JP2000077301A - Aligner - Google Patents

Aligner

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JP2000077301A
JP2000077301A JP10245079A JP24507998A JP2000077301A JP 2000077301 A JP2000077301 A JP 2000077301A JP 10245079 A JP10245079 A JP 10245079A JP 24507998 A JP24507998 A JP 24507998A JP 2000077301 A JP2000077301 A JP 2000077301A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
exposure apparatus
drive system
reticle
Prior art date
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Pending
Application number
JP10245079A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Kobayashi
満 小林
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JP2000077301A publication Critical patent/JP2000077301A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve throughput by reducing the time required for step movement. SOLUTION: A wafer W as an object to be exposed is held by a stage constituted of an X-stage to be driven in an X'-axial direction and a Y-stage to be driven in a Y'-axial direction. The step movement of the wafer W, since one shot area S1 is exposed until the next shot area S2, is operated in a direction inclined to the X' axial direction and Y' axial direction at 45 deg.. That is, the X-stage and the Y-stage are moved at the same to the same distance, so that the wafer W can be step-moved linearly. The movement distance of the stage in the X'-axial direction and the Y'-axial direction can be turned into α.2-1/2 with respect to a step movement distance α, and a time required for step movement can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
表示装置、CCD等の撮像素子、薄膜磁気ヘッドなどの
マイクロデバイスを製造するための露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display, an image pickup device such as a CCD, and a micro device such as a thin film magnetic head.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つである
フォトリソグラフィー工程においては、マスク又はレチ
クルに形成されているパターンをフォトレジストが塗布
されたウエハ(感光基板)上に転写するための露光装置
として、マスクパターンをウエハ上のショット領域に縮
小投影する投影露光装置(ステッパー)が多く用いられ
ている。ステッパーとしては、マスクパターンをウエハ
上のショット領域に一括露光し、順次ウエハを移動して
他のショット領域に対して一括露光を繰り返すステップ
・アンド・リピート方式のもの、あるいは最近では露光
範囲の拡大や露光性能の向上等の観点から、マスクとウ
エハとを同期移動して、矩形その他の形状のスリット光
で走査・照明してウエハ上のショット領域に逐次露光
し、順次ウエハを移動して他のショット領域に対して走
査・露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン方式の
ものも開発され、実用に供されるようになっている。
2. Description of the Related Art In a photolithography process which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device, an exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask or a reticle onto a wafer (photosensitive substrate) coated with a photoresist. A projection exposure apparatus (stepper) for reducing and projecting a mask pattern onto a shot area on a wafer is often used. The stepper uses a step-and-repeat method in which mask patterns are exposed collectively to shot areas on the wafer, and the wafer is sequentially moved and batch exposure is performed for other shot areas. In order to improve the exposure performance, the mask and the wafer are moved synchronously, scanned and illuminated with slit light of a rectangular or other shape to sequentially expose the shot area on the wafer, and sequentially move the wafer to A step-and-scan method in which scanning and exposure are repeated with respect to the shot area has been developed and put to practical use.

【0003】この種の露光装置においては、露光対象と
してのウエハはウエハテーブル上に保持されたウエハホ
ルダに吸着保持される。ウエハテーブルは投影光学系の
光軸に略直交する面内におけるX軸方向に移動するXス
テージ及び投影光学系の光軸に略直交する面内における
該X軸方向に直交するY軸方向に移動するYステージに
よりXY平面内において位置決め移動される。Xステー
ジ及びYステージはそれぞれX軸方向及びY軸方向に延
設されたリニアモータなどを有する駆動系により駆動さ
れ、例えば、Xステージ上にYステージが載置され、Y
ステージ上にウエハテーブルが載置される。ウエハテー
ブルには、その位置を検出するためのレーザ干渉計の移
動鏡が一体的に固定されており、レーザ干渉計の計測値
及び制御データに基づき、ウエハテーブルの移動が制御
される。
In this type of exposure apparatus, a wafer to be exposed is held by suction on a wafer holder held on a wafer table. The wafer stage moves in the X-axis direction in a plane substantially perpendicular to the optical axis of the projection optical system, and moves in the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction in a plane substantially perpendicular to the optical axis of the projection optical system. Is moved in the XY plane by the moving Y stage. The X stage and the Y stage are driven by a drive system having a linear motor or the like extending in the X axis direction and the Y axis direction, respectively. For example, a Y stage is mounted on the X stage,
A wafer table is placed on the stage. A moving mirror of a laser interferometer for detecting the position is integrally fixed to the wafer table, and the movement of the wafer table is controlled based on the measurement value and control data of the laser interferometer.

【0004】従来のステップ・アンド・リピート方式の
露光装置の場合におけるウエハのステップ移動は、Xス
テージの駆動方向としてのX軸方向又はYステージの駆
動方向としてのY軸方向に行われるようになっている。
In the case of a conventional step-and-repeat type exposure apparatus, the step movement of the wafer is performed in the X-axis direction as the driving direction of the X stage or in the Y-axis direction as the driving direction of the Y stage. ing.

【0005】また、従来のステップ・アンド・スキャン
方式の露光装置の場合における同期移動(スキャン)
は、Xステージの駆動方向としてのX軸方向又はYステ
ージの駆動方向としてのY軸方向に行われるようになっ
ている。
Further, synchronous movement (scan) in the case of a conventional step-and-scan type exposure apparatus.
Is performed in the X-axis direction as the driving direction of the X stage or in the Y-axis direction as the driving direction of the Y stage.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来
は、ステージの駆動方向に一致する1軸方向にステップ
移動を実施し、あるいは同期移動(スキャン)を行って
いた。ここで、露光装置においては、スループット(単
位時間当たりの生産量)の向上が要請されており、一の
ショット領域について露光処理を行った後に次のショッ
ト領域の露光処理を行う前までのステップ移動に要する
時間を短縮することができれば、全体としてスループッ
トを大幅に向上することができる。
As described above, conventionally, a step movement or a synchronous movement (scan) is performed in one axial direction corresponding to the driving direction of the stage. Here, in the exposure apparatus, an improvement in throughput (production amount per unit time) is required, and the step movement after performing the exposure processing on one shot area until the exposure processing on the next shot area is performed. , The overall throughput can be greatly improved.

【0007】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、一のショット領
域から次のショット領域への移動に要する時間の短縮を
図り、全体としてのスループットを向上することができ
る露光装置を提供することである。
The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to shorten the time required for moving from one shot area to the next shot area, and as a whole, An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of improving throughput.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施
の形態の図に示す参照符号を付して説明するが、本発明
の各構成要件は、これら参照符号によって限定されるも
のではない。
Means for Solving the Problems In the following description, in order to facilitate understanding, each constituent element of the present invention will be described with reference numerals shown in the drawings of the embodiments. The constituent elements of the invention are not limited by these reference numerals.

【0009】1.上記目的を達成するための本発明の露
光装置は、互いに略直交する第1及び第2方向にそれぞ
れ第1及び第2駆動系(18X,18Y)により移動さ
れるステージ(16)上に感光基板(W)を保持し、該
ステージをステップ移動させつつ、照明光学系(11)
により照明されたマスク(R)のパターンの像を該感光
基板上に順次転写するようにした露光装置において、前
記ステップ移動方向を前記第1及び第2方向を含む面内
で前記第1及び第2方向に対して傾斜する方向に設定し
たことを特徴とする。
1. An exposure apparatus according to the present invention for achieving the above object comprises a photosensitive substrate on a stage (16) which is moved by first and second driving systems (18X, 18Y) in first and second directions substantially orthogonal to each other. (W), while moving the stage stepwise, the illumination optical system (11)
In the exposure apparatus, the image of the pattern of the mask (R) illuminated by the above is sequentially transferred onto the photosensitive substrate, and the step moving direction is changed to the first and second directions within a plane including the first and second directions. It is characterized by being set in a direction inclined with respect to two directions.

