JP2000068195A - Device manufacturing equipment - Google Patents

Device manufacturing equipment

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JP2000068195A
JP2000068195A JP10251821A JP25182198A JP2000068195A JP 2000068195 A JP2000068195 A JP 2000068195A JP 10251821 A JP10251821 A JP 10251821A JP 25182198 A JP25182198 A JP 25182198A JP 2000068195 A JP2000068195 A JP 2000068195A
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floor
vibration
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rigidity
manufacturing apparatus
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Japanese (ja)
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Yoshinori Makita
義範 牧田
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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  • Vibration Prevention Devices (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the device manufacturing accuracy and throughput by changing characteristics of an active damper such as a damping factor and an integral gain according to the rigidity of the installation floor. SOLUTION: In an active damper of a device manufacturing equipment, the output of an acceleration sensor 22 for measuring the acceleration in the direction vertical to the floor 100 is inputted to a floor rigidity estimating circuit 24 through a low pass filter 23 for eliminating an offset and high-frequency noise. The floor rigidity estimating circuit 24 is also inputted with the information (stg) on the movement of an XY stage for exposure. Then, the floor rigidity estimating circuit 24 calculates the excitation force to be transmitted to the floor 100 from the information (stg) on the movement of the XY stage. From the calculated excitation force and the floor vibration obtained from the second acceleration sensor 22, the floor rigidity estimating circuit 24 calculates the rigidity of the floor to set the optimum values for a proportional gain and an integral gain of a PI compensatory 10'. The proportional gain works as a damping factor of a damper stage and the integral gain works like a spring factor of the damper stage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶デバイスなどのデバイスを製造するためのデバイス
製造装置に関し、特にデバイス製造装置におけるXYス
テージなどの可動部を設置床上に支持するアクティブダ
ンパの特性を設置床の剛性に合わせて調整することによ
り、アクティブダンパの除振および制振性能を最大限に
発揮可能にしたデバイス製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device manufacturing apparatus for manufacturing a device such as a semiconductor device or a liquid crystal device, and more particularly to a characteristic of an active damper for supporting a movable portion such as an XY stage on an installation floor in the device manufacturing apparatus. The present invention relates to a device manufacturing apparatus capable of maximizing the anti-vibration and vibration-damping performance of an active damper by adjusting the height according to the rigidity of the installation floor.

【0002】[0002]

【従来の技術】除振装置の除振台上には振動を嫌う精密
機器群が搭載される。例えば光学顕微鏡やステッパ等の
露光用XYステージ等である。特に、露光用XYステー
ジの場合、適切かつ迅速な露光が行なわれるべく、外部
から伝達する振動を極力排除した除振台上に同ステージ
は搭載されなければならない。何故ならば、露光は露光
用XYステージが完全停止の状態で行なう必要があるか
らである。さらに、XYステージはステップアンドリピ
ートという間欠運転を動作モードとして持ち、繰り返し
のステップ振動を自身が発生し、これが除振台の振動を
惹起せしめることにも注意せねばならない。この種の振
動が残留する場合にも、露光動作に入ることは不可能で
ある。したがって、除振装置には、外部振動に対する除
振と、搭載された機器自身の運動に起因した強制振動に
対する制振性能とをバランス良く実現することが求めら
れている。
2. Description of the Related Art A precision equipment group which dislikes vibration is mounted on a vibration isolation table of a vibration isolation device. For example, an XY stage for exposure such as an optical microscope and a stepper is used. In particular, in the case of an exposure XY stage, the stage must be mounted on a vibration isolation table that minimizes vibration transmitted from the outside in order to perform appropriate and rapid exposure. This is because exposure must be performed with the exposure XY stage completely stopped. Further, it must be noted that the XY stage has an intermittent operation called step-and-repeat as an operation mode, and generates repetitive step vibrations, which causes vibrations of the vibration isolation table. Even when such vibrations remain, it is impossible to start the exposure operation. Therefore, it is required for the vibration damping device to achieve a good balance between vibration damping against external vibration and vibration damping performance against forced vibration caused by the motion of the mounted device itself.

【0003】なお、XYステージを完全停止させてから
同ステージに搭載のシリコンウエハに対して露光光を照
射するというステップアンドリピート方式の半導体露光
装置に代わって、XYステージなどをスキャンさせなが
ら露光光をシリコンウエハ上に照射するスキャン方式の
半導体露光装置も登場してきた。このような装置に使わ
れる除振装置に対しても、外部振動に対する除振と、そ
の除振装置に搭載された機器自身の運動に起因した強制
振動に対する制振性能をバランス良く満たすことが求め
られることは同様である。
[0003] Instead of a step-and-repeat type semiconductor exposure apparatus in which the XY stage is completely stopped and then the silicon wafer mounted on the stage is irradiated with exposure light, the exposure light is scanned while scanning the XY stage. A scan type semiconductor exposure apparatus that irradiates a silicon wafer with light has also appeared. It is also necessary for vibration damping devices used in such devices to have a good balance between vibration damping against external vibration and vibration suppression performance against forced vibration caused by the motion of the equipment mounted on the vibration damping device itself. It is the same.

