JP2000068210A - Apparatus for manufacturing epitaxial wafer - Google Patents
Apparatus for manufacturing epitaxial waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハ表
面にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶薄膜を形
成するエピタキシャルウェーハの製造装置に関するもの
である。The present invention relates to an epitaxial wafer manufacturing apparatus for forming a silicon single crystal thin film on a silicon wafer surface by epitaxial growth.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種のエピタキシャルウェーハ
の製造装置として、単一のシリコンウェーハ表面にエピ
タキシャル成長させる枚葉式の装置が知られている。図
３に示すように、この製造装置はチャンバ１を構成する
上部ドーム１ａに連通するガス供給口２に原料ガス又は
パージガスを供給するガス導入管３の一端が接続され
る。またガス供給口２から２〜３ｍ程度離れたガス導入
管３の他端には三方切換弁４が設けられ、この切換弁４
には原料ガス供給管５及びパージガス供給管６が接続さ
れる。この装置では、支持部材７により支持されたシリ
コンウェーハ８を加熱しながら、チャンバ１内にＳｉＨ
2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又は
ＰＨ3のようなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスと
ともに導入する。導入された原料ガスはウェーハ表面に
シリコン単結晶薄膜を形成した後、ガス排出口９を通っ
てガス排出管１０より排出される。この枚葉式のエピタ
キシャルウェーハの製造装置では複数のシリコンウェー
ハを同時に成膜する場合に比較して熱源からの距離を均
一にすることができるため、シリコンウェーハの温度を
均一にして比抵抗にばらつきの小さい膜を形成すること
ができるようになっている。一方、この製造装置では多
数回成膜を行っていくと、クリーニングガスであるＨＣ
ｌのようなエッチングガスをチャンバ内に流しても、チ
ャンバ内部及びガス排出口９及びガス排出管１０にポリ
シリコン又はポリシランのような反応副生成物が堆積し
て残存する。このため定期的にチャンバ内部を保守・整
備するメンテナンス作業が行われる。2. Description of the Related Art Conventionally, a single-wafer type apparatus for epitaxially growing a single silicon wafer on its surface has been known as an apparatus for manufacturing this type of epitaxial wafer. As shown in FIG. 3, in this manufacturing apparatus, one end of a gas introduction pipe 3 for supplying a source gas or a purge gas is connected to a gas supply port 2 communicating with an upper dome 1a constituting a chamber 1. A three-way switching valve 4 is provided at the other end of the gas introduction pipe 3 at a distance of about 2 to 3 m from the gas supply port 2.
Is connected to a source gas supply pipe 5 and a purge gas supply pipe 6. In this apparatus, while heating a silicon wafer 8 supported by a support member 7, SiH
A source gas such as 2 Cl 2 or SiHCl 3 is introduced together with a dopant gas such as B 2 H 6 or PH 3 and a carrier gas of H 2 . The introduced source gas forms a silicon single crystal thin film on the wafer surface, and then is discharged from the gas discharge pipe 10 through the gas discharge port 9. In this single wafer type epitaxial wafer manufacturing apparatus, the distance from the heat source can be made uniform as compared with the case where a plurality of silicon wafers are simultaneously formed. It is possible to form a film having a small size. On the other hand, in this manufacturing apparatus, when film formation is performed a number of times, the cleaning gas HC
Even when an etching gas such as 1 flows into the chamber, reaction by-products such as polysilicon or polysilane are deposited and remain in the chamber, the gas outlet 9 and the gas outlet pipe 10. For this reason, maintenance work for maintaining and maintaining the inside of the chamber is periodically performed.
【０００３】このメンテナンス時には、三方切換弁４を
切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパージガス供
給管６から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流してガ
ス導入管内に残留するガスの逆流を防止しながら、図３
に示した上部ドーム１ａを取外して、チャンバ内を保守
・整備している。また支持部材７は定期的に交換され
る。At the time of this maintenance, the supply of the source gas is stopped by switching the three-way switching valve 4, and a purge gas such as dry N 2 gas is supplied from the purge gas supply pipe 6 to prevent a backflow of the gas remaining in the gas introduction pipe. , FIG.
