JP2000067792A - Charged particle beam exposing device - Google Patents

Charged particle beam exposing device

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JP2000067792A
JP2000067792A JP10228892A JP22889298A JP2000067792A JP 2000067792 A JP2000067792 A JP 2000067792A JP 10228892 A JP10228892 A JP 10228892A JP 22889298 A JP22889298 A JP 22889298A JP 2000067792 A JP2000067792 A JP 2000067792A
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JP
Japan
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charged particle
astigmatism
particle beam
axis
exposure apparatus
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JP10228892A
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Hiroyasu Shimizu
弘泰 清水
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Original Assignee
Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enlarge a current amount of a charged particle beam so as to enhance a throughput by reducing blur and distortion caused by coulomb effect. SOLUTION: A shaping aperture 4 is irradiated with an emitted electron beam 2 from an electron source 1 by operation of a first irradiation lens 31. The passed electron beam 2 through the shaping aperture 4 forms an image of the shaping aperture 4 on a reticle 5 by operation of a second irradiation lens 32 and a third irradiation lens 33. The passed electron beam 2 through the reticle 5 passes through a first projection lens 61, is bent in its trajectory by astigmatism correctors 91, 92, 93, 94, and finally, forms an image of the reticle 5 on a wafer 7 by operation of a second projection lens 62. The astigmatism correctors 91, 92, 93, 94 generate astigmatism near a crossover point so as to prevent reduction of an area of the electron beam 2. Thereby, the coulomb effect is reduced, and the current amount can be increased so that the throughput is enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被転写物体上に形
成されたパターンを荷電粒子線で照射し、当該パターン
の像を転写物体上に露光転写する荷電粒子露光装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle exposure apparatus for irradiating a pattern formed on an object to be transferred with a charged particle beam and exposing and transferring an image of the pattern onto the object to be transferred.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体の微細加工技術は年々進歩
を遂げている。現在の露光装置は、光によるものが主流
であるが、さらなる微細加工を進める上では、光の短波
長化が要求される。しかしながら、その短波長化には限
界があり、また、X線を使用する露光装置も考えられて
はいるが、レチクルの製作が容易ではないなどといった
点から、現時点で実用化はなされていない。このような
背景から、電子線等、荷電粒子線による転写、露光が注
目されている。
2. Description of the Related Art In recent years, fine processing techniques for semiconductors have been progressing year by year. Current exposure apparatuses mainly use light, but in order to carry out further fine processing, a shorter wavelength of light is required. However, there is a limit to shortening the wavelength, and although an exposure apparatus using X-rays has been considered, it has not been put to practical use at the present time because it is not easy to manufacture a reticle. From such a background, attention has been paid to transfer and exposure using a charged particle beam such as an electron beam.

【0003】このような荷電粒子線露光装置の従来例と
して、半導体装置製造用の電子線露光装置の概要を図3
に示す。図3において、1は電子源、2は電子線、31
〜33は照射レンズ、4は成形開口、5はレチクル、6
1、62は投影レンズ、7は散乱電子吸収開口、8はウ
ェハである。
As a conventional example of such a charged particle beam exposure apparatus, an outline of an electron beam exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device is shown in FIG.
Shown in In FIG. 3, 1 is an electron source, 2 is an electron beam, 31
33 is an irradiation lens, 4 is a molding aperture, 5 is a reticle, 6
Reference numerals 1 and 62 denote projection lenses, 7 denotes a scattered electron absorption aperture, and 8 denotes a wafer.

【0004】電子源1を出た電子線2は、第1照射レン
ズ31によって成形開口4を照明する。成形開口4を出
た電子線2は第2照射レンズ32、第3照射レンズ33
によってレチクル5上に成形開口像を結像する。レチク
ル5を出た電子線は第1投影レンズ61、第2投影レン
ズ62によって、レチクル5上のパターンの像を、ウェ
ハ8上に結像する。散乱電子吸収開口7は、レチクル5
によって散乱された広角度の電子を吸収し、電子線の開
口角を制限するものである。
[0004] The electron beam 2 emitted from the electron source 1 illuminates the shaped aperture 4 by the first irradiation lens 31. The electron beam 2 that has exited the forming aperture 4 is supplied to the second irradiation lens 32 and the third irradiation lens 33.
Forms a shaped aperture image on the reticle 5. The electron beam exiting the reticle 5 forms an image of the pattern on the reticle 5 on the wafer 8 by the first projection lens 61 and the second projection lens 62. The scattered electron absorbing aperture 7 is
It absorbs the wide-angle electrons scattered by the electron beam and limits the aperture angle of the electron beam.

【0005】このような電子線露光装置に代表される荷
電粒子光学系では、レンズによる像面湾曲や非点収差を
補正できる範囲が限られるため、光学系を利用した半導
体露光装置のように、数十mm単位のパターンを一括で
転写するとボケが非常に大きくなる。このため、転写す
べきパターンを分割して転写し、それぞれをウェハ上で
つなぎ合わせて全体の半導体装置製造用の露光パターン
を形成する方法が採用されている。分割されたパターン
はサブフィールドとよばれ、通常レチクル5上で1mm
角程度、ウェハ上で0.25mm角程度の大きさになる。
In a charged particle optical system typified by such an electron beam exposure apparatus, the range in which the curvature of field and astigmatism caused by a lens can be corrected is limited, and therefore, as in a semiconductor exposure apparatus using an optical system, When a pattern of several tens of mm is transferred collectively, the blur becomes very large. For this reason, a method is employed in which a pattern to be transferred is divided and transferred, and the respective patterns are joined on a wafer to form an exposure pattern for manufacturing the entire semiconductor device. The divided pattern is called a subfield and is usually 1 mm on the reticle 5.
Approximately 0.25 mm square on a wafer.

【0006】成形開口4は、通常、高融点の金属に正方
形の開口を開けたもので、その寸法は第2、第3照射レ
ンズ32,33によってレチクル5上に結像したとき、
その像がレチクル5上のサブフィールドの大きさに一致
するようにされている。ただし、レチクル5が、その上
のサブフィールドの間にパターンの存在しない領域が存
在するように形成されている場合があり、この場合に
は、サブフィールドの大きさより、やや大きくなるよう
に設定されている。
The molding opening 4 is usually a high-melting metal having a square opening formed therein. The dimensions of the opening are when the image is formed on the reticle 5 by the second and third irradiation lenses 32 and 33.
The image is made to match the size of the subfield on the reticle 5. However, the reticle 5 may be formed such that a region where no pattern exists exists between the subfields above the reticle 5, and in this case, the reticle 5 is set to be slightly larger than the size of the subfield. ing.

【0007】レチクル5には転写されるべき露光パター
ンが形成されている。レチクル5としては主に2種類の
ものが使用されている。第1は、数μmのシリコン薄膜
に露光パターンを開口として形成しているもので、電子
線のうち開口を通過したものがウェハ8上に結像する。
開口を通過しなかったものはレチクルに吸収されるかレ
チクルを通過しても散乱されて、途中の散乱電子吸収開
口7によって吸収され、ウェハ8に届くことがないよう
に構成される。このようなレチクルはステンシルタイプ
とよばれている。第2は、1μm以下の極薄いシリコン
薄膜上の露光パターン以外の場所に重金属パターンを形
成したもので、極薄い薄膜に当たった電子はほとんど散
乱されずウェハ上8に結像する。重金属パターンに当た
った電子は吸収されるか散乱され、散乱された電子は散
乱電子吸収開口7のよって吸収されウェハ8上には届か
ないようにされている。このようなレチクルはメンブレ
ンタイプとよばれている。
The reticle 5 has an exposure pattern to be transferred. As the reticle 5, two types are mainly used. First, an exposure pattern is formed as an opening in a silicon thin film of several μm, and an electron beam that passes through the opening forms an image on the wafer 8.
Those not passing through the opening are absorbed by the reticle or scattered even after passing through the reticle, are absorbed by the scattered electron absorption opening 7 on the way, and do not reach the wafer 8. Such a reticle is called a stencil type. Second, a heavy metal pattern is formed at a place other than the exposure pattern on a very thin silicon thin film of 1 μm or less. Electrons hitting the very thin thin film are hardly scattered and form an image on the wafer 8. The electrons hitting the heavy metal pattern are absorbed or scattered, and the scattered electrons are absorbed by the scattered electron absorption aperture 7 so as not to reach the wafer 8. Such a reticle is called a membrane type.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】露光転写装置において
は、ウェハ等の単位時間当たりの処理枚数(スループッ
ト)を増やすことが求められている。以上のような荷電
粒子露光装置においては、スループットを増やす方法と
しては、荷電粒子線の電流量を増やすのが最も一般的な
方法である。
In an exposure transfer apparatus, it is required to increase the number of processed wafers or the like per unit time (throughput). In the charged particle exposure apparatus as described above, the most common method of increasing the throughput is to increase the amount of current of the charged particle beam.