【0010】従来は第1駆動系(又は第2駆動系)によ
るステージの駆動方向と同一の方向にステップ移動させ
ているので、第1駆動系(又は第2駆動系)によりステ
ップ移動距離と同じ距離の移動が必要であったが、本発
明によれば、ステージの駆動方向としての第1方向
(X’方向)及び第2方向(Y’方向)に対して傾斜す
る方向(Y方向)、すなわち、第1駆動系及び第2駆動
系の双方をステップ移動方向の第1方向と第2方向に対
する傾斜角度比に応じた速度比で同時に作動してステー
ジを当該傾斜する方向に直線的にステップ移動するよう
にした。
Conventionally, the stage is moved stepwise in the same direction as the driving direction of the stage by the first drive system (or the second drive system). Therefore, the step movement distance is the same as the step movement distance by the first drive system (or the second drive system). Although it was necessary to move the distance, according to the present invention, the direction (Y direction) inclined with respect to the first direction (X ′ direction) and the second direction (Y ′ direction) as the driving direction of the stage, That is, both the first drive system and the second drive system are simultaneously operated at a speed ratio corresponding to the tilt angle ratio between the first direction and the second direction of the step movement direction, and the stage is linearly moved in the tilt direction. Moved.

【0011】従って、第1駆動系による第1方向への移
動距離及び第2駆動系による第2方向への移動距離はい
ずれもステップ移動距離に対して短くなる。すなわち、
第1方向とステップ移動方向とのなす角度をθ、ステッ
プ移動距離をαとすると、第1方向にはα・cosθ、
第2方向にはα・sinθだけ移動すればよい。例え
ば、第1方向とステップ移動方向のなす角度をθ=45
°に設定すれば、第1方向、第2方向の移動距離はそれ
ぞれ2−1/2倍、すなわち約0.707αとなる。
Therefore, the moving distance in the first direction by the first driving system and the moving distance in the second direction by the second driving system are both shorter than the step moving distance. That is,
Assuming that the angle between the first direction and the step moving direction is θ and the step moving distance is α, α · cos θ in the first direction,
What is necessary is just to move by α · sin θ in the second direction. For example, the angle between the first direction and the step moving direction is θ = 45.
If set to °, the movement distances in the first and second directions are each 2-1 / 2 times, that is, about 0.707α.

【0012】これにより、第1方向への移動距離及び第
2方向への移動距離のうちのいずれか長い方の駆動系の
速度を従来のステップ移動速度と同じに設定すれば、ス
テップ移動に要する時間を短縮することができる。な
お、ステップ移動に要する時間を従来と同じに設定する
とすれば、第1駆動系又は第2駆動系によるステージの
移動速度を低くすることができ、第1駆動系又は第2駆
動系に対する負担が少なくなる。
[0012] Thus, if the speed of the drive system which is longer of the moving distance in the first direction and the moving distance in the second direction is set to be the same as the conventional step moving speed, the step moving is required. Time can be reduced. If the time required for the step movement is set to be the same as the conventional one, the moving speed of the stage by the first drive system or the second drive system can be reduced, and the burden on the first drive system or the second drive system is reduced. Less.

【0013】2.上記目的を達成するための本発明の露
光装置は、互いに略直交する第1及び第2方向にそれぞ
れ第1及び第2駆動系(18X,18Y)により移動さ
れるステージ(16)上に感光基板(W)を保持し、該
感光基板及びマスク(R)を同期移動させつつ、照明光
学系(11)により照明されたマスクのパターンの像を
該感光基板上に逐次転写するようにした走査型の露光装
置において、前記同期移動方向を前記第1及び第2方向
を含む面内で前記第1及び第2方向に対して傾斜する方
向に設定したことを特徴とする。
2. An exposure apparatus according to the present invention for achieving the above object comprises a photosensitive substrate on a stage (16) which is moved by first and second driving systems (18X, 18Y) in first and second directions substantially orthogonal to each other. (W), while scanning the photosensitive substrate and the mask (R) synchronously, and sequentially transferring the image of the pattern of the mask illuminated by the illumination optical system (11) onto the photosensitive substrate. Wherein the synchronous movement direction is set in a direction inclined with respect to the first and second directions in a plane including the first and second directions.

【0014】また、本発明の露光装置は、互いに略直交
する第1及び第2方向にそれぞれ第1及び第2駆動系
(13X,13Y)により移動されるステージ(12)
上にマスク(R)を保持し、感光基板(W)及び該マス
クを同期移動させつつ、照明光学系(11)により照明
されたマスクのパターンの像を該感光基板上に逐次転写
するようにした走査型の露光装置において、前記同期移
動方向を前記第1及び第2方向を含む面内で前記第1及
び第2方向に対して傾斜する方向に設定したことを特徴
とする。
In the exposure apparatus according to the present invention, the stage (12) is moved by the first and second driving systems (13X, 13Y) in first and second directions substantially orthogonal to each other.
An image of a pattern of the mask illuminated by the illumination optical system (11) is sequentially transferred onto the photosensitive substrate while the mask (R) is held thereon and the photosensitive substrate (W) and the mask are synchronously moved. In the scanning type exposure apparatus described above, the synchronous movement direction is set to a direction inclined with respect to the first and second directions in a plane including the first and second directions.

【0015】従来は第1駆動系(又は第2駆動系)によ
る駆動方向と同一の方向に同期移動(スキャン)させて
いるので、第1駆動系(又は第2駆動系)によるステー
ジの移動速度を同期移動速度と同じ速度に設定する必要
があったが、本発明によれば、ステージの駆動方向とし
ての第1方向(X’方向)及び第2方向(Y’方向)に
対して傾斜する方向、すなわち、第1駆動系及び第2駆
動系の双方を同期移動方向の第1方向と第2方向に対す
る傾斜角度比に応じた速度比で同時に作動してステージ
を当該傾斜する方向に直線的に同期移動するようにし
た。
In the prior art, the stage is moved synchronously (scanned) in the same direction as the driving direction by the first driving system (or the second driving system), so that the moving speed of the stage by the first driving system (or the second driving system). Must be set to the same speed as the synchronous movement speed. However, according to the present invention, the stage is inclined with respect to the first direction (X ′ direction) and the second direction (Y ′ direction) as the driving direction of the stage. Direction, that is, both the first drive system and the second drive system are simultaneously operated at a speed ratio according to the tilt angle ratio with respect to the first direction and the second direction of the synchronous movement direction, and the stage is linearly moved in the tilt direction. Moved synchronously.

【0016】従って、第1駆動系による第1方向への移
動速度及び第2駆動系による第2方向への移動速度はい
ずれも同期移動速度に対して遅くすることができる。す
なわち、第1方向と同期移動方向とのなす角度をθ、同
期移動速度をvとすると、第1方向にはv・cosθ、
第2方向にはv・sinθの速度で移動すればよい。例
えば、第1方向と同期移動方向のなす角度をθ=45°
に設定すれば、第1方向、第2方向の移動速度はそれぞ
れ2−1/2倍、すなわち約0.707vとなる。
Therefore, the moving speed in the first direction by the first drive system and the moving speed in the second direction by the second drive system can both be lower than the synchronous moving speed. That is, if the angle between the first direction and the synchronous movement direction is θ and the synchronous movement speed is v, v · cos θ in the first direction,
What is necessary is just to move at a speed of v · sin θ in the second direction. For example, the angle between the first direction and the synchronous movement direction is θ = 45 °
, The moving speeds in the first direction and the second direction are each 2-1 / 2 times, that is, about 0.707v.