Is removed, and the inside of the chamber is maintained and maintained. The support member 7 is periodically replaced.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した製造
装置では、メンテナンス時に上部ドーム１ａを取外す
と、大気がＳＵＳ３１６Ｌ製のガス供給口２、ガス導入
管３、ガス排出口９及びガス排出管１０に入り込む。こ
れらのガス供給口２、ガス導入管３等には、Ｈ2の他に
ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨＣｌ3、ＨＣｌなどの金属腐食
性ガスが微量ながら残存しており、大気中の水分と反応
して塩酸を生じるため、この塩酸によりガス供給口２、
ガス導入管３等を腐食させることがあった。またメンテ
ナンスが終って原料ガスをチャンバ内に導入する前に、
ガス供給口２やガス導入管３に吸着された水分が完全に
除去されるまでのＮ2のようなパージガスを流し続け、
しばらくの間シリコンウェーハをエピタキシャル成長で
きない不具合があった。本発明の目的は、メンテナンス
時の大気接触によるガス供給口、ガス導入管等の腐食を
軽減又は防止するエピタキシャルウェーハの製造装置を
提供することにある。本発明の別の目的は、メンテナン
ス後、比較的短時間のうちにシリコンウェーハの成膜を
可能にするエピタキシャルウェーハの製造装置を提供す
ることにある。However, in the above-described manufacturing apparatus, when the upper dome 1a is removed during maintenance, the atmosphere is made of a gas supply port 2, a gas introduction pipe 3, a gas discharge port 9, and a gas discharge pipe 10 made of SUS316L. Get into it. In addition to H 2, a small amount of metal corrosive gas such as SiH 2 Cl 2 or SiHCl 3 or HCl remains in these gas supply ports 2, gas introduction pipes 3, etc., and reacts with moisture in the atmosphere. To generate hydrochloric acid.
The gas introduction pipe 3 and the like may be corroded. Before the source gas is introduced into the chamber after maintenance,
A purge gas such as N 2 is kept flowing until the moisture adsorbed on the gas supply port 2 and the gas introduction pipe 3 is completely removed,
There was a problem that the silicon wafer could not be epitaxially grown for a while. An object of the present invention is to provide an epitaxial wafer manufacturing apparatus that reduces or prevents corrosion of a gas supply port, a gas introduction pipe, and the like due to air contact during maintenance. Another object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing an epitaxial wafer that enables a silicon wafer to be formed in a relatively short time after maintenance.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように上部ドーム２１と下部ドーム２２とに
より形成されたチャンバ２０の内部にエピタキシャル成
長用のウェーハ２３を支持する支持部材２４が設けら
れ、チャンバ２０にガス供給口２６が設けられ、ガス供
給口２６にガス導入管２８及び第１切換弁２９を介して
接続された原料ガス供給管３０より原料ガスをチャンバ
内に供給するように構成されたエピタキシャルウェーハ
の製造装置の改良である。その特徴ある構成は第１切換
弁２９がガス供給口２６の近傍に設けられ、原料ガス供
給管３０とは別にパージガス供給管３１が第１切換弁２
９を介してガス供給口２６に接続されたことにある。第
１切換弁２９がガス供給口２６の近傍に設けられている
ため、メンテナンス時に第１切換弁２９を切換えて原料
ガスの供給を止めるとともにパージガス供給管３１から
乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流してガス導入管内
に残留するガスの逆流を防止すれば、上部ドーム２１の
取外し時にガス供給口２６から大気が流れ込むガス導入
管２８の長さが短くなり、腐食性ガスによる腐食部位が
少なくなる。また流れ込んだ空気をパージガスにより一
掃できる。The invention according to claim 1 is
As shown in FIG. 1, a support member 24 for supporting a wafer 23 for epitaxial growth is provided inside a chamber 20 formed by an upper dome 21 and a lower dome 22, and a gas supply port 26 is provided in the chamber 20. This is an improvement of an epitaxial wafer manufacturing apparatus configured to supply a source gas into a chamber from a source gas supply pipe 30 connected to a supply port 26 via a gas introduction pipe 28 and a first switching valve 29. The characteristic configuration is that a first switching valve 29 is provided near the gas supply port 26, and a purge gas supply pipe 31 is provided separately from the source gas supply pipe 30 by the first switching valve 2.