【0009】ところが、荷電粒子線にはクーロン効果と
よばれる現象があり、これが像のボケや歪の原因とな
る。クーロン効果とは、荷電粒子同士の電荷による反発
力の影響で、荷電粒子の軌道が曲げられる現象であり、
電流が多く、加速電圧が低く、鏡筒長が長く、ビーム径
の細い場合大きくなる。本発明で考慮するのはビーム径
の細さによるクーロン効果についてであって、その他の
要因については一定であると仮定する。
However, a charged particle beam has a phenomenon called Coulomb effect, which causes blurring and distortion of an image. The Coulomb effect is a phenomenon in which the trajectory of charged particles is bent by the effect of repulsive force due to charges between charged particles.
When the current is large, the accelerating voltage is low, the lens barrel length is long, and the beam diameter is small, it becomes large. The present invention considers the Coulomb effect due to the small beam diameter, and assumes that other factors are constant.

【0010】図4は、従来の転写光学系における電子軌
道の例を示す図である。説明を簡単にするために偏向器
による偏向軌道については考慮してない。図4におい
て、z oは物面(例えばレチクル面)、ziは像面(例え
ばウェハ面)、100はクロスオーバ点である。電子線
の軌道は像点ziで絞られている以外に、クロスオーバ
点100でも絞られている。クロスオーバ点というのは
電子線源から放出された電子が絞られたビーム径になる
点で、電子光学系によって光路中にいくつか現れる。
FIG. 4 shows an electronic track in a conventional transfer optical system.
It is a figure showing an example of a road. Deflector for easy explanation
Is not considered. Figure 4
And z oIs the object surface (eg, reticle surface), ziIs the image plane (for example
100 is a crossover point. Electron beam
Of the image point ziCrossover
Point 100 is also narrowed down. The crossover point is
Electrons emitted from the electron beam source have a narrowed beam diameter
At this point, some appear in the optical path by the electron optics.

【0011】走査型電子顕微鏡やスポットビームによる
露光装置では、小さい像が必要なのでこのクロスオーバ
点を目的とする結像面に一致させるようにする。しか
し、転写型電子線露光装置のような電子線装置において
は、広い面積において均一な電流密度が要求されるの
で、クロスオーバ点をウェハ上に位置させるのではな
く、それ以外の電流密度が均一分布になるところがウェ
ハ上に位置するようにし、いわゆるケーラ照明とする。
また、電子放出面が広く、放出電流密度の均一な電子線
源を使い、電子放出面の像をウェハ面に結像する臨界ケ
ーラ照明を採用することもある。
In a scanning electron microscope or an exposure apparatus using a spot beam, a small image is required, so that this crossover point is made to coincide with a target imaging plane. However, in an electron beam apparatus such as a transfer type electron beam exposure apparatus, a uniform current density is required in a wide area, so that the crossover point is not located on the wafer but the other current densities are uniform. The distribution area is located on the wafer, so-called Koehler illumination.
In some cases, an electron beam source having a wide electron emission surface and a uniform emission current density is used, and critical Koehler illumination for forming an image of the electron emission surface on a wafer surface is employed.

【0012】また、第4図から分かるように、クロスオ
ーバ点100の大きさは、ウェハ上のレチクル像の角度
分布に対応している。つまり、クロスオーバ点の大きさ
が大きくなるほど、ウェハ上におけるレチクル像の開き
角が広くなる。このようにクロスオーバ点100では、
もともと電子線の広がりが小さい。また、収差を押さえ
る目的のために、ウェハ上におけるレチクル像の開き角
を小さくするほど、クロスオーバ点の大きさは小さくな
る。ところが、クロスオーバ点の大きさが小さくなるに
つれて、電流の集中によってクーロン効果が大きくなっ
て、像のボケ、歪が大きくなるという問題が生じる。従
って、収差、ボケ、歪を所定の範囲内に収めるために
は、電子線の電流量をむやみに増やすことはできず、ス
ループットを上げることができない。このような事情
は、電子線以外の荷電粒子線を用いた露光転写装置にお
いても同じである。
As can be seen from FIG. 4, the size of the crossover point 100 corresponds to the angular distribution of the reticle image on the wafer. That is, as the size of the crossover point increases, the opening angle of the reticle image on the wafer increases. Thus, at the crossover point 100,
Originally the spread of the electron beam is small. Further, for the purpose of suppressing aberration, the smaller the opening angle of the reticle image on the wafer, the smaller the size of the crossover point. However, as the size of the crossover point becomes smaller, the Coulomb effect becomes larger due to the concentration of current, which causes a problem that image blur and distortion become larger. Therefore, in order to keep the aberration, blur, and distortion within a predetermined range, the current amount of the electron beam cannot be increased unnecessarily, and the throughput cannot be increased. Such a situation is the same in an exposure transfer apparatus using a charged particle beam other than the electron beam.

【0013】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、クーロン効果によるボケ、歪を低減させること
により、荷電粒子線の電流量を増やし、スループットを
上げることのできる荷電粒子線露光装置を提供すること
を課題とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a charged particle beam exposure apparatus capable of increasing the amount of current of a charged particle beam and increasing the throughput by reducing blur and distortion due to the Coulomb effect. The task is to provide

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、非点収
差補正器を使い、像面での性能(収差、ボケ、歪、偏向
位置等)を変化させずに、クロスオーバ点近傍で非点収
差を生じさせることで、レチクルウェハ間で、荷電粒子
線が細くなる部分での荷電粒子線の広がりを増やし、ク
ーロン効果を低減することにある。
The gist of the present invention is to use an astigmatism corrector and to change the performance (aberration, blur, distortion, deflection position, etc.) on the image plane near the crossover point without changing the performance. By generating astigmatism, the spread of the charged particle beam in a portion where the charged particle beam becomes narrow between reticle wafers is increased, and the Coulomb effect is reduced.

【0015】すなわち、前記課題を解決するための第1
の手段は、被転写物体上に形成されたパターンを荷電粒
子線で照射し、当該パターンの像を転写物体上に露光転
写する荷電粒子露光装置であって、像面での非点収差ボ
ケ、歪、入射角変化、偏向位置、偏向入射角変化の少な
くともひとつを劣化させずに、荷電粒子線のクロスオー
バ点近傍で非点収差を発生させる非点収差補正器を有す
ることを特徴とする荷電粒子線露光装置(請求項1)で
ある。
[0015] That is, the first to solve the above-mentioned problem.
The means is a charged particle exposure apparatus that irradiates a pattern formed on an object to be transferred with a charged particle beam, and exposes and transfers an image of the pattern onto a transfer object, astigmatism blur on an image plane, A charging device having an astigmatism corrector that generates astigmatism near a crossover point of a charged particle beam without deteriorating at least one of distortion, change in incident angle, deflection position, and change in deflection incident angle. This is a particle beam exposure apparatus (Claim 1).

【0016】本手段においては、非点収差補正器を用い
て、クロスオーバ点近傍で非点収差を発生させている。
これにより、荷電粒子線がx軸方向で収束する場所では
y軸方向に広がり、y軸方向で収束する場所ではx軸方
向に広がることになる。よって、荷電粒子線の軌道が極
端に細くなる点が無くなり、荷電粒子間の平均距離が広
がってクーロン効果によるボケ、歪みを低減できる。ま
た、このような非点収差を発生させるに当たって、像面
での非点収差ボケ、歪、入射角変化、偏向位置ずれ、偏
向入射角変化の少なくともひとつを劣化させないよう
に、非点収差補正器を制御しているので、これらが劣化
して転写性能が落ちることがない。
In this means, astigmatism is generated near the crossover point using an astigmatism corrector.
As a result, the charged particle beam spreads in the y-axis direction where it converges in the x-axis direction, and spreads in the x-axis direction where it converges in the y-axis direction. Therefore, the point where the trajectory of the charged particle beam becomes extremely thin is eliminated, and the average distance between the charged particles is widened, and blur and distortion due to the Coulomb effect can be reduced. In generating such astigmatism, an astigmatism corrector is used so as not to deteriorate at least one of astigmatism blur, distortion, incident angle change, deflection position shift, and deflection incident angle change on the image plane. , The transfer performance is not deteriorated.

【0017】前記課題を解決するための第2の手段は、
前記第1の手段であって、荷電粒子線露光装置の光軸を
z軸とし、これを1軸とする直交座標系でのx−y平面
の座標をw=x+iyとする複素座標で表し、物面をz
o、像面をzi、wa[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=
1、wa[zi]=0となる、複素座標で表示した荷電粒子
のレンズによる軌道、wb[z]を、wb[zo]=1とな
る、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌道、
これらの複素共役軌道をwac[z]、wbc[z]とし、電
磁非点収差補正器の場合は軸上の電磁非点場、静電非点
収差補正器の場合は軸上の静電非点場を軸上電位の平方
根で割ったものをf[z]としたとき、
A second means for solving the above-mentioned problems is as follows:
The first means, wherein the optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the z-axis as one axis are represented by complex coordinates where w = x + iy, Z
o , the image plane z i , w a [z], w a [z o ] = 0, w a '[z o ] =
1. The trajectory of the charged particle represented by complex coordinates, where w a [z i ] = 0, expressed by the lens, w b [z], and the charged particle represented by complex coordinates, where w b [z o ] = 1 Orbit by the lens of
Let these complex conjugate orbits be w ac [z] and w bc [z], and the electromagnetic astigmatism field on the axis in the case of the electromagnetic astigmatism corrector and the static electromagnetic field on the axis in the case of the electrostatic astigmatism corrector. When f [z] is obtained by dividing the electric non-point field by the square root of the on-axis potential,

【0018】[0018]

【数14】 [Equation 14]

【0019】[0019]

【数15】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
するもの(請求項2)である。ただし、'はzによる微
分値を示し、以下の説明においても同様である。
(Equation 15) (Claim 2). Here, 'indicates a differential value by z, and the same applies to the following description.