【0017】これにより、第1方向への移動速度及び第
2方向への移動速度を低くすることができ、第1駆動系
又は第2駆動系に対する負担が少なくなるとともに、そ
れぞれの駆動系によるステージの加減速(助走スキャ
ン)に要する時間及び距離を短縮することができ、全体
としてのスループットを向上することができる。
Thus, the moving speed in the first direction and the moving speed in the second direction can be reduced, the load on the first drive system or the second drive system is reduced, and the stage by each drive system is reduced. The time and distance required for acceleration / deceleration (running scan) can be reduced, and the overall throughput can be improved.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1は本発明の実施の形態のステップ・ア
ンド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方
式の縮小投影露光装置の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram of a step-and-repeat or step-and-scan type reduction projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【0020】図1において、11は照明光学系であり、
照明光学系11は、エキシマレーザ光を射出する露光光
源、照度分布均一化用のフライアイレンズ又はロッド・
インテグレータなどのオプチカルインテグレータ(ホモ
ジナイザー)、照明系開口絞り、レチクルブラインド
(可変視野絞り)、及びコンデンサレンズ系等から構成
されている。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an illumination optical system,
The illumination optical system 11 includes an exposure light source for emitting excimer laser light, a fly-eye lens or a rod-eye lens for uniformizing the illuminance distribution.
It comprises an optical integrator (homogenizer) such as an integrator, an illumination system aperture stop, a reticle blind (variable field stop), and a condenser lens system.

【0021】転写すべきパターンが形成されたフォトマ
スクとしてのレチクルRは、Xステージ12X及びYス
テージ12Yを有するレチクルステージ12上に吸着保
持されており、照明光学系11により露光光ILがレチ
クルステージ12上のレチクルRに照射される。レチク
ルRの照明領域内のパターンの像は、投影光学系PLを
介して縮小倍率(例えば、1/5又は1/4等)で、露
光対象としてのフォトレジストが塗布されたウエハWの
表面に投影される。
A reticle R as a photomask on which a pattern to be transferred is formed is held by suction on a reticle stage 12 having an X stage 12X and a Y stage 12Y. The reticle R on the reticle 12 is irradiated. The image of the pattern in the illumination area of the reticle R is projected onto the surface of the wafer W coated with a photoresist as an exposure target at a reduction magnification (for example, 1/5 or 1/4) via the projection optical system PL. Projected.

【0022】なお、以下の説明においては、投影光学系
PLの光軸AXに平行な方向をZ軸とし、Z軸に垂直な
平面内で図1の紙面に平行な方向をX軸とし、図1の紙
面に垂直な方向をY軸とし、この座標系を第1座標系と
いう。また、この第1座標系をZ軸を中心として反時計
方向に45度回転したX’軸、Y’軸及びZ軸からなる
座標系を第2座標系という。
In the following description, a direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL is defined as a Z axis, and a direction parallel to the plane of FIG. 1 in a plane perpendicular to the Z axis is defined as an X axis. The direction perpendicular to the plane of FIG. 1 is the Y axis, and this coordinate system is called a first coordinate system. The first coordinate system is a second coordinate system including the X 'axis, the Y' axis, and the Z axis rotated 45 degrees counterclockwise about the Z axis.

【0023】Xステージ12Xは、不図示のコラム上に
X’軸方向に延設されたリニアモータなどを有するレチ
クルX駆動系13XによりX’軸方向に駆動される。Y
ステージ12YはXステージ12X上にY’軸方向に延
設されたリニアモータなどを有するレチクルY駆動系1
3YによりY’軸方向に駆動される。レチクルステージ
12のX軸方向及びY軸方向の位置はそれぞれレーザ干
渉計(不図示)によって計測され、この計測値及び記憶
装置15に予め記憶保持された制御データ等に基づき制
御装置14からの制御信号によってレチクルステージ1
2の動作が制御される。
The X stage 12X is driven in the X 'axis direction by a reticle X drive system 13X having a linear motor or the like extended on the column (not shown) in the X' axis direction. Y
The stage 12Y is a reticle Y drive system 1 having a linear motor or the like extended on the X stage 12X in the Y ′ axis direction.
Driven in the Y′-axis direction by 3Y. The positions of the reticle stage 12 in the X-axis direction and the Y-axis direction are respectively measured by a laser interferometer (not shown), and control from the control device 14 is performed based on the measured values and control data stored and held in the storage device 15 in advance. Reticle stage 1 by signal
2 is controlled.

【0024】この実施の形態では、図2に示されている
ように、レチクルRは所定の基準MがX軸(又はY軸)
に整合した状態で、レチクルステージ12上に吸着保持
されている。すなわち、レチクルRはレチクルX駆動系
13Xによる駆動方向としてのX’軸方向(又はレチク
ルY駆動系13Yによる駆動方向としてのY’軸方向)
に対して45°回転した状態でレチクルステージ12に
吸着保持されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 2, the reticle R has a predetermined reference M whose X-axis (or Y-axis)
Are held by suction on the reticle stage 12 in a state where they are aligned. In other words, the reticle R is in the X′-axis direction as the driving direction by the reticle X driving system 13X (or the Y′-axis direction as the driving direction by the reticle Y driving system 13Y).
Is held by suction on the reticle stage 12 in a state of being rotated by 45 ° with respect to.

【0025】再度、図1を参照する。ウエハWは不図示
のウエハテーブル上に載置されたウエハホルダWH上に
真空吸着により保持され、このウエハテーブルはXステ
ージ16X及びYステージ16Yからなるウエハステー
ジ16上に載置されている。Xステージ16Xは、ベー
ス17上にX’軸方向に延設されたリニアモータなどを
有するウエハX駆動系18Xにより駆動される。Yステ
ージ16YはXステージ16X上にY’軸方向に延設さ
れたリニアモータなどを有するウエハY駆動系18Yに
より駆動される。ウエハテーブルはYステージ16Y上
にZ方向に変位する複数のアクチュエータ(不図示)な
どを介して設置されている。
Referring again to FIG. The wafer W is held by vacuum suction on a wafer holder WH placed on a wafer table (not shown), and this wafer table is placed on a wafer stage 16 composed of an X stage 16X and a Y stage 16Y. The X stage 16X is driven by a wafer X drive system 18X having a linear motor or the like extended on the base 17 in the X′-axis direction. The Y stage 16Y is driven by a wafer Y drive system 18Y having a linear motor or the like extended on the X stage 16X in the Y 'axis direction. The wafer table is installed on the Y stage 16Y via a plurality of actuators (not shown) displaced in the Z direction.

【0026】ウエハホルダWHに吸着保持されたウエハ
Wの表面は、オートフォーカス方式でウエハWのフォー
カス位置(光軸AX方向の位置)、及び傾斜角をZ軸方
向に変位するアクチュエータを適宜に制御することによ
って、投影光学系PLの像面に合わせ込まれる。ウエハ
テーブルのX軸方向及びY軸方向の位置はそれぞれレー
ザ干渉計(不図示)によって計測され、この計測値及び
記憶装置15に予め記憶保持された制御データ等に基づ
き制御装置14からの制御信号によってウエハステージ
16の動作が制御される。
The surface of the wafer W sucked and held by the wafer holder WH is appropriately controlled by an auto-focus system, which controls the focus position of the wafer W (position in the optical axis AX direction) and the actuator for displacing the tilt angle in the Z-axis direction. Thereby, it is adjusted to the image plane of the projection optical system PL. The positions of the wafer table in the X-axis direction and the Y-axis direction are respectively measured by a laser interferometer (not shown), and a control signal from the control device 14 is obtained based on the measured values and control data stored and held in the storage device 15 in advance. Accordingly, the operation of the wafer stage 16 is controlled.