9 to the gas supply port 26. Since the first switching valve 29 is provided near the gas supply port 26, the first switching valve 29 is switched at the time of maintenance to stop the supply of the source gas and to purge gas such as dry N 2 gas from the purge gas supply pipe 31. If the backflow of the gas flowing and remaining in the gas introduction pipe is prevented, the length of the gas introduction pipe 28 into which the air flows from the gas supply port 26 when the upper dome 21 is removed is reduced, and the corroded portion by the corrosive gas is reduced. . Further, the flowed-in air can be wiped out by the purge gas.
【０００６】請求項３に係る発明は、図２に示すように
上部ドーム２１と下部ドーム３３とにより形成されたチ
ャンバ３５の内部にエピタキシャル成長用のウェーハ２
３を支持する支持部材２４が設けられ、上部ドーム２１
の内部に連通する原料ガス供給口２６がチャンバ３５に
設けられ、原料ガス供給口２６にガス導入管２８及び第
１切換弁３２を介して接続された原料ガス供給管３０よ
り原料ガスをチャンバ内に供給するように構成されたエ
ピタキシャルウェーハの製造装置の改良である。その特
徴ある構成は、第１切換弁３２が原料ガス供給口２６の
近傍に設けられ、原料ガス供給口２６とは別に下部ドー
ム３３の内部に連通するパージガス供給口３４がチャン
バ３５に設けられ、原料ガス供給管３０とは別にパージ
ガス供給管３６がパージガス供給口３４の近傍に設けら
れた第２切換弁３７を介してパージガス供給口３４に接
続されたことにある。第１切換弁３２がガス供給口２６
の近傍に設けられているため、メンテナンス時に第１切
換弁３２を閉止して原料ガスの供給を止め、上部ドーム
２１を取外した際に、ガス供給口２６から大気が流れ込
むガス導入管２８の長さが短くなり、腐食性ガスによる
腐食部位が少なくなる。A third aspect of the present invention is to provide a wafer for epitaxial growth in a chamber formed by an upper dome and a lower dome as shown in FIG.
3 is provided, and the upper dome 21 is provided.
A source gas supply port 26 communicating with the inside of the chamber is provided in a chamber 35, and a source gas is supplied from a source gas supply pipe 30 connected to the source gas supply port 26 through a gas introduction pipe 28 and a first switching valve 32 into the chamber. This is an improvement of an epitaxial wafer manufacturing apparatus configured to be supplied to a wafer. The characteristic configuration is that the first switching valve 32 is provided near the source gas supply port 26, and a purge gas supply port 34 communicating with the inside of the lower dome 33 separately from the source gas supply port 26 is provided in the chamber 35, A purge gas supply pipe 36 is connected to the purge gas supply port 34 via a second switching valve 37 provided near the purge gas supply port 34 separately from the source gas supply pipe 30. The first switching valve 32 is connected to the gas supply port 26.
, The first switching valve 32 is closed at the time of maintenance to stop the supply of the raw material gas, and when the upper dome 21 is removed, the length of the gas introduction pipe 28 through which the air flows from the gas supply port 26. And the number of sites corroded by corrosive gas is reduced.
