JP2000068357A - Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus - Google Patents

Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus

Info

Publication number
JP2000068357A
JP2000068357A JP23821298A JP23821298A JP2000068357A JP 2000068357 A JP2000068357 A JP 2000068357A JP 23821298 A JP23821298 A JP 23821298A JP 23821298 A JP23821298 A JP 23821298A JP 2000068357 A JP2000068357 A JP 2000068357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
sensor
notch
moving
position detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23821298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Katsumi
栄雄 勝見
Akifumi Imanishi
顕史 今西
Tsutomu Morimoto
勉 森本
Hiroyuki Takamatsu
弘行 高松
Yuji Yamamoto
雄治 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Genesis Technology Co Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Genesis Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd, Genesis Technology Co Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP23821298A priority Critical patent/JP2000068357A/en
Publication of JP2000068357A publication Critical patent/JP2000068357A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a position detector which can detect the position of a wafer cutout such as a notch and an orientation flat without damaging a wafer with a simple structure using an edge handling device for handling the periphery of a wafer. SOLUTION: A wafer W is placed on a holding stage 1 which holds the wafer W by the periphery. A sensor 22 is moved, while being revolved along the periphery of the wafer by means of a drive section 23 to detect the outer shape of the wafer. In parallel with the detection, the position (angle of rotation) of the sensor is detected by an encoder, which generates a pulse according to the rotation of the driving section 23. A notch position detecting section 25 detects the position of a notch from the position of the sensor at detecting the notch. Thus, the notch position can be detected during the edge handling operation. Therefore, the contamination on the rear face of the wafer can be prevented, and thereby reliability, quality and yield can be increased, which leads to reduction in manufacturing cost. Moreover, due to the mechanism being one for making a sensor rotate without rotating an edge handling equipment, the transfer time to a space or a stage can be shortened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,ウェーハの外周上
に設けられたオリエンテーションフラットやノッチなど
の切欠部の位置を検出するウェーハノッチ位置検出装
置,及びそれを用いたウェーハ特性測定装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer notch position detecting device for detecting a position of a notch such as an orientation flat or a notch provided on an outer periphery of a wafer, and a wafer characteristic measuring device using the same. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常,半導体ウェーハの外周部には,結
晶方位を示す切欠部(オリエンテーションフラット若し
くはノッチ)が形成されており,各製造工程において
は,この切欠部の位置を基準としてウェーハの位置決め
をした後に処理が行われる。このため,各ウェーハの製
造処理前には,予め上記切欠部の位置を検出する必要が
ある。上記のような切欠部(以下,ノッチで代表させ
る)の位置を検出するウェーハノッチ位置検出装置とし
ては,例えば特開平7−260432号公報,特開平8
−8328号公報などに提案されているものが一般的で
あった。これらのノッチ位置検出装置A0は,例えば図
14に示すように,ウェーハWをその中心位置付近で回
転テーブル101に固定して回転させ,そのエッジ部を
センサ102(例えば投光部102aと受光部102b
よりなる)によってセンシングし,その出力信号の変化
によってノッチ位置を検出するものである。上記回転テ
ーブル101へのウェーハWの固定方法としては,例え
ばウェーハの裏面を真空吸着するなどの方法がとられて
いる。
2. Description of the Related Art Usually, a notch (orientation flat or notch) indicating the crystal orientation is formed on the outer periphery of a semiconductor wafer. In each manufacturing process, the position of the wafer is determined with reference to the position of the notch. The processing is performed after. For this reason, it is necessary to detect the position of the notch in advance before the manufacturing process of each wafer. As a wafer notch position detecting device for detecting the position of the above notch (hereinafter, represented by a notch), for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-260432 and 8
The one proposed in, for example, US Pat. As shown in FIG. 14, for example, these notch position detecting devices A0 fix a wafer W on a turntable 101 in the vicinity of its center position and rotate it, and rotate the edge portion of the wafer W with a sensor 102 (for example, a light projecting portion 102a and a light receiving portion 102b
), And the notch position is detected by a change in the output signal. As a method of fixing the wafer W to the rotary table 101, for example, a method of vacuum-sucking the back surface of the wafer is used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上記ノ
ッチ位置検出装置A0では,ウェーハの裏面を直接保持
するため,ウェーハ裏面に汚れなどが付着して歩留りが
低下するなどの問題点があった。そこで,ウェーハをハ
ンドリングする際にウェーハの外周部を保持するエッジ
ハンドリングが行われるようになってきた。このエッジ
ハンドリング装置としては,図15に示すように,ステ
ージ111上に4つのウェーハ保持部112a〜112
d(112a,112bは固定,112c,112dは
図中矢印方向に可動)を設け,これらによってウェーハ
Wをその外周部のみで固定的に保持するものが考えられ
る。しかしながら,上記のようなエッジハンドリング装
置を用いて上記ノッチ位置検出装置A0と同様の方法で
ノッチ位置検出を行おうとすれば,上記ウェーハ保持部
112c,112dの移動機構等を含めてエッジハンド
リング装置全体を回転させる必要があるため,装置全体
が大がかりになってしまうなどの問題点があった。ま
た,回転中にウェーハがぐらつかないようにある程度強
く固定する必要があるため,ウェーハの外周部に上記ウ
ェーハ保持部から大きな力が作用してウェーハ外周部を
損傷してしまう可能性もあった。以上のように,エッジ
ハンドリング装置を用いたノッチ位置検出装置を実用化
するまでにはまだまだ解決すべき多くの課題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり,その目
的とするところは,ウェーハの外周部を保持するエッジ
ハンドリング装置を用いた簡単な装置構成により,ウェ
ーハを傷つけることなく,ノッチ,オリエンテーション
フラットなどの切欠部の位置を検出できるウェーハ切欠
部位置検出装置,及びそれを用いたウェーハ特性測定装
置を提供することである。
However, in the notch position detecting device A0, since the back surface of the wafer is directly held, there is a problem that dirt and the like adhere to the back surface of the wafer and the yield decreases. Therefore, edge handling for holding the outer peripheral portion of the wafer when handling the wafer has been performed. As shown in FIG. 15, the edge handling apparatus includes four wafer holding units 112a to 112 on a stage 111.
d (112a and 112b are fixed, and 112c and 112d are movable in the direction of the arrow in the drawing), and the wafer W is fixedly held only at the outer peripheral portion thereof. However, if the notch position detection is to be performed by the same method as the notch position detection device A0 using the above-described edge handling device, the entire edge handling device including the moving mechanism of the wafer holding units 112c and 112d, etc. It is necessary to rotate the device, and there is a problem that the whole device becomes large. In addition, since the wafer must be firmly fixed to some extent so as not to wobble during rotation, there is a possibility that a large force acts on the outer peripheral portion of the wafer from the wafer holding portion to damage the outer peripheral portion of the wafer. As described above, there are still many problems to be solved before the notch position detecting device using the edge handling device is put to practical use.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a notch and an orientation flat without damaging a wafer by a simple device configuration using an edge handling device that holds an outer peripheral portion of the wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer notch position detecting device capable of detecting the position of a notch such as the above, and a wafer characteristic measuring device using the same.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第1の発明は,ウェーハをその外周部において保持し
た状態で,上記ウェーハの外周部上に形成された切欠部
の位置を検出するウェーハ切欠部位置検出装置におい
て,上記ウェーハの外周形状を検出するセンサと,上記
センサを上記ウェーハの外周に沿って移動させるセンサ
移動手段と,上記センサ移動手段によって移動する上記
センサの位置を検出するセンサ位置検出手段と,上記セ
ンサからの出力と,上記センサ位置検出手段によって得
られた上記センサ位置とに基づいて,上記切欠部の位置
を検出する切欠部位置検出手段とを具備してなることを
特徴とするウェーハ切欠部位置検出装置として構成され
ている。上記センサ移動手段としては,例えば上記ウェ
ーハの中心と同軸の回転中心を持つ回転機構を具備して
構成することができる。この場合,上記センサ位置検出
手段は,上記センサ移動手段によって移動する上記セン
サの上記回転中心回りの角度位置を検出するようにすれ
ばよい。また,上記センサ移動手段に,更に上記センサ
の位置を上記ウェーハの半径方向に移動させる機構を具
備し,上記切欠部位置検出手段が,複数の半径位置にお
ける上記センサからの出力と,それぞれ上記センサ位置
検出手段によって得られた上記センサ位置とに基づいて
上記切欠部の位置を検出するようにすれば,切欠部の位
置検出精度は更に向上する。また,上記センサとして
は,例えば上記ウェーハに対して照射した光の反射光を
検出する反射式光学センサや,或いは上記ウェーハの外
周部分の画像を撮像するラインセンサなどを用いること
ができる。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is to detect a position of a notch formed on an outer peripheral portion of a wafer while holding the wafer at the outer peripheral portion. In the wafer notch position detecting device, a sensor for detecting an outer peripheral shape of the wafer, a sensor moving means for moving the sensor along the outer circumference of the wafer, and a position of the sensor moved by the sensor moving means are detected. A sensor position detecting means, and a notch position detecting means for detecting a position of the notch based on an output from the sensor and the sensor position obtained by the sensor position detecting means. The device is configured as a wafer notch position detecting device. As the sensor moving means, for example, a rotation mechanism having a rotation center coaxial with the center of the wafer can be provided. In this case, the sensor position detecting means may detect the angular position of the sensor moved by the sensor moving means around the rotation center. Further, the sensor moving means further comprises a mechanism for moving the position of the sensor in a radial direction of the wafer, wherein the notch position detecting means detects an output from the sensor at a plurality of radial positions and the sensor respectively. If the position of the notch is detected based on the sensor position obtained by the position detecting means, the position detection accuracy of the notch is further improved. Further, as the sensor, for example, a reflection type optical sensor that detects reflected light of light irradiated on the wafer, or a line sensor that captures an image of an outer peripheral portion of the wafer can be used.