【0027】制御装置14は記憶装置15に予め記憶保
持されたショットマップデータを含む制御データに従っ
て、ウエハステージ16やレチクルステージ12の動作
を制御する。ショットマップデータは、ウエハW上のパ
ターンを転写すべき各ショット領域の位置を示すデータ
である。
The control device 14 controls the operation of the wafer stage 16 and the reticle stage 12 in accordance with control data including shot map data stored and held in the storage device 15 in advance. The shot map data is data indicating the position of each shot area where a pattern on the wafer W is to be transferred.

【0028】この実施の形態では、ショットマップデー
タは第1座標系を基準として表現されているものとし、
従って、第2座標系を基準としたデータに変換されて、
それぞれの制御信号が生成され、ウエハX駆動系18X
及びウエハY駆動系18Yに対して送られることにな
る。但し、ショットマップデータは第2座表系を基準と
して表現したものを採用することができ、その場合には
当該座標変換は必要ないことになる。
In this embodiment, the shot map data is expressed with reference to the first coordinate system.
Therefore, the data is converted into data based on the second coordinate system,
Each control signal is generated, and the wafer X drive system 18X
And to the wafer Y drive system 18Y. However, as the shot map data, data expressed based on the second coordinate system can be adopted, and in that case, the coordinate conversion is not necessary.

【0029】なお、上記の説明では、レチクルステージ
12、ウエハステージ16の位置を検出するレーザ干渉
計は、レチクルステージ12、ウエハステージ16のX
軸方向及びY軸方向の位置をそれぞれ計測するようにし
ているが、X’軸方向及びY’軸方向の位置をそれぞれ
計測するようにしてもよい。
In the above description, the laser interferometer for detecting the positions of the reticle stage 12 and the wafer stage 16 uses the X of the reticle stage 12 and the wafer stage 16.
Although the positions in the axial direction and the Y-axis direction are measured, the positions in the X′-axis direction and the Y′-axis direction may be measured.

【0030】ウエハホルダWHは、略円板状の部材であ
り、ウエハテーブル上の所定の位置に真空吸着により着
脱可能に保持される。ウエハホルダWHの上面のウエハ
載置面にはウエハWを吸着保持するために、ほぼ同心円
状の多数の凹状の溝が形成されている。各溝はウエハホ
ルダWHの板厚方向に貫通する孔を介して図外の負圧源
に連通している。
The wafer holder WH is a substantially disk-shaped member, and is detachably held at a predetermined position on the wafer table by vacuum suction. On the wafer mounting surface on the upper surface of the wafer holder WH, a number of substantially concentric concave grooves are formed in order to hold the wafer W by suction. Each groove communicates with a negative pressure source (not shown) through a hole penetrating in the thickness direction of the wafer holder WH.

【0031】また、ウエハホルダWHは、ウエハ交換時
にウエハWを3点で支持するとともに、上下動させるウ
エハ上下動機構を構成する3つの上下動ピンが上下方向
に貫通される複数の貫通穴を有し、ウエハWはこのウエ
ハ上下動機構によりウエハホルダWH上に載置され、前
記負圧源が作動されることにより、ウエハホルダWHの
載置面上に吸着保持される。
The wafer holder WH has a plurality of through holes through which three up and down pins forming a wafer up and down movement mechanism for vertically moving the wafer W are supported while the wafer W is being replaced at three points. Then, the wafer W is mounted on the wafer holder WH by the wafer vertical movement mechanism, and the negative pressure source is operated, so that the wafer W is suction-held on the mounting surface of the wafer holder WH.

【0032】ウエハWにはオリエンテーションフラット
(オリフラ)若しくはノッチ又はマークなどのウエハW
の結晶方向と関連付けられた所定の基準が形成されてお
り、この実施の形態では、ウエハWは所定の基準がX軸
(又はY軸)に整合した状態で、ウエハホルダWHに吸
着保持される。例えば、図3に示されているように、ウ
エハWの所定の基準がオリフラの場合には、オリフラを
形成する端縁OFがX軸方向(又はY軸方向)にほぼ平
行するような姿勢に設定される。すなわち、ウエハWは
ウエハX駆動系18X及びウエハY駆動系18Yによる
駆動方向(X’軸方向、Y’軸方向)に対して45度回
転した状態でウエハホルダWHに吸着保持されている。
The wafer W has an orientation flat (orientation flat) or a notch or a mark.
In this embodiment, the wafer W is suction-held by the wafer holder WH with the predetermined reference aligned with the X-axis (or the Y-axis). For example, as shown in FIG. 3, when the predetermined reference of the wafer W is an orientation flat, the orientation of the edge OF forming the orientation flat is substantially parallel to the X-axis direction (or the Y-axis direction). Is set. That is, the wafer W is suction-held by the wafer holder WH in a state of being rotated by 45 degrees with respect to the driving directions (X′-axis direction, Y′-axis direction) by the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y.

【0033】ステップ・アンド・リピート方式 以下、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光
装置に本発明を適用した場合について説明する。ステッ
プ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置は、レチ
クルRのパターンの縮小像をウエハW上のショット領域
に一括露光し、順次ウエハをステップ移動しつつ、他の
ショット領域に対して一括露光を繰り返す方式の露光装
置である。
Step-and-Repeat Method Hereinafter, a case where the present invention is applied to a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus will be described. The step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus collectively exposes a reduced image of the pattern of the reticle R to a shot area on the wafer W, and performs batch exposure on other shot areas while sequentially moving the wafer stepwise. It is an exposure apparatus of a repeating system.

【0034】まず、制御装置14はレチクルX駆動系1
3X及びレチクルY駆動系13Yに制御信号を送り、レ
チクルRを所定のレチクル設定位置に搬入する。また、
ウエハWをウエハテーブルの近傍に搬入し、ウエハホル
ダWHに吸着保持する。制御装置14は記憶装置15の
ショットマップデータや他の制御データに基づき、ウエ
ハX駆動系18X及びウエハY駆動系18Yに制御信号
を送り、最初に露光処理を行うべきショット領域を投影
光学系PLによる投影位置に設定する。その位置で照明
光学系11による照明を行い、当該最初のショット領域
に対してレチクルRのパターンの投影像を一括転写す
る。
First, the controller 14 controls the reticle X drive system 1
A control signal is sent to the 3X and reticle Y drive system 13Y to carry the reticle R to a predetermined reticle set position. Also,
The wafer W is carried into the vicinity of the wafer table, and is suction-held by the wafer holder WH. The control device 14 sends a control signal to the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y based on the shot map data and other control data in the storage device 15 so that the first shot area to be subjected to the exposure processing is projected onto the projection optical system PL Is set to the projection position. At that position, illumination by the illumination optical system 11 is performed, and the projection image of the pattern of the reticle R is transferred to the first shot area at a time.