【0020】z軸を光軸としてレチクルを物面zoとし
ウェハを像面ziとする。そして、荷電粒子線軌道をw
=x+iyとする複素座標(x=x[z]、y=y[z])
で示す。非点収差補正器によって生じる軌道のずれdw
[z]は電磁非点収差補正器の場合は非点収差補正器によ
る(単位電流当たりの)、静電非点収差補正器の場合は
(単位電圧当たりの)軸上の非点場を軸上電位の平方根
で割ったもの(円柱座標でr2・cos2θに比例)をf[z]
とすると、
[0020] The reticle as the optical axis of the z-axis and the object surface z o to the wafer and the image plane z i. Then, the charged particle beam trajectory is represented by w
= X + iy (x = x [z], y = y [z])
Indicated by Orbit shift dw caused by astigmatism corrector
[z] is the axis of the astigmatism on the axis (per unit voltage) for the electromagnetic astigmatism corrector (per unit current) in the case of the electromagnetic astigmatism corrector. The value divided by the square root of the upper potential (in proportion to r 2 · cos 2θ in cylindrical coordinates) is f [z]
Then

【0021】[0021]

【数16】 で表わされる。ここでwa[z]は、wa[zo]=0、wa'
[zo]=1、wa[zi]=0となる、複素座標で表示した
荷電粒子のレンズによる軌道であり、wb[z]は、w
b[zo]=1となる、複素座標で表示した荷電粒子のレ
ンズによる軌道である。また、wc[z]、wac[z]、
bc[z]はそれぞれw[z]、wa[z]、wb[z]の複素
共役軌道を示す。
(Equation 16) Is represented by Here w a [z] is, w a [z o] = 0, w a '
[z o ] = 1, w a [z i ] = 0, the trajectory of the charged particle represented by complex coordinates by the lens, and w b [z] is w
b is the trajectory of the charged particle represented by complex coordinates, represented by complex coordinates, where [z o ] = 1. W c [z], w ac [z],
w bc [z] is w [z], respectively, w a [z], it denotes the complex conjugate orbit w b [z].

【0022】w[z]は任意の軌道でレチクル上での軌道
の開き角をαo、物面を出る位置をwboとしたとき、 w[z]=αo・wa[z]+wbo・wb[z] …(17) と表される。先の(6)式は、
[0022] w [z] is when any of the orbit of the opening angle of the trajectory of the on the reticle α in o, a position leaving the object plane and w bo, w [z] = α o · w a [z] + w bo · w b [z] (17) Equation (6) above is

【0023】[0023]

【数17】 [Equation 17]

【0024】[0024]

【数18】 となり、これらの微分は、(Equation 18) And these derivatives are

【0025】[0025]

【数19】 [Equation 19]

【0026】[0026]

【数20】 となる。(Equation 20) Becomes

【0027】これらの像点での値は、The values at these image points are:

【0028】[0028]

【数21】 (Equation 21)

【0029】[0029]

【数22】 (Equation 22)

【0030】[0030]

【数23】 (Equation 23)

【0031】[0031]

【数24】 となる。(12)式は像面での非点収差ボケ、(13)式は
像面での非点収差歪、(14)式、(15)式はそれぞれの
場合の像面での入射角の変化を表わしている。(12)〜
(15)式が全て0、すなわち
(Equation 24) Becomes Equation (12) is the astigmatism blur on the image plane, Equation (13) is the astigmatism distortion on the image plane, and Equations (14) and (15) are the changes in the incident angle on the image plane in each case. Is represented. (12) ~
Equation (15) is all 0, that is,

【0032】[0032]

【数25】 (Equation 25)

【0033】[0033]

【数26】 (Equation 26)

【0034】[0034]

【数27】 になれば、非点収差補正器による像面での軌道は変化し
ないことになる。
[Equation 27] Then, the trajectory on the image plane by the astigmatism corrector does not change.

【0035】ただし、荷電粒子露光装置の条件によって
は、入射角の変化が問題とならないことがある。その場
合には、前記(3)式は無視してよく、(1)式と
(2)式が成立するように、非点収差補正器を制御して
やれば、非点収差補正器によって荷電粒子線のクロスオ
ーバ点近傍で非点収差を発生させても、像面での非点収
差ボケ、及び像面での非点収差歪を0にすることができ
る。本手段においては、このような条件が満たされるよ
うに非点収差補正器を制御している。
However, depending on the conditions of the charged particle exposure apparatus, the change in the incident angle may not be a problem. In this case, the expression (3) can be ignored, and if the astigmatism corrector is controlled so that the expressions (1) and (2) are satisfied, the charged particle beam is controlled by the astigmatism corrector. Even if astigmatism is generated in the vicinity of the crossover point, the astigmatism blur on the image plane and the astigmatism distortion on the image plane can be reduced to zero. In this means, the astigmatism corrector is controlled so that such a condition is satisfied.

【0036】前記課題を解決するための第3の手段は、
前記第1の手段または第2の手段であって、2段以上の
非点収差補正器と同等の性能を持つ1段の非点収差補正
器を有することを特徴とするもの(請求項3)である。
A third means for solving the above-mentioned problem is:
The first means or the second means, comprising a one-stage astigmatism corrector having performance equivalent to that of two or more astigmatism correctors (Claim 3) It is.

【0037】クロスオーバ点近傍で非点収差を発生させ
ながら、像面での非点収差ボケと像面での非点収差歪を
0にするには、通常2段以上の非点収差補正器が必要で
ある。しかし、非点収差補正器の形状やコイルの巻き方
を工夫して、2段以上の非点収差補正器の機能を1つの
非点収差補正器に持たせることができる。本手段はこの
ようなものであり、非点収差補正器が1個でよいという
特長を有する。
In order to reduce astigmatism blur on the image plane and astigmatism distortion on the image plane to zero while generating astigmatism near the crossover point, usually, an astigmatism corrector having two or more stages is used. is necessary. However, by devising the shape of the astigmatism corrector and the winding method of the coil, the function of the astigmatism corrector having two or more stages can be provided to one astigmatism corrector. This means has such a feature, and has the feature that only one astigmatism corrector is required.

【0038】前記課題を解決するための第4の手段は、
前記第1の手段であって、荷電粒子線露光装置の光軸を
z軸とし、これを1軸とする直交座標系でのx−y平面
の座標をw=x+iyとする複素座標で表し、物面をz
o、像面をzi、wa[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=
1、wa[zi]=0となる、複素座標で表示した荷電粒子
のレンズによる軌道、wb[z]を、wb[zo]=1とな
る、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌道、
これらの複素共役軌道をwac[z]、wbc[z]とし、電
磁非点収差補正器の場合は軸上の電磁非点場、静電非点
収差補正器の場合は軸上の静電非点場を軸上電位の平方
根で割ったものをf[z]としたとき、
A fourth means for solving the above problem is as follows.
The first means, wherein the optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the z-axis as one axis are represented by complex coordinates where w = x + iy, Z
o , the image plane z i , w a [z], w a [z o ] = 0, w a '[z o ] =
1. The trajectory of the charged particle represented by complex coordinates, where w a [z i ] = 0, expressed by the lens, w b [z], and the charged particle represented by complex coordinates, where w b [z o ] = 1 Orbit by the lens of
Let these complex conjugate orbits be w ac [z] and w bc [z], and the electromagnetic astigmatism field on the axis in the case of the electromagnetic astigmatism corrector and the static electromagnetic field on the axis in the case of the electrostatic astigmatism corrector. When f [z] is obtained by dividing the electric non-point field by the square root of the on-axis potential,

【0039】[0039]

【数28】 [Equation 28]

【0040】[0040]

【数29】 (Equation 29)

【0041】[0041]

【数30】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
するもの(請求項4)である。
[Equation 30] (Claim 4).

【0042】前記第2の手段の説明で述べたように、非
点収差補正器によって荷電粒子線のクロスオーバ点近傍
で非点収差を発生させ、かつ、像面での非点収差ボケ、
像面での非点収差歪、及び像面での入射角の変化を0に
するには、(1)、(2)、(3)式を満足するように
非点収差補正器を制御することが必要である。本手段は
このような作用を持つものであり、前記第2の手段に加
えて、像面での入射角の変化が0になるという特長を有
する。
As described in the description of the second means, astigmatism is generated near the crossover point of the charged particle beam by the astigmatism corrector, and the astigmatism blur on the image plane is reduced.
In order to make the astigmatism distortion on the image plane and the change in the incident angle on the image plane zero, the astigmatism corrector is controlled so as to satisfy the expressions (1), (2) and (3). It is necessary. This means has such an effect, and has a feature that, in addition to the second means, the change in the incident angle on the image plane becomes zero.

