JP2000058623A - Treating device - Google Patents

Treating device

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JP2000058623A
JP2000058623A JP10253350A JP25335098A JP2000058623A JP 2000058623 A JP2000058623 A JP 2000058623A JP 10253350 A JP10253350 A JP 10253350A JP 25335098 A JP25335098 A JP 25335098A JP 2000058623 A JP2000058623 A JP 2000058623A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treating device which can avoid thermal adverse effects to a treating unit, etc., from an object to be treated without deteriorating the throughput. SOLUTION: In a heat-treating unit, the height of supporting pins PIN from a surface of a plate P, which is set as a datum position when the pins PIN receive a wafer W from a transfer device 22 is set at h1. In a transfer mechanism (FXT), the height of supporting pins PIN from the surface of the plate P, when the pins PIN hold the wafer W after receiving the wafer W from the device 22, is set at h2. In this case, a relation h1<h2 is established between the heights h1 and h2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハ等の被処理体にレジストの塗布現像処理を施す処理装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for applying and developing a resist on an object to be processed such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスでは、フ
ォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソ
グラフィー技術においては、半導体ウェハ(以下、単に
「ウェハ」と呼ぶ。)の表面にレジストを塗布し、この
塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像
処理する。これによりウェハ上に所定パターンのレジス
ト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理するこ
とにより所定パターンの回路が形成される。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, photolithography technology is used. In the photolithography technique, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a “wafer”), the applied resist is exposed to a predetermined pattern, and further developed. Thus, a resist film having a predetermined pattern is formed on the wafer, and a circuit having a predetermined pattern is formed by performing film formation and etching.

【0003】従来から、一連のレジストの塗布現像処理
は、レジスト液塗布ユニット、現像処理ユニット、加熱
処理ユニット、冷却処理ユニット、これらユニット間で
ウェハを受け渡しする搬送機構、受け渡しのためにウェ
ハを一旦保持する受け渡し機構等が一体化された塗布現
像処理装置を用いて行われている。
Conventionally, a series of resist coating and developing processes include a resist solution coating unit, a developing unit, a heating unit, and a cooling unit, a transport mechanism for transferring wafers between these units, and temporarily transferring wafers for transfer. This is performed using a coating and developing apparatus in which a holding transfer mechanism and the like are integrated.

【0004】上記のレジスト液塗布ユニットや現像処理
ユニットでは、カップ内に昇降可能にウェハを保持する
スピンチャックが配設され、スピンチャックが上昇して
カップ外に出た状態で搬送機構よりウェハを受け取り、
スピンチャックがカップ内に下降してウェハに対する当
該処理が行われる。同様に、加熱処理ユニットや冷却処
理ユニットでは、ユニット内にウェハに熱処理するため
のプレートが配設され、その表面より出没可能に支持ピ
ンが設けられており、この支持ピンが上昇した状態でウ
ェハを搬送機構より受け取り、支持ピンがプレートより
没した状態、即ちプレート上にウェハが載った状態で加
熱処理や冷却処理が行われる。また、受け渡し機構で
は、プレート上にウェハを保持するための支持ピンを立
設して構成される。
In the above-described resist liquid application unit and the development processing unit, a spin chuck that holds the wafer so as to be able to move up and down in the cup is provided. Acceptance,
The spin chuck descends into the cup to perform the processing on the wafer. Similarly, in the heating processing unit and the cooling processing unit, a plate for heat-treating the wafer is provided in the unit, and support pins are provided so as to be able to protrude and retract from the surface thereof. Is received from the transport mechanism, and the heating process and the cooling process are performed in a state where the support pins are submerged from the plate, that is, in a state where the wafer is placed on the plate. Further, the transfer mechanism is configured by erecting support pins for holding a wafer on a plate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、搬送機構よ
りユニット内に受け渡されたウェハは、カップ内の温度
やプレートの温度と相違する場合がある。このような場
合、ウェハはカップ内の温度やプレートの温度を乱し、
当該処理に悪影響を与えることになる。従って、かかる
熱的な悪影響を考慮すると、ユニット内で搬送機構より
ウェハを受け取る位置と処理等を行う位置とを可能限り
離間することが望ましい。しかしながら、このように離
間すると、スループットが低下するという問題を生じ
る。
Incidentally, the temperature of the wafer transferred from the transfer mechanism into the unit may be different from the temperature of the cup or the temperature of the plate. In such a case, the wafer disturbs the temperature in the cup and the plate,
This will adversely affect the processing. Therefore, in consideration of such adverse thermal effects, it is desirable that the position where the wafer is received from the transfer mechanism and the position where processing and the like are performed in the unit are separated as much as possible. However, such separation causes a problem that the throughput is reduced.

【0006】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、スループットの低下を抑えつつ、処
理ユニット等に対する被処理体の熱的な悪影響を回避す
ることができる処理装置を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a processing apparatus capable of preventing a thermal adverse effect of an object to be processed on a processing unit or the like while suppressing a decrease in throughput. It is intended to be.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載に係る本発
明の処理装置は、搬送機構を有し、この搬送機構にて複
数の処理ユニットに対して被処理体を搬入出する、及び
少なくとも1つの受け渡し機構に対して被処理体を受け
渡す処理装置であって、上記の処理ユニットにおける搬
入出の高さ位置、或いは受け渡し機構における受け渡し
の高さ位置が、処理ユニット或いは受け渡し機構の間で
少なくとも2種類あることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus having a transport mechanism, which transports an object to and from a plurality of processing units using the transport mechanism. A processing apparatus for transferring an object to and from a single transfer mechanism, wherein the loading / unloading height position in the processing unit or the transfer height position in the transfer mechanism is set between the processing unit or the transfer mechanism. It is characterized in that there are at least two types.

【0008】請求項1記載に係る本発明では、処理ユニ
ットにおける搬入出の高さ位置、或いは受け渡し機構に
おける受け渡しの高さ位置を処理ユニット或いは受け渡
し機構単位で任意のものとすることで、スループットの
低下を抑えつつ、処理ユニット等に対する被処理体の熱
的な悪影響を回避することができるようにしている。即
ち、本発明では、処理ユニット等毎に被処理体から受け
る熱的な悪影響の度合いが異なるという点に着目し、例
えば被処理体から受ける熱的な悪影響を受ける度合いの
大きな処理ユニット等については搬入出等の高さ位置を
高くして熱的な悪影響を回避し、一方被処理体から受け
る熱的な悪影響を受ける度合いの小さな処理ユニット等
については搬入出等の高さ位置を低くしてスループット
を向上させることで、処理装置全体からみてスループッ
トの低下を抑えつつ、処理ユニット等に対する被処理体
の熱的な悪影響を回避している。
According to the first aspect of the present invention, the height position of the loading / unloading in the processing unit or the height position of the delivery in the delivery mechanism is arbitrarily set for each processing unit or the delivery mechanism, thereby improving the throughput. It is possible to avoid a thermal adverse effect of the object to be processed on the processing unit and the like while suppressing the reduction. That is, in the present invention, attention is paid to the fact that the degree of the thermal adverse effect received from the object to be processed is different for each processing unit and the like. By increasing the height position for loading and unloading, thermal adverse effects are avoided, and for processing units with a small degree of adverse thermal influence from the workpiece, the height position for loading and unloading is reduced. By improving the throughput, it is possible to avoid a thermal adverse effect of the object to be processed on the processing unit and the like while suppressing a decrease in the throughput as viewed from the entire processing apparatus.

【0009】請求項2記載に係る本発明の処理装置は、
被処理体を処理する位置から第1の高さに浮かせて被処
理体を受け渡しする処理ユニットと、基台上に設けられ
た保持部材により前記第1の高さよりも高い第2の高さ
に浮かせて被処理体を保持する受け渡し機構と、少なく
とも前記処理ユニット及び前記受け渡し機構との間で被
処理体を受け渡して搬送する搬送機構とを具備する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising:
A processing unit configured to float the workpiece from a position where the workpiece is processed to a first height and deliver the workpiece, and a holding member provided on a base to a second height higher than the first height. A transfer mechanism that holds the object to be lifted and a transport mechanism that transfers and transports the object between at least the processing unit and the delivery mechanism;

【0010】受け渡し機構においては、熱的な処理を伴
わないために通常温度管理が行われない。従って、例え
ば高温の被処理体が受け渡し機構に保持されると基台が
温まり、その後冷却後の被処理体がこの受け渡し機構に
保持されたときに、被処理体が基台から加温されて熱的
な悪影響を受ける。一方、処理ユニットにおいては通常
温度管理が行われているので、上記のように被処理体が
熱的な悪影響を受ける度合いが小さい。そこで、請求項
2記載に係る本発明では、受け渡し機構における基台と
基板保持位置との距離を処理ユニットにおける被処理体
の処理位置と被処理体の受け渡し位置との距離より長く
することで、受け渡し機構における被処理体の熱的な悪
影響を回避し、処理ユニットにおけるスループットの低
下を抑えている。
[0010] In the transfer mechanism, temperature control is not normally performed because no thermal treatment is involved. Therefore, for example, when the high-temperature object is held by the transfer mechanism, the base is heated, and then, when the cooled object is held by the transfer mechanism, the object is heated from the base. Thermally affected. On the other hand, since the temperature is usually controlled in the processing unit, the degree to which the object is thermally affected is small as described above. Therefore, in the present invention according to claim 2, by making the distance between the base and the substrate holding position in the transfer mechanism longer than the distance between the processing position of the processing target in the processing unit and the transfer position of the processing target, A thermal adverse effect of the object to be processed in the transfer mechanism is avoided, and a decrease in throughput in the processing unit is suppressed.

【0011】請求項3記載に係る本発明の処理装置は、
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニ
ットと、基台上に設けられた保持部材により前記第1の
高さよりも高い第2の高さに浮かせて被処理体を保持す
る受け渡し機構と、少なくとも前記加熱処理ユニット及
び受け渡し機構との間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising:
A heat treatment unit having a base for heat-treating the object to be processed, and transferring the object to be processed from the base at a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base; And a transfer mechanism that holds the object to be processed by being held at a second height higher than the first height by a holding member provided on a base, and at least the heat treatment unit and the transfer mechanism. A transport mechanism for transporting the object to be processed.

【0012】受け渡し機構においては、被処理体は常温
雰囲気中に晒され温度管理が行われない。従って、上記
と同様に、例えば高温の被処理体が受け渡し機構に保持
されると基台が温まり、その後冷却後の被処理体がこの
受け渡し機構に保持されたときに、被処理体が基台から
加温されて熱的な悪影響を受ける。一方、加熱処理ユニ
ットにおいては、ユニット内は加熱雰囲気下にあるの
で、被処理体から熱的な悪影響を受ける可能性は皆無に
等しい。そこで、請求項3記載に係る本発明では、受け
渡し機構における基台と基板保持位置との距離を加熱処
理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との
距離より長くすることで、受け渡し機構における被処理
体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおける
スループットの低下を抑えている。
In the transfer mechanism, the object to be processed is exposed to a normal temperature atmosphere and temperature control is not performed. Therefore, in the same manner as described above, for example, when the workpiece to be processed is held by the transfer mechanism, the base is heated, and when the cooled workpiece is held by the transfer mechanism, the workpiece is And is adversely affected by heat. On the other hand, in the heat treatment unit, since the inside of the unit is under a heating atmosphere, there is almost no possibility that the object to be processed is adversely affected by heat. Therefore, in the present invention according to claim 3, the distance between the base and the substrate holding position in the transfer mechanism is made longer than the distance between the base in the heat treatment unit and the transfer position of the object to be processed. Thermal adverse effects on the object to be processed are avoided, and a decrease in throughput in the heat treatment unit is suppressed.

【0013】請求項4記載に係る本発明の処理装置は、
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニ
ットと、被処理体を冷却処理するための基台を有し、こ
の基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により
被処理体を前記第1の高さよりも高い第2の高さに浮か
せて受け渡す冷却処理ユニットと、少なくとも前記加熱
処理ユニット及び前記冷却処理ユニットとの間で被処理
体を搬送する搬送機構とを具備する。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising:
A heat treatment unit having a base for heat-treating the object to be processed, and transferring the object to be processed from the base at a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base; And a base for cooling the object to be processed, and the object to be processed is set at a second height higher than the first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. The cooling processing unit includes a cooling processing unit that transfers the object to be processed, and a transport mechanism that transports an object to be processed between at least the heating processing unit and the cooling processing unit.