【0004】さて、周知のように、除振装置の実現形態
としては受動的除振装置と能動的除振装置(アクティブ
ダンパ)とに分類される。除振装置上の搭載機器に求め
られる高精度位置決め、高精度スキャン、高速移動など
への要求に応えるべく近年は能動的除振装置を用いる傾
向にある。能動的除振装置に用いられるアクチュエータ
としては、空気バネやボイスコイルモータなどの力発生
型アクチュエータ、圧電素子などの変位発生型アクチュ
エータが知られている。
[0004] As is well known, the form of realization of a vibration isolator is classified into a passive vibration isolator and an active vibration isolator (active damper). In recent years, there has been a tendency to use active vibration isolators in order to meet the demands for high-accuracy positioning, high-accuracy scanning, high-speed movement, etc., which are required for devices mounted on the vibration isolators. As an actuator used in an active vibration isolator, a force generating actuator such as an air spring or a voice coil motor, and a displacement generating actuator such as a piezoelectric element are known.

【0005】まず、図3を用いて空気バネをアクチュエ
ータとする能動的除振装置の構成とその動作を説明す
る。同図において、1は空気バネ2へ動作流体の空気を
給気・排気するサーボバルブ、3は除振台4の(鉛直方
向)変位を計測する位置センサ、5は予圧用機械バネ、
6は空気バネ2と予圧用機械バネ5および図示しない機
構全体の粘性を表現する粘性要素である。これらの構成
要素から組み合わされる機構は空気バネ式支持脚16と
呼ばれる。次に、空気バネ式支持脚16に対するフィー
ドバック装置7の構成とその動作を説明する。まず、除
振台4の(鉛直方向)加速度を計測する加速度センサ8
の出力は、オフセットと高周波の雑音を除去するための
DCカットローパスフィルタ9およびP補償器10を介
してサーボバルブ1の弁開閉用の電圧電流変換器11の
前段に負帰還する。この加速度フィードバックループに
より機構にダンピングが付与され安定化が図られてい
る。ここで、Pは比例動作を意味する。
First, the configuration and operation of an active vibration isolator using an air spring as an actuator will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is a servo valve for supplying and exhausting air of a working fluid to and from an air spring 2, 3 is a position sensor for measuring (vertical) displacement of a vibration isolation table 4, 5 is a mechanical spring for preload,
Reference numeral 6 denotes a viscous element expressing the viscosity of the air spring 2, the preload mechanical spring 5, and the entire mechanism (not shown). The mechanism combined from these components is called the pneumatic spring support leg 16. Next, the configuration and operation of the feedback device 7 for the air spring type support leg 16 will be described. First, an acceleration sensor 8 for measuring the (vertical) acceleration of the vibration isolation table 4
Is negatively fed back to the previous stage of the voltage / current converter 11 for opening and closing the valve of the servo valve 1 via a DC cut low-pass filter 9 and a P compensator 10 for removing offset and high frequency noise. Damping is provided to the mechanism by this acceleration feedback loop to achieve stabilization. Here, P means a proportional operation.

【0006】さらに、位置センサ3の出力は変位増幅器
12を通って比較回路13の入力になっている。ここで
は、空気バネ式支持脚16が接する地面(設置床)に対
する目標位置と等価な目標電圧14と比較されて偏差信
号eとなる。この偏差信号eはPI補償器15を通って
電圧電流変換器11を励起する。すると、サーボバルブ
1の弁開閉によって空気バネ2内の圧力が調整されて除
振台4は目標電圧14で指定した所望の位置に定常偏差
なく保持可能となる。ここで、Pは比例動作、Iは積分
動作をそれぞれ意味する。
Further, the output of the position sensor 3 passes through a displacement amplifier 12 and is input to a comparison circuit 13. Here, a deviation signal e is obtained by comparison with a target voltage 14 equivalent to a target position with respect to the ground (installed floor) with which the air spring type support leg 16 contacts. The deviation signal e excites the voltage-current converter 11 through the PI compensator 15. Then, the pressure in the air spring 2 is adjusted by opening and closing the servo valve 1, so that the vibration isolation table 4 can be maintained at a desired position specified by the target voltage 14 without a steady deviation. Here, P means a proportional operation and I means an integral operation.

【0007】図3に示したように、空気バネをアクチュ
エータとした能動的除振装置では、除振台4の位置決め
制御と振動制御のために、位置フィードバックループと
加速度フィードバックループとを合わせてフィードバッ
ク装置7を構成している。これらのフィードバックルー
プを構成するために、位置センサ3と加速度センサ8が
物理情報の検出センサとして用いられる。位置センサ3
としては、例えば渦電流式位置センサが、加速度センサ
8としてはサーボ式加速度センサが知られている。
As shown in FIG. 3, in an active vibration isolator using an air spring as an actuator, a position feedback loop and an acceleration feedback loop are combined to provide feedback for positioning control and vibration control of the vibration isolation table 4. The device 7 is constituted. In order to configure these feedback loops, the position sensor 3 and the acceleration sensor 8 are used as physical information detection sensors. Position sensor 3
For example, an eddy current type position sensor is known, and as the acceleration sensor 8, a servo type acceleration sensor is known.