【0043】前記課題を解決するための第5の手段は、
前記第1の手段であって、荷電粒子線露光装置の光軸を
z軸とし、これを1軸とする直交座標系でのx−y平面
の座標をw=x+iyとする複素座標で表し、物面をz
o、像面をzi、wa[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=
1、wa[zi]=0となる、複素座標で表示した荷電粒子
のレンズによる軌道、wb[z]を、wb[zo]=1とな
る、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌道、
m[z] を複素座標で表示した偏向器による軌道とし、
これらの複素共役軌道をwac[z]、wbc[z]、w
mc[z]とし、電磁非点収差補正器の場合は軸上の電磁非
点場、静電非点収差補正器の場合は軸上の静電非点場を
軸上電位の平方根で割ったものをf[z]とした時
A fifth means for solving the above problem is as follows.
The first means, wherein the optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the z-axis as one axis are represented by complex coordinates where w = x + iy, Z
o , the image plane z i , w a [z], w a [z o ] = 0, w a '[z o ] =
1. The trajectory of the charged particle represented by complex coordinates, where w a [z i ] = 0, expressed by the lens, w b [z], and the charged particle represented by complex coordinates, where w b [z o ] = 1 Orbit by the lens of
Let w m [z] be the trajectory of the deflector expressed in complex coordinates,
These complex conjugate orbitals are expressed as w ac [z], w bc [z], w
mc [z], the electromagnetic astigmatism on the axis for the electromagnetic astigmatism corrector and the electrostatic astigmatism on the axis for the electrostatic astigmatism corrector were divided by the square root of the on-axis potential When the thing is f [z]

【0044】[0044]

【数31】 (Equation 31)

【0045】[0045]

【数32】 (Equation 32)

【0046】[0046]

【数33】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
するもの(請求項5)である。
[Equation 33] (Claim 5).

【0047】今までの説明では荷電粒子線の軌道をレン
ズによって決まるwa[z]、wb[z]だけで考えたが、
本手段は、それを偏向器を含む場合に拡張したものであ
る。すなわち、前記(7)式の代わりに、 w[z]=αo・wa[z]+wbo・wb[z]+d・wm[z] …(16) と変更して(6)式に代入してやればよい。ここで、w
m[z]は単位電流または電圧当たりの偏向軌道、dは偏
向器に与える電流または電圧になる。先と同様の計算を
行なって(12)〜(15)式に対応するのは、
In the description so far, the orbit of the charged particle beam is considered only by w a [z] and w b [z] determined by the lens.
The present means is extended to include a deflector. That is, instead of the equation (7), w [z] = α o · w a [z] + w bo · w b [z] + d · w m [z] ... Change (16) (6) What is necessary is just to substitute in an expression. Where w
m [z] is the deflection trajectory per unit current or voltage, and d is the current or voltage applied to the deflector. Performing the same calculation as above and corresponding to equations (12) to (15)

【0048】[0048]

【数34】 (Equation 34)

【0049】[0049]

【数35】 であり、これらが0となる条件は、(Equation 35) And the condition that these become 0 is

【0050】[0050]

【数36】 [Equation 36]

【0051】[0051]

【数37】 である。このうち、(4)式は像面におけるボケ、歪に
対応し、(5)式は、像面における入射角の変化に対応す
る。
(37) It is. Of these, equation (4) corresponds to blur and distortion on the image plane, and equation (5) corresponds to a change in the incident angle on the image plane.

【0052】本手段は、このうち入射角が変化しても差
し支えない場合に採用されるものであり、前記第2の手
段と同様のものである。よって、前記第2の手段におけ
る(1)、(2)式と(4)式を組合せたものが、本手
段における非点収差補正器と偏向器を組合せた制御条件
であり、このようにすることにより、偏向器を使用した
場合においても、非点収差補正器によって荷電粒子線の
クロスオーバ点近傍で非点収差を発生させても、像面で
の非点収差ボケ、及び像面での非点収差歪を0にするこ
とができる。
This means is employed when the incident angle can be changed, and is the same as the second means. Therefore, a combination of the expressions (1), (2) and (4) in the second means is a control condition in which the astigmatism corrector and the deflector in the present means are combined. Thus, even when a deflector is used, even when astigmatism is generated near the crossover point of the charged particle beam by the astigmatism corrector, astigmatism blur on the image plane and Astigmatism distortion can be reduced to zero.

【0053】前記課題を解決するための第6の手段は、
前記第4の手段または第5の手段であって、3段以上の
非点収差補正器と同等の性能を持つ1段または2段の非
点収差補正器を有することを特徴とするもの(請求項
6)である。
A sixth means for solving the above-mentioned problem is:
The fourth means or the fifth means, comprising a one-stage or two-stage astigmatism corrector having a performance equivalent to that of three or more stages of astigmatism corrector (claim) Item 6).

【0054】前記第4の手段または第5の手段において
は、方程式が3つあるので、通常3段以上の非点収差補
正器を必要とするが、非点収差補正器の形状やコイルの
巻き方を工夫して、2段以上の非点収差補正器の機能を
1つの非点収差補正器に持たせることができる。本手段
はこのようなものであり、非点収差補正器が少なくて済
むという特長を有する。
In the fourth means or the fifth means, since there are three equations, usually three or more stages of astigmatism correctors are required. By devising one method, the function of two or more astigmatism correctors can be provided to one astigmatism corrector. This means has such a feature, and has an advantage that the number of astigmatism correctors is small.

【0055】前記課題を解決するための第7の手段は、
前記第1の手段であって、荷電粒子線露光装置の光軸を
z軸とし、これを1軸とする直交座標系でのx−y平面
の座標をw=x+iyとする複素座標で表し、物面をz
o、像面をzi、wa[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=
1、wa[zi]=0となる、複素座標で表示した荷電粒子
のレンズによる軌道、wb[z]を、wb[zo]=1とな
る、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌道、
m[z] を複素座標で表示した偏向器による軌道とし、
これらの複素共役軌道をwac[z]、wbc[z]、w
mc[z]とし、電磁非点収差補正器の場合は軸上の電磁非
点場、静電非点収差補正器の場合は軸上の静電非点場を
軸上電位の平方根で割ったものをf[z]とした時
A seventh means for solving the above problem is as follows.
The first means, wherein the optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the z-axis as one axis are represented by complex coordinates where w = x + iy, Z
o , the image plane z i , w a [z], w a [z o ] = 0, w a '[z o ] =
1. The trajectory of the charged particle represented by complex coordinates, where w a [z i ] = 0, expressed by the lens, w b [z], and the charged particle represented by complex coordinates, where w b [z o ] = 1 Orbit by the lens of
Let w m [z] be the trajectory of the deflector expressed in complex coordinates,
These complex conjugate orbitals are expressed as w ac [z], w bc [z], w
mc [z], the electromagnetic astigmatism on the axis for the electromagnetic astigmatism corrector and the electrostatic astigmatism on the axis for the electrostatic astigmatism corrector were divided by the square root of the on-axis potential When the thing is f [z]

【0056】[0056]

【数38】 (38)

【0057】[0057]

【数39】 [Equation 39]

【0058】[0058]

【数40】 (Equation 40)

【0059】[0059]

【数41】 [Equation 41]

【0060】[0060]

【数42】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
するもの(請求項7)である。
(Equation 42) (Claim 7).

【0061】前記第5の手段の説明において述べたよう
に、偏向器を使用したときに、像面におけるボケ、歪、
入射角の変化を0にするためには、新たに(4)式、
(5)式の関係を満たすことが必要となってくる。本手
段においては、前記第3の手段の(1)〜(3)式に、
(4)式、(5)式を追加したもので、これらの関係を
満たすことにより、本手段においては、偏向器を使用し
た場合においても、非点収差補正器によって荷電粒子線
のクロスオーバ点近傍で非点収差を発生させても、像面
での非点収差ボケ、像面での非点収差歪、像面での入射
角の変化をを0にすることができる。
As described in the description of the fifth means, when the deflector is used, blurring, distortion,
In order to reduce the change in the incident angle to 0, a new equation (4) is used.
It is necessary to satisfy the relationship of equation (5). In this means, in the formulas (1) to (3) of the third means,
Equations (4) and (5) are added. By satisfying these relations, in this means, even when a deflector is used, the crossover point of the charged particle beam can be controlled by the astigmatism corrector. Even if astigmatism is generated in the vicinity, astigmatism blur on the image plane, astigmatism distortion on the image plane, and change in the incident angle on the image plane can be reduced to zero.

【0062】前記課題を解決するための第8の手段は、
前記第7の手段であって、5段以上の非点収差補正器と
同等の性能を持つ、1段ないし4段の非点収差補正器を
有することを特徴とするもの(請求項8)である。
Eighth means for solving the above-mentioned problem is:
The seventh means, further comprising a one-stage to four-stage astigmatism corrector having a performance equivalent to that of five or more stages of astigmatism corrector (Claim 8). is there.