【0014】冷却処理ユニットでは、加熱された被処理
体が基台上に置かれときに加熱された基台が元の冷却温
度に復帰するまでに相当の時間を要する。これに対し
て、加熱処理ユニットでは、冷却された被処理体が基台
上に置かれときに温度が低下した基台が元の加熱温度に
復帰するまでの時間は短い。そこで、請求項4記載に係
る本発明では、冷却処理ユニットにおける基台と被処理
体の受け渡し位置との距離を加熱処理ユニットにおける
基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くするこ
とで、冷却処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影
響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの
低下を抑えている。
In the cooling processing unit, it takes a considerable time until the heated base returns to the original cooling temperature when the heated object is placed on the base. On the other hand, in the heat treatment unit, the time required for the cooled base to return to the original heating temperature when the cooled base is placed on the base is short. Therefore, in the present invention according to claim 4, the distance between the base in the cooling processing unit and the transfer position of the object to be processed is made longer than the distance between the base in the heat treatment unit and the transfer position of the object to be processed. In addition, a thermal adverse effect of the object to be processed in the cooling processing unit is avoided, and a decrease in throughput in the heating processing unit is suppressed.

【0015】請求項5記載に係る本発明の処理装置は、
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニ
ットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、こ
の保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給する
と共に、この保持部材を前記第1の高さよりも高い第2
の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユ
ニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記レ
ジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送
機構とを具備する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising:
A heat treatment unit having a base for heat-treating the object to be processed, and transferring the object to be processed from the base at a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base; And a vertically movable holding member for holding the substrate. The holding member is lowered to supply a resist solution to the object to be processed, and the holding member is moved to a second position higher than the first height.
A resist liquid application unit that rises to a height and transfers the object, and a transport mechanism that transports the object between at least the heat treatment unit and the resist liquid application unit.

【0016】レジスト液塗布ユニットの例えばレジスト
を供給するためのカップ内は、加熱処理ユニットと比べ
てより厳しい温度管理が要求される。そこで、請求項5
記載に係る本発明では、レジスト液塗布ユニットにおけ
る被処理体のレジスト供給位置と被処理体の受け渡し位
置との距離を加熱処理ユニットにおける基台と被処理体
の受け渡し位置との距離より長くすることで、レジスト
液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避
し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑
えている。
Strict temperature control is required in the resist liquid application unit, for example, in the cup for supplying the resist as compared with the heat treatment unit. Therefore, claim 5
In the present invention according to the description, the distance between the resist supply position of the object to be processed and the transfer position of the object to be processed in the resist liquid application unit is longer than the distance between the base in the heat treatment unit and the transfer position of the object to be processed. Thus, the thermal adverse effect of the object to be processed in the resist liquid application unit is avoided, and a decrease in throughput in the heat treatment unit is suppressed.

【0017】請求項6記載に係る本発明の処理装置は、
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニ
ットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、こ
の保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共
に、この保持部材を前記第1の高さよりも高い第2の高
さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、
少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記現像処理ユニ
ットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備す
る。
The processing apparatus of the present invention according to claim 6 is
A heat treatment unit having a base for heat-treating the object to be processed, and transferring the object to be processed from the base at a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base; And a holding member that can move up and down to hold the substrate. The holding member is moved down to perform development processing on the object to be processed, and the holding member is moved to a second height higher than the first height. A development processing unit that rises and transfers the object to be processed,
And a transport mechanism for transporting the object to be processed between at least the heating processing unit and the developing processing unit.

【0018】現像処理ユニットの例えば現像処理を施す
ためのカップ内は、加熱処理ユニットと比べてより厳し
い温度管理が要求される。そこで、請求項6記載に係る
本発明では、現像処理ユニットにおける被処理体の現像
処理位置と被処理体の受け渡し位置との距離を加熱処理
ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距
離より長くすることで、現像処理ユニットにおける被処
理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけ
るスループットの低下を抑えている。
Strict temperature control is required in a developing unit, for example, in a cup for performing a developing process, as compared with a heating unit. Therefore, in the present invention according to claim 6, the distance between the development processing position of the object to be processed in the development processing unit and the delivery position of the object to be processed is determined by the distance between the base in the heating processing unit and the delivery position of the object to be processed. By making the length longer, it is possible to avoid a thermal adverse effect on the object to be processed in the development processing unit, and to suppress a decrease in throughput in the heating processing unit.

【0019】請求項7記載に係る本発明の処理装置は、
基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部
材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保
持部材を第1の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像
処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を
有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を
供給すると共に、この保持部材を前記第1の高さよりも
高い第2の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト
液塗布ユニットと、少なくとも前記現像処理ユニット及
びレジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する
搬送機構とを具備する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising:
A developing member that holds the substrate and that can be moved up and down to perform a developing process on the object to be processed by lowering the holding member and to transfer the object by raising the holding member to a first height; A processing unit and a vertically movable holding member for holding the substrate, the holding member being lowered to supply a resist solution to the object to be processed, and the second holding member being higher than the first height. The apparatus includes a resist liquid application unit that rises to a height and transfers the object, and a transport mechanism that transports the object between at least the development processing unit and the resist liquid application unit.

【0020】レジスト液塗布ユニットの例えばレジスト
液を供給するためのカップ内は、現像処理ユニットの例
えば現像処理を施すためのカップ内と比べてより厳しい
温度管理が要求される。そこで、請求項7記載に係る本
発明では、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体の
レジスト塗布位置と被処理体の受け渡し位置との距離を
現像処理ユニットにおける被処理体の現像処理位置と被
処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、レ
ジスト液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響
を回避し、現像処理ユニットにおけるスループットの低
下を抑えている。
Strict temperature control is required in the resist liquid application unit, for example, in the cup for supplying the resist liquid, as compared with in the development processing unit, for example, in the cup for performing the development processing. Therefore, in the present invention according to claim 7, the distance between the resist application position of the object to be processed in the resist liquid application unit and the transfer position of the object to be processed is determined by the development processing position of the object to be processed in the development processing unit and the object to be processed. By making the distance longer than the transfer position, the thermal adverse effect of the object to be processed in the resist liquid application unit is avoided, and a decrease in throughput in the development processing unit is suppressed.

【0021】請求項8記載に係る本発明の処理装置は、
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す第1の加熱処
理ユニットと、被処理体を加熱処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を基台から第1の高さよりも高い第2の
高さに浮かせて受け渡す第2の加熱処理ユニットと、少
なくとも前記第1の加熱処理ユニット及び前記第2の加
熱処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備する。
The processing apparatus of the present invention according to claim 8 is
A first base having a base for heat-treating the object to be processed, wherein the object to be processed is lifted from the base to a first height and transferred from the base by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base; A heat treatment unit, and a base for heat-treating the object to be processed. A second heat treatment unit that is transferred at a height of 2 and a transport mechanism that transports the object between at least the first heat treatment unit and the second heat treatment unit.

【0022】加熱処理ユニットには、通常の加熱処理ユ
ニットの他に、より厳しい温度管理が要求されるタイプ
もある。そこで、請求項8記載に係る本発明では、温度
管理の厳しい加熱処理ユニットにおける基台と被処理体
の受け渡し位置との距離を通常の加熱処理ユニットにお
ける基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くす
ることで、温度管理の厳しい加熱処理ユニットにおける
被処理体の熱的な悪影響を回避し、通常の加熱処理ユニ
ットにおけるスループットの低下を抑えている。
The heat treatment unit may be of a type requiring more strict temperature control, in addition to a normal heat treatment unit. Therefore, in the present invention according to claim 8, the distance between the base and the delivery position of the object to be processed in the heat treatment unit having strict temperature management is determined by the distance between the base and the delivery position of the object to be processed in the normal heat treatment unit. By setting the length to be longer than the distance, a thermal adverse effect of the object to be processed in the heat treatment unit having strict temperature control is avoided, and a decrease in throughput in a normal heat treatment unit is suppressed.

【0023】請求項9記載に係る本発明の処理装置は、
請求項4から請求項8のうちいずれか1項記載の処理装
置であって、被処理体を第2の高さから下降する速度
が、被処理体を第1の高さから下降する速度よりも遅い
ことを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising:
9. The processing apparatus according to claim 4, wherein a speed at which the object is lowered from the second height is lower than a speed at which the object is lowered from the first height. 10. Is also slow.

【0024】請求項9記載に係る本発明では、被処理体
を第2の高さから下降する速度を、被処理体を第1の高
さから下降する速度よりも遅くすることで、被処理体の
熱的な悪影響をより十分に回避することが可能となる。
According to the ninth aspect of the present invention, the speed at which the object is lowered from the second height is set lower than the speed at which the object is lowered from the first height. It is possible to more sufficiently avoid thermal adverse effects on the body.

【0025】請求項10に係る本発明の処理装置は、搬
送機構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に
対して所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を
昇降可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降す
る昇降機構と、前記保持部材が処理位置より高い第1の
高さで被処理体を前記搬送機構より受け取り、前記保持
部材が前記第1の高さより低い第2の高さで被処理体を
前記搬送機構へ受け渡すように、前記昇降機構を制御す
る制御手段とを具備する。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member in a vertically movable manner, an elevating mechanism that moves the holding member up and down, and a holding member that receives the object to be processed from the transport mechanism at a first height higher than a processing position; Control means for controlling the elevating mechanism so as to transfer the object to be processed to the transfer mechanism at a second height lower than the height of the transfer mechanism.

【0026】請求項10に係る本発明では、保持部材が
処理位置より高い第1の高さで被処理体を搬送機構より
受け取り、保持部材が第1の高さより低い第2の高さで
被処理体を前記搬送機構へ受け渡すようにすることで、
被処理体が処理位置まで下降される時間が長くなり、処
理の終了した被処理体が受け渡し位置まで上昇する時間
が短くなる。即ち、下降時間を長くすることで、処理装
置内の温度環境とは異なる環境にあった被処理体が装置
内の温度環境になじむ時間が長くなり、被処理体の熱的
な悪影響を回避できる。一方、上昇時間を短くすること
で、スループットの低下を抑えることができる。
According to the tenth aspect of the present invention, the holding member receives the object to be processed from the transfer mechanism at the first height higher than the processing position, and the holding member receives the object at the second height lower than the first height. By transferring the processing body to the transport mechanism,
The time required for the object to be lowered to the processing position becomes longer, and the time required for the object to be processed to rise to the transfer position becomes shorter. In other words, by increasing the descent time, the processing target that has been in an environment different from the temperature environment in the processing apparatus adapts to the temperature environment in the processing apparatus, and the adverse thermal effect of the processing target can be avoided. . On the other hand, a decrease in throughput can be suppressed by shortening the rise time.

【0027】請求項11に係る本発明の処理装置は、搬
送機構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に
対して所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を
昇降可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降す
る昇降機構と、前記搬送装置より被処理体を受け取った
前記保持部材を第1の速度で処理位置まで下降し、処理
の終了した被処理体を保持する前記保持部材を前記第1
の速度よりも速い第2の速度で上昇して前記搬送装置へ
受け渡すように、前記昇降機構を制御する制御手段とを
具備する。
An eleventh aspect of the present invention is a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member, a lifting mechanism that moves the holding member up and down, and a holding member that has received the object to be processed from the transport device at a first speed to a processing position, where the processing is completed. The holding member for holding a body is the first member.
Control means for controlling the elevating mechanism so as to ascend at a second speed higher than the second speed and deliver the same to the transfer device.

【0028】請求項11に係る本発明では、搬送装置よ
り被処理体を受け取った保持部材を第1の速度で処理位
置まで下降し、処理の終了した被処理体を保持する保持
部材を前記第1の速度よりも速い第2の速度で上昇して
前記搬送装置へ受け渡すことで、被処理体が処理位置ま
で下降される時間が長くなり、処理の終了した被処理体
が受け渡し位置まで上昇する時間が短くなる。即ち、下
降時間を長くすることで、処理装置内の温度環境とは異
なる環境にあった被処理体が装置内の温度環境になじむ
時間が長くなり、被処理体の熱的な悪影響を回避でき
る。一方、上昇時間を短くすることで、スループットの
低下を抑えることができる。
In the eleventh aspect of the present invention, the holding member that has received the object to be processed from the transfer device is moved down to the processing position at the first speed, and the holding member that holds the object to be processed is moved to the first position. By raising the workpiece at the second speed higher than the speed of 1 and transferring it to the transfer device, the time for the workpiece to be lowered to the processing position becomes longer, and the processed workpiece is raised to the delivery position. The time to do it is shorter. In other words, by increasing the descent time, the processing target that has been in an environment different from the temperature environment in the processing apparatus adapts to the temperature environment in the processing apparatus, and the adverse thermal effect of the processing target can be avoided. . On the other hand, a decrease in throughput can be suppressed by shortening the rise time.