【0005】更に,上記センサ移動手段の移動機構で生
じたダストの上記ウェーハへの付着を防止するため,例
えば上記センサ移動手段の移動機構にシール処理を施し
たり,或いは上記センサ移動手段の移動機構と上記ウェ
ーハとの間に遮蔽板を設けるなどのダスト付着防止手段
を具備することが望ましい。また,第2の発明は,上記
第1の発明を利用したものであり,ウェーハをその外周
部において保持した状態で,上記ウェーハの外周部上に
形成された切欠部の位置を検出し,上記切欠部の位置に
基づいて得られる上記ウェーハ上の所定位置での特性
を,ウェーハの特性を測定する測定手段によって測定す
るウェーハ特性測定装置において,上記ウェーハの外周
形状を検出するセンサと,上記センサを上記ウェーハの
外周に沿って移動させるセンサ移動手段と,上記センサ
移動手段によって移動する上記センサの位置を検出する
センサ位置検出手段と,上記センサからの出力と,上記
センサ位置検出手段によって得られた上記センサ位置と
に基づいて,上記切欠部の位置を検出する切欠部位置検
出手段と,上記切欠部位置検出手段で得られた上記切欠
部位置に基づいて,上記ウェーハ上の上記所定位置を算
出する測定位置算出手段と,外周部において保持された
上記ウェーハ若しくは上記測定手段を移動させ,上記測
定位置算出手段で算出された上記ウェーハ上の上記所定
位置を上記測定手段の測定部に位置決めするウェーハ位
置決め手段とを具備してなることを特徴とするウェーハ
特性測定装置として構成されている。
Further, in order to prevent dust generated by the moving mechanism of the sensor moving means from adhering to the wafer, for example, a sealing process is performed on the moving mechanism of the sensor moving means, or the moving mechanism of the sensor moving means is moved. It is desirable to provide a dust adhesion preventing means such as providing a shielding plate between the wafer and the wafer. A second invention utilizes the first invention, and detects a position of a notch formed on an outer peripheral portion of the wafer while holding the wafer at the outer peripheral portion, and detects the position of the notch. A wafer characteristic measuring device for measuring a characteristic at a predetermined position on the wafer obtained based on a position of the notch by a measuring means for measuring a characteristic of the wafer; Moving the sensor along the outer periphery of the wafer, sensor position detecting means for detecting the position of the sensor moved by the sensor moving means, output from the sensor, and sensor position detecting means. A notch position detecting means for detecting the position of the notch based on the sensor position, and a position obtained by the notch position detecting means. Measuring position calculating means for calculating the predetermined position on the wafer based on the position of the notch, and moving the wafer or the measuring means held at the outer periphery to calculate the predetermined position on the wafer; And a wafer positioning means for positioning the above predetermined position to the measuring section of the measuring means.

【0006】[0006]

【作用】第1の発明に係るウェーハ切欠部位置検出装置
においては,ウェーハをその外周部において保持した状
態で,センサ移動手段によってセンサが上記ウェーハの
外周に沿って移動され,上記センサによって上記ウェー
ハの外周形状が検出される。また,上記センサによる検
出と並行して,センサ位置検出手段によって上記センサ
の位置が検出される。そして,切欠部位置検出手段にお
いて,上記センサによって上記切欠部が検出されたとき
の上記センサ位置検出手段からの出力,即ちセンサ位置
により,上記切欠部の位置が検出される。このように,
エッジハンドリングを行ったままウェーハの切欠部位置
を検出することができるため,ウェーハ裏面への汚れの
付着を防止することができ,高信頼化,高品質化による
商品性向上と,歩留り向上による生産コスト低減が図れ
る。また,エッジハンドリング装置を回転させるのでは
なく,センサを回転させる機構となっているため,従来
方式と比べてコスト,スペースの削減,並びにステージ
への搬送時間の削減が図れる。また,第2の発明に係る
ウェーハ特性測定装置においては,上記第1の発明に係
るウェーハ切欠部位置検出装置において測定された上記
切欠部位置に基づいて,測定位置算出手段により,上記
ウェーハ上での特性測定位置である所定位置が算出され
る。そして,ウェーハ位置決め手段により,上記外周部
で保持されたままのウェーハ,若しくは測定手段を平行
移動させることにより,上記測定位置算出手段で算出さ
れた上記ウェーハ上の上記所定位置が上記測定手段の測
定部に位置決めされる。このように,ウェーハを回転さ
せることなくウェーハが測定手段に位置決めされるた
め,ウェーハの向きを調整するための回転機構を設ける
必要がなく,コスト及び測定時間が削減できる。
In the wafer notch position detecting device according to the first invention, the sensor is moved along the outer periphery of the wafer by the sensor moving means while the wafer is held at the outer periphery thereof, and the sensor is moved by the sensor. Is detected. Further, in parallel with the detection by the sensor, the position of the sensor is detected by the sensor position detecting means. Then, in the notch position detecting means, the position of the notch is detected based on the output from the sensor position detecting means when the sensor detects the notch, that is, the sensor position. in this way,
Since the notch position of the wafer can be detected while the edge handling is performed, the adhesion of dirt on the back surface of the wafer can be prevented, and the product is improved by improving reliability and quality, and production is improved by improving yield. Cost reduction can be achieved. In addition, since the sensor is rotated instead of rotating the edge handling device, cost, space, and transfer time to the stage can be reduced as compared with the conventional method. Further, in the wafer characteristic measuring device according to the second invention, based on the notch position measured by the wafer notch position detecting device according to the first invention, a measurement position calculating unit performs a measurement on the wafer by measuring position calculation means. The predetermined position, which is the characteristic measurement position, is calculated. Then, the predetermined position on the wafer calculated by the measurement position calculating means is measured by the measuring means by moving the wafer held at the outer periphery or the measuring means in parallel by the wafer positioning means. Is positioned in the part. As described above, since the wafer is positioned on the measurement unit without rotating the wafer, there is no need to provide a rotation mechanism for adjusting the direction of the wafer, and the cost and measurement time can be reduced.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下,添付図面を参照して本発明
の実施の形態及び実施例につき説明し,本発明の理解に
供する。尚,以下の実施の形態及び実施例は,本発明を
具体化した一例であって,本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに,図1は本発明の実施の
形態に係るウェーハ特性測定装置A1の概略構成を示す
模式図,図2は保持部11a(31a),11b(31
b)の形状及びその保持機構の説明図,図3はセンサ部
22及びその回転機構の説明図,図4はセンサ部22の
光ファイバ束22aの設置位置を示す説明図,図5は上
記センサ部22におけるセンサ出力分布図の一例,図6
はウェーハW上の測定位置の設定例を示す図,図7はセ
ンサ部22の回転機構のその他の構成例を示す模式図,
図8はセンサ部22の回転機構のその他の構成例を示す
模式図,図9はセンサ部22を半径方向に移動させた場
合のそれぞれの移動軌跡を示す説明図,図10は複数の
センサ半径による検出によって得られた複数のノッチ位
置から最終的なノッチ位置を求める方法の一例を示す説
明図,図11はセンサの他の構成例としてラインセンサ
51を用いた場合の概略構成を示す模式図,図12は上
記ラインセンサ51によるノッチ位置近傍での撮像画像
の一例を示す図,図13はノッチ位置検出装置2にダス
ト付着防止手段の一例としての円盤61と静電気除去装
置62を取り付けたときの概略構成を示す模式図であ
る。
Embodiments and examples of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention. The following embodiments and examples are mere examples embodying the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention. Here, FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a wafer characteristic measuring apparatus A1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a holding section 11a (31a), 11b (31).
FIG. 3B is an explanatory view of the shape and the holding mechanism thereof, FIG. 3 is an explanatory view of the sensor unit 22 and its rotating mechanism, FIG. 4 is an explanatory view showing the installation position of the optical fiber bundle 22a of the sensor unit 22, and FIG. FIG. 6 shows an example of a sensor output distribution diagram in the section 22.
FIG. 7 is a view showing an example of setting a measurement position on the wafer W, FIG. 7 is a schematic view showing another example of the configuration of the rotation mechanism of the sensor unit 22,
FIG. 8 is a schematic diagram showing another configuration example of the rotation mechanism of the sensor unit 22, FIG. 9 is an explanatory diagram showing each movement locus when the sensor unit 22 is moved in the radial direction, and FIG. FIG. 11 is an explanatory diagram showing an example of a method of obtaining a final notch position from a plurality of notch positions obtained by detection by the method, and FIG. 11 is a schematic diagram showing a schematic configuration when a line sensor 51 is used as another configuration example of the sensor. FIG. 12 is a view showing an example of a picked-up image near the notch position by the line sensor 51. FIG. 13 shows a case where a disk 61 and an electrostatic removal device 62 as an example of dust adhesion preventing means are attached to the notch position detection device 2. It is a schematic diagram which shows the schematic structure of.