【0063】前記第7の手段においては、方程式が5つ
あるので、5段以上の非点収差補正器を必要とするが、
非点収差補正器の形状やコイルの巻き方を工夫して、こ
のうち2つ以上の非点収差補正器の機能を1個の非点収
差補正器で代用させるようにすることができる。本手段
はこのようなものであり、非点収差補正器が少なくて済
むという特長を有する。
In the seventh means, since there are five equations, five or more stages of astigmatism correctors are required.
By devising the shape of the astigmatism corrector and the winding method of the coil, the function of two or more astigmatism correctors can be substituted by one astigmatism corrector. This means has such a feature, and has an advantage that the number of astigmatism correctors is small.

【0064】前記課題を解決するための第9の手段は、
前記第1の手段から第8の手段のいずれかであって、非
点収差補正器が、荷電粒子線の電流量に応じて強度を変
更するものであることを特徴とするもの(請求項9)で
ある。
A ninth means for solving the above-mentioned problem is:
In any one of the first to eighth means, the astigmatism corrector changes the intensity according to the amount of current of the charged particle beam (Claim 9). ).

【0065】クーロン効果は、荷電粒子線の電流量が大
きいと大きくなる。一方、非点収差補正器の強度(電
流、電圧)を大きくすると、これによる収差が発生す
る。よって、これらの兼ね合いで、荷電粒子線の電流量
に応じて、最適な、非点収差補正器の強度が定まる。本
手段においては、非点収差補正器の強度を荷電粒子線の
電流に応じた最適な値に保つことにより、像全体として
の、ぼけ、歪、収差を最小にすることができる。
The Coulomb effect increases as the amount of current of the charged particle beam increases. On the other hand, when the intensity (current, voltage) of the astigmatism corrector is increased, aberration occurs due to this. Therefore, the optimal intensity of the astigmatism corrector is determined according to the current amount of the charged particle beam in consideration of these factors. In this means, blur, distortion, and aberration of the entire image can be minimized by keeping the intensity of the astigmatism corrector at an optimum value corresponding to the current of the charged particle beam.

【0066】前記課題を解決するための第10の手段
は、前記第1の手段から第8の手段のいずれかであっ
て、非点収差補正器が、荷電粒子線の電流量、及び偏向
器の電流または電圧に応じて強度を変更するものである
ことを特徴とするもの(請求項10)である。
A tenth means for solving the above-mentioned problem is any one of the first to eighth means, wherein the astigmatism corrector comprises: a current amount of a charged particle beam; Wherein the intensity is changed in accordance with the current or voltage of the power supply (claim 10).

【0067】像の収差は、偏向量によっても変化するの
で、像全体のボケ、歪、収差を最小にするためには、非
点収差補正器の強度の決定に当たって、荷電粒子線の電
流量と共に、偏向器の電流または電圧を考慮する必要が
ある。本手段においては、これらの両方の値に応じて非
点収差補正器の強度を決定しているので、像全体として
の、ぼけ、歪、収差を最小にすることができる。
Since the aberration of the image also changes depending on the amount of deflection, in order to minimize the blur, distortion, and aberration of the entire image, the intensity of the astigmatism corrector is determined together with the amount of current of the charged particle beam. , It is necessary to consider the current or voltage of the deflector. In this means, the intensity of the astigmatism corrector is determined according to both of these values, so that blur, distortion, and aberration of the entire image can be minimized.

【0068】[0068]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。図1はの本発明の実施の形態の1例で
ある転写型電子線露光装置を示す概略図である。図1に
おいて、1は電子源、2は電子線、31は第1照射レン
ズ、32は第2照射レンズ、33は第3照射レンズ、4
は成形開口、5はレチクル、61は第1投影レンズ、6
2は第2投影レンズ、7は散乱電子吸収開口、8はウェ
ハ、91は第1非点収差補正器、92は第2非点収差補
正器、93は第3非点収差補正器、94は第4非点収差
補正器を示す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing a transfer type electron beam exposure apparatus which is an example of an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an electron source, 2 is an electron beam, 31 is a first irradiation lens, 32 is a second irradiation lens, 33 is a third irradiation lens,
Is a molding aperture, 5 is a reticle, 61 is a first projection lens, 6
2 is a second projection lens, 7 is a scattered electron absorption aperture, 8 is a wafer, 91 is a first astigmatism corrector, 92 is a second astigmatism corrector, 93 is a third astigmatism corrector, 94 is 4 shows a fourth astigmatism corrector.

【0069】電子源1を出た電子線2は、第1照射レン
ズ31によって成形開口4を照明する。成形開口4を出
た電子線2は第2照射レンズ32、第3照射レンズ33
によってレチクル5上に成形開口像を結像する。レチク
ル5を出た電子線2は第1投影レンズ61を通過した
後、非点収差補正器61、62、63、64によって軌
道を曲げられ、第2投影レンズ62によってウェハ7上
にレチクル像を結像する。散乱電子吸収開口7は、電子
線の開口角を制限するものである。
The electron beam 2 emitted from the electron source 1 illuminates the shaping aperture 4 by the first irradiation lens 31. The electron beam 2 that has exited the forming aperture 4 is supplied to the second irradiation lens 32 and the third irradiation lens 33.
Forms a shaped aperture image on the reticle 5. After passing through the first projection lens 61, the trajectory of the electron beam 2 exiting the reticle 5 is bent by the astigmatism correctors 61, 62, 63, 64, and the reticle image is formed on the wafer 7 by the second projection lens 62. Form an image. The scattered electron absorption aperture 7 limits the aperture angle of the electron beam.

【0070】非点収差補正器は、通常、4個の電極また
はコイルを1組として、これら2組で構成されている。
各組は光軸に対して反対側が同じ電位または光軸に対し
て同じ磁場方向になり、直角方向は反対の電位は又は光
軸に対して反対の磁場の方向になっており、各組は光軸
に対し互いに45度回転して設置される。
The astigmatism corrector is usually composed of two sets of four electrodes or coils.
Each set has the same electric potential on the opposite side to the optical axis or the same magnetic field direction with respect to the optical axis, and the orthogonal direction has the opposite electric potential or the direction of the opposite magnetic field with respect to the optical axis. They are installed rotated 45 degrees from each other with respect to the optical axis.

【0071】非点収差補正器は普通は非点収差を補正す
るためのものである。非点収差は荷電粒子線の焦点が方
向によって変わってしまう収差で、荷電粒子光学系の構
成物の機械的な公差、電気的な精度、帯電などで生じ
る。非点収差補正器は荷電粒子線の軌道を方向によって
変え、焦点位置に方向性を持たせることができる。この
作用により装置のもつ非点収差を補正する。
The astigmatism corrector is usually for correcting astigmatism. Astigmatism is an aberration in which the focal point of a charged particle beam changes depending on the direction. The astigmatism is caused by mechanical tolerance, electrical precision, charging, and the like of components of the charged particle optical system. The astigmatism corrector changes the trajectory of the charged particle beam depending on the direction, and can give directionality to the focal position. This action corrects the astigmatism of the device.

【0072】本発明においては、この非点収差補正器を
使用して、積極的に非点収差を作り出すことにより、ク
ーロン効果を低減させるものである。すなわち、レチク
ル5を透過した電子線の電流が多い時には非点収差補正
器に電流を流すか、電圧を与えて、非点収差を生じさせ
クロスオーバ点近傍で非点収差が発生するようにする。
In the present invention, the astigmatism corrector is used to positively generate astigmatism, thereby reducing the Coulomb effect. That is, when the current of the electron beam transmitted through the reticle 5 is large, a current is supplied to the astigmatism corrector or a voltage is applied to generate astigmatism so that astigmatism occurs near the crossover point. .

【0073】このようにして設定した非点収差補正器を
有する電子線光学系における軌道の例を図2に示す。
(X)において、破線は非点収差補正器に電流または電
圧を与えていない状態での、実線は非点収差補正器に電
流または電圧を与えた状態での、物面のx軸上から出た
電子線の回転を除いた軌道を示す。また、(Y)におい
て、破線は非点収差補正器に電流または電圧を与えてい
ない状態での、実線は非点収差補正器に電流または電圧
を与えた時の物面のy軸上から出た電子線の回転を除い
た軌道を示す。
FIG. 2 shows an example of a trajectory in the electron beam optical system having the astigmatism corrector set as described above.
In (X), the dashed line indicates the state where no current or voltage is applied to the astigmatism corrector, and the solid line indicates the state where the current or voltage is applied to the astigmatism corrector from the x-axis of the object plane. The orbit excluding the rotation of the electron beam is shown. Further, in (Y), the broken line indicates the state where no current or voltage is applied to the astigmatism corrector, and the solid line indicates the state when the current or voltage is applied to the astigmatism corrector from the y-axis of the object plane. The orbit excluding the rotation of the electron beam is shown.