【０００７】請求項２又は請求項４に係る発明は、請求
項１又は請求項３に係る発明であって、ガス導入管２８
が耐塩酸合金からなるエピタキシャルウェーハの製造装
置である。上部ドーム２１を取外した際に、大気に曝さ
れるガス導入管２８を耐塩酸合金で形成することによ
り、より確実に腐食性ガスによる腐食を防止することが
できる。The invention according to claim 2 or 4 is the invention according to claim 1 or claim 3, wherein the gas introduction pipe 28
Is an apparatus for manufacturing an epitaxial wafer made of a hydrochloric acid resistant alloy. When the upper dome 21 is removed, the gas introduction pipe 28 exposed to the atmosphere is formed of a hydrochloric acid-resistant alloy, so that corrosion due to corrosive gas can be more reliably prevented.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１に示すように、このエピ
タキシャルウェーハの製造装置は枚葉式であって、チャ
ンバ２０は上部ドーム２１と下部ドーム２２により構成
され、このチャンバ２０の内部にはエピタキシャル成長
用の単一のシリコンウェーハ２３を支持する支持部材２
４が設けられる。このチャンバ２０には上部ドーム２１
の内部に連通するガス供給口２６及びガス排出口２７が
配設される。このガス供給口２６には原料ガス又はパー
ジガスを供給する長さ５０ｃｍ以下、好ましくは１〜１
０ｃｍ程度のガス導入管２８の一端が接続され、ガス排
出口２７にはガス排出管２５が接続される。ガス導入管
２８はハステロイのような耐塩酸合金からなる。またガ
ス導入管２８の他端には三方切換弁２９が設けられ、こ
の切換弁２９の一方には原料ガス供給管３０が、その他
方にはパージガス供給管３１が接続される。この装置で
は、図示しないが、ドーム２１及び２２の外側に設けら
れた熱源によりシリコンウェーハ２３を加熱しながら、
原料ガス供給管３０、三方切換弁２９、ガス導入管２８
及びガス供給口２６を通してチャンバ内にＳｉＨ2Ｃｌ2
又はＳｉＨＣｌ3のような原料ガスをＢ2Ｈ6又はＰＨ3の
ようなドーパントガス及びＨ2のキャリアガスとともに
導入する。導入された原料ガス等は上部ドーム２１とシ
リコンウェーハ２３の間の空間を流れ、ウェーハ表面に
シリコン単結晶薄膜を形成した後、ガス排出口２７を通
ってガス排出管２５より排出される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the apparatus for manufacturing an epitaxial wafer is a single wafer type, and a chamber 20 includes an upper dome 21 and a lower dome 22, and a single silicon wafer for epitaxial growth is provided inside the chamber 20. Supporting member 2 supporting 23
4 are provided. This chamber 20 has an upper dome 21
A gas supply port 26 and a gas discharge port 27 communicating with the inside of the device are provided. The gas supply port 26 has a length for supplying a source gas or a purge gas of 50 cm or less, preferably 1 to 1 cm.
One end of a gas introduction pipe 28 of about 0 cm is connected, and a gas exhaust pipe 25 is connected to a gas exhaust port 27. The gas introduction pipe 28 is made of a hydrochloric acid-resistant alloy such as Hastelloy. A three-way switching valve 29 is provided at the other end of the gas introduction pipe 28. One of the switching valves 29 is connected to a source gas supply pipe 30, and the other is connected to a purge gas supply pipe 31. In this apparatus, while not shown, while heating the silicon wafer 23 by a heat source provided outside the domes 21 and 22,
Source gas supply pipe 30, three-way switching valve 29, gas introduction pipe 28
And SiH 2 Cl 2 through the gas supply port 26 into the chamber.
Alternatively, a source gas such as SiHCl 3 is introduced together with a dopant gas such as B 2 H 6 or PH 3 and a carrier gas of H 2 . The introduced raw material gas flows through the space between the upper dome 21 and the silicon wafer 23, forms a silicon single crystal thin film on the wafer surface, and is discharged from the gas discharge pipe 25 through the gas discharge port 27.