【0029】請求項12に係る本発明の処理装置は、搬
送機構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に
対して所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を
昇降可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降す
る昇降機構と、受け取り位置で前記搬送装置より被処理
体を受け取った前記保持部材を第1の速度で処理位置ま
で下降し、処理の終了した被処理体を保持する前記保持
部材を前記第1の速度よりも速い第2の速度で前記受け
取り位置よりも低い位置にある受け渡し位置まで上昇し
て前記搬送装置へ受け渡すように、前記昇降機構を制御
する制御手段とを具備する。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the member so as to be able to move up and down, an elevating mechanism that moves the holding member up and down, and the holding member that has received the object to be processed from the transfer device at the receiving position is lowered to the processing position at a first speed, and the processing ends Moving the holding member holding the processed object at a second speed higher than the first speed to a transfer position at a position lower than the receiving position and transferring the holding member to the transfer device. Control means for controlling the mechanism.

【0030】請求項12に係る本発明では、受け取り位
置で搬送装置より被処理体を受け取った保持部材を第1
の速度で処理位置まで下降し、処理の終了した被処理体
を保持する保持部材を第1の速度よりも速い第2の速度
で受け取り位置よりも低い位置にある受け渡し位置まで
上昇して搬送装置へ受け渡すようにすることで、被処理
体が処理位置まで下降される時間がより長くなり、処理
の終了した被処理体が受け渡し位置まで上昇する時間が
より短くなる。即ち、下降時間をより長くすることで、
処理装置内の温度環境とは異なる環境にあった被処理体
が装置内の温度環境になじむ時間がより長くなり、被処
理体の熱的な悪影響を回避できる。一方、上昇時間をよ
り短くすることで、スループットの低下を抑えることが
できる。
According to the twelfth aspect of the present invention, the holding member that has received the object from the transfer device at the receiving position is the first member.
The transfer device moves down to the processing position at a speed of 2, and raises the holding member holding the processed object at a second speed higher than the first speed to a transfer position lower than the receiving position at a second speed higher than the first speed. By transferring the object, the time for the object to be lowered to the processing position becomes longer, and the time for the object to be processed to rise to the transfer position becomes shorter. In other words, by making the descent time longer,
The time required for the object to be processed, which has been in an environment different from the temperature environment in the processing apparatus, to adjust to the temperature environment in the apparatus is longer, and it is possible to avoid adverse thermal effects on the object to be processed. On the other hand, a decrease in throughput can be suppressed by shortening the rise time.

【0031】請求項13に係る本発明の処理装置は、搬
送機構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に
対して所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を
昇降可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降す
る昇降機構と、前記搬送装置より被処理体を受け取った
前記保持部材を下降して所定の位置で一旦停止してその
後処理位置まで下降し、処理の終了した被処理体を保持
する前記保持部材を上昇して前記搬送装置へ受け渡すよ
うに、前記昇降機構を制御する制御手段とを具備する。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to / from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member, a lifting mechanism that moves the holding member up and down, and the holding member that has received the object to be processed from the transport device is lowered, temporarily stopped at a predetermined position, and then lowered to the processing position. And control means for controlling the elevating mechanism so as to lift the holding member holding the object to be processed and deliver it to the transfer device.

【0032】請求項13に係る本発明では、搬送装置よ
り被処理体を受け取った保持部材を下降して所定の位置
で一旦停止してその後処理位置まで下降し、処理の終了
した被処理体を保持する保持部材を上昇して搬送装置へ
受け渡すようにすることで、被処理体が処理位置まで下
降される時間が長くなり、処理の終了した被処理体が受
け渡し位置まで上昇する時間が短くなる。即ち、下降時
間を長くすることで、処理装置内の温度環境とは異なる
環境にあった被処理体が装置内の温度環境になじむ時間
が長くなり、被処理体の熱的な悪影響を回避できる。一
方、上昇時間を短くすることで、スループットの低下を
抑えることができる。また、本発明では、保持部材を一
旦停止することで、上記のような時間制御を行っている
ので、制御をより簡単に行うことができる。
According to the thirteenth aspect of the present invention, the holding member that has received the object to be processed from the transfer device is lowered, temporarily stopped at a predetermined position, and then lowered to the processing position. By raising the holding member to be held and transferring it to the transfer device, the time for the object to be lowered to the processing position is increased, and the time for the object to be processed to be raised to the transfer position is reduced. Become. In other words, by increasing the descent time, the processing target that has been in an environment different from the temperature environment in the processing apparatus adapts to the temperature environment in the processing apparatus, and the adverse thermal effect of the processing target can be avoided. . On the other hand, a decrease in throughput can be suppressed by shortening the rise time. Further, in the present invention, since the above-described time control is performed by temporarily stopping the holding member, the control can be performed more easily.

【0033】請求項14に係る本発明の処理装置は、搬
送機構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に
対して所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を
昇降可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降す
る昇降機構と、前記搬送装置より被処理体を受け取った
前記保持部材を処理位置まで下降し、処理の終了した被
処理体を保持する前記保持部材を上昇して前記搬送装置
へ受け渡す際に、少なくとも下降速度及び上昇速度のう
ち一方を段階的に可変して上昇時間の方が短くなるよう
に、前記昇降機構を制御する制御手段とを具備する。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member, a lifting mechanism that moves the holding member up and down, and a holding member that receives the object to be processed from the transport device, descends to a processing position, and holds the object to be processed. Control means for controlling the elevating mechanism so that at least one of the descending speed and the ascending speed is changed stepwise so that the ascending time is shorter when the holding member is elevated and transferred to the transport device. Is provided.

【0034】請求項14に係る本発明では、少なくとも
下降速度及び上昇速度のうち一方を段階的に可変して上
昇時間の方が短くなるようにすることで、処理装置内の
温度環境とは異なる環境にあった被処理体が装置内の温
度環境になじむ時間が長くなり、被処理体の熱的な悪影
響を回避でき、一方スループットの低下を抑えることが
できる。また、本発明では、速度を段階的に可変するこ
とで、上記のような時間制御を行っているので、制御を
より簡単に行うことができる。
According to the fourteenth aspect of the present invention, at least one of the descending speed and the ascending speed is changed stepwise so that the ascending time is shorter, so that the temperature is different from the temperature environment in the processing apparatus. The time required for the object to be processed to adapt to the temperature environment in the apparatus becomes longer, so that it is possible to avoid thermal adverse effects on the object to be processed, while suppressing a decrease in throughput. Further, in the present invention, since the time control as described above is performed by changing the speed stepwise, the control can be performed more easily.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0036】図1は本発明の一実施形態に係る塗布現像
処理装置の平面図、図2は図1に示した塗布現像処理装
置の正面図、図3は図1に示した塗布現像システムの背
面図である。
FIG. 1 is a plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view of the coating and developing apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram of the coating and developing system shown in FIG. It is a rear view.

【0037】図1乃至図3に示すように、この塗布現像
処理装置1は、カセットステーション10、処理ステー
ション11及びインターフェイス部12を一体に接続し
た構成を有している。カセットステーション10では、
ウエハWがカセットC単位で複数枚、例えば25枚単位
で、外部から塗布現像処理装置1に搬入され、また塗布
現像処理装置1から外部に搬出される。また、カセット
Cに対してウエハWが搬出・搬入される。処理ステーシ
ョン11では、塗布現像処理工程の中で1枚ずつウエハ
Wに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定
位置に多段に配置されている。インターフェイス部12
では、この塗布現像処理装置1に隣接して設けられる露
光装置13との間でウエハWが受け渡される。
As shown in FIGS. 1 to 3, the coating and developing apparatus 1 has a configuration in which a cassette station 10, a processing station 11, and an interface unit 12 are integrally connected. At the cassette station 10,
A plurality of wafers W are loaded into the coating and developing apparatus 1 from the outside in units of cassettes C, for example, in units of 25 wafers, and are unloaded from the coating and developing apparatus 1 to the outside. Further, the wafer W is unloaded and loaded into the cassette C. In the processing station 11, various single-wafer processing units for performing a predetermined process on the wafers W one by one in the coating and developing process are arranged at predetermined positions in multiple stages. Interface section 12
Then, the wafer W is transferred to and from the exposure apparatus 13 provided adjacent to the coating and developing apparatus 1.

【0038】カセットステーション10では、図1に示
すように、カセット載置台20上の位置決め突起20a
の位置に複数個(例えば4個)のカセットCが、それぞ
れのウエハW出入口を処理ステーション11側に向けて
X方向(図1中の上下方向)一列に載置される。このカ
セットC配列方向(X方向)及びカセットC内に収容さ
れたウエハWのウエハW配列方向(Z方向;垂直方向)
に移動可能なウエハ搬送体21が、搬送路21aに沿っ
て移動自在であり、各カセットCに選択的にアクセスす
る。
In the cassette station 10, as shown in FIG.
A plurality (for example, four) of cassettes C are placed in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 1) with their respective wafer W entrances facing the processing station 11 side. This cassette C arrangement direction (X direction) and the wafer W arrangement direction of the wafers W accommodated in the cassette C (Z direction; vertical direction)
Is movable along the transfer path 21a, and selectively accesses each cassette C.

【0039】ウエハ搬送体21は、θ方向に回転自在に
構成されており、後述するように処理ステーション11
側の第3の処理ユニット群G3における多段ユニット部
に属するアライメントユニット(ALIM)及びエクス
テンションユニット(EXT)にもアクセスできるよう
になっている。
The wafer carrier 21 is configured to be rotatable in the θ direction.
The alignment unit (ALIM) and the extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit in the third processing unit group G3 on the side can also be accessed.

【0040】処理ステーション11では、図1に示すよ
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置22が設け
られ、その周りに各種処理ユニットが1組または複数の
組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成し
ている。かかる塗布現像処理装置1においては、5つの
処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可
能な構成であり、第1及び第2の処理ユニット群G1、
G2はシステム正面側に配置され、第3の処理ユニット
群G3はカセットステーション10に隣接して配置さ
れ、第4の処理ユニット群G4はインターフェイス部1
2に隣接して配置され、さらに破線で示した第5の処理
ユニット群G5を背面側に配置することが可能となって
いる。搬送装置22は、θ方向に回転自在でZ方向に移
動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウエ
ハWの受け渡しが可能とされている。
In the processing station 11, as shown in FIG. 1, a vertical transfer type transfer device 22 is provided at the center thereof, around which various processing units are multi-tiered in one or more sets. They are arranged to form a processing unit group. In the coating and developing processing apparatus 1, five processing unit groups G1, G2, G3, G4, and G5 can be arranged, and the first and second processing unit groups G1, G1,
G2 is disposed on the front side of the system, the third processing unit group G3 is disposed adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit group G4 is disposed on the interface unit 1.
5, and a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line can be arranged on the back side. The transfer device 22 is configured to be rotatable in the θ direction and movable in the Z direction, and is capable of transferring the wafer W to and from each processing unit.

【0041】第1の処理ユニット群G1では、図2に示
すように、カップCP内でウエハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト液塗布ユニット(COT)及び現像
処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられて
いる。そして第1の処理ユニット群G1と同様に、第2
の処理ユニット群G2においても、2台のスピンナ型処
理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット(COT)
及び現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重
ねられている。
In the first processing unit group G1, as shown in FIG. 2, two spinner-type processing units, for example, a resist liquid application unit (FIG. 2) for performing a predetermined processing by placing a wafer W on a spin chuck in a cup CP. COT) and the development processing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. And like the first processing unit group G1, the second
Also in the processing unit group G2, two spinner type processing units, for example, a resist liquid application unit (COT)
And a development processing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom.

【0042】図2に示すように、この塗布現像処理装置
1の上部には、例えばULPAフィルタなどの高性能フ
ィルタ23が、前記3つのゾーン(カセットステーショ
ン10、処理ステーション11、インターフェイス部1
2)毎に設けられている。この高性能フィルタ23の上
流側から供給された空気は、当該高性能フィルタ23を
通過する際に、パーティクルや有機成分が捕集、除去さ
れる。したがって、この高性能フィルタ23を介して、
上記のカセット載置台20、ウエハ搬送体21の搬送路
21a、第1〜第2の処理ユニット群G1、G2、後述
する第3〜第5の処理ユニット群G3、G4、G5及び
インターフェイス部12には、上方からの清浄な空気の
ダウンフローが、同図の実線矢印または点線矢印の方向
に供給されている。
As shown in FIG. 2, a high-performance filter 23 such as an ULPA filter is provided above the coating and developing apparatus 1 in the three zones (cassette station 10, processing station 11, interface section 1).
2) It is provided for each. When the air supplied from the upstream side of the high-performance filter 23 passes through the high-performance filter 23, particles and organic components are collected and removed. Therefore, through this high-performance filter 23,
The above-mentioned cassette mounting table 20, the transfer path 21a of the wafer transfer body 21, the first and second processing unit groups G1 and G2, and the third to fifth processing unit groups G3, G4 and G5 and the interface unit 12 described later. In the figure, a downflow of clean air from above is supplied in the direction of the solid arrow or the dotted arrow in FIG.