【0074】非点収差補正器を動作させた軌道は物面、
像面付近でどちらも非点収差補正器を動作させていない
軌道と同じになっているが、途中では異なった軌道にな
っている。それぞれで破線の丸で囲んだ点100はクロ
スオーバ点、実線の丸で囲んだ点101及び102はそ
れぞれの方向でビーム径が最小になる点を表している。
点101はクロスオーバ点100に比べて像点ziの方
に、点102はクロスオーバ点100に比べて物点zo
の方にずれている。
The trajectory on which the astigmatism corrector is operated is the object surface,
Both trajectories near the image plane have the same trajectory in which the astigmatism corrector is not operated, but are different trajectories in the middle. A point 100 surrounded by a broken-line circle represents a crossover point, and points 101 and 102 surrounded by a solid-line circle represent points where the beam diameter becomes minimum in each direction.
Point 101 is closer to the image point z i than the crossover point 100, and point 102 is the object point z o compared to the crossover point 100.
It is shifted toward.

【0075】クロスオーバ点での各方向のビーム径はと
もにクロスオーバ像よりも大きく、ほぼ円形になってい
る。従って、この点でのクーロン効果の影響は、非点収
差補正器を働かさせていないときに比較して小さくなっ
ている。さらに、点101ではx方向のビーム径は小さ
いがy方向のビーム径は大きく、楕円形のビーム形状に
なっている。この場合も非点収差補正器を働かせていな
いときに比べて電子間の距離が大きくなり、クーロン効
果の影響は小さくなっている。点102についても同様
なことがいえる。
The beam diameter in each direction at the crossover point is larger than the crossover image, and is substantially circular. Therefore, the influence of the Coulomb effect at this point is smaller than when the astigmatism corrector is not operated. Further, at the point 101, the beam diameter in the x direction is small but the beam diameter in the y direction is large, and the beam has an elliptical beam shape. Also in this case, the distance between the electrons is larger than when the astigmatism corrector is not operated, and the influence of the Coulomb effect is smaller. The same can be said for point 102.

【0076】以上説明したように、非点収差補正器を働
かせて意識的にクロスオーバ点近傍で非点収差を作り出
すことにより、非点収差補正器を働かさなかったときよ
り荷電粒子ビームの最小面積を大きくすることができ、
クーロン効果を低減することができる。
As described above, by intentionally producing astigmatism near the crossover point by operating the astigmatism corrector, the minimum area of the charged particle beam can be reduced as compared with the case where the astigmatism corrector is not operated. Can be increased,
Coulomb effect can be reduced.

【0077】しかしながら、非点収差補正器を作動させ
ることにより、像面でのボケ、歪、入射角度変化が大き
くなってしまうとこれらにより転写精度が悪化するとい
う別の問題が生じる。本発明においては、これら像面で
の性能を変化させずに、クロスオーバ点近傍で非点収差
を作り出しているので、このような問題は発生しない。
具体的には、請求項2、請求項4、請求項5、請求項7
に示したような方程式が満足されるような条件の下で非
点収差補正器を作動させ、クロスオーバ点近傍で非点収
差を作り出している。
However, by operating the astigmatism corrector, if the blur, distortion, and change in the incident angle on the image plane increase, another problem arises that the transfer accuracy deteriorates. In the present invention, such a problem does not occur because astigmatism is created near the crossover point without changing the performance on these image planes.
Specifically, claim 2, claim 4, claim 5, and claim 7
The astigmatism corrector is operated under conditions such that the equation shown in (1) is satisfied, and astigmatism is generated near the crossover point.

【0078】以下、具体的な非点収差補正器の制御方
法、すなわち、これらに与える電流または電圧の決定方
法の例を示す。まず、請求項4に対応する実施の形態の
例を示す。この場合には、満足すべき方程式が(1)、
(2)、(3)の3個なので、3つの非点収差補正器を
用いるものとする。
Hereinafter, an example of a specific control method of the astigmatism corrector, that is, a method of determining a current or a voltage applied thereto will be described. First, an example of an embodiment corresponding to claim 4 will be described. In this case, a satisfactory equation is (1),
Since there are three (2) and (3), three astigmatism correctors are used.

【0079】条件式が3個なので3個の非点収差補正器
を設け、それぞれにおける単位電流または電圧による非
点場をf1[z]、f2[z]、f3[z]、それぞれに与え
る電流または電圧をw1、w2、w3とし、
Since there are three conditional expressions, three astigmatism correctors are provided, and the astigmatism field due to the unit current or voltage in each of them is represented by f 1 [z], f 2 [z], f 3 [z], respectively. a current or voltage applied to the w 1, w 2, w 3 ,

【0080】[0080]

【数43】 [Equation 43]

【0081】[0081]

【数44】 [Equation 44]

【0082】[0082]

【数45】 (i=1〜3)とすると、(1)、(2)、(3)式
は、行列式で、
[Equation 45] If (i = 1 to 3), the expressions (1), (2) and (3) are determinants, and

【0083】[0083]

【数46】 のように表わされる。この条件を満足するようにw1
2、w3を制御すれば、像面で非点収差ボケ、歪み、入
射角変化無しに電子線軌道を変形させ、クロスオーバを
結像させず、微少なスポットにならない事からクーロン
効果によるボケ、歪みを軽減できる。
[Equation 46] It is represented as W 1 ,
If w 2 and w 3 are controlled, the electron beam trajectory is deformed without astigmatism blur, distortion, and change in the incident angle on the image plane, and no crossover is formed. Blur and distortion can be reduced.

【0084】また、(22)は左辺の行列の行列式が0
のときだけ、w1、w2、w3は0でない解を持つ。非点
収差補正器3段でこの条件を満足しようとすれば、非点
収差補正器の位置、形状を厳密に設定しなければならな
い。このようなことを避けるため、通常は、非点収差補
正器4段構成とする。このとき、満足すべき方程式は、
(22) is that the determinant of the matrix on the left side is 0
Only when, w 1 , w 2 , and w 3 have nonzero solutions. In order to satisfy this condition with three stages of the astigmatism corrector, the position and shape of the astigmatism corrector must be strictly set. In order to avoid such a situation, usually, a four-stage astigmatism corrector is used. Then the equation to be satisfied is

【0085】[0085]

【数47】 となり、これを書き換えれば[Equation 47] And rewriting this gives

【0086】[0086]

【数48】 となって、左辺の行列式が0でない時w1、w2、w3
4をパラメータとする解を持ち、行列式が0の時はw4
=0とすれば3段の場合と同様になる。この条件を満足
するようにw1、w2、w3、w4を制御すれば像面で非点
収差ボケ、歪み、入射角変化無しに電子線軌道を変形さ
せ、クロスオーバを結像させず、微小なスポットになら
ないことからクーロン効果によるボケ、歪みを軽減でき
る。
[Equation 48] When the determinant on the left side is not 0, w 1 , w 2 , and w 3 have a solution with w 4 as a parameter, and when the determinant is 0, w 4
If = 0, it becomes the same as the case of three stages. If w 1 , w 2 , w 3 , and w 4 are controlled so as to satisfy this condition, the electron beam trajectory is deformed on the image plane without astigmatism blur, distortion, and change in the incident angle, and the crossover is imaged. In addition, since it does not become a minute spot, blur and distortion due to the Coulomb effect can be reduced.

【0087】また、任意の2段の非点収差補正器を(2
4)式の条件を満足する形で結合し、構成上3段非点収
差補正器として動作させてもよい。さらに、それ以上の
結合を行なって、構成上2段、1段にする事も可能にな
る。逆に、任意の非点収差補正器を(24)式の条件を満
足する形で、2段以上に分割することで、構成上5段以
上の非点収差補正器として動作させてもよい。
Further, an arbitrary two-stage astigmatism corrector is provided by (2
It is also possible to combine them so as to satisfy the condition of the expression 4) and operate as a three-stage astigmatism corrector due to the configuration. Furthermore, it is also possible to perform further coupling to form two stages and one stage in configuration. Conversely, by dividing an arbitrary astigmatism corrector into two or more stages so as to satisfy the condition of Expression (24), the astigmatism corrector having five or more stages may be configured.

【0088】前述のように、請求項4に係る発明は、像
面における入射角の変化を0とするという条件を満たす
ものであったが、像面において入射角が変化してもよい
場合には、(3)式を省くことができるので、請求項2
に係る発明となり、方程式の数が減ることにより非点収
差補正器の数を減らすことが可能となる。
As described above, the invention according to claim 4 satisfies the condition that the change of the incident angle on the image plane is 0. Can eliminate the expression (3),
And the number of astigmatism correctors can be reduced by reducing the number of equations.