【０００９】多数回エピタキシャル成長することによ
り、クリーニングガスであるＨＣｌのようなエッチング
ガスをチャンバ内に流しても、チャンバ内部及びガス排
出口２７及びガス排出管２５にポリシリコン又はポリシ
ランのような反応副生成物が堆積して残存するため、定
期的にチャンバ内部を保守・整備するメンテナンス作業
が行われる。このメンテナンス時には、三方切換弁２９
を切換えて原料ガスの供給を止めるとともにパージガス
供給管３１から乾燥Ｎ2ガスのようなパージガスを流し
てガス導入管内に残留するガスの逆流を防止しながら、
上部ドーム２１を取外して、チャンバ内を保守・整備
し、必要により支持部材２４を交換する。このメンテナ
ンス作業では、ガス供給口２６から大気が流れ込むガス
導入管２８の長さが短い上、ガス導入管２８が耐塩酸合
金で形成されているため、上部ドーム２１を取外した際
に、腐食性ガスによってガス導入管２８が腐食しない。
また流れ込んだ空気がパージガスにより一掃されるた
め、ガス導入管２８に吸着される水分を減らすことがで
きる利点もある。By performing epitaxial growth many times, even if an etching gas such as HCl, which is a cleaning gas, is flown into the chamber, the reaction gas such as polysilicon or polysilane is supplied to the inside of the chamber and the gas exhaust port 27 and the gas exhaust pipe 25. Since the product accumulates and remains, maintenance work is periodically performed to maintain and maintain the inside of the chamber. During this maintenance, the three-way switching valve 29
To stop the supply of the raw material gas and flow a purge gas such as dry N 2 gas from the purge gas supply pipe 31 to prevent the backflow of the gas remaining in the gas introduction pipe.
The upper dome 21 is removed, the inside of the chamber is maintained and maintained, and the support member 24 is replaced if necessary. In this maintenance work, since the length of the gas introduction pipe 28 into which the atmosphere flows from the gas supply port 26 is short and the gas introduction pipe 28 is formed of a hydrochloric acid-resistant alloy, when the upper dome 21 is removed, the gas introduction pipe 28 becomes corrosive. The gas does not corrode the gas inlet tube 28.
Further, since the flowing air is swept away by the purge gas, there is an advantage that the amount of water adsorbed on the gas introduction pipe 28 can be reduced.
【００１０】図２に本発明の第２の実施の形態を示す。
図２において、図１と同一部品は同一符号を示す。この
実施の形態の特徴ある構成は、図２に示すようにハステ
ロイ製のガス導入管２８と原料ガス供給管３０の間に介
装される第１切換弁３２が原料ガス供給口２６の近傍に
設けられ、原料ガス供給口２６とは別にパージガス供給
口３４がチャンバ３５に設けられ、原料ガス供給管３０
とは別にパージガス供給管３６がパージガス供給口３４
の近傍に設けられた第２切換弁３７及びガス導入管３８
を介してパージガス供給口３４に接続されたことにあ
る。パージガス供給口３４が設けられる場所は例えば原
料ガス供給口２６に隣接する箇所や、下部ドーム３３の
内部に連通する場所などが挙げられる。この装置ではメ
ンテナンス時には第１切換弁３２がガス供給口２６の近
傍に設けられているため、第１切換弁３２を閉止して原
料ガスの供給を止め、上部ドーム２１を取外した際に、
ガス供給口２６から大気が流れ込むガス導入管２８の長
さが短くなり、腐食性ガスによる腐食部位が少なくな
る。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. A characteristic configuration of this embodiment is that, as shown in FIG. 2, a first switching valve 32 interposed between a gas inlet pipe 28 made of Hastelloy and a source gas supply pipe 30 is located near the source gas supply port 26. A purge gas supply port 34 is provided in the chamber 35 separately from the source gas supply port 26.