【0008】次に、図4を用いて永久磁石と巻線コイル
からなるボイスコイルモータ(以下、VCMと略記す
る)をアクチュエータとする能動的除振装置の構成とそ
の動作を説明する。加速度センサの出力信号を積分器に
通して速度信号に変換し、この信号でVCMを駆動する
電力増幅器を励起し、結果としてダンピングのみを支持
する除振台4に与えることがフィードバック装置7Vの
基本構成になる。同図において、17はDCカットロー
パスフィルタ9を通した加速度センサ8の出力信号を速
度のディメンションに変換するための積分器、19はV
CM20を駆動するための電力変換器、21はVCM式
支持脚である。なお、積分器17は必要に応じて疑似積
分器でも構わない。VCMをアクチュエータとする能動
的除振装置では、俊敏なる応答性が特徴である。しか
し、大重量物を位置決めする支持のためには定常的な電
流を巻線コイルに通電しておかねばならないので発熱問
題を引き起こし不利であるので、通常、位置決めは空気
バネアクチュエータにより行ない、発生した振動のみに
応動してVCMを駆動するように制御ループが構成され
る。
Next, the configuration and operation of an active vibration isolator using a voice coil motor (hereinafter abbreviated as VCM) comprising a permanent magnet and a winding coil as an actuator will be described with reference to FIG. The output signal of the acceleration sensor is passed through an integrator to be converted into a speed signal, and this signal is used to excite a power amplifier that drives a VCM, and as a result, is applied to a vibration isolation table 4 that supports only damping. Configuration. In the figure, reference numeral 17 denotes an integrator for converting the output signal of the acceleration sensor 8 passed through the DC cut low-pass filter 9 into a velocity dimension, and 19 denotes V
A power converter for driving the CM 20 and 21 are VCM type support legs. Note that the integrator 17 may be a pseudo-integrator as needed. An active vibration isolator using a VCM as an actuator is characterized by quick response. However, in order to support the positioning of a heavy object, a constant current must be supplied to the winding coil to cause a heat generation problem, which is disadvantageous. A control loop is configured to drive the VCM only in response to the vibration.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】さて、上記従来例の能
動的除振装置ではP補償器10の比例ゲインを調整する
ことによりダンピング係数を最適な値に設定することが
可能であった。しかしながら、上記の半導体露光装置の
設置される床、すなわち、半導体工場の床は建物の上層
であることが多く、したがって半導体露光装置にとって
十分な床剛性を持たない場合が多くなってきた。また、
半導体露光装置の各設置場所と建物の柱および梁との位
置関係により、半導体露光装置ごとの床剛性が異なり、
さらに、半導体露光装置の設置エリア内だけをみた場合
にも、床剛性が不均一であり、軸方向ごとの床剛性の差
によって振動状態がステップアンドリピートあるいはス
テップアンドスキャンごとに異なり、以って位置決め時
間や精度のバラツキを発生させていた。
In the conventional active vibration isolator, the damping coefficient can be set to an optimum value by adjusting the proportional gain of the P compensator 10. However, the floor on which the semiconductor exposure apparatus is installed, that is, the floor of a semiconductor factory is often the upper layer of a building, and therefore, the floor rigidity of the semiconductor exposure apparatus is often insufficient. Also,
The floor stiffness of each semiconductor exposure device differs depending on the positional relationship between each installation location of the semiconductor exposure device and the pillars and beams of the building.
Further, when only the installation area of the semiconductor exposure apparatus is viewed, the floor stiffness is not uniform, and the vibration state is different for each step-and-repeat or step-and-scan due to the difference in the floor stiffness in each axial direction. Variations in positioning time and accuracy occurred.

【0010】この場合、装置の出荷時に設定したダンピ
ング係数およびバネ定数では装置の除振性能および制振
性能を最大限に発揮できなくなる。
[0010] In this case, the damping coefficient and the spring constant set at the time of shipment of the device cannot maximize the vibration isolation performance and the vibration suppression performance of the device.