【0035】次いで、次のショット領域が投影位置に設
定されるようにウエハX駆動系18X及びウエハY駆動
系18Yに制御信号を送り、ウエハX駆動系18X及び
ウエハY駆動系18Yをそれぞれ同時に作動して、X’
軸方向及びY’軸方向にそれぞれ同速度で同時間だけ移
動する。これにより、ウエハWは、+Y軸方向、すなわ
ち、X’軸方向及びY’軸方向に対して45°の角度で
距離αだけステップ移動される。その位置で同様に露光
処理を実施する。
Next, a control signal is sent to the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y so that the next shot area is set at the projection position, and the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y are simultaneously operated. And X '
It moves in the axial direction and the Y′-axis direction at the same speed and for the same time. As a result, the wafer W is step-moved by the distance α at an angle of 45 ° with respect to the + Y-axis direction, that is, the X′-axis direction and the Y′-axis direction. Exposure processing is similarly performed at that position.

【0036】順次同様に+Y軸方向にステップ移動しつ
つ、Y軸方向の各ショット領域に対して順次露光処理を
実施し、Y軸方向に一列の露光処理が終了したならば、
+X軸方向に1コマだけステップ移動する。次いで、Y
軸方向の各ショット領域に対して−Y軸方向に順次ステ
ップ移動しつつ露光処理を実施し、以下同様に最後のシ
ョット領域まで露光処理を繰り返えす。
Exposure processing is sequentially performed on each shot area in the Y-axis direction while similarly stepwise moving in the + Y-axis direction, and if a row of exposure processing in the Y-axis direction is completed,
Step by one frame in the + X-axis direction. Then Y
Exposure processing is performed while sequentially moving stepwise in the −Y-axis direction for each shot area in the axial direction, and thereafter the exposure processing is similarly repeated up to the last shot area.

【0037】この実施の形態によると、ウエハX駆動系
18X及びウエハY駆動系18Yを同時に同速度で同時
間だけ作動して、ウエハWをY軸方向、すなわち、ウエ
ハX駆動系18XによるXステージ16Xの駆動方向と
してのX’軸方向及びウエハY駆動系18YによるYス
テージ16Yの駆動方向としてのY’軸方向に対して4
5°傾斜する方向にステップ移動するようにしている。
According to this embodiment, the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y are simultaneously operated at the same speed for the same time to move the wafer W in the Y-axis direction, that is, the X stage by the wafer X drive system 18X. 4 with respect to the X'-axis direction as the driving direction of the 16X and the Y'-axis direction as the driving direction of the Y stage 16Y by the wafer Y driving system 18Y.
Step movement is performed in a direction inclined by 5 °.

【0038】これにより、図4に示されているように、
ウエハX駆動系18XによるXステージ16Xの駆動方
向としてのX’軸方向にステップ移動する従来技術で
は、ウエハX駆動系18XによりXステージ16Xをス
テップ移動距離αに等しい距離だけ移動する必要があっ
たが、図5に示されているように、本実施の形態によれ
ば、ウエハX駆動系18XによるXステージ16Xの移
動距離及びウエハY駆動系18YによるYステージ16
Yの移動距離は、それぞれ2−1/2・α、すなわち、
約0.707・αとなり、ウエハX駆動系18Xによる
Xステージ16X及びウエハY駆動系18YによるYス
テージ16Yの移動速度を従来の一軸方向へのステップ
移動と同じに設定すれば、距離αのステップ移動に要す
る時間が約0.707倍と短縮される。従って、一枚の
ウエハWについての露光処理に要する時間を大幅に短縮
することができ、スループットを向上することができ
る。図4又は図5において、S1,S2は露光処理を行
ったショット領域を示しており、また、点線で示したの
はステップ移動後のウエハWの位置である。
As a result, as shown in FIG.
In the prior art in which the wafer X drive system 18X step-moves in the X'-axis direction as the drive direction of the X stage 16X, the wafer X drive system 18X needs to move the X stage 16X by a distance equal to the step movement distance α. However, as shown in FIG. 5, according to the present embodiment, the moving distance of the X stage 16X by the wafer X drive system 18X and the Y stage 16 by the wafer Y drive system 18Y
The moving distance of Y is 2 −1 / 2 · α, that is,
When the moving speed of the X stage 16X by the wafer X driving system 18X and the moving speed of the Y stage 16Y by the wafer Y driving system 18Y are set to be the same as the conventional step movement in one axial direction, the step of the distance α The time required for the movement is reduced to about 0.707 times. Therefore, the time required for the exposure processing for one wafer W can be significantly reduced, and the throughput can be improved. In FIG. 4 or FIG. 5, S1 and S2 indicate shot areas on which the exposure processing has been performed, and the dotted line indicates the position of the wafer W after the step movement.

【0039】なお、ステップ移動に要する時間を従来と
同じに設定するとすれば、ウエハX駆動系18Xによる
Xステージ16X又はウエハY駆動系18YによるYス
テージ16Yの移動速度を遅くすることができ、ウエハ
X駆動系18X又はウエハY駆動系18Yに対する負担
が少なくなり、駆動系として小出力・小型なものを採用
することができ、コストダウンを図ることもできる。
If the time required for the step movement is set to be the same as the conventional one, the moving speed of the X stage 16X by the wafer X drive system 18X or the Y stage 16Y by the wafer Y drive system 18Y can be reduced. The burden on the X drive system 18X or the wafer Y drive system 18Y is reduced, and a small output and small drive system can be adopted, and the cost can be reduced.

【0040】ステップ・アンド・スキャン方式 以下、ステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光
装置に本発明を適用した場合について説明する。ステッ
プ・アンド・スキャン方式は、照明光学系11による照
明光ILを矩形その他の形状のスリット状に整形し、該
スリット光でレチクルRを照明するとともに、レチクル
RとウエハWとを投影光学系PLの投影倍率に応じた速
度比で投影光学系PLに対して同期移動(スキャン)す
ることにより、レチクルRのパターンの投影像をウエハ
Wのショット領域に逐次転写し、順次ウエハをステップ
移動して他のショット領域に対して逐次露光を繰り返す
方式である。
Step-and-Scan Method Hereinafter, the case where the present invention is applied to a step-and-scan type reduction projection exposure apparatus will be described. In the step-and-scan method, the illumination light IL from the illumination optical system 11 is shaped into a rectangular or other slit shape, the reticle R is illuminated with the slit light, and the reticle R and the wafer W are projected onto the projection optical system PL. Is synchronously moved (scanned) with respect to the projection optical system PL at a speed ratio corresponding to the projection magnification of, so that the projected image of the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the shot area of the wafer W, and the wafer is sequentially moved step by step. This is a method in which exposure is sequentially repeated for other shot areas.

【0041】まず、制御装置14はレチクルX駆動系1
3X及びレチクルY駆動系13Yに制御信号を送り、レ
チクルRを所定の往と復の二つの初期位置のうちの往の
初期位置に設定する。また、ウエハWをウエハホルダW
Hに吸着保持し、制御装置14は記憶装置15のショッ
トマップデータや他の制御データに基づき、ウエハX駆
動系18X及びウエハY駆動系18Yに制御信号を送
り、最初に露光処理を行うべきショット領域を投影光学
系PLによる投影位置の近傍の所定の初期位置に設定す
る。この状態でレチクルRの+Y軸方向への移動(助
走)を開始するとともに、これに同期してウエハWの−
Y軸方向への移動(助走)を開始し、それぞれ所定の速
度に達した時点でスリット光による照明・走査を行い、
最初のショット領域に対してレチクルRのパターンの投
影像を逐次転写する。
First, the controller 14 controls the reticle X drive system 1
A control signal is sent to the 3X and reticle Y drive system 13Y, and the reticle R is set to the forward initial position of two predetermined initial positions. Further, the wafer W is transferred to the wafer holder W.
The controller 14 sends a control signal to the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y based on the shot map data and other control data in the storage device 15 to hold the shots to be exposed first. The area is set to a predetermined initial position near the position projected by the projection optical system PL. In this state, the movement of the reticle R in the + Y-axis direction (run-in) is started, and in synchronization therewith, the movement of the
Start moving (running) in the Y-axis direction, and perform illumination / scanning with slit light at the time when each reaches a predetermined speed.
The projected image of the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the first shot area.