Separately, the purge gas supply pipe 36 is connected to the purge gas supply port 34.
Switching valve 37 and gas introduction pipe 38 provided near
Through the connection to the purge gas supply port 34. The place where the purge gas supply port 34 is provided includes, for example, a place adjacent to the source gas supply port 26 and a place communicating with the inside of the lower dome 33. In this apparatus, since the first switching valve 32 is provided near the gas supply port 26 at the time of maintenance, when the first switching valve 32 is closed to stop supply of the raw material gas and the upper dome 21 is removed,
The length of the gas introduction pipe 28 into which the atmosphere flows from the gas supply port 26 is shortened, and the number of corroded portions by corrosive gas is reduced.
【００１１】[0011]
【発明の効果】以上述べたように、ＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳ
ｉＨＣｌ3のような腐食性の原料ガスによりシリコンウ
ェーハ表面にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長
させる本発明の製造装置では、切換弁までのガス導入管
の長さを短くするため、メンテナンス時にこのガス導入
管に残留する腐食性ガスが僅かで済み、腐食性ガスによ
るガス導入管の腐食部位が少なくなる。特にこのガス導
入管を耐塩酸合金で形成すれば、メンテナンス時のガス
導入管の腐食を確実に防止することができる。また、ガ
ス導入管に吸着された水分を減らすことができる。これ
によりメンテナンス後、比較的短時間のうちにシリコン
ウェーハの成膜を開始することができる。As described above, SiH 2 Cl 2 or S
In the manufacturing apparatus of the present invention in which a silicon single crystal thin film is epitaxially grown on the surface of a silicon wafer by a corrosive raw material gas such as iHCl 3 , the length of the gas introduction pipe up to the switching valve is reduced. Only a small amount of corrosive gas remains in the gas inlet, and the number of corroded portions of the gas inlet pipe by the corrosive gas is reduced. In particular, if this gas introduction tube is formed of a hydrochloric acid-resistant alloy, corrosion of the gas introduction tube during maintenance can be reliably prevented. In addition, the amount of water adsorbed on the gas inlet tube can be reduced. Thereby, the film formation of the silicon wafer can be started within a relatively short time after the maintenance.
【図１】本発明の第１の実施の形態のエピタキシャルウ
ェーハ製造装置の断面構成図。FIG. 1 is a sectional configuration view of an epitaxial wafer manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施の形態のエピタキシャルウ
ェーハ製造装置の断面構成図。FIG. 2 is a sectional configuration diagram of an epitaxial wafer manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図３】従来のエピタキシャルウェーハ製造装置の断面
構成図。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional epitaxial wafer manufacturing apparatus.
２０，３５ チャンバ ２１ 上部ドーム ２２，３３ 下部ドーム ２３ シリコンウェーハ ２４ 支持部材 ２６ ガス供給口 ２８ ガス導入管 ２９，３２ 第１切換弁 ３０ 原料ガス供給管 ３１，３６ パージガス供給管 ３４ パージガス供給口 ３７ 第２切換弁 20, 35 chamber 21 upper dome 22, 33 lower dome 23 silicon wafer 24 support member 26 gas supply port 28 gas introduction pipe 29, 32 first switching valve 30 source gas supply pipe 31, 36 purge gas supply pipe 34 purge gas supply port 37th 2 switching valve
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岡 智則 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BA04 DB05 EG22 EG23 5F045 AB02 AC05 DP04 DP27 DQ10 EC07 EE04 EE14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Tomonori Yamaoka 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsubishi Materials Silicon Co., Ltd. F-term (reference) 4G077 AA03 BA04 DB05 EG22 EG23 5F045 AB02 AC05 DP04 DP27 DQ10 EC07 EE04 EE14
Claims (4)
り形成されたチャンバ(20)の内部にエピタキシャル成長
用のウェーハ(23)を支持する支持部材(24)が設けられ、
前記チャンバ(20)にガス供給口(26)が設けられ、前記ガ
ス供給口(26)にガス導入管(28)及び第１切換弁(29)を介
して接続された原料ガス供給管(30)より原料ガスを前記
チャンバ内に供給するように構成されたエピタキシャル
ウェーハの製造装置において、 前記第１切換弁(29)が前記ガス供給口(26)の近傍に設け
られ、 前記原料ガス供給管(30)とは別にパージガス供給管(31)
が前記第１切換弁(29)を介して前記ガス供給口(26)に接
続されたことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製
造装置。A support member (24) for supporting a wafer (23) for epitaxial growth is provided inside a chamber (20) formed by an upper dome (21) and a lower dome (22),
A gas supply port (26) is provided in the chamber (20), and a source gas supply pipe (30) connected to the gas supply port (26) via a gas introduction pipe (28) and a first switching valve (29). ), The first switching valve (29) is provided in the vicinity of the gas supply port (26), and the source gas supply pipe is provided. Purge gas supply pipe (31) separately from (30)
Is connected to the gas supply port (26) via the first switching valve (29).