【0008】本実施の形態に係るウェーハ特性測定装置
A1は,上記第2の発明に係るウェーハ特性測定装置
(上記第1の発明に係るウェーハ切欠部位置検出装置を
含む)を具現化したものであり,図1に示すように,ウ
ェーハWを保持する保持ステージ1と,上記保持ステー
ジ1によって保持されたウェーハWの上方に設けられた
ノッチ位置検出装置2(第1の発明に係るウェーハ切欠
部位置検出装置の一例)と,上記保持ステージ1を移動
させるXYステージ3(ウェーハ位置決め手段の一例)
と,上記XYステージ3によって移動された上記保持ス
テージ1上のウェーハWの特性を測定する特性測定装置
4(測定手段の一例)と,ウェーハWの上記保持ステー
ジ1上への載置及び除去を行う搬送ロボット5と,シス
テム全体の制御を行う制御装置6(測定位置算出手段の
一例)とを具備して構成されている。尚,本実施の形態
で対象とするウェーハWには,切欠部の一例としてノッ
チが形成されているものとする。上記保持ステージ1上
には,図15に示したエッジハンドリング装置と同様,
4つの保持部11a,11a,11b,11b(11a
は固定,11bは矢印方向に可動)が設けられている。
上記各保持部は,図2に示すように,それぞれ傾斜部1
2aと突起部12bとを具備しており,上記保持部11
bを移動させることにより,上記傾斜部12a上に載置
されたウェーハW(図2(a))が,上記突起部12b
によって挟まれ,外周部のみにおいて固定される(図2
(b))。尚,上記保持ステージ1においては,上記保
持部11bの移動量を測定することによって上記ウェー
ハWの直径を算出することも可能である。上記保持ステ
ージ1上に固定される上記ウェーハWは,上記搬送ロボ
ット5によって搬送される。上記搬送ロボット5のアー
ム5a上には,上記保持ステージ1上に設けられている
ものとほぼ同様の4つの保持部31a,31a,31
b,31b(31aは固定,31bは可動)が設けられ
ている。上記保持部によるウェーハWの保持方法は上記
保持ステージ1と全く同じである。但し,上記アーム5
a上のウェーハWを上記保持ステージ1上に移載した
後,上記アーム5aを上記ウェーハWの下から抜き取る
ため,上記アーム5a上の保持部の高さは上記保持ステ
ージ1上の保持部の高さよりも充分に小さく設定されて
いる。尚,上記搬送ロボット5は,上記保持ステージ1
上からのウェーハWの除去についても同様に行う。上記
ノッチ位置検出装置2は,上記保持ステージ1上に固定
されたウェーハWの中心と同軸の回転中心を持つ回転ア
ーム21と,その先端付近に取り付けられたセンサ部2
2(センサの一例)と,上記回転アーム21を回転駆動
する駆動部23(センサ移動手段の一例)と,上記駆動
部23によって回転駆動される上記回転アーム12の回
転に応じてパルスを出力する図外のエンコーダ(センサ
位置検出手段の一例)と,上記駆動部23を保持するア
ーム24と,上記センサ部22及び上記エンコーダから
の出力に基づいて上記ウェーハWの外周部上のノッチ位
置を算出するノッチ位置算出部25(切欠部位置検出手
段の一例)とを具備して構成されている。上記センサ部
22は,図3(a)に示すように光ファイバ束22aを
具備しており,上記光ファイバ束22aが,上記ウェー
ハWの外周とノッチNの底との間を通過するような位置
(図4参照)に取り付けられている。上記センサ部22
は,上記光ファイバ束22aから発した光のウェーハW
の表面における反射光を上記光ファイバ束22aで受光
し(図3(b)参照),この受光強度に応じた値を出力
する反射式のレーザセンサである。即ち,上記光ファイ
バ束22aがウェーハW上にあるときには上記センサ部
22の出力はONとなり,上記光ファイバ束22aがノ
ッチN内を通過している間は上記センサ部22の出力は
OFFとなるため,上記センサ部22の出力がOFFと
なっている部分がノッチ位置であると判断できる(図5
参照)。上記ノッチ位置算出部25では,上記駆動部2
3によって上記センサ部22が回転されている間は,上
記エンコーダからの出力パルスのカウント数に基づいて
回転角を算出し,上記センサ部22からの出力がOFF
となったときの回転角(実際には,OFFとなっている
間の角度範囲の中間値,図5の円枠内参照)をノッチ位
置を示す値として出力する。尚,上記ノッチ位置検出装
置2全体,少なくとも上記駆動部23については,ダス
トが出てウェーハWを汚すことのないようにシール処理
を施すことが望ましい。
A wafer characteristic measuring apparatus A1 according to the present embodiment embodies the wafer characteristic measuring apparatus according to the second invention (including the wafer notch position detecting apparatus according to the first invention). As shown in FIG. 1, a holding stage 1 for holding a wafer W, and a notch position detecting device 2 provided above the wafer W held by the holding stage 1 (a wafer notch portion according to the first invention). An example of a position detecting device) and an XY stage 3 for moving the holding stage 1 (an example of a wafer positioning unit)
And a characteristic measuring device 4 (an example of a measuring unit) for measuring characteristics of the wafer W on the holding stage 1 moved by the XY stage 3, and mounting and removing the wafer W on the holding stage 1. And a control device 6 (an example of a measurement position calculating unit) for controlling the entire system. It is assumed that a notch is formed in the wafer W to be processed in the present embodiment as an example of a notch. On the holding stage 1, similarly to the edge handling device shown in FIG.
The four holding parts 11a, 11a, 11b, 11b (11a
Is fixed, and 11b is movable in the direction of the arrow).
As shown in FIG.
2a and a projection 12b.
b, the wafer W (FIG. 2A) mounted on the inclined portion 12a is
And fixed only at the outer periphery (Fig. 2
(B)). In the holding stage 1, the diameter of the wafer W can be calculated by measuring the amount of movement of the holding section 11b. The wafer W fixed on the holding stage 1 is transferred by the transfer robot 5. On the arm 5a of the transfer robot 5, four holding parts 31a, 31a, 31 substantially similar to those provided on the holding stage 1 are provided.
b, 31b (31a is fixed, 31b is movable). The method of holding the wafer W by the holding unit is exactly the same as that of the holding stage 1. However, the arm 5
After the wafer W on the holding stage 1 is transferred onto the holding stage 1, the arm 5a is pulled out from under the wafer W. It is set sufficiently smaller than the height. The transfer robot 5 is provided with the holding stage 1
Removal of the wafer W from above is performed similarly. The notch position detecting device 2 includes a rotating arm 21 having a rotation center coaxial with the center of the wafer W fixed on the holding stage 1, and a sensor unit 2 mounted near the tip of the rotating arm 21.
2 (an example of a sensor), a driving unit 23 (an example of a sensor moving unit) that rotationally drives the rotary arm 21, and outputs a pulse according to the rotation of the rotary arm 12 that is rotationally driven by the driving unit 23. A notch position on the outer peripheral portion of the wafer W is calculated based on an encoder (an example of a sensor position detecting unit) not shown, an arm 24 holding the driving unit 23, and outputs from the sensor unit 22 and the encoder. And a notch position calculating unit 25 (an example of a notch position detecting unit). The sensor section 22 includes an optical fiber bundle 22a as shown in FIG. 3A. The optical fiber bundle 22a passes between the outer periphery of the wafer W and the bottom of the notch N. Position (see FIG. 4). The sensor unit 22
Is a wafer W of light emitted from the optical fiber bundle 22a.
This is a reflection-type laser sensor that receives light reflected on the surface of the optical fiber by the optical fiber bundle 22a (see FIG. 3B) and outputs a value corresponding to the intensity of the received light. That is, when the optical fiber bundle 22a is on the wafer W, the output of the sensor unit 22 is ON, and while the optical fiber bundle 22a is passing through the notch N, the output of the sensor unit 22 is OFF. Therefore, it can be determined that the portion where the output of the sensor unit 22 is OFF is the notch position (FIG. 5).
reference). In the notch position calculating section 25, the driving section 2
While the sensor unit 22 is being rotated by 3, the rotation angle is calculated based on the count number of the output pulse from the encoder, and the output from the sensor unit 22 is turned off.
The rotation angle (actually, the intermediate value of the angle range while the switch is OFF, see the inside of the circle in FIG. 5) is output as the value indicating the notch position. Note that it is desirable that the notch position detecting device 2 as a whole and at least the driving unit 23 be subjected to a sealing process so that dust does not come out and contaminate the wafer W.