【0011】本発明は、上述の従来例に置ける問題点に
鑑みてなされたもので、半導体露光装置などのデバイス
製造装置の少なくとも一部を支持するアクティブダンパ
の除振性能および制振性能を設置床の剛性にかかわらず
最大限に発揮できるようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and provides an active damper for supporting at least a part of a device manufacturing apparatus such as a semiconductor exposure apparatus. The purpose is to maximize the performance regardless of the rigidity of the floor.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、少なくとも可動部がアクティブダンパ
を介して設置床上に支持されたデバイス製造装置におい
て、該設置床の剛性を測定する手段と、該測定に応じて
該アクティブダンパの特性を変化させる手段とを有する
ことを特徴とする。アクティブダンパの特性としては、
例えばバネ定数やダンピング係数を変化させる。また、
設置床の剛性は加速度センサなどの振動センサにより設
置床の振動を計測し、その計測結果と前記可動部の駆動
情報に基づいて推定される。
To achieve the above object, according to the present invention, in a device manufacturing apparatus in which at least a movable portion is supported on an installation floor via an active damper, means for measuring the rigidity of the installation floor is provided. Means for changing the characteristics of the active damper according to the measurement. As the characteristics of the active damper,
For example, the spring constant and the damping coefficient are changed. Also,
The rigidity of the installation floor is estimated by measuring the vibration of the installation floor using a vibration sensor such as an acceleration sensor, and based on the measurement result and the driving information of the movable section.

【0013】[0013]

【作用】上記従来例ではデバイス製造装置の設置される
床部の床剛性を測定する手段がなかったため、アクティ
ブダンパを最適な特性、例えばバネ定数やダンピング係
数に調節することが困難であった。本発明によれば、設
置床の剛性を測定し、計測された剛性に応じてアクティ
ブダンパの特性を変化させるようにしたため、アクティ
ブダンパの特性をその剛性の床に対して最適に調節する
ことが可能になり、アクティブダンパは、その除振性能
および制振性能を設置床の剛性に応じて最大限に発揮す
ることができる。
In the above conventional example, there is no means for measuring the floor stiffness of the floor on which the device manufacturing apparatus is installed. Therefore, it is difficult to adjust the active damper to optimal characteristics, for example, a spring constant and a damping coefficient. According to the present invention, the rigidity of the installation floor is measured, and the characteristic of the active damper is changed according to the measured rigidity. Therefore, the characteristic of the active damper can be optimally adjusted for the rigid floor. Thus, the active damper can exhibit its anti-vibration performance and vibration-damping performance to the maximum according to the rigidity of the installation floor.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態において、
前記デバイス製造装置は半導体露光装置であり、前記ア
クティブダンパは、露光用XYステージが搭載される除
振台と、除振台を弾性的に支持する弾性支持手段と、除
振台を駆動するアクチュエータと、除振台の振動を検出
する第1の加速度センサと、第1の加速度センサの出力
をフィードバックする振動制御補償手段と、除振台の変
位を検出する変位センサと、変位センサの出力をフィー
ドバックする位置制御補償手段と、設置床の振動を検出
する少なくとも1個の第2の加速度センサと、この第2
の加速度センサの出力と露光用XYステージの移動情報
を入力し、除振台の床の床剛性を推定する床剛性推定回
路と、除振台に設置された第1の加速度センサのフィー
ドバックループの比例ゲインおよび積分ゲインの変更可
能なPI補償器を備え、露光用XYステージの移動の際
に生じる床振動の測定を上記第2の加速度センサによっ
て行ない、半導体露光装置の設置される床の床剛性を推
定し、上記PI補償器の比例ゲインおよび積分ゲインを
最適な値に変更することによって能動的除振装置のバネ
定数およびダンピング係数を最適な値に調整することを
特徴とする。前記アクチュエータとしては、空気バネを
アクチュエータおよびボイスコイルモータのいずれかま
たは両方を用いることができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In one embodiment of the present invention,
The device manufacturing apparatus is a semiconductor exposure apparatus, wherein the active damper includes a vibration isolation table on which an exposure XY stage is mounted, elastic support means for elastically supporting the vibration isolation table, and an actuator for driving the vibration isolation table. A first acceleration sensor for detecting vibration of the vibration isolation table, a vibration control compensator for feeding back an output of the first acceleration sensor, a displacement sensor for detecting displacement of the vibration isolation table, and an output of the displacement sensor. Position control compensating means for feeding back, at least one second acceleration sensor for detecting vibration of the installation floor,
A floor stiffness estimating circuit for estimating the floor stiffness of the floor of the vibration isolation table by inputting the output of the acceleration sensor and the movement information of the exposure XY stage, and a feedback loop of the first acceleration sensor installed on the vibration isolation table. A floor compensator capable of changing a proportional gain and an integral gain; measuring a floor vibration generated when the exposure XY stage is moved by the second acceleration sensor; Is estimated, and the spring constant and the damping coefficient of the active vibration isolator are adjusted to optimal values by changing the proportional gain and the integral gain of the PI compensator to optimal values. As the actuator, one or both of an air spring and a voice coil motor can be used.