【0089】次に、請求項7に対応する実施の形態の例
を示す。この場合は、方程式が(1)〜(5)式の5個
になるので、5個の非点収差補正器を使用することと
し、それぞれによる単位電流または電圧による非点場を
1[z]、f2[z]、f3[z]、f4[z]、f5[z]、
それぞれに与える電流または電圧をw1、w2、w3
4、w5とし(19)、(20)、(21)式と同様に、
Next, an example of an embodiment corresponding to claim 7 will be described. In this case, since the equations become five of equations (1) to (5), five astigmatism correctors are used, and the astigmatism field due to the unit current or voltage is f 1 [z ], f 2 [z], f 3 [z], f 4 [z], f 5 [z],
The current or voltage to be given to each of them is represented by w 1 , w 2 , w 3 ,
Let w 4 and w 5 be the same as in equations (19), (20) and (21),

【0090】[0090]

【数49】 [Equation 49]

【0091】[0091]

【数50】 [Equation 50]

【0092】とすると、(1)〜(5)式に対応する、
偏向器を含むときの非点収差補正器の条件は、
Then, corresponding to the equations (1) to (5),
The condition of the astigmatism corrector when including the deflector is:

【0093】[0093]

【数51】 となる。この条件を満足するようにw1からw5を制御し
てやれば、像面で非点収差ボケ、歪み、入射角変化無し
に電子線軌道を変形させ、クロスオーバを結像させず、
微小スポットにならないことからクーロン効果によるボ
ケ、歪みを軽減できる。また、(27)式においては、左
辺の行列の行列式が0の時だけ、w1からw5は0でない
解を持つ。非点収差補正器5段でこの条件を満足しよう
とすれば、非点収差補正器の位置、形状を厳密に設定し
なければならない。このようなことを避けるため、通常
は、非点収差補正器4段構成とする。このとき、満足す
べき方程式は、
(Equation 51) Becomes Do it by controlling the w 5 from w 1 so as to satisfy this condition, astigmatism blur on the image plane distortion, to deform the electron beam trajectories in the angle of incidence without changing, without imaging the crossover,
Since it does not become a minute spot, blur and distortion due to the Coulomb effect can be reduced. In the equation (27), only when the determinant of the matrix on the left is 0, with a solution from w 1 w 5 is not zero. In order to satisfy this condition with five stages of the astigmatism corrector, the position and shape of the astigmatism corrector must be strictly set. In order to avoid such a situation, usually, a four-stage astigmatism corrector is used. Then the equation to be satisfied is

【0094】[0094]

【数52】 となり、これを書き換えれば、(Equation 52) And rewriting this gives

【0095】[0095]

【数53】 となって、左辺の行列式が0でないとき、w1からw5
6をパラメータとする解を持ち、行列式が0の時はw6
=0とすれば5段の場合と同様になる。この条件を満足
するようにw1からw6を制御すれば像面で非点収差ボ
ケ、歪み、入射角変化無しに電子線軌道を変形させ、ク
ロスオーバを結像させず、微小なスポットにならないこ
とからクーロン効果によるボケ、歪みを軽減できる。
(Equation 53) When the determinant on the left side is not 0, w 1 to w 5 have a solution using w 6 as a parameter, and when the determinant is 0, w 6
If = 0, it becomes the same as the case of five stages. Astigmatism blur on the image plane by controlling the w 6 from w 1 so as to satisfy this condition, distortion, to deform the electron beam trajectories in the angle of incidence without changing, without imaging the crossover, the minute spot Since it is not, blur and distortion due to the Coulomb effect can be reduced.

【0096】また、任意の2段の非点収差補正器を(2
9)式の条件を満足する形で結合し、構成上5段非点収
差補正器として動作させてもよい。更に、それ以上の結
合を行なって、構成上4段以下にすることも可能にな
る。逆に、任意の非点収差補正器を(29)式の条件を満
足する形で、2段以上に分割することで、構成上7段以
上の非点収差補正器として動作させてもよい。
Further, an arbitrary two-stage astigmatism corrector is provided by (2
It is also possible to combine them so as to satisfy the condition of the expression 9) and operate as a five-stage astigmatism corrector due to the configuration. Further, it is possible to perform further coupling to reduce the number of stages to four or less. Conversely, by dividing an arbitrary astigmatism corrector into two or more stages so as to satisfy the condition of Expression (29), the astigmatism corrector having seven or more stages may be operated.

【0097】前述のように、請求項7に係る発明は、像
面における入射角の変化を0とするという条件を満たす
ものであったが、像面において入射角が変化してもよい
場合には、(3)、(5)式を省くことができるので、
請求項5に係る発明となり、方程式の数が減ることによ
り非点収差補正器の数を減らすことが可能となる。
As described above, the invention according to claim 7 satisfies the condition that the change of the incident angle on the image plane is 0. Can eliminate equations (3) and (5),
According to the fifth aspect of the present invention, the number of astigmatism correctors can be reduced by reducing the number of equations.

【0098】クーロン効果は、荷電粒子線の電流量が大
きいと大きくなる。一方、非点収差補正器の強度(電
流、電圧)を大きくすると、これによる収差が発生す
る。よって、これらの兼ね合いで、荷電粒子線の電流量
に応じて、最適な、非点収差補正器の強度が定まる。本
手段においては、非点収差補正器の強度を荷電粒子線の
電流に応じた最適な値に保つことにより、像全体として
の、ぼけ、歪、収差を最小にすることができる。
The Coulomb effect increases as the amount of current of the charged particle beam increases. On the other hand, when the intensity (current, voltage) of the astigmatism corrector is increased, aberration occurs due to this. Therefore, the optimal intensity of the astigmatism corrector is determined according to the current amount of the charged particle beam in consideration of these factors. In this means, blur, distortion, and aberration of the entire image can be minimized by keeping the intensity of the astigmatism corrector at an optimum value corresponding to the current of the charged particle beam.

【0099】また、像の収差は、偏向量によっても変化
するので、像全体のボケ、歪、収差を最小にするために
は、非点収差補正器の強度の決定に当たって、荷電粒子
線の電流量と共に、偏向器の電流または電圧を考慮する
必要がある。本手段においては、これらの両方の値に応
じて非点収差補正器の強度を決定しているので、像全体
としての、ぼけ、歪、収差を最小にすることができる。
Since the aberration of the image also changes depending on the amount of deflection, in order to minimize blur, distortion and aberration of the entire image, the intensity of the astigmatism corrector must be determined by determining the current of the charged particle beam. Along with the quantity, the current or voltage of the deflector must be considered. In this means, the intensity of the astigmatism corrector is determined according to both of these values, so that blur, distortion, and aberration of the entire image can be minimized.

【0100】以上の実施の形態の説明においては、電子
線露光装置を例として説明したが、これらの説明は、イ
オンビーム露光機のような荷電粒子線装置についても、
同様に当てはまる。
In the above description of the embodiment, an electron beam exposure apparatus has been described as an example. However, these descriptions also apply to a charged particle beam apparatus such as an ion beam exposure apparatus.
The same is true.

【0101】[0101]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、非点収差補正器を用いて非点収差を発生させること
で光路上にクロスオーバ像を結像させないようにしてい
るので、、荷電粒子間の距離を大きくすることができ、
これによるクーロン効果によるボケ、歪みを減少させる
ことができる。これと共に、像面では非点収差補正器に
よるボケ、歪み、入射角ずれの無い条件としているた
め、全体の荷電粒子線光学的性能を減少させること無
く、荷電粒子線の電流を増加させる事が出来、荷電粒子
線装置の処理能力を向上させることができる。
As described above, in the present invention, astigmatism is generated by using an astigmatism corrector so that a crossover image is not formed on the optical path. The distance between the particles can be increased,
This can reduce blur and distortion due to the Coulomb effect. At the same time, on the image plane, there is no blur, distortion, and deviation of the incident angle due to the astigmatism corrector, so the current of the charged particle beam can be increased without reducing the overall optical performance of the charged particle beam. As a result, the processing capability of the charged particle beam device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の1例である転写型電子線
露光装置を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing a transfer type electron beam exposure apparatus which is an example of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態の電子線光学系における軌
道の例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a trajectory in the electron beam optical system according to the embodiment of the present invention.

【図3】従来の電子線露光装置の概要を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an outline of a conventional electron beam exposure apparatus.

【図4】FIG. 4

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電子源、2…電子線、31…第1照射レンズ、32
…第2照射レンズ、33…第3照射レンズ、4…成形開
口、5…レチクル、61…第1投影レンズ、62…第2
投影レンズ、7…散乱電子吸収開口、8…ウェハ、91
…第1非点収差補正器、92…第2非点収差補正器、9
3…第3非点収差補正器、94…第4非点収差補正器、
100…クロスオーバ像点、101…X方向の最小ビー
ム径の点、102…Y方向の最小ビーム径の点
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron source, 2 ... Electron beam, 31 ... First irradiation lens, 32
... second irradiation lens, 33 ... third irradiation lens, 4 ... molding aperture, 5 ... reticle, 61 ... first projection lens, 62 ... second
Projection lens, 7: scattered electron absorption aperture, 8: wafer, 91
... First astigmatism corrector, 92 ... Second astigmatism corrector, 9
3: a third astigmatism corrector, 94: a fourth astigmatism corrector,
100: crossover image point, 101: point of minimum beam diameter in X direction, 102: point of minimum beam diameter in Y direction