【0009】ここで,上記ノッチ位置検出装置2が,上
記第1の発明に係るウェーハ切欠部位置検出装置を具現
化した一例である。上記ノッチ位置検出装置2において
検出されたノッチ位置(角度)は,上記制御装置6に送
られ,ここでウェーハW上の所定の測定位置の座標値が
算出される。上記測定位置は,上記特性測定装置4で所
定の特性を測定するためのウェーハW上の位置であり,
図6に示すように,ノッチ位置に対する相対座標(基本
パターンという)として予め設定されている。従って,
上記測定位置の実際の座標値(絶対座標値)は,基本パ
ターン上での測定座標をノッチ位置の角度で座標変換す
ることで得られる。例えば,ウェーハWの中心座標を原
点(0,0)とし,ノッチがY軸上にある場合を基本パ
ターンとし,基本パターン上のある測定座標値が(X
1,Y1)であったとする。上記ノッチ位置検出装置2
によって上記基本パターンに対して反時計回りにθ度回
転した位置にノッチがあると求められれば,(X1,Y
1)の実際の測定位置(X2,Y2)は次式によって求
められる。
Here, the notch position detecting device 2 is an example in which the wafer notch position detecting device according to the first invention is embodied. The notch position (angle) detected by the notch position detection device 2 is sent to the control device 6, where the coordinate value of a predetermined measurement position on the wafer W is calculated. The measurement position is a position on the wafer W for measuring a predetermined characteristic by the characteristic measuring device 4,
As shown in FIG. 6, the coordinates are set in advance as relative coordinates (referred to as basic patterns) with respect to the notch positions. Therefore,
The actual coordinate value (absolute coordinate value) of the measurement position can be obtained by performing coordinate conversion of the measurement coordinate on the basic pattern with the angle of the notch position. For example, the center coordinate of the wafer W is defined as the origin (0, 0), the case where the notch is on the Y axis is defined as the basic pattern, and a certain measured coordinate value on the basic pattern is (X
1, Y1). Notch position detecting device 2
If it is determined that there is a notch at a position rotated by θ degrees counterclockwise with respect to the basic pattern, (X1, Y
The actual measurement position (X2, Y2) in 1) is obtained by the following equation.

【数1】 上記測定位置が複数あれば(図6の場合は9点),それ
ぞれの測定位置について実際の座標値が算出される。上
記制御装置6は,全ての測定点について実際の座標値が
求められると,上記XYステージ3を動作させることに
よって上記ウェーハW上の上記各測定位置を上記特性測
定装置4の測定部4aに順次位置決めする。上記XYス
テージ3は,互いに直行する2つのステージ3a,3b
で構成されている。上記ステージ3aは上記保持ステー
ジ1を,上記ステージ3bは上記ステージ3aをそれぞ
れスライド可能に支持しており,両者を適宜動作させる
ことにより上記保持ステージ1上のウェーハWを2次元
的に移動させることが可能である。上記特性測定装置4
では,上記位置決めされた各測定位置において,上記ウ
ェーハWの特性が測定される。本実施の形態では,上記
特性としてウェーハの抵抗率を想定しているが,p/n
判定,膜厚,ウェーハ厚,少数キャリアのライフタイム
など,他の特性値を測定することも当然可能である。続
いて,ウェーハ特性測定装置A1によるノッチ位置検
出,及び特性測定処理流れを簡単にまとめておく。尚,
各動作は全て制御装置6によって制御される。
(Equation 1) If there are a plurality of measurement positions (9 points in FIG. 6), actual coordinate values are calculated for each measurement position. When the actual coordinate values are obtained for all the measurement points, the control device 6 operates the XY stage 3 to sequentially transfer the measurement positions on the wafer W to the measurement unit 4a of the characteristic measurement device 4. Position. The XY stage 3 is composed of two stages 3a and 3b orthogonal to each other.
It is composed of The stage 3a slidably supports the holding stage 1 and the stage 3b slidably supports the stage 3a. By appropriately operating both, the wafer W on the holding stage 1 is moved two-dimensionally. Is possible. The above characteristic measuring device 4
Then, the characteristics of the wafer W are measured at each of the positioned measurement positions. In the present embodiment, although the resistivity of the wafer is assumed as the above characteristic, p / n
Of course, it is also possible to measure other characteristic values such as judgment, film thickness, wafer thickness, and minority carrier lifetime. Subsequently, a notch position detection and a characteristic measurement processing flow by the wafer characteristic measuring device A1 will be briefly summarized. still,
All operations are controlled by the control device 6.