【0042】すなわち、制御装置14は、レチクルX駆
動系13X及びレチクルY駆動系13Yに制御信号を送
り、レチクルX駆動系13X及びレチクルY駆動系13
Yをそれぞれ同時に作動して、+X’軸方向及び+Y’
軸方向にそれぞれ同速度で同時間だけ移動する。これに
より、レチクルRは、+Y軸方向、すなわち、X’軸方
向及びY’軸方向に対して45°の角度で移動される。
That is, the control device 14 sends a control signal to the reticle X drive system 13X and the reticle Y drive system 13Y, and the reticle X drive system 13X and the reticle Y drive system 13X.
Y at the same time, the + X 'axis direction and + Y'
It moves in the axial direction at the same speed for the same time. Thus, the reticle R is moved at an angle of 45 ° with respect to the + Y-axis direction, that is, the X′-axis direction and the Y′-axis direction.

【0043】一方、制御装置14は、これと同期するよ
うに、ウエハX駆動系18X及びウエハY駆動系18Y
に制御信号を送り、ウエハX駆動系18X及びウエハY
駆動系18Yをそれぞれ同時に作動して、−X’軸方向
及び−Y’軸方向にそれぞれ同速度で同時間だけ移動す
る。これにより、ウエハWは、−Y軸方向、すなわち、
X’軸方向及びY’軸方向に対して45°の角度で、レ
チクルRの移動方向に対して反対向きに移動される。
On the other hand, the control unit 14 controls the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y
To the wafer X drive system 18X and the wafer Y
The drive systems 18Y are simultaneously operated to move in the -X 'axis direction and the -Y' axis direction at the same speed and for the same time. Thereby, the wafer W is moved in the −Y axis direction, that is,
The reticle R is moved in a direction opposite to the moving direction of the reticle R at an angle of 45 ° with respect to the X ′ axis direction and the Y ′ axis direction.

【0044】次いで、制御装置14はレチクルX駆動系
13X及びレチクルY駆動系13Yに制御信号を送り、
レチクルRを所定の往と復の二つの初期位置のうちの複
の初期位置に設定する。また、制御装置14は記憶装置
15のショットマップデータや他の制御データに基づ
き、ウエハX駆動系18X及びウエハY駆動系18Yに
制御信号を送り、次に露光処理を行うべき隣りのショッ
ト領域を投影光学系PLによる投影位置の近傍の所定の
初期位置に設定する。この状態でレチクルRを−Y軸方
向へ、ウエハWを+Y軸方向へ同期移動し、次のショッ
ト領域に対してレチクルRのパターンの投影像を逐次転
写する。
Next, the controller 14 sends control signals to the reticle X drive system 13X and the reticle Y drive system 13Y,
The reticle R is set at a plurality of initial positions among two predetermined initial positions of forward and backward. Further, the control device 14 sends a control signal to the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y based on the shot map data and other control data in the storage device 15 to determine the next shot area to be subjected to the next exposure processing. It is set to a predetermined initial position near the position projected by the projection optical system PL. In this state, the reticle R is synchronously moved in the −Y axis direction and the wafer W is synchronously moved in the + Y axis direction, and the projected image of the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the next shot area.

【0045】すなわち、制御装置14は、レチクルX駆
動系13X及びレチクルY駆動系13Yに制御信号を送
り、レチクルX駆動系13X及びレチクルY駆動系13
Yをそれぞれ同時に作動して、−X’軸方向及び−Y’
軸方向にそれぞれ同速度で同時間だけ移動する。これに
より、レチクルRは、−Y軸方向、すなわち、X’軸方
向及びY’軸方向に対して45°の角度で移動される。
That is, the control device 14 sends a control signal to the reticle X drive system 13X and the reticle Y drive system 13Y, and the reticle X drive system 13X and the reticle Y drive system 13X.
Y are operated at the same time, so that the -X 'axis direction and -Y'
It moves in the axial direction at the same speed for the same time. As a result, the reticle R is moved at an angle of 45 ° with respect to the −Y-axis direction, that is, the X′-axis direction and the Y′-axis direction.

【0046】一方、制御装置14は、これと同期するよ
うに、ウエハX駆動系18X及びウエハY駆動系18Y
に制御信号を送り、ウエハX駆動系18X及びウエハY
駆動系18Yをそれぞれ同時に作動して、+X’軸方向
及び+Y’軸方向にそれぞれ同速度で同時間だけ移動す
る。これにより、ウエハWは、+Y軸方向、すなわち、
X’軸方向及びY’軸方向に対して45°の角度で、レ
チクルRの移動方向に対して反対向きに移動される。
On the other hand, the control device 14 controls the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y
To the wafer X drive system 18X and the wafer Y
The drive systems 18Y are simultaneously operated to move in the + X 'axis direction and the + Y' axis direction at the same speed and for the same time. As a result, the wafer W is moved in the + Y-axis direction,
The reticle R is moved in a direction opposite to the moving direction of the reticle R at an angle of 45 ° with respect to the X ′ axis direction and the Y ′ axis direction.

【0047】順次同様に隣りのショット領域に移動しつ
つ、+X軸方向の各ショット領域に対して順次露光処理
を実施し、X軸方向に一列の露光処理が終了したなら
ば、+Y軸方向に1コマだけステップ移動して、X軸方
向の各ショット領域に対して順次−X軸方向にステップ
移動しつつ露光処理を実施し、以下同様に最後のショッ
ト領域まで露光処理を繰り返えす。
Exposure processing is sequentially performed on each shot area in the + X-axis direction while sequentially moving to the adjacent shot area in the same manner. When the exposure processing in one row in the X-axis direction is completed, the exposure processing is performed in the + Y-axis direction. Exposure processing is performed while step-moving by one frame and sequentially stepping in the −X-axis direction for each shot area in the X-axis direction, and thereafter, the exposure processing is similarly repeated up to the last shot area.

【0048】この実施の形態によると、ウエハX駆動系
18X及びウエハY駆動系18Yを同時に同速度で同時
間だけ作動して、ウエハWをY軸方向(又は−Y軸方
向)、すなわち、ウエハX駆動系18XによるXステー
ジ16Xの駆動方向としてのX’軸方向及びウエハY駆
動系18YによるYステージ16Yの駆動方向としての
Y’軸方向に対して45°傾斜する方向に同期移動する
ようにしている。
According to this embodiment, the wafer X drive system 18X and the wafer Y drive system 18Y are simultaneously operated at the same speed and for the same time to move the wafer W in the Y-axis direction (or -Y-axis direction), The wafer is synchronously moved in a direction inclined by 45 degrees with respect to the X'-axis direction as the driving direction of the X stage 16X by the X driving system 18X and the Y'-axis direction as the driving direction of the Y stage 16Y by the wafer Y driving system 18Y. ing.