【0043】第3の処理ユニット群G3では、図3に示
すように、ウエハWを載置台に載せて所定の処理を行う
オーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却
処理ユニット(COL)、レジストの定着性を高めるた
めのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット
(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(A
LIM)、受け渡し機構としてのエクステンションユニ
ット(EXT)、露光処理前の加熱処理を行う加熱処理
ユニットとしてのプリベーキングユニット(PREBA
KE)及びポストベーキングユニット(POBAKE)
が下から順に、例えば8段に重ねられている。
In the third processing unit group G3, as shown in FIG. 3, an oven-type processing unit for performing a predetermined processing by placing the wafer W on the mounting table, for example, a cooling processing unit (COL) for performing a cooling processing, An adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of a resist, and an alignment unit (A) for performing positioning.
LIM), an extension unit (EXT) as a transfer mechanism, and a pre-baking unit (PREBA) as a heat processing unit for performing heat processing before exposure processing.
KE) and post-baking unit (POBAKE)
Are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages.

【0044】同様に、第4の処理ユニット群G4では、
図3に示すように、ウエハWを載置台に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を
行う冷却処理ユニット(COL)、冷却処理も兼ねたエ
クステンション・冷却処理ユニット(EXTCOL)、
受け渡し機構としてのエクステンションユニット(EX
T)、アドヒージョンユニット(AD)、プリベーキン
グユニット(PREBAKE)及びポストベーキングユ
ニット(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重
ねられている。
Similarly, in the fourth processing unit group G4,
As shown in FIG. 3, an oven-type processing unit that performs a predetermined process by placing the wafer W on a mounting table, for example, a cooling process unit (COL) that performs a cooling process, and an extension / cooling process unit (EXTCOL) that also serves as a cooling process ),
Extension unit (EX
T), an adhesion unit (AD), a pre-baking unit (PREBAKE), and a post-baking unit (POBAKE) are stacked, for example, in eight stages from the bottom.

【0045】このように処理温度の低い冷却処理ユニッ
ト(COL)やエクステンション・冷却処理ユニット
(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いプリ
ベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキ
ングユニット(POBAKE)及びアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。
As described above, the cooling processing unit (COL) and the extension / cooling processing unit (EXTCOL) having the low processing temperature are arranged in the lower stage, and the pre-baking unit (PREBAKE), the post-baking unit (POBAKE) and the ad- By arranging the fusion unit (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced.

【0046】インターフェイス部12では、図1に示す
ように、奥行き方向(X方向)については、上記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図1及び図2に
示すように、このインターフェイス部12の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRが2段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置24が配設されている。
As shown in FIG. 1, the interface section 12 has the same dimensions in the depth direction (X direction) as the processing station 11, but has a smaller size in the width direction. As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front side of the interface unit 12, and the peripheral exposure device 24 is arranged on the rear side. Are arranged.

【0047】インターフェイス部12の中央部には、ウ
エハ搬送体25が設けられている。ウエハ搬送体25
は、X方向、Z方向(垂直方向)に移動して両カセット
CR、BR及び周辺露光装置24にアクセスできるよう
になっている。ウエハ搬送体25は、θ方向にも回転自
在となるように構成されており、処理ステーション11
側の第4の処理ユニット群G4に属するエクステンショ
ンユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置1
3側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスでき
るようになっている。
At the center of the interface section 12, a wafer carrier 25 is provided. Wafer carrier 25
Are moved in the X direction and the Z direction (vertical direction) to access the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 24. The wafer transfer body 25 is configured to be rotatable also in the θ direction.
Extension unit (EXT) belonging to the fourth processing unit group G4 on the side, and furthermore, the adjacent exposure apparatus 1
The wafer delivery table (not shown) on the third side can also be accessed.

【0048】図4は上記の加熱処理ユニット(PREB
AKE、POBAKE)及び冷却処理ユニット(CO
L)の構成を示す正面図である。図4に示すように、ユ
ニットのほぼ中央には、プレートPが配置されている。
このプレートPは加熱処理ユニット(PREBAKE、
POBAKE)であれば例えば熱溶媒が循環するパイプ
が埋め込まれ、ウェハWを加熱処理するためのホットプ
レートとして機能する。また、このプレートPは冷却処
理ユニット(COL)であれば例えば冷却溶媒が循環す
るパイプが埋め込まれ、ウェハWを冷却処理するための
クーリングプレートとして機能する。
FIG. 4 shows the heat treatment unit (PREB)
AKE, POBAKE) and cooling processing unit (CO
It is a front view which shows the structure of L). As shown in FIG. 4, a plate P is disposed substantially at the center of the unit.
This plate P is a heat treatment unit (PREBAKE,
In the case of POBAKE, for example, a pipe through which a thermal solvent circulates is embedded, and functions as a hot plate for heating the wafer W. If the plate P is a cooling processing unit (COL), for example, a pipe through which a cooling solvent circulates is embedded, and functions as a cooling plate for cooling the wafer W.

【0049】プレートPの表面にはウェハWを支持する
ための保持部材としての支持ピンPINが複数本、例え
ば3本出没可能に設けられている。そして、支持ピンP
INがプレート表面から突出した状態で、開口部30を
介して搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行
う。また、搬送装置22よりウェハWが支持ピンPIN
上に載置されると、支持ピンPINが下降してプレート
Pの表面より没した状態になる。これにより、ウェハW
はプレートP上に載置され、加熱処理あるいは冷却処理
が行われる。
On the surface of the plate P, a plurality of, for example, three, support pins PIN as a holding member for supporting the wafer W are provided so as to be able to come and go. And the support pin P
With the IN protruding from the plate surface, the wafer W is transferred to and from the transfer device 22 through the opening 30. Further, the wafer W is transferred from the transfer device 22 to the support pins PIN.
When the support pin PIN is placed on the plate P, the support pin PIN descends to be immersed below the surface of the plate P. Thereby, the wafer W
Is placed on a plate P, and a heating process or a cooling process is performed.

【0050】なお、プレートPの周囲に加熱ガスや冷却
ガスを噴出する噴出手段を設けることで、加熱効果や冷
却効果を高めることが可能である。また、ユニット内に
は、ダウンフローの清浄エアーが流れているので、特に
冷却ユニット内ではこのダウンフローの清浄エアーによ
り冷却効果を高めることが可能である。
By providing a jetting means for jetting a heating gas or a cooling gas around the plate P, it is possible to enhance the heating effect and the cooling effect. In addition, since the down-flow clean air flows in the unit, the cooling effect can be enhanced by the down-flow clean air especially in the cooling unit.

【0051】図5は上記の受け渡し機構(EXT)の構
成を示す正面図である。図5に示すように、ユニットの
ほぼ中央には、プレートPが配置されている。このプレ
ートPの表面には、保持部材としての支持ピンPINが
複数本、例えば3本立設されている。そして、第1の開
口部31を介してウエハ搬送体21によりカセットステ
ーション10との間でウェハWの受け渡しを行い、第2
の開口部32を介して処理ステーション11における搬
送装置22との間でウェハWの受け渡しを行う。
FIG. 5 is a front view showing the structure of the above-mentioned transfer mechanism (EXT). As shown in FIG. 5, a plate P is disposed substantially at the center of the unit. On the surface of the plate P, a plurality of, for example, three support pins PIN as standing members are erected. Then, the wafer W is transferred to and from the cassette station 10 by the wafer transfer body 21 through the first opening 31 and the second transfer is performed.
The transfer of the wafer W to / from the transfer device 22 in the processing station 11 is performed through the opening 32 of the wafer W.

【0052】図6は上記のレジスト液塗布ユニット(C
OT)及び現像処理ユニット(DEV)の構成を示す正
面図である。図6に示すように、ユニットのほぼ中央に
は、カップCPが配置されている。このカップCP内に
は、例えば真空吸着機構(図示を省略)によりウェハW
を保持するスピンチャックSPが配置されている。この
スピンチャックSPは、駆動部41により昇降されかつ
回転されるようになっている。また、スピンチャックS
Pの上方には、レジスト液塗布ユニットであればレジス
ト液を供給するための、現像処理ユニットであれば現像
液を供給するためのノズル41が配置されている。そし
て、スピンチャックSPがカップCPの上部開口部から
突出した状態で、開口部43を介して搬送装置22との
間でウェハWの受け渡しを行う。また、搬送装置22よ
りウェハWがスピンチャックSP上に載置されると、ス
ピンチャックSPが下降してカップCP内に収容され、
カップCP内でウェハWを回転させながらレジスト液や
現像液の供給が行われる。
FIG. 6 shows the above resist solution applying unit (C)
FIG. 2 is a front view illustrating the configuration of an OT) and a development processing unit (DEV). As shown in FIG. 6, a cup CP is arranged substantially at the center of the unit. In the cup CP, the wafer W is moved by, for example, a vacuum suction mechanism (not shown).
Is disposed. The spin chuck SP is moved up and down and rotated by a driving unit 41. Also, the spin chuck S
Above P, there is arranged a nozzle 41 for supplying a resist liquid in the case of a resist liquid application unit, and for supplying a developer in the case of a development processing unit. Then, with the spin chuck SP protruding from the upper opening of the cup CP, the wafer W is transferred to and from the transfer device 22 through the opening 43. Further, when the wafer W is placed on the spin chuck SP by the transfer device 22, the spin chuck SP descends and is accommodated in the cup CP,
The supply of the resist solution or the developing solution is performed while rotating the wafer W in the cup CP.

【0053】図7は上記の加熱処理ユニット(POBA
KE)と受け渡し機構(EXT)との関係を示す図であ
る。図7(A)に示すように、加熱処理ユニット(PO
BAKE)において、プレートPの表面を基準位置(高
さ0)としたときに、支持ピンPINがウェハWを搬送
装置22より受け取る位置の高さをh1、図7(B)に
示すように、受け渡し機構(EXT)において、プレー
トPの表面を基準位置(高さ0)としたときに、支持ピ
ンPINがウェハWを搬送装置22より受け取って保持
する位置の高さをh2とすると、h1<h2の関係とさ
れている。
FIG. 7 shows the heat treatment unit (POBA)
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between KE) and a delivery mechanism (EXT). As shown in FIG. 7A, the heat treatment unit (PO
BAKE), when the surface of the plate P is set to the reference position (height 0), the height of the position where the support pins PIN receive the wafer W from the transfer device 22 is h1, as shown in FIG. In the transfer mechanism (EXT), if the height of the position where the support pins PIN receive and hold the wafer W from the transfer device 22 is h2 when the surface of the plate P is at the reference position (height 0), h1 < h2.

【0054】この実施の形態では、以上の関係とするこ
とで、受け渡し機構(EXT)におけるウェハWの熱的
な悪影響を回避することができる。即ち、加熱されたウ
ェハWが受け渡し機構(EXT)内に保持された場合で
あってもプレートPとウェハWとの距離h2が十分に保
たれていることから、プレートPが暖められるようなこ
とはない。従って、この後に冷却されたウェハWが受け
渡し機構(EXT)内に保持されるようなことになって
も、このプレートPがウェハWに対して熱的な悪影響を
与えることはない。一方、加熱処理ユニット(POBA
KE)におけるスループットの低下を抑えることができ
る。即ち、支持ピンPINがウェハWを搬送装置22よ
り受け取る位置とプレートPとの距離が短いので、ウェ
ハWをプレートPまで下降させる時間を短くでき、しか
も支持ピンPINがウェハWを搬送装置22より受け取
った位置から実質的な加熱がされることになる。従っ
て、加熱処理に要する時間が短縮される。
In the present embodiment, the above relationship makes it possible to avoid adverse thermal effects on the wafer W in the transfer mechanism (EXT). That is, even when the heated wafer W is held in the transfer mechanism (EXT), the distance h2 between the plate P and the wafer W is sufficiently maintained, so that the plate P is heated. There is no. Therefore, even if the cooled wafer W is held in the transfer mechanism (EXT), the plate P does not adversely affect the wafer W thermally. On the other hand, the heat treatment unit (POBA
In KE), a decrease in throughput can be suppressed. That is, since the distance between the position where the support pin PIN receives the wafer W from the transfer device 22 and the plate P is short, the time for lowering the wafer W to the plate P can be shortened, and the support pin PIN transfers the wafer W from the transfer device 22. Substantial heating will be performed from the receiving position. Therefore, the time required for the heat treatment is reduced.