【0015】上記構成において、第2の加速度センサは
半導体露光装置の設置される床の床振動を測定し、床剛
性推定回路は露光用XYステージの移動情報から床に伝
達する加振力を演算し、この演算された加振力と前記第
2の加速度センサから得られた床振動から床剛性を演算
または学習等で推定し、前記PI補償器の比例ゲインお
よび積分ゲインを最適な値に設定し直す機能を有する。
なお、上記の比例ゲインは除振台のダンピング係数とし
て作用し、積分ゲインは除振台のバネ係数のように動作
する。
In the above arrangement, the second acceleration sensor measures the floor vibration of the floor on which the semiconductor exposure apparatus is installed, and the floor stiffness estimating circuit calculates the exciting force transmitted to the floor from the movement information of the exposure XY stage. The floor stiffness is estimated by calculation or learning from the calculated vibration force and the floor vibration obtained from the second acceleration sensor, and the proportional gain and the integral gain of the PI compensator are set to optimal values. It has the function of re-executing.
The proportional gain acts as a damping coefficient of the vibration damping table, and the integral gain operates like a spring coefficient of the vibration damping table.

【0016】[0016]

【実施例】(第1の実施例)図1は、本発明の一実施例
に係る能動的除振装置(アクティブダンパ)の構成を示
す図である。図1の除振装置は、半導体露光装置の露光
用XYステージを搭載するためのものである。図1にお
いて、図3と同一符号を付けた箇所は図3のものと同様
に構成され同様に作用するので説明は省略する。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an active vibration isolator (active damper) according to one embodiment of the present invention. The anti-vibration apparatus of FIG. 1 is for mounting an exposure XY stage of a semiconductor exposure apparatus. In FIG. 1, portions denoted by the same reference numerals as those in FIG. 3 are configured in the same manner as those in FIG.

【0017】装置の設置された床100の床剛性が十分
でなければ、不図示のXYステージが移動する際に鉛直
方向に生じる各支持脚の荷重変化や、ステージ移動の加
減速の反力によって水平および回転方向に生じる反作用
力で床100が振動することになる。したがって、除振
装置はこのXYステージの移動に伴って発生する床振動
をキャンセルする力を発生させるために、さらにアクチ
ュエータを駆動する必要がある。本実施例の能動的除振
装置はこの機能を可能とするものである。
If the floor stiffness of the floor 100 on which the apparatus is installed is not sufficient, a load change of each support leg generated in the vertical direction when the XY stage (not shown) moves, and a reaction force of acceleration / deceleration of the stage movement. The floor 100 vibrates due to the reaction force generated in the horizontal and rotational directions. Therefore, the vibration isolator needs to further drive the actuator in order to generate a force that cancels the floor vibration generated due to the movement of the XY stage. The active vibration damping device of the present embodiment enables this function.

【0018】さて、図1の装置が図3の装置構成と異な
る箇所は、P補償器10を、除振台4に設置された第1
の加速度センサ8のフィードバックループの比例ゲイン
および積分ゲインを変更可能なPI補償器10′に変更
したこと、および床100に設置された第2の加速度セ
ンサ22と、DCカットローパスフィルタ23と、床剛
性推定回路24を付加したことである。
1 is different from the apparatus shown in FIG. 3 in that a P compensator 10 is provided on a first
That the proportional gain and the integral gain of the feedback loop of the acceleration sensor 8 can be changed to a PI compensator 10 ′ that can be changed, the second acceleration sensor 22 installed on the floor 100, the DC cut low-pass filter 23, That is, the rigidity estimation circuit 24 is added.

【0019】図1において、床100の(鉛直方向)加
速度を計測する加速度センサ22の出力は、オフセット
と高周波の雑音を除去するためのローパスフィルタ23
を介して、床剛性推定回路24に入力される。また、床
剛性推定回路24には露光用XYステージの移動情報s
tgが入力される。ここで、XYステージの移動情報と
は、レーザ干渉計で計測されたXYステージの座標や、
駆動モータが発生する力に対応するXYステージの加速
度等の情報のことであり、また、予め設定されている前
記XYステージの駆動方向ごとの移動重量を含めてもよ
い。
In FIG. 1, the output of the acceleration sensor 22 for measuring the (vertical) acceleration of the floor 100 is a low-pass filter 23 for removing offset and high-frequency noise.
Is input to the floor stiffness estimating circuit 24. The floor stiffness estimating circuit 24 has the movement information s of the exposure XY stage.
tg is input. Here, the movement information of the XY stage refers to the coordinates of the XY stage measured by the laser interferometer,
This refers to information such as the acceleration of the XY stage corresponding to the force generated by the drive motor, and may include a predetermined moving weight for each driving direction of the XY stage.

【0020】床剛性推定回路24は入力されたXYステ
ージの移動情報から床100に伝達する加振力を演算
し、この演算された加振力と前記第2の加速度センサ2
2から得られた床振動を基に床剛性を演算し、前記PI
補償器10′の比例ゲインおよび積分ゲインを最適な値
に設定し直す。ここで、上記の比例ゲインは除振台のダ
ンピング係数として作用し、積分ゲインは除振台のバネ
係数のように動作する。
The floor stiffness estimating circuit 24 calculates an exciting force transmitted to the floor 100 from the input movement information of the XY stage, and calculates the calculated exciting force and the second acceleration sensor 2.
2 is calculated based on the floor vibration obtained from
The proportional gain and the integral gain of the compensator 10 'are reset to optimal values. Here, the above-described proportional gain acts as a damping coefficient of the vibration damping table, and the integral gain operates like a spring coefficient of the vibration damping table.