【0049】これにより、ウエハX駆動系18Xによる
Xステージ16Xの駆動方向としてのX’軸方向に同期
移動するようにした従来技術では、ウエハX駆動系18
XによりXステージ16XをウエハWの同期移動速度v
1に等しい速度で移動する必要があったが、本実施の形
態によれば、ウエハX駆動系18XによるXステージ1
6Xの移動速度及びウエハY駆動系18YによるYステ
ージ16Yの移動速度は、それぞれ2−1/2・v1、
すなわち約0.707・v1となる。
Thus, in the prior art in which the wafer X drive system 18X synchronously moves in the X'-axis direction as the drive direction of the X stage 16X, the wafer X drive system 18X
X moves the X stage 16X to the synchronous movement speed v of the wafer W.
Although it was necessary to move at a speed equal to 1, according to the present embodiment, the X stage 1 by the wafer X drive system 18 </ b> X was used.
The moving speed of 6X and the moving speed of the Y stage 16Y by the wafer Y drive system 18Y are 2 -1 / 2.v1, respectively.
That is, it is about 0.707 · v1.

【0050】従って、ウエハX駆動系18XによるXス
テージ16XのX’方向への移動速度及びウエハY駆動
系18YによるYステージ16YのY’方向への移動速
度を低くすることができ、ウエハX駆動系18X又はウ
エハY駆動系18Yに対する負担が少なくなるととも
に、ステップ移動時の加減速(助走スキャン)に要する
時間及び距離が短縮され、一枚のウエハWについての露
光処理に要する時間を大幅に短縮することができ、スル
ープットを向上することができる。
Therefore, the moving speed of the X stage 16X in the X 'direction by the wafer X driving system 18X and the moving speed of the Y stage 16Y in the Y' direction by the wafer Y driving system 18Y can be reduced. The load on the system 18X or the wafer Y driving system 18Y is reduced, and the time and distance required for acceleration / deceleration (running scan) at the time of the step movement are reduced, and the time required for exposure processing for one wafer W is greatly reduced. And the throughput can be improved.

【0051】また、この実施の形態によると、レチクル
X駆動系13X及びレチクルY駆動系13Yを同時に同
速度で同時間だけ作動して、レチクルRをY軸方向(又
は−Y軸方向)、すなわち、レチクルX駆動系13Xに
よるXステージ12Xの駆動方向としてのX’軸方向及
びレチクルY駆動系13YによるYステージ12Yの駆
動方向としてのY’軸方向に対して45°傾斜する方向
に同期移動するようにしている。
According to this embodiment, the reticle X drive system 13X and the reticle Y drive system 13Y are simultaneously operated at the same speed and for the same time to move the reticle R in the Y-axis direction (or -Y-axis direction), that is, The reticle X drive system 13X synchronously moves in the X'-axis direction as the drive direction of the X stage 12X by the reticle Y drive system 13Y and the Y 'axis direction as the drive direction of the Y stage 12Y by the reticle Y drive system 13Y in a direction inclined by 45 °. Like that.

【0052】これにより、レチクルX駆動系13Xによ
るXステージ12Xの駆動方向としてのX’軸方向に同
期移動するようにした従来技術では、レチクルX駆動系
13XによりXステージ12XをレチクルRの同期移動
速度v2に等しい速度で移動する必要があったが、本実
施の形態によれば、レチクルX駆動系13XによるXス
テージ12Xの移動速度及びレチクルY駆動系13Yに
よるYステージ13Yの移動速度は、それぞれ2
−1/2・v2、すなわち約0.707・v2となる。
Thus, in the prior art in which the reticle X driving system 13X synchronously moves the X stage 12X in the X 'axis direction as the driving direction of the X stage 12X, the reticle X driving system 13X moves the X stage 12X synchronously with the reticle R. Although it was necessary to move at a speed equal to the speed v2, according to the present embodiment, the moving speed of the X stage 12X by the reticle X driving system 13X and the moving speed of the Y stage 13Y by the reticle Y driving system 13Y are respectively 2
−1 / · v2, that is, about 0.707 · v2.

【0053】従って、レチクルX駆動系13XによるX
ステージ12XのX’方向への移動速度及びレチクルY
駆動系13YによるYステージ12YのY’方向への移
動速度を低くすることができ、レチクルX駆動系13X
又はレチクルY駆動系13Yに対する負担が少なくなる
とともに、ステップ移動時の加減速(助走スキャン)に
要する時間及び距離が短縮され、一枚のウエハWについ
ての露光処理に要する時間を大幅に短縮することがで
き、スループットを向上することができる。
Therefore, X by the reticle X drive system 13X
Moving speed of stage 12X in X 'direction and reticle Y
The moving speed of the Y stage 12Y in the Y ′ direction by the drive system 13Y can be reduced, and the reticle X drive system 13X
Alternatively, the load on the reticle Y drive system 13Y is reduced, and the time and distance required for acceleration / deceleration (running scan) during step movement are reduced, so that the time required for exposure processing for one wafer W is significantly reduced. And the throughput can be improved.

【0054】ここで、この実施の形態においては、図6
(A)に示されているように、一のショット領域S1に
対する露光処理の後、次のショット領域S2に対する露
光処理を実施するまでの移動に関して、+Y軸方向への
走査露光の後、そのまま+Y軸方向に直進して減速し、
点P1で停止した後に+X軸方向に移動して点P2で停
止し、次に−Y軸方向に加速し、次のショット領域S2
に対する走査露光を行うようにしている。
Here, in this embodiment, FIG.
As shown in (A), the movement from the exposure processing for one shot area S1 to the exposure processing for the next shot area S2 is performed, and after the scanning exposure in the + Y axis direction, + Y Go straight in the axial direction and decelerate,
After stopping at the point P1, it moves in the + X-axis direction and stops at the point P2, and then accelerates in the -Y-axis direction to move to the next shot area S2.
Is subjected to scanning exposure.

【0055】しかし、図6(B)に示されているよう
に、一のショット領域S1に対する露光処理の後、円弧
状に進んで次のショット領域S2に対する走査露光を行
うようにするとよい。連続的に進行方向が変更されるた
め、図6(A)に示されるものよりも振動の発生が少な
くなるとともに、移動距離が短いので移動に要する時間
を短縮することができるからである。
However, as shown in FIG. 6B, after the exposure processing for one shot area S1, it is preferable to proceed in an arc shape and perform the scanning exposure for the next shot area S2. This is because, since the traveling direction is continuously changed, the occurrence of vibration is smaller than that shown in FIG. 6A, and the moving distance can be shortened because the moving distance is short.

【0056】また、図6(C)に示されているように、
一のショット領域S1に対する露光処理の後、そのまま
直進して点P3で方向を変え、点P4で直角方向に折り
返して、点P5で方向を変えて−Y軸方向に進んで、次
のショット領域S2に対する走査露光を行うようにして
もよい。なお、図6(A)と(C)の場合には、方向を
変更する点P1〜P5の近傍において、円弧や数次曲線
等の緩和曲線を挿入し、進行方向の変更に伴う振動の発
生を抑制するとよい。
As shown in FIG. 6C,
After the exposure processing for one shot area S1, go straight and change the direction at point P3, turn back at a right angle at point P4, change the direction at point P5, proceed in the −Y-axis direction, and proceed to the next shot area. The scanning exposure for S2 may be performed. In the case of FIGS. 6 (A) and 6 (C), a transition curve such as an arc or a quadratic curve is inserted in the vicinity of the points P1 to P5 where the direction is changed, and the generation of the vibration accompanying the change in the traveling direction is performed. Should be suppressed.