【0010】まず,搬送ロボット5によってウェーハW
が保持ステージ1上に移載される。移載されたウェーハ
Wは,保持部11bを保持部11aの方向に移動させる
ことによりそれら保持部の突起部12bによって固定さ
れる。上記ウェーハWが上記保持ステージ1上に固定さ
れると,駆動部23が動作を開始し,これによってセン
サ部22が上記ウェーハWの外周に沿って移動され,ま
た上記駆動部23のエンコーダが動作される。上記セン
サ部22及び上記エンコーダからの出力は順次ノッチ位
置算出部25に送られる。上記ノッチ位置算出部25で
は,上記エンコーダからの出力パルスのカウント数に基
づいて回転角を算出し,上記センサ部22からの出力が
OFFとなっている間の角度範囲の中間値をノッチ位置
を示す値として制御装置6に出力する。上記制御装置6
では,ウェーハW上の所定の測定位置の座標値が上述し
た方法によって算出される。そして,上記XYステージ
3を動作させることにより,上記ウェーハW上の上記各
測定位置が特性測定装置4の測定部4aに順次位置決め
される。上記特性測定装置4では,上記位置決めされた
各測定位置において,上記ウェーハWの特性,例えばウ
ェーハの抵抗率が順次測定される。上記全ての測定位置
における特性測定が終了すると,上記保持ステージ1は
上記XYステージ3によって再びノッチ位置検出位置ま
で移動され,ここで上記搬送ロボット3により測定済み
のウェーハWが除去され,新たなウェーハWが上記保持
ステージ1上に載置される。以上説明したように,本実
施の形態に係るウェーハ特性測定装置A1では,ノッチ
位置検出装置2において,エッジハンドリングを行った
ままウェーハWのノッチ位置を検出することができるた
め,ウェーハ裏面への汚れの付着を防止することがで
き,高信頼化,高品質化による商品性向上と,歩留り向
上による生産コスト低減が図れる。また,エッジハンド
リング装置を回転させるのではなく,センサ部を回転さ
せる機構となっているため,従来方式と比べてコスト,
スペースの削減,並びにステージへの搬送時間の削減が
図れる。また,上記ノッチ位置検出装置2によって得ら
れたノッチ位置に基づいて各測定位置の実際の座標値を
算出し,ウェーハWを回転させることなく特性測定装置
4に位置決めしているため,特性測定装置にウェーハの
向きを調整するための回転機構を設ける必要がなく,コ
スト及び測定時間が削減できる。
First, the wafer W is transferred by the transfer robot 5.
Is transferred onto the holding stage 1. The transferred wafer W is fixed by the protrusions 12b of the holding parts by moving the holding parts 11b in the direction of the holding parts 11a. When the wafer W is fixed on the holding stage 1, the driving unit 23 starts operating, whereby the sensor unit 22 is moved along the outer periphery of the wafer W, and the encoder of the driving unit 23 operates. Is done. Outputs from the sensor unit 22 and the encoder are sequentially sent to a notch position calculation unit 25. The notch position calculation unit 25 calculates the rotation angle based on the count number of the output pulse from the encoder, and determines the notch position as an intermediate value of the angle range while the output from the sensor unit 22 is OFF. It is output to the control device 6 as the indicated value. The control device 6
Here, the coordinate value of a predetermined measurement position on the wafer W is calculated by the above-described method. By operating the XY stage 3, the measurement positions on the wafer W are sequentially positioned on the measurement unit 4 a of the characteristic measurement device 4. The characteristic measuring device 4 sequentially measures the characteristics of the wafer W, for example, the wafer resistivity, at each of the positioned measurement positions. When the characteristic measurement at all the measurement positions is completed, the holding stage 1 is moved again to the notch position detection position by the XY stage 3, where the measured wafer W is removed by the transfer robot 3, and a new wafer is removed. W is placed on the holding stage 1. As described above, in the wafer characteristic measuring apparatus A1 according to the present embodiment, the notch position of the wafer W can be detected by the notch position detecting apparatus 2 while the edge handling is performed. Adhesion can be prevented, so that high reliability and high quality can improve the merchantability, and the yield can reduce the production cost. In addition, the mechanism that rotates the sensor unit instead of rotating the edge handling device makes it possible to reduce costs and costs compared to the conventional method.
It is possible to reduce the space and the transfer time to the stage. In addition, since the actual coordinate value of each measurement position is calculated based on the notch position obtained by the notch position detection device 2 and the wafer W is positioned on the characteristic measurement device 4 without rotating, the characteristic measurement device There is no need to provide a rotating mechanism for adjusting the orientation of the wafer, so that cost and measurement time can be reduced.

【0011】[0011]