【0055】図8は上記の加熱処理ユニット(POBA
KE)と冷却処理ユニット(COL)との関係を示す図
である。図8(A)に示すように、加熱処理ユニット
(POBAKE)において、プレートPの表面を基準位
置(高さ0)としたときに、支持ピンPINがウェハW
を搬送装置22より受け取る位置の高さをh1、図8
(B)に示すように、冷却処理ユニット(COL)にお
いて、プレートPの表面を基準位置(高さ0)としたと
きに、支持ピンPINがウェハWを搬送装置22より受
け取る位置の高さをh3とすると、h1<h3の関係と
されている。
FIG. 8 shows the heat treatment unit (POBA)
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between the KE) and the cooling processing unit (COL). As shown in FIG. 8A, in the heat treatment unit (POBAKE), when the surface of the plate P is at a reference position (height 0), the support pins PIN
The height of the position at which the sheet is received from the transfer device 22 is h1, and FIG.
As shown in (B), in the cooling processing unit (COL), when the surface of the plate P is set to the reference position (height 0), the height of the position at which the support pins PIN receive the wafer W from the transfer device 22 is determined. Assuming that h3, h1 <h3.

【0056】この実施の形態では、以上の関係とするこ
とで、冷却処理ユニット(COL)におけるウェハWの
熱的な悪影響を回避することができる。即ち、加熱され
たウェハWが冷却処理ユニット(COL)内に保持され
た場合であってもプレートPとウェハWとの距離h3が
十分に保たれていることから、プレートPが過熱される
ようなことはない。しかも、ウェハWがプレートPに到
達するまでの間、冷却ガスやダウンフローの清浄エアー
により晒されていることから、この距離h3を十分に取
ることでウェハWがプレートPに達するまでの間にウェ
ハWに対する冷却され、その効果が高められる。一方、
加熱処理ユニット(POBAKE)におけるスループッ
トの低下を抑えることができる。即ち、支持ピンPIN
がウェハWを搬送装置22より受け取る位置とプレート
Pとの距離が短いので、ウェハWをプレートPまで下降
させる時間を短くでき、しかも支持ピンPINがウェハ
Wを搬送装置22より受け取った位置から実質的な加熱
がされることになる。従って、加熱処理に要する時間が
短縮される。
In this embodiment, the above-described relationship can avoid the adverse thermal effect of the wafer W in the cooling processing unit (COL). That is, even when the heated wafer W is held in the cooling processing unit (COL), since the distance h3 between the plate P and the wafer W is sufficiently maintained, the plate P is overheated. There is nothing. Moreover, since the wafer W is exposed to the cooling gas or the down-flow clean air until the wafer W reaches the plate P, by taking this distance h3 sufficiently, the wafer W can reach the plate P. The wafer W is cooled, and its effect is enhanced. on the other hand,
A decrease in throughput in the heat treatment unit (POBAKE) can be suppressed. That is, the support pin PIN
Since the distance between the position where the wafer W is received from the transfer device 22 and the plate P is short, the time for lowering the wafer W to the plate P can be shortened, and the support pins PIN substantially move from the position where the wafer W is received from the transfer device 22. Heating will be performed. Therefore, the time required for the heat treatment is reduced.

【0057】図9は上記の加熱処理ユニット(POBA
KE)とレジスト液塗布ユニット(COT)との関係を
示す図である。図9(A)に示すように、加熱処理ユニ
ット(POBAKE)において、プレートPの表面を基
準位置(高さ0)としたときに、支持ピンPINがウェ
ハWを搬送装置22より受け取る位置の高さをh1、図
9(B)に示すように、レジスト液塗布ユニット(CO
T)において、スピンチャックSPがカップCP内に下
降してレジスト液が塗布される位置を基準位置(高さ
0)としたときに、スピンチャックSPが上昇してウェ
ハWを搬送装置22より受け取る位置の高さをh4とす
ると、h1<h4の関係とされている。
FIG. 9 shows the heat treatment unit (POBA)
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between KE) and a resist liquid application unit (COT). As shown in FIG. 9A, in the heat treatment unit (POBAKE), when the surface of the plate P is at the reference position (height 0), the height of the position at which the support pins PIN receive the wafer W from the transfer device 22 is increased. As shown in FIG. 9B, the resist liquid application unit (CO
In T), when the position at which the spin chuck SP moves down into the cup CP and the resist solution is applied is set as the reference position (height 0), the spin chuck SP moves up and receives the wafer W from the transfer device 22. Assuming that the height of the position is h4, a relationship of h1 <h4 is established.

【0058】この実施の形態では、以上の関係とするこ
とで、レジスト液塗布ユニット(COT)におけるウェ
ハWの熱的な悪影響を回避することができる。即ち、ス
ピンチャックSPが搬送装置22よりウェハを受け取っ
てからカップCP内の供給位置までに十分な距離h4が
あるので、この間にウェハWがレジスト液塗布ユニット
(COT)内の温度雰囲気に馴染むことになる。従っ
て、カップCP内に収容されたウェハWがカップCP内
の温度環境を乱すこはなくなる。一方、加熱処理ユニッ
ト(POBAKE)におけるスループットの低下を抑え
ることができる。即ち、支持ピンPINがウェハWを搬
送装置22より受け取る位置とプレートPとの距離が短
いので、ウェハWをプレートPまで下降させる時間を短
くでき、しかも支持ピンPINがウェハWを搬送装置2
2より受け取った位置から実質的な加熱がされることに
なる。従って、加熱処理に要する時間が短縮される。
In this embodiment, the above-described relationship can avoid adverse thermal effects on the wafer W in the resist liquid application unit (COT). That is, since there is a sufficient distance h4 between the spin chuck SP receiving the wafer from the transfer device 22 and the supply position in the cup CP, the wafer W adapts to the temperature atmosphere in the resist liquid coating unit (COT) during this time. become. Therefore, the wafer W accommodated in the cup CP does not disturb the temperature environment in the cup CP. On the other hand, it is possible to suppress a decrease in throughput in the heat treatment unit (POBAKE). That is, since the distance between the position where the support pin PIN receives the wafer W from the transfer device 22 and the plate P is short, the time for lowering the wafer W to the plate P can be shortened, and the support pin PIN transfers the wafer W to the transfer device 2.
Substantial heating will be performed from the position received from Step 2. Therefore, the time required for the heat treatment is reduced.

【0059】図10は上記の加熱処理ユニット(POB
AKE)と現像処理ユニット(DEV)との関係を示す
図である。図10(A)に示すように、加熱処理ユニッ
ト(POBAKE)において、プレートPの表面を基準
位置(高さ0)としたときに、支持ピンPINがウェハ
Wを搬送装置22より受け取る位置の高さをh1、図9
(B)に示すように、現像処理ユニット(DEV)にお
いて、スピンチャックSPがカップCP内に下降して現
像液が供給される位置を基準位置(高さ0)としたとき
に、スピンチャックSPが上昇してウェハWを搬送装置
22より受け取る位置の高さをh5とすると、h1<h
5の関係とされている。
FIG. 10 shows the heat treatment unit (POB)
FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between AKE) and a development processing unit (DEV). As shown in FIG. 10A, in the heat treatment unit (POBAKE), when the surface of the plate P is at the reference position (height 0), the height of the position where the support pins PIN receive the wafer W from the transfer device 22 is increased. H1 and FIG.
As shown in (B), in the development processing unit (DEV), when the position where the spin chuck SP is lowered into the cup CP and the developer is supplied is set to the reference position (height 0), the spin chuck SP Rises and the height of the position for receiving the wafer W from the transfer device 22 is h5, h1 <h
The relationship is 5.

【0060】この実施の形態では、以上の関係とするこ
とで、現像処理ユニット(DEV)におけるウェハWの
熱的な悪影響を回避することができる。即ち、スピンチ
ャックSPが搬送装置22よりウェハを受け取ってから
カップCP内の供給位置までに十分な距離h5があるの
で、この間にウェハWが現像処理ユニット(DEV)内
の温度雰囲気に馴染むことになる。従って、カップCP
内に収容されたウェハWがカップCP内の温度環境を乱
すこはなくなる。一方、加熱処理ユニット(POBAK
E)におけるスループットの低下を抑えることができ
る。即ち、支持ピンPINがウェハWを搬送装置22よ
り受け取る位置とプレートPとの距離が短いので、ウェ
ハWをプレートPまで下降させる時間を短くでき、しか
も支持ピンPINがウェハWを搬送装置22より受け取
った位置から実質的な加熱がされることになる。従っ
て、加熱処理に要する時間が短縮される。
In this embodiment, the above-described relationship makes it possible to avoid adverse thermal effects on the wafer W in the developing unit (DEV). That is, since there is a sufficient distance h5 between the spin chuck SP receiving the wafer from the transfer device 22 and the supply position in the cup CP, the wafer W adapts to the temperature atmosphere in the development processing unit (DEV) during this time. Become. Therefore, cup CP
The wafer W accommodated therein does not disturb the temperature environment in the cup CP. On the other hand, the heat treatment unit (POBAK
The decrease in throughput in E) can be suppressed. That is, since the distance between the position where the support pin PIN receives the wafer W from the transfer device 22 and the plate P is short, the time for lowering the wafer W to the plate P can be shortened, and the support pin PIN transfers the wafer W from the transfer device 22. Substantial heating will be performed from the receiving position. Therefore, the time required for the heat treatment is reduced.

【0061】図11は上記の現像処理ユニット(DE
V)とレジスト液塗布ユニット(COT)との関係を示
す図である。図11(A)に示すように、現像処理ユニ
ット(DEV)において、スピンチャックSPがカップ
CP内に下降して現像液が供給される位置を基準位置
(高さ0)としたときに、スピンチャックSPが上昇し
てウェハWを搬送装置22より受け取る位置の高さをh
5、図11(B)に示すように、レジスト液塗布ユニッ
ト(COT)において、スピンチャックSPがカップC
P内に下降してレジスト液が塗布される位置を基準位置
(高さ0)としたときに、スピンチャックSPが上昇し
てウェハWを搬送装置22より受け取る位置の高さをh
4とすると、h5<h4の関係とされている。
FIG. 11 shows the development processing unit (DE
FIG. 5 is a diagram showing a relationship between V) and a resist liquid application unit (COT). As shown in FIG. 11A, in the development processing unit (DEV), when the position where the spin chuck SP is lowered into the cup CP and the developing solution is supplied is set as the reference position (height 0), The height of the position at which the chuck SP is raised to receive the wafer W from the transfer device 22 is h
5. As shown in FIG. 11B, in the resist liquid application unit (COT), the spin chuck SP
When the position at which the resist liquid is applied by descending into P is set as the reference position (height 0), the height of the position at which the spin chuck SP rises and receives the wafer W from the transfer device 22 is h.
Assuming that 4, h5 <h4.

【0062】この実施の形態では、レジスト液塗布ユニ
ット(COT)において、スピンチャックSPが搬送装
置22よりウェハを受け取ってからカップCP内の供給
位置までに十分な距離h4があるので、現像処理ユニッ
ト(DEV)と比べてより厳しい温度管理が要求される
レジスト液塗布ユニット(COT)におけるカップCP
内の温度環境を乱すこはなくなる。一方、現像処理ユニ
ット(DEV)におけるスループットの低下を抑えるこ
とができる。
In this embodiment, in the resist liquid application unit (COT), there is a sufficient distance h4 from the time when the spin chuck SP receives the wafer from the transfer device 22 to the supply position in the cup CP. (CP) in resist solution coating unit (COT) that requires stricter temperature control compared to (DEV)
It will not disturb the temperature environment inside. On the other hand, a decrease in throughput in the development processing unit (DEV) can be suppressed.

【0063】図12は第1の加熱処理ユニットとしての
チリング加熱処理ユニットと第2の加熱処理ユニットと
しての通常の加熱処理ユニット(POBAKE)との関
係を示す図である。なお、チリング加熱処理ユニットと
は、加熱処理部と冷却処理部とが併設され、通常の加熱
処理ユニットと比しより厳しい温度管理が要求されるも
のである。
FIG. 12 is a diagram showing the relationship between a chilling heat treatment unit as a first heat treatment unit and a normal heat treatment unit (POBAKE) as a second heat treatment unit. The chilling heat treatment unit has a heat treatment unit and a cooling treatment unit provided side by side, and requires stricter temperature management than an ordinary heat treatment unit.