【0021】なお、変更する比例ゲインおよび積分ゲイ
ンは厳密な運動方程式から求めた演算式を用いて求めて
も良いし、ファジー制御の評価関数等を用いて学習して
求めても良い。本実施例の能動的除振装置の前記PI補
償器10′の比例ゲインおよび積分ゲインを最適な値に
設定し直す場合に、露光用XYステージを調整用の駆動
パターン、例えば駆動範囲の全域を往復する駆動パター
ンや加減速の加速度を通常の駆動時より高めた駆動パタ
ーンで駆動して、S/N比の高い測定を行なっても良
い。図1は鉛直方向の1個の加速度センサについて説明
したが、例えば床振動の多軸成分を検出するために複数
個の加速度センサを使用することもできる。
The proportional gain and the integral gain to be changed may be obtained by using an arithmetic expression obtained from a strict equation of motion, or by learning using an evaluation function of fuzzy control or the like. In the case where the proportional gain and the integral gain of the PI compensator 10 'of the active vibration isolator of this embodiment are reset to optimal values, the exposure XY stage is adjusted to a drive pattern for adjustment, for example, the entire drive range. The measurement may be performed with a high S / N ratio by driving in a reciprocating driving pattern or a driving pattern in which the acceleration of acceleration / deceleration is higher than that in normal driving. Although FIG. 1 illustrates one vertical acceleration sensor, for example, a plurality of acceleration sensors may be used to detect a multiaxial component of floor vibration.

【0022】(第2の実施例)図2は、半導体露光装置
の露光用XYステージが搭載されるVCMをアクチュエ
ータとする能動的除振装置の構成を示す図である。図2
において、図4と同一符号を付けた箇所は図4のものと
同様に構成され同様に作用するので説明は省略する。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an active vibration isolator using a VCM as an actuator on which an exposure XY stage of a semiconductor exposure apparatus is mounted. FIG.
In the figure, the parts denoted by the same reference numerals as those in FIG. 4 are configured and operate in the same manner as those in FIG.

【0023】さて、図2の装置が図4の装置構成と異な
る箇所は、除振台4に設置された第1の加速度センサ8
のフィードバックループの比例ゲインおよび積分ゲイン
を変更可能なPI補償器18と、装置の設置床100に
設置された第2の加速度センサ22と、DCカットロー
パスフィルタ23と、床剛性推定回路24を付加したこ
と、およびP補償器10をPI補償器10′に変更した
ことである。
The difference between the apparatus shown in FIG. 2 and the apparatus shown in FIG. 4 is that the first acceleration sensor 8
, A PI compensator 18 capable of changing the proportional gain and the integral gain of the feedback loop, a second acceleration sensor 22 installed on the installation floor 100 of the device, a DC cut low-pass filter 23, and a floor rigidity estimation circuit 24 are added. And that the P compensator 10 has been changed to a PI compensator 10 '.

【0024】図2において、床の(鉛直方向)加速度を
計測する加速度センサ22の出力は、オフセットと高周
波の雑音を除去するためのローパスフィルタ23を介し
て、床剛性推定回路24に入力される。また、床剛性推
定回路24には露光用XYステージの移動情報stgが
入力される。
In FIG. 2, the output of the acceleration sensor 22 for measuring the acceleration (vertical direction) of the floor is input to a floor stiffness estimating circuit 24 via a low-pass filter 23 for removing offset and high-frequency noise. . Further, the movement information stg of the exposure XY stage is input to the floor rigidity estimation circuit 24.

【0025】床剛性推定回路24は入力されたXYステ
ージの移動情報から床100に伝達する加振力を演算
し、この演算された加振力と前記第2の加速度センサ2
2から得られた床振動から床剛性を演算し、前記PI補
償器18の比例ゲインおよび積分ゲインを最適な値に設
定し直す。ここで、上記の比例ゲインは除振台のダンピ
ング係数として作用し、積分ゲインは除振台のバネ係数
のように動作する。
The floor stiffness estimating circuit 24 calculates the exciting force transmitted to the floor 100 from the input movement information of the XY stage, and calculates the calculated exciting force and the second acceleration sensor 2.
The floor stiffness is calculated from the floor vibration obtained from Step 2, and the proportional gain and the integral gain of the PI compensator 18 are reset to optimal values. Here, the above-described proportional gain acts as a damping coefficient of the vibration damping table, and the integral gain operates like a spring coefficient of the vibration damping table.

【0026】なお、床剛性推定回路24は、前記PI補
償器18の比例ゲインおよび積分ゲインの代わりに、前
記PI補償器10′の比例ゲインおよび積分ゲインを設
定し直す様に構成してもよい。
The floor stiffness estimating circuit 24 may be configured to reset the proportional gain and the integral gain of the PI compensator 10 'instead of the proportional gain and the integral gain of the PI compensator 18. .