【実施例】上記ノッチ位置検出装置2においては,上記
センサ部22をウェーハWの外周に沿って移動させる手
段として,上記ウェーハWの中心と同軸上に駆動部23
を設置した構成を用いたが,これに限られるものではな
い。例えば,図7に示すように,ウェーハWの中心と同
軸の回転中心を持つドーナツ状の回転枠40にセンサ部
22を取り付け,駆動部41により上記回転枠40を回
転させて上記センサ部22をウェーハWの外周に沿って
移動させるようにしてもよい。また,図8に示すよう
に,センサ部22を多関節アーム42に取り付けて上記
センサ部22をウェーハWの外周に沿って移動させるよ
うにしてもよい。また,上記ノッチ位置検出装置2に,
上記センサ部22の位置をウェーハWの半径方向に移動
させる機構を設け,図9に示すように複数の半径位置に
おいて上記センサ部22によるセンシングを行い,得ら
れた複数のノッチ位置に対して平均化などの統計処理を
施し,最終的なノッチ位置を求めるようにすれば(図1
0参照),より正確なノッチ位置の検出が可能となる。
もちろん,半径位置を変化させずに同一回転半径にて複
数回の検出を行い,それらの検出値の平均をとるように
しても精度の向上は期待できる。また,上記センサ部と
しては,上記のようなレーザセンサ22に代えて,ウェ
ーハWの外周部の画像を撮像するラインセンサを用いて
もよい。図11に示すように,ラインセンサ51は,光
源52から発せられてウェーハWで反射された反射光を
受光し,画像化する。上記ラインセンサ51で撮像され
たノッチ位置近傍の画像は例えば図12に示すようにな
る。即ち,ウェーハWの表面は明るく,それ以外の部分
は暗く撮像されるため,ノッチ部分のみにおいて明暗部
分の比が変化する。従って上記画像の2値化画像からノ
ッチ開口部の中心位置を求めることによりノッチ位置を
検出することができる。尚,この場合には,ラインセン
サの画素数及びセンサの回転方向のステップ数を多くす
ることにより画像の分解能が向上し,ノッチ位置の検出
精度が向上する。また,上記ノッチ位置検出装置2にお
いて,駆動部23とセンサ部22とを接続する回転アー
ム21に代えて,図13に示すようにウェーハWよりも
大径の円盤61(遮蔽板の一例)を用いることもでき
る。これにより,駆動部23付近から出るダストがウェ
ーハW上に落下するのを防ぐことができる。更に,上記
円盤61から静電気を除去する静電気除去装置62を設
ければ,上記円盤61へのダストの付着を防止でき,ウ
ェーハWへの異物の付着防止効果が更に高まる。また,
上記実施の形態では,保持ステージ1をXYステージ3
によって移動させるように構成したが,上記移動機構は
XYステージに限られるものではない。また,上記保持
ステージ1を移動させてウェーハWを特性測定装置4に
対して位置決めする代わりに,上記特性測定装置4を上
記保持ステージ1に向かって移動させるようにしてもよ
い。尚,以上の例ではノッチが形成されたウェーハを対
象として説明したが,オリエンテーションフラットが形
成されたウェーハについても同様に適用できる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the notch position detecting device 2, as a means for moving the sensor section 22 along the outer periphery of the wafer W, a driving section 23 is provided coaxially with the center of the wafer W.
However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, the sensor unit 22 is attached to a donut-shaped rotating frame 40 having a rotation center coaxial with the center of the wafer W, and the driving unit 41 rotates the rotating frame 40 to mount the sensor unit 22. You may make it move along the outer periphery of the wafer W. Further, as shown in FIG. 8, the sensor unit 22 may be attached to the articulated arm 42 to move the sensor unit 22 along the outer periphery of the wafer W. In addition, the notch position detecting device 2
A mechanism for moving the position of the sensor unit 22 in the radial direction of the wafer W is provided, and sensing is performed by the sensor unit 22 at a plurality of radial positions as shown in FIG. If the final notch position is determined by performing statistical processing such as
0), and more accurate notch position detection becomes possible.
Of course, even if the detection is performed a plurality of times at the same rotational radius without changing the radial position, and the average of the detected values is taken, the improvement of the accuracy can be expected. Further, as the sensor unit, a line sensor that captures an image of the outer peripheral portion of the wafer W may be used instead of the laser sensor 22 described above. As shown in FIG. 11, the line sensor 51 receives the reflected light emitted from the light source 52 and reflected by the wafer W, and forms an image. The image near the notch position captured by the line sensor 51 is, for example, as shown in FIG. That is, since the surface of the wafer W is picked up brightly and the other portions are picked up dark, the ratio of the light and dark portions changes only in the notch portion. Therefore, the notch position can be detected by obtaining the center position of the notch opening from the binarized image of the above image. In this case, by increasing the number of pixels of the line sensor and the number of steps in the rotation direction of the sensor, the resolution of the image is improved, and the detection accuracy of the notch position is improved. In the notch position detecting device 2, a disk 61 (an example of a shielding plate) having a larger diameter than the wafer W is used instead of the rotary arm 21 for connecting the driving unit 23 and the sensor unit 22 as shown in FIG. It can also be used. Accordingly, it is possible to prevent dust coming out of the vicinity of the driving unit 23 from falling onto the wafer W. Furthermore, if the static electricity removing device 62 for removing static electricity from the disk 61 is provided, dust can be prevented from adhering to the disk 61, and the effect of preventing foreign matter from adhering to the wafer W can be further enhanced. Also,
In the above embodiment, the holding stage 1 is replaced with the XY stage 3
However, the moving mechanism is not limited to the XY stage. Instead of moving the holding stage 1 to position the wafer W with respect to the property measuring device 4, the property measuring device 4 may be moved toward the holding stage 1. In the above example, a description has been given of a wafer in which a notch is formed, but the present invention can be similarly applied to a wafer in which an orientation flat is formed.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上説明したように,第1の発明は,ウ
ェーハをその外周部において保持した状態で,上記ウェ
ーハの外周部上に形成された切欠部の位置を検出するウ
ェーハ切欠部位置検出装置において,上記ウェーハの外
周形状を検出するセンサと,上記センサを上記ウェーハ
の外周に沿って移動させるセンサ移動手段と,上記セン
サ移動手段によって移動する上記センサの位置を検出す
るセンサ位置検出手段と,上記センサからの出力と,上
記センサ位置検出手段によって得られた上記センサ位置
とに基づいて,上記切欠部の位置を検出する切欠部位置
検出手段とを具備してなることを特徴とするウェーハ切
欠部位置検出装置として構成されているため,エッジハ
ンドリングを行ったままウェーハの切欠部位置を検出す
ることができる。これにより,ウェーハ裏面への汚れの
付着を防止することができ,高信頼化,高品質化による
商品性向上と,歩留り向上による生産コスト低減が図れ
る。また,エッジハンドリング装置を回転させるのでは
なく,センサを回転させる機構となっているため,従来
方式と比べてコスト,スペースの削減,並びにステージ
への搬送時間の削減が図れる。また,上記センサ移動手
段に,更に上記センサの位置を上記ウェーハの半径方向
に移動させる機構を具備し,上記切欠部位置検出手段
が,複数の半径位置における上記センサからの出力と,
それぞれ上記センサ位置検出手段によって得られた上記
センサ位置とに基づいて上記切欠部の位置を検出するよ
うにすれば,切欠部の位置検出精度は更に向上する。
As described above, the first aspect of the present invention is a wafer notch position detecting method for detecting a position of a notch formed on an outer peripheral portion of a wafer while holding the wafer at its outer peripheral portion. In the apparatus, a sensor for detecting an outer peripheral shape of the wafer, a sensor moving means for moving the sensor along the outer circumference of the wafer, and a sensor position detecting means for detecting a position of the sensor moved by the sensor moving means And a notch position detecting means for detecting the position of the notch based on the output from the sensor and the sensor position obtained by the sensor position detecting means. Since the device is configured as a notch position detecting device, the notch position of the wafer can be detected while edge handling is performed. As a result, it is possible to prevent the adhesion of dirt on the back surface of the wafer, and to improve the marketability by improving the reliability and quality, and to reduce the production cost by improving the yield. In addition, since the sensor is rotated instead of rotating the edge handling device, cost, space, and transfer time to the stage can be reduced as compared with the conventional method. The sensor moving means further includes a mechanism for moving the position of the sensor in a radial direction of the wafer, wherein the notch position detecting means detects an output from the sensor at a plurality of radial positions,
If the position of the notch is detected based on the sensor position obtained by the sensor position detecting means, the position detection accuracy of the notch is further improved.

【0013】更に,例えば上記センサ移動手段の移動機
構にシール処理を施したり,或いは上記センサ移動手段
の移動機構と上記ウェーハとの間に遮蔽板を設けるなど
のダスト付着防止手段を具備することにより,上記セン
サ移動手段の移動機構で生じたダストの上記ウェーハへ
の付着を防止することができる。また,第2の発明は,
上記第1の発明を利用したものであり,ウェーハをその
外周部において保持した状態で,上記ウェーハの外周部
上に形成された切欠部の位置を検出し,上記切欠部の位
置に基づいて得られる上記ウェーハ上の所定位置での特
性を,ウェーハの特性を測定する測定手段によって測定
するウェーハ特性測定装置において,上記ウェーハの外
周形状を検出するセンサと,上記センサを上記ウェーハ
の外周に沿って移動させるセンサ移動手段と,上記セン
サ移動手段によって移動する上記センサの位置を検出す
るセンサ位置検出手段と,上記センサからの出力と,上
記センサ位置検出手段によって得られた上記センサ位置
とに基づいて,上記切欠部の位置を検出する切欠部位置
検出手段と,上記切欠部位置検出手段で得られた上記切
欠部位置に基づいて,上記ウェーハ上の上記所定位置を
算出する測定位置算出手段と,外周部において保持され
た上記ウェーハ若しくは上記測定手段を移動させ,上記
測定位置算出手段で算出された上記ウェーハ上の上記所
定位置を上記測定手段の測定部に位置決めするウェーハ
位置決め手段とを具備してなることを特徴とするウェー
ハ特性測定装置として構成されているため,ウェーハの
向きを調整するための回転機構を設ける必要がなく,コ
スト及び測定時間が削減できる。
Further, for example, a seal treatment is performed on the moving mechanism of the sensor moving means, or a dust adhesion preventing means such as providing a shielding plate between the moving mechanism of the sensor moving means and the wafer is provided. The dust generated by the moving mechanism of the sensor moving means can be prevented from adhering to the wafer. The second invention is
The present invention utilizes the first invention, and detects a position of a notch formed on an outer peripheral portion of the wafer while holding the wafer at the outer peripheral portion, and obtains a position based on the position of the notch. In a wafer characteristic measuring device for measuring the characteristic at a predetermined position on the wafer by measuring means for measuring the characteristic of the wafer, a sensor for detecting an outer peripheral shape of the wafer and a sensor are arranged along the outer periphery of the wafer. A sensor moving means for moving, a sensor position detecting means for detecting a position of the sensor moved by the sensor moving means, an output from the sensor, and the sensor position obtained by the sensor position detecting means. A notch position detecting means for detecting the position of the notch, and a position of the notch obtained by the notch position detecting means. A measuring position calculating means for calculating the predetermined position on the wafer, and moving the wafer or the measuring means held at the outer peripheral portion to calculate the predetermined position on the wafer calculated by the measuring position calculating means. Since it is configured as a wafer characteristic measuring device characterized by comprising a wafer positioning means for positioning the measuring part of the measuring means, there is no need to provide a rotating mechanism for adjusting the orientation of the wafer, Cost and measurement time can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態に係るウェーハ特性測定
装置A1の概略構成を示す模式図。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a wafer characteristic measuring device A1 according to an embodiment of the present invention.