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被転写物体上に形成されたパターンを荷
電粒子線で照射し、当該パターンの像を転写物体上に露
光転写する荷電粒子露光装置であって、像面での非点収
差ボケ、歪、入射角変化、偏向位置ずれ、偏向入射角変
化の少なくともひとつを劣化させずに、荷電粒子線のク
ロスオーバ点近傍で非点収差を発生させる非点収差補正
器を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
1. A charged particle exposure apparatus for irradiating a pattern formed on an object to be transferred with a charged particle beam, and exposing and transferring an image of the pattern onto a transferred object, comprising: Having at least one astigmatism corrector that generates astigmatism near the crossover point of the charged particle beam without deteriorating at least one of distortion, incident angle change, deflection position shift, and deflection incident angle change. Charged particle beam exposure equipment.
【請求項2】 請求項1に記載の荷電粒子線露光装置で
あって、荷電粒子線露光装置の光軸をz軸とし、これを
1軸とする直交座標系でのx−y平面の座標をw=x+
iyとする複素座標で表し、物面をzo、像面をzi、w
a[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=1、wa[zi]=0
となる、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌
道、wb[z]を、wb[zo]=1となる、複素座標で表
示した荷電粒子のレンズによる軌道、これらの複素共役
軌道をwac[z]、wbc[z]とし、電磁非点収差補正器
の場合は軸上の電磁非点場、静電非点収差補正器の場合
は軸上の静電非点場を軸上電位の平方根で割ったものを
f[z]としたとき、 【数1】 【数2】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
する荷電粒子線露光装置。ただし、'はzによる微分値
を示す。
2. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, wherein an optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the axis as one axis. To w = x +
expressed in complex coordinates as iy, the object plane is z o , the image plane is z i , w
the a [z], w a [ z o] = 0, w a '[z o] = 1, w a [z i] = 0
The trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by the lens, w b [z], and the trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by w b [z o ] = 1, and the complex conjugate trajectory thereof Let w ac [z] and w bc [z] be the electromagnetic astigmatism field on the axis in the case of the electromagnetic astigmatism corrector, and the electrostatic astigmatism field on the axis in the case of the electrostatic astigmatism corrector. When f [z] is the value obtained by dividing the square root of the on-axis potential, (Equation 2) A charged particle beam exposure apparatus comprising an astigmatism corrector that satisfies the following. Here, 'indicates a differential value by z.
【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の荷電粒子
線露光装置にであって、2段以上の非点収差補正器と同
等の性能を持つ1段の非点収差補正器を有することを特
徴とする荷電粒子線露光装置。
3. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising a one-stage astigmatism corrector having performance equivalent to that of two or more astigmatism correctors. A charged particle beam exposure apparatus characterized in that:
【請求項4】 請求項1に記載の荷電粒子線露光装置で
あって、荷電粒子線露光装置の光軸をz軸とし、これを
1軸とする直交座標系でのx−y平面の座標をw=x+
iyとする複素座標で表し、物面をzo、像面をzi、w
a[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=1、wa[zi]=0
となる、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌
道、wb[z]を、wb[zo]=1となる、複素座標で表
示した荷電粒子のレンズによる軌道、これらの複素共役
軌道をwac[z]、wbc[z]とし、電磁非点収差補正器
の場合は軸上の電磁非点場、静電非点収差補正器の場合
は軸上の静電非点場を軸上電位の平方根で割ったものを
f[z]としたとき、 【数3】 【数4】 【数5】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
する荷電粒子線露光装置。ただし、'はzによる微分値
を示す。
4. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, wherein an optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the z-axis as one axis. To w = x +
expressed in complex coordinates as iy, the object plane is z o , the image plane is z i , w
the a [z], w a [ z o] = 0, w a '[z o] = 1, w a [z i] = 0
The trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by the lens, w b [z], and the trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by w b [z o ] = 1, and the complex conjugate trajectory thereof Let w ac [z] and w bc [z] be the electromagnetic astigmatism field on the axis in the case of the electromagnetic astigmatism corrector, and the electrostatic astigmatism field on the axis in the case of the electrostatic astigmatism corrector. When f [z] is the value obtained by dividing the square root of the on-axis potential, (Equation 4) (Equation 5) A charged particle beam exposure apparatus comprising an astigmatism corrector that satisfies the following. Here, 'indicates a differential value by z.
【請求項5】 請求項1に記載の荷電粒子線露光装置で
あって、荷電粒子線露光装置の光軸をz軸とし、これを
1軸とする直交座標系でのx−y平面の座標をw=x+
iyとする複素座標で表し、物面をzo、像面をzi、w
a[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=1、wa[zi]=0
となる、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌
道、wb[z]を、wb[zo]=1となる、複素座標で表
示した荷電粒子のレンズによる軌道、wm[z]を複素座
標で表示した偏向器による軌道とし、これらの複素共役
軌道をwac[z]、wbc[z]、wmc[z]とし、電磁非点
収差補正器の場合は軸上の電磁非点場、静電非点収差補
正器の場合は軸上の静電非点場を軸上電位の平方根で割
ったものをf[z]とした時 【数6】 【数7】 【数8】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
する荷電粒子線露光装置。ただし、'はzによる微分値
を示す。
5. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, wherein an optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in an orthogonal coordinate system having the z-axis as one axis. To w = x +
expressed in complex coordinates as iy, the object plane is z o , the image plane is z i , w
the a [z], w a [ z o] = 0, w a '[z o] = 1, w a [z i] = 0
The trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by the lens, w b [z], is represented by the following formula: The trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by w b [z o ] = 1, w m [z] Are the orbits by a deflector expressed in complex coordinates, and these complex conjugate orbits are w ac [z], w bc [z], and w mc [z]. In the case of an astigmatism and electrostatic astigmatism corrector, f [z] is obtained by dividing the on-axis electrostatic astigmatism by the square root of the on-axis potential. (Equation 7) (Equation 8) A charged particle beam exposure apparatus comprising an astigmatism corrector that satisfies the following. Here, 'indicates a differential value by z.
【請求項6】 請求項4又は請求項5に記載の荷電粒子
線露光装置であって、3段以上の非点収差補正器と同等
の性能を持つ1段または2段の非点収差補正器を有する
ことを特徴とする荷電粒子線装置
6. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 4, wherein the one-stage or two-stage astigmatism corrector has performance equivalent to that of three or more stages of astigmatism corrector. Charged particle beam device characterized by having
【請求項7】 請求項1に記載の荷電粒子線露光装置で
あって、荷電粒子線露光装置の光軸をz軸とし、これを
1軸とする直交座標系でのx−y平面の座標をw=x+
iyとする複素座標で表し、物面をzo、像面をzi、w
a[z]を、wa[zo]=0、wa'[zo]=1、wa[zi]=0
となる、複素座標で表示した荷電粒子のレンズによる軌
道、wb[z]を、wb[zo]=1となる、複素座標で表
示した荷電粒子のレンズによる軌道、wm[z] を複素座
標で表示した偏向器による軌道とし、これらの複素共役
軌道をwac[z]、wbc[z]、wmc[z]とし、電磁非点
収差補正器の場合は軸上の電磁非点場、静電非点収差補
正器の場合は軸上の静電非点場を軸上電位の平方根で割
ったものをf[z]とした時 【数9】 【数10】 【数11】 【数12】 【数13】 を満足するような非点収差補正器を有することを特徴と
する荷電粒子線露光装置。ただし、'はzによる微分値
を示す。
7. A charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, wherein an optical axis of the charged particle beam exposure apparatus is a z-axis, and coordinates on an xy plane in a rectangular coordinate system having the axis as one axis. To w = x +
expressed in complex coordinates as iy, the object plane is z o , the image plane is z i , w
the a [z], w a [ z o] = 0, w a '[z o] = 1, w a [z i] = 0
The trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by the lens, w b [z], is represented by the following formula: The trajectory of the charged particle represented by the complex coordinate represented by w b [z o ] = 1, w m [z] Are the orbits by a deflector expressed in complex coordinates, and these complex conjugate orbits are w ac [z], w bc [z], and w mc [z]. In the case of an astigmatism and electrostatic astigmatism corrector, f [z] is obtained by dividing the on-axis electrostatic astigmatism by the square root of the on-axis potential. (Equation 10) [Equation 11] (Equation 12) (Equation 13) A charged particle beam exposure apparatus comprising an astigmatism corrector that satisfies the following. Here, 'indicates a differential value by z.
【請求項8】 請求項7に記載の荷電粒子線露光装置で
あって、5段以上の非点収差補正器と同等の性能を持
つ、1段ないし4段の非点収差補正器を有することを特
徴とする荷電粒子線露光装置。
8. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 7, further comprising a one-stage to four-stage astigmatism corrector having a performance equivalent to that of a five-stage or more astigmatism corrector. A charged particle beam exposure apparatus.
【請求項9】 請求項1から請求項8のうちいずれか1
項に記載の荷電粒子線露光装置であって、非点収差補正
器が、荷電粒子線の電流量に応じて強度を変更するもの
であることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
9. One of claims 1 to 8
Item 3. The charged particle beam exposure apparatus according to Item 1, wherein the astigmatism corrector changes the intensity according to the amount of current of the charged particle beam.
【請求項10】 請求項1から請求項9のうちいずれか
1項に記載の荷電粒子線露光装置であって、非点収差補
正器が、荷電粒子線の電流量、及び偏向器の電流または
電圧に応じて強度を変更するものであることを特徴とす
る荷電粒子線露光装置。
10. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the astigmatism corrector includes a charged particle beam current amount and a deflector current amount. A charged particle beam exposure apparatus wherein the intensity is changed according to a voltage.
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