【0027】上記第1および第2の実施例の効果は以下
の通りである。 (1)半導体製造装置は半導体ウエハの大口径化にとも
ない大形化している。また、半導体ウエハ上に焼き付け
るパターン線幅は年々微細化が進んでいる。したがっ
て、半導体製造装置が設置される床の床剛性を高剛性化
しなければならないが、このためには、半導体工場の建
物の建築費が大幅に上昇することになる。上記の実施例
の除振台制御装置を用いた半導体露光装置をこのような
設置床に据え付けたとき、従来の床剛性でも十分良好な
焼き付け精度が維持できる、という効果がある。 (2)装置設置床全面にわたって床剛性が均一であるな
らば、装置設置床の状態に併せてダンピング係数および
バネ定数を最適に調整することができる。しかし、半導
体製造装置の偏荷重と床剛性の不均一性に原因して、X
Yステージのステップアンドリピートあるいはステップ
アンドスキャンに応じて床への振動伝達率および振動方
向が異なり、これが位置決め時間および精度にバラツキ
をもたらす。上記の実施例によれば、これらのバラツキ
を抑制できる、という効果がある。 (3)上記の実施例の除振台の制御装置は除振台の設置
される床の床振動および床剛性を測定することが可能で
あるため、設置場所ごとに自律的にチューニングを行な
うことが可能になる。よって、装置の設置立ち上げ時間
を短くすることができる、という効果がある。 (4)もって、半導体製造装置の生産性に寄与する、と
いう効果がある。
The effects of the first and second embodiments are as follows. (1) The size of semiconductor manufacturing equipment is increasing with the increase in diameter of semiconductor wafers. Further, the pattern line width to be printed on a semiconductor wafer has been miniaturized year by year. Therefore, it is necessary to increase the floor rigidity of the floor on which the semiconductor manufacturing apparatus is installed. However, for this purpose, the construction cost of the semiconductor factory building increases significantly. When the semiconductor exposure apparatus using the anti-vibration table controller of the above embodiment is installed on such an installation floor, there is an effect that sufficiently good printing accuracy can be maintained even with the conventional floor rigidity. (2) If the floor rigidity is uniform over the entire floor on which the device is installed, the damping coefficient and the spring constant can be adjusted optimally according to the state of the floor on which the device is installed. However, due to the uneven load of the semiconductor manufacturing equipment and the unevenness of the floor rigidity, X
Depending on the step-and-repeat or step-and-scan of the Y stage, the vibration transmission rate and the vibration direction to the floor are different, which causes variation in positioning time and accuracy. According to the above embodiment, there is an effect that these variations can be suppressed. (3) Since the control device of the vibration isolation table of the above embodiment can measure the floor vibration and floor rigidity of the floor on which the vibration isolation table is installed, it is necessary to perform autonomous tuning for each installation location. Becomes possible. Therefore, there is an effect that the installation start-up time of the device can be shortened. (4) This has the effect of contributing to the productivity of the semiconductor manufacturing apparatus.

【0028】(デバイス生産方法の実施例)次に、上記
説明した能動的除振装置(アクティブダンパ)を用いて
支持される露光装置を利用したデバイスの生産方法の実
施例を説明する。図5は微小デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステッ
プ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程
を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷(ステップ7)される。
(Embodiment of Device Production Method) Next, an embodiment of a device production method using an exposure apparatus supported by using the above-described active vibration isolator (active damper) will be described. FIG. 5 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin film magnetic heads, micro machines, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0029】図6は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明したアクティブダンパを
有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハ
に焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウ
エハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像
したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19
(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が
難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
FIG. 6 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus having the above-described active damper to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. Step 19
In (resist removal), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the production method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated device, which was conventionally difficult to manufacture, at low cost.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、設置床の剛性に応じて
アクティブダンパのダンピング係数や積分ゲインなどの
特性を変化させるようにしたため、設置床の剛性に応じ
てアクティブダンパの除振および制振性能を最大限に発
揮させることができ、デバイス製造装置を設置する床を
特に強化することなく、デバイス製造の精度およびスル
ープットを向上させることができる。
According to the present invention, the characteristics such as the damping coefficient and the integral gain of the active damper are changed in accordance with the rigidity of the installation floor. Vibration performance can be maximized, and device manufacturing accuracy and throughput can be improved without particularly strengthening the floor on which the device manufacturing apparatus is installed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例に係る、空気バネをア
クチュエータとする能動的除振装置の構成を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an active vibration isolator using an air spring as an actuator according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2の実施例に係る、空気バネおよ
びボイスコイルモータをアクチュエータとする能動的除
振装置の第2の実施例の構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an active vibration isolator using a pneumatic spring and a voice coil motor as an actuator according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 従来の、空気バネをアクチュエータとする能
動的除振装置の構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a conventional active vibration isolator using an air spring as an actuator.