【図2】 保持部11a(31a),11b(31b)
の形状及びその保持機構の説明図。
FIG. 2 shows holding units 11a (31a) and 11b (31b).
FIG. 4 is an explanatory view of the shape of the device and its holding mechanism.

【図3】 センサ部22及びその回転機構の説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram of a sensor unit 22 and a rotation mechanism thereof.

【図4】 センサ部22の光ファイバ束22aの設置位
置を示す説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an installation position of an optical fiber bundle 22a of the sensor unit 22.

【図5】 上記センサ部22におけるセンサ出力分布図
の一例。
FIG. 5 is an example of a sensor output distribution diagram in the sensor section 22;

【図6】 ウェーハW上の測定位置の設定例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing an example of setting a measurement position on a wafer W.

【図7】 センサ部22の回転機構のその他の構成例を
示す模式図。
FIG. 7 is a schematic diagram showing another configuration example of the rotation mechanism of the sensor unit 22.

【図8】 センサ部22の回転機構のその他の構成例を
示す模式図。
FIG. 8 is a schematic diagram showing another configuration example of the rotation mechanism of the sensor unit 22.

【図9】 センサ部22を半径方向に移動させた場合の
それぞれの移動軌跡を示す説明図。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing respective movement trajectories when the sensor unit 22 is moved in a radial direction.

【図10】 複数のセンサ半径による検出によって得ら
れた複数のノッチ位置から最終的なノッチ位置を求める
方法の一例を示す説明図。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of a method for obtaining a final notch position from a plurality of notch positions obtained by detection using a plurality of sensor radii.

【図11】 センサの他の構成例としてラインセンサ5
1を用いた場合の概略構成を示す模式図。
FIG. 11 shows a line sensor 5 as another configuration example of the sensor.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration in the case of using No. 1.

【図12】 上記ラインセンサ51によるノッチ位置近
傍での撮像画像の一例を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing an example of a captured image near a notch position by the line sensor 51.

【図13】 ノッチ位置検出装置2にダスト付着防止手
段の一例としての円盤61と静電気除去装置62を取り
付けたときの概略構成を示す模式図。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a schematic configuration when a disc 61 and a static eliminator 62 as an example of dust adhesion preventing means are attached to the notch position detecting device 2.

【図14】 従来技術に係るノッチ位置検出装置A0の
概略構成を示す模式図。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a notch position detecting device A0 according to a conventional technique.

【図15】 従来技術に係るエッジハンドリング装置の
概略構成を示す模式図。
FIG. 15 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an edge handling device according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…保持ステージ 2…ノッチ位置検出装置(ウェーハ切欠部位置検出装置
の一例) 3…XYステージ(ウェーハ位置決め手段の一例) 4…特性測定装置(測定手段の一例) 4a…測定部 6…制御装置(測定位置算出手段の一例) 22…センサ部(センサの一例) 23…駆動部(センサ移動手段の一例) 25…ノッチ位置算出部(切欠部位置検出手段の一例) 61…円盤(遮蔽板の一例) W…ウェーハ N…ノッチ(切欠部の一例)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Holding stage 2 ... Notch position detection apparatus (an example of a wafer notch position detection apparatus) 3 ... XY stage (an example of a wafer positioning means) 4 ... Characteristic measurement apparatus (an example of a measurement means) 4a ... Measurement section 6 ... Control apparatus (Example of measurement position calculating means) 22 ... Sensor part (Example of sensor) 23 ... Drive part (Example of sensor moving means) 25 ... Notch position calculating part (Example of notch position detecting means) 61 ... Disc (of shielding plate) Example: W: Wafer N: Notch (Example of notch)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 顕史 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 森本 勉 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 高松 弘行 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 山本 雄治 兵庫県神戸市西区高塚台1丁目5番5号神 戸製鋼5号館ジェネシス・テクノロジー株 式会社内 Fターム(参考) 5F031 CC13 GG02 GG06 GG15 GG18 GG20 KK09 LL07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor: Akishi Imanishi 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Inside Kobe Research Institute, Kobe Steel Ltd. (72) Inventor: Tsutomu Morimoto Takatsuka, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Kobe Steel Co., Ltd.Kobe Research Institute, Kobe Steel Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Takamatsu 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Kobe Steel Co., Ltd.Kobe Research Institute (72) Inventor Yuji Yamamoto 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo Prefecture Kobe Steel No. 5 Building Genesis Technology Co., Ltd. F-term (reference) 5F031 CC13 GG02 GG06 GG15 GG18 GG20 KK09 LL07