【0057】なお、以上説明した実施形態は、本発明の
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。従って、
上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的
範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。
The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore,
Each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

【0058】例えば、上記の実施の形態においては、ス
テップ・アンド・リピート方式及びステップ・アンド・
スキャン方式の縮小投影露光装置を例にとって説明した
が、本発明はこれらに限定されることはなく、ステッパ
ー方式やミラープロジェクション方式の液晶表示装置な
どを製造するための大型基板露光装置にも適用すること
ができる。
For example, in the above embodiment, the step-and-repeat method and the step-and-repeat method
The scan type reduction projection exposure apparatus has been described as an example, but the present invention is not limited to these, and is also applicable to a large substrate exposure apparatus for manufacturing a stepper type or a mirror projection type liquid crystal display device. be able to.

【0059】また、露光用照明光は、水銀ランプから射
出される輝線(例えばg線、i線)、KrFエキシマレ
ーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長
193nm)、Fエキシマレーザ(波長157n
m)、又はYAGレーザなどの高調波のいずれであって
もよい。さらに、例えば5〜15nm(軟X線領域)に
発振スペクトルを有するEUV(Extreme Ul
tra Violet)光を露光用照明光とし、反射マ
スク上での照明領域を円弧スリット状に規定するととも
に、複数の反射光学素子(ミラー)のみからなる縮小投
影光学系を有し、縮小投影光学系の倍率に応じた速度比
で反射マスクとウエハとを同期移動して反射マスクのパ
ターンをウエハ上に転写するEUV露光装置などにも、
本発明を適用することができる。
[0059] Further, the exposure illumination light, emission lines (e.g., g-line, i-line), KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157n
m) or a harmonic such as a YAG laser. Further, for example, EUV (Extreme Ul) having an oscillation spectrum at 5 to 15 nm (soft X-ray region).
(tra Violet) light is used as exposure illumination light, an illumination area on the reflection mask is defined in an arc slit shape, and a reduction projection optical system including only a plurality of reflection optical elements (mirrors) is provided. EUV exposure equipment, etc., which transfers the reflection mask pattern onto the wafer by synchronously moving the reflection mask and the wafer at a speed ratio corresponding to the magnification of
The present invention can be applied.

【0060】[0060]

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したの
で、一のショット領域から次のショット領域への移動に
要する時間の短縮を図り、全体としてのスループットを
向上することができる露光装置を提供することができる
という効果がある。
Since the present invention is constructed as described above, an exposure apparatus capable of reducing the time required for moving from one shot area to the next shot area and improving the overall throughput is provided. There is an effect that it can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の露光装置の構成を示す概
略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態のレチクルの姿勢と座標系
との関係を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between a reticle attitude and a coordinate system according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態のウエハの姿勢と座標系と
の関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a posture of a wafer and a coordinate system according to the embodiment of the present invention.

【図4】従来のステップ・アンド・リピート方式の露光
装置のステップ移動の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view of a step movement of a conventional step-and-repeat type exposure apparatus.

【図5】本発明の実施の形態のステップ・アンド・リピ
ート方式の露光装置のステップ移動の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a step movement of the exposure apparatus of the step-and-repeat method according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態のステップ・アンド・スキ
ャン方式の露光装置のウエハの移動の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of movement of a wafer in the step-and-scan exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

R…レチクル(マスク) W…ウエハ(感光基板) WH…ウエハホルダ PL…投影光学系 IL…照明光 11…照明光学系 12…レチクルステージ 12X…Xステージ 12Y…Yステージ 13X…レチクルX駆動系 13Y…レチクルY駆動系 14…制御装置 15…記憶装置 16…ウエハステージ 16X…Xステージ 16Y…Yステージ 18X…ウエハX駆動系 18Y…ウエハY駆動系 R ... reticle (mask) W ... wafer (photosensitive substrate) WH ... wafer holder PL ... projection optical system IL ... illumination light 11 ... illumination optical system 12 ... reticle stage 12X ... X stage 12Y ... Y stage 13X ... reticle X drive system 13Y ... Reticle Y drive system 14 Control device 15 Storage device 16 Wafer stage 16X X stage 16Y Y stage 18X Wafer X drive system 18Y Wafer Y drive system

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに略直交する第1及び第2方向にそ
れぞれ第1及び第2駆動系により移動されるステージ上
に感光基板を保持し、該ステージをステップ移動させつ
つ、照明光学系により照明されたマスクのパターンの像
を該感光基板上に順次転写するようにした露光装置にお
いて、 前記ステップ移動方向を前記第1及び第2方向を含む面
内で前記第1及び第2方向に対して傾斜する方向に設定
したことを特徴とする露光装置。
An illumination optical system holds a photosensitive substrate on a stage moved by first and second driving systems in first and second directions substantially orthogonal to each other, and moves the stage in steps. An exposure apparatus for sequentially transferring the image of the mask pattern thus formed onto the photosensitive substrate, wherein the step movement direction is set with respect to the first and second directions in a plane including the first and second directions. An exposure apparatus, wherein the exposure apparatus is set in a tilting direction.
【請求項2】 前記ステップ移動方向の前記第1及び第
2方向に対する傾斜角度を略45度に設定したことを特
徴とする請求項1に記載の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein an inclination angle of the step movement direction with respect to the first and second directions is set to approximately 45 degrees.
【請求項3】 前記マスクを前記ステップ移動方向の前
記第1及び第2方向に対する傾斜角度に相当する角度だ
け傾斜させて配置したことを特徴とする請求項1又は2
に記載の露光装置。
3. The mask according to claim 1, wherein the mask is arranged to be inclined by an angle corresponding to an inclination angle of the step moving direction with respect to the first and second directions.
3. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項4】 互いに略直交する第1及び第2方向にそ
れぞれ第1及び第2駆動系により移動されるステージ上
に感光基板を保持し、該感光基板及びマスクを同期移動
させつつ、照明光学系により照明されたマスクのパター
ンの像を該感光基板上に逐次転写するようにした走査型
の露光装置において、 前記同期移動方向を前記第1及び第2方向を含む面内で
前記第1及び第2方向に対して傾斜する方向に設定した
ことを特徴とする露光装置。
4. An illumination optical system that holds a photosensitive substrate on a stage moved by first and second driving systems in first and second directions substantially orthogonal to each other, and synchronously moves the photosensitive substrate and the mask. A scanning type exposure apparatus for sequentially transferring an image of a mask pattern illuminated by a system onto the photosensitive substrate, wherein the synchronous movement direction is the first and the second in a plane including the first and the second directions. An exposure apparatus, wherein the exposure apparatus is set in a direction inclined with respect to a second direction.
【請求項5】 互いに略直交する第1及び第2方向にそ
れぞれ第1及び第2駆動系により移動されるステージ上
にマスクを保持し、感光基板及び該マスクを同期移動さ
せつつ、照明光学系により照明されたマスクのパターン
の像を該感光基板上に逐次転写するようにした走査型の
露光装置において、 前記同期移動方向を前記第1及び第2方向を含む面内で
前記第1及び第2方向に対して傾斜する方向に設定した
ことを特徴とする露光装置。
5. An illumination optical system while holding a mask on a stage moved by first and second driving systems in first and second directions substantially orthogonal to each other, and synchronously moving the photosensitive substrate and the mask. In the scanning exposure apparatus, the images of the pattern of the mask illuminated by are sequentially transferred onto the photosensitive substrate, wherein the synchronous movement direction is the first and the second in a plane including the first and the second directions. An exposure apparatus, wherein the exposure apparatus is set in a direction inclined with respect to two directions.
【請求項6】 前記同期移動方向の前記第1及び第2方
向に対する傾斜角度を略45度に設定したことを特徴と
する請求項4又は5に記載の露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 4, wherein an inclination angle of the synchronous movement direction with respect to the first and second directions is set to approximately 45 degrees.
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