【図4】 従来の、空気バネおよびボイスコイルモータ
をアクチュエータとする能動的除振装置の構成を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional active vibration isolator using an air spring and a voice coil motor as actuators.

【図5】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a flow of manufacturing a micro device.

【図6】 図5におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:サーボバルブ、2:空気バネ、3:位置センサ、
4:除振台、5:予圧用機械バネ、6:粘性要素、7:
フィードバック装置、8:加速度センサ、9:DCカッ
トローパスフィルタ、10:P補償器、10′:PI補
償器、11:電圧電流変換器、12:変位増幅器、1
3:比較回路、14:目標電圧、15:PI補償器、1
6:空気バネ式支持脚、17:積分器、18:PI補償
器、19:電力増幅器、20:ボイスコイルモータ(V
CM)、21:VCM式支持脚、22:加速度センサ、
23:DCカットローパスフィルタ、24:床剛性推定
回路、100:設置床、stg:ステージ情報。
1: servo valve, 2: air spring, 3: position sensor,
4: Vibration isolation table, 5: mechanical spring for preload, 6: viscous element, 7:
Feedback device, 8: acceleration sensor, 9: DC cut low-pass filter, 10: P compensator, 10 ': PI compensator, 11: voltage-current converter, 12: displacement amplifier, 1
3: comparison circuit, 14: target voltage, 15: PI compensator, 1
6: air spring type support leg, 17: integrator, 18: PI compensator, 19: power amplifier, 20: voice coil motor (V
CM), 21: VCM type support leg, 22: acceleration sensor,
23: DC cut low-pass filter, 24: floor rigidity estimation circuit, 100: installation floor, stg: stage information.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも可動部がアクティブダンパを
介して設置床上に支持されたデバイス製造装置におい
て、該設置床の剛性を測定する手段と、該測定に応じて
該アクティブダンパの特性を変化させる手段とを有する
ことを特徴とするデバイス製造装置。
In a device manufacturing apparatus in which at least a movable portion is supported on an installation floor via an active damper, means for measuring rigidity of the installation floor, and means for changing characteristics of the active damper according to the measurement A device manufacturing apparatus comprising:
【請求項2】 前記設置床の振動を計測するセンサを設
け、デバイス製造装置の稼動に伴う該センサ出力から床
剛性を推定することを特徴とする請求項1記載のデバイ
ス製造装置。
2. The device manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a sensor for measuring the vibration of the installation floor, and estimating a floor rigidity from an output of the sensor accompanying operation of the device manufacturing apparatus.
【請求項3】 前記センサは加速度センサであることを
特徴とする請求項2記載のデバイス製造装置。
3. The device manufacturing apparatus according to claim 2, wherein said sensor is an acceleration sensor.
【請求項4】 前記アクティブダンパは、XYステージ
を含む可動部が搭載される除振台と、該除振台を弾性的
に支持する弾性支持手段と、前記除振台を駆動するアク
チュエータと、前記除振台の振動を検出する第1の振動
センサと、該第1の振動センサの出力をフィードバック
する振動制御補償手段と、前記除振台の変位を検出する
変位センサと、該変位センサの出力をフィードバックす
る位置制御補償手段と、前記設置床の振動を検出する少
なくとも1個の第2の振動センサと、該第2の振動セン
サにより前記可動物体の駆動に伴う前記設置床の振動を
測定して該設置床の剛性を推定する手段と、当該アクテ
ィブダンパの特性を調整する手段とを具備することを特
徴とする請求項2記載のデバイス製造装置。
4. An active damper, comprising: a vibration isolation table on which a movable section including an XY stage is mounted; elastic support means for elastically supporting the vibration isolation table; an actuator for driving the vibration isolation table; A first vibration sensor that detects the vibration of the vibration isolation table, a vibration control compensator that feeds back the output of the first vibration sensor, a displacement sensor that detects the displacement of the vibration isolation table, Position control compensating means for feeding back an output, at least one second vibration sensor for detecting the vibration of the installation floor, and measuring the vibration of the installation floor accompanying the driving of the movable object by the second vibration sensor 3. The device manufacturing apparatus according to claim 2, further comprising: means for estimating the rigidity of the installation floor; and means for adjusting characteristics of the active damper.
【請求項5】 前記アクチュエータとして、空気バネま
たはボイスコイルモータの少なくとも一方を用いたこと
を特徴とする請求項4記載のデバイス製造装置。
5. The device manufacturing apparatus according to claim 4, wherein at least one of an air spring and a voice coil motor is used as said actuator.
【請求項6】 前記アクティブダンパの特性としてその
バネ定数およびダンピング係数を調整することを特徴と
する請求項1ないし5のいずれか記載のデバイス製造装
置。
6. The device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a spring constant and a damping coefficient are adjusted as characteristics of the active damper.
【請求項7】 請求項1ないし3のいずれか記載のデバ
イス製造装置によってデバイスを製造することを特徴と
するデバイス製造方法。
7. A device manufacturing method, wherein a device is manufactured by the device manufacturing apparatus according to claim 1.
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