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハをその外周部において保持した
状態で,上記ウェーハの外周部上に形成された切欠部の
位置を検出するウェーハ切欠部位置検出装置において,
上記ウェーハの外周形状を検出するセンサと,上記セン
サを上記ウェーハの外周に沿って移動させるセンサ移動
手段と,上記センサ移動手段によって移動する上記セン
サの位置を検出するセンサ位置検出手段と,上記センサ
からの出力と,上記センサ位置検出手段によって得られ
た上記センサ位置とに基づいて,上記切欠部の位置を検
出する切欠部位置検出手段とを具備してなることを特徴
とするウェーハ切欠部位置検出装置。
1. A wafer notch position detecting device for detecting a position of a notch formed on an outer peripheral portion of a wafer while holding the wafer at an outer peripheral portion thereof.
A sensor for detecting an outer peripheral shape of the wafer, a sensor moving means for moving the sensor along the outer circumference of the wafer, a sensor position detecting means for detecting a position of the sensor moved by the sensor moving means, and the sensor Notch position detecting means for detecting the position of the notch based on the output from the sensor and the sensor position obtained by the sensor position detecting means. Detection device.
【請求項2】 上記センサ移動手段が,上記ウェーハの
中心と同軸の回転中心を持つ回転機構を具備して構成さ
れ,上記センサ位置検出手段が,上記センサ移動手段に
よって移動する上記センサの上記回転中心回りの角度位
置を検出する請求項1記載のウェーハ切欠部位置検出装
置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein said sensor moving means includes a rotation mechanism having a rotation center coaxial with the center of said wafer, and wherein said sensor position detecting means moves said rotation of said sensor moved by said sensor moving means. 2. The wafer notch position detecting device according to claim 1, wherein an angular position around the center is detected.
【請求項3】 上記センサ移動手段が,更に上記センサ
の位置を上記ウェーハの半径方向に移動させる機構を具
備し,上記切欠部位置検出手段が,複数の半径位置にお
ける上記センサからの出力と,それぞれ上記センサ位置
検出手段によって得られた上記センサ位置とに基づいて
上記切欠部の位置を検出する請求項2記載のウェーハ切
欠部位置検出装置。
3. The sensor moving means further comprises a mechanism for moving a position of the sensor in a radial direction of the wafer, wherein the notch position detecting means outputs an output from the sensor at a plurality of radial positions, 3. The wafer notch position detecting device according to claim 2, wherein the position of the notch is detected based on each of the sensor positions obtained by the sensor position detecting means.
【請求項4】 上記センサが,上記ウェーハに対して照
射した光の反射光を検出する反射式光学センサである請
求項1〜3のいずれかに記載のウェーハ切欠部位置検出
装置。
4. The wafer notch position detecting device according to claim 1, wherein said sensor is a reflection type optical sensor for detecting reflected light of light irradiated on said wafer.
【請求項5】 上記センサが,上記ウェーハの外周部分
の画像を撮像するラインセンサである請求項1〜3のい
ずれかに記載のウェーハ切欠部位置検出装置。
5. The wafer notch position detecting device according to claim 1, wherein the sensor is a line sensor that captures an image of an outer peripheral portion of the wafer.
【請求項6】 上記センサ移動手段の移動機構で生じた
ダストの上記ウェーハへの付着を防止するダスト付着防
止手段を具備してなる請求項1〜4のいずれかに記載の
ウェーハ切欠部位置検出装置。
6. The wafer notch position detection according to claim 1, further comprising dust adhesion preventing means for preventing dust generated by a moving mechanism of said sensor moving means from adhering to said wafer. apparatus.
【請求項7】 上記ダスト付着防止手段が,上記センサ
移動手段の移動機構に施されたシール処理である請求項
6記載のウェーハ切欠部位置検出装置。
7. The wafer notch position detecting device according to claim 6, wherein said dust adhesion preventing means is a sealing process performed on a moving mechanism of said sensor moving means.
【請求項8】 上記ダスト付着防止手段が,上記センサ
移動手段の移動機構と上記ウェーハとの間に設けられた
遮蔽板である請求項6記載のウェーハ切欠部位置検出装
置。
8. The wafer notch position detecting device according to claim 6, wherein said dust adhesion preventing means is a shielding plate provided between a moving mechanism of said sensor moving means and said wafer.
【請求項9】 ウェーハをその外周部において保持した
状態で,上記ウェーハの外周部上に形成された切欠部の
位置を検出し,上記切欠部の位置に基づいて得られる上
記ウェーハ上の所定位置での特性を,ウェーハの特性を
測定する測定手段によって測定するウェーハ特性測定装
置において,上記ウェーハの外周形状を検出するセンサ
と,上記センサを上記ウェーハの外周に沿って移動させ
るセンサ移動手段と,上記センサ移動手段によって移動
する上記センサの位置を検出するセンサ位置検出手段
と,上記センサからの出力と,上記センサ位置検出手段
によって得られた上記センサ位置とに基づいて,上記切
欠部の位置を検出する切欠部位置検出手段と,上記切欠
部位置検出手段で得られた上記切欠部位置に基づいて,
上記ウェーハ上の上記所定位置を算出する測定位置算出
手段と,外周部において保持された上記ウェーハ若しく
は上記測定手段を移動させ,上記測定位置算出手段で算
出された上記ウェーハ上の上記所定位置を上記測定手段
の測定部に位置決めするウェーハ位置決め手段とを具備
してなることを特徴とするウェーハ特性測定装置。
9. A position of a notch formed on an outer peripheral portion of the wafer while holding the wafer at the outer peripheral portion thereof, and a predetermined position on the wafer obtained based on the position of the notch portion. A sensor for detecting the outer shape of the wafer, a sensor moving means for moving the sensor along the outer circumference of the wafer, and a sensor for measuring the characteristics of the wafer by measuring means for measuring the characteristics of the wafer; The position of the notch is determined based on a sensor position detecting means for detecting a position of the sensor moved by the sensor moving means, an output from the sensor, and the sensor position obtained by the sensor position detecting means. Based on the notch position detecting means to be detected and the notch position obtained by the notch position detecting means,
Measuring position calculating means for calculating the predetermined position on the wafer; and moving the wafer or the measuring means held at the outer peripheral portion to calculate the predetermined position on the wafer calculated by the measuring position calculating means. A wafer characteristic measuring device, comprising: a wafer positioning means for positioning the measuring part of the measuring means.
JP23821298A 1998-08-25 1998-08-25 Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus Pending JP2000068357A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23821298A JP2000068357A (en) 1998-08-25 1998-08-25 Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23821298A JP2000068357A (en) 1998-08-25 1998-08-25 Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000068357A true JP2000068357A (en) 2000-03-03

Family

ID=17026824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23821298A Pending JP2000068357A (en) 1998-08-25 1998-08-25 Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000068357A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007535148A (en) * 2004-04-23 2007-11-29 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド Simplify wafer placement
EP1866958A2 (en) * 2005-03-30 2007-12-19 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
EP1902460A2 (en) * 2005-07-11 2008-03-26 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
JP2008270753A (en) * 2007-03-09 2008-11-06 Applied Materials Inc Method and apparatus for monitoring rotation of substrate during cleaning
US10340169B2 (en) 2015-10-21 2019-07-02 Toshiba Memory Corporation Antireflection member and orienter apparatus having a third plate part with a second notch part and an antireflection surface

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007535148A (en) * 2004-04-23 2007-11-29 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド Simplify wafer placement
EP1866958A2 (en) * 2005-03-30 2007-12-19 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
EP1866958A4 (en) * 2005-03-30 2010-04-21 Brooks Automation Inc High speed substrate aligner apparatus
US8403619B2 (en) 2005-03-30 2013-03-26 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
US8545165B2 (en) 2005-03-30 2013-10-01 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
US9601362B2 (en) 2005-03-30 2017-03-21 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
US11508597B2 (en) 2005-03-30 2022-11-22 Brook Automation US, LLC High speed substrate aligner apparatus
EP1902460A2 (en) * 2005-07-11 2008-03-26 Brooks Automation, Inc. High speed substrate aligner apparatus
EP1902460A4 (en) * 2005-07-11 2010-12-29 Brooks Automation Inc High speed substrate aligner apparatus
JP2008270753A (en) * 2007-03-09 2008-11-06 Applied Materials Inc Method and apparatus for monitoring rotation of substrate during cleaning
US10340169B2 (en) 2015-10-21 2019-07-02 Toshiba Memory Corporation Antireflection member and orienter apparatus having a third plate part with a second notch part and an antireflection surface

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6707544B1 (en) Particle detection and embedded vision system to enhance substrate yield and throughput
EP2023078B1 (en) Tire shape measuring system
TWI502187B (en) Substrate inspection apparatus and substrate inspection method
EP1995083A1 (en) Method of and apparatus for determining geometrical dimension of a vehicle wheel comprising optical sensors
KR20070058354A (en) Method for determining position of semiconductor wafer, and apparatus using the same
JP5057489B2 (en) Alignment apparatus and alignment method
US20080208523A1 (en) Method of determining geometric parameters of a wafer
JP3385994B2 (en) Image detector
US6650409B1 (en) Semiconductor device producing method, system for carrying out the same and semiconductor work processing apparatus included in the same system
JP6649552B2 (en) System and method for generating a texture map of the backside of a substrate that determines adjustment of frontside patterning
JP2602415B2 (en) Wafer positioning device
CN110323148A (en) The sensing system and method for sensing of wafer defect
JP2000068357A (en) Wafer cut-out position detector and wafer characteristic measuring apparatus
JP2011112384A (en) Method of measuring shape of semiconductor wafer and shape measuring instrument used therefor
JP6613029B2 (en) Foreign matter inspection apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4401217B2 (en) Substrate processing equipment
JP4216857B2 (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
JP3816426B2 (en) Process processing equipment
JPH08250385A (en) Semiconductor producing method and the system
JPH07280741A (en) Position shift correcting method for wafer
JPH085546Y2 (en) Wafer periphery exposure system
JP2988594B2 (en) Wafer center detection device
JP2013125120A (en) Method of removing pellicle frame and device for removing pellicle frame
JP5476069B2 (en) Film formation unevenness inspection device
JP3383169B2 (en) Peripheral exposure equipment