求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。2. An apparatus for manufacturing an epitaxial wafer according to claim 1, wherein the gas introduction pipe (28) is made of a hydrochloric acid resistant alloy.
り形成されたチャンバ(35)の内部にエピタキシャル成長
用のウェーハ(23)を支持する支持部材(24)が設けられ、
前記上部ドーム(21)の内部に連通する原料ガス供給口(2
6)が前記チャンバ(35)に設けられ、前記原料ガス供給口
(26)にガス導入管(28)及び第１切換弁(32)を介して接続
された原料ガス供給管(30)より原料ガスを前記チャンバ
内に供給するように構成されたエピタキシャルウェーハ
の製造装置において、 前記第１切換弁(32)が前記原料ガス供給口(26)の近傍に
設けられ、 前記原料ガス供給口(26)とは別にパージガス供給口(34)
が前記チャンバ(35)に設けられ、 前記原料ガス供給管(30)とは別にパージガス供給管(36)
が前記パージガス供給口(34)の近傍に設けられた第２切
換弁(37)を介して前記パージガス供給口(34)に接続され
たことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装
置。3. A support member (24) for supporting a wafer (23) for epitaxial growth is provided inside a chamber (35) formed by an upper dome (21) and a lower dome (33),
Source gas supply port (2) communicating with the inside of the upper dome (21)
6) is provided in the chamber (35), and the source gas supply port is provided.
Manufacturing of an epitaxial wafer configured to supply a source gas into the chamber from a source gas supply pipe (30) connected to the (26) via a gas introduction pipe (28) and a first switching valve (32). In the apparatus, the first switching valve (32) is provided near the source gas supply port (26), and a purge gas supply port (34) separately from the source gas supply port (26).
Is provided in the chamber (35), and a purge gas supply pipe (36) separately from the source gas supply pipe (30).
Is connected to the purge gas supply port (34) via a second switching valve (37) provided near the purge gas supply port (34).
求項３記載のエピタキシャルウェーハの製造装置。4. An apparatus for manufacturing an epitaxial wafer according to claim 3, wherein the gas introduction pipe (28) is made of a hydrochloric acid-resistant alloy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231321A JP2000068210A (en) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | Apparatus for manufacturing epitaxial wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000068210A true JP2000068210A (en) | 2000-03-03 |
Family
ID=16921812
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP10231321A Pending JP2000068210A (en) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | Apparatus for manufacturing epitaxial wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2000068210A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322756A (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Kobe Steel Ltd | Cryogenic system |
| CN107546101A (en) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 上海新昇半导体科技有限公司 | A kind of epitaxial growth method |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231321A patent/JP2000068210A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005322756A (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Kobe Steel Ltd | Cryogenic system |
| JP4606059B2 (en) * | 2004-05-07 | 2011-01-05 | 株式会社神戸製鋼所 | Cryogenic equipment |
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