【0064】図12(A)に示すように、通常の加熱処
理ユニット(POBAKE)において、プレートPの表
面を基準位置(高さ0)としたときに、支持ピンPIN
がウェハWを搬送装置22より受け取る位置の高さをh
1、図12(B)に示すように、チリング加熱処理ユニ
ットにおいて、プレートPの表面を基準位置(高さ0)
としたときに、支持ピンPINがウェハWを搬送装置2
2より受け取る位置の高さをh6とすると、h1<h6
の関係とされている。
As shown in FIG. 12 (A), when the surface of the plate P is set at the reference position (height 0) in the ordinary heat treatment unit (POBAKE), the support pins PIN
Is the height of the position at which the wafer W is received from the transfer device 22 by h
1. As shown in FIG. 12 (B), in the chilling heat treatment unit, the surface of the plate P is set at the reference position (height 0).
The support pins PIN transfer the wafer W to the transfer device 2
Assuming that the height of the position received from 2 is h6, h1 <h6
The relationship has been.

【0065】この実施の形態では、以上の関係とするこ
とで、チリング加熱処理ユニットにおけるウェハWの熱
的な悪影響を回避することができる。一方、通常の加熱
処理ユニット(POBAKE)におけるスループットの
低下を抑えることができる。なお、POBAKEとPR
EBAKEとの間やチリング加熱処理ユニットとPRE
BAKEとの間においても同様の関係を持たせることが
できる。
In this embodiment, the above-described relationship can avoid adverse thermal effects on the wafer W in the chilling heat treatment unit. On the other hand, it is possible to suppress a decrease in throughput in a normal heat treatment unit (POBAKE). In addition, POBAKE and PR
Between EBAKE and chilling heat treatment unit and PRE
A similar relationship can be provided with BAKE.

【0066】本発明は以下のように変形して実施するこ
とも可能である。即ち、冷却処理ユニット(COL)に
おいて、支持ピンPINがウェハWを搬送装置22より
受け取ってからプレート上に下降する速度を、加熱処理
ユニット(POBAKE)において、支持ピンPINが
ウェハWを搬送装置22より受け取ってからプレート上
に下降する速度よりも遅くする。これにより、冷却処理
ユニット(COL)においてはより十分な熱的な悪影響
の回避が可能となり、加熱処理ユニット(POBAK
E)においてはスループットの低下をさらに抑えること
が可能となる。このような変形は、他の処理ユニット間
においても同様に可能である。
The present invention can be modified and implemented as follows. That is, in the cooling processing unit (COL), the speed at which the support pins PIN descend on the plate after receiving the wafer W from the transfer device 22 is determined by the rate at which the support pins PIN transfer the wafer W to the transfer device 22 in the heating processing unit (POBAKE). Slower than the speed of falling on the plate after receiving. This makes it possible to more sufficiently avoid adverse thermal effects in the cooling processing unit (COL), and the heating processing unit (POBAK).
In E), a decrease in throughput can be further suppressed. Such a modification is also possible between other processing units.

【0067】次に本発明の他の実施形態を説明する。図
13は本発明の他の実施形態に係る冷却処理ユニット
(COL)の構成を示す正面図である。図13におい
て、51は支持ピンPINを昇降する昇降機構、52は
昇降機構51を以下の関係となるように制御する制御部
である。即ち、冷却処理ユニット(COL)において、
プレートPの表面を基準位置(高さ0)としたときに、
支持ピンPINがウェハWを搬送装置22より受け取る
位置の高さをh7、支持ピンPINがウェハWを搬送装
置22より受け渡す位置の高さをh8とすると、h7>
h8の関係とされている。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 is a front view showing a configuration of a cooling processing unit (COL) according to another embodiment of the present invention. In FIG. 13, reference numeral 51 denotes an elevating mechanism for elevating and lowering the support pin PIN, and reference numeral 52 denotes a control unit for controlling the elevating mechanism 51 so as to satisfy the following relationship. That is, in the cooling processing unit (COL),
When the surface of the plate P is at the reference position (height 0),
Assuming that the height of the position where the support pin PIN receives the wafer W from the transfer device 22 is h7 and the height of the position where the support pin PIN transfers the wafer W from the transfer device 22 is h8, h7>
h8.

【0068】この実施の形態では、以上の関係にするこ
とで、ウェハWが冷却プレートPまで下降される時間が
長くなり、処理の終了したウェハWが受け渡し位置まで
上昇する時間が短くなる。これにより、ウェハWの熱的
な悪影響を回避でき、かつスループットの低下を抑える
ことができる。
In this embodiment, the above relationship reduces the time for which the wafer W is lowered to the cooling plate P, and shortens the time for which the processed wafer W is raised to the transfer position. As a result, it is possible to avoid adverse thermal effects on the wafer W and suppress a decrease in throughput.

【0069】なお、図14に示すように、搬送装置22
よりウェハWを受け取った支持ピンPINを遅い速度
(第1の速度)でプレートPまで下降し、処理の終了し
たウェハWを保持する支持ピンPINを速い速度(第2
の速度)で上昇して搬送装置22へ受け渡すようにして
も同様の効果を得ることができる。
Incidentally, as shown in FIG.
The support pins PIN, which has received the wafer W, are lowered to the plate P at a low speed (first speed), and the support pins PIN holding the processed wafer W are raised at a high speed (second speed).
The same effect can be obtained even if the transfer speed is increased to the transfer speed and transferred to the transport device 22.

【0070】また、図15に示すように、上記の高さ制
御と速度制御とを組み合わせてもよい。
As shown in FIG. 15, the above-described height control and speed control may be combined.

【0071】さらに、図16に示すように、搬送装置2
2よりウェハWを受け取った支持ピンPINを下降して
所定の位置で一旦停止してその後プレートPまで下降
し、処理の終了したウェハWを保持する支持ピンPIN
を停止することなくで上昇して搬送装置22へ受け渡す
ようにしても同様の効果を得ることができる。また、上
記の例に比べて制御をより簡単に行うことができる。
Further, as shown in FIG.
The support pins PIN receiving the wafer W from 2 are lowered, temporarily stopped at a predetermined position, and then lowered to the plate P to hold the processed wafer W.
The same effect can be obtained even if is raised and transferred to the transport device 22 without stopping. Further, control can be performed more easily than in the above example.

【0072】また、少なくとも下降速度及び上昇速度の
うち一方を段階的に可変して上昇時間の方が短くなるよ
うにしてもよい。
Further, at least one of the descending speed and the ascending speed may be varied stepwise so that the ascending time is shorter.

【0073】本発明は、冷却処理ユニットばかりでな
く、加熱処理ユニットや現像処理ユニット、レジスト液
塗布ユニット等にも適用可能である。
The present invention can be applied not only to the cooling processing unit but also to a heating processing unit, a developing processing unit, a resist liquid applying unit and the like.

【0074】なお、本発明は上述した実施の形態には限
定されない。例えば、上述した実施の形態では、処理ス
テーション11がその中心部に垂直搬送型の搬送装置2
2を持つ縦型のものであったが、図17に示すように、
搬送路51の両側に各処理ユニットを配置した処理ステ
ーション50についても本発明を適用できる。この場
合、搬送路51上には、Y方向にも移動可能な搬送装置
52が配置され、また搬走路51の両端には受け渡し機
構53、54が配置される。また、本発明はウェハWを
処理する処理装置ばかりでなく、他の基板、例えばLC
D基板等を処理する処理装置にも当然適用できる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the processing station 11 is provided with the vertical transfer type transfer device 2 at the center thereof.
Although it was a vertical type having two, as shown in FIG.
The present invention is also applicable to a processing station 50 in which each processing unit is arranged on both sides of the transport path 51. In this case, a transport device 52 that can also move in the Y direction is disposed on the transport path 51, and transfer mechanisms 53 and 54 are disposed at both ends of the transport path 51. Further, the present invention is applicable not only to a processing apparatus for processing a wafer W, but also to another substrate, for example, an LC.
Naturally, the present invention can also be applied to a processing apparatus for processing a D substrate or the like.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載に係る本発
明の処理装置によれば、搬送機構を有し、この搬送機構
にて複数の処理ユニットに対して被処理体を搬入出す
る、及び少なくとも1つの受け渡し機構に対して被処理
体を受け渡す処理装置であって、上記の処理ユニットに
おける搬入出の高さ位置、或いは受け渡し機構における
受け渡しの高さ位置が、処理ユニット或いは受け渡し機
構の間で少なくとも2種類あるように構成したので、ス
ループットの低下を抑えつつ、処理ユニット等に対する
被処理体の熱的な悪影響を回避することができる。
As described above, according to the processing apparatus of the first aspect of the present invention, the processing apparatus has a transfer mechanism, and the transfer mechanism loads and unloads an object to and from a plurality of processing units. And a processing device for transferring the object to be processed to at least one delivery mechanism, wherein the loading / unloading height position in the processing unit or the delivery height position in the delivery mechanism is the processing unit or the delivery mechanism. Since there are at least two types between the above, it is possible to avoid a thermal adverse effect of the object to be processed on the processing unit and the like while suppressing a decrease in throughput.

【0076】請求項2記載に係る本発明の処理装置によ
れば、被処理体を処理する位置から第1の高さに浮かせ
て被処理体を受け渡しする処理ユニットと、基台上に設
けられた保持部材により前記第1の高さよりも高い第2
の高さに浮かせて被処理体を保持する受け渡し機構と、
少なくとも前記処理ユニット及び前記受け渡し機構との
間で被処理体を受け渡して搬送する搬送機構とを具備す
るように構成したので、受け渡し機構における被処理体
の熱的な悪影響を回避し、処理ユニットにおけるスルー
プットの低下を抑えることができる。
According to the processing apparatus of the present invention, the processing unit is provided on the base, and the processing unit is configured to transfer the object to be processed by floating the object at the first height from the position for processing the object. The second height higher than the first height by the holding member.
A transfer mechanism that holds the object to be processed while floating at a height of
Since at least the processing unit and the transfer mechanism are configured to include a transport mechanism that transfers and transports the target object between the processing unit and the transfer mechanism, it is possible to avoid a thermal adverse effect of the target object in the transfer mechanism, A decrease in throughput can be suppressed.

【0077】請求項3記載に係る本発明の処理装置によ
れば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この
基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被
処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処
理ユニットと、基台上に設けられた保持部材により前記
第1の高さよりも高い第2の高さに浮かせて被処理体を
保持する受け渡し機構と、少なくとも前記加熱処理ユニ
ット及び受け渡し機構との間で被処理体を搬送する搬送
機構とを具備するように構成したので、受け渡し機構に
おける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニ
ットにおけるスループットの低下を抑えることができ
る。
According to the processing apparatus of the present invention, there is provided a base for heating the object to be processed, and the processing member is provided with a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit for transferring the body from the base to a first height and transferring the body to a second height higher than the first height by a holding member provided on the base; The transfer mechanism for holding and the transport mechanism for transporting the workpiece between at least the heat treatment unit and the delivery mechanism are configured to avoid adverse thermal effects of the workpiece in the delivery mechanism. In addition, a decrease in throughput in the heat treatment unit can be suppressed.

【0078】請求項4記載に係る本発明の処理装置によ
れば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この
基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被
処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処
理ユニットと、被処理体を冷却処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を前記第1の高さよりも高い第2の高さ
に浮かせて受け渡す冷却処理ユニットと、少なくとも前
記加熱処理ユニット及び前記冷却処理ユニットとの間で
被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成し
たので、冷却処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪
影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループット
の低下を抑えることができる。
According to the processing apparatus of the present invention, there is provided a base for heating the object to be processed, and the processing member is provided by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit for transferring the body from the base to the first height, and a base for cooling the body to be processed, and a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A cooling unit that floats and transfers the object to be processed at a second height higher than the first height, and a transport mechanism that transports the object between at least the heating unit and the cooling unit. Therefore, it is possible to avoid a thermal adverse effect of the object to be processed in the cooling processing unit, and to suppress a decrease in throughput in the heating processing unit.

【0079】請求項5記載に係る本発明の処理装置によ
れば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この
基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被
処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処
理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有
し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供
給すると共に、この保持部材を前記第1の高さよりも高
い第2の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液
塗布ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び
前記レジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送す
る搬送機構とを具備するように構成したので、レジスト
液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避
し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑
えることができる。
According to the processing apparatus of the present invention, there is provided a base for heating the object to be processed, and the processing member is provided by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit that lifts the body from the base to a first height and transfers the body, and a holding member that holds the substrate that can be moved up and down. The holding member is raised to a second height higher than the first height to transfer the object to be processed, and at least the heat treatment unit and the resist liquid applying unit to transfer the object to be processed. Since the apparatus is provided with the transport mechanism for transporting the processing object, it is possible to avoid a thermal adverse effect on the processing object in the resist liquid application unit and suppress a decrease in throughput in the heat processing unit.

【0080】請求項6記載に係る本発明の処理装置によ
れば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この
基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被
処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡す加熱処
理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有
し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施す
と共に、この保持部材を前記第1の高さよりも高い第2
の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニット
と、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記現像処理
ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備
するように構成したので、現像処理ユニットにおける被
処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにお
けるスループットの低下を抑えることがきる。
According to the processing apparatus of the present invention, there is provided a base for heating the object to be processed, and the processing member is provided by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A heating processing unit for transferring the body from the base to the first height and transferring the body, and a holding member for holding the substrate, which can be moved up and down, and performing a developing process on the object by lowering the holding member; The holding member is moved to a second position higher than the first height.
Since it is configured to include a development processing unit that rises to a height and transfers the object to be processed, and a transport mechanism that transports the object to be processed between at least the heating processing unit and the development processing unit, It is possible to avoid a thermal adverse effect on the object to be processed in the development processing unit, and to suppress a decrease in throughput in the heating processing unit.

【0081】請求項7記載に係る本発明の処理装置によ
れば、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この
保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、
この保持部材を第1の高さに上昇して被処理体を受け渡
す現像処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持
部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジス
ト液を供給すると共に、この保持部材を前記第1の高さ
よりも高い第2の高さに上昇して被処理体を受け渡すレ
ジスト液塗布ユニットと、少なくとも前記現像処理ユニ
ット及びレジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬
送する搬送機構とを具備するように構成したので、レジ
スト液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を
回避し、現像処理ユニットにおけるスループットの低下
を抑えることができる。
According to the processing apparatus of the present invention, there is provided a holding member which holds the substrate and which can be moved up and down.
A developing unit that raises the holding member to a first height and transfers the object to be processed, and a holding member that can move up and down to hold the substrate; And a resist liquid application unit that raises the holding member to a second height higher than the first height and transfers the object to be processed, and at least the developing unit and the resist liquid application unit. Since the apparatus is provided with a transport mechanism for transporting the object to be processed therebetween, thermal adverse effects of the object to be processed in the resist liquid application unit can be avoided, and a decrease in throughput in the development processing unit can be suppressed.

【0082】請求項8記載に係る本発明によれば、被処
理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面
より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基
台から第1の高さに浮かせて受け渡す第1の加熱処理ユ
ニットと、被処理体を加熱処理するための基台を有し、
この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材によ
り被処理体を基台から第1の高さよりも高い第2の高さ
に浮かせて受け渡す第2の加熱処理ユニットと、少なく
とも前記第1の加熱処理ユニット及び前記第2の加熱処
理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具
備するように構成したので、温度管理の厳しい加熱処理
ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、通
常の加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑
えることができる。
According to the eighth aspect of the present invention, there is provided a base for heating the object to be processed, and the object to be processed is held by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A first heat treatment unit that is transferred from the base to the first height and transferred, and a base for heat-treating the object to be processed,
A second heat treatment unit for transferring the object to be processed from the base to a second height higher than the first height by a holding member provided to be able to protrude and retract from the surface of the base; And a transport mechanism for transporting the target object between the first heat processing unit and the second heat processing unit. An adverse effect can be avoided, and a decrease in throughput in a normal heat treatment unit can be suppressed.

【0083】請求項9記載に係る本発明によれば、請求
項4から請求項8のうちいずれか1項記載の処理装置で
あって、被処理体を第2の高さから下降する速度を、被
処理体を第1の高さから下降する速度よりも遅くするよ
うに構成したので、被処理体の熱的な悪影響をより十分
に回避することが可能となる。
According to the ninth aspect of the present invention, there is provided the processing apparatus according to any one of the fourth to eighth aspects, wherein the speed at which the object to be processed is lowered from the second height is adjusted. Since the object to be processed is configured to be slower than the speed at which the object is lowered from the first height, it is possible to sufficiently avoid the adverse thermal effect of the object to be processed.

【0084】請求項10に係る本発明によれば、搬送機
構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に対し
て所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を昇降
可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降する昇
降機構と、前記保持部材が処理位置より高い第1の高さ
で被処理体を前記搬送機構より受け取り、前記保持部材
が前記第1の高さより低い第2の高さで被処理体を前記
搬送機構へ受け渡すように、前記昇降機構を制御する制
御手段とを具備するように構成したので、被処理体の熱
的な悪影響を回避でき、かつスループットの低下を抑え
ることができる。
According to the tenth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member, a lifting mechanism that moves the holding member up and down, and a holding member that receives the object to be processed from the transport mechanism at a first height higher than a processing position; Control means for controlling the elevating mechanism so as to transfer the object to be processed to the transfer mechanism at a second height lower than the height, thereby avoiding thermal adverse effects on the object to be processed. And a reduction in throughput can be suppressed.

【0085】請求項11に係る本発明によれば、搬送機
構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に対し
て所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を昇降
可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降する昇
降機構と、前記搬送装置より被処理体を受け取った前記
保持部材を第1の速度で処理位置まで下降し、処理の終
了した被処理体を保持する前記保持部材を前記第1の速
度よりも速い第2の速度で上昇して前記搬送装置へ受け
渡すように、前記昇降機構を制御する制御手段とを具備
するように構成したので、被処理体の熱的な悪影響を回
避でき、かつスループットの低下を抑えることができ
る。
According to the eleventh aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring an object to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the object to be processed. A holding member that holds the holding member, an elevating mechanism that moves the holding member up and down, and a processing object that has lowered the holding member that has received the processing object from the transport device to a processing position at a first speed and has completed processing. Control means for controlling the elevating mechanism so as to raise the holding member for holding at a second speed higher than the first speed and transfer the holding member to the transfer device. It is possible to avoid a thermal adverse effect on the object to be processed and suppress a decrease in throughput.

【0086】請求項12に係る本発明によれば、搬送機
構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に対し
て所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を昇降
可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降する昇
降機構と、受け取り位置で前記搬送装置より被処理体を
受け取った前記保持部材を第1の速度で処理位置まで下
降し、処理の終了した被処理体を保持する前記保持部材
を前記第1の速度よりも速い第2の速度で前記受け取り
位置よりも低い位置にある受け渡し位置まで上昇して前
記搬送装置へ受け渡すように、前記昇降機構を制御する
制御手段とを具備するように構成したので、被処理体の
熱的な悪影響をより回避でき、かつスループットの低下
をより抑えることができる。。
According to the twelfth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member, an elevating mechanism that moves the holding member up and down, and the holding member that has received the object to be processed from the transport device at the receiving position is lowered to the processing position at a first speed, and the processing is completed. The elevating mechanism moves the holding member holding the object to be processed at a second speed higher than the first speed to a transfer position that is lower than the receiving position and transfers the holding member to the transfer device. And a control unit for controlling the temperature of the object to be processed, it is possible to further avoid the adverse thermal effect of the object to be processed and to further suppress the decrease in throughput. .

【0087】請求項13に係る本発明によれば、搬送機
構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に対し
て所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を昇降
可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降する昇
降機構と、前記搬送装置より被処理体を受け取った前記
保持部材を下降して所定の位置で一旦停止してその後処
理位置まで下降し、処理の終了した被処理体を保持する
前記保持部材を上昇して前記搬送装置へ受け渡すよう
に、前記昇降機構を制御する制御手段とを具備するよう
に構成したので、被処理体の熱的な悪影響を回避でき、
かつスループットの低下を抑えることができる。また、
制御をより簡単に行うことができる。
According to the thirteenth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece, wherein the processing apparatus raises and lowers the workpiece. A holding member that holds the holding member, an elevating mechanism that moves the holding member up and down, and lowers the holding member that has received the object to be processed from the transport device, temporarily stops at a predetermined position, and then descends to the processing position, Control means for controlling the elevating mechanism so that the holding member holding the processed object is lifted and delivered to the transfer device. Adverse effects can be avoided,
In addition, a decrease in throughput can be suppressed. Also,
Control can be performed more easily.

【0088】請求項14に係る本発明によれば、搬送機
構との間で被処理体の受け渡しを行い、被処理体に対し
て所定の処理を行う処理装置であって、被処理体を昇降
可能に保持する保持部材と、前記保持部材を昇降する昇
降機構と、前記搬送装置より被処理体を受け取った前記
保持部材を処理位置まで下降し、処理の終了した被処理
体を保持する前記保持部材を上昇して前記搬送装置へ受
け渡す際に、少なくとも下降速度及び上昇速度のうち一
方を段階的に可変して上昇時間の方が短くなるように、
前記昇降機構を制御する制御手段とを具備するように構
成したので、被処理体の熱的な悪影響を回避でき、かつ
スループットの低下を抑えることができる。また、制御
をより簡単に行うことができる。
According to the fourteenth aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece. A holding member that holds the holding member, an elevating mechanism that moves the holding member up and down, and the holding member that lowers the holding member that has received the object to be processed from the transport device to a processing position and holds the processed object that has been processed When raising the member and transferring it to the transfer device, at least one of the descending speed and the ascending speed is changed stepwise so that the ascending time is shorter,
Since the apparatus is provided with the control means for controlling the elevating mechanism, it is possible to avoid a thermal adverse effect on the object to be processed and suppress a decrease in throughput. Further, control can be performed more easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態に係る塗布現像処理装置
の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示した塗布現像処理装置の正面図であ
る。
FIG. 2 is a front view of the coating and developing apparatus shown in FIG.

【図3】 図1に示した塗布現像処理装置の背面図であ
る。
FIG. 3 is a rear view of the coating and developing apparatus shown in FIG. 1;

【図4】 図1〜図3に示した塗布現像処理装置におけ
る加熱処理ユニット(PREBAKE、POBAKE)
及び冷却処理ユニット(COL)の構成を示す正面図で
ある。
4 is a heating processing unit (PREBAKE, POBAKE) in the coating and developing processing apparatus shown in FIGS.
FIG. 2 is a front view illustrating a configuration of a cooling processing unit (COL).

【図5】 図1〜図3に示した塗布現像処理装置におけ
る受け渡し機構(EXT)の構成を示す正面図である。
FIG. 5 is a front view showing a configuration of a delivery mechanism (EXT) in the coating and developing apparatus shown in FIGS.

【図6】 図1〜図3に示した塗布現像処理装置におけ
るレジスト液塗布ユニット(COT)及び現像処理ユニ
ット(DEV)の構成を示す正面図である。
FIG. 6 is a front view showing a configuration of a resist liquid application unit (COT) and a development processing unit (DEV) in the coating and developing apparatus shown in FIGS.

【図7】 加熱処理ユニット(POBAKE)と受け渡
し機構(EXT)との関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a heat treatment unit (POBAKE) and a delivery mechanism (EXT).

【図8】 加熱処理ユニット(POBAKE)と冷却処
理ユニット(COL)との関係を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between a heating processing unit (POBAKE) and a cooling processing unit (COL).

【図9】 加熱処理ユニット(POBAKE)とレジス
ト液塗布ユニット(COT)との関係を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between a heat treatment unit (POBAKE) and a resist liquid application unit (COT).

【図10】 加熱処理ユニット(POBAKE)と現像
処理ユニット(DEV)との関係を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a heating processing unit (POBAKE) and a developing processing unit (DEV).

【図11】 現像処理ユニット(DEV)とレジスト液
塗布ユニット(COT)との関係を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a relationship between a development processing unit (DEV) and a resist liquid application unit (COT).

【図12】 第1の加熱処理ユニットとしてのチリング
加熱処理ユニットと第2の加熱処理ユニットとしての通
常の加熱処理ユニット(POBAKE)との関係を示す
図である。
FIG. 12 is a diagram showing a relationship between a chilling heat treatment unit as a first heat treatment unit and a normal heat treatment unit (POBAKE) as a second heat treatment unit.

【図13】 本発明の他の実施形態に係る冷却処理ユニ
ット(COL)の構成を示す正面図である。
FIG. 13 is a front view illustrating a configuration of a cooling processing unit (COL) according to another embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の別の実施形態に係る冷却処理ユニ
ット(COL)の構成を示す正面図である。
FIG. 14 is a front view showing a configuration of a cooling processing unit (COL) according to another embodiment of the present invention.

【図15】 本発明のさらに別の実施形態に係る冷却処
理ユニット(COL)の構成を示す正面図である。
FIG. 15 is a front view showing a configuration of a cooling processing unit (COL) according to still another embodiment of the present invention.

【図16】 本発明のさらなる実施形態に係る冷却処理
ユニット(COL)の構成を示す正面図である。
FIG. 16 is a front view showing a configuration of a cooling processing unit (COL) according to a further embodiment of the present invention.

【図17】 本発明が適用される他の塗布現像処理装置
の平面図である。
FIG. 17 is a plan view of another coating and developing apparatus to which the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

22 搬送装置 COL 冷却処理ユニット COT レジスト液塗布ユニット DEV 現像処理ユニット EXT 受け渡し機構 P プレート PIN 支持ピン POBAKE 加熱処理ユニット SP スピンチャック W ウェハ 22 Conveyor COL Cooling unit COT Resist liquid applying unit DEV Developing unit EXT Transfer mechanism P plate PIN Support pin POBAKE Heating unit SP Spin chuck W Wafer

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 搬送機構を有し、この搬送機構にて複数
の処理ユニットに対して被処理体を搬入出する、及び少
なくとも1つの受け渡し機構に対して被処理体を受け渡
す処理装置であって、 上記の処理ユニットにおける搬入出の高さ位置、或いは
受け渡し機構における受け渡しの高さ位置が、処理ユニ
ット或いは受け渡し機構の間で少なくとも2種類あるこ
とを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus having a transport mechanism, wherein the transport mechanism loads and unloads an object to and from a plurality of processing units, and transfers the object to at least one transfer mechanism. A processing apparatus, wherein there are at least two types of loading / unloading height positions in the processing unit or delivery height positions in the delivery mechanism between the processing unit and the delivery mechanism.
【請求項2】 被処理体を処理する位置から第1の高さ
に浮かせて被処理体を受け渡しする処理ユニットと、 基台上に設けられた保持部材により前記第1の高さより
も高い第2の高さに浮かせて被処理体を保持する受け渡
し機構と、 少なくとも前記処理ユニット及び前記受け渡し機構との
間で被処理体を受け渡して搬送する搬送機構とを具備す
ることを特徴とする処理装置。
2. A processing unit for transferring an object to be processed by floating the object at a first height from a position where the object to be processed is transferred, and a processing unit which is higher than the first height by a holding member provided on a base. 2. A processing apparatus, comprising: a delivery mechanism that holds a workpiece while floating at a height of 2; and a transport mechanism that delivers and transports the workpiece between at least the processing unit and the delivery mechanism. .
【請求項3】 被処理体を加熱処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡
す加熱処理ユニットと、 基台上に設けられた保持部材により前記第1の高さより
も高い第2の高さに浮かせて被処理体を保持する受け渡
し機構と、 少なくとも前記加熱処理ユニット及び受け渡し機構との
間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備することを特
徴とする処理装置。
3. A base for heat-treating an object to be processed, wherein the object to be processed is lifted from the base to a first height by a holding member provided so as to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit to be transferred, a transfer mechanism that holds the object to be processed by being held at a second height higher than the first height by a holding member provided on a base, and at least the heat processing unit and the transfer And a transport mechanism for transporting the object to and from the mechanism.
【請求項4】 被処理体を加熱処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡
す加熱処理ユニットと、 被処理体を冷却処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を前記第1の高さよりも高い第2の高さに浮かせて受け
渡す冷却処理ユニットと、 少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記冷却処理ユニ
ットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する
ことを特徴とする処理装置。
4. A base for heat-treating an object to be processed, wherein the object to be processed is lifted from the base to a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit to be delivered and received, a base for cooling the object to be processed, and a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base to move the object to be processed higher than the first height. 2. A processing apparatus, comprising: a cooling processing unit that is transferred at a height of 2 and a transport mechanism that transports an object between at least the heating processing unit and the cooling processing unit.
【請求項5】 被処理体を加熱処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡
す加熱処理ユニットと、 基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部
材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、
この保持部材を前記第1の高さよりも高い第2の高さに
上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニット
と、 少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記レジスト液塗
布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具
備することを特徴とする処理装置。
5. A base for heat-treating an object to be processed, wherein the object to be processed is lifted from the base to a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit to be delivered and received, and a holding member that can move up and down to hold the substrate.
A resist liquid application unit that raises the holding member to a second height higher than the first height and transfers the object to be processed, and at least a heat treatment unit and a resist liquid application unit that transfer the object to be processed. A processing apparatus comprising: a transport mechanism configured to transport a body.
【請求項6】 被処理体を加熱処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡
す加熱処理ユニットと、 基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部
材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保
持部材を前記第1の高さよりも高い第2の高さに上昇し
て被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、少なくとも
前記加熱処理ユニット及び前記現像処理ユニットとの間
で被処理体を搬送する搬送機構とを具備することを特徴
とする処理装置。
6. A base for heat-treating an object to be processed, wherein the object to be processed is lifted from the base to a first height by a holding member provided so as to protrude and retract from the surface of the base. A heat treatment unit to be delivered and received, a holding member capable of moving up and down for holding the substrate, the holding member being lowered to perform a developing process on the object to be processed, and the holding member having a height higher than the first height. And a transfer mechanism for transferring the object between at least the heat processing unit and the developing unit. Processing equipment.
【請求項7】 基板を保持する昇降可能な保持部材を有
し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施す
と共に、この保持部材を第1の高さに上昇して被処理体
を受け渡す現像処理ユニットと、 基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部
材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、
この保持部材を前記第1の高さよりも高い第2の高さに
上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニット
と、 少なくとも前記現像処理ユニット及びレジスト液塗布ユ
ニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備す
ることを特徴とする処理装置。
7. A processing apparatus comprising a holding member for holding a substrate, the holding member being movable up and down, the holding member being lowered to perform a developing process on an object to be processed, and the holding member being raised to a first height to be processed. A development processing unit that transfers the body, and a vertically movable holding member that holds the substrate. The holding member is lowered to supply a resist liquid to the object to be processed,
A resist liquid application unit that raises the holding member to a second height higher than the first height and transfers the object; and at least the object to be processed between the development processing unit and the resist liquid application unit. And a transport mechanism for transporting the wafer.
【請求項8】 被処理体を加熱処理するための基台を有
し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材
により被処理体を基台から第1の高さに浮かせて受け渡
す第1の加熱処理ユニットと、 被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の
表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体
を基台から第1の高さよりも高い第2の高さに浮かせて
受け渡す第2の加熱処理ユニットと、 少なくとも前記第1の加熱処理ユニット及び前記第2の
加熱処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構
とを具備することを特徴とする処理装置。
8. A base for heat-treating the object to be processed, wherein the object to be processed is lifted from the base to a first height by a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base. A first heat treatment unit to be transferred and a base for heat-treating the object to be processed; a holding member provided so as to be able to protrude and retract from the surface of the base; A second heat treatment unit which is transferred to and floated at a second height higher than the height, and a transport mechanism which transports the object between at least the first heat treatment unit and the second heat treatment unit A processing device comprising:
【請求項9】 請求項4から請求項8のうちいずれか1
項記載の処理装置であって、 被処理体を第2の高さから下降する速度が、被処理体を
第1の高さから下降する速度よりも遅いことを特徴とす
る処理装置。
9. The method according to claim 4, wherein
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein a speed at which the object is lowered from the second height is lower than a speed at which the object is lowered from the first height.
【請求項10】 搬送機構との間で被処理体の受け渡し
を行い、被処理体に対して所定の処理を行う処理装置で
あって、 被処理体を昇降可能に保持する保持部材と、 前記保持部材を昇降する昇降機構と、 前記保持部材が処理位置より高い第1の高さで被処理体
を前記搬送機構より受け取り、前記保持部材が前記第1
の高さより低い第2の高さで被処理体を前記搬送機構へ
受け渡すように、前記昇降機構を制御する制御手段とを
具備することを特徴とする処理装置。
10. A processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece, wherein the holding member holds the workpiece so as to be able to move up and down; An elevating mechanism for elevating and lowering a holding member, wherein the holding member receives an object to be processed from the transport mechanism at a first height higher than a processing position;
A processing unit for controlling the elevating mechanism so as to transfer the object to be processed to the transport mechanism at a second height lower than the height of the processing device.
【請求項11】 搬送機構との間で被処理体の受け渡し
を行い、被処理体に対して所定の処理を行う処理装置で
あって、 被処理体を昇降可能に保持する保持部材と、 前記保持部材を昇降する昇降機構と、 前記搬送装置より被処理体を受け取った前記保持部材を
第1の速度で処理位置まで下降し、処理の終了した被処
理体を保持する前記保持部材を前記第1の速度よりも速
い第2の速度で上昇して前記搬送装置へ受け渡すよう
に、前記昇降機構を制御する制御手段とを具備すること
を特徴とする処理装置。
11. A processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece, comprising: a holding member configured to hold the workpiece so as to be able to move up and down; An elevating mechanism for elevating and lowering the holding member, the holding member receiving the object from the transport device, moving down the holding member at a first speed to a processing position, and holding the object to be processed, Control means for controlling the elevating mechanism so as to ascend at a second speed higher than the first speed and transfer the same to the transport device.
【請求項12】 搬送機構との間で被処理体の受け渡し
を行い、被処理体に対して所定の処理を行う処理装置で
あって、 被処理体を昇降可能に保持する保持部材と、 前記保持部材を昇降する昇降機構と、 受け取り位置で前記搬送装置より被処理体を受け取った
前記保持部材を第1の速度で処理位置まで下降し、処理
の終了した被処理体を保持する前記保持部材を前記第1
の速度よりも速い第2の速度で前記受け取り位置よりも
低い位置にある受け渡し位置まで上昇して前記搬送装置
へ受け渡すように、前記昇降機構を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする処理装置。
12. A processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece, comprising: a holding member configured to hold the workpiece so as to be able to move up and down; An elevating mechanism for elevating and lowering a holding member; and a holding member for lowering the holding member having received the object to be processed from the transport device at a receiving position to a processing position at a first speed, and holding the object to be processed. The first
Control means for controlling the elevating mechanism so as to ascend to a transfer position located at a position lower than the receiving position at a second speed higher than the transfer speed and transfer the transfer device to the transfer device. Processing equipment.
【請求項13】 搬送機構との間で被処理体の受け渡し
を行い、被処理体に対して所定の処理を行う処理装置で
あって、 被処理体を昇降可能に保持する保持部材と、 前記保持部材を昇降する昇降機構と、 前記搬送装置より被処理体を受け取った前記保持部材を
下降して所定の位置で一旦停止してその後処理位置まで
下降し、処理の終了した被処理体を保持する前記保持部
材を上昇して前記搬送装置へ受け渡すように、前記昇降
機構を制御する制御手段とを具備することを特徴とする
処理装置。
13. A processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece, comprising: a holding member that holds the workpiece so as to be able to move up and down; An elevating mechanism for elevating and lowering the holding member; and lowering the holding member that has received the object to be processed from the transport device, temporarily stopping at a predetermined position, and then lowering to the processing position, and holding the object to be processed. And a control means for controlling the elevating mechanism so as to raise the holding member to be transferred to the transfer device.
【請求項14】 搬送機構との間で被処理体の受け渡し
を行い、被処理体に対して所定の処理を行う処理装置で
あって、 被処理体を昇降可能に保持する保持部材と、 前記保持部材を昇降する昇降機構と、 前記搬送装置より被処理体を受け取った前記保持部材を
処理位置まで下降し、処理の終了した被処理体を保持す
る前記保持部材を上昇して前記搬送装置へ受け渡す際
に、少なくとも下降速度及び上昇速度のうち一方を段階
的に可変して上昇時間の方が短くなるように、前記昇降
機構を制御する制御手段とを具備することを特徴とする
処理装置。
14. A processing apparatus for transferring a workpiece to and from a transport mechanism and performing a predetermined process on the workpiece, comprising: a holding member that holds the workpiece so as to be able to move up and down; An elevating mechanism for elevating and lowering a holding member; and lowering the holding member that has received the object to be processed from the transfer device to a processing position, and raising the holding member that holds the object to be processed to the transfer device. A processing unit for controlling the elevating mechanism so that at least one of the descending speed and the ascending speed is stepwise varied at the time of delivery so that the ascending time is shorter. .
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