基板との一方を保持して移動可能な第
1ステージ系と、 前記第1ステージ系を移動するときに、前記第1ステー
ジ系の重心の変化に起因する前記マスクと前記基板との
位置ずれを防止する防止手段と、を備えたことを特徴と
する走査型露光装置。
1. A scanning exposure apparatus for exposing a pattern of the mask on the substrate by synchronously moving the mask and the substrate, comprising: a first stage system capable of holding and moving one of the mask and the substrate; A scanning means for preventing a displacement between the mask and the substrate caused by a change in the center of gravity of the first stage system when moving the first stage system. Exposure equipment.
【請求項2】 前記第1ステージ系を支持する支持部材
を備え、 前記防止手段は、前記支持部材の変動を抑えることによ
り、前記マスクと前記基板との位置ずれを抑制すること
を特徴とする請求項1記載の走査型露光装置。
2. The apparatus according to claim 1, further comprising a support member that supports the first stage system, wherein the prevention unit suppresses a displacement between the mask and the substrate by suppressing a change in the support member. The scanning exposure apparatus according to claim 1.
【請求項3】 マスクと基板とを同期移動して、前記マ
スクのパターンを前記基板に露光する走査型露光装置に
おいて、 前記マスクと前記基板との一方を保持して移動可能な第
1ステージ系と、 該第1ステージ系を支持する支持部材と、 該支持部材に対して前記第1ステージ系を移動するとき
に、前記第1ステージ系の重心の変化により前記支持部
材に変動が生じないようにする防止手段と、を備えたこ
とを特徴とする走査型露光装置。
3. A scanning exposure apparatus for exposing a pattern of the mask onto the substrate by synchronously moving the mask and the substrate, wherein the first stage system is movable while holding one of the mask and the substrate. And a support member for supporting the first stage system, and when the first stage system is moved with respect to the support member, the support member does not fluctuate due to a change in the center of gravity of the first stage system. A scanning type exposure apparatus, comprising:
【請求項4】 前記防止手段は、前記支持部材に力を付
与することにより前記支持部材の変動を防止することを
特徴とする請求項2又は3記載の走査型露光装置。
4. The scanning type exposure apparatus according to claim 2, wherein said preventing means prevents a fluctuation of said support member by applying a force to said support member.
【請求項5】 前記防止手段は、前記支持部材に非接触
で力を付与する非接触手段を備えることを特徴とする請
求項4記載の走査型露光装置。
5. The scanning exposure apparatus according to claim 4, wherein said prevention means includes a non-contact means for applying a force to said support member in a non-contact manner.
【請求項6】 前記非接触手段は、電磁力により前記支
持部材に力を付与することを特徴とする請求項5記載の
走査型露光装置。
6. The scanning exposure apparatus according to claim 5, wherein said non-contact means applies a force to said support member by an electromagnetic force.
【請求項7】 前記防止手段は、前記同期移動の方向、
前記同期移動方向と交差する方向、及び回転方向のうち
の少なくとも1つの方向に前記力を付与することを特徴
とする請求項4〜6のいずれか一項記載の走査型露光装
置。
7. The prevention means includes: a direction of the synchronous movement;
The scanning exposure apparatus according to any one of claims 4 to 6, wherein the force is applied in at least one of a direction intersecting the synchronous movement direction and a rotation direction.
【請求項8】 前記支持部材の変動は、前記支持部材の
傾きを含むことを特徴とする請求項2〜7のいずれか一
項記載の走査型露光装置。
8. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein the fluctuation of the support member includes an inclination of the support member.
【請求項9】 前記支持部材の変動は、前記支持部材の
変形を含むことを特徴とする請求項2〜8のいずれか一
項記載の走査型露光装置。
9. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein the fluctuation of the support member includes a deformation of the support member.
【請求項10】 前記支持部材の変形は、前記支持部材
のねじれを含むことを特徴とする請求項9記載の走査型
露光装置。
10. The scanning exposure apparatus according to claim 9, wherein the deformation of the support member includes a twist of the support member.
【請求項11】 前記支持部材の変動は、前記支持部材
の振動を含むことを特徴とする請求項2〜10のいずれ
か一項記載の走査型露光装置。
11. The scanning exposure apparatus according to claim 2, wherein the fluctuation of the support member includes vibration of the support member.
【請求項12】前記支持手段は、前記防止手段の少なく
とも一部を保持していることを特徴とする請求項2〜1
1のいずれか一項記載の走査型露光装置。
12. The apparatus according to claim 2, wherein said support means holds at least a part of said prevention means.
The scanning exposure apparatus according to claim 1.
【請求項13】 前記支持部材は、前記防止手段の少な
くとも一部として磁石を保持していることを特徴とする
請求項12記載の走査型露光装置。
13. The scanning exposure apparatus according to claim 12, wherein said support member holds a magnet as at least a part of said prevention means.
【請求項14】 前記マスクと前記基板との他方を保持
して移動可能な第2ステージ系を備えたことを特徴とす
る請求項2〜13のいずれか一項記載の走査型露光装
置。
14. The scanning exposure apparatus according to claim 2, further comprising a second stage system that can move while holding the other of the mask and the substrate.
【請求項15】 前記支持部材は、前記第1ステージ系
と前記第2ステージ系とを移動可能に支持することを特
徴とする請求項14記載の走査型露光装置。
15. The scanning exposure apparatus according to claim 14, wherein said support member movably supports said first stage system and said second stage system.
【請求項16】 請求項1〜15のいずれか一項記載の
走査型露光装置を用いるデバイス製造方法。
16. A device manufacturing method using the scanning exposure apparatus according to claim 1. Description:
【請求項17】 パターンを有したマスクと基板とを同
期移動して、前記マスクのパターンを前記基板に走査露
光する走査露光方法において、 前記マスクと前記基板との一方を保持して移動可能な第
1ステージ系を駆動するときに、前記第1ステージ系の
重心の変化による前記マスクと前記基板との位置ずれを
防止することを特徴とする走査露光方法。
17. A scanning exposure method for synchronously moving a mask having a pattern and a substrate and scanning and exposing the pattern of the mask on the substrate, wherein the mask is movable while holding one of the mask and the substrate. A scanning exposure method, comprising: preventing a displacement between the mask and the substrate due to a change in the center of gravity of the first stage system when driving the first stage system.
【請求項18】 前記第1ステージ系を支持する支持部
材の変動を防止することで、前記マスクと前記基板との
位置ずれを抑制することを特徴とする請求項17記載の
走査露光方法。
18. The scanning exposure method according to claim 17, wherein a displacement of the mask and the substrate is suppressed by preventing a change in a support member that supports the first stage system.
【請求項19】 走査露光のために、マスクと基板とを
同期移動する走査露光方法において、 前記マスクと前記基板とのうちの一方を保持して移動可
能な第1ステージ系を駆動するときに、前記第1ステー
ジ系の重心の変化により前記第1ステージ系を支持する
支持部材に変動が生じないようにすることを特徴とする
走査露光方法。
19. A scanning exposure method in which a mask and a substrate are synchronously moved for scanning exposure, wherein a first stage system which is movable while holding one of the mask and the substrate is driven. And a support member for supporting the first stage system does not change due to a change in the center of gravity of the first stage system.
【請求項20】 前記支持部材に力を付与することによ
り前記支持部材の変動を防止することを特徴とする請求
項18又は19記載の走査露光方法。
20. The scanning exposure method according to claim 18, wherein a fluctuation of the support member is prevented by applying a force to the support member.
【請求項21】 前記支持部材に非接触に力を付与する
ことを特徴とする請求項20記載の走査露光方法。
21. The scanning exposure method according to claim 20, wherein a force is applied to the support member in a non-contact manner.
【請求項22】 前記非接触の力は、電磁力であること
を特徴とする請求項21記載の走査露光方法。
22. The scanning exposure method according to claim 21, wherein the non-contact force is an electromagnetic force.
【請求項23】 前記支持部材の変動は、前記支持部材
の傾きを含むことを特徴とする請求項17〜22のいず
れか一項記載の走査露光方法。
23. The scanning exposure method according to claim 17, wherein the fluctuation of the support member includes an inclination of the support member.
【請求項24】 前記支持部材の変動は、前記支持部材
の変形を含むことを特徴とする請求項17〜23のいず
れか一項記載の走査露光方法。
24. The scanning exposure method according to claim 17, wherein the fluctuation of the support member includes a deformation of the support member.
【請求項25】 前記支持部材の変形は、前記支持部材
のねじれを含むことを特徴とする請求項24記載の走査
露光方法。
25. The scanning exposure method according to claim 24, wherein the deformation of the support member includes a twist of the support member.
【請求項26】 前記支持部材の変動は、前記支持部材
の振動を含むことを特徴とする請求項17〜25のいず
れか一項記載の走査露光方法。
26. The scanning exposure method according to claim 17, wherein the fluctuation of the support member includes vibration of the support member.
【請求項27】 前記支持部材は、前記マスクと前記基
板との他方を保持して移動可能な第2ステージ系を移動
可能に支持することを特徴とする請求項17〜26のい
ずれか一項記載の走査露光方法。
27. The apparatus according to claim 17, wherein the support member movably supports a second stage system that is movable while holding the other of the mask and the substrate. The scanning exposure method according to the above.
【請求項28】 請求項17〜27のいずれか一項記載
の走査露光方法を用いるデバイス製造方法。
28. A device manufacturing method using the scanning exposure method according to claim